TW201641729A - 濺鍍靶材以及使用其的濺鍍成膜方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可減少由電弧放電或異常放電所引起的粒子的產生的濺鍍靶材。本發明的濺鍍靶材用於磁控濺鍍，且將板狀構件裝卸自如地嵌入至位於該濺鍍靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域中。較佳為於嵌入至濺鍍靶材中時，板狀構件的靶材面側的表面與濺鍍靶材的剝蝕前的靶材面為大致相同的高度、或配置於自該靶材面凹下的位置上。

Description

濺鍍靶材以及使用其的濺鍍成膜方法

本發明是有關於一種用於在靶材的表面形成磁場來進行濺鍍的磁控濺鍍的靶材及使用該靶材的濺鍍成膜方法。

於行動電話、可攜式電子文件機器、自動販賣機、汽車導航等中所搭載的平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）中採用使手指或筆尖接觸顯示畫面來進行輸入的「觸控面板」正在普及。「觸控面板」大致分為「電阻型」與「靜電電容型」，「電阻型」的觸控面板呈如下的結構：使在包含樹脂膜的透明基板上成膜的X座標（或Y座標）探測用的電極片、與在玻璃基板上成膜的Y座標（或X座標）探測用的電極片以所述兩電極片夾持絕緣體間隔物而對向的方式疊加。而且，根據畫面顯示，利用筆等自透明基板的表面進行按壓，藉此兩電極片電性接觸，藉此可探測該按壓位置的X座標及Y座標。

另一方面，「靜電電容型的觸控面板」呈如下的結構：於包含夾持絕緣片而對向的X座標（或Y座標）探測用的電極片、與Y座標（或X座標）探測用的電極片的積層體上配置有玻璃等絕緣體，當根據畫面顯示使手指接近絕緣體的表面時，其附近的X座標探測電極及Y座標探測電極的電容會變化，因此可探測該手指的位置的X座標及Y座標。所述「電阻型」及「靜電電容型」的觸控面板均只要使筆等移動，便可每次識別座標，因此成為可進行文字等的輸入的構造。

作為構成所述電極片的導電性材料，如專利文獻1中所記載般，自先前以來廣泛地使用氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）等透明導電膜。該透明導電膜因於可見波長區域中的透過性優異，故具有電極等的電路圖案幾乎不會被視認的優點，但因電阻值高於金屬製的細線，故具有不適合觸控面板的大型化或響應速度的高速化的缺點。

因此，如專利文獻2或專利文獻3等中所揭示般，伴隨近年來的觸控面板的大型化，開始使用因電阻值低而適合於觸控面板的大型化或響應速度的高速化的網眼結構的金屬製細線（金屬膜）。但是，金屬製細線（金屬膜）於可見波長區域中的反射率高，因此即便加工成微細的網眼結構，於高亮度照明下，有時電路圖案亦被視認，而具有使製品價值下降的缺點。

為了降低自該透明基板側被視認的金屬製細線（金屬膜）的高反射率，發揮電阻值低的金屬製細線（金屬膜）的特性，如專利文獻4或專利文獻5中所記載般，提出有使包含金屬氧化物的反應性濺鍍成膜層（亦稱為黑化膜）介於包含樹脂膜的透明基板與金屬製細線（金屬膜）之間的技術。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2003-151358號公報 [專利文獻2]日本專利特開2011-018194號公報 [專利文獻3]日本專利特開2013-069261號公報 [專利文獻4]日本專利特開2014-142462號公報 [專利文獻5]日本專利特開2013-225276號公報

[發明所欲解決之課題] 就謀求金屬氧化物的成膜效率的觀點而言，包含金屬氧化物的所述反應性濺鍍成膜層通常於含有氧氣的反應性氣體環境下，藉由使用金屬靶材（金屬材）的反應性濺鍍等而於長條狀樹脂膜面上連續地進行成膜。而且，進而藉由使用銅等金屬靶材（金屬材）的濺鍍等，於該反應性濺鍍成膜層上使金屬層連續地成膜，藉此進行用於製作電極基板膜的積層體膜的製作。

