TW201530576A - 具有高飽和電流與低磁芯損耗之磁性裝置 - Google Patents

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Abstract

一種磁性裝置，包含一T形磁芯、一線圈以及一磁性體。T形磁芯包含一底座以及一柱體，且由一退火軟質磁性金屬材料製成，T形磁芯之一磁芯損耗PCL(mW/cm3)滿足下列不等式：0.64*f0.95*Bm2.20≦PCL≦7.26*f1.41*Bm1.08，其中，f(kHz)表示適用於T形磁芯之一磁場之一頻率，且Bm(kGauss)表示該磁場於該頻率之工作磁通密度。磁性體完全覆蓋柱體、位於底座之底表面上方之底座的任何部位以及位於底座之頂表面正上方之線圈的任何部位。

Description

具有高飽和電流與低磁芯損耗之磁性裝置
本發明關於一種磁性裝置，尤指一種具有高飽和電流與低磁芯損耗之磁性裝置。
扼流器（choke）為磁性裝置的一種，用以穩定電流，以達到濾除雜訊的效果，扼流器之功能與電容相似，藉由電流穩定性的調整，來儲存與釋放電路中的電能。相較於藉由電場（電荷）來儲存電能的電容，扼流器係藉由磁場來儲存電能。
第1A圖繪示具有環形磁芯（toroidal core）之習知扼流器10。然而，對於具有環形磁芯之習知扼流器而言，需以手動的方式將線圈纏繞於環形磁芯上。因此，製造習知扼流器的人工成本較高，使得習知扼流器之製造成本相對提高。
此外，扼流器通常係應用於電子裝置中。如何製造出效能更大且尺寸更小的扼流器對於電子產業而言是一大挑戰。特別地，當具有環形磁芯之習知扼流器的尺寸被縮減至一定程度時，以手動的方式將線圈纏繞於環形磁芯上將會變得更加困難，且扼流器在高飽和電流下將無法產生所需的輸出。
第1B圖繪示具有鐵氧體磁芯（ferrite core）之習知扼流器20。然而，此密封的扼流器無法在高飽和電流下產生所需的輸出。此外，當此密封的扼流器的尺寸被縮減至一定程度時，將線圈纏繞於鐵氧體磁芯上也會變得非常困難。
第1C圖繪示具有鐵粉磁芯（iron-powder core）之習知扼流器30。然而，鐵粉磁芯具有相對高的磁芯損耗（core loss）。此外，由於在模造製程中線圈係放置於模具中，且線圈無法承受高溫，在模造製程後無法進行退火製程來降低鐵粉磁芯的磁芯損耗。
綜上所述，如何降低製造成本且縮減扼流器的尺寸，以在重載時維持高飽和電流與低磁芯損耗，便成為一個亟待解決的問題。
因此，本發明的目的之一在於提供一種低成本且小型的磁性裝置，其在重載具有高飽和電流且在輕載具有低磁芯損耗。
為了達到上述目的，根據一實施例，本發明之磁性裝置包含一T形磁芯、一線圈以及一磁性體。T形磁芯包含一底座以及一柱體，底座具有一第一表面以及一第二表面，第一表面與第二表面相對，柱體位於底座之第一表面上，底座之第二表面暴露於外在環境而作為磁性裝置之一外表面，T形磁芯係由一退火軟質磁性金屬材料製成，T形磁芯之一磁芯損耗PCL (mW/cm3 )滿足下列不等式：0.64*f0.95 *Bm 2.20 ≦PCL ≦7.26*f1.41 *Bm 1.08 ，其中，f (kHz)表示適用於T形磁芯之一磁場之一頻率，且Bm (kGauss)表示該磁場於該頻率之工作磁通密度。線圈纏繞於柱體，線圈具有二引腳。磁性體完全覆蓋柱體、位於底座之第二表面上方之底座的任何部位以及位於底座之第一表面正上方之線圈的任何部位。
本發明進一步的範疇與應用將詳述於後。然而，需說明的是，下列詳細說明與特定實施例僅係用以說明本發明之技術特點，其衍生變化及應用對於本領域之習知技藝之人而言，皆涵蓋於本發明的範疇之中。
本發明將利用所附圖式詳述於下，其中所有圖式中相同的參考標號係表示相同或相似的元件。需說明的是，所有圖式應以參考標號的方向觀之。
第2A圖至第2C圖為根據本發明一實施例之扼流器的立體圖。如第2A圖至第2C圖所示，扼流器1為一磁性裝置，包含一T形磁芯2、一線圈3以及一磁性體4。T形磁芯2包含一底座21以及一柱體22。底座21具有一第一表面（頂表面）以及一第二表面（底表面），其中第一表面（頂表面）與第二表面（底表面）相對。柱體22位於底座21之第一表面（頂表面）上。底座21之第二表面（底表面）暴露於外在環境而作為扼流器1（磁性裝置）之一外表面。線圈3形成一中空部，用以容置柱體22，使得線圈3纏繞於柱體22。於本發明之一實施例中，如第2C圖所示，線圈具有二引腳31、32作為焊接接腳，而不需使用底座21上的電極。於本發明之另一實施例中，如第3D圖所示，線圈3具有二引腳31、32，分別連接於底座21上的二電極5、6。磁性體4完全覆蓋柱體22、位於底座21之第二表面（底表面）上方之底座21的任何部位以及位於底座21之第一表面（頂表面）上方之線圈3的任何部位。
