TW201527816A - 光波導用乾薄膜與使用其之光波導之製法以及光波導 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種光波導用乾薄膜，其係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之面為粗化面。

Description

光波導用乾薄膜與使用其之光波導之製法以及光波導

本發明係關於光波導用乾薄膜與使用其之光波導之製法以及光波導。

為了對應資訊傳輸量之爆發性的增大，於電子機器/裝置之殼體內的短距離超高速傳輸媒體，受到注目的並非用以實現正確的資訊傳輸之成本增加顯著的銅配線，而是傳輸數位光信號之所謂光波導(亦稱為光配線或光傳輸路等)。

光波導，係指於所使用之光的波長時為透明，且相對上低折射率之包殼材料，圍繞著以相對上高折射率之核心材料所形成之線狀傳輸路周圍、或圍繞著平面狀傳輸路之上下的構造者。光纖係光波導的一種，但由不易使核心之構裝密度高密度化來看，欲同時實現高密度化與超高速傳輸，以對平面之曝光所致之圖型化，而使複數個線狀核心或平面狀核心形成於包殼層(cladding layer)內部而得的樹脂製光波導係成為最有優勢。具有線狀核心之光波導亦有稱為脊型光波導(ridge optical waveguide) 或通道光波導(channel optical waveguide)、具有平面狀核心之光波導亦有稱為平板光波導(slab optical waveguide)或平面光波導(planar optical waveguide)者。

作為以曝光來實現樹脂製光波導的手段，係有於室溫將液狀的樹脂以旋轉塗佈或模具塗佈等塗佈於基材上並硬化的方法，因為於實驗室等級可最簡易地實行，故有許多考案，但工業上實用化的情況時，於工件的大小限制或減低厚度偏差方面尚有大的課題。因而，所謂乾薄膜型之光配線材料於工業製造上最為適宜，正進行各種開發。

乾薄膜型之光波導用材料，係指於載體基材(亦稱為載體薄膜或基底膜、支撐體薄膜等)之上至少配置於室溫為固體之未硬化的光波導用樹脂者，且係於某種平面狀物體上疊層乾薄膜之光波導用樹脂面後，施以硬化或圖型化等之某種加工者。

一般而言，以保護光波導用樹脂為目的，多有於未鄰接載體基材之側的光波導用樹脂之面，配置保護薄膜(亦稱為覆蓋膜或隔離膜、遮蔽膜(masking film)等)的情況，於某種平面狀物體疊層光波導用樹脂面時，必須將保護薄膜剝離去除，因此一般而言係施以可容易地剝離的處置，而並非採取於保護薄膜與光波導用樹脂之間提高接著力的處置。又此情況時，於保護薄膜剝離時，一定必須於光波導用樹脂與保護薄膜之界面剝離，因此該界 面之密合力，必須低於載體基材與光波導用樹脂界面之密合力。

至今為止以樹脂材料製造光波導之技術亦有數宗報導(參照專利文獻1~4)，又，關於乾薄膜之技術，亦有關於阻焊劑、包覆層(cover lay)或蝕刻阻劑用之乾薄膜的報導(專利文獻5)。

但是，專利文獻1中，就光波導之形成方法而言，揭示了使用由基底膜、與形成於基底膜上之樹脂層所構成，依需要於基底膜之相反側疊層聚乙烯或聚丙烯等之覆蓋膜作為保護薄膜，且樹脂層係夾於基底膜與覆蓋膜之間的構造之乾薄膜的方法。關於覆蓋膜，僅有揭示材質，關於其粗度等並無任何記載。

專利文獻2中，揭示光波導之製造方法，其係將形成於基材上之包殼層形成用樹脂予以硬化而形成下部包殼，於該下部包殼層上層合核心層形成用樹脂薄膜而形成核心層，將核心層曝光顯影而形成核心圖型，將形成為埋入該核心圖型的包殼層形成用樹脂予以硬化而形成上部包殼層之方法。又，其揭示核心形成用樹脂雖規定為薄膜狀，但包殼形成用樹脂亦可為薄膜狀，核心用與包殼用之樹脂薄膜，均於最終不使用於光波導之基材的支撐體薄膜上形成樹脂層的情況時，換言之，必須將支撐體薄膜自樹脂層剝離去除時，較佳為不對支撐體薄膜進行用以提高支撐體薄膜與樹脂層之接著力的電暈處理、噴砂處理等之遮光加工或易接著樹脂塗覆等之接著處理。

專利文獻3中，作為光電複合基板之製造法，揭示了得到附有下部包殼層之電氣配線基板，於下部包殼層上依序形成核心圖型及上部包殼層，而構築光波導的方法。又，記載了包殼層形成用樹脂及核心層形成用樹脂，均較佳為使用薄膜狀者，兩者均為於支撐樹脂薄膜之支撐體即基材薄膜上形成有樹脂層者，該基材薄膜適合使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或聚丙烯、聚乙烯等，且其後為了容易剝離樹脂層，亦可施以脫模處理、抗靜電處理等。進一步地，揭示了於核心用與包殼用之樹脂薄膜，均考慮到薄膜的保護或製造為滾筒狀時的捲繞性等，亦可貼合保護薄膜，作為保護薄膜，可使用與上述基材薄膜的例子相同者，亦可依需要施以脫模處理、抗靜電處理等。

專利文獻4中，作為可撓光波導之製造方法，揭示了形成第1包殼層，於其上之至少一方的端部層合核心層形成用樹脂薄膜而形成第1核心層，於該第1核心層上及該第1包殼層上之整面，層合核心層形成用樹脂薄膜而形成第2核心層，將該第1核心層及該第2核心層予以圖型化，形成光波導之核心圖型，於該核心圖型及該第1包殼層上形成第2包殼層，以埋入核心圖型的方法。又，為了提高與包殼層形成用樹脂之接著性等，包殼層形成用樹脂薄膜之基材，可例如進行氧化法或凹凸化法等之物理或化學表面處理，作為氧化法係舉例如電暈處理、鉻氧化處理、火炎處理、熱風處理、臭氧‧紫外線處理法等，作為凹凸化法係舉例如噴砂法、溶劑處理法等之所謂 接著處理。該包殼層形成用樹脂薄膜之基材薄膜，最終係位於可撓光波導之最表面而被使用，因此為了得到與包殼樹脂之密合性，較佳為預先施以上述表面處理。另一方面，亦揭示為了進行可撓光波導之薄型化，由至少單面剝離去除基材薄膜、或為了減低可撓光波導之翹曲，由兩面剝離基材薄膜的例子，但因為如前述般以基材薄膜與包殼用樹脂之密合性高為佳的前提，故揭示了以容易剝離基材薄膜為目的，在高溫高濕條件下加濕處理，降低基材薄膜與包殼用樹脂之間的密合力來剝離的方法。進一步地，揭示了包殼層形成用樹脂薄膜、及核心層形成用樹脂薄膜中，以提高樹脂薄膜之保護或製造時的捲繞性為目的，於樹脂薄膜之與基材薄膜相反側的面層合保護薄膜(隔離膜或遮蔽膜)的構造，且揭示保護薄膜，為了使與包殼形成用樹脂及核心形成用樹脂的剝離變得容易，較佳為未進行前述接著處理。又，揭示了層合核心用形成用樹脂薄膜時，由密合性及追隨性的觀點而言，較佳為於減壓下加熱加壓之所謂真空疊層法，且揭示由防止於第1包殼層與核心層之間混入氣泡的觀點而言，較佳為使用滾筒疊層機來層合。

專利文獻5中，揭示感光性薄膜，其係用以層合於印刷配線板之感光性薄膜，其特徵為，於截止值0.08~8mm、評估長度0.4mm~40mm之測定範圍時，保護薄膜之表面粗度以算術平均粗度(Ra)計為0.5μm以上，感光性組成物層，當於溫度30℃層厚為2mm之感光性組 成物層施加0.25kg/mm²之靜荷重時，施加荷重之後10秒後至600秒後的時間經過時的膜厚變化量具有50~800μm範圍之流動性，保護薄膜對感光性組成物層賦予表面粗度，表面粗度在層合於印刷配線板前被保持，因層合時之加壓而消失。此係記載於專利文獻5之段落0002，然其係關於所謂阻焊劑或可撓印刷配線板之包覆層、或印刷配線板之銅電路形成時所用之蝕刻阻劑者，為了無氣泡地以樹脂埋入導體圖型，必須使樹脂高流動化，但因此樹脂之黏著性會增強，因此該技術係有無法充分進行凸部導體等的被覆，無法發揮作為保護膜的角色，或於銅包覆層合板之表面的傷痕內部會殘留氣泡的問題尚待解決。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2003-195081公報

[專利文獻2]國際公開2009/116421公報

[專利文獻3]日本特開2009-258612公報

[專利文獻4]日本特開2010-175741公報

[專利文獻5]日本特開2000-147755公報

本發明之其一方面，係一種光波導用乾薄膜，其係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光 波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之面為粗化面。

依照本發明，可製造使殘存的微小氣泡極少化之光波導，因此可認為可實現光波導中之導波損失降低、製造良率或信賴性提高。又，能夠使用相同裝置來實施形成包殼層與核心層的步驟，可實現光波導製造成本的降低。

10‧‧‧下包殼層形成用乾薄膜

11、31、41‧‧‧載體基材

12‧‧‧光波導(下包殼)用樹脂層

13、33、43‧‧‧保護薄膜

14‧‧‧下包殼

20‧‧‧平面狀物體

21‧‧‧形成有下包殼的平面狀物體

22‧‧‧形成有下包殼與核心的平面狀物體

30‧‧‧光波導(核心)用乾薄膜

32‧‧‧光波導(核心)用樹脂層

34‧‧‧核心

40‧‧‧光波導(上包殼)用乾薄膜

42‧‧‧光波導(上包殼)用樹脂層

44‧‧‧上包殼

[圖1]圖1係本發明之其一實施形態之光波導用乾薄膜，顯示下包殼用之乾薄膜構成的截面示意圖。

[圖2]圖2係使用了本發明之其一實施形態之光波導用乾薄膜的光波導之製造方法中，顯示剝離了下包殼用乾薄膜之保護薄膜後的狀態之截面示意圖。

[圖3]圖3係於本實施形態之製造方法中，顯示在不降低剝離了光波導之下包殼乾薄膜之保護薄膜後的光波導用樹脂層表面之粗度下，使樹脂層表面與平面狀物體接近之狀態的截面示意圖。

[圖4]圖4係於本實施形態之製造方法中，顯示於減壓下且加熱加壓下將光波導用樹脂層與平面狀物體貼合後之狀態的截面示意圖。

[圖5]圖5係於本實施形態之製造方法中，顯示使光波導用樹脂層硬化後，去除載體基材後之狀態的截面示意 圖。

[圖6]圖6係本發明之其他實施形態之光波導用乾薄膜，顯示核心用之乾薄膜的構成之截面示意圖。

[圖7]圖7係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示剝離了核心用乾薄膜之保護薄膜後的狀態之截面示意圖。

[圖8]圖8係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示在不降低剝離了光波導用之核心用乾薄膜之保護薄膜後的光波導用樹脂層表面之粗度下，使樹脂表面與形成於平面狀物體上的下包殼層接近之狀態的截面示意圖。

[圖9]圖9係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示於減壓下且加熱加壓下將光波導之核心用樹脂層與下包殼層貼合後之狀態的截面示意圖。

[圖10]圖10係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示經包含將光波導用樹脂層(核心用)予以部分硬化之步驟、將載體基材剝離之步驟、與將未硬化部分去除之顯影步驟的製法所得到之於平面狀物體上形成有下包殼層與核心層的狀態之截面示意圖。

[圖11]圖11係本發明之又一其他實施形態之光波導用乾薄膜，顯示上包殼用之乾薄膜的構成之截面示意圖。

[圖12]圖12係於本發明之又一其他實施形態之製造方法中，顯示剝離了上包殼用乾薄膜之保護薄膜後的狀態之截面示意圖。

[圖13]圖13係於本發明之其他實施形態之製造方法 中，顯示在不降低剝離了光波導之上包殼用乾薄膜之保護薄膜後的光波導用樹脂層表面之粗度下，使樹脂層表面與形成於平面狀物體上的核心層及下包殼層接近的狀態之截面示意圖。

[圖14]圖14係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示使光波導之上包殼用樹脂層與核心層及下包殼層接觸的狀態之截面示意圖。

[圖15]圖15係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示於減壓下且加熱加壓下，將光波導之上包殼用樹脂層、與核心層及下包殼層貼合後的狀態之截面示意圖。

