TW201512780A - 投影曝光用感光性樹脂組成物、感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法、印刷配線板的製造方法及引線框架的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明以提供可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的投影曝光用感光性樹脂組成物為目的,提供一種投影曝光用感光性樹脂組成物,其含有(A)黏合劑聚合物、(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及(D)增感色素,且所述(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物包含具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物及下述通式(III)所表示的化合物。
□[式中,R8、R9、R10及R11分別獨立地表示氫原子或甲基,X及Y分別獨立地表示伸乙基或伸丙基,p1、p2、q1及q2分別獨立地表示0~9的數值,p1+q1及p2+q2均為1以上,p1+q1+p2+q2為2~9]
Description
本發明是有關於一種投影曝光用感光性樹脂組成物、感光性元件(photosensitive element)、抗蝕劑圖案(resist pattern)的形成方法、印刷配線板(printed wiring board)的製造方法及引線框架(lead frame)的製造方法。
先前,於印刷配線板的製造領域中,廣泛使用具有如下構造的感光性元件(積層體):將作為蝕刻(etching)及鍍覆等中所使用的抗蝕劑材料(resist materials)的感光性樹脂組成物、及使用該感光性樹脂組成物而形成的層(以下,稱為「感光性樹脂層」)積層於支持體上,並於感光性樹脂層上配置保護層。
印刷配線板是使用所述感光性元件且例如按照以下順序而製造。即,首先,將感光性元件的感光性樹脂層層壓於覆銅
積層板等電路形成用基板上。此時,以使感光性樹脂層的與接觸於支持體的面(以下,稱為感光性樹脂層的「下表面」)為相反側的面(以下,稱為感光性樹脂層的「上表面」)密著於形成電路形成用基板的電路的面的方式進行層壓。因此,在將保護層配置於感光性樹脂層的上表面的情況下,一面剝離保護層一面進行該層壓的作業。另外,層壓是藉由將感光性樹脂層加熱壓著於基底的電路形成用基板而進行(常壓層壓法)。
其次,經由遮罩膜(mask film)等對感光性樹脂層進行圖案曝光。此時,於曝光前或曝光後的任意時間點(timing)將支持體剝離。其後,利用顯影液將感光性樹脂層的未曝光部溶解或分散去除。其次,實施蝕刻處理或鍍覆處理而形成圖案,最終將感光性樹脂層的硬化部分剝離去除。
且說,近年來,所述圖案曝光的方法是使用將使光罩(photo mask)的圖像投影的活性光線經由透鏡(lens)照射至感光性樹脂層而進行曝光的投影曝光法。投影曝光法中所使用的光源是使用超高壓水銀燈。通常,多使用將i射線單色光(365nm)用於曝光波長的曝光機,但有亦使用h射線單色光(405nm)、ihg混合射線的曝光波長的情況。
與接觸曝光(contact exposure)方式相比,投影曝光方式為可確保高解析度及高對準(alignment)性的曝光方式。因此,在要求印刷配線板中的電路形成的微細化的現今,投影曝光方式非常受關注。
另一方面,投影曝光方式為了獲得高解析度而通常使用單色光,因此與ihg混合射線曝光機或接觸曝光機相比,存在照射能量降低、曝光時間延長的傾向。另外,接觸曝光方式為總括曝光方式,另一方面,投影曝光方式採用分批曝光方式,因此存在整體的曝光時間變得更長的傾向。因此,投影曝光機的照度是設計為高於接觸曝光機,投影曝光機的每一次的曝光時間存在短於接觸曝光機的傾向。
隨著此種投影曝光方式的開發,而正在研究即便以短曝光時間亦可形成具有細線密著性的抗蝕劑圖案的感光性樹脂組成物(例如,參照專利文獻1)。
[專利文獻1]國際公開第2009/078380號公報
關於抗蝕劑圖案,隨著近年來微細化不斷推進,尤其是於鍍覆步驟中,要求即便於形成L/S(線寬(line width)/間隙寬(space width))=10/10(單位:μm)以下的圖案時,亦具有高密著性。
對於提高密著性而言,有效的是提高感光性樹脂層的疏水性、交聯密度及對基板凹凸的追隨性。此處,提高感光性樹脂層的疏水性的方法可列舉使用具有疏水性作用的光聚合性化合物
的方法。然而,具有疏水性作用的光聚合性化合物於光反應後形成剛性的網狀物(network),因此若大量添加,則有使感光性樹脂層的硬化物的柔軟性降低,反而使該硬化物的密著性降低的情況。因此,為了進一步提高密著性,而必須提高感光性樹脂層的交聯密度。
另外,對於用以形成抗蝕劑圖案的感光性樹脂層,亦要求減少抗蝕劑底部的殘渣(抗蝕劑尾渣)。抗蝕劑底部的殘渣(抗蝕劑尾渣)是因於顯影步驟中,抗蝕劑底部因膨潤而擴大,即便藉由乾燥亦不會自基板剝離而產生。若抗蝕劑尾渣產生量多,則鍍覆與基板的接觸面積變小,因此成為使所形成的電路的機械強度降低的因素。該抗蝕劑尾渣的影響是印刷配線板的電路形成越微細化越大,尤其是在形成L/S為10/10(單位:μm)以下的電路的情況下,若抗蝕劑尾渣產生量多,則亦有鍍覆後的電路形成本身變得困難的情況。因此,謀求可形成抗蝕劑尾渣產生量更少的抗蝕劑圖案的感光性樹脂組成物。
為了減少抗蝕劑尾渣產生量,必須提高感光性樹脂層的交聯密度及疏水性,但如上所述,若添加大量具有疏水性作用的光聚合性化合物,則有反而使密著性降低的情況,因此為了進一步提高密著性,必須提高感光性樹脂層的交聯密度。
面向先前使用的接觸曝光方式,開發出多種提高抗蝕劑底部的硬化性的感光性樹脂組成物。然而,關於面向先前的接觸曝光方式的感光性樹脂組成物,已知在使用所述的投影曝光機的
情況下,每一次的曝光時間短,因此感光性樹脂組成物的底部硬化不充分,無法獲得用以減少抗蝕劑尾渣產生的充分的交聯密度,抗蝕劑尾渣產生量增加。
因此,謀求開發出在投影曝光方式下具有高密著性且可獲得能夠減少抗蝕劑尾渣產生量的充分的交聯密度的感光性樹脂組成物。
本發明是鑒於所述現有技術所具有的課題而完成,其目的在於提供一種在投影曝光方式下可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的投影曝光用感光性樹脂組成物、使用其的感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法、印刷配線板的製造方法及引線框架的製造方法。
為了達成所述目的,本發明提供一種投影曝光用感光性樹脂組成物,其含有(A)黏合劑聚合物(binder polymer)、(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及(D)增感色素,且所述(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物包含具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物及下述通式(III)所表示的化合物。
[化1]
[式中,R8、R9、R10及R11分別獨立地表示氫原子或甲基,X及Y分別獨立地表示伸乙基或伸丙基,p1、p2、q1及q2分別獨立地表示0~9的數值,p1+q1及p2+q2均為1以上,p1+q1+p2+q2為2~9]
根據本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物,藉由具有所述構成,而可在投影曝光方式下形成抗蝕劑底部的硬化性優異、抗蝕劑尾渣產生量少、具有高細線密著性及高解析度的抗蝕劑圖案。尤其是藉由併用具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物與所述通式(III)所表示的化合物作為(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物,可提高藉由投影曝光方式進行曝光時的交聯密度,可獲得抗蝕劑底部的優異的硬化性,從而推測可實現抗蝕劑尾渣產生量的減少、細線密著性的提高及解析度的提高。另外,所述通式(III)中的p1+q1+p2+q2為2~9的低數值
有助於提高交聯密度。進而,所述通式(III)所表示的化合物亦為具有疏水性作用的光聚合性化合物,因此就提高感光性樹脂組成物的疏水性的方面而言,亦有助於提高密著性。
另外,於本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物中,所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物較佳為具有環氧乙烷鏈。藉此,可提供可形成密著性、解析度、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性更優異的抗蝕劑圖案的投影曝光用感光性樹脂組成物。
另外,本發明提供一種抗蝕劑圖案的形成方法,其包括:感光性樹脂層形成步驟,其是於基板上使用所述本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成感光性樹脂層;曝光步驟,其是使用投影了光罩圖案的活性光線經由透鏡對所述感光性樹脂層的至少一部分進行曝光而使曝光部進行光硬化;及顯影步驟,其是藉由顯影將所述感光性樹脂層的未硬化部分自所述基板上去除。根據該抗蝕劑圖案的形成方法,使用所述本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成感光性樹脂層,因此可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案。
另外,本發明提供一種感光性元件,其包括:支持體、及於所述支持體上使用所述本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成的感光性樹脂層。根據該感光性元件,使用所述本發明的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成感光性樹脂層,因此可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案。
另外,本發明提供一種印刷配線板的製造方法,其包括對藉由所述本發明的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。根據該印刷配線板的製造方法,藉由所述本發明的抗蝕劑圖案的形成方法而可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案,因此可提供適於印刷配線板的高密度化的製造方法。
進而,本發明提供一種引線框架的製造方法,其包括對藉由所述本發明的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。根據該引線框架的製造方法,藉由所述本發明的抗蝕劑圖案的形成方法而可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案,因此可提供適於引線框架的高密度化的製造方法。
