JP6048033B2 - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光導波路及びその製造方法に関する。本発明は、特に、下部クラッド層が光信号の伝搬方向の一方から他方に進むにつれて厚みが厚くなる下部テーパー部を有し、コア部が下部テーパー部に積層された部分において、伝搬方向の他方から一方に進むにつれて厚みが厚くなるコアテーパー部を有する光導波路及びその製造方法に関する。

情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信の分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理の分野にも光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。具体的には、光インターコネクション技術は、ルータやサーバ装置内のボード間又はボード内の電子部品間の短距離信号伝送に、電気的なノイズの影響を受けない光を用いる。このため、光インターコネクション技術は、光が伝搬する光伝送路として、光ファイバに比べ、光伝送路の設計自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いる。

また、光導波路は、光が伝搬するコア部を有し、コア部の両端は、光が入射する受光部と、光を発射させる発光部とされる。光導波路は、光学製品のデバイスとして用いられる際、例えば、光ファイバ、フォトダイオード、レーザーダイオード等の光学素子と接続して用いられることがある（例えば、特許文献１）。
コア部をコアパターンで形成する場合、そのコアパターンの厚みを増減させる方法としては、所定の部分を削ったコア層形成用樹脂フィルムを基板に形成して、所定の部分が薄いコアパターンを形成する方法がある（例えば、特許文献２）。

しかし、この方法では、コアパターンにおける厚さの厚い部分のコア中心位置が、薄い部分のコア中心位置より、下部クラッド層から離れてしまう。このため、例えば、コアパターンの厚さが厚い部分に光路変換ミラーを形成し、光路変換ミラーを介してコアパターン内を伝搬する光信号を下部クラッド層側に光路変換させる場合、又は、光路変換ミラーを介して下部クラッド層側からの光信号をコアパターン内に伝搬するよう光路変換させる場合、コア中心位置が下部クラッド層から遠くなるので、光損失の原因となっていた。
さらに、基板上に複数のコアパターンを形成すると、基板の表面からコアパターンの最も厚い部分の位置を認識することは難しいので、最も厚い部分に光路変換ミラーや端面の切り出しなどを精度よく形成することが難しいという課題があった。

特開２００１−４２１４９号公報 特許第４６７９５８２号

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、コアパターンの厚い部分のコア中心高さをコアパターンの薄い部分より下部クラッド層側に近づけた光導波路を提供すること、及び、厚み方向に傾斜しているテーパー部を有するコアパターンにおいて厚みの厚い部分の位置を容易に認識することができる光導波路及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る光導波路及びその製造方法は、以下のとおりである。
［１］ 下部クラッド層と、
前記下部クラッド層に積層され、光信号が伝搬するコア部と、を備え、
前記下部クラッド層は、前記光信号が伝搬する伝搬方向の一方から他方に進むにつれて厚みが厚くなる下部テーパー部を有し、
前記コア部は、前記下部テーパー部に積層された部分において、前記伝搬方向の他方から一方に進むにつれて厚みが厚くなるコアテーパー部を有する、光導波路であって、
さらに、前記光導波路の下部クラッド層側に基板と、
前記下部クラッド層において、前記コア部とは反対の面側に形成された突起部とを備え、
前記コア部のうち、前記突起部の近傍の厚みが、それ以外の厚みより厚い、光導波路。
［２］ 前記基板がフレキシブルな基材で形成されている、［１］に記載の光導波路。
［３］ 前記下部クラッド層のうち、前記突起部の近傍の厚みが、それ以外の厚みより薄い、［１］又は［２］に記載の光導波路。
［４］ 前記突起部が透明な材料で形成されている、［１］から［３］のいずれかに記載の光導波路。
［５］ 前記突起部が感光性樹脂で形成されている、［１］から［４］のいずれかに記載の光導波路。
［６］ 前記コア部がコアパターンである、［１］から［５］のいずれかに記載の光導波路。
［７］ 前記コアパターンが、さらに、幅方向に広がる幅テーパー部を有する形状である、［６］に記載の光導波路。
［８］
さらに、前記コア部の厚み方向において、前記突起部の上の前記コア部に形成された光路変換ミラーを備える、［１］から［７］のいずれかに記載の光導波路。
［９］ 前記基板は、基板本体と前記基板本体に積層された接着層とを有する、［１］から［８］のいずれかに記載の光導波路。
［１０］ 前記基板が、開口部を有し、前記接着層と前記突起部とが、前記開口部を介して接続されている、［９］に記載の光導波路。
［１１］ 前記基板の一方の表面に前記突起部を形成する突起部形成工程と、
前記突起部形成工程の後に、前記基板の他方の表面に下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層して、前記下部クラッド層を形成する下部クラッド層形成工程と、
前記下部クラッド層上に前記コア部を形成するコア部形成工程とを含み、
前記下部クラッド層形成工程は、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する際に、前記突起部を前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムの方向へ押し込む押込工程を有する、［１］から［７］のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
［１２］ 前記コア部形成工程において、前記コア部がコアパターンである、［１１］に記載の光導波路の製造方法。
［１３］ 前記下部クラッド層形成工程は、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する際に、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムの上面を平坦化する工程を有する、［１１］又は［１２］に記載の光導波路の製造方法。
［１４］ 前記コア部形成工程は、前記下部クラッド層にコア層形成用樹脂フィルムを積層するコア層積層工程を有し、前記コア層積層工程において、前記基板において、前記突起部が形成されている表面側にクッション性フィルムを配置する、［１１］から［１３］のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
［１５］ 前記下部クラッド層形成工程を、前記突起部形成工程の後に行う、［１１］から［１４］のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
［１６］ 前記光導波路において、前記基板は、基板本体と前記基板本体に積層された接着層とを有し、
光導波路の製造方法において、さらに、前記突起部形成工程の前に、前記基板に開口部を形成する開口部形成工程を含み、
前記突起部形成工程は、前記基板の一方の表面に突起部形成用樹脂フィルムと他方の表面に接着層形成用樹脂フィルムとを同時に積層し、フォトリソグラフィ加工によって前記突起部と前記接着層とを同時に形成する、［１１］から［１５］のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
［１７］ 前記光導波路において、さらに、前記コア部の厚み方向において、前記突起部の上の前記コア部に形成された光路変換ミラーを備え、
光導波路の製造方法において、さらに、前記コア部形成工程の後に、前記光路変換ミラーを形成するミラー形成工程を含む、［１１］から［１６］のいずれかに記載の光導波路の製造方法。

本発明によれば、コアパターンの厚い部分のコア中心高さをコアパターンの薄い部分より下部クラッド層側に近づけた光導波路及びその製造方法を提供することができる。また、厚み方向に傾斜しているテーパー部を有するコアパターンにおいて厚みの厚い部分の位置を容易に認識することができる光導波路及びその製造方法を提供することができる。

本発明に係る第１実施形態の光導波路を示す一部を省略した斜視図である。 図１に示す光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図２に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図３に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図４に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 本発明に係る第２実施形態の光導波路を示す一部を省略した斜視図である。 図６に示す光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図７に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図８に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 本発明に係る第３実施形態の光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図１０に示す光導波路の製造方法を説明する側面図である。 図１１に続く光導波路の製造方法を説明する側面図である。 本発明に係る第４実施形態の光導波路を示す一部を省略した平面図である。 本発明に係る第５実施形態の光導波路を示す一部を省略した平面図である。 本発明に係る第６実施形態の光導波路を示す一部を省略した平面図である。