[圖16]圖16係於本發明之其他實施形態之製造方法中，顯示於平面狀物體上形成有下包殼層、核心層與上包殼層的狀態之截面示意圖。

使用所謂乾薄膜狀之包殼用及核心用的光波導用樹脂薄膜時，有必要將與載體基材相反側之光波導用樹脂表面，配置於平面狀物體上而進行疊層，一般而言係採用真空疊層，但即使採用真空疊層，亦有於疊層後會殘存微細的氣泡(可由目視或光學顯微鏡輕易發現，由俯瞰光波導的正上方觀察時的直徑5μm至100μm左右的氣泡)之問題點。乾薄膜狀之光波導用樹脂，為了於操作時於光波導用樹脂無裂痕或樹脂脫離/粉的產生等、或於配置於平面狀物體時，不會有容易滑動而改變配置位置的情 形，較適合為於將乾薄膜狀之光波導用樹脂至少配置於平面狀物體時的溫度下，光波導用樹脂本身具有適度的柔軟性，且於其表面具有適度的黏著性者。此外，於平面狀物體配置乾薄膜狀之光波導用樹脂表面時，平面狀物體與樹脂表面會成為部分接著狀態，常有產生包圍空氣層之接著區域，該區域於真空疊層後最終亦成為殘存氣泡的情形。

若殘存有微細氣泡，當其存在於光波導核心內部時，會有通過核心之光於氣體的氣泡與核心樹脂之界面被反射或散射，使光波導之損失顯著地惡化的問題。又，在核心附近，大約於自核心起5μm以內之包殼存在有氣泡時，會有由核心滲出並傳播之光的一部分，於具有低於包殼之折射率的氣泡(包殼之折射率一般而言係1.46~1.6左右，空氣之折射率係1.0)之部分被散射，結果光波導之損失顯著地惡化的問題。又，於遠離核心的位置之包殼內存在有氣泡時，會有該部分使光波導或包含光波導之電氣基板，所謂光/電複合基板之信賴性降低的問題。因為，於吸濕之信賴性試驗中，水分會累積於氣泡部分，於其後之回焊(reflow)試驗等加熱條件下會成為產生破壞的原因、或於溫度循環試驗中施加熱應力時於氣泡部分產生應力集中，仍會成為破壞的起點，或於光/電複合基板中氣泡與通孔(Via Hole)或貫通孔(Through Hole)重疊，換言之通孔等貫通於氣泡的一部分時、或接近至100μm以下時，成為該通孔等之連接信賴性降低之原因之故。

又，作為乾薄膜一般所使用之阻焊劑、包覆層或蝕刻阻劑的情況時，用以展現其功能之樹脂層係一層已足夠，因此於印刷配線板之表面，乾薄膜之樹脂層係僅形成單層。另一方面，光波導用之乾薄膜材料，必須於平面狀物體之上形成下包殼，於其上形成核心，再於其上形成包殼，因此乾薄膜材料之樹脂層必定層疊有複層(多段或多層)。進一步地，將核心形成為多層時，乾薄膜材料之樹脂層會變得更加地多層。又，如已敘述的，於下包殼、核心、上包殼混入有氣泡時，會引起作為光波導之性能降低、或光電複合基板之信賴性降低。混入於下包殼/核心/上包殼之各層的氣泡之程度，即使與於阻焊劑、包覆層或蝕刻阻劑形成於印刷配線板的狀態所容許等級的氣泡混入程度相同，層疊多層(至少3層)之光波導的不良(不良情況)之發生機率，係成為下包殼/核心/上包殼各層之不良發生機率的累積。因此，光波導用乾薄膜材料中，於下包殼、核心、上包殼之各層中，必須使氣泡的混入較一般的阻焊劑、包覆層或蝕刻阻劑更為極度地少。

結果，該氣泡不僅會使以疊層法製造之光波導的製造良率降低，為了不殘存氣泡，必須有複雜的製造步驟或技術訣竅(know-how)，會提高該光波導製造成本，因此於該光波導的工業化上，期望有用以使微細氣泡於該光波導之殘存極少化的乾薄膜材料之對策。

本發明係有鑑於上述問題點，其目的為提供可使殘存於光波導之微細氣泡極少化的光波導用乾薄膜與 使用其之光波導之製法及光波導。

本發明者等人重複努力探討的結果，發現於光波導用乾薄膜中，使用保護薄膜，該保護薄膜之接觸於光波導用樹脂之面為粗化面，且藉由使剝離保護薄膜後的乾薄膜之光波導用樹脂表面成為反映了該保護薄膜之剝離面的粗化面，可解決上述課題。而本發明者等，藉由基於該見解而進一步重複探討，而完成了本發明。

以下，具體說明本發明之實施形態，但本發明不受此等限定。

[第1實施形態]

本發明之第1實施形態之光波導用乾薄膜，係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之面為粗化面。

藉由如此構成，使用本實施形態之乾薄膜所製造之光波導中，可使殘存於其內部之微細的氣泡(可由目視或光學顯微鏡輕易發現，由俯瞰光波導的正上方觀察時的直徑5μm至100μm左右的氣泡)極少化，可減低光波導之導波損失及其偏差，而且亦可提高光波導之信賴性及光/電複合基板之電氣配線的信賴性。本實施形態之乾薄膜的構成例(下包殼層形成用乾薄膜10)係如圖1之截面示意圖所示。如圖1所示，本實施形態之乾薄膜(下 包殼層形成用乾薄膜10)，係具有載體基材11、光波導(下包殼)用樹脂層12與保護薄膜13，且前述保護薄膜13之與光波導(下包殼)用樹脂層12接觸的面為粗化面。以下，詳述本實施形態之乾薄膜的各構成要素。

再者，圖中之各符號各表示：10光波導(下包殼)用乾薄膜、11、31、41載體基材、12光波導(下包殼)用樹脂層、13、33、43保護薄膜、14下包殼、20平面狀物體、21形成有下包殼的平面狀物體、22形成有下包殼與核心的平面狀物體、30光波導(核心)用乾薄膜、32光波導(核心)用樹脂層、34核心、40光波導(上包殼)用乾薄膜、42光波導(上包殼)用樹脂層、44上包殼。

〔載體基材(A)〕

載體基材(A)係於其上形成光波導用之樹脂層，且之後為轉印光波導用樹脂層於平面狀物體時的載體，較佳係使用薄膜狀或薄片狀且具有柔軟性之載體。載體基材之材質，並無特殊限定，可舉例熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂之硬化物(樹脂薄膜)、金屬、無機物(玻璃)等。

熱可塑性樹脂，可舉例有PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PP(聚丙烯)、PE(聚乙烯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、PI(聚醯亞胺)、COF(環烯烴聚合物)、PA(聚醯胺)、PAI(聚醯胺醯亞胺)、LCP(液晶聚合物)等。此等亦可為於薄膜製造步驟中被施以延伸 加工者。

熱硬化性樹脂硬化物，可舉例有熱硬化性樹脂與無機填料(玻璃布、玻璃不織布、玻璃粉)經複合化之複合材料、適當選擇熱硬化性樹脂之分子構造所得，或適當選擇可提高硬化物之柔軟性的添加物所得之具有柔軟性的熱硬化性樹脂硬化物等。

金屬可舉例有銅或鋁等之單層或複層構造的金屬箔、及於前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂上形成有金屬薄層的複合體等。

此等可依光波導之製造步驟或最終產品的用途來適當選擇。載體之材質為金屬時，亦可使用於20~100μm厚之金屬箔(亦稱為載體箔)上，隔著剝離層層合有1~30μm厚度之金屬箔的所謂可剝離金屬箔，作為載體基材。

較佳為，載體基材(A)為樹脂薄膜時，係有載體基材(A)本身具有的柔軟性、可廣泛控制表面狀態之特性、及成本上的優點。又，載體基材(A)為金屬箔時，特別係藉由使用能夠以熱來硬化，且形成有埋入光波導之核心的包殼(亦稱為上包殼或第二包殼)的乾薄膜，作為光波導用樹脂層(B)，能夠對光波導形成後殘留的載體基材(A)即金屬箔，依需要以蝕刻等方法形成金屬的配線電路，因此非常適合於製造光電複合配線板。

本實施形態之乾薄膜，當採用疊層於後述之平面狀物體後，通過載體基材照射活性能量線而使光波導 用樹脂層(B)硬化的工法時，載體基材較佳為使用透明性高者。此時，於所照射之活性能量線之波長時，載體基材的透過率可為85%以上、更佳為90%以上。

又，進一步地，採用藉由遮罩曝光或雷射掃掠(laser sweeping)等方法，通過載體基材而部分照射活性能量線，使光波導用樹脂層(B)部分地硬化的工法(進行所謂圖型化時的曝光步驟)時，為了抑制硬化物圖型、亦即藉由其後之去除未曝光部分之顯影步驟而出現的圖型之邊緣的粗糙(圖型側面不平滑而具有凹凸的狀態)，載體基材較佳為無表面傷痕，且表面粗度極小者、內部所含之折射率相異的粒子狀物質(氣泡或者有機物或無機物之微粒子)之尺寸僅可能小，且其含量少者。此時，載體基材之表面粗度(定義如後述)，較佳為算術平均粗度(SRa)為0.1μm以下且十點平均粗度(SRz)為2μm以下、更佳為算術平均粗度(SRa)為0.06μm以下且十點平均粗度(SRz)為1μm以下。前述粒子狀物質之平均粒徑較佳為1μm以下、更佳為0.5μm以下、最佳為0.1μm以下。

再者，本說明書中，為了亦能夠表示後述之光波導用樹脂層(B)的表面粗度，表面粗度(表面粗度)之數值，係藉由使用了掃描型共軛焦雷射顯微鏡的粗度解析而得到的值，而非探針式。於探針式之表面粗度測定中測量微細的粗度時，一般而言係於尖端為半徑2μm之探針施加0.75mN(約0.0765gf)的荷重來測定。與被 測定物之接觸面積為半徑2μm時，係對被測定物施加每1平方cm相當約600kgf的荷重，接觸面積為半徑1μm時係施加每1平方cm相當約2400kgf的荷重，於柔軟的樹脂中，該力會造成變形產生，無法正確測定表面粗度。因此必須以非接觸方式來測定表面粗度，本實施形態中可使用掃描型共軛焦雷射顯微鏡，以如下條件測定。

使用裝置：奧林巴斯公司製 掃描型共軛焦雷射顯微鏡LEXT OLS3000

物鏡倍率：100倍

粗度解析模式：面粗度

參數組：JIS 1994

截止λc：無指定

最小高度識別：截面曲線：Pz之10%、粗度曲線：Rz之10%、波紋度曲線：Wz之10%

最小長度之識別：基準長度(影像視野)之1%

由該結果所得之SRa為算術平均粗度、SRz為十點平均粗度，以下，本說明書中，亦有表述為SRa、SRz者。

又，本說明書中，活性能量線係表示具有可見光區域以下之波長的電磁波，具體而言，係表示700nm至400nm之可見光、400nm至約2nm之紫外線、較其更短波長之X射線。一般而言，亦有將發出波長9.4μm與10.6μm之雷射光的二氧化碳氣體雷射等之紅外線雷射稱為活性能量線的情形，但本說明書中結果將活性能量線定 義為表示波長700nm以下之電磁波，不包含紅外雷射。如此規定定義之理由，係因光的波長較可見光更長時，以其電磁波無法使將樹脂硬化之光硬化型硬化起始劑實質上予以活化之故。

本實施形態中，載體基材之厚度，只要係具有自乾薄膜之製造起至使用之各步驟中所必要的各特性或柔軟性之範圍，則無特殊限制。一般而言較佳為9μm~200μm。比9μm薄時，會有皺紋極易進入載體基材的缺點、或強度降低容易破裂的缺點、或於其上形成光波導用樹脂層時的加工步驟中，因所施加的張力而使延展增大等之操作性惡化，故不佳。相反地，比200μm厚時，會有成本或產品重量增加的缺點，此外亦會產生通過載體基材以活性能量線硬化光波導用樹脂時，活性能量線被載體基材吸收或散射等之缺點、載體基材之剛性變得過高，於光波導用乾薄膜之製造步驟或使用步驟中操作性惡化的缺點等，故不佳。載體基材由單層材料構成時，更佳之載體基材的厚度，係15μm~100μm、特佳為30~75μm。

