TW201707195A - 畫素結構 - Google Patents

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Abstract

一種畫素結構，包括金屬氧化物半導體層、第一絕緣層、第二絕緣層、第一導電層、保護層、第二導電層以及畫素電極。金屬氧化物半導體層包括第二半導體圖案。第一絕緣層包括第一電容介電圖案，其位於第二半導體圖案上。第二絕緣層包括第二電容介電圖案，其位於第一電容介電圖案上。第一導電層包括第一電極，其位於第二電容介電圖案上。保護層覆蓋第一導電層。第二導電層包括一第二電極，其位於保護層上。第二電極與第二半導體圖案電性連接。第二電極與第一電極重疊設置。第二半導體圖案、第一電極以及第二電極構成一儲存電容器。

Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種具有儲存電容器的畫素結構。
平面顯示器具有體積小、重量輕、低消耗功率等優點，因此已取代陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)成為新一代顯示器的主流。然而，隨平面顯示技術發展日益成熟，使用者對於平面顯示器的要求不再只是體積、重量等，使用者對顯示品質的要求也日益提高，而平面顯示器的顯示品質與其畫素結構的設計有很大的關係。
一般而言，畫素結構包括有主動元件、畫素電極以及儲存電容器。主動元件是用來作為畫素結構的開關元件。畫素電極用以提供驅動顯示介質的操作電壓。儲存電容器用以保持(holding)畫素電極的操作電壓。當儲存電容不足的情況下，則畫素電極的操作電壓無法保持至下次主動元件開啟，意即，畫素電極的操作電壓會低於預定值而造成顯示異常。有鑑於此，為了維持一定的顯示品質，畫素結構中的儲存電容器必須具有足夠的電容值以確 保操作電壓的維持。
使儲存電容器具有足夠的電容值的一種技術手段是使其電極具有足夠的面積。然而，儲存電容器的電極通常是以不透明的材質來製作，當儲存電容器之電極面積越大，則畫素電極的開口率就越小，進而導致平面顯示器亮度不足影響顯示品質。因此，如何在保有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器的電容值，是當前亟待解決的課題之一。
本發明提供一種畫素結構，其可在保有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器之電容值。
本發明的畫素結構，包括金屬氧化物半導體層、第一絕緣層、第二絕緣層、第一導電層、保護層、第二導電層以及畫素電極。金屬氧化物半導體層包括第一半導體圖案以及第二半導體圖案，其中第一半導體圖案包括第一摻雜區、第二摻雜區以及通道區，且第一摻雜區及第二摻雜區分別位於通道區之兩側。第二半導體圖案包含接觸區及電極區。第一絕緣層包括第一閘極絕緣圖案以及第一電容介電圖案，第一閘極絕緣圖案位於第一半導體圖案上，第一電容介電圖案位於第二半導體圖案上。第二絕緣層包括第二閘極絕緣圖案以及第二電容介電圖案，第二閘極絕緣圖案位於第一閘極絕緣圖案上，第二電容介電圖案位於第一電容介電圖案上。第一導電層包括閘極以及第一電極，閘極位於第二閘 極絕緣圖案上，第一電極位於第二電容介電圖案上。第一半導體圖案之第一摻雜區及第二摻雜區被暴露出來，且第二半導體層之接觸區被暴露出來。保護層覆蓋金屬氧化半導體層以及第一導電層，且保護層具有第一開口暴露出第二電極、第二開口暴露出第一電極、第三開口暴露出接觸區及第四開口暴露出第一電極。第二導電層位於保護層上，第二導電層包括第一電極、第二電極以及與第二電極連接的第二電極，該第一電極透過第二開口與第一半導體圖案之第一摻雜區電性連接，第二電極透過第一開口與第一半導體圖案之第二摻雜區電性連接，第二電極透過第三開口與第二半導體圖案之接觸區電性連接，且第二電極與第一電極部分重疊設置，其中閘極、第一電極以及第二電極構成主動元件，且第二半導體圖案與第一電極部分重疊且耦合而成第一儲存電容，以及第一電極與第二電極部分重疊且耦合而成第二儲存電容器。畫素電極與第二電極電性連接。
本發明的畫素結構，包括金屬氧化物半導體層、第一絕緣層、第二絕緣層、導電圖案、第一導電層、保護層、第二導電層以及畫素電極。金屬氧化物半導體層包括第一半導體圖案以及第二半導體圖案，其中第一半導體圖案包括第一摻雜區、第二摻雜區以一通道區，第一摻雜區及第二摻雜區分別位於通道區之兩側，第二半導體圖案包含接觸區及電極區。第一絕緣層包括第一閘極絕緣圖案以及第一電容介電圖案，第一閘極絕緣圖案位於第一半導體圖案上，第一電容介電圖案位於第二半導體圖案上。第 二絕緣層包括第二閘極絕緣圖案以及第二電容介電圖案，第二閘極絕緣圖案位於第一閘極絕緣圖案上，第二電容介電圖案位於第一電容介電圖案上。導電圖案設置在第二半導體圖案上方，且夾於第一電容介電圖案以及第二電容介電圖案之間。第一導電層包括閘極以及第一電極，閘極位於第二閘極絕緣圖案上，第一電極位於第二電容介電圖案上。第一半導體圖案之第一摻雜區及第二摻雜區被暴露出來，且第二半導體層之接觸區被暴露出來。保護層覆蓋金屬氧化半導體層以及第一導電層，且保護層具有第一開口暴露出第二電極、第二開口暴露出第一電極、第三開口暴露出接觸區及第四開口暴露出第一電極。第二導電層位於保護層上，第二導電層包括第一電極、第二電極，第一電極透過第二開口與第一半導體圖案之第一摻雜區電性連接，第二電極透過第一開口與第一半導體圖案之第二摻雜區電性連接，其中閘極、第一電極以及第二電極構成主動元件，第二電極透過第三開口與第二半導體圖案之接觸區電性連接，且第二半導體圖案與導電圖案部分重疊且耦合而成儲存電容器，以及導電圖案與第一電極部分重疊且耦合而成儲存電容器。畫素電極與第二電極電性連接。
