TW201619978A - 導電膜及導電圖型之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的導電圖型(40)之製造方法具備：將含有酸增殖劑、及光酸產生劑的酸產生膜(10)層合在形成於基板(21)上之含有導電性高分子之高分子膜(20)上，而得到層合體之層合步驟；將酸產生膜(10)上遮蔽之遮蔽步驟；由層合體之酸產生膜(10)側照光之照光步驟；及藉由因為照光而在酸產生膜(10)中產生．增殖的酸，將導電性高分子摻雜之摻雜步驟；將酸產生膜(10)由高分子膜(20)剝離之剝離步驟。藉由此方法，可提供一種利用光酸產生及酸增殖作用之導電膜及導電圖型之製造方法。

Description

導電膜及導電圖型之製造方法
本發明關於一種導電膜及導電圖型之製造方法，若進一步詳細敘述，則關於一種導電膜及導電圖型之製造方法，其係利用光酸產生反應所產生的酸來進行導電性高分子的摻雜。
使用導電性高分子所形成的透明導電膜在電解電容、抗靜電劑、電池、及有機EL元件等方面的應用一直都在被研究。
在以導電性高分子作為透明導電膜來利用時，必須圖型化成為和使用目的相對應的形狀。
目前為止的導電性高分子的圖型化法，已知有光蝕刻法(參考專利文獻1)或絲網印刷法等，任一者皆有步驟複雜以及所得到的線寬大的這些缺點。
另外，如專利文獻1的手段般，在圖型化時，使用蝕刻液進行濕式程序的情況，會有對導電層造成不良影響的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-247250號公報
本發明鑑於上述狀況而完成，目的為提供一種利用光酸產生及酸增殖作用的導電膜及導電圖型之製造方法。
本發明人等為了達成上述目的反覆鑽研檢討，結果發現，使用光酸產生劑以及以自觸媒的方式產生酸的酸增殖劑，對該等照光而產生．增殖的酸，可使用作為導電性高分子的摻雜物，而且還發現藉由將導電性高分子膜與含有酸增殖劑及光酸產生劑的酸產生膜貼合並且曝光，可製作出利用前述的光酸產生反應得到的乾式摻雜現象之導電膜，而且進一步藉由在曝光時加以遮蔽，利用乾式光圖型化可製作出導電圖型，而完成了本發明。
亦即，本發明提供：1.一種導電膜之製造方法，其特徵為具備：將含有酸增殖劑及光酸產生劑的酸產生膜層合在形成於基板上之含有導電性高分子的高分子膜上，而得到層合體之層合步 驟；由前述層合體的前述酸產生膜側照光之照光步驟；藉由因為前述照光而在前述酸產生膜中產生．增殖的酸，將前述導電性高分子摻雜之摻雜步驟；及將前述酸產生膜由前述高分子膜剝離之剝離步驟，2.如1之導電膜之製造方法，其中在前述層合步驟後照光步驟前，具備將前述酸產生膜上遮蔽之遮蔽步驟，3.如1或2之導電膜之製造方法，其中前述酸產生膜預先形成於支持體上，4.如1~3之任一者之導電膜之製造方法，其中前述酸產生膜進一步含有易剝離劑，5.一種導電膜之製造方法，其特徵為具備：將含有導電性高分子、酸增殖劑及光酸產生劑之組成物塗佈在基板上並使其乾燥，而得到高分子膜之高分子膜形成步驟；對前述高分子膜照光之照光步驟；藉由因為前述照光在前述高分子膜中產生．增殖的酸，將前述導電性高分子摻雜之摻雜步驟，6.一種導電膜或導電圖型形成用組成物，其係含有導電性高分子、酸增殖劑、及光酸產生劑，7.一種酸產生層形成用組成物，其係用以形成酸產生層，該酸產生層係層合於含有導電性高分子的高分子膜上，藉由照光產生及增殖的酸轉移至前述高分子膜上，發揮作為前述導電性高分子的摻雜物的作用，其特徵為：含有酸增殖劑與光酸產生劑，8.如7之酸產生層形成用組成物，其中進一步含有 易剝離劑，9.一種導電膜或導電圖型製造用套組，其特徵為分別含有：含有導電性高分子的高分子膜形成用組成物；及含有酸增殖劑及光酸產生劑的酸產生層形成用組成物，10.如9之導電膜或導電圖型製造用套組，其中前述酸產生層形成用組成物進一步含有易剝離劑，11.如9或10之導電膜或導電圖型製造用套組，其中前述導電性高分子含有聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)，前述酸增殖劑係藉由酸觸媒反應產生烷基或芳香基磺酸之化合物，前述光酸產生劑為萘醯亞胺-芳香基磺酸酯，12.一種導電性高分子的摻雜方法，其特徵為：藉由對酸增殖劑及光酸產生劑照光而產生．增殖的酸，將導電性高分子摻雜。
依據本發明，使用光酸產生劑及自觸媒的方式產生酸的酸增殖劑，對該等照光而產生．增殖的酸可使用作為導電性高分子的摻雜物，可達成利用乾式摻雜進行導電膜的製作、或利用乾式光圖型化進行的導電圖型的製作。
10‧‧‧酸產生膜
11‧‧‧玻璃基板(支持體)
20‧‧‧高分子膜
21‧‧‧玻璃基板(基板)
30‧‧‧光罩
40‧‧‧導電圖型
圖1表示對於實施例1所製作出的酸產生膜以0或 10J/cm2照射波長365nm的光線，並在120℃下加熱時，FT-IR光譜隨時間變化之圖。
圖2表示對於實施例2所製作出的導電膜以0或10J/cm2照射波長365nm的光線，並在120℃下加熱時，導電率隨時間變化之圖。
圖3係實施例3中的乾式光圖型化程序之概略圖。
圖4表示實施例3所形成的圖型之圖。
以下針對本發明進一步詳細說明。
(1)導電膜及導電圖型的製造方法
本發明所關連的導電膜之製造方法，具備：將含有酸增殖劑及光酸產生劑的酸產生膜層合在形成於基板上之含有導電性高分子之高分子膜上，而得到層合體之層合步驟；由層合體的酸產生膜側照光之照光步驟；藉由因為照光而在酸產生膜中產生．增殖的酸，將導電性高分子摻雜之摻雜步驟；及將酸產生膜由高分子膜剝離之剝離步驟。
在層合步驟之中，將酸產生膜層合於高分子膜上的手段並未受到特別限定，可列舉在高分子膜上塗佈酸產生層形成用組成物並使其乾燥而層合酸產生膜的方法、或在基板(支持體)上塗佈酸產生層形成用組成物並使其乾燥，將預先製作出的酸產生膜與高分子膜層合的方法等。其中從可以乾式方法來進行考量，佳為使用不會發生高分子膜侵蝕等的問題的後者之方法。
在照光步驟中，藉由以光酸產生劑所產生的酸作為觸發物的觸媒反應，酸增殖劑會分解而產生酸，並且藉由進一步由酸增殖劑本身產生的酸進行的自觸媒的分解反應，可使酸在酸產生膜中增殖。
此情況下，照射光線可列舉例如波長190~500nm的紫外線或可見光等的放射線。
放射線的光源可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氬氣雷射等。
另外，放射線照射量會依照各成分的種類或含量、高分子膜或酸產生膜的膜厚等而有所不同，因此無法一概而定，在使用高壓水銀燈的情況，為0.1~15J/cm2左右。
在摻雜步驟中，藉由因為上述觸媒的反應而在酸產生膜中產生．增殖的酸，可將導電性高分子摻雜。