図１を参照して、本発明に係る第１実施形態の光導波路１００を説明する。
図１に示すように、光導波路１００は、基板１０と、基板１０に積層された下部クラッド層２１と、下部クラッド層２１に積層され、光信号が伝搬するコア部の一実施形態であるコア層２２と、コア層２２を覆うように下部クラッド層２１の上方に積層された上部クラッド層２３と、コア層２２の端面２２ｂを覆うように形成された光路変換ミラー４０と、突起部６０とを備える。コア層２２における、突起部６０の近傍である突起部近傍部分２２ｄの厚みｔは他の部分より厚い。つまり、コア層２２は、光信号が伝搬する伝搬方向Ｌにおいて、突起部近傍部分２２ｄから離れる方向に進むにつれて厚みｔが薄くなるコアテーパー部２２ｃを有する。

基板１０は、基板本体１１と接着層１２とを備える。基板１０の一方の表面１０ａに下部クラッド層２１が積層配置され、他方の表面１０ｂには突起部６０が配置されている。
基板本体１１は、光導波路１００の製造工程中に、基板本体１１が図３に示すような変形が可能なように、変形が容易な樹脂で形成された板状の基材で形成されている。基板本体１１は、透過性のある材料で形成されていることが好ましい。基板本体１１は、例えば、柔軟性及び強靭性のあるフレキシブル基板を用いることが好ましく、さらに、クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムを基板として用いることが好ましい。

基板本体１１の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。
基板本体１１の厚さは、基板本体１１が変形し得る範囲内であれば特に制限はないが、５μｍ〜５００μｍであることが好ましい。基板本体１１が容易に変形するよう、基板本体１１の厚さは、１０μｍ〜５０μｍであることが好ましい。基板本体１１の厚さを薄くすると、急峻なコアテーパー部２２ｃを有するコア層２２を形成することができる。基板本体１１の厚さを厚くすると、緩やかなコアテーパー部２２ｃを有するコア層２２を形成することができる。このため、コアテーパー部２２ｃの角度が所望の角度になるよう、基板本体１１の厚さを適宜調整することが好ましい。
また、基板本体１１を低い弾性率の材料で形成すると、急峻なコアテーパー部２２ｃを有するコア層２２を形成することができる。基板１０を高い弾性率の材料で形成すると、緩やかなコアテーパー部２２ｃを有するコア層２２を形成することができる。このため、コアテーパー部２２ｃの角度が所望の角度になるよう、基板本体１１の弾性率を適宜調整することが好ましい。基板本体１１の弾性率を２００ＭＰａ〜２０ＧＰａの範囲内にすると、０．０５〜２．０ＭＰａ程度の圧力を基板本体１１に与えるだけで、基板本体１１を変形させることができる。

接着層１２は、基板１０と下部クラッド層２１との間の密着性を高めるために、基板本体１１の一方の表面に形成されている。
接着層１２の種類としては特に限定されないが、両面テープ、ＵＶ硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材など、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられるが、基板本体１１の変形時に、基板本体１１と同様に接着層１２も変形する材料であることが好ましい。
基板１０と下部クラッド層２１との間に接着性がある場合には接着層１２はなくてもよい。

突起部６０は、基板１０の両表面のうち下部クラッド層２１が形成された表面１０ｂとは反対の表面１０ａに形成されている。突起部６０は、基板１０を変形し得る大きさであればよく、伝搬方向Ｌと直角の方向である基板１０の幅方向Ｗの寸法と同じ程度の寸法を有し、基板１０の他方の表面１０ａの中央に伝搬方向Ｌを横切るように形成されている。
突起部６０の形状は特に限定はなく、円柱状、多角形柱状、曲面の凸状、階段状であってもよく、ドット状、線状、リング状等のパターン形状であってもよい。コアテーパー部２２ｃが緩やかになるよう、突起部６０の形状を、曲面を持つ凸状、階段等の形状とすることが好ましい。

突起部６０の厚さ（基板１０の表面１０ａに直角の方向の寸法）は、特に限定はないが、コア層２２が所望するテーパー量（コア層２２の樹脂の最大厚みと最小厚みの差）、下部クラッド層２１、基板１０の厚み、基板１０の弾性率によって適宜選択される。なお、コア層２２のテーパー量は、後述するように、下部クラッド層２１のテーパー量（下部クラッド層２１の樹脂の最大厚みと最小厚みの差）に依存する。
突起部６０の厚さは、コア層２２のテーパー部を形成する樹脂の厚みを超えない範囲で、０．５μｍ〜１００μｍであるとよく、突起部６０の厚みを｛（所望するテーパー量）＋（基板１０の変形時の厚み変化量）｝にすると、所望のテーパー量を有するコアテーパー部２２ｃが得られる。また、平面基板７０（図３参照）を用いて基板１０を変形させる場合には、突起部６０の厚みを｛（所望するテーパー量）＋（基板１０の変形時の厚み変化量）＋（平面基板７０の厚み方向の変形量）｝にすると、所望のテーパー量を有するコアテーパー部２２ｃを得ることができる。
突起部６０の厚みは、平面基板７０のほかに、樹脂フィルムに用いられるキャリアフィルム、基板１０の変形時に厚み方向における厚さが変化したり変形したりする材料がある場合には、その変化量や変形量を突起部６０の厚みに加算することが好ましい。

突起部６０が高い位置精度で基板１０の表面１０ａに形成されるよう、突起部６０を感光性のレジストパターン、金属パターンなどで形成することが好ましい。
突起部６０の材質としては、特に制限はなく、基板１０の中央に外力を作用させて基板１０を変形させ得る際に生じる弾性力に耐え得る材料であることが好ましい。
また、突起部６０の材質としては、光導波路１００のコア層２２を伝搬する光信号の信号波長に対して透明である材料であることが好ましい。光路変換ミラー４０で反射された光信号が突起部６０を透過するよう、突起部６０を透明な感光性レジストパターンで形成することが好ましい。
また、突起部６０の材質として透明性がない金属パターン等を用いる場合には、光路変換ミラー４０によって偏向された光信号が突起部６０に干渉しないように、突起部６０は開口したリング形状とすることが好ましい。

下部クラッド層２１は、基板１０の厚さ方向から見た場合において、基板１０と略同じ大きさを有し、基板１０の表面１０ｂに積層されている。下部クラッド層２１は、基板１０の厚さ方向から見た場合において突起部６０が位置する近傍の部分である突起部近傍部分２１ｄの厚さが他の部分より薄い。換言すると、下部クラッド層２１は、突起部近傍部分２１ｄの上面が凹んでいる形状を有する。したがって、下部クラッド層２１は、突起部近傍部分２１ｄから光信号が伝搬する伝搬方向Ｌに進むにつれて、下部クラッド層２１の厚みｕが厚くなる下部テーパー部２１ｃを有する。下部クラッド層２１は、寸法安定性がありかつ厚さのある材料で形成されることが好ましい。

コア層２２は、基板１０の厚さ方向から見た場合において、下部クラッド層２１と略同じ広さを有し、下部クラッド層２１に積層されている。下部クラッド層２１の突起部近傍部分２１ｄの上面が凹んでいるので、コア層２２の上面が平坦になるよう、突起部近傍部分２１ｄに積層された部分である突起部近傍部分２２ｄの厚さが厚い下に凸の形状を有する。このため、突起部６０が形成されている突起部近傍部分２２ｄのコア層２２の厚みｔは、それ以外の厚みよりも厚い。コア層２２は、突起部近傍部分２２ｄから光信号が伝搬する伝搬方向Ｌに進むにつれて、コア層２２の厚みが薄くなるコアテーパー部２２ｃを有する。伝搬方向Ｌにおけるコア層２２の両端面のうち、端面２２ａは露出し、端面２２ｂには光路変換ミラー４０が形成されている。

