TW201604265A - 蝕刻用組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種蝕刻用組合物、一種該組合物的製備方法、以及一種使用該組合物製備半導體裝置的方法。所述組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過第二無機酸和矽烷化合物之間的反應生成的矽烷無機酸鹽以及溶劑。所述第二無機酸可以為選自硫酸、發煙硫酸、硝酸、磷酸以及它們的組合中的至少一種。

Description

蝕刻用組合物
本發明關於一種蝕刻製程用組合物，更具體地，關於一種高選擇性蝕刻組合物以及使用該蝕刻組合物製備半導體的方法，該組合物能夠選擇性地去除氮化物層，同時使氧化物層的蝕刻速度最小化。
在製備半導體時，已經將氧化物層和氮化物層用作絕緣層。氧化物層可以包括二氧化矽(SiO2)層，氮化物層可以包括氮化矽(SiN2)層。二氧化矽層和氮化矽(SiN2)層獨立地使用或者交替性地互相堆疊作為絕緣層。另外，氧化物層和氮化物層可以用作硬質遮罩用於形成金屬互連的導電圖案。
可以進行濕式蝕刻製程來去除此氮化物層。通常，作為蝕刻組合物，使用磷酸和去離子水的混合物來去除氮化物層。可以添加去離子水來防止蝕刻速度的劣化和蝕刻選擇性的變化。然而，即使去離子水提供量的很小變化也可能引起去除氮化物層的蝕刻製程的缺陷。另外，因為磷酸具有強酸性且具有腐蝕性或苛性，所以難以處理磷酸。
為了克服常規蝕刻組合物的這種缺陷，提出包含與氫氟酸(HF)和硝酸(HNO3)中的一種進行混合的磷酸(H3PO4) 的蝕刻組合物。然而，此蝕刻組合物使氮化物層和氧化物層的蝕刻選擇性劣化。提出另一種包含磷酸和矽酸鹽與矽酸中的一種的蝕刻組合物。然而，矽酸鹽和矽酸產生嚴重影響基底的顆粒。
提供本概述用於以簡化形式引出概念的選擇，這在下面的詳細說明中進一步描述。該概述的目的不是確定所要求保護的主題的關鍵特徵或實質特徵，也不是用於限制所要求保護的主題的範圍。
本發明的實施形態克服了上面所述的缺點和上面未描述的其他缺點。另外，本發明的實施形態不需要克服上面所述的缺點，並且本發明的實施形態可以不克服上面所述的任何問題。
根據本實施形態之一，提供一種蝕刻組合物，該組合物選擇性地去除氮化物層，同時使氧化物層的蝕刻速度最小化。
根據本實施形態之一，提供一種具有高選擇性的蝕刻組合物，該組合物用於防止在蝕刻製程中顆粒的產生。
根據本實施形態之一，提供一種半導體的製備方法，該製備方法使用具有選擇性去除氮化物層同時使氧化物層的蝕刻速度最小化的高選擇性的蝕刻組合物。
根據至少一個實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過第二無機酸和矽烷化合物之間的反應產生的矽烷無機酸鹽以及溶劑。所述第二無機酸可以為選自 硫酸、發煙硫酸、硝酸、磷酸、無水磷酸以及它們的組合中的至少一種。所述矽烷化合物可以為用第一化學式表示的化合物： 其中，R1至R4中的每一個選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基，並且R1至R4中的至少一個為鹵素和(C1-C10)烷基中的一種。
根據另一實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過多磷酸和矽烷化合物之間的反應生成的矽烷無機酸鹽以及溶劑。
根據另一實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過第二無機酸和矽氧烷化合物之間的反應生成的矽氧烷無機酸鹽以及溶劑。所述第二無機酸可以為選自磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中的一種。
根據另一實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過第二無機酸和矽氧烷化合物之間的反應生成的矽氧烷無機酸鹽以及溶劑。所述第二無機酸可以為選自硫酸、發煙硫酸以及它們的組合中的一種。
根據另一實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至少一種通過包括硝酸的第二無機酸和矽氧烷化合物之間誘導的反應生成的矽氧烷無機酸鹽以及溶劑。
根據另一實施形態，組合物可以包含第一無機酸、至 少一種通過第二無機酸和第一矽烷化合物之間誘導的反應產生的矽烷無機酸鹽、第二矽烷化合物以及溶劑。所述第二無機酸可以為選自硫酸、發煙硫酸、硝酸、磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中的一種。第一矽烷化合物和第二矽烷化合物可以為選自用第十化學式表示的化合物、用第十一化學式表示的化合物以及它們的組合中的一種。第十化學式為：，以及其中，第十一化學式為：
其中，i)R1至R10中的每一個選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基，ii)R1至R4中的至少一個為鹵素和(C1-C10)烷氧基中的一種，iii)R5至R10中的至少一個為鹵素和(C1-C10)烷氧基中的一種，iv)n為1至10的一個整數。
根據另一實施形態，提供一種半導體裝置的製備方法。該方法可以包括使用所述蝕刻組合物進行蝕刻製程。
10‧‧‧基底
11‧‧‧隧道氧化物列
12‧‧‧多晶矽層
13‧‧‧緩衝氧化物層
14‧‧‧氮化物墊層
15‧‧‧SOD氧化物層
15A‧‧‧元件隔離層
20‧‧‧基底
21‧‧‧隧道氧化物層
22‧‧‧多晶矽層
23‧‧‧緩衝氧化物層
24‧‧‧氮化物墊層
25‧‧‧溝槽
26‧‧‧氧化物層
26A‧‧‧隔離層
30‧‧‧基底
31‧‧‧管閘電極層
31A‧‧‧第一導電層
31B‧‧‧第二導電層
32‧‧‧氮化物層
33‧‧‧第一層間絕緣層
34‧‧‧第一閘電極層
35‧‧‧氮化物層
36‧‧‧犧牲層
37‧‧‧第二層間絕緣層
38‧‧‧第二閘電極層
40‧‧‧基底
41‧‧‧導電區域
42‧‧‧多晶矽層
43‧‧‧矽化鈦層
44‧‧‧氮化鈦層
45‧‧‧氮化物層
46‧‧‧氧化物層
H1~H4‧‧‧第一孔
H2‧‧‧第二孔
H3‧‧‧第三孔
H4‧‧‧第四孔
H5、H6‧‧‧隧道孔
H7‧‧‧管隧道孔
CGS‧‧‧單元閘結構
SGS‧‧‧選擇閘結構
S‧‧‧溝槽
結合圖式，從實施形態的下述描述中，本發明的上面的和/或其他方面將變得顯而易見且更容易理解，其中。
圖1A和圖1B示出快閃記憶體裝置的裝置隔離製程。
圖2A至圖2C為示出根據至少一個實施形態的快閃記憶體裝置的裝置隔離製程的橫剖面圖。
圖3A至圖3F為示出根據至少一個實施形態形成快閃記憶體裝置的通道的製程的橫剖面圖。
圖4A和圖4B為示出根據至少一個實施形態形成相變儲存裝置的二極體的製程的橫剖面圖。
圖5為示出根據第一實施形態A製備的矽烷無機酸鹽的核磁共振(NMR)資料的圖像。
現在將詳細地描述本發明的實施形態，本發明的實施例在圖式中進行說明，其中，相同的圖式標記在全文中指相同的元件。為了參照圖式解釋本發明，下面描述實施形態。
圖式不必成比例，在某些情況下，為了清楚地說明實施形態的特徵，比例可能已經進行了放大。當提及第一層在第二層“之上”或者在基底“之上”時，並不單指第一層在第二層或基底上直接形成的情況，也指第三層存在於第一層和第二層或基底之間的情況。
在說明書中，術語“(C1-C10)烷基”指具有1至10個碳原子的直鏈或支鏈的非環飽和烴，術語“(C1-C10)烷氧基”指具有一個以上醚基和1至10個碳原子的直鏈或支鏈的非環烴。
根據至少一個實施形態，蝕刻組合物可以包含第一無 機酸、至少一種矽烷無機酸鹽以及溶劑。所述至少一種矽烷無機酸鹽可以通過第二無機酸和矽烷化合物之間的反應產生。
在根據至少一個實施形態製備半導體裝置中，蝕刻組合物中含有的至少一種矽烷無機酸鹽能夠容易和有效控制氧化物層的蝕刻速度，並且也能夠容易控制有效場氧化物高度(EFH)。
下文中，將參照圖式描述根據至少一個實施形態的這種蝕刻組合物。在描述根據至少一個實施形態的蝕刻組合物之前，將參照圖1A至圖1B描述在製備半導體裝置中蝕刻組合物的常規使用。
圖1A和圖1B示出快閃記憶體裝置的裝置隔離製程。參照圖1A，在基底10上依次形成隧道氧化物列11(tunnel oxide file 11)、多晶矽層12、緩衝氧化物層13和氮化物墊層14。通過選擇性地蝕刻多晶矽層12、緩衝氧化物層13和氮化物墊層14形成至少一個溝槽。通過形成SOD(Spin-on Dielectric；電介質旋塗)氧化物層15進行填充至少一個溝槽的間隙填充製程。然後，可以使用氮化物墊層14作為拋光停止層進行化學機械拋光(CMP)製程。
參照圖1B，通過使用磷酸溶液進行濕式蝕刻製程去除氮化物墊層14。通過清洗製程去除緩衝氧化物層13。因此，形成元件隔離層15A。然而，當在濕式蝕刻製程中使用磷酸溶液時，氮化物層和氧化物層的蝕刻選擇性降低。由於此種降低，SOD氧化物層15會與氮化物墊層14一起 去除，而且難以控制有效場氧化物高度(EFH)。因此，由於磷酸溶液，難以i)保證濕式蝕刻去除氮化物墊層14的充足時間，ii)會需要額外的過程，以及iii)磷酸溶液引起嚴重影響裝置性能的波動。
因此，為了相對於氧化物層選擇性地蝕刻氮化物層、不產生顆粒，需要高選擇性的蝕刻組合物。
為了克服常規蝕刻組合物的缺陷並且滿足所述需求，根據至少一個實施形態，提供一種高選擇性蝕刻組合物，該組合物選擇性地去除氮化物層、同時使氧化物層的蝕刻速度最小化。此蝕刻組合物可以包含第一無機酸、至少一種矽烷無機酸鹽以及溶劑。根據至少一個實施形態，所述至少一種矽烷無機酸鹽可以通過第二無機酸和矽烷化合物之間的反應生成。
由於蝕刻組合物中包含的至少一種矽烷無機酸鹽，能夠容易和有效地控制氧化物層的蝕刻速度。因此，在根據至少一個實施形態製備半導體裝置中，可以容易和有效地控制有效場氧化物高度(EFH)。
如上所述，所述至少一種矽烷無機酸鹽可以由第二無機酸和矽烷化合物之間的重複和連續反應生成。因此，所述至少一種矽烷無機酸鹽可以包括各種化學式而不是具有單一的化學式。