根據本發明,可提供一種在投影曝光方式下可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的投影曝光用感光性樹脂組成物、使用其的感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法、印刷配線板的製造方法及引線框架的製造方法。
1‧‧‧感光性元件
2‧‧‧支持體
3、32‧‧‧投影曝光用感光性樹脂層
4‧‧‧保護層
10‧‧‧導體層
15‧‧‧絕緣層
30‧‧‧抗蝕劑圖案
40‧‧‧電路圖案
42‧‧‧鍍覆層
50‧‧‧活性光線
圖1是表示本發明的感光性元件的一實施方式的示意剖面圖。
圖2(a)至圖2(f)是示意性地表示利用半加成法的印刷配線板的製造步驟的一例的圖。
圖3是實施例2中形成的抗蝕劑圖案的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
圖4是比較例1中形成的抗蝕劑圖案的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
圖5是比較例2中形成的抗蝕劑圖案的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
以下,一面參照圖式一面對本發明的較佳實施方式進行詳細說明。此外,於本說明書中,(甲基)丙烯酸意指丙烯酸及與其對應的甲基丙烯酸的至少一者,(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及與其對應的甲基丙烯酸酯的至少一者,(甲基)丙烯醯基意指丙烯醯基及與其對應的甲基丙烯醯基的至少一者。
另外,於本說明書中,「步驟」這一用語不僅是獨立的步驟,在無法與其他步驟明確區別的情況下,只要可達成該步驟的所期望的作用,則亦包含於該用語。
進而,於本說明書中,使用「~」表示的數值範圍表示包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值。
另外,於本說明書中,「層」這一用語除包含在作為俯視圖觀察時形成於整面上的形狀的構造以外,亦包含形成於一部分上的形狀的構造。
本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物是有關於如下投
影曝光用感光性樹脂組成物,其含有(A)黏合劑聚合物、(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及(D)增感色素,且所述(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物包含具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物及通式(III)所表示的化合物。以下,對本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中所使用的各成分進行更詳細的說明。
本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中可使用的(A)黏合劑聚合物(以下,亦稱為「(A)成分」)例如可列舉:丙烯酸系樹脂、苯乙烯樹脂、環氧樹脂、醯胺樹脂、醯胺環氧樹脂、醇酸樹脂、及酚樹脂等。就鹼顯影性的觀點而言,較佳為丙烯酸系樹脂。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
所述(A)黏合劑聚合物例如可藉由使聚合性單體進行自由基聚合(radical polymerization)而製造。所述聚合性單體例如可列舉:苯乙烯、乙烯基甲苯、及α-甲基苯乙烯等α-位或芳香族環上經取代的且可聚合的苯乙烯衍生物、二丙酮丙烯醯胺等丙烯醯胺、丙烯腈、乙烯基正丁基醚等乙烯醇的醚類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯、(甲基)丙烯酸、α-溴丙烯酸、α-氯丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸、
順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸單甲酯、順丁烯二酸單乙酯、順丁烯二酸單異丙酯等順丁烯二酸單酯、反丁烯二酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、丁烯酸、及丙炔酸等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。該些之中,就進一步提高顯影性的觀點而言,較佳為含有(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯作為聚合性單體,更佳為含有甲基丙烯酸苯氧基乙酯作為聚合性單體。另外,就進一步提高密著性的觀點而言,較佳為含有(甲基)丙烯酸苄酯作為聚合性單體。
所述(甲基)丙烯酸烷基酯例如可列舉下述通式(I)所表示的化合物、及該些化合物的烷基經羥基、環氧基、鹵基等取代的化合物。
H2C=C(R6)-COOR7 (I)
通式(I)中,R6表示氫原子或甲基,R7表示碳數1~12的烷基。
所述通式(I)中的R7所表示的碳數1~12的烷基例如可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、及該些的結構異構體等。
所述通式(I)所表示的(甲基)丙烯酸烷基酯例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙
烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、及(甲基)丙烯酸十二烷基酯等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
另外,就鹼顯影性的觀點而言,作為本實施方式的(A)成分的黏合劑聚合物較佳為含有羧基。含有羧基的(A)黏合劑聚合物例如可藉由使具有羧基的聚合性單體與其他聚合性單體進行自由基聚合而製造。所述具有羧基的聚合性單體較佳為(甲基)丙烯酸,其中更佳為甲基丙烯酸。
就均衡地提高鹼顯影性與耐鹼性的觀點而言,所述(A)黏合劑聚合物的羧基含量(具有羧基的聚合性單體相對於黏合劑聚合物中所使用的聚合性單體總量的調配率)較佳為12質量%~50質量%,更佳為12質量%~40質量%,進而較佳為15質量%~35質量%,尤佳為15質量%~30質量%。若該羧基含量為12質量%以上,則有鹼顯影性提高的傾向,若為50質量%以下,則有耐鹼性優異的傾向。
此外,關於所述(A)黏合劑聚合物中的源自具有羧基的聚合性單體的結構單元的含量,由於與所述具有羧基的聚合性單體的調配率相關,故而較佳為12質量%~50質量%,更佳為12質量%~40質量%,進而較佳為15質量%~35質量%,尤佳為15質量%~30質量%。
另外,就密著性及耐化學品性的觀點而言,作為本實施
方式的(A)成分的黏合劑聚合物較佳為含有苯乙烯或苯乙烯衍生物作為聚合性單體。就使密著性及耐化學品性更良好的觀點而言,以所述苯乙烯或苯乙烯衍生物作為共聚合成分時的苯乙烯或苯乙烯衍生物的含量(苯乙烯或苯乙烯衍生物相對於黏合劑聚合物中所使用的聚合性單體總量的調配率)較佳為10質量%~60質量%,更佳為15質量%~50質量%。若該含量為10質量%以上,則有密著性提高的傾向,若為60質量%以下,則有可抑制於顯影時剝離片變大,從而抑制剝離所需的時間的長時間化的傾向。
此外,關於所述(A)黏合劑聚合物中的源自苯乙烯或苯乙烯衍生物的結構單元的含量,由於與所述苯乙烯或苯乙烯衍生物的調配率相關,故而較佳為10質量%~60質量%,更佳為15質量%~50質量%。
該些黏合劑聚合物可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。組合兩種以上而使用時的(A)黏合劑聚合物例如可列舉:包含不同共聚合單體的兩種以上的黏合劑聚合物、不同重量平均分子量的兩種以上的黏合劑聚合物、及不同分散度的兩種以上的黏合劑聚合物等。
所述(A)黏合劑聚合物可藉由通常的方法而製造。具體而言,例如可藉由使(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸、及苯乙烯等進行自由基聚合而製造。
就均衡地提高機械強度及鹼顯影性的觀點而言,所述(A)黏合劑聚合物的重量平均分子量較佳為20,000~300,000,
更佳為40,000~150,000,進而較佳為40,000~120,000,尤佳為50,000~80,000。若(A)黏合劑聚合物的重量平均分子量為20,000以上,則有耐顯影液性優異的傾向,若為300,000以下,則有可抑制顯影時間變長的傾向。此外,重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析法(Gel Penetration Chromatography,GPC)進行測定,並藉由使用標準聚苯乙烯而製成的校準曲線進行換算所得的值。
所述(A)黏合劑聚合物的含量相對於(A)成分及下述(B)成分的總量100質量份較佳為設為30質量份~80質量份,更佳為設為40質量份~75質量份,進而較佳為設為50質量份~70質量份。若(A)成分的含量為該範圍,則投影曝光用感光性樹脂組成物的塗膜性及光硬化物的強度變得更良好。
就均衡地提高解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中所使用的(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物(以下,亦稱為「(B)成分」)至少包含具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物。此處,具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物意指二季戊四醇與(甲基)丙烯酸的酯化物,且定義該酯化物中亦含有經氧基伸烷基改質的化合物。另外,一分子中的酯鍵的個數為6,但亦可混合酯鍵的個數為1~5的化合物。就形成解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性更優異的抗蝕劑圖案的觀點而言,所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合
物較佳為具有環氧乙烷鏈,即,較佳為經氧基伸乙基改質的化合物。
更具體而言,具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉下述通式(II)所表示的化合物。
通式(II)中,R4各自獨立地表示氫原子或甲基。
通式(II)中,A表示碳數2~6的伸烷基,較佳為碳數2~5的伸烷基,更佳為碳數2~4的伸烷基。碳數2~6的伸烷基例如可列舉:伸乙基、伸丙基、伸異丙基、伸丁基、伸戊基及伸己基等。該些之中,就提高解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,較佳為伸乙基或伸異丙基,更佳為伸乙基。此外,所存在的多個A可相互相同亦可不同。
通式(II)中,n各自獨立地為0~20的整數。就進一步提高解析度的觀點而言,n較佳為1~20,更佳為1~7,進而較佳為1~5,尤佳為2~4。
