CN103928218A - 具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种磁性装置，包括T形磁芯、线圈以及磁性体。T形磁芯包括底座以及柱体，且由退火软质磁性金属材料制成，T形磁芯的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：0.64*f0.95*Bm 2.20≤PCL≤7.26*f1.41*Bm 1.08，其中，f(kHz)表示适用于T形磁芯的磁场的频率，且Bm(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度。磁性体完全覆盖柱体、位于底座的底表面上方的底座的任何部位以及位于底座的顶表面正上方的线圈的任何部位。因此，本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。

Description

具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置
技术领域
本发明涉及一种磁性装置，特别是涉及一种具有高饱和电流与低磁芯损耗的磁性装置。
背景技术
扼流器（choke）是磁性装置的一种，用以稳定电流，以达到滤除噪声的效果，扼流器的功能与电容相似，藉由电流稳定性的调整，来存储与释放电路中的电能。相较于藉由电场（电荷）来存储电能的电容，扼流器是藉由磁场来存储电能。
第1A图是具有环形磁芯（toroidal core）的现有扼流器10。然而，对于具有环形磁芯的现有扼流器而言，需以手动的方式将线圈缠绕于环形磁芯上。因此，制造现有扼流器的人工成本较高，使得现有扼流器的制造成本相对提高。
此外，扼流器通常是应用于电子装置中。如何制造出效能更大且尺寸更小的扼流器对于电子产业而言是一大挑战。特别地，当具有环形磁芯的现有扼流器的尺寸被缩减至一定程度时，以手动的方式将线圈缠绕于环形磁芯上将会变得更加困难，且扼流器在高饱和电流下将无法产生所需的输出。
第1B图是具有铁氧体磁芯（ferrite core）的现有扼流器20。然而，此密封的扼流器无法在高饱和电流下产生所需的输出。此外，当此密封的扼流器的尺寸被缩减至一定程度时，将线圈缠绕于铁氧体磁芯上也会变得非常困难。
第1C图是具有铁粉磁芯（iron-powder core）的现有扼流器30。然而，铁粉磁芯具有相对高的磁芯损耗（core loss）。此外，由于在模造工艺中线圈是放置于模具中，且线圈无法承受高温，在模造工艺后无法进行退火工艺来降低铁粉磁芯的磁芯损耗。
综上所述，如何降低制造成本且缩减扼流器的尺寸，以在重载时维持高饱和电流与低磁芯损耗，便成为一个极待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：为了弥补现有技术的不足，提供一种低成本且小型的磁性装置，其在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗。
本发明的磁性装置采用以下技术方案：
所述磁性装置包括T形磁芯、线圈以及磁性体。所述T形磁芯包括底座以及柱体，所述底座具有第一表面以及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述柱体位于所述底座的所述第一表面上，所述底座的所述第二表面暴露于外在环境而作为所述磁性装置的外表面，所述T形磁芯由退火软质磁性金属材料制成，所述T形磁芯的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：0.64*f0.95*Bm 2.20≤PCL≤7.26*f1.41*Bm 1.08，其中，f(kHz)表示适用于所述T形磁芯的磁场的频率，且Bm(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度。所述线圈缠绕于所述柱体，所述线圈具有二引脚。所述磁性体完全覆盖所述柱体、位于所述底座的所述第二表面上方的所述底座的任何部位以及位于所述底座的所述第一表面正上方的所述线圈的任何部位。
所述线圈的所述二引脚分别连接于所述底座上的二电极。
所述磁性体完全覆盖位于所述底座的所述第一表面上方的所述线圈的任何部位。
所述底座的体积V1与所述柱体的体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.533。
所述底座的所述体积V1与所述柱体的所述体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.093。
所述二电极内嵌于所述底座中。
各所述电极的底表面实质上与所述底座的所述第二表面共平面，且各所述电极的侧表面实质上与所述底座的二相对侧表面的其中一面共平面。
所述底座具有二凹槽，所述二凹槽分别位于所述底座的二侧表面上，所述二凹槽用以容置所述二引脚，使得所述二引脚通过所述二凹槽分别与所述二电极接触。
所述底座是具有直角或弧角的方形底座，自所述方形底座的四端中的每一端至所述柱体的最短距离皆相等。
所述T形磁芯的导磁率是μC，μC≥48，且所述T形磁芯的所述磁芯损耗PCL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：0.64*f1.15*Bm 2.20≤PCL≤4.79*f1.41*Bm 1.08。