載體基材之表面狀態，於載體基材於最終產品中殘存於光波導上的情況時、與載體基材在光波導製造過程中被去除而於最終產品中不殘存於光波導上的情況時，亦可為相異的性狀。

亦即，載體基材於最終產品中殘存於光波導上的情況時，構成接合有載體基材之光波導的樹脂層與載體基材之接著力必須為高，因此該載體基材表面，較佳為 進行電漿處理或電暈處理等之於表面生成官能基之處理；或以噴砂處理、化學蝕刻處理、將以烯烴系聚合物混合存在有不同結晶相者予以延伸之處理等方法來形成表面凹凸之處理；或將對光波導用樹脂硬化物與載體基材雙方之接著力高的物質予以塗佈在載體基材表面之處理(亦稱為易接著處理或底塗處理)等，來施以接著化處理。惟，例如使用載體基材作為光波導之單方之包殼時，必須為載體基材之表面為平滑，且於傳播於光波導核心之光的波長時具有高透明性，且折射率較核心更低者。此時，為了提高與核心用樹脂或上包殼用樹脂之密合性，較佳為進行將其表面電漿處理、或薄層塗覆接著力高之樹脂或偶合劑等之所謂底塗處理。

另一方面，載體基材在光波導製造過程中被去除而於最終產品中不殘存於光波導上的情況時，為了使與光波導用樹脂之未硬化物或硬化物的剝離變得容易，載體基材較佳為表面平滑性高者以可使所謂的錨定效應極少化，較佳為SRa為0.1μm以下且SRz為2μm以下者、更佳為SRa為0.06μm以下且SRz為1μm以下。又，於載體基材表面，亦可依需要施以氟系樹脂或聚矽氧系樹脂、各種有機矽烷化合物等之塗覆或吸附等所謂脫模處理。

作為如此之載體基材之市售品，可舉例東洋紡股份有限公司製之PET薄膜的型號A4100等。此係於單面進行易接著處理，於另一面未進行表面處理的薄膜，表面粗度之實測值，未表面處理之面的SRa為0.03μm、 SRz為0.7μm。又，作為其他之市售品，亦可舉例東麗股份有限公司製之PET薄膜的型號T60等。該薄膜中，表面粗度小的面之實測值，係SRa為0.04μm、SRz為1.9μm。

再者，與載體基材之表面狀態無關地，如已敘述過的，於將保護薄膜由光波導用樹脂層剝離時，一定必須於光波導用樹脂與保護薄膜之界面剝離，因此載體基材與光波導用樹脂界面之密合力，必須較保護薄膜與光波導用樹脂界面的密合力更高。

〔能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)〕

能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)，係作為構成光波導(包殼、核心)之構件者，因此只要係以於通過光波導內而輸送信號的光之波長(以下亦有略稱為導波光波長者)時，經活性能量線或熱而硬化之硬化物具有高的透明性，且可實現乾薄膜之形態的樹脂來形成即可，不管何種材料均可使用。

因為係用以最終形成光波導的樹脂層，因此光波導核心用之樹脂組成物與光波導包殼用之樹脂組成物均必須具有高透明性，將該樹脂組成物硬化為厚度2~3mm之板狀的物體，當以分光光度計來測定表面為平滑且不含氣泡等缺陷之部分在厚度方向之透過損耗時，較佳為具有當導波光波長為840~860nm時為0.1dB/cm以 下、或當光波導光波長為990~1010nm時為0.3dB/cm以下、或當導波光波長為1300~1330nm時為0.5dB/cm以下之透明性的樹脂組成物。若為此等之值以上時，因光波導的損失變大，為了使用以由光波導傳輸資訊之雷射光源的輸出提高，會消費大量的電力的理由、或因能夠由光波導傳輸資訊的距離會縮短的理由，故而不佳。

又，關於樹脂組成物之硬化物的折射率而言，前述核心用樹脂組成物，相較於前述包殼用樹脂組成物，於導波光波長的折射率必須更高，由核心折射率之平方值減去包殼折射率之平方值後的演算結果的平方根所示之數值孔徑(Numerical Aperture；略稱為NA)較佳係設定為0.1~0.5。NA小於0.1時，因為會變得小於長距離之光傳輸一般所使用之光纖即單模(SM)光纖的NA，故會有與同光纖光耦合時會產生耦合損失、或將光波導核心於面內彎曲而配置時彎曲部的損失增大、或因核心與包殼的折射率差過小因此NA值會偏差而不穩定的問題，故不佳。相反地，NA大於0.5時，於光由光波導朝向受光元件射出的部分，光擴展的角度會增大，因此由受光元件之受光部分漏出的信號光增加，結果耦合損失變大，故不佳。

如此之光波導用樹脂層(B)之樹脂材質，可舉例有環氧硬化系之樹脂、丙烯酸硬化系之樹脂、氰酸酯硬化系之樹脂、氧雜環丁烷樹脂系、乙烯基醚樹脂系、胺基甲酸酯樹脂系、或合併使用此等而得之樹脂、或聚矽氧 硬化系之樹脂等。因為皆使用作為構成光波導之構件，因此當然硬化物之透明性必須為高。

環氧硬化系之樹脂，係指作為硬化系統而言，含有意為由2個碳原子與1個氧原子所成之3員環構造官能基的環氧基在某硬化起始劑存在下藉由活性能量線或加熱而產生開環反應，最終樹脂可三次元交聯之硬化系樹脂的組成物，亦可為其他硬化系統，例如合併使用藉由稱為氧雜環丁烷之由3個碳原子與1個氧原子所成之4員環官能基進行開環反應，而進行三次元交聯之硬化系統、或具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行三次元交聯之硬化系(均為在硬化起始劑存在下藉由活性能量線或加熱而進行反應)等的樹脂。

作為環氧硬化系樹脂之適合的例子，可舉例有日本特開2007-119585號公報、日本特開2009-104083號公報、或日本特開2009-104084號公報、日本特開2010-230944號公報記載之內容或組成物。

環氧樹脂組成物所用之環氧樹脂原料，係指具有環氧基之化合物，因為必須硬化，故組成物中係含有於1分子中具有2個以上環氧基的化合物。環氧樹脂原料之分子量或環氧當量係各種各樣，存在有自如1,2,8,9-二環氧基檸檬烯(由Daicel股份有限公司作為Celloxide 3000所販賣的2官能脂肪族環氧樹脂)之分子量168、環氧當量未達93.5者，至如亦稱為苯氧樹脂或苯氧聚合物之高分子量環氧樹脂(由表氯醇與雙酚合成)之分子量4 萬以上、環氧當量約7000以上者之廣泛的環氧樹脂原料。本實施形態所使用之環氧樹脂原料，可適當選擇，以使光波導用樹脂層(B)之黏著性、落粉性或脆度、熔融黏度或軟化溫度等之操作性或加工性、硬化性；及光波導用樹脂層(B)之硬化物之透明性或耐熱性、柔軟性、強韌性、折射率、雙折射率、線膨脹率、熱傳導率等特性可成為期望的水準。欲使該環氧樹脂原料硬化，必須有硬化劑及或硬化起始劑(硬化觸媒)，但不管何者，只要係可實現光波導所必須之在硬化物時的高透明性者，則可不受限定地使用。

本實施形態中，丙烯酸硬化系之樹脂，係指包含以於側鏈具有羧基之聚合物、(甲基)丙烯酸酯之單體或寡聚物與某種硬化起始劑為必須成分，藉由活性能量線或加熱產生聚合反應，最終樹脂對溶劑或鹼性液體變得不溶之硬化系樹脂的組成物者。適宜的具體例子，可列舉日本特開2009-169300號公報、日本特開2010-091733號公報、日本特開2011-117988號公報所記載之內容或組成物。

又，本實施形態中，氰酸酯硬化系之樹脂，係指於硬化起始劑(觸媒)存在下，-OCN基彼此會反應形成6員環之三嗪環、或合併使用環氧樹脂時不僅三嗪環，亦生成噁唑啉環，而進行三次元交聯之硬化系樹脂。適宜的例子，可列舉日本特開2012-159590所記載之內容或組成物。

本實施形態中，聚矽氧硬化系，係指於觸媒存在下於矽-氫與碳-碳雙鍵之間產生加成反應(矽氫化)，而進行三次元交聯之硬化系的樹脂。

關於光波導用樹脂層(B)之形成方法，並無特殊限定，較佳為如上述之於載體基材(A)上塗覆構成光波導用樹脂層(B)之樹脂組成物後加熱的方法。更具體而言，將樹脂組成物原料全部混合者若在室溫為液體時，係可舉例直接塗覆樹脂組成物，之後藉由加熱使硬化反應進行某種程度，使於室溫成為固體狀之所謂B stage狀態(膠態)的方法。又，將樹脂組成物原料全部混合者若在室溫為固體時，可舉例將於溶劑中溶解有樹脂組成物原料之溶液予以塗覆/乾燥的方法、或依需要藉由在乾燥中加熱來進行上述B stage化之方法。該塗覆係可採用模塗佈器、狹縫塗佈器、凸緣塗佈器(lip coater)、缺角輪(逗點、comma)塗佈器、凹版塗佈器等，可工業上連續形成數μm~數百μm厚之乾燥塗膜或B stage化塗膜之一般的方法。

又，關於本實施形態之光波導用樹脂層(B)之厚度，最終成為光波導核心之部分的樹脂層較佳為5~100μm左右的厚度。脊型光波導之核心，相對光信號傳播之方向為直角的截面形狀一般來說大致為正方形，光波導核心之部分的樹脂層厚度大致上相當於核心的高度，一般而言與藉由以部分曝光與其後之顯影得到期望形狀之方法(光微影或photolitho、或單稱為圖型化)所形成之光 波導核心的寬度大致相等。因此，光波導核心之部分的光波導用樹脂層(B)之厚度小於5μm時，會產生核心之截面尺寸變得過小，波導與耦合光之對象即光纖或發光元件的耦合損失增大、或以光微影形成核心圖型時難以穩定製造所期望的尺寸等的不良情況，故不佳。相反地，若厚度大於100μm時，會產生核心之截面尺寸變得過大，波導與耦合光之對象即光纖或受光元件之耦合損失增大、或光波導全體之厚度增大的問題，故不佳。

另一方面，關於光波導用樹脂層(B)之厚度，最終成為光波導包殼之部分的光波導用樹脂層(B)，較佳成為形成光波導時的核心正上方或正下方之厚度成為5μm~100μm之厚度。比5μm薄時，於核心封入導波光的效果降低，光波導損失會惡化，故不佳。相反地，比100μm厚時，於導波損失方面雖無問題，但光波導本身的厚度會增大，而不佳。

關於本實施形態之光波導用樹脂層(B)之構造，可為單層，即下包殼/核心/上包殼之各層專用的單層樹脂層、亦可為多層，即層合有包殼用樹脂與核心用樹脂的構造。

再者，下包殼係指最終核心形成1層光波導時，形成於後述平面狀物體(D)上之包殼，且係於其上形成有核心之包殼，亦稱為下部包殼、底部包殼、第1包殼或1st包殼等。又，上包殼係指將脊型光波導之核心埋入、或包覆平板光波導之核心之上的包殼，上部包殼、上 方包殼、第2包殼或2nd包殼。下包殼/上包殼並無嚴格的區別，將核心形成為多層(多段)時，係有於上述上包殼之表面形成核心的情況，如此情況時，下層核心用之上包殼，亦兼為上層核心之下包殼。

〔保護薄膜(C)〕

本實施形態之光波導用乾薄膜中，保護薄膜(C)的構成係重要特徴之一。以往，於光波導用之薄膜材料中，保護薄膜僅著眼於與光波導用樹脂層之剝離性，關於保護薄膜表面之粗化則全無探討。本發明中首次得知，藉由使用其表面適度被粗化，且剝離保護薄膜(C)後的樹脂層(B)之表面成為反映了保護薄膜(C)之表面粗度的粗面之乾薄膜，於疊層於後述平面狀物體(D)時，可減低最終所得之光波導的導波損失。

本實施形態中，保護薄膜(C)一般而言係如已敘述過的，係以防止光波導用樹脂層(B)表面附著異物、或造成傷痕為目的；或亦以提高塗覆光波導用樹脂層(B)並乾燥後之捲繞性為目的來使用。本實施形態中，不僅如此之以往的目的，係作為於光波導用樹脂層(B)表面轉印保護薄膜(C)之表面粗化狀態的母型來使用。剝離保護薄膜(C)後之面的光波導用樹脂層(B)表面為粗化狀態時，接觸於平面狀物體(D)時的光波導用樹脂層(B)之接觸面積變小，貼合時會確保多量之排出空氣的路徑，因此可使殘留於貼合後之光波導用樹脂層 (B)之孔隙(微細氣泡)極少化。

作為保護薄膜(C)之材質，例如可舉例與載體基材(A)相同者。

本實施形態中，保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸的表面為粗化狀態，用以粗化之手段，可使用噴砂或亦稱為物理蝕刻加工之放電加工、化學蝕刻加工等之對薄膜後加工之方法、或於原料中添加填料於表面生成凹凸之方法、將含有填料之塗覆材塗覆於表面並硬化之方法、或控制原料中樹脂的結晶構造比，於延伸過程於表面生成凹凸等之於薄膜本身生成凹凸之方法等周知之方法。於保護薄膜(C)中，與光波導用樹脂層(B)不接觸之側的表面可為平滑亦可經粗化。

