JP6727988B2 - プローブカードの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プローブカードの製造方法に係り、更に詳しくは、２以上のガイド板を備えたプローブカードの製造方法の改良に関する。

一般に、プローブカードは、配線基板上に多数のコンタクトプローブを立設して構成され、半導体集積回路の検査工程において使用される。半導体集積回路の検査は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上に形成された半導体集積回路の電極パッドに接触させ、半導体集積回路と外部装置を導通させることにより行われる。その際、コンタクトプローブや電極パッドの高さのばらつきを吸収し、コンタクトプローブを電極パッドと確実に導通させるために、コンタクトプローブを電極パッドに押し付ける処理が行われる。この処理はオーバードライブと呼ばれ、押し付ける距離をオーバードライブ量と呼ぶ。

従来のプローブカードには、ガイド板を備えているものがあった（例えば、特許文献１）。ガイド板は、ガイド孔が設けられ、配線基板に取り付けられている。コンタクトプローブは、２枚のガイド板のガイド孔に挿通され、脱落しないように保持されるとともに、水平面内における位置決めが行われる。特許文献１に記載されたプローブカードは、コンタクトプローブの先端付近を保持する先端側ガイド板と、後端付近を保持する後端側ガイド板とを備え、各ガイド板が、プローブの先端及び後端の位置決めを行っている。

また、従来のコンタクトプローブには、ガイド板としてシリコン板を用いるものがあった（例えば、特許文献２）。ガイド板にシリコン板を用いることにより、フォトリソグラフィ（露光現像）技術を用いてガイド孔を形成することができ、微細なガイド孔の加工が容易になる。

さらに、従来のプローブカードには、ガイドユニットを備えるものがあった。ガイドユニットは、互いに対向して配置された２枚のガイド板により構成される。このようなガイドユニットを配線基板に取り付けることにより、２枚のガイド板を備えたプローブカードを得ることができる。

ガイドユニットは、２枚のガイド板にガイド孔をそれぞれ形成した後、これらのガイド板を互いに対向するように接合することによって得られる。２枚のガイド板は、ガイド孔が互いに対応するように形成されているため、ガイド板の接合は、これらのガイド孔が所定の位置関係となるように位置合わせを行って接合する必要があるが、正確に位置合わせを行って接合することは容易ではないという問題があった。

特に、検査対象物上の電極の狭ピッチ化に伴って、ガイド孔も狭ピッチで形成されるようになっている。このため、接合時におけるガイド板の位置合わせに対しても、より高い精度が要求されるようになっているが、２枚のガイド板を高い精度で位置合わせすることは容易ではないという問題があった。

特開２０１３−０３００２ 特開２０１２−９３１２７

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、プローブカードを構成する２枚のガイド板間におけるガイド孔の位置合わせを高精度で行うことを目的とする。

本発明の第１の態様によるプローブカードの製造方法は、プローブを位置決めするガイドユニットを備えたプローブカードの製造方法であって、２枚のガイド板が、プローブ配置領域外にスペーサーを挟んで互いに接合されるステップと、接合された前記２枚のガイド板の互いに対向しない外面に対し露光現像処理をそれぞれ行って、互いに対応するガイド孔を前記２枚のガイド板にそれぞれ形成するステップと、前記互いに対応する２つのガイド孔に、前記プローブを挿通するステップとを備える。

この様な構成を採用することにより、ガイド板の接合後に露光現像処理を行ってガイド孔が形成される。このため、接合時におけるガイド板の位置ずれの影響を受けることなく、ガイド板間におけるガイド孔の位置合わせを行うことができる。従って、製造コストを顕著に増大させることなく、ガイド孔の位置合わせを高い精度で行うことができる。

本発明の第２の態様によるプローブカードの製造方法は、前記構成に加えて、前記ガイド孔が、シリコンからなる前記ガイド板に対する深掘り反応性イオンエッチング法により形成される。

