JP2021143406A - マグネトロンスパッタリングカソードとマグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】固定治具に成膜用粒子等の堆積物が溜まり難いマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。【解決手段】スパッタリングターゲット１を固定する固定治具50を備えるマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、上記ターゲット１が、ターゲット基部51、ターゲット凸状部52およびこれ等境界部に形成される段差面53で構成され、上記固定治具50が、固定下側部55、固定上側部56および上記段差面53に係合する押さえ部57とで構成され、上記ターゲット凸状部52表面と固定上側部56表面が略同一平面を形成していることを特徴とする。このマグネトロンスパッタリングカソードにはスパッタリングターゲット１表面と固定治具50表面との間に段差が存在しないため、固定治具50周辺部に成膜用粒子等の堆積物が蓄積することを防止することが可能となる。【選択図】図３

Description

本発明は、スパッタリングターゲットを筐体に固定する固定治具を具備するマグネトロンスパッタリングカソードに係り、特に、固定治具周辺に成膜用粒子等の堆積物が溜まり難いマグネトロンスパッタリングカソードの改良に関するものである。

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話等には、耐熱性樹脂フィルムの上に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板が用いられている。このフレキシブル配線基板は、耐熱性樹脂フィルムの片面若しくは両面に金属膜を成膜した金属膜付耐熱性樹脂フィルムに、フォトリソグラフィーやエッチング等の薄膜技術を適用したパターニング処理を施すことによって得られる。近年、フレキシブル配線基板の配線パターンは、ますます繊細化、高密度化する傾向にあり、これに伴って夾雑物を含まない高品質な金属膜付耐熱性樹脂フィルムが求められている。

この種の金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造方法として、従来から、金属箔を接着剤により耐熱性樹脂フィルムに貼り付けて製造する方法（３層基板の製造方法）、金属箔に耐熱性樹脂溶液をコーティングした後、乾燥させて製造する方法（キャスティング法）、耐熱性樹脂フィルムに真空成膜法単独で、または真空成膜法と湿式めっき法との併用で金属膜を成膜して製造する方法（メタライジング法）等が知られている。

これ等製造方法のうち、メタライジング法においては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等が真空成膜法として用いられている。例えば特許文献１には、ポリイミド絶縁フィルムの表面に酸等に対して耐食性を有する金属として知られているクロムをスパッタリングしてクロム層を成膜した後、銅をスパッタリングして銅からなる導体層を形成する方法が開示されている。

また、特許文献２には、真空成膜法により長尺樹脂フィルム基板に連続的に成膜する装置として、スパッタリングウェブコータと称される巻出巻取式（ロールツーロール方式）の真空スパッタリング装置が開示されている。この巻出巻取式の真空スパッタリング装置には、ロールツーロールで搬送される長尺樹脂フィルム基板を巻き付けて冷却するクーリングロール（キャンロールとも称される）が具備されている。このようなスパッタリングウェブコータを用いれば、連続的なメタライジング法による処理で金属膜付耐熱性樹脂フィルムを製造することが可能になる。

そして、真空スパッタリング装置として、スパッタリングターゲットの使用効率の向上を企図したマグネトロンスパッタリング装置が広く利用されており、板状のスパッタリングターゲットを使用するマグネトロンスパッタリング装置には、図６〜図７に示すマグネトロンスパッタリングカソード１００が真空チャンバー内に配置されている。また、板状のスパッタリングターゲット１を保持するマグネトロンスパッタリングカソード１００は、図６〜図７に示す磁気発生機構２０１と冷却水路２０２を内部に有しかつスパッタリングターゲット１を保持する筐体２００と、スパッタリングターゲット１を筐体２００に固定させる固定治具３００とで構成されている。

