JP2003307856A - レジストパターンの製造方法 - Google Patents
レジストパターンの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、化学増幅型レジストおよび導電性
膜を使用した際の、高精細なレジストパターンの製造方
法を提供することを主目的とする。 【解決手段】 本発明は、一方の表面に、化学増幅型レ
ジスト層と、前記化学増幅型レジスト層上に形成され、
加熱により酸を放出する導電性膜とを有する基材上に、
前記導電性膜側から電子線をパターン状に照射する照射
工程と、電子線が照射された基板から前記導電成膜を除
去する導電性膜除去工程と、前記導電性膜が除去された
基板に対し、露光後ベークを施す露光後ベーク工程と、
露光後ベークが施された基板に対して現像を行い、化学
増幅型レジストからなるパターンを形成する現像工程と
を有することを特徴とするレジストパターンの製造方法
を提供することにより上記目的を達成するものである。
膜を使用した際の、高精細なレジストパターンの製造方
法を提供することを主目的とする。 【解決手段】 本発明は、一方の表面に、化学増幅型レ
ジスト層と、前記化学増幅型レジスト層上に形成され、
加熱により酸を放出する導電性膜とを有する基材上に、
前記導電性膜側から電子線をパターン状に照射する照射
工程と、電子線が照射された基板から前記導電成膜を除
去する導電性膜除去工程と、前記導電性膜が除去された
基板に対し、露光後ベークを施す露光後ベーク工程と、
露光後ベークが施された基板に対して現像を行い、化学
増幅型レジストからなるパターンを形成する現像工程と
を有することを特徴とするレジストパターンの製造方法
を提供することにより上記目的を達成するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ
等の高密度集積回路、フォトマスク等を製造する際の高
精細なレジストパターンの製造方法に関する。
等の高密度集積回路、フォトマスク等を製造する際の高
精細なレジストパターンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、シリコンウェハ等の被加工基板上にレジストを
塗布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチング等のリソグラフィー工程を繰り返
すことにより製造されている。
回路は、シリコンウェハ等の被加工基板上にレジストを
塗布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチング等のリソグラフィー工程を繰り返
すことにより製造されている。
【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレジストは、半導体集積回路の高性能化、高集積化に
伴い、高精細であることが要求される傾向にある。
るレジストは、半導体集積回路の高性能化、高集積化に
伴い、高精細であることが要求される傾向にある。
【０００４】近年、このような微細パターンを形成する
ためのレジストの材料として、酸発生剤、ベースレジ
ン、架橋剤（ネガ型）、溶解抑止剤（ポジ型）の成分か
らなる化学増幅型レジストが使用されている。このレジ
ストは、電子線の照射により酸発生剤から酸が発生し、
この酸が発生したレジストを加熱することにより、ネガ
型の場合は、酸が架橋剤と樹脂との架橋反応の触媒とし
て作用するものであり、ポジ型の場合には、樹脂の溶解
を抑止している部分の化学反応に触媒として作用するこ
とから、電子線の照射に高感度のレジストとして知られ
ている。また、解像性やドライエッチング耐性にも優れ
ていることが知られている。
ためのレジストの材料として、酸発生剤、ベースレジ
ン、架橋剤（ネガ型）、溶解抑止剤（ポジ型）の成分か
らなる化学増幅型レジストが使用されている。このレジ
ストは、電子線の照射により酸発生剤から酸が発生し、
この酸が発生したレジストを加熱することにより、ネガ
型の場合は、酸が架橋剤と樹脂との架橋反応の触媒とし
て作用するものであり、ポジ型の場合には、樹脂の溶解
を抑止している部分の化学反応に触媒として作用するこ
とから、電子線の照射に高感度のレジストとして知られ
ている。また、解像性やドライエッチング耐性にも優れ
ていることが知られている。
【０００５】ここで、電子線照射によるパターンの形成
においては、電子線照射時に基板からアースをとる必要
性がある。このアースが不十分であると、基板全体が帯
電することから、後から入射する電子の位置がずれ、高
精細なパターンの形成が阻害される。従来、レジストパ
ターンの製造において、電子線照射時にレジスト上から
針を差し込み、レジストの下に形成された導電性の金属
薄膜等からアースを取るという方法が行われていた。し
かしながら、この方法には確実にアースを取るために、
針の位置の調整や検査を行わなければならない等の問題
があった。また、位相シフトマスク等の製造時において
は、金属薄膜等の導電層が全面ではなく、点在して形成