另外,就均衡地提高解析度、密著性及抗蝕劑尾渣產生
的抑制性的觀點而言,所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物的含量相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份較佳為3質量份~25質量份,更佳為5質量份~20質量份。另外,所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物的含量相對於(B)成分的總量較佳為5質量%~60質量%,更佳為10質量%~50質量%,進而較佳為10質量%~40質量%,尤佳為10質量%~30質量%。
另外,就均衡地提高解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中所使用的(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物至少包含下述通式(III)所表示的化合物。下述通式(III)所表示的化合物為具有疏水性作用的光聚合性化合物。
通式(III)中,R8、R9、R10及R11分別獨立地表示氫原子或甲基,X及Y分別獨立地表示伸乙基或伸丙基,XO及YO分別獨立地表示氧基伸乙基或氧基伸丙基。通式(III)中,在存在氧基伸乙基與氧基伸丙基的情況下,它們可配置為嵌段狀(嵌段共聚合),亦可配置為無規狀(無規共聚合)。另外,p1、p2、q1及q2分別獨立地表示0~9的數值,p1+q1及p2+q2均為1以上,p1+q1+p2+q2為2~9。此外,p1、p2、q1及q2表示氧基伸乙基或氧基伸丙基的結構單元的個數,因此若為單一分子則表示整數值,若為多個分子的集合體則表示作為平均值的有理數。
就更均衡地提高解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,p1+q1+p2+q2較佳為超過2,更佳為2.1~9.0,進而較佳為2.3~5.0。
通式(III)中,在XO為氧基伸乙基、YO為氧基伸丙基的情況下,就進一步提高解析性的觀點而言,較佳為q1+q2為0。
通式(III)所表示的化合物例如可列舉:2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基丙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基丙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚丙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基聚乙氧基聚丙氧基)苯基)丙烷等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。另外,可作為通式(III)所表示的化合物於商業上獲取者例如可列舉:作為2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基二乙
氧基)苯基)丙烷的BPE-200、作為2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基乙氧基)苯基)丙烷的BPE-100或BPE-80N(均為新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)、BP-2EM(共榮社化學股份有限公司製造,製品名)等。
通式(III)所表示的化合物的含量相對於(A)成分及(B)成分的總量較佳為5質量%~30質量%,更佳為6質量%~20質量%。另外,通式(III)所表示的化合物的含量相對於(B)成分的總量較佳為15質量%~40質量%,更佳為18質量%~30質量%。
就均衡地提高解析度、密著性及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,(B)成分較佳為含有所述通式(III)所表示的化合物以外的雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物。可作為通式(III)所表示的化合物以外的雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物於商業上獲取者例如可列舉:作為2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷的BPE-500(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)或FA-321M(日立化成股份有限公司製造,製品名)、及作為2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基十五乙氧基)苯基)丙烷的BPE-1300N(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)等。該些之中,較佳為2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷。
包含通式(III)所表示的化合物的雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物的含量相對於(A)成分及(B)成分的總量較佳為5質量%~50質量%,更佳為28質量%~50質量%。
包含通式(III)所表示的化合物的雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物的含量相對於(B)成分的總量較佳為40質量%~95質量%,更佳為50質量%~90質量%,進而較佳為60質量%~90質量%,尤佳為70質量%~90質量%。
就更均衡地提高解析度、密著性、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性的觀點而言,本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中所使用的(B)成分較佳為除含有具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物、及作為通式(III)所表示的化合物的2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基二乙氧基)苯基)丙烷以外,亦含有通式(III)所表示的化合物以外的作為雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物的2,2-雙(4-((甲基)丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷。
(B)成分除所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物及雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物以外亦可使用其他光聚合性化合物。
其他光聚合性化合物例如可列舉:使α,β-不飽和羧酸與多元醇反應而獲得的化合物、具有胺基甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等胺基甲酸酯單體、壬基苯氧基伸乙基氧基(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基八伸乙基氧基(甲基)丙烯酸酯、γ-氯-β-羥基丙基-β'-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸酯、β-羥基乙基-β'-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸酯、β-羥基丙基-β'-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸酯、及(甲基)丙烯酸烷基酯等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
所述使α,β-不飽和羧酸與多元醇反應而獲得的化合物例如可列舉:伸乙基的個數為2~14的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、伸丙基的個數為2~14的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、伸乙基的個數為2~14且伸丙基的個數為2~14的聚乙烯聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、伸乙基的個數為1~21的三羥甲基丙烷聚乙烯三(甲基)丙烯酸酯、伸乙基的個數為1~21的四羥甲基甲烷聚乙烯三(甲基)丙烯酸酯、及伸乙基的個數為1~30的四羥甲基甲烷聚乙烯四(甲基)丙烯酸酯等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
所述其他光聚合性化合物可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份,所述(B)成分的含量較佳為設為20質量份~70質量份,更佳為設為25質量份~60質量份,尤佳為設為30質量份~50質量份。若(B)成分的含量為該範圍,則除感光性樹脂組成物的解析度及密著性、抗蝕劑尾渣產生的抑制性以外,光感度及塗膜性亦變得更良好。
(C)光聚合起始劑(以下,亦稱為「(C)成分」)例如可列舉:二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙酮-1等芳香族酮、烷基蒽醌等醌類、安息香烷基醚等安息香醚化合物、安息香、烷基安息香等安息香化合物、苯偶醯二甲基縮酮等苯偶醯衍生物、2-(鄰氯
苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5-三芳基咪唑二聚物、9-苯基吖啶、1,7-(9,9'-吖啶基)庚酮等吖啶衍生物等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
該些之中,較佳為含有2,4,5-三芳基咪唑二聚物。所述2,4,5-三芳基咪唑二聚物例如可列舉:2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-雙-(間甲氧基苯基)咪唑二聚物、及2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等。該些之中,較佳為2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物。
作為2,4,5-三芳基咪唑二聚物,例如2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基雙咪唑可作為B-CIM(保土谷化學工業(HODOGAYA CHEMICAL INDUSTRY)股份有限公司製造,製品名)於商業上獲取。