ところで、マグネトロンスパッタリング装置は、マグネトロンスパッタリングカソード１００に固定したスパッタリングターゲット１にイオンをぶつけることで叩き出されたスパッタリングターゲット１を構成する粒子（成膜用粒子）を被成膜基材の表面に堆積させて成膜するものである。このため、一部の成膜用粒子（スパッタ粒子）は上記被成膜基材に向かわずにそれ以外の部位に向かって飛散しそこに堆積することがあった。

特に、特許文献３に図示されたスパッタリングターゲット１の表面（スパッタされる面）と固定治具３００の表面との間に段差が存在する（図６〜図７参照）場合、図８に示すように段差部の長さ方向に亘って成膜用粒子等の堆積物４００が溜まり易かった。

特開平２−９８９９４号公報 特開昭６２−２４７０７３号公報 特開２００９−０５２０９４号公報（図１参照）

しかし、固定治具３００とスパッタリングターゲット１との段差部に成膜用粒子等の堆積物４００が多量に溜まった場合、堆積物（成膜用粒子以外の絶縁物も含まれる）４００が剥離して被成膜基材を汚染し、更に、堆積物４００が放電空間に侵入することで異常放電を生じさせることがあった。この異常放電により生じたパーティクルも長尺樹脂フィルム基板の表面に付着すると電極等の回路パターンを形成する際に断線不良やショート不良の原因となる。

本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、固定治具に成膜用粒子等の堆積物が溜まり難いマグネトロンスパッタリングカソードを提供し、かつ、このマグネトロンスパッタリングカソードが真空チャンバー内に配置されたマグネトロンスパッタリング装置を提供することにある。

すなわち、本発明に係る第１の発明は、
板状のスパッタリングターゲットを保持する筐体と、スパッタリングターゲットを筐体に固定させる固定治具とで構成されるマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、
上記スパッタリングターゲットが、筐体側に配置されるターゲット基部と、ターゲット基部から筐体側とは反対方向へ突出するターゲット凸状部と、ターゲット基部のターゲット凸状部との境に形成される段差面とで構成され、かつ、
上記固定治具が、スパッタリングターゲットにおけるターゲット基部の側面に沿って配置される固定下側部と、スパッタリングターゲットにおけるターゲット凸状部の側面に沿って配置される固定上側部と、固定上側部の固定下側部との境に形成されかつスパッタリングターゲットの上記段差面に係合してスパッタリングターゲットを筐体に固定させる押さえ部とで構成されると共に、
上記ターゲット凸状部の筐体とは反対側の表面と上記固定上側部の筐体とは反対側の表面が略同一平面を形成していることを特徴とするものである。

また、本発明に係る第２の発明は、
第１の発明に記載のマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、
上記ターゲット凸状部の筐体とは反対側の表面を基準面とした場合、該基準面に対する上記固定上側部の筐体とは反対側の表面における厚み方向の差ΔＴが−０．５ｍｍ≦ΔＴ≦０ｍｍに設定されていることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載のマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、
上記ターゲット凸状部における側面と上記固定上側部における側面との間に形成される隙間の幅ｔが０ｍｍ＜ｔ＜１．０ｍｍに設定されていることを特徴とし、
第４の発明は、
第１の発明〜第３の発明のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、
上記ターゲット凸状部における側面と上記固定上側部における側面との間に形成される隙間の深さｄがｄ≧１．０ｍｍに設定されていることを特徴とし、
第５の発明は、
マグネトロンスパッタリング装置において、
第１の発明〜第４の発明のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリングカソードを真空チャンバー内に有することを特徴とするものである。

本発明に係るマグネトロンスパッタリングカソードによれば、
スパッタリングターゲットにおけるターゲット凸状部の筐体とは反対側の表面（スパッタされる面）と固定治具における固定上側部の筐体とは反対側の表面が略同一平面を形成し、スパッタリングターゲット表面と固定治具表面との間に段差が存在しないため、これ等部位に成膜用粒子等の堆積物が蓄積することを防止することが可能となる。