但是，若長時間實施利用含有氧氣的反應性氣體的反應性濺鍍，則堆積於所述金屬靶材的靶材面中的非剝蝕區域中的絕緣膜（氧化膜）成為電弧放電（arcing）的誘因，因該電弧放電而產生的粒子有時附著於長條樹脂膜的表面，於形成電極等的電路圖案時產生斷線不良或短路不良。另外，若堆積於非剝蝕區域中的絕緣膜的堆積量增加，則絕緣膜容易剝離，有時因該剝離的絕緣膜侵入至放電空間而產生異常放電。若因該異常放電而產生的粒子亦附著於長條樹脂膜的表面上，則於形成電極等的電路圖案時成為斷線不良或短路不良的原因。本發明是鑒於所述先前的問題點而成者，其目的在於提供一種可減少由電弧放電或異常放電所引起的粒子的產生的濺鍍靶材。 [解決課題之手段]

本發明者發現，藉由在位於金屬靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域中形成槽，並定期地更換裝卸自如地嵌入至該槽中的板狀構件，可將該非剝蝕區域中的絕緣膜的堆積量抑制成某一固定量以下，藉此可抑制電弧放電或異常放電的產生而減少附著於長條樹脂膜的表面上的粒子的量，從而完成了本發明。即，本發明所提供的濺鍍靶材是用於磁控濺鍍的濺鍍靶材，其特徵在於：將板狀構件裝卸自如地嵌入至該濺鍍靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域中。   [發明的效果]

根據本發明，可容易地去除附著於濺鍍靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域中的由反應性濺鍍成膜所產生的粒子堆積物。藉此，當使反應性濺鍍膜於樹脂膜的表面上成膜時，可防止產生由起因於所述粒子堆積物的異常放電所引起的缺陷或粒子的附著等缺陷。

首先，作為使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置的一具體例，對如圖1中所示的可利用反應性濺鍍法進行連續成膜的濺鍍網狀塗佈機（web coater）10進行說明。該圖1中所示的濺鍍網狀塗佈機10可適宜地用於如下的情況：於真空室11內，連續地且高效地在利用輥對輥方式進行搬送的長條樹脂膜F的表面上實施成膜處理。

若具體地進行說明，則於真空室11內組入乾式泵、渦輪分子泵、低溫線圈等各種真空裝置（未圖示），於濺鍍成膜時藉由該些真空裝置來對真空室11內進行減壓至極限壓力為10^-4 Pa左右為止後，可藉由濺鍍氣體的導入來將壓力調整成0.1 Pa～10 Pa左右。於濺鍍氣體中使用氬氣等公知的氣體，對應於目的而進一步添加氧氣等氣體。真空室11的形狀或材質只要是可耐受此種減壓狀態者，則可無特別限定地使用各種形狀或材質。

於該真空室11內配置有分別進行利用輥對輥來搬送的長條樹脂膜F的捲出及捲取的捲出輥12及捲取輥24、以及劃定該輥對輥的搬送路徑的各種輥群。所述各種輥群之中，位於輥對輥的搬送路徑的大致中央部的罐狀輥（can roll）16藉由馬達來旋轉驅動、且藉由真空室11的外部來進行調溫的冷媒於內部循環，藉此可將實施需要熱負荷的成膜處理的長條樹脂膜F捲繞於外周面上來進行冷卻。再者，設置有罐狀輥16的空間藉由間隔板11a而與設置有罐狀輥16以外的輥群的空間隔離。

於劃定自捲出輥12至罐狀輥16為止的搬送路徑的輥群中，依次配置有引導長條樹脂膜F的自由輥13、進行長條樹脂膜F的張力的測定的張力感測器輥14、以及馬達驅動的前進料輥15。劃定自罐狀輥16至捲取輥24為止的搬送路徑的輥群亦與所述同樣地，依次配置有進行相對於罐狀輥16的圓周速度的調整的馬達驅動的後進料輥21、進行長條樹脂膜F的張力的測定的張力感測器輥22、以及引導長條樹脂膜F的自由輥23。

藉由所述罐狀輥16的旋轉、以及與其聯動而旋轉的前進料輥15及後進料輥21，長條樹脂膜F被自捲出輥12中捲出並由捲取輥24捲取。此時，長條樹脂膜F的張力平衡藉由利用捲出輥12及捲取輥24的粉末離合器等的轉矩控制來保持。另外，前進料輥15及後進料輥21的圓周速度分別可相對於罐狀輥16的圓周速度進行調整，藉此可使長條樹脂膜F密接於罐狀輥16的外周面上。

