TW201439545A - 用於探針卡的導板 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於探針卡的導板，其可藉由在多數貫穿孔之邊緣部份增加機械強度，應付該等貫穿孔之小型化且減少間距。一用於探針卡的導板包括具有一表面及一貫穿孔之一矽基板，該貫穿孔之一邊緣部份，及形成在該邊緣部份上之一曲面部份。該貫穿孔係組配成引導一探針且包括一內壁面。該邊緣部份係由該矽基板之該表面及該貫穿孔之該內壁面構成。該曲面部份係由一二氧化矽薄膜形成。

Description

用於探針卡的導板 技術領域

本發明係有關於一種用於引導一探針之用於探針卡的導板。

背景技術

當使用一探針卡檢查在一半導體晶圓上之一半導體裝置的操作時，必須準確地引導探針至該半導體裝置之電極。該等探針之尖端係使用一用於探針卡的導板引導。JP 2003-215163 A揭露一陶瓷板之一用以探針卡之導板，且該陶瓷板具有類似於一半導體晶圓之熱膨脹係數之一熱膨脹係數。該陶瓷板具有用以引導探針之多數貫穿孔。該等貫穿孔引導探針使得該等探針之尖端準確地定位以便與該半導體裝置之電極接觸。該等貫穿孔係使用機械加工或雷射加工形成。

發明概要

近年來，半導體裝置之小型化導致該半導體裝置 之電極必須縮小且以更緊密間距配置，產生用於探針卡之更薄探針的一需求。為滿足這需求，亦需要的是具有較小貫穿孔及更緊密間距之用於探針卡的導板。例如，需要在一大約50mm×50mm之區域中具有數萬90μm×90μm矩形貫穿孔之用於探針卡的一導板。

但是，難以如上述習知用於探針卡的導板使用機械加工或雷射加工在一用於探針卡的導板中以緊密間距形成該等微小貫穿孔。

在這些情況下，本發明之發明人考慮以更容易加工之矽基板取代。但是，與陶瓷板比較，矽基板係易碎的，使得貫穿孔之邊緣部份可能會被與它們接觸之探針破壞。又，矽基板不是電絕緣的，造成在與該等貫穿孔之內壁接觸之探針間之電氣連接的不便。因此，發明人無法使用矽基板作為導板。

為解決這問題，發明人分析在矽基板之微小貫穿孔之邊緣部份之破壞狀態，且已發現可藉由部份地補強該等邊緣防止破壞。發明人亦已藉由在該等貫穿孔之內壁之全部區域上形成絕緣膜來克服上述電氣問題，且發展出完全使用一矽基板之一導板。在製造半導體裝置時使用一氧化物或氮化物膜保護一矽層是習知的(請參見JP 5073482 B1)。一薄氧化物膜作為一保護膜對於解決一化學環境是有效的，但是對於抵抗機械力之破壞則不足。因此，這技術尚未應用於導板。

本發明已鑒於上述情況作成。本發明之一第一 目的係提供一種可藉由在多數貫穿孔之邊緣部份增加機械強度，應付該等貫穿孔之尺寸及間距之減少之用於探針卡的導板。一第二目的係提供一種可在探針之間提供電氣絕緣之用於探針卡的導板。

為了解決上述問題，本發明之用於探針卡的導板包括具有一表面及一貫穿孔之一矽基板，該貫穿孔之一邊緣部份，及一曲面部份。該貫穿孔係組配成引導一探針且包括一內壁面。該貫穿孔之邊緣部份係由該矽基板之該表面及該貫穿孔之該內壁面構成。該曲面部份係形成在該邊緣部份上且由一二氧化矽薄膜形成。

