TW201641509A - 雜配銥錯合物、與使用該化合物之發光材料及有機發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種可應用於有機場致發光元件或有機電化學發光元件等，熱穩定且昇華性優異之新穎銥錯合物。本發明之銥錯合物之特徵在於其以下述通式(1)表示： □(通式(1)中，R1~R11、R13、R14及R18表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基；R12、R15~R17及R19表示氫原子、碳數1~30之烷基、鹵素原子或氰基；上述烷基可經芳基、鹵素原子或氰基取代；上述芳基可經烷基、鹵素原子或氰基取代；又，鄰接之R12~R19亦可各自鍵結而形成縮合環；m為1或2之整數，n 為1或2之整數，m+n為3)。

Description

雜配銥錯合物、與使用該化合物之發光材料及有機發光元件
本發明係關於一種可用作有機發光元件(有機場致發光元件、有機電化學發光元件等)之發光材料的新穎銥錯合物、及使用該化合物之有機發光元件。
近年來，以有機場致發光元件為代表之有機發光元件作為顯示器或照明技術而受到關注，面向實用化之研究已有積極進展。尤其發光效率提高為重要之研究課題，目前關於發光材料，利用來自激發三重態之發光的磷光材料備受矚目。
於使用來自激發單重態之發光之情形時，由於單重態激子與三重態激子之生成比為1：3，故而認為發光性激子之生成概率為25%。又，光提取效率約為20%，因此認為外部提取量子效率之極限為5%。另一方面，若能夠進而利用激發三重態，則內部量子效率之上限達到100%，因此與激發單重態之情形相比，原理上發光效率成為4倍。於此種背景下，一直以來業界積極開發有機發光元件用磷光材料。例如揭示有作為磷光材料之具有2-苯基嘧啶配位基之銥錯合物(例如參照專利文獻1)。又，揭示有溶解性優異、適於塗佈製程之2-苯基嘧啶系銥錯合物(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-40728號公報
[專利文獻2]國際公開第2011/024737號說明書
[專利文獻3]國際公開2012/172482號公報
[專利文獻4]日本專利特開2004-189673號公報
[專利文獻5]日本專利特開2009-108041號公報
[專利文獻6]日本專利特開2014-101307號公報
[專利文獻7]國際公開2012/166608號公報
[專利文獻8]國際公開2010/056669號公報
[專利文獻9]國際公開2010/111755號公報
[專利文獻10]國際公開2012/158851號公報
[專利文獻11]國際公開2010/028151號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Tamayo A. B. J. Am. Chem. Soc., 2003, 125, 7377
又，另一方面，作為適於真空蒸鍍製程之磷光材料，一般而言較理想為熱穩定性優異、尤其昇華性良好。其原因在於：若磷光材料之昇華性優異，則可藉由昇華精製而進一步提高化合物純度，且可藉由真空蒸鍍而穩定地生產有機發光元件。今後，面向有機發光元件之實用化，渴望開發熱穩定性及昇華性優異之磷光材料。
本發明之目的在於提供一種可應用於有機場致發光元件及有機電化學發光元件等之熱穩定且昇華性優異之新穎銥錯合物。
本發明者等人鑒於上述實際情況，經過反覆研究，結果發現：通式(1)所表示之銥錯合物於室溫下於可見光區域顯示出較強發光，進而熱穩定且昇華性優異。進而，證實使用本發明之銥錯合物可製作表現出較高發光效率之有機發光元件，從而完成本發明。
即，根據該申請，提供以下之發明。
本發明之銥錯合物之特徵在於：其係以下述通式(1)表示。
(通式(1)中，N表示氮原子，Ir表示銥原子。R1~R11、R13、R14及R18各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基。R12、R15~R17及R19各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、鹵素原子或氰基。上述烷基可經芳基、鹵素原子或氰基取代。上述芳基可經烷基、鹵素原子或氰基取代。又，鄰接之R12~R19亦可各自鍵結而形成縮合環。m為1或2之整數，n為1或2之整數，m+n為3)
關於本發明之銥錯合物，較佳為R12~R19為氫原子或碳數1~30之烷基。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R13為碳數6~30之芳基。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R14為碳數6~30之芳基。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R18為碳數6~30之芳基。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R15與R16鍵結而形成縮合環。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R12與R13鍵結而形成縮合環。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R12~R19中之至少一者為鹵素原子。
關於本發明之銥錯合物，較佳為R4、R5、R9、R10均為氫原子。
關於本發明之銥錯合物，較佳為m為2，n為1。
關於本發明之銥錯合物，較佳為m為1，n為2。
本發明之銥錯合物較佳為面式(facial)體。
本發明之發光材料之特徵在於：其包含本發明之銥錯合物。
本發明之有機發光元件之特徵在於：其包含本發明之發光材料。
本發明可提供一種可應用於有機場致發光元件及有機電化學發光元件等之熱穩定且昇華性優異之新穎銥錯合物。
本發明之新穎之銥錯合物於室溫下於可見光區域顯示出較強發光，且熱穩定性及昇華性優異，因此可較佳地用作各種用途之發光元件材料。又，使用該化合物之有機發光元件於可見光區域顯示出高亮度發光，因此適用於顯示元件、顯示器、背光裝置或照明光源等領域。
圖1作為面式體之本發明化合物(K-51)於THF中於氬氣環境下之發光光譜。
圖2作為面式體之本發明化合物(K-123)與CBP之共蒸鍍膜(5：95(質量%比))之發光光譜。
圖3係使用作為面式體之本發明化合物(K-3)所製作之有機場致發光元件之EL光譜。
圖4係表示使用作為面式體之本發明化合物(K-3)所製作之有機場致發光元件之電壓-亮度的圖。
圖5係表示使用作為面式體之本發明化合物(K-3)所製作之有機場致發光元件之電流密度-外部量子效率的圖。
圖6係作為面式體之本發明化合物(K-123)使用所製作之有機場致發光元件之EL光譜。
圖7係表示作為面式體之本發明化合物(K-123)使用所製作之有機場致發光元件之電壓-亮度的圖。
圖8係表示作為面式體之本發明化合物(K-123)使用所製作之有機場致發光元件之電流密度-外部量子效率的圖。
其次，揭示實施形態而詳細地說明本發明，但本發明並不限於該等記載。只要發揮本發明之效果，實施形態可作各種變形。
本發明之通式之說明中之氫原子亦包括同位素(氘原子等)，又，進而表示構成取代基之原子亦包括其同位素。
本發明之銥錯合物係以通式(1)表示，藉由利用真空蒸鍍法等使有機發光元件之發光層或包含發光層之複數層之有機化合物層中含有該等銥錯合物，可獲得於可見光區域顯示出優異發光之有機發光元件。
以下，更詳細地說明本發明。
通式(1)所表示之本發明之銥錯合物具體而言係具有通式(2)所表示之2-苯基嘧啶衍生物配位基與通式(3)所表示之2-苯基吡啶衍生物配位基的特定結構之雜配銥錯合物。
[化2]通式(2)
通式(2)及(3)中，R1~R19與通式(1)中之R1~R19同義，較佳範圍亦相同。*為與銥之鍵結位置。
迄今為止，已知通式(4)所表示之先前公知之2-苯基嘧啶系均配銥錯合物，但根據本發明者等人之瞭解，該銥錯合物缺乏昇華性，於 真空蒸鍍製程時伴有分解，因此存在改善昇華性之較大課題。
(通式(4)中，N表示氮原子，Ir表示銥原子。R1~R11與通式(1)中之R1~R11同義，較佳範圍亦相同)
本發明者等人基於上述技術背景，努力開發熱穩定性及昇華性優異之磷光材料，結果發現：通式(1)所表示之新穎結構之雜配銥錯合物於室溫下於可見光區域顯示出非常強之發光，且相較於通式(4)所表示之先前公知之均配銥錯合物，熱穩定性及昇華性特別優異。進而，證實通式(1)所表示之銥錯合物可較佳地用作有機場致發光元件之磷光材料，從而想到本發明。
本發明者等人認為：通式(4)所表示之均配銥錯合物存在具有相同之3個環金屬化(cyclometalated)配位基之特徵，但由於對稱性較高，故而固體狀態下之結晶性良好，因此存在連結錯合物彼此之能量變大、昇華溫度變高之問題。另一方面，通式(1)所表示之本發明化合物係具有不同類型之環金屬化配位基(通式(2)及通式(3)所表示之配 位基)之雜配銥錯合物，對稱性較低，因此固體狀態下之結晶性較低，連結錯合物彼此之能量變小，昇華性變得良好。
又，2-苯基嘧啶系配位基之本質性特徵在於嘧啶環上存在2個氮原子，因此與作為中心金屬之銥之鍵結部位存在複數個。根據本發明者等人之見解，可知上述情況會導致生成雙核錯合物(二聚物等)，致使所需之銥錯合物之產率下降。因此，本發明亦具有如下特徵：藉由使用通式(2)所表示之特定結構之2-苯基嘧啶系配位基，利用鄰接之苯基之立體效果，防止於R4之位置與銥鍵結，抑制生成雙核錯合物。
本發明之通式(1)所表示之銥錯合物於室溫下於溶液中或薄膜狀態下之發光量子產率較佳為0.1以上，更佳為0.4以上，尤佳為0.6以上。
關於溶液中之發光量子產率之測定，為了去除溶存氧，較佳為對溶解有銥錯合物之溶液通入氬氣或氮氣後進行測定、或者對溶解有發光材料之溶液進行冷凍脫氣後進行測定。作為發光量子產率之測定法，可採用絕對法或相對法中之任一者。相對法中，可藉由與標準物質(奎寧硫酸塩等)之發光光譜進行比較而測定發光量子產率。絕對法中，可藉由使用市售之裝置(例如Hamamatsu Photonics股份有限公司製造，絕對PL量子產率測定裝置(C9920-02))測定於固體狀態下或溶液中之發光量子產率。關於溶液中之發光量子產率，可使用各種溶劑進行測定，只要本發明之銥錯合物於任意某種溶劑中達成上述發光量子產率即可。
關於薄膜狀態下之發光量子產率之測定，例如可於石英玻璃上真空蒸鍍本發明之銥錯合物，使用市售之裝置(例如Hamamatsu Photonics股份有限公司製造，絕對PL量子產率測定裝置(C9920))進行測定。關於薄膜狀態下之發光量子產率，可藉由單獨蒸鍍本發明之銥錯合物、或共蒸鍍各種主體材料而進行測定，只要本發明之銥錯合物 於某種條件下達成上述發光量子產率即可。