於本發明之一實施例中，T形磁芯2係由一退火軟質磁性金屬材料（annealed soft magnetic metal material）製成。特別地，退火軟質磁性金屬材料係選自下列群組：鐵矽合金粉末、鐵矽鋁合金粉末、鐵鎳合金粉末、鐵鎳鉬合金粉末，以及至少二上述材料之組合，且被加壓以形成T形磁芯2之T形結構（例如，底座加柱體）。在形成T形結構後，於T形結構上執行退火製程，以得到具有低磁芯損耗之退火T形磁芯2。
下列關係式可用來說明磁性材料之磁芯損耗：PL =C*fa *Bm b 。
於上述關係式中，PL 為單位體積的磁芯損耗（mW/cm3 ），f (kHz)表示適用於磁性材料之一磁場之一頻率，且Bm (kGauss，通常小於1)表示該磁場於該頻率之工作磁通密度（operating magnetic flux density）。此外，係數C、a與b係根據磁性材料之參數, 例如：導磁率而決定。
下列表1-4紀錄具有不同的導磁率之不同的軟質磁性金屬材料被用來形成退火T形磁芯2之係數C、a與b。
從上述來看，根據本發明之實施例，退火T形磁芯2之磁芯損耗PCL (mW/cm3 )滿足下列不等式：0.64*f0.95 *Bm 2.20 ≦PCL ≦7.26*f1.41 *Bm 1.08 。
於本發明之實施例中，退火T形磁芯2之導磁率μC 介於平均導磁率μCC 的±20%偏差之間，且平均導磁率μCC 等於或大於60。舉例而言，退火T形磁芯2係為一退火T形結構，且此退火T形結構係由軟質磁性金屬材料製成，例如，以鐵矽合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與90之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與108（90*120%）之間），以鐵矽鋁合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與125之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與150（125*120%）之間），以鐵鎳合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與160之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與192（160*120%）之間），或以鐵鎳鉬合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與200之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與240（200*120%）之間），且退火T形磁芯2之磁芯損耗PCL (mW/cm3 )滿足下列不等式：0.64*f1.15 *Bm 2.20 ≦PCL ≦4.79*f1.41 *Bm 1.08 。
於本發明之實施例中，退火T形磁芯2係為一退火T形結構，且此退火T形結構係由軟質磁性金屬材料製成，例如，以鐵矽鋁合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與125之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與150（125*120%）之間），以鐵鎳合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與160之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與192（160*120%）之間），或以鐵鎳鉬合金粉末製成之退火T形磁芯2之平均導磁率μCC 介於60與200之間（亦即，導磁率μC 介於48（60*80%）與240（200*120%）之間），且退火T形磁芯2之磁芯損耗PCL (mW/cm3 )滿足下列不等式：0.64*f1.31 *Bm 2.20 ≦PCL ≦2.0*f1.41 *Bm 1.08 。