在與罐狀輥16的外周面對向的位置上，沿著罐狀輥16的外周面上所劃定的搬送路徑（即，罐狀輥16的外周面之中，捲繞長條樹脂膜F的區域）而依次設置有作為成膜手段的磁控濺鍍陰極17、磁控濺鍍陰極18、磁控濺鍍陰極19及磁控濺鍍陰極20。該些磁控濺鍍陰極17～磁控濺鍍陰極20分別於長條樹脂膜F的搬送方向的前方部分及後方部分設置有放出反應性氣體的氣體放出管25、氣體放出管26、氣體放出管27、氣體放出管28、氣體放出管29、氣體放出管30、氣體放出管31、氣體放出管32。

繼而，一面參照圖2的縱剖面圖，一面對所述磁控濺鍍陰極17、磁控濺鍍陰極18、磁控濺鍍陰極19及磁控濺鍍陰極20進行詳細說明。該圖2中所示的磁控濺鍍陰極40呈如下的結構：在包含大致長方體形狀的殼體41a與覆蓋其開口部的矩形的殼體蓋41b的框體41內收納有磁路42。磁路42包含磁鐵42a與自背面側支撐磁鐵42a的磁軛42b。殼體蓋41b在與和該磁路42對向的面為相反側的面上疊加有冷卻板43。另外，於殼體蓋41b中，在與冷卻板43對向的面上形成有冷卻水等冷媒所通過的冷卻水路44。再者，殼體41a與殼體蓋41b之間、及殼體蓋41b與冷卻板43之間藉由O型圈等密封材來密封。

於該冷卻板43中，在與和殼體蓋41b對向的面為相反側的面上設置有本發明的一具體例的濺鍍靶材45。濺鍍靶材45的周緣部設置有階差，藉由卡合於該階差部上的夾具46來將濺鍍靶材45固著於冷卻板43上。以除濺鍍靶材45的靶材面以外，將所述濺鍍靶材45、框體41、冷卻板43、及夾具46全部包入的方式設置有接地護罩47，殼體41a的底部經由絕緣板48而固著於該接地護罩47上。即，收納磁路42的框體41及濺鍍靶材45相對於接地護罩47電性絕緣。

該結構的磁控濺鍍陰極40如上所述，於真空室11內使濺鍍靶材45的靶材面與作為被成膜物的長條樹脂膜F對向來配置。於濺鍍成膜時，使真空室11內變成真空後導入作為製程氣體的Ar氣體。若於該狀態下對濺鍍靶材45施加電壓，則Ar氣體因自濺鍍靶材45中放出的電子而離子化，該經離子化的Ar氣體與濺鍍靶材45的靶材面碰撞而將靶材物質打出，該靶材物質堆積於作為被成膜物的長條樹脂膜F的表面上，藉此形成薄膜。

此時，於濺鍍靶材45的靶材面側產生極向磁場，另外，通常對濺鍍靶材45施加負幾百伏特的電壓，另一方面，將其周邊部的接地護罩47保持為接地電位，藉由該電位差而於濺鍍靶材45的靶材面側產生正交電磁場。自濺鍍靶材45的靶材面中放出的二次電子一面在與濺鍍靶材45的靶材面上的正交電磁場垂直的方向上描繪擺線（cycloid）軌道一面運動。於該期間內，與Ar氣體碰撞而喪失一部分能量的電子在正交電磁場中進行次擺線（trochoid）運動，在極向磁場中漂移而進行移動。

於該期間內，電子再次與Ar氣體碰撞，如由Ar＋e^- →Ar⁺ ＋2e^- 所示般，藉由α作用而生成Ar離子與電子。若所生成的Ar離子擴散至鞘區（sheath area），則朝向被施加成負的濺鍍靶材45急劇地加速。若具有幾百eV的動能的Ar離子與濺鍍靶材45碰撞，則濺鍍靶材45的靶材面經濺鍍而放出濺鍍粒子，並且藉由γ作用而放出二次電子。藉由呈雪崩狀地產生以上的現象，電漿得到維持。

藉由濺鍍陰極40內的磁路與電場而一面描繪次擺線軌道一面移動的電子集中於磁力線與濺鍍靶材45的靶材面變成平行的部分，即，磁力線與電場正交的部位。藉由電子的集中，電子與Ar氣體的碰撞頻繁發生，因此由經離子化的Ar氣體所引起的靶材物質的打出集中。其結果，如圖2中所示般，於濺鍍靶材45的除靶材面的中央部與外周部以外的區域中產生剝蝕（侵蝕），該靶材面的中央部與外周部成為非剝蝕區域。

