JP6863590B2 - 赤色発光性イリジウム錯体ならびに該化合物を用いた発光材料および有機発光素子 - Google Patents
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Description
本開示は、有機発光素子（有機電界発光素子、有機電気化学発光素子等）の発光材料として有用な赤色発光性の新規イリジウム錯体ならびに該化合物を用いた有機発光素子に関するものである。
近年、有機電界発光素子に代表される有機発光素子はディスプレイまたは照明技術として注目されており、実用化に向けた研究が活発に進められている。特に発光効率向上は重要な研究課題であり、現在では発光材料として、励起三重項状態からの発光を利用する燐光材料に注目が集まっている。
励起一重項状態からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子との生成比が１：３であるため発光性励起子の生成確率が２５％であるとされている。また、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率の限界は５％とされている。一方で、これに励起三重項状態をも利用できると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となる。このような背景から、これまで燐光材料の開発が活発に行われてきた。
例えば、有機発光素子に使用される赤色燐光材料として、化２に示すジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を有するイリジウム錯体が報告されている（例えば、非特許文献１を参照）。しかしながら、このイリジウム錯体の発光には橙色成分が多く含まれており、色純度の良好な赤色を得ることは困難である。したがって、橙色成分を減らすために、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を有するイリジウム錯体の発光スペクトルを長波長シフトさせることが強く求められている。非特許文献１には、このイリジウム錯体（化２）はジクロロメタン中で６０８ｎｍに発光極大波長を有することが記載されている。
また、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を有するイリジウム錯体の発光を長波長シフトさせるために、化３に示すジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子にアリール基を導入したイリジウム錯体が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。当該文献には、このイリジウム錯体（化３）はジクロロメタン中で６４０ｎｍに発光極大波長を有することが記載されている。
さらに、特許文献１と同様に、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子にアリール基を導入した化４に示すイリジウム錯体が開示されている（例えば、特許文献２を参照）。当該文献には、このイリジウム錯体（化４）はトルエン中で６１４ｎｍに発光極大波長を有することが記載されている。
Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁
前述したように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を有するイリジウム錯体は、橙赤色領域に発光を示すが、今後は赤色領域に強く発光を示し、かつ昇華性に優れたイリジウム錯体の開発が強く望まれている。
しかし、特許文献１，２のように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子を用いて、色純度の良好な赤色燐光材料を開発するためには、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子の特定位置にアリール基を導入しなければならず、赤色燐光材料の分子設計指針は大きく限定されていた。
また、真空蒸着法を用いて有機電界発光素子を製造するためには、使用する燐光材料については昇華性が高いことが求められているが、特許文献１，２及び非特許文献１に記載されたイリジウム錯体の昇華性は、実用上十分に満足できるレベルとはいえない。したがって、今後の実用化に向けて、昇華性が良好な赤色燐光材料が渇望されている。
本開示の目的は、有機電界発光素子や有機電気化学発光素子等に適用でき、赤色領域に良好な発光特性を示す、昇華性に優れた新規イリジウム錯体を提供することである。
本発明者らは上記実状に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、意外にも、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格を有する配位子を１つと、２−フェニルピリジン骨格を有する配位子を２つ有する特定構造のイリジウム錯体が、赤色領域に高効率発光することを見出した。具体的には、一般式（１）で表される新規イリジウム錯体が、前記特許文献１および２に示された方法、すなわちジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン配位子の特定位置にアリール基を導入することなく、非特許文献１に示されるイリジウム錯体（化２）よりも発光が長波長シフトし、色純度の良好な赤色発光を示すことを見出した。さらに、本発明化合物はイリジウム錯体（化２）よりも熱安定性ならびに昇華性が良好であることを見出し、本発明に想到した。以上の実験結果は、従来公知技術から予測しえないものであり、本発明者らの数多くの緻密な実験による研究成果である。
すなわち、この出願によれば、以下の発明が提供される。
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。
（一般式（１）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｉｒはイリジウムを表す。Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、ハロゲン原子を表す。Ｒ１０〜Ｒ１７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表す。前記アルキル基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリール基は、アルキル基（トリフルオロメチル基を除く）、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子（フッ素原子は除く）で置換されてもよく、アラルキル基で置換されることはない。前記アルコキシ基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記ヘテロ環基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリールオキシ基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。隣り合ったＲ１０〜Ｒ１７は各々結合し環構造を形成してもよい。）
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１〜Ｒ９が、各々独立に、水素原子、または、アルキル基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１０〜Ｒ１７が、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１０〜Ｒ１７の少なくとも１つが、アルキル基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１０〜Ｒ１７の少なくとも１つが、アリール基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（２）で表されることが好ましい。
（一般式（２）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｉｒはイリジウムを表す。Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、ハロゲン原子を表す。Ｒ１８〜Ｒ２７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表す。前記アルキル基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリール基は、アルキル基（トリフルオロメチル基を除く）、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子（フッ素原子は除く）で置換されてもよく、アラルキル基で置換されることはない。前記アルコキシ基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記ヘテロ環基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリールオキシ基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。隣り合ったＲ１８〜Ｒ２７は各々結合し環構造を形成してもよい。）
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１８〜Ｒ２７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１８〜Ｒ２７のうち、少なくとも一つが、アルキル基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ１８〜Ｒ２７のうち、少なくとも一つが、アリール基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（４）で表されることが好ましい。
（一般式（４）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｉｒはイリジウムを表す。Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、ハロゲン原子を表す。Ｒ３８〜Ｒ４７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表す。前記アルキル基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリール基は、アルキル基（トリフルオロメチル基を除く）、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子（フッ素原子は除く）で置換されてもよく、アラルキル基で置換されることはない。前記アルコキシ基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記ヘテロ環基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリールオキシ基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。隣り合ったＲ３８〜Ｒ４７は各々結合し環構造を形成してもよい。）
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ３８〜Ｒ４７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ３８〜Ｒ４７のうち、少なくとも一つが、アルキル基であることが好ましい。
本発明に係るイリジウム錯体では、前記Ｒ３８〜Ｒ４７のうち、少なくとも一つが、アリール基であることが好ましい。
本発明に係る発光材料は、本発明に係るイリジウム錯体を含むことを特徴とする。
本発明に係る有機発光素子は、本発明に係る発光材料を含むことを特徴とする。
本開示は、有機電界発光素子および有機電気化学発光素子などに適用でき、熱安定性と昇華性に優れ、高効率に赤色発光を示す新規イリジウム錯体を提供することができる。
本開示の新規イリジウム錯体は、室温下で色純度の良好な赤色発光を示し、また熱的安定性及び昇華性に優れていることから、各種用途の発光素子材料として好適に用いることができる。また該化合物を用いた有機発光素子は、赤色領域に高輝度発光を示すことから、表示素子、ディスプレイ、バックライトまたは照明光源などの分野に好適である。
次に本発明について実施形態を示して詳細に説明するが、本発明はこれらの記載に限定して解釈されない。本発明の効果を奏する限り、実施形態は種々の変形をしてもよい。
本発明の一般式の説明における水素原子は同位体（重水素原子等）も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明に係るイリジウム錯体は下記一般式（１）で表される。
（一般式（１）中、Ｎは窒素原子を表す。Ｉｒはイリジウムを表す。Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、ハロゲン原子を表す。Ｒ１０〜Ｒ１７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表す。前記アルキル基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリール基は、アルキル基（トリフルオロメチル基を除く）、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子（フッ素原子は除く）で置換されてもよく、アラルキル基で置換されることはない。前記アルコキシ基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記ヘテロ環基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。前記アリールオキシ基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。隣り合ったＲ１０〜Ｒ１７は各々結合し環構造を形成してもよい。）
本発明に係るイリジウム錯体は、例えばこれらイリジウム錯体を真空蒸着法によって、有機発光素子の発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層に含有させることで、赤色領域に良好な発光を示す有機発光素子が得られる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
一般式（１）に記載した記号（Ｎ、Ｉｒ、Ｒ１〜Ｒ１７）について以下に説明する。
一般式（１）中、Ｎは窒素原子を表す。
一般式（１）中、Ｉｒはイリジウムを表す。
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ９は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、ハロゲン原子を表し、水素原子、または、アルキル基が好ましい。
一般式（１）中、Ｒ１０〜Ｒ１７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表し、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、または、ハロゲン原子が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、アルキル基、または、アリール基が特に好ましく、水素原子、または、アルキル基がより特に好ましい。
前記アルキル基は、炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数１〜５のアルキル基であることが最も好ましい。
前記アルキル基は、直鎖状のアルキル基でも分岐状のアルキル基でも構わない。
前記アルキル基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。
前記アルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、または３,５−テトラメチルシクロヘキシル基がある。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、または１−メチルペンチル基である。より好ましくは、メチル基またはｔ−ブチル基であり、特に好ましくはメチル基である。
前記アリール基は、炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましく、炭素数６〜２０のアリール基であることがより好ましく、炭素数６〜１２のアリール基であることが特に好ましい。
前記アリール基は、アルキル基（トリフルオロメチル基を除く）、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子（フッ素原子は除く）で置換されてもよく、アラルキル基で置換されることはない。好ましくは、前記アリール基は、無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、塩素原子、臭素原子、または、ヨウ素原子で置換されても良い。特にアルキル基で置換されたアリール基は、イリジウム錯体の昇華性が向上することから特に好ましい。