このような構成を採用することにより、互いに接着固定されたガイド板に対し、微細なガイド孔を容易に形成することができる。

本発明の第３の態様によるプローブカードの製造方法は、前記構成に加えて、前記ガイド孔を形成する前記ステップが、前記ガイド板の両面にシリコン酸化膜を形成するステップと、前記ガイド板の外面に形成された前記シリコン酸化膜の一部を除去し、前記ガイド孔の形成領域に対応する開口を形成するステップと、前記ガイド板の内面のプローブ配置領域に形成された前記シリコン酸化膜を除去するステップとを有する。

シリコン基板の外面に形成されたシリコン酸化膜にガイド孔の形成領域に対応する開口を形成する一方、ガイド板の内面のプローブ配置領域に形成されたシリコン酸化膜を除去することにより、ガイド板の外側から、ガイド板を貫通するガイド孔を容易に形成することができる。

本発明の第４の態様によるプローブカードの製造方法は、前記構成に加えて、前記プローブ配置領域に形成された前記シリコン酸化膜を除去する前記ステップが、前記ガイド板及び前記スペーサーによって規定されるプローブ配置空間と外部とを連通する連通路を介し、外部から前記プローブ配置空間へエッチング液を供給することによって行われる。

このような構成により、ガイド板の内面のプローブ配置領域に形成されたシリコン酸化膜を容易に除去することができる。

本発明によるプローブカードの製造方法によれば、ガイド板の接合後にガイド孔を形成することにより、プローブカードを構成するガイド板間におけるガイド孔の位置合わせを高精度で行うことができる。

本発明の実施の形態１によるプローブカード１００の一構成例を示した断面図である。 図１のプローブカード１００の組み立て及び分解するときの様子を示した図である。 図１に示したガイドユニット２１の詳細構成を示した図である。 ガイドユニット２１を構成要素に分解して示した展開図である。 接合前のガイド板３１及びスペーサー３２を示した斜視図である。 図３のガイドユニット２１の製造工程の一例を順に示した図である。 図３のガイドユニット２１の製造工程の一例を順に示した図である。 図３のガイドユニット２１の製造工程の一例を順に示した図である。 本発明の実施の形態２によるプローブカード１０１の一構成例を示した断面図である。 図９に示した先端側ガイドユニット２１Ａの詳細構成を示した図である。 先端側ガイドユニット２１Ａを構成要素に分解して示した展開図である。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１００の一構成例を示した断面図であり、コンタクトプローブ２０が下側になるように水平方向に配置されたプローブカード１００を鉛直面で切断したときの断面が示されている。図２は、図１のプローブカード１００の組み立て時及び分解時の様子を示した図である。プローブカード１００は、配線基板１２、補強板１３及びプローブアタッチメント１５により構成される。

＜配線基板１２＞
配線基板１２は、図示しないプローブ装置に着脱可能に取り付けられる基板であり、例えば、円盤形状のプリント回路基板が用いられる。配線基板１２の上面には、多数の外部電極１２１が設けられている。外部電極１２１は、図示しないテスター装置との間で信号の入出力を行うための入出力端子であり、配線基板１２の上面の周縁部に配置されている。

配線基板１２の下面には、多数のプローブ電極１２２が設けられている。プローブ電極１２２は、コンタクトプローブ２０が接続される端子であり、配線基板１２の下面の中央部に配置され、配線基板１２の配線を介して外部電極１２１と導通している。

また、配線基板１２の下面には、１又は２以上の電子部品１２３が設けられている。電子部品１２３は、外部電極１２１及びプローブ電極１２２間の配線に接続される部品、例えばノイズ除去用のコンデンサであり、プローブ電極１２２の近傍に配置される。

さらに、配線基板１２の下面には、取付フレーム１２４が設けられている。取付フレーム１２４は、プローブアタッチメント１５が取り付けられるフレームであり、プローブ電極１２２及び電子部品１２３よりも外側に配置され、これらを取り囲んでいる。

＜補強板１３＞
補強板１３は、配線基板１２の変形を防止するための補強部材であり、配線基板１２よりも高剛性の材料からなり、配線基板１２の上面に取り付けられる。例えば、ステンレス鋼からなる平板形状又はフレーム形状の金属ブロックを補強板１３として用いることができる。