所述第二無機酸可以為選自硫酸、發煙硫酸、硝酸、磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中的一種。較佳地，所述第二無機酸可以為硫酸、硝酸和磷酸中 的一種。
所述矽烷化合物可以為選自用下面的化學式A1至A2表示的化合物以及它們的組合中的一種。
在化學式A1中，R1至R4中的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。另外，R1至R4中的至少一個可以為鹵素和(C1-C10)烷基中的一種。
所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
具體地，用化學式A1表示的矽烷化合物可以包括鹵矽烷化合物和烷氧基矽烷化合物。
所述鹵矽烷化合物可以選自三甲基氯矽烷、三乙基氯矽烷、三丙基氯矽烷、三甲基氟矽烷、三乙基氟矽烷、三丙基氟矽烷、二甲基二氯矽烷、二乙基二氯矽烷、二丙基二氯矽烷、二甲基二氟矽烷、二乙基二氟矽烷、二丙基二氟矽烷、乙基三氯矽烷、丙基三氯矽烷、甲基三氟矽烷、乙基三氟矽烷、丙基三氟矽烷以及它們的組合。
所述烷氧基矽烷化合物可以選自四甲氧基矽烷、四丙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷(MTMOS)、甲基三乙氧基矽烷(MTEOS)、甲基三丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷 (PrTMOS)、丙基三乙氧基矽烷(PrTEOS)、丙基三丙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三乙基甲氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三乙基丙氧基矽烷、三丙基甲氧基矽烷、三丙基乙氧基矽烷、三丙基丙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、[3-(2-氨基乙基)氨基丙基]三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷以及它們的組合。
在化學式A2中，R5至R10中的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。另外，R5至R10中的至少一個可以為鹵素和(C1-C10)烷氧基中的一種，n為1至10的一個整數。
所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
具體地，用化學式A2表示的化合物可以包括氯二甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、氯二乙基矽氧基-氯二甲基矽烷、二氯甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、二氯乙基矽氧基-氯 二甲基矽烷、三氯矽氧基-氯二甲基矽烷、氟二甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、二氟甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、三氟矽氧基-氯二甲基矽烷、甲氧基二甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、三甲氧基矽氧基-氯二甲基矽烷、乙氧基二甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、二乙氧基甲基矽氧基-氯二甲基矽烷、三乙氧基矽氧基-氯二甲基矽烷、氯二甲基矽氧基-二氯甲基矽烷、三氯矽氧基-二氯甲基矽烷、氯二甲基矽氧基-三氯矽烷、二氯甲基矽氧基-三氯矽烷和三氯矽氧基-三氯矽烷。
所述矽烷無機酸鹽可以通過i)將矽烷化合物添加到第二無機酸中，以及ii)在約20℃至約300℃的溫度範圍內，較佳地，在約50℃至約200℃的溫度範圍內引發反應來生成。此製程進行的同時去除空氣和水分。當反應溫度低於約20℃時，由於反應速度相對較低，所以矽烷化合物會結晶或蒸發。當反應溫度高於約300℃時，第二無機酸會蒸發。
例如，可以使約100重量份的第二無機酸與約0.001至約50重量份的矽烷化合物反應。較佳地，可以使約0.01至約30重量份的矽烷化合物與約100重量份的第二無機酸反應。當矽烷化合物的含量小於約0.01重量份時，難以得到理想的選擇性。當矽烷化合物的含量大於約50重量份時，矽烷化合物可能結晶並形成不規則結構。
在反應過程中，會產生揮發性副產物。此揮發性副產物可以通過減壓蒸餾去除。此反應產物可以進行蒸餾而且 將矽烷無機酸鹽從其中分離出來。分離後的矽烷無機酸鹽添加到蝕刻組合物中。然而，本實施形態不受此限制。例如，反應產物可以不經過蒸餾而添加到蝕刻組合物中。
此反應可以在有非質子溶劑或沒有非質子溶劑的情況下進行。當使用非質子溶劑時，較佳使用在10013mbar下沸點高達120℃的溶劑或溶劑混合物。此溶劑可以包括：i)二噁烷、四氫呋喃、二乙醚、二異丙醚、二乙二醇單甲醚；ii)氯代烴，例如二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷、1,2-二氯乙烷和三氯乙烯；iii)烴，例如戊烷、正己烷、己烷同分異構體混合物、庚烷、辛烷、苯、石油醚、苯、甲苯和二甲苯；iv)酮，例如丙酮、甲基乙基酮、二異丙基酮和甲基異丁基甲酮(MIBK)；v)酯，例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸丙酯、丁酸乙酯、異丁酸乙酯、二硫化碳和硝基苯；以及它們的組合。
如上所述，所述矽烷無機酸鹽通過誘導第二無機酸和矽烷化合物之間的反應生成。因此，根據至少一個實施形態，所述矽烷無機酸鹽具有不同的化學式。即，所述矽烷無機酸鹽可以由第二無機酸和矽烷化合物之間的重複和連續反應生成。根據鹵素原子的數目和鹵素原子的位置，此矽烷無機酸鹽可以具有可反應的複數種直鏈或支鏈化學式結構。
此矽烷無機酸鹽可以示例性地用下面的化學式表示。然而，本實施形態不受此限制。
在化學式A3-1至A3-7、A4-1至A4-7和A5-1至A5-7中，R1-1至R1-8中的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
基於蝕刻組合物的總重量，所述矽烷無機酸鹽的含量為約0.01至約15wt%，更佳約0.05至約15wt%，甚至更佳約1至約15wt%，更佳約3至約7wt%。
當所述矽烷無機酸鹽的含量低於約0.01wt%時，不能實現氮化物層的高蝕刻選擇性。當所述矽烷無機酸鹽的含量高於約15wt%時，含量的增大不會引起蝕刻選擇性的進一步提高而且會引起諸如顆粒的產生等問題。
例如，當矽烷無機酸鹽的含量高於約0.7wt%時，蝕刻組合物的氮化物蝕刻速度和氧化物蝕刻速度之間的選擇性 高於約200：1(例如，氮化物蝕刻速度Å/min：氧化物蝕刻速度Å/min)。例如，蝕刻組合物的選擇性可以為約200：1、約200：5和約200：10。
例如，當矽烷無機酸鹽的含量高於約1.4wt%時，矽烷無機酸鹽的氮化物蝕刻速度和氧化物蝕刻速度之間的選擇性可以為約200：無窮大(氮化物蝕刻速度：氧化物蝕刻速度)。如上所述，根據至少一個實施形態的蝕刻組合物具有氮化物層相對於氧化物層的高選擇性。因此，蝕刻組合物能夠容易控制氧化物層的蝕刻速度並且容易控制EFH。
根據至少一個實施形態，矽烷無機酸鹽可以由多磷酸與矽烷化合物的反應生成。此矽烷無機酸鹽可以用下面的化學式B1表示。
在化學式B1中，R1可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。n1為1至4的一個整數，m1為1至10的一個整數。R2至R4中的每一個可以為氫。選擇性地，選自R2至R4中的至少一個氫可以被用下面的化學式B2表示的取代基取代。
在化學式B2中，R5中的一個R5可以與化學式B1連接並且其他的R5可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。例如，當有四個R5時，其中一個R5與化學式B1連接，剩餘三個R5中的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。又如，當有一個R5時，它與化學式B1連接。n2為0至3的一個整數，m2為1至10的一個整數。
在化學式B2中，R2至R4的每一個可以為氫或者被用化學式B2表示的取代基取代。即，R2至R4中的一個可以被用化學式B2表示的取代基取代。另外，用第二化學式B2表示的取代基的R2至R4中的一個也可以被用第三化學式B2表示的取代基取代。
這是因為矽烷無機酸鹽通過多磷酸和矽烷化合物之間的反應生成。例如，用化學式B1表示的組合物通過多磷酸和矽烷化合物之間的反應生成。在所生成的用化學式B1表示的組合物中，羥基可以與所述矽烷化合物再次反應。此處，羥基位於來自多磷酸的部分的R2至R4中的一個位置上，矽烷化合物為引發這個重複反應的反應物。連續地，反應後的矽烷化合物與多磷酸再次反應。此反應可以重複並連續進行。
由於重複和連續反應，可以生成下面的矽烷無機酸鹽的組合物。
在化學式B1中，n1為1，m1為1，R2至R4都為氫。此時，可以生成用下面的化學式B3-1表示的矽烷無機酸鹽。R1-1至R1-3的定義與R1的定義相同。
除了m1為2外，用下面的化學式B3-2表示的化合物與用化學式B3-1表示的化合物基本相同。
下面的化學式B3-3示例性地表示當化學式B1具有以下條件：i)n1為2，ii)m1為1，iii)R2至R4中的每一個為氫時的化合物。R1-1至R1-2的定義與R1的定義相同。
下面的化學式B3-4示例性地表示當化學式B1具有以下條件：i)n1為1，ii)m1為1，iii)所有R2至R3為氫，iv)R4被用化學式B2表示的取代基取代時的化合物。在化學式B2的取代基中，n2為0，並且至少一個R5與化學式B1連接。此處，R1-1至R1-6的定義與R1的定義相同。