また、本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、
長尺樹脂フィルム基板の表面に金属膜を成膜して金属膜付耐熱性樹脂フィルムを製造する際、パーティクル堆積物に起因した異常放電を抑制できるため、膜欠陥がない金属膜付耐熱性樹脂フィルムを製造することが可能となる。

成膜に供される前のスパッタリングターゲットを保持する本発明の実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードの構成説明図。 成膜に供されてエロージョンが形成されたスパッタリングターゲットを保持する本発明の実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードの構成説明図。 ターゲット基部とターゲット凸状部と段差面とで構成されるスパッタリングターゲット、および、このスパッタリングターゲットを筐体に固定させる固定治具をそれぞれ示す概略斜視図。 スパッタリングターゲットの段差面に固定治具の押さえ部が係合してスパッタリングターゲットと固定治具が一体化された状態を示す概略斜視図。 実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードが組み込まれたマグネトロンスパッタリング装置の構成説明図。 成膜に供される前のスパッタリングターゲットを保持する従来例に係るマグネトロンスパッタリングカソードの構成説明図。 成膜に供されてエロージョンが形成されたスパッタリングターゲットを保持する従来例に係るマグネトロンスパッタリングカソードの構成説明図。 スパッタリングターゲットの表面と固定治具の表面との間に段差が存在した場合の問題点（堆積物の蓄積）を示すスパッタリングターゲットと固定治具の概略斜視図。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。

（１）マグネトロンスパッタリングカソードとスパッタリングターゲット
本発明の実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードは、図１〜図２に示すように、ハウジング１１とハウジングカバー１２とで構成された筐体１０内に磁気発生機構（磁気回路）２０を備えた構造になっている。

上記磁気発生機構（磁気回路）２０は、略矩形状若しくは長円形状の外周磁極２１の内側に、外周磁極２１の長辺方向に沿って略平行に配置された中心磁極２３および必要に応じて中間磁極（図示せず）を備え、かつ、これ等の磁極を表面に設けた磁気ヨーク２５を備えている。

ハウジング１１の下側面は絶縁板３０を介してアースシールド３１に固定され、ハウジング１１上端側のハウジングカバー１２には冷却板２２を介し固定治具５０が設けられている。また、ハウジング１１とハウジングカバー１２の間にはＯリング２４が配置され、マグネトロンスパッタリングカソード内の気密性を保持すると同時に、マグネトロンスパッタリングカソードが配されるスパッタリング装置の真空チャンバー内の気密性向上に寄与している。

スパッタリングターゲット１は、固定治具５０により冷却板２２の表面に固定され、かつ、上記ハウジング１１やスパッタリングターゲット１は、アースシールド３１と電気的に絶縁されている。ハウジングカバー１２と冷却板２２の間には冷却水が循環する冷却水路４０が設けられ、スパッタリング成膜の際にスパッタリングターゲット１を冷却するようになっている。尚、冷却水が真空チャンバー内に流出することを防止するため、ハウジングカバー１２と冷却板２２の間にもＯリング２４が配置されている。

また、実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードに保持されるスパッタリングターゲット１は、特許文献３に係る段差面を有しない平板形状のスパッタリングターゲットと構造を異にしている。すなわち、実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードに保持される上記スパッタリングターゲット１は、図３に示すように筐体（図示せず）側に配置されるターゲット基部５１と、ターゲット基部５１から筐体側とは反対方向へ突出するターゲット凸状部５２と、ターゲット基部５１のターゲット凸状部５２との境に形成される段差面５３とで構成され、また、上記スパッタリングターゲット１を筐体（図示せず）に固定させる固定治具５０は、図３に示すようにスパッタリングターゲット１におけるターゲット基部５１の側面に沿って配置される固定下側部５５と、スパッタリングターゲット１におけるターゲット凸状部５２の側面に沿って配置される固定上側部５６と、固定上側部５６の固定下側部５５との境に形成されかつスパッタリングターゲット１の上記段差面５３に係合してスパッタリングターゲット１を筐体に固定させる押さえ部５７とで構成されている。