コア層２２において、厚みの厚い突起部近傍部分２２ｄの中心位置が、厚みの薄いコアテーパー部２２ｃやそれ以外の部分の中心位置よりも、下部クラッド層２１側に寄っている。このため、例えば、コア層２２の厚い突起部近傍部分２２ｄに光路変換ミラー４０を形成し、基板１０において、光路変換ミラー４０を介して下部クラッド層２１側からの光信号をコア層２２の内部を伝搬するように光路変換させる場合、コア層２２の中心高さが、コア層２２の薄い部分より下部クラッド層２１に近づけることができる。換言すると、光信号が下部クラッド層２１を通過する距離を短くすることができる。このため、下部クラッド層２１における透過損失を低減させることができ、光損失を低減させることができる。

また、コア層２２の厚みが小さい部分の端面２２ａから光信号を入射し、コア層２２の厚みが厚い突起部近傍部分２２ｄを介して端面２２ｂに向けて光信号が伝搬することによって、コア層２２から出射される光信号の広がり角を小さくすることができる。これにより、出射部より遠い場所に、受光素子や受光用の光ファイバなどの受光器を設置した際に、光導波路と受光器間の結合損失を低減することができる。
スポット径又は広がり角の拡縮はトレードオフの関係にあるが、使用する受光器の種類や、位置によって適宜用いることができる。これにより、例えば、コア層２２の厚い突起部近傍部分２２ｄに光路変換ミラー４０を形成し、コア層２２内を伝搬した光信号を下部クラッド層２１がある側に光路変換させる場合、より遠い位置に設置した受光素子と光路変換ミラー４０との間の距離が短くなるため、光損失を低減できる光導波路を得ることができる。

上部クラッド層２３は、コア層２２を覆うように下部クラッド層２１の上方に積層されている。

下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３は、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムで形成することが好ましい。
コア層２２は、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成することが好ましい。コア層形成用樹脂は、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３より高屈折率であることが好ましい。

クラッド層形成用樹脂としては、コア層２２より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。
下部クラッド層２１は、下部クラッド層２１が変形された形状を保持することができるよう、光硬化性がある材料で形成することが好ましい。クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３において、樹脂組成物に含有する成分が互いに同一であったり異なっていたりしてもよく、また、樹脂組成物の屈折率が互いに同一であったり異なっていたりしてもよい。

下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３の形成方法は特に限定されず、例えば、クラッド層形成用樹脂の塗布又はクラッド層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成することが好ましい。例えば、樹脂組成物を溶媒に溶解して、キャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムを容易に製造することができる。

下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３は、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３を乾燥させた状態において、５μｍ〜５００μｍの範囲の厚みであることが好ましい。コア層２２を伝搬する光信号がコア層２２に閉じ込められるよう、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３の厚みを５μｍ以上にすることが好ましい。また、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３の膜厚を容易に均一に制御することできるよう、膜厚を５００μｍ以下にすることが好ましい。また、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３は、１０μｍ〜１００μｍの範囲内の厚みであることがより好ましい。

コア層形成用樹脂フィルムの厚みについては特に限定されず、乾燥後のコア層２２の厚みは、通常、１０〜１００μｍであることが好ましい。コア層形成用樹脂フィルムの厚みが１０μｍ以上であると、形成された光導波路１００と受発光素子又は光ファイバとの結合において、受発光素子又は光ファイバの位置合わせトレランスが拡大する。乾燥後のコア層２２の厚みが１００μｍ以下であると、形成された光導波路１００と受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上する。コア層形成用樹脂フィルムの厚みは、さらに、３０〜７０μｍの範囲であることが好ましい。

クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムはキャリアフィルム上に形成することが好ましい。キャリアフィルムの種類としては、柔軟性及び強靭性のあるキャリアフィルムが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。キャリアフィルムの厚みは、５μｍ〜２００μｍであることが好ましい。キャリアフィルムの厚みが５μｍ以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすい。キャリアフィルムの厚みが２００μｍ以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンを形成することができる。キャリアフィルムの厚みは、１０μｍ〜１００μｍの範囲であることがより好ましく、１５〜５０μｍであることが特に好ましい。

光路変換ミラー４０は、コア層２２を伝搬する光信号を基板１０がある方向に光路変換させたり、基板１０の垂直方向からの光信号を伝搬方向Ｌに光路変換させたりすることができるよう、下部クラッド層２１、コア層２２及び上部クラッド層２３を一体的に削られて形成されたＶ溝３０の側面に形成されている。光路変換ミラー４０は、Ｖ溝３０の側面に露出した、コア層２２の端面２２ｂを覆うように、Ｖ溝３０の側面に形成されている。光路変換ミラー４０は、４０〜５０°の斜面であることが好ましく、４５°の斜面であることがより好ましい。また、光路変換ミラー４０に蒸着装置を用いて、金等の金属を蒸着し、反射金属層を備えた光路変換ミラー４０としてもよい。

次に光導波路１００の製造方法を図２から図５を用いて説明する。
図２を参照して、基板１０の表面１０ａに突起部６０を形成する突起部形成工程を説明する。
下部クラッド層２１が形成された表面１０ｂとは反対の表面１０ａに突起部６０を形成する。突起部形成工程は、後述する下部クラッド層形成工程の前でも後でも同時でもよいが、下部クラッド層２１の厚み量の変化（膜減り）が抑えられるよう、下部クラッド層形成工程の後に突起部形成工程を行うことが好ましい。
突起部６０の形成方法は、基板１０の表面１０ａから突出した形状を形成することができれば特に限定されない。
突起部６０は、例えば、突起部形成用樹脂を基板１０の表面１０ａに形成した後に、凹版にて基板１０の表面１０ａに突起部６０を形成する方法で形成してもよい。
また、突起部６０は、凹版を基板１０の表面１０ａに押して、基板１０の表面１０ａを変形させる方法で形成してもよい。
また、突起部６０は、突起部形成用樹脂を基板１０の表面１０ａに形成した後に、フォトリソグラフィ加工によってパターン化する方法で形成してもよい。フォトリソグラフィ加工によって形成する場合には、工程数が低減するよう、下部クラッド層形成工程と突起部形成工程とを同時に行うことが好ましい。具体的には、基板１０の一方の表面１０ｂに下部クラッド層形成用樹脂層を、もう一方の表面１０ａに突起部形成用樹脂層を同時に形成し、突起部形成用樹脂層に露光を行った後に、エッチングによって突起部６０を形成する。

図３を参照して、基板１０上に下部クラッド層２１を形成する下部クラッド層形成工程を説明する。
下部クラッド層２１の形成方法としては特に限定はないが、下部クラッド層形成用樹脂をスピンコータ、コンマコータ、ダイコータ等を用いて基板１０上に塗布したり、あらかじめキャリアフィルム上に塗工したドライフィルム形状の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを、ロールラミネータ、真空ロールラミネータ、真空ラミネータ、常圧プレス、真空プレス等を用いてラミネート形成したりする。コア層２２の形成時に下部クラッド層２１の厚み量の変化（膜減り）が抑制するよう、必要に応じて下部クラッド層２１を光や熱によって硬化させることが好ましい。
下部クラッド層２１の形成方法としては特に限定はないが、下部クラッド層形成用樹脂をスピンコータ、コンマコータ、ダイコータ等を用いて基板１０の表面に塗布する方法や、あらかじめキャリアフィルム上に塗工したドライフィルム形状の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを、ロールラミネータ、真空ロールラミネータ、真空ラミネータ、常圧プレス、真空プレス等を用いてラミネート形成してもよい。
そして、下部クラッド層形成用樹脂を積層すると同時又は後に、基板１０の表面１０ａのうち突起部６０が形成されている部分が凹むように、突起部６０を下部クラッド層２１側に押し込む。これにより、基板１０において、突起部６０がある部分に対応する中央部分ａが押し上げられ、中央部分ａの近傍部分ｂの表面がテーパー形状になる。つまり、基板１０は、中央部分ａを天辺とする凸状に変形する。このとき基板１０が塑性変形したとしても、下部クラッド層２１は凹んだ状態となるため、テーパー形状を形成できるため問題はないが、変形する基板１０の方が、基板１０の寸法安定性の観点から好ましい。
基板１０を、凸状に変形させた状態で、突起部近傍部分２１ｄが薄くなるよう、下部クラッド層形成用樹脂を塗布し、その上面を平坦化する。これにより、下部クラッド層２１の上面が平坦になる。そして、下部クラッド層形成用樹脂を硬化させて下部クラッド層２１を形成する。このとき、基板１０の中央部分ａに積層された下部クラッド層２１の部分は突起部近傍部分２１ｄとされ、その厚さは薄い。また、基板１０の近傍部分ｂに積層された下部クラッド層２１の部分は下部テーパー部２１ｃとされ、その厚さは中央部分ａから離れるに従って厚くなっている。また、下部クラッド層２１の下面の中央は凹んだ状態になっている。