此外，μCC *Hsat的值係為扼流器之電流耐受度的主要瓶頸，其中Hsat (Oe)為磁場於80%之μC0 時的強度，μC0 為T形磁芯2於該磁場的強度為0時的導磁率。下列表5紀錄具有不同的導磁率之不同的退火軟質磁性金屬材料被用來形成退火T形磁芯2之μCC *Hsat的值。
從上述來看，根據本發明之實施例，下列不等式係被滿足：μCC *Hsat≧2250。
於本發明之一實施例中，兩電極5、6係位於底座21之底部，如第3A圖所示。於本發明之另一實施例中，兩電極5、6係內嵌於底座21中，如第3B圖、第3C圖與第3D圖所示。如第3B圖所示，各電極5、6之底表面實質上與底座21之第二表面（底表面）共平面，且各電極5、6之一側表面實質上與底座21之二相對側表面的其中之一共平面。當退火T形磁芯2的尺寸固定時，內嵌電極可使退火T形磁芯2包覆更多的磁性材料，進而增進退火T形磁芯2的導磁率。
於本發明之另一實施例中，如第2A圖與第3D圖所示，底座21具有二凹槽211、212，其分別位於底座21的二側邊上，且此二凹槽211、212分別用以容置線圈3的二引腳31、32。於第2A圖至第2C圖所示之實施例中，二引腳31、32經由二凹槽211、212穿過底座21且底座21上無電極。如第3D圖所示之實施例中，二引腳31、32分別經由二凹槽211、212接觸二電極5、6。於本發明之另一實施例中，如第2D圖所示，底座21不具有用以容置二引腳31、32之凹槽，取而代之地，二引腳31、32在扼流器1的側邊延伸穿過磁性體4而無穿過底座21。於本發明之又一實施例中，如第2E圖與第2F圖所示，底座21之同一側邊上具有二凹槽，用以容置二引腳31、32。於本發明之再一實施例中，如第2G圖所示，底座21不具有用以容置二引腳31、32之凹槽，取而代之地，二引腳31、32完全位於底座21上方且與底座21之頂表面上的二電極5、6接觸。第2G圖中所繪示之實施例中的二電極5、6自底座21之底表面往底座21之頂表面延伸。於第2A圖至第2G圖所示之實施例中，磁性體4完全覆蓋柱體22以及位於底座21之第二表面（底表面）上方之底座21的任何部位。
於本發明之一實施例中，底座21為一方形（包含正方形）底座，其具有四直角（right-angled corner）或四弧角（curved corner），如第5A圖與第5B圖所示，且自方形底座21之四端中的每一端至柱體22之最短距離（如第4A圖與第4B圖所示之a、b、c、d）皆實質上相等（亦即，a=b=c=d）。因此，T形磁芯2之磁性電路係均勻的且T形磁芯2之磁芯損耗可被有效降低。需說明的是，第4A圖與第4B圖僅繪示具有四直角之方形底座21之實施例，然而，上述技術特徵（自方形底座21之四端中的每一端至柱體22之最短距離（如第4A圖與第4B圖所示之a、b、c、d）皆實質上相等（亦即，a=b=c=d））亦適用於第5B圖所示之具有四弧角之方形底座21之實施例。
於本發明之一實施例中，磁性體4可由熱固性材料（例如，樹脂）與選自下列群組之一材料的熱壓混合物製成：鐵基非結晶粉末（iron-based amorphous powder）、鐵矽鋁合金粉末（Fe-Si-Al alloy powder）、透磁合金粉末（permalloy powder）、鐵矽合金粉末（ferro-Si alloy powder）、奈米結晶合金粉末（nanocrystalline alloy powder）以及至少二上述材料之組合。此混合物係以熱壓方式置入具有T形磁芯2與線圈3之熱固性模具中。藉此，此熱壓混合物（亦即，磁性體4）會完全覆蓋柱體22、位於底座21之第二表面（底表面）上方之底座21的任何部位以及位於底座21之第一表面（頂表面）上方之線圈3的任何部位，如第2C圖與第2E至2G圖所示。於第2D圖所示之實施例中，此熱壓混合物（亦即，磁性體4）完全覆蓋柱體22、位於底座21之第二表面（底表面）上方之底座21的任何部位以及位於底座21之第一表面（頂表面）正上方之線圈3的任何部位，但是沒有覆蓋非位於底座21之第一表面（頂表面）正上方之線圈3的部位（例如，二引腳非位於底座21之第一表面（頂表面）正上方）。
於本發明之一實施例中，磁性體之導磁率μB 介於磁性體4之平均導磁率μBC 的±20%偏差之間，平均導磁率μBC 等於或大於6，且磁性體4之磁芯損耗PBL (mW/cm3 )滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦14.03*f1.29 *Bm 1.08 。