そして、スパッタリングターゲット１の段差面５３に固定治具５０の押さえ部５７を係合させ、かつ、図４に示すようにスパッタリングターゲット１におけるターゲット凸状部５２の筐体とは反対側の表面（スパッタされる面）と固定治具５０における固定上側部５６の筐体とは反対側の表面が略同一平面を形成するようにスパッタリングターゲット１に固定治具５０を取り付けた後、図１に示すように上記固定治具５０をマグネトロンスパッタリングカソードの冷却板２２表面に固定する。このとき、スパッタリングターゲット１におけるターゲット凸状部５２の筐体とは反対側の表面（スパッタされる面）と固定治具５０における固定上側部５６の筐体とは反対側の表面が略同一平面を形成していることから、スパッタリングターゲット１表面と固定治具５０表面との間に段差が存在しないため、これ等部位に成膜用粒子等の堆積物が蓄積することを防止することが可能となる。

ここで、スパッタリングターゲット１における上記ターゲット凸状部５２の筐体１０とは反対側表面を基準面とした場合、固定治具５０における上記固定上側部５６の筐体１０とは反対側表面の基準面に対する厚み方向の差ΔＴは−０．５ｍｍ≦ΔＴ≦０ｍｍに設定されることが望ましい。厚み方向における上記差ΔＴが上記範囲外に設定された場合、上記ターゲット凸状部５２表面と固定上側部５６表面間に段差が生じるため、段差部の長さ方向に亘って成膜用粒子等の堆積物が蓄積する現象を確実に防止することが難しくなる。従って、上記差ΔＴを−０．５ｍｍ≦ΔＴ≦０ｍｍに設定することが望ましい。

また、上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間の幅を図１に示すようにｔとした場合、幅ｔが０ｍｍ＜ｔ＜１．０ｍｍに設定されることが望ましい。上記幅ｔがｔ≧１．０ｍｍに設定された場合、隙間に成膜用粒子等が蓄積され易くなり、ｔ＝０ｍｍにすることは現実的に困難である。従って、隙間の幅ｔを０ｍｍ＜ｔ＜１．０ｍｍに設定することが望ましい。

更に、上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間の深さを図１に示すようにｄとした場合、深さｄがｄ≧１．０ｍｍに設定されることが望ましい。上記深さｄがｄ＜１．０ｍｍに設定された場合、固定上側部５６の厚みが薄くなって機械的強度が担保できなくなり、固定治具５０にゆがみが生じ易くなってしまう。従って、隙間の深さｄをｄ≧１．０ｍｍに設定することが望ましい。

（２）マグネトロンスパッタリング装置
以下、本発明の実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードが真空チャンバー内に配置されたマグネトロンスパッタリング装置について説明する。

このマグネトロンスパッタリング装置（スパッタリングウェブコータ）５００は、図５に示すように、真空チャンバー５０１内に、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の真空装置（図示せず）が組み込まれており、スパッタリング成膜の際にこれ等真空装置により真空チャンバー５０１内を到達圧力１０^-4Ｐａ程度まで減圧を行った後、スパッタリングガスの導入により０.１〜１０Ｐａ程度に圧力調整できるようになっている。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素等のガスが添加される場合がある。真空チャンバー５０１の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。

この真空チャンバー５０１内に、ロールツーロールで搬送される長尺樹脂フィルムＦの巻出しおよび巻取りをそれぞれ行う巻出ロール５０２および巻取ロール５０３、並びに該ロールツーロールの搬送経路を画定する各種ロール群が配置されている。上記各種ロール群のうち、ロールツーロールの搬送経路の略中央部に位置するキャンロール５０４は、モータで回転駆動されかつ内部に真空チャンバー５０１の外部で温調された冷媒が循環しており、これにより熱負荷のかかる成膜処理が施される長尺樹脂フィルムＦを外周面に巻き付けて冷却できるようになっている。尚、キャンロール５０４が設けられている空間は、キャンロール５０４以外のロール群が設けられている空間から仕切板５０５で隔離されている。