此外，本發明中的摻雜，在構成高分子膜的導電性高分子採用未摻雜的導電性高分子的情況，是將其以酸產生膜中所產生的酸(摻雜物)來摻雜，另一方面，在構成高分子膜的導電性高分子採用被酸(摻雜物)摻雜的導電性高分子的情況，會伴隨作為導電性高分子的摻雜物的酸與酸產生膜中所產生的酸的摻雜物交換。
此外，在本發明之方法之中，照光步驟與摻雜步驟會同時進行，亦即照光開始後，在照光步驟中，因為酸增殖劑的分解(酸的增殖)而增殖的酸也會有轉移至高分子膜而發生上述摻雜的情況。
另外，為了應促進摻雜步驟中的導電性高分子的摻 雜，上述照光步驟及/或摻雜步驟之中，亦可一併進行加熱，或可在上述照光步驟及/或摻雜步驟之後進行加熱。
加熱溫度並未受到特別限定，而通常佳為80~150℃左右，以100~130℃左右為較佳。
加熱時間佳為5~60分鐘左右，10~50分鐘左右為較佳。
在剝離步驟中，酸產生膜會由高分子膜剝離，藉此，利用上述摻雜步驟中的摻雜，可得到賦予高導電性的導電膜。
剝離法並未受到特別限定，可列舉浸漬於剝離液的方法、或物理剝離(peeling)的方法等，而此情況下，也可從以乾式方法來進行考量，適合為物理剝離的方法。
此外，為了提升其物理剝離性，宜在酸產生膜中摻合易剝離劑。
在上述導電膜之製造方法之中，在層合步驟之後，照光步驟之前，亦可進行將酸產生膜上遮蔽之遮蔽步驟，而製造出具有所希望的圖型的導電圖型。
更具體而言，藉由隔著具有所希望的圖型的光罩進行照光，酸產生膜中，酸只有在受到照光的部分會產生．增殖，而且在高分子膜中，只有與上述照光部(酸產生．增殖部)相接的部分會發生摻雜，而被賦予高導電性，因此可製造出對應於光罩圖型形狀而且為所希望的導電圖型。
(2)光酸產生劑
上述酸產生膜所使用的光酸產生劑，只要是受到光線(放射線)的照射會產生的化合物，則並未受到特別限定，可列舉例如三氯甲基-s-三嗪化合物、二芳香基錪鎓鹽、三芳香基鋶鹽、其他的鋶鹽、四級銨鹽、磺酸酯等。
三氯甲基-s-三嗪化合物的具體例子，可列舉2,4,6-參(三氯甲基)-s-三嗪、2-苯基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-氯苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-氯苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-氯苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲基硫代苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲基硫代苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲基硫代苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3,4,5-三甲氧基-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲基硫代-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲基硫代-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲基硫代-β-苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-胡椒基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2- [(E)-2-(3-甲基-2-呋喃基)乙烯基]-4,6-二(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-[2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪等。
二芳香基錪鎓鹽的具體例子，可列舉二苯基錪鎓四氟硼酸鹽、二苯基錪鎓六氟膦酸鹽、二苯基錪鎓六氟砷酸鹽、二苯基錪鎓三氟甲烷磺酸鹽、二苯基錪鎓三氟醋酸鹽、二苯基錪鎓-對甲苯磺酸鹽、二苯基錪鎓丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、二苯基錪鎓己基參(對氯苯基)硼酸鹽、二苯基錪鎓己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基錪鎓四氟硼酸鹽、4-甲氧基苯基錪鎓六氟膦酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓六氟砷酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓三氟醋酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓-對甲苯磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓己基參(對氯苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪鎓己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓四氟硼酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓六氟砷酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓三氟甲烷磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓三氟醋酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓-對甲苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓己基參(對氯苯基)硼酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪鎓己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、苯基,4-(2'-羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪鎓四氟硼酸鹽、苯基,4-(2'- 羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-(2'-羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪鎓六氟銻酸鹽等。
