TW201602368A - 二次元六角形晶格化合物製造用壓延銅箔及二次元六角形晶格化合物的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可以低成本且高品質生產石墨烯等二次元六角型晶格化合物之壓延銅箔及使用其之二次元六角型晶格化合物之製造方法。 一種二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其P：0.01~0.21wt%，Fe：0.006wt%以下，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成，以1000℃加熱30分後，壓延面由X射線繞射所求之111繞射強度(I)相對於微粉末銅由X射線繞射所求之111繞射強度(I0)為2.0≦(I/I0)。

Description

二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔及二次元六角型晶格化合物的製造方法
本發明係關於一種用於製造石墨烯、氮化硼等之二次元六角型晶格化合物的銅箔及二次元六角型晶格化合物之製造方法。
石墨具備堆積有幾層平坦排列之6碳環之層的層狀結構，其單原子層至數原子層左右者被稱為石墨烯或石墨烯片(graphene sheet)。石墨烯片具有獨自之電、光學以及機械特性，尤其載體移動速度為高速。因此，石墨烯片於例如燃料電池用間隔件、透明電極、顯示元件之導電性薄膜、無水銀螢光燈、複合材料、藥劑輸送系統(DDS)之載體等產業界的廣泛應用受到期待。
作為製造石墨烯片之方法，已知有藉黏合帶剝離石墨之方法，但存在所得之石墨烯片的層數並非一定，難以得到大面積之石墨烯片，亦不適於大量生產之問題。
於此，開發有如下技術：使碳系物質接觸片狀之單結晶石墨化金屬觸媒上後，藉由熱處理使石墨烯片成長(化學氣相沈積(CVD)法)(專利文獻1)。作為此單結晶石墨化金屬觸媒，記載有Ni、Cu、W等之金屬基板。
同樣地，報告有藉由化學氣相沈積法，在形成於Ni或Cu之金屬箔或矽基板上的銅層上製膜石墨烯之方法。再者，石墨烯之製膜係於1000℃左 右進行。
另外，若於石墨烯製膜條件(1000℃左右)加熱銅箔，則石墨烯會成長於經再結晶之表面。此時，已知銅箔之(111)面之原子排列與相當於石墨烯之碳鍵結的sp2鍵結之碳原子的排列之失配小，若使銅箔之晶體位向高定向(high orientation)於(111)面，則期待有利地作用於石墨烯之合成。然而，由於一般之壓延銅箔的結晶位向係高定向於隨機定向或(001)位向(Cube方向)，故有於石墨烯製膜時，銅箔結晶之晶格常數與石墨烯之晶格常數大幅地相異，合成不一致之石墨烯膜而產生缺陷之虞。
此處，銅箔之(001)位向之晶格常數為0.361hm，銅箔之(111)位向之晶格常數為0.255nm。相對於此，石墨烯之晶格常數為0.142nm，但形成於成為六角形之石墨烯區域(graphene domain)中的三角形之邊長為0.246nm，由於與銅箔之(111)位向之晶格常數接近，故製膜有獲得一致性之石墨烯。即，藉由使(111)位向之比例增多，會抑制石墨烯之缺陷，使產率提升。又，氮化硼之晶格常數為6.66nm，被製膜於銅箔之(111)面的氮化硼其一致性亦高。
此處，本案申請人開發了於銅箔表面形成鍍銅層或濺鍍銅層，藉此將表面之(111)面的比例設為60%以上之銅箔(專利文獻2)。
[專利文獻1]日本特開2009-143799號公報
[專利文獻2]日本特開2013-107036號公報
[非專利文獻1]SCIENCE Vol. 324 (2009) P1312~1314
然而，如專利文獻1般製造單結晶之金屬基板並不容易且成本極高，又，不僅難以獲得大面積之基板，還有難以得到大面積之石墨烯 片之問題。另一方面，於非專利文獻1記載有將銅用作基板，但在銅箔上石墨烯於短時間不會在面方向成長，將形成於矽基板上之銅層藉由退火形成大晶粒(large grain)作為基板。於此情形時，石墨烯之大小被矽基板尺寸限制，製造成本亦高。
此處，銅做為石墨烯成長之觸媒而優異的理由係因為銅幾乎不固溶碳。而且，銅做為觸媒發揮作用，藉烴氣之熱分解而產生之碳原子於銅表面形成石墨烯。並且，由於被石墨烯覆蓋之部分的銅失去觸媒作用，於該部分進而不會有烴氣進行熱分解，石墨烯難以成為複數層，而可獲得石墨烯之單層。因此，銅之單結晶於此觀點作為石墨烯製造用之基板而言優異，但由於價格高而尺寸受到限制，不適於製膜大面積之石墨烯。