用下面的化學式B3-4表示的此化合物通過i)由具有用化學式B1表示的化合物的R4取代基的多磷酸產生的部分與ii)矽烷化合物之間的重複反應生成。此處，所述矽烷化合物為引發重複反應的反應物。
下面的化學式B3-5示例性地表示當化學式B1具有以下條件：i)n1為1，ii)m1為1，iii)R3至R4為氫，iv)R2被化學式B2取代時的化合物。此處，化學式B2具有以下條件：i)n2為1，ii)m2為1，iii)至少一個R5與化學式B1連接，iv)所有的R2至R4為氫時的化合物。此處，R1-1至R1-5的定義與R1的定義相同。
用下面的化學式B3-5表示的此化合物由重複和連續反應生成。例如，i)羥基，位於化學式B1表示的化合物中來自多磷酸的部分的R4位置處，與所述矽烷化合物再次反應。此處，所述矽烷化合物為引發這個重複反應的反應物。然後，ii)與用化學式B1表示的化合物連續反應的所述矽烷化合物與所述多磷酸連續反應。此處，所述多磷酸為引發這個連續反應的反應物。
下面的化學式B3-6和化學式B3-7示例性地表示除了用化學式B2表示的取代基的位置不同之外與用化學式B3-5表示的化合物基本相同的化合物。在化學式B3-6中，用化學式B2表示的取代基位於化學式B1的R3位置處。在化學式B3-7中，用化學式B2表示的取代基位於化學式B1的R4位置處。
下面的化學式B3-8示例性地表示當化學式B1具有以下條件：i)n1為1，ii)m1為1，iii)R2至R3為氫，iv)化學 式B1的R4被用化學式B2表示的第一取代基取代，v)用化學式B2表示的取代基的R4被用化學式B2表示的第二取代基取代時的化合物。此處，化學式B2具有以下條件：i)n2為1，ii)m2為1，iii)至少一個R5與化學式B1連接，iv)R2和R3中的至少一個為氫。此處，R1-1至R1-7的定義與R1的定義相同。
用下面的化學式B3-8表示的此化合物由重複和連續反應生成。例如，i)羥基與所述矽烷化合物再次反應。此處，反應後的羥基位於用化學式B3-7表示的化合物的右端的來自多磷酸的部分處，並且矽烷化合物為引發這個重複反應的反應物。然後，ii)與用化學式B3-7表示的化合物反應的矽烷化合物與多磷酸連續反應。此處，多磷酸為引發這個連續反應的反應物。
如上所述，根據至少一個實施形態，可以生成用化學式B3-1至B3-8表示的不同組合物。然而，實施形態不受此限制。
如上所述，矽烷化合物可以與多磷酸反應並由於該反應生成用化學式B1表示的矽烷無機酸鹽。此矽烷化合物可以為用化學式A1表示的化合物。由於已經描述了用化學式A1表示的化合物，所以此處省略了其詳細描述。
所述多磷酸可以為含有兩個磷酸原子的焦磷酸或含有三個以上磷酸原子的多磷酸。
除了使用多磷酸而不是使用第二無機酸之外，由多磷酸與矽烷化合物反應生成矽烷無機酸鹽的方法可以與由第二無機酸與矽烷化合物反應生成矽烷無機酸鹽的方法基本相同。
根據至少一個實施形態，矽烷無機酸鹽可以為用下面的化學式C1表示的矽氧烷無機酸鹽。此矽氧烷無機酸鹽可以由第二無機酸與矽氧烷化合物反應生成。此處，第二無機酸可以選自磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中。
在化學式C1中，R1至R2中的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。所述鹵 素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
在化學式C1中，n1為0至3的一個整數，n2為0至2的一個整數，m1為整數0和1中的一個，其中，n1、n2和m1之和等於或大於1(例如，n1+n2+m1 1)。例如，化學式C1可以包括至少一個來自第二無機酸例如磷酸的原子基團。
在化學式C1中，l1為1至10的一個整數並且O1至O3中的每一個為0至10的一個整數。
在化學式C1中，R3至R11中的每一個為氫。選擇性地，選自R3至R11中的至少一個氫可以被用下面的化學式C2表示的取代基取代。
在化學式C2中，R12和R13中的一個可以與化學式C1連接並且其他的可以獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。例如，當有兩個R12和一個R13時，它們中的一個可以與化學式C1連接，剩餘兩個的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。又例如，當有一個R12且沒有R13時，R12與化學式C1連接。
n3為0至3的一個整數，n4為0至2的一個整數，m1為0至1的一個整數。l1為1至10的一個整數，O1至O3中的每一個為0至10的一個整數。
在化學式C2中，R3至R11可以為氫或者可以被用化學式C2表示的取代基(稱作第二化學式C2)取代。即，化學式C2的R3至R11中的至少一個可以被用第二化學式C2表示的取代基取代，第二化學式C2的R3至R11中的至少一個可以被用化學式C2表示的取代基(稱作第三化學式C2)再次取代。
這是因為所述矽氧烷無機酸鹽通過第二無機酸和矽氧烷化合物的重複和連續反應來生成。例如，用化學式C1表示的化合物通過第二無機酸和矽氧烷化合物之間的反應生成。在所生成的用化學式C1表示的化合物中，羥基可以與矽氧烷化合物再次反應。此處，矽氧烷化合物為引發這個重複反應的反應物，與矽氧烷反應的羥基位於來自第二無機酸的部分的R3至R11的位置處。連續地，與所生成的用化學式C1表示的化合物反應後的矽氧烷化合物，與 第二無機酸再次反應。此處，第二無機酸為引發這個連續反應的反應物。此反應可以重複並連續進行。
下面的化學式示例性地表示此重複和連續反應生成的矽氧烷無機酸鹽。
下面的化學式C1-1示例性地示出當化學式C1具有以下條件：i)n1為1，ii)n2為0，iii)m1為0，iv)l1為1，v)O1至O3為0，vi)所有的R3至R11為氫時的化合物。此處，R1-1至R1-2的定義與R1的定義相同，R2-1至R2-2的定義與R2的定義相同。
下面的化學式C1-2表示除了當n2為1時之外與用化學式C1-1表示的化合物基本相同的化合物。
下面的化學式C1-3表示除了當O2和O3為1時之外與用化學式C1-1表示的化合物基本相同的化合物。
下面的化學式C1-4表示除了當l1為2時之外與用化學式C1-2表示的化合物基本相同的化合物。
下面的化學式C1-5示例性地表示當化學式C1具有以下條件：i)n1為2，ii)n2為2，iii)m1為0，iv)l1為1，v)O1至O3中的至少一個為0，vi)所有的R3至R11為氫時的 化合物。
下面的化學式C1-6示例性地表示當化學式C1具有以下條件：i)n1為1，ii)n2為1，iii)m1為0，iv)l1為1，v)O1至O3中的至少一個為0，vi)R6、R9和R11為氫，vii)R8被用化學式C2表示的取代基取代時的化合物。此處，在取代基的化學式C2中，i)n3和n4為0，ii)m1為0，iii)l1為1，iv)R12中的至少一個與化學式C1連接。
此處，R1-1至R1-7的定義與R1的定義相同，R2-1的定義與R2的定義相同。用下面的化學式C1-6表示的此化合物由i)羥基和ii)矽氧烷化合物之間的重複反應生成。反應後的羥基位於用化學式C1表示的化合物中來自第二無機酸的部分的R8位置處，矽氧烷化合物為引發這個重複反應的反應物。
下面的化學式C1-7示例性地表示當化學式C1具有以下條件：i)n1為1，ii)n2為1，iii)m1為0，iv)l1為1，v)O1至O3中的至少一個為0，vi)R6、R9和R11為氫，vii)R8被用化學式C2表示的取代基取代時的化合物。此處，在取代基的化學式C2中，i)n3和n4為1，ii)m1為0，iii)O2和O3為0，iv)R12中的至少一個與化學式C1連接，v)R6、R8、R9和R11為氫。此處，R1-1至R1-3、R2-1、R2-2、R3-1和R3-2的定義分別與R1、R2和R3的定義相同。
用化學式C1-7表示的此化合物由重複和連續反應生成。例如，羥基與矽氧烷化合物再次反應。此處，反應的羥基為化學式C1表示的化合物中位於來自第二無機酸的部分的R8處的羥基。然後，反應後的矽氧烷化合物與第二無機酸連續反應。此處，第二無機酸為引發這個連續反應的反應物。
除了用化學式C2表示的取代基位於化學式C1-7的R1-3位置處並與化學式C1連接之外，下面的化學式C1-8表示與用化學式C1-7表示的化合物基本相同的化合物。
下面的化學式C1-9示例性地表示當化學式C1具有以下條件：i)n1為1，ii)n2為1，iii)m1為0，iv)l1為1，v)O1至O3中的至少一個為0，vi)R3、R6、R9和R11為氫，vii)化學式C1的R8被用化學式C2(稱作第一化學式C2)表示的第一取代基取代，viii)第一取代基R8(例如，第一化學式C2)被用化學式C2(稱作第二化學式C2)表示的第二取 代基取代時的化合物。此處，在第一取代基的第一化學式C2中，i)n3和n4為1，ii)m1為0，iii)l1為1，iv)O2和O3為0，v)R12中的至少一個與化學式C1連接，v)R6、R9和R11為氫，vi)R8為用第二化學式C2表示的第二取代基。在第二取代基的第二化學式C2中，i)n3和n4為1，ii)m1為0，iii)l1為1，iv)O2和O3為0，v)R12中的至少一個與第一化學式C2連接，v)R6、R8、R9和R11為氫。此處，R1-1至R1-4、R2-1至R2-3和R3-1至R3-3的定義分別與R1、R2和R3的定義相同。
用下面的化學式C1-9表示的此化合物由重複和連續反應生成。例如，化學式B1-7表示的化合物的右端的來自第二無機酸的部分與矽氧烷化合物再次反應。然後，反應後的矽氧烷化合物與第二無機酸連續反應。此處，第二無機酸為引發這個連續反應的反應物。
除了用化學式C2表示的取代基位於化學式C1-9的R1-4位置並與化學式C1連接之外，下面的化學式C1-10表示與用化學式C1-9表示的化合物基本相同的化合物。
根據實施形態的化合物不限於用化學式C1-1至C1-10表示的化合物。
例如，根據至少一個實施形態，矽烷化合物可以為用下面的化學式C3表示並且通過第二無機酸和矽氧烷化合物的反應生成的矽氧烷無機酸鹽。此處，第二無機酸可以選自硫酸、發煙硫酸以及它們的組合。