巻出ロール５０２からキャンロール５０４までの搬送経路を画定するロール群には、長尺樹脂フィルムＦを案内するフリーロール５０６、長尺樹脂フィルムＦの張力の測定を行う張力センサロール５０７、およびモータ駆動の前フィードロール５０８がこの順で配置されている。キャンロール５０４から巻取ロール５０３までの搬送経路を画定するロール群も、上記と同様に、キャンロール５０４の周速度に対する調整が行われるモータ駆動の後フィードロール５０９、長尺樹脂フィルムＦの張力の測定を行う張力センサロール５１０、および長尺樹脂フィルムＦを案内するフリーロール５１１がこの順に配置されている。

上記したキャンロール５０４の回転とこれに連動して回転する前フィードロール５０８および後フィードロール５０９により、長尺樹脂フィルムＦは巻出ロール５０２から巻き出されて巻取ロール５０３で巻き取られるようになっている。その際、長尺樹脂フィルムＦの張力バランスは、巻出ロール５０２および巻取ロール５０３のパウダークラッチ等によるトルク制御によって保たれる。また、前フィードロール５０８および後フィードロール５０９の周速度は、それぞれキャンロール５０４の周速度に対して調整できるようになっており、これによりキャンロール５０４の外周面に長尺樹脂フィルムＦを密着させることが可能になる。

キャンロール５０４の外周面に対向する位置には、キャンロール５０４の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール５０４の外周面の内、長尺樹脂フィルムＦが巻き付けられる領域）に沿って成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード５２１、５２２、５２３および５２４がこの順に設けられている。尚、反応性スパッタリング成膜に使用される場合、上記マグネトロンスパッタリングカソード５２１〜５２４の各々は、長尺樹脂フィルムＦの搬送方向における前方部分および後方部分に、反応性ガスを放出するガス放出パイプ（図示せず）が設置されている。

そして、スパッタリング成膜の際には、真空チャンバー５０１内を真空にしてからプロセスガスとしてＡｒガスを導入する。この状態でスパッタリングターゲット１に電圧を印加すると、スパッタリングターゲット１から放出された電子によりＡｒガスがイオン化し、このイオン化されたＡｒガスがスパッタリングターゲット１のターゲット面に衝突してターゲット物質がたたき出され、このターゲット物質が被成膜物である長尺樹脂フィルムＦの表面に堆積することにより薄膜が形成される。

その際、スパッタリングターゲット１のターゲット面側ではポロイダル磁場が発生し、また、スパッタリングターゲット１には通常マイナス数百ボルトの電圧が印加される一方でその周辺部のアースシールド３１（図１参照）はアース電位に保たれており、この電位差によりスパッタリングターゲット１のターゲット面側には直交電磁場が生ずる。スパッタリングターゲット１のターゲット面から放出された二次電子は、スパッタリングターゲット１のターゲット面上の直交電磁場に垂直な方向にサイクロイド軌道を描きながら運動する。この間にＡｒガスと衝突してエネルギーの一部を失った電子は直交電磁場中をトロコイド運動し、ポロイダル磁場の中をドリフトして移動する。

この間に電子は再度Ａｒガスと衝突し、Ａｒ＋ｅ^-→Ａｒ⁺＋２ｅ^-で示されるように、α作用によりＡｒイオンと電子を生成する。生成したＡｒイオンは、シース領域に拡散すると負に印加されたスパッタリングターゲット１に向かって急激に加速される。数百ｅＶの運動エネルギーを持ったＡｒイオンがスパッタリングターゲット１に衝突すると、スパッタリングターゲット１はそのターゲット面がスパッタリングされてスパッタリング粒子を放出すると共にγ作用により二次電子を放出する。以上の現象がなだれ状に発生することによって、プラズマが維持される。

