TW201631299A - 液面計及液體原料氣化供給裝置 - Google Patents

液面計及液體原料氣化供給裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201631299A
TW201631299A TW104137016A TW104137016A TW201631299A TW 201631299 A TW201631299 A TW 201631299A TW 104137016 A TW104137016 A TW 104137016A TW 104137016 A TW104137016 A TW 104137016A TW 201631299 A TW201631299 A TW 201631299A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid level
temperature measuring
liquid
chamber
protective tube
Prior art date
Application number
TW104137016A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI592639B (zh
Inventor
Atsushi Hidaka
Masaaki Nagase
Kaoru Hirata
Satoru Yamashita
Keiji Hirao
Kouji Nishino
Nobukazu Ikeda
Original Assignee
Fujikin Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikin Kk filed Critical Fujikin Kk
Publication of TW201631299A publication Critical patent/TW201631299A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI592639B publication Critical patent/TWI592639B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/24—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of resistance of resistors due to contact with conductor fluid
    • G01F23/246—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of resistance of resistors due to contact with conductor fluid thermal devices
    • G01F23/247—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of resistance of resistors due to contact with conductor fluid thermal devices for discrete levels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)

Abstract

提供可在由液相切換成氣相的感測時間減少流量依存性，並且縮短感測時間的液面計及液體原料氣化供給裝置。 具備有：貯留液體原料的腔室(2)；收容有用以感測腔室(2)內的液面(L1)的測溫電阻體的至少一支保護管(3)；及控制由腔室(2)流出的氣體流量來進行供給的流量控制裝置(4)，保護管(3)以水平方向被插入在腔室(2)的側壁(2a)而予以固定。

Description

液面計及液體原料氣化供給裝置
本發明係關於液面計及液體原料氣化供給裝置，詳言之，係關於感測液面位準的液面計、及具備有該液面計的液體原料氣化供給裝置。
以往在例如使用有機金屬氣相成長法(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)的半導體製造裝置，已提出一種供給原料流體的液體原料氣化供給裝置(例如專利文獻1~3)。
該類液體原料氣化供給裝置係將TEOS(Tetraethyl orthosilicate，四乙基矽氧烷)等液體原料在氣化腔室內加熱而使其氣化，將經氣化的氣體藉由流量控制裝置控制成預定流量而供給至半導體製造裝置。接著，為了彌補藉由使液體原料氣化所致之液體原料的減少，必須藉由檢測液體原料的液面且供給減少份，來控制液面。
以檢測液體原料的液面的方法而言，已知例如藉由監測氣化器內的壓力減少，來檢測氣化器內的液體原料因氣化而減少的情形的壓力感測式液面檢測裝置(專 利文獻2等)、或利用在液相及氣相，熱放散常數為不同的熱式液面檢測裝置(專利文獻4~6等)。