在化學式C3中，R21和R22中的每一個可以獨立地選 自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
在化學式C3中，n1為0至3的一個整數，n2為0至2的一個整數，m1為整數0和1中的一個，其中，n1、n2和m1之和等於或大於1(例如，n1+n2+m1 1)。例如，化學式C3可以包括至少一個來自所述第二無機酸例如硫酸的原子基團。
在化學式C3中，l1為1至10的一個整數。
在化學式C3中，R23至R25中的每一個為氫。選擇性地，選自R23至R25中的至少一個氫可以被用下面的化學式C4表示的取代基取代。
在化學式C4中，R26和R27中的一個可以與化學式C3 連接並且其他的可以獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。例如，當有兩個R26和一個R27時，它們中的一個與化學式C3連接，剩餘兩個的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基中。又例如，當有一個R26且沒有R27時，R26與化學式C3連接。
在化學式C4中，n3為0至3的一個整數，n4為0至2的一個整數，m1為0至1的一個整數，l1為1至10的一個整數。
在化學式C4中，R23至R25可以為獨立地為氫。R23至R25可以被用化學式C4(稱作第二化學式C4)表示的取代基取代。即，化學式C4中的R23至R25中的至少一個可以被用第二化學式C2表示的取代基取代，第二化學式C4的R23至R25中的至少一個可以被用化學式C4(稱作第三化學式C4)表示的取代基再次取代。
下面的化學式C3-1至C3-9示例性地表示由上述重複和連續反應生成的矽氧烷無機酸鹽，這與化學式C1-1至C1-10類似。在化學式C3-1至C3-9中，R11-1至R11-7、R12-1至R12-3和R13-1至R13-3的定義與R11、R12和R13的定義相同。
根據至少一個實施形態的化合物不限於用化學式 C3-1至C3-9表示的化合物。
根據至少一個實施形態，矽烷無機酸鹽可以為通過第二無機酸例如硝酸與矽氧烷化合物反應生成的矽烷無機酸鹽。此矽烷無機酸鹽可以用下面的化學式C5表示。
在化學式C5中，R31和R32中的每一個可以獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。所述鹵素可以包括氟、氯、溴和碘。較佳地，所述鹵素可以為氟和氯中的一種。
在化學式C5中，n1為0至3的一個整數，n2為0至2的一個整數，m1為整數0和1中的一個，其中，n1、n2和m1之和等於或大於1(例如，n1+n2+m1 1)。例如，化學式C5可以包括至少一個來自所述第二無機酸例如硝酸的原子基團。
在化學式C5中，l1為1至10的一個整數。
在化學式C5中，R33至R35中的每一個為氫。選擇性地，選自R33至R35中的至少一個氫可以被用下面的化學式C6表示的取代基取代。
在化學式C6中，R36和R37中的一個可以與化學式C5連接並且其他的可以獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。例如，當有兩個R36和一個R37時，它們中的一個可以與化學式C5連接，剩餘兩個的每一個可以選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基和(C6-C30)芳基。又例如，當有一個R36且沒有R37時，R36與化學式C5連接。
在化學式C6中，n3為0至3的一個整數，n4為0至2的一個整數，m1為0至1的一個整數，l1為1至10的一個整數。
在化學式C6中，R33至R35可以為獨立的為氫。R33至R35可以被用化學式C6(稱作第二化學式C6)表示的取代基取代。即，化學式C6的R33至R35中的至少一個可以被用第二化學式C6表示的取代基取代，第二化學式C6中的R33至R35中的至少一個可以被用化學式C6(稱作第三化學式C6)表示的取代基再次取代。
下面的化學式C5-1至C5-9示例性地表示由上述重複和連續反應生成的矽氧烷無機酸鹽，與化學式C1-1至C1-10類似。在化學式C5-1至C5-9中，R21-1至R21-7、R22-1至R22-3和R23-1至R23-3的定義與R21、R22和R23的定義相同。
如上所述，實施形態不限於用化學式C5-1至C5-9示例性表示的組合物。
如上所述，根據至少一個實施形態，用化學式C1表示的矽氧烷無機酸鹽可以通過第二無機酸和矽氧烷化合物之間的反應生成。此矽氧烷化合物可以為用化學式A2表示的化合物。由於用化學式A2表示的化合物已經在前面描述過，所以此處省略其詳細描述。
除了使用矽氧烷化合物而不是矽烷化合物之外，由第二無機酸與矽氧烷化合物反應生成矽氧烷無機酸鹽的方法可以與由第二無機酸與矽烷化合物進行反應生成矽烷無機酸鹽的方法基本相同。
根據另一實施形態，蝕刻用組合物可以包含第一無機酸、至少一種矽烷無機酸鹽以及溶劑。所述至少一種矽烷無機酸鹽可以由第二無機酸與第二矽烷化合物反應生成。
如上所述，蝕刻組合物可以額外地包含第二矽烷化合物和矽烷無機酸鹽。在使用蝕刻組合物進行蝕刻製程的過程中，此額外第二矽烷化合物可以與第一無機酸反應並生成額外的矽烷無機酸鹽。因此，該額外的第二矽烷化合物還可以提高選擇性去除氮化物層的選擇性，同時使氧化物層的蝕刻速度最小化並且防止嚴重影響裝置性能的顆粒的產生。另外，該額外的第二矽烷化合物可以額外地提供在蝕刻製程中消耗的矽烷無機酸鹽。
作為第二矽烷化合物，可以使用上面描述的矽烷化合物。較佳地，可以使用用於生成矽烷無機酸鹽的相同矽烷化合物作為第二矽烷化合物。此時，第二矽烷化合物的成分將與矽烷無機酸鹽的成分類似。因此，可以進一步提高添加第二矽烷化合物的作用。另外，允許在沒有純化製程的情況下向蝕刻組合物中添加生成矽烷無機酸鹽的反應液。即，未反應的第二矽烷化合物可以有效地添加至蝕刻組合物中。
基於蝕刻組合物的總重量，第二矽烷化合物的含量可以為約0.001至約15wt%，較佳約0.005至約10wt%，更佳約0.01至約5wt%。當第二矽烷化合物的添加量少於約0.001wt%時，由於第二矽烷化合物的含量較小，所以難以控制選擇性。當第二矽烷化合物的添加量高於約15%時，引起結晶或副產物的產生。
第一無機酸作為蝕刻氮化物層的蝕刻劑添加。因此，第一無機酸可以包括任何能夠蝕刻氮化物層的無機酸。例 如，第一無機酸可以選自硫酸、硝酸、磷酸、矽酸、氫氟酸、硼酸、鹽酸、氯酸以及它們的組合。
較佳地，為了得到氮化物層相對於氧化物層的蝕刻選擇性，可以使用磷酸作為第一無機酸。通過向蝕刻組合物中提供氫離子，磷酸可以加速蝕刻。當使用磷酸作為第一無機酸時，蝕刻組合物還可以包括硫酸作為添加劑。硫酸可以提高含有磷酸作為第一無機酸的蝕刻組合物的沸點，從而促進蝕刻氮化物層。
第一無機酸的含量可以為約70至99wt%，較佳約70至90wt%，更佳約57至約85wt%。當第一無機酸的含量低於約70wt%時，對有效去除氮化物層和顆粒的產生造成困難。當第一無機酸的含量高於約99wt%時，難以得到氮化物層的高選擇性。
如上所述，蝕刻組合物可以包含溶劑。具體地，溶劑可以包括水和去離子水。
蝕刻組合物還可以包含銨類化合物。銨類化合物的含量可以為約0.01至約20wt%。即使蝕刻組合物使用相對較長的時間，蝕刻組合物中包含的銨類化合物可以防止蝕刻速度的降低和選擇性的變動。另外，銨類化合物可以恒定地維持蝕刻速度。
當銨類化合物的含量低於約0.01wt%時，維持選擇性的有利效果會劣化。當銨類化合物的含量高於約20wt%時，氮化物層和氧化矽層之間的蝕刻速度改變。因此，選擇性會改變。
銨類化合物可以選自氫氧化銨、氯化銨、乙酸銨、磷酸銨、過二硫酸銨、硫酸銨、氫氟酸銨鹽以及它們的組合中。然而，銨類化合物不限於此。例如，銨類化合物可以包括含有銨離子的化合物。例如，銨類化合物可以包括NH4和HCl。
蝕刻組合物還可以包含氟類化合物。氟類化合物的含量可以為約0.01至約1wt%。當氟類化合物的含量低於約0.01wt%時，會降低氮化物層的蝕刻速度。因此，難以去除氮化物層。當氟類化合物的含量高於約1wt%時，氮化物層的蝕刻速度會顯著提高。然而，氧化物層會被意外地蝕刻。
氟類化合物可以選自氟化氫、氟化銨、氟化氫銨以及它們的組合。較佳地，因為氟化氫銨可以在蝕刻組合物使用相對長時間的情況下提高維持的選擇性，所以可以使用氟化氫銨。
另外，為了提高其蝕刻性能，本實施形態的蝕刻組合物還可以包含本領域通常使用的添加劑。本實施形態中可以使用的添加劑的例子包括表面活性劑、螯合劑、防腐蝕劑等。
本實施形態的包含矽烷無機酸鹽的蝕刻組合物表現出氮化物層相對於氧化物層的顯著高的蝕刻選擇性，因此可以用於蝕刻氮化物層的製程中。
因此，在使用本實施形態的蝕刻組合物的氮化物膜蝕刻製程中，通過使氮化物膜的蝕刻速度最小化，可以容易 地控制EFH。另外，在使用所述蝕刻組合物選擇性地蝕刻並去除氮化物膜的製程中，可以避免由氧化物的膜的破壞或氧化物膜的蝕刻引起的電性性能的劣化，並且不產生顆粒，這會改善裝置性能。
根據實施形態的另一方面，可以提供半導體裝置的製備方法，該製備方法包括使用本實施形態的蝕刻組合物進行蝕刻製程。
在一個示例性實施形態中，這個蝕刻製程可以包括蝕刻氮化物層。具體地，蝕刻製程可以包括相對於氧化物膜選擇性蝕刻氮化物膜。
氮化物層可以包括SiN膜、SiON膜等。
另外，氧化物膜可以為選自氧化矽膜中的至少一種膜，例如，SOD(電介質旋塗)膜、HDP(高密度電漿)膜、熱氧化物膜、BPSG(硼磷酸矽酸鹽玻璃)膜、PSG(磷矽酸鹽玻璃)膜、BSG(硼矽酸鹽玻璃)膜、PSZ(聚矽氮烷)膜、FSG(氟化矽酸鹽玻璃)膜、LPTEOS(低壓原矽酸四乙酯)膜、PETEOS(電漿強化原矽酸四乙酯)膜、HTO(高溫氧化物)膜、MTO(中溫氧化物)膜、USG(未摻雜矽酸鹽玻璃)膜、SOG(玻璃旋塗)膜、APL(高級平坦層)膜、ALD(原子層沉積)膜、電漿強化氧化物膜、O3-TEOS(O3-原矽酸四乙酯)膜以及它們的組合。
使用本實施形態的蝕刻組合物的蝕刻製程可以通過本領域已知的濕式蝕刻方法進行，例如，浸漬法或噴霧法。