＜プローブアタッチメント１５＞
プローブアタッチメント１５は、配線基板１２の下面側に取り付けられる部品である。プローブアタッチメント１５は、多数のコンタクトプローブ２０と、２つのガイドユニット２１と、支持フレーム２２とにより構成され、取付ネジ２３を用いて、取付フレーム１２４に対し、着脱可能に取り付けられる。

コンタクトプローブ２０は、検査対象物上の微小電極に弾性的に接触させるプローブであり、弾性及び導電性が良好な金属材料からなり、下方に配置される検査対象物に接触する先端と、上方のプローブ電極１２２に接触する後端とを有する。例えば、垂直型プローブがコンタクトプローブ２０として用いられる。垂直型プローブは、緩やかに湾曲する線形状を有し、配線基板１２及び検査対象物に対し略垂直に配置されるプローブであり、オーバードライブ時には検査対象物から受ける軸方向の圧縮力により弾性限界内において座屈変形する。

２つのガイドユニット２１は、空間を挟んで互いに対向するように水平に配置される。下側のガイドユニット２１は、コンタクトプローブ２０の先端付近を支持する先端側ガイドユニット２１Ａであり、コンタクトプローブ２０の先端の位置決めを行う。また、上側のガイドユニット２１は、コンタクトプローブ２０の後端付近を支持する後端側ガイドユニット２１Ｂであり、コンタクトプローブ２０の後端の位置決めを行う。

支持フレーム２２は、ガイドユニット２１を支持する支持部材であり、例えば、フランジ形状のステンレス鋼が用いられる。先端側ガイドユニット２１Ａは、取付ネジ２４を用いて、支持フレーム２２に対し下側から着脱可能に取り付けられる。後端側ガイドユニット２１Ｂは、樹脂を用いて、支持フレーム２２に対し上側から接着固定される。

先端側ガイドユニット２１Ａ及び後端側ガイドユニット２１Ｂの構成上の相違は、ネジ穴３４の有無のみである。このため、以下では、ガイドユニット２１の例として、先端側ガイドユニット２１Ａについて説明し、後端側ガイドユニット２１Ｂについて重複する説明は省略する。

図３は、図１に示したガイドユニット２１の詳細構成の一例を示した図であり、図中の（ａ）は、ガイドユニット２１を上から見た平面図、（ｂ）は、Ａ−Ａ切断面で切断した場合の断面図、（ｃ）は、下から見た底面図である。図４は、ガイドユニット２１を構成要素に分解して示した展開図である。

＜ガイドユニット２１＞
ガイドユニット２１は、互いに対向する２枚のガイド板３１と、ガイド板３１により挟まれたスペーサー３２とによって構成される。

ガイド板３１は、多数のガイド孔３３が形成された矩形の略平板からなり、コンタクトプローブ２０の水平面内における位置決めを行う。ガイド板３１として、例えば、シリコン板を用いることにより、フォトリソグラフィ技術を利用して微細なガイド孔３３を容易に形成することができる。シリコン板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンからなる。プローブ配置領域３１Ｒは、周縁部を除くガイド板３１上の領域であり、多数のガイド孔３３が形成される。

スペーサー３２は、２枚のガイド板３１間に配置され、ガイド板３１間の距離を規定する。スペーサー３２は、貫通孔３２Ｈを有するフレーム形状のシリコン板からなる。貫通孔３２Ｈは、プローブ配置領域３１Ｒに対応し、各ガイド板３１は、プローブ配置領域３１Ｒよりも外側の領域がスペーサー３２と接合される。ガイド板３１及びスペーサー３２の接合には、例えば、拡散接合や陽極接合を用いることができる。プローブ配置空間３２Ｓは、貫通孔３２Ｈ内の空間であり、２つのガイド板３１のプローブ配置領域３１Ｒによって挟まれ、スペーサー３２によって取り囲まれている。