又，於專利文獻2記載之技術之情形時，由形成鍍銅層或濺鍍銅層之步驟為必需之觀點而言，尚有提升生產性之餘地。
即，本發明之目的在於提供一種可以低成本且高品質生產石墨烯、氮化硼等二次元六角型晶格化合物之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔及使用其之二次元六角型晶格化合物之製造方法。
即，本發明之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔其P：0.01~0.21wt%，Fe：0.006wt%以下，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成，以1000℃加熱30分後，壓延面由X射線繞射所求之111繞射強度(I)相對於微粉末銅由X射線繞射所求之111繞射強度(I0)為2.0≦(I/I0)。
於上述1000℃加熱30分後，藉由JIS H0501之截線估量法測量之平均結晶粒徑較佳為1000μm以上。
於觀察0.003mm2之面積之剖面時，較佳存在有1~60個圓換算直徑為 0.1μm以上之夾雜物。
厚度較佳為5~50μm。
上述二次元六角型晶格化合物較佳為石墨烯或氮化硼。
進而，較佳含有合計0.01wt%以下之選自Ni、Sn、Mg、Ti及Zr之群中一種以上之元素。
本發明之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔較佳於熱軋鑄錠後，重複一次以上之退火與冷軋，進而於再結晶退火後進行最終冷軋而製造，上述最終冷軋之加工度η設為1.0≦η≦4.5。
本發明之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔之製造方法，係使用上述二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔之二次元六角型晶格化合物的製造方法，其具有如下步驟：二次元六角型晶格化合物形成步驟：於特定之室內配置經加熱之該二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，並且供給該二次元六角型晶格化合物之原料氣體，於該二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔之表面形成該二次元六角型晶格化合物；及二次元六角型晶格化合物轉印步驟：於該二次元六角型晶格化合物之表面積層轉印片，一面將該二次元六角型晶格化合物轉印於該轉印片上，一面蝕刻去除該二次元六角型晶格化合物製造用銅箔。
若藉由本發明，可獲得能夠以低成本且高品質生產石墨烯、氮化硼等二次元六角型晶格化合物之壓延銅箔。
10‧‧‧二次元六角型晶格化合物製造用銅箔
20‧‧‧石墨烯
30‧‧‧轉印片
[圖1]係表示本發明之實施型態的石墨烯之製造方法的步驟圖。
[圖2]係將實施例6之銅箔以1000℃加熱30分後，表示壓延面之EBSD(electron backscatter diffraction)像之圖。
[圖3]係將比較例4之銅箔以1000℃加熱30分後，表示壓延面之EBSD(electron backscatter diffraction)像之圖。
以下，針對本發明之實施形態之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔及二次元六角型晶格化合物之製造方法進行說明。再者，本發明中之%，只要沒有特別說明，係表示質量%。又，本發明之實施形態之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，係不於壓延後之銅箔表面形成鍍銅層、濺鍍銅層等被膜，而直接保持壓延(但是，亦可進行壓延後之熱處理)之狀態者。
又，以下說明中，雖以作為二次元六角型晶格化合物的一例之石墨烯為對象，但適用本發明之二次元六角型晶格化合物不限於石墨烯，例如可列舉氮化硼或二硫化鉬。所謂二次元六角型晶格化合物，係指原子為六角型晶格狀之鍵結的結晶結構以單原子層之厚度二維地擴展之結構。