相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份,(C)成分的含量較佳為0.01質量份~30質量份,更佳為0.1質量份~10質量份,進而較佳為1質量份~7質量份,尤佳為1質量份~6質量份,極佳為2質量份~6質量份,極其尤佳為3質量份~5質量份。若(C)成分的含量相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份為0.01質量份以上,則有光感度、解析度或密著性提高的傾向,若為30質量份以下,則有抗蝕劑形狀優異的傾向。
(D)增感色素(以下,亦稱為「(D)成分」)例如可列舉:
二烷基胺基二苯甲酮類、蒽類、香豆素類、氧雜蒽酮類、噁唑類、苯并噁唑類、噻唑類、苯并噻唑類、三唑類、二苯乙烯(stilbene)類、三嗪類、噻吩類、萘二甲醯亞胺類、吡唑啉類、及三芳基胺類等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。該些之中,較佳為含有二烷基胺基二苯甲酮類或吡唑啉類。作為二烷基胺基二苯甲酮類,例如4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮可作為EAB(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)於商業上獲取。作為吡唑啉類,例如可於商業上獲取1-苯基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)-5-(4-甲氧基苯基)吡唑啉(日本化學工業股份有限公司製造)。
作為(D)成分的增感色素中的二烷基胺基二苯甲酮類的含有比例於(D)成分的總量中較佳為10質量%~100質量%,更佳為30質量%~100質量%,尤佳為50質量%~100質量%。若該含有比例為10質量%以上,則有容易高感度化及高解析度化的傾向。
相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份,(D)成分的含量較佳為設為0.01質量份~10質量份,更佳為設為0.05質量份~5質量份,進而較佳為設為0.1質量份~3質量份。若該含量為0.01質量份以上,則有容易充分地獲得良好的光感度及解析度的傾向,若為10質量份以下,則有容易充分地獲得良好的抗蝕劑形狀的傾向。
另外,本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物中可視需
要相對於(A)成分及(B)成分的總量100質量份分別含有0.01質量份~20質量份的孔雀綠(malachite green)、維多利亞純藍(Victoria pure blue)、亮綠(brilliant green)、及甲基紫等染料、三溴苯基碸、隱色結晶紫(leuco crystal violet)、二苯基胺、苄基胺、三苯基胺、二乙基苯胺、鄰氯苯胺及第三丁基鄰苯二酚等光發色劑、抗熱發色劑、對甲苯磺醯胺等塑化劑、顏料、填充劑、消泡劑、阻燃劑、密著性賦予劑、調平劑(leveling agent)、剝離促進劑、抗氧化劑、香料、顯像劑(imaging agent)、熱交聯劑、聚合抑制劑等添加劑。該些添加劑可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。
本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物可視需要含有至少一種有機溶劑。所述有機溶劑可無特別限制地使用通常所使用的有機溶劑。具體而言,例如可列舉:甲醇、乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、丙二醇單甲醚等有機溶劑或該些的混合溶劑。
本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物可應用於投影曝光用途。另外,本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物可較佳地用於抗蝕劑圖案的形成方法,其中,更佳為應用於藉由鍍覆處理而形成導體圖案的製造方法。本實施方式的投影曝光用感光性樹脂組成物例如可將所述(A)黏合劑聚合物、(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及(D)增感色素溶解於所述有機溶劑中而以固體成分30質量%~60質量
%的溶液(以下,亦稱為「塗佈液」)的形式使用。此外,固體成分意指自所述溶液(塗佈液)中去除揮發性成分所得的剩餘成分。即,固體成分亦包含25℃附近的室溫下的液狀、糖稀狀及蠟狀者,未必意指固體。
所述塗佈液例如可以下述方式用於形成投影曝光用感光性樹脂層(以下,有時簡稱為「感光性樹脂層」)。將所述塗佈液塗佈於下述支持膜、金屬板等支持體的表面上並使其乾燥,藉此可於支持體上形成源自所述投影曝光用感光性樹脂組成物的感光性樹脂層。
金屬板例如可列舉包含銅、銅系合金、鎳、鉻、鐵、或不鏽鋼等鐵系合金的金屬板,較佳為包含銅、銅系合金、或鐵系合金的金屬板。
所形成的投影曝光用感光性樹脂層的厚度根據其用途而不同,以乾燥後的厚度計較佳為1μm~100μm。亦可將投影曝光用感光性樹脂層的與支持體對向的面的相反側的面(表面)以保護層被覆。保護層例如可列舉:聚乙烯、聚丙烯等聚合物膜等。
本實施方式的感光性元件是有關於如下感光性元件,其包括:支持體、及於該支持體上使用所述投影曝光用感光性樹脂組成物而形成的感光性樹脂層。如圖1中表示其一例的示意剖面圖所示,本實施方式的感光性元件1是包括支持體2、及形成於支持體2上的源自所述投影曝光用感光性樹脂組成物的投影曝光用感
光性樹脂層3,且具備視需要設置的保護層4等其他層而構成。
所述支持體例如可使用聚丙烯、聚乙烯、及聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯等具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物膜(亦稱為「支持膜」)。
所述支持體的厚度較佳為1μm~100μm,更佳為1μm~50μm,進而較佳為1μm~30μm。藉由支持體的厚度為1μm以上,而有可抑制於剝離支持體時支持體發生破裂的傾向。另外,藉由支持體的厚度為100μm以下,而有可抑制解析度的降低的傾向。
所述感光性元件亦可視需要進而包括被覆投影曝光用感光性樹脂層3的與支持體2對向的面的相反側的面(表面)的保護層4。
所述保護層較佳為對投影曝光用感光性樹脂層的接著力小於支持體對投影曝光用感光性樹脂層的接著力者,另外,較佳為低魚眼(fisheye)的膜。此處,所謂「魚眼」,意指於將構成保護層的材料熱熔融、混練、擠出,並藉由雙軸延伸、流延法(casting method)等製造膜時,材料的異物、未溶解物、氧化劣化物等進入至膜中而成者。即,所謂「低魚眼」,意指膜中的所述異物等少。
具體而言,保護層例如可使用聚丙烯、聚乙烯、及聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯等具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物膜。市
售者例如可列舉:王子製紙股份有限公司製造的奧範(ALFAN)MA-410、E-200C、信越膜股份有限公司製造的聚丙烯膜、帝人股份有限公司製造的PS-25等PS系列(series)等聚對苯二甲酸乙二酯膜等。此外,保護層亦可為與所述支持體相同者。
保護層的厚度較佳為1μm~100μm,更佳為5μm~50μm,進而較佳為5μm~30μm,尤佳為15μm~30μm。藉由保護層的厚度為1μm以上,有於一面將保護層剝離一面將投影曝光用感光性樹脂層及支持體層壓於基板上時,可抑制保護層發生破裂的傾向。另外,就經濟方面而言,較佳為設為100μm以下。
本實施方式的感光性元件例如可以下述方式進行製造。可利用包括如下步驟的製造方法而製造:準備將所述投影曝光用感光性樹脂組成物溶解於所述有機溶劑中而成的塗佈液的步驟、將所述塗佈液塗佈於支持體上而形成塗佈層的步驟、及對所述塗佈層進行乾燥而形成投影曝光用感光性樹脂層的步驟。
所述塗佈液於支持體上的塗佈例如可以使用輥式塗佈(roll coat)、缺角輪塗佈(comma coat)、凹版塗佈(gravure coat)、氣刀塗佈(air knife coat)、模具塗佈(die coat)、棒式塗佈(bar coat)、噴霧塗佈(spray coat)等的公知的方法進行。
另外,所述塗佈層的乾燥只要可自塗佈層中去除有機溶劑的至少一部分,則並無特別限制。例如可以70℃~150℃、5分鐘~30分鐘進行。乾燥後,關於投影曝光用感光性樹脂層中的殘
存有機溶劑量,就防止後續步驟中的有機溶劑的擴散的方面而言,較佳為設為2質量%以下。
感光性元件中的投影曝光用感光性樹脂層的厚度可根據用途而適當選擇,以乾燥後的厚度計較佳為1μm~200μm,更佳為5μm~100μm,尤佳為10μm~50μm。藉由感光性樹脂層的厚度為1μm以上,有工業上的塗敷變得容易,生產性提高的傾向。另外,在感光性樹脂層的厚度為200μm以下的情況下,有可形成光感度高,抗蝕劑底部的光硬化性優異,密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的傾向。
本實施方式的感光性元件亦可視需要更包括緩衝層(cushion layer)、接著層、光吸收層、或阻氣層(gas barrier layer)等中間層等。
本實施方式的感光性元件的形態並無特別限制。例如可為片狀,亦可為於卷芯上捲繞成卷狀的形狀。在捲繞成卷狀的情況下,較佳為以支持體成為外側的方式捲繞。卷芯例如可列舉:聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、或ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)等塑膠(plastic)。
於以上述方式獲得的卷狀的感光性元件卷的端面,就端面保護的觀點而言,較佳為設置端面間隔件(separator),另外,就耐邊緣融合(edge fusion resistance)的觀點而言,較佳為設置防濕端面間隔件。捆包方法較佳為包裹於透濕性小的黑色片材(black sheet)中而進行包裝。
本實施方式的感光性元件例如可較佳地用於下述抗蝕劑圖案的形成方法。
本實施方式的抗蝕劑圖案的形成方法是有關於如下抗蝕劑圖案的形成方法,其包括:(i)感光性樹脂層形成步驟,其是於基板上使用所述投影曝光用感光性樹脂組成物而形成感光性樹脂層;(ii)曝光步驟,其是使用投影了光罩圖案的活性光線經由透鏡對所述感光性樹脂層的至少一部分進行曝光而使曝光部進行光硬化;及(iii)顯影步驟,其是藉由顯影將所述感光性樹脂層的未硬化部分自所述基板上去除。另外,本實施方式的抗蝕劑圖案的形成方法亦可視需要包括其他步驟。
於感光性樹脂層形成步驟中,於基板上形成源自所述投影曝光用感光性樹脂組成物的感光性樹脂層。所述基板並無特別限制,通常可使用包括絕緣層及形成於絕緣層上的導體層的電路形成用基板、或合金基材等晶粒座(die pad)(引線框架用基材)等。
於基板上形成感光性樹脂層的方法例如可列舉使用所述感光性元件的方法等。在具有保護層的感光性元件的情況下,可藉由將保護層去除後,將感光性元件的感光性樹脂層一面加熱一面壓著於基板而進行。藉此,可獲得依序包括基板、感光性樹脂層、及支持體的積層體。