されていること等により、導電層から基板全体のアース
を取ることが困難であり、部分的に帯電してしまう場合
があった。
においては、電子線照射時に基板からアースをとる必要
性がある。このアースが不十分であると、基板全体が帯
電することから、後から入射する電子の位置がずれ、高
精細なパターンの形成が阻害される。従来、レジストパ
ターンの製造において、電子線照射時にレジスト上から
針を差し込み、レジストの下に形成された導電性の金属
薄膜等からアースを取るという方法が行われていた。し
かしながら、この方法には確実にアースを取るために、
針の位置の調整や検査を行わなければならない等の問題
があった。また、位相シフトマスク等の製造時において
は、金属薄膜等の導電層が全面ではなく、点在して形成
されていること等により、導電層から基板全体のアース
を取ることが困難であり、部分的に帯電してしまう場合
があった。
【０００６】そこで、このような場合に基板にレジスト
を塗布後、レジスト上に導電性膜を形成し、表面の導電
性膜からアースをとる方法が用いられており、この導電
性膜には水溶性型および有機溶剤可溶型の導電性ポリマ
ーが使用されている。
を塗布後、レジスト上に導電性膜を形成し、表面の導電
性膜からアースをとる方法が用いられており、この導電
性膜には水溶性型および有機溶剤可溶型の導電性ポリマ
ーが使用されている。
【０００７】しかしながら、この導電性ポリマーは酸性
であることから、化学増幅型によるレジストパターンの
製造において、化学増幅型レジスト中の酸の触媒反応を
促進させるために化学増幅型レジストを加熱した際、こ
の導電性膜がレジスト中の酸と同様に働き、レジストの
表面が反応してしまうことにより、解像性の低下が引き
起こされるという問題があった。
であることから、化学増幅型によるレジストパターンの
製造において、化学増幅型レジスト中の酸の触媒反応を
促進させるために化学増幅型レジストを加熱した際、こ
の導電性膜がレジスト中の酸と同様に働き、レジストの
表面が反応してしまうことにより、解像性の低下が引き
起こされるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、化学増幅型レ
ジストおよび導電性膜を使用した際の、高精細なレジス
トパターンの製造方法の提供が望まれていた。
ジストおよび導電性膜を使用した際の、高精細なレジス
トパターンの製造方法の提供が望まれていた。
【０００９】
【課題が解決するための手段】本発明は、請求項１に記
載するように、基材の一方の表面に、化学増幅型レジス
ト層と、前記化学増幅型レジスト層上に形成され、加熱
により酸を放出する導電性膜とを有する基板上に、前記
導電性膜側から電子線をパターン状に照射する照射工程
と、電子線が照射された基板から前記導電成膜を除去す
る導電性膜除去工程と、前記導電性膜が除去された基板
に対し、露光後ベークを施す露光後ベーク工程と、露光
後ベークが施された基板に対して現像を行い、化学増幅
型レジストからなるパターンを形成する現像工程とを有
することを特徴とするレジストパターンの製造方法を提
供する。
載するように、基材の一方の表面に、化学増幅型レジス
ト層と、前記化学増幅型レジスト層上に形成され、加熱
により酸を放出する導電性膜とを有する基板上に、前記
導電性膜側から電子線をパターン状に照射する照射工程
と、電子線が照射された基板から前記導電成膜を除去す
る導電性膜除去工程と、前記導電性膜が除去された基板
に対し、露光後ベークを施す露光後ベーク工程と、露光
後ベークが施された基板に対して現像を行い、化学増幅
型レジストからなるパターンを形成する現像工程とを有
することを特徴とするレジストパターンの製造方法を提
供する。
【００１０】この発明によれば、上記露光後ベーク工程
前に、上記導電性膜を除去する導電性膜除去工程を行う
ことから、露光後ベーク工程において、化学増幅型レジ
スト中の酸と同様に導電性膜が酸として働くことを防ぐ
ことが可能となり、高精細なパターンを形成することが
可能となる。
前に、上記導電性膜を除去する導電性膜除去工程を行う
ことから、露光後ベーク工程において、化学増幅型レジ
スト中の酸と同様に導電性膜が酸として働くことを防ぐ
ことが可能となり、高精細なパターンを形成することが
可能となる。
【００１１】また、上記請求項１に記載された発明にお
いては、請求項２に記載するように、前記導電性膜が、
水溶性であることが好ましい。前記導電性膜が水溶性で
あることにより、前記導電性膜除去工程において、導電
性膜を水により除去することが可能となるため、処理が
簡易であり、製造効率やコストの面からも好ましいから
である。
いては、請求項２に記載するように、前記導電性膜が、
水溶性であることが好ましい。前記導電性膜が水溶性で
あることにより、前記導電性膜除去工程において、導電
性膜を水により除去することが可能となるため、処理が
簡易であり、製造効率やコストの面からも好ましいから
である。
【００１２】本発明は、請求項３に記載するように、請