基於上述，本發明之畫素結構的儲存電容器是由多個電極或導電圖案以彼此堆疊的方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器的電容值。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧基板
200‧‧‧金屬氧化物半導體層
220‧‧‧第一半導體圖案
222‧‧‧第一摻雜區
224‧‧‧第二摻雜區
226‧‧‧通道區
240‧‧‧第二半導體圖案
242‧‧‧接觸區
244‧‧‧電極區
300‧‧‧第一絕緣層
320‧‧‧第一閘極絕緣圖案
340‧‧‧第一電容介電圖案
400‧‧‧第二絕緣層
420‧‧‧第二閘極絕緣圖案
440第二電容介電圖案
500‧‧‧第一導電層
520‧‧‧閘極
540a、540b‧‧‧第一電極
600a、600c、600f、800、1000‧‧‧保護層
602a、602c、602f、802、1002‧‧‧開口
700‧‧‧第二導電層
722‧‧‧第一電極
724‧‧‧第二電極
742a、742b‧‧‧第二電極
744a、744b、744e，744g‧‧‧連接部
900‧‧‧第三導電層
1100‧‧‧有機層
1200‧‧‧第四導電層
1300‧‧‧導電圖案
Cst、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7‧‧‧儲存電容器
C11、C21、C31、C41、C51、C61、C71‧‧‧第一子儲存電容器
C12、C22、C32、C42、C52、C62、C72‧‧‧第二子儲存電容器
C23、C33、C43、C53、C63、C73‧‧‧第三子儲存電容器
C44、C54、C64、C74‧‧‧第四子儲存電容器
D1、D2‧‧‧第二電極
G1、G2‧‧‧閘極
O1、O2、O3、O4、O5、O6‧‧‧有機發光二極體
OLED‧‧‧有機發光二極體
S1、S2‧‧‧第一電極
T1‧‧‧主動元件
Ta‧‧‧開關薄膜電晶體
Tb‧‧‧驅動薄膜電晶體
Vcom‧‧‧共同線
Vdd‧‧‧電源線
Xn‧‧‧掃描線
Yn‧‧‧資料線
圖1是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板之畫素結構的等效電路示意圖。
圖2是本發明一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖3是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖4是本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖5是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖6是本發明又一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖7是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖8是本發明再一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖9是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖10是本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖11是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖12是本發明又一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖13是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖14是本發明再一實施例的畫素結構的剖面示意圖。
圖15是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。
圖1是根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示面板之畫素結構的等效電路示意圖。請參照圖1，有機發光二極體顯示面板之畫素結構包括有機發光二極體OLED、資料線Yn、掃描線Xn、開關薄膜電晶體Ta、驅動薄膜電晶體Tb以及儲存電容器Cst。開關薄膜電晶體Ta的閘極G1耦接至掃瞄線Xn，第一電極S1耦接至資料線Yn，且第二電極D1耦接至驅動薄膜電晶體Tb的閘極G2。驅動薄膜電晶體Tb的第二電極D2耦接至有機發光二極體OLED，第一電極S2則與電源線Vcc耦接。儲存電容器Cst的其中一端電極與驅動薄膜電晶體Tb的第二電極D2電性連接，且儲存電容器Cst的另一端電極則與開關薄膜電晶體Ta的第二電極D1電性連接。
