CN215771156U

CN215771156U - 显示面板及显示装置

Info

Publication number: CN215771156U
Application number: CN202120831629.6U
Authority: CN
Inventors: 范文志; 蔡伟民; 施文峰; 淮兆祥; 曹曙光; 刘家昌; 万云海; 朱超; 李瑶
Original assignee: Hefei Visionox Technology Co Ltd
Current assignee: Hefei Visionox Technology Co Ltd
Priority date: 2021-04-20
Filing date: 2021-04-20
Publication date: 2022-02-08
Anticipated expiration: 2031-04-20

Abstract

本实用新型实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层以及第一栅极，所述第一有源层设置在所述基板上；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、与所述第二有源层绝缘的第二栅极，所述第二有源层设置在所述第一栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述第二有源层与所述第一栅极同层设置；所述存储电容包括上电极和下电极，所述下电极为所述第一栅极，所述上电极与所述第二栅极同层设置。本实用新型提供的显示面板及显示装置制备工艺难度低，且制备成本低。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

现有的有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Display，OLED)模组因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示模组中的主流。在相关技术中，分别应用低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物(Oxide)作为薄膜晶体管的有源层的材料的显示装置备受关注。

然而，发明人发现相关技术中至少存在如下问题：采用多晶硅材料的薄膜晶体管与金属氧化物材料的薄膜晶体管结合在一起形成显示装置所需的制备工艺较为复杂，且制备成本高。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，其制备工艺难度低，且制备成本低。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供了一种显示面板，包括：

基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层以及第一栅极，所述第一有源层设置在所述基板上；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、与所述第二有源层绝缘的第二栅极，所述第二有源层设置在所述第一栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述第二有源层与所述第一栅极同层设置；所述存储电容包括上电极和下电极，所述下电极为所述第一栅极，所述上电极与所述第二栅极同层设置。

另外，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层覆盖所述第二有源层，并延伸至覆盖所述第一栅极；所述上电极和所述第二栅极均设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板的一侧。

另外，所述上电极和所述第二栅极的材质相同。通过此种方式，使得上电极和第二栅极可以通过同一工艺制备(即可以使用一张掩膜板同时制备上电极和第二栅极)，减少了制备显示面板所需的掩膜板数量，从而降低了显示面板的制备成本。

另外，所述第二有源层的材质包括金属氧化物。

另外，所述第一栅极的材质包括金属氧化物和离子，且形成所述第一栅极的金属氧化物与形成所述第二有源层的金属氧化物相同；其中，所述离子用于掺杂在所述金属氧化物内，以将所述第一栅极转化为导体。通过此种方式，使得第二有源层与所述第一栅极可以通过同一工艺制备(即可以使用一张掩膜板同时制备第二有源层与所述第一栅极)，减少了制备显示面板所需的掩膜板数量，从而降低了显示面板的制备成本。

另外，所述第一栅极在所述基板上的正投影位于所述第一有源层在所述基板上的正投影内。由于第一有源层也需要离子注入以确定第一薄膜晶体管的类型(NMOS管或PMOS管)，通过此种结构的设置，能够在对第一栅极进行离子注入的同时，未被第一栅极遮挡的第一有源层也会被离子注入，从而无需额外的工艺单独对第一有源层进行离子注入，降低了显示面板的工艺复杂度。

另外，所述显示面板还包括：层间介质层，所述层间介质层设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述层间介质层覆盖所述上电极及所述第二栅极；第一电极，所述第一电极设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，所述第一电极贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层以及部分所述第一栅绝缘层并与所述第一有源层连接；平坦化层，所述平坦化层设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，且所述平坦化层覆盖所述第一电极；连接电极，所述连接电极设置在所述平坦化层背离所述基板的一侧，所述连接电极贯穿部分所述平坦化层并与所述第一电极连接。

另外，所述显示面板还包括：层间介质层，所述层间介质层设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述层间介质层覆盖所述上电极及所述第二栅极；第一电极，所述第一电极设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，所述第一电极贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层以及部分所述第一栅绝缘层并与所述第一有源层连接；第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，且所述第一平坦化层覆盖所述第一电极；第二电极，所述第二电极设置在所述第一平坦化层背离所述基板的一侧，所述第二电极贯穿部分所述第一平坦化层并与所述第一电极连接；第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述第一平坦化层背离所述基板的一侧，且所述第二平坦化层覆盖所述第二电极；连接电极，所述连接电极设置在所述第二平坦化层背离所述基板的一侧，所述连接电极贯穿部分所述第二平坦化层并与所述第二电极连接。

另外，所述第一有源层的材质为低温多晶硅。

本实用新型的实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

与相关技术相比，本实用新型实施例至少具有以下优点：

通过第二有源层与第一栅极同层设置，能够减少显示面板制备时的工艺层数，从而降低显示面板制备工艺的复杂度；通过将第一栅极作为存储电容的下电极，无需额外的工艺制备下电极，降低了显示面板的制备成本；通过存储电容的上电极与第二栅极同层设置，能够减少显示面板制备时的工艺层数，从而进一步降低显示面板制备工艺的复杂度。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本实用新型第一实施例的显示面板的结构示意图；