於所述濺鍍成膜的情況下，所打出的靶材物質除包覆作為被成膜物的長條樹脂膜F以外，亦附著於該濺鍍靶材45的非剝蝕區域上，而成為粒子堆積物A。尤其，在一面於濺鍍成膜環境中供給氧氣或氮氣等反應性氣體一面進行濺鍍成膜的反應性濺鍍中，粒子堆積物A藉由該反應性氣體而成為構成靶材的物質的氧化物或氮化物，因此以難以被利用電漿而產生的Ar離子侵蝕的堆積物的狀態堆積。以所述方式堆積的粒子堆積物A於濺鍍成膜中自濺鍍靶材45上剝離，並附著於作為被成膜物的長條樹脂膜F上、或成為電弧放電的原因。而且，若因電弧放電或異常放電而產生的粒子附著於長條樹脂膜F上，則於形成電極等的電路圖案時產生斷線不良或短路不良。

因此，如圖2及圖3（a）、圖3（b）中所示般，本發明的一具體例的濺鍍靶材45在位於靶材面的中央部的非剝蝕區域中設置有槽45a，且將板狀構件49裝卸自如地嵌入至該槽45a中。藉此，於磁控濺鍍時，可藉由卸下板狀構件49而容易地去除附著於濺鍍靶材45的非剝蝕區域中的粒子堆積物A。

即，於由堆積於非剝蝕部分的絕緣膜所引起的電弧放電或由剝離所引起的異常放電頻繁發生之前更換成新的板狀構件49，藉此可抑制附著於長條樹脂膜F上的粒子量的增加。如此，若使用本發明的濺鍍靶材，則於作為被成膜面的長條樹脂膜的表面上無粒子等的附著，因此可使不含異物等的均質的濺鍍膜成膜。再者，難以在不使用本發明的板狀構件的情況下，而僅去除濺鍍靶材的中央部的非剝蝕部分的粒子堆積物，若欲強行去除，則於去除粒子堆積物時存在污染濺鍍靶材之虞。

如上所述，非剝蝕區域亦存在於濺鍍靶材的外周部，因此亦可考慮於該外周部設置具有與設置在中央部的板狀構件相同的功能的構件。但是，若為濺鍍靶材的外周部，則藉由使用例如矩形框形狀的覆蓋構件，可不阻礙濺鍍而容易地覆蓋，藉此可獲得與所述設置於中央部的非剝蝕區域的板狀構件相同的功能。覆蓋構件較佳為藉由螺桿等結合手段而裝卸自如地設置於夾具46等上。藉此，於濺鍍靶材中只要僅在中央部設置板狀構件即可，因此可抑制濺鍍靶材的加工成本。再者，已確認即便不在濺鍍靶材的外周部設置覆蓋構件，而僅於中央部設置板狀構件，濺鍍膜的粒子等的不良情況亦銳減。

於嵌入至濺鍍靶材45的槽45a中時，板狀構件49的靶材面側的表面較佳為與濺鍍靶材45的剝蝕前的靶材面（由圖2的點劃線表示）為大致相同的高度、或位於自剝蝕前的靶材面凹下的位置上。換言之，板狀構件49的靶材面側的表面較佳為不自濺鍍靶材45的剝蝕前的平坦的靶材面突出而成為凸狀。若板狀構件49自濺鍍靶材45的剝蝕前的靶材面突出成凸狀，則有時電場的狀態變化而產生電弧放電等異常放電，或板狀構件49的濺鍍得以促進，於長條樹脂膜F上成膜的膜的組成偏離所期望的組成，而不理想。

板狀構件49理想的是設為與濺鍍靶材45相同的材料。當濺鍍靶材45的材質為合金時，亦可由構成該濺鍍靶材45的合金組成的一部分的金屬來構成板狀構件49。藉由如所述般將板狀構件49的材質設為與濺鍍靶材45相同的材質、或當濺鍍靶材45為合金時使用與構成該些的金屬的一部分的金屬相同者，即便有時板狀構件49經濺鍍，亦可防止於長條樹脂膜F的表面上成膜的膜在成膜過程中被板狀構件49污染。再者，板狀構件49可藉由螺桿等公知的安裝手段而安裝於濺鍍靶材上。