圖2是本發明一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖2，在本實施例中，畫素結構配置於基板100上，且畫素結構包括金屬氧化物半導體層200、第一絕緣層300、第二絕緣層400、第一導電層500、保護層600a、第二導電層700以及畫素電極900。
詳細來說，金屬氧化物半導體層200包括第一半導體圖案220以及第二半導體圖案240，其中第一半導體圖案220包括第 一摻雜區222、第二摻雜區224以及通道區226，第二半導體圖案240包括接觸區242以及電極區244。金屬氧化物半導體層200可由氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide,IZO)、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide,GZO)、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide,ZTO)或氧化銦錫(Indium-Tin Oxide,ITO)或其他適合的金屬氧化物半導體材料所構成。第一摻雜區222、第二摻雜區224以及接觸區242為經摻雜的金屬氧化物半導體材料，例如是摻雜n型摻雜物之金屬氧化物半導體材料，但本發明不以此為限。另外，金屬氧化物半導體層200中未經摻雜的區域是作為通道區226以及電極區244。第一半導體圖案220中的第一摻雜區222以及第二摻雜區224分別位於通道區226的兩側。第二半導體圖案240中的電極區244位於接觸區242的一側。
請繼續參考圖2，在金屬氧化物半導體層200上堆疊有第一絕緣層300、第二絕緣層400以及第一導電層500。第一絕緣層300以及第二絕緣層400的材質例如為氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等介電材料。第一導電層500的材質例如為金屬或是其他合適的導電材料。第一絕緣層300包括第一閘極絕緣圖案320以及第一電容介電圖案340，其中第一閘極絕緣圖案320位於第一半導體圖案220上，第一電容介電圖案340位於第二半導體圖案240上。第二絕緣層400包括第二閘極絕緣圖案420以及第二電容介電圖案440，其中第二閘極絕緣圖案420位於第一閘極絕緣圖案320 上，第二電容介電圖案440位於第一電容介電圖案320上。第一導電層500包括閘極520以及第一電極540a，其中閘極520位於第二閘極絕緣圖案420上，第一電極540a位於第二電容介電圖案440上。
值得說明的是，本實施例的第一閘極絕緣圖案320以及第二閘極絕緣圖案420是堆疊在一起且覆蓋第一半導體圖案220之通道區226，故第一閘極絕緣圖案320及第二閘極絕緣圖案420除了作為閘極520與通道區226的絕緣用途之外，更可分別用以保護通道區226及第一閘極絕緣圖案320的材料特性，使其不易受後續製程的影響。與前述相似，本實施例的第一電容介電圖案340以及第二電容介電圖案440堆疊在一起且覆蓋第二半導體圖案240之電極區244，第一電容介電圖案340及第二電容介電圖案440用以絕緣第一電極540a，並且分別保護電極區244及第一電容介電圖案340，使其材料特性不易受後續製程的影響。另一方面，本實施例的第一閘極絕緣圖案320、第二閘極絕緣圖案420以及閘極520暴露出第一摻雜區222以及第二摻雜區224；且第一電容介電圖案340、第二電容介電圖案440以及第一電極540a暴露出接觸區242。
接著，第一導電層500上設置保護層600a，以覆蓋金屬氧化半導體層200、第一電容介電圖案340、第二電容介電圖案440以及第一導電層500，且保護層600a具有多個開口602a。第二導電層700位於保護層600a上。如此一來，保護層600a可作第二 導電層700與金屬氧化半導體層200以及第一導電層500之間的絕緣用途。保護層600a為無機介電層，其材料例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其它合適的材料等，但不以此為限。第二導電層700的材質例如為金屬或是其他合適的導電材料。
第二導電層700包括第一電極722以及第二電極724。第一電極722可經由開口602a與第一半導體圖案220之第一摻雜區222電性連接，第二電極724可經由開口602a與第一半導體圖案220之第二摻雜區224電性連接。如此一來，閘極520、第一電極722以及第二電極724即構成一主動元件T1，此主動元件T1即為圖1中之驅動薄膜電晶體Tb。並且，主動元件T1的閘極520是堆疊於第一半導體圖案220的通道層226上，屬於頂閘型薄膜電晶體之形式。
再者，如圖2所示，第二導電層700還包括第二電極延伸區742a。第二電極延伸區742a與第一電極540a重疊設置，且第二電極延伸區742a經由開口602a與第二半導體圖案240的接觸區242電性連接，則第二電極延伸區742a與電極區244電性連接。又如前述提到，第一電極540a與電極區244重疊。如此一來，電極區244、第一電極540a以及第二電極延伸區742a構成一儲存電容器C1，此儲存電容器C1即為圖1中之儲存電容器Cst。