所述退火软质磁性金属材料选自下列群组：被压入T形结构且经退火而具有介于48与108间的导磁率的铁硅合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与150间的导磁率的铁硅铝合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与192间的导磁率的铁镍合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与240间的导磁率的铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合。
所述退火软质磁性金属材料选自下列群组：被压入T形结构且经退火而具有介于48与150间的导磁率的铁硅铝合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与192间的导磁率的铁镍合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与240间的导磁率的铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合，并且所述T形磁芯的所述磁芯损耗PCL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：0.64*f1.31*Bm 2.20≤PCL≤2.0*f1.41*Bm 1.08。
μC*Hsat≥2250，Hsat(Oe)是所述磁场于80%的μC0时的强度，μC0是所述T形磁芯于所述磁场的强度是0时的导磁率。
所述磁性装置的等效导磁率介于28.511与52.949之间。
所述T形磁芯的导磁率是μC，所述磁性体的导磁率是μB，48≤μC≤240，9.85≤μB≤64.74，μC对应μB的上限与下限间的范围，μC越高，则μB的所述范围越小，且μB的所述上限与所述下限越低。
所述磁性体的导磁率是μB，μB≥4.8，所述磁性体的磁芯损耗PBL(mW/cm3)满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤14.03*f1.29*Bm 1.08。
所述磁性体由树脂与选自下列群组的材料的热压混合物制成：铁基非结晶粉末、铁硅铝合金粉末、透磁合金粉末、铁硅合金粉末、奈米结晶合金粉末以及至少二上述材料的组合。
所述磁性体的所述导磁率μB满足下列不等式：9.85≤μB≤64.74，所述磁性体的所述磁芯损耗PBL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤11.23*f1.29*Bm 1.08。
所述磁性体的所述导磁率μB满足下列不等式：20≤μB≤40，所述磁性体的所述磁芯损耗PBL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤3.74*f1.29*Bm 1.08。
μB*Hsat≥2250，Hsat(Oe)是所述磁场于80%的μB0时的强度，μB0是所述磁性体于所述磁场的强度是0时的导磁率。
因此，根据上述技术方案，本发明的磁性装置至少具有下列优点及有益效果：本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置的效能（于重载时具有高饱和电流与低功率损耗）远比具有环形磁芯的现有扼流器来得好。因此，本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。
附图说明
图1A至图1C是三种形式的现有扼流器。
图2A至图2G是本发明不同实施例的T形磁芯、线圈以及扼流器的外观视图。
图3A是本发明一实施例的扼流器的剖面图。
图3B是本发明另一实施例的T形磁芯的外观视图。
图3C是图3B中具有T形磁芯的扼流器的剖面图。
图3D是本发明又一实施例的扼流器的剖面图。
图4A是本发明一实施例的T形磁芯的俯视图。
图4B是本发明另一实施例的T形磁芯的俯视图。
图5A与图5B是本发明的二实施例的T形磁芯的侧视图与俯视图。
图6是用以显示T形磁芯的导磁率与磁性体的导磁率的上限与下限的曲线，以及T形磁芯的导磁率与磁性体的导磁率间的关系。
图7是本发明一实施例的扼流器与具有环形磁芯的现有扼流器之间的效能比较。
其中，附图标记说明如下：
1、10、20、30   扼流器        2           T形磁芯
3               线圈          4           磁性体
5、6            电极          21          底座
22              柱体          31、32      引脚
211、212        凹槽          a、b、c、d  距离
A               宽度          B、D        高度
C               直径          E           厚度
具体实施方式
本发明将利用所附图式详述于下，其中所有图式中相同的参考标号表示相同或相似的组件。需说明的是，所有图式应以参考标号的方向来看。