求項１または請求項２に記載のレジストパターンの製造
方法により製造されたレジストパターンにより製造され
ることを特徴とするフォトマスクを提供する。
求項１または請求項２に記載のレジストパターンの製造
方法により製造されたレジストパターンにより製造され
ることを特徴とするフォトマスクを提供する。
【００１３】本発明によれば、請求項１または請求項２
に記載のレジストパターンの製造方法により、フォトマ
スクを製造することにより、高精細なパターンを有する
フォトマスクとすることが可能となる。
に記載のレジストパターンの製造方法により、フォトマ
スクを製造することにより、高精細なパターンを有する
フォトマスクとすることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、レジストパターンの製
造方法およびフォトマスクに関するものである。以下、
これらについて分けて説明をする。
造方法およびフォトマスクに関するものである。以下、
これらについて分けて説明をする。
【００１５】１．レジストパターンの製造方法
本発明のレジストパターンの製造方法は、基材の一方の
表面に、化学増幅型レジスト層と、前記化学増幅型レジ
スト層上に形成され、加熱により酸を放出する導電性膜
とを有する基板上に、前記導電性膜側から電子線をパタ
ーン状に照射する照射工程と、電子線が照射された基板
から前記導電成膜を除去する導電性膜除去工程と、前記
導電性膜が除去された基板に対し、露光後ベークを施す
露光後ベーク工程と、露光後ベークが施された基板に対
して現像を行い、化学増幅型レジストからなるパターン
を形成する現像工程とを有することを特徴とするもので
ある。
表面に、化学増幅型レジスト層と、前記化学増幅型レジ
スト層上に形成され、加熱により酸を放出する導電性膜
とを有する基板上に、前記導電性膜側から電子線をパタ
ーン状に照射する照射工程と、電子線が照射された基板
から前記導電成膜を除去する導電性膜除去工程と、前記
導電性膜が除去された基板に対し、露光後ベークを施す
露光後ベーク工程と、露光後ベークが施された基板に対
して現像を行い、化学増幅型レジストからなるパターン
を形成する現像工程とを有することを特徴とするもので
ある。
【００１６】図１は、レジストパターンの製造方法の一
例を示したものである。以下、図１について具体的に説
明する。
例を示したものである。以下、図１について具体的に説
明する。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、基材１の
一方の表面に化学増幅型レジスト層２が形成され、その
化学増幅型レジスト層２上に導電性膜３が形成された基
板５に、導電性膜３側から電子線４を目的とするパター
ンに照射する（照射工程）。次に、図１（ｂ）に示すよ
うに、電子線が照射された基板５から導電性膜導電性膜
３を除去する（導電膜除去工程）。次いで、図１（ｃ）
に示すように、上記工程から得られた基板５に対し、熱
αにより過熱することにより露光後ベークを施し、電子
線照射部６に発生した酸の触媒反応を促進させ、電子線
照射部６を現像液に可溶または不溶とさせる（露光後ベ
ーク工程）。ここで、化学増幅型レジストがポジ型レジ
ストの場合には、現像工程において、電子線照射部６が
現像液に対して可溶となり、電子線非照射部７がパター
ンとして形成される（図１（ｄ））。また、化学増幅型
レジストがネガ型レジストの場合には、現像工程におい
て、電子線照射部６が現像液に対して不溶となり、パタ
ーンとして形成される（図２）。以下、これらの工程に
ついてそれぞれ説明する。
一方の表面に化学増幅型レジスト層２が形成され、その
化学増幅型レジスト層２上に導電性膜３が形成された基
板５に、導電性膜３側から電子線４を目的とするパター
ンに照射する（照射工程）。次に、図１（ｂ）に示すよ
うに、電子線が照射された基板５から導電性膜導電性膜
３を除去する（導電膜除去工程）。次いで、図１（ｃ）
に示すように、上記工程から得られた基板５に対し、熱
αにより過熱することにより露光後ベークを施し、電子
線照射部６に発生した酸の触媒反応を促進させ、電子線
照射部６を現像液に可溶または不溶とさせる（露光後ベ
ーク工程）。ここで、化学増幅型レジストがポジ型レジ
ストの場合には、現像工程において、電子線照射部６が
現像液に対して可溶となり、電子線非照射部７がパター
ンとして形成される（図１（ｄ））。また、化学増幅型
レジストがネガ型レジストの場合には、現像工程におい
て、電子線照射部６が現像液に対して不溶となり、パタ
ーンとして形成される（図２）。以下、これらの工程に
ついてそれぞれ説明する。
【００１８】Ａ．照射工程
本発明の照射工程とは、基材の一方の表面に、化学増幅
型レジスト層と、その化学増幅型レジスト層上に、加熱
により酸を放出する導電性膜が形成された基板に、導電
性膜側から電子線をパターン状に照射する工程である。
型レジスト層と、その化学増幅型レジスト層上に、加熱
により酸を放出する導電性膜が形成された基板に、導電
性膜側から電子線をパターン状に照射する工程である。