本實施形態中，粗化面，意指保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸的面具有超過一般認為係平滑之水準(換言之即SRa為0.07μm以下或SRz為1μm以下)的粗度。保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸的面之粗度值若為平滑的水準以下時，於後述之平面狀物體(D)上疊層剝離保護薄膜後的光波導用樹脂層(B)之表面時，空氣之逃逸路徑消失的部分會增加，貼合後之光波導用樹脂層(B)與平面狀物體(D)之間多殘留有孔隙，故不佳。附帶言之，SRz當然以光波導用樹脂層(B)之厚度以下較佳。

特別是前述粗化面之SRa為0.1~1μm、且SRz為1~10μm為佳。SRa為0.1μm以下或SRz為1μm以下 時，於平面狀物體(D)上疊層剝離保護薄膜(C)所出現之樹脂層(B)表面時，空氣之逃逸路徑變少，會有容易於貼合後之樹脂層(D)殘留孔隙之虞。又，SRa大於1μm、或SRz大於10μm時，剝離保護薄膜(C)時，會有變得容易產生樹脂層(B)部分地殘留於保護薄膜(C)側，亦即由載體基材(A)剝離之不良情況的傾向。再者，光波導用樹脂層(B)之厚度，如已有敘述的，若為10μm以下時，SRz較佳為此厚度以下。

進一步地，本實施形態中，可認為保護薄膜(C)之粗化面所致之錨定效應對保護薄膜(C)與光波導用樹脂層(B)之剝離性的影響為大，但此外係可認為樹脂層(B)與保護薄膜(C)之物理上的相互作用等亦有影響。物理上的相互作用，具體上可列舉濕潤性等。藉此，依保護薄膜之種類不同，上述SRa即使為1μm，從樹脂之剝離性亦可能會惡化，因此特別以上述SRa為0.1~未達0.5μm且上述SRz為1~未達5μm較佳。進一步地，關於上述SRa，其更佳範圍係0.1~0.3μm。

上述SRa及上述SRz若為如此之範圍，則有可實現貼合後之樹脂層(B)孔隙殘留的極少化，而且與樹脂層(B)厚度無關地，可無問題地使用的優點。

於保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之側的粗化表面，亦可進一步施以脫模處理。作為其手段，可舉例以將表面能量小的氟系樹脂或矽化合物等予以塗覆/乾燥或蒸鍍或濺鍍等之一般的手段來形成薄膜 者。於保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)未接觸之側的表面，亦可施以相同的脫模處理。

又，如已敘述過的，將保護薄膜(C)由光波導用樹脂層(B)剝離時，係於光波導用樹脂層(B)與保護薄膜(C)之界面剝離，因此保護薄膜(C)與光波導用樹脂層(B)之界面的密合力，係低於載體基材(A)與光波導用樹脂層(B)之界面的密合力。

保護薄膜(C)之厚度並無特殊限制，只要由操作性或價格方面來決定即可。太薄時會成為強度不足或針孔之不良情況或高價格，故不佳；太厚時則乾薄膜全體之剛性過高，於操作上產生不良情況、或者厚度或重量增加而產生搬運成本上昇等之不良情況，因此一般而言較佳為10~100μm。

於上述以外，在不阻礙本發明之效果的範圍內，對於保護薄膜(C)，亦可依需要於材料中混合或分散抗靜電劑或具有活性能量線吸收能力之物質、或亦可塗佈。光波導用樹脂層(B)為感光性樹脂的情況時，對於保護薄膜(C)，藉由使具有截除可硬化光波導用樹脂層(B)之波長的能力之物質，例如紫外線吸收劑或吸收可見光之短波長以下之波長的光之物質(特定的染料或顏料、氧化鈰等之無機粉末等)成為存在於薄膜內部或表面的狀態，於剛製造乾薄膜後至將光波導用樹脂層(B)曝光處理為止的期間，可防止來自保護薄膜(C)側之不必要的活性能量線之暴露，故特佳。

本實施形態中，保護薄膜(C)係直接貼合於光波導用樹脂層(B)，因此光波導用樹脂層(B)本身係作為接著層而作用。其係由疊層後之乾薄膜剝離保護薄膜(C)後的光波導用樹脂層(B)表面，係為反映了保護薄膜(C)之表面的狀態之故。此處所稱之反映了保護薄膜(C)之表面的光波導用樹脂層(B)之表面狀態，係指維持於接觸於光波導用樹脂層(B)之保護薄膜(C)的表面粗度(SRa、SRz)之值的40%~100%之粗度值的狀態。光波導用樹脂層(B)之表面若被粗化為如此之等級時，如前所述，可實現貼合後之光波導用樹脂層(B)之孔隙殘留的極少化。

作為將保護薄膜(C)與光波導用樹脂層(B)疊層的手段，可採用一般的方法。例如，可舉例對形成於載體基材(A)上之光波導用樹脂層(B)的表面，以適切的溫度以滾筒緊壓保護薄膜(C)之粗化面的方法、藉由平板之真空疊層機緊壓的方法、以捲繞為滾筒狀時的張力緊壓的方法等。

此處所稱之適切的溫度，只要係可展現光波導用樹脂層(B)可追隨於保護薄膜(C)之粗化表面的軟化狀態之溫度範圍中的低溫度區域即可，隨著光波導用樹脂層(B)之樹脂組成而不同，一般而言為室溫~100℃之範圍，但不限定於此範圍。於可展現可追隨於粗化表面之軟化狀態的溫度範圍中，若為大致高於其最低溫度70℃以上之溫度時，光波導用樹脂層(B)之樹脂會由薄 膜端部流出，光波導用樹脂層(B)之厚度會變得比期望值更小(變薄)，故不佳。

[第2實施形態]

本發明之進一步的實施形態之光波導之製造方法，係使用如上述之光波導用乾薄膜的光波導之製造方法，其特徵為，依序進行以下之步驟：準備平面狀物體(D)之步驟、將上述光波導用乾薄膜之保護薄膜(C)剝離之步驟、在維持剝離前述光波導用乾薄膜之前述保護薄膜(C)後的光波導用樹脂層(B)表面之粗度的情況下，將前述光波導用樹脂層(B)與前述平面狀物體(D)予以抵接，在減壓下加熱加壓而進行貼合之步驟、以及以活性能量線或熱使光波導用樹脂層(B)之一部分或整面硬化之步驟。

〔準備平面狀物體(D)之步驟〕

本實施形態中，平面狀物體(D)，係指將本發明之乾薄膜之光波導用樹脂層(B)貼附的對象物。

具體而言，可列舉例如電氣配線用基板(電氣電路用之可撓基板或剛性基板)、撓曲性薄膜狀材料、金屬箔等；或其上形成有光波導構成構件之電氣配線用基板、撓曲性薄膜狀材料或金屬箔等。又，平面狀物體 (D)，亦可為形成光波導層之全部或一部分後，能夠與前述光波導層剝離之臨時基板、或其上形成有光波導構成構件之前述臨時基板。

前述平面狀物體(D)為撓曲性薄膜狀材料時，亦可為不含電氣配線、或最終不形成電氣配線之撓曲性薄膜狀材料。

關於此等各平面狀物體(D)係可考慮各種態樣，但特別是平面狀物體(D)之表面粗度低的情況時，亦即貼合光波導用樹脂層(B)之對象物即平面狀物體(D)的表面粗度SRa為0.1μm以下時，於貼合後之光波導用樹脂層(B)中容易殘存多量氣泡，因此可認為係更發揮本發明之效果。

再者，如上述之平面狀物體(D)可藉由已知之製造方法得到。特別是於該等之上，形成有下包殼之物體或形成有下包殼與核心的物體；形成有下包殼、核心與上包殼的物體之情況時，可使用本實施形態所揭示之光波導用乾薄膜與其製造方法得到。

〔剝離光波導用乾薄膜之保護薄膜(C)的步驟〕

本實施形態之光波導用乾薄膜，因為係保護薄膜(C)疊層於光波導用樹脂層(B)，因此為了貼合光波導用樹脂層(B)與平面狀物體(D)，首先係剝離保護薄膜(C)。其方法並無特殊限定，能夠以手的作業由光波導用乾薄膜之一邊或角剝離保護薄膜(C)、亦可藉由 機械裝置剝離。圖2顯示剝離了光波導用乾薄膜之下包殼用乾薄膜的保護薄膜(C)後之狀態的示意圖。

〔在維持剝離前述光波導用乾薄膜之前述保護薄膜(C)後的光波導用樹脂層(B)表面之粗度的情況下，將前述光波導用樹脂層(B)與前述平面狀物體(D)予以抵接，在減壓下加熱加壓而進行貼合之步驟〕

本實施形態中，係使經粗化之光波導用樹脂層(B)表面與平面狀物體(D)接觸，因此係維持剝離保護薄膜(C)所出現之光波導用樹脂層(B)表面的粗度，使其不平坦化。例如，必須避免因將剝離保護薄膜(C)後之光波導用樹脂層(B)之表面，於通過某種裝置時以滾筒等夾住；或於剝離保護薄膜(C)後的乾薄膜上堆疊某種物體而施加壓力，使樹脂層(B)之表面粗化狀態平坦化的事態。或亦必須避免剝離保護薄膜(C)後的樹脂層(B)之表面暴露於高溫而軟化或熔融而使粗化狀態平坦化。藉由排除如此之使粗度降低的要因，就剝離具有表面粗度之保護薄膜(C)而出現之光波導用樹脂層(B)的表面狀態而言，如已敘述過的，可維持接觸於光波導用樹脂層(B)之保護薄膜(C)的表面粗度(SRa、SRz)值的大致40%~100%之粗度值。圖3係於本實施形態中，以下包殼用乾薄膜的情況為例子，表示在維持樹脂層(B)之表面粗度之下，接觸於平面狀物體(D)之狀態的示意圖。

使剝離保護薄膜(C)而出現之光波導用樹脂層(B)表面，接觸於平面狀物體(D)，係因最終係於平面狀物體(D)貼合光波導用樹脂層(B)而進行疊層之故。此貼合步驟係粗分為2種方法。一者為將乾薄膜切割為近似於平面狀物體(D)之尺寸的尺寸，將剝離保護薄膜(C)而出現之光波導用樹脂層(B)之面負載於平面狀物體(D)的方法。另一者係亦稱為臨時黏合的滾筒疊層法，其係一邊剝離保護薄膜(C)，一邊使用滾筒，將捲為滾筒狀之光波導用乾薄膜接觸於平面狀物體(D)，以適切的線性負載進行臨時黏合者。

使光波導用樹脂層(B)抵接(接觸)於平面狀物體(D)時，於此時的溫度下光波導用樹脂層(B)之表面必須具有黏著性(黏著性)。該溫度，在前者的情況時為室溫，一般而言為20℃~30℃。於此溫度區域，於該樹脂層(B)之表面若全無黏著性，則負載於平面狀物體(D)後的操作過程中乾薄膜容易偏移，於其後所進行之貼合步驟中，乾薄膜會被固定於與平面狀物體(D)之期望位置不同的場所，有成為不良品之虞之故。後者的情況時，該溫度為滾筒溫度，一般而言為室溫至100℃左右的溫度區域。此時，於所接觸之溫度下樹脂層(B)亦必須有黏著性，若無黏著性則無法進行臨時黏合。

接著，在不降低剝離保護薄膜(C)而出現之光波導用樹脂層(B)表面之粗度下，將光波導用樹脂層(B)之表面與平面狀物體(D)，即最終接觸或抵接 者，以所謂真空疊層法貼合。真空疊層係指使用具有於加溫至必要溫度的板上放置工件，於減壓環境，在持續減壓之下，於必要溫度下對工件由上下方向施加壓力之機構的裝置來貼合的方法。

用以由增層法(build-up method)來製造層合板，適於疊層乾薄膜型之材料的裝置，以所謂增層薄膜(build-up film)為首，係多有市售，可舉例名機製作所股份有限公司或Nichigo-Morton股份有限公司、Sanei技研股份有限公司、北川精機股份有限公司等所販賣者。又，亦可使用利用預浸物製造層合板時所廣泛使用的真空平板壓製機、真空多段壓製機。

藉由使用如此之裝置，適切地設定疊層條件，可實現於疊層結束後之光波導用樹脂層(B)的孔隙存在極少化之狀態。作為以Nichigo-Morton股份有限公司製之V130進行的條件，可舉例將上下之彈性體溫度設定為50℃~110℃，將放置工件之空間減壓，使氣壓到達100Pa(帕斯卡)後，保持10~90秒後，於上側彈性體內部導入0.2MPa~1MPa之壓縮空氣，於工件之上下方向施加應力，保持該狀態30秒至120秒，之後解放壓力，取出工件之條件等。