詳細來說，本實施例的第二電極724可由第二電極延伸區742a延伸至第一電極540a上方而成，即第二電極724與第二電極延伸區742a連接。又如前述提到，第二電極延伸區742a與 電極區244電性連接，故第二電極724、電極區244與第二電極延伸區742a具有相同電壓。此外，第二導電層700更包括一連接部744a。連接部744a與第二電極延伸區742a、第一電極722以及第二電極724分開設置，且連接部744a經由開口602a與第一電極540a電性連接，故第一電極540a可具有與電極區244以及第二電極延伸區742a不同之電壓。又，第一電極540a是配置於電極區244與第二電極延伸區742a之間，故儲存電容器C1由第二電極742a與第一電極540a形成之第一子儲存電容器C11，以及電極區244與第一電極540a形成之第二子儲存電容器C12並聯而成。
除此之外，在本實施例中，第二導電層700上還包括保護層800以及第三導電層900，且第三導電層900即是作為畫素電極。保護層800覆蓋第二導電層700以及保護層600a，且第三導電層900位於保護層800上。如此一來，保護層800作為第三導電層900與第二導電層700的絕緣用途。保護層800為有機平坦層，其材料例如為聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料等，但不以此為限。第三導電層900的材質例如為金屬。
於形成圖2之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖3。請同時參照圖2以及圖3，在圖2的畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。
詳細來說，保護層1000具有開口1002，且開口1002中配置有機發光二極體的有機層1100。第四導電層1200配置在有機層1100以及保護層1000上。如此一來，第四導電層1200與第三導電層900作為有機發光二極體的兩個電極，第四導電層1200、有機層1100以及第三導電層900構成有機發光二極體O1，此有機發光二極體O1即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C1可由第一子儲存電容器C11以及第二子儲存電容器C12以彼此堆疊的方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C1的電容值。再者，畫素結構的儲存電容器C1與主動元件T1可以相同膜層實現，故在不增加製程步驟的情況下，即可達到有效提升儲存電容器C1的電容值之目的。
圖4是本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的畫素結構與圖2的畫素結構相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。圖4與圖2二者主要差別之處在於：圖4之實施例的畫素結構更包括導電圖案1300，導電圖案1300設置在第二半導體圖案240上方，且夾於第一電容介電圖案340以及第二電容介電圖案440之間。此外，第一電極540b與第二電極延伸區742b電性連接。
如圖4所示，第二電極延伸區742b、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244重疊設置，且第二電極742b以 及第一電極540b經由開口602a與第二半導體圖案240的接觸區242電性連接，因此第二電極742b延伸區、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244具有相同電壓。又，第二導電層700更包括一連接部744b。連接部744b與第二電極742b、第一電極722以及第二電極724分開設置，且連接部744b經由開口602a與導電圖案1300電性連接，導電圖案1300可具有與電極區244、第二電極延伸區742b以及第一電極540b不同之電壓。如此一來，第二半導體圖案240的電極區244、導電圖案1300、第一電極540b以及第二電極742b構成儲存電容器C2，此儲存電容器C2即為圖1中之儲存電容器Cst。
在本實施中，導電圖案1300配置於電極區244與第一電極540b之間，導電圖案1300配置於電極區244與第二電極742b之間，故儲存電容器C2由第一電極540b與導電圖案1300形成之第一子儲存電容器C21以及導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C22並聯而成，本實施例的畫素結構相對於圖2之畫素結構具有更高的儲存電容器之電容值。除此之外，在本實施例中，第二電極742b與第二電極724連接，第二電極742b即是作為畫素電極。
於形成圖4之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖5。請同時參照圖4以及圖5，在圖4的畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。保護層1000的開口1002中配置有機發光二極體的有機層 1100。第四導電層1200配置在有機層1100以及保護層1000上。如此一來，第四導電層1200、有機層1100以及第二電極742b構成有機發光二極體O2，此有機發光二極體O2即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C2可由第一子儲存電容器C21以及第二子儲存電容器C22彼此堆疊之方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C2的電容值。