【００１９】まず、本発明に用いられる導電性膜につい
て説明をする。
て説明をする。
【００２０】上記の導電性膜を電子線照射時に基板の表
面に形成することにより、レジスト層の下に金属層等の
導電層が形成された基板においても、アースを表面の導
電性膜からとることが可能となることから、アースを接
続する際の針の位置調整や検査等の工程が容易となり、
製造効率やコストの面から有利である。また、位相シフ
トマスクの製造等における、アースを金属層からとるこ
とのできない基板に対して、上記の導電性膜を基板の表
面に形成することにより、アースをとることが可能とな
る。
面に形成することにより、レジスト層の下に金属層等の
導電層が形成された基板においても、アースを表面の導
電性膜からとることが可能となることから、アースを接
続する際の針の位置調整や検査等の工程が容易となり、
製造効率やコストの面から有利である。また、位相シフ
トマスクの製造等における、アースを金属層からとるこ
とのできない基板に対して、上記の導電性膜を基板の表
面に形成することにより、アースをとることが可能とな
る。
【００２１】さらに、上記導電性膜を表面に形成するこ
とから、後述する導電性膜処理工程により除去すること
が可能となり、微細なパターンの形成をすることが可能
となるのである。
とから、後述する導電性膜処理工程により除去すること
が可能となり、微細なパターンの形成をすることが可能
となるのである。
【００２２】本発明に用いられる導電性膜は、加熱によ
り酸を発生させるものであり、導電性をもつ水溶性型お
よび有機溶剤可溶型の導電性ポリマーであれば、特に限
定されるものではない。具体的には、ポリチェニルアル
カンスルホン酸誘導体、錯体、ＴＣＮＱ、ポリアニリン
誘導体等が挙げられる。
り酸を発生させるものであり、導電性をもつ水溶性型お
よび有機溶剤可溶型の導電性ポリマーであれば、特に限
定されるものではない。具体的には、ポリチェニルアル
カンスルホン酸誘導体、錯体、ＴＣＮＱ、ポリアニリン
誘導体等が挙げられる。
【００２３】また、本発明においては、導電性膜が水溶
性であることが好ましい。導電性膜が水溶性であること
により、後述する導電性膜除去工程において、水により
容易にレジスト上から除去することが可能となり、処理
が簡易であり、化学増幅型レジストにも影響を与えない
ことから、コストや製造効率の面からも有利であるから
である。具体的には、ポリチェニルアルカンスルホン酸
誘導体、ポリアニリン誘導体等である。
性であることが好ましい。導電性膜が水溶性であること
により、後述する導電性膜除去工程において、水により
容易にレジスト上から除去することが可能となり、処理
が簡易であり、化学増幅型レジストにも影響を与えない
ことから、コストや製造効率の面からも有利であるから
である。具体的には、ポリチェニルアルカンスルホン酸
誘導体、ポリアニリン誘導体等である。
【００２４】この導電性膜層の製造方法は、スピンコー
タ法や真空蒸着法等により行うことが可能であり、特に
限定されるものではない。
タ法や真空蒸着法等により行うことが可能であり、特に
限定されるものではない。
【００２５】次に、本発明に用いられる化学増幅型レジ
スト層について説明する。本発明に用いられる化学増幅
型レジスト層は、一般的に化学増幅型のレジストと称さ
れる物質であれば、ポジ型またはネガ型のどちらであっ
てもよく、ポジ型の場合は、ベース樹脂、酸発生剤、お
よび溶解抑止剤、ネガ型の場合はベース樹脂、酸発生
剤、および架橋剤で構成されているものであれば、特に
限定されるものではない。
スト層について説明する。本発明に用いられる化学増幅
型レジスト層は、一般的に化学増幅型のレジストと称さ
れる物質であれば、ポジ型またはネガ型のどちらであっ
てもよく、ポジ型の場合は、ベース樹脂、酸発生剤、お
よび溶解抑止剤、ネガ型の場合はベース樹脂、酸発生
剤、および架橋剤で構成されているものであれば、特に
限定されるものではない。
【００２６】化学増幅型レジストとは、電子線の照射に
より酸発生剤より酸が発生し、電子線照射後の露光後ベ
ーク工程の加熱により、前記酸が触媒として、フォトレ
ジストの架橋、開裂、または分解といった反応を促進さ
せることができるレジストである。また、触媒反応であ
ることから、電子線に対して高感度である。
より酸発生剤より酸が発生し、電子線照射後の露光後ベ
ーク工程の加熱により、前記酸が触媒として、フォトレ
ジストの架橋、開裂、または分解といった反応を促進さ
せることができるレジストである。また、触媒反応であ
ることから、電子線に対して高感度である。
【００２７】具体的に使用できる材料として、ＯＥＢＲ
＿ＣＡＰ２０９（東京応化工業（株）製）、ＮＥＢ２２
（住友化学社製）等が挙げられる。
＿ＣＡＰ２０９（東京応化工業（株）製）、ＮＥＢ２２
（住友化学社製）等が挙げられる。
【００２８】また本発明においては、化学増幅型レジス
ト層の成膜方法は、特に限定されるものではなく、具体
的には、スピン塗布法が挙げられる。
ト層の成膜方法は、特に限定されるものではなく、具体
