CN106332443B - 软性电路板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种软性电路板的制作方法包括步骤:提供一个基板，包括基底及第一原铜层，所述第一原铜层包括一个预形成连接垫区，所述第一原铜层为压延铜箔；减薄所述预形成连接垫区的第一原铜层；在所述预形成连接垫区减薄后的部分厚度的第一原铜层上形成镀铜层；移除与所述预形成连接垫区的边缘对应的镀铜层及第一原铜层，形成连接垫。

Description

软性电路板的制作方法
技术领域
本发明涉及电路板制造领域，尤其涉及一种软性电路板的制作方法。
背景技术
在电子产品相关制造业，软性电路板因其配线密度高、重量轻、厚度薄、配线空间限制较少、灵活度高等优点，应用得越来越广泛。软性电路板与芯片的电性连接可通过打线连接实现。出于成本考量，通常会采用成本相对较低的包括压延铜层的覆铜材料作为生产软性电路板基材。用于打线连接的连接垫通常采用所述基材的压延铜层直接蚀刻而成。然而，由于压延铜层的硬度相对较低，不能满足打线连接对连接垫硬度的要求，在将软性电路板弯折进行安装时，容易引起连接垫裂开，进而影响软性电路板与芯片之间的电性连接。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的软性电路板的制作方法。
一种软性电路板的制作方法包括步骤:提供一个基板，包括基底及第一原铜层，所述第一原铜层包括一个预形成连接垫区，所述第一原铜层为压延铜箔；减薄所述预形成连接垫区的第一原铜层；在所述预形成连接垫区减薄后的部分厚度的第一原铜层上形成镀铜层；移除与所述预形成连接垫区的边缘对应的镀铜层及第一原铜层，形成连接垫。
与现有技术相比，本技术方案提供的软性电路板的制作方法，先减薄所述预形成连接垫区的原铜层，再在减薄后的原铜层上形成镀铜层，采用所述镀铜层与原铜层结合作为打线连接的连接垫，由于镀铜层较原铜层硬度更佳，因此，可解决采用原铜层作为连接垫时，硬度不够的问题，且可在实现曲折效果的同时，满足打线连接对连接垫硬度的要求。
附图说明
图1是本技术方案实施方式提供的基板的剖面示意图。
图2是分别在图1的基板的第一原铜层及第二原铜层上形成第一光敏层及第二光敏层后的剖面示意图。
图3是在图2的第一光敏层上设置第一遮光层后的剖面示意图。
图4是对图3的第一光敏层及第二光敏层进行光照处理，形成第一光致抗蚀层及第二光致抗蚀层后的剖面示意图。
图5是移除图4中的第一遮光层，并移除未受到光照的部分第一光敏层，形成第一开口后的剖面示意图。
图6是减薄从图5的第一开口中露出的部分厚度的第一原铜层后的剖面示意图。
图7是在图6的减薄后的从所述第一开口露出的第一原铜层上形成镀铜层后的剖面示意图。
图8是将图7中的第一光致抗蚀层及第二光致抗蚀层移除后的剖面示意图。
图9是在图8的的第一原铜层及镀铜层上形成包括第二开口的第三光致抗蚀层及在第二原铜层上形成第四光致抗蚀层后的剖面示意图。
图10是移除从图9的第二开口露出的部分所述第一原铜层及镀铜层后的剖面示意图。
图11是移除图10的第三光致抗蚀层及第四光致抗蚀层，得到软性电路板后的剖面示意图。
主要元件符号说明
软性电路板 100
连接垫 50
基板 10
基底 11
第一原铜层 12
第二原铜层 13
弯折区 14
周边区 15
预形成连接垫区 121
第一光敏层 21
第二光敏层 23
第一遮光层 25
第一透光区 251
第一遮光区 252
第一光致抗蚀层 22
第一开口 221
第二光致抗蚀层 24
镀铜层 31
第三光致抗蚀层 41
第四光致抗蚀层 42
第二开口 411
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本技术方案提供的软性电路板的制作方法进行详细说明。
本技术方案提供软性电路板100的制造方法包括以下步骤。
第一步，请参阅图1，提供一个基板10。
所述基板10可为单面板或双面板。本实施方式中，所述基板10为双面板。所述基板10厚度方向包括基底11及位于所述基底相背两侧的第一原铜层12及第二原铜层13。所述基底11可为聚酰亚胺或聚酯等具有良好曲折性的材料。所述第一原铜层12及第二原铜层13为压延铜箔。所述第一原铜层12具有一个预形成连接垫区121。所述基板10厚度垂直方向包括弯折区14及与所述弯折区14相连的周边区15。所述预形成连接垫区121位于所述周边区15。所述预形成连接垫区121与所述弯折区14相互间隔。
第二步，请参阅图2，在所述第一原铜层12上形成第一光敏层21；及在所述第二原铜层13上形成第二光敏层23。
所述第一光敏层21完全覆盖所述第一原铜层12。所述第二光敏层23完全覆盖所述第二原铜层13。所述第一光敏层21及所述第二光敏层23可为感光油墨或干膜等光敏材料。本实施方式中，所述第一光敏层21及所述第二光敏层23为干膜。
可以理解的是，其他实施方式中，所述第二光敏层23可由其他非光敏的绝缘材料替代，只要能对所述第二原铜层13进行遮蔽保护即可。
第三步，请参阅图3，在所述第一光敏层21上设置一个第一遮光层25。
所述第一遮光层25完全覆盖所述第一光敏层21。所述第一遮光层25为具有图案化遮光及透光区域的底片。本实施方式中，所述第一遮光层25包括一个第一透光区251及第一遮光区252。所述第一遮光区252与所述预形成连接垫区121对应。所述第一透光区251与所述预形成连接垫区121之外的区域对应。