マグネトロンスパッタリングカソード内の磁気回路と電場によりトロコイド軌道を描きながら移動する電子は、磁力線がスパッタリングターゲット１のターゲット面と平行となる部分、すなわち、磁力線と電場が直行する箇所に集中する。電子の集中により、電子とＡｒガスの衝突が頻発するので、イオン化されたＡｒガスによるターゲット物質のたたき出しが集中する。その結果、図２および図７に示すようにスパッタリングターゲット１のターゲット面の中央部と外周部を除いた領域にエロージョン（浸食）１０００が発生し、該ターゲット面の中央部と外周部は非エロージョン領域となる。

上記したスパッタリング成膜の場合、たたき出されたターゲット物質は、被成膜物である長尺樹脂フィルムＦを被覆するほか、かかるスパッタリングターゲット１の非エロージョン領域にも付着し、パーティクル堆積物Ａとなる。特に、図６〜図７に示すようにスパッタリングターゲット１の表面（スパッタされる面）と固定治具３００の表面との間に段差が存在する場合、図８に示すように段差部の長さ方向に亘って成膜用粒子等の堆積物４００が蓄積され易い。更に、スパッタリング成膜雰囲気中に酸素ガスや窒素ガス等の反応性ガスを供給しながらスパッタリング成膜を行う反応性スパッタリングでは、パーティクル堆積物Ａは、当該反応性ガスによってターゲットを構成する物質の酸化物や窒化物になるので、プラズマで生じたＡｒイオンで侵食され難い堆積物の状態で堆積する。このようにして堆積したパーティクル堆積物Ａは、スパッタリング成膜中にスパッタリングターゲット１から剥離し、被成膜物である長尺樹脂フィルムＦに付着し、あるいは、アーク放電の原因となる。そして、アーキングや異常放電により発生したパーティクルが長尺樹脂フィルムＦに付着すると、電極等の回路パターンを形成する際に断線不良やショート不良を生じさせる。

そこで、本実施形態に係るマグネトロンスパッタリングカソードでは、上述したようにスパッタリングターゲット１におけるターゲット凸状部５２の筐体１０とは反対側の表面（スパッタされる面）と固定治具５０における固定上側部５６の筐体１０とは反対側の表面が略同一平面を形成していることから、スパッタリングターゲット１表面と固定治具５０表面との間に段差が存在しない（図１〜図２参照）ため、これ等部位に成膜用粒子等の堆積物が蓄積することを防止することができ、異物等が含まれない均質なスパッタリング膜を成膜することが可能となる。

（３）積層体フィルムと電極基板フィルム
次に、上記マグネトロンスパッタリング装置を用いて得られる積層体フィルムと電極基板フィルムについて説明する。

上記マグネトロンスパッタリング装置によって、樹脂フィルムからなる透明基板の少なくとも一方の面に、透明基板側から数えて第１層目の例えばＮｉ−Ｃｒ合金成膜層と、第２層目の例えばＣｕ層が積層された積層体フィルムを作製することができる。

上記積層体フィルムに適用される樹脂フィルムの材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。尚、本発明に係る積層体フィルムを用いて作製される電極基板フィルムは「タッチパネル」等に使用されるため、上記樹脂フィルムの中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。

そして、上記積層体フィルムをパターニング処理して例えば線幅が２０μｍ以下の積層細線に配線加工することで電極基板フィルムを作製することができる。

積層体フィルムから電極基板フィルムに配線加工するには、公知のサブトラクティブ法により加工が可能である。サブトラクティブ法は、積層体フィルムの積層膜表面にフォトレジスト膜を形成し、配線パターンを形成したい箇所にフォトレジスト膜が残るように露光および現像し、更に上記積層膜表面にフォトレジスト膜が存在しない箇所の積層膜を化学エッチングにより除去する。化学エッチングのエッチング液としては、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。