板狀構件49的靶材面側的表面較佳為表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計為10 μm以上、500 μm以下，Rz更佳為20 μm～100 μm。若板狀構件49的所述表面粗糙度Rz未滿10 μm，則定錨效應減少，粒子堆積物容易脫離。另一方面，若所述表面粗糙度Rz超過500 μm，則容易因對於濺鍍陰極的施加電壓而於板狀構件49的表面的粗糙面的頂點產生異常放電。例如，雖然亦取決於濺鍍陰極的結構或濺鍍裝置的結構，但當板狀構件49的所述表面粗糙度Rz為750 μm時，若對濺鍍陰極施加500 V，則有時進行異常放電。再者，板狀構件49的表面粗糙度可藉由噴砂或噴鍍來進行調整。

繼而，對藉由使用具備所述本發明的一具體例的濺鍍靶材的成膜裝置進行反應性濺鍍所獲得的積層體膜、及藉由對該積層體膜進行圖案化所獲得的電極基板膜進行說明。藉由具備所述本發明的一具體例的濺鍍靶材的成膜裝置，如後述般可製作於包含樹脂膜的透明基板的至少一面上，自透明基板側數起積層有第1層的反應性濺鍍成膜層、及第2層的金屬層的第1積層體膜，或可製作於包含樹脂膜的透明基板的至少一面上，自透明基板側數起積層有第1層的反應性濺鍍成膜層、第2層的金屬層、及第3層的第2反應性濺鍍成膜層的第2積層體膜。

若首先對第1積層體膜進行說明，則例如如圖4中所示般，該第1積層體膜包括：包含樹脂膜的透明基板50、藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該透明基板50的兩面上成膜的反應性濺鍍成膜層51、以及藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該反應性濺鍍成膜層51上成膜的金屬層52。而且，可將具備所述本發明的一具體例的濺鍍靶材的成膜裝置適宜地用於該反應性濺鍍成膜層51的成膜。所述金屬層52的成膜可如圖4中所示般僅藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）來成膜，亦可如圖5中所示般將乾式成膜法（乾式鍍敷法）與濕式成膜法（濕式鍍敷法）組合來形成。

即，該圖5中所示的積層體膜包括：包含樹脂膜的透明基板50、藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該透明基板50的兩面上成膜的膜厚為15 nm～30 nm的反應性濺鍍成膜層51、藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該反應性濺鍍成膜層51上成膜的金屬層52、以及藉由濕式成膜法（濕式鍍敷法）而於該金屬層52上成膜的金屬層53。

其次，一面參照圖6一面對第2積層體膜進行說明。該圖6的第2積層體膜是於圖5中所示的第1積層體膜的金屬層上進而使第2反應性濺鍍成膜層成膜而成者。具體而言，包括：包含樹脂膜的透明基板60、藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該透明基板60的兩面上成膜的膜厚為15 nm～30 nm的反應性濺鍍成膜層61、藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該反應性濺鍍成膜層61上成膜的金屬層62、藉由濕式成膜法（濕式鍍敷法）而於該金屬層62上成膜的金屬層63、以及藉由乾式成膜法（乾式鍍敷法）而於該金屬層63上成膜的膜厚為15 nm～30 nm的第2反應性濺鍍成膜層64。

於所述圖6中所示的第2積層體膜中，在將金屬層62及金屬層63作為一體的金屬層的兩面形成有反應性濺鍍成膜層61與第2反應性濺鍍成膜層64。其理由在於：當將使用該積層體膜所製作的電極基板膜組入觸控面板中時，可使包含金屬製積層細線的網眼結構的電路圖案反射而看不見。再者，當使用藉由在包含樹脂膜的透明基板的一面上形成反應性濺鍍成膜層，並於該反應性濺鍍成膜層上形成金屬層所獲得的第1積層體膜來製作電極基板膜時，亦可防止自該透明基板的所述電路圖案的視認。