本实施方式中，所述第二光敏层23上未设置遮光层，使所述第二光敏层23完全暴露出来。
第四步，请一并参阅图3及图4，对所述第一光敏层21及第二光敏层23进行光照处理，并移除所述第一遮光层25。
所述第一透光区251对应的第一光敏层21在光照条件下发生聚合反应生成第一光致抗蚀层22。所述第一遮光区252对应的所述第一光敏层21因未受到光照而不发生聚合。所述第二光敏层23未设置遮光层，光照条件下，整个所述第二光敏层23均发生聚合反应生成第二光致抗蚀层24。所述第一光致抗蚀层22及第二光致抗蚀层24可在后续蚀刻过程保护其所覆盖的所述第一原铜层12及第二原铜层13。本实施方式中，采用紫外光对所述第一光敏层21及第二光敏层23进行照射。
第五步，请一并参阅图3、图4及图5，移除所述第一遮光区252对应的未受到光照的部分所述第一光敏层21，形成第一开口221。
所述第一开口221与所述预形成连接垫区121对应。所述预形成连接垫区121对应的部分所述第一原铜层12从所述第一开口221露出。本实施方式中，可采用化学处理的方式移除所述第一遮光区252对应的未受到光照的部分所述第一光敏层21。
第六步，请参阅图6，减薄从所述第一开口221露出的第一原铜层12。
本实施方式中，通过蚀刻方式移除与所述预形成连接垫区121对应的部分厚度的第一原铜层12，从而将从所述第一开口221露出的第一原铜层12减薄。
第七步，请参阅图7，在减薄后的从所述第一开口221露出的第一原铜层12上形成镀铜层31。
所述镀铜层31远离所述基底11的表面与位于所述预形成连接垫区121之外的所述第一原铜层12远离所述基底11的表面处于同一平面内。所述镀铜层31可通过化学沉积或电镀的方式形成在所述预形成连接垫区121剩余的部分厚度的第一原铜层12上。
第八步，请一并参阅图7及图8，移除所述第一光致抗蚀层22及第二光致抗蚀层24，露出被所述第一光致抗蚀层22覆盖的第一原铜层12及被所述第二光致抗蚀层24覆盖的第二原铜层13。
本实施方式中，可采用化学处理方式移除所述第一光致抗蚀层22及第二光致抗蚀层24。
第九步，请参阅图9，在所述第一原铜层12及镀铜层31上形成第三光致抗蚀层41，及在所述第二原铜层13上形成第四光致抗蚀层42。
所述第三光致抗蚀层41具有图案化的结构，部分所述第一原铜层12从所述第三光致抗蚀层41露出。所述第三光致抗蚀层41对应所述预形成连接垫区121的部分边缘形成有第二开口411。部分所述第一原铜层12及镀铜层31从所述第二开口411露出。
所述第四光致抗蚀层42具有图案化结构，部分所述第二原铜层13从所述第四光致抗蚀层42露出(图未示)。
本实施方式中，所述第三光致抗蚀层41及所述第四光致抗蚀层42的形成方法与所述第一光致抗蚀层22的形成方法相同。
第十步，请参阅图10，移除从所述第二开口411露出的所述第一原铜层12及镀铜层31。
本实施方式中，通过蚀刻方式移除从所述第二开口411露出的部分所述第一原铜层12及镀铜层31，露出部分所述基底11。
本步骤中，通过蚀刻方式移除从所述第二开口露出的部分所述第一原铜层12及镀铜层31的同时，还包括将从所述弯折区14及所述周边区15内所述预形成连接垫区121之外的第三光致抗蚀层41露出的所述第一原铜层12及从所述第四光致抗蚀层42露出的第二原铜层13通过蚀刻方式制作形成导电线路(图未示)。
第十一步，请参阅图11，移除所述第三光致抗蚀层41及第四光致抗蚀层42，得到具有连接垫50的软性电路板100。
可以理解的是，所述软性电路板的制作方法还包括在导电线路上形成防焊层的步骤。
与现有技术相比，本技术方案提供的软性电路板的制作方法，在所述预形成连接垫区先减薄所述原铜层，再在剩余的部分厚度的原铜层上形成镀铜层，采用所述镀铜层与原铜层结合作为打线连接的连接垫，由于镀铜层较原铜层硬度更佳，因此，可解决采用原铜层作为连接垫时，硬度不够的问题，且可在所述软性电路板在实现曲折效果的同时，满足打线连接对连接垫硬度的要求。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种软性电路板的制作方法，包括步骤:
提供基板，包括基底及位于所述基底一侧的第一原铜层，所述第一原铜层包括预形成连接垫区，所述第一原铜层为压延铜箔；
减薄所述预形成连接垫区的第一原铜层；
在减薄后所述预形成连接垫区减薄第一原铜层上形成镀铜层；
移除与所述预形成连接垫区的部分边缘对应的镀铜层及第一原铜层，形成连接垫，并将所述第一原铜层制作形成导电线路。
2.如权利要求1所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，所述镀铜层远离所述基底的表面与所述预形成连接垫区之外的第一原铜层远离所述基底的表面位于同一平面内。
3.如权利要求2所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，减薄所述预形成连接垫区的第一原铜层，包括步骤：
在所述第一原铜层上形成第一光致抗蚀层，所述第一光致抗蚀层开设有与所述预形成连接垫区对应的第一开口，部分所述第一原铜层从所述第一开口露出；
蚀刻减薄从所述第一开口露出的第一原铜层。