突起部６０を基板１０に押し込む方法は、特に限定はないが、平面基板７０を基板１０のうち突起部６０がある側に設置し、平面基板７０を基板１０側に圧力を作用させる方法であることが好ましい。
図４に示すように、突起部６０を基板１０に押し込むことを辞めると、基板１０は、弾性復元力により、板状に戻る。これに伴い、下部クラッド層２１の突起部近傍部分２１ｄの下面も凹状から平面状になると共に、下部クラッド層２１の突起部近傍部分２１ｄの上面が凹んだ状態になる。

平面基板７０は、光導波路１００を製造する際に用いられる基板であり、基板１０よりも大きい板状部材であることが好ましい。平面基板７０の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられるが、平面基板７０が、基板１０が変形するように、突起部６０を介して基板１０の一部を押し上げる際の圧力で、変形しにくい材料であることが好ましい。特に、平面基板７０は、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板がより好ましい。

図４を参照して、コア層２２を形成するコア部形成工程について説明する。
コア層２２の形成方法としては特に限定はないが、コア層形成用樹脂をスピンコータ、コンマコータ、ダイコータ等を用いて下部クラッド層２１の表面に塗布する方法や、あらかじめキャリアフィルム上に塗工したドライフィルム形状のコア層形成用樹脂フィルムを、ロールラミネータ、真空ロールラミネータ、真空ラミネータ、常圧プレス、真空プレス等を用いてラミネート形成してもよい。
このとき、下部クラッド層２１の突起部近傍部分２１ｄは凹んでいるので、基板１０の中央部分ａの上側に位置するコア層２２の突起部近傍部分２２ｄは厚く、近傍部分ｂの上側に位置するコア層２２のコアテーパー部２２ｃは、基板１０の中央部分ａから離れるに従って薄くなり、基板１０の近傍部分ｂより外側の部分は薄い。
コア層形成用樹脂を積層する際、又は後に、コア層２２上面を平坦化させることにより、コア層形成用樹脂を下部クラッド層２１の下部テーパー部２１ｃの形状に効率的に追従させコア層２２の厚みを変化させることができる。
このとき、突起部６０側に柔軟なクッション性のフィルムを配置するとなお良い。クッション性のフィルム材としては、突起部６０を埋め込み、基板１０の変形を抑制可能であれば特に限定はないが、ポリエチレン、ラバー、シリコンラバー、クラッド層形成用樹脂フィルム、コア層形成用樹脂フィルム、各種スポンジ状の材料等が好適に挙げられる。クッション性のフィルム材の厚みは特に制限はないが、突起部６０の厚み以上の厚みがあると基板１０の変形を抑制できるため、好ましい。クラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いる場合には、クッション性のフィルムをコア層積層時、又は積層後に突起部６０を埋め込むように基板１０上に積層し、その後に、クッション性のフィルムを除去すれば良い。

次に、上部クラッド層２３を形成する上部クラッド層形成工程を説明する。
上部クラッド層２３は、コア層２２の端面２２ａが上部クラッド層２３から露出するように、下部クラッド層２１と同様の方法で形成することが好ましい。

次に、図５を参照して、光路変換ミラーを形成するミラー形成工程について説明する。
ミラー形成工程は、上部クラッド層形成工程又はコア層形成工程の後に、光路変換ミラー４０を形成することが好ましい。
光路変換ミラー４０の形成方法としては、公知の方法を適用することができる。例えば、上部クラッド層２３の上面から、ダイシングソーやレーザアブレーション等を用いてＶ溝３０を形成する。このとき、コア層２２の端面２２ｂが形成され、この端面２２ｂを光路変換ミラー４０として機能させる。
ミラー形成工程においては、突起部６０を位置合わせマーカとして、切削位置決めに用いることによって、コア層２２のうち最も厚みの薄い部分に正確な位置に光路変換ミラー４０を形成することができる。光路変換ミラー４０の角度は、４０〜５０°の斜面であることが好ましく、４５°の斜面であることがより好ましい。また、光路変換ミラー４０を加工した後に蒸着装置を用いて、金等の金属を蒸着し、反射金属層を備えるようにしてもよい。

このように、光導波路１００の製造は、基板１０の一方の表面１０ａに突起部６０を形成する突起部形成工程と、突起部形成工程の後に、基板１０の他方の表面１０ｂに下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層して、下部クラッド層２１を形成する下部クラッド層形成工程と、下部クラッド層２１上にコア部であるコア層２２を形成するコア部形成工程とを含む。ここで、下部クラッド層形成工程は、クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する際に、突起部６０をクラッド層形成用樹脂フィルムの方向へ押し込む押込工程を行う。

これにより、基板１０上に光導波路１００の下部クラッド層２１を形成する際に、基板１０の一部に形成された突起部６０を押し込み方向に押し込む押込工程を行い、基板１０の一部が押し上げられた状態で、下部クラッド層２１の表面を平坦化することにより、下部クラッド層２１において突起部６０によって押し上げられた下部クラッド層２１の一部が他の部分より薄くなり、下部クラッド層２１はテーパー状に形成される。
そして、突起部６０の押し込み深さを調整することによってテーパー状が形成されている下部クラッド層２１の厚さを調整することができ、ひいては、下部クラッド層２１のテーパーの角度を調節することができる。
突起部を押し込む押込工程の後の状態である中央が凹んだ下部クラッド層２１の状態で、コア層２２を形成する。このため、突起部６０付近のコア層２２の厚みが最も厚くなるので、テーパーが形成されたコア層２２の最も厚い部分を容易に特定することができる。

図６を参照して、本発明に係る第２実施形態の光導波路１００ａを説明する。なお、光導波路１００と同じ構成については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図６に示すように、光導波路１００ａは、基板１０と、基板１０に積層された下部クラッド層２１と、下部クラッド層２１に積層され、光信号が伝搬するコア部の別の実施形態であるコアパターン２４と、コアパターン２４を覆うように下部クラッド層２１の上方に積層された上部クラッド層２３と、コア層２２の端面２２ｂを覆うように形成された光路変換ミラー４０と、突起部６０ａとを備える。コアパターン２４における、突起部６０ａの近傍である突起部近傍部分２４ｄの厚みｔは他の部分より厚い。また、コアパターン２４における突起部近傍部分２４ｄの幅は他の部分より広い。コアパターン２４の厚みｔは、光信号が伝搬する伝搬方向Ｌにおいて、突起部近傍部分２４ｄから離れる方向に進むにつれて薄くなり、幅ｗも同様に狭くなるコアテーパー部２４ｃを有する。