在依據本發明之這特性之用於探針卡的導板中，可藉由光刻及蝕刻在該矽基板中以緊密間距同時形成多數微小貫穿孔。此外，在該貫穿孔之邊緣部份上之該二氧化矽薄膜之曲面部份可增加該貫穿孔之邊緣部份之機械強度。又，當引導該探針進入該貫穿孔中時，在該貫穿孔之邊緣部份上之該曲面部份可減少該探針刮傷該邊緣部份之可能性。因此，本發明之這特性可避免該探針會被該貫穿孔之邊緣部份刮傷，及/或該探針會破壞該貫穿孔之邊緣部份的問題。此外，可只藉由熱氧化該邊緣部份且因此增加該邊緣部份之體積，在該矽基板之貫穿孔之邊緣部份上輕易地形成該曲面部份。

該貫穿孔可包括一實質矩形貫穿孔本體及四溝槽。該貫穿孔本體可包括四壁及四角。該等四壁之相鄰壁 可在該等角接合。該四溝槽可分別形成在該等角中。該貫穿孔之內壁面可包括該貫穿孔本體之壁，且該等壁可組配成引導具有一矩形橫截面之一探針。

在依據本發明之這特性之用於探針卡的導板中，當具有一矩形橫截面之被該大致矩形貫穿孔本體引導時，該等溝槽之存在可防止該探針之一角與該貫穿孔之內壁面碰撞。因此，本發明之這特性可降低該探針之角及/或該貫穿孔之內壁面由於該探針之角與該貫穿孔之內壁面之碰撞而磨損之可能性。

在該邊緣部份上之該二氧化矽薄膜可具有一等於或大於5μm之厚度。在依據本發明之這特性之用於探針卡的導板中，可有效地避免該探針會被該曲面部份刮傷，及/或該探針會破壞該曲面部份及/或磨損該內壁及/或該曲面部份之問題。

一內壁部份可形成在該貫穿孔之該內壁面上。該內壁部份可由一二氧化矽薄膜形成。

依據本發明之這特性之用於探針卡的導板可製成使得形成有該貫穿孔之該導板只放在一氧環境之一高溫環境中以使該貫穿孔之內壁面之邊緣部份熱氧化以便形成該二氧化矽薄膜。該二氧化矽薄膜之該曲面部份及該內壁部份提供理想電氣絕緣，因此與該等曲面部份及/或該等內壁部份接觸之探針將不會透過該導板與其他探針電氣連接。因此本發明之這特性有助於製造具有作為一機械及電氣保護層之一二氧化矽薄膜之一用於探針卡的導板。

10‧‧‧貫穿孔

20‧‧‧探針

100‧‧‧用於探針卡的導板

110‧‧‧矽基板

110a‧‧‧主面

110b‧‧‧背面

111‧‧‧貫穿孔

111a‧‧‧貫穿孔本體

111b‧‧‧溝槽

112‧‧‧內壁面

113a,113b‧‧‧邊緣部份

120‧‧‧二氧化矽薄膜

121‧‧‧內壁部份

122a,122b‧‧‧曲面部份

123‧‧‧主面部份

124‧‧‧背面部份

125‧‧‧外周邊部份

200‧‧‧探針

210‧‧‧第一端部

220‧‧‧第二端部

230‧‧‧彈性變形部份

300‧‧‧分隔件

400‧‧‧配線基板

410,420‧‧‧電極

500‧‧‧中間基板

510‧‧‧貫穿孔

600‧‧‧彈簧探針

700‧‧‧主基板

710‧‧‧電極

720‧‧‧外電極

800‧‧‧補強板

D‧‧‧厚度尺寸

圖式簡單說明

圖1A係依據本發明一實施例之一用於探針卡的導板的示意平面圖；圖1B係圖1A中該導板之區域α之放大立體圖；圖2A係圖1A中沿2A-2A所截取之該導板之橫截面圖；圖2B係圖1A中沿2B-2B所截取之該導板之放大橫截面圖；圖2C係圖1A中沿2C-2C所截取之該導板之放大橫截面圖；圖3係依據本發明之一探針卡之示意橫截面圖；圖4A係顯示該用於探針卡的導板及該探針卡之一探針之一位置關係的說明圖；及圖4B係顯示依據一比較例之一用於探針卡的導板及一探針之一位置關係的說明圖。