图2A至图2C是本发明一实施例的扼流器的立体图。如图2A至图2C所示，扼流器1是磁性装置，包括T形磁芯2、线圈3以及磁性体4。T形磁芯2包括底座21以及柱体22。底座21具有第一表面（顶表面）以及第二表面（底表面），其中第一表面（顶表面）与第二表面（底表面）相对。柱体22位于底座21的第一表面（顶表面）上。底座21的第二表面（底表面）暴露于外在环境而作为扼流器1（磁性装置）的外表面。线圈3形成中空部，用以容置柱体22，使得线圈3缠绕于柱体22。于本发明的实施例中，如图2C所示，线圈具有二引脚31、32作为焊接接脚，而不需使用底座21上的电极。于本发明的另一实施例中，如图3D所示，线圈3具有二引脚31、32，分别连接于底座21上的二电极5、6。磁性体4完全覆盖柱体22、位于底座21的第二表面（底表面）上方的底座21的任何部位以及位于底座21的第一表面（顶表面）上方的线圈3的任何部位。
于本发明的实施例中，T形磁芯2由退火软质磁性金属材料（annealed softmagnetic metal material）制成。特别地，退火软质磁性金属材料选自下列群组：铁硅合金粉末、铁硅铝合金粉末、铁镍合金粉末、铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合，且被加压以形成T形磁芯2的T形结构（例如，底座加柱体）。在形成T形结构后，于T形结构上执行退火工艺，以得到具有低磁芯损耗的退火T形磁芯2。
下列关系式可用来说明磁性材料的磁芯损耗：PL=C*fa*Bm b。
于上述关系式中，PL是单位体积的磁芯损耗（mW/cm3），f(kHz)表示适用于磁性材料的磁场的频率，且Bm(kGauss，通常小于1)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度（operating magnetic flux density）。此外，系数C、a与b是根据磁性材料的参数,例如：导磁率而决定。
下列表1-4纪录具有不同的导磁率的不同的软质磁性金属材料被用来形成退火T形磁芯2的系数C、a与b。
表1
表2
表3
表4
从上述来看，根据本发明的实施例，退火T形磁芯2的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：0.64*f0.95*Bm 2.20≤PCL≤7.26*f1.41*Bm 1.08。
于本发明的实施例中，退火T形磁芯2的导磁率μC介于平均导磁率μCC的±20%偏差之间，且平均导磁率μCC等于或大于60。举例而言，退火T形磁芯2是退火T形结构，且此退火T形结构由软质磁性金属材料制成，例如，以铁硅合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与90之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与108（90*120%）之间），以铁硅铝合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与125之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与150（125*120%）之间），以铁镍合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与160之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与192（160*120%）之间），或以铁镍钼合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与200之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与240（200*120%）之间），且退火T形磁芯2的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：
0.64*f1.15*Bm 2.20≤PCL≤4.79*f1.41*Bm 1.08。
于本发明的实施例中，退火T形磁芯2是退火T形结构，且此退火T形结构由软质磁性金属材料制成，例如，以铁硅铝合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与125之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与150（125*120%）之间），以铁镍合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与160之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与192（160*120%）之间），或以铁镍钼合金粉末制成的退火T形磁芯2的平均导磁率μCC介于60与200之间（也就是，导磁率μC介于48（60*80%）与240（200*120%）之间），且退火T形磁芯2的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：0.64*f1.31*Bm 2.20≤PCL≤2.0*f1.41*Bm 1.08。
此外，μCC*Hsat的值是扼流器的电流耐受度的主要瓶颈，其中Hsat(Oe)是磁场于80%的μC0时的强度，μC0是T形磁芯2于所述磁场的强度是0时的导磁率。下列表5纪录具有不同的导磁率的不同的退火软质磁性金属材料被用来形成退火T形磁芯2的μCC*Hsat的值。