在使用感光性元件進行感光性樹脂層形成步驟的情況
下,就密著性及追隨性的觀點而言,較佳為於減壓下進行。壓著時的加熱較佳為於70℃~130℃的溫度下進行。另外,壓著較佳為於0.1MPa~1.0MPa(1kgf/cm2~10kgf/cm2)的壓力下進行,該些條件可視需要適當選擇。此外,若將感光性元件的感光性樹脂層加熱至70℃~130℃,則無須預先對基板進行預熱處理,但為了進一步提高密著性及追隨性,亦可進行基板的預熱處理。
於曝光步驟中,使用投影了光罩圖案的活性光線經由透鏡對形成於基板上的感光性樹脂層的至少一部分照射活性光線,藉此使活性光線照射的部分(以下,亦稱為「曝光部」)進行光硬化而形成光硬化部(潛像)。此時,在使用所述感光性元件形成感光性樹脂層的情況下,當存在於感光性樹脂層上的支持體對於活性光線為透過性時,可經由支持體照射活性光線,當支持體對於活性光線為遮光性時,於去除支持體後對感光性樹脂層照射活性光線。
曝光方法亦可與所述投影曝光方式以外的曝光方式併用。可併用的曝光方式例如可列舉:經由稱為原圖(artwork)的負型遮罩圖案(negative mask pattern)或正型遮罩圖案(positive mask pattern)呈圖像狀地照射活性光線的方法(遮罩曝光法)等。
活性光線的光源可使用公知的光源、例如碳弧燈(carbon arc lamp)、水銀蒸汽弧燈(mercury vapor arc lamp)、超高壓水銀燈、高壓水銀燈、氙氣燈(xenon lamp)、氬雷射(argon laser)等氣體雷射(gas laser);釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet,YAG)
雷射等固體雷射、氮化鎵系藍紫色雷射等半導體雷射等有效放射紫外線者。另外,亦可使用照片用泛光燈(flood lamp)、太陽燈(solar lamp)等有效放射可見光者。
於顯影步驟中,藉由顯影將所述感光性樹脂層的未硬化部分(未曝光部)自基板上去除,藉此於基板上形成包含所述感光性樹脂層發生光硬化而成的硬化物的抗蝕劑圖案。
使用感光性元件而形成感光性樹脂層時,在感光性樹脂層上存在支持體的情況下,將支持體去除後,進行所述曝光部以外的未曝光部的去除(顯影)。顯影方法有濕式顯影(wet development)與乾式顯影(dry development)。
在濕式顯影的情況下,可使用對應於投影曝光用感光性樹脂組成物的顯影液,藉由公知的濕式顯影方法進行顯影。濕式顯影方法例如可列舉:浸漬(dip)方式、覆液(puddle)方式、高壓噴霧方式、利用刷洗(brushing)、拍擊(slapping)、擦洗(scrubbing)、振盪浸漬等的方法,就提高解析度的觀點而言,最佳為高壓噴霧方式。該些濕式顯影方法亦可組合兩種以上的方法而進行顯影。
顯影液的構成可根據所述投影曝光用感光性樹脂組成物的構成而適當選擇。例如可列舉:鹼性水溶液、水系顯影液、及有機溶劑系顯影液等。
在將鹼性水溶液用作顯影液的情況下,安全且穩定,操
作性良好。鹼性水溶液的鹼例如可使用鋰、鈉或鉀的氫氧化物等氫氧化鹼,鋰、鈉、鉀或銨的碳酸鹽或碳酸氫鹽等碳酸鹼,磷酸鉀、磷酸鈉等鹼金屬磷酸鹽,焦磷酸鈉、焦磷酸鉀等鹼金屬焦磷酸鹽等。
用於顯影的鹼性水溶液較佳為0.1質量%~5質量%碳酸鈉的稀溶液、0.1質量%~5質量%碳酸鉀的稀溶液、0.1質量%~5質量%氫氧化鈉的稀溶液、0.1質量%~5質量%四硼酸鈉的稀溶液等。另外,用於顯影的鹼性水溶液的pH值較佳為設為9~11的範圍,其溫度可根據感光性樹脂層的顯影性而調節。另外,鹼性水溶液中亦可混入例如表面活性劑、消泡劑、用以促進顯影的少量的有機溶劑等。
所述水系顯影液例如可列舉包含水或鹼性水溶液與一種以上的有機溶劑的顯影液。此處,作為鹼性水溶液的鹼,除上述物質以外,例如亦可列舉:硼酸鈉、偏矽酸鈉、氫氧化四甲基銨、乙醇胺、乙二胺、二伸乙基三胺、2-胺基-2-羥基甲基-1,3-丙烷二醇、1,3-二胺基丙醇-2、及嗎啉等。水系顯影液的pH值較佳為於可充分進行顯影的範圍內設為儘可能小,較佳為設為pH值8~12,更佳為設為pH值9~10。
水系顯影液中所使用的有機溶劑例如可列舉:3-丙酮醇、丙酮、乙酸乙酯、具有碳數1~4的烷氧基的烷氧基乙醇、乙醇、異丙醇、丁醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、及二乙二醇單丁醚等。該些可單獨使用一種或組合兩種以上而使用。水
系顯影液中的有機溶劑的濃度通常較佳為設為2質量%~90質量%,其溫度可根據顯影性而調整。水系顯影液中亦可混入少量界面活性劑、消泡劑等。
有機溶劑系顯影液中所使用的有機溶劑例如可列舉:1,1,1-三氯乙烷、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、環己酮、甲基異丁基酮、及γ-丁內酯等。就防止著火而言,該些有機溶劑較佳為於1質量%~20質量%的範圍內添加水而製成有機溶劑系顯影液。
本實施方式中,於顯影步驟中將未曝光部去除後,亦可視需要於60℃~250℃下進行加熱或以0.2J/cm2~10J/cm2的曝光量進行曝光,藉此使抗蝕劑圖案進一步硬化而使用。
本實施方式的印刷配線板的製造方法是有關於如下印刷配線板的製造方法:其包括對藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。另外,本實施方式的印刷配線板的製造方法亦可視需要包括抗蝕劑圖案去除步驟等其他步驟而構成。
於蝕刻處理中,以形成於具備導體層的基板上的抗蝕劑圖案作為遮罩,將未藉由抗蝕劑被覆的基板的導體層蝕刻去除,而形成導體圖案。
蝕刻處理的方法可根據應去除的導體層適當選擇。蝕刻液例如可列舉:氯化銅溶液、氯化鐵溶液、鹼性蝕刻溶液、過氧
化氫系蝕刻液等,就蝕刻因子(etch factor)良好的方面而言,理想的是使用氯化鐵溶液。
另一方面,於鍍覆處理中,以形成於具備導體層的基板上的抗蝕劑圖案作為遮罩,於未藉由抗蝕劑被覆的基板的導體層上鍍覆銅或焊料等。鍍覆處理後,藉由下述抗蝕劑圖案的去除而將抗蝕劑去除,進而對藉由該抗蝕劑被覆的導體層進行蝕刻而形成導體圖案。
鍍覆處理的方法可為電解鍍覆處理,亦可為非電解鍍覆處理,但較佳為非電解鍍覆處理。非電解鍍覆處理例如可列舉:硫酸銅鍍覆及焦磷酸銅鍍覆等銅鍍覆、高通量焊料鍍覆等焊料鍍覆、瓦特浴(Watts bath)(硫酸鎳-氯化鎳)鍍覆及胺基磺酸鎳鍍覆等鎳鍍覆、硬金鍍覆及軟金鍍覆等金鍍覆。
所述蝕刻處理或鍍覆處理後,將基板上的抗蝕劑圖案去除。抗蝕劑圖案的去除例如可藉由鹼性較所述顯影步驟中所使用的鹼性水溶液更強的水溶液剝離去除。該強鹼性的水溶液例如可使用1質量%~10質量%氫氧化鈉水溶液、1質量%~10質量%氫氧化鉀水溶液等。該些之中,較佳為使用1質量%~5質量%氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液。
抗蝕劑圖案的剝離方式例如可列舉浸漬方式及噴霧方式等,該些可單獨使用亦可併用。
在實施鍍覆處理後將抗蝕劑圖案去除的情況下,可進而藉由蝕刻處理對由抗蝕劑被覆的導體層進行蝕刻而形成導體圖
案,藉此製造所需的印刷配線板。此時的蝕刻處理的方法可根據應去除的導體層而適當選擇。例如,可應用所述的蝕刻液。
本實施方式的印刷配線板的製造方法不僅可應用於單層印刷配線板,而且亦可應用於多層印刷配線板的製造,另外,亦可應用於具有小徑通孔(through hole)的印刷配線板等的製造。
本實施方式的印刷配線板的製造方法可較佳地用於高密度封裝(package)基板的製造、尤其是利用半加成法(semi-additive process)的配線板的製造。此外,將利用半加成法的配線板的製造步驟的一例示於圖2。
圖2(a)中,準備於絕緣層15上形成有導體層10的基板(電路形成用基板)。導體層10例如為金屬銅層。圖2(b)中,藉由所述感光性樹脂層形成步驟,於基板的導體層10上積層投影曝光用感光性樹脂層32。圖2(c)中,對投影曝光用感光性樹脂層32上照射使光罩的圖像投影的活性光線50,使投影曝光用感光性樹脂層32進行曝光而形成光硬化部。圖2(d)中,藉由顯影步驟將除藉由所述曝光步驟而形成的光硬化部以外的區域自基板上去除,藉此於基板上形成作為光硬化部的抗蝕劑圖案30。圖2(e)中,藉由以作為光硬化部的抗蝕劑圖案30作為遮罩的鍍覆處理,於未由抗蝕劑被覆的基板的導體層10上形成鍍覆層42。圖2(f)中,藉由強鹼的水溶液將作為光硬化部的抗蝕劑圖案30剝離後,藉由閃蝕(flash etching)處理將鍍覆層42的一部分與由抗蝕劑圖案30遮蓋的導體層10去除而形成電路圖案40。此外,導體層10
與鍍覆層42的材質可相同亦可不同,在導體層10與鍍覆層42為相同材質情況下,導體層10與鍍覆層42一體化。
本實施方式的引線框架的製造方法是有關於如下引線框架的製造方法,其包括對藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。另外,本實施方式的引線框架的製造方法亦可視需要包括抗蝕劑圖案去除步驟、蝕刻處理步驟等其他步驟而構成。
所述基板例如可使用合金基材等晶粒座(引線框架用基材)。於本實施方式中,以形成於基板上的抗蝕劑圖案作為遮罩對基板進行鍍覆處理。
鍍覆處理的方法可列舉所述的印刷配線板的製造方法中所說明的方法。所述鍍覆處理後,將基板上的抗蝕劑圖案去除。抗蝕劑圖案的去除例如可藉由鹼性較所述顯影步驟中所使用的鹼性水溶液更強的水溶液而剝離。該強鹼性水溶液可列舉所述的印刷配線板的製造方法中所說明的強鹼性水溶液。
抗蝕劑圖案的剝離方式可列舉浸漬方式、噴霧方式等,該些可單獨使用亦可併用。將抗蝕劑圖案去除後,進而進行蝕刻處理,將不需要的金屬層去除,藉此可製造引線框架。
以上,對本發明的較佳實施方式進行了說明,但本發明並不受所述實施方式任何限定。
以下,藉由實施例更具體地說明本發明,但本發明並不受限於該些實施例。此外,只要無特別說明,則「份」及「%」為質量基準。
首先,依據合成例1合成下述表1~表4所示的黏合劑聚合物(A-1),依據合成例2合成黏合劑聚合物(A-2)。
將作為共聚合單體的甲基丙烯酸125g、甲基丙烯酸甲酯25g、甲基丙烯酸苄酯125g及苯乙烯225g與偶氮雙異丁腈1.5g混合,而製備溶液a。另外,於甲基溶纖劑60g及甲苯40g的混合液(質量比6:4)100g中溶解偶氮雙異丁腈1.2g,而製備溶液b。
另一方面,向具備攪拌機、回流冷卻器、溫度計、滴液漏斗(dropping funnel)及氮氣導入管的燒瓶(flask)中添加質量比為6:4的甲基溶纖劑及甲苯的混合物(以下,稱為「混合物x」)400g,一面吹入氮氣一面進行攪拌,並加熱至80℃。
向燒瓶內的混合物x中歷時4小時使滴加速度固定而滴加所述溶液a後,於80℃下攪拌2小時。繼而,向該燒瓶內的溶液中歷時10分鐘使滴加速度固定而滴加所述溶液b後,將燒瓶內的溶液於80℃下攪拌3小時。進而,將燒瓶內的溶液歷時30分鐘升溫至90℃,於90℃下保溫2小時後,冷卻至室溫而獲得黏合劑聚合物(A-1)的溶液。向該黏合劑聚合物(A-1)的溶液中添加丙酮並以不揮發成分(固體成分)成為50質量%的方式進行製備。
此外,本發明中的室溫是指25℃。
將作為共聚合單體的甲基丙烯酸125g、甲基丙烯酸甲酯25g、甲基丙烯酸苯氧基乙酯125g及苯乙烯225g與偶氮雙異丁腈1.5g混合,而製備溶液c。另外,於甲基溶纖劑60g及甲苯40g的混合液(質量比6:4)100g中溶解偶氮雙異丁腈1.2g,而製備溶液d。