在該類熱式液面檢測裝置中，係如圖15所示，將在各個封入鉑等測溫電阻體R1、R2的2支保護管3以鉛直方向插入至容器21內，在其中一方測溫電阻體R1係為了將測溫電阻體R1藉由自我發熱而保持在比周圍溫度更為高溫而流通相對較大的定電流I1(加熱電流)，在另一方測溫電阻體R2係流通以可測定周圍溫度的程度且可忽略發熱的大小的微小的定電流I2(周圍溫度測定用電流)。
如此一來，流通較大電流I1的測溫電阻體R1會發熱，但是，此時測溫電阻體處於液相L中時的熱放散常數係大於處於氣相V中時的熱放散常數，因此處於氣相V中時的測溫電阻體的溫度係比處於液相中時為較高。
接著其係意指氣相中的測溫電阻體係電阻值高於液相中的測溫電阻體，因此可藉由觀察流通較大電流的測溫電阻體R1的電壓輸出、與流通微小電流的測溫電阻體R2的電壓輸出的差分，來判別測溫電阻體為液面的上方或下方。亦即，若差分小，可判斷測溫電阻體係位於比液面更為下方，若差分大，可判斷測溫電阻體係位於比液面更為上方。
圖16係液面感測電路之一例，在測溫電阻體R1、R2係透過定電流電路S1、S2而由電源Vcc被供給定電流。以在測溫電阻體R2係流通可測定周圍溫度的程度 且可忽略發熱的大小的微小電流，在測溫電阻體R1係流通大於測溫電阻體R2的電流值的電流且為了高溫加熱測溫電阻體R1而流通相對較大的電流的方式，設定為在定電流電路S1係流通大於定電流電路S2的電流。測溫電阻體R1的端子電壓V1與測溫電阻體R2的端子電壓V2分別被輸入至差動放大電路D的反轉輸入及非反轉輸入，由差動放大電路D，相當於端子電壓V1、V2的差電壓(V1-V2)的電壓訊號被輸入至比較器C。比較器C係將藉由分壓電阻器R3、R4所設定的基準電壓V3與前述差電壓相比較。
測溫電阻體R1處於液相中時，測溫電阻體R1係相對周圍溫度的溫度上升小於氣相中的溫度上升。結果，相當於與由同樣地處於液相中的測溫電阻體R2所發出之周圍溫度所對應的大小的電壓訊號的差之來自作動放大電路D的輸出電壓會小於基準電壓，比較器C的輸出係成為低位準。另一方面，若液面下降，測溫電阻體R1露出於氣相中時，相對周圍溫度的溫度上升成為氣相中的溫度上升，因此相當於與由同樣地處於氣相中的測溫電阻體R2所發出之周圍溫度所對應的大小的電壓訊號的差的差動放大電路D的輸出電壓會大於基準電壓，比較器C的輸出係成為高位準。比較器C的輸出為高位準時，判別測溫電阻體R1、R2處於氣相中，比較器C的輸出為低位準時，判別測溫電阻體R1、R2處於液相中。
若測定端子電壓V1、V2，可由電流值I1、 I2，藉由歐姆定律求出測溫電阻體R1、R2的電阻值，若得知測溫電阻體R1、R2的電阻值，若相對測溫電阻體R1、R2的溫度的電阻變化率為已知，可導出測溫電阻體R1、R2的溫度。因此，在液面感測電路，亦可取代測溫電阻體R1、R2的電壓輸出的比較，而藉由比較測溫電阻體R1、R2的電阻值來進行判別，或者藉由利用相對測溫電阻體R1、R2的溫度的電阻變化率，由各個電阻值測定測溫電阻體R1、R2的溫度而比較該等溫度，來進行判別。其中，若為鉑，0℃為100Ω，每上升1℃，電阻值即上升0.39Ω。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-252760號公報
專利文獻2：日本特開2010-180429號公報
專利文獻3：日本特開2013-77710號公報
專利文獻4：日本專利第3009809號公報
專利文獻5：日本專利第5400816號公報
專利文獻6：日本特開2001-99692號公報
在上述壓力感測式液面檢測裝置中，當檢測到氣化器內的壓力減少時，氣化器內的液體原料幾乎消 失，若在乾燒狀態下供給液體原料，會有導致流量控制不良的情形。
另一方面，熱式液面檢測裝置係可感測所設定的液面高度，因此以感測所希望高度的液面而將液面保持在該高度的方式控制供給液體，藉此可解決上述壓力感測式液面檢測裝置的問題。
但是，習知之熱式液面檢測裝置由於感測時耗費較長的時間，因此會有感測反應慢的問題。此外，習知之熱式液面檢測裝置若與流量控制裝置組合使用時，亦有在由液相切換成氣相的感測時間具有流量依存性，而難以正確感測的問題。
本發明之主要目的在提供可解決習知之熱式液面檢測裝置中的上述問題點的熱式液面計、及具備有該液面計的液體原料氣化供給裝置。
為達成上述目的，本發明之液面計係具有液面感測構件及溫度測定構件，且被設在貯留液體的腔室內的液面計，其係前述液面感測構件具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
前述液面感測構件的保護管係可以水平方向被插入在前述腔室的側壁而予以固定。
前述溫度測定構件可具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
前述溫度測定構件可具備收容有熱電偶、熱阻器、或紅外溫度計的保護管。
前述溫度測定構件與前述液面感測構件可被配置在相同水平高度。