圖6是本發明又一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖6，本實施例的畫素結構與圖4的畫素結構相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。圖6與圖2二者主要差別之處在於：圖6之實施例的保護層600c為有機平坦層。
詳細來說，保護層600c的材料例如為聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料等，但不以此為限。第一電極722可經由保護層600c的開口602c與第一半導體圖案220之第一摻雜區222電性連接，第二電極724可經由保護層600c的開口602c與第一半導體圖案220之第二摻雜區224電性連接。第二電極延伸區742b以及第一電極540b經由開口602c與第二半導體圖案240的接觸區242電性連接。第二電極延伸區742b、第 一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244具有相同電壓。又，第二導電層700的連接部744b經由開口602c與導電圖案1300電性連接，故導電圖案1300可具有與電極區244、第二電極742b以及第一電極540b不同之電壓。如此一來，第二半導體圖案240的電極區244、導電圖案1300、第一電極540b以及第二電極742b構成儲存電容器C3，此儲存電容器C3即為圖1中之儲存電容器Cst。儲存電容器C3由第一電極540b與導電圖案1300形成之第一子儲存電容器C31以及由導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C32並聯而成。
於形成圖6之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖7。請同時參照圖6以及圖7在圖6的畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。第四導電層1200、有機層1100以及第二電極742b構成有機發光二極體O3，此有機發光二極體O3即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。當第四導電層1200的材質為透光，則圖6之畫素結構、保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200構成向上發光型有機發光二極體基板。當第四導電層1200的材質為不透光，則圖6之畫素結構、保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200構成向下發光型有機發光二極體基板。
圖8是本發明再一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖8，本實施例的畫素結構與圖4的畫素結構相似，其類似的 構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。圖8與圖6二者主要差別之處在於：圖8之實施例之畫素結構於第二導電層700上形成保護層800以及第三導電層900，且第三導電層900即是作為畫素電極。
詳細來說，保護層800覆蓋第二導電層700以及保護層600a，且第三導電層900位於保護層800上。如此一來，保護層800作為第三導電層900與第二導電層700的絕緣用途。保護層800為有機平坦層，其材料例如為聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料等，但不以此為限。第三導電層900的材質例如為金屬或是其他合適的導電材料。
此時，保護層800具有開口1202d，第三導電層900、第二電極742b、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244重疊設置，且第三導電層900經由開口1202d與第二導電層700之第二電極724連接。因此第三導電層900、第二電極延伸區742b、第一電極540b、第一半導體圖案220之第二摻雜區224以及第二半導體圖案240的電極區244具有相同電壓。又，導電圖案1300可具有與電極區244、第二電極742b以及第一電極540b不同之電壓。如此一來，第三導電層900、第二半導體圖案240的電極區244、導電圖案1300、第一電極540b以及第二電極延伸區742b構成儲存電容器C4，此儲存電容器C4即為圖1中之儲存電容器Cst。儲存電容器C4由第一電極540b與導電圖案1300形 成之第一子儲存電容器C41、導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C42、第二電極延伸區742b與導電圖案1300形成之第三子儲存電容器C43以及第三導電層900與導電圖案1300形成之第四子儲存電容器C44並聯而成。