於本發明之另一實施例中，磁性體4之導磁率μB 滿足下列不等式：9.85≦μB ≦64.74，且磁性體之磁芯損耗PBL (mW/cm3 )滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦11.23*f1.29 *Bm 1.08 。
於本發明之另一實施例中，磁性體4之導磁率μB 滿足下列不等式：20≦μB ≦40，且磁性體之磁芯損耗PBL (mW/cm3 )滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦3.74*f1.29 *Bm 1.08 。
此外，於本發明之一實施例中，下列不等式亦被滿足：μBC *Hsat≧2250，Hsat (Oe)為磁場於80%之μB0 時的強度，μB0 為磁性體4於該磁場的強度為0時的導磁率。
再者，T形磁芯2之尺寸亦會影響扼流器之磁芯損耗。表6紀錄具有不同尺寸之T形磁芯之扼流器的總磁芯損耗，其中C為柱體22之直徑，D為柱體22之高度，E為底座21之厚度，且表6中的T形磁芯具有相同的高度B（6 mm）以及相同的寬度A（14.1 mm），如第5A圖所示。此外，V1為底座21之體積，V2為柱體22之體積，Vc為T形磁芯2之體積（亦即，V1+V2），且V為熱固性模具/扼流器1之體積。如第5A圖與第5B圖所示，T形磁芯2之底座為具有四直角或四弧角之方形底座。
於表6之實施例中，T形磁芯2係由導磁率約為60（Sendust 60）之退火鐵矽鋁合金粉末製成，且磁性體4係由樹脂與鐵基非結晶粉末之熱壓混合物製成且其導磁率約為27.5。此外，熱固性模具之體積（亦即，扼流器1之體積）V為14.5*14.5*7.0=1471.75 mm3 。
如表6所示，當底座21之體積V1與柱體22之體積V2的比例（V1/V2）等於或小於2.533時，扼流器1之總磁芯損耗為695.02 mW或更小（亦即，V1/V2≦2.533，則總磁芯損耗≦695.02 mW）。較佳地，當底座21之體積V1與柱體22之體積V2的比例（V1/V2）等於或小於2.093時，扼流器1之總磁芯損耗為483.24 mW或更小（亦即，V1/V2≦2.093，則總磁芯損耗≦483.24 mW）。如表6所示，當扼流器之體積確定後，比例V1/V2愈小，則扼流器之總磁芯損耗愈小。
此外，如表6之編號5之實施例所示，扼流器之等效導磁率介於40.73的±30%偏差之間。換言之，扼流器之等效導磁率介於28.511與52.949之間。特別地，扼流器之等效導磁率介可由一振動樣品磁化儀（vibrating sample magnetometer, VSM）量測得到（但不以此為限），或藉由量測扼流器之尺寸、線圈之長度與直徑、線圈之纏繞方式以及扼流器之電感來決定（但不以此為限），再將上述量測結果代入模擬軟體，例如ANSYS Maxwell、Magnetics Designer、MAGNET等。
第6圖繪示根據表6之編號5之實施例之退火T形磁芯2之導磁率μC 與磁性體4之導磁率μB 間的關係。此關係根據表6之編號5之實施例之扼流器1的目標電感的±30%偏差以及退火T形磁芯2之不同的中央導磁率μCC 的±20%偏差而得到（如表7至11所示）。
因此，只要退火T形磁芯2之導磁率μC 以及磁性體4之導磁率μB 落在第6圖所示之範圍中的任意點，就可以使扼流器之目標電感介於±30%偏差之間。舉例而言，當退火T形磁芯2之導磁率μC 為48時，磁性體4之導磁率μB 可介於16.52與64.74之間；當退火T形磁芯2之導磁率μC 為60時，磁性體4之導磁率μB 可介於14.50與47.98之間；當退火T形磁芯2之導磁率μC 為240時，磁性體4之導磁率μB 可介於9.85與23.31之間（如下列表12所示）。如第6圖與表12所示，導磁率μC 愈高，則導磁率μB 之範圍愈小，且導磁率μB 之上限與下限愈低。
表12
第7圖繪示介於表6之編號5之實施例之扼流器1與具有環形磁芯之習知扼流器的效能比較。特別地，表6之編號5之實施例之扼流器1具有由退火鐵矽鋁合金粉末製成且導磁率為60之退火T形磁芯2以及由鐵基非結晶粉末製成且導磁率為27.5之磁性體4，此扼流器之體積為14.5*14.5*7 mm3 。另一方面，習知扼流器之環形磁芯係由鐵矽鋁合金粉末（Sendust）製成且導磁率為60，此習知扼流器之體積為17*17*12 mm3 （最大）。表13紀錄表6之編號5之實施例之扼流器1以及具有環形磁芯之習知扼流器的效能。
