TW201715057A - 沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種不容易產生熔接缺陷的沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法。該熔接方法係將含有以質量%計，0.08%以下之C、1.5至4.0%之Si、2.0%以下之Mn、0.04%以下之P、0.01%以下之S、16.0至22.0%之Cr、10.0至14.0%之Ni、及0.08%以下之N，同時含有合計1.0%以下之Nb及Ti的至少1種，剩餘部分係由Fe及不可避免的雜質所構成之板厚0.6mm至1.0mm的沃斯田體系不銹鋼板重疊且藉由電弧熔接將重疊部熔接。又，將熔著背面部，以110℃/秒以上的冷卻速度從1200℃冷卻至900℃。

Description

沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法
本發明係有關於一種用以將沃斯田體系不銹鋼板重疊而熔接之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法。
近年來，從環境問題的觀點而言，排氣氣體的管制係變為嚴格，為了使燃料消耗率和引擎的燃燒效率進一步提升，而有使排氣氣體溫度上升之傾向。
又，以引擎起動時的排氣氣體淨化性能之效率化作為目的，而有搭載雙層構造排氣歧管(Exhaust Manifold)之情形，其中該雙層構造排氣歧管係具備內管及外管且在該等內管與外管之間設置有空隙(例如參照專利文獻1至3)。
此種雙層構造排氣歧管，內管係有比單層構造排氣歧管更薄壁之傾向。
因此，通常在單層構造排氣歧管，係使用熱膨脹係數較小的肥粒鐵系不銹鋼，但是雙層構造排氣歧管的內管，係使用加工性比肥粒鐵系不銹鋼更優異的沃斯田體系不銹鋼。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-93654號公報
[專利文獻2]日本特開平8-334017號公報
[專利文獻3]日本特開平8-334018號公報
雙層構造排氣歧管的內管及外管，係多半是將壓製成形的管零件疊合且採用藉由MIG熔接(金屬鈍氣熔接；metal inert gas welding)等的電弧熔接之填角熔接(fillet weld)而製造。
但是，因為雙層構造排氣歧管的內管係通常比單層構造排氣歧管更薄壁，所以在熔接之熱輸入量的控制係非常困難，特別是在熔接接頭部，有容易產生高溫裂紋、延展性低落裂紋等的熔接缺陷之問題。
因為本發明鑒此種情形而進行，其目的係提供一種不容易產生熔接缺陷之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法。
申請專利範圍第1項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係將含有C：0.08質量%以下、Si：1.5質量%以上且4.0質量%以下、Mn：2.0質量%以下、P：0.04質量%以下、S：0.01質量%以下、Cr：16.0質量%以上且 22.0質量%以下、Ni：10.0質量%以上且14.0質量%以下、及N：0.08質量%以下，同時含有合計1.0質量%以下之Nb及Ti的至少1種，剩餘部分係由Fe及不可避免的雜質所構成之板厚0.6mm以上且1.0mm以下的沃斯田體系不銹鋼板重疊且藉由電弧熔接將重疊部熔接，而且將在熔接背面之熔接時溫度成為最高之部位之熔著背面部，以110℃/秒以上的冷卻速度從1200℃冷卻至900℃。
申請專利範圍第2項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係在申請專利範圍第1項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法中之沃斯田體系不銹鋼板係含有合計1.0質量%以下之Al、Zr及V之中的至少1種。
申請專利範圍第3項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係在申請專利範圍第1或2項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法中之沃斯田體系不銹鋼板係含有合計4.0質量%以下之Mo及Cu的至少1種。