於形成圖8之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖9。請同時參照圖8以及圖9，在圖8之畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。保護層1000的開口1002中配置有機發光二極體的有機層1100。第四導電層1200配置在有機層1100以及保護層1000上。如此一來，第四導電層1200、有機層1100以及第三導電層900構成有機發光二極體O4，此有機發光二極體O4即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C4可由第一子儲存電容器C41、第二子儲存電容器C42、第三子儲存電容器C43以及第四子儲存電容器C44彼此堆疊之方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C4的電容值。
圖10是本發明另一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖10，本實施例的畫素結構與圖8的畫素結構相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。二者主要差別之處在於：本實施例的連接部744e與第一電極540b重疊設置，且第三導電層900與連接部744e重疊設置。
詳細來說，第三導電層900、第二電極延伸區742b、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244重疊設置，且第三導電層900、第二電極延伸區742b、第一電極540b、第一半導體圖案220之第二摻雜區224以及第二半導體圖案240的電極區244具有相同電壓。又，連接部744e與導電圖案1300具有相同電壓，且與電極區244、第二電極延伸區742b以及第一電極540b具有不同之電壓。如此一來，第三導電層900、連接部744e、第一電極540b、導電圖案1300以及第二半導體圖案240的電極區244構成儲存電容器C5，此儲存電容器C5即為圖1中之儲存電容器Cst。儲存電容器C5由第一電極540b與導電圖案1300形成之第一子儲存電容器C51、導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C52、第一電極540b與連接部744e形成之第三子儲存電容器C53以及第三導電層900與連接部744e形成之第四子儲存電容器C54並聯而成。值得一提的是，本實施例的儲存電容器C5的堆疊方式為具有相同電壓的第三導電層900、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244與具有另一相同電壓的連接部744e與導電圖案1300交錯配置。
於形成圖10之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖11。請同時參照圖10以及圖11，在圖10的畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。保護層1000的開口1002中配置有機發光二極體的有機層1100。第四導電層1200配置在有機層1100以及保護層1000 上。如此一來，第四導電層1200、有機層1100以及第三導電層900構成有機發光二極體O5，此有機發光二極體O5即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C5可由第一子儲存電容器C51、第二子儲存電容器C52、第三子儲存電容器C53以及第四子儲存電容器C54彼此堆疊之方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C5的電容值。
圖12是本發明又一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖12，本實施例的畫素結構與圖8之畫素結構相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。圖8與圖12二者主要差別之處在於：圖12之實施例的保護層600f為一有機平坦層。
詳細來說，保護層600f的材料例如為聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類或其它合適的材料等，但不以此為限。第一電極722可經由保護層600f的開口602f與第一半導體圖案220之第一摻雜區222電性連接，第二電極724可經由保護層600f的開口602f與第一半導體圖案220之第二摻雜區224電性連接。第三導電層900、第二半導體圖案240的電極區244、導電圖案1300、第一電極540b以及第二電極延伸區742b構成儲存電容器C6，此儲存電容器C6即為圖1中之儲存電容器Cst。儲存電容器 C6由第一電極540b與導電圖案1300形成之第一子儲存電容器C61、導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C62、第二電極延伸區742b與導電圖案1300形成之第三子儲存電容器C63以及第三導電層900與導電圖案1300形成之第四子儲存電容器C64並聯而成。