このような電極基板フィルムの作製工程の観点から、積層体フィルムを構成する積層膜は塩化第二銅水溶液や塩化第二鉄水溶液等のエッチング液によりエッチングされ易い特性を有するのが好ましい。。

このようにして形成する電極基板フィルムの電極（配線）パターンをタッチパネル用のストライプ状若しくは格子状とすることで、本発明に係る電極基板フィルムをタッチパネルに用いることができる。

以下、本発明に係る実施例について比較例も挙げて具体的に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。

［実施例１］
図１に示すマグネトロンスパッタリングカソードにＮｉ−Ｃｒ合金ターゲットを取り付けてＮｉ−Ｃｒ合金成膜層の成膜を行った。

尚、上記マグネトロンスパッタリングカソードに取り付けられたＮｉ−Ｃｒ合金ターゲットは、図３に示すように筐体（図示せず）側に配置されるターゲット基部５１と、ターゲット基部５１から筐体側とは反対方向へ突出するターゲット凸状部５２と、ターゲット基部５１のターゲット凸状部５２との境に形成される段差面５３とで構され、また、上記Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットを筐体（図示せず）に固定させる固定治具５０は、図３に示すようにＮｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおけるターゲット基部５１の側面に沿って配置される固定下側部５５と、Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおけるターゲット凸状部５２の側面に沿って配置される固定上側部５６と、固定上側部５６の固定下側部５５との境に形成されかつＮｉ−Ｃｒ合金ターゲットの上記段差面５３に係合してＮｉ−Ｃｒ合金ターゲットを筐体に固定させる押さえ部５７とで構成されている。

ここで、Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおける上記ターゲット凸状部５２の筐体とは反対側表面を基準面とした場合、固定治具５０における上記固定上側部５６の筐体とは反対側表面の基準面に対する厚み方向の差ΔＴが−０．５ｍｍとなるように設定した。

また、上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間について、図１に示す幅ｔを０．５ｍｍに設定し、深さｄを１．０ｍｍに設定した。

この状態でマグネトロンスパッタリング装置の真空チャンバー内を減圧雰囲気にした後、１０００ｍの長尺樹脂フィルムをロールツーロールで搬送してキャンロールの外周面に巻き付けて冷却しながらスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．１１個／ｍ²であった。

この結果を表１に示す。

［実施例２］
Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおける上記ターゲット凸状部５２の筐体とは反対側表面を基準面とした場合、固定治具５０における上記固定上側部５６の筐体とは反対側表面の基準面に対する厚み方向の差ΔＴが±０．０ｍｍとなるように設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．０７個／ｍ²であった。

この結果も表１に示す。

［実施例３］
上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間について、図１に示す幅ｔを０．２ｍｍに設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．１３個／ｍ²であった。

［比較例１］
Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおける上記ターゲット凸状部５２の筐体とは反対側表面を基準面とした場合、固定治具５０における上記固定上側部５６の筐体とは反対側表面の基準面に対する厚み方向の差ΔＴが−１．０ｍｍとなる（固定上側部表面よりターゲット凸状部表面が外方へ突出してターゲットの表面と固定治具の表面との間に段差が存在する）ように設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．３７個／ｍ²であった。

この結果も表１に示す。

［比較例２］
Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットにおける上記ターゲット凸状部５２の筐体とは反対側表面を基準面とした場合、固定治具５０における上記固定上側部５６の筐体とは反対側表面の基準面に対する厚み方向の差ΔＴが＋１．０ｍｍとなる（ターゲット凸状部表面より固定上側部表面が外方へ突出してターゲットの表面と固定治具の表面との間に図６に示す段差が存在する）ように設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．４２個／ｍ²であった。

この結果も表１に示す。

［実施例４］
上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間について、図１に示す幅ｔを１．０ｍｍに設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．２２個／ｍ²であった。

