TW201711549A - 軟性電路板的製作方法 - Google Patents

Abstract

一種軟性電路板的製作方法包括步驟:提供一個基板，包括基底及第一原銅層，所述第一原銅層包括一個預形成連接墊區，所述第一原銅層為壓延銅箔；減薄所述預形成連接墊區的第一原銅層；在所述預形成連接墊區減薄後的部分厚度的第一原銅層上形成鍍銅層；移除與所述預形成連接墊區的邊緣對應的鍍銅層及第一原銅層，形成連接墊。

Description

軟性電路板的製作方法

本發明涉及電路板製造領域，尤其涉及一種軟性電路板的製作方法。

在電子產品相關製造業，軟性電路板因其配線密度高、重量輕、厚度薄、配線空間限制較少、靈活度高等優點，應用得越來越廣泛。軟性電路板與晶片的電性連接可藉由打線連接實現。出於成本考量，通常會採用成本相對較低的包括壓延銅層的覆銅材料作為生產軟性電路板基材。用於打線連接的連接墊通常採用所述基材的壓延銅層直接蝕刻而成。然而，由於壓延銅層的硬度相對較低，不能滿足打線連接對連接墊硬度的要求，在將軟性電路板彎折進行安裝時，容易引起連接墊裂開，進而影響軟性電路板與晶片之間的電性連接。

有鑑於此，有必要提供一種克服上述問題的軟性電路板的製作方法。

一種軟性電路板的製作方法包括步驟:提供一個基板，包括基底及第一原銅層，所述第一原銅層包括一個預形成連接墊區，所述第一原銅層為壓延銅箔；減薄所述預形成連接墊區的第一原銅層；在所述預形成連接墊區減薄後的部分厚度的第一原銅層上形成鍍銅層；移除與所述預形成連接墊區的邊緣對應的鍍銅層及第一原銅層，形成連接墊。

與先前技術相比，本技術方案提供的軟性電路板的製作方法，先減薄所述預形成連接墊區的原銅層，再在減薄後的原銅層上形成鍍銅層，採用所述鍍銅層與原銅層結合作為打線連接的連接墊，由於鍍銅層較原銅層硬度更佳，因此，可解決採用原銅層作為連接墊時，硬度不夠的問題，且可在實現曲折效果的同時，滿足打線連接對連接墊硬度的要求。

圖1係本技術方案實施方式提供的基板的剖面示意圖。

圖2係分別在圖1的基板的第一原銅層及第二原銅層上形成第一光敏層及第二光敏層後的剖面示意圖。

圖3係在圖2的第一光敏層上設置第一遮光層後的剖面示意圖。

圖4係對圖3的第一光敏層及第二光敏層進行光照處理，形成第一光致抗蝕層及第二光致抗蝕層後的剖面示意圖。

圖5係移除圖4中的第一遮光層，並移除未受到光照的部分第一光敏層，形成第一開口後的剖面示意圖。

圖6係減薄從圖5的第一開口中露出的部分厚度的第一原銅層後的剖面示意圖。

圖7係在圖6的減薄後的從所述第一開口露出的第一原銅層上形成鍍銅層後的剖面示意圖。

圖8係將圖7中的第一光致抗蝕層及第二光致抗蝕層移除後的剖面示意圖。

圖9係在圖8的的第一原銅層及鍍銅層上形成包括第二開口的第三光致抗蝕層及在第二原銅層上形成第四光致抗蝕層後的剖面示意圖。

圖10係移除從圖9的第二開口露出的部分所述第一原銅層及鍍銅層後的剖面示意圖。

圖11係移除圖10的第三光致抗蝕層及第四光致抗蝕層，得到軟性電路板後的剖面示意圖。

下面結合具體實施方式對本技術方案提供的軟性電路板的製作方法進行詳細說明。

本技術方案提供軟性電路板100的製造方法包括以下步驟。

第一步，請參閱圖1，提供一個基板10。

所述基板10可為單面板或雙面板。本實施方式中，所述基板10為雙面板。所述基板10厚度方向包括基底11及位於所述基底相背兩側的第一原銅層12及第二原銅層13。所述基底11可為聚醯亞胺或聚酯等具有良好曲折性的材料。所述第一原銅層12及第二原銅層13為壓延銅箔。所述第一原銅層12具有一個預形成連接墊區121。所述基板10厚度垂直方向包括彎折區14及與所述彎折區14相連的周邊區15。所述預形成連接墊區121位於所述周邊區15。所述預形成連接墊區121與所述彎折區14相互間隔。

第二步，請參閱圖2，在所述第一原銅層12上形成第一光敏層21；及在所述第二原銅層13上形成第二光敏層23。

所述第一光敏層21完全覆蓋所述第一原銅層12。所述第二光敏層23完全覆蓋所述第二原銅層13。所述第一光敏層21及所述第二光敏層23可為感光油墨或幹膜等光敏材料。本實施方式中，所述第一光敏層21及所述第二光敏層23為幹膜。