貼合條件不適切時，例如溫度為35℃、100Pa到達後之保持時間為2秒、壓縮空氣之壓力為0.15MPa、或於施加壓力後的狀態之保持時間為10秒時，於貼合後之樹脂層(B)會有容易殘存孔隙之虞。

圖4係表示以下包殼用乾薄膜為例，該貼合步驟結束後的狀態之示意圖。

又，於加壓真空疊層機之工件的部分使用橡膠狀彈性體的情況時，因形成於平面狀物體(D)表面之電路圖型等，而使表面具有大約10μm以上之階差時，貼合後之光波導用樹脂層(B)的表面，亦可能產生雖較該階差小但反映了該階差的階差。於以後的步驟或最終的產品中該階差會成為問題時，亦可於貼合步驟之後採用所謂平坦化步驟。該平坦化步驟，一般而言係指將不鏽鋼等硬的平板放置於貼合過後的工件上(乾薄膜側)，於加熱下真空疊層，強制地使其表面成為平坦、或以加熱下之平板壓製機強制地使其表面成為平坦者。

〔以活性能量線或熱使光波導用樹脂層(B)之一部分或整面硬化之步驟〕

光波導用樹脂層(B)之組成物，係藉由活性能量線硬化處方、熱硬化處方、或可進行此兩者的處方，來決定能夠以活性能量線與熱之何者的手段來硬化。

若為至少能夠以活性能量線硬化的處方，則使用活性能量線呈面狀照射之裝置時，可一次照射光波導用樹脂層(B)之整面，使整面硬化；通過光罩(亦僅單稱為遮罩)僅對必要部分照射活性能量線，則可使一部分硬化。又，使用活性能量線呈射束狀照射的裝置時，可藉由將光波導用樹脂層(B)之整面予以掃描(掃掠)，使 整面硬化，可依照活性能量線之射束的粗度，若需要則通過遮罩，對必要的部分掃掠照射活性能量線，使一部分硬化。此時，以活性能量線使其硬化後，可進行加熱處理以進一步進行硬化(亦稱為後硬化、後烘烤或單稱為烘烤或烤焙)。

另一方面，若為至少能夠以熱硬化的處方，則可藉由將包含光波導用樹脂層(B)之工件置於硬化所必要的溫度環境，使整面硬化。又，藉由以遮罩部分地照射會發出熱線或相當於熱線之波長的電磁波之二氧化碳氣體雷射等雷射、或藉由將熱線之射束(包含相當於熱線之雷射)依照其粗度，若需要則通過遮罩，對必要的部分掃掠照射該射束，可使光波導用樹脂層(B)部分地硬化。

附帶言之，載體基材(A)可於部分地或整面地硬化光波導用樹脂層(B)之前剝離、亦可於硬化後剝離。

圖5顯示以下包殼用乾薄膜為例，該硬化步驟結束之狀態的示意圖。

又，較佳為於進行上述硬化步驟之前，將光波導用樹脂層(B)，於光波導用樹脂層(B)不至於硬化且為軟化或熔融的條件下加熱。其目的為光波導之低損失化，其表現機構有2點，於以下說明。

第一個機構，係光波導用樹脂層(B)之表面的平坦化(平滑化)。於前述貼合(疊層)步驟結束後的乾薄膜側之載體基材表面，因貼合時存在於載體基材之外 表面的微粒子或灰塵等影響，會產生微小的凹陷，該凹陷亦會到達光波導用樹脂層(B)表面，於光波導用樹脂層(B)之表面產生微小的凹陷。因加熱使光波導用樹脂層(B)容易變形，於貼附有載體基材(A)的情況下加熱時，因載體基材(A)的彈性，可修復凹陷而平坦化、或者剝離去除載體基材(A)來加熱的情況時，因光波導用樹脂層(B)之表面張力，可修復凹陷而平坦化。光波導用樹脂層(B)，若為於其上形成核心的下包殼用的情況時、或即使為上包殼，例如形成多層光波導時等之進一步於其上形成核心的情況時，若於包殼之表面有凹陷，則於光波導核心之外表面會產生凸起，又若為核心用的情況時，若於其表面有凹陷，則於核心之表面產生凹陷，結果於核心表面會產生凹凸，導波損失會惡化，因此為了防止其發生，使表面平坦化極為有效。

第二個機構，係脊型光波導中，對核心側面之導波的影響減低。若光波導用乾薄膜為埋入脊型光波導之核心的上包殼用的情況時，藉由對脊型光波導之核心使上包殼疊層，在不使上包殼樹脂硬化的情況下加熱，則包殼材料會擴散滲透於核心側面，於核心側面產生具有核心的折射率與包殼的折射率之間的折射率之層，因此通過該部分之導波光的量會降低，結果可抑制核心側面之粗糙所致之導波損失惡化，可實現低損失的光波導。

為了實現如此之以低損失化為目的之2個表現機構，所加熱之溫度，雖依所使用之樹脂層的軟化特性 或熔融特性而異，但一般而言較佳為80℃~160℃、更佳為100℃~140℃。又，加熱時間係可實現本目的的時間以上，當亦考慮到提高步驟之處理量(throughput)的觀點時，較佳為10分鐘~60分鐘、更佳為10~30分鐘。

進一步地，於使光波導用樹脂層(B)部分硬化的步驟之後，較佳為進行所謂顯影步驟。部分硬化的目的，一般而言係為了進行圖型化。於該顯影步驟中，只要係具有去除光波導用樹脂層(B)之未硬化部分的能力之手段，則不管何種手段均可採用。依光波導用樹脂層(B)之性質，可舉例以各種有機溶劑、或鹼性水溶液、酸性水溶液等之顯影，或以日本特開2007-292964號公報記載之手段來進行的顯影等。

附帶言之，圖型化之目的，可舉例為了於平面狀物體之上部分地形成包殼，或為了形成脊型光波導的核心，或為了與脊型光波導之核心同時地形成具有對準標記(alignment mark)或光通路(optical via)功能之構造體或形成核心間之串訊(crosstalk)抑制用構造體，或為了於包殼形成作為對準標記或用以電氣連接之通孔等開孔部等。

本實施形態之光波導之製造方法中，可於形成下包殼層之後，形成核心，之後形成上包殼。不管何者均可藉由重複已敘述之步驟來形成。

就核心而言，係使用如圖6例示之核心形成用乾薄膜30，如圖7例示般地將保護薄膜33剝離，如圖 8例示般地，接觸於形成於平面狀物體上之下包殼14，於減壓下加熱加壓而貼合以得到如圖9例示之貼合體後，脊型光波導的情況時係藉由進行部分地硬化/顯影，而如圖10例示般地形成核心34。平板光波導的情況時，係藉由將圖9之貼合體的核心用樹脂層予以整面硬化、或依需要部分地圖型化/硬化為面狀，以形成核心(未圖示)。

又，就上包殼而言，係使用如圖11例示之上包殼形成用乾薄膜40，如圖12例示般將保護薄膜43剝離，如圖13例示般地，接近於形成於平面狀物體上之下包殼14與核心34，進而如圖14所示般接觸，於減壓下加熱加壓而貼合以得到如圖15例示之貼合體後，使上包殼用樹脂層硬化而形成上包殼44。最終將上包殼用乾薄膜之載體基材41剝離去除後的光波導之截面構成例子示於圖16。

將光波導核心多層(複層或多段)地層合的情況時，只要進一步於其上，以同樣的方法，必要的話形成下包殼、接著形成核心、上包殼即可。

〔第3實施形態〕

本發明係包含以如上述之製造方法得到之光波導、或包含該光波導之具有資訊傳輸功能的基板或構件。

平面狀物體(D)，若為電氣配線用基板或於其上形成有光波導構成構件的電氣配線用基板的情況時，如已敘述過的，可製造光波導之損失小，且製造偏差與不 良率極少化之光電複合配線基板。

又，平面狀物體(D)，若為具有撓曲性且不含電氣配線或最終不形成電氣配線之薄膜狀材料或於其上形成有光波導構成構件的該薄膜材料之情況時，如已敘述過的，可製造光波導之損失小，且製造偏差與不良率極少化之可撓光波導。

藉此，可實現具有於光纖陣列中無法實現之等級的核心間距之可撓光波導薄片，可不發生傳輸材料(光纖或光波導薄片)之壅塞，而實現超高速之資訊傳輸所必要的機板間信號傳輸，最終可達成因裝置內之冷卻用換氣效率提昇所致之省能源。附帶一提，目前一般的光纖因係包殼外徑為250μm，故核心間距最小亦為250μm，於更細的光纖中，包殼外徑亦為125μm，此時之最小的核心間距為125μm。另一方面，使用了光波導用乾薄膜之光波導中，可容易地使核心間距成為62.5μm，因此可容易地實現傳輸材料的省空間化。其係因使用核心用光波導樹脂層厚度為30μm之乾薄膜，可容易地進行核心截面為30μm見方、核心間隔為32.5μm之圖型化；或使用核心用光波導樹脂層厚度為35μm之乾薄膜，可容易地進行核心截面為35μm見方、核心間隔為27.5μm之圖型化之故。又，藉由將核心形成為多層(多段)，可得到具有更高密度之核心的光傳輸材料。

又，平面狀物體(D)，為金屬箔或於其上形成有光波導構成構件的金屬箔時，係於金屬箔上形成光波 導或第一包殼與核心後，將金屬箔之相反面，於電氣電路基板上決定位置予以層合並接著，藉由已知方法對表面之金屬箔形成金屬電路，依需要進行通孔或貫通孔加工，可形成光電複合基板。

作為具體例子，係於銅箔或已敘述之可剝離銅箔上，塗覆/乾燥包殼用樹脂組成物塗漆(varnish)、或將包殼用乾薄膜材料予以真空疊層，使其硬化而形成第一包殼層。之後，將核心用乾薄膜材料予以真空疊層後，進行圖型化，形成光波導核心，以使通過核心之導波光依需要偏向於銅箔側或反銅箔側的方式，於核心圖型之期望位置施以鏡面或繞射光柵等之具有偏向功能的部位之加工。之後，係與另外製作之電氣電路基板一體化，此手段係有二個方法。

第一個方法，係隔著熱硬化性之包殼用乾薄膜材料之層，將第1包殼、形成核心(依需要則為形成有偏向部位之核心)圖型後的銅箔、與電氣電路基板予以真空疊層，之後加熱硬化而接著的方法。此時，較佳為於第1包殼與形成核心圖型後的銅箔之核心圖型側，將熱硬化性之包殼用乾薄膜材料予以真空疊層，在不硬化的情況下，剝離載體基材(A)，使剝離載體基材(A)而出現之光波導(包殼用)樹脂層(B)接觸於電氣電路基板，進行真空疊層。進一步地，較佳為依需要，於剝離載體載體基材(A)而出現之光波導(包殼用)樹脂層(B)表面，將本發明之保護薄膜(C)真空疊層，之後剝離該保 護薄膜(C)，使該包殼用樹脂層(B)之表面粗化之後，接觸於電氣電路基板而進行真空疊層。其係因藉由如此方式進行，可使於真空疊層後之成為第二包殼的部分的氣泡殘存極少化之故。

第二個方法，係於第1包殼與形成核心(依需要則為形成有偏向部位之核心)圖型後的銅箔之核心側之上，將第二包殼用之乾薄膜予以真空疊層，以敘述過的方法使其硬化而完成光波導層之後，透過具有熱硬化性之接著功能的預浸物或接合薄片等構件，將電氣電路基板、與所完成的附光波導層之銅箔的光波導側予以接著的方法。之後，若最表層之銅箔為可剝離銅箔的情況時，將載體銅箔予以剝離去除，最終以周知之方法對作為電氣電路之銅箔形成電路，依需要以周知之方法形成通孔或貫通孔，藉此可得到光電複合基板。

依照本實施形態，由於可使用經施以用以提高與樹脂之密合力的粗化處理或化學表面處理的金屬箔，故可提高包殼樹脂層與最表層之金屬箔由來的導體電路之密合性，可顯著提高光電複合基板之構裝信賴性。

平面狀物體(D)，若為形成光波導層之全部或一部分後，可於該光波導層與平面狀物體之間剝離的臨時基板、或為於其上形成有光波導構成構件的該臨時基板的情況時，作為此臨時基板而言，適合為在於其上形成光波導的步驟中不剝離，而可於必須剝離的階段剝離，且未施以易接著處理的熱可塑性樹脂板。可舉例有聚碳酸酯 (PC)或壓克力、環烯烴聚合物等之板。若於如此之臨時基板上形成光波導層時，因為不產生化學接著，故可藉由於光波導層與臨時基板的界面施加剝除的應力，可不受損傷地剝離光波導層。