於形成圖12之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖13。請同時參照圖12以及圖13，在圖12之畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。第四導電層1200、有機層1100以及第三導電層900構成有機發光二極體O6，此有機發光二極體O6即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C6可由第一子儲存電容器C61、第二子儲存電容器C62、第三子儲存電容器C63以及第四子儲存電容器C64彼此堆疊之方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C6的電容值。
圖14是本發明再一實施例的畫素結構的剖面示意圖。請參考圖14，本實施例的畫素結構與圖12的畫素結構相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，因此不再重複說明。圖14與圖12二者主要差別之處在於：圖14之實施例的連接部744g與第一電極540b重疊設置，且第三導電層900與連接部744g重疊設置。
詳細來說，第三導電層900、第二電極742b、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244重疊設置，且第三導電層900、第二電極延伸區742b、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244具有相同電壓。又，連接部744g與導電圖案1300具有相同電壓且與電極區244、第二電極延伸區742b以及第一電極540b具有不同之電壓。如此一來，第三導電層900、連接部744g、第一電極540b、導電圖案1300以及第二半導體圖案240的電極區244構成儲存電容器C7，此儲存電容器C7即為圖1中之儲存電容器Cst。儲存電容器C7由第一電極540b與導電圖案1300形成之第一子儲存電容器C71、導電圖案1300與電極區244形成之第二子儲存電容器C72、連接部744g與第一電極540b形成之第三子儲存電容器C73以及第三導電層900與連接部744g形成之第四子儲存電容器C74並聯而成。值得一提的是，本實施例的儲存電容器C7的堆疊方式為具有相同電壓的第三導電層900、第一電極540b以及第二半導體圖案240的電極區244，與具有另一相同電壓的連接部744g與導電圖案1300交錯配置。
於形成圖14之畫素結構之後，若欲將此畫素結構應用在有機發光顯示面板，則可參考圖15。請同時參照圖14以及圖15，在圖14的畫素結構上形成保護層1000、有機層1100以及第四導電層1200。保護層1000的開口1002中配置有機發光二極體的有機層1100。第四導電層1200配置在有機層1100以及保護層1000上。如此一來，第四導電層1200、有機層1100以及第三導電層 900構成有機發光二極體O7，此有機發光二極體O7即為圖1中之有機發光二極體OLED。又，第四導電層1200的材質可為一透光或不透光之導電材質。
基於上述實施例可知，畫素結構中的儲存電容器C7可由第一子儲存電容器C71、第二子儲存電容器C72、第三子儲存電容器C73以及第四子儲存電容器C74彼此堆疊之方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器C7的電容值。
綜上所述，本發明之畫素結構的儲存電容器是由多個電極或導電圖案以彼此堆疊的方式實現，故可在具有良好的開口率之情況下有效提升儲存電容器的電容值。再者，本發明之畫素結構的儲存電容器與主動元件可以相同膜層實現，故在不增加製程步驟的情況下，即可達到有效提升儲存電容器的電容值之目的。進一步而言，當增加配置一導電圖案於第一電容介電圖案以及第二電容介電圖案之間、增加配置保護層第四導電層於第二導電層上、或使具有相同電壓的第四導電層、第一電極以及第二半導體圖案的電極區與具有另一相同電壓的連接部與導電圖案交錯配置，則可達到增加儲存電容器之電容值之目的。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基板
200‧‧‧金屬氧化物半導體層
220‧‧‧第一半導體圖案
222‧‧‧第一摻雜區
224‧‧‧第二摻雜區
226‧‧‧通道區
240‧‧‧第二半導體圖案
242‧‧‧接觸區
244‧‧‧電極區
300‧‧‧第一絕緣層
320‧‧‧第一閘極絕緣圖案
340‧‧‧第一電容介電圖案
400‧‧‧第二絕緣層
420‧‧‧第二閘極絕緣圖案
440‧‧‧第二電容介電圖案
500‧‧‧第一導電層
520‧‧‧閘極
540a‧‧‧第一電極
600a‧‧‧保護層
602a‧‧‧開口
700‧‧‧第二導電層
722‧‧‧第一電極
724‧‧‧第二電極
742a‧‧‧第二電極延伸區
744a‧‧‧連接部
800‧‧‧保護層
802‧‧‧開口
900‧‧‧第四導電層
C1‧‧‧儲存電容器
C11‧‧‧第一子儲存電容器
C12‧‧‧第二子儲存電容器
T1‧‧‧主動元件

Claims (11)