表13
如第7圖與表13所示，具有退火T形磁芯2之扼流器1之效能（於重載時具有高飽和電流與低功率損耗）遠比具有環形磁芯之習知扼流器來得好。因此，具有退火T形磁芯之扼流器可達成在重載具有高飽和電流且在輕載具有低磁芯損耗之功效。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1、10、20、30‧‧‧扼流器
2‧‧‧T形磁芯
3‧‧‧線圈
4‧‧‧磁性體
5、6‧‧‧電極
21‧‧‧底座
22‧‧‧柱體
31、32‧‧‧引腳
211、212‧‧‧凹槽
a、b、c、d‧‧‧距離
A‧‧‧寬度
B、D‧‧‧高度
C‧‧‧直徑
E‧‧‧厚度
第1A圖至第1C圖繪示三種形式之習知扼流器。 第2A圖至第2G圖繪示根據本發明不同實施例之T形磁芯、線圈以及扼流器的外觀視圖。 第3A圖為根據本發明一實施例之扼流器的剖面圖。 第3B圖為根據本發明另一實施例之T形磁芯的外觀視圖。 第3C圖為第3B圖中具有T形磁芯之扼流器的剖面圖。 第3D圖根據本發明又一實施例之扼流器的剖面圖。 第4A圖為根據本發明一實施例之T形磁芯的俯視圖。 第4B圖為根據本發明另一實施例之T形磁芯的俯視圖。 第5A圖與第5B圖為根據本發明之二實施例之T形磁芯的側視圖與俯視圖。 第6圖繪示用以顯示T形磁芯之導磁率與磁性體之導磁率的上限與下限的曲線，以及T形磁芯之導磁率與磁性體之導磁率間的關係。 第7圖繪示根據本發明一實施例之扼流器與具有環形磁芯之習知扼流器之間的效能比較。
2‧‧‧T形磁芯
21‧‧‧底座
22‧‧‧柱體
211、212‧‧‧凹槽

Claims (19)

  1. 一種磁性裝置，包含：              一T形磁芯，包含一底座以及一柱體，該底座具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面相對，該柱體位於該底座之該第一表面上，該底座之該第二表面暴露於外在環境而作為該磁性裝置之一外表面，該T形磁芯係由一退火軟質磁性金屬材料製成；              一線圈，纏繞於該柱體，該線圈具有二引腳；以及              一磁性體，完全覆蓋該柱體、位於該底座之該第二表面上方之該底座的任何部位以及位於該底座之該第一表面正上方之該線圈的任何部位；              其中該磁性裝置之一等效導磁率介於28.511與52.949之間。
  2. 如請求項1所述之磁性裝置，其中該T形磁芯之一導磁率為μC ，該磁性體之一導磁率為μB ，48≦μC ≦240，9.85≦μB ≦64.74，μC 對應μB 之一上限與一下限間之一範圍，μC 愈高，則μB 之該範圍愈小，且μB 之該上限與該下限愈低。
  3. 一種磁性裝置，包含：              一T形磁芯，包含一底座以及一柱體，該底座具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面相對，該柱體位於該底座之該第一表面上，該底座之該第二表面暴露於外在環境而作為該磁性裝置之一外表面，該T形磁芯係由一退火軟質磁性金屬材料製成；              一線圈，纏繞於該柱體，該線圈具有二引腳；以及              一磁性體，完全覆蓋該柱體、位於該底座之該第二表面上方之該底座的任何部位以及位於該底座之該第一表面正上方之該線圈的任何部位；              其中該磁性體之一導磁率為μB ，μB ≧4.8，該磁性體之一磁芯損耗PBL (mW/cm3 )滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦14.03*f1.29 *Bm 1.08 。
  4. 如請求項3所述之磁性裝置，其中該磁性體係由樹脂與選自下列群組之一材料的熱壓混合物製成：鐵基非結晶粉末、鐵矽鋁合金粉末、透磁合金粉末、鐵矽合金粉末、奈米結晶合金粉末以及至少二上述材料之組合。