依照本實施形態，可容易地製造低損失且損失偏差少之薄膜狀光波導。

又，可對電氣基板轉印形成有光波導層之全部或一部者，特別是將設於光波導核心之鏡面或繞射光柵等之光路偏向部，形成為使光路偏向於本實施形態所言之臨時基板側時，可使光路偏向於藉由轉印而得之光電複合基板之光波導層側的表面方向，因此適合於與配置於光波導之側的光元件的光耦合。此時，可於光波導層之上層形成導體電路，作為光元件用之電極，且於其上構裝光元件，或藉由將形成光波導之平面狀物體作為電氣基板，且以其表面之電極上不存在有光波導層的方式進行圖型化，亦可將光元件構裝於電氣基板表面之電極。

作為一例而言，係於UV透過性PC之臨時基板上，形成下包殼、核心及依需要於核心形成光偏向部(鏡面)，藉由僅進行疊層上包殼用之乾薄膜，於上包殼層未硬化之狀態下剝離去除載體基材，將上包殼用樹脂之面，對預先製作之電氣基板進行配置並真空疊層，由PC側施以UV曝光及/或熱處理後，將PC板剝離去除。之後，以對光波導層之表面所出現之下包殼層接著熱硬化性之附環氧樹脂之銅箔(亦稱為RCC)、或透過稱為接合薄 片之含環氧樹脂的接著薄片或預浸物將銅箔接著、或於進行提高銅之化學鍍敷的密合力的基底處理後，將銅化學鍍敷等之方法，於整面形成銅層，之後藉由一般方法形成銅的電氣電路，得到光電複合基板。

作為別的例子，係於UV透過性PC之臨時基板上形成下包殼、核心、核心上之光偏向部、上包殼，使用接合薄片、預浸物或接著劑，接著上包殼表面與電氣基板，將臨時基板剝離去除，於表面所出現之下包殼表面如前述般形成電氣電路，得到光電複合基板。依此例子，可自臨時基板側進行由光波導與光偏向部所成之光電路之光的導通確認，因此可將確認為良品之光波導與電氣基板一體化，因此可進一步提高光電複合基板之良率。

本說明書如上所述，係揭示了各種態樣之技術，其中主要的技術歸納如以下。

本發明之一方面的光波導用乾薄膜，係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸的面為粗化面。

藉由如此構成，可提供能夠製造殘存之微小氣泡極少化的光波導之光波導用乾薄膜。進而，可實現光波導之導波損失減低、製造良率或信賴性之提高。又，可使用相同的裝置來實施形成包殼層與核心層之步驟，可實現光波導製造成本減低。

上述光波導用乾薄膜中，較佳為前述載體基材(A)為樹脂薄膜或金屬箔，前述保護薄膜(C)為熱可塑性樹脂薄膜，且前述保護薄膜(C)之前述粗化面的粗度，以算術平均粗度(SRa)計為0.1~1μm、且以十點平均粗度(SRz)計為1~10μm。藉此，可認為可更確實地製造殘存之微小氣泡極少化的光波導。

又，上述光波導用乾薄膜中，前述光波導用樹脂層(B)，較佳為含有具有環氧基之化合物、與可藉由活性能量線照射而使前述化合物之環氧基反應而硬化的光硬化起始劑。藉由如此之構成，因為係極為低損失，且作為多層電氣基板材料具有長年的績效的環氧樹脂，故可認為可實現電氣特性亦優良的光波導。

進一步地，上述光波導用乾薄膜中，前述光波導用樹脂層(B)，較佳為含有具有乙烯性雙鍵之化合物、與可藉由活性能量線照射使該化合物之乙烯性雙鍵反應而硬化的光硬化起始劑。藉由如此之構成，可實現低損失、且能夠以與一般阻劑材料相同的鹼顯影來進行圖型化的光波導。

本發明之其他方面，係光波導之製造方法，其係使用上述之光波導用乾薄膜的光波導之製造方法，其特徵為，依如下順序進行以下步驟：準備平面狀物體(D)之步驟、將上述之光波導用乾薄膜的保護薄膜(C)剝離之步驟、 在維持剝離前述光波導用乾薄膜之前述保護薄膜(C)後的光波導用樹脂層(B)表面之粗度的情況下，將前述光波導用樹脂層(B)與前述平面狀物體(D)予以抵接，在減壓下加熱加壓而進行貼合之步驟、以及以活性能量線或熱使光波導用樹脂層(B)之一部分或整面硬化之步驟。

藉由如此之構成，可製造殘存之微小氣泡極少化的光波導。進而，可實現光波導之導波損失減低、製造良率或信賴性的提高。又，可使用相同的裝置來實施形成包殼層與核心層之步驟，可實現光波導製造成本減低。

上述光波導之製造方法中，前述平面狀物體(D)，較佳為電氣配線用基板、或於其上形成有光波導構成構件的電氣配線用基板。依照如此之構成，可更確實地製造光波導之損失小、製造偏差與不良率極少化之光電複合配線基板。

或，上述光波導之製造方法中，前述平面狀物體(D)，較佳為具有撓曲性，且不含電氣配線、或最終不形成電氣配線的薄膜狀材料；或於其上形成有光波導構成構件的該薄膜材料。藉由如此之構成，可更確實地製造光波導之損失小、製造偏差與不良率極少化之可撓光波導。

或，上述光波導之製造方法中，前述平面狀物體(D)，較佳為金屬箔、或於其上形成有光波導構成構件的金屬箔。依照如此之構成，因為係使用經施以用以 提高與樹脂層之密合力的粗化處理或化學表面處理之金屬箔，故可提高包殼樹脂層與最表層之金屬箔由來的導體電路之密合性，可顯著提高光電複合基板等之構裝信賴性。

又，或者，上述光波導之製造方法之製造方法中，前述平面狀物體(D)，較佳為形成光波導層之全部或一部分形成後，能夠與前述光波導層剝離的臨時基板、或於其上形成有光波導構成構件的前述臨時基板。依照如此之構成，可容易地製造低損失且損失偏差少的薄膜狀光波導。

本發明之又一方面，係包含藉由上述方法所製造之光波導、或包含該光波導之具有資訊傳輸功能的基板或構件。

以下藉由實施例，以更具體地說明本發明，但本發明之範圍不受此等所限定。

〔實施例〕 〔光波導用樹脂塗漆之製造〕

製作環氧系樹脂與丙烯酸系樹脂之塗漆，作為光波導用樹脂。就環氧系樹脂之塗漆而言，係製作包殼用之E-CL與核心用之E-CO，作為活性能量線(UV)硬化型；且製作包殼用之E-CL2，作為熱硬化型。以表1記載之摻合量，將全部成分於60℃混合溶解，以孔徑1μm之PTFE膜過濾器加壓過濾，配製各自之塗漆。再者，所使用之原 材料係如下所示。

‧EHPE3150：Daicel股份有限公司製之2,2-雙(羥基甲基)-1-丁醇之1,2-環氧基-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物的環氧樹脂

‧Celloxide 2021P：Daicel股份有限公司製之3,4-環氧基環己烯基甲基-3’,4’-環氧基環己烯羧酸酯的環氧樹脂

‧Epikote 1006FS：三菱化學股份有限公司製之雙酚A型環氧樹脂

‧Epiclon 850S：DIC股份有限公司製之雙酚A型環氧樹脂

‧VG3101L：Printec股份有限公司製之具有雙酚骨架之3官能環氧樹脂(CAS編號：110726-28-8)

‧EPPN201：日本化藥股份有限公司製之酚酚醛清漆型環氧樹脂

‧YP50：新日鐵住金化學股份有限公司製之雙酚A型苯氧樹脂，且數平均分子量6萬~8萬之雙酚A型環氧樹脂

‧Epotohto YH300：新日鐵住金化學股份有限公司製之脂肪族聚縮水甘油醚型之環氧樹脂，且係三羥甲基丙烷型環氧樹脂

‧SP-170：ADEKA股份有限公司製之以4,4‘-雙[二(β-羥基乙氧基)苯基二氫硫基]苯基硫醚雙六氟銻酸鹽為主成分之所謂鋶鹽系光酸產生劑

‧SI-150L：三新化學工業股份有限公司之以4-乙醯 氧基苯基二甲基鋶=六氟銻酸鋶為主成分之所謂鋶鹽系熱酸產生劑。以UV雖亦可產生酸，但相較於前述SP-170，對UV之感度低，以熱進行活性化較為顯著，因此此處稱為熱酸產生劑。

‧F470：DIC股份有限公司製之界面活性劑(調平劑)

‧甲苯、MEK係工業用試藥。

就丙烯酸系樹脂之塗漆而言，係製作包殼用之A-CL、核心用之A-CO，作為活性能量線(UV)硬化型。首先，合成包殼用及核心用之具有羧基之聚合物，將該聚合物與各種(甲基)丙烯酸酯及硬化起始劑摻合，配 製塗漆。

具體而言，如後述般合成核心用之具有羧基之聚合物(以下稱為P-CO)。所使用之原材料係如以下所述。

‧PGMEA：工業用試藥之丙二醇單甲基醚乙酸酯

‧ADVN：工業用試藥之2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)

‧DLDBT：工業用試藥之二月桂酸二丁基錫

‧BHT：工業用試藥之丁基羥基甲苯

‧Imilex-C：日本觸媒股份有限公司製之N-環己基馬來醯亞胺

‧Light Ester BZ：共榮社化學股份有限公司製之甲基丙烯酸苄酯

‧MMA：三菱瓦斯化學股份有限公司製之甲基丙烯酸甲酯

‧MAA：三菱瓦斯化學股份有限公司製之甲基丙烯酸

‧Karenz MOI：昭和電工股份有限公司製之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯。

於經氮取代之附回流管之燒瓶中，氮氣流下加入PGMEA 56質量份，加溫至65℃，將預先混合之由PGMEA：56質量份、Imilex-C：13質量份、Light Ester BZ：41質量份、MMA：10質量份、MAA：24質量份、ADVN：1.7質量份所成之溶液花2小時滴下，進一步於65℃回流攪拌3小時、之後於90℃回流攪拌1小時。放 冷至室溫後，添加預先混合之由PGMEA：14質量份、DLDBT：0.09質量份、BHT：0.1質量份所成之溶液，一邊導入空氣同時進行攪拌。加溫至70℃，花30分鐘滴下預先混合之PGMEA：12.0質量份、Karenz MOI：21質量份之混合物，於70℃進行3小時回流攪拌，得到P-CO之溶液(固體成分45質量%)。

又，包殼用之具有羧基之聚合物(以下稱為P-CL)係如以下方式合成。

所使用之原材料，如已敘述的以外，係為2-HEMA：三菱瓦斯化學股份有限公司製之乙二醇單甲基丙烯酸酯。

於經氮取代之附回流管之燒瓶中，氮氣流下加入PGMEA 56質量份，加溫至65℃，將預先混合之由PGMEA：56質量份、Imilex-C：13質量份、MMA：31質量份、2-HEMA：31質量份、MAA：14質量份、ADVN：2質量份所成之溶液花2小時滴下，進一步於65℃回流攪拌3小時、之後於90℃回流攪拌1小時。放冷至室溫後，添加預先混合之由PGMEA：14質量份、DLDBT：0.09質量份、BHT：0.1質量份所成之溶液，一邊導入空氣同時進行攪拌。加溫至70℃，花30分鐘滴下預先混合之PGMEA：12.0質量份、Karenz MOI：21質量份之混合物，於70℃進行3小時回流攪拌，得到P-CL之溶液(固體成分45質量%)。

光波導用樹脂之塗漆(包殼用之A-CL、與核 心用之A-CO)，係以如下述表2記載之摻合量，將全部成分於室溫攪拌混合，以孔徑1μm之PTFE膜過濾器加壓過濾，配製各自的塗漆。再者，所使用之原材料當中，已敘述的以外者係如以下所示。

‧A-9300：新中村化學工業股份有限公司製之乙氧基化三聚異氰酸三丙烯酸酯

‧A-CHD-4E：新中村化學工業股份有限公司製之乙氧基化環己烷二甲醇二丙烯酸酯

‧A-BPE-4：新中村化學工業股份有限公司製之乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯

‧A-BPE-10：新中村化學工業股份有限公司製之乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯

‧Irgacure 2959：BASF Japan股份有限公司製之α-羥基苯烷基酮系之UV自由基起始劑

‧Irgacure 819：BASF Japan股份有限公司製之醯基氧化膦系之UV自由基起始劑

〔光波導用乾薄膜之製造〕

於載體基材上，使用Hirano Tecseed公司製之逗點塗佈頭之測試塗佈器，將上述所得之各樹脂塗漆予以塗佈/乾燥，將保護薄膜以40℃之疊層滾筒貼合於所形成之光波導用樹脂層面，藉由捲繞以製造光波導用乾薄膜。此外，以下包殼用乾薄膜、核心用乾薄膜、上包殼用乾薄膜之3者的薄膜為1組，得到光波導用乾薄膜之A~H組。表3之乾薄膜記號中，1CL指下包殼、CO指核心、2CL指上包殼。