ガイド孔３３は、ガイド板３１の厚さ方向、すなわち、鉛直方向に形成された貫通孔であり、コンタクトプローブ２０が挿通される。ガイド孔３３は、その断面がコンタクトプローブ２０の断面に応じた大きさ及び形状を有し、水平方向の移動を制限する一方、鉛直方向（軸方向）には移動可能となるようにコンタクトプローブ２０を支持する。また、コンタクトプローブ２０は、軸方向の一部にガイド孔３３を貫通できない係止部（不図示）を有し、脱落しないようにガイド板３１によって保持される。

ネジ穴３４は、取付ネジ２４が螺入される貫通孔である。第２ガイド板３１Ｂ及びスペーサー３２は、４頂点付近にネジ穴３４がそれぞれ形成されている。

アライメントマーク３５は、ガイド板３１及びスペーサー３２間の位置合わせや、後述するガイド孔形成用のフォトマスクの位置合わせに用いられる貫通孔である。第２ガイド板３１Ｂ及びスペーサー３２は、４辺の中点付近にアライメントマーク３５がそれぞれ形成され、両者の接合時における位置合わせに用いられる。また、第２ガイド板３１Ｂのアライメントマーク３５の径は、スペーサー３２のアライメントマーク３５よりも大きいため、スペーサー３２のアライメントマーク３５は、上方及び下方のいずれからも視認することができる。このため、２枚のガイド板３１及びスペーサー３２の位置合わせ精度の影響を受けることなく、２つのガイド板３１間における対応するガイド孔３３の位置を正確に一致させることができる。なお、スペーサー３２のアライメントマークは、両面に形成されていればよく、貫通孔でなくてもよい。

エッチング穴３６は、ガイド板３１及びスペーサー３２の接合後であって、ガイド孔３３の形成前に、プローブ配置空間３２Ｓと外部とを連通する貫通孔であり、ガイド孔３３の加工プロセスにおいて使用される。

段差空間３７は、ガイド板３１及びスペーサー３２の外形サイズの違いによる段差形状によって生じる空間である。２枚のガイド板３１は、外形サイズが互いに異なり、外形サイズがより小さな第１ガイド板３１Ａと、外形サイズがより大きな第２ガイド板３１Ｂとからなる。スペーサー３２の外形は、第２ガイド板３１Ｂと同一であり、第１ガイド３１Ａは、ネジ穴３４及びアライメントマーク３５を含むスペーサー３２の周縁部と対向することなく配置される。従って、２枚のガイド板３１及びスペーサー３２の外形が同一である場合に比べて、第１ガイド板３１Ａの外側に、スペーサー３２の主面と隣接する段差空間３７が形成される。

段差空間３７を利用することによって、より大きなオーバードライブ量が確保できる。図１に示した通り、先端側ガイドユニット２１Ａは、第１ガイド板３１Ａが第２ガイド板３１Ｂよりも下側となるように配置され、下方から螺入される取付ネジ２４は、段差空間３７からスペーサー３２のネジ穴３４へ挿入される。このため、取付ネジ２４の頭部は、段差空間３７に配置され、先端側ガイドユニット２１Ａから下方に突出するのを防止又は抑制することができる。その結果、段差空間３７を有しない従来のプローブカードに比べて、取付ネジ２４の頭部が突出するのを防止又は抑制された分だけ、プローブカード１００から検査対象物までの距離がより長くなり、より大きなオーバードライブ量を確保することができる。

また、段差空間３７を利用することにより、電子部品１２３は、コンタクトプローブ２０のより近くに配置することができる。図１に示した通り、後端側ガイドユニット２１Ｂは、第１ガイド板３１Ａが第２ガイド板３１Ｂよりも上側となるように配置され、段差空間３７に電子部品１２３が配置される。配線基板１２から最も近いガイド板３１（後端側ガイドユニット２１Ｂの第１ガイド板３１Ａ）までの間隔は狭く、電子部品１２３の搭載には制約が多い。このため、段差空間３７を利用して電子部品１２３を配置することにより、配線基板１２の下面により多くの電子部品１２３を搭載することができ、また、電子部品１２３をコンタクトプローブ２０のより近くに配置することができる。