可構成為：將在前述液面感測構件的測溫電阻體流通大於溫度測定用電流的電流值的電流(加熱電流)而藉由該液面感測構件所測定到的感測溫度，與藉由前述溫度測定構件所測定到的溫度相比較，藉此感測前述液面感測構件係存在於液相部內、或存在於氣相部內。
可構成為：在前述溫度測定構件的測溫電阻體流通溫度測定用的第1電流，並且在前述液面感測構件的測溫電阻體流通大於前述第1電流的第2電流(加熱電流)，將前述各測溫電阻體的電阻值進行比較，藉此感測前述液面感測構件係存在於液相部內、或存在於氣相部內。
可使前述溫度測定構件被配置在比預先設定的下限液位更為下方，前述液面感測構件被配置在前述下限液位及預先設定的上限液位的至少一方的液位。
此外，本發明之液面計可構成為：具備有：被水平配置在貯留液體原料的腔室內，且收容有測溫電阻體的1個保護管，在前述測溫電阻體交替流通溫度測定用的第1電流值的電流與大於該第1電流值的第2電流值的電流(加熱電流)，將相對各個電流值的前述測溫電阻體的電阻值進行比較，藉此感測前述保護管係存在於液相部 內、或存在於氣相部內。
此外，本發明之液面計可構成為：具備有：被水平配置在貯留液體的腔室內，且收容有測溫電阻體的1個保護管，在前述測溫電阻體流通大於溫度測定用電流的預定的電流值的電流(加熱電流)，根據前述保護管處於液相部內時與處於氣相部內時的電阻值變化，感測前述保護管係處於液相部內、或處於氣相部內。
可在至少1個以上的保護管被施行鈍化處理。
此外，本發明之液體原料氣化供給裝置係具備有：貯留液體原料且使其氣化的腔室；被配置在前述腔室內的液面感測構件；測定前述腔室內的溫度的溫度測定構件；及控制在前述腔室內被氣化的原料氣體的流量的流量控制裝置，前述液面感測構件具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
本發明之液體原料氣化供給裝置係可前述保護管以水平方向被插入在前述腔室的側壁而予以固定，具備有供前述保護管固定在前述腔室的側壁之用的凸緣，在該凸緣與前述腔室側壁的外側面之間介在有包圍該保護管的周圍的金屬墊片，且具備有：形成在該凸緣與前述腔室側壁的外側面的各個且收容前述金屬墊片的墊片用凹部；及形成在該墊片用凹部的各個的墊片按壓用環狀突起。
此外，本發明之液體原料氣化供給裝置係可前述保護管被螺入固定在前述腔室。
此外，本發明之液體原料氣化供給裝置係可前述溫度測定構件具備收容有測溫電阻體或熱電偶的保護管，被水平配置在前述腔室內，前述液面感測構件與前述溫度測定構件被配置在相同水平高度。
此外，本發明之液體原料氣化供給裝置可在前述保護管的下方設有用以遮蔽由液體原料上升的蒸氣的蒸氣遮板。前述蒸氣遮板係可以傾斜狀延伸。
藉由本發明之液面計，可將液面感測構件的保護管水平配置在腔室內，藉此可縮短感測時間。此外，藉由本發明之液體原料氣化供給裝置，藉由將液面感測構件的保護管水平配置在腔室內，可在由液相切換成氣相的感測時間，使流量依存性幾乎消失。
1‧‧‧液體原料氣化供給裝置
2‧‧‧氣化腔室
2a‧‧‧側壁
2b‧‧‧供給口
2c‧‧‧排出口
2d‧‧‧母螺旋部孔
2e‧‧‧通孔
3‧‧‧保護管
3a‧‧‧鞘部
4‧‧‧流量控制裝置
5‧‧‧氣體流路
6‧‧‧孔口板
7‧‧‧壓力檢測器
8‧‧‧開閉閥
9‧‧‧凸緣
9b‧‧‧螺栓孔
9c、2f‧‧‧墊片用凹部
9d、2g‧‧‧墊片按壓用環狀突起
10‧‧‧金屬墊片
11‧‧‧公螺旋部
12‧‧‧蒸氣遮板
21‧‧‧容器
C‧‧‧比較器
D‧‧‧差動放大電路
I1、I2‧‧‧電流值
L‧‧‧液體原料
L1‧‧‧液面
R1、R2‧‧‧測溫電阻體
R3、R4‧‧‧分壓電阻器
S1、S2‧‧‧定電流電路
V1‧‧‧端子電壓
V2‧‧‧端子電壓
V3‧‧‧基準電壓
Vcc‧‧‧電源
圖1係顯示具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的第1實施形態的部分剖面側面圖。
圖2係透視圖1的腔室的內部的概略斜視圖。
圖3係放大顯示固定在圖1的保護管的凸緣的平面圖。
圖4係沿著圖3的III-III線的剖面圖。
圖5係放大顯示圖1的保護管的固定構造的要部縱剖 面圖。
圖6係顯示本發明之實施例1的評估試驗結果的圖表。
圖7係顯示比較例1的評估試驗結果的圖表。
圖8係顯示本發明之實施例2的評估試驗結果的圖表。
圖9係顯示比較例1~3的評估試驗結果的圖表。
圖10係顯示具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的第2實施形態的部分剖面側面圖。
圖11係透視圖10的腔室內部的概略斜視圖。
圖12係顯示具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的第3實施形態的部分剖面側面圖。
圖13係顯示圖12的第3實施形態的變更態樣的保護管及蒸氣遮板的縱剖面圖。
圖14係透視圖12的腔室內部的概略斜視圖。
圖15係顯示習知之液面計的概略構成圖。
圖16係顯示習知之液面計之液面感測電路之一例的電路圖。
以下一邊參照圖示，一邊說明具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的實施形態。其中，透過全圖及全實施形態，對相同或類似的構成部分標註相同符號。