本發明之銥錯合物主要於可見光區域(尤其是綠色~紅色區域)顯示出發光，該波長區域取決於配位基之種類或結構。尤其作為於室溫下於溶液中或薄膜狀態下之發光光譜之發光最大波長，較佳為300nm~900nm之範圍，更佳為400nm~800nm之範圍，尤佳為400nm~600nm之範圍，進而尤佳為500nm~600nm之範圍。
本發明之銥錯合物為8面體6配位錯合物，作為幾何異構物，存在面式體與經式(meridional)體。實際上於合成本發明之銥錯合物時，有時獲得面式體與經式體之混合物。該等幾何異構物可藉由例如管柱層析法或昇華精製法進行分離。通式(5)及(6)所表示之銥錯合物、通式(7)及(8)所表示之銥錯合物分別為幾何異構物之關係。再者，通式(5)及(7)所表示之銥錯合物為面式體，通式(6)及(8)所表示之銥錯合物為經式體。
[化5]通式(5)
[化7]通式(7)
(通式(5)~(8)中，N表示氮原子，Ir表示銥原子。R1~R19與通式(1)中之R1~R19同義，較佳範圍亦相同)
迄今為止，已知關於環金屬化銥錯合物之面式體與經式體之發光特性有各種報告，但關於發光量子產率，有面式體更高之例子(例如Tamayo A.B.J.Am.Chem.Soc.,2003,125,7377(非專利文獻1))， 亦有經式體更高之例子(例如國際公開2012/172482號公報(專利文獻3))。
關於本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之幾何異構物，本發明者等人對其發光特性進行詳細研究，結果判明面式體之發光量子產率遠高於經式體(參照實施例)。
因此，本發明之通式(1)所表示之銥錯合物較佳為面式體。本發明之銥錯合物中較佳為包含面式體50%以上，更佳為包含80%以上，尤佳為包含90%以上，進而尤佳為包含99%以上。再者，關於面式體或經式體，可藉由NMR、質譜分析或X射線結晶結構解析等進行鑑定。又，關於其含有率，可藉由NMR或HPLC進行定量。
可使本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之經式體異構化成面式體。尤其理想的是如式(A)及(B)所示般進行光異構化。
[化10]式(B)
(式(A)及(B)中，N表示氮原子，Ir表示銥原子。R1~R19 、通式(1)中之R1~R19與同義，較佳範圍亦相同)
經式體之光異構化反應可參考日本專利特開2004-189673號公報(專利文獻4)、日本專利特開2009-108041號公報(專利文獻5)或日本專利特開2014-101307號公報(專利文獻6)等而進行。
對經式體之光異構化反應進行更詳細之說明。該反應之特徵在於對經式體或包含經式體之溶液進行光照射而使之異構化成面式體。
作為光照射之方法，只要使光照至經式體上即可，其方法無限定。亦可對包含經式體與面式體之混合物之反應溶液進行光照射。
經式體之光異構化反應較佳為於溶液中進行。作為此種溶劑，較佳為能夠溶解經式體之溶劑，且使用不會與原料及產物發生反應者。具體而言，可列舉：正戊烷、正己烷、正庚烷或十三烷等飽和脂肪族烴、二氯甲烷、氯仿或二氯乙烷等鹵化脂肪族烴，丙酮或甲基乙基酮等酮類，N,N-二甲基甲醯胺或N-甲基吡咯啶酮等醯胺類、乙酸乙酯或乙酸丁酯等酯類，苯或甲苯等芳香族烴，氯苯或二氯苯等鹵化芳香族烴，吡啶或甲基吡啶等含氮芳香族化合物，四氫呋喃(THF)、二烷或二乙醚等醚類，乙腈、丙腈或苯甲腈等腈類，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇或乙二醇等醇類，或二甲基亞碸等各種有機溶劑。其中，較佳為鹵化脂肪族烴、醚類或二甲基亞碸。具體而言，作為較佳溶劑， 可列舉：二氯甲烷、氯仿、四氫呋喃或二甲基亞碸，更佳地列舉二氯甲烷、四氫呋喃或二甲基亞碸，尤佳地列舉四氫呋喃。
關於經式體之光異構化反應，只要均勻地進行光照射，則濃度無特別限制，較理想為通常以1mol/L以下之濃度、較佳為以0.01mol/L以下之濃度進行。濃度之下限無特別限定，較佳為0.0001mol/L以上。
進行光照射時所使用之反應容器只要為可接受光照射之容器，則可為任意容器，尤佳為玻璃容器、例如Pyrex(註冊商標)反應容器、或UV透過性較高之石英反應容器。
關於光照射時之條件，溫度條件無特別限制，通常於所使用之溶劑之凝固點至溶劑之沸點之間，較佳為-75℃~溶劑之沸點，更佳為-5℃~50℃。
光照射及光照射後之後處理可於大氣壓下、或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境下、或者減壓或真空下進行，關於光照射，更佳為於氮氣或氬氣等惰性氣體環境下進行。
壓力條件無特別限制，通常於常壓下進行。
關於光照射時所使用之光之波長，只要為經式體可吸收之波長即可，較佳為紫外光至可見光之範圍之光。具體而言，較佳為200~800nm，更佳為200~600nm，尤佳為300~500nm，進而尤佳為300~450nm。
作為光照射之方法，例如參考「光化學I」(作者：井上晴夫等人，出版社：丸善股份有限公司)中記載之方法即可，可為自反應容器之外部進行照射之外部照射法或自反應容器之內部進行照射之內部照射法中之任一者。
反應所需之光照射時間於較大程度上取決於銥錯合物之種類或反應條件，因此一面使用吸收光譜、發光光譜、HPLC或質譜分析等 方法追蹤反應進程一面適當決定即可。具體而言，較佳為1分鐘~5天，更佳為1分鐘~72小時，尤佳為1小時~48小時，進而尤佳為1小時~24小時。
用於光照射之燈之種類無特別限制，可列舉：高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、鹵素燈、氙氣燈、雷射、太陽光、白熾燈、氘燈或UV燈等。
關於通式(1)中記載之記號(m、n及R1~R19)，於以下說明。
通式(1)中，m為1或2之整數，n為1或2之整數，m+n為3。即，m為1時n為2，m為2時n為1。
R1~R11、R13、R14及R18各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基。
R12、R15~R17及R19各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、鹵素原子或氰基。
又，鄰接之R12~R19亦可各自鍵結而形成縮合環。
碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。
作為碳數1~30之烷基，較佳為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、環己基、環辛基或3,5-四甲基環己基。更佳為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、新戊基或1-甲基戊基。尤佳為甲基。上述烷基可進而經芳基、鹵素原子或氰基取代，尤其經氟取代之烷基會使銥錯合物之昇華性提高，因此較佳。
碳數6~30之芳基較佳為碳數6~20，更佳為碳數6~15，尤佳為 碳數6~12。
作為碳數6~30之芳基，較佳為苯基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、對三聯苯-4-基、對三聯苯-3-基、對三聯苯-2-基、間三聯苯-4-基、間三聯苯-3-基、間三聯苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、4'-甲基聯苯基、4"-第三丁基對三聯苯-4-基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、2,3-二甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、3,4-二甲苯基、3,5-二甲苯基、2,4,6-三甲苯基、間聯四苯、1-萘基或2-萘基。更佳為苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、2,3-二甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、3,4-二甲苯基、3,5-二甲苯基或2,4,6-三甲苯基。尤佳為苯基。上述芳基可進而經烷基、鹵素原子或氰基取代，經烷基取代之苯基會使銥錯合物之昇華性提高，因此尤佳。
鹵素原子較佳為氯原子、溴原子或氟原子。更佳為溴原子或氟原子。尤佳為氟原子。
以下對R1~R19進行更具體之說明。
作為R1，上述之中，更佳為氫原子、碳數1~30之烷基，尤佳為甲基或氫原子，進而尤佳為氫原子。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。
作為R2，上述之中，更佳為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，尤佳為氫原子或碳數1~30之烷基，進而尤佳為氫原子、甲基或乙基，最佳為甲基或乙基。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。又，碳數6~30之芳基較佳為碳數6~20，更佳為碳數6~15，尤佳為碳數6~12。
作為R3，上述之中，更佳為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，尤佳為氫原子或碳數1~30之烷基，進而尤佳為氫原子。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。又，碳數6~30之芳基較佳為碳數6~20，更佳為碳數6~15，尤佳為碳數6~12。
作為R4、R5、R9、R10或R11，上述之中，更佳為氫原子或碳數1~30之烷基，尤佳為甲基或氫原子，進而尤佳為氫原子。最佳為R4、R5、R9及R10均為氫原子。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。又，R4與R5、R9與R10各自鍵結而形成環結構(飽和環或不飽和環)就合成上之觀點而言欠佳。
作為R6~R8，上述之中，更佳為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，尤佳為氫原子或碳數1~30之烷基，進而尤佳為氫原子或甲基。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。又，碳數6~30之芳基較佳為碳數6~20，更佳為碳數6~15，尤佳為碳數6~12。
作為R12、R15、R16、R17或R19，上述之中，更佳為氫原子或碳數1~30之烷基，尤佳為氫原子或甲基，進而尤佳為氫原子。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。