本發明人發現，作為壓延銅箔之組成，藉由規定磷及鐵之含量，可使接近於石墨烯等之晶格常數之(111)位向的比例增多，可抑制於冷卻時因銅箔結晶與石墨烯等之各晶格常數的不一致所導致之石墨烯等的缺陷。
即，本發明之實施形態之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其P：0.01~0.21wt%，Fe：0.006wt%以下，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成，其中，以1000℃加熱30分後，壓延面由X射線繞射所求之111 繞射強度(I)相對於微粉末銅由X射線繞射所求之111繞射強度(I0)為2.0≦(I/I0)。
<銅箔之組成>
若壓延銅箔之磷含量未達0.01wt%，則無法使(111)位向之比例增多，(I/I0)成為未達2.0。另一方面，若壓延銅箔之磷含量超過0.21wt%，則與鐵一起形成一磷化鐵化合物而偏析，銅箔之製造變得困難。
若壓延銅箔之鐵含量超過0.006wt%，則與鐵一起形成一磷化鐵化合物而偏析，銅箔之製造變得困難。壓延銅箔之鐵含量越少越好，但從與製造成本之關係，例如可將鐵含量之下限設為0.002wt%左右。
相對於本發明之壓延銅箔，進而亦可含有合計0.01wt%以下之選自Ni、Sn、Mg、Ti及Zr之群中一種以上之元素。若含有上述元素，則壓延銅箔的強度提升且具有適當的伸長，並且可使結晶粒徑增大。若上述元素之含有比例超過0.01wt%，則存在強度進一步提升，但伸長減低而加工性惡化，並且結晶粒徑之成長受到抑制之情形。
再者，上述元素之含有比例之下限並無特別限定，例如可將0.005質量%設為下限。若上述元素之含有比例未達0.005質量%，則存在由於含有比例小，故變得難以抑制其含有比例之情形。
關於本發明之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，例如可使純銅、JIS-H3100規定之精銅(TPC)，或JIS-H3100規定之無氧銅(OFC)含有上述含有比例之磷而製造。
<(I/I0)>
藉由將壓延銅箔之(I/I0)設為2.0以上，可使接近於石墨烯或氮化硼之 晶格常數之(111)位向的比例增多，抑制冷卻時因為銅箔結晶與石墨烯之各晶格常數的不一致而導致之石墨烯的缺陷。尤其適合於用以製造用於顯示器等之大面積石墨烯之壓延銅箔。
於(I/I0)<2.0之情形時，(111)位向之比例變少，銅箔之晶格常數與石墨烯或氮化硼之晶格常數變得不一致，而石墨烯之缺陷明顯地產生。
(I/I0)之上限並無特別限制，但實用上為65左右。
規定以1000℃加熱30分後之111繞射強度(I)之理由係仿照使石墨烯等成長於銅箔上時之溫度條件者，加熱環境可為大氣環境。又，於測量銅箔之111繞射強度(I0)時，以上述條件加熱後冷卻至常溫(25℃)為止，其後進行測量。另一方面，關於微粉末銅之111繞射強度(I0)，不加熱而於常溫(25℃)進行測量。
再者，在以1000℃加熱30分前，壓延銅箔之(I/I0)未達2.0，藉由上述加熱進行再結晶而(111)位向發展。又，此時之I及I0為積分強度，使用XRD測量裝置(RINT2000)之基本資料處理軟體處理背景。背景之去除方法係使用軟體之「連接於兩端之直線」法，於自峰值±2.5度進行測量。
<平均結晶粒徑>
將本發明之壓延銅箔以1000℃加熱30分後，藉由JIS-H0501之截線估量法測量之平均結晶粒徑較佳為1000μm以上。若使壓延銅箔含有磷，則於石墨烯等之製膜條件(1000℃左右)進行加熱時再結晶而(111)位向發展，但存在(111)位向之結晶粒具有1000μm以上之平均粒徑的傾向。因此，若壓延銅箔之平均結晶粒徑為1000μm以上，則可謂(111)位向充分地發展而(I/I0)成為2.0以上。
再者，以1000℃加熱30分後之平均結晶粒徑，係指對未進行1000℃加熱30分之試樣首次進行加熱，而非對以1000℃加熱30分後已測量(111)繞射強度(I)之試樣進一步以1000℃加熱30分。
又，進行1000℃加熱30分前，壓延銅箔之平均結晶粒徑未達1000μm，結晶藉由上述加熱而再結晶且成長。
平均結晶粒徑之上限並無特別限制，例如為3000μm左右。
<夾雜物>