實施例之說明

以下，將參照圖1A至2C說明依據本發明之一實施例之一用於探針卡的導板100。如圖1A與2A所示之用於探針卡的導板100包括一矽基板110及一二氧化矽薄膜120。以下將詳細說明該用於探針卡的導板100之組件。

該矽基板110係一單晶矽、多晶矽或非晶質矽之板。如圖1A至2C所示，該矽基板110包括一主面110a(圖2A中之上面，在申請專利範圍中該矽基板之該“表面”)，一背 面110b(圖2A中之下面，在申請專利範圍中該矽基板之該“表面”)，一外周邊面，多數貫穿孔111，該等貫穿孔111之內壁面112，及該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b。

該等貫穿孔111沿該矽基板110之厚度方向貫穿該矽基板110，且它們設置在對應於一半導體晶圓或一半導體裝置之多數電極之位置的位置。該等貫穿孔111各包括一貫穿孔本體111a及四溝槽111b。該貫穿孔本體111a係以該厚度方向貫穿該矽基板110之一實質矩形孔。該等溝槽111b係沿該貫穿孔本體111a之4角分別延伸之弧形孔(該貫穿孔本體111a之四壁在該等角接合)。該等溝槽111b與該貫穿孔本體111a連通且延伸穿過該矽基板110之厚度。

該等內壁面112各包括該貫穿孔本體111a之四壁及該等四溝槽111b之壁。如圖1B至2B所示，該等邊緣部份113a係由該矽基板110之主面110a及該等貫穿孔貫穿孔111之內壁面112形成的環狀角部。如圖2A與2C所示，該等邊緣部份113b係由該矽基板110之背面110b及該等貫穿孔貫穿孔111之內壁面112形成的環狀角部。

如圖1A至2C所示，該二氧化矽薄膜120係在該矽基板110之該主面110a、該背面110b、該外周邊面、及該貫穿孔111之該等內壁面112及該等邊緣部份113a與113b上的一絕緣層，且係藉由熱氧化該主面110a、該背面110b、該外周邊面、及該貫穿孔111之該等內壁面112及該等邊緣部份113a與113b形成。該二氧化矽薄膜120之厚度尺寸D宜在大約3μm與大約10μm之間，且更佳的是等於或 大於大約5μm。這是因為具有一等於或大於大約5μm之厚度尺寸D之該二氧化矽薄膜120可耐受探針200(以下將說明)之數萬至兩百萬次滑動。不需要提供具有一等於或大於10μm之厚度尺寸D之該二氧化矽薄膜120，因為這構態需要一用以形成該二氧化矽薄膜120之較長處理時間。但是，本發明仍可容許該二氧化矽薄膜120之厚度為等於或大於10μm。

該二氧化矽薄膜120包括內壁部份121、曲面部份122a與122b、一主面部分123、一背面部份124、及一外周邊部份125。該等內壁部份121係設置在該等貫穿孔111之各個內壁面112上及上方。該等曲面部份122a係設置在該等貫穿孔111之邊緣部份113a上及上方，且該等曲面部份122b係設置在該等貫穿孔111之邊緣部份113b上及上方。該等曲面部份122a與122b係接續該內壁部份121。該等曲面部份122a與122b之存在使該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b圓化呈弧形。該主面部份123係設置在該矽基板110之主面110a之上及上方。該主面部份123係接續該等曲面部份122a。該背面部份124係設置在該矽基板110之背面110b之上及上方。該背面部份124係接續該等曲面部份122b。該外周邊部份125係設置在該矽基板110之外周邊面上及上方。該外周邊部份125係接續該主面部份123及該背面部份124。應注意的是該二氧化矽薄膜可完全設置在該矽基板110之貫穿孔111間之區域上。例如，在該矽基板110之貫穿孔111以15μm之間距設置之情形下，如果該二 氧化矽薄膜120之厚度尺寸D係等於或大於7.5μm，該二氧化矽薄膜將形成在該矽基板110之該等貫穿孔111間之全部區域中。