基板１０は、基板本体１１と接着層１２とを備える。基板本体１１の厚さは、基板本体１１が変形し得る範囲内であれば特に制限はないが、基板本体１１の厚さを薄くすると、急峻なコアテーパー部２４ｃを有するコアパターン２４を形成することができる。基板本体１１の厚さを厚くすると、緩やかなコアテーパー部２４ｃを有するコアパターン２４を形成することができる。このため、コアパターン２４のコアテーパー部２４ｃの角度が所望の角度になるよう、基板本体１１の厚さを適宜調整することが好ましい。
また、基板本体１１を低い弾性率の材料で形成すると、急峻なコアテーパー部２４ｃを有するコアパターン２４を形成することができる。基板本体１１を高い弾性率の材料で形成すると、緩やかなコアテーパー部２４ｃを有するコアパターン２４を形成することができる。このため、コアテーパー部２４ｃの角度が所望の角度になるよう、基板本体１１の弾性率を適宜調整することが好ましい。基板本体１１の弾性率を２００ＭＰａ〜２０ＧＰａの範囲内にすると、０．０５〜２．０ＭＰａ程度の圧力を基板本体１１に与えるだけで、基板１０を変形させることができる。

突起部６０ａは、伝搬方向Ｌと直角の方向である基板１０の幅方向Ｗの寸法よりも短い寸法を有する。突起部６０ａの形状は、突起部６０と同じように、特に限定はない。また、突起部６０ａの厚さ寸法は、突起部６０と同様、特に限定はない。

下部クラッド層２１のうち、突起部６０ａが形成されている突起部近傍部分２１ｄの厚みｕは、それ以外の厚みよりも薄い。
下部クラッド層２１は、突起部近傍部分２１ｄから光信号が伝搬する伝搬方向Ｌに進むにつれて、下部クラッド層２１の厚みが厚くなる下部テーパー部２１ｃを有する。

コアパターン２４は、下部クラッド層２１より小さい広さを有し、下部クラッド層２１に積層されている。コアパターン２４のうち、突起部６０ａが形成されている突起部近傍部分２４ｄの厚みｔは、それ以外の厚みよりも厚い。同様に、コアパターン２４のうち、突起部６０ａが形成されている突起部近傍部分２４ｄの幅ｗは、それ以外の幅よりも広い。
コアパターン２４は、突起部近傍部分２４ｄから光信号が伝搬する伝搬方向Ｌに進むにつれて、コアパターン２４の厚みが薄くなり、また、幅が狭くなるコアテーパー部２４ｃを有する。
このとき、光導波路１００ａのコアパターン２４の両端をフォトダイオードやレーザーダイオードに接続させる際に、フォトダイオードに向けて光を発射させる光導波路１００の発光部となる端面２４ａの厚さ方向及び幅方向の寸法を小さく、レーザーダイオードから光を受光する受光部である端面２４ｂの厚さ方向及び幅方向の寸法を大きくすることができる。このため、光導波路１００ａと光学素子と接続する際の位置合わせトレランスを確保することができる。

上部クラッド層２３は、コアパターン２４を覆うように下部クラッド層２１の上方に積層されている。上部クラッド層２３は、下部クラッド層２１の突起部近傍部分２１ｄの表面が凹んでいる（図８参照）ので、上部クラッド層２３の上面が平坦になるよう、上部クラッド層２３の部分の厚さが厚い凸形状を有する。
また、コアパターン２４が上部クラッド層２３に埋め込まれた状態にするために、上部クラッド層２３の厚みは、コアパターン２４の平均厚みよりも厚くすることが好ましい。

コアパターン２４は、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートをし、エッチングにより形成することが好ましい。コア層形成用樹脂は、下部クラッド層２１及び上部クラッド層２３より高屈折率であることが好ましい。

クラッド層形成用樹脂としては、コア層２２と同様、コアパターン２４より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。

光路変換ミラー４０は、コアパターン２４を伝搬する光信号を基板１０がある方向に光路変換させたり、基板１０の垂直方向からの光信号を伝搬方向Ｌに光路変換させたりすることができるよう、下部クラッド層２１、コアパターン２４及び上部クラッド層２３を一体的に削られて形成されたＶ溝３０の側面に形成されている。光路変換ミラー４０は、Ｖ溝３０の側面に露出したコアパターン２４の端面２４ｂを覆うように、Ｖ溝３０の側面に形成されている。光路変換ミラー４０は、４０〜５０°の斜面であることが好ましく、４５°の斜面であることがより好ましい。また、光路変換ミラー４０に蒸着装置を用いて、金等の金属を蒸着し、反射金属層を備えた光路変換ミラー４０としてもよい。

次に光導波路１００ａの製造方法を図７から図９を用いて説明する。
図７を参照して、基板１０の表面１０ａに突起部６０ａを形成する突起部形成工程を説明する。
突起部６０ａは、突起部６０よりも小さいので、突起部６０ａを形成する範囲が小さいこと以外は、突起部６０と同じ製造方法で形成することができる。下部クラッド層２１が形成された表面１０ｂとは反対の表面１０ａの中央に突起部６０ａを形成する。
突起部６０ａの形成方法は、突起部６０の形成方法と同様、基板１０の表面１０ａの中央から突出した形状を形成することができれば特に限定されない。

次に、基板１０上に下部クラッド層２１を形成する下部クラッド層形成工程を説明する。
下部クラッド層２１の形成方法としては、特に限定はないが、コアパターン２４の形成時に下部クラッド層２１の厚み量の変化（膜減り）が抑制するよう、必要に応じて下部クラッド層２１を光や熱によって硬化させることが好ましい。
そして、下部クラッド層形成用樹脂を積層すると同時又は後に、基板１０の表面１０ａのうち突起部６０ａが形成されている部分が凹むように、突起部６０ａをコアパターン２４側に押し込む押込工程を行う。これにより、基板１０の中央部分ａが押し上げられ、中央部分ａの近傍部分ｂの基板１０の表面１０ｂがテーパー形状になる。つまり、基板１０は、中央部分ａを天辺とする凸状に変形する。
突起部６０ａを基板１０に押し込む方法は、突起部６０を基板１０に押し込む方向と同様、特に限定はないが、平面基板７０を基板１０のうち突起部６０ａがある側に設置し、平面基板７０を基板１０側に圧力を作用させる方法であることが好ましい。

次に、基板１０を凸状に変形させた状態で、突起部近傍部分２１ｄが薄くなるよう、下部クラッド層形成用樹脂を塗布し、その上面を平坦化する。これにより、下部クラッド層２１の下面が凹んだ状態になり、また、上面が平坦になる。
図８に示すように、突起部６０ａを基板１０に押し込むことを辞めると、基板１０は、弾性復元力により、板状に戻る。これに伴い、下部クラッド層２１の上面も平面状から凹状になる。

次に、図８を参照して、コア部のうちコアパターン２４を形成するコア部形成工程について説明する。
コア層形成用樹脂を下部クラッド層２１の形成方法と同様の方法でコアパターン２４を形成する。このとき、コアパターン２４の突起部近傍部分２４ｄの厚さは厚く、突起部近傍部分２４ｄに隣接するコアテーパー部２４ｃは、突起部近傍部分２４ｄから離れるに従って厚さが薄くなっている。また、コアパターン２４の下面の中央は凸状態になっている。

コアパターン２４の形成方法としては特に限定はないが、例えば、コア層形成用樹脂が感光性を有する樹脂の場合、コアパターン形成用マスクを用いてコアパターン形成用樹脂を硬化し得る活性光線を照射後、エッチングによって未硬化部を除去することによって形成することができる。このとき、コアパターン２４が突起部６０ａ上を通るように形成するとコアパターン２４の厚みの変化を効果的につけることができる。
コアパターン形成用マスクは、中央部分ａの幅は狭く、近傍部分ｂは中央部分ａから離れるに従って狭くなるようなスリット形状が形成されていることが好ましい。

