TW201446933A - 半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Makoto Kataoka
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Abstract

半導體晶圓保護用膜具有：基材層(A)、及形成於所述基材層(A)上的黏著層(C)，所述基材層(A)包含聚合物，所述聚合物的藉由范．克雷維倫法而求出的溶解參數為9以上。

Description

半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法。
在使用半導體晶圓的半導體裝置的製造方法中，半導體晶圓在半導體電路面經由黏接層而接合支撐體，並在保護半導體電路面的狀態下自另一面研磨。然後，在半導體晶圓的經研磨的面上，貼附切割膠帶，將支撐體除去，而進行切割。
作為在研磨時保護半導體電路面的方法，有時使用保護膠帶代替支撐體，特別是在包括於半導體晶圓的上下方向形成被稱為貫通電極的電性連接部的步驟的半導體晶圓時，由於半導體晶圓厚度薄且步驟中包括加熱步驟，因此通常與具有耐熱性的黏接層一起使用耐熱性、對半導體晶圓的支撐性更優異的支撐體。
作為除去此種支撐體的方法，有：一邊將半導體晶圓與支撐體加熱，一邊在水平相對的方向進行滑動的方法；及固定半導體晶圓或支撐體的一者，以某角度撕掉另一者的方法；藉由溶劑溶解黏接層的方法等(專利文獻1)。
作為利用藉由溶劑溶解黏接層的方法的技術，例如有專利文獻2記載者。
專利文獻2中記載：使用預先形成有貫通孔與槽的支撐板，經由黏接劑層貼合於半導體晶圓進行薄板化後，貼附切割膠帶。並且，利用支撐板的貫通孔與槽供給溶劑而將黏接劑層溶解，並將支撐板與半導體晶圓剝離。
[現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2012-144616號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-158124號公報
然而，專利文獻2記載的技術並非著眼於切割膠帶對於溶解黏接劑層時所用的溶劑的耐性。因此，產生切割膠帶的黏接性、擴展性、形狀追隨性等特性因溶劑而降低等間題。
本發明鑒於所述情況而成，是有關於一種使用表面平滑的半導體晶圓時的耐溶劑性良好的半導體晶圓保護用膜及使用其的半導體裝置的製造方法。
本發明者第一次著眼於此種半導體裝置的製造步驟、特別是切割步驟中所用的半導體晶圓保護用膜的耐溶劑性，並進行努力研究，結果發現，基材層所含的聚合物的藉由范．克雷維倫(van Krevelen)法而求出的溶解度參數成為良好指標的新發現。
即，本發明提供一種半導體晶圓保護用膜，其具有：基材層(A)、形成於所述基材層(A)上的黏著層(C)，所述基材層(A)包含聚合物，所述聚合物的藉由范．克雷維倫法而求出的溶解參數為9以上。
另外，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，其包括：第一步驟，在半導體晶圓上，經由所述半導體晶圓保護用膜的黏著層(C)而進行貼附；及第二步驟，將所述半導體晶圓與所述半導體晶圓保護用膜一起藉由溶劑進行清洗。
根據本發明，可提供一種使用表面平滑的半導體晶圓時的耐溶劑性良好的半導體晶圓保護用膜及使用其的半導體裝置的製造方法。
所述目的、及其他目的、特徵及優點，根據以下所述的較佳的實施形態、及其隨附的以下的圖式而進一步明瞭。
1‧‧‧基材層
2‧‧‧吸收層
3‧‧‧黏著層
10‧‧‧半導體晶圓保護用膜
40‧‧‧膜
43‧‧‧平台
44‧‧‧環狀框架
101‧‧‧半導體晶圓
102‧‧‧支撐基板
103‧‧‧黏接層
111‧‧‧半導體晶片
201‧‧‧切割刀
202‧‧‧拾取器具
a、b、A、B、a'、b'、A'、B'‧‧‧標記
圖1是示意性表示實施形態的半導體晶圓保護用膜的一例的剖面圖。
圖2(a)~圖2(e)是示意性表示實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的步驟剖面圖。
圖3(a)~圖3(c)是示意性表示實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的步驟剖面圖。
圖4(a)是示意性表示本發明的半導體晶圓保護用膜的試驗方法的平面圖，及圖4(b)是其剖面圖。
圖5是示意性表示本發明的半導體晶圓保護用膜的試驗方法的剖面圖。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明。另外，在所有圖式中，對相同的構成要素給予相同的符號，並適當省略說明。
(半導體晶圓保護用膜)
如圖1所示般，半導體晶圓保護用膜10依序積層有：基材層1、吸收層2、黏著層3。
(基材層1)
作為基材層1，使用將合成樹脂成形加工為膜狀者。基材層1可為單層體，且亦可為二層以上的積層體。另外，基材層1可為將熱塑性樹脂進行成形加工者，亦可為將熱硬化性樹脂製膜後，進行硬化者。
基材層1中，基材層所含的聚合物的藉由范．克雷維倫法而求出的溶解度參數(以下亦表示為「SP值」)為9以上。藉由 將SP值設為9以上，而可降低與半導體裝置的製造步驟中所用的溶劑(通常為有機溶劑)的親和性，可某種程度地防止因溶劑與基材層1接觸導致基材層1發生膨脹等變形。藉此，可有效地抑制溶劑進入至基材層1與基材層1所接觸的層間、具體為基材層1與黏著層3之間或基材層1與吸收層2之間等。其結果是可使半導體晶圓保護用膜10的耐溶劑性變得良好。
另外，基材層1在25℃、頻率為1Hz時的拉伸彈性模數Ea較佳為0.1GPa以上。藉由將拉伸彈性模數Ea設為一定以上，而可進一步抑制基材層1的變形。藉由將所述參數組合，而可使耐溶劑性變得更良好。
先前已知的可用於切割步驟等、並具有擴展性的半導體晶圓保護用膜，並未想到亦會用於如本發明般需要耐溶劑性的步驟，因此，基材層使用的是耐溶劑性低者、具體為SP值小於9的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下，亦稱為EVA)、聚乙烯等。相對於此，本發明的半導體晶圓保護用膜10藉由將基材層1所含的聚合物的SP值設為9以上，而可抑制溶劑的進入，並可使耐溶劑性變得良好。
基材層1在25℃、頻率為1Hz時的拉伸彈性模數Ea，較佳為0.05GPa以上，更佳為0.1GPa以上。藉此，可進一步維持半導體晶圓保護用膜10的強度。另一方面，就維持耐溶劑性、且可使半導體晶圓保護用膜10的形狀追隨性變得良好的觀點而言，拉伸彈性模數Ea較佳為5GPa以下，更佳為1GPa以下。
基材層1更佳為僅包含SP值為9以上的聚合物。藉此，可使耐溶劑性變得更良好。
作為可用於基材層1的原料聚合物，例如可列舉：乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯-順丁烯二酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、離聚物樹脂、乙烯-丙烯共聚物、丁二烯系彈性體、苯乙烯-異戊二烯系彈性體等熱塑性彈性體，聚苯乙烯系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚醯亞胺，聚醚醚酮，聚碳酸酯，聚胺基甲酸酯，丙烯酸系樹脂，氟系樹脂，纖維素系樹脂等。所述中，更佳為聚對苯二甲酸丁二酯。