図５は、接合前のガイド板３１及びスペーサー３２を示した斜視図である。ガイドユニット２１は、ガイド板３１及びスペーサー３２の接合後にガイド孔３３を形成することにより、異なるガイド板３１間における対応するガイド孔３３の相対的な位置精度を向上させている。つまり、接合時におけるガイド板３１間の位置合わせ精度の影響を受けることなく、ガイド孔３３間の位置合わせ精度を向上させる。このため、接合時のガイド板３１には、ガイド孔３３が形成されていない。なお、接合時の第２ガイド板３１Ｂには、ネジ穴３４、アライメントマーク３５及びエッチング穴３６が予め形成されている。

＜ガイドユニット２１の機能＞
コンタクトプローブ２０は、オーバードライブ時にガイドユニット２１間において座屈変形する。このとき、先端側ガイドユニット２１Ａは、コンタクトプローブ２０の先端の水平位置の変動を制限することにより、コンタクトプローブ２０と検査対象物の微小電極との導通を確保する。同様にして、後端側ガイドユニット２１Ｂは、コンタクトプローブ２０の後端の水平位置の変動を制限することにより、コンタクトプローブ２０とプローブ電極１２２との導通を確保する。

先端側ガイドユニット２１Ａは、コンタクトプローブ２０の先端近傍を支持し、その支持部分について水平位置及び傾きを規定することにより、コンタクトプローブ２０の先端の水平位置を規定する。そのために、先端側ガイドユニット２１Ａは、プローブ配置空間３２Ｓを挟んで対向する２枚のガイド板３１を備えている。例えば、同一のコンタクトプローブ２０が挿通されるガイド孔３３が、鉛直方向に配置されていれば、コンタクトプローブ２０の先端付近の延伸方向も鉛直方向になる。

後端側ガイドユニット２１Ｂは、コンタクトプローブ２０の後端近傍を支持し、その支持部分について水平位置及び傾きを規定することにより、コンタクトプローブ２０の後端の水平位置を規定する。そのために、後端側ガイドユニット２１Ｂは、プローブ配置空間３２Ｓを挟んで対向する２枚のガイド板３１を備えている。例えば、同一のコンタクトプローブ２０が挿通されるガイド孔３３が、鉛直方向に配置されていれば、コンタクトプローブ２０の後端付近の延伸方向も鉛直方向になる。

従って、ガイドユニット２１は、対応するガイド孔３３が高い精度で位置合わせされている必要がある。このため、本実施の形態によるコンタクトプローブの製造方法は、ガイド板３１の接合後にガイド孔３３を形成することにより、ガイド板３１の位置ずれの影響を受けることなく、ガイド板３１間におけるガイド孔３３の位置合わせを高い精度で行うことができる。

図６〜図８は、図３のガイドユニット２１の製造工程の一例を順に示した断面図である。

図６（ａ）には、接合前のガイド板３１及びスペーサー３２が示されている。スペーサー３２には、酸化膜（ＳｉＯ_２）４０が形成されている。ガイド板３１の間隔は、スペーサー３２の厚さによって規定されるため、酸化膜４０の厚さを調整することにより、ガイド板３１の間隔を微調整することができる。なお、ガイド板３１の表面に酸化膜４０が形成されていてもよい。

図６（ｂ）には、ガイド板３１及びスペーサー３２を接合して得られるアッセンブリが示されている。２枚のガイド板３１は、スペーサー３２の異なる面にそれぞれ接合される。スペーサー３２の貫通孔３２Ｈの内部、つまり、プローブ配置空間３２Ｓを介して、互いに対向するガイド板３１上の領域がプローブ配置領域３１Ｒとなる。また、エッチング穴３６が、プローブ配置空間３２Ｓを外部と連通する連通路になっている。

図６（ｃ）には、酸化膜４０が形成されたアッセンブリが示されている。上記接合により得られるアッセンブリの表面全体に酸化膜４０が形成される。酸化膜４０は、例えば、熱酸化によって形成され、アッセンブリの外表面だけでなく、プローブ配置空間３２Ｓの内壁面にも形成される。つまり、プローブ配置領域３１Ｒでは、ガイド板３１の両面に酸化膜が形成される。