作為R13、R14或R18，上述之中，更佳為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，尤佳為氫原子、甲基或碳數6~30之芳基。該等取代基之較佳範圍如上所述。即，碳數1~30之烷基較佳為碳數1~20，更佳為碳數1~15，尤佳為碳數1~10，進而尤佳為碳數1~6。 又，碳數6~30之芳基較佳為碳數6~20，更佳為碳數6~15，尤佳為碳數6~12。
鄰接之R12~R19亦可各自鍵結而形成縮合環。具體而言，R12與R13、R13與R14、R14與R15、R15與R16、R16與R17、R17與R18、R18與R19可各自鍵結而形成環結構，較佳為R12與R13、R13與R14、R14與R15、R15與R16中任意某組之兩者鍵結而形成環結構，更佳為R12與R13、R15與R16各自鍵結而形成環結構。
藉由如此形成環結構，可提高銥錯合物之穩定性，實現發光波長之長波長化。若R12與R13、R14與R15中任意某組之兩者形成縮合環，則本發明之銥錯合物於紅色區域(例如600~650nm)顯示出發光，若R13與R14、R15與R16中任意某組之兩者形成縮合環，則本發明之銥錯合物於黃色區域(例如540~590nm)顯示出發光。上述縮合環中，較佳為形成6員環，更佳為形成苯環。
於鄰接之R12~R19各自鍵結而形成縮合環之情形時，較佳為以下之結構(L-1)~(L-4)中之某者。
結構式(L-1)~(L-4)中，R1~R19與通式(1)中之R1~R19同義，較佳範圍亦相同。Ra~Rd各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基。作為Ra~Rd，較佳為氫原子或碳 數1~30之烷基，更佳為氫原子或甲基。
又，藉由對本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之R1~R19導入取代基之方法，可控制銥錯合物之發光波長。例如若對R16或R18導入氟原子，則發光向短波位移。又，若對R17導入三氟甲基或氰基，則發光向短波位移。
又，若對R1~R19導入鹵素原子(較理想為溴原子或碘原子)，則如式(C)所示般利用使用有廣泛市售之硼酸化合物之鈴木偶合反應，形成碳-碳鍵，而可容易地導入各種取代基(烷基、芳基等)，因此亦可用作用以合成新穎銥錯合物之前驅物。
通式(1)所表示之銥錯合物之中，於R13為碳數6~30之芳基之情形時，尤佳為通式(9)所表示之銥錯合物。
[化13]通式(9)
通式(1)所表示之銥錯合物之中，於R14為碳數6~30之芳基之情形時，尤佳為通式(10)所表示之銥錯合物。
通式(1)所表示之銥錯合物之中，於R18為碳數6~30之芳基之情形時，尤佳為通式(11)所表示之銥錯合物。
[化15]通式(11)
通式(1)所表示之銥錯合物之中，於R15與R16鍵結而形成縮合環之情形時，尤佳為通式(12)所表示之銥錯合物。
通式(1)所表示之銥錯合物之中，於R12與R13鍵結而形成縮合環之情形時，尤佳為通式(13)所表示之銥錯合物。
[化36]通式(13)
關於通式(9)~(13)中記載之記號(R1~R30)，於以下說明。
R1~R19與通式(1)中之R1~R19同義，較佳範圍亦相同。
R20~R30各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基。上述取代基之定義與較佳範圍與通式(1)中之R1~R19相同。作為R20~R30，較佳為氫原子或碳數1~30之烷基，更佳為氫原子或甲基，尤佳為氫原子。
於製造通式(1)所表示之本發明之銥錯合物時存在例如以下之式(D)或式(E)之路徑。
[化17]式(D)
[化18]式(E)
除此以外，通式(1)所表示之本發明之銥錯合物亦可參考國際公開2012/166608號公報(專利文獻7)、國際公開2010/056669號公報(專利文獻8)、國際公開2010/111755號公報(專利文獻9)或國際公開2012/158851號公報(專利文獻10)等公知文獻而合成。
業界有如下揭示：一般而言於合成雜配銥錯合物時，於導入不同之環金屬化配位基時，容易發生配位基混雜，所生成之雜質之極性相似，因此分離精製非常困難(例如參照國際公開2010/028151號公報(專利文獻11))。將具體之反應例示於式(F)及(G)。
[化19]式(F)
另一方面，關於本發明之通式(1)所表示之銥錯合物，可知於合成時，出乎意料地不易發生配位基混雜。又，發現即便於合成時發生了配位基混雜，亦可採用例如矽膠管柱層析法容易地分離副產物。
本發明者等人認為本發明之通式(1)所表示之銥錯合物由於具有通式(2)及(3)所表示之2種配位基(2-苯基吡啶衍生物配位基、2-苯基嘧啶衍生物配位基)，該等配位基之極性相差較大，故而對因配位基混雜所產生之副產物之分離精製亦變得容易。
又，可知於對通式(3)所表示之2-苯基吡啶衍生物配位基之R12~R19導入碳數6~30之芳基之情形時，於合成通式(1)所表示之本發明之銥錯合物時，配位基混雜之發生容易度不同。即，可知相較於對苯基上(例如R18)導入芳基之情形，對2-苯基吡啶衍生物配位基之吡啶環上(例如R13或R14)導入該芳基時更不容易發生配位基混雜。
即，本發明之通式(1)所表示之銥錯合物中，合成上較佳者係於 通式(1)中，R12~R19為氫原子或碳數1~30之烷基之銥錯合物、R13為碳數6~30之芳基之銥錯合物(較佳為通式(9)所表示之銥錯合物)、R14為碳數6~30之芳基之銥錯合物(較佳為通式(10)所表示之銥錯合物)、及R15與R16鍵結而形成縮合環之銥錯合物(較佳為通式(12)所表示之銥錯合物)。
關於本發明之銥錯合物，於藉由通常之合成反應之後處理進行處理後，視需要加以精製或可不精製而提供。作為後處理之方法，例如可單獨地或組合地實施萃取、冷卻、藉由添加水或有機溶劑而進行之晶析、或者自反應混合物中蒸餾去除溶劑之操作等。作為精製之方法，可單獨地或組合地採用再結晶、蒸餾、昇華或管柱層析法等。
以下將本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之代表例示於表1A~表13，但本發明並不限定於該等。
[表1B]
[表2B]
[表3B]
[表4B]
[表5B]
[表6B]
[表7B]
[表8B]
[表9B]
[表10B]
[表11B]
[表12B]
再者，如上所述，本發明之通式(1)所表示之銥錯合物可於室溫下發出磷光，因此可用作發光材料或有機發光元件之發光物質。又，使用包含本發明之銥錯合物之發光材料可製作有機發光元件(較佳為有機場致發光元件)。
又，藉由使用本發明之通式(1)所表示之銥錯合物，可實現發光效率較高之有機發光元件、發光裝置或照明裝置。進而，可實現消耗電力較低之有機發光元件、發光裝置或照明裝置。
於使用本發明之通式(1)所表示之銥錯合物時，由於該銥錯合物熱穩定且昇華性優異，故而較理想為藉由真空蒸鍍來進行層形成。
其次，對使用本發明之通式(1)所表示之銥錯合物所製作之有機場致發光元件進行說明。有機場致發光元件係於陽極與陰極之間積層有複數層之有機化合物而成之元件，較佳為含有通式(1)所表示之銥錯合物作為發光層之發光材料。又，一般而言，發光層係由發光材料與主體材料構成。
作為本發明之有機場致發光元件之代表性之元件構成，例如有以下之構成，但本發明並不限定於該等。
(1)陽極/發光層/陰極
(2)陽極/發光層/電子傳輸層/陰極
(3)陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極
(4)陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極
(5)陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
(6)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極
(7)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
又，亦可於發光層與陰極之間設置電洞阻擋層(亦稱為電洞障壁層)。又，亦可於發光層與陽極之間設置電子阻擋層(亦稱為電子障壁層)。
以下對構成本發明之有機場致發光元件之各層進行說明。
<發光層>
發光層係自電極所注入之電子及電洞再結合，經由激子而發光 之層，發光部分可位於發光層之層內，亦可位於發光層與鄰接層之界面。
作為發光層之膜厚，較佳為2nm~1000nm之範圍，更佳為2~200nm之範圍，進而較佳為3~150nm之範圍。
本發明中，發光層較佳為含有發光材料與主體材料。
作為發光材料，可包含單獨一種或複數種本發明之通式(1)所表示之銥錯合物，亦可包含其他發光材料。發光層所含有之化合物中，本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之合計含量以質量比計較佳為1~50%，更佳為1~30%，尤佳為5~20%。
作為其他發光材料，具體而言，可列舉：蒽衍生物、芘衍生物、衍生物、螢蒽衍生物、苝衍生物、茀衍生物、芳基乙炔衍生物、苯乙烯基芳烴衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳基胺衍生物、硼錯合物、方形酸鎓衍生物、氧代苯并蒽衍生物、螢光素衍生物、苝衍生物、聚噻吩衍生物、稀土類錯合物系化合物、銥錯合物或鉑錯合物等。
主體材料係於發光層中主要負責注入及傳輸電荷之化合物。又，發光層所含有之化合物中，於該層中之質量比較佳為20%以上。更佳為50%以上，尤佳為80%以上。發光層所含有之化合物中，主體材料之含量之上限以質量比計較佳為99%以下，更佳為95%以下，尤佳為90%以下。
主體材料之激發狀態能量(T1能階)較佳為高於同一層內所含有之本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之激發狀態能量(T1能階)。
主體材料可單獨使用，或者亦可使用複數種。藉由使用複數種主體化合物，能夠進行電荷轉移調整，而實現有機場致發光元件之高效率化。
作為本發明中可使用之主體材料，並無特別限制，可為低分子 化合物，亦可為具有重複單元之高分子化合物。
作為主體材料，具體而言，可列舉：三芳基胺衍生物、伸苯基衍生物、縮合環芳香族化合物(例如萘衍生物、菲衍生物、茀衍生物、芘衍生物、並四苯衍生物、蔻衍生物、衍生物、苝衍生物、9,10-二苯基蒽衍生物或紅螢烯等)、喹吖啶酮衍生物、吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生物、尼祿紅、吡衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并唑衍生物、茋衍生物、有機金屬錯合物(例如三(8-羥基喹啉)鋁等有機鋁錯合物、有機鈹錯合物、有機銥錯合物或有機鉑錯合物等)、或聚(苯乙炔)衍生物、聚(茀)衍生物、聚(苯)衍生物、聚(噻吩乙炔)衍生物或聚(乙炔)衍生物等高分子衍生物。