图2是本实用新型第一实施例的显示面板的另一种结构示意图；

图3是本实用新型第一实施例的显示面板的又一种结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

本实用新型的第一实施例涉及一种显示面板，本实施例中的显示面板的结构示意图如图 1所示，包括：

基板1；第一薄膜晶体管2，第一薄膜晶体管2包括依次层叠设置的第一有源层21、第一栅绝缘层22以及第一栅极23，第一有源层21设置在基板1上；第二薄膜晶体管3，第二薄膜晶体管3包括第二有源层31、与第二有源层31绝缘的第二栅极32，第二有源层31设置在第一栅绝缘层22背离基板1的一侧，且第二有源层31与第一栅极23同层设置；存储电容 4，存储电容4包括上电极41和下电极42，下电极42为第一栅极23，上电极41与第二栅极 32同层设置。

具体地说，本实施例中的基板1可包括例如玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。例如，当基板1为柔性的或可弯曲的时，基板1可以包括聚合物，例如聚醚砜 (PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。例如，基板1可以具有由上述材料形成的单层或多层结构。基板1具有多层结构时，基板1 可以包括例如无机材料层。在一些实施例中，基板1可以具有有机材料层、无机材料层和有机材料层顺序地堆叠的多层结构。

与相关技术相比，本实用新型实施例至少具有以下优点：通过第二有源层31与第一栅极 23同层设置，能够减少显示面板制备时的工艺层数，从而降低显示面板制备工艺的复杂度；通过将第一栅极23作为存储电容4的下电极，无需额外的工艺制备下电极，降低了显示面板的制备成本；通过存储电容4的上电极41与第二栅极32同层设置，能够减少显示面板制备时的工艺层数，从而进一步降低显示面板制备工艺的复杂度。

请继续参见图1，第二薄膜晶体管3还包括第二栅绝缘层33，第二栅绝缘层33覆盖第二有源层31，并延伸至覆盖第一栅极23；上电极41和第二栅极32均设置在第二栅绝缘层33 背离基板1的一侧。通过此种结构的设置，能够将第二栅绝缘层33作为下电极42(第一栅极23)和上电极41之间的绝缘层，减小漏电流，提高显示面板的稳定性，也能够减少显示面板的工艺层数，降低工艺复杂度。

可以理解的是，第二栅绝缘层33可以包括包含例如氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅绝缘层33可以包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。

需要说明的是，由于第二栅绝缘层33的厚度决定了存储电容的像素电容值，因此第二栅绝缘层33的厚度可以根据实际需求设置，本实施例并不对此作出具体限定。

优选地，本实施例中上电极41和第二栅极32的材质相同。通过此种方式，使得上电极 41和第二栅极32可以通过同一工艺制备(即可以使用一张掩膜板同时制备上电极41和第二栅极32)，减少了制备显示面板所需的掩膜板数量，从而降低了显示面板的制备成本。

具体的说，上电极41和第二栅极32的材质可以包括例如钼(Mo)、铜(Cu)和钛(Ti)，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，上电极41和第二栅极32为以钛-铝-钛为材质的复合结构，此种结构的上电极41和第二栅极32导电性强、方阻小，能够使存储电容4更为快速的释放存储电荷。例如，上电极41和第二栅极32为以钼为材质的单层结构，能够有效减薄显示面板的整体厚度，提高显示面板的弯折性能。

请参见图2，第二有源层31的材质包括金属氧化物，第一栅极23的材质包括金属氧化物和离子，且形成第一栅极23的金属氧化物与形成第二有源层31的金属氧化物相同；其中，所述离子用于掺杂在所述金属氧化物内，以将所述第一栅极转化为导体。通过此种方式，使得第二有源层31与第一栅极23可以通过同一工艺制备(即可以使用一张掩膜板同时制备第二有源层31与第一栅极23)，减少了制备显示面板所需的掩膜板数量，从而降低了显示面板的制备成本。

可以理解的是，由于本实施例中的第一栅极23还作为存储电容4的下电极，因此当第一栅极23的材质为金属氧化物，为了提高第一栅极23的导电性能，还需对第一栅极23进行离子注入(离子可以为硼离子、氟离子等)，以将第一栅极23转化为导体，从而确保存储电容 4的性能不受到影响。具体的说，离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速，获得较大动能的杂质离子即可以直接进入金属氧化物中，并引起金属氧化物表面成分、结构和性能发生变化，从而优化金属氧化物表面性能(导电性增加)。

更具体的，金属氧化物可以包括例如ZnO基材料，例如，ZnO、In-ZnO、Ga-In-ZnO等。在一些实施例中，第二有源层31可以是在ZnO中包括例如In和Ga的金属的In-Ga-ZnO(IGZO)半导体。