圖1係顯示本發明之第1實施形態的部分剖面側面圖。如圖1所示，具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置1係具備有：貯留液體原料L且使其氣化的氣化腔室2；封入用以感測氣化腔室2內的液面L1的測溫電阻體(附圖示)的保護管3；及控制在氣化腔室2氣化後的氣體流量而進行供給的流量控制裝置4，2支(參照圖2)保護管3、3以水平方向在相同的高度位置被插入在氣化腔室2的側壁2a予以固定。
以被封入在保護管3的測溫電阻體而言，係可適當使用鉑測溫電阻體，惟亦可使用其他周知的測溫電阻體。使用測溫電阻體的液面感測電路係可採用與上述習知電路相同原理者，故省略詳細說明。2支保護管3、3係均具有相同外徑，在細長棒狀部分的前端部收容有測溫電阻體。
在各自的保護管3、3收容有相同的測溫電阻體。其中一方保護管3及被收容在該保護管的測溫電阻體係在該測溫電阻體被流通溫度測定用的電流，亦即可測定周圍溫度的程度且可忽略測溫電阻體的自我發熱的大小的微小定電流，構成被使用在供周圍溫度測定之用的溫度測定構件。另一方保護管3及被收容在該保護管的測溫電阻體係為了將該測溫電阻體藉由自我發熱而保持在比周圍溫度更為高溫而被流通相對較大的定電流(加熱電流)，構成用以透過如上所述之液面感測電路，判別是處於液相中或處於氣相中的液面感測構件。
氣化腔室2係在上部具備有：液體原料的供給口2b及經氣化的氣體的排出口2c的箱型，以不銹鋼等金屬所形成。液體原料的供給口並非侷限於圖例，亦可在氣化腔室2的上壁插入供給管，將該供給管的下端延伸至氣化腔室2的內部下部，藉此設在氣化腔室2的內部下部，或者亦可設在氣化腔室2的側壁或氣化腔室2的底壁。
氣化腔室係可藉由包圍腔室壁的外面地被安裝的加熱器(未圖示)予以加熱。將氣化腔室2加熱的加熱器雖未圖示，亦可在形成氣化腔室2的金屬壁設置凹部或孔而埋設在該處。
氣化腔室2在圖例中雖由一室形成，但是亦可將腔室內以分隔壁(未圖示)區劃成複數房間，在該等分隔壁的各個形成通過經氣化的氣體的孔。此時，在一端側之經區劃的房間設有供給液體原料的供給口，在另一端側之經區劃的房間形成排出經氣化的氣體的排出口。
排出口2c係連通連接在氣體流路5。氣體流路5係藉由形成在配管或區塊內的孔所構成。在氣體流路5係介在有流量控制裝置4。圖例之流量控制裝置4係可採用周知之所謂壓力式流量控制裝置，此係藉由壓力檢測器7檢測介在於氣體流路5的孔口板6的至少上游側的氣體壓力，根據所檢測出的壓力訊號，藉由壓電驅動元件使介在於氣體流路5的金屬製隔膜閥體作開閉來進行流量控制。亦即，利用若孔口板6的上游側的絕對壓力成為孔口 板6的下游側的絕對壓力的約2倍以上(臨界膨脹條件)時，通過孔口的氣體即成為音速，由於不會形成為其以上，因此該流量係僅取決於孔口上游側的壓力，流量係與壓力成正比的原理。其中，雖未圖示，亦可檢測孔口下游側的壓力，根據孔口的上游側與下游側的差壓進行流量控制。
在氣體通路5係介在有空氣壓驅動式的開閉閥8。開閉閥8係介在於氣化腔室3與流量控制裝置4之間的氣體通路5，但是亦可設在流量控制裝置4的下游側的氣體通路，或者亦可省略。
保護管3係以不銹鋼等抗腐蝕性金屬材料形成，在細長的鞘部3a的前端部內收容有測溫電阻體。不銹鋼的鈍化被膜相對較薄，因此以對保護管3另外施加鈍化處理來提高抗蝕性為佳。
為了將保護管3水平插入氣化腔室2，因此必須形成為氣化腔室2內的高溫液體原料不會漏出的密封構造來進行固定。
參照圖3~圖5，保護管3係同樣地被嵌入在形成於不銹鋼製凸緣9的孔9a，藉由熔接而被固定在固定凸緣9。固定凸緣9係除了孔9a之外，另外具有複數螺栓孔9b；及在固定凸緣9的其中一方側面形成在孔9a的周圍的第1墊片用凹部9c。在第1墊片用凹部9c係形成有墊片按壓用第1環狀突起9d。
在氣化腔室2的一側面係具備有：與固定凸 緣9的螺栓孔9b相一致的有底的母螺旋部孔2d；通過保護管3的通孔2e；及在氣化腔室2的外側側面形成在通孔2e的周圍的第2墊片用凹部2f。在第2墊片用凹部2f係形成有墊片按壓用第2環狀突起2g。
將保護管3通至圓環狀的金屬墊片10及氣化腔室2的通孔2e，將通至固定凸緣9的螺栓孔9b的公螺旋部11螺緊在氣化腔室2的母螺旋部孔2d，藉此墊片按壓用第1環狀突起9d及墊片按壓用第2環狀突起2g陷入至金屬墊片10的兩側面，將氣化腔室2的通孔2e形成為密封狀態。金屬墊片10係可由不銹鋼形成。
以具備有本發明之液面計之液體原料氣化供給裝置的實施例、及具備有將收容有鉑電阻體的保護管以鉛直方向(縱向)插入至氣化器之習知之液面計(參照圖15)的液體原料氣化供給裝置的比較例，評估由液相變化成氣相的檢測性能。
圖6為實施例1的結果，圖7為比較例1的結果。實施例1及比較例1均對其中一方鉑測溫電阻體流通1mA的定電流，對另一方鉑測溫電阻體流通30mA的定電流。鉑電阻體係使用0℃、100Ω、0.39Ω/℃的溫度特性(例如10℃時為103.9Ω)者。以評估試驗的評估條件而言，在液體原料使用TEOS，將氣化腔室2的溫度設為200℃，將氣體控制流量設為53.17%(6.7g/分鐘)，將氣化腔室內部進行排氣而形成為真空狀態之後，供給液體原料至保護管浸入水中為止，關閉流量控制裝置的閥， 並且亦關閉介在於氣化腔室的液體原料供給管的閥，形成為密封狀態10分鐘之後，使流量控制裝置作動而以預定流量流通經氣化的氣體。