<電子傳輸層>
電子傳輸層包含具有傳輸電子之功能之材料，只要具有將自陰極所注入之電子轉移至發光層之功能即可。
電子傳輸層之膜厚並無特別限制，通常為2~5000nm之範圍，更佳為2~500nm之範圍，進而較佳為5~200nm之範圍。
作為電子傳輸層所使用之材料(以下稱為電子傳輸材料)，只要具有電子之注入性或傳輸性、或者電洞之障壁性中之任一性能即可，可自先前公知之化合物中選用任意者。
作為電子傳輸性材料，具體而言，可列舉：含氮芳香族雜環衍生物(咔唑衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁等有機鋁錯合物、氮雜咔唑衍生物(構成咔唑環之碳原子中之1個以上被取代為氮原子而成者)、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三衍生物、喹啉衍生物、喹啉衍生物、啡啉衍生物、唑衍生物、噻唑衍生物、二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物或苯并唑衍生物等)、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、或芳香族烴環衍生物(萘衍生物、蒽衍生物或聯三伸苯 等)等。
<電洞阻擋層>
所謂電洞阻擋層，廣義上意指具有電子傳輸層之功能之層，較佳為包含具有傳輸電子之功能且傳輸電洞之能力較小之材料，藉由傳輸電子並且阻擋電洞而可提高電子與電洞之再結合概率。
電洞阻擋層較佳為與發光層之陰極側鄰接而設置。
作為電洞阻擋層之膜厚，較佳為3~100nm之範圍，更佳為5~30nm之範圍。
作為電洞阻擋層所使用之材料，較佳為使用上述電子傳輸層所使用之材料，又，上述主體材料亦較佳地用作電洞阻擋層之材料。
<電子注入層>
所謂電子注入層(亦稱為「陰極緩衝層」)係為了降低驅動電壓或提高發光亮度而設置於陰極與發光層之間之層。
電子注入層之膜厚較佳為0.1~5nm之範圍。更佳為0.1~1nm之範圍。
作為電子注入層所較佳使用之材料，具體而言，可列舉：金屬(鍶或鋁等)、鹼金屬化合物(氟化鋰或氟化鈉等)、鹼土金屬化合物(氟化鎂或氟化鈣等)、金屬氧化物(氧化鋁等)、或金屬錯合物(8-羥基喹啉鋰(Liq)等)等。又，亦可使用上述電子傳輸材料。進而，作為電子注入材料，可列舉：啡啉衍生物之鋰錯合物(LiPB)、或苯氧基吡啶之鋰錯合物(LiPP)等。
<電洞傳輸層>
電洞傳輸層只要包含具有傳輸電洞之功能之材料，具有將自陽極所注入之電洞轉移至發光層之功能即可。
電洞傳輸層之膜厚無特別限制，通常為2~5000nm之範圍，更佳為5~500nm之範圍，進而較佳為5~200nm之範圍。
作為電洞傳輸層所使用之材料(以下稱為電洞傳輸材料)，只要具有電洞之注入性或傳輸性、或者電子之障壁性中之任一性能即可，可自先前公知之化合物中選用任意者。
作為電洞傳輸性材料，具體而言，可列舉：卟啉衍生物、酞菁衍生物、唑衍生物、苯二胺衍生物、茋衍生物、三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、蒽或萘等並苯系衍生物、茀衍生物、茀酮衍生物、於主鏈或側鏈導入有聚乙烯咔唑或芳香族胺之高分子材料或低聚物、聚矽烷、導電性聚合物或低聚物(例如PEDOT：PSS、苯胺系共聚物、聚苯胺、聚噻吩等)等。
<電子阻擋層>
所謂電子阻擋層，廣義上意指具有電洞傳輸層之功能之層，較佳為包含具有傳輸電洞之功能並且傳輸電子之能力較小之材料，藉由傳輸電洞並且阻擋電子而可提高電子與電洞之再結合概率。
作為電子阻擋層之膜厚，較佳為3~100nm之範圍，更佳為5~30nm之範圍。
又，電子阻擋層視需要可採用上述電洞傳輸層之構成。
<電洞注入層>
於本發明中，所謂電洞注入層(亦稱為「陽極緩衝層」)係為了降低驅動電壓或提高發光亮度而設置於陽極與發光層之間的層。
作為電洞注入層所使用之材料，例如較佳為以酞菁銅為代表之酞菁衍生物、六氮雜聯三伸苯衍生物、以氧化釩為代表之金屬氧化物、非晶形碳、聚苯胺(苯胺綠)或聚噻吩等導電性高分子、以三(2-苯基吡啶)銥錯合物為代表之環金屬化錯合物、或三芳基胺衍生物等。
本發明之有機場致發光元件較佳為經基板所支持。基板之素材並無特別限制，例如可列舉先前之有機場致發光元件中慣用之鹼玻璃、無鹼玻璃或石英玻璃等玻璃、或者透明塑膠等。
作為構成陽極之材料，具體而言，可使用金、鉑、銀、銅、鎳、鈀、鈷、硒、釩或鎢等金屬單質或該等之合金，氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等金屬氧化物。又，亦可使用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩或聚苯硫醚等導電性聚合物。該等電極物質可單獨使用，亦可將複數種併用。又，陽極可由單層構成，亦可由複數層構成。
作為構成陰極之材料，具體而言，可列舉：鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鋁、銦、釕、鈦、錳、釔、銀、鉛、錫或鉻等金屬單質。又，亦可將該等金屬加以組合而形成合金。例如可使用鋰-銦、鈉-鉀、鎂-銀、鋁-鋰、鋁-鎂或鎂-銦等合金。進而，亦可利用氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物。該等電極物質可單獨使用，亦可將複數種併用。又，陰極可由單層構成，亦可由複數層構成。
包含本發明之通式(1)所表示之銥錯合物的有機發光元件可藉由真空蒸鍍法、溶液塗佈法或使用雷射等之轉印法、或噴霧法進行製作。尤其理想的是藉由真空蒸鍍法形成包含本發明之通式(1)所表示之銥錯合物的發光層。
藉由真空蒸鍍法形成電洞傳輸層、發光層或電子傳輸層等各層之情形時之真空蒸鍍條件並無特別限定，較佳為於10-4~10-5Pa左右之真空下、於50~500℃左右之舟溫度、-50~300℃左右之基板溫度下，以0.01~50nm/s之蒸鍍速度進行蒸鍍。於使用複數種材料形成電洞傳輸層、發光層或電子傳輸層等各層之情形時，較佳為一面分別對裝有材料之舟進行溫度控制一面進行共蒸鍍。
[實施例]
以下，揭示實施例更詳細地說明本發明，但本發明不被實施例限定性地解釋。再者，將對應於實施例之化合物稱為「本發明化合物」，將對應於比較例之化合物稱為「比較化合物」。
<實施例I-1>
本發明化合物(K-3)之合成
使IrCl3．nH2O(0.366g)與配位基(L-a)0.524g(2.01mmol)溶解於DMF 20ml，對該溶液通入30分鐘之氬氣後，照射微波(2450MHz)30分鐘。將反應溶液冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑直至約5mL，添加水，藉此使固體析出。對該固體使用二氯甲烷與己烷而使之再結晶，繼而利用甲醇與己烷進行洗淨，藉此獲得中間物(A)。產量為0.5658g(產率75.7%)。使藉由上述方法所合成之中間物(A)0.6025g(0.4mmol)溶解於二氯甲烷30ml及甲醇10ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.2019g(0.79mmol)，於50℃下攪拌5小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加2-苯基吡啶0.3524g(2.44mmol)、乙醇50ml，於氬氣環境下加熱回流3 天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製，而獲得本發明化合物(K-3)。產量為0.3536g(產率50.7%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-3)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-3)為面式體。
1H-NMR(400MHz/丙酮-d6)δ：8.70(dd,2H),8.36(dd,2H),8.13(d,1H),8.01(d,1H),7.87(d,1H),7.77-7.83(m,3H),7.65(d,4H),7.39(t,4H),7.25(dd,2H),7.17(dd,2H),7.10(dd,1H),6.86-6.95(m,4H),6.77(t,1H),2.49-2.57(m,4H),1.09(m,6H)
ESI-MS：m/z=865.9
再者，作為本反應之副產物，獲得極微量之本發明化合物(K-147)(產率0.7%)。將本發明化合物(K-147)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-147)為面式體。
1H-NMR(400MHz/丙酮-d6)δ：8.68(d,1H),8.34(d,1H),8.08-8.12(m,2H),7.85(d,1H),7.72-7.80(m,5H),7.68(d,1H),7.63(d,2H),7.37(t,2H),7.23(t,1H),7.13(d,1H),7.05-7.09(m,2H),6.82-6.90(m,5H),6.70-6.75(m,2H),2.52(q,2H),1.07(t,3H)
ESI-MS：m/z=760.6
根據上文可知，於合成本發明化合物(K-3)時，不易發生配位基混雜。又，可知(K-3)與(K-147)之分離精製較為容易。
<實施例I-2>
本發明化合物(K-51)之合成
[化24]
使中間物(A)0.4005g(0.27mmol)溶解於二氯甲烷30ml及甲醇10ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.1613g(0.63mmol)，於50℃下攪拌15小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加2,5-二苯基吡啶0.2316g(1.00mmol)、乙醇30ml，於氬氣環境下加熱回流3天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：乙酸乙酯與己烷之混合溶劑)進行精製，而獲得本發明化合物(K-51)。產量為0.2913g(產率57.3%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-51)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-51)為面式體。再者，於合成本發明化合物(K-51)時未發生配位基混雜。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.66(dd,2H),8.35(dd,2H),8.03(d,1H),7.95(dd,1H),7.89(d,1H),7.75(d,1H),7.72(d,2H),7.62-7.65(m,5H),7.31-7.41(m,9H),7.20-7.28(m,4H),6.87-6.99(m,5H),2.48-2.56(m,4H),1.10-1.19(m,6H)