的には、スピン塗布法が挙げられる。
【００２９】次に、本発明に用いられる基材は、ガラス
やフィルム等の基材上にレジストを形成することが可能
な材料であれば使用することが可能であり、特に限定さ
れるものではない。具体的には、酸化珪素や酸化アルミ
ニウム等が好適に用いられる。
やフィルム等の基材上にレジストを形成することが可能
な材料であれば使用することが可能であり、特に限定さ
れるものではない。具体的には、酸化珪素や酸化アルミ
ニウム等が好適に用いられる。
【００３０】また、本発明において、電子線の照射装置
や形成するパターン等は特に限定されるものではない。
ここで、本発明に用いられるパターンが位相シフトマス
ク等の二回描画するパターンであってもよい。位相シフ
トマスクにおいては、二回目の描画の際に絶縁層である
基材が直接描画面に出ていることから、表面に導電性膜
を設けることにより、電子線による描画時にアースを取
ることが可能となるからである。
や形成するパターン等は特に限定されるものではない。
ここで、本発明に用いられるパターンが位相シフトマス
ク等の二回描画するパターンであってもよい。位相シフ
トマスクにおいては、二回目の描画の際に絶縁層である
基材が直接描画面に出ていることから、表面に導電性膜
を設けることにより、電子線による描画時にアースを取
ることが可能となるからである。
【００３１】Ｂ．導電性膜除去工程
本発明における導電性膜除去工程とは、電子線が照射さ
れた基板から前記導電性除去膜を除去する工程である。
れた基板から前記導電性除去膜を除去する工程である。
【００３２】本発明によれば、上記導電性膜を、後述す
る露光後ベーク前に除去することにより、酸性である上
記導電性膜が、露光後ベーク時に上記化学増幅型レジス
ト中の酸と同様の作用することを防止することが可能と
なり、目的とする高精細なパターンの形成を阻害するこ
とを防止することができる。
る露光後ベーク前に除去することにより、酸性である上
記導電性膜が、露光後ベーク時に上記化学増幅型レジス
ト中の酸と同様の作用することを防止することが可能と
なり、目的とする高精細なパターンの形成を阻害するこ
とを防止することができる。
【００３３】この導電性膜除去の方法は、浸漬法、スプ
レー法、またはパドル法等が挙げられ、特に限定される
ものではない。具体的には、純水もしくは界面活性剤・
アルコールなどで導電性高分子膜の剥離を行い、スピン
回転にて乾燥を行う方法等である。
レー法、またはパドル法等が挙げられ、特に限定される
ものではない。具体的には、純水もしくは界面活性剤・
アルコールなどで導電性高分子膜の剥離を行い、スピン
回転にて乾燥を行う方法等である。
【００３４】Ｃ．露光後ベーク工程
本発明における露光後ベーク工程とは、露光後の基板に
熱をかけることにより、上記照射工程での電子線電子線
照射部において発生した上記化学増幅型レジスト中の酸
を、触媒として作用させる工程である。この工程におい
て、基板に熱をかけることにより、上記化学増幅型レジ
ストの照射された部位に発生した酸が、ポジ型の場合に
は、レジストの開裂または分解を促進させる触媒として
作用するため、後述する現像工程における現像液に電子
線照射部のレジストが可溶となる。また、ネガ型の場合
には、発生した酸がレジストの架橋を促進させる触媒と
して作用することから、電子線照射部のレジストが後述
する現像液に不溶となる。
熱をかけることにより、上記照射工程での電子線電子線
照射部において発生した上記化学増幅型レジスト中の酸
を、触媒として作用させる工程である。この工程におい
て、基板に熱をかけることにより、上記化学増幅型レジ
ストの照射された部位に発生した酸が、ポジ型の場合に
は、レジストの開裂または分解を促進させる触媒として
作用するため、後述する現像工程における現像液に電子
線照射部のレジストが可溶となる。また、ネガ型の場合
には、発生した酸がレジストの架橋を促進させる触媒と
して作用することから、電子線照射部のレジストが後述
する現像液に不溶となる。
【００３５】本発明において、露光後ベーク工程におけ
る加熱方法は、ホットプレート方式等を使用することが
可能であり、特に限定されるものではない。
る加熱方法は、ホットプレート方式等を使用することが
可能であり、特に限定されるものではない。
【００３６】Ｄ．現像工程
本発明における現像工程とは、現像液を上記露光後ベー
ク後の基板と接触させた後、洗浄することにより、化学
増幅型レジストの不溶である部分をパターンとして形成
する工程をいう。
ク後の基板と接触させた後、洗浄することにより、化学
増幅型レジストの不溶である部分をパターンとして形成
する工程をいう。
【００３７】本発明においては、現像液としてアルカリ
系現像液を使用することが可能である。
系現像液を使用することが可能である。
【００３８】この現像の方法は、浸漬法、スプレー法、
またはパドル法等が挙げられ、特に限定されるものでは
ない。
またはパドル法等が挙げられ、特に限定されるものでは
ない。
【００３９】Ｅ．その他