申請專利範圍第4項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係在申請專利範圍第1至3項中任一項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法中之沃斯田體系不銹鋼板係含有0.01質量%以下的B。
申請專利範圍第5項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係在申請專利範圍第1至4項中任一項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法中，將熔接重疊部時之熔接接頭部的重疊間隔(overlap space)長度設作2.5mm以上。
依照本發明，因為將在熔接背面之熔接時溫度成為最高之部位之熔著背面部，以110℃/秒以上的冷卻速度從1200℃冷卻至900℃，所以能夠移動熔接時所產生的熱量而防止產生熔接缺陷。
1‧‧‧熔接接頭部
2‧‧‧管母材部
3‧‧‧管母材部
4‧‧‧熔著部
5‧‧‧接合部
6‧‧‧熔接背面
7‧‧‧熔著背面部
8‧‧‧重疊部
W‧‧‧重疊間隔
第1圖係示意性地顯示本發明的一實施形態之熔接接頭部之剖面圖。
第2圖係示意性地顯示同上之熔接接頭部的變形例之剖面圖。
第3圖係顯示在本實施例及比較例之冷卻速度與裂紋產生率的關係之圖表。
(用以實施發明之形態)
以下，詳細地說明本發明的一實施形態之構成。
雙層構造排氣歧管，係具備外管、及夾著間隙而配置在比該外管更靠近內側之內管。該等外管及內管，係各自藉由第1圖所顯示之熔接接頭部1且使用熔接金屬線等的熔接棒而被MIG熔接，而且在外管與內管之間配置有中空的隔熱層之狀態下被固定。
又，藉由如此地進行熔接，熔接接頭部1係具備：管母材部2；管母材部3；熔著部4，其係熔著有該等管母材部2、3；接合部5，其係管母材部2、3與熔著部 4之邊界。又，第1圖的虛線係表示熔著前的管母材部2、3之組合狀態。
因為內管係比外管更薄壁，在熔接之熱輸入量的控制為非常困難，所以設法使例如高溫裂紋、延展性低落裂紋等的熔接缺陷不容易產生係重要的。
因此，內管係使用加工性比肥粒鐵系不銹鋼更優異之板厚0.6mm以上且1.0mm以下的沃斯田體系不銹鋼板。又，具體而言，係將內管的沃斯田體系不銹鋼設計為如下述成分。
內管的母材成分(沃斯田體系不銹鋼)，係含有0.08質量%以下的C(碳)、1.5質量%以上且4.0質量%以下的Si(矽)、2.0質量%以下的Mn(錳)、0.04質量%以下的P(磷)、0.01質量%以下的S(硫)、16.0質量%以上且22.0質量%以下的Cr(鉻)、10.0質量%以上且14.0質量%以下的Ni(鎳)、及0.08質量%以下的N(氮)，同時含有合計1.0質量%以下之Nb(鈮)及Ti(鈦)的至少1種，剩餘部分係由Fe(鐵)及不可避免的雜質所構成。
而且，沃斯田體系不銹鋼之構成，係視需要亦可含有合計1.0質量%以下之Al(鋁)、Zr(鋯)及V(釩)之中的至少1種。
又，沃斯田體系不銹鋼之構成，係視需要亦可含有合計4.0質量%以下之Mo(鉬)及Cu(銅)的至少1種。
而且，沃斯田體系不銹鋼之構成，係視需要亦可有0.01質量%以下的B(硼)。
C係對於提升沃斯田體系不銹鋼的高溫強度為有效的，但是過剩地含有超過0.08質量%時，在使用中有形成Cr碳化物且韌性劣化的可能性，同時有助於提升耐高溫氧化性之有效的固溶Cr量有減少之可能性。因而，C的含量係設為0.08質量%以下(不包含無添加)。
Si係對於提升高溫氧化特性為非常有效的，藉由使其在母材含有1.5質量%以上，在850至900℃的溫度區域使Si濃化被膜形成在Cr氧化物的內側，而有助於提升耐銹垢剝離性。另一方面，使Si在母材中過剩地含有超過4.0質量%時，有提高σ脆化敏感性且在使用中引起σ脆化之可能性。因而，Si的含量係設為1.5質量%以上且4.0質量%以下，較佳是設為3.0質量%以上且4.0質量%以下。
Mn係沃斯田體相安定化元素，主要是發揮調整δ相平衡之作用，但是過剩地含有超過2.0質量%時，有引起耐高溫氧化性低落之可能性。因而，Mn的含量係設為2.0質量%以下(不包含無添加)。
P係含有超過0.04質量%時，因為有使沃斯田體系不銹鋼的熱加工性低落之可能性，所以盡可能減低含量為佳。因而，P的含量係設為0.04質量%以下。
S係與P同樣地，含有超過0.01質量%時，因為有使沃斯田體系不銹鋼的熱加工性低落之可能性，所以盡可能減低含量為佳。因而，S的含量係設為0.01質量%以下。