值得一提的是，本实例中，第一栅极23在基板1上的正投影位于第一有源层21在基板 1上的正投影内。由于第一有源层21也需要离子注入以确定第一薄膜晶体管2的类型(NMOS 管或PMOS管)，通过此种结构的设置，能够在对第一栅极23进行离子注入的同时，未被第一栅极23遮挡的第一有源层21也会被离子注入，从而无需额外的工艺单独对第一有源层21 进行离子注入，降低了工艺复杂度。

请一并参见图1至图2，显示面板还包括：层间介质层5，层间介质层5设置在第二栅绝缘层33背离基板1的一侧，且层间介质层5覆盖上电极41及第二栅极32；第一电极6，第一电极6设置在层间介质层5背离基板1的一侧，第一电极6贯穿层间介质层5、第二栅绝缘层33以及部分第一栅绝缘层22并与第一有源层21连接；平坦化层7，平坦化层7设置在层间介质层5背离基板1的一侧，且平坦化层7覆盖第一电极6；连接电极8，连接电极8设置在平坦化层7背离基板1的一侧，连接电极8贯穿部分平坦化层7并与第一电极6连接。

具体的说，第一有源层21的材质可以为低温多晶硅。第一有源层21包括第一源区和第一漏区，第一源区和第一漏区可以掺杂有杂质，并且可以具有导电性。第一源区和第一漏区可以分别通过层间介质层中的接触孔连接到第一电极6。

具体的说，层间介质层5为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，氮化硅层的厚度通常为40 至60纳米，优选为50纳米，氧化硅层的厚度通常为240至250纳米，优选为250纳米。

具体的说，平坦化层7可以包括有机材料，例如，压克力、BCB、PI或HMDSO。在实施例中，平坦化层7也可以包括无机材料。平坦化层7可以用作覆盖第一电极6的保护层，并且可以具有平滑的上表面。在一些实施例中，平坦化层7可以具有单层结构或多层结构。

请参见图3，显示面板还包括：层间介质层5，层间介质层5设置在第二栅绝缘层33背离基板1的一侧，且层间介质层5覆盖上电极41及第二栅极32；第一电极61，第一电极61设置在层间介质层5背离基板1的一侧，第一电极61贯穿层间介质层5、第二栅绝缘层33 以及部分第一栅绝缘层22并与第一有源层21连接；第一平坦化层71，第一平坦化层71设置在层间介质层5背离基板1的一侧，且第一平坦化层71覆盖第一电极6；第二电极62，第二电极62设置在第一平坦化层71背离基板1的一侧，第二电极62贯穿部分第一平坦化层 71并与第一电极61连接；第二平坦化层72，第二平坦化层72设置在第一平坦化层71背离基板1的一侧，且第二平坦化层72覆盖第二电极62；连接电极8，连接电极8设置在第二平坦化层72背离基板1的一侧，连接电极8贯穿部分第二平坦化层72并与第二电极62连接。通过此种结构的设置，能够减少显示面板面内的方阻，从而减少电压降，提高显示面板的显示效果。

本实用新型的第二实施例涉及一种显示装置，包含上述实施例提及的显示模组。

其中，显示模组可以为柔性有机发光显示模组或者非柔性有机发光显示模组。该有机发光显示模组的发光模式可以是顶发光、底发光或者双面发光。显示模组还可以封装在显示装置中，显示装置可以应用在智能穿戴设备(如智能手环、智能手表)中，也可以应用在智能手机、平板电脑、显示器等设备中。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的第一有源层、第一栅绝缘层以及第一栅极，所述第一有源层设置在所述基板上；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、与所述第二有源层绝缘的第二栅极，所述第二有源层设置在所述第一栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述第二有源层与所述第一栅极同层设置；

存储电容，所述存储电容包括上电极和下电极，所述下电极为所述第一栅极，所述上电极与所述第二栅极同层设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层覆盖所述第二有源层，并延伸至覆盖所述第一栅极；所述上电极和所述第二栅极均设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述上电极和所述第二栅极的材质相同。

4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层的材质包括金属氧化物。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

层间介质层，所述层间介质层设置在所述第二栅绝缘层背离所述基板的一侧，且所述层间介质层覆盖所述上电极及所述第二栅极；

第一电极，所述第一电极设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，所述第一电极贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层以及部分所述第一栅绝缘层并与所述第一有源层连接；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，且所述平坦化层覆盖所述第一电极；

连接电极，所述连接电极设置在所述平坦化层背离所述基板的一侧，所述连接电极贯穿部分所述平坦化层并与所述第一电极连接。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述层间介质层背离所述基板的一侧，且所述第一平坦化层覆盖所述第一电极；

第二电极，所述第二电极设置在所述第一平坦化层背离所述基板的一侧，所述第二电极贯穿部分所述第一平坦化层并与所述第一电极连接；

第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述第一平坦化层背离所述基板的一侧，且所述第二平坦化层覆盖所述第二电极；

连接电极，所述连接电极设置在所述第二平坦化层背离所述基板的一侧，所述连接电极贯穿部分所述第二平坦化层并与所述第二电极连接。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极在所述基板上的正投影位于所述第一有源层在所述基板上的正投影内。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层的材质为低温多晶硅。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至8任一项所述的显示面板。