図６（ｄ）には、メタル層４１の形成後の様子が示されている。酸化膜４０が形成されたアッセンブリの表面にメタル層４１が形成される。メタル層４１は、蒸着法又はスパッタ法によって形成され、アッセンブリの外表面の全体に形成される一方、プローブ配置空間３２Ｓの内壁面には形成されない。

図７（ａ）には、感光レジストの塗布後の様子が示されている。メタル層４１が形成されたアッセンブリの表面全体にレジスト膜４２が形成される。

図７の（ｂ）には、露光現像後の様子がフォトマスク４とともに示されている。露光処理は、ガイド孔３３のパターンが描画されたフォトマスク４をガイド板３１に対向するように配置して行われる。このとき、アライメントマーク３５を用いて、フォトマスク４の位置合わせが行われる。この露光処理は、２枚のガイド板３１についてそれぞれ行われる。両ガイド板３１の露光処理は、同時に行ってもよいし、順次に行ってもよい。露光後に行われる現像処理では、現像液によって、ガイド孔３３の形成領域内のレジスト膜４２のみが選択的に除去され、メタル層４１を露出させる開口が形成される。

フォトマスク４Ａは、第１ガイド板３１Ａ用のフォトマスクであり、フォトマスク４Ｂは、第２ガイド板３１Ｂ用のフォトマスクである。２枚のフォトマスク４Ａ，４Ｂは、いずれもスペーサー３２のアライメントマーク３５を用いて位置合わせされる。このため、ガイド板３１及びスペーサー３２の接合時における位置合わせ精度の影響を受けることなく、ガイド孔３３の位置決めを高い精度で行うことができる。

なお、本実施の形態では、スペーサー３２のアライメントマーク３５を用いて位置合わせを行う場合について説明したが、ガイド板３１のアライメントマーク３５を両方向から視認可能にし、当該アライメントマーク３５を用いて位置合わせを行ってもよい。

図７の（ｃ）には、メタル層４１のエッチング処理後の様子が示されている。レジスト膜４２の露光現像後に、メタル層４１のケミカルエッチングが行われ、ガイド孔３３の形成領域内のメタル層４１のみが選択的に除去され、酸化膜４０を露出させる開口が形成される。

図８の（ａ）には、酸化膜４０の選択的な除去後の様子が示されている。レジスト膜４２が除去された後、ケミカルエッチングにより酸化膜４０が選択的に除去される。アッセンブリの外表面をエッチング液に晒すことにより、ガイド孔３３の形成領域内の酸化膜４０が除去され、ガイド板３１の外面を露出させる開口が形成される。また、エッチング液は、エッチング穴３６を介して、プローブ配置空間３２Ｓにも流入し、プローブ配置空間３２Ｓの内壁面の酸化膜も除去される。従って、ガイド孔３３の形成領域については、ガイド板３１の両面いずれについても酸化膜４０が除去された状態になる。

なお、プローブ配置空間３２Ｓの内壁面に形成された酸化膜４０を効率的に除去するには、プローブ配置領域３１Ｒ内に２以上のエッチング穴３６が設けられていることが望ましい。特に、２つのエッチング穴３６は、離れた位置に配置されていることが望ましく、例えば、ガイド孔３３を挟んで配置されていることが望ましい。

また、ここでは、第２ガイド板３１Ｂにエッチング穴３６を形成することにより、エッチング液をプローブ配置空間３２Ｓに流入させる例について説明したが、本発明は、この様な構成のみに限定されない。例えば、第１ガイド板３１Ａにエッチング穴３６を形成してもよいし、ガイド板３１及びスペーサー３２間に、エッチング液が流入可能になる連通路を設けてもよい。

図８の（ｂ）には、ガイド孔３３の形成後の様子が示されている。酸化膜４０が選択的に除去された後、ガイド孔３３が形成される。ガイド孔３１は、例えば、ＤＲＩＥ法（深掘りＲＩＥ法）により形成される。ＤＲＩＥ法は、ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング法）と保護膜形成とを交互に行う方法であり、一般的なＲＩＥ法に比べ、ガイド板３１の厚さ方向に対する内壁面の傾斜が小さい貫通孔を形成することができる。