前記アリール基として、例えば、フェニル基、ビフェニル−２−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−(２−フェニルプロピル)フェニル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、２,３−キシリル基、２,４−キシリル基、２,５−キシリル基、２,６−キシリル基、３,４−キシリル基、３，５−キシリル基、メシチル基、ｍ−クウォーターフェニル基、１−ナフチル基、または２−ナフチル基がある。好ましくは、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２,３−キシリル基、２，４−キシリル基、２,５−キシリル基、２，６−キシリル基、３,４−キシリル基、３，５−キシリル基、またはメシチル基である。
前記アルコキシ基は、炭素数１〜３０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜２０のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素数１〜１０のアルコキシ基であることが特に好ましく、炭素数１〜５のアルコキシ基であることが最も好ましい。
前記アルコキシ基は、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。
前記アルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロキシ基、イソプロキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等があり、メトキシ基が好ましい。
前記ヘテロ環基は、炭素数１〜３０のヘテロ環基であることが好ましく、炭素数１〜２０のヘテロ環基であることがより好ましく、炭素数１〜１０のヘテロ環基であることが特に好ましく、炭素数１〜５のヘテロ環基であることが最も好ましい。
前記ヘテロ環基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。
前記ヘテロ環基として、例えば、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基、３−ピリダジニル基、４−ピリダジニル基、５−ピリダジニル基、キノリニル基、１−ピロリル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾピリジニル基、１−インドリル基、２−ベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、１−イソキノリル基、１−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、１−フェナジニル基、２−チエニル基、１−ジベンゾフラニル基、１，３，５−トリアジニル基等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基である。
前記アリールオキシ基は、炭素数６〜３０のアリールオキシ基であることが好ましく、炭素数６〜２０のアリールオキシ基であることがより好ましく、炭素数６〜１０のアリールオキシ基であることが特に好ましい。
前記アリールオキシ基は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、または、ハロゲン原子で置換されてもよい。
前記アリールオキシ基として、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等があり、フェノキシ基が好ましい。
前記ハロゲン原子は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子またはフッ素原子である。より好ましくは臭素原子またはフッ素原子であり、特に好ましくは臭素原子である。
Ｒ１〜Ｒ１７のさらに望ましい形態について、以下、具体的に説明する。
Ｒ１、Ｒ３〜Ｒ９としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ２としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、メチル基が最も好ましい。
Ｒ１０およびＲ１３としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ１１およびＲ１２としては、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または、炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ１４としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
Ｒ１５としては、水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または、炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子、または、炭素数１〜１０のアルキル基が特に好ましく、水素原子またはメチル基がより特に好ましい。
Ｒ１６としては、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または、炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子、または、炭素数１〜１０のアルキル基が特に好ましく、水素原子、メチル基、または、ｔ−ブチル基がより特に好ましい。
Ｒ１７としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ１０〜Ｒ１７のうち、少なくとも一つが、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ１０〜Ｒ１７のうち、少なくとも一つが、アリール基であることが好ましい。
隣り合ったＲ１０〜Ｒ１７は各々結合し環構造を形成してもよく、Ｒ１０とＲ１１、Ｒ１１とＲ１２、または、Ｒ１２とＲ１３が各々結合し環構造を形成することが好ましく、Ｒ１０とＲ１１、または、Ｒ１２とＲ１３が結合し環構造を形成することが特に好ましい。
前記環構造とは飽和環または不飽和環を表し、不飽和環が好ましい。不飽和環としては、炭素環またはヘテロ環が好ましく、炭素環であることがより好ましい。飽和環または不飽和環は、５員環または６員環であることが好ましく、６員環であることが特に好ましく、ベンゼン環であることが最も好ましい。当該ベンゼン環はアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）で置換されることも好ましい。
すなわち望ましい一形態としては、Ｒ１０とＲ１１、Ｒ１１とＲ１２、または、Ｒ１２とＲ１３が各々結合しベンゼン環を形成することが好ましく、Ｒ１０とＲ１１、または、Ｒ１２とＲ１３が結合しベンゼン環を形成することがより好ましい。
一般式（１）で表される本発明のイリジウム錯体の中でも、Ｒ１０とＲ１１が環構造を形成した望ましい構造は、具体的に一般式（２）で表される。
一般式（１）で表される本発明のイリジウム錯体の中でも、Ｒ１１とＲ１２が環構造を形成した望ましい構造は、具体的に一般式（３）で表される。
一般式（１）で表される本発明のイリジウム錯体の中でも、Ｒ１２とＲ１３が環構造を形成した望ましい構造は、具体的に一般式（４）で表される。
一般式（２）〜(４)中のＲ１〜Ｒ９は、一般式（１）中のＲ１〜Ｒ９と同義であり、望ましい範囲も同様である。
一般式（２）〜（４）中のＲ１８〜Ｒ４７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、シアノ基、または、ハロゲン原子を表し、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、または、ハロゲン原子が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、アルキル基、または、アリール基が特に好ましく、水素原子、または、アルキル基がより特に好ましい。これらの置換基として望ましい範囲については、一般式（１）中のＲ１〜Ｒ１７と同様である。
隣り合ったＲ１８〜Ｒ４７は各々結合し環構造を形成してもよい。
前記環構造とは飽和環または不飽和環を表し、不飽和環が好ましい。不飽和環としては、炭素環またはヘテロ環が好ましく、炭素環であることがより好ましい。飽和環または不飽和環は、５員環または６員環であることが好ましく、６員環であることが特に好ましく、ベンゼン環であることが最も好ましい。当該ベンゼン環はアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）で置換されることも好ましい。
Ｒ１８〜Ｒ４７のさらに望ましい形態について、以下、具体的に説明する。
Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２１、Ｒ２３、Ｒ２８〜Ｒ３３、Ｒ３８〜Ｒ４３としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ２０、Ｒ２２としては、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または、炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子、または、炭素数１〜１０のアルキル基が特に好ましく、水素原子またはメチル基がより特に好ましく、水素原子が最も好ましい。
Ｒ２４、Ｒ３４、Ｒ４４としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
Ｒ２５、Ｒ２７、Ｒ３５、Ｒ３７、Ｒ４５、Ｒ４７としては、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、メチル基、または、ｔ−ブチル基が特に好ましい。
Ｒ２６、Ｒ３６、Ｒ４６としては、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または、炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子、または、炭素数１〜１０のアルキル基が特に好ましく、水素原子、メチル基、または、ｔ−ブチル基がより特に好ましい。
Ｒ１８〜Ｒ２７の少なくとも１つがアルキル基であることが好ましく、Ｒ２３、Ｒ２５、Ｒ２７の少なくとも１つがアルキル基であることがより好ましく、Ｒ２５がアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ２３、Ｒ２５、Ｒ２７の少なくとも１つがアルキル基であると、特に良好な色純度の赤色発光を得ることができる。
Ｒ２８〜Ｒ３７の少なくとも１つがアルキル基であることが好ましい。
Ｒ２８〜Ｒ３７の少なくとも１つがアリール基であることが好ましい。
Ｒ３８〜Ｒ４７の少なくとも１つがアルキル基であることが好ましい。
Ｒ３８〜Ｒ４７の少なくとも１つがアリール基であることが好ましい。
一般式（２）〜（４）で表されるイリジウム錯体の中でも、色純度の良好な赤色発光を得るためには、一般式（２）および（４）で表されるイリジウム錯体が好ましい。
一般式（２）で表されるイリジウム錯体のうち、以下に示す＜１＞〜＜１５＞のいずれかの形態が特に望ましい。
＜１＞ Ｒ２３がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜２＞ Ｒ２５がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜３＞ Ｒ２３、および、Ｒ２５がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜４＞ Ｒ２５、および、Ｒ２７がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜５＞ Ｒ２３、Ｒ２５、および、Ｒ２７がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜６＞ Ｒ２０がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜７＞ Ｒ２０、および、Ｒ２３がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜８＞ Ｒ２０、および、Ｒ２５がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜９＞ Ｒ２０、Ｒ２３、および、Ｒ２５がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１０＞ Ｒ２０、Ｒ２５、および、Ｒ２７がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１１＞ Ｒ２０、Ｒ２３、Ｒ２５、および、Ｒ２７がアルキル基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１２＞ Ｒ２０がアリール基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１３＞ Ｒ２２がアリール基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１４＞ Ｒ２５がアリール基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
＜１５＞ Ｒ２６がアリール基である一般式（２）で表されるイリジウム錯体。
一般式（４）で表されるイリジウム錯体のうち、以下に示す＜１６＞〜＜１９＞のいずれかの形態が特に望ましい。
＜１６＞ Ｒ４５がアリール基である一般式（４）で表されるイリジウム錯体。
＜１７＞ Ｒ４５がアルキル基である一般式（４）で表されるイリジウム錯体。
＜１８＞ Ｒ４６がアルキル基である一般式（４）で表されるイリジウム錯体。
＜１９＞ Ｒ４５、および、Ｒ４７がアルキル基である一般式（４）で表されるイリジウム錯体。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体の中でも、室温下、溶液中または薄膜状態での発光量子収率が、０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましく、０．３以上であることが特に好ましい。
溶液中の発光量子収率の測定は、溶存酸素を取り除くため、イリジウム錯体が溶解した溶液にアルゴンガスもしくは窒素ガスを通気した後に行うか、または、発光材料が溶解した溶液を凍結脱気した後に行うのが良い。発光量子収率の測定法としては、絶対法または相対法のどちらを用いてもよい。相対法においては、標準物質（キニン硫酸塩など）との発光スペクトルの比較によって、発光量子収率を測定することができる。絶対法においては、市販の装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０−０２））を用いることで、固体状態または溶液中での発光量子収率の測定が可能である。溶液中での発光量子収率は種々の溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトニトリル、トルエン、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯなど）を用いて測定できるが、本発明に係わるイリジウム錯体は、任意の溶媒のいずれかにおいて上記発光量子収率が達成されればよい。
薄膜状態での発光量子収率の測定は、例えば石英ガラスの上に本発明のイリジウム錯体を真空蒸着し、市販の装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０））を用いて行うことができる。薄膜での発光量子収率は、本発明のイリジウム錯体を単独で蒸着するか、または種々のホスト材料と共蒸着し測定できるが、本発明に係わるイリジウム錯体は、いずれかの条件において上記発光量子収率が達成されればよい。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は主に赤色領域に発光を示すが、その波長領域は配位子の種類または構造に依存する。特に室温下、溶液中または薄膜での発光スペクトルの発光極大波長（発光極大波長が複数ある場合は、最も短波長側の発光極大波長）については、５８０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲であることが好ましく、６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲であることがより好ましく、６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲であることが特に好ましく、６１５ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲であることがより特に好ましい。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は主に赤色領域に発光を示すが、溶液中、薄膜中、または、有機発光素子中における発光スペクトルのＣＩＥ色座標は、Ｘが０．６２〜０．６８であり、かつ、Ｙが０．３２〜０．３８であることが好ましい。さらに、Ｘが０．６４〜０．６６であり、かつ、Ｙが０．３４〜０．３６であると、色純度の良好な赤色であるため特に好ましい。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体の配位子であるジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンについては、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁（非特許文献１）、特開２００８−１７９６０７号公報（特許文献１）、特許公表２０１１−５１１８２１号公報（特許文献２）を参考に合成することができる。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は、例えば式（Ａ）の方法で合成することができる。