可用於基材層1的所述聚合物較佳為包含擴展性賦予成分作為共聚物成分。藉此，可維持耐溶劑性，同時獲得良好的擴展性。另外，藉由包含擴展性賦予成分，而相對於先前已知的具有擴展性的半導體晶圓保護用膜，可獲得能同時滿足耐溶劑性與擴展性的新的膜。
作為擴展性賦予成分，例如可列舉：間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2，6-萘二甲酸、5-鈉磺基間苯二甲酸、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、壬二酸、十二烷二酸、二聚物酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸、檸康酸、中康酸(mesaconic acid)、環己烷二甲酸等二羧酸，4-羥基苯甲酸、ε-己內酯或乳酸等羥基羧酸。另外，擴展性賦予成分較佳為包含二醇，例如可列舉：1,3- 丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,6-己二醇、環己烷二甲醇、三乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇、雙酚A或雙酚S的環氧乙烷加成物等二醇等，就與聚合物的相溶性的觀點而言，更佳為聚四亞甲基二醇。所述二醇可使用1種或混合2種以上而使用。
擴展性賦予成分單體的熔點較佳為40℃以下，更佳為30℃以下。藉此，在將半導體晶圓保護用膜10擴展的溫度的附近，擴展性賦予成分變得柔軟，因此可維持耐溶劑性，同時獲得良好的擴展性。
在將可用於所述基材層1的聚合物成形加工為膜狀時，根據需要可添加：穩定劑、潤滑劑、抗氧化劑、顏料、抗結塊劑、塑化劑、增黏劑、柔軟劑等。在將基材層1成型加工時添加穩定劑等各種添加劑時，存在以下情況：添加劑轉移至黏著層3，而改變黏著層3的特性、或污染半導體晶圓表面。此種情況下，較佳為在基材層1與黏著層3之間設置障壁層，以防止各種添加劑轉移至黏著層3。
基材層1的厚度較佳為2μm~500μm。基材層1的厚度更佳為5μm~500μm。藉由將基材層1的厚度設為下限值以上，而可維持半導體晶圓保護用膜10的形態。另一方面，藉由將基材層1的厚度設為上限值以下，而可使半導體晶圓保護用膜10的生產性變得良好。
在基材層1的設置有黏著層3之側的面上，為了提高基 材層1與黏著層3的黏接力，較佳為預先實施電暈放電處理或化學處理。或者，以相同的目的，可在基材層1與黏著層3之間形成底塗劑層。基材層1可自藉由研光法、T模擠出法、膨脹(inflation)法、澆鑄法等公知的技術而製造者中，考慮生產性、所得的膜的厚度精度等而適當選擇。
(黏著層3)
黏著層3為與半導體晶圓的表面直接接觸的面。藉此，半導體晶圓保護用膜10與半導體晶圓密接，並可保護半導體晶圓表面。
作為黏著層3的主成分的聚合物的種類，可自天然橡膠系、合成橡膠系、矽酮橡膠系、丙烯酸系等、各種種類的公知的聚合物中進行適當選擇而使用。所述中，若考慮到物性的控制、再現性等，則較佳為將丙烯酸系聚合物作為主成分。
在作為黏著層3的主成分的聚合物為丙烯酸系時，作為構成所述聚合物的主單體，較佳為包含丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、或所述的混合物者。作為丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯，可列舉：丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯等。所述可單獨使用，亦可混合2種以上而使用。在成為聚合物的原料的全部單體的總量中，主單體的使用量較佳為包含60重量%~99重量%的範圍。藉由使用所述組成的單體混合物，而可獲得包含大致相同組成的丙烯酸烷基酯單元、甲基丙烯酸烷基酯單元、或所述的混 合單元的聚合物。
作為黏著層3的主成分的聚合物可具有能與交聯劑反應的官能基。作為能與交聯劑反應的官能基，可列舉：羥基、羧基、環氧基、胺基等。作為在黏著劑聚合物中導入所述能與交聯劑反應的官能基的方法，通常使用：在將聚合物聚合時使具有所述官能基的共單體共聚合的方法。
作為具有所述官能基的共單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、衣康酸單烷基酯、中康酸單烷基酯、檸康酸單烷基酯、反丁烯二酸單烷基酯、順丁烯二酸單烷基酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、丙烯酸第三丁基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三丁基胺基乙酯等。
可使所述共單體中的1種與所述主單體共聚合，或者亦可使2種以上共聚合。在成為黏著層3的聚合物的原料的全部單體的總量中，具有所述能與交聯劑反應的官能基的共單體的使用量(共聚合量)，較佳為包含1重量%~40重量%的範圍內。藉由使用所述組成的單體混合物，而可獲得包含大致相同組成的共單體單元的聚合物。
在本實施形態中，除了構成作為所述黏著層3的主成分的聚合物的主單體、及具有能與交聯劑反應的官能基的共單體外，可使具有作為界面活性劑的性質的特定共單體(以下，亦稱為「聚合性界面活性劑」)共聚合。聚合性界面活性劑具有與主單 體及共單體共聚合的性質，並且在進行乳化聚合時具有作為乳化劑的作用。在利用使用聚合性界面活性劑進行乳化聚合而成的聚合物時，通常不會產生因界面活性劑引起的對半導體晶圓表面的污染。另外，在產生因黏著層3引起的極少污染時，亦可藉由將半導體晶圓表面進行水洗而容易地除去。
作為此種聚合性界面活性劑，例如可列舉：在聚氧伸乙基壬基苯醚的苯環上導入聚合性的1-丙烯基者[第一工業製藥股份有限公司製造；商品名：AQUALON RN-10、AQUALON RN-20、AQUALON RN-30、AQUALON RN-50等]、在聚氧伸乙基壬基苯醚的硫酸酯的銨鹽的苯環上導入聚合性的1-丙烯基者[第一工業製藥股份有限公司製造；商品名：AQUALON HS-10、AQUALON HS-20等]、及在分子內具有聚合性雙鍵的磺基琥珀酸二酯系者[花王股份有限公司製造；商品名：LATEMUL S-120A、LATEMUL S-180A等]等。
而且，根據需要，可將以下成分共聚合：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸異氰酸酯基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸酯基乙酯、丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、甲基丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯等具有自交聯性官能基的單體，乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性雙鍵的單體，二乙烯苯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸烯丙酯等多官能性單體等。