另一方面,向具備攪拌機、回流冷卻器、溫度計、滴液漏斗及氮氣導入管的燒瓶中添加混合物x400g,一面吹入氮氣一面進行攪拌,並加熱至80℃。
向燒瓶內的混合物x中歷時4小時使滴加速度固定而滴加所述溶液c後,於80℃下攪拌2小時。繼而,向該燒瓶內的溶液中歷時10分鐘使滴加速度固定而滴加所述溶液d後,將燒瓶內的溶液於80℃下攪拌3小時。進而,將燒瓶內的溶液歷時30分鐘升溫至90℃,於90℃下保溫2小時後,冷卻至室溫而獲得黏合劑聚合物(A-2)的溶液。向該黏合劑聚合物(A-2)的溶液中添加丙酮並以不揮發成分(固體成分)成為50質量%的方式進行製備。
黏合劑聚合物(A-1)的重量平均分子量為50,000,酸值為163mgKOH/g。另外,黏合劑聚合物(A-2)的重量平均分子量為50,000,酸值為163mgKOH/g。此外,重量平均分子量是藉由利用凝膠滲透層析法(GPC)進行測定,並使用標準聚苯乙烯的校準曲線進行換算而導出。將GPC的條件示於以下。
GPC條件
泵(pump):日立L-6000型(日立製作所股份有限公司製造)
管柱(column):Gelpack GL-R420+Gelpack GL-R430+Gelpack GL-R440(合計3根)(以上,日立化成股份有限公司製造,製品名)
洗滌液:四氫呋喃(tetrahydrofuran)
測定溫度:25℃
流量:2.05mL/min
檢測器:日立L-3300型折射率檢測器(Refractive Index detector,RI)(日立製作所股份有限公司製造,製品名)
其次,將下述表1~表4所示的各成分以該表所示的量混合,獲得實施例1~實施例12及比較例1~比較例12的感光性樹脂組成物。此外,表中的數值表示混合份數(質量基準)。另外,(A)成分及(B)成分的量均表示以固體成分計的質量。
表1~表4中的各成分表示以下。
成分:黏合劑聚合物
*1:(A-1)
甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸苄酯/苯乙烯=25/5/25/45(質量比)、重量平均分子量=50,000、固體成分=50質量%
*2:(A-2)
甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸苯氧基乙酯/苯乙烯=25/5/25/45(質量比)、重量平均分子量=50,000、固體成分=50質量%
(B)成分:光聚合性化合物
*3:(B-1)
通式(II)中n=0且R4為甲基的化合物(具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物)
*4:(B-2)
通式(H)中n=2且R4為氫的化合物(具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物)
*5:(B-3)
通式(II)中n=4且R4為氫的化合物(具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物)
*6:FA-024M(日立化成股份有限公司製造,製品名)
環氧乙烷環氧丙烷(ethylene oxide propylene oxide,EOPO)改質二甲基丙烯酸酯
*7:TMPT(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
三羥甲基丙烷三丙烯酸酯
*8:A-TMMT(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
季戊四醇四丙烯酸酯
*9:FA-321M(日立化成股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基五乙氧基)苯基)丙烷(通式(III)所表示的化合物,一分子中的氧基伸乙基的結構單元的個數(平均值):10)
*10:BPE-200(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基二乙氧基)苯基)丙烷(通式(III)所表示的化合物,一分子中的氧基伸乙基的結構單元的個數(平均值):4)
*11:BPE-100(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基乙氧基)苯基)丙烷(通式(III)所表示的化合物,一分子中的氧基伸乙基的結構單元的個數(平均值):2.6)
*12:BPE-80N(新中村化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2-雙(4-(甲基丙烯醯氧基乙氧基)苯基)丙烷(通式(III)所表示的化合物,一分子中的氧基伸乙基的結構單元的個數(平均值):2.3)
(C)成分:光聚合起始劑
*13:B-CIM(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)
2,2'-雙(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基雙咪唑
(D)成分:增感色素
*14:EAB(保土谷化學工業股份有限公司製造,製品名)
4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮
*15:吡唑啉化合物(日本化學工業股份有限公司製造,化合物名:1-苯基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)-5-(4-甲氧基苯基)吡唑啉)
將所述獲得的實施例1~實施例12及比較例1~比較例12的感光性樹脂組成物分別以均勻的方式塗佈於厚度16μm的聚對苯
二甲酸乙二酯膜(帝人股份有限公司製造,製品名「HTF01」)(支持體)上,利用100℃的熱風對流式乾燥機乾燥10分鐘,而形成乾燥後的膜厚為25μm的感光性樹脂層。於該感光性樹脂層上貼合聚丙烯膜(塔瑪波利(TAMAPOLY)股份有限公司製造,製品名「NF-15」)(保護層),而獲得依序積層有聚對苯二甲酸乙二酯膜(支持體)、感光性樹脂層、及保護層的感光性元件。
使用具備相當於#600的刷(brush)的研磨機(三啟股份有限公司製造)對作為兩面積層有厚度12μm的銅箔的環氧玻璃材的覆銅積層板(基板,日立化成股份有限公司製造,製品名「MCL-E-67」)的銅表面進行研磨,水洗後,利用空氣流進行乾燥。將研磨後的覆銅積層板加溫至80℃,一面剝離保護層,一面以使感光性樹脂層接觸於銅表面的方式分別層壓所述獲得的感光性元件。層壓是使用110℃的加熱輥(heat roll),以0.40MPa的壓著壓力、1.5m/min的輥速度進行。如此,分別獲得依序積層有覆銅積層板、感光性樹脂層、支持體的積層體。將所獲得的積層體用作以下所示的評價中的試片。
將所述獲得的試片分割為三個區域,於其中一個區域的支持體上放置濃度區域0.00~2.00、濃度梯度0.05、曝光表的大小20mm×187mm、各梯度的大小3mm×12mm的日立41段階段式曝
光表(step tablet),使用以波長365nm的半導體雷射作為光源的投影曝光裝置(牛尾(Ushio)電機股份有限公司製造,製品名「UX-2240SMXJ-01」),以100mJ/cm2的能量(曝光量)對感光性樹脂層進行曝光。此時,未使用的其他區域以黑色片材覆蓋。另外,分別對另外兩個區域以同樣的方法分別以150mJ/cm2、200mJ/cm2的能量進行曝光。
其次,將支持體自試片剝離,使用30℃的1.0質量%碳酸鈉水溶液,將未曝光部被完全去除的時間設為最少顯影時間,將其2倍的時間設定為顯影時間,對感光性樹脂層進行噴霧顯影,將未曝光部去除而進行顯影處理。顯影處理後,測定各曝光量下的形成於覆銅積層板上的光硬化物的階段式曝光表的殘存階段段數。繼而,製成曝光量與殘存階段段數的校準曲線,求出顯影後的殘存階段段數成為14.0段的能量(mJ/cm2),設為感光性樹脂組成物的光感度。該能量(mJ/cm2)越少,表示光感度越高。將結果示於表5~表8。此外,若光感度為150mJ/cm2以下,則為使用上無問題的水準(level)。
於所述獲得的試片的支持體上放置具有線寬/間隙寬為y/3y(y=1~30)(單位:μm)的配線圖案作為密著性評價用圖案的玻璃遮罩(glass mask),使用以波長365nm的半導體雷射作為光源的投影曝光裝置(牛尾電機股份有限公司製造,製品名「UX-2240SMXJ-01」),以日立41段階段式曝光表的顯影後的殘
存階段段數成為14.0段的能量對感光性樹脂層進行曝光。曝光後,進行與所述光感度的測定試驗同樣的顯影處理。
顯影處理後,使用光學顯微鏡觀察抗蝕劑圖案。將抗蝕劑圖案的間隙部分(未曝光部)被完全去除且線部分(曝光部)不產生蜿蜒、缺口而形成的抗蝕劑圖案中線部分的寬度成為最小者(最小線寬,單位:μm)作為密著性評價的指標。該數值越小,表示密著性越良好。將結果示於表5~表8。
於所述獲得的試片的支持體上放置具有線寬/間隙寬為z/z(z=1~30)(單位:μm)的配線圖案作為解析度評價用圖案的玻璃遮罩,使用以波長365nm的半導體雷射作為光源的投影曝光裝置(牛尾電機股份有限公司製造,製品名「UX-2240SMXJ-01」),以日立41段階段式曝光表的顯影後的殘存階段段數成為14.0段的能量對感光性樹脂層進行曝光。曝光後,進行與所述光感度的測定試驗同樣的顯影處理。
顯影處理後,使用光學顯微鏡觀察抗蝕劑圖案。將抗蝕劑圖案的間隙部分(未曝光部)被完全去除且線部分(曝光部)不產生蜿蜒、缺口而形成的抗蝕劑圖案中線部分間的間隙寬成為最小者(最小間隙寬,單位:μm)作為解析度評價的指標。該數值越小,表示解析度越良好。將結果示於表5~表8。
觀察所述密著性的評價中所形成的抗蝕劑圖案的線線寬為10
μm的線部分,藉此評價抗蝕劑尾渣。使用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)(日立高新技術(Hitachi High-Technologies)股份有限公司製造,製品名「SU-1500」),於加速電壓15kV、倍率3,000倍、傾斜角(tilt angle)60度下觀察抗蝕劑形狀,按照以下基準對抗蝕劑尾渣進行評價。即,若自抗蝕劑側面與抗蝕劑底部(bottom)產生的尾渣長度的最大值為0μm以上且小於0.5μm,則評價為「A」,若為0.5μm以上,則評價為「B」。另外,於抗蝕劑底部觀察到底切(undercut)的情況下,評價為「C」。將評價結果示於表5~表8。
如表5及表6所示,由實施例1~實施例6的投影曝光用感光性樹脂組成物製作的感光性元件與比較例1相比,顯示出可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的
特性。尤其是比較例1使用二官能(甲基)丙烯酸酯化合物作為(B)成分,但未使用具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物,該情況下,與實施例1~實施例6相比,成為不僅所形成的抗蝕劑圖案的密著性及解析度差,而且抗蝕劑尾渣產生的抑制性亦差的結果。