三芳香基鋶鹽的具體例子，可列舉三苯基鋶四氟硼酸鹽、三苯基鋶六氟膦酸鹽、三苯基鋶六氟砷酸鹽、三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、三苯基鋶三氟醋酸鹽、三苯基鋶-對甲苯磺酸鹽、三苯基鋶丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、三苯基鋶己基參(對氯苯基)硼酸鹽、三苯基鋶己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶四氟硼酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶六氟膦酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶六氟砷酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶三氟醋酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶-對甲苯磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶己基參(對氯苯基)硼酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶四氟硼酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶六氟膦酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶六氟砷酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶三氟醋酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶-對甲苯磺酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶己基參(對氯苯基)硼酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶四氟硼酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶六氟膦酸酯、4-羥基-1-萘基二甲基鋶六氟砷酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶三 氟甲烷磺酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶三氟醋酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶-對甲苯磺酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶己基參(對氯苯基)硼酸鹽、4-羥基-1-萘基二甲基鋶己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽等。
其他鋶鹽的具體例子，可列舉(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶四氟硼酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟膦酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟砷酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶三氟甲烷磺酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶九氟丁烷磺酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶-對甲苯磺酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓四氟硼酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓六氟膦酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓六氟砷酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓三氟甲烷磺酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓三氟九氟丁烷磺酸鹽、1-(2-萘-2-基-2-側氧乙基)四氫噻吩-1-鎓-對甲苯磺酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶四氟硼酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟膦酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟砷酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶三氟甲烷磺酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶九氟丁烷磺酸鹽、(4-羥基-1-萘基)二甲基鋶-對甲苯磺酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘基)二甲基鋶四氟硼酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟膦酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟砷酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘基)二甲基鋶三氟甲烷磺酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘 基)二甲基鋶九氟丁烷磺酸鹽、(4,7-二羥基-1-萘基)二甲基鋶-對甲苯磺酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶四氟硼酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟膦酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶六氟砷酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶三氟甲烷磺酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶九氟丁烷磺酸鹽、(4,8-二羥基-1-萘基)二甲基鋶-對甲苯磺酸鹽、1-(4,7-羥基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓四氟硼酸鹽、1-(4,7-羥基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓六氟膦酸鹽、1-(4,7-羥基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓六氟砷酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓三氟甲烷磺酸鹽、1-(4,7-羥基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓九氟丁烷磺酸鹽、1-(4,7-羥基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓-對甲苯磺酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓四氟硼酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓六氟膦酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓六氟砷酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓九氟丁烷磺酸鹽、1-(4,7-二丁氧基-1-萘基)四氫噻吩-1-鎓-對甲苯磺酸鹽等。
四級銨鹽的具體例子，可列舉四甲基銨四氟硼酸鹽、四甲基銨六氟膦酸鹽、四甲基銨六氟砷酸鹽、四甲基銨三氟甲烷磺酸鹽、四甲基銨三氟醋酸鹽、四甲基銨-對甲苯磺酸鹽、四甲基銨丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、四甲基銨己基參(對氯苯基)硼酸鹽、四甲基銨己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、四丁基銨四氟硼酸鹽、四丁基銨六氟膦酸鹽、四丁基銨六氟砷酸鹽、四丁基銨三氟甲烷磺酸 鹽、四丁基銨三氟醋酸鹽、四丁基銨-對甲苯磺酸鹽、四丁基銨丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、四丁基銨己基參(對氯苯基)硼酸鹽、四丁基銨己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、苄基三甲基銨四氟硼酸鹽、苄基三甲基銨六氟膦酸鹽、苄基三甲基銨六氟砷酸鹽、苄基三甲基銨三氟甲烷磺酸鹽、苄基三甲基銨三氟醋酸鹽、苄基三甲基銨-對甲苯磺酸鹽、苄基三甲基銨丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、苄基三甲基銨己基參(對氯苯基)硼酸鹽、苄基三甲基銨己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨四氟硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨六氟膦酸鹽、苄基二甲基苯基銨六氟砷酸鹽、苄基二甲基苯基銨三氟甲烷磺酸鹽、苄基二甲基苯基銨三氟醋酸鹽、苄基二甲基苯基銨-對甲苯磺酸鹽、苄基二甲基苯基銨丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨己基參(對氯苯基)硼酸鹽、苄基二甲基苯基銨己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨四氟硼酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨六氟膦酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨六氟砷酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨三氟甲烷磺酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨三氟醋酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨-對甲苯磺酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨丁基參(2,6-二氟苯基)硼酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨己基參(對氯苯基)硼酸鹽、N-亞肉桂基乙苯基銨己基參(3-三氟甲基苯基)硼酸鹽等。
磺酸酯的具體例子，可列舉α-羥基甲基安息香-對甲苯磺酸酯、α-羥基甲基安息香-三氟甲烷磺酸酯、 α-羥基甲基安息香-甲烷磺酸酯、五倍子酚-三(對甲苯磺酸)酯、五倍子酚-三(三氟甲烷磺酸)酯、五倍子酚-三甲烷磺酸酯、2,4-二硝基苄基-對甲苯磺酸酯、2,4-二硝基苄基-三氟甲烷磺酸酯、2,4-二硝基苄基-甲烷磺酸酯、2,4-二硝基苄基-1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、2,6-二硝基苄基-對甲苯磺酸酯、2,6-二硝基苄基-三氟甲烷磺酸酯、2,6-二硝基苄基-甲烷磺酸酯、2,6-二硝基苄基-1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、2-硝基苄基-對甲苯磺酸酯、2-硝基苄基-三氟甲烷磺酸酯、2-硝基苄基-甲烷磺酸酯、2-硝基苄基-1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、4-硝基苄基-對甲苯磺酸酯、4-硝基苄基-三氟甲烷磺酸酯、4-硝基苄基-甲烷磺酸酯、4-硝基苄基-1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸酯、N-羥基萘醯亞胺-對甲苯磺酸酯(以下亦稱為對甲苯磺酸-1,8-萘醯亞胺)、N-羥基萘醯亞胺-三氟甲烷磺酸酯、N-羥基萘醯亞胺-甲烷磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧醯亞胺-對甲苯磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧醯亞胺-三氟甲烷磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧醯亞胺-甲烷磺酸酯、2,4,6,3',4',5"-六羥基二苯基酮-1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸酯、1,1,1-三(對羥基苯基)乙烷-1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸酯等。