於觀察壓延銅箔之0.003mm2的面積之剖面時，圓換算直徑為0.1μm以上之夾雜物較佳存在1~60個。認為圓換算直徑為0.1μm以上之夾雜物含有磷。而且，推測含磷之夾雜物於石墨烯等之製膜溫度中壓延銅箔進行再結晶時，發揮用在定向於(111)位向的釘扎效果之作用。夾雜物之個數越多，變得更容易定向於(111)位向。
但是，若上述夾雜物之個數超過60個，則起因於夾雜物之破裂或孔等之缺陷會於熱軋時等產生，銅箔之製造變得困難。若上述夾雜物之個數未達1個，則不會發生釘扎效果，壓延銅箔變得幾乎不會定向於(111)位向。
壓延銅箔之剖面使用FIB(focused ion beam machining observation device，聚焦離子束加工觀察裝置)-SEM(掃描式電子顯微鏡)，藉由FIB進行加工。而且，以SEM觀察經藉由FIB加工之特定剖面，測量夾雜物之個數。
圓換算直徑為0.1μm以上之夾雜物之個數使用影像解析軟體進行計數。
<厚度>
再者，本發明之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔中，並未特 別限制板厚，一般為5~50μm。進而，為了一面確保操作性，一面容易地進行下述銅箔之蝕刻去除，較佳將板厚設為12~50μm。板厚若未達12μm，則存在如下情形：變得容易破斷而對操作性不佳，若厚度超過50μm，則蝕刻去除變得困難。
<壓延銅箔之製造>
本發明之實施形態之壓延銅箔例如可藉由下述般進行製造。首先，製造特定之組成的銅鑄錠，進行熱軋後，重複退火與冷軋一次以上，獲得壓延板。將此壓延板退火而使其再結晶，至特定之厚度為止將軋縮率設為80~99.9%(較佳為85~99.9%，進而較佳為90~99.9%)進行最終冷軋而獲得銅箔。
此處，若將最終冷軋之加工度η設為1.0≦η≦4.5，則可穩定地製造2.0≦(I/I0)之壓延銅箔。一般而言，若將純銅強加工(high deformation)後使其再結晶，則有001位向發展之傾向，故認為藉由將加工度η設為未達4.5，可使001位向之發展受到抑制，定向於111位向。因此，若加工度超過4.5，則成為2.0>(I/I0)。
另一方面，若加工度η未達1.0，則加工度變得過小，成為再結晶之驅動力的變形不足，故產生未再結晶粒，未於111位向充分地定向，成為2.0>(I/I0)。
再者，加工度η以η=In(A0/A1)表示，A0為最終冷軋前(即再結晶退火後)之剖面積，A1為最終冷軋後之剖面積。
<二次元六角型晶格化合物之製造方法>
繼而，參照圖1，針對本發明之實施形態之石墨烯的製造方法進行說明。
首先，於室(真空腔室等)100內，配置上述本發明之石墨烯製造用銅箔10，藉由加熱器104加熱石墨烯製造用銅箔10，並且將室100內進行減壓或抽真空。然後，自氣體導入口102將含碳氣體G與氫氣一同供給至室100內(圖1(a))。含碳氣體G為原料氣體，氫氣係為了使含碳氣體G分解而必須。作為含碳氣體G，可列舉二氧化碳、一氧化碳、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、乙炔、醇(alcohol)等，但不限定於該等，亦可為該等中1種或2種以上之混合氣體。又，石墨烯製造用銅箔10之加熱溫度只要設為含碳氣體G之分解溫度以上即可，例如可設為1000℃以上。又，亦可於室100內將含碳氣體G加熱至分解溫度以上，使分解氣體接觸於石墨烯製造用銅箔10。然後，分解氣體(碳氣體)接觸於石墨烯製造用銅箔10之表面，於石墨烯製造用銅箔10之表面形成石墨烯20(圖1(b))。
然後，將石墨烯製造用銅箔冷卻至常溫，於石墨烯20之表面積層轉印片30，將石墨烯20轉印至轉印片30上。繼而，將此積層體經由沉浸輥(sink roll)120而連續地浸漬於蝕刻槽110，蝕刻去除石墨烯製造用銅箔10(圖1(c))。如此，可製造積層於特定之轉印片30上的石墨烯20。
進而，若拉起除去了石墨烯製造用銅箔10之積層體，一面於石墨烯20之表面積層基板40，將石墨烯20轉印至基板40上，一面剝離轉印片30，則可製造積層於基板40上之石墨烯20。
作為轉印片30，可使用各種樹脂片(聚乙烯、聚胺基甲酸酯等聚合物片)。作為蝕刻去除石墨烯製造用銅箔10之蝕刻液，例如可使用硫酸溶液、過硫酸鈉溶液、過氧化氫、及於過硫酸鈉溶液或過氧化氫中添加有硫酸之溶液。又，作為基板40，例如可使用Si、SiC、Ni或Ni合金。