本発明に係る一般式（２）で表されるイリジウム錯体は、例えば式（Ｂ）の方法で合成することができる。
本発明に係る一般式（３）で表されるイリジウム錯体は、例えば式（Ｃ）の方法で合成することができる。
本発明に係る一般式（４）で表されるイリジウム錯体は、例えば式（Ｄ）の方法で合成することができる。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体については、通常の合成反応の後処理に従って処理した後、必要があれば精製してあるいは精製せずに供することができる。後処理の方法としては、例えば、抽出、冷却、水若しくは有機溶媒を添加することによる晶析、または反応混合物からの溶媒を留去する操作などを単独あるいは組み合わせて行うことができる。精製の方法としては再結晶、蒸留、昇華またはカラムクロマトグラフィーなどを単独あるいは組み合わせて行うことができる。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体については、幾何異性体（フェイシャル体、メリジオナル体）が存在するが、本発明の目的を達成できればどちらの幾何異性体でも良く、これらの幾何異性体の混合物でも構わない。
以下に、本発明に係る、一般式（１）で示されるイリジウム錯体の代表例を表１〜表７に示すが、本発明はこれらに限定されない。
なお、前述したように本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体は、室温下で高効率に赤色燐光を発光することが可能であるため、発光材料または有機発光素子の発光物質として利用できる。また本発明のイリジウム錯体からなる発光材料を用いて有機発光素子（好ましくは有機電界発光素子）を作製することができる。
また、本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体を用いることで、発光効率の高い有機発光素子、発光装置、または照明装置を実現することができる。さらに消費電力が低い有機発光素子、発光装置、または照明装置を実現することができる。
次に本発明の一般式（１）で表されるイリジウム錯体を用いて作製される有機電界発光素子について説明する。有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に複数層の有機化合物を積層した素子であり、発光層の発光材料として、一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含有することが好ましい。また一般的に発光層は発光材料とホスト材料とから構成される。
本発明の有機電界発光素子における代表的な素子構成としては、例えば以下の構成があるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
また発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層ともいう）を設けてもよい。また発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層ともいう）を設けてもよい。
以下、本発明の有機電界発光素子を構成する各層について説明する。
＜発光層＞
発光層は、電極から注入された電子および正孔が再結合し、励起子を経由して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層は、電極から注入された電子および正孔が再結合し、励起子を経由して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚としては、２〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、より好ましくは２〜２００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは３〜１５０ｎｍの範囲である。
本発明では、発光層は、発光材料とホスト材料とを含有することが好ましい。
発光材料としては、本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体が単独もしくは複数種含まれていてもよく、その他の発光材料が含まれてもよい。発光層に含有される化合物のうち、本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体の合計含有量は、質量比で１〜５０％であることが好ましく、１〜３０％であることがより好ましく、５〜２０％であることが特に好ましい。
その他の発光材料としては、具体的には、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、希土類錯体系化合物、イリジウム錯体、または白金錯体などが挙げられる。
ホスト材料は、発光層において主に電荷の注入および輸送を担う化合物である。また、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。より好ましくは５０％以上であり、特に好ましくは８０％以上である。発光層に含有される化合物のうち、ホスト材料の含有量の上限は、質量比で９９％以下であることが好ましく、９５％以下であることがより好ましく、９０％以下であることが特に好ましい。
ホスト材料の励起状態エネルギー（Ｔ１準位）は、同一層内に含有される本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体の励起状態エネルギー（Ｔ１準位）よりも高いことが好ましい。
ホスト材料は、単独または複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷移動調整が可能であり有機電界発光素子を高効率化することができる。
本発明で用いることができるホスト材料としては、特に制限はなく、低分子化合物でも繰り返し単位を有する高分子化合物でもよい。
ホスト材料として、具体的には、トリアリールアミン誘導体、フェニレン誘導体、縮合環芳香族化合物（例えばナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、コロネン誘導体、クリセン誘導体、ペリレン誘導体、９，１０−ジフェニルアントラセン誘導体若しくはルブレン等）、キナクリドン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、ナイルレッド、ピラジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、スチルベン誘導体、有機金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムなどの有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、有機イリジウム錯体、若しくは有機プラチナ錯体等）、またはポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体、ポリ（チエニレンビニレン）誘導体若しくはポリ（アセチレン）誘導体などの高分子誘導体が挙げられる。
＜電子輸送層＞
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は２〜５０００ｎｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍの範囲である。
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）としては、電子の注入性または輸送性、または正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
電子輸送性材料として、具体的には、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムなどの有機アルミニウム錯体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の１つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体若しくはベンズオキサゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、または芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体若しくはトリフェニレン等）等が挙げられる。
＜正孔阻止層＞
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔との再結合確率を向上させることができる。
正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
正孔阻止層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト材料も正孔阻止層の材料として好ましく用いられる。
＜電子注入層＞
電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう。）とは、駆動電圧低下または発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことである。
電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう。）とは、駆動電圧低下または発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことである。
電子注入層の膜厚は０．１〜５ｎｍの範囲が好ましい。より好ましくは０．１〜１ｎｍの範囲である。
電子注入層に好ましく用いられる材料として、具体的には、金属（ストロンチウム若しくはアルミニウム等）、アルカリ金属化合物（フッ化リチウム若しくはフッ化ナトリウム等）、アルカリ土類金属化合物（フッ化マグネシウム若しくはフッ化カルシウム等）、金属酸化物（酸化アルミニウム等）、または金属錯体（リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等）などが挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。さらに電子注入材料としては、フェナントロリン誘導体のリチウム錯体（ＬｉＰＢ）、またはフェノキシピリジンのリチウム錯体（ＬｉＰＰ）などが挙げられる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。正孔輸送層は複数あってもよい。
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。正孔輸送層は複数あってもよい。
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は２〜５０００ｎｍの範囲であり、より好ましくは５〜５００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍの範囲である。
正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という。）としては、正孔の注入性または輸送性、または電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
正孔輸送性材料として、具体的には、ポルフィリン誘導体；フタロシアニン誘導体；オキサゾール誘導体；フェニレンジアミン誘導体；スチルベン誘導体；トリアリールアミン誘導体；カルバゾール誘導体；インドロカルバゾール誘導体；アントラセン若しくはナフタレンなどのアセン系誘導体；フルオレン誘導体；フルオレノン誘導体；ポリビニルカルバゾール若しくは芳香族アミンを主鎖または側鎖に導入した高分子材料またはオリゴマー；ポリシラン；導電性ポリマーまたはオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
＜電子阻止層＞
電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
電子阻止層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、より好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
また、前述の正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。
＜正孔注入層＞
本発明では、正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下または発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことである。
本発明では、正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下または発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことである。
正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）若しくはポリチオフェンなどの導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体に代表されるシクロメタル化錯体、またはトリアリールアミン誘導体などが好ましい。
本発明の有機電界発光素子は基板に支持されていることが好ましい。基板の素材については特に制限はなく、例えば、従来の有機電界発光素子において慣用されている、アルカリガラス、無アルカリガラス若しくは石英ガラスなどのガラス、または透明プラスチックなどが挙げられる。
陽極を構成する材料として、具体的には、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム若しくはタングステンなどの金属単体またはこれらの合金；酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）若しくは酸化亜鉛インジウムなどの金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンまたはポリフェニレンスルフィドなどの導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
陰極を構成する材料として、具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、銀、鉛、錫またはクロムなどの金属単体が挙げられる。また、これらの金属を組み合わせて合金にしてもよい。例えば、リチウム−インジウム、ナトリウム−カリウム、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム、またはマグネシウム−インジウムなどの合金が使用できる。さらに、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構造でもよく、多層構造でもよい。
本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含む有機発光素子は、真空蒸着法、溶液塗布法若しくはレーザーなどを用いた転写法、またはスプレー法によって作製することができる。特に、本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含む発光層を、真空蒸着法によって形成することが望ましい。
真空蒸着法によってホール輸送層、発光層または電子輸送層などの各層を形成する場合の真空蒸着条件は特に限定されないが、１０−４〜１０−５Ｐａ程度の真空下で５０〜５００℃程度のボート温度、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．０１〜５０ｎｍ／秒程度で蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層または電子輸送層などの各層を複数の材料を使用して形成する場合、材料を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
以降、実施例を示しながら本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は実施例に限定して解釈されない。
＜実施例Ｉ−１＞
本発明化合物（Ｉｒ−２）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−２）の合成
ステップ１ 化合物（Ａ）の合成
９，１０−フェナントレンキノン８６．７ｇ、１，２−ジアミノプロパン３５．８ｇ、およびエチレングリコール４６０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、５００Ｗ〜１ｋＷ）を４０分間照射した。反応溶液を１５０℃程度まで冷却させた後、２−エトキシエタノール３００ｍｌおよびＤＭＦ２００ｍｌの混合溶媒中に投入した。これに純水１０００ｍｌを投入し、析出物をろ過にて回収した。これをアセトンと純水を用いて３回再結晶させた。得られた固体をアルミナカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）を用いて精製し、化合物（Ａ）を収率４０％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．２７（ｄｄ，１Ｈ），９．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．７８（ｓ，１Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ），７．７１−７．８０（ｍ，４Ｈ），２．８５（ｓ，３Ｈ）．