作為黏著層3的主成分的聚合物的聚合反應機制，可列 舉：自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。若考慮到聚合物的製造成本、單體的官能基的影響及離子對半導體晶圓表面的影響等，則較佳為藉由自由基聚合進行聚合。藉由自由基聚合反應進行聚合時，作為自由基聚合起始劑，可列舉：過氧化苯甲醯、過氧化乙醯、過氧化異丁醯、過氧化辛醯、過氧化二-第三丁基、過氧化二-第三戊基等有機過氧化物，過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物，2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等偶氮化合物等。
另外，在藉由自由基聚合反應將作為黏著層3的主成分的聚合物聚合時，為了調整聚合物的分子量等，根據需要可添加鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，可例示：慣用的鏈轉移劑、例如第三-十二烷基硫醇、正十二烷基硫醇等硫醇類等。相對於單體的總量100重量份，鏈轉移劑的使用量為0.001重量份~0.5重量份左右。
作為黏著層3的主成分的聚合物的聚合法，可自乳化聚合法、懸浮聚合法、溶液聚合法等公知的聚合法中進行適當選擇而使用。特別是關於構成黏著層3的聚合物，若考慮到黏著層3與半導體晶圓表面直接接觸，則就防止對晶圓的污染的觀點而言，較佳為採用可獲得高分子量的聚合物的乳化聚合法。
在藉由乳化聚合法將作為黏著層3的主成分的聚合物聚合時，在所述自由基聚合起始劑中，較佳為過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等水溶性無機過氧化物，同樣的4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等在分子內具有羧基的水溶性偶氮化合物。若考慮到離子對半導 體晶圓表面的影響，則更佳為過硫酸銨、或4，4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等在分子內具有羧基的偶氮化合物。特佳為4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等在分子內具有羧基的偶氮化合物。
而且，在形成黏著層3的聚合物中，可添加在1分子中具有2個以上交聯反應性官能基的交聯劑。藉由添加在1分子中具有2個以上交聯反應性官能基的交聯劑，而可使交聯劑所具有的交聯反應性官能基、與聚合物所具有的官能基反應，而調整交聯密度、黏著力及凝聚力。
作為交聯劑，可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等環氧系交聯劑，三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系交聯劑，四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三加成物、聚異氰酸酯等的異氰酸酯系交聯劑等。所述交聯劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
另外，在作為黏著層3的主成分的聚合物為水溶液、將水作為介質的乳液等水系時，異氰酸酯系交聯劑由於與水的副反應引起的失活速度快，因此存在與聚合物的交聯反應不會充分進 行的情況。因此，在所述情況下，較佳為在所述交聯劑中使用氮丙啶系或環氧系交聯劑。
關於本實施形態中的在1分子中具有2個以上交聯反應性官能基的交聯劑的含量，相對於作為黏著層3的主成分的聚合物100重量份，交聯劑為0.01重量份~30重量份，更佳為0.1重量份~25重量份。藉由交聯劑為下限值以上，而黏著層3的凝聚力變得充分，而可抑制半導體晶圓表面污染的產生。另一方面，藉由將交聯劑的含量設為上限值以下，而維持黏著層3與半導體晶圓表面的高的密接力，並可抑制因在研磨加工中侵入水或研磨屑引起的半導體晶圓的破損、或因研磨屑引起的半導體晶圓表面污染的產生。
在構成黏著層3的聚合物中，除了所述在1分子中具有2個以上交聯反應性官能基的交聯劑外，為了調整黏著特性，而可適當含有松香(rosin)系、萜烯樹脂(terpene)系等增黏劑(tackifier)，各種界面活性劑等。另外，在聚合物為乳液液時，在不對本發明的目的造成影響的程度上，可適當含有二乙二醇單丁醚等造膜助劑。
黏著層3使用黏著劑聚合物、及藉由能量線而反應的交聯劑，亦可包含藉由能量線照射進行交聯而成的交聯聚合物。此時，所述黏著劑聚合物具有藉由能量線照射進行自由基聚合從而能與交聯劑反應的官能基。作為所述官能基，可列舉：丙烯酸基、甲基丙烯酸基、烯丙基、苯乙烯基等的碳-碳雙鍵(自由基聚合性 雙鍵)。就與交聯劑交聯時的鍵結強度高，難以產生分解反應，可有效地抑制特性的經時劣化的方面而言，較佳為碳-碳雙鍵(自由基聚合性雙鍵)。
作為將所述官能基導入至黏著劑聚合物(丙烯酸系樹脂)的方法，通常使用：在聚合時使具有官能基的共單體共聚合的方法；或者在將具有羥基、縮水甘油基等官能基的黏著力聚合物聚合後，使所述官能基與甲基丙烯酸、丙烯酸等具有碳-碳雙鍵的單體反應而導入所述官能基的方法。在成為黏著劑聚合物的原料的全部單體的總量中，具有能與交聯劑反應的官能基的共單體的使用量(共聚合量)，較佳為包含1重量%~40重量%的範圍內。藉由使用所述組成的單體混合物，而可獲得包含大致相同組成的共單體單元的聚合物。
另外，就同時滿足耐溶劑性與形狀追隨性的觀點而言，黏著層3的凝膠分率較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。另一方面，就操作性的觀點而言，凝膠分率較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下。
另外，黏著層3更佳為使用凝膠分率為30重量%以上、90重量%以下的丙烯酸系聚合物。
凝膠分率可藉由以下方式求出：將重量約為1g(W1)的黏著層在甲苯與乙酸乙酯的混合溶劑(1：1)100g中、在溫度為25℃下浸漬168小時後，進行過濾，求出將濾物乾燥後的重量(W2)，並藉由下述數式(1)而求出。
{(W1/W2)/W1}×100% (1)
黏著層3在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gc較佳為0.01MPa以上，更佳為0.1MPa以上。藉此，可維持耐溶劑性，同時獲得膜的良好的強度。另一方面，黏著層3在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gc較佳為10MPa以下，更佳為1MPa以下。藉此，可維持耐溶劑性，同時使膜的形狀追隨性變得良好。
(吸收層2)
吸收層2是具有對半導體晶圓表面的凹凸吸收性的層。如後述般，吸收層2例如可設置於基材層1與黏著層3之間，並且亦可設為兼具黏著層3的功能的層。吸收層2可為一層，亦可為2層以上積層而成者。另外，在基材層1與吸收層2之間或吸收層2與黏著層3之間可設置其他的層。就凹凸吸收性的觀點而言，可在吸收層2與黏著層3之間設置的層，較佳為包含柔軟性高的材料的層或厚度薄的層，更佳為吸收層2與黏著層3至少一部分接觸。而且，關於可在基材層1與吸收層2之間或吸收層2與黏著層3之間設置的其他的層，就耐溶劑性的觀點而言，較佳為與基材層1同樣地SP值為9以上。