如所述般進行反應性濺鍍的理由在於：當為了使包含金屬氧化物的反應性濺鍍成膜層成膜而應用氧化物靶材時，成膜速度變慢而不適合量產。因此，採用使用可進行高速成膜的Ni系的金屬靶材（金屬材）、且一面控制含有氧氣的反應性氣體一面將其導入的反應性濺鍍等反應成膜法。再者，作為控制反應性氣體的方法，已知有如下的四種方法：（1）放出固定流量的反應性氣體的方法、（2）以保持固定壓力的方式放出反應性氣體的方法、（3）以濺鍍陰極的阻抗變成固定的方式放出反應性氣體（阻抗控制）的方法、以及（4）以濺鍍的電漿強度變成固定的方式放出反應性氣體（電漿發射控制）的方法。

當如所述般藉由向成膜裝置中導入反應性氣體的反應性濺鍍法來使反應性濺鍍成膜層成膜時，成為濺鍍環境的反應性氣體可藉由向氬氣中導入氧氣而獲得。藉由如所述般導入氧氣，可藉由使用Ni系的金屬靶材（金屬材）的反應性濺鍍等而製成NiO膜（未完全地氧化）等。反應性氣體的氧氣含量依存於成膜裝置或金屬靶材（金屬材）的種類，只要考慮反應性濺鍍成膜層中的反射率等光學特性或由蝕刻液所產生的蝕刻性而適宜設定即可，通常理想的是15體積%以下。

反應性濺鍍成膜層藉由使用包含Ni單體，或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu中的一種以上的元素的Ni系合金的金屬材，及含有氧氣的反應性氣體的反應成膜法來形成。再者，作為所述Ni系合金，較佳為Ni-Cu合金。另外，若構成反應性濺鍍成膜層的金屬氧化物的氧化過度進行，則反應性濺鍍成膜層變得透明，因此需要設定成變成黑化膜的程度的氧化水準。

再者，於所述反應成膜法中，除使用所述本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍以外，可列舉離子束濺鍍、真空蒸鍍、離子鍍、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）等。另外，反應性濺鍍成膜層的各波長中的光學常數（折射率、消光係數）受到反應的程度，即氧化度的影響大，並非僅由包含Ni系合金的金屬材決定。

作為所述金屬層的構成材料（金屬材），只要是電阻值低的金屬，則並無特別限定，例如可列舉：Cu單體，或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag中的一種以上的元素的Cu系合金，或者Ag單體，或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cu中的一種以上的元素的Ag系合金，尤其就電路圖案的加工性或電阻值的觀點而言，理想的是Cu單體。另外，金屬層的膜厚依存於電特性，並非根據光學要素來決定，但通常設定成無法測定透過光的水準的膜厚。

作為應用於所述積層體膜的樹脂膜的材質，並無特別限定，作為其具體例，可列舉：選自聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）、聚醚碸（Polyethersulfone，PES）、聚芳酯（Polyarylate，PAR）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、聚烯烴（Polyolefin，PO）、三乙醯纖維素（Triacetyl Cellulose，TAC）及降冰片烯的樹脂材料中的樹脂膜的單體，或選自所述樹脂材料中的樹脂膜單體與覆蓋該單體的一面或兩面的丙烯酸系有機膜的複合體。尤其，關於降冰片烯樹脂材料，作為具有代表性者，可列舉：日本瑞翁（Zeon）公司的瑞翁諾阿（Zeonor）（商品名）或JSR公司的阿通（Arton）（商品名）等。再者，因將使用本發明的積層體膜所製作的電極基板膜用於「觸控面板」等，故所述樹脂膜之中，理想的是於可見波長區域中的透明性優異者。

對如上所述的第1積層體膜或第2積層體膜進行圖案化處理而配線加工成例如線寬為20 μm以下的積層細線，藉此可製作電極基板膜。例如對由所述第2積層體膜獲得製成金屬製的網眼的感測器面板的方法進行說明。再者，於以下的說明中，將製成金屬製的網眼的感測器面板稱為電極基板膜。具體而言，對圖6中所示的積層體膜的積層膜進行蝕刻處理而可獲得如圖7中所示的電極基板膜。

圖7中所示的電極基板膜具有包含樹脂膜的透明基板70、及設置於該透明基板70的兩面上的包含金屬製的積層細線的網眼結構的電路圖案，所述金屬製的積層細線的線寬為20 μm以下，且自透明基板70側數起包含第1層的反應性濺鍍成膜層71，第2層的金屬層72、金屬層73，以及第3層的第2反應性濺鍍成膜層74。