蝕刻製程可以在約50℃和約300℃之間並且較佳約 100℃與約200℃之間的溫度範圍內進行。鑒於其他製程和其他因素，蝕刻製程的溫度可以適當變化。
在包括使用本實施形態的蝕刻組合物進行蝕刻製程的半導體裝置的製備方法中，可以由氮化物膜和氧化物膜交替堆積或一起存在的結構選擇性地蝕刻氮化物膜。另外，可以避免在常規蝕刻製程中存在的顆粒產生之問題，從而保證製程穩定性和可靠性。
因此，這個方法可以有效地用於相對於氧化物膜需要將氮化物膜選擇性地進行蝕刻的各種半導體製備製程中。
圖2A至圖2C為示出根據至少一個實施形態的快閃記憶體裝置的裝置隔離製程的橫剖面圖。此處，裝置隔離製程可以包括使用根據本實施形態的蝕刻組合物(例如，高選擇性蝕刻組合物)的蝕刻製程。
參照圖2A，在至少一個實施形態中，在基底20上可以形成隧道氧化物層21、多晶矽層22、緩衝氧化物層23和/或氮化物墊層24。例如，在一些實施形態中，在基底20上可以依次形成隧道氧化物層21、多晶矽層22、緩衝氧化物層23和/或氮化物墊層24。
可以通過微影和蝕刻製程選擇性地蝕刻氮化物墊層24、緩衝氧化物層23、多晶矽層22和/或隧道氧化物層21以暴露基底20的裝置隔離區域。然後，可以使用氮化物墊層24作為遮罩選擇性地蝕刻基底20的暴露區域以在基底20的表面上形成至少一個具有預定深度的溝槽25。
參照圖2B，可以在基底20的整個表面上形成氧化物 層26，目的是間隙填充至少一個溝槽25。例如，可以通過化學氣相沉積(CVD)形成氧化物層26。
可以使用氮化物墊層24作為拋光停止層在氧化物層26上進行化學機械拋光(CMP)製程。然後，可以使用乾式蝕刻進行清潔製程。
參照圖2C，可以使用根據本實施形態的蝕刻組合物通過濕式蝕刻製程選擇性地去除氮化物墊層24，然後可以通過清潔製程去除緩衝氧化物層23，從而在場區域內形成裝置隔離層26A。
如圖2C所示，在至少一個實施形態中，可以使用氮化物層相對於氧化物層具有高蝕刻選擇性的高選擇性蝕刻組合物。當使用高選擇性蝕刻組合物時，可以在充足的時間內選擇性地去除氮化物層，同時填充在STI圖案中的氧化物層的蝕刻最小化。此時，可以充分進行選擇性去除氮化物層。因此，在使用高選擇性蝕刻組合物的本實施形態中，可以容易地控制有效場氧化物高度(EFH)。另外，在使用高選擇性蝕刻組合物中的本實施形態中，可以防止由對氧化層的損壞以及氧化物層的蝕刻引起的電性特徵劣化和顆粒的產生，從而改善裝置特徵。
如上所述，根據本實施形態的高選擇性蝕刻組合物可以用於快閃記憶體裝置的裝置隔離製程。例如，根據本實施形態的高選擇性蝕刻組合物可以用於DRAM(動能隨機存取記憶體)裝置的裝置隔離製程。
圖3A至3F為示出根據至少一個實施形態形成快閃記 憶體裝置隧道的製程的橫剖面圖。此處，隧道形成製程可以包括使用根據本實施形態的蝕刻組合物(例如，高選擇性蝕刻組合物)的蝕刻製程。
參照圖3A，在至少一個實施形態中，可以在基底30上形成管閘電極層31。此時，形成管通道的氮化物層32可以掩埋在管閘電極層31內。此處，管閘電極層31包括第一導電層31A和/或第二導電層31B。例如，第一導電層31A和第二導電層31B中的至少一層可以包括摻雜雜質的多晶矽。
更具體地，在基底30上形成第一導電層31A，並且在第一導電層31A上沉積氮化物層並且圖案化來形成用於形成至少一個管通道的氮化物層32。接下來，在通過氮化物層32暴露的第一導電層31A上形成第二導電層31B。第一導電層31A和/或第二導電層31B形成管閘電極層31。
為了形成複數個垂直堆疊的儲存單元，至少一個第一層間絕緣層33和至少一個第一閘電極層34可以如圖3A所示交替堆疊。下文中，為了敘述方便，至少一個第一層間絕緣層33和至少一個第一閘電極層34的交替堆疊結構將稱作“單元閘結構(CGS)”。
此處，至少一個第一層間絕緣層33可以通過複數個層達到隔離儲存單元的作用。例如，在至少一個實施形態中，至少一個第一層間絕緣層33可以包含氧化物層，並且至少一個第一閘電極層34可以包含摻雜雜質的多晶矽。如圖3A所示，顯示至少一個第一層間絕緣層33和/或至少一 個第一閘電極層34包括六層，但是不限於此。
可以選擇性地蝕刻單元閘結構(CGS)來形成至少一個暴露氮化物層32的孔。例如，可以選擇性地蝕刻單元閘結構(CGS)來形成一對暴露氮化物層32的第一孔H1和第二孔H2。此處，所述第一孔H1和第二孔H2可以為形成儲存單元的隧道的區域。
參照圖3B，可以形成掩埋在第一孔H1和第二孔H2中的至少一個氮化物層。此時，當至少一個第一閘電極層34通過第一孔H1和第二孔H2暴露時，至少一個氮化物層35可以達到防止在溝槽形成過程(在後面的圖3C中描述)中發生損壞的作用。
參照圖3C，為了將至少一個第一閘電極層34分隔為與每個第一孔H1和第二孔H2對應的部分，可以通過在一對第一孔H1和第二孔H2之間選擇性地蝕刻單元閘結構(CGS)形成溝槽“S”。
參照圖3D，可以形成掩埋在溝槽“S”中的犧牲層36。
參照圖3E，在至少一個實施形態中，為了形成選擇電晶體，可以在經歷上述過程(例如，與圖3A至圖3D有關的描述的過程)後的結構(例如，在圖3D中顯示的結構)上依次形成的至少一個第二層間絕緣層37和至少一個第二閘電極層38。例如，如圖3E所示，可以依次形成第二層間絕緣層37、第二閘電極層38，以及另一第二層間絕緣層37。下文中，為了便於描述，至少一個第二層間絕緣層37和至少一個第二閘電極層38的堆疊結構將會稱作“選擇 閘結構(SGS)”。
例如，在至少一個實施形態中，所述至少一個第二層間絕緣層37可以包含氧化物層，但是不限於此。所述至少一個第二閘電極層38可以包含摻雜雜質的多晶矽，但是不限於此。
可以選擇性蝕刻所述選擇閘結構(SGS)來形成至少一個使掩埋在一對第一孔H1和第二孔H2中的氮化物層35暴露的孔。例如，可以選擇性地蝕刻選擇閘結構(SGS)來形成使掩埋在一對第一孔H1和第二孔H2中氮化物層35暴露的第三孔H3和第四孔H4。此處，第三孔H3和第四孔H4可以為形成選擇電晶體隧道的區域。
參照圖3F，使用根據本實施形態的蝕刻組合物通過濕式蝕刻製程可以選擇性地去除(i)通過第三孔H3和第四孔H4暴露的氮化物層35和(ii)設置在氮化物層35下面的氮化物層32。
當根據本實施形態進行形成快閃記憶體的隧道過程(包括蝕刻製程)時，可以形成至少一個用於形成儲存單元的隧道層的隧道孔(例如，一對隧道孔H5和H6)。另外，在隧道孔H5和H6的下面可以形成至少一個管隧道孔(例如，H7)，因此隧道孔H5和H6可以互相連接。在根據本實施形態形成快閃記憶體的隧道的過程(包括蝕刻製程)中，使用高選擇性蝕刻組合物在不損耗氧化物層的情況下可以有充足的時間選擇性地去除氮化物層，因此在沒有型面損失的情況下可以精確地形成管隧道。此時，可以徹底 進行氮化物層的此選擇性去除。另外，在根據本實施形態形成快閃記憶體的通道的過程(包括蝕刻製程)中，可以防止諸如顆粒產生等典型問題，因此可以保證製程的穩定性和可靠性。
然後，可以進行諸如形成浮閘極的製程和形成控制閘的製程的後續製程，從而形成快閃記憶體裝置。
圖4A和圖4B是根據至少一個實施形態說明形成相變儲存裝置的二極體的製程的橫剖面圖。此處，二極體形成製程可以包括使用根據本實施形態的蝕刻組合物(例如，高選擇性蝕刻組合物)的蝕刻製程。
參照圖4A，在至少一個實施形態中，絕緣結構可以設置在基底40上。此處，絕緣結構可以包括使導電區域41暴露的孔。例如，導電區域41可以為n+雜質區域，但是不限於此。
可以形成多晶矽層42，目的是填充孔區域，接下來離子注入雜質，從而形成二極體。
可以在多晶矽層42上形成矽化鈦層43。例如，可以通過形成鈦層以及對形成的鈦層進行熱處理使其與多晶矽層42反應來形成矽化鈦層43。
可以在矽化鈦層43上依次形成氮化鈦層44和氮化物層45。例如，可以在矽化鈦層43上形成氮化鈦層44，然後在氮化鈦層44上形成氮化物層45。
可以在二極體之間的隔離空間內形成氧化物層46，該隔離空間通過使用硬質遮罩的乾式蝕刻製程形成。然後， 可以進行化學機械拋光(CMP)製程形成互相隔離的底電極的基本結構。
參照圖4B，可以通過在經過圖4A相關描述的上述製程產生的結構上進行濕式蝕刻製程選擇性地去除氮化物層45。此處，可以使用根據本實施形態的蝕刻組合物(例如，高選擇性蝕刻組合物)進行濕式蝕刻製程。在至少一個實施形態中，可以使用高選擇性蝕刻組合物來去除氮化物層。此時，在不損壞氧化物層的情況下可以有充足的時間選擇性地去除氮化物層。可以徹底進行氮化物層的此選擇性去除。另外，在使用高選擇性蝕刻組合物的本實施形態中，可以防止由氧化物層的損壞或氧化物層的蝕刻引起的電性性能劣化和顆粒的產生，從而改善電性特徵。在去除氮化物層45之後剩餘的空間內可以沉積鈦，從而形成底電極。
如上所述，使用根據本實施形態的高選擇性蝕刻組合物的蝕刻製程可以用於各種半導體裝置製備方法。例如，根據本實施形態的此蝕刻製程可以用於需要選擇性去除氮化物層的製程。更具體地，根據本實施形態的此蝕刻製程可以用於從氮化物層和氧化物層交替堆疊或共存的結構中需要選擇性蝕刻氮化物層的製程中。
下文中，將參照實施例和對比例更詳細地描述本發明的實施形態。然而，應該理解，這些實施例是出於示例性目的而且並不旨在限制本發明的實施形態的範圍。
[第一實施形態A：製備蝕刻組合物]
在第一實施形態A中，可以通過以如下面的表1A所 示的預定重量比混合至少一種矽烷無機酸鹽和磷酸來生成蝕刻組合物。作為第一無機酸，使用85%的水溶液。
1)1st IA：第一無機酸
2)2nd IA：第二無機酸
3)PA：磷酸
圖5為示出根據第一實施形態A生成的矽烷無機酸鹽的核磁共振(NMR)資料的圖像。
參照圖5，該圖像示出根據至少一個實施形態的蝕刻組合物中的至少一種矽烷無機酸鹽。即，用R1為甲基且R2至R4為氯的化學式A1表示的化合物與磷酸(例如，第 二無機酸)反應。因此，可以產生至少一種矽烷無機酸鹽。即，圖5的圖像包括在約11.1364ppm處和約11.4053處的寬峰，它們不同於表示單一化合物的尖峰。因此，此寬峰表明蝕刻組合物包括複數個具有不同化學式的矽烷無機酸鹽。
[實驗實施例A1：測量蝕刻組合物的選擇性]