另外,同樣地,比較例2及比較例3使用三官能以上的(甲基)丙烯酸酯化合物作為(B)成分,但未使用具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物,該情況下,與實施例1~實施例6相比,成為所形成的抗蝕劑圖案的抗蝕劑尾渣產生的抑制性差的結果。
進而,將實施例2、比較例1及比較例2中形成的抗蝕劑圖案的掃描式電子顯微鏡(SEM)照片分別示於圖3~圖5。根據圖3~圖5可知,於比較例1及比較例2中形成的抗蝕劑圖案(圖4及圖5)中,產生0.5μm以上的長度的抗蝕劑尾渣,相對於此,於實施例2中形成的抗蝕劑圖案(圖3)中,幾乎不產生抗蝕劑尾渣。
根據以上可確認,實施例1~實施例6的感光性樹脂組成物在投影曝光方式下可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案。
如表5及表6所示,由實施例1~實施例6的投影曝光用感光性樹脂組成物製作的感光性元件與比較例4及比較例5相比,顯
示出可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的特性。根據該結果可明確,僅藉由如比較例4及比較例5般增多疏水性作用相對高的光聚合性化合物(FA-321M、BPE-200)的添加量,無法改善抗蝕劑圖案的密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性。
另外,比較例6未使用通式(III)所表示的化合物,該情況下,與實施例1~實施例6相比,成為所形成的抗蝕劑圖案的密著性、解析度、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性差的結果。根據該結果可明確,在具有疏水性作用的光聚合性化合物中亦未添加通式(III)所表示的化合物(BPE-200、BPE-100、BPE-80N)的情況下,無法改善抗蝕劑圖案的密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性。
如表7及表8所示,由實施例7~實施例12的投影曝光用感光性樹脂組成物製作的感光性元件與比較例7相比,顯示出可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的特性。尤其是比較例7使用二官能(甲基)丙烯酸酯化合物作為(B)成分,但未使用具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物,該情況下,與實施例7~實施例12相比,成為不僅所形成的抗蝕劑圖案的密著性及解析度差,而且抗蝕劑尾渣產生的抑制性亦差的結果。
另外,同樣地,比較例8及比較例9使用三官能以上的(甲基)丙烯酸酯化合物作為(B)成分,但未使用具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物,該情況下,與實施例7~實施例12相比,成為所形成的抗蝕劑圖案的抗蝕劑尾渣產生的抑制性差的結果。
根據以上可確認,實施例7~實施例12的感光性樹脂組成物在投影曝光方式下可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案。
如表7及表8所示,由實施例7~實施例12的投影曝光用感光性樹脂組成物製作的感光性元件與比較例10及比較例11相比,顯示出可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的特性。根據該結果可明確,僅藉由如比較例10及比較例11般增多疏水性作用相對高的光聚合性化合物(FA-321M、BPE-200)的添加量,無法改善抗蝕劑圖案的密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性。
另外,比較例12未使用通式(III)所表示的化合物,該情況下,與實施例7~實施例12相比,成為所形成的抗蝕劑圖案的密著性、解析度、及抗蝕劑尾渣產生的抑制性差的結果。根據該結果可明確,在具有疏水性作用的光聚合性化合物中亦未添加通式(III)所表示的化合物(BPE-200、BPE-100、BPE-80N)的情況下,無法改善抗蝕劑圖案的密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性。
如上所述,根據本發明,可提供一種在投影曝光方式下可形成密著性、解析度及抗蝕劑尾渣產生的抑制性優異的抗蝕劑圖案的投影曝光用感光性樹脂組成物、使用其的感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法、印刷配線板的製造方法及引線框架的製造方法。
1‧‧‧感光性元件
2‧‧‧支持體
3‧‧‧投影曝光用感光性樹脂層
4‧‧‧保護層
Claims (6)
- 一種投影曝光用感光性樹脂組成物,其含有(A)黏合劑聚合物、(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物、(C)光聚合起始劑、及(D)增感色素,且所述(B)具有乙烯性不飽和鍵的光聚合性化合物包含具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物及下述通式(III)所表示的化合物,
- 如申請專利範圍第1項所述的投影曝光用感光性樹脂組成物,其中所述具有源自二季戊四醇的骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物 具有環氧乙烷鏈。
- 一種抗蝕劑圖案的形成方法,其包括:感光性樹脂層形成步驟,其是於基板上使用如申請專利範圍第1項或第2項所述的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成感光性樹脂層;曝光步驟,其是使用投影了光罩圖案的活性光線經由透鏡對所述感光性樹脂層的至少一部分進行曝光而使曝光部進行光硬化;及顯影步驟,其是藉由顯影將所述感光性樹脂層的未硬化部分自所述基板上去除。
- 一種感光性元件,其包括:支持體、及於所述支持體上使用如申請專利範圍第1項或第2項所述的投影曝光用感光性樹脂組成物而形成的感光性樹脂層。
- 一種印刷配線板的製造方法,其包括對藉由如申請專利範圍第3項所述的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行蝕刻處理或鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。
- 一種引線框架的製造方法,其包括對藉由如申請專利範圍第3項所述的抗蝕劑圖案的形成方法而形成有抗蝕劑圖案的基板進行鍍覆處理以形成導體圖案的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013152563 | 2013-07-23 | ||
JP2013-152563 | 2013-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201512780A true TW201512780A (zh) | 2015-04-01 |
TWI649619B TWI649619B (zh) | 2019-02-01 |
Family
ID=52393307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103125084A TWI649619B (zh) | 2013-07-23 | 2014-07-22 | 投影曝光用感光性樹脂組成物、感光性元件、抗蝕劑圖案的形成方法、印刷配線板的製造方法及引線框架的製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9989854B2 (zh) |
JP (1) | JP6432511B2 (zh) |
KR (3) | KR102394595B1 (zh) |
CN (1) | CN105393171B (zh) |
MY (1) | MY182915A (zh) |
TW (1) | TWI649619B (zh) |
WO (1) | WO2015012272A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI623814B (zh) * | 2014-05-21 | 2018-05-11 | Asahi Kasei E Mat Corporation | 感光性樹脂組合物及電路圖案之形成方法 |
KR101990230B1 (ko) | 2015-04-08 | 2019-06-17 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
JP6702188B2 (ja) | 2015-04-24 | 2020-05-27 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および半導体装置 |
JP2017003966A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | Jsr株式会社 | 感光性組成物、及びメッキ造形物の製造方法 |
JP6724445B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-07-15 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターン付き基板の製造方法、及びプリント配線板の製造方法 |
JP2017191171A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
TWI664497B (zh) * | 2017-01-30 | 2019-07-01 | 日商旭化成股份有限公司 | 感光性樹脂組合物、感光性樹脂積層體、形成有光阻圖案之基板及電路基板之製造方法 |
WO2018159629A1 (ja) | 2017-03-01 | 2018-09-07 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
WO2018163602A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | Jsr株式会社 | メッキ造形物の製造方法、及びメッキ造形物製造用感光性樹脂組成物 |
KR101951283B1 (ko) | 2017-11-13 | 2019-02-22 | 양미경 | 탈모의 예방 또는 치료용, 또는 발모 또는 육모 촉진용 약학 또는 화장료 조성물 |
WO2019124307A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板の製造方法及び積層体 |
WO2021137546A1 (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 드라이 필름 포토레지스트, 감광성 엘리먼트, 회로기판, 및 디스플레이 장치 |
CN114830033A (zh) * | 2019-12-31 | 2022-07-29 | 可隆工业株式会社 | 光敏树脂层和使用其的干膜光致抗蚀剂、光敏元件 |