次に、上部クラッド層２３を形成する上部クラッド層形成工程を説明する。
上部クラッド層２３は、下部クラッド層２１と同様の方法で形成することが好ましい。このとき、コアパターン２４の中央部分ａは凹んでいるので、コアパターン２４において、上部クラッド層２３の、基板１０の中央部分ａに対応する部分は厚く、近傍部分ｂに対応する部分は中央部分ａから離れるに従って薄くなり、近傍部分ｂに対応する部分より外側の部分は薄い。また、コアパターン２４の端面２４ａは、上部クラッド層２３から露出している。

次に、図９を参照して、光路変換ミラー４０を形成するミラー形成工程について説明する。
光路変換ミラー４０の形成方法としては、公知の方法を適用することができる。例えば、上部クラッド層２３の上面から、ダイシングソーやレーザアブレーション等を用いてＶ溝３０を形成する。このとき、コアパターン２４の端面２４ｂが形成され、この端面２４ｂを光路変換ミラー４０として機能させる。
ミラー形成工程においては、突起部６０ａを位置合わせマーカとして、切削位置決めに用いることによって、コアパターン２４のうち最も厚みの薄い部分に正確な位置に光路変換ミラー４０を形成することができる。

図１０から図１２を参照して、本発明に係る第３実施形態の光導波路１００ｂを説明する。
図１０に示すように、光導波路１００ｂの基板１５は、基板本体１７と基板本体１７の一方の表面に形成された接着層１８とを有し、基板本体１７の中央に開口部１６が形成されている。
また、突起部６５は、開口部１６を介して接着層１８と接続していること以外は突起部６０と同じである。
開口部１６は、使用する信号波長に対して透明性が基板１５にない場合、光信号が透過する部分に形成する。このとき開口部１６内に突起部６５を形成することにより、開口部１６の付近のコア層２２の厚みを小さくすることができる。

次に光導波路１００ｂの製造方法を図１１及び図１２を用いて説明する。

図１１を参照して、基板本体１７に接着層１８及び突起部６５を形成する接着層形成工程及び突起部形成工程を説明する。
開口部１６は、公知の方法により、基板本体１７に形成される。
基板本体１７に開口部１６を形成し、開口部１６内に突起部形成用樹脂を充填し、基板本体１７の一方の表面に接着層１８を積層する。接着層１８側から開口部１６を露光し、エッチングすることによって、突起部６５が形成される。

図１２に示すように、下部クラッド層２１を形成する下部クラッド層形成工程を行う。
下部クラッド層形成工程は、光導波路１００の下部クラッド層形成工程と同様の工程で下部クラッド層２１を形成する。形成された下部クラッド層２１は、突起部近傍部分２１ｄは薄く、下部テーパー部２１ｃは突起部近傍部分２１ｄから離れるに従って厚くなり、下部テーパー部２１ｃより外側の部分は厚い。

次に、コア層２２を形成するコア部形成工程を行う。
コア部形成工程は、光導波路１００のコア部形成工程と同様の工程でコア層２２を形成する。形成されたコア層２２のうち、突起部近傍部分２２ｄは厚く、コアテーパー部２２ｃは突起部近傍部分２２ｄから離れるに従って薄くなり、コアテーパー部２２ｃより外側の部分は薄い。
次に、光導波路１００の上部クラッド層形成工程及びミラー形成工程と同様に、上部クラッド層２３及び光路変換ミラー４０をそれぞれ形成する上部クラッド層形成工程及びミラー形成工程を行い、図１０に示す光導波路１００ｂを得る。
ミラー形成工程においては、突起部６５を位置合わせマーカとして、切削位置決めに用いることによって、コア層２２のうち最も厚みの薄い部分に正確な位置に光路変換ミラー４０を形成することができる。

図１３を参照して、本発明に係る第４実施形態の光導波路１００ｃを説明する。
光導波路１００ｃは、基板１５ｂと、基板１５ｂの裏面に形成された４つの突起部６０と、基板１５ｂの表面に形成された１６のコアパターン２４とを有し、１つの突起部６０に対して４つのコアパターン２４が形成されている。基板１５ｂは、基板１０よりも大きい。
４つのコアパターン２４は、最もコアパターン２４の厚さが厚い位置（突起部６０が形成されている位置）から、放射状に遠ざかるにつれコアパターン２４の厚さが薄くなるよう、基板１５ｂに形成されている。
これにより、例えば、光導波路１００ｃのコアパターン２４が集中する箇所（コアパターン２４の厚さが厚くなる箇所）に光路変換ミラー４０を形成することができる。そのような光導波路１００ｃは、受光面（又は発光面）が集中した受発光素子チップを光路変換ミラー４０上に実装することができる。また、基板１５ｂ上に形成するコアパターン２４の伝搬方向Ｌの制約を受けることなく、基板１５ｂのいたる方向からコアパターン２４を形成することができる。

図１４を参照して、本発明に係る第４実施形態の光導波路１００ｄを説明する。
光導波路１００ｄは、基板１５ｂと、基板１５ｂの裏面に形成された４つのリング状の突起部６０と、基板１５ｂの表面に形成された１６のコアパターン２４とを有し、１つの突起部６０に対して４つのコアパターン２４が形成されている。基板１５ｂは、基板１０よりも大きい。
４つのコアパターン２４は、最もコアパターン２４の厚さが厚い位置（突起部６０が形成されている位置）から、リングの中央に向かうに従ってコアパターン２４の厚さが薄くなるよう、基板１５ｂに形成されている。換言すると、最もコアパターンの厚さが薄い場所から放射状に遠ざかるにつれてコアパターン２４の厚さが厚くなっている。
これにより、光導波路１００ｄは、光導波路１００ｃと同様の作用効果を奏する。

図１５を参照して、本発明に係る第５実施形態の光導波路１００ｅを説明する。
光導波路１００ｅは、基板１５ｂ上に突起部６０を線状に形成し、突起部６０の上にあるコアパターン２４の厚さを厚くすることで基板１５ｂの平面内における１次元方向（Ｘ又はＹ方向）にテーパーを形成することができる。これにより、例えば、受光面（又は発光面）が整列した受発光素子チップを実装する場合に、基板１５ｂの平面の一方向から複数のコアパターン２４を形成しても同じテーパー形状を有するコアパターン２４を用いることができる。
さらに、突起部６０を複数箇所形成することで、基板１５ｂの平面内で、複数のコアパターン２４を一括形成することができる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
実施例１
［クラッド層形成用樹脂フィルムの作製］
［（Ａ）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製］
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。

［重量平均分子量の測定］
（Ａ−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）をＧＰＣ（東ソー株式会社製「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した結果、３．９×１０⁴であった。なお、カラムは日立化成工業株式会社製「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。

［酸価の測定］
Ａ−１の酸価を測定した結果、７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。なお、酸価はＡ−１溶液を中和するのに要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。

［クラッド層形成用樹脂ワニスの調合］
（Ａ）ベースポリマーとして、前記Ａ−１溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業株式会社製「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業株式会社製「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン株式会社製「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン株式会社製「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン株式会社製「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を攪拌しながら混合した。孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋株式会社製「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂組成物を、ＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、塗工機（マルチコーターＴＭ−ＭＣ、株式会社ヒラノテクシード製）を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、カバーフィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。

［コア層形成用樹脂フィルムの作製］
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚み：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いでカバーフィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚み：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。