表5
从上述来看，根据本发明的实施例，下列不等式被满足：μCC*Hsat≥2250。
于本发明的实施例中，两电极5、6位于底座21的底部，如图3A所示。于本发明的另一实施例中，两电极5、6内嵌于底座21中，如图3B、图3C与图3D所示。如图3B所示，各电极5、6的底表面实质上与底座21的第二表面（底表面）共平面，且各电极5、6的侧表面实质上与底座21的二相对侧表面的其中一面共平面。当退火T形磁芯2的尺寸固定时，内嵌电极可使退火T形磁芯2包覆更多的磁性材料，从而增进退火T形磁芯2的导磁率。
于本发明的另一实施例中，如图2A与图3D所示，底座21具有二凹槽211、212，其分别位于底座21的二侧边上，且此二凹槽211、212分别用以容置线圈3的二引脚31、32。于图2A至图2C所示的实施例中，二引脚31、32通过二凹槽211、212穿过底座21且底座21上无电极。如图3D所示的实施例中，二引脚31、32分别通过二凹槽211、212接触二电极5、6。于本发明的另一实施例中，如图2D所示，底座21不具有用以容置二引脚31、32的凹槽，取而代之地，二引脚31、32在扼流器1的侧边延伸穿过磁性体4而无穿过底座21。于本发明的又一实施例中，如图2E与图2F所示，底座21的同一侧边上具有二凹槽，用以容置二引脚31、32。于本发明的再一实施例中，如图2G所示，底座21不具有用以容置二引脚31、32的凹槽，取而代之地，二引脚31、32完全位于底座21上方且与底座21的顶表面上的二电极5、6接触。图2G中所绘示的实施例中的二电极5、6自底座21的底表面往底座21的顶表面延伸。于图2A至图2G所示的实施例中，磁性体4完全覆盖柱体22以及位于底座21的第二表面（底表面）上方的底座21的任何部位。
于本发明的实施例中，底座21是方形（包括正方形）底座，其具有四直角（right-angled corner）或四弧角（curved corner），如图5A与图5B所示，且自方形底座21的四端中的每一端至柱体22的最短距离（如图4A与图4B所示的a、b、c、d）皆实质上相等（也就是，a=b=c=d）。因此，T形磁芯2的磁性电路是均匀的且T形磁芯2的磁芯损耗可被有效降低。需说明的是，图4A与图4B仅绘示具有四直角的方形底座21的实施例，然而，上述技术特征（自方形底座21的四端中的每一端至柱体22的最短距离（如图4A与图4B所示的a、b、c、d）皆实质上相等（也就是，a=b=c=d））也适用于图5B所示的具有四弧角的方形底座21的实施例。
于本发明的实施例中，磁性体4可由热固性材料（例如，树脂）与选自下列群组的材料的热压混合物制成：铁基非结晶粉末（iron-based amorphouspowder）、铁硅铝合金粉末（Fe-Si-Al alloy powder）、透磁合金粉末（permalloypowder）、铁硅合金粉末（ferro-Si alloy powder）、奈米结晶合金粉末（nanocrystalline alloy powder）以及至少二上述材料的组合。此混合物是以热压方式置入具有T形磁芯2与线圈3的热固性模具中。藉此，此热压混合物（也就是，磁性体4）会完全覆盖柱体22、位于底座21的第二表面（底表面）上方的底座21的任何部位以及位于底座21的第一表面（顶表面）上方的线圈3的任何部位，如图2C与第2E至2G图所示。于图2D所示的实施例中，此热压混合物（也就是，磁性体4）完全覆盖柱体22、位于底座21的第二表面（底表面）上方的底座21的任何部位以及位于底座21的第一表面（顶表面）正上方的线圈3的任何部位，但是没有覆盖非位于底座21的第一表面（顶表面）正上方的线圈3的部位（例如，二引脚非位于底座21的第一表面（顶表面）正上方）。
于本发明的实施例中，磁性体的导磁率μB介于磁性体4的平均导磁率μBC的±20%偏差之间，平均导磁率μBC等于或大于6，且磁性体4的磁芯损耗PBL(mW/cm3)满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤14.03*f1.29*Bm 1.08。
于本发明的另一实施例中，磁性体4的导磁率μB满足下列不等式：9.85≤μB≤64.74，且磁性体的磁芯损耗PBL(mW/cm3)满足下列不等式：
2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤11.23*f1.29*Bm 1.08。
于本发明的另一实施例中，磁性体4的导磁率μB满足下列不等式：20≤μB≤40，且磁性体的磁芯损耗PBL(mW/cm3)满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤3.74*f1.29*Bm 1.08。
此外，于本发明的实施例中，下列不等式也被满足：μBC*Hsat≥2250，Hsat(Oe)是磁场于80%的μB0时的强度，μB0是磁性体4于所述磁场的强度是0时的导磁率。
再者，T形磁芯2的尺寸也会影响扼流器的磁芯损耗。表6纪录具有不同尺寸的T形磁芯的扼流器的总磁芯损耗，其中C是柱体22的直径，D是柱体22的高度，E是底座21的厚度，且表6中的T形磁芯具有相同的高度B（6mm）以及相同的宽度A（14.1mm），如图5A所示。此外，V1是底座21的体积，V2是柱体22的体积，Vc是T形磁芯2的体积（也就是，V1+V2），且V是热固性模具/扼流器1的体积。如图5A与图5B所示，T形磁芯2的底座是具有四直角或四弧角的方形底座。