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．２７（ｄｄ，１Ｈ），９．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．７８（ｓ，１Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ），７．７１−７．８０（ｍ，４Ｈ），２．８５（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２ 化合物（Ｂ）の合成
３塩化イリジウムｎ水和物２５．６８ｇ、２−フェニルピリジン３５．３ｇ、２−エトキシエタノール４００ｍｌおよび純水６０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で１８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ過することで回収した。得られた固体をメタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｂ）を収率９７％で得た。
ステップ３ 化合物（Ｃ）の合成
化合物（Ｂ）１０．００ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀５．０３ｇ、メタノール５００ｍｌおよびジクロロメタン１０００ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｃ）を収率１００％で得た。
ステップ４ （Ｉｒ−２）の合成
化合物（Ｃ）１．６３ｇ、化合物（Ａ）２．７２ｇ、メタノール２４ｍｌおよびエタノール５６ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、８５℃〜９０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて３回再結晶させ、さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）を用いて精製し、（Ｉｒ−２）を収率７％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．１７（ｄ，１Ｈ），８．６０（ｄ，１Ｈ），８．０７（ｄ，１Ｈ），７．９４（ｄ，１Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｔ，１Ｈ），７．６５−７．７２（ｍ，５Ｈ），７．６４（ｓ，１Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．４２（ｄ，１Ｈ），７．２９（ｄ，１Ｈ），７．０５（ｄ，１Ｈ），６．９３−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．８６−６．９２（ｍ，３Ｈ），６．７１−６．７７（ｍ，２Ｈ），６．６６（ｄ，１Ｈ），２．７０（ｓ，３Ｈ）．
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．１７（ｄ，１Ｈ），８．６０（ｄ，１Ｈ），８．０７（ｄ，１Ｈ），７．９４（ｄ，１Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｔ，１Ｈ），７．６５−７．７２（ｍ，５Ｈ），７．６４（ｓ，１Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．４２（ｄ，１Ｈ），７．２９（ｄ，１Ｈ），７．０５（ｄ，１Ｈ），６．９３−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．８６−６．９２（ｍ，３Ｈ），６．７１−６．７７（ｍ，２Ｈ），６．６６（ｄ，１Ｈ），２．７０（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−２＞
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の合成
ステップ１ 化合物（Ｄ）の合成
３塩化イリジウムｎ水和物３．７０ｇ、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ピリジン４．７１ｇ、ＤＭＦ１３５ｍｌおよび純水１５ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、５００Ｗ）を３０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させた後、メタノールおよび純水を投入した。析出物をろ取し、純水およびメタノールで洗浄して、化合物（Ｄ）を収率８４％で得た。
ステップ２ 化合物（Ｅ）の合成
化合物（Ｄ）３．８５ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀１．５９ｇ、メタノール２００ｍｌおよびジクロロメタン２５０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、室温で１４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｅ）を収率１００％で得た。
ステップ３ （Ｉｒ−１０）の合成
化合物（Ｅ）２．００ｇ、化合物（Ａ）２．７２ｇ、メタノール３０ｍｌおよびエタノール７０ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で２４時間加熱反応させた。反応溶液の液温を５０℃まで冷却後、アセトンを５０ｍｌ投入した。反応溶液を室温まで冷却させた後に、析出物をろ取し、メタノールで洗浄した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて３回再結晶させ、（Ｉｒ−１０）を収率３２％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．７４（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｍ，２Ｈ），７．８０（ｓ，１Ｈ），７．７１−７．７６（ｍ，２Ｈ），７．６５−７．６８（ｍ，３Ｈ），７．５９（ｄ，１Ｈ），７．１８−７．２３（ｍ，２Ｈ），６．９５−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．８６（ｄｄ，１Ｈ），６．８１（ｄｄ，１Ｈ），６．７９（ｄ，１Ｈ），６．６５（ｄ，１Ｈ），２．７２（ｓ，３Ｈ），１．０３（ｓ，９Ｈ），０．８８（ｓ，９Ｈ）．
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．７４（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｍ，２Ｈ），７．８０（ｓ，１Ｈ），７．７１−７．７６（ｍ，２Ｈ），７．６５−７．６８（ｍ，３Ｈ），７．５９（ｄ，１Ｈ），７．１８−７．２３（ｍ，２Ｈ），６．９５−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．８６（ｄｄ，１Ｈ），６．８１（ｄｄ，１Ｈ），６．７９（ｄ，１Ｈ），６．６５（ｄ，１Ｈ），２．７２（ｓ，３Ｈ），１．０３（ｓ，９Ｈ），０．８８（ｓ，９Ｈ）．
＜実施例Ｉ−３＞
本発明化合物（Ｉｒ−３２）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−３２）の合成
ステップ１ 化合物（Ｆ）の合成
３塩化イリジウムｎ水和物３．００ｇ、２−フェニルキノリン３．７４ｇ、２−エトキシエタノール８０ｍｌおよび純水２０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で１８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｆ）を収率６９％で得た。
ステップ２ 化合物（Ｇ）の合成
化合物（Ｆ）２．６２ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀１．１５ｇ、メタノール１４０ｍｌおよびジクロロメタン２２０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｇ）を収率９９％で得た。
ステップ３ （Ｉｒ−３２）の合成
化合物（Ｇ）２．００ｇ、化合物（Ａ）２．５０ｇ、メタノール３０ｍｌおよびエタノール７０ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で２４時間加熱反応させた。反応溶液の溶媒を減圧留去した後、得られた固体をジクロロメタンとメタノールとアセトンを用いて再結晶させた。さらにジクロロメタンに溶解させ、不溶物をろ過にて除去した。ろ液にヘキサンを加え、析出物をろ取し、ヘキサンで洗浄した。さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）を用いて精製し、（Ｉｒ−３２）を収率１７％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．４９（ｄ，１Ｈ），８．２４（ｑ，２Ｈ），８．１７（ｄ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｔ，１Ｈ），７．６１（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｄ，１Ｈ），７．５０（ｄ，１Ｈ），７．２３（ｄ，１Ｈ），７．１４（ｔ，１Ｈ），７．０９（ｔ，１Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９２（ｔ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），６．７０−６．７６（ｍ，３Ｈ），６．６３（ｄ，１Ｈ），６．５８（ｔ，１Ｈ），６．２６（ｄ，１Ｈ），２．６３（ｓ，３Ｈ）．
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）δ：９．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．４９（ｄ，１Ｈ），８．２４（ｑ，２Ｈ），８．１７（ｄ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｔ，１Ｈ），７．６１（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｄ，１Ｈ），７．５０（ｄ，１Ｈ），７．２３（ｄ，１Ｈ），７．１４（ｔ，１Ｈ），７．０９（ｔ，１Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９２（ｔ，１Ｈ），６．８２（ｔ，１Ｈ），６．７０−６．７６（ｍ，３Ｈ），６．６３（ｄ，１Ｈ），６．５８（ｔ，１Ｈ），６．２６（ｄ，１Ｈ），２．６３（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−４＞
本発明化合物（Ｉｒ−６２）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−６２）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物２１．７ｇ、１−フェニルイソキノリン２８．４ｇ、ＤＭＦ４４０ｍｌおよび純水６０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、１０００Ｗ）を３０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させた後、沈殿をろ取し、純水およびメタノールで洗浄して、（Ｉｒ−６２−Ａ）を収率９５％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物２１．７ｇ、１−フェニルイソキノリン２８．４ｇ、ＤＭＦ４４０ｍｌおよび純水６０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、１０００Ｗ）を３０分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させた後、沈殿をろ取し、純水およびメタノールで洗浄して、（Ｉｒ−６２−Ａ）を収率９５％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６２−Ａ）を１２．２ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀５．１５ｇ、メタノール４００ｍｌおよびジクロロメタン１２５０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−６２−Ｂ）を収率９４％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６２−Ａ）を１２．２ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀５．１５ｇ、メタノール４００ｍｌおよびジクロロメタン１２５０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−６２−Ｂ）を収率９４％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−６２−Ｂ）を１．９９ｇと、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２．４６ｇ、エタノール１００ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、１００℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−６２）を収率２９．８％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．９２−８．９８（ｍ，２Ｈ），８．７４（ｄ，１Ｈ），８．２１（ｄ，２Ｈ），８．１４（ｄ，１Ｈ），７．７４−７．９９（ｍ，９Ｈ），７．５０−７．５６（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｄ，１Ｈ），７．１９（ｔ，１Ｈ），６．９０−６．９８（ｍ，３Ｈ），６．７９−６．８６（ｍ，２Ｈ），６．６３（ｔ，１Ｈ），６．５４（ｄ，１Ｈ），２．６２（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−６２−Ｂ）を１．９９ｇと、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２．４６ｇ、エタノール１００ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、１００℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−６２）を収率２９．８％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．９２−８．９８（ｍ，２Ｈ），８．７４（ｄ，１Ｈ），８．２１（ｄ，２Ｈ），８．１４（ｄ，１Ｈ），７．７４−７．９９（ｍ，９Ｈ），７．５０−７．５６（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｄ，１Ｈ），７．１９（ｔ，１Ｈ），６．９０−６．９８（ｍ，３Ｈ），６．７９−６．８６（ｍ，２Ｈ），６．６３（ｔ，１Ｈ），６．５４（ｄ，１Ｈ），２．６２（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−５＞