於由積層體膜配線加工成電極基板膜時，可藉由公知的減成法來進行加工。減成法是於積層體膜的積層膜表面上形成光阻劑膜，並以光阻劑膜殘留在欲形成配線圖案的部位的方式進行曝光及顯影，進而藉由化學蝕刻來去除所述積層膜表面上不存在光阻劑膜的部位的積層膜。作為化學蝕刻的蝕刻液，可使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液。

就此種電極基板膜的製作步驟的觀點而言，構成積層體膜的積層膜（反應性濺鍍成膜層與金屬層）較佳為具有容易藉由氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液來進行蝕刻的特性。另外，經蝕刻加工的電極等的電路圖案較佳為具有於高亮度照明下難以被視認的特性。

將以所述方式形成的電極基板膜的電極（配線）圖案設為觸控面板用的條紋狀或格子狀，藉此可將本發明的電極基板膜用於觸控面板。此時，配線加工成電極（配線）圖案的金屬製的積層細線因維持積層體膜的積層結構，故可作為即便於高亮度照明下，設置於透明基板上的電極等的電路圖案亦極難被視認的電極基板膜來提供。 [實施例]

以下，列舉比較例來對本發明的實施例進行具體說明，但本發明並不由以下的實施例限定。 [實施例] 使用如圖1中所示的成膜裝置（濺鍍網狀塗佈機）來製作如圖4中所示的積層體膜。罐狀輥16使用直徑為600 mm、寬度為750 mm的不鏽鋼製的輥，並對其外周面實施硬鉻鍍敷。前進料輥15及後進料輥21使用直徑為150 mm、寬度為750 mm的不鏽鋼製的輥，並對其外周面實施硬鉻鍍敷。

於各磁控濺鍍陰極17、磁控濺鍍陰極18、磁控濺鍍陰極19、磁控濺鍍陰極20的上游側與下游側設置氣體放出管25、氣體放出管26、氣體放出管27、氣體放出管28、氣體放出管29、氣體放出管30、氣體放出管31、氣體放出管32。於磁控濺鍍陰極17、磁控濺鍍陰極18中使用反應性濺鍍成膜層用的Ni-Cu靶材。於成為該Ni-Cu靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域的部分，如圖3（a）、圖3（b）中所示般形成在陰極的長度方向上延伸的槽，並將以靶材面側的表面的表面粗糙度按十點平均粗糙度Rz計變成50 μm的方式進行了噴射處理的Cu製的板狀構件嵌入至該槽中。再者，將板狀構件的靶材面側的表面與Ni-Cu靶材的靶材面設為相同的高度。另一方面，於磁控濺鍍陰極19與磁控濺鍍陰極20中安裝有通常的金屬層用的Cu靶材。

於構成透明基板的長條樹脂膜F中使用寬度為600 mm且長度為1200 m的PET膜，將罐狀輥16冷卻控制成0℃。於該狀態下利用多台乾式泵對真空室11進行排氣至5 Pa為止後，進而使用多台渦輪分子泵與低溫線圈進行排氣至1×10^-4 Pa為止。然後，一面以2 m/min的搬送速度搬送長條樹脂膜F，一面以300 sccm自氣體放出管29、氣體放出管30、氣體放出管31、氣體放出管32導入氬氣，關於陰極19與陰極20，以獲得80 nm的Cu膜厚的方式藉由電力控制來進行成膜。

另一方面，為了形成反應性濺鍍成膜層，自氣體放出管25、氣體放出管26、氣體放出管27、氣體放出管28導入混合有氬氣280 sccm與氧氣15 sccm的混合氣體，關於陰極17與陰極18，以獲得30 nm的Ni-Cu氧化膜厚的方式藉由施加電壓500 V左右的電力控制來進行成膜。而且，一面每3批次將中央部的板狀構件更換成新品，一面製作合計12批次的積層體膜。藉由利用電腦的圖像分析的圖像檢査裝置對所獲得的積層體膜確認10 μm以上的粒子的附著的結果，確認到平均53個/批次的粒子。

[實施例2] 除將Cu製的板狀構件的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計設為10 μm以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均61個/批次的粒子。

[實施例3] 除將Cu製的板狀構件的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計設為20 μm以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均55個/批次的粒子。

[實施例4] 除將Cu製的板狀構件的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計設為200 μm以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均58個/批次的粒子。

[實施例5] 除將Cu製的板狀構件的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計設為450 μm以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均58個/批次的粒子。