可以理解的係，其他實施方式中，所述第二光敏層23可由其他非光敏的絕緣材料替代，只要能對所述第二原銅層13進行遮蔽保護即可。

第三步，請參閱圖3，在所述第一光敏層21上設置一個第一遮光層25。

所述第一遮光層25完全覆蓋所述第一光敏層21。所述第一遮光層25為具有圖案化遮光及透光區域的底片。本實施方式中，所述第一遮光層25包括一個第一透光區251及第一遮光區252。所述第一遮光區252與所述預形成連接墊區121對應。所述第一透光區251與所述預形成連接墊區121之外的區域對應。

本實施方式中，所述第二光敏層23上未設置遮光層，使所述第二光敏層23完全暴露出來。

第四步，請一併參閱圖3及圖4，對所述第一光敏層21及第二光敏層23進行光照處理，並移除所述第一遮光層25。

所述第一透光區251對應的第一光敏層21在光照條件下發生聚合反應生成第一光致抗蝕層22。所述第一遮光區252對應的所述第一光敏層21因未受到光照而不發生聚合。所述第二光敏層23未設置遮光層，光照條件下，整個所述第二光敏層23均發生聚合反應生成第二光致抗蝕層24。所述第一光致抗蝕層22及第二光致抗蝕層24可在後續蝕刻過程保護其所覆蓋的所述第一原銅層12及第二原銅層13。本實施方式中，採用紫外光對所述第一光敏層21及第二光敏層23進行照射。

第五步，請一併參閱圖3、圖4及圖5，移除所述第一遮光區252對應的未受到光照的部分所述第一光敏層21，形成第一開口221。

所述第一開口221與所述預形成連接墊區121對應。所述預形成連接墊區121對應的部分所述第一原銅層12從所述第一開口221露出。本實施方式中，可採用化學處理的方式移除所述第一遮光區252對應的未受到光照的部分所述第一光敏層21。

第六步，請參閱圖6，減薄從所述第一開口221露出的第一原銅層12。

本實施方式中，藉由蝕刻方式移除與所述預形成連接墊區121對應的部分厚度的第一原銅層12，從而將從所述第一開口221露出的第一原銅層12減薄。

第七步，請參閱圖7，在減薄後的從所述第一開口221露出的第一原銅層12上形成鍍銅層31。

所述鍍銅層31遠離所述基底11的表面與位於所述預形成連接墊區121之外的所述第一原銅層12遠離所述基底11的表面處於同一平面內。所述鍍銅層31可藉由化學沉積或電鍍的方式形成在所述預形成連接墊區121剩餘的部分厚度的第一原銅層12上。

第八步，請一併參閱圖7及圖8，移除所述第一光致抗蝕層22及第二光致抗蝕層24，露出被所述第一光致抗蝕層22覆蓋的第一原銅層12及被所述第二光致抗蝕層24覆蓋的第二原銅層13。

本實施方式中，可採用化學處理方式移除所述第一光致抗蝕層22及第二光致抗蝕層24。

第九步，請參閱圖9，在所述第一原銅層12及鍍銅層31上形成第三光致抗蝕層41，及在所述第二原銅層13上形成第四光致抗蝕層42。

所述第三光致抗蝕層41具有圖案化的結構，部分所述第一原銅層12從所述第三光致抗蝕層41露出。所述第三光致抗蝕層41對應所述預形成連接墊區121的部分邊緣形成有第二開口411。部分所述第一原銅層12及鍍銅層31從所述第二開口411露出。

所述第四光致抗蝕層42具有圖案化結構，部分所述第二原銅層13從所述第四光致抗蝕層42露出（圖未示）。

本實施方式中，所述第三光致抗蝕層41及所述第四光致抗蝕層42的形成方法與所述第一光致抗蝕層22的形成方法相同。

第十步，請參閱圖10，移除從所述第二開口411露出的所述第一原銅層12及鍍銅層31。

本實施方式中，藉由蝕刻方式移除從所述第二開口411露出的部分所述第一原銅層12及鍍銅層31，露出部分所述基底11。

本步驟中，藉由蝕刻方式移除從所述第二開口露出的部分所述第一原銅層12及鍍銅層31的同時，還包括將從所述彎折區14及所述周邊區15內所述預形成連接墊區121之外的第三光致抗蝕層41露出的所述第一原銅層12及從所述第四光致抗蝕層42露出的第二原銅層13藉由蝕刻方式製作形成導電線路（圖未示）。

第十一步，請參閱圖11，移除所述第三光致抗蝕層41及第四光致抗蝕層42，得到具有連接墊50的軟性電路板100。

可以理解的係，所述軟性電路板的製作方法還包括在導電線路上形成防焊層的步驟。

與先前技術相比，本技術方案提供的軟性電路板的製作方法，在所述預形成連接墊區先減薄所述原銅層，再在剩餘的部分厚度的原銅層上形成鍍銅層，採用所述鍍銅層與原銅層結合作為打線連接的連接墊，由於鍍銅層較原銅層硬度更佳，因此，可解決採用原銅層作為連接墊時，硬度不夠的問題，且可在所述軟性電路板在實現曲折效果的同時，滿足打線連接對連接墊硬度的要求。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式及所列之數據為作試驗及參考之所用，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧軟性電路板