本発明化合物（Ｉｒ−６３）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−６３）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、１−（ｐ−トリル）イソキノリン２．１７ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−６３−Ａ）を収率６２％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、１−（ｐ−トリル）イソキノリン２．１７ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−６３−Ａ）を収率６２％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６３−Ａ）５００ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀２１２．７ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン４８ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−６３−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６３−Ａ）５００ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀２１２．７ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン４８ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−６３−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−６３−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン４５９．３ｍｇ、エタノール２４ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で８７時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて再結晶させ、（Ｉｒ−６３）を収率２２．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１８（ｄ，１Ｈ），８．９４−９．１７（ｍ，２Ｈ），８．６２（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），７．６２−７．８２（ｍ，９Ｈ），７．４６（ｄ，１Ｈ），７．２９（ｄ，１Ｈ），７．２４（ｔ，１Ｈ），７．２０（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｄ，１Ｈ），６．９９（ｄ，１Ｈ），６．８６（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｄ，１Ｈ），６．７９（ｄ，１Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），２．６０（ｓ，３Ｈ），２．１６（ｓ，３Ｈ），２．００（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−６３−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン４５９．３ｍｇ、エタノール２４ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で８７時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて再結晶させ、（Ｉｒ−６３）を収率２２．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１８（ｄ，１Ｈ），８．９４−９．１７（ｍ，２Ｈ），８．６２（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），７．６２−７．８２（ｍ，９Ｈ），７．４６（ｄ，１Ｈ），７．２９（ｄ，１Ｈ），７．２４（ｔ，１Ｈ），７．２０（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｄ，１Ｈ），６．９９（ｄ，１Ｈ），６．８６（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｄ，１Ｈ），６．７９（ｄ，１Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），２．６０（ｓ，３Ｈ），２．１６（ｓ，３Ｈ），２．００（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−６＞
本発明化合物（Ｉｒ−３３）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−３３）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、３−メチル−２−フェニルキノリン２．７３ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−３３−Ａ）を収率４１％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、３−メチル−２−フェニルキノリン２．７３ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−３３−Ａ）を収率４１％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−３３−Ａ）９９５．３ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４２３．４ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン１３６ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−３３−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−３３−Ａ）９９５．３ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４２３．４ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン１３６ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−３３−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−３３−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン９１４．１ｍｇ、エタノール５１ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて再結晶させ、（Ｉｒ−３３）を収率４２．０％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：８．９８（ｄ，１Ｈ），８．４２（ｄ，１Ｈ），８．２４（ｓ，１Ｈ），８．０６−８．１１（ｍ，３Ｈ），７．８８（ｄ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｓ，１Ｈ），７．６５（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．４０（ｄ，１Ｈ），７．３２（ｄ，１Ｈ），７．３１（ｓ，１Ｈ），７．２７（ｔ，１Ｈ），７．１７（ｔ，１Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９３−６．９６（ｍ，２Ｈ），６．８８（ｔ，１Ｈ），６．７４−６．８１（ｍ，２Ｈ），６．５１−６．５９（ｍ，３Ｈ），６．４４（ｄ，１Ｈ），３．１２（ｓ，３Ｈ），３．０１（ｓ，３Ｈ），２．６０（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−３３−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン９１４．１ｍｇ、エタノール５１ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて再結晶させ、（Ｉｒ−３３）を収率４２．０％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：８．９８（ｄ，１Ｈ），８．４２（ｄ，１Ｈ），８．２４（ｓ，１Ｈ），８．０６−８．１１（ｍ，３Ｈ），７．８８（ｄ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｓ，１Ｈ），７．６５（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．４０（ｄ，１Ｈ），７．３２（ｄ，１Ｈ），７．３１（ｓ，１Ｈ），７．２７（ｔ，１Ｈ），７．１７（ｔ，１Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９３−６．９６（ｍ，２Ｈ），６．８８（ｔ，１Ｈ），６．７４−６．８１（ｍ，２Ｈ），６．５１−６．５９（ｍ，３Ｈ），６．４４（ｄ，１Ｈ），３．１２（ｓ，３Ｈ），３．０１（ｓ，３Ｈ），２．６０（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−７＞
本発明化合物（Ｉｒ−３８）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−３８）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物１．４１ｇ、２−（３−（ｔ−ブチル）フェニル）キノリン２．６１ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−３８−Ａ）を収率５５％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物１．４１ｇ、２−（３−（ｔ−ブチル）フェニル）キノリン２．６１ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−３８−Ａ）を収率５５％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−３８−Ａ）１．３ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４９０．７ｍｇ、メタノール１．２ｍｌおよびジクロロメタン２０２ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−３８−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−３８−Ａ）１．３ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４９０．７ｍｇ、メタノール１．２ｍｌおよびジクロロメタン２０２ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−３８−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−３８−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン１．０６ｇ、エタノール５５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて２回再結晶させ、（Ｉｒ−３８）を収率２３．１％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：９．０１（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｄ，１Ｈ），８．５３（ｄ，２Ｈ），８．４８（ｄ，２Ｈ），８．３０（ｄ，１Ｈ），７．９７−８．０８（ｍ，５Ｈ），７．９１（ｓ，１Ｈ），７．７８−７．８１（ｍ，２Ｈ），７．７０（ｔ，１Ｈ），７．５０（ｄ，１Ｈ），７．３２（ｔ，１Ｈ），７．１８（ｔ，１Ｈ），７．０８（ｔ，１Ｈ），６．８８（ｔ，１Ｈ），６．７８（ｄ，１Ｈ），６．７２（ｔ，１Ｈ），６．５４−６．５９（ｍ，２Ｈ），６．３０（ｄ，１Ｈ），５．９１（ｄ，１Ｈ），２．６３（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．２３（ｓ，９Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−３８−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン１．０６ｇ、エタノール５５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとメタノールを用いて２回再結晶させ、（Ｉｒ−３８）を収率２３．１％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：９．０１（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｄ，１Ｈ），８．５３（ｄ，２Ｈ），８．４８（ｄ，２Ｈ），８．３０（ｄ，１Ｈ），７．９７−８．０８（ｍ，５Ｈ），７．９１（ｓ，１Ｈ），７．７８−７．８１（ｍ，２Ｈ），７．７０（ｔ，１Ｈ），７．５０（ｄ，１Ｈ），７．３２（ｔ，１Ｈ），７．１８（ｔ，１Ｈ），７．０８（ｔ，１Ｈ），６．８８（ｔ，１Ｈ），６．７８（ｄ，１Ｈ），６．７２（ｔ，１Ｈ），６．５４−６．５９（ｍ，２Ｈ），６．３０（ｄ，１Ｈ），５．９１（ｄ，１Ｈ），２．６３（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．２３（ｓ，９Ｈ）．
＜実施例Ｉ−８＞
本発明化合物（Ｉｒ−５５）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−５５）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、２−（３−（ｔ−ブチル）フェニル）−３−メチルキノリン２．１７ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−５５−Ａ）を収率３８％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、２−（３−（ｔ−ブチル）フェニル）−３−メチルキノリン２．１７ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−５５−Ａ）を収率３８％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−５５−Ａ）１．２５６ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４１５．６ｍｇ、メタノール１．１ｍｌおよびジクロロメタン３９ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−５５−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−５５−Ａ）１．２５６ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀４１５．６ｍｇ、メタノール１．１ｍｌおよびジクロロメタン３９ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−５５−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−５５−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン６５０ｍｇ、エタノール５５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−５５）を収率３１．６％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：８．９８（ｄ，１Ｈ），８．４１（ｄ，１Ｈ），８．２５（ｓ，１Ｈ），８．１８（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｓ，１Ｈ），８．１１（ｓ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｓ，１Ｈ），７．６３（ｔ，１Ｈ），７．５５（ｔ，１Ｈ），７．３９（ｄ，１Ｈ），７．３５（ｄ，１Ｈ），７．２８（ｔ，１Ｈ），７．２３（ｓ，１Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），６．８２−６．９６（ｍ，４Ｈ），６．６４（ｄ，１Ｈ），６．５５（ｔ，１Ｈ），６．４１（ｄ，１Ｈ），６．２９（ｄ，１Ｈ），３．１３（ｓ，３Ｈ），３．０４（ｓ，３Ｈ），２．５９（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｓ，９Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−５５−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン６５０ｍｇ、エタノール５５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−５５）を収率３１．６％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：８．９８（ｄ，１Ｈ），８．４１（ｄ，１Ｈ），８．２５（ｓ，１Ｈ），８．１８（ｄ，１Ｈ），８．１４（ｓ，１Ｈ），８．１１（ｓ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｓ，１Ｈ），７．６３（ｔ，１Ｈ），７．５５（ｔ，１Ｈ），７．３９（ｄ，１Ｈ），７．３５（ｄ，１Ｈ），７．２８（ｔ，１Ｈ），７．２３（ｓ，１Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），６．８２−６．９６（ｍ，４Ｈ），６．６４（ｄ，１Ｈ），６．５５（ｔ，１Ｈ），６．４１（ｄ，１Ｈ），６．２９（ｄ，１Ｈ），３．１３（ｓ，３Ｈ），３．０４（ｓ，３Ｈ），２．５９（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｓ，９Ｈ）．
＜実施例Ｉ−９＞
本発明化合物（Ｉｒ−５８）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−５８）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物４２４ｍｇ、２，６−ジフェニルキノリン７４５ｍｇ、２−エトキシエタノール１１ｍｌおよび純水３．６ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−５８−Ａ）を収量４５２ｍｇ得た。