［光導波路の作製］
突起部形成用樹脂として２０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍに切断し、カバーフィルムを剥離し、基板としてポリイミドフィルム（商品名：カプトンＥＮ、東レ・デュポン株式会社製、厚さ：２５μｍ）の一方の面に、真空加圧式ラミネータ（商品名：ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製、一方の面がシリコンラバー面、もう一方の面がＳＵＳ４０３面）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１２０℃、加圧時間３０秒の条件で同時に加熱圧着した（ＳＵＳ面が突起部形成用樹脂面）。その後、紫外線露光機（商品名：ＥＶ−８００、日立ビアメカニクス株式会社製）で突起部形成用樹脂のキャリアフィルム側か内径１．１ｍｍ、外計１．５ｍｍのリング形状の開口部を有するネガ型フォトマスクを介し、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、ＥＸＭ−１１７２）にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を０．２５Ｊ／ｃｍ²照射し、その後、突起部形成用樹脂のキャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、エッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、突起部付きの基板を作製した。

（下部クラッド層の形成）
下部クラッド層形成用樹脂として３０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍに切断し、カバーフィルムを剥離し、突起部形成面と反対の面に基板の突起部形成面と反対の面に設置し、突起部形成面側に平面基板として１００ｍｍ×１００ｍｍの銅箔をエッチング除去したＦＲ−４基板（日立化成株式会社製、商品名；ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧＢ、厚さ；０．６ｍｍ）を設置し、上記真空加圧式ラミネータ（商品名：ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１２０℃、加圧時間３０秒の条件で同時に加熱圧着し、下部クラッド層のラミネートと、基板の押し上げと、下部クラッド層表面の平坦化を同時に行った（ＳＵＳ面が下部クラッド層形成用樹脂面）。その後、紫外線露光機（商品名：ＥＶ−８００、日立ビアメカニクス株式会社製）で下部クラッド層形成用樹脂のキャリアフィルム側から紫外線を４０００ｍＪ／ｃｍ²照射し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、突起部、下部クラッド層付きの基板を作製した。なお図中には下部クラッド層のキャリアフィルムと下部クラッド層平坦化のための平面基板、ＳＵＳは図示していない。

得られた基板の下部クラッド層上に、カバーフィルムを剥離したサイズ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み３０μｍのコア層形成用樹脂フィルムを配置し、１００ｍｍ×１００ｍｍの両面銅箔付きのＦＲ−４基板（日立化成株式会社製、商品名；ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧＢ、厚さ；０．６ｍｍ）を配置し、真空加圧式ラミネータ（商品名：ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度７０℃、加圧時間３０秒の条件で加熱圧着した（ＳＵＳ面がコア層形成用樹脂面）。
その後、基板両面に配置した平面基板を取り外した。

（コアパターンの形成）
幅が３０μｍから５０μｍに拡大するテーパー形状で長さ０．５ｍｍの開口部を持ち、開口部が幅３０μｍ側を内側にして放射状（４方位）にそれぞれ形成され、対向する開口部間を１００μｍにしたネガ型フォトマスクを介し、４つの開口部の中心を突起部の中心に位置合わせをし、コア層形成側から上記紫外線露光機にて紫外線（波長３６５ｎｍ）を０．６Ｊ／ｃｍ²照射し、次いで８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、キャリアフィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コアパターンを現像した。続いて、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、厚み方向及び幅方向にテーパー部を有する四角錐台形状のコアパターンを形成した。

（上部クラッド層の形成）
コアパターン形成面上に、カバーフィルムを剥離したサイズ１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚み７０μｍの上部クラッド層形成用樹脂フィルムを配置し、さらにその上に平面基板として１００ｍｍ×１００ｍｍの両面銅箔付きのＦＲ−４基板（日立化成株式会社製、商品名；ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧＢ、厚さ；０．６ｍｍ）を配置し、真空加圧式ラミネータ（商品名：ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度７０℃、加圧時間３０秒の条件で加熱圧着し、キャリアフィルム側から紫外線を４０００ｍＪ／ｃｍ²照射し、キャリアフィルムを剥離した後に１７０℃、１時間加熱硬化して光導波路を得た。

（厚み測定）
得られた光導波路の放射中心側のコアパターンは全ての厚みが３０μｍ（下部クラッド層の厚み；３０μｍ）、幅は３０μｍであった。放射外側（突起部上）のコアパターンは全て５０μｍ（下部クラッド層の厚み；１０μｍ）、幅は５０μｍであった。
コアの中心（コアパターンの放射中心端部から０．２５ｍｍ地点）のコア厚みは３８．３μｍ、幅は４０μｍであった。上部クラッド層下面から下部クラッド層上面までの厚みは、コアパターンの厚みが薄い箇所も厚い箇所もどちらも全て１００μｍであった。基板の表面からコアの中心までの高さは、コアパターンの厚みが３０μｍの箇所では、４５μｍであり、コアパターンの厚みが５０μｍの箇所では、３５μｍであり、コアの中心高さはコアパターンの厚みの大きいほうが低かった。

（ミラーの形成）
得られた光導波路の突起部をめがけて上部クラッド層側からダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４５°の光路変換ミラーを形成し、ミラー付き光導波路を得た。得られた光路変換ミラーの基板の垂直方向から見たときのコア形状を測定したところ、５０μｍ角であった。光路変換ミラーに基板の垂直方向から光信号を入射したところ、スポット径が、３０μｍ角に縮小され良好に伝搬された。光路変換ミラーの加工時は、突起部をマーカとして加工できたため、コアパターンの厚みが厚い部分の特定が容易であった。

実施例２
（開口部付き基板の作製）
基板として１００ｍｍ×１００ｍｍのポリイミドフィルム（宇部日東化成株式会社製、商品名；ユーピレックスＲＮ、厚み；２５μｍ）に、ドリル加工にて直径２００μｍの開口部（開口部ピッチ；Ｘ，Ｙ方向それぞれ１０ｍｍ（８１箇所））を形成し、開口部付き基板を得た。

（接着層、突起部の形成）
接着層形成用樹脂として５μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍに切断し、カバーフィルムを剥離し、突起部形成用樹脂として、２０μｍ厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍに切断し、カバーフィルムを剥離した後、基板としてポリイミドフィルム（商品名：カプトンＥＮ、東レ・デュポン株式会社製、厚さ：２５μｍ）の一方の面に接着層形成用樹脂を、もう一方に突起部形成用樹脂を、真空加圧式ラミネータ（商品名：ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１２０℃、加圧時間３０秒の条件で同時に加熱圧着した（ＳＵＳ面が突起部形成用樹脂面）。その後、紫外線露光機（商品名：ＥＶ−８００、日立ビアメカニクス株式会社製）で下部クラッド層形成用樹脂のキャリアフィルム側から紫外線を０．３Ｊ／ｃｍ²照射し、接着層の光硬化と、開口部を透過して、突起部の光硬化を行った。その後、接着層と突起部の形成用樹脂のキャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、エッチングした。続いて、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥及び硬化し、突起部、接着層付きの基板を作製した。
実施例１において、コアパターンの露光に用いたネガ型フォトマスクを幅が５０μｍから３０μｍに縮小するテーパー形状で長さ０．５ｍｍの開口部を持ち、開口部が幅５０μｍ側を内側にして放射状（４方位）にそれぞれ形成され、対向する開口部間を１００μｍにしたネガ型フォトマスクを介し、４つの開口部の中心を突起部に位置合わせをして露光した。それ以外の工程は実施例１と同様に行った。