図８の（ｃ）には、酸化膜４０の形成後の様子が示されている。ガイド孔３３が形成された後に、アセンブリの表面全体に熱酸化による酸化膜が形成される。この酸化膜は、保護膜及び絶縁膜として機能する。以上の製造工程により、ガイドユニット２１が得られる。

本実施の形態によるプローブカード１００の製造方法は、スペーサー３２を挟み込んで２枚のガイド板３１を接合した後、各ガイド板３１の外面に対し露光現像処理をそれぞれ行うことにより、各ガイド板３１にガイド孔３３をそれぞれ形成する。このような方法でガイド孔３３を形成することにより、ガイド板３１の接合時における位置ずれの影響を受けて、対応するガイド孔３３間に相対的な位置ずれが生じるのを防止することができる。また、ガイド板３１の接合時の位置合わせに比べて、露光現像処理における位置合わせの方が高い精度を確保することができる。このため、対応するガイド孔３３の位置合わせを高い精度で行うことができる。

また、本実施の形態によるプローブカード１００の製造方法は、ガイド板３１がシリコン板からなり、ガイド孔３３が、ガイド板３１に対するＤＲＩＥ法（深掘り反応性イオンエッチング法）により形成される。この様な方法でガイド孔３３を形成することにより、接合後のガイド板３１に対し、ガイド孔３３を容易に形成することができる。

また、本実施の形態によるプローブカード１００の製造方法は、ガイド孔３３を形成する際、ガイド板３１の両面に酸化膜を形成し、ガイド板３１の外面に形成された酸化膜の一部を除去し、ガイド孔３３の形成領域に対応する開口を形成するとともに、ガイド板３１の内面のプローブ配置領域３１Ｒに形成された酸化膜を除去する。この様な方法により、ガイド板３１の外面にガイド孔３３の形成領域を露出する開口を形成するとともに、ガイド板３１の内面に形成された酸化膜も除去することができる。

また、本実施の形態によるプローブカード１００の製造方法は、プローブ配置領域３１Ｒに形成された酸化膜を除去する際、ガイド板３１及びスペーサー３２によって規定されるプローブ配置空間３２Ｓと外部とを連通するエッチング穴３６を利用して、外部からプローブ配置空間３２Ｓへエッチング液を供給する。この様な構成により、ガイド板３１の内面に形成された酸化膜を容易に除去することができる。

実施の形態２．
実施の形態１では、ガイド板３１の外形サイズが異なるガイドユニット２１の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、ガイド板３１の外形サイズが同一のガイドユニット２１の例について説明する。

図９は、本発明の実施の形態２によるプローブカード１０１の一構成例を示した断面図であり、水平方向に配置されたプローブカード１０１を鉛直面で切断したときの断面が示されている。また、図１０は、図９に示した先端側ガイドユニット２１Ａの詳細構成を示した図であり、図中の（ａ）は、先端側ガイドユニット２１Ａを第１ガイド板３１Ａ側から見た平面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ切断面で切断した場合の断面図、（ｃ）は、第２ガイド板３１Ｂ側から見た底面図である。図１１は、先端側ガイドユニット２１Ａを構成要素に分解して示した展開図である。なお、図１のプローブカード１００（実施の形態１）と同一の構成について、重複する説明は省略する。

先端側ガイドユニット２１Ａは、従来のガイドユニットと同様、２枚のガイド板３１及びスペーサー３２の外形サイズが一致する。このため、第１ガイド板３１Ａにも、第２ガイド板３１Ｂと同様にして、ネジ穴３４及びアライメントマーク３５が形成されている。