基材層1與吸收層2可至少一部分接觸。藉此，可使形狀追隨性變得更良好。更詳細而言，在由半導體晶圓保護用膜10 保護的半導體晶圓表面具有凹凸時，與無凹凸或凹凸小的情形相比，溶劑容易進入至所述凹凸與半導體晶圓保護用膜10之間，因此半導體晶圓與半導體晶圓保護用膜10容易剝離。因此，先前並未想到亦會將半導體晶圓表面具有凹凸時的半導體表面保護膜用於使用溶劑的步驟，且未想到要提高半導體表面保護膜的基材層的耐溶劑性。相對於此，本發明的半導體晶圓保護用膜10是在黏著層3與基材層1之間配置吸收半導體晶圓表面的凹凸的吸收層2者。藉此，即便是在使用表面具有凹凸的半導體晶圓的情況下，亦可獲得良好的耐溶劑性。
另外，所謂半導體晶圓表面的凹凸，是指在半導體晶圓的表面以間距為50μm~1000μm形成高度為10μm~200μm的凸塊電極、不良電路識別標記等突起狀物者。換言之，所謂表面平滑的半導體晶圓，是指未形成所述凸塊電極、突起狀物者。另外，所謂半導體晶圓表面的階差，是指半導體晶圓的形成有所述凸塊電極、突起狀物的區域的高度距離未形成所述凸塊電極、突起狀物的區域的表面的最大值。
構成吸收層2的聚合物如上所述般可使用與黏著層3相同者，可與黏著層3相同，且亦可不同。作為構成吸收層2的聚合物，就可維持耐溶劑性、同時使膜的形狀追隨性變得良好的觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物。
另外，就同時滿足耐溶劑性與形狀追隨性的觀點而言，吸收層2的凝膠分率較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。 另一方面，就操作性的觀點而言，凝膠分率較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下。
另外，吸收層2更佳為使用凝膠分率為30重量%以上、90重量%以下的丙烯酸系聚合物。
另外，吸收層2的凝膠分率可藉由與黏著層3相同的方式調整。
吸收層2在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gb較佳為0.01MPa以上，更佳為0.05MPa以上。藉此，可維持耐溶劑性，同時獲得膜的良好的強度。另一方面，在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gb較佳為1MPa以下，更佳為0.5MPa以下。藉此，可維持耐溶劑性，同時使膜的形狀追隨性變得良好。
吸收層2在25℃時的儲存彈性模數Gb，會對與半導體晶圓的表面的密接性造成影響。若所述儲存彈性模數高，則吸收層2變硬而密接性降低。例如，在用於在半導體晶圓的電路形成面以間距為50μm~1000μm形成高度為10μm~200μm的凸塊電極、不良電路識別標記等突起狀物的半導體晶圓時，所述傾向特別顯著。反之若所述儲存彈性模數過低，則密接性提高，但流動性增加，難以保持作為吸收層2的形狀，貼附或剝離時的操作性惡化。就所述觀點而言，關於吸收層2中的至少1層(吸收層(X))，較佳為25℃時的儲存彈性模數為0.001MPa以上、且小於0.07MPa。具有所述特性的吸收層(X)可為1層，亦可形成2層以上。
在欲提高操作性、吸收層2的各層間的黏接力、或吸收 層2與基材層1間的黏接力等時，若為不損害本發明的目的之範圍，則亦可形成25℃時的儲存彈性模數為所述範圍外的吸收層2。此時，考慮到對晶圓表面的密接性，所述儲存彈性模數為所述範圍外的吸收層2的合計厚度，較佳為具有所述儲存彈性模數的吸收層(X)的合計厚度(tx)的25%以下。
本發明的半導體晶圓保護用膜10可較佳地用作半導體晶圓的表面保護用途，所述半導體晶圓在電路形成面具有高度為10μm~200μm的凸塊電極、不良電路識別標記、或所述的混合存在物等突起狀物。此時，較佳為具有所述儲存彈性模數的吸收層(X)的合計厚度(tx、單位：μm)與突起狀物(A)的高度(ha、單位：μm)滿足下述數式(2)的關係。
tx≧ha (2)
吸收層2的厚度通常在3μm~300μm、更佳為5μm~250μm的範圍內進行適當選擇。藉由將吸收層2的厚度設為上限值以下，而可抑制難以製造半導體晶圓保護用膜10，並且生產性變得良好。另一方面，藉由將吸收層2的厚度設為下限值以上，而對晶圓表面的密接性變得良好。若考慮到所述方面，則吸收層2的厚度較佳為10μm~400μm，更佳為10μm~300μm。另外，黏著層3與吸收層2的總厚度較佳為11μm~550μm。
(儲存彈性模數)
繼而，對黏著層3的儲存彈性模數Gc、及吸收層2的儲存彈性模數Gb的控制方法進行說明。儲存彈性模數受到(a)構成聚合物的主單體的種類及使用量、(b)具有能與交聯劑反應的官能基的共單體的種類及使用量(共聚合量)、(c)聚合物的聚合方法、(d)交聯劑的添加量等因子的制約。對於所述因子對儲存彈性模數造成的影響進行說明。
首先，關於(a)構成聚合物的主單體的種類及使用量，在使用丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯作為主單體時，在選擇如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯般的烷基的碳數為4以下的丙烯酸烷基酯類，及甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯等甲基丙烯酸烷基酯類時，有儲存彈性模數變高的傾向。另一方面，若選擇丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸辛酯等烷基的碳數為5~8的丙烯酸烷基酯類，則有儲存彈性模數變低的傾向。在任一種情況下，所述主單體的使用量越多，則越會對儲存彈性模數的值造成更大的影響。因此，通常在形成黏著層3時，較佳為主要使用烷基的碳數為4以下的丙烯酸烷基酯類、及甲基丙烯酸烷基酯類。另外，在形成吸收層2時，較佳為主要使用烷基的碳數為5~8的丙烯酸烷基酯類。
關於(b)具有能與交聯劑反應的官能基的共單體的種類及使用量(共聚合量)，在通常用作共單體者中，例如在使用：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸等具有羧基者，及丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺等具有醯胺基者，如甲基丙烯酸縮 水甘油酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯般的甲基丙烯酸酯類時，通常有儲存彈性模數變高的傾向，使用量(共聚合量)越多，則所述傾向越變大。因此，通常在形成黏著層3時，較佳為在所述範圍內相對增加具有所述儲存彈性模數變高的傾向的共單體的添加量，而形成吸收層2時，較佳為在所述範圍內相對減少共單體的添加量。