如上所述地構成之該用於探針卡的導板100可以下列方式製造。首先，製備一矽基板。接著，在該矽基板之主面及背面上施加一抗蝕層。然後透過一遮罩曝光及顯影該抗蝕層，使得在該抗蝕層中在對應於該等貫穿孔111之位置形成多數開口。接著，在一RIE裝置中藉由波希(Bosch)法對該基材進行乾式蝕刻以便在該矽基板中形成該等貫穿孔111。因此該矽基板變成該矽基板110。接著，由該矽基板110移除該抗蝕層。

接著，藉由一濕式氧化法在1000℃加熱該矽基板11040小時(2,400分鐘)以便熱氧化該矽基板110之外面(該主面110a、該背面110b及該外周邊面)，該等貫穿孔111之內壁面112，及該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b。這使該矽基板110之該主面110a、該背面110b及該外周邊面，及該等貫穿孔111之該等內壁面112及該等邊緣部份113a與113b之體積增加。因此，該二氧化矽薄膜120(該主面部份123、該背面部份124、該外周邊部份125、該等內壁部份121、及該等曲面部份122a與122b)係形成在該矽基板110之該主面110a、該背面110b、該外周邊面、及該等貫穿孔111之該等內壁面112及該等邊緣部份113a與113b上及上方。應注意的是亦可使用一乾式氧化法在該矽基板110上形成該二氧化矽薄膜120。

以下參照圖3與4A說明本發明之一實施例之一探針卡。圖3所示之探針卡包括上述該等用於探針卡的導板100中之兩導板100、多數探針200、一分隔件300、一配線基板400、一中間基板500、多數彈簧探針600、一主基板700及一補強板800。以下將詳細說明該探針卡之這些組件。為了方便說明及區別該等兩導板100，定位在該等探針200之尖端側之該導板100將稱為一探針尖端側導板100，且定位在該等探針200之基底側之用於探針卡的導板100將稱為一探針基底側導板100。

該主基板700係一印刷電路板。該主基板700包括一第一面，及在該第一面之背側之一第二面。多數電極710係設置在該主基板700之第一面，且多數外電極720係設置成靠近該主基板700之第二面之相對端。該等電極710係透過多數導電線(未圖示)與該等外電極720連接，且該等導電線可設置在該第一面上，在該第二面上及/或在該主基板700內。

該補強板800係比該主基板700硬之一板狀構件(例如，一不鏽鋼等材料之板)。該補強板800係螺接在該主基板700之第二面上。該補強板800係用以防止該主基板700之翹曲。

該中間基板500係固定在該主基板700之第一面上，且它設置在該主基板700與該配線基板400之間。多數貫穿孔510以該中間基板500之厚度方向，在對應於該主基板700之該等電極710之位置的位置通過該中間基板500。

該配線基板400係一空間轉換模組(ST)基材。該配線基板400係藉由固定螺線(未圖示)固定在該主基板700及該補強板800上以便延伸在該中間基板500之如圖3所示之下側且平行於該主基板700。該配線基板400包括一第一面，及在該第一面之背側之一第二面。多數電極410係配置在該配線基板400之第一面，在對應於該等探針尖端側及探針基底側導板100之貫穿孔111之位置的位置。又，多數電極420係配置在該配線基板400之第二面上之多數分開位置。更詳而言之，該等電極420係在與該主基板700之該等電極710相同之垂直線上。該等電極420係透過導電線(未圖示)與該等電極410連接，且該等導電線可設置在該第一面上，在該第二面上及/或在該配線基板400內。

該等彈簧探針600係收納在該中間基板500之各個貫穿孔510中而可設置在該主基板700之電極710與該配線基板400之電極420之間。因此該等彈簧探針600電氣連接在該等電極710與該等電極420之間。