下述表3中，顯示載體基材、光波導用樹脂層用樹脂塗漆、保護薄膜(PF)之組合；與藉由前述掃描型共軛焦雷射顯微鏡對PF之表面粗度進行面粗度測定之結果、乾燥後樹脂厚度(單位為μm)、及剝離保護薄膜(PF)所出現之樹脂面的表面粗度SRa、SRz(單位為μm)的測定結果。此處所使用之原材料如以下所示。

‧A4100：東洋紡股份有限公司製之PET薄膜，且係於單面進行易接著處理，另一面未進行表面處理者。使用厚度50μm者。再者，該薄膜之表面粗度的實測值，未進行表面處理之面的SRa為0.03μm、SRz為0.7μm。

‧CUF：三井金屬礦業股份有限公司製之型號MT18SD-H3，由厚度18μm之銅箔(載體銅箔)與厚度3μm之銅箔所成之所謂可剝離銅箔。

‧E-201F：王子F-tex股份有限公司製OPP薄膜(厚度50μm)。以掃描型共軛焦雷射顯微鏡測定之面粗度，係SRa=0.05μm、SRz=0.97μm。此係相當於所謂光學薄膜之薄膜，具有無法稱為粗化面之等級的低粗度。

‧SB-OPP：將E-201F之表面進行過噴砂處理者。前述之面粗度，係SRa=0.15μm、SRz=1.7μm。

‧E-PI：Panasonic股份有限公司製聚醯亞胺兩面貼銅可撓板、型號R-F775(厚度20μm)之將兩面的銅箔蝕去者。前述之面粗度係SRa=0.26μm、SRz=2.6μm。

‧YM17S：東麗股份有限公司製之表面粗化OPP薄膜(厚度20μm)。前述之面粗度係SRa=0.7μm、SRz=7.7μm。

‧E130：三菱樹脂股份有限公司製之表面粗化PET薄膜(厚度26μm)。前述之面粗度係SRa=0.8μm、SRz=12μm。

再者，使用表3所示之A4100作為載體基材的乾薄膜，係全部對A4100之未處理面(未進行易接著處理之面)塗覆光波導用樹脂；又，使用CUF作為載體基材的E-E-2CL，係對厚度3μm之銅箔面塗覆光波導用樹脂。

又，將組記號D之3者的乾薄膜之保護薄膜(PF)剝離面的表面SRa、SRz值，附括弧予以表示的理由說明於以下。

為了測定剝離保護薄膜而出現之光波導用樹脂表面的面粗度，欲剝離保護薄膜，係採取以手指剝離乾薄膜角落的保護薄膜，之後整面剝除保護薄膜的方法。組記號D以外之乾薄膜中，可於保護薄膜與光波導用樹脂之間剝離，但組記號D(使用E130作為保護薄膜的乾薄膜)的情況，以此方法時，光波導用樹脂的多數部分係附著於保護薄膜，亦即於載體基材與光波導用樹脂之間剝離。以此剝離方法，係於載體基材與保護薄膜兩方彎曲的狀態進行剝離，因此保護薄膜與光波導用樹脂層之間的密合力高時，於載體基材與光波導用樹脂層之間產生剝離的部分，結果於載體基材側產生光波導用樹脂消失的部分。組記號D之乾薄膜中，產生了此現象。

為了避免該現象，於組記號D中，係於將乾薄膜之載體基材吸附於減壓吸附板，使載體基材與光波導用樹脂成為平面狀態的狀態下，於保護薄膜角落貼附黏著膠帶，自角落部分剝離保護薄膜。藉此方法，可避免於載 體基材與光波導用樹脂之間發生剝離的現象。附帶言之，減壓吸附板，係指於金屬平板開出多數之例如0.3mm 的貫通孔，於其上放置薄膜，由下側減壓吸引，藉由大氣壓固定薄膜者。以此方法，於剝離時，僅有保護薄膜係以彎曲的狀態進行剝離，因此即使光波導用樹脂與保護薄膜之間的密合力不小，於光波導用樹脂與保護薄膜之間亦經常能夠剝離。但是，組記號D之乾薄膜中，於保護薄膜之表面凹凸的谷底部分的底部，殘留有光波導用樹脂，結果剝離保護薄膜而出現的樹脂面之粗度，相較於保護薄膜本身的粗度，係未達40%之小的值。

〔光波導之製造〕 (實施例1)

將Panasonic股份有限公司製之兩面貼銅基板的R1515W(銅箔12μm品)之銅箔經蝕去的基板切割為130mm×100mm，作為用以製作光波導之平面狀物體1。以敘述過的方法測定該基板表面之面粗度後，SRa為0.81μm、SRz為8.0μm。又，以UV分光光度計測定365nm之反射率後，係7%。使用表3之A組作為光波導用薄膜。

以如下順序於此基板(平面狀物體1)形成下包殼層。亦即，於基板上配置將切割為130mm×100mm之尺寸的下包殼用之乾薄膜即A-E-1CL之保護薄膜剝離而出現的光波導用樹脂層之面，於上下配置作為真空疊層用之載體薄膜(或熱板保護用薄膜)之切割為 200mm×170mm的75μm厚PET薄膜(東麗股份有限公司製、型號T60。以後略稱為T60)，(以於75μmPET薄膜之間夾著基板與乾薄膜的構成)，以真空疊層機(Nichigo-Morton股份有限公司製之加壓式真空疊層機、型號V130。以後略稱為V130)，到達加熱溫度50℃、1hPa(1百帕斯卡；約千分之一氣壓)以下之真空後保持15秒後，以0.3MPa加壓90秒進行疊層。去除真空疊層用之載體薄膜(T60)，將疊層有A-E-1CL與基板者進行120℃、20分鐘熱處理(平坦化)，放冷至室溫後，自乾薄膜疊層品之載體基材即PET薄膜側，照射來自超高壓水銀燈的活性能量線(UV光)，使於365nm成為2000mJ/平方公分之光量，剝離去除PET薄膜，進行140℃、30分鐘熱處理使樹脂硬化。以敘述過的方法測定該下包殼表面之面粗度後，SRa為0.06μm、SRz為0.91μm。

於在如此方式所得之R1515W兩面蝕去品的單面上形成有下包殼層的平面狀物體之上，以如下順序形成核心。亦即，於上述下包殼層之面上配置將切割為130mm×100mm尺寸的核心用之乾薄膜即A-E-CO之保護薄膜剝離而出現的光波導用樹脂層之面，於上下配置T60，以V130，以與上述下包殼之疊層條件相同的條件疊層。去除T60，將所得之乾薄膜疊層品之載體基材即PET薄膜予以剝離去除，進行120℃、20分鐘加熱處理。該處理後，以敘述過的方法測定放冷至室溫後的核心用之樹脂層表面之 面粗度後，SRa為0.05μm、SRz為0.83μm。

接著，如以下方式進行核心之圖型化。亦即，透過具有12根之光波導核心之寬度35μm/間距125μm、長度110mm的玻璃製且於遮蔽層具有鉻薄膜之所謂玻璃的鉻遮罩(作為核心的部分為開口部之負型遮罩)，對核心用樹脂側照射來自超高壓水銀燈之活性能量線(UV光)，使於365nm成為2000mJ/平方公分的光量，之後進行140℃、15分鐘之熱處理。之後，使用調整至55℃之水系助焊劑洗淨劑(荒川化學工業股份有限公司製「Pine Alpha ST-100SX」)進行顯影處理，藉以溶解去除核心用樹脂之未曝光部分，水洗，將表面之水分進行吹氣後，藉由於100℃乾燥10分鐘，得到於下包殼上形成有核心圖型的平面狀物體。

接著，於該平面狀物體之上，進一步由以下順序形成上包殼。亦即，於平面狀物體之形成有核心的面上，配置將切割為130mm×100mm之尺寸的上包殼用之乾薄膜即A-E-2CL之保護薄膜剝離而出現的光波導用樹脂層之面，於上下配置T60，以V130，到達加熱溫度80℃、1hPa以下之真空後保持30秒後，以0.3MPa加壓120秒進行疊層。去除T60，將所得之乾薄膜疊層品之載體基材即PET薄膜予以剝離去除，進行140℃、30分鐘加熱處理，放冷至室溫，之後，對包殼樹脂側照射來自超高壓水銀燈之活性能量線(UV光)，使於365nm成為2000mJ/平方公分之光量，而後進行140℃、30分鐘之熱 處理，結束樹脂硬化，製作於電氣基板用層合板上形成有光波導的樣品。再者，於UV曝光之前以敘述過的方法測定上包殼用之樹脂層表面的面粗度後，SRa為0.06μm、SRz為1.0μm。

所得之光波導的評估，係於製作3枚光波導形成基板後，使用該等以如下方式進行。結果示於表4。

(孔隙觀察)

以目視及光學顯微鏡，自光波導面之鉛直上方觀察核心部及包殼部之孔隙(氣泡)。以每1枚光波導形成基板，未觀察到直徑5μm以上之孔隙者為◎、以該孔隙每面內為1~5個者為○、以6~20個者為△、以多於20個者為×。

(平均導波損失)

於與核心的延伸方向垂直地，以切割刀切斷光波導形成基板，使核心長成為100mm，得到核心長100mm之樣品。以波長850nm之雷射二極體為光源，測定該樣品之導波損失，係將核心直徑10μm、NA 0.21之光纖的端部透過聚矽氧油之匹配油(matching oil)，連接於光波導核心之一端，並且將核心直徑200μm、NA 0.4之光纖的端部透過匹配油連接於核心之另一端，以功率計測定光的功率(P1)。另一方面，將該兩者之光纖的端面彼此透過匹配油對接，以功率計測定於未隔著光波導的狀態之光的 功率(P0)。而後由-10log(P1/P0)之計算式，求出光波導的損失，將其除以光波導長10(cm)，藉以測定光波導1根的導波損失(單位：dB/cm)。對每1枚具有12根光波導核心之光波導形成基板3枚進行該測定，計算合計36根光波導核心之平均導波損失。

(不良率)

以上述導波損失超過0.1dB/cm之光波導核心為不良，求得其根數/36以百分比表記的值，作為不良率。

實施例1之平均導波損失係0.054dB/cm、不良率係0%(無不良)。

(實施例2~6、比較例1~2)

使用表3之光波導用乾薄膜B~H組，進行與實施例1同樣的製作順序與評估。結果示於上述表4。

再者，以與實施例1之光波導形成條件相異的條件進行之內容，係如以下所示。

(實施例4)

將乾薄膜之組記號D，亦即D-E-1CL、D-E-CO、D-E-2CL之保護薄膜剝離時，如已敘述的，使乾薄膜之載體基材吸附於減壓吸附板，以使載體基材與光波導用樹脂成為平面狀態的狀態，於保護薄膜角落貼附黏著膠帶，自角落部分剝離保護薄膜。組記號D以外之乾薄膜的保護薄膜之剝離，係以手指剝開切割後之乾薄膜的角落部分之保護薄膜，設立剝離起點，之後，可容易地將保護薄膜與附光波導用樹脂之載體基材剝離。但是，組記號D之乾薄膜中，以此方法時，光波導用樹脂的一部分會附著於保護薄膜，無法使用，因此使用減壓吸附板。

(實施例5)

乾薄膜E-E-2CL係熱硬化型之包殼用樹脂，因此使上包殼硬化的條件相異。將上包殼疊層後，進行140℃、30分鐘加熱處理後，進行160℃、1小時之加熱處理使其硬化，製作於電氣基板用層合板上形成光波導，進而於其表面上形成有銅箔的樣品。接著，將載體基材CUF之載體銅箔(厚度18μm)剝離去除，將接著於上包殼樹脂的厚 度3μm之銅箔，藉由以蝕刻阻劑進行遮蔽/圖型曝光/顯影，形成電氣電路，施以鍍銅使銅層厚度成為12μm。對此樣品與實施例1同樣地進行損失評估，光波導之孔隙觀察，係將銅電路蝕刻去除，於成為銅箔錨點(anchor)之模製品形狀而經粗化的樹脂表面，以與以實施例5之A-E-1CL形成下包殼為相同條件將A-E-1CL疊層/硬化，使表面平坦化來觀察。對與孔隙觀察及損失評估不同的樣品施以鍍敷處理，將銅層厚度調整為12μm的樣品，以一般方法實施銅箔之剝離強度後，係0.69N/mm。

(實施例6及比較例2)