關於(c)聚合物的聚合方法，特別是在使用乳化聚合法、或以高單體濃度進行聚合等可獲得高分子量的聚合物的聚合法時，與採用其他聚合法的情形相比，存在以下傾向：儲存彈性模數變高，並且儲存彈性模數因溫度引起的降低的傾向變小，儲存彈性模數比變小。另一方面，在使用添加鏈轉移劑進行聚合、或在具有鏈轉移效果的甲苯等溶劑相對較多地存在的體系中進行溶液聚合等分子量難以變高的聚合法時，與採用其他聚合法的情形相比，有儲存彈性模數變低的傾向，並且有儲存彈性模數比變大的傾向。因此，通常在形成黏著層3時，較佳為採用可獲得所述高分子量的聚合物的聚合法。在形成吸收層2時，較佳為採用所述聚合物的分子量難以變高的聚合法。
關於(d)交聯劑的添加量，若交聯劑的添加量多，則有儲存彈性模數高，且儲存彈性模數比變小的傾向，反之，若交聯劑的添加量少，則有儲存彈性模數低，且儲存彈性模數比變大的傾向。但是，若交聯劑的添加量超過與所述具有能與交聯劑反應的官能基的共單體的種類及使用量(共聚合量)對應的某一定 量，而大量添加必要量以上，則亦存在以下情況：由於以未反應的狀態殘存的交聯劑的影響，而儲存彈性模數反而降低，儲存彈性模數比變大。因此，通常在形成黏著層3時，較佳為在所述範圍內相對增加交聯劑的使用量，在形成吸收層2時，較佳為在所述範圍內相對減少交聯劑的使用量。
另外，在所述實施形態中，對半導體晶圓保護用膜10具有吸收層2的例子進行了說明，但半導體晶圓保護用膜10只要至少具有基材層1及黏著層3即可，並不限定於具有吸收層2的例子。
(半導體晶圓保護用膜10的製造方法)
半導體晶圓保護用膜10的製造方法並無特別限定，例如可藉由以下方式製造。
首先可列舉：在基材層1的單表面依序形成吸收層2、及黏著層3的方法。具體而言，可使用如下的方法：將成為吸收層2或黏著層3的原料的所述聚合物製成溶液或乳液液(以下，將所述液體總稱為塗佈液)，根據輥塗機、缺角輪塗佈機(comma coater)、模塗機、線棒塗佈機(wire bar coater)、逆輥塗佈機、凹版塗佈機等的公知的方法，在基材層1上依序塗佈、乾燥而形成。此時，為了保護所塗佈的吸收層2或黏著層3不受因環境引起的污染等，較佳為在所塗佈的層的表面貼附剝離膜。
另外，作為其他方法，可列舉：在剝離膜的單表面，根據公知的方法將塗佈液進行塗佈、乾燥，而形成黏著層3及吸收 層2後，使用乾式積層法等慣用的方法，將所述層轉印至基材層1的方法(以下，稱為轉印法)。在藉由轉印法將多層進行積層時，可將在每1層的剝離膜的單表面進行塗佈、乾燥而形成層後，逐次轉印至基材層1的單表面的步驟重複多次，亦可在剝離膜的單表面預先依序形成黏著層3及吸收層2後，將所述層一次性轉印至基材層1的單表面。
將塗佈液乾燥時的乾燥條件並無特別限制，通常較佳為在80℃~300℃的溫度範圍中，乾燥10秒鐘~10分鐘。更佳為在80℃~200℃的溫度範圍中乾燥15秒鐘~8分鐘。在本發明中，為了充分地促進交聯劑與聚合物的交聯反應，且為了達成所積層的黏著層3及吸收層2的各層間的充分的密接性，而可在塗佈液的乾燥結束後，將半導體晶圓保護用膜10在40℃~80℃下加熱5小時~300小時左右。
(半導體裝置的製造方法)
本實施形態的半導體裝置的製造方法包括以下步驟。
如圖2(a)所示般，準備半導體晶圓101，如圖2(b)所示般，在與半導體晶圓101的主面的相反側，貼附帶有黏接層103的支撐基板102。
繼而，如圖2(c)所示般，對半導體晶圓101的主面進行研磨，而使半導體晶圓101變薄。
在半導體晶圓的主面可設置5μm~200μm的階差。
相對於研磨前的厚度通常為500μm~1000μm，半導體 晶圓根據半導體晶片的種類等，而通常研磨至100μm~600μm左右，有時研磨至50μm左右。研磨前的半導體晶圓的厚度根據半導體晶圓的口徑、種類等而適當確定，研磨後的厚度根據所得的晶片的尺寸、電路的種類等而適當確定。
半導體晶圓背面的研磨加工的方式並無特別限制，可採用：縱向進給(through feed)方式、橫向進給(infeed)方式等公知的研磨方式。在研磨時，較佳為在半導體晶圓與磨石上加水一邊冷卻一邊進行。作為對晶圓背面進行研磨加工的研磨機，例如可列舉：迪思科(DISCO)股份有限公司製造、型號：DFG-860，岡本工作機械製作所股份有限公司製造、型號：SVG-502MKII8，東京精密股份有限公司製造、型號：拋光研磨機(Polish grinder)PG200等。
繼而，如圖2(d)所示般，在變薄的半導體晶圓101的主面，經由半導體晶圓保護用膜10的黏著層3而進行貼附。貼附條件較佳為溫度為20℃~80℃，更佳為20℃~60℃，較佳為壓力為0.3MPa~0.5MPa，更佳為0.35MPa~0.45MPa。
半導體晶圓保護用膜10的貼附操作亦有時藉由人工進行，通常藉由安裝了卷狀黏著膜的被稱為自動貼合機的裝置來進行。作為此種自動貼合機，例如可列舉：高鳥(Takatori)股份有限公司製造、型號：DTM-812W、ATM-12000DR，迪思科股份有限公司製造、型號：DFM2700、DFM2800，日東精機股份有限公司製造、型號：MA-3000，琳得科(LINTEC)股份有限公司、型 號：RAD-2500等。
為了進行支撐基板除去後的晶圓支撐，而可採取：將半導體晶圓保護用膜10與晶圓、以及配置於晶圓周邊的被稱為環狀框架(ring frame)的框狀夾具一起貼附的形態。另外，半導體晶圓保護用膜10通常具有卷的形態，但亦可採取：將沖裁成與環狀框架同等形狀的片捲取的形態。所述情況通常被稱為預切卷。
作為貼附半導體晶圓保護用膜10時的溫度，較佳為溫度20℃~80℃，更佳為20℃~60℃。在所述自動貼合機中，具備在半導體晶圓保護用膜10貼附步驟之前將半導體晶圓101升溫的機構時，可在藉由所述加熱機構將半導體晶圓101升溫至適當的溫度的狀態下貼附黏著膜。
繼而，在使用溶劑溶解黏接層103後，如圖2(e)所示般，將支撐基板102自半導體晶圓101剝離。此時，半導體晶圓101上的黏接層103藉由溶劑而清洗除去。
作為溶劑，可使用公知者，例如可列舉：萜烯、檸檬烯、N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidinone，NMP)、1,3,5-三甲苯(mesitylene)、甲苯、二甲苯、環己烷、己烷、甲基乙基酮等有機溶劑。除了所述溶劑外，為了進行半導體晶圓101上的最終清洗，而可使用丙酮、異丙醇(Iso-Propyl Alcohol，IPA)、乙醇、甲醇等另外的溶劑、及水。
然後，如圖3(a)所示般，使用切割刀201，將半導體晶圓101與半導體晶圓保護用膜10一起切割，而獲得半導體晶片 111。
作為將半導體晶圓101切割的方法，並無特別限制，可使用：刮刀方式、雷射切除(ablation)方式、隱形雷射(stealth laser)方式等公知的切割方式。作為切割裝置，例如可列舉：迪思科股份有限公司製造、型號：DFD6362、DFL7160、DFL7360，東京精密股份有限公司製造、型號：AD3000T/S、ML300等。另外亦可採取如下形態：在半導體晶圓保護用膜10的貼附前進行切割，在半導體晶圓保護用膜10的貼附後除去支撐基板102、黏接層103。