此外，這些光酸產生劑可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
該等之中若考慮在有機溶劑中的溶解性與酸產生能的平衡，則佳為由有機磺酸與醇所衍生出的有機磺酸酯，以由芳香基磺酸與分子內具有芳香基的醇所衍生出 的芳香基磺酸酯為較佳，由N-羥基萘醯亞胺與芳香基磺酸所衍生出的萘醯亞胺-芳香基磺酸酯為更佳。
具體而言，佳為2,6-二硝基苄基-對甲苯磺酸酯、2,6-二硝基苄基-三氟甲烷磺酸酯、對甲苯磺酸-1,8-萘醯亞胺、N-羥基萘醯亞胺-三氟甲烷磺酸酯，以對甲苯磺酸-1,8-萘醯亞胺為最佳。
(3)酸增殖劑
酸增殖劑亦並未受到特別限定，而若考慮在有機溶劑中的溶解性與酸增殖能的平衡，則佳為由有機磺酸與醇所衍生出的有機磺酸酯衍生物。
有機磺酸酯衍生物的具體例子，可列舉環己基-對甲苯磺酸酯、環己基苯磺酸酯、環己基-鄰硝基苯磺酸酯、環己基-間硝基苯磺酸酯、環己基-對硝基苯磺酸酯、環己基-β-萘磺酸酯、環己基甲烷磺酸酯、2-甲基環己基-對甲苯磺酸酯、2-甲基環己基苯磺酸酯、2-甲基環己基-鄰硝基苯磺酸酯、2-甲基環己基-間硝基苯磺酸酯、2-甲基環己基-對硝基苯磺酸酯、2-甲基環己基-1-萘磺酸酯、2-甲基環己基-2-萘磺酸酯、2-甲基環己基甲烷磺酸酯、2-環己基環己基-對甲苯磺酸酯、2-環己基環己基苯磺酸酯、2-環己基環己基-鄰硝基苯磺酸酯、2-環己基環己基-間硝基苯磺酸酯、2-環己基環己基-對硝基苯磺酸酯、2-環己基環己基-1-萘磺酸酯、2-環己基環己基-2-萘磺酸酯、2-環己基環己基甲烷磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-對 甲苯磺酸酯、4-(第三丁基)環己基苯磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-鄰硝基苯磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-間硝基苯磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-對硝基苯磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-1-萘磺酸酯、4-(第三丁基)環己基-2-萘磺酸酯、4-(第三丁基)環己基甲烷磺酸酯、1,3-伸環己基雙(對甲苯磺酸酯)[以下亦稱為1,4-環己二醇二對甲苯磺酸酯]、1,3-伸環己基雙(苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(鄰硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(間硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(對硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(1-萘磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(2-萘磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(甲烷磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(對甲苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(鄰硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(間硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(對硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(β-萘磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(甲烷磺酸酯)、2,3-丁烯雙(對甲苯磺酸酯)、2,3-丁烯雙(苯磺酸酯)、2,3-丁烯雙(鄰硝基苯磺酸酯)、2,3-丁烯雙(間硝基苯磺酸酯)、2,3-丁烯雙(對硝基苯磺酸酯)、2,3-丁烯雙(β-萘磺酸酯)、2,3-丁烯雙(甲烷磺酸酯)、二苯基甲烷-對甲苯磺酸酯、二苯基甲烷苯磺酸酯、二苯基甲烷-鄰硝基苯磺酸酯、二苯基甲烷間硝基苯磺酸酯、二苯基甲烷-對硝基苯磺酸酯、二苯基甲烷-β-萘磺酸酯、二苯基甲烷甲烷磺酸酯、1-苯乙基-對甲苯磺酸酯、1-苯基乙苯磺酸酯、1-苯乙基-鄰硝基苯磺酸酯、1-苯乙基-間硝基苯磺酸酯、1-苯乙基-對硝基苯磺酸酯、1-苯乙基-1-萘磺酸酯、1-苯乙 基-2-萘磺酸酯、1-苯乙基甲烷磺酸酯、4-環己基環己基苯磺酸酯、2-苯基-1,3-二噁烷-5-基苯磺酸酯、2,3-二氫茚-2-基苯磺酸酯等、或日本特開2014-47329號公報等所記載的酸增殖劑等。
這些酸增殖劑可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
尤其佳為1,4-環己二醇二對甲苯磺酸酯、1,3-伸環己基雙(苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(鄰硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(間硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(對硝基苯磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(1-萘磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(2-萘磺酸酯)、1,3-伸環己基雙(甲烷磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(對甲苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(鄰硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(間硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(對硝基苯磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(β-萘磺酸酯)、1,4-伸環己基雙(甲烷磺酸酯)，以1,4-環己二醇二對甲苯磺酸酯為更佳。