在圖6、圖7中，線T1係表示流通30mA的鉑測溫電阻體的溫度的時間變化的圖表，線T2係表示流通1mA的鉑測溫電阻體的溫度的時間變化的圖表。鉑測溫電阻體的溫度係由鉑測溫電阻體的溫度特性利用計算而算出。在圖6、圖7中，△T=T1-T2大係表示由液相移至氣相。
如圖6、圖7所示，在圖6所示之實施例1中，可以30秒以下感測已由液相移至氣相的情形，但是在圖7之比較例1中，感測需要3分鐘左右。如上所示，比較例1的感測時間之所以比實施例1為較長，被認為是基於在實施例1中，液體原料蒸發而由液相移至氣相為止的期間，保護管被水平設置，因此遍及全長浸入水中，相對於此，在比較例中，若參照圖15，由於保護管縱向設置，因此慢慢地由液相露出，對液體的放熱降低，自我發熱量増加之故。
接著，在圖8、圖9中顯示以將控制流量設定地比實施例1為更低的實施例2、將控制流量低於比較例1的比較例2、比較例3，進行與實施例1同樣的評估試驗的結果。圖8為實施例2，實施例2係將控制流量設為3.0g/分鐘。圖9係顯示比較例1、2、3的△T=T1-T2，線C1表示比較例1，線C2表示比較例2，線C3表示比 較例3。比較例1的控制流量為6.7g/分鐘，比較例2的控制流量為3.0g/分鐘，比較例3的控制流量為1.0g/分鐘。
若將圖8及圖9相比較，實施例1及實施例2即使控制流量由6.7g/分鐘變化成3.0g/分鐘，在由液相變化至氣相的感測時間並未發現較大的差異，但是在比較例1~3中，隨著控制流量變低，由液相變化至氣相的感測時間變長，在比較例1中為約3分鐘，在比較例2中為約5.5分鐘，在比較例3中為約9.1分鐘。關於如上所示由液相變化成氣相的感測時間，實施例與比較例之所以不同，被認為是基於保護管由浸水狀態變化成露出狀態所耗費的時間差之故。
在上述第1實施形態中，係使用2個測溫電阻體，藉由使流至其中一方測溫電阻體的電流大於流至另一方測溫電阻體的電流，來感測由液相對氣相(或由氣相對液相)的液面的移行，但是亦可將測溫電阻體設為1個，每隔預定時間(例如每隔10~15秒鐘)交替流通預定大小的大小的電流(溫度測定用電流及加熱電流)至該一個測溫電阻體，藉此感測由液相對氣相(或由氣相對液相)的液面的移行。
圖10係顯示具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的第2實施形態的部分剖面側面圖。在第2實施形態中，收容有測溫電阻體的保護管3以上下以2段被安裝在氣化腔室2。其中，參照圖11，收容有測溫電 阻體的保護管3係在上段的相同高度安裝2個(液面感測構件及溫度測定構件)，在下段亦以相同高度安裝2個(液面感測構件及溫度測定構件)。藉由將1對保護管形成為上下2段，可設定氣化腔室2內的液體原料的上限液位及下限液位。亦可省略構成上段的溫度測定構件的附測溫電阻體的保護管，此時，可藉由下段的溫度測定構件及上段的液面感測構件來感測上限液位。
圖12係顯示具備有本發明之液面計的液體原料氣化供給裝置的第3實施形態的部分剖面側面圖。在第3實施形態中，在保護管3的下方設有用以遮蔽由液體原料上升的蒸氣的蒸氣遮板12。蒸氣遮板12較佳為以由基部至前端部朝下方或上方(圖例中為下方)傾斜而延伸的方式作配設。蒸氣遮板12係可形成為平坦的板狀，但是亦可形成為圖13、圖14所示之剖面山形的板狀。藉由設置蒸氣遮板12，可減少因液體原料的蒸氣所致之錯誤動作。蒸氣遮板12的寬度尺寸或長度係可適當設計，但是較佳為寬度尺寸為保護管3的外徑的1.5~2倍，長度尺寸為保護管3的長度的1~1.3倍左右。
在上述實施形態中，係說明在溫度測定構件的保護管3收容測溫電阻體之例，惟溫度測定構件若可測定周圍溫度即可，亦可將其他溫度感測器，例如熱電偶、熱阻器、或紅外溫度計收容在保護管，來取代測溫電阻體。
此外，在上述實施形態中，係顯示將溫度測 定構件的保護管與液面感測構件的保護管配置在相同水平高度之例，但是亦可形成為將溫度測定構件的保護管配置在比預先設定的下限液位更為下方而經常處於液中，將液面感測構件的保護管配置在下限液位及或上限液位的構成。
此外，保護管對腔室的安裝並非侷限於上述實施形態，亦可藉由例如在腔室的壁部形成螺絲孔，而在保護管的外周形公螺旋部，且將保護管螺入至腔室的形式來固定。
此外，在上述實施形態中，係說明密閉型的氣化腔室之例，惟腔室即使為在上部被開放的槽體亦可使用。
此外，進行感測的液面並非侷限於被使用在半導體製造裝置的液體原料，亦可對各種藥液等使用。
1‧‧‧液體原料氣化供給裝置
2‧‧‧氣化腔室
2a‧‧‧側壁
2b‧‧‧供給口
2c‧‧‧排出口
3‧‧‧保護管
4‧‧‧流量控制裝置
5‧‧‧氣體流路
6‧‧‧孔口板
7‧‧‧壓力檢測器
8‧‧‧開閉閥
9‧‧‧凸緣
11‧‧‧公螺旋部
L‧‧‧液體原料
L1‧‧‧液面