３塩化イリジウムｎ水和物４２４ｍｇ、２，６−ジフェニルキノリン７４５ｍｇ、２−エトキシエタノール１１ｍｌおよび純水３．６ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−５８−Ａ）を収量４５２ｍｇ得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−５８−Ａ）４５２．１ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀１４７．３ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン３０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−５８−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−５８−Ａ）４５２．１ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀１４７．３ｍｇ、メタノール１ｍｌおよびジクロロメタン３０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−５８−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−５８−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２７９．９ｍｇ、２−エトキシエタノール６ｍｌ、ＤＭＦ６ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、１３０℃で６２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−５８）を収率１％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．５１（ｄ，１Ｈ），８．３５（ｄ，１Ｈ），８．３３（ｄ，１Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．１６−８．１９（ｍ，２Ｈ），７．９３−８．０１（ｍ，５Ｈ），７．８６（ｓ，１Ｈ），７．７１（ｔ，１Ｈ），７．６３（ｄ，１Ｈ），７．６２（ｔ，１Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４４（ｄ，２Ｈ），７．２６−７．３９（ｍ，６Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），７．０７−７．１１（ｍ，２Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９２（ｔ，１Ｈ），６．７９（ｔ，１Ｈ），６．７４（ｄ，１Ｈ），６．５９（ｄ，１Ｈ），６．５５（ｔ，１Ｈ），６．１７（ｄ，１Ｈ），２．６７（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−５８−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２７９．９ｍｇ、２−エトキシエタノール６ｍｌ、ＤＭＦ６ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、１３０℃で６２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−５８）を収率１％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．５１（ｄ，１Ｈ），８．３５（ｄ，１Ｈ），８．３３（ｄ，１Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．１６−８．１９（ｍ，２Ｈ），７．９３−８．０１（ｍ，５Ｈ），７．８６（ｓ，１Ｈ），７．７１（ｔ，１Ｈ），７．６３（ｄ，１Ｈ），７．６２（ｔ，１Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４４（ｄ，２Ｈ），７．２６−７．３９（ｍ，６Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），７．０７−７．１１（ｍ，２Ｈ），６．９９（ｔ，１Ｈ），６．９２（ｔ，１Ｈ），６．７９（ｔ，１Ｈ），６．７４（ｄ，１Ｈ），６．５９（ｄ，１Ｈ），６．５５（ｔ，１Ｈ），６．１７（ｄ，１Ｈ），２．６７（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−１０＞
本発明化合物（Ｉｒ−６０）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−６０）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）キノリン３．２１ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−６０−Ａ）を収量３３２ｍｇで得た。
３塩化イリジウムｎ水和物１．４０ｇ、２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）キノリン３．２１ｇ、２−エトキシエタノール３４ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、１２０℃で２０時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後、析出物をろ取し、メタノールと純水で洗浄して、化合物（Ｉｒ−６０−Ａ）を収量３３２ｍｇで得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６０−Ａ）６２４．４ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀２０３．１ｍｇ、メタノール０．５ｍｌおよびジクロロメタン１８ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−６０−Ｂ）を収率９９％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−６０−Ａ）６２４．４ｍｇ、トリフルオロメタンスルホン酸銀２０３．１ｍｇ、メタノール０．５ｍｌおよびジクロロメタン１８ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過した後、溶媒を減圧留去して、化合物（Ｉｒ−６０−Ｂ）を収率９９％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた（Ｉｒ−６０−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン４３８．６ｍｇ、エタノール２４ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−６０）を収率９．７％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．５６（ｄ，１Ｈ），８．４１（ｄ，１Ｈ），８．３１（ｄ，１Ｈ），８．２９（ｄ，１Ｈ），８．２１（ｄ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），８．０９（ｓ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｓ，１Ｈ），７．９３（ｓ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．７２（ｔ，１Ｈ），７．５８−７．６５（ｍ，３Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ），７．２７（ｔ，１Ｈ），７．２０（ｔ，１Ｈ），７．０９−７．１７（ｍ，３Ｈ），６．９４−７．００（ｍ，３Ｈ），６．７６−６．８７（ｍ，５Ｈ），６．５６（ｓ，１Ｈ），２．６４（ｓ，３Ｈ），１．６４（ｓ，３Ｈ），１．５７（ｓ，３Ｈ），１．４９（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた（Ｉｒ−６０−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン４３８．６ｍｇ、エタノール２４ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９０℃で７２時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−６０）を収率９．７％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤ２Ｃｌ２）δ：９．１０（ｄ，１Ｈ），８．５６（ｄ，１Ｈ），８．４１（ｄ，１Ｈ），８．３１（ｄ，１Ｈ），８．２９（ｄ，１Ｈ），８．２１（ｄ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），８．０９（ｓ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｓ，１Ｈ），７．９３（ｓ，１Ｈ），７．７９（ｄ，１Ｈ），７．７２（ｔ，１Ｈ），７．５８−７．６５（ｍ，３Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ），７．２７（ｔ，１Ｈ），７．２０（ｔ，１Ｈ），７．０９−７．１７（ｍ，３Ｈ），６．９４−７．００（ｍ，３Ｈ），６．７６−６．８７（ｍ，５Ｈ），６．５６（ｓ，１Ｈ），２．６４（ｓ，３Ｈ），１．６４（ｓ，３Ｈ），１．５７（ｓ，３Ｈ），１．４９（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−１１＞
本発明化合物（Ｉｒ−７７）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−７７）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物０．８５７ｇ、３−フェニルイソキノリン１．１３ｇ、ＤＭＦ４０ｍｌおよび純水１０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、３００Ｗ）を４５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させた後、沈殿をろ取し、純水およびメタノールで洗浄して、（Ｉｒ−７７−Ａ）を収率８８．８％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物０．８５７ｇ、３−フェニルイソキノリン１．１３ｇ、ＤＭＦ４０ｍｌおよび純水１０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、３００Ｗ）を４５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させた後、沈殿をろ取し、純水およびメタノールで洗浄して、（Ｉｒ−７７−Ａ）を収率８８．８％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−７７−Ａ）を全量と、トリフルオロメタンスルホン酸銀０．５７８ｇ、メタノール４０ｍｌおよびジクロロメタン６０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−７７−Ｂ）を収率１００％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−７７−Ａ）を全量と、トリフルオロメタンスルホン酸銀０．５７８ｇ、メタノール４０ｍｌおよびジクロロメタン６０ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−７７−Ｂ）を収率１００％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−７７−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２．１０ｇ、メタノール１８ｍｌ、エタノール４２ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−７７）を収率１９．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１２（ｄ，１Ｈ），８．７２（ｄ，１Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ），８．５５（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，１Ｈ），７．９２−８．０５（ｍ，３Ｈ），７．６９−７．９２（ｍ，８Ｈ），７．４２−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），６．９１（ｄ，１Ｈ），６．８６（ｔ，１Ｈ），６．８１（ｔ，１Ｈ），６．６６−６．７３（ｍ，２Ｈ），６．５３（ｔ，１Ｈ），６．２８（ｄ，１Ｈ），２．６９（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−７７−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン２．１０ｇ、メタノール１８ｍｌ、エタノール４２ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−７７）を収率１９．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１２（ｄ，１Ｈ），８．７２（ｄ，１Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ），８．５５（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，１Ｈ），７．９２−８．０５（ｍ，３Ｈ），７．６９−７．９２（ｍ，８Ｈ），７．４２−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．１６（ｔ，１Ｈ），６．９１（ｄ，１Ｈ），６．８６（ｔ，１Ｈ），６．８１（ｔ，１Ｈ），６．６６−６．７３（ｍ，２Ｈ），６．５３（ｔ，１Ｈ），６．２８（ｄ，１Ｈ），２．６９（ｓ，３Ｈ）．
＜実施例Ｉ−１２＞
本発明化合物（Ｉｒ−９５）の合成
本発明化合物（Ｉｒ−９５）の合成
＜ステップ１＞
３塩化イリジウムｎ水和物２．００ｇ、３−ビフェニルイソキノリン５．７０ｇ、ＤＭＦ６６ｍｌおよび純水１０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、４００Ｗ）を２５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させ、純水を投入した後、沈殿をろ取し、純水、メタノールおよびアセトンで洗浄して、（Ｉｒ−９５−Ａ）を収率９１．５％で得た。
３塩化イリジウムｎ水和物２．００ｇ、３−ビフェニルイソキノリン５．７０ｇ、ＤＭＦ６６ｍｌおよび純水１０ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、４００Ｗ）を２５分間照射した。反応溶液を室温まで冷却させ、純水を投入した後、沈殿をろ取し、純水、メタノールおよびアセトンで洗浄して、（Ｉｒ−９５−Ａ）を収率９１．５％で得た。
＜ステップ２＞
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−９５−Ａ）を１．１１ｇと、トリフルオロメタンスルホン酸銀０．３７０ｇ、メタノール５５ｍｌおよびジクロロメタン５５ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−９５−Ｂ）を収率８９．７％で得た。
ステップ１で得られた化合物（Ｉｒ−９５−Ａ）を１．１１ｇと、トリフルオロメタンスルホン酸銀０．３７０ｇ、メタノール５５ｍｌおよびジクロロメタン５５ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、室温で２４時間反応させた。反応溶液をセライトろ過し、溶媒を減圧留去して、（Ｉｒ−９５−Ｂ）を収率８９．７％で得た。
＜ステップ３＞
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−９５−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン１．３８ｇ、メタノール１５ｍｌ、エタノール３５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルムとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−９５）を収率１５．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．０２−９．１３（ｍ，２Ｈ），９．０２（ｄ，１Ｈ），８．７６（ｄ，１Ｈ），８．４４（ｓ，２Ｈ），８．１７（ｄ，１Ｈ），７．９７−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．９２（ｍ，７Ｈ），７．５７−７．７１（ｍ，７Ｈ），７．４８（ｄ，１Ｈ），７．３８−７．４４（ｍ，４Ｈ），７．１８−７．３１（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，１Ｈ），７．０１（ｄ，１Ｈ），６．９６（ｄ，１Ｈ），６．７０（ｄ，１Ｈ），２．６４（ｓ，３Ｈ）．