（厚み測定）
得られた光導波路の放射中心（突起部上）のコアパターンは全ての厚みが５０μｍ（下部クラッド層の厚み；１０μｍ）、幅は５０μｍであった。放射外側のコアパターンは全て３０μｍ（下部クラッド層の厚み；３０μｍ）、幅は３０μｍであった。
コアの中心（コアパターンの放射中心端部から０．２５ｍｍ地点）のコア厚みは３８．２μｍ、幅は４０μｍであった。上部クラッド層下面から下部クラッド層上面までの厚みは、コアパターンの厚みが薄い箇所も厚い箇所もどちらも全て１００μｍであった。基板の表面からコア中心までの高さは、コアパターンの厚みが３０μｍの箇所では、５０μｍであり、コアパターンの厚みが５０μｍの箇所では、４０μｍであり、コア中心高さはコアパターンの厚みの大きいほうが低かった。

（ミラーの形成）
得られた光導波路の突起部をめがけて上部クラッド層側からダイシングソー（ＤＡＣ５５２、株式会社ディスコ社製）を用いて４５°の光路変換ミラーを形成し、ミラー付き光導波路を得た。得られた光路変換ミラーの基板垂直方向から見たときのコア形状を測定したところ、５０μｍ角であった。該光路変換ミラーに基板の垂直方向から光信号を入射したところ、スポット径が、３０μｍ角に縮小され良好に伝搬された。光路変換ミラーの加工時は、突起部及び開口部をマーカとして加工できたため、コアパターンの厚みが厚い部分の特定が容易であった。

実施例３
実施例１において突起部の作製時に用いたネガ型フォトマスクを、幅２００μｍの開口部（開口部ピッチ；Ｙ方向それぞれ１０ｍｍ（９箇所））を有するネガ型フォトマスクに変えて直線状の突起部付き平面基板を形成した。
さらに、コアパターン形成用のネガ型フォトマスクを、幅が３０μｍから５０μｍに拡大するテーパー形状で長さ０．５ｍｍの開口部を持ち、開口部が５０μｍ、幅側が内側とし、Ｙ方向の開口部間を１５０μｍに対向するように形成され、Ｘ方向に５００μｍピッチで整列した開口部を有するネガ型フォトマスクに変更した以外は同様の方法で光導波路を形成した。

（厚み測定）
得られた光導波路の突起部上のコアパターンは全ての厚みが５０μｍ、幅は５０μｍであった。突起部と反対側のコアパターンの端部は全て３０μｍ、幅は３０μｍであった。
コアの中心のコア厚みは３６．４μｍ、幅は４０μｍであった。上部クラッド層下面から下部クラッド層上面までの厚みは、コアパターンの厚みが薄い箇所も厚い箇所もどちらも全て１００μｍであった。

以上詳細に説明したように、本発明の光導波路は、特にコア層にテーパー部が形成された光導波路とその製造方法に関し、コアパターンの厚みの厚い部分のコア中心高さを、コアパターンの厚みの薄い部分より下部クラッド層側に近づけられるテーパー部を有する光導波路を提供できると共に、厚み方向にテーパーを有するコアパターンの厚みの厚い部分の位置を認識することが容易なテーパーを有する光導波路を得ることができる。このため、例えば、光ファイバとミラー付き光導波路の接続機器用のデバイスや、ミラー付き光導波路と電気配線板が複合されたデバイスとして有用である。

１０、１５、１５ｂ 基板
１０ａ、１０ｂ 基板の表面
１１、１７ 基板本体
１２、１８ 接着層
１６ 開口部
２１ 下部クラッド層
２１ｃ 下部テーパー部
２１ｄ 突起部近傍部分
２２ コア層
２２ａ、２２ｂ 端面
２２ｃ コアテーパー部
２２ｄ 突起部近傍部分
２３ 上部クラッド層
２４ コアパターン
２４ａ、２４ｂ 端面
２４ｃ コアテーパー部
２４ｄ 突起部近傍部分
３０ Ｖ溝
４０ 光路変換ミラー
６０、６０ａ、６５ 突起部
７０ 平面基板
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ 光導波路

Claims (17)

1. 下部クラッド層と、
   前記下部クラッド層に積層され、光信号が伝搬するコア部と、を備え、
   前記下部クラッド層は、前記光信号が伝搬する伝搬方向の一方から他方に進むにつれて厚みが厚くなる下部テーパー部を有し、
   前記コア部は、前記下部テーパー部に積層された部分において、前記伝搬方向の他方から一方に進むにつれて厚みが厚くなるコアテーパー部を有する、光導波路であって、
   さらに、前記光導波路の下部クラッド層側に基板と、
   前記下部クラッド層において、前記コア部とは反対の面側に形成された突起部とを備え、
   前記コア部のうち、前記突起部の近傍の厚みが、それ以外の厚みより厚い、光導波路。
2. 前記基板がフレキシブルな基材で形成されている、請求項１に記載の光導波路。
3. 前記下部クラッド層のうち、前記突起部の近傍の厚みが、それ以外の厚みより薄い、請求項１又は２に記載の光導波路。
4. 前記突起部が透明な材料で形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の光導波路。
5. 前記突起部が感光性樹脂で形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の光導波路。
6. 前記コア部がコアパターンである、請求項１から５のいずれかに記載の光導波路。
7. 前記コアパターンが、さらに、幅方向に広がる幅テーパー部を有する形状である、請求項６に記載の光導波路。
8. さらに、前記コア部の厚み方向において、前記突起部の上の前記コア部に形成された光路変換ミラーを備える、請求項１から７のいずれかに記載の光導波路。
9. 前記基板は、基板本体と前記基板本体に積層された接着層とを有する、請求項１から８のいずれかに記載の光導波路。
10. 前記基板が、開口部を有し、前記接着層と前記突起部とが、前記開口部を介して接続されている、請求項９に記載の光導波路。
11. 前記基板の一方の表面に前記突起部を形成する突起部形成工程と、
    前記突起部形成工程の後に、前記基板の他方の表面に下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層して、前記下部クラッド層を形成する下部クラッド層形成工程と、
    前記下部クラッド層上に前記コア部を形成するコア部形成工程とを含み、
    前記下部クラッド層形成工程は、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する際に、前記突起部を前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムの方向へ押し込む押込工程を有する、請求項１から７のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
12. 前記コア部形成工程において、前記コア部がコアパターンである、請求項１１に記載の光導波路の製造方法。
13. 前記下部クラッド層形成工程は、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層する際に、前記下部クラッド層形成用樹脂フィルムの上面を平坦化する工程を有する、請求項１１又は１２に記載の光導波路の製造方法。
14. 前記コア部形成工程は、前記下部クラッド層にコア層形成用樹脂フィルムを積層するコア層積層工程を有し、前記コア層積層工程において、前記基板において、前記突起部が形成されている表面側にクッション性フィルムを配置する、請求項１１から１３のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
15. 前記下部クラッド層形成工程を、前記突起部形成工程の後に行う、請求項１１から１４のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
16. 前記光導波路において、前記基板は、基板本体と前記基板本体に積層された接着層とを有し、
    光導波路の製造方法において、さらに、前記突起部形成工程の前に、前記基板に開口部を形成する開口部形成工程を含み、
    前記突起部形成工程は、前記基板の一方の表面に突起部形成用樹脂フィルムと他方の表面に接着層形成用樹脂フィルムとを同時に積層し、フォトリソグラフィ加工によって前記突起部と前記接着層とを同時に形成する、請求項１１から１５のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
17. 前記光導波路において、さらに、前記コア部の厚み方向において、前記突起部の上の前記コア部に形成された光路変換ミラーを備え、
    光導波路の製造方法において、さらに、前記コア部形成工程の後に、前記光路変換ミラーを形成するミラー形成工程を含む、請求項１１から１６のいずれかに記載の光導波路の製造方法。

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