ESI-MS：m/z=941.7
<實施例I-3>
本發明化合物(K-59)之合成
使中間物(A)0.4045g(0.27mmol)溶解於二氯甲烷15ml及甲醇5ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.1832g(0.71mmol)，於50℃下攪拌5小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加4-甲基-2,5-二苯基吡啶0.3321g(1.35mmol)及乙醇20ml，於氬氣環境下加熱回流3天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製，而獲得本發明化合物(K-59)。產量為0.2313g(產率44.5%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-59)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-59)為面式體。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.65(s,1H),8,57(s,1H),8.37(s,2H),7.88(s,1H),7.74(d,1H),7.63-7.67(m,6H),7.49(s,1H),7.36-7.42(m,7H),7.22-7.28(m,4H),7.16(d,2H),6.84-6.98(m,5H),2.56(q,2H),2.47(q,2H),2.44(s,3H),1.17(t,3H),1.08(t,3H)
ESI-MS：m/z=957.0
再者，作為本反應之副產物，獲得極微量之本發明化合物(K-203)(產率0.8%)。作為本發明化合物之(K-59)與(K-203)之分離精製較為容易。將本發明化合物(K-203)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-203)為面式體。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.52(d,1H),8.30(d,1H),7.85(s,1H),7.80(s,1H),7.70(dd,2H),7.63(dd,3H),7.49(d,2H),7.31-7.41(m,8H),7.25(dd,1H),7.16-7.20(m,3H),7.03-7.06(m,2H),6.81-6.93(m,7H),2.44-2.49(m,5H),2.32(s,3H),1.06(t,3H)
ESI-MS：m/z=942.0
根據上文可知，於合成本發明化合物(K-59)時，不易發生配位基混雜。又，可知(K-59)與(K-203)之分離精製較為容易。
<實施例I-4>
本發明化合物(K-99)之合成
使中間物(A)0.2486g(0.15mmol)溶解於二氯甲烷30ml及甲醇10ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.0919g(0.36mmol)，於50℃下攪拌3小時。冷卻至室 溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加甲醇10ml及乙醇10ml，通入30分鐘之氬氣。將該溶液升溫至80℃左右後，添加2,4-二苯基吡啶0.1163g(0.50mmol)，於氬氣環境下加熱回流2天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷)進行精製，而獲得本發明化合物(K-99)。產量為0.2129g(產率75.4%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-99)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-99)為面式體。再者，於合成本發明化合物(K-99)時未發生配位基混雜。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.65(dd,2H),8.35(dd,2H),8.19(d,1H),7.82(d,1H),7.71-7.74(m,3H),7.64-7.69(m,6H),7.47-7.55(m,3H),7.39(t,4H),7.24-7.28(m,3H),7.18-7.22(m,2H),6.92-6.99(m,2H),6.86-6.88(m,3H),2.56(q,2H),2.52(q,2H),1.18(t,3H),1.14(t,3H)
ESI-MS：m/z=942.7
<實施例I-5>
本發明化合物(K-123)之合成
[化27]
使中間物(A)0.5004g(0.33mmol)溶解於二氯甲烷15ml及甲醇5ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.1816g(0.71mmol)，於50℃下攪拌5小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加苯并[h]喹啉0.1712g(0.96mmol)及乙醇20ml，於氬氣環境下加熱回流3天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：乙酸乙酯與己烷之混合溶劑)進行精製，而獲得本發明化合物(K-123)。面式體之產量為0.1322g(產率22.5%)，經式體之產量為0.1536g(產率26.2%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。
將面式體之本發明化合物(K-123)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.69(d,1H),8.58(d,1H),8.37(d,1H),8.33(d,1H),8.19(dd,1H),7.98(dd,1H),7.86(d,1H),7.79(d,1H),7.57-7.68(m,5H),7.47(d,1H),7.33-7.43(m,6H),7.23-7.30(m,4H),7.01-7.07(m,3H),6.60(d,1H),2.58(q,2H),2.37(q,2H),1.21(t,3H),1.01(t,3H)
ESI-MS：m/z=889.6
將經式體之本發明化合物(K-123)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.45(dd,2H),8.38(d,1H),8.30-8.32(m,2H),8.20(dd,1H),7.96(d,1H),7.87(d,1H),7.63-7.69(m,5H),7.51-7.55(m,2H),7.35-7.43(m,7H),7.23-7.31(m,4H),6.90(d,1H),6.71(d,1H),2.27-2.39(m,4H),0.99(t,3H),0.92(q,3H)
ESI-MS：m/z=889.6
<實施例I-6>
本發明化合物(K-147)之合成
使中間物(C)0.200g(0.19mmol)溶解於二氯甲烷10ml及甲醇10ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.1072g(0.42mmol)，於50℃下攪拌15小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(D)，對該中間物(D)添加配位基(L-a)0.1458g(0.56mmol)及乙醇20ml，於氬氣環境下加熱回流15小時。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加己烷而進行再結晶。其 後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：乙酸乙酯與己烷之混合溶劑)進行精製，而獲得本發明化合物(K-147)。產量為0.0717g(產率24.8%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR與ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-147)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-147)為面式體。再者，於合成本發明化合物(K-147)時未發生配位基混雜。
1H-NMR(400MHz/丙酮-d6)δ：8.68(d,1H),8.34(d,1H),8.08-8.12(m,2H),7.85(d,1H),7.72-7.80(m,5H),7.68(d,1H),7.63(d,2H),7.37(t,2H),7.23(t,1H),7.13(d,1H),7.05-7.09(m,2H),6.82-6.90(m,5H),6.70-6.75(m,2H),2.52(q,2H),1.07(t,3H)
ESI-MS：m/z=760.6
<實施例I-7>
本發明化合物(K-295)之合成
使中間物(A)0.2001g(0.13mmol)溶解於二氯甲烷15ml及甲醇5ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀0.0713g(0.28mmol)，於50℃下攪拌15小時。冷卻至室溫，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(B)，對該中間物(B)添加乙醇30ml，通入30分鐘之氬氣。使該溶液升 溫至75℃左右後，滴下包含2-(2,4-二氟苯基)吡啶0.0711g(0.37mmol)之乙醇5mL，於氬氣環境下加熱回流3天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使用矽膠管柱層析法(溶離液：乙酸乙酯與己烷之混合溶劑)對所獲得之固體進行精製，而獲得本發明化合物(K-295)。產量為0.0908g(產率38.8%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR及ESI-MS而進行。將本發明化合物(K-295)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-295)為面式體。再者，於合成本發明化合物(K-295)時未發生配位基混雜。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.55(t,2H),8.35-8.38(m,2H),8.29(d,1H),8.13(dd,1H),8.05(d,1H),7.74(td,1H),7.63-7.65(m,4H),7.56(d,1H),7.33-7.42(m,5H),7.23-7.30(m,3H),6.99-7.02(m,1H),6.72(d,1H),6.43-6.56(m,3H),2.50(m,4H),1.12(m,6H)
