JP4799878B2 - プローブアッセンブリ - Google Patents

Description

本発明はプローブアッセンブリに関する。

従来、電子デバイスを検査するためのプローブカードが知られている。高集積化に伴って電子デバイスの電極の配列間隔は狭くなっている。このため、電子デバイスの電極とプローブカードとの位置合わせには高い精度が要求されている。また一般に１つのウェハには複数の電子デバイスが形成されるため、ウェハ単位で複数の電子デバイスを同時に検査できることが望ましい。複数の電子デバイスを同時に検査するためには、複数の電子デバイスと複数のプローブユニットとを正確に位置合わせする必要がある。
特許文献１には、１つの電子デバイスの周縁に矩形に配列された全ての電極と一対一に対応する複数の接触部を１枚の基板に固定することにより、電子デバイスの電極とプローブカードの接触部とを高精度に位置合わせできるプローブカードが開示されている。しかしながら、特許文献１に記載のプローブカードによると、接触部が固定された基板のウェハへの投影面積が大きいため、１つのウェハに狭い間隔で形成された複数の電子デバイスを同時に検査することができない。また、特許文献１に開示されたプローブカードは、電極が矩形に配列されている電子デバイスのみを検査可能であって、電極が任意に配列された電子デバイスを検査することができない。

特許文献２には、１つの電子デバイスに設けられた複数の電極と一対一に対応する接触部を有する複数のプローブユニット（特許文献２ではプローブユニットがコンタクトプローブ３２と記載されている。）が複数のブロックに固定され、電極が十字形に配列された電子デバイスを検査可能なプローブカードが開示されている。しかし、特許文献２に開示されたプローブカードによると、１つの電子デバイスに対応する複数のプローブユニットの位置が多くの部材によって決められる構成であるため、複数のプローブユニットを電子デバイスの電極に対して正確に整列させることが困難である。

特開平６−３２４０８１号公報 特開２０００−２４１４４９号公報

本発明は、上述の問題に鑑みて創作されたものであって、検体の電極に対して正確に接触部を位置合わせできるプローブアッセンブリを提供することを目的とする。

（１） 上記目的を達成するためのプローブアッセンブリは、検体の電極に接触する接触部を有する複数の導線と、複数の前記導線が固定された連結部と、第一位置決め部とを有し、リソグラフィを用いて一体に形成されているプローブユニットと、１つの前記検体に対応する複数の前記プローブユニットの前記第一位置決め部に当接し複数の前記プローブユニットの前記接触部を１つの前記検体の複数の前記電極に対して整列させるユニット位置決め部と、を備える。
本発明によると、リソグラフィを用いて一体に形成されているプローブユニットに第一位置決め部が形成され、１つの検体に対応する複数のプローブユニットの第一位置決め部にユニット位置決め部が当接するため、異なるプローブユニットの接触部を１つの検体の複数の電極に対して正確に整列させることができる。したがって本発明によると検体の複数の電極に対して導線の接触部を正確に位置合わせすることができる。

前記第一位置決め部はリソグラフィを用いて形成されている。
本発明によると、第一位置決め部自