繼而，如圖3(b)所示般，將半導體晶圓保護用膜10向水平方向擴展，使用拾取器具202，自半導體晶圓保護用膜10拾取半導體晶片111。作為拾取半導體晶片111的方法，並無特別限制，可使用公知的拾取方式。作為拾取裝置，例如可列舉：松下生產科技(Panasonic Factory Solutions)股份有限公司製造、型號：FCB3，芝浦機電(Shibaura Mechatronics)股份有限公司製造、型號：TFC-6000，東麗工程(Toray Engineering)股份有限公司製造、型號：FC3000等。另外，在半導體晶圓保護用膜10使用藉由能量線而交聯的聚合物時，可在拾取前照射能量線，進行黏著劑中的交聯反應，而容易拾取。
使用所得的半導體晶片111，製造半導體裝置。
以上，參照圖式對本發明的實施形態進行了敍述，但所述實施形態為本發明的例示，亦可採用所述以外的各種構成。
[實施例]
根據以下測定方法及評價方法，對實施例及比較例的各項目進行測定及評價，將其結果表示於表1。
(測定方法)
．彈性模數
(1)拉伸彈性模數Ea(GPa)
將基材膜切出25mm×150mm，使用TA儀器(TA Instruments)製造的RSA3，以頻率為1Hz，在25℃~100℃的溫度範圍內測定拉伸彈性模數。
(2)儲存彈性模數Gb、儲存彈性模數Gc(MPa)
在與製作實施例、比較例的各黏著層或吸收層時同等的塗敷條件(厚度、乾燥溫度、乾燥時間等)下，在對單表面實施了矽酮處理的聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)膜(剝離膜)的脫模處理面側，將塗佈液進行塗佈、乾燥，而在PET膜的脫模處理面上形成黏著層或吸收層。在形成黏著層或吸收層後，為了施加與實施例、比較例所記載的各黏著層、吸收層同等的熱歷程，而在單層的狀態下，在60℃下將黏著層或吸收層加熱48小時。將所得的層依序重疊，而製作厚度約為1mm的黏著層或吸收層的膜狀片。自所述膜狀片採集直徑約為8mm、厚度約為1mm左右的圓盤型形狀的試樣。使用動態黏彈性測定裝置[使用流變儀(Rheometrics)公司製造、型號；RMS-800、直徑為8mm的平行板(平行圓盤)型附件]，以頻率為1Hz，在25℃~100℃的溫度範圍中，對所述試樣測定儲存彈性模數。具體而言，在25℃ 下經由所述平行板型附件將樣品設置於動態黏彈性測定裝置，以3℃/分鐘的升溫速度一邊自25℃升溫至100℃，一邊測定儲存彈性模數。測定結束後，自所得的25℃~100℃時的儲存彈性模數-溫度曲線中，根據需要，採用50℃~100℃時的儲存彈性模數(G'、MPa)的最小值(G'min、MPa)、或60℃時的儲存彈性模數(G'60℃、MPa)、25℃時的儲存彈性模數(G'25℃、MPa)。
．凝膠分率
凝膠分率是將重量約為1g(W1)的黏著層或吸收層在甲苯與乙酸乙酯的混合溶劑(1：1)100g中、在溫度為25℃下浸漬168小時後，進行過濾，求出將濾物乾燥後的重量(W2)，並藉由下述數式(1)而求出。
{(W1/W2)/W1}×100(%) (1)
(評價方法)
．耐溶劑性1(晶圓貼附面無凹凸)
首先，準備表面為鏡面狀的8英吋晶圓與環狀框架。繼而，在晶圓與環狀框架的背面貼附所製作的膜，自晶圓與環狀框架的表面，以遍及膜整體的方式滴加溶劑。滴加後，在30分鐘後除去溶劑，確認溶劑滴加前後的膜在外觀上的變化、及溶劑在晶圓及膜間的滲入。
○：膜的外觀未變化，溶劑未滲入
×：膜的外觀變化大，溶劑有滲入
．耐溶劑性2(晶圓貼附面有凹凸)
首先，準備在表面配置有高度80μm、200μm間距的焊料凸塊的8英吋晶圓與環狀框架。繼而，在晶圓與環狀框架的背面貼附所製作的膜，自晶圓與環狀框架的表面，以遍及膜整體的方式滴加溶劑。滴加後，在30分鐘後除去溶劑，確認溶劑滴加前後的膜在外觀上的變化、及溶劑在晶圓及膜間的滲入。
○：膜的外觀未變化，溶劑未滲入
×：膜的外觀變化大，溶劑有滲入
．擴展性
如圖4(a)所示般，藉由橡膠輥使所製作的膜40的黏著層側與6英吋用不鏽鋼(SUS)環狀框架44密接。
在膜40的表面，記入如圖4(a)所示的標記a、b、A、B、a'、b'、A'、B'。擴展前的長度分別為a-a'60mm、b-b'60mm、A-A'120mm、B-B'120mm。
繼而，如圖4(b)所示般，以膜40的基材層表面與擴展機的平台43接觸的方式，將環狀框架44固定於擴展機。繼而，如圖5所示般，以提拉速度為5mm/min，將提拉量設為10mm，使擴展機的平台43上升，而將膜40擴展，並分別測定a-a'、b-b'、A-A'、B-B'的長度。
擴展機是使用修谷魯電子機器(Hugle Electronics)公司製造的HS-1800。
將a-a'、b-b'、A-A'、B-B'的擴展後的長度相對於擴展前的長度的比例設為擴展率(%)。
○：1%以上
×：小於1%或產生膠帶自環狀框架的脫落
<實施例1> (吸收層-黏著劑主劑的製作)
使用過氧化苯甲醯系聚合起始劑[日本油脂股份有限公司製造、Niper BMT-K40]0.8重量份(以起始劑計為0.32重量份)，使丙烯酸乙酯30重量份、丙烯酸2-乙基己酯40重量份、丙烯酸甲酯10重量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯20重量份的單體混合物在甲苯65重量份、乙酸乙酯50重量份中且在80℃下反應10小時。反應結束後進行冷卻，並在其中添加二甲苯100重量份、丙烯酸10重量份與十四烷基二甲基苄基氯化銨[日本油脂股份有限公司製造、陽離子M2-100]0.3重量份，一邊吹入空氣一邊在85℃下反應50小時，而獲得丙烯酸系黏著劑聚合物的溶液(吸收層-黏著劑主劑)。
(吸收層用塗佈液的製備)
在所得的吸收層-黏著劑主劑中，添加作為熱交聯劑的異氰酸系交聯劑[三井東壓化學股份有限公司製造、OLESTER P49-75-S]0.02重量份，而獲得吸收層用塗佈液。
(黏著劑用塗佈液的製備)
在所得的黏著劑主劑中，相對於丙烯酸系黏著劑聚合物固體 成分100重量份，添加作為分子內鍵開裂型光聚合起始劑的苄基二甲基縮酮[日本汽巴-嘉基(Ciba-Geigy)股份有限公司、Irgacure-651]2重量份、作為分子內具有聚合性碳-碳雙鍵的單體的二季戊四醇六丙烯酸酯與二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯的混合物[東亞合成化學工業股份有限公司製造、Aronix M-400]0.3重量份，繼而添加作為熱交聯劑的異氰酸系交聯劑[三井東壓化學股份有限公司製造、OLESTER P49-75-S]1.35重量份(以熱交聯劑計為1重量份)，而獲得黏著劑用塗佈液。
(帶有吸收層的基材膜的製作)
使用模唇塗佈機(lip coater)，在實施了矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(剝離膜、厚度：40μm)的脫模處理面上，塗佈所述吸收層用塗佈液，在120℃下乾燥2分鐘，而設置厚度為100μm的吸收層。然後，貼合作為基材膜而準備的表1所示的聚對苯二甲酸乙二酯膜的電暈處理面並擠壓，而轉印吸收層，從而製作帶有吸收層的基材膜。
(半導體晶圓保護用膜的製作)
同樣使用模唇塗佈機，在實施了矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(剝離膜、厚度：40μm)的脫模處理面上，塗佈所述所得的黏著層用塗佈液，在120℃下乾燥2分鐘，而設置厚度為10μm的黏著層。然後，將黏著層、與所述所得的帶有吸收層的基材膜的吸收層側貼合，在60℃下加熱24小時後，冷卻至室溫，從而製作半導體晶圓保護用黏著膜。