該等探針尖端側及探針基底側導板100互相不同處在於該探針基底側導板100具有比該探針尖端側導板100小之外部尺寸。該探針尖端側導板100係以螺栓及螺帽固定在該配線基板400上，且與該配線基板400平行且分開。該分隔件300係設置在該探針尖端側導板100之邊緣部份與該配線基板400之間。該探針基底側導板100係以螺栓及螺帽固定在該配線基板400上，且與該配線基板400平行且分開。該探針基底側導板100係設置在該配線基板400與 該探針尖端側導板100之間。該探針尖端側導板100之貫穿孔111係配置在通過該探針基底側導板100之貫穿孔111的垂直線上。

該等探針200各係具有垂直於其長度之一矩形橫截面之一針，如圖4A所示。如圖3所示，各探針200包括第一與第二端部210與220，及一彈性變形部份230。該第一端部210係該探針200之一縱向端部且通過該探針基底側導板100之該等貫穿孔111中之一貫穿孔111。該第一端部210可在該貫穿孔111之該內壁部份121及/或該等曲面部份122a與122b上滑動。該等內壁部份121及該等曲面部份122a與122b提供在該第一端部210與該探針基底側導板100之矽基板110間之電氣絕緣。該第一端部210係接觸且焊接在該配線基板400之該等電極410中之一對應電極410上。該第二端部220係該探針200之另一縱向端部(即在該第一端部210之相對側之端部)且通過該探針尖端側導板100之該等貫穿孔111中之一貫穿孔111。該第二端部220可在該貫穿孔111之該內壁部份121及該等曲面部份122a與122b上滑動。該內壁部份121及該等曲面部份122a與122b提供在該第二端部220與該探針尖端側導板100之矽基板110間之電氣絕緣。該第二端部220可與一半導體晶圓或半導體裝置之一電極接觸。簡言之，該探針200係以一可接觸該半導體晶圓或半導體裝置之方式被該探針基底側導板100及該探針尖端側導板100之貫穿孔111引導。各探針200之彈性變形部份230係設置在該等第一與第二端部210 與220之間且大致彎曲成一C形。

上述探針卡係附接在一探測器或一測試器上以測量一半導體晶圓或半導體裝置之各種電氣性質。詳而言之，該探測器以一面對面關係固定該探針卡及該半導體晶圓或半導體裝置，且接著使該探針卡與該半導體晶圓或半導體裝置互相非常靠近。使該探針卡之該等探針200之第二端部220接觸且壓抵該半導體晶圓或半導體裝置(即該等第二端部220係在負載狀態下)。接著，該等負載使該等探針200之彈性變形部份230可彈性地變形及彎曲，且該等探針200整體地彎曲。該等探針200之第一與第二端部210與220因此變成傾斜且在該等相關內壁部份121及/或該探針基底側導板100及該探針尖端側導板100之二氧化矽薄膜120之該等曲面部份122a與122b上滑動(請參見圖4)。在該等探針200之第二端部220與該半導體晶圓或該半導體裝置之電極接觸時，該測試器測量該半導體晶圓或半導體裝置之各種電氣性質。

上述探針卡具有至少以下技術特徵。首先，多數微小貫穿孔111可藉由光刻及蝕刻以緊密間距同時形成在該用於探針卡的導板100之矽基板110中。所使用之蝕刻法係藉由波希法乾式蝕刻，可以高準確性且以高長度直徑比形成該等貫穿孔111。

其次，該二氧化矽薄膜120係設置在該等貫穿孔111之內壁面及該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b上，增加該等內壁面112及該等邊緣部份113a與113b之機 械強度。該二氧化矽薄膜120之曲面部份122a與122b係設置在該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b上，減少該探針200滑動時會刮傷該等邊緣部份113a之可能性。因此，即使在插穿該等貫穿孔111之該等探針200在該貫穿孔111之該二氧化矽薄膜120之該等內壁部份121及/或該等曲面部份122a與122b上滑動以接觸該半導體裝置或該半導體晶圓之電極時，具有該二氧化矽薄膜120之該等貫穿孔111之上述構態可防止該等探針200會被該等曲面部份122a與122b刮傷，該等探針200會破壞該等曲面部份122a與122b，及該等內壁部份121及/或該等曲面部份122a與122b會因研磨而被除去之問題。特別地，藉由設定該等內壁部份121及該等曲面部份122a與122b之厚度尺寸D為大約5μm更有效地防止這些問題。