CN114761874A (zh) * | 2019-12-31 | 2022-07-15 | 可隆工业株式会社 | 光敏树脂层和使用该光敏树脂层的干膜光致抗蚀剂、光敏元件 |
CN114787711A (zh) * | 2019-12-31 | 2022-07-22 | 可隆工业株式会社 | 光敏树脂组合物以及使用其的干膜光致抗蚀剂、光敏元件、电路板和显示装置 |
CN113773433B (zh) * | 2021-09-03 | 2023-12-29 | 江苏汉拓光学材料有限公司 | 聚合物树脂及其制备方法、改善电子束光刻胶开裂的方法、电子束光刻胶及其制备与使用 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100709891B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2007-04-20 | 주식회사 엘지화학 | 알칼리 가용성 수지 및 이를 포함하는 감광성 조성물 |
JP4917294B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2012-04-18 | 昭和電工株式会社 | チオール化合物およびそれを用いた感光性組成物 |
KR101186536B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2012-10-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 염료함유 네가티브형 경화성 조성물, 컬러필터 및 그제조방법 |
JP2007017814A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | パターン形成材料、並びにパターン形成装置及び永久パターン形成方法 |
KR20070017039A (ko) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감광성 조성물, 및 컬러필터 및 그 제조방법, 액정표시장치 |
JP4668742B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-04-13 | 東京応化工業株式会社 | 三次元微小成形体の製造方法 |
JP4765974B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-09-07 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
CN101421671B (zh) * | 2006-04-18 | 2012-05-30 | 日立化成工业株式会社 | 感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷电路板的制造方法 |
JP4936848B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-05-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物およびその積層体 |
EP2088163B1 (en) | 2006-11-21 | 2013-05-15 | Showa Denko K.K. | Curable composition containing hydroxyl group-containing thiol compound and cured product thereof |
JP4959411B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 着色光重合性組成物並びにそれを用いたカラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法 |
JP5050683B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2012-10-17 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント |
TW200919085A (en) * | 2007-09-18 | 2009-05-01 | Asahi Kasei Emd Corp | Photosensitive resin composition and laminate thereof |
JP2009078380A (ja) | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Kansai Paint Co Ltd | 水圧転写体及び水圧転写体の製造方法 |
JP2009139616A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示素子 |
KR101175079B1 (ko) | 2007-12-18 | 2012-08-21 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 수지 적층체를 사용한 레지스트 경화물의 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 적층체, 및 네거티브형 감광성 수지 적층체의 사용 방법 |
JP5086844B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-11-28 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
JP2009258471A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物フィルムおよびそれを用いたレジスト形成方法 |
WO2009145120A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
JP5315267B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 着色硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに、キノフタロン色素 |
JP6022749B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2016-11-09 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造方法、リードフレームの製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
CN102375341B (zh) * | 2010-07-30 | 2016-04-06 | 日立化成工业株式会社 | 感光性树脂组合物、元件、抗蚀剂图形和引线框的制造方法、印刷线路板及其制造方法 |
JP2012094586A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012198470A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光重合性組成物およびこれを利用した感光性平版印刷版材料 |
JP5666975B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-02-12 | 本田技研工業株式会社 | 回転電機及びその製造方法 |
JP5899798B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2016-04-06 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 |
JP6063200B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2017-01-18 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
-
2014
- 2014-07-22 KR KR1020217008389A patent/KR102394595B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-22 JP JP2015528293A patent/JP6432511B2/ja active Active
- 2014-07-22 TW TW103125084A patent/TWI649619B/zh active
- 2014-07-22 KR KR1020207015640A patent/KR102234812B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-22 US US14/906,595 patent/US9989854B2/en active Active
- 2014-07-22 CN CN201480040290.0A patent/CN105393171B/zh active Active
- 2014-07-22 MY MYPI2016700188A patent/MY182915A/en unknown
- 2014-07-22 KR KR1020167001640A patent/KR102162752B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-22 WO PCT/JP2014/069353 patent/WO2015012272A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102234812B1 (ko) | 2021-03-31 |
WO2015012272A1 (ja) | 2015-01-29 |
CN105393171A (zh) | 2016-03-09 |
US20160170299A1 (en) | 2016-06-16 |
US9989854B2 (en) | 2018-06-05 |
KR20210034686A (ko) | 2021-03-30 |
KR20200065108A (ko) | 2020-06-08 |
JPWO2015012272A1 (ja) | 2017-03-02 |
MY182915A (en) | 2021-02-05 |
KR20160034905A (ko) | 2016-03-30 |
KR102394595B1 (ko) | 2022-05-04 |
CN105393171B (zh) | 2019-11-26 |
KR102162752B1 (ko) | 2020-10-07 |
TWI649619B (zh) | 2019-02-01 |
JP6432511B2 (ja) | 2018-12-05 |
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