<實施例2>
藉由以下方式製作基材膜，除此以外，以與實施例1相同的方式，製作半導體晶圓保護用膜。
(基材膜的製作)
使用T-模擠出機，將含有20%的聚四亞甲基二醇的聚對苯二甲酸丁二酯形成厚度為50μm的聚對苯二甲酸丁二酯膜。此時，在貼合吸收層之側的面上實施電暈處理。所得的聚對苯二甲酸丁二酯膜的厚度不均為±1.5%以內。
<實施例3>
使用模唇塗佈機，在實施了矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(剝離膜、厚度：40μm)的脫模處理面上，塗佈實施例1中所得的黏著劑用塗佈液，在120℃下乾燥2分鐘，而設置厚度為10μm的黏著層。然後，貼合作為基材膜而準備的表1所示的聚對苯二甲酸乙二酯膜的電暈處理面並擠壓，而製作半導體晶圓保護用膜。
<實施例4>
使用模唇塗佈機，在實施了矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(剝離膜、厚度：40μm)的脫模處理面上，塗佈實施例1中所得的黏著劑用塗佈液，在120℃下乾燥2分鐘，而設置厚度為10μm的黏著層。然後，貼合實施例2中所製作的基材膜的電暈處理面並擠壓，而製作半導體晶圓保護用膜。
<比較例1>
使用表1所記載的基材膜作為所述實施例1中所用的基材膜，除此以外，以與實施例1相同的方式，製作半導體晶圓保護用膜。
<比較例2>
使用表1所記載的基材膜作為所述實施例3中所用的基材膜，除此以外，以與實施例3相同的方式，製作半導體晶圓保護用膜。
本申請案主張以2013年5月29日申請的日本申請案特願2013-113448為基礎的優先權，將其揭示的全部內容併入本文中。
1‧‧‧基材層
2‧‧‧吸收層
3‧‧‧黏著層
10‧‧‧半導體晶圓保護用膜

Claims (13)

  1. 一種半導體晶圓保護用膜，其具有：基材層(A)、形成於所述基材層(A)上的黏著層(C)，所述基材層(A)包含聚合物，所述聚合物的藉由范．克雷維倫法求出的溶解參數為9以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述聚合物包含擴展性賦予成分作為共聚物成分，所述擴展性賦予成分單體的熔點為40℃以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述擴展性賦予成分包含二醇。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體晶圓保護用膜，其中在所述基材層(A)與所述黏著層(C)之間進一步具有吸收層(B)，所述吸收層(B)包含丙烯酸系聚合物，凝膠分率為30重量%~90重量%。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述吸收層(B)在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gb為0.01MPa以上、1MPa以下。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述基材層(A)與所述吸收層(B)的至少一部分接觸。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體晶圓保護用 膜，其中所述黏著層(C)包含丙烯酸系聚合物，凝膠分率為30重量%~90重量%。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述黏著層(C)在25℃、頻率為1Hz時的儲存彈性模數Gc為0.01MPa以上、10MPa以下。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體晶圓保護用膜，其中所述基材層(A)僅包含所述溶解參數為9以上的聚合物。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，其包括：第一步驟，在半導體晶圓上，經由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之半導體晶圓保護用膜的黏著層(C)而進行貼附；及第二步驟，將所述半導體晶圓與所述半導體晶圓保護用膜一起藉由溶劑進行清洗。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體裝置的製造方法，其中在貼附有所述半導體晶圓保護用膜之側的所述半導體晶圓的表面，設置5μm~200μm的階差。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之半導體裝置的製造方法，其中在第二步驟後，進一步包括：第三步驟，將所述半導體晶圓與所述半導體晶圓保護用膜一起進行切割，而獲得半導體晶片；及第四步驟，將所述半導體晶圓保護用膜向水平方向擴展，並自所述半導體晶圓保護用膜拾取所述半導體晶片。
  13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之半導體裝置的製造方法，其中在所述第一步驟中，在所述半導體晶圓的表面，在溫度為20℃~80℃、壓力為0.3MPa~0.5MPa下貼附所述半導體晶圓保護用片。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI687985B (zh) * 2015-09-18 2020-03-11 日商迪思科股份有限公司 分割裝置及晶圓之分割方法
TWI693268B (zh) * 2015-07-03 2020-05-11 日商三井化學東賽璐股份有限公司 半導體晶圓表面保護膜以及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102207369B1 (ko) * 2014-06-18 2021-01-25 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
JP2016033953A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 日立化成株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート
JP6566365B2 (ja) * 2015-01-30 2019-08-28 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
CN108292590B (zh) * 2015-11-26 2022-06-07 昭和电工材料株式会社 电子部件的制造方法、暂时固定用树脂组合物、暂时固定用树脂膜及暂时固定用树脂膜片材
JP6839925B2 (ja) * 2016-03-16 2021-03-10 リンテック株式会社 半導体加工用シート