乾薄膜之組記號F，亦即F-A-1CL、F-A-CO、F-A-2CL；與組記號H，亦即H-A-1CL、H-A-CO、H-A-2CL，係與此等以外的乾薄膜之疊層條件相異。進一步地，光波導用樹脂，因為係自由基硬化型，受到氧所致的硬化阻礙故硬化條件相異、或因為係具有羧基之丙烯酸樹脂系，故顯影條件相異。F-A-1CL及H-A-1CL之疊層條件，係以V130，到達加熱溫度65℃、1hPa以下之真空後保持15秒後，以0.3MPa加壓60秒。之後至硬化為止的條件，係不剝離所得之乾薄膜疊層品的載體基材即PET薄膜而保留，進行140℃、15分鐘加熱處理，放冷至室溫，之後，對載體基材側照射來自超高壓水銀燈之活性能量線(UV光)，使於365nm成為2000mJ/平方公分之光量，將載體基材之PET薄膜予以剝離去除，而後進行160℃、30分 鐘之熱處理，結束樹脂硬化。F-A-CO及H-A-CO之疊層條件，係與下包殼之F-A-1CL、H-A-1CL相同。而後之核心形成條件，係在保留所得之乾薄膜疊層品之載體基材即PET薄膜之情況下，進行120℃、20分鐘加熱處理(平坦化)後，透過已敘述之負型遮罩，對核心用樹脂側照射來自超高壓水銀燈之活性能量線(UV光)使於365nm成為1500mJ/平方公分之光量，將載體基材剝離去除，藉由以1質量%之碳酸鈉水溶液進行顯影處理，將核心用樹脂之未曝光部分溶解去除，水洗，以0.5質量%之硫酸水溶液洗淨，進一步水洗後，將表面之水分進行吹氣，於100℃乾燥10分鐘後，以於365nm為1000mJ/平方公分之光量照射已敘述之UV光，進一步於150℃加熱30分鐘，藉以於下包殼上形成核心圖型。F-A-2CL及H-A-2CL之形成條件，係以V130，到達加熱溫度90℃、1hPa以下之真空後，保持15秒後，以0.3MPa加壓90秒。之後，不剝離所得之乾薄膜疊層品之載體基材即PET薄膜而予以保留，進行140℃、15分鐘加熱處理，放冷至室溫，之後，自載體基材側照射已敘述之UV光，使於365nm成為2000mJ/平方公分之光量，將載體基材之PET薄膜予以剝離去除，而後進行160℃、30分鐘之熱處理，結束樹脂硬化。

由實施例1~6、比較例1~2之結果，可知若保護薄膜之與光波導用樹脂接觸的面之面粗度為粗化面時，則可減低所得之光波導的平均損失及光波導的不良率。進 一步地，若該面粗度係SRa：0.1~1μm且SRz：1~10μm時，顯示保護薄膜之剝離容易、且可進一步減低平均損失及光波導之不良率。又，藉由使用金屬箔(銅箔)作為上包殼之載體基材，可於上包殼上直接形成銅電路。

本實施例中，係使用兩面貼銅基板之蝕去品作為平面狀物體，但藉由使用已形成電氣電路且一併具有具備用以特定形成光波導核心之位置的功能之圖型(對準標記)的多層配線板，可得到光電複合配線板。

(實施例7)

作為於光波導兩面配置有可撓薄膜的構造之可撓光波導之製造例子，可舉例於PET薄膜上形成下包殼層，於該包殼面形成核心，於其上形成上包殼，同時使與PET薄膜的接著硬化結束。

於此例子中，接觸於包殼用材料之載體基材，最終係為了保護/補強可撓光波導，而作為薄膜在與包殼層堅固地接著的情況之下使用，此點係與已敘述之實施例相異。因此，本實施例之下包殼用之材料，雖為乾薄膜形狀，但因為不剝離去除載體基材而直接使用，故不進行將下包殼用材料疊層於平面狀物體。因而，為了明確表示與疊層於平面狀物體來使用的本發明之乾薄膜的相異處，本實施例之下包殼用材料不表記為乾薄膜，而表示為附薄膜之下包殼。

於實施例1使用之A-E-1CL之製造中，將塗 漆E-CL塗覆於A4100時，係對A4100之易接著面塗覆/乾燥塗漆，疊層保護薄膜E-201F，而得到附薄膜之下包殼(光波導用樹脂厚10μm)。又，於實施例1中使用之A-E-2CL之製造中，將塗漆E-CL塗覆於A4100時，除了對A4100之易接著面塗覆/乾燥塗漆以外，係與A-E-2CL的情況同樣方式製造，製作乾薄膜I-E-2CL(光波導用樹脂厚度45μm)。

於厚度1mm、長寬130mm×100mm之玻璃板，配置切割為同尺寸的兩面接著膠帶(寺岡製作所製之型號：7692。接著層厚度47μm。強接著面之黏著力為8.8N/25mm、弱接著面之黏著力為0.5N/25mm)之強接著面，藉由真空疊層機V130，以與實施例1之疊層A-E-1CL的條件相同條件疊層之後，於剝離兩面接著膠帶之第2面的剝離紙而出現的弱接著面，配置切割為130mm×100mm之尺寸的前述附薄膜之下包殼之PET面，以與玻璃及7692之疊層相同條件進行真空疊層。自貼合於玻璃板之附薄膜之下包殼，剝離去除保護薄膜E-201F，進行140℃、15分鐘之加熱處理(平坦化)，放冷至室溫，之後，以於365nm為2000mJ/平方公分的光量照射來自超高壓水銀燈之活性能量線(UV光)，接著進行140℃、30分鐘之熱處理，結束樹脂硬化。測定該樹脂表面之面粗度的結果，SRa為0.05μm、SRz為0.78μm。如此所得之於表面具有下包殼層的物體，係用以於之後疊層核心用乾薄膜(A-E-CO)之平面狀物體。

於該平面狀物體之上，以與於實施例1中形成核心時相同的條件形成核心。於該形成核心後的平面狀物體上形成上包殼。上包殼係使用前述之包殼用乾薄膜I-E-2CL，以與實施例1中形成上包殼時自疊層起至UV曝光為止的條件相同的條件處理，不剝離載體基材即A4100，進行150℃、30分鐘之熱處理，結束樹脂硬化。

之後以切割刀，自光波導側與核心之延伸方向垂直地，以核心長成為100mm的方式，於兩面接著膠帶與PET之界面的5μm下(刀尖侵入兩面接著膠帶5μm的位置)，於由PET薄膜-光波導層-PET薄膜所成之複合體即可撓光波導切出切口。之後，於兩面接著膠帶之弱接著面與PET薄膜之間剝離，得到於光波導層之兩面配置/接著有PET薄膜作為補強層的光波導核心長度10cm之可撓光波導。

針對與實施例1同樣方式製作之3枚工件進行評估。以前述方法觀察該可撓光波導之孔隙後，未觀察到孔隙，評估為◎。又，導波損失評估，係將寬度(光波導長)100mm之可撓光波導以弱黏著膠帶固定於寬度98mm之基板上，與實施例1同樣方式進行。此結果，係平均導波損失為0.068dB/cm、不良率為0%。

藉由本實施例，能夠以高良率製造極低損失且可撓的光波導，藉由於兩端配置光纖用之連接器，能夠以低價格實現於伺服器或路由器、超級電腦等之容納於機架(rack)的機板之間傳輸光資訊之可撓且核心密度高的 傳輸路徑。

(實施例8)

實施例8中，係將形成於可剝離之臨時基板上的光波導予以剝離，僅得到光波導。

作為用以製作光波導之平面狀物體，係將厚度1mm之不含紫外線吸收劑的聚碳酸酯(PC)板切割為130mm×100mm。以敘述過的方法測定該PC板表面之面粗度後，SRa為0.06μm、SRz為0.92μm。於該基板(平面狀物體4)上，將下包殼用之乾薄膜即A-E-1CL以與實施例1相同條件進行加工，形成下包殼。以敘述過的方法測定該下包殼表面之面粗度後，SRa為0.05μm、SRz為0.75μm。將於如此方式所得之PC板上形成有下包殼層的平面狀物體，使用於接下來的核心形成用。

接著，於形成有下包殼層的平面狀物體之上，將核心用之乾薄膜即A-E-CO以與實施例1相同條件進行疊層及熱處理。以敘述過的方法測定核心用之樹脂層表面之面粗度後，SRa為0.06μm、SRz為0.87μm。

接著，與實施例1同樣方式進行核心的圖型化，於形成有核心的平面狀物體之上，作為上包殼，使用乾薄膜A-E-2CL以與實施例1之上包殼相同條件形成。

將如此方式所得之PC板上所形成的光波導，與實施例7同樣地以切割刀於核心長10cm之位置，於刀片的刀尖侵入PC板5μm的位置切割，於光波導層切出切 口。將黏著膠帶接著於光波導面，藉由將其拉起，使PC板與光波導剝離，得到僅有光波導之薄膜。對此薄膜與實施例7同樣地進行評估，結果未觀察到孔隙，評估為◎，導波損失之平均值為0.064dB/cm、不良率為0%。

依照本實施例，能夠以高良率製造僅由上下之包殼與核心所成，厚度極薄，且低損失之光波導薄膜。且藉由將光連接器構裝於核心之兩端部，可得到能夠以高密度進行機板間之光資訊傳輸的光傳輸材料。

本申請案係以2013年9月27日申請之日本國專利申請案特願2013-202046為基礎，其內容包含於本案中。

為了表現本發明，前述係參照了圖式等同時透過實施形態適切且充分地說明了本發明，但只要是所屬技術領域中具有通常知識者應認識到將前述之實施形態予以變更及/或改良係可容易為之。因此，所屬技術領域中具有通常知識者所實施之變更形態或改良形態，只要係不脫離申請專利範圍所記載的請求項之權利範圍的等級者，該變更形態或該改良形態係解釋為包括在該請求項之權利範圍中。

〔產業上之可利用性〕

本發明於光波導與其製造方法、及光波導用乾薄膜等之技術領域中，具有廣泛的產業上可利用性。

10‧‧‧下包殼層形成用乾薄膜

11‧‧‧載體基材

12‧‧‧光波導(下包殼)用樹脂層

13‧‧‧保護薄膜

Claims (10)

1. 一種光波導用乾薄膜，其係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之面為粗化面。
2. 如請求項1之光波導用乾薄膜，其中，前述載體基材(A)係樹脂薄膜或金屬箔，前述保護薄膜(C)係熱可塑性樹脂薄膜，而且，前述保護薄膜(C)之前述粗化面的粗度，以算術平均粗度(SRa)計係0.1~1μm、且以十點平均粗度(SRz)計係1~10μm。
3. 如請求項1之光波導用乾薄膜，其中，前述光波導用樹脂層(B)，係含有具有環氧基之化合物、與可藉由活性能量線照射使前述化合物之環氧基反應而硬化的光硬化起始劑。
4. 如請求項1之光波導用乾薄膜，其中，前述光波導用樹脂層(B)，係含有具有乙烯性雙鍵之化合物、與可藉由活性能量線照射使該化合物之乙烯性雙鍵反應而硬化的光硬化起始劑。
5. 一種光波導之製造方法，其係使用如請求項1之光波導用乾薄膜的光波導之製造方法，其特徵為，以下述順序進行以下步驟：準備平面狀物體(D)之步驟、將如請求項1之光波導用乾薄膜之保護薄膜(C)剝 離的步驟、在維持剝離前述光波導用乾薄膜之前述保護薄膜(C)後的光波導用樹脂層(B)表面之粗度的情況下，將前述光波導用樹脂層(B)與前述平面狀物體(D)予以抵接，在減壓下加熱加壓而進行貼合之步驟、以及以活性能量線或熱使光波導用樹脂層(B)之一部分或整面硬化之步驟。
6. 如請求項5之光波導之製造方法，其中，前述平面狀物體(D)，係電氣配線用基板、或於其上形成有光波導構成構件的電氣配線用基板。
7. 如請求項5之光波導之製造方法，其中，前述平面狀物體(D)，係具有撓曲性，且不含電氣配線、或最終不形成電氣配線的薄膜狀材料、或於其上形成有光波導構成構件的該薄膜材料。
8. 如請求項5之光波導之製造方法，其中，前述平面狀物體(D)，係金屬箔、或於其上形成有光波導構成構件的金屬箔。
9. 如請求項5之光波導之製造方法，其中，前述平面狀物體(D)，係形成光波導層之全部或一部分後，能夠與前述光波導層剝離的臨時基板、或於其上形成有光波導構成構件的前述臨時基板。
10. 一種藉由如請求項5~9中任一項之方法所製造之光波導、或包含該光波導之具有資訊傳輸功能之基板或構件。