于表6的实施例中，T形磁芯2由导磁率约是60（Sendust60）的退火铁硅铝合金粉末制成，且磁性体4由树脂与铁基非结晶粉末的热压混合物制成且其导磁率约是27.5。此外，热固性模具的体积（也就是，扼流器1的体积）V是14.5*14.5*7.0=1471.75mm3。
表6
如表6所示，当底座21的体积V1与柱体22的体积V2的比例（V1/V2）等于或小于2.533时，扼流器1的总磁芯损耗是695.02mW或更小（也就是，V1/V2≤2.533，则总磁芯损耗≤695.02mW）。优选地，当底座21的体积V1与柱体22的体积V2的比例（V1/V2）等于或小于2.093时，扼流器1的总磁芯损耗是483.24mW或更小（也就是，V1/V2≤2.093，则总磁芯损耗≤483.24mW）。如表6所示，当扼流器的体积确定后，比例V1/V2越小，则扼流器的总磁芯损耗越小。
此外，如表6的编号5的实施例所示，扼流器的等效导磁率介于40.73的±30%偏差之间。换句话说，扼流器的等效导磁率介于28.511与52.949之间。特别地，扼流器的等效导磁率可由振动样品磁化仪（vibrating samplemagnetometer,VSM）量测得到（但不以此为限），或通过量测扼流器的尺寸、线圈的长度与直径、线圈的缠绕方式以及扼流器的电感来决定（但不以此为限），再将上述量测结果代入仿真软件，例如ANSYS Maxwell、MagneticsDesigner、MAGNET等。
图6是根据表6的编号5的实施例的退火T形磁芯2的导磁率μC与磁性体4的导磁率μB间的关系。此关系根据表6的编号5的实施例的扼流器1的目标电感的±30%偏差以及退火T形磁芯2的不同的中央导磁率μCC的±20%偏差而得到（如表7至11所示）。
表7
表8
表9
表10
表11
因此，只要退火T形磁芯2的导磁率μC以及磁性体4的导磁率μB落在图6所示的范围中的任意点，就可以使扼流器的目标电感介于±30%偏差之间。举例而言，当退火T形磁芯2的导磁率μC是48时，磁性体4的导磁率μB可介于16.52与64.74之间；当退火T形磁芯2的导磁率μC是60时，磁性体4的导磁率μB可介于14.50与47.98之间；当退火T形磁芯2的导磁率μC是240时，磁性体4的导磁率μB可介于9.85与23.31之间（如下列表12所示）。如图6与表12所示，导磁率μC越高，则导磁率μB的范围越小，且导磁率μB的上限与下限越低。
表12
图7是介于表6的编号5的实施例的扼流器1与具有环形磁芯的现有扼流器的效能比较。特别地，表6的编号5的实施例的扼流器1具有由退火铁硅铝合金粉末制成且导磁率是60的退火T形磁芯2以及由铁基非结晶粉末制成且导磁率是27.5的磁性体4，此扼流器的体积是14.5*14.5*7mm3。另一方面，现有扼流器的环形磁芯由铁硅铝合金粉末（Sendust）制成且导磁率是60，此现有扼流器的体积是17*17*12mm3（最大）。表13纪录表6的编号5的实施例的扼流器1以及具有环形磁芯的现有扼流器的效能。
表13
如图7与表13所示，具有退火T形磁芯2的扼流器1的效能（于重载时具有高饱和电流与低功率损耗）远比具有环形磁芯的现有扼流器来得好。因此，具有退火T形磁芯的扼流器可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。
因此，根据上述技术方案，本发明的磁性装置至少具有下列优点及有益效果：本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置的效能（于重载时具有高饱和电流与低功率损耗）远比具有环形磁芯的现有扼流器来得好。因此，本发明的具有退火T形磁芯的磁性装置可达成在重载具有高饱和电流且在轻载具有低磁芯损耗的功效。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种磁性装置，其特征在于，所述磁性装置包括：
T形磁芯，包括底座以及柱体，所述底座具有第一表面以及第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对，所述柱体位于所述底座的所述第一表面上，所述底座的所述第二表面暴露于外在环境而作为所述磁性装置的外表面，所述T形磁芯由退火软质磁性金属材料制成，所述T形磁芯的磁芯损耗PCL(mW/cm3)满足下列不等式：0.64*f0.95*Bm 2.20≤PCL≤7.26*f1.41*Bm 1.08，其中，f(kHz)表示适用于所述T形磁芯的磁场的频率，且Bm(kGauss)表示所述磁场于所述频率的工作磁通密度；
线圈，缠绕于所述柱体，所述线圈具有二引脚；以及
磁性体，完全覆盖所述柱体、位于所述底座的所述第二表面上方的所述底座的任何部位以及位于所述底座的所述第一表面正上方的所述线圈的任何部位。
2.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述线圈的所述二引脚分别连接于所述底座上的二电极。
3.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体完全覆盖位于所述底座的所述第一表面上方的所述线圈的任何部位。
4.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述底座的体积V1与所述柱体的体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.533。