JP6200611B1 (ja) * 2016-03-17 2017-09-20 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープ、半導体ウェハ加工用粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法
WO2017170449A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法
TW201901847A (zh) * 2017-05-11 2019-01-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造用具以及零件製造方法
US10090177B1 (en) * 2017-08-25 2018-10-02 Micron Technology, Inc. Cold fluid semiconductor device release during pick and place operations, and associated systems and methods
JPWO2020196794A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01
JPWO2022009940A1 (zh) * 2020-07-10 2022-01-13

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2601956B2 (ja) * 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
JP3012060B2 (ja) * 1991-11-14 2000-02-21 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
CN1916097B (zh) * 2001-08-27 2010-05-12 日立化成工业株式会社 粘合薄片和半导体装置及其制造方法
JP2004043760A (ja) 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
JP4271409B2 (ja) 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
JP4566527B2 (ja) * 2003-08-08 2010-10-20 日東電工株式会社 再剥離型粘着シート
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP5318324B2 (ja) 2005-12-06 2013-10-16 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ方法
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
KR100886732B1 (ko) * 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP2009177033A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 回路素子形成方法
GB0904582D0 (en) * 2008-09-24 2009-04-29 Lumina Adhesives Switchable adhesives
JP5501060B2 (ja) 2009-04-02 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法、及びこの貼り合わせ方法に用いる半導体ウエハ保護用粘着シート
US8871609B2 (en) * 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
JP5406110B2 (ja) * 2010-04-20 2014-02-05 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート
CN102763211B (zh) * 2010-06-02 2014-11-05 三井化学东赛璐株式会社 半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法
JP5419226B2 (ja) * 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP2012052038A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp 電子部品製造工程用仮固定シート
JP5348147B2 (ja) 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP2012184369A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
JP5472206B2 (ja) * 2011-05-30 2014-04-16 東洋紡株式会社 接着剤
JP5872798B2 (ja) * 2011-06-14 2016-03-01 日東電工株式会社 再剥離用粘着テープおよびその製造方法
US9827757B2 (en) * 2011-07-07 2017-11-28 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
JP5975621B2 (ja) * 2011-11-02 2016-08-23 リンテック株式会社 ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
WO2013088686A1 (ja) * 2011-12-14 2013-06-20 三井化学株式会社 接着性樹脂組成物、積層体および自己剥離方法
JP2013181063A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着フィルム
JP5739372B2 (ja) * 2012-04-25 2015-06-24 信越化学工業株式会社 接着剤組成物、並びにこれを用いた接着シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
EP2940717A4 (en) * 2012-12-28 2016-08-10 Lintec Corp CUTTING FOIL SUBSTRATE FILM AND CUTTING FOIL

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI693268B (zh) * 2015-07-03 2020-05-11 日商三井化學東賽璐股份有限公司 半導體晶圓表面保護膜以及半導體裝置的製造方法
TWI687985B (zh) * 2015-09-18 2020-03-11 日商迪思科股份有限公司 分割裝置及晶圓之分割方法

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