ESI-MS：m/z=902.6
又，將上述以外之本發明化合物之合成與分析資料示於以下。
<實施例I-8>
本發明化合物(K-75)之合成
實施例I-1中，使用2-(聯苯-4-基)吡啶代替2-苯基吡啶，除此以外，藉由相同之方式進行合成，而獲得作為面式體之本發明化合物(K-75)。將作為面式體之本發明化合物(K-75)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.64(dd,2H),8.35(dd,2H),8.00(d,1H),7.77(d,1H),7.68-7.75(m,3H),7.63-7.65(m,4H),7.59(d,1H),7.37-7.40(m,6H),7.18-7.28(m,8H),7.14(d,1H),7.02(dd,1H),6.98(d,1H),6.94(d,1H),2.49-2.58(m,4H),1.12-1.20(m,6H)
ESI-MS：m/z=942.7
再者，作為本反應之副產物，獲得作為面式體之本發明化合物(K-219)。將本發明化合物(K-219)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.51(d,2H),8.35(dd,1H),8.29(d,1H),8.16(d,1H),8.10(dd,1H),8.03(d,1H),7.88(d,1H),7.74(dd,1H),7.70(d,1H),7.65(d,4H),7.34-7.42(m,7H),7.20-7.30(m,8H),7.00(t,1H),6.81(d,1H),6.63(d,1H),2.51(q,2H),2.44(q,2H),1.13(t,3H),1.04(t,3H)
ESI-MS：m/z=942.1
<實施例I-9>
本發明化合物(K-99)之合成
實施例1-4中，將使反應溶液升溫至80℃後添加2,4-二苯基吡啶之操作變為不進行升溫而於室溫下添加之操作，除此以外，藉由相同之方式進行，藉此獲得作為經式體之本發明化合物(K-99)。將作為經式體之本發明化合物(K-99)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/二氯甲烷-d2)δ：8.51-8.52(m,2H),8.36(s,1H),8.30(d,1H),8.22(d,1H),8.09-8.11(m,2H),7.91(d,1H),7.77(d,1H),7.73-7.02(m,21H),6.82(d,1H),6.61(d,1H),2.51(q,2H),2.45(q,2H),1.13(t,3H),1.06(t,3H)
ESI-MS：m/z=942.7
<實施例I-10>
本發明化合物(K-2)之合成
步驟1 配位基(L-b)之合成
[化30]
配位基(L-b)
將2-氯-5-甲基嘧啶5.18g(40.3mmol)、3-聯苯基硼酸9.26g(46.8mmol)、2M碳酸鉀水溶液95ml及1,2-二甲氧基乙烷70ml裝入至三口燒瓶內，通入氬氣後，添加四(三苯基膦)鈀(0)2.25g(1.95mmol)，於氬氣環境下加熱回流24小時。將反應溶液冷卻至室溫後，回收有機層，減壓蒸餾去除溶劑，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷)進行精製，而獲得配位基(L-b)。產量為8.40g(產率84.7%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將配位基(L-b)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/CDCl3)δ：8.66-8.68(m,3H),8.39(d,1H),7.70-7.72(m,3H),7.56(t,1H),7.46(t,2H),7.37(t,1H),2.36(s,3H).
步驟2 本發明化合物(K-2)之合成
[化31]
投入三氯化銥n水合物4.11g(11.6mmol)、配位基(L-b)6.00g(24.4mmol)、DMF 225ml及純水25ml，通入30分鐘之氬氣後，照射微波(2450MHz)30分鐘。將反應溶液冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑直至成為約10ml，添加甲醇與純水而使固體析出，而獲得中間物(E)。產量為8.00g(產率95.8%)。使藉由上述方法所合成之中間物(E)5.82g(4.05mmol)分散於二氯甲烷500ml及甲醇500ml之混合溶劑，對該分散液通入30分鐘之氬氣。其後，於該分散液中添加三氟甲磺酸銀2.24g(8.72mmol)，於室溫下攪拌16小時。通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(F)。產量為6.93g(產率95.5%)。於中間物(F)5.00g(5.58mmol)中添加2-苯基吡啶1.94g(12.50mmol)、甲醇75ml、乙醇175ml，於氬氣環境下加熱回流14時間。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加甲醇而進行再結晶。其後，進而再次利用二氯甲烷與甲醇進行再結晶，而 獲得本發明化合物(K-2)。產量為0.725g(產率15.5%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將本發明化合物(K-2)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-2)為面式體。
1H-NMR(400MHz/DMSO-d6)δ：8.74(dd,2H),8.23(t,2H),8.19(d,1H),7.96(d,1H),7.86(t,1H),7.82(d,1H),7.76(d,1H),7.59-7.64(m,5H),7.40(t,4H),7.26-7.29(m,2H),7.13-7.21(m,3H),6.87(t,1H),6.70-6.77(m,3H),6.65(d,1H),2.21(s,3H),2.16(s,3H).
<實施例I-11>
本發明化合物(K-301)之合成
步驟1 配位基(L-c)之合成
配位基(L-c)
將2-溴嘧啶10.3g(64.8mmol)、3-溴苯基硼酸14.0g(69.7mmol)、2M碳酸鉀水溶液150ml及四氫呋喃110ml裝入至三口燒瓶內，通入氬氣後，添加四(三苯基膦)鈀(0)3.65g(3.16mmol)，於氬氣環境下加熱回流16小時。將反應溶液冷卻至室溫後，於其中添加4-第三丁基苯基硼酸13.5g(75.8mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)1.82g(1.57mmol)，再次於氬氣環境下加熱回流16小時。將反應溶液冷卻至室溫後，回收有機層，減壓蒸餾去除溶劑，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷)進 行精製，而獲得配位基(L-c)。產量為14.0g(產率74.9%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將配位基(L-c)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/CDCl3)δ：8.83(d,2H),8.71(s,1H),8.41(d,1H),7.73(d,1H),7.66(d,2H),7.56(t,1H),7.49(d,2H),7.21(t,1H),1.38(s,9H).
步驟2 本發明化合物(K-301)之合成
投入三氯化銥n水合物2.59g(7.33mmol)、配位基(L-c)4.30g(14.9mmol)、DMF 135ml及純水15ml，通入30分鐘之氬氣後，照射微波(2450MHz)30分鐘。將反應溶液冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑直至成為約10ml，添加甲醇，藉此使固體析出，而獲得中間物(G)。產量為4.26g(產率72.4%)。使藉由上述方法所合成之中間物(G)3.02g溶解於二氯甲烷125ml及甲醇125ml之混合溶劑，對該溶液通入30分鐘之氬氣。其後，於該溶液中添加三氟甲磺酸銀1.01g(3.93mmol)，於50 ℃下加熱回流16小時。將反應溶液冷卻至室溫後，通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(H)。產量為3.62g(產率98.1%)。於中間物(H)2.51g(2.56mmol)中添加2-苯基吡啶0.89g(5.73mmol)、甲醇30ml、乙醇70ml，於氬氣環境下加熱回流2天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑後，使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷)進行精製，而獲得本發明化合物(K-301)。產量為0.162g(產率6.9%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將本發明化合物(K-301)之分析資料示於以下。藉由本方法所獲得之(K-301)為面式體。
1H-NMR(400MHz/DMSO-d6)δ：8.56(m,2H),8.25(dd,2H),8.21(d,1H),8.09(dd,1H),7.82-7.89(m,2H),7.77(dd,1H),7.74(d,1H),7.54-7.57(m,4H),7.41-7.44(m,4H),7.28(t,2H),7.15-7.21(m,3H),6.88(t,1H),6.75-6.79(m,3H),6.70(d,1H),1.30(s,9H),1.30(s,9H).