本発明においては、上記の工程の他にプリベーク工程
や、エッチング工程、ポストベーク工程等を有する製造
方法であってもよい。
や、エッチング工程、ポストベーク工程等を有する製造
方法であってもよい。
【００４０】また、本発明のレジストパターンの製造方
法が適用される基板としては、例えば、基材上に金属膜
等の導電性膜が形成され、その金属膜上にレジストが形
成されたもの等を挙げることができる。この場合、前記
レジスト上に電子線照射時に導電性膜を形成することに
より、表面の導電性膜からアースをとることが可能とな
ることから、アースをとる際の調整や検査が容易とな
り、製造効率等の面から有用である。また、露光後ベー
ク前に導電性膜を除去することから、高精細なパターン
を形成することが可能となる。
法が適用される基板としては、例えば、基材上に金属膜
等の導電性膜が形成され、その金属膜上にレジストが形
成されたもの等を挙げることができる。この場合、前記
レジスト上に電子線照射時に導電性膜を形成することに
より、表面の導電性膜からアースをとることが可能とな
ることから、アースをとる際の調整や検査が容易とな
り、製造効率等の面から有用である。また、露光後ベー
ク前に導電性膜を除去することから、高精細なパターン
を形成することが可能となる。
【００４１】さらに、本発明は、位相シフトマスク等の
導電層から基板全体のアースをとることのできないパタ
ーンにも有用である。電子線照射時に導電性膜を表面に
形成することにより、基板全体のアースをとることが可
能となり、また露光後ベーク前に導電性膜を除去するこ
とから、高精細なパターンを形成することが可能となる
からである。
導電層から基板全体のアースをとることのできないパタ
ーンにも有用である。電子線照射時に導電性膜を表面に
形成することにより、基板全体のアースをとることが可
能となり、また露光後ベーク前に導電性膜を除去するこ
とから、高精細なパターンを形成することが可能となる
からである。
【００４２】２．フォトマスク
本発明におけるフォトマスクは、上述したレジストパタ
ーンの製造方法により製造されたレジストパターンによ
り製造されることを特徴とするものである。
ーンの製造方法により製造されたレジストパターンによ
り製造されることを特徴とするものである。
【００４３】本発明においては、上述したレジストパタ
ーンの製造方法によりフォトマスクを製造することによ
り、上述したように、導電性膜を露光後ベーク前に除去
するものであるから、導電性膜が化学増幅型レジスト中
の酸による触媒反応と同様の働きをすることを防止する
ことができる。よって微細なパターンを有するフォトマ
スクとすることが可能となるのである。
ーンの製造方法によりフォトマスクを製造することによ
り、上述したように、導電性膜を露光後ベーク前に除去
するものであるから、導電性膜が化学増幅型レジスト中
の酸による触媒反応と同様の働きをすることを防止する
ことができる。よって微細なパターンを有するフォトマ
スクとすることが可能となるのである。
【００４４】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４５】
【実施例】以下に実施例および比較例を示して、本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
【００４６】（実施例）フォトマスク基板上に化学増幅
型ポジ型レジストである東京応化社製ＯＥＢＲ＿ＣＡＰ
２０９レジスト溶液をスピンコーティングし、厚さ４０
０ｎｍの均一なレジスト膜を得た。その上面に三菱レイ
ヨン社製ａｑｕａＳＡＶＥ（導電性高分子膜）をスピン
コーティングにて厚さ２０ｎｍの均一な膜を得た。その
後１３０℃で２０分間プリベークを行った。ここではま
だ電子線照射を行っていないので導電性高分子膜がレジ
ストに与える影響は少ない。
型ポジ型レジストである東京応化社製ＯＥＢＲ＿ＣＡＰ
２０９レジスト溶液をスピンコーティングし、厚さ４０
０ｎｍの均一なレジスト膜を得た。その上面に三菱レイ
ヨン社製ａｑｕａＳＡＶＥ（導電性高分子膜）をスピン
コーティングにて厚さ２０ｎｍの均一な膜を得た。その
後１３０℃で２０分間プリベークを行った。ここではま
だ電子線照射を行っていないので導電性高分子膜がレジ
ストに与える影響は少ない。
【００４７】これに５０ｋｅＶの電子線露光装置で10ｕ
Ｃ／ｃｍ２の照射量でパターンを露光した。露光後に純
水にてリンスをし、導電性高分子膜を剥離した。次に１
２０℃１５分間ポスト露光後ベークを行った。次にＴＭ
ＡＨ２．３８％のアルカリ水溶液で二分間現像し、純水
でリンスしてレジストパターンを得た。
Ｃ／ｃｍ２の照射量でパターンを露光した。露光後に純
水にてリンスをし、導電性高分子膜を剥離した。次に１
２０℃１５分間ポスト露光後ベークを行った。次にＴＭ
ＡＨ２．３８％のアルカリ水溶液で二分間現像し、純水
でリンスしてレジストパターンを得た。
【００４８】得られたレジストパターンの断面形状を走
査型電子顕微鏡で観察したところ垂直なレジストパター
ン形状が得られた。
査型電子顕微鏡で観察したところ垂直なレジストパター
ン形状が得られた。
【００４９】（比較例）実施例の露光後の導電性高分子
膜の剥離を露光後ベーク前に行わずに現像時の工程で行
った場合のレジストパターンは、レジスト上部の角が丸
く、膜べりの量も大きくなってしまった。
膜の剥離を露光後ベーク前に行わずに現像時の工程で行
った場合のレジストパターンは、レジスト上部の角が丸
く、膜べりの量も大きくなってしまった。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、上記露光後ベーク工程
前に、上記導電性膜を除去する導電性膜除去工程を行う
ことから、露光後ベーク工程における熱により、導電性
膜が酸発生剤として働くことを防ぐことが可能となり、
高精細なパターンを形成することが可能となる。
前に、上記導電性膜を除去する導電性膜除去工程を行う
ことから、露光後ベーク工程における熱により、導電性
膜が酸発生剤として働くことを防ぐことが可能となり、
高精細なパターンを形成することが可能となる。
【図１】本発明のレジストパターンの製造方法の一例を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図２】本発明のレジストパターンの一例を示す概略断
面図である。
面図である。
１…基材
２…化学増幅型レジスト層
３…導電性膜
４…電子線
５…基板
６…電子線照射部
７…電子線非照射部
α…熱
フロントページの続き
(72)発明者 藤井 明子
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AB16 AC06 AD01
AD03 BE00 BE10 BG00 CC17
DA38 FA12
2H096 AA25 BA06 BA11 EA06 FA01
FA10 GA08 HA01 JA03 KA30
LA30
5F056 CC04 DA07 DA23
Claims (3)
- 【請求項１】 基材の一方の表面に、化学増幅型レジス
ト層と、前記化学増幅型レジスト層上に形成され、加熱
により酸を放出する導電性膜とを有する基板上に、前記
導電性膜側から電子線をパターン状に照射する照射工程
と、 電子線が照射された基板から前記導電成膜を除去する導
電性膜除去工程と、 前記導電性膜が除去された基板に対し、露光後ベークを
施す露光後ベーク工程と、 露光後ベークが施された基板に対して現像を行い、化学
増幅型レジストからなるパターンを形成する現像工程と
を有することを特徴とするレジストパターンの製造方
法。 - 【請求項２】 前記導電性膜が、水溶性であることを特
徴とする請求項１に記載のレジストパターンの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のレジス
トパターンの製造方法により製造されたレジストパター
ンにより製造されることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111383A JP2003307856A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | レジストパターンの製造方法 |
| TW092108211A TWI245168B (en) | 2002-04-12 | 2003-04-10 | Method for manufacturing resist pattern |
| EP03252300A EP1353226A3 (en) | 2002-04-12 | 2003-04-11 | Method for manufacturing resist pattern |
| US10/411,747 US20030194619A1 (en) | 2002-04-12 | 2003-04-11 | Method for manufacturing resist pattern |
| KR1020030023077A KR20040002491A (ko) | 2002-04-12 | 2003-04-11 | 레지스트 패턴의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111383A JP2003307856A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | レジストパターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003307856A true JP2003307856A (ja) | 2003-10-31 |
Family
ID=28449998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002111383A Pending JP2003307856A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | レジストパターンの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030194619A1 (ja) |
| EP (1) | EP1353226A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003307856A (ja) |
| KR (1) | KR20040002491A (ja) |
| TW (1) | TWI245168B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP2010153641A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nuflare Technology Inc | 基板処理方法 |
| US11333979B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140137899A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Dynaloy, Llc | Process for removing substances from substrates |
| WO2016035785A1 (ja) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 学校法人東京理科大学 | 導電膜および導電パターンの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4973416A (en) * | 1988-10-14 | 1990-11-27 | The Procter & Gamble Company | Liquid laundry detergent in water-soluble package |
| JPH04204848A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| KR100380546B1 (ko) * | 1994-02-24 | 2003-06-25 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체집적회로장치의제조방법 |
| US20010044077A1 (en) * | 1999-04-16 | 2001-11-22 | Zoilo Chen Ho Tan | Stabilization of chemically amplified resist coating |
| JP3760086B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-03-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの製造方法 |
-
2002
- 2002-04-12 JP JP2002111383A patent/JP2003307856A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-10 TW TW092108211A patent/TWI245168B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-11 US US10/411,747 patent/US20030194619A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-11 EP EP03252300A patent/EP1353226A3/en not_active Withdrawn
- 2003-04-11 KR KR1020030023077A patent/KR20040002491A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228776A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP2010153641A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nuflare Technology Inc | 基板処理方法 |
| US11333979B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI245168B (en) | 2005-12-11 |
| TW200403538A (en) | 2004-03-01 |
| EP1353226A2 (en) | 2003-10-15 |
| EP1353226A3 (en) | 2004-01-21 |
| US20030194619A1 (en) | 2003-10-16 |
| KR20040002491A (ko) | 2004-01-07 |
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