Claims (17)

  1. 一種液面計，其係具有液面感測構件及溫度測定構件，且被設在貯留液體的腔室內的液面計，其特徵為：前述液面感測構件具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
  2. 如申請專利範圍第1項之液面計，其中，前述液面感測構件的保護管以水平方向被插入在前述腔室的側壁而予以固定。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之液面計，其中，前述溫度測定構件具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之液面計，其中，前述溫度測定構件具備收容有熱電偶、熱阻器、或紅外溫度計的保護管。
  5. 如申請專利範圍第3項之液面計，其中，前述溫度測定構件與前述液面感測構件被配置在相同水平高度。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之液面計，其中，構成為：將在前述液面感測構件的測溫電阻體流通大於溫度測定用電流的電流值的電流而藉由該液面感測構件所測定到的感測溫度，與藉由前述溫度測定構件所測定到的溫度相比較，藉此感測前述液面感測構件係存在於液相部內、或存在於氣相部內。
  7. 如申請專利範圍第3項之液面計，其中，構成為：在前述溫度測定構件的測溫電阻體流通溫度測定用的 第1電流，並且在前述液面感測構件的測溫電阻體流通大於前述第1電流的第2電流，將前述各測溫電阻體的電阻值進行比較，藉此感測前述液面感測構件係存在於液相部內、或存在於氣相部內。
  8. 如申請專利範圍第7項之液面計，其中，前述溫度測定構件被配置在比預先設定的下限液位更為下方，前述液面感測構件被配置在前述下限液位及預先設定的上限液位的至少一方的液位。
  9. 一種液面計，其係構成為：具備有：被水平配置在貯留液體原料的腔室內，且收容有測溫電阻體的1個保護管，在前述測溫電阻體交替流通溫度測定用的第1電流值的電流與大於該第1電流值的第2電流值的電流，將相對各個電流值的前述測溫電阻體的電阻值進行比較，藉此感測前述保護管係存在於液相部內、或存在於氣相部內。
  10. 一種液面計，其係構成為：具備有：被水平配置在貯留液體的腔室內，且收容有測溫電阻體的1個保護管，在前述測溫電阻體流通大於溫度測定用電流的預定的電流值的電流，根據前述保護管處於液相部內時與處於氣相部內時的電阻值變化，感測前述保護管係處於液相部內、或處於氣相部內。
  11. 如申請專利範圍第1項、第9項或第10項之液面計，其中，在前述保護管被施行鈍化處理。
  12. 一種液體原料氣化供給裝置，其特徵為：具備有：貯留液體原料且使其氣化的腔室；被配置在前述腔室內的液面感測構件；測定前述腔室內的溫度的溫度測定構件；及控制在前述腔室內被氣化的原料氣體的流量的流量控制裝置，前述液面感測構件具備收容有測溫電阻體的保護管，且被水平配置在前述腔室內。
  13. 如申請專利範圍第12項之液體原料氣化供給裝置，其中，前述保護管以水平方向被插入在前述腔室的側壁而予以固定，具備有供前述保護管固定在前述腔室的側壁之用的凸緣，在該凸緣與前述腔室側壁的外側面之間介在有包圍該保護管的周圍的金屬墊片，且具備有：形成在該凸緣與前述腔室側壁的外側面的各個且收容前述金屬墊片的墊片用凹部；及形成在該墊片用凹部的各個的墊片按壓用環狀突起。
  14. 如申請專利範圍第12項之液體原料氣化供給裝置，其中，前述保護管被螺入固定在前述腔室。
  15. 如申請專利範圍第12項之具備有液面計的液體原料氣化供給裝置，前述溫度測定構件具備收容有測溫電阻體或熱電偶的保護管，被水平配置在前述腔室內，前述液面感測構件與前述溫度測定構件被配置在相同水平高度。
  16. 如申請專利範圍第12項之液體原料氣化供給裝置，其中，在前述保護管的下方設有用以遮蔽由液體原料上升的蒸氣的蒸氣遮板。
  17. 如申請專利範圍第16項之具備有液面計的液體原料氣化供給裝置，其中，前述蒸氣遮板以傾斜狀延伸。
TW104137016A 2014-11-13 2015-11-10 Liquid level gauge and liquid material gasification supply device TWI592639B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014231119A JP6212467B2 (ja) 2014-11-13 2014-11-13 液面計及び液体原料気化供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201631299A true TW201631299A (zh) 2016-09-01
TWI592639B TWI592639B (zh) 2017-07-21

Family