圖4B顯示一比較例之一探針卡，其中藉由光刻及蝕刻在一矽基板中形成多數矩形貫穿孔10。各貫穿孔10之角(該等四壁接合之部份)係彎曲的(圓形的)。當具有一矩形橫截面之探針20在該貫穿孔10中滑動時，該探針20之角在該貫穿孔10之彎曲角上滑動，且該貫穿孔10之彎曲角因研磨而輕易地被切削或消去。這與各貫穿孔111沿如圖4A所示之該貫穿孔本體111a之該等角(該等四壁接合之部份)具有該等溝槽111b之該用於探針卡的導板100不同。因此，當以該貫穿孔111之貫穿孔本體111a以一面對面關係引導(滑動)具有一矩形橫截面之各探針200(該等第一與第二端部210與220)時，該等貫穿孔111之存在可防止該探針 200之角與該貫穿孔111之內壁部份121之碰撞。這構態亦可防止因研磨而切削或消去該等貫穿孔111之內壁部份121。

更有利地，藉由熱氧化該矽基板110，該二氧化矽薄膜120容易製造。特別地，只藉由熱氧化該等貫穿孔111之邊緣部份113a與113b，該等邊緣部份113a與113b之體積增加以形成該二氧化矽薄膜120之該等曲面部份122a與122b，即該等曲面部份122a與122b容易製造。

所屬技術領域中具有通常知識者習知的是，當該等探針200之第二端部220與一半導體裝置或半導體晶圓之電極接觸時，高頻電流流經該等探針200，產生焦耳熱。但是，在該焦耳熱產生時該等探針200之第一與第二端部210與220與該矽基板110接觸，容許該焦耳熱透過該矽基板110散逸。因此可減少該等微小探針200由於該焦耳熱而熔態破裂或脆性破裂之可能性。

應注意的是上述用於探針卡的導板及探針卡不限於上述實施例，而可在申請專利範圍之範疇內以任何方式修改。以下詳細說明特定修改例。

在上述實施例中，該矽基板110之該等貫穿孔111各包括該貫穿孔本體111a及該等溝槽111b。本發明之該(等)貫穿孔可為以該矽基板之厚度方向通過該矽基板且收納(引導)一探針通過之任何貫穿孔。例如，該矽基板之該(等)貫穿孔可呈多邊形或圓形。該(等)貫穿孔可如上述實施例地藉由波希法藉由乾式蝕刻該矽基板而形成，但是它亦藉由 任何其他蝕刻方法形成在該矽基板中。

上述實施例之二氧化矽薄膜120包括該等內壁部份121，該等曲面部份122a與122b，該主面部份123，該背面部份124，及該外周邊部份125。但是，本發明之二氧化矽薄膜可為任何構態，包括由該矽基板之一表面及該(等)貫穿孔之該(等)內壁面構成之在該(等)邊緣部份上的一或多數曲面部份。例如，該二氧化矽薄膜可包括在該矽基板之一貫穿孔之一內壁面上之一內壁面部份，及藉由該矽基板之表面及該貫穿孔之該內壁面構成之在一邊緣部份上之一曲面部份。該二氧化矽薄膜120可具有該(等)內壁部份121及該(等)曲面部份122a。該二氧化矽薄膜120可具有該(等)內壁部份121及該(等)曲面部份122b。該二氧化矽薄膜120可具有該(等)內壁部份121，該(等)曲面部份122a，及該主面部份123。該二氧化矽薄膜120可具有該(等)內壁部份121，該(等)曲面部份122b，及該背面部份124。該二氧化矽薄膜120可具有該(等)內壁部份121，該等曲面部份122a與122b，該主面部份123，及該背面部份124。藉由在熱氧化時遮蔽該基板或其他方法，該矽基板可具有無該二氧化矽薄膜之區域。