<實施例I-12>
本發明化合物(K-302)之合成
於中間物(F)0.841g(0.939mmol)中添加2-苯基喹啉0.465g(2.27mmol)、乙醇50ml，於氬氣環境下加熱回流3天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑後，溶解於二氯甲烷25ml，使用UV燈(波長：365nm)照射3小時，減壓蒸餾去除溶劑。使用矽膠管柱層析法(溶離液：二氯甲烷)進行精製，而獲得本發明化合物(K-302)。產量為0.0007g(產率0.08%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將本發明化合物(K-302)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/DMSO-d6)δ：8.75(t,2H),8.44(s,2H),8.27(d,1H),8.21(d,1H),8.14(d,1H),8.07(d,1H),7.96(d,1H),774(d,1H),764-7.66(m,3H),7.57(d,2H),7.34-7.46(m,5H),7.22-7.3(m,3H),7.17(dd,1H),7.07(dd,1H),6.95(t,1H),6.76(t,1H),6.61(d,1H),6.50(dd,2H),2.24(s,3H),2.06(s,3H).
<實施例I-13>
本發明化合物(K-303)之合成
將三氯化銥n水合物3.00g(8.23mmol)、2-苯基喹啉3.74g、2-乙氧基乙醇80ml、純水20ml裝入至三口燒瓶內，於氬氣環境下加熱回流18小時。將反應溶液冷卻至室溫後，進行過濾，利用甲醇與純水進行洗淨，而獲得中間物(I)。產量為3.63g(產率69.3%)。將中間物(I)2.62g(2.06mmol)、三氟甲磺酸銀1.15g(4.48mmol)、甲醇140ml及二氯甲烷220ml裝入至三口燒瓶內，於氬氣環境下、室溫下攪拌24 小時。使反應溶液通過矽藻土層而進行過濾，減壓蒸餾去除濾液而獲得中間物(J)。產量為3.31g(產率98.8%)。於中間物(J)1.26g(1.55mmol)中添加配位基(L-b)0.920g(3.74mmol)、乙醇80ml，於氬氣環境下加熱回流2天。冷卻至室溫，減壓蒸餾去除溶劑後，溶解於二氯甲烷，使用UV燈(波長：365nm)照射3小時，減壓蒸餾去除溶劑。使所獲得之固體溶解於二氯甲烷，添加甲醇而進行再結晶。其後，進而再次利用二氯甲烷與甲醇進行再結晶，而獲得本發明化合物(K-303)。產量為0.619g(產率47.2%)。化合物之鑑定係使用1H-NMR而進行。將本發明化合物(K-303)之分析資料示於以下。
1H-NMR(400MHz/DMSO-d6)δ：8.69(d,1H),8.52(q,2H),8.41(q,2H),8.10(d,1H),8.03(d,1H),8.01(d,1H),7.89-7.95(m,3H),7.72(d,1H),7.59(d,1H),7.54(d,2H),7.39(t,1H),7.34(t,2H),7.29(t,1H),7.22(t,1H),7.15(t,1 H),7.06(dd,1H),6.94(t,1H),6.87(t,1H),6.62-6.72(m,3H),6.38-6.46(m,3H),2.10(s,3H).
其次，記載本發明之經式體利用光異構化反應而進行之面式體之製造方法。
<實施例II-1>
作為經式體之本發明化合物(K-99)之光異構化反應
使作為經式體之本發明化合物(K-99)0.5mg溶解於二氯甲烷-d2 0.75mL，裝入至NMR管內。使用UV燈(波長：365nm)照射15小時。利用1H-NMR進行分析，結果可知經式體消失，完全地光異構化成面式體(K-99)。
其次，記載本發明之銥錯合物之發光特性。
<實施例III-1>
(K-3)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-3)溶解於THF，通入氬氣後， 使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：530nm)。發光量子產率為0.61。
<實施例III-2>
(K-51)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-51)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果如圖1所示顯示出較強發光(發光最大波長：539nm)。發光量子產率為0.83。
<實施例III-3>
(K-59)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-59)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：531nm)。發光量子產率為0.61。
<實施例III-4>
(K-75)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-75)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：528nm)。發光量子產率為0.74。
<實施例III-5>
(K-75)於THF中之發光特性
使作為經式體之本發明化合物(K-75)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定 裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：578nm)。發光量子產率為0.20。
<實施例III-6>
(K-99)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-99)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：565nm)。發光量子產率為0.74。
<實施例III-7>
(K-123)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-123)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：550nm)。發光量子產率為0.72。
<實施例III-8>
(K-123)於THF中之發光特性
使作為經式體之本發明化合物(K-123)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：578nm)。發光量子產率為0.26。
<實施例III-9>
(K-2)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-2)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：541nm)。發光量子產率為0.70。
<實施例III-10>
(K-301)於THF中之發光特性
使作為面式體之本發明化合物(K-301)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：538nm)。發光量子產率為0.70。
<實施例III-11>
(K-303)於氯仿中之發光特性
使本發明化合物(K-303)溶解於氯仿，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：622nm)。發光量子產率為0.65。
<比較例III-1>
比較化合物(1)於THF中之發光特性
使作為面式體之比較化合物(1)溶解於THF，通入氬氣後，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：350nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：527nm)。發光量子產率為0.64。
比較化合物(1)
根據上文可知，本發明化合物於THF或氯仿中顯示出非常強之發光。又，比較面式體與經式體之發光特性，可知面式體之發光量子產率高達經式體之2倍以上，面式體作為發光材料更優異。
其次，為了確認本發明之通式(1)所表示之銥錯合物之熱穩定性及昇華性而對昇華精製實驗進行說明。
<實施例IV-1>
(K-3)之昇華精製
將作為面式體之本發明化合物(K-3)107mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果(K-3)全部昇華。無昇華殘渣。再者，使用HPLC分析(K-3)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。
<實施例IV-2>
(K-51)之昇華精製
將作為面式體之本發明化合物(K-51)166mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果殘留有微量之昇華殘渣(投入量之2.8%)。再者，使用HPLC分析(K-51)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。
<實施例IV-3>
(K-59)之昇華精製
將作為面式體之本發明化合物(K-59)124mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果(K-59)全部昇華。無昇華殘渣。再者，使用HPLC分析(K-59)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。
<實施例IV-4>
(K-99)之昇華精製
將作為面式體之本發明化合物(K-99)84mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果(K-99)全部昇華。無昇華殘渣。再者，使用HPLC分析(K-99)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。
<實施例IV-5>
(K-123)之昇華精製
將作為面式體之本發明化合物(K-123)146mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果殘留有微量之昇華殘渣(投入量之1.7%)。再者，使用HPLC分析(K-123)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。
<比較例IV-1>
比較化合物(1)之昇華精製
將作為面式體之比較化合物(1)107mg裝入至昇華精製裝置(P-200，ALS Technology公司製造)內，於真空度1×10-4Pa、溫度300~335℃之條件下，歷時18小時進行昇華精製，結果殘留有大量之昇華殘渣(投入量之10.2%)。再者，使用HPLC分析比較化合物(1)於昇華精製前後之純度，確認熱穩定性良好。另一方面，利用HPLC分析昇華殘渣，結果純度為93.1%，自昇華精製前之純度99.8%大幅下降。可知與上述本發明化合物相比，比較化合物(1)之昇華速度非常慢，若於與本發明化合物相同之條件下昇華精製，則會發生分解反應。
其次，記載本發明之銥錯合物於薄膜中之發光特性。
<實施例V-1>
(K-3)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-3)與作為公知主體材料之4,4'-N,N'-二咔唑聯苯(以下稱為CBP)(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：535nm)。發光量子產率為0.88。
<實施例V-2>
(K-51)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-51)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：539nm)。發光量子產率為0.87。
<實施例V-3>
(K-59)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-59)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：535nm)。發光量子產率為0.86。
<實施例V-4>
(K-99)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-99)與作為公知主體材料之 CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：550nm)。發光量子產率為0.89。
<實施例V-5>
(K-123)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-123)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果如圖2所示顯示出較強發光(發光最大波長：544nm)。發光量子產率為0.85。
<實施例V-6>