Cr係抑制在高溫生成銹垢且提升高溫氧化特性之有效的元素，為了達成此種作用，必須含有16.0質量%以上。另一方面，過剩地含有超過22.0質量%的Cr時，有引起σ脆化之可能性。因而，Cr的含量係設為16.0質量%以上且22.0質量%以下。
Ni係沃斯田體相安定化元素，主要是用以調整δ相平衡而含有，為了達成此種作用，必須含有10.0質量%以上。另一方面，過剩地含有Ni時，因為引起成本上升，所以Ni的含量之上限係設為14.0質量%。因而，Ni的含量係設為10.0質量%以上且14.0質量%以下。
N係藉由固溶強化而使高溫強度提升之元素，但是過剩地含有超過0.08質量%時，由於形成Cr氮化物，而有使韌性低落之可能性。因而，N的含量係設為0.08質量%以下(不包含無添加)。
Nb及Ti係與C和N鍵結而提升高溫強度之元素，但是過剩地含有時，有造成低熔點化之可能性。因而，為了提升高溫強度之目的而含有Nb及Ti時，係含有合計1.0質量%以下之Nb及Ti之中的至少1種。
Al係強力的肥粒鐵生成元素，對δ相的安定化為有效的。又，Zr及V係與C和N鍵結而提升高溫強度之元素。但是過剩地含有Al、Zr及V時，有造成低熔點化之可能性。因而，為了提升高溫強度之目的而含有Al、Zr及V時，以含有合計1.0質量%以下之Al、Zr及V之中的至少1種為佳。
Mo係肥粒鐵生成元素，對提升高溫強度為有效的，但是過剩地含有時，有引起σ脆化且韌性低落之可能性。又，Cu係沃斯田體生成元素，對提升高溫強度為有用的，但是過剩地含有時，有引起耐高溫氧化性低落之可能性。因而，作為提升高溫強度而含有Mo及Cu時，以含有合計4.0質量%以下之Mo及Cu之中的至少1種為佳。
B係使熔接接頭部的晶界強度提升，對提升耐熱性為有效的，但是大量地含有時，熱加工性有低落之可能性。因而，以提升耐熱性作為目的而含有B時，B的含量係以0.01質量%以下為佳。
其次，說明將上述沃斯田體系不銹鋼板進行熔接時之熔接方法。
在熔接內管時，係在使內管的一部分彼此之間疊合後的狀態下進行MIG熔接。
又，在MIG熔接之熔接條件，熔接芯線的種類及遮罩氣體的流量等係能夠適當地選擇而設定。針對遮罩氣體(shielding gas)的種類，係使用氬、氮等的惰性氣體，從防止氧化物在熔接部捲入的觀點而言，惰性氣體中的氧濃度係以設作5.0體積%以下為佳。
為了防止在MIG熔接產生熔接高溫裂紋等的熔接缺陷，藉由在熔接後進行冷卻，使在熔接時所產生的熱量早期傳達且熱移動至其它的部位係重要的。
熔接後，為了使其快速地熱移動而有效地防止熔接缺陷的產生，限制在熔接接頭部1之與經施行熔接 的面為相反側之熔接背面6的冷卻速度係有效的。
具體而言，係將熔接後在熔接背面6之溫度成為最高的部位之熔著背面部7，以110℃/秒以上的冷卻速度從1200℃冷卻至900℃。
作為使熔接後的冷卻速度上升且使冷卻速度成為110℃/秒以上之方法，例如能夠使用下列等方法而適當地實施：在製品的性質上被容許的範圍，減低在熔接的熱輸入量本身之方法；在熔接背面6安裝Cu等的擋板用以促進熱傳達之方法；調整背面遮罩氣體的流量之方法；以及將遮罩氣體直接吹附在熔接背面6之方法。
在此，熔接時最不容易進行熱移動的係鋼板之間重疊的重疊部8。因此，為了增大重疊部8的體積而促進熱傳導(熱移動)，以使重疊部8的重疊間隔W長度成為2.5mm以上之構成為佳，重疊間隔W的長度係以4.0mm以上為較佳。
而且，依照上述沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，因為使熔接背面6之熔接時溫度成為最高的部位之熔著背面部7，從1200℃冷卻至900℃時的冷卻速度成為110℃/秒以上，所以能夠將在容易產生熔接缺陷的接背面6之熔接時所產生的熱量早期移動至其它部位。因此，能夠抑制成為熔接缺陷的原因之熔接時產生的熱量所造成的影響，且能夠防止產生高溫裂紋、HAZ部(熱影響部)的延展性低落裂紋等的熔接缺陷。
又，藉由使熔接重疊部8時的重疊間隔W長 度成為2.5mm以上而增大重疊部8的體積，因為能夠促進熱傳導(熱移動)且能夠使冷卻速度上升，所以能夠有效地防止產生熔接缺陷。而且，使重疊間隔W的長度成為4.0mm以上時，能夠更有效地防止產生熔接缺陷。
而且，在上述沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係使用MIG熔接法作為電弧熔接，但是例如亦能夠應用TIG熔接法、MAG熔接法及被覆電弧熔接法等。