上述實施例之探針200各包括該等第一與第二端部210與220及該彈性變形部份230。本發明之該探針或該等探針可具有適合通過上述實施例或修改例之一用於探針卡的導板之一(多數)貫穿孔的任何構態。例如，該(等)探針可為一或多數筆直或懸臂式針。又，在此情形下，該 探針之第一與第二縱向端部可插入上述實施例或修改例之一用於探針卡的導板之一(多數)貫穿孔。

上述實施例之探針200可在該用於探針卡的導板100之該貫穿孔111之該等內壁部份121及/或該等曲面部份122a與122b上滑動。但是，本發明之該(等)探針可初始地接觸該用於探針卡的導板之該(等)貫穿孔之該(等)內壁部份。

該等探針200可形成為沒有該彈性變形部份230。上述實施例之探針200之彈性變形部份230呈大致C形。但是，本發明之該(等)探針之該(等)彈性變形部份可呈當施加一負載至該(等)探針之該(等)第二端部時容許彈性變形以使該(等)探針接觸上述實施例或修改例之該用於探針卡的導板之該(等)貫穿孔之該(等)內壁部份及/或該(等)曲面部份的任何形狀。例如，該(等)彈性變形部份可呈大致回力鏢形狀或傾斜形狀。

該探針卡可設置成沒有該中間基板500、該彈簧探針600、該主基板700、及/或該補強板800。又，該配線基板可連接或不連接另一基板(例如主基板)。該配線基板本身可作為該主基板使用。該配線基板可利用該等彈簧探針600或利用任一種探針、一FPC、一纜線、或其他習知連接裝置與另一基板電氣連接。

應了解的是上述實施例及修改例只是舉例。該用於探針卡的導板及該探針卡之組件之材料、形狀、尺寸、數目、配置及其他構態可以任何方式修改，只要它們 可完成類似功能即可。本發明之探針卡應包括至少一導板。

100‧‧‧用於探針卡的導板

110‧‧‧矽基板

110a‧‧‧主面

110b‧‧‧背面

111‧‧‧貫穿孔

111a‧‧‧貫穿孔本體

111b‧‧‧溝槽

112‧‧‧內壁面

113a,113b‧‧‧邊緣部份

120‧‧‧二氧化矽薄膜

121‧‧‧內壁部份

122a,122b‧‧‧曲面部份

123‧‧‧主面部份

124‧‧‧背面部份

125‧‧‧外周邊部份

Claims (4)

1. 一種用於探針卡的導板，該導板包含：一矽基板，包括一表面及一貫穿孔，該貫穿孔係組配成引導一探針且包括一內壁面；該貫穿孔之一邊緣部份，該邊緣部份係由該矽基板之該表面及該貫穿孔之該內壁面構成；及一曲面部份，係形成在該邊緣部份上，該曲面部份係由一二氧化矽薄膜形成。
2. 如請求項1之用於探針卡的導板，其中該貫穿孔包含：一實質矩形貫穿孔本體，該貫穿孔本體包括：四壁，及四角，且該等四壁之相鄰壁在該等角接合；及四溝槽，係分別形成在該等角中，且其中該貫穿孔之該內壁面包含該貫穿孔本體之該等壁，且該等壁係組配成引導具有一矩形橫截面之一探針。
3. 如請求項1或2之用於探針卡的導板，其中在該邊緣部份上之該二氧化矽薄膜具有一等於或大於5μm之厚度。
4. 如請求項1至3中任一項之用於探針卡的導板，更包含：一內壁部份，係形成在該貫穿孔之該內壁面上，該內壁部份係由一二氧化矽薄膜形成。