  1. 一種畫素結構，包括：一金屬氧化物半導體層，包括一第一半導體圖案以及一第二半導體圖案，其中該第一半導體圖案包括一第一摻雜區、一第二摻雜區以及一通道區，其中該第一摻雜區及該第二摻雜區分別位於該通道區之兩側，該第二半導體圖案包含一接觸區及一電極區；一第一絕緣層，包括一第一閘極絕緣圖案以及一第一電容介電圖案，該第一閘極絕緣圖案位於該第一半導體圖案上，該第一電容介電圖案位於該第二半導體圖案上；一第二絕緣層，包括一第二閘極絕緣圖案以及一第二電容介電圖案，該第二閘極絕緣圖案位於該第一閘極絕緣圖案上，該第二電容介電圖案位於該第一電容介電圖案上；一第一導電層，包括一閘極以及一第一電極，該閘極位於該第二閘極絕緣圖案上，該第一電極位於該第二電容介電圖案上，其中該第一半導體圖案之該第一電極第一摻雜區及該第二電極第二摻雜區被裸露出，該第二半導體層之該接觸區被裸露出；一保護層，覆蓋該金屬氧化半導體層以及該第一導電層，且該保護層具有一第一開口暴露出第二電極、一第二開口暴露出該第一電極、一第三開口暴露出該接觸區及一第四開口暴露出該第一電極；一第二導電層，位於該保護層上，該第二導電層包括一第一電極、一第二電極以及與該第二電極連接的一第二電極，該第一 電極透過該第二開口與該第一半導體圖案之該第一摻雜區電性連接，該第二電極透過該第一開口與該第一半導體圖案之該第二摻雜區電性連接，該第二電極透過該第三開口與該第二半導體圖案之該接觸區電性連接，且該第二電極與該第一電極部分重疊設置，其中該閘極、該第一電極以及該第二電極構成一主動元件，且該第二半導體圖案與該第一電極部分重疊且耦合而成一第一儲存電容，以及該第一電極與該第二電極部分重疊且耦合而成一第二儲存電容器；以及一畫素電極，與該第二電極電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該保護層為一無機介電層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二導電層更包括一連接部，該連接部經由該保護層之該第四開口與該第一電極電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括一導電圖案，設置在該第二半導體圖案上方，且夾於該第一電容介電圖案以及該第二電容介電圖案之間，該第二半導體圖案和該導電圖案部分重疊且耦合而成一第三儲存電容；以及該導電圖案和該第一電極部分重疊且耦合而成一第四儲存電容器。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該保護層為一無機介電層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該保護層為 一有機平坦層。
  7. 一種畫素結構，包括：一金屬氧化物半導體層，包括一第一半導體圖案以及一第二半導體圖案，其中該第一半導體圖案包括一第一摻雜區、一第二摻雜區以及一通道區，其中該第一摻雜區及該第二摻雜區分別位於該通道區之兩側，該第二半導體圖案包含一接觸區及一電極區；一第一絕緣層，包括一第一閘極絕緣圖案以及一第一電容介電圖案，該第一閘極絕緣圖案位於該第一半導體圖案上，該第一電容介電圖案位於該第二半導體圖案上；一第二絕緣層，包括一第二閘極絕緣圖案以及一第二電容介電圖案，該第二閘極絕緣圖案位於該第一閘極絕緣圖案上，該第二電容介電圖案位於該第一電容介電圖案上；一導電圖案，設置在該第二半導體圖案上方，且夾於該第一電容介電圖案以及該第二電容介電圖案之間；一第一導電層，包括一閘極以及一第一電極，該閘極位於該第二閘極絕緣圖案上，該第一電極位於該第二電容介電圖案上，其中，該第一半導體圖案之該第一摻雜區及該第二摻雜區被裸露出，該第二半導體層之該接觸區被裸露出；一保護層，覆蓋該金屬氧化半導體層以及該第一導電層，且該保護層具有第一開口暴露出第二電極、第二開口暴露出該第一電極、第三開口暴露出該接觸區及第四開口暴露出該第一電極；一第二導電層，位於該保護層上，該第二導電層包括一第一 電極、一第二電極，該第一電極透過該第二開口與該第一半導體圖案之該第一摻雜區電性連接，該第二電極透過該第一開口與該第一半導體圖案之該第二摻雜區電性連接，其中該閘極、該第一電極以及該第二電極構成一主動元件，該第二電極透過該第三開口與該第二半導體圖案之該接觸區電性連接，且該第二半導體圖案與該導電圖案部分重疊且耦合而成一儲存電容，以及該導電圖案與該第一電極部分重疊且耦合成另一儲存電容器；以及一畫素電極，與該第二電極電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該第一電極與該第二電極透過第三開口電性連接。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該第二導電層更包括一第二電極，該第二電極與該第二電極及該第一電極電性絕緣且與該第一電極部分重疊設計，並且該第二電極與該導電圖案電性連接。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該保護層為一無機介電層。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該保護層為一有機平坦層。
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