(K-2)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之本發明之銥錯合物(K-2)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：540nm)。發光量子產率為0.88。
<實施例V-7>
(K-303)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將本發明之銥錯合物(K-303)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率 測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：600nm)。發光量子產率為0.88。
<比較例V-1>
比較化合物(1)於與CBP之共蒸鍍膜中之發光特性
將作為面式體之比較化合物(1)與作為公知主體材料之CBP(E-3)於真空度1×10-4Pa下於石英基板上以5：95(質量濃度比)進行共蒸鍍(30nm)，使用Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之絕對PL量子產率測定裝置(C9920)，測定於室溫下之發光光譜(激發波長：340nm)，結果顯示出較強發光(發光最大波長：526nm)。發光量子產率為0.82。
根據上文可知，本發明化合物與CBP之共蒸鍍膜中之發光量子產率非常高，達到0.85以上，本發明化合物藉由成為薄膜狀態，可較佳地用作發光材料。
其次，記載使用本發明之通式(1)所表示之銥錯合物所製作之有機場致發光元件之特性。
<實施例VI-1>
使用本發明化合物(K-3)所製作之有機場致發光元件之特性評價
於無鹼玻璃基板(ATSUGI MICRO公司製造)上形成膜厚100nm之氧化銦錫(ITO)膜並將該膜圖案成線寬2mm之梳形而作為陽極，使用該形成有陽極之無鹼玻璃基板作為透明導電性支持基板。對其依稀利用超純水、丙酮、異丙醇(IPA)進行超音波清洗，繼而利用IPA煮沸洗淨後加以乾燥。繼而，將經過UV/臭氧清洗者用作透明導電性支持基板。
於1×10-4Pa之真空室內，藉由利用電阻加熱之真空蒸鍍，於上述透明導電性支持基板上依序製膜以下之有機層(電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電洞阻擋層及電子傳輸層)，繼而，交換遮罩，依序 製膜線寬2mm之電極層(電子注入層及金屬電極層)，而製作有機場致發光元件(元件形狀：2mm×2mm之正方形，元件面積：0.04cm2)。繼而，為了使元件不暴露於大氣中而於氮氣環境之手套箱內對其進行密封操作。於厚度3mm之玻璃板之中央部帶有1.5mm之刻蝕部的密封玻璃(泉陽商事公司製造)之周圍塗佈UV硬化性環氧樹脂DENATITE R(Nagase ChemteX公司製造)，使之被覆壓接於完成蒸鍍之元件後，利用鋁板覆蓋元件部分而進行遮蔽，利用帶有快門之UV照射裝置照射1分鐘後遮蔽1分鐘，重複該循環5次而實現密封。
電洞注入層(10nm)：化合物(E-1)
電洞傳輸層(40nm)：化合物(E-2)
發光層(20nm)：將本發明化合物(K-3)(質量濃度15%)與化合物(E-3)(質量濃度85%)進行共蒸鍍
電洞阻擋層(10nm)：化合物(E-4)
電子傳輸層(30nm)：化合物(E-5)
電子注入層(0.5nm)：化合物(E-6)
金屬電極層(150nm)：A1
將化合物(E-1)~(E-6)之結構式示於以下。
將所獲得之有機場致發光元件載置於Hamamatsu Photonics公司製造之EL外部量子產率計測用積分球單元A10094之樣品支持器，使用Keithley公司製造之電源電錶2400，施加直流定電壓而使之發光，對其亮度、發光波長及CIE色度座標，使用Hamamatsu Photonics公司製造之多通道分光器PMA-12進行測定。其結果，CIE色度為(x，y)=(0.360，0.607)，如圖3所示獲得發光峰值波長為531nm之綠色發光，如圖4所示最高亮度為134000cd/m2，如圖5所示最大外部量子效率為13.4%，獲得非常良好之發光特性。
<實施例VI-2>
使用本發明化合物(K-123)所製作之有機場致發光元件之特性評價
使用本發明化合物(K-123)代替實施例VI-1中所使用之本發明化合物(K-3)，將本發明化合物(K-123)與化合物(E-3)之質量濃度分別變為10%與90%，除此以外，藉由相同之方式製作有機場致發光元件，並進行特性評價。其結果，CIE色度為(x，y)=(0.399，0.578)、如圖6所示獲得發光峰值波長為545nm之黃綠色發光，如圖7所示最高亮度為103000cd/m2，如圖8所示最大外部量子效率為13.0%，獲得非常良好之發光特性。
<實施例VI-3>
使用本發明化合物(K-51)所製作之有機場致發光元件之特性評價
使用本發明化合物(K-51)代替實施例VI-1中所使用之本發明化合物(K-3)，除此以外，藉由相同之方式製作有機場致發光元件，並進行特性評價。其結果，CIE色度為(x，y)=(0.408，0.574)，獲得發光峰值波長為538nm之黃綠色發光，最高亮度為115400cd/m2，最大外部量子效率為13.1%，獲得非常良好之發光特性。
<實施例VI-4>
使用本發明化合物(K-99)所製作之有機場致發光元件之特性評價
使用本發明化合物(K-99)(面式體)代替實施例VI-1中所使用之本發明化合物(K-3)，除此以外，藉由相同之方式製作有機場致發光元件，並進行特性評價。其結果，CIE色度為(x，y)=(0.425，0.554)，獲得發光峰值波長為551nm之黃色發光，最高亮度為95000cd/m2，最大外部量子效率為13.5%，獲得非常良好之發光特性。
如上所述，本發明之通式(1)所表示之銥錯合物為熱穩定性及昇華性優異、表現出較高發光量子產率之新穎化合物，於用於有機發光元件之情形時，可製作具有良好發光特性之有機發光元件。又，使用該化合物之有機發光元件於可見光區域顯示出高亮度發光，因此適用於顯示元件、顯示器、背光裝置、照明光源等領域。

Claims (14)

  1. 一種銥錯合物，其特徵在於：其以下述通式(1)表示， (通式(1)中，N表示氮原子，Ir表示銥原子；R1~R11、R13、R14及R18各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、碳數6~30之芳基、鹵素原子或氰基；R12、R15~R17及R19各自獨立表示氫原子、碳數1~30之烷基、鹵素原子或氰基；上述烷基可經芳基、鹵素原子或氰基取代；上述芳基可經烷基、鹵素原子或氰基取代；又，鄰接之R12~R19亦可各自鍵結而形成縮合環；m為1或2之整數，n為1或2之整數，m+n為3)。
  2. 如請求項1之銥錯合物，其中R12~R19為氫原子或碳數1~30之烷基。
  3. 如請求項1之銥錯合物，其中R13為碳數6~30之芳基。
  4. 如請求項1之銥錯合物，其中R14為碳數6~30之芳基。
  5. 如請求項1之銥錯合物，其中R18為碳數6~30之芳基。
  6. 如請求項1至5中任一項之銥錯合物，其中R15與R16鍵結而形成縮合環。
  7. 如請求項1至6中任一項之銥錯合物，其中R12與R13鍵結而形成縮合環。
  8. 如請求項1至7中任一項之銥錯合物，其中R12~R19中之至少一者為鹵素原子。
  9. 如請求項1至8中任一項之銥錯合物，其中R4、R5、R9、R10均為氫原子。
  10. 如請求項1至9中任一項之銥錯合物，其中m為2，n為1。
  11. 如請求項1至9中任一項之銥錯合物，其中m為1，n為2。
  12. 如請求項1至11中任一項之銥錯合物，其為面式體。
  13. 一種發光材料，其特徵在於：包含如請求項1至12中任一項之銥錯合物。
  14. 一種有機發光元件，其特徵在於：包含如請求項13之發光材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10497884B2 (en) 2016-04-01 2019-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017104839A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 赤色発光性イリジウム錯体ならびに該化合物を用いた発光材料および有機発光素子
CN111004289B (zh) * 2019-12-05 2022-10-04 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种铱金属配合物及其制备方法
JP2021178798A (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 キヤノン株式会社 イリジウム錯体を含む組成物、それを有する有機発光素子、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置、移動体

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3986427B2 (ja) 2002-12-11 2007-10-03 高砂香料工業株式会社 イリジウム化合物の異性化方法
JP5095206B2 (ja) 2003-03-24 2012-12-12 ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア イリジウム（Ｉｒ）のフェニル及びフルオレニル置換フェニル−ピラゾール錯体
US7393599B2 (en) * 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
JP2008288254A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Canon Inc 有機ｅｌ素子
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
JP5158797B2 (ja) * 2007-10-10 2013-03-06 独立行政法人産業技術総合研究所 イリジウム錯体及びその製造方法
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP5854839B2 (ja) 2008-11-11 2016-02-09 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 燐光発光体
WO2010111755A2 (en) 2009-04-01 2010-10-07 Katholieke Universiteit Leuven - K.U.Leuven R & D Improved method for making cross-linked polyimide membranes
JP2013502743A (ja) 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
EP2471800B1 (en) * 2009-08-27 2014-01-15 National Institute of Advanced Industrial Science And Technology Iridium complex and light emitting material formed from same
JP5688930B2 (ja) 2009-08-27 2015-03-25 住友化学株式会社 金属錯体組成物及び錯体高分子
US20110266524A1 (en) 2009-10-29 2011-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
US10079349B2 (en) 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6300722B2 (ja) 2011-06-14 2018-03-28 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド アザベンズイミダゾールカルベン配位子を有する金属錯体および有機発光ダイオードにおける当該金属錯体の使用
JP6199023B2 (ja) 2012-11-20 2017-09-20 コニカミノルタ株式会社 イリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10497884B2 (en) 2016-04-01 2019-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device

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Publication number Publication date
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