ステップ２で得られた化合物（Ｉｒ−９５−Ｂ）を全量と、２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン１．３８ｇ、メタノール１５ｍｌ、エタノール３５ｍｌを加え、アルゴン雰囲気下、９５℃で４８時間加熱反応させた。反応溶液を室温まで冷却させた後に、溶媒を減圧留去した。得られた固体をジクロロメタンに溶解しセライトろ過した。ろ液にメタノールを投入し、析出物をろ取した。これをジクロロメタンとヘキサンを用いて再結晶させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルムとヘキサン）で精製し、（Ｉｒ−９５）を収率１５．３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．０２−９．１３（ｍ，２Ｈ），９．０２（ｄ，１Ｈ），８．７６（ｄ，１Ｈ），８．４４（ｓ，２Ｈ），８．１７（ｄ，１Ｈ），７．９７−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．９２（ｍ，７Ｈ），７．５７−７．７１（ｍ，７Ｈ），７．４８（ｄ，１Ｈ），７．３８−７．４４（ｍ，４Ｈ），７．１８−７．３１（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，１Ｈ），７．０１（ｄ，１Ｈ），６．９６（ｄ，１Ｈ），６．７０（ｄ，１Ｈ），２．６４（ｓ，３Ｈ）．
＜比較例Ｉ−１＞
比較化合物（１）の合成
比較化合物（１）の合成
ステップ１ 化合物（Ｈ）の合成
３塩化イリジウムｎ水和物８．０６ｇ、化合物（Ａ）１３．０８ｇ、ＤＭＦ１６１ｍｌおよび純水１１ｍｌを三口フラスコに入れ、ジムロート冷却器を取り付け、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、５００Ｗ〜７００Ｗ）を４５分間照射した。反応溶液を減圧留去した後、メタノールおよびアセトンを投入し、析出物をろ取した。純水、メタノール、アセトンで洗浄して、化合物（Ｈ）を収率５６％で得た。
ステップ２ 比較化合物（１）の合成
化合物（Ｈ）４．２４ｇ、２，４−ペンタンジオナトナトリウム５．４３ｇ、２−エトキシエタノール１５０ｍｌおよびＤＭＦ１００ｍｌを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを通気しながら、マイクロ波（２４５０ＭＨｚ、４５０Ｗ）を１５分間照射した。反応溶液に純水１２５ｍｌを投入し懸濁させ、ろ過にて析出物を回収して、比較化合物（１）を収率７０％で得た。１Ｈ−ＮＭＲのデータを以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１８（ｄ，２Ｈ），８．７５（ｓ，２Ｈ），８．７１（ｄ，２Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），７．８１−７．９０（ｍ，４Ｈ），６．９９（ｔ，２Ｈ），６．２５（ｄ，２Ｈ），５．３９（ｓ，１Ｈ），３．０３（ｓ，６Ｈ），１．８１（ｓ，６Ｈ）．
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＳＯ）δ：９．１８（ｄ，２Ｈ），８．７５（ｓ，２Ｈ），８．７１（ｄ，２Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），７．８１−７．９０（ｍ，４Ｈ），６．９９（ｔ，２Ｈ），６．２５（ｄ，２Ｈ），５．３９（ｓ，１Ｈ），３．０３（ｓ，６Ｈ），１．８１（ｓ，６Ｈ）．
次に本発明に係るイリジウム錯体の溶液中の発光特性について記載する。
＜実施例ＩＩ−１＞
本発明化合物（Ｉｒ−２）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。発光量子収率は０．１７であった。
本発明化合物（Ｉｒ−２）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。発光量子収率は０．１７であった。
＜実施例ＩＩ−２＞
本発明化合物（Ｉｒ−１０）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−１０）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３２ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。発光量子収率は０．２７であった。発光スペクトルを図１に示す。
本発明化合物（Ｉｒ−１０）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−１０）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３２ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。発光量子収率は０．２７であった。発光スペクトルを図１に示す。
＜実施例ＩＩ−３＞
本発明化合物（Ｉｒ−６２）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６１９ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）であった。発光量子収率は０．５９であった。
本発明化合物（Ｉｒ−６２）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６１９ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）であった。発光量子収率は０．５９であった。
＜実施例ＩＩ−４＞
本発明化合物（Ｉｒ−６３）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６２５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）であった。発光量子収率は０．６１であった。
本発明化合物（Ｉｒ−６３）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６２５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）であった。発光量子収率は０．６１であった。
＜実施例ＩＩ−５＞
本発明化合物（Ｉｒ−３８）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−３８）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６１５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。発光量子収率は０．７１であった。
本発明化合物（Ｉｒ−３８）のＴＨＦ中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−３８）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６１５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。発光量子収率は０．７１であった。
＜実施例ＩＩ−６＞
本発明化合物（Ｉｒ−６０）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６０）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。発光量子収率は０．６９であった。
本発明化合物（Ｉｒ−６０）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６０）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。発光量子収率は０．６９であった。
＜実施例ＩＩ−７＞
本発明化合物（Ｉｒ−７７）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−７７）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６５６ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３３）であった。発光量子収率は０．２２であった。
本発明化合物（Ｉｒ−７７）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−７７）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６５６ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３３）であった。発光量子収率は０．２２であった。
＜実施例ＩＩ−８＞
本発明化合物（Ｉｒ−９５）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−９５）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６２５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３３）であった。発光量子収率は０．４７であった。
本発明化合物（Ｉｒ−９５）のクロロホルム中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−９５）をクロロホルムに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、赤色発光（発光極大波長：６２５ｎｍ）を示した。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３３）であった。発光量子収率は０．４７であった。
＜比較例ＩＩ−１＞
比較化合物（１）の発光特性
比較化合物（１）の溶液中の発光特性については、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁（非特許文献１）に記載がある。すなわち、ジクロロメタン中での発光極大波長は６０８ｎｍであり、橙赤色発光を示すことが示されている。
比較化合物（１）の発光特性
比較化合物（１）の溶液中の発光特性については、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁（非特許文献１）に記載がある。すなわち、ジクロロメタン中での発光極大波長は６０８ｎｍであり、橙赤色発光を示すことが示されている。
＜比較例ＩＩ−２＞
比較化合物（２）の発光特性
比較化合物（２）の発光特性
比較化合物（２）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、微弱な深赤色発光（発光極大波長：６８７ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．０２８であった。
＜比較例ＩＩ−３＞
比較化合物（３）の発光特性
比較化合物（３）の発光特性
比較化合物（３）をＴＨＦに溶解させ、アルゴンガスを通気した後、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、微弱な深赤色発光（発光極大波長：６９１ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．０１７であった。
実施例ＩＩ−１〜実施例ＩＩ−８より、本発明化合物はいずれも室温下、ＴＨＦまたはクロロホルム中で赤色発光を示すことが明らかとなった。本発明化合物の発光スペクトルは、比較化合物（１）よりも長波長シフトし、またそのＣＩＥ色度から純赤色発光を実現できたことが明らかとなった。一方、比較化合物（２）および（３）の発光は微弱な深赤色であり、本発明化合物の方が優れた赤色発光特性を示すことが明らかになった。
次に本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体の熱的安定性および昇華性を確認するため、昇華精製実験について説明する。
＜実施例ＩＩＩ−１＞
本発明化合物（Ｉｒ−２）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−２）１１６ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は９９．５％であった。なお昇華残渣はなく、昇華精製による分解は観測されなかった。０．５％は残留溶媒等の低沸点成分であると推測され、マテリアルバランスは９９．５％であった。
本発明化合物（Ｉｒ−２）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−２）１１６ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は９９．５％であった。なお昇華残渣はなく、昇華精製による分解は観測されなかった。０．５％は残留溶媒等の低沸点成分であると推測され、マテリアルバランスは９９．５％であった。
＜実施例ＩＩＩ−２＞
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−１０）１３９ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３１５〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８８％であった。昇華残渣は投入量の１２％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは１００％であった。
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−１０）１３９ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３１５〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８８％であった。昇華残渣は投入量の１２％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは１００％であった。
＜実施例ＩＩＩ−３＞
本発明化合物（Ｉｒ−３８）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−３８）１８７ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８５％であった。昇華残渣は投入量の２％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは８７％であった。
本発明化合物（Ｉｒ−３８）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−３８）１８７ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８５％であった。昇華残渣は投入量の２％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは８７％であった。
＜実施例ＩＩＩ−４＞
本発明化合物（Ｉｒ−７７）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−７７）１５９ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３３０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は９３％であった。昇華残渣は投入量の４％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは９７％であった。
本発明化合物（Ｉｒ−７７）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−７７）１５９ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３３０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は９３％であった。昇華残渣は投入量の４％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは９７％であった。
＜実施例ＩＩＩ−５＞
本発明化合物（Ｉｒ−９５）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−９５）１２５ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３４０〜３６０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８４％であった。昇華残渣は投入量の９％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは９３％であった。
本発明化合物（Ｉｒ−９５）の昇華精製
本発明化合物（Ｉｒ−９５）１２５ｍｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３４０〜３６０℃の条件下で、９時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は８４％であった。昇華残渣は投入量の９％と少なかった。昇華精製による分解は観測されず、マテリアルバランスは９３％であった。
＜比較例ＩＩＩ−１＞
比較化合物（１）の昇華精製