また、第１ガイド板３１Ａのネジ穴３４の内径は、第２ガイド板３１Ｂ及びスペーサー３２のネジ穴３４よりも大きく、また、取付ネジ２４の頭部の外径よりも大きい。このため、取付ネジ２４の頭部は、第１ガイド板３１Ａのネジ穴３４に配置され、先端側ガイドユニット２１Ａから下方に突出するのを防止又は抑制することができる。その結果、取付ネジ２４の頭部が突出するのを防止又は抑制された分だけ、プローブカード１０１から検査対象物までの距離が長くなり、より大きなオーバードライブ量を確保することができる。

また２枚のガイド板３１のアライメントマーク３５の径は、スペーサー３２のアライメントマーク３５よりも大きいため、スペーサー３２のアライメントマーク３５は、上方及び下方のいずれからも、ガイド板３１のアライメントマーク３５を介して視認することができる。このため、２枚のガイド板３１及びスペーサー３２の位置合わせ精度の影響を受けることなく、２つのガイド板３１間における対応するガイド孔３３の位置を正確に一致させることができる。なお、スペーサー３２のアライメントマーク３５は、両面に形成されていれば、貫通孔でなくてもよい。

本実施の形態では、上方及び下方のいずれからも視認可能なアライメントマーク３５が、スペーサー３２に設けられている例について説明したが、本発明は、この様な場合のみに限定されない。例えば、２枚のガイド板３１の一方に、接合後において上方及び下方のいずれからでも視認可能なアライメントマーク３５を設けてもよい。

また、本実施の形態では、２つのガイドユニット２１により構成されるプローブアタッチメント１５を備えるプローブカード１００，１０１の例について説明したが、本発明は、この様な場合のみに限定されない。すなわち、１以上のガイドユニット２１を備えるプローブカードであれば、本発明を提供することができる。

１００，１０１ プローブカード
１２ 配線基板
１２０ プローブ配置領域
１２１ 外部電極
１２２ プローブ電極
１２３ 電子部品
１２４ 取付フレーム
１３ 補強板
１５ プローブアタッチメント
２０ コンタクトプローブ
２１ ガイドユニット
２１Ａ 先端側ガイドユニット
２１Ｂ 後端側ガイドユニット
２２ 支持フレーム
２３，２４ 取付ネジ
３１ ガイド板
３１Ａ 第１ガイド板
３１Ｂ 第２ガイド板
３１Ｒ プローブ配置領域
３２ スペーサー
３２Ｈ 貫通孔
３２Ｓ プローブ配置空間
３３ ガイド孔
３４ ネジ穴
３５ アライメントマーク
３６ エッチング穴
３７ 段差空間
４，４Ａ，４Ｂ フォトマスク
４０ 酸化膜
４１ メタル層
４２ レジスト膜

Claims (4)

1. プローブを位置決めするガイドユニットを備えたプローブカードの製造方法であって、
   ２枚のガイド板が、プローブ配置領域外にスペーサーを挟んで互いに接合されるステップと、
   接合された前記２枚のガイド板の互いに対向しない外面に対し露光現像処理をそれぞれ行って、互いに対応するガイド孔を前記２枚のガイド板にそれぞれ形成するステップと、
   前記互いに対応する２つのガイド孔に、前記プローブを挿通するステップとを備えることを特徴とするプローブカードの製造方法。
2. 前記ガイド孔は、シリコンからなる前記ガイド板に対する深掘り反応性イオンエッチング法により形成されることを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
3. 前記ガイド孔を形成する前記ステップは、前記ガイド板の両面にシリコン酸化膜を形成するステップと、
   前記ガイド板の外面に形成された前記シリコン酸化膜の一部を除去し、前記ガイド孔の形成領域に対応する開口を形成するステップと、
   前記ガイド板の内面のプローブ配置領域に形成された前記シリコン酸化膜を除去するステップとを有することを特徴とする請求項２に記載のプローブカードの製造方法。
4. 前記プローブ配置領域に形成された前記シリコン酸化膜を除去する前記ステップは、前記ガイド板及び前記スペーサーによって規定されるプローブ配置空間と外部とを連通する連通路を介し、外部から前記プローブ配置空間へエッチング液を供給することによって行われることを特徴とする請求項３に記載のプローブカードの製造方法。

Images