又，在上述沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係將重疊部8進行填角熔接，但是例如亦可如第2圖所顯示的變形例，將重疊部8之中央部附近進行熔接。
而且，上述沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係將沃斯田體系不銹鋼板之間進行熔接的情況；及將沃斯田體系不銹鋼板與其它材料進行熔接的情況之任一者均應用可能。
[實施例]
以下，說明本實施例及比較例。
熔煉表1所表示成分之沃斯田體系不銹鋼而成為板厚0.8mm的冷軋退火板。又，從各冷軋退火板切取100×200mm的板狀供試材。
將各鋼種的供試材疊合2片且在電流120A、電壓14.4V、熔接芯線308(Φ 1.2mm)、遮罩氣體Ar+5體積%O2、及遮罩氣體流量10L/分鐘的條件下施行MIG熔接後，將Ar作為背面遮罩氣體且直接吹附在熔接背面而將熔著背面部冷卻。又，冷卻速度係藉由調整背面遮罩氣體的流量而控制。
在各鋼種製造5個檢體且將評價數設作5，將在熔著背面部產生裂紋者判定為裂紋且算出裂紋的產生率。
將在各鋼種之重疊間隔、使熔著背面部從1200℃冷卻至900℃時的冷卻速度、及裂紋產生率顯示在表2，將冷卻速度與裂紋產生率之關係顯示在第3圖。
如表2及第3圖所顯示，使熔著背面部從1200℃冷卻至900℃時的冷卻速度為110℃/秒以上之本實施例亦即鋼種No.1至鋼種No.10的任一者在熔著背面部均不產生裂紋，而具有優異的熔接性。
另一方面，使熔著背面部從1200℃冷卻至900℃時的冷卻速度小於110℃/秒之比較例亦即鋼種No.11至鋼種No.15的任一者均在熔著背面部產生裂紋，而熔接性不充分。
(產業上之利用可能性)
本發明係例如在製造雙層構造排氣歧管等的情況，能夠在將沃斯田體系不銹鋼板重疊而熔接時利用。
本案圖式不足以代表本案之所有特徵，故本案無指定代表圖。

Claims (9)

  1. 一種沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，係將含有C：0.08質量%以下、Si：1.5質量%以上且4.0質量%以下、Mn：2.0質量%以下、P：0.04質量%以下、S：0.01質量%以下、Cr：16.0質量%以上且22.0質量%以下、Ni：10.0質量%以上且14.0質量%以下、及N：0.08質量%以下，同時含有合計1.0質量%以下之Nb及Ti的至少1種，剩餘部分係由Fe及不可避免的雜質所構成之板厚0.6mm以上且1.0mm以下的沃斯田體系不銹鋼板重疊且藉由電弧熔接將重疊部熔接，而且將在熔接背面之熔接時溫度成為最高之部位之熔著背面部，以110℃/秒以上的冷卻速度從1200℃冷卻至900℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中沃斯田體系不銹鋼板係含有合計1.0質量%以下之Al、Zr及V之中的至少1種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中沃斯田體系不銹鋼板係含有合計4.0質量%以下之Mo及Cu的至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中沃斯田體系不銹鋼板係含有0.01質量%以下的B。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中沃斯田體系不銹鋼板係含有0.01質量% 以下的B。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中將熔接重疊部時之熔接接頭部的重疊間隔長度設為2.5mm以上。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中將熔接重疊部時之熔接接頭部的重疊間隔長度設為2.5mm以上。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中將熔接重疊部時之熔接接頭部的重疊間隔長度設為2.5mm以上。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之沃斯田體系不銹鋼板之熔接方法，其中將熔接重疊部時之熔接接頭部的重疊間隔長度設為2.5mm以上。
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