5.如权利要求4所述的磁性装置，其特征在于，所述底座的所述体积V1与所述柱体的所述体积V2满足下列不等式：V1/V2≤2.093。
6.如权利要求2所述的磁性装置，其特征在于，所述二电极内嵌于所述底座中。
7.如权利要求6所述的磁性装置，其特征在于，各所述电极的底表面实质上与所述底座的所述第二表面共平面，且各所述电极的侧表面实质上与所述底座的二相对侧表面的其中一面共平面。
8.如权利要求2所述的磁性装置，其特征在于，所述底座具有二凹槽，所述二凹槽分别位于所述底座的二侧表面上，所述二凹槽用以容置所述二引脚，使得所述二引脚通过所述二凹槽分别与所述二电极接触。
9.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述底座是具有直角或弧角的方形底座，自所述方形底座的四端中的每一端至所述柱体的最短距离皆相等。
10.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述T形磁芯的导磁率是μC，μC≥48，且所述T形磁芯的所述磁芯损耗PCL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：0.64*f1.15*Bm 2.20≤PCL≤4.79*f1.41*Bm 1.08。
11.如权利要求10所述的磁性装置，其特征在于，所述退火软质磁性金属材料选自下列群组：被压入T形结构且经退火而具有介于48与108间的导磁率的铁硅合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与150间的导磁率的铁硅铝合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与192间的导磁率的铁镍合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与240间的导磁率的铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合。
12.如权利要求10所述的磁性装置，其特征在于，所述退火软质磁性金属材料选自下列群组：被压入T形结构且经退火而具有介于48与150间的导磁率的铁硅铝合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与192间的导磁率的铁镍合金粉末，被压入所述T形结构且经退火而具有介于48与240间的导磁率的铁镍钼合金粉末，以及至少二上述材料的组合，并且所述T形磁芯的所述磁芯损耗PCL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：0.64*f1.31*Bm 2.20≤PCL≤2.0*f1.41*Bm 1.08。
13.如权利要求10所述的磁性装置，其特征在于，μC*Hsat≥2250，Hsat(Oe)是所述磁场于80%的μC0时的强度，μC0是所述T形磁芯于所述磁场的强度是0时的导磁率。
14.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性装置的等效导磁率介于28.511与52.949之间。
15.如权利要求14所述的磁性装置，其特征在于，所述T形磁芯的导磁率是μC，所述磁性体的导磁率是μB，48≤μC≤240，9.85≤μB≤64.74，μC对应μB的上限与下限间的范围，μC越高，则μB的所述范围越小，且μB的所述上限与所述下限越低。
16.如权利要求1所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体的导磁率是μB，μB≥4.8，所述磁性体的磁芯损耗PBL(mW/cm3)满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤14.03*f1.29*Bm 1.08。
17.如权利要求16所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体由树脂与选自下列群组的材料的热压混合物制成：铁基非结晶粉末、铁硅铝合金粉末、透磁合金粉末、铁硅合金粉末、奈米结晶合金粉末以及至少二上述材料的组合。
18.如权利要求16所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体的所述导磁率μB满足下列不等式：9.85≤μB≤64.74，所述磁性体的所述磁芯损耗PBL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤11.23*f1.29*Bm 1.08。
19.如权利要求16所述的磁性装置，其特征在于，所述磁性体的所述导磁率μB满足下列不等式：20≤μB≤40，所述磁性体的所述磁芯损耗PBL(mW/cm3)进一步满足下列不等式：2*f1.29*Bm 2.2≤PBL≤3.74*f1.29*Bm 1.08。
20.如权利要求16所述的磁性装置，其特征在于，μB*Hsat≥2250，Hsat(Oe)是所述磁场于80%的μB0时的强度，μB0是所述磁性体于所述磁场的强度是0时的导磁率。
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