有機磺酸酯衍生物可由所對應的有機磺酸或其鹵化物與醇依據既定方法來合成，或以市售品的形式取得。
有機磺酸的具體例子，可列舉苯磺酸、對甲苯磺酸、4-溴苯磺酸、4-甲氧基苯磺酸、4-苄氧基苯磺酸、1-萘磺酸、2-萘磺酸、1,3-苯二磺酸、甲磺酸、乙磺酸、乙磺酸、2-硝基苯磺酸、3-硝基苯磺酸、4-硝基苯磺酸等。
醇的具體例子，可列舉甲醇、乙醇、丙醇、 異丙醇、2-苯基乙醇、1-苯基丙醇、丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、戊基醇、環己醇、2-甲基環己醇、4-甲基環己醇、4-(第三丁基)環己醇、2-環己基環己醇、4-環己基環己醇、2,6-二甲基環己醇、二苯甲醇、1-苯基乙醇、2,3-二氫茚-2-醇、2-苯基-1,3-二噁烷-5-醇、乙二醇二乙二醇、丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、2,5-己二醇、1,2-環己二醇、1,3-環己二醇、1,4-環己二醇、2,2-雙(4-環己基)丙烷等。
此外，有機磺酸鹵化物可依據使有機磺酸與鹵化劑發生反應等的既定方法來合成，或使用市售品。
(4)易剝離劑
易剝離劑是為了容易由高分子膜剝離而使用的物質，可列舉聚矽氧系易剝離劑或氟系易剝離劑，該等可以市售品的形式取得。
其具體例子，可列舉Optool DSX(Daikin工業股份有限公司製)、Novec EGC-1720(住友3M股份有限公司製)等。
(5)酸產生層形成用組成物及酸產生膜的製作法
本發明所關連的酸產生層形成用組成物，含有光酸產生劑、酸增殖劑，並且因必要含有易剝離劑。
在該組成物中，光酸產生劑與酸增殖劑的使用比率並未受到特別限定，而佳為光酸產生劑：酸增殖劑=1：1~ 1：100左右，以1：5~1：30左右為較佳。
另外，在使用易剝離劑的情況，其使用量亦並未受到特別限定，而為了產生充分的剝離作用，相對於上述光酸產生劑及酸增殖劑的總質量1，佳為0.1~100質量倍左右，0.5~50質量倍左右為較佳，1~10質量倍左右為更佳。
在本發明之酸產生層形成用組成物中，亦可因應必要摻合有機溶劑。
有機溶劑可因所使用的材料選擇適當的物質來使用，可列舉例如N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等的醯胺類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等的酮類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇等的醇類；1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇等的鹵醇類；正庚烷、正己烷、環己烷等的脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、乙苯等的芳香族烴類；乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚等的甘醇醚類；乙二醇、丙二醇等的甘醇類等。這些有機溶劑可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
有機溶劑的使用量並未受到特別限定，而若考慮塗佈性等，則光酸產生劑等的固體成分濃度佳為0.1~20質量%左右的量，以0.5~10質量%的量為較佳。
如上述般，本發明之製造方法所使用的酸產生膜，可藉由將上述酸產生層形成用組成物塗佈於高分子膜上或基板(支持體)上，然後加熱，在含有溶劑時使其蒸 發而製作。
此情況下，組成物的塗佈方法並未受到特別限定，而可列舉浸漬法、旋轉塗佈法、轉印印刷法、輥式塗佈法、刷塗、噴墨法、噴霧法等，宜因應這些塗佈方法調節組成物的黏度或表面張力。
另外，加熱的氣體環境亦不受特別限定，可在大氣環境、氮氣等的惰性氣體或真空中。
加熱溫度考量溶劑的沸點或材料的分解溫度等，適當地設定在50~150℃左右的範圍內。
加熱時，為了表現出較高的均勻成膜性，亦可採用兩階段以上的溫度變化。加熱只要使用例如熱板或烘箱等適當的機器進行即可。
酸產生膜的膜厚並未受到特別限定，而通常可在0.1~30μm的範圍內適當地決定。
此外，在高分子膜上直接形成酸產生膜的情況，高分子膜中的高分子等，宜選擇不會溶出至用以形成酸產生膜的組成物中的材料或溶劑。
另一方面，在支持體上形成酸產生膜的情況，可藉由後續的照光步驟，有效促進酸的產生及增殖，因此支持體的材料必須採用玻璃等的透光性良好的透明材料。
(6)高分子膜形成用組成物
本發明所使用的高分子膜可使用含有以往周知的導電性高分子的高分子膜形成用組成物來製作。
此處，導電性高分子可為被摻入摻雜物質而表現出導電性的物質，或可為本身具有導電性的物質。
導電性高分子只要是具有上述意義的導電性聚合物，則並未受到特別限定，可為市售品或使既定單體聚合而製造出來的物品，一般而言，可列舉選自苯胺衍生物、吡咯衍生物、噻吩衍生物等的單一種類的單體單元或兩種以上的單體單元以任意順序組合而連接成的聚合物，其具體例子可列舉聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等。
其中，從導電性與取得容易性的平衡看來，佳為聚噻吩，聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)為較佳。
作為單體使用的苯胺衍生物的具體例子，可列舉苯胺、2,3-二苯基苯胺、3-胺基喹惡啉等。
吡咯衍生物的具體例子，可列舉3-己基吡咯等的3-烷基吡咯、3,4-二己基吡咯等的3,4-二烷基吡咯、3-甲氧基吡咯等的3-烷氧基吡咯、3,4-二甲氧基吡咯等的3,4-二甲氧基吡咯等。
噻吩衍生物的具體例子，可列舉3,4-乙烯二氧基噻吩、3,4-(1-己基)乙烯二氧基噻吩等的3,4-乙烯二氧基噻吩及其衍生物、3-己基噻吩等的3-烷基噻吩、3-甲氧基噻吩等的3-烷氧基噻吩等。這些單體可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
導電性高分子(高分子膜形成用組成物)的製造法，可列舉例如使用氧化劑，使各種單體在溶劑中並在0~100℃左右發生化學氧化聚合的手段。此時亦可預先在 反應系統中存在後述摻雜物。