  5. 如請求項3所述之磁性裝置，其中該磁性體之該導磁率μB 滿足下列不等式：9.85≦μB ≦64.74，該磁性體之該磁芯損耗PBL (mW/cm3 )進一步滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦11.23*f1.29 *Bm 1.08 。
  6. 如請求項3所述之磁性裝置，其中該磁性體之該導磁率μB 滿足下列不等式：20≦μB ≦40，該磁性體之該磁芯損耗PBL (mW/cm3 )進一步滿足下列不等式：2*f1.29 *Bm 2.2 ≦PBL ≦3.74*f1.29 *Bm 1.08 。
  7. 一種磁性裝置，包含：              一T形磁芯，包含一底座以及一柱體，該底座具有一上表面以及一下表面，該柱體位於該底座之該上表面上；              一預繞成形之中空線圈，該柱體的至少一部分設置在該預繞成形之中空線圈內; 以及              一磁性體，包覆該柱體、該預繞成形之中空線圈以及該底座之一部分，其中該磁性體之一部分覆蓋該柱體之頂部以及該底座之該下表面未被該磁性體覆蓋，其中該磁性體與該底座之該下表面形成磁性裝置之外表面，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部由該外表面之同一面延伸而出以作為該磁性裝置之兩引腳。
  8. 如請求項7所述之磁性裝置，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部與該中空線圈一體成型。
  9. 如請求項7所述之磁性裝置，其中該兩引腳為貫穿孔引腳。
  10. 如請求項7所述之磁性裝置，其中該底座之相對之兩側面分別具有一第一凹陷部與一第二凹陷部，該預繞成形之中空線圈之兩端部分別經由該第一凹陷部與該第二凹陷部延伸而出以作為該磁性裝置之兩引腳。
  11. 如請求項7所述之磁性裝置，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部由該外表面之同一側面延伸而出以作為該磁性裝置之兩引腳。
  12. 如請求項10所述之磁性裝置，其中該底座之下表面相對之兩側邊分別具有具有一第三凹陷部與一第四凹陷部，該預繞成形之中空線圈之兩端部分別具有一彎折部經由該第一凹陷部與該第二凹陷部延伸而出以設置於該底座下表面上之該第三凹陷部與該第四凹陷部。
  13. 一種磁性裝置，包含：              一T形磁芯，包含一底座以及一柱體，該底座具有一上表面以及一下表面，該柱體位於該底座之該上表面上，其中該底座之下表面相對之兩側邊分別具有具有一第一凹陷部與一第二凹陷部；              一預繞成形之中空線圈，該柱體的至少一部分設置在該預繞成形之中空線圈內; 以及              一第一電極與一第二電極，該第一電極與該第二電極分別設置於該底座之下表面之該第一凹陷部與該第二凹陷部，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部分別電性連結該第一電極與該第二電極。
  14. 如請求項13所述之磁性裝置，更包括一磁性體，包覆該柱體、該預繞成形之中空線圈以及該底座之一部分，其中該磁性體之一部分覆蓋該柱體之頂部以及該底座之該下表面未被該磁性體覆蓋。
  15. 如請求項13所述之磁性裝置，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部分別具有一彎折部經由該底座下表面之該相對之兩側延伸而出以設置於該底座下表面上之該第一凹陷部與該第二凹陷部，其中該第一電極與一第二電極分別為一金屬平板以覆蓋該預繞成形之中空線圈之兩端部。
  16. 如請求項13所述之磁性裝置，其中該預繞成形之中空線圈之兩端部分別具   有一彎折部經由該底座下表面之該相對之兩側延伸而出以設置於該底座下表面上之該第一凹陷部與該第二凹陷部。
  17. 如請求項13所述之磁性裝置，其中該底座之相對之兩側面分別具有一第三凹陷部與一第四凹陷部，該第一電極與該第二電極分別具有一彎折部以設置於該三凹陷部與該第四凹陷部。
  18. 如請求項13所述之磁性裝置，其中該第一電極與該第二電極與該底座之下表面實質上位於同一平面。
  19. 如請求項13所述之磁性裝置，其中該第一電極與該第二電極之兩彎折部分別與該底座之相對之兩側面實質上位於同一平面。
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