比較化合物（１）４．２３ｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、３２時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は２６％であった。昇華残渣は投入量の７０％と非常に多かった。昇華残渣をＨＰＬＣで分析したところ、分解反応も進行していることがわかった。さらにマテリアルバランスは９６％であり、これは分解により生じた低沸点成分が留去されたことによる結果であると推測された。
比較化合物（１）の昇華精製
比較化合物（１）４．２３ｇを昇華精製装置（Ｐ−２００、エイエルエス・テクノロジー社製）に入れ、真空度１×１０−４Ｐａ、温度３００〜３２０℃の条件下で、３２時間かけて昇華精製したところ、昇華精製品の収率は２６％であった。昇華残渣は投入量の７０％と非常に多かった。昇華残渣をＨＰＬＣで分析したところ、分解反応も進行していることがわかった。さらにマテリアルバランスは９６％であり、これは分解により生じた低沸点成分が留去されたことによる結果であると推測された。
実施例ＩＩＩおよび比較例ＩＩＩの昇華精製の結果を比較すると、本発明化合物は、比較化合物（１）と比較して、収率良く昇華精製できることが明らかになった。今回、比較化合物（１）で使用されているアセチルアセトン配位子を、強固なイリジウム−炭素結合を有するシクロメタル化配位子に変更することで、燐光材料の熱安定性と昇華性が劇的に改善され、昇華残渣は大きく減少することが明らかになった。
次に本発明に係るイリジウム錯体の薄膜中の発光特性について記載する。
＜実施例ＩＶ−１＞
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−１０）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．６１であった。
本発明化合物（Ｉｒ−１０）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−１０）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６３０ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．６１であった。
＜実施例ＩＶ−２＞
本発明化合物（Ｉｒ−６２）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６２）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６１９ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．６９であった。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。
本発明化合物（Ｉｒ−６２）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６２）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６１９ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．６９であった。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。
＜実施例ＩＶ−３＞
本発明化合物（Ｉｒ−６３）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６３）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６２７ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．７４であった。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。
本発明化合物（Ｉｒ−６３）の薄膜中の発光特性
本発明化合物（Ｉｒ−６３）と４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（以降、ＣＢＰという）とを、真空度１×１０−４Ｐａで、石英基板上に１０：９０（質量濃度比）で共蒸着（３０ｎｍ）し、浜松ホトニクス株式会社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０）を用いて、室温での発光スペクトル（励起波長：３４０ｎｍ）を測定したところ、色純度の良好な赤色発光（発光極大波長：６２７ｎｍ）を示した。発光量子収率は０．７４であった。ＣＩＥ色度は（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。
＜比較例ＩＶ−１＞
比較化合物（１）の発光特性
比較化合物（１）の発光特性については、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁（非特許文献１）に記載がある。すなわち、ＣＢＰ薄膜中での発光極大波長は６００〜６１４ｎｍであり、橙赤色発光を示すことが示されている。
比較化合物（１）の発光特性
比較化合物（１）の発光特性については、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００３年、１５巻、２２４−２２８頁（非特許文献１）に記載がある。すなわち、ＣＢＰ薄膜中での発光極大波長は６００〜６１４ｎｍであり、橙赤色発光を示すことが示されている。
実施例ＩＶ−１〜実施例ＩＶ−３より、本発明化合物は室温下、ＣＢＰ薄膜中で赤色発光を示すことが明らかとなった。本発明化合物は、比較化合物（１）よりも発光波長が長波長シフトし、色純度の良好な赤色発光を実現できていることが明らかとなった。
次に本発明に係る一般式（１）で表されるイリジウム錯体を用いて作製した有機電界発光素子の特性について記載する。
本実施例で使用した化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−６）の構造式を以下に示す。
＜実施例Ｖ−１＞
本発明化合物（Ｉｒ−１０）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
陽極として、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を１００ｎｍの膜厚で線幅２ｍｍの櫛形にパターニングして成膜された無アルカリガラス基板（厚木ミクロ社製）を透明導電性支持基板として用いた。これを超純水、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。次いで、ＵＶ／オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
本発明化合物（Ｉｒ−１０）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
陽極として、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を１００ｎｍの膜厚で線幅２ｍｍの櫛形にパターニングして成膜された無アルカリガラス基板（厚木ミクロ社製）を透明導電性支持基板として用いた。これを超純水、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、次いでＩＰＡで煮沸洗浄後乾燥した。次いで、ＵＶ／オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
上記透明導電性支持基板上に、以下の有機層（正孔注入層、正孔輸送層、ホスト材料層、発光層、正孔阻止層および電子輸送層）を１×１０−４Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着で順次製膜し、次いでマスク交換して線幅２ｍｍの電極層（電子注入層および金属電極層）を順次製膜して、有機電界発光素子を作製した。次いで、素子が大気に曝されないよう窒素雰囲気のグローブボックス内で封止する作業を行った。厚さ３ｍｍのガラス板の中央部に１．５ｍｍの掘り込みを付けた封止ガラス（泉陽商事社製）の周囲にＵＶ硬化性エポキシ樹脂デナタイトＲ（ナガセケミテック社製）を塗布して蒸着済素子に被せ圧着した後、素子部分をアルミニウム板で覆ってマスキングしシャッター付きＵＶ照射装置で１分間照射後１分間遮蔽のサイクルを５回繰り返して封止した。
正孔注入層（１０ｎｍ）：化合物（Ｅ−１）
正孔輸送層（４０ｎｍ）：化合物（Ｅ−２）
発光層（２０ｎｍ）：本発明化合物（Ｉｒ−１０）（質量濃度１５％）と化合物（Ｅ−３）（質量濃度８５％）とを共蒸着
正孔阻止層（１０ｎｍ）：化合物（Ｅ−４）
電子輸送層（３０ｎｍ）：化合物（Ｅ−５）
電子注入層（０．５ｎｍ）：化合物（Ｅ−６）
金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
正孔輸送層（４０ｎｍ）：化合物（Ｅ−２）
発光層（２０ｎｍ）：本発明化合物（Ｉｒ−１０）（質量濃度１５％）と化合物（Ｅ−３）（質量濃度８５％）とを共蒸着
正孔阻止層（１０ｎｍ）：化合物（Ｅ−４）
電子輸送層（３０ｎｍ）：化合物（Ｅ−５）
電子注入層（０．５ｎｍ）：化合物（Ｅ−６）
金属電極層（１００ｎｍ）：Ａｌ
得られた有機電界発光素子を浜松ホトニクス社製のＥＬ外部量子収率計測用積分球ユニットＡ１００９４のサンプルホルダーにセットし、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製ソースメーター２４００を用いて、直流定電圧を印加し、発光させ、その輝度、発光波長およびＣＩＥ色度座標を、浜松ホトニクス社製マルチチャンネル分光器ＰＭＡ−１２を用いて測定した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３６）、発光ピーク波長が６２５ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は２３２００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は９．４％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。発光スペクトルを図２に示す。
＜実施例Ｖ−２＞
本発明化合物（Ｉｒ−６２）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−６２）を用いて、発光層における本発明化合物（Ｉｒ−６２）の質量濃度２０％とした以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）、発光ピーク波長が６１３ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は２８９００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．５％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
本発明化合物（Ｉｒ−６２）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−６２）を用いて、発光層における本発明化合物（Ｉｒ−６２）の質量濃度２０％とした以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）、発光ピーク波長が６１３ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は２８９００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．５％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
＜実施例Ｖ−３＞
本発明化合物（Ｉｒ−６３）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−６３）を用いて、発光層における本発明化合物（Ｉｒ−６３）の質量濃度２０％とした以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）、発光ピーク波長が６２１ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は１６３００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．３％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
本発明化合物（Ｉｒ−６３）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−６３）を用いて、発光層における本発明化合物（Ｉｒ−６３）の質量濃度２０％とした以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）、発光ピーク波長が６２１ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は１６３００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．３％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
＜実施例Ｖ−４＞
本発明化合物（Ｉｒ−９５）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−９５）を用いた以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）、発光ピーク波長が６２１ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は２３７００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．０％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
本発明化合物（Ｉｒ−９５）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに（Ｉｒ−９５）を用いた以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６６，０．３４）、発光ピーク波長が６２１ｎｍの純赤色発光が得られ、最高輝度は２３７００ｃｄ／ｍ２、外部量子効率は８．０％（１０００ｃｄ／ｍ２のとき）の発光特性が得られた。
＜比較例Ｖ−１＞
比較化合物（１）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに比較化合物（１）を用いた以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６１，０．３９）、発光ピーク波長が６０４ｎｍの橙色発光が得られ、最高輝度は３４２００ｃｄ／ｍ２の発光特性が得られた。したがって、比較化合物（１）を用いた場合、色純度の良好な赤色発光素子を作製できないことが明らかになった。
比較化合物（１）を用いて作製した有機電界発光素子の特性評価
実施例Ｖ−１で用いた（Ｉｒ−１０）の代わりに比較化合物（１）を用いた以外は同様の条件で有機電界発光素子を作製し、素子特性を評価した。その結果、ＣＩＥ色度が（ｘ，ｙ）＝（０．６１，０．３９）、発光ピーク波長が６０４ｎｍの橙色発光が得られ、最高輝度は３４２００ｃｄ／ｍ２の発光特性が得られた。したがって、比較化合物（１）を用いた場合、色純度の良好な赤色発光素子を作製できないことが明らかになった。
以上述べてきたように、本発明に係わる一般式（１）で表されるイリジウム錯体は、熱的安定性および昇華性に特に優れ、赤色領域に高い発光量子収率を示す新規化合物であり、有機発光素子に用いた場合、良好な発光特性を有する有機発光素子を作ることができる。また該化合物を用いた有機発光素子は高輝度発光を示すことから、表示素子、ディスプレイ、バックライト、照明光源等の分野に好適である。
Claims (10)
- 下記一般式（２）で表されることを特徴とするイリジウム錯体。
- Ｒ１８〜Ｒ２７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基であることを特徴とする請求項１に記載のイリジウム錯体。
- Ｒ１８〜Ｒ２７のうち、少なくとも一つが、アルキル基であることを特徴とする請求項１または２に記載のイリジウム錯体。
- Ｒ１８〜Ｒ２７のうち、少なくとも一つが、アリール基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のイリジウム錯体。
- 下記一般式（４）で表されることを特徴とするイリジウム錯体。
- Ｒ３８〜Ｒ４７は、各々独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基であることを特徴とする請求項５に記載のイリジウム錯体。
- Ｒ３８〜Ｒ４７のうち、少なくとも一つが、アルキル基であることを特徴とする請求項５または６に記載のイリジウム錯体。
- Ｒ３８〜Ｒ４７のうち、少なくとも一つが、アリール基であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載のイリジウム錯体。
- 請求項１〜８のいずれか一つに記載のイリジウム錯体を含むことを特徴とする発光材料。
- 請求項９に記載の発光材料を含むことを特徴とする有機発光素子。
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