50‧‧‧連接墊

10‧‧‧基板

11‧‧‧基底

12‧‧‧第一原銅層

13‧‧‧第二原銅層

14‧‧‧彎折區

15‧‧‧周邊區

121‧‧‧預形成連接墊區

21‧‧‧第一光敏層

23‧‧‧第二光敏層

25‧‧‧第一遮光層

251‧‧‧第一透光區

252‧‧‧第一遮光區

22‧‧‧第一光致抗蝕層

221‧‧‧第一開口

24‧‧‧第二光致抗蝕層

31‧‧‧鍍銅層

41‧‧‧第三光致抗蝕層

42‧‧‧第四光致抗蝕層

411‧‧‧第二開口

無

100‧‧‧軟性電路板

50‧‧‧連接墊

10‧‧‧基板

11‧‧‧基底

12‧‧‧第一原銅層

13‧‧‧第二原銅層

14‧‧‧彎折區

15‧‧‧周邊區

121‧‧‧預形成連接墊區

31‧‧‧鍍銅層

Claims (9)

1. 一種軟性電路板的製作方法，包括步驟:
   提供基板，包括基底及位於所述基底一側的第一原銅層，所述第一原銅層包括預形成連接墊區，所述第一原銅層為壓延銅箔；
   減薄所述預形成連接墊區的第一原銅層；
   在減薄後所述預形成連接墊區減薄第一原銅層上形成鍍銅層；
   移除與所述預形成連接墊區的部分邊緣對應的鍍銅層及第一原銅層，形成連接墊，並將所述第一原銅層製作形成導電線路。
2. 如請求項1所述的軟性電路板的製作方法，其中，所述鍍銅層遠離所述基底的表面與所述預形成連接墊區之外的第一原銅層遠離所述基底的表面位於同一平面內。
3. 如請求項2所述的軟性電路板的製作方法，其中，減薄所述預形成連接墊區的第一原銅層，包括步驟：
   在所述第一原銅層上形成第一光致抗蝕層，所述第一光致抗蝕層開設有與所述預形成連接墊區對應的第一開口，部分所述第一原銅層從所述第一開口露出；
   蝕刻減薄從所述第一開口露出的第一原銅層。
4. 如請求項3所述的軟性電路板的製作方法，其中，在所述第一原銅層上形成第一光致抗蝕層，所述第一光致抗蝕層開設有與所述預形成連接墊區對應的第一開口，部分第一原銅層從所述第一開口露出，包括步驟：
   在所述第一原銅層上形成第一光敏層，所述第一光敏層完全覆蓋所述第一原銅層；
   在所述第一光敏層上設置第一遮光層，所述第一遮光層包括第一透光區及第一遮光區，所述第一遮光區對應於所述預形成連接墊區，所述第一透光區對應於所述預形成連接墊區之外的區域；
   對所述第一光敏層進行光照處理，所述預形成連接墊區之外的區域對應的第一光敏層在光照條件下發生聚合反應生成第一光致抗蝕層；
   藉由化學處理移除所述預形成連接墊區對應的未被光照的部分第一光敏層，形成所述第一開口，部分第一原銅層從所述第一開口露出。
5. 如請求項3所述的軟性電路板的製作方法，其中，蝕刻減薄從所述第一開口露出的第一原銅層後，還包括移除所述第一光致抗蝕層的步驟。
6. 如請求項1所述的軟性電路板的製作方法，其中，藉由化學沉積或電鍍的方式在減薄後所述預形成連接墊區減薄第一原銅層上形成鍍銅層。
7. 如請求項1所述的軟性電路板的製作方法，其中，移除與所述預形成連接墊區的部分邊緣對應的鍍銅層及第一原銅層，形成連接墊，並將所述第一原銅層製作形成導電線路，包括步驟：
   在所述第一原銅層及鍍銅層上形成第三光致抗蝕層，所述第三光致抗蝕層具有圖案化結構，所述第三光致抗蝕層對應所述預形成連接墊區的部分邊緣形成有第二開口，部分所述鍍銅層及第一原銅層從所述第二開口露出；
   蝕刻移除從所述第二開口露出的所述鍍銅層及第一原銅層，形成所述連接墊，以及蝕刻移除從所述預形成連接墊區之外的第三光致抗蝕層露出的所述第一原銅層形成導電線路。
8. 如請求項7所述的軟性電路板的製作方法，其中，在蝕刻移除從所述第二開口露出的所述鍍銅層及第一原銅層，形成所述連接墊，以及蝕刻移除從所述預形成連接墊區之外的第三光致抗蝕層露出的所述第一原銅層形成導電線路後，還包括移除所述第三光致抗蝕層的步驟。
9. 如請求項1所述的軟性電路板的製作方法，其中，還包括在所述導電線路上形成防焊層的步驟。