ID=55953996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104137016A TWI592639B (zh) 2014-11-13 2015-11-10 Liquid level gauge and liquid material gasification supply device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10604840B2 (zh)
JP (1) JP6212467B2 (zh)
KR (1) KR101930303B1 (zh)
CN (1) CN107003168B (zh)
TW (1) TWI592639B (zh)
WO (1) WO2016075892A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6212467B2 (ja) * 2014-11-13 2017-10-11 株式会社フジキン 液面計及び液体原料気化供給装置
JP6704809B2 (ja) * 2016-07-05 2020-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102225059B1 (ko) * 2016-12-27 2021-03-09 가부시키가이샤 후지킨 액면계, 그것을 구비한 기화기, 및 액면 검지 방법
JP7137921B2 (ja) * 2017-11-07 2022-09-15 株式会社堀場エステック 気化システム及び気化システム用プログラム
CN109489764A (zh) * 2018-12-18 2019-03-19 中国矿业大学(北京) 一种实验室规模气体体积自动计量装置及方法
CN112843756A (zh) * 2020-12-29 2021-05-28 东华理工大学 液体蒸发气体发生器及其控制方法
KR102347205B1 (ko) * 2021-02-26 2022-01-06 (주)지오엘리먼트 전구체의 레벨 측정 기능을 구비한 기화기 시스템
JP2024008209A (ja) * 2022-07-07 2024-01-19 大陽日酸株式会社 固体材料容器、固体材料供給装置、及び固体材料供給方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3181557A (en) * 1962-11-02 1965-05-04 Jr James E Lannan Liquid interface sensor
US3905243A (en) * 1973-09-11 1975-09-16 Us Energy Liquid-level sensing device
US3983751A (en) * 1974-07-17 1976-10-05 Atlantic Richfield Company Method of measuring the level of elevated temperature particulate material
JPS6446717U (zh) * 1987-09-17 1989-03-22
JPS6446716U (zh) * 1987-09-17 1989-03-22
JPH039809A (ja) 1989-06-06 1991-01-17 Daietsu:Kk 水分計測方法
JPH0651834U (ja) * 1992-12-18 1994-07-15 ティーディーケイ株式会社 液面及び異常過熱検出装置
JP3009809B2 (ja) * 1993-08-26 2000-02-14 株式会社鷺宮製作所 半導体加工用液体原料収容容器における液面検出装置
JP3009809U (ja) * 1994-10-03 1995-04-11 タックメディカル株式会社 趾間部保護シート
JP2951954B1 (ja) * 1998-09-17 1999-09-20 ムサシノ機器株式会社 気圧式液面計
JP3869169B2 (ja) 1999-09-29 2007-01-17 株式会社鷺宮製作所 液面検出装置
JP3826072B2 (ja) * 2002-06-03 2006-09-27 アドバンスド エナジー ジャパン株式会社 液体材料気化供給装置
JP4405315B2 (ja) * 2004-05-28 2010-01-27 シャープ株式会社 蒸気調理器
JP4999605B2 (ja) * 2007-08-23 2012-08-15 日本エア・リキード株式会社 液化ガスの気化方法、気化装置およびこれを用いた液化ガス供給装置
JP5461786B2 (ja) 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
JP5350824B2 (ja) 2009-02-03 2013-11-27 株式会社フジキン 液体材料の気化供給システム