使用本實施形態的蝕刻組合物，在157℃的製程溫度下進行氮化物層和氧化物層的蝕刻。使用膜厚度測量系統的橢圓儀(NANO VIEW,SEMG-1000)測量氮化物層和氧化物層的蝕刻速度和選擇性。測量結果示在下面的表A2中。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物層的蝕刻速度與氧化物層的蝕刻速度的比率。
1)ThO：熱氧化物層
2)LP-TEOS：低壓原矽酸四乙酯層
3)BPSG：硼磷酸鹽矽酸鹽玻璃層
[對比例A1至A3：製備蝕刻組合物]
在對比例A1中，在製程溫度為157℃下，使用磷酸進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例2中，使用在130℃的低溫下混合的0.05%氫氟酸和磷酸的混合物進行蝕刻。在對比例A3中，在157℃的製程溫度下使用與對比例A2相同的混合物進行蝕刻。在對比例A2和A3中，以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和選擇性。在對比例A1至A3中使用的磷酸為磷酸的85%水溶液。對比例A1至A3的測量結果示在下面的表A3中。
由表2和表3可以看出，與對比例A1至A3的蝕刻選擇性相比，蝕刻組合物顯示氮化物層相對於氧化物層的明顯高的蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性蝕刻組合物時，可以通過控制氧化物層的蝕刻速度容易地控制EEH，並且可以防止對氧化物層的損壞。另外，可以防止問題性的顆粒產生，因此保證蝕刻製程的穩定性和可靠性。
[實驗實施例A2：測量隨時間的變動]
將在實施例A1和A2中生成的蝕刻組合物與磷酸混合。在混合後立即(0小時)和在混合後8小時時，使用每種混合物進行氮化物層和氧化物層的蝕刻。測量氮化物層和氧化物層蝕刻速度和選擇性。在對比例4中(基礎PA)，以與上面的實施例相同的方式使用磷酸評價氮化物層與氧化物層的蝕刻速度和選擇性。
在160℃的製程溫度下進行評價。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物膜的蝕刻速度與PSZ膜的蝕刻速度的比率。評價結果示在下面的表A4中。
1)PSZ：聚矽氮烷層
由表A4中可以看出，與包含磷酸的常規蝕刻組合物相比，本實施形態的蝕刻組合物表現非常高的氮化物層蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性的蝕刻組合物去除氮化物層時，可以選擇性地蝕刻氮化物層，同時可以防止氧化物層的損害或氧化物層的蝕刻引起的電性性能的劣化或防止顆粒的產生，這會改善裝置性能。
[第二實施形態B：製備蝕刻組合物]
根據第二實施形態B，通過以下面的表B1中顯示的重量比混合矽烷無機酸鹽與磷酸來製備蝕刻組合物。作為第一無機酸，使用85%的水溶液。
1)1st IA：第一無機酸
2)2nd IA：第二無機酸
3)PT：製程溫度
[實驗實施例B1：測量蝕刻組合物的選擇性]
使用第二實施形態B1的蝕刻組合物，在157℃的製程溫度下進行氮化物層和氧化物層的蝕刻。使用膜厚度測量系統的橢圓儀(NANO VIEW,SEMG-1000)測量氮化物層和氧化物層的蝕刻速度和選擇性。測量結果示在下面的表B2中。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物層的蝕刻速度與氧化物層的蝕刻速度的比率。
1)ThO：熱氧化物層
2)LP-TEOS：低壓原矽酸四乙酯層
3)BPSG：硼磷酸鹽矽酸鹽玻璃層
[對比例B1至B3：製備蝕刻組合物]
在對比例B1中，在製程溫度為157℃下，使用磷酸進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例B2中，使用在130℃的低溫下混合的0.05%氫氟酸和磷酸的混合物進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例B3中，在157℃的製程溫度下使用與對比例B2相同的混合物進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和選擇性。在對比例B1至B3中使用的磷酸為磷酸的85%水溶液。對比例B1至B3的測量結果示在下面的表B3中。
由表B2和表B3可以看出，與對比例B1至B3的蝕刻選擇性相比，蝕刻組合物顯示氮化物層相對於氧化物層的明顯高的蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性蝕刻組合物時，可以通過控制氧化物層的蝕刻速度容易控制EEH，並且可以防止對氧化物層的損壞。另外，可以防止問題性的顆粒產生，因此保證蝕刻製程的穩定性和可靠性。
[第三實施形態C：製備蝕刻組合物]
根據第三實施形態C，通過以下面的表C1中顯示的重量比混合矽烷無機酸鹽與磷酸來製備蝕刻組合物。作為第一無機酸，使用85%的水溶液。
1st IA：第一無機酸
2nd IA：第二無機酸
PT：製程溫度
[實驗實施例C1：測量製備的蝕刻組合物的選擇性]
使用第三實施形態C1的蝕刻組合物，在157℃的製程溫度下進行氮化物層和氧化物層的蝕刻。使用膜厚度測量系統的橢圓儀(NANO VIEW,SEMG-1000)測量氮化物層和氧化物層的蝕刻速度和選擇性。測量結果示在下面的表B2中。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物層的蝕刻速度與氧化物層的蝕刻速度的比率。
1)ThO：熱氧化物層
2)LP-TEOS：低壓原矽酸四酯層
3)BPSG：硼磷酸鹽矽酸鹽玻璃層
[對比例C1至C3：製備蝕刻組合物]
在對比例C1中，在製程溫度為157℃下，使用磷酸進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例C2中，使用在130℃的低溫下混合的0.05%氫氟酸和磷酸的混合物進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例C3中，在157℃的製程溫度下使用與對比例C2相同的混合物進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例C1至C3中使用的磷酸為磷酸的85%水溶液。對比例C1至C3的測量結果示在下面的表C3中。
由表C2和表C3可以看出，與對比例C1至C3的蝕刻選擇性相比，蝕刻組合物顯示氮化物層相對於氧化物層的明顯高的蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性蝕刻組合物時，可以通過控制氧化物層的蝕刻速度容易控制EEH，並且可以防止對氧化物層的損壞。另外，可以防止問題性的顆粒產生，因此保證蝕刻製程的穩定性和可靠性。
[實驗實施例C2：測量隨時間的變化]
使用在實施例C1中生成的蝕刻組合物，在與磷酸混合後立即(0小時)和與磷酸混合後8小時時，對氮化物層和氧化物層進行蝕刻。測量氮化物層和氧化物層蝕刻速度和選擇性。在對比例C4中，以與上面的實施例相同的方式使用磷酸評價氮化物層與氧化物層的蝕刻速度和選擇性。
在160℃的製程溫度下進行評價。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物膜的蝕刻速度與PSZ膜的蝕刻速度的比率。評價結果示在下面的表C4中。
1)PSZ：聚矽氮烷層
由表C4中可以看出，與包含磷酸的常規蝕刻組合物相比，實施例C1的蝕刻組合物表現非常高的氮化物層蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性的蝕刻組合物去除氮化物層時，可以選擇性地蝕刻氮化物層，同時可以防止由對氧化物層的損害引起的電性性能的劣化或氧化物層的蝕刻，這會改善裝置性能。
[第四實施形態D：製備蝕刻組合物]
根據第四實施形態D，通過以下面的表D1中顯示的重量比混合矽烷無機酸鹽與磷酸來製備蝕刻組合物。作為磷酸，使用85%的水溶液。
[實驗實施例D1：測量製備的蝕刻組合物的選擇性]
使用第四實施形態製備的蝕刻組合物，在157℃的製程溫度下進行氮化物層和氧化物層的蝕刻。使用膜厚度測量系統的橢圓儀(NANO VIEW,SEMG-1000)測量氮化物層和氧化物層的蝕刻速度和選擇性。測量結果示在下面的表D2中。通過蝕刻每層約300秒並測量蝕刻之前每層的厚度與蝕刻之後每層的層厚度之間的差值來確定蝕刻速度。因此，通過用厚度差除以蝕刻時間(分鐘)得到蝕刻速度。蝕刻選擇性表示為氮化物層的蝕刻速度與氧化物層的蝕刻速度的比率。
1)ThO：熱氧化物層
2)LP-TEOS：低壓原矽酸四乙酯層
3)BPSG：硼磷酸鹽矽酸鹽玻璃層
[對比例D1至D3：製備蝕刻組合物]
在對比例D1中，在製程溫度為157℃下，使用磷酸進行蝕刻。以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和蝕刻選擇性。在對比例D2中，使用在130℃的低溫下混合的0.05%氫氟酸和磷酸的混合物進行蝕刻。在對比例D3中，在157℃的製程溫度下使用與對比例D2相同的混合物進行蝕刻。在對比例D2和D3中，以與上面的實施例相同的方式測量蝕刻速度和選擇性。在對比例D1至D3中使用的磷酸為磷酸的85%水溶液。對比例D1至D3的測量結果示在下面的表D3中。
由表D2和表D3可以看出，與對比例A1至A3的蝕刻選擇性相比，蝕刻組合物顯示氮化物層相對於氧化物層的明顯高的蝕刻選擇性。因此，當使用本實施形態的高選擇性蝕刻組合物時，可以通過控制氧化物層的蝕刻速度容易控制EFH，並且可以防止對氧化物層的損壞。另外，可以防止問題性的顆粒產生，因此保證蝕刻製程的穩定性和可靠性。
此處提及的“一個實施形態”或“實施形態”是指有關實施形態描述的具體特點、結構或特徵能夠包含在本發明的至少一個實施形態中。在說明書的不同地方出現的用語“在一個實施形態中”不一定全部指相同的實施形態，也不一定為相互排除其他實施形態的單獨的或可選的實施形態。同樣的原理適用於術語“實施”。