4.如权利要求3所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，在所述第一原铜层上形成第一光致抗蚀层，所述第一光致抗蚀层开设有与所述预形成连接垫区对应的第一开口，部分第一原铜层从所述第一开口露出，包括步骤：
在所述第一原铜层上形成第一光敏层，所述第一光敏层完全覆盖所述第一原铜层；
在所述第一光敏层上设置第一遮光层，所述第一遮光层包括第一透光区及第一遮光区，所述第一遮光区对应于所述预形成连接垫区，所述第一透光区对应于所述预形成连接垫区之外的区域；
对所述第一光敏层进行光照处理，所述预形成连接垫区之外的区域对应的第一光敏层在光照条件下发生聚合反应生成第一光致抗蚀层；
通过化学处理移除所述预形成连接垫区对应的未被光照的部分第一光敏层，形成所述第一开口，部分第一原铜层从所述第一开口露出。
5.如权利要求3所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，蚀刻减薄从所述第一开口露出的第一原铜层后，还包括移除所述第一光致抗蚀层的步骤。
6.如权利要求1所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，通过化学沉积或电镀的方式在减薄后所述预形成连接垫区减薄第一原铜层上形成镀铜层。
7.如权利要求1所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，移除与所述预形成连接垫区的部分边缘对应的镀铜层及第一原铜层，形成连接垫，并将所述第一原铜层制作形成导电线路，包括步骤：
在所述第一原铜层及镀铜层上形成第三光致抗蚀层，所述第三光致抗蚀层具有图案化结构，所述第三光致抗蚀层对应所述预形成连接垫区的部分边缘形成有第二开口，部分所述镀铜层及第一原铜层从所述第二开口露出；
蚀刻移除从所述第二开口露出的所述镀铜层及第一原铜层，形成所述连接垫，以及蚀刻移除从所述预形成连接垫区之外的第三光致抗蚀层露出的所述第一原铜层形成导电线路。
8.如权利要求7所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，在蚀刻移除从所述第二开口露出的所述镀铜层及第一原铜层，形成所述连接垫，以及蚀刻移除从所述预形成连接垫区之外的第三光致抗蚀层露出的所述第一原铜层形成导电线路后，还包括移除所述第三光致抗蚀层的步骤。
9.如权利要求1所述的软性电路板的制作方法，其特征在于，还包括在所述导电线路上形成防焊层的步骤。
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Applicant after: Peng Ding Polytron Technologies Inc

Address before: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Songgang streets Yan Chuanyan Luzhen Luo Ding Technology Park plant A1 building to building A3

Applicant before: Fuku Precision Components (Shenzhen) Co., Ltd.

Applicant before: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant before: Peng Ding Polytron Technologies Inc

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TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20190103

Address after: 223065 No. 11 Honghai North Road, Huaian Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province

Applicant after: Qing Ding precision electronic (Huaian) Co., Ltd.

Applicant after: Peng Ding Holdings (Shenzhen) Limited by Share Ltd

Address before: 518105 Yanchuan Yanluo Road, Songgang Street, Baoan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: Peng Ding Holdings (Shenzhen) Limited by Share Ltd

Applicant before: Hongqisheng Precision Electronic (Qinhuangdao) Co., Ltd.

Applicant before: Peng Ding Polytron Technologies Inc

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GR01 Patent grant
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