US8438919B2 (en) * 2010-07-23 2013-05-14 Rosemount Aerospace Inc. Systems and methods for liquid level sensing having a differentiating output
JP5400816B2 (ja) 2011-01-31 2014-01-29 株式会社トリケミカル研究所 液面レベルセンサー
JP5913888B2 (ja) 2011-09-30 2016-04-27 国立大学法人東北大学 気化器
US9357881B2 (en) * 2012-03-31 2016-06-07 Pitco Frialator, Inc. Oil level detection system for deep fat fryer
JP2014211345A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 株式会社八洲測器 液面検出装置
US20150323938A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 Honeywell International Inc. Temperature-based level detection and control method and apparatus
EP2995913B1 (en) * 2014-09-10 2020-06-17 Bruker Switzerland AG Robust dynamical method for detecting the level of a liquid using resistance temperature detectors
JP6212467B2 (ja) * 2014-11-13 2017-10-11 株式会社フジキン 液面計及び液体原料気化供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170327949A1 (en) 2017-11-16
TWI592639B (zh) 2017-07-21
WO2016075892A1 (ja) 2016-05-19
US10604840B2 (en) 2020-03-31
KR20170026607A (ko) 2017-03-08
CN107003168B (zh) 2019-12-20
CN107003168A (zh) 2017-08-01
JP6212467B2 (ja) 2017-10-11
KR101930303B1 (ko) 2018-12-18
JP2016095212A (ja) 2016-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI592639B (zh) Liquid level gauge and liquid material gasification supply device
JP6578125B2 (ja) 気化供給装置
JP2016095212A5 (zh)
US9605992B2 (en) On-tool mass flow controller diagnostic systems and methods
CN102640070A (zh) 压力式流量控制装置
TWI628717B (zh) 加熱汽化系統和加熱汽化方法
TWI657232B (zh) 液面計、具備彼之氣化器及液面檢測方法
JPWO2016088332A1 (ja) 液面検知回路、液面計、それを備えた容器、及び、その容器を用いた気化器
EP3153854B1 (en) Determination of volumetric flow rate of a gas in a gas flow
JP2005030885A (ja) 漏洩検出装置およびこれを用いた漏洩検出システム
JP3009809B2 (ja) 半導体加工用液体原料収容容器における液面検出装置
US20170322091A1 (en) Open air thermowell
JP2013242120A (ja) ボイラの蒸気圧力計測装置およびボイラの蒸気量計測装置
KR20170139524A (ko) 가연성 가스와 연소 공기를 혼합하기 위한 장치와 방법, 이것이 구비된 온수 설비, 대응하는 열식 질량 유량 센서, 및 가스 유동의 질량 유량을 측정하기 위한 방법
KR20230009513A (ko) 질량 유량 제어 시스템 및 당해 시스템을 포함하는 반도체 제조 장치 및 기화기
KR101889161B1 (ko) 열식 질량 유량계
TWI798839B (zh) 用於偵測流體流動導管中沉積物之存在之系統及方法
JP5847607B2 (ja) 流量制御装置
TW202335126A (zh) 用於偵測流體流動導管中沉積物之存在之系統及方法
JPS5831415Y2 (ja) 恒温槽
KR20070070265A (ko) 유체의 유량을 실시간으로 검출하는 질량 유량계