再者，於製造氮化硼取代石墨烯之情形時，作為原料氣體，例如使用硼氮炔(B3N3H6)。於氮化硼之情形亦必須將原料氣體與氫氣一併供給。
又，於製造二硫化鉬之情形時，作為原料氣體，例如使用(NH4)2MoS2。於二硫化鉬之情形亦必須將原料氣體與氫氣及氮氣一併供給。
實施例 <試樣之製作>
製造表1所示之組成的銅鑄錠，以850~950℃進行熱軋後，以300~800℃之連續退火線重複退火與冷軋一次，而得到1~4mm厚之壓延板。將此壓延板於400~900℃之連續退火線進行退火而使其再結晶後，至成為表1之厚度為止，以表1之加工度η進行最終冷軋，獲得各實施例及比較例之銅箔。此時，作為微量成分，為Ni：0.0002wt%，Sn：0.0002wt%，Mg：0.0001wt%，Ti：0.0001wt%及Zr：0.0001wt%，與其他微量成分之合計為0.01wt%以下。針對所獲得之銅箔，進行以下評價。
(I/I0)
將獲得的銅箔於氬氣環境中以1000℃加熱30分後，冷卻至室溫，求出以壓延面之X射線繞射求出的111繞射強度((111)面強度積分值)(I)。將此值除以預先以25℃測量之微粉末銅(將純度99.5%、325mesh之粉末3g壓接至直徑20mm、厚度1.35mm，於氫氣流中以300℃加熱一小時後使用)的111繞射強度(I0)，計算(I/I0)值。又，X射線繞射之測量條件為使用銅管球，以電壓25kV、電流20mA進行測量。
(平均結晶粒徑)
將獲得的銅箔於氬氣環境中以1000℃加熱30分後，冷卻至室溫，對壓延面使用附屬於EBSD(電子背向繞射解析裝置，日本電子股份有限公司JXA8500F，加速電壓20kV，電流2e-8A，測量範圍1700μm×2690μm，間隔(stepsize)10μm)之SEM裝置取得SEM影像，於此SEM影像中以JIS-H0501之截線估量法為準進行測量。
其中，於平均結晶粒徑超過1000μm之情形，全部設為1000μm以上。
(夾雜物)
將獲得的銅箔於氬氣環境中以1000℃加熱30分後，冷卻至室溫。對此銅箔使用FIB(聚焦離子束加工觀察裝置)-SEM(掃描式電子顯微鏡)，藉由FIB加工剖面，以SEM觀察此0.003mm2之面積的剖面，測量夾雜物之個數。使用影像解析軟體(Nippon Roper股份有限公司製之二次元影像解析軟體，製品名：Image-Pro PLUS)計數圓換算直徑為0.1μm以上之夾雜物之個數。
再者，夾雜物之測量面積係設為壓延銅箔之剖面之寬度方向0.1mm×厚度方向0.03mm=面積0.003mm2而以一定面積進行測量。又，對於厚度較0.03mm薄者，以將寬度方向之長度設為較0.1mm長而成為一定面積之方式調整。
<拉伸強度(TS)、伸長(EL)>
拉伸試驗以標距(gauge length)50mm、拉伸速度5mm/min之條件進行。採用N=5之平均值作為拉伸強度及伸長(破斷時之總伸長)之值。藉由拉伸試驗機，依據JIS-Z2241，於與銅箔之壓延方向平行的方向進行拉伸試驗。
<石墨烯之製造>
將各實施例及比較例之石墨烯製造用銅箔(縱橫100×100mm)設置於真 空腔室。加熱至1000℃。於真空(壓力：0.2Torr)下供給氫氣與甲烷氣(供給氣體流量：10~100cc/min)至此真空腔室，將銅箔以30分升溫至1000℃後，維持30分，使石墨烯成長於銅箔表面。
將PET膜貼合在於表面成長有石墨烯之銅箔的石墨烯側，藉由酸蝕刻去除銅箔後，以四探針法測量石墨烯之片電阻。
若石墨烯之片電阻為400Ω/sq以下，則無實用上之問題。
將所獲得之結果示於表1。再者，表中之TPC表示JIS-H3100所規定之精銅，OFC表示JIS-H3100所規定之無氧銅。
從表1清楚可知，於P：0.01~0.21wt%、Fe：0.006wt%以下之各實施例之情形時，成為2.0≦(I/I0)，石墨烯之片電阻成為400Ω/sq以下。
另一方面，於P未達0.01wt%之比較例1~4之情形時，成為2.0>(I/I0)，石墨烯之片電阻超過400Ω/sq，石墨烯之品質低劣。再者，比較例3、4係P及Fe各自為0.001wt%以下之組成。
於P超過2.1wt%、Ee超過0.006wt%之比較例5之情形時，鑄錠偏析而無法製造銅箔。