[實施例6] 除將Cu製的板狀構件的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計設為5 μm以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均130個/批次的粒子。

[比較例1] 除將先前的靶材用於反應性濺鍍成膜層用的Ni-Cu靶材以外，以與實施例1相同的方式製作合計12批次的積層體膜。以與實施例1相同的方法對所獲得的積層體膜中的10 μm以上的粒子的附著進行確認的結果，確認到平均370個/批次的粒子。

於1批次1200 m的積層體膜中，理想的是10 μm以上的粒子數少，具體而言，若為150個/批次以下，則於實用上難以產生問題，但更理想的是100個/批次以下。如上所述，於使用本發明的濺鍍靶材的實施例1～實施例6中，可將10 μm以上的粒子數抑制成150個/批次以下。另一方面，於使用先前的濺鍍靶材的比較例1中，產生了比150個/批次多2倍以上的10 μm以上的粒子數。

10‧‧‧濺鍍網狀塗佈機
11‧‧‧真空室
11a‧‧‧間隔板
12‧‧‧捲出輥
13、23‧‧‧自由輥
14、22‧‧‧張力感測器輥
15‧‧‧前進料輥
16‧‧‧罐狀輥
17、18、19、20‧‧‧磁控濺鍍陰極
21‧‧‧後進料輥
24‧‧‧捲取輥
25、26、27、28、29、30、31、32‧‧‧氣體放出管
40‧‧‧磁控濺鍍陰極
41‧‧‧框體
41a‧‧‧殼體
41b‧‧‧殼體蓋
42‧‧‧磁路
42a‧‧‧磁鐵
42b‧‧‧磁軛
43‧‧‧冷卻板
44‧‧‧冷卻水路
45‧‧‧濺鍍靶材
45a‧‧‧槽
46‧‧‧夾具
47‧‧‧接地護罩
48‧‧‧絕緣板
49‧‧‧板狀構件
50、60、70‧‧‧樹脂膜（透明基板）
51、61、71‧‧‧反應性濺鍍成膜層
52、62、72‧‧‧藉由乾式成膜法所形成的金屬層（銅層）
53、63、73‧‧‧藉由濕式成膜法所形成的金屬層（銅層）
64、74‧‧‧第2反應性濺鍍成膜層
A‧‧‧粒子堆積物
F‧‧‧長條樹脂膜

圖1是使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置的示意性的正面圖。 圖2是具備本發明的一具體例的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的縱剖面圖。 圖3（a）、圖3（b）是本發明的濺鍍靶材的一具體例的立體圖。 圖4是可藉由使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置來製作的第1積層體膜的示意性的簡略剖面圖。 圖5是可藉由使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置來製作的第1積層體膜的變更例的示意性的簡略剖面圖。 圖6是可藉由使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置來製作的第2積層體膜的示意性的簡略剖面圖。 圖7是對藉由使用具備本發明的濺鍍靶材的磁控濺鍍陰極的成膜裝置所製作的第2積層體膜進行圖案化加工而獲得的電極基板膜的示意性的簡略剖面圖。

45‧‧‧濺鍍靶材

45a‧‧‧槽

49‧‧‧板狀構件

Claims (6)

1. 一種濺鍍靶材，其用於磁控濺鍍，其特徵在於：將板狀構件裝卸自如地嵌入至位於所述濺鍍靶材的靶材面的中央部的非剝蝕區域中。
2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍靶材，其中於嵌入至所述濺鍍靶材中時，所述板狀構件的靶材面側的表面與所述濺鍍靶材的剝蝕前的靶材面為大致相同的高度、或配置於自所述靶材面凹下的位置上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的濺鍍靶材，其中所述板狀構件的靶材面側的表面粗糙度以十點平均粗糙度Rz計為10 μm以上、500 μm以下。
4. 如申請專利範圍第3項所述的濺鍍靶材，其中所述板狀構件的靶材面側的表面藉由噴砂或噴鍍而進行粗面化處理。
5. 一種濺鍍成膜方法，其特徵在於：於供給反應性氣體的環境下，使用安裝有如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的濺鍍靶材的濺鍍陰極進行反應性濺鍍成膜。
6. 如申請專利範圍第5項所述的濺鍍成膜方法，其中所述反應性氣體為氧氣、氮氣、及蒸氣中的任一種。