正如在該申請中使用的，此處使用的單詞“示例性”指達到實施例、例子或解釋性的作用。此處描述為“示例性”的任何方面或設計不一定理解為比其他方面或設計較佳地或有優勢的。不如說，單詞“示例性”的使用意在以具體的方式說明概念。
另外，術語“或者”意思是指包含性的“或”而不是排除性的“或”。即，除非特別指定，或者從文章中可以明顯看出，“X使用A或B”意思是指任何自然包含性置換。即，如果X使用A；X使用B；或X使用A和B，那麼在前述任何情況下都滿足“X使用A或B”。另外，該申請和所附申請專利範圍中使用的冠詞“一”和“一”應 該通常理解為指“一以上”，除非特別指定或者從上下文中可以明顯看出是指單數形式。
此外，術語“系統”、“組件”、“模組”、“界面”、“模型”等通常指計算機相關概念，硬體、硬體與軟體的結合、軟體或執行的軟體。例如，組件可以為，但是不限於，運行處理器的過程、處理器、對象、執行擋、執行線程、程式，和/或計算機。通過解釋，在處理器上運行的應用程式和控制器可以為組件。一個以上組件可以位於一個程式內和/或執行線程內並且組件可以位於一個計算機上和/或分佈在兩個以上計算機之間。
本發明可以以方法和實施那些方法的裝置的方式具體化。本發明也可以以程式碼的形式具體化，可具體化在可觸媒體、非觸媒體，例如磁記錄介質、光記錄介質、固態記憶、軟式磁碟片、CD-ROM(唯讀光碟)、硬碟驅動、或任何其他機器可讀的儲存介質中，其中，當程式碼載入並通過機器，例如計算機，執行時，機器變為實施本發明的裝置。本發明也可以以程式碼的形式具體化，例如，是否儲存在儲存介質中、載入和/或通過機器執行、或經過一些傳播介質或載體傳播，例如通過電線或電纜、通過光纖、或通過電磁輻射，其中，當程式碼載入並通過機器執行時，例如計算機，機器變為實施本發明的裝置。當在通用型的處理器上執行時，程式碼片段與處理器結合來提供獨特部件，該獨特部件與特定邏輯電路類似執行。本發明也可以使用本發明的方法和/或裝置產生，以通過介質、電性或 光學傳輸的比特流或其他信號值序列、磁記錄介質中的儲存磁場變化的形式具體化。
應該理解，此處提出的示例性方法的步驟不一定需要以描述的順序進行，並且此方法的步驟的順序應該理解為僅是示例性的。同樣地，在與本發明的不同實施形態一致的方法中，這些方法中可以包括額外得步驟，並且某些步驟可以省略或組合。
正如此處使用的元件和標準，術語“兼容”指元件與其他元件以通過該標準整體或部分指定的方式相通，並且可以被其他元件識別為充分地能夠以標準指定的方式與其他元件相通。兼容元件不需要內在地以標準指定的方式操作。
此處沒有申請專利範圍要素按照35 U.S.C.§ 112，第六段來解釋，除非要素使用用語“是指”或“意指”明確敘述。
雖然此處已經描述了本發明的實施形態，但是應該知道，前述實施形態和優勢只是實施例並且不應該理解為限制本發明或申請專利範圍的範圍。所屬技術領域中具有通常知識者可以設計眾多其他改變和實施形態，這些改變和實施形態落入本申請的精神和原則的範圍內，並且該規定也可以容易地適用於其他類型得裝置，更具體地，在本申請、圖式和所附申請專利範圍的範圍內，可以進行在主題排列組合的元件部分和/或的佈置進行各種變化和改變。除了元件部分和/或佈置中的變化和改進之外，可替代性 使用對所屬技術領域中具有通常知識者也是顯而易見的。
20‧‧‧基底
21‧‧‧隧道氧化物層
22‧‧‧多晶矽層
23‧‧‧緩衝氧化物層
24‧‧‧氮化物墊層
25‧‧‧溝槽

Claims (20)

  1. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過第二無機酸以及矽烷化合物之間的反應生成的矽烷無機酸鹽；以及溶劑；其中，前述第二無機酸為選自硫酸、發煙硫酸、硝酸、磷酸、無水磷酸以及它們的組合中的至少一種；並且前述矽烷化合物為由第一化學式表示的化合物： 其中，R1至R4中的每一個選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基，並且R1至R4中的至少一個為鹵素以及(C1-C10)烷基中的一種。
  2. 如請求項1所記載的組合物，其中，前述組合物包含0.01至15wt%的至少一種矽烷無機酸鹽、70至99wt%的第一無機酸以及餘量的溶劑。
  3. 如請求項1所記載的組合物，其中，前述第一無機酸為選自硫酸、硝酸、磷酸、矽酸、氫氟酸、硼酸、鹽酸、高氯酸以及它們的組合中的至少一 種。
  4. 如請求項1所記載的組合物，其中，相對於前述組合物的總重量，該組合物還包含0.01至20wt%的銨類化合物。
  5. 如請求項1所記載的組合物，其中，相對於前述組合物的總重量，該組合物還包含0.01至1wt%的氟類化合物。
  6. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過多磷酸以及矽烷化合物之間的反應生成的矽烷無機酸鹽；以及溶劑。
  7. 如請求項6所記載的組合物，其中，至少一種矽烷無機酸鹽包括由第二化學式表示的化合物： 其中，i)R1選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；ii)n1為1至4的一個整數；iii)m1為1至10的一個整數；iv)R2至R4中的每一個為氫。
  8. 如請求項7所記載的組合物，其中，在由第二化 學式表示的至少一種矽烷無機酸鹽中，選自R2至R4中的一個氫原子被由第三化學式表示的取代基取代： 其中，i)一個R5與第二化學式連接；ii)其他的R5選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；iii)R2至R4中的每一個為氫或被由第三化學式表示的取代基取代；iv)n2為0至3的一個整數；v)m2為1至10的一個整數。
  9. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過第二無機酸以及矽氧烷化合物之間的反應生成的矽氧烷無機酸鹽；以及溶劑；其中，前述第二無機酸為選自磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中的一種。
  10. 如請求項9所述的組合物，其中，至少一種矽氧烷無機酸鹽包括由第四化學式表示的化合物： 其中，i)R1至R2中的每一個選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；ii)n1為0至3的一個整數；iii)n2為0至2的一個整數；iv)m1為整數0以及1中的一個；v)n1、n2以及m1之和等於或大於1，n1+n2+m1 1；vii)l1為1至10的一個整數；vii)O1至O3中的每一個為0至10的一個整數；viii)R3至R11中的每一個為氫。
  11. 如請求項10所記載的組合物，其中，在由第四化學式表示的至少一種矽氧烷無機酸鹽中，選自R3至R11中的至少一個氫被由第五化學式表示的取代基取代： 其中，i)R12以及R13中的一個與第四化學式連接；ii)其他的R12以及R13獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；iii)R3至R11中的每一個為氫或者被由第五化學式表示的取代基取代；iv)n3為0至3的一個整數；v)n4為0至2的一個整數；vi)m1為0至1的一個整數；vii)l1為1至10的一個整數；viii)O1至O3中的每一個為0至10的一個整數。
  12. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過第二無機酸以及矽氧烷化合物之間的反應生成的矽氧烷無機酸鹽；以及 溶劑；其中，前述第二無機酸為選自硫酸、發煙硫酸以及它們的組合中的一種。
  13. 如請求項12所記載的組合物，其中，至少一種矽氧烷無機酸鹽包括由第六化學式表示的化合物： 其中，R21以及R22中的每一個獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；ii)n1為0至3的一個整數；iii)n2為0至2的一個整數；iv)m1為整數0以及1中的一個；v)n1、n2以及m1之和等於或大於1，n1+n2+m1 1；vi)l1為1至10的一個整數；vii)R23至R25中的每一個為氫。
  14. 如請求項13所記載的組合物，其中，在前述至少 一種矽氧烷無機酸酸鹽中，選自R23至R25中的至少一個氫原子被由第七化學式表示的取代基取代： 其中，R26以及R27中的一個與第六化學式連接；ii)其他的R26以及R27獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；iii)R23至R25中的每一個為氫或被由第七化學式表示的取代基取代；iv)n3為0至3的一個整數；v)n4為0至2的一個整數；vi)m1為0至1的一個整數；vii)l1為1至10的一個整數。
  15. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過包括硝酸的第二無機酸以及矽 氧烷化合物之間誘導的反應生成的矽氧烷無機酸鹽；以及溶劑。
  16. 如請求項15所記載的組合物，其中，至少一種矽氧烷無機酸鹽包括由第八化學式表示的化合物： 其中，i)R31以及R32中的一個獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；ii)n1為0至3的一個整數；iii)n2為0至2的一個整數；iv)m1為整數0以及1中的一個；v)n1、n2以及m1之和等於或大於1，n1+n2+m1 1；vi)l1為1至10的一個整數；vii)R33至R35中的每一個為氫。
  17. 如請求項16所記載的組合物，其中，在前述至少一種矽氧烷無機酸鹽中，選自R33至R35中的至少 一個氫被由第九化學式表示的取代基取代： 其中，i)R36以及R37中的一個與第八化學式連接；ii)其他的R36以及R37獨立地選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；iii)R33至R35中的每一個為氫或被由第九化學式表示的取代基取代；iv)n3為0至3的一個整數；v)n4為0至2的一個整數；vi)m1為0至1的一個整數；vii)l1為1至10的一個整數。