溶劑需考慮與單體或氧化劑的相溶性、反應性等適當地選擇，具體而言，可使用水；甲醇、乙醇、丙醇等的醇系溶劑、乙腈、丙酮、二甲基亞碸等的低極性溶劑等的有機溶劑。這些溶劑可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
氧化劑考慮與單體的反應性等適當地決定，具體而言，可列舉六水合氯化鐵(III)等的無機酸的3價鐵鹽；氯化銅(II)等的無機酸的2價銅鹽；四氟硼酸亞硝鎓鹽；過硫酸銨等的過碘酸鹽；對甲苯磺酸鐵(III)等的有機酸的3價鐵鹽；過氧化氫、碘等，該等可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
此外，氧化劑的使用量需考慮單體或溶劑的種類等，相對於1質量份的單體，可在0.5~100質量份的範圍內適當地決定。
此外，導電性高分子(高分子膜形成用組成物)的市售品，可列舉例如CleviosTM F010、CleviosTM F020、CleviosTM F100T、CleviosTM F141M、CleviosTM F50T、CleviosTM CPP105D、CleviosTM HC Solar、CleviosTM PVA、CleviosTM FAS、CleviosTM FAS8、CleviosTM FE、CleviosTM FET、CleviosTM MV2、CleviosTM P、CleviosTM PHCV4、CleviosTM P Jet(OLED)、CleviosTM P Jet 700、CleviosTM P Jet HC、CleviosTM P Jet HCV2、CleviosTM P Jet N、CleviosTM P Jet NV2、CleviosTM P Jet UA、CleviosTM P T2、CleviosTM P VP A14083、CleviosTM、CleviosTM P VP CH8000、CleviosTM PH、CleviosTM 1000、CleviosTM PH500、CleviosTM PH1000、CleviosTM p H510(以上為Heraeus股份有限公司製)、R-iCPTM iCP150、R-iCPTM iCP150H、R-iCPTM iCP500、R-iCPTM iCP500H(以上為Nano Soltech股份有限公司製)、OrgaconTM HIL-1005、OrgaconTM IJ-1005、OrgaconTM S305、OrgaconTM EL-P5015、OrgaconTM N-1005(以上Sigma-Aldrich製)、Plexcore OS1100、Plexcore OS1110、Plexcore OS1115、Plexcore OS1150、Plexcore OS115、Plexcore OS1200、Plexcore OS2100(以上為plextronics製)、Energol BP-105、Energol BP-200(化研產業股份有限公司製)、CDP-310M(日本Carlit股份有限公司製)等。
本發明所使用的導電性高分子的平均分子量並未受到特別限定，而若考慮塗佈性或薄膜的形成性等，則重量平均分子量佳為1,000~2,000,000，2,000~1,000,000為較佳。
此外，本發明中的重量平均分子量是由凝膠滲透層析所得到的測定值(聚苯乙烯換算)。
本發明所使用的高分子膜形成用組成物亦可含有摻雜物。摻雜物一般而言，可列舉磺酸化合物或其鹽。
磺酸化合物可列舉2-丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸等的 烷基磺氧化合物、酚磺酸、苯乙烯磺酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸等的苯磺氧化合物、1-萘磺酸、2-萘磺酸、1,3-萘二磺酸、1,3,6-萘三磺酸、6-乙基-1-萘磺酸等的萘磺氧化合物、蒽醌磺氧化合物等的低分子磺氧化合物；聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯磺酸等的聚磺氧化合物等。
本發明所使用的高分子膜形成用組成物亦可因應必要摻合溶劑。
溶劑可列舉水；N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)等的醯胺類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等的酮類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇等的醇類；正庚烷、正己烷、環己烷等的脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、乙苯等的芳香族烴類；乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚等的甘醇醚類；乙二醇、丙二醇等的甘醇類等的有機溶劑。這些溶劑可單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
在含有溶劑的情況，組成物中的導電性高分子可溶解或可分散於溶劑中。
本發明所使用的高分子膜，可將上述高分子膜形成用組成物塗佈於基板上，然後加熱，在含有溶劑時使其蒸發而製作。
形成高分子膜的基板不僅可為玻璃基板、或ITO基板、IZO基板等，還可為由金屬或其氧化物所構成的基板，或者，只要不會溶出至組成物中的溶劑等造成不良影 響，亦可為由樹脂所構成的基板。
加熱溫度因考量所得到的薄膜的用途，對所得到的薄膜賦予的性質、所使用的溶劑的沸點等，在50~200℃左右的範圍內適當地設定。
此外，組成物的塗佈方法、加熱氣體環境、加熱機器等，與上述酸產生膜製作時的條件相同。
高分子膜的膜厚並未受到特別限定，而通常可在0.1~10μm的範圍內適當地決定。
上述本發明的酸產生層形成用組成物，適合單獨利用該組成物作為以往周知的各種導電性高分子膜的摻雜用或圖型形成用的組成物，然而藉由製成分別含有上述高分子膜形成用組成物與酸產生層形成用組成物的套組，可有效率地製作出既定高分子膜與其所適合的酸產生膜，可更有效且簡便地製作導電膜或導電圖型。
尤其藉由製成由導電性高分子含有聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)的高分子膜形成用組成物；以及含有作為酸增殖劑而且藉由酸觸媒反應產生烷基或芳香基磺酸的化合物與作為光酸產生劑的萘醯亞胺系光酸產生劑，佳為萘醯亞胺-芳香基磺酸酯之酸產生層形成用組成物這兩個組成物所構成的導電膜或導電圖型製作用套組，可有效率且簡便地製作出本發明主要目的之乾式光圖型化。