この結果も表１に示す。

［実施例５］
上記ターゲット凸状部５２における側面と上記固定上側部５６における側面との間に形成される隙間について、図１に示す深さｄを０．５ｍｍに設定した以外は実施例１と同様にしてスパッタリング成膜を行ったところ、成膜された長尺樹脂フィルム基板のピンホール数は０．１４個／ｍ²であった。

この結果も表１に示す。

本発明によれば、長尺樹脂フィルムの表面に金属膜を成膜して金属膜付耐熱性樹脂フィルムを製造する際、パーティクル堆積物に起因した異常放電等を抑制できるため膜欠陥がない金属膜付耐熱性樹脂フィルムを製造することが可能となる。このため、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）表面に設置する「タッチパネル」に組み込まれる電極基板用積層体フィルムの製造に利用される産業上の利用可能性を有している。

Ａ パーティクル堆積物
Ｆ 長尺樹脂フィルム
１ スパッタリングターゲット
１０ 筐体
１１ ハウジング
１２ ハウジングカバー
２０ 磁気発生機構（磁気回路）
２１ 外周磁極
２２ 冷却板
２３ 中心磁極
２４ Ｏリング
２５ 磁気ヨーク
３０ 絶縁板
３１ アースシールド
４０ 冷却水路
５０ 固定治具
５１ ターゲット基部
５２ ターゲット凸状部
５３ 段差面
５５ 固定下側部
５６ 固定上側部
５７ 押さえ部
１００ マグネトロンスパッタリングカソード
２００ 筐体
２０１ 磁気発生機構
２０２ 冷却水路
３００ 固定治具
４００ 堆積物
５０１ 真空チャンバー
５０２ 巻出ロール
５０３ 巻取ロール
５０４ キャンロール
５０５ 仕切板
５０６ フリーロール
５０７ 張力センサロール
５０８ 前フィードロール
５０９ 後フィードロール
５１０ 張力センサロール
５１１ フリーロール
５２１ マグネトロンスパッタリングカソード
５２２ マグネトロンスパッタリングカソード
５２３ マグネトロンスパッタリングカソード
５２４ マグネトロンスパッタリングカソード
１０００ エロージョン（浸食）

Claims (5)

1. 板状のスパッタリングターゲットを保持する筐体と、スパッタリングターゲットを筐体に固定させる固定治具とで構成されるマグネトロンスパッタリングカソードにおいて、
   上記スパッタリングターゲットが、筐体側に配置されるターゲット基部と、ターゲット基部から筐体側とは反対方向へ突出するターゲット凸状部と、ターゲット基部のターゲット凸状部との境に形成される段差面とで構成され、かつ、
   上記固定治具が、スパッタリングターゲットにおけるターゲット基部の側面に沿って配置される固定下側部と、スパッタリングターゲットにおけるターゲット凸状部の側面に沿って配置される固定上側部と、固定上側部の固定下側部との境に形成されかつスパッタリングターゲットの上記段差面に係合してスパッタリングターゲットを筐体に固定させる押さえ部とで構成されると共に、
   上記ターゲット凸状部の筐体とは反対側の表面と上記固定上側部の筐体とは反対側の表面が略同一平面を形成していることを特徴とするマグネトロンスパッタリングカソード。
2. 上記ターゲット凸状部の筐体とは反対側の表面を基準面とした場合、該基準面に対する上記固定上側部の筐体とは反対側の表面における厚み方向の差ΔＴが−０．５ｍｍ≦ΔＴ≦０ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタリングカソード。
3. 上記ターゲット凸状部における側面と上記固定上側部における側面との間に形成される隙間の幅ｔが０ｍｍ＜ｔ＜１．０ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１または２に記載のマグネトロンスパッタリングカソード。
4. 上記ターゲット凸状部における側面と上記固定上側部における側面との間に形成される隙間の深さｄがｄ≧１．０ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリングカソード。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリングカソードを真空チャンバー内に有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。

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