於最終冷軋之加工度η超過4.5之比較例6之情形時，成為2.0>(I/I0)，石墨烯之片電阻超過400Ω/sq，石墨烯之品質低劣。
再者，於各實施例之情形，拉伸強度(TS)為480N/mm2以上，但於比較例1~4之情形，拉伸強度降低至未達480N/mm2。
再者，圖2表示將實施例6之銅箔以1000℃加熱30分後，壓延面之EBSD影像。圖2(a)為附屬於EBSD裝置之由SEM產生的SEM影像，圖2(b)為EBSD影像。圖2(b)之暗視野B表示(111)位向，亮視野A表示(101)位向。於實施例6之情形，得知(111)位向占了大部分。
另一方面，圖3表示將比較例4之銅箔以1000℃加熱30分後，壓延面之EBSD影像。圖3(a)為SEM影像，圖3(b)為EBSD影像。圖3(b)之中間部C表示(101)位向。又，A為(001)位向，B為(111)位向。由圖3(b)得知，於比較例4之情形，(001)位向與(101)位向占了大部分。
再者，作為EBSD(電子背向繞射解析裝置)，使用日本電子股份有限公司製之JXA8500F，以加速電壓20kV、電流2×10-8A、測量範圍1700μm×2690 μm、間隔10μm進行測量。
10‧‧‧二次元六角型晶格化合物製造用銅箔
20‧‧‧石墨烯
30‧‧‧轉印片
40‧‧‧基板
100‧‧‧室
102‧‧‧氣體導入口
104‧‧‧加熱器
110‧‧‧蝕刻槽
120‧‧‧沉浸輥

Claims (8)

  1. 一種二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其P：0.01~0.21wt%，Fe：0.006wt%以下，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成，以1000℃加熱30分後，壓延面由X射線繞射所求之111繞射強度(I)相對於微粉末銅由X射線繞射所求之111繞射強度(I0)，為2.0≦(I/I0)。
  2. 如申請專利範圍第1項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其於1000℃加熱30分後，藉由JIS H0501之截線估量法測量之平均結晶粒徑為1000μm以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其中，於觀察0.003mm2之面積之剖面時，存在有1~60個圓換算直徑為0.1μm以上之夾雜物。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其厚度為5~50μm。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其中，該二次元六角型晶格化合物為石墨烯或氮化硼。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其進而含有合計0.01wt%以下之選自Ni、Sn、Mg、Ti及Zr之群中一種以上之元素。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，其係於熱軋鑄錠後，重複一次以上之退火與冷軋，進而於再結晶退火後，進行最終冷軋而製造，該最終冷軋之加工度η設為1.0≦η≦4.5。
  8. 一種二次元六角型晶格化合物之製造方法，其係使用申請專利範圍第1~7項中任一項之二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔之二次元六角型晶格化合物的製造方法，具有如下步驟：二次元六角型晶格化合物形成步驟：於特定之室內配置經加熱之該二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔，並且供給該二次元六角型晶格化合物之原料氣體，於該二次元六角型晶格化合物製造用壓延銅箔之表面形成該二次元六角型晶格化合物，及二次元六角型晶格化合物轉印步驟：於該二次元六角型晶格化合物之表面積層轉印片，一面將該二次元六角型晶格化合物轉印於該轉印片上，一面蝕刻去除該二次元六角型晶格化合物製造用銅箔。
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