此外，以上針對層合高分子膜與酸產生膜，藉由在酸產生膜中產生．增殖的酸來摻雜高分子膜中的導電性高分子的態樣作說明，然而藉由對由含有導電性高分 子、酸增殖劑、及光酸產生劑的組成物所製作出的單一膜照光，藉由在單一膜內產生．增殖的酸，將導電性高分子摻雜，亦可製作出導電膜。
另外，此時只要隔著光罩進行照光，則亦可製作出僅照光部分被摻雜而成為高導電性部分的導電圖型。
亦即，使用因照光而由光酸產生劑與酸增殖劑所產生．增殖的酸來摻雜導電性高分子為本發明特徵的技術，可應用於將導電性高分子與光酸產生劑及酸增殖劑製成各個膜的情況，以及製作成包含所有這些藥劑的單一膜的情況之任一者。
[實施例]
以下列舉實施例對本發明較具體的說明，而本發明並不受下述實施例所限定。此外所使用的裝置如以下所述。
[1]FT-IR光譜測定
使用日本分光股份有限公司製FT/IR-6100作測定。
[2]導電率測定
使用電阻率計(Loresta GP MCP-T610型，三菱化學Analytech股份有限公司製)測定以旋轉塗佈機製作出的薄膜(膜厚0.1~10μm、旋轉塗佈條件300~5000rpm)的導電率。
[實施例1]酸產生層形成用組成物的製造
調製出作為易剝離劑的Optool DSX(Daikin工業股份有限公司製)，作為酸增殖劑的1,4-環己二醇二對甲苯磺酸酯53質量%、作為光酸產生劑的對甲苯磺酸-1,8-萘醯亞胺(Midori化學股份有限公司製)25質量%混合而成的六氟-2-丙醇(以下稱為HFIP)溶液(固體成分濃度4質量%)。
[酸增殖劑在脫模劑中的分解行為]
將先前調製出的溶液旋轉塗佈於矽晶圓上，在100℃下預烘3分鐘而製膜。以0或10J/cm2對其照射365nm的光線，追蹤在120℃下加熱0~70分鐘時的FT-IR光譜變化。將結果表示於圖1。
在FT-IR光譜測定之中，隨著加熱的進行，追蹤來自酸增殖劑的S-O鍵結的峰強度變化，結果如圖1所示般，在藉由照光產生酸的情況會迅速減少，相對於此，並未進行照光的情況，即使加熱70分鐘，也沒有觀察到減少。
由此可知，酸增殖劑在脫模劑中會藉由光酸產生劑所產生的酸而有效地分解。
[實施例2]導電膜的製作
將1.3質量%PEDOT：PSS水分散液(CleviosTM PH1000、Heraeus股份有限公司)旋轉塗佈於玻璃基板上，在100℃下預烘5分鐘，而製作出透明高分子膜。
另一方面，將Optool DSX(Daikin工業股份有限公司製)，對甲苯磺酸-1,8-萘醯亞胺25質量%、1,4-環己二醇二對甲苯磺酸酯53質量%混合而成的HFIP溶液旋轉塗佈於另一個玻璃基板，在100℃下預烘3分鐘，而製作出酸產生膜。
將酸產生膜貼合在透明高分子膜，並以0或10J/cm2照射365nm的光線，在120℃下加熱0~60分鐘時，藉由四探針法測定導電率。
如圖2所示般，將酸產生膜貼合在透明高分子膜上，進行照光與加熱，所得到的透明導電膜的導電率，會隨著加熱時間而上昇，加熱20分鐘時的導電率，與未曝光的情況相比，上昇至1000倍。其理由被認為是以光酸產生劑所產生的酸作為觸發物，使酸增殖劑連鎖地分解，在系統中增加的TsOH與PEDOT：PSS的PSS之間發生摻雜物交換的緣故。
[實施例3]導電圖型的製作
如圖3所示般，與實施例2同樣地，將酸產生膜10貼合在高分子膜20之後，如圖3所示般，在酸產生膜10側的玻璃基板(支持體)11上蓋上圖4所表示的形狀的光罩30，並以10J/cm2照射波長365nm的光線，在120℃下加熱20分鐘，進行圖型形成。
在圖型形成後，將酸產生膜10剝離，觀察導電膜，結果如圖4(b)所示般，觀察到圖型40轉印在導電膜。
由以上可知，藉由使用編入光酸產生反應與酸增殖反應的酸產生膜，可達成PEDOT：PSS的透明導電膜的乾式光圖型化。
10‧‧‧酸產生膜
11‧‧‧玻璃基板(支持體)
20‧‧‧高分子膜
21‧‧‧玻璃基板(基板)
30‧‧‧光罩
40‧‧‧導電圖型

Claims (12)

  1. 一種導電膜之製造方法，其特徵為具備：將含有酸增殖劑及光酸產生劑的酸產生膜層合在形成於基板上之含有導電性高分子之高分子膜上，而得到層合體之層合步驟；由前述層合體的前述酸產生膜側照光之照光步驟；藉由因為前述照光而在前述酸產生膜中產生．增殖的酸，將前述導電性高分子摻雜之摻雜步驟；及將前述酸產生膜由前述高分子膜剝離之剝離步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電膜之製造方法，其中在前述層合步驟後照光步驟前，具備將前述酸產生膜上遮蔽之遮蔽步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電膜之製造方法，其中前述酸產生膜預先形成於支持體上。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之導電膜之製造方法，其中前述酸產生膜進一步含有易剝離劑。
  5. 一種導電膜之製造方法，其特徵為具備：將含有導電性高分子、酸增殖劑及光酸產生劑之組成物塗佈在基板上並使其乾燥，而得到高分子膜之高分子膜形成步驟；對前述高分子膜照光之照光步驟；及藉由因為前述照光而在前述高分子膜中產生．增殖的酸，將前述導電性高分子摻雜之摻雜步驟。
  6. 一種導電膜或導電圖型形成用組成物，其係含有 導電性高分子、酸增殖劑、及光酸產生劑。
  7. 一種酸產生層形成用組成物，其係用以形成酸產生層，該酸產生層係層合於含有導電性高分子之高分子膜上，藉由照光產生及增殖的酸轉移至前述高分子膜上，發揮作為前述導電性高分子的摻雜物的作用，其特徵為：含有酸增殖劑與光酸產生劑。
  8. 如申請專利範圍第7項之酸產生層形成用組成物，其中進一步含有易剝離劑。
  9. 一種導電膜或導電圖型製造用套組，其特徵為分別含有：含有導電性高分子之高分子膜形成用組成物；及含有酸增殖劑及光酸產生劑之酸產生層形成用組成物。
  10. 如申請專利範圍第9項之導電膜或導電圖型製造用套組，其中前述酸產生層形成用組成物進一步含有易剝離劑。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之導電膜或導電圖型製造用套組，其中前述導電性高分子含有聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)，前述酸增殖劑係藉由酸觸媒反應產生烷基或芳香基磺酸之化合物，前述光酸產生劑為萘醯亞胺-芳香基磺酸酯。
  12. 一種導電性高分子的摻雜方法，其特徵為：藉由對酸增殖劑及光酸產生劑照光而產生．增殖的酸，將導電 性高分子摻雜。
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