  18. 一種組合物，包含：第一無機酸；至少一種通過第二無機酸以及第一矽烷化合物之間誘導的反應生成的矽烷無機酸鹽；第二矽烷化合物；以及溶劑；其中，前述第二無機酸為選自硫酸、發煙硫 酸、硝酸、磷酸、無水磷酸、焦磷酸、多磷酸以及它們的組合中的一種；其中，前述第一矽烷化合物以及前述第二矽烷化合物為選自由第十化學式表示的化合物、由第十一化學式表示的化合物以及它們的組合中的一種；其中，前述第十化學式為：；並且其中，前述第十一化學式為： 其中，i)R1至R10中的每一個選自氫、鹵素、(C1-C10)烷基、(C1-C10)烷氧基以及(C6-C30)芳基；ii)R1至R4中的至少一個為鹵素以及(C1-C10)烷氧基中的一種；iii)R5至R10中的至少一個為鹵素以及(C1-C10)烷氧基中的一種；iv)n為1至10的一個整數。
  19. 如請求項18所記載的組合物，其中，前述組合物包含0.01至15wt%的至少一種矽烷無機酸鹽、70至99wt%的第一無機酸、0.001至15wt%的第二矽烷化合物以及餘量的溶劑。
  20. 一種半導體裝置的製備方法，該製備方法包括使用請求項1所述的組合物進行蝕刻的製程。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684641B (zh) * 2018-11-13 2020-02-11 大陸商長江存儲科技有限責任公司 磷酸蝕刻劑的添加劑
TWI746704B (zh) * 2016-11-24 2021-11-21 南韓商三星電子股份有限公司 蝕刻劑組成物以及使用其製造積體電路裝置的方法
TWI746935B (zh) * 2018-03-06 2021-11-21 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 用於半導體製程之組成物及半導體製程

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10325779B2 (en) * 2016-03-30 2019-06-18 Tokyo Electron Limited Colloidal silica growth inhibitor and associated method and system
US10515820B2 (en) 2016-03-30 2019-12-24 Tokyo Electron Limited Process and apparatus for processing a nitride structure without silica deposition
JP7078616B2 (ja) * 2016-12-26 2022-05-31 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． エッチング用組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
KR102237769B1 (ko) * 2017-03-15 2021-04-09 가부시끼가이샤 도시바 에칭액, 에칭 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
CN109216187B (zh) * 2017-07-06 2023-08-29 Oci有限公司 蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法
SG11202001854VA (en) * 2017-09-06 2020-03-30 Entegris Inc Compositions and methods for etching silicon nitride-containing substrates
KR102629574B1 (ko) * 2017-11-24 2024-01-26 동우 화인켐 주식회사 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102024758B1 (ko) * 2018-05-26 2019-09-25 에스케이이노베이션 주식회사 식각액 조성물, 절연막의 식각방법, 반도체 소자의 제조방법 및 실란화합물
KR102005963B1 (ko) * 2018-05-26 2019-07-31 에스케이이노베이션 주식회사 식각액 조성물 및 실란화합물
KR102557642B1 (ko) * 2018-10-25 2023-07-20 에스케이이노베이션 주식회사 식각 조성물 첨가제, 그 제조방법 및 이를 포함하는 식각 조성물
KR102633743B1 (ko) 2018-10-26 2024-02-05 에스케이이노베이션 주식회사 식각액 조성물, 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법
KR102675055B1 (ko) * 2019-09-18 2024-06-12 오씨아이 주식회사 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법
CN115011350A (zh) * 2022-07-05 2022-09-06 上海集成电路材料研究院有限公司 一种蚀刻组合物、蚀刻方法及应用
CN115287069B (zh) * 2022-07-06 2023-06-09 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种抑制二氧化硅蚀刻的无c蚀刻液

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4125551A (en) * 1978-02-13 1978-11-14 General Electric Company Process for producing silylphosphates
JPS61126090A (ja) * 1984-11-21 1986-06-13 Rasa Kogyo Kk リン酸モノエステルの製造方法
JP3467411B2 (ja) * 1998-08-07 2003-11-17 松下電器産業株式会社 エッチング液，その製造方法及びエッチング方法
JP5003057B2 (ja) * 2006-08-21 2012-08-15 東ソー株式会社 エッチング用組成物及びエッチング方法
JP5332197B2 (ja) * 2007-01-12 2013-11-06 東ソー株式会社 エッチング用組成物及びエッチング方法
TW200849371A (en) * 2007-02-28 2008-12-16 Tosoh Corp Etching method and etching composition useful for the method
JP5035913B2 (ja) * 2008-09-22 2012-09-26 アプリシアテクノロジー株式会社 エッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置
JP2010109064A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Tosoh Corp エッチング方法
JP2012219167A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Jsr Corp 非晶質体
KR101809192B1 (ko) * 2011-12-16 2017-12-15 에스케이하이닉스 주식회사 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR101320416B1 (ko) * 2011-12-29 2013-10-22 솔브레인 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각방법
KR101380487B1 (ko) * 2012-05-09 2014-04-01 오씨아이 주식회사 실리콘 질화막의 에칭 용액
JP5894897B2 (ja) * 2012-09-28 2016-03-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9012261B2 (en) * 2013-03-13 2015-04-21 Intermolecular, Inc. High productivity combinatorial screening for stable metal oxide TFTs

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746704B (zh) * 2016-11-24 2021-11-21 南韓商三星電子股份有限公司 蝕刻劑組成物以及使用其製造積體電路裝置的方法
TWI746935B (zh) * 2018-03-06 2021-11-21 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 用於半導體製程之組成物及半導體製程
TWI684641B (zh) * 2018-11-13 2020-02-11 大陸商長江存儲科技有限責任公司 磷酸蝕刻劑的添加劑
US10913893B2 (en) 2018-11-13 2021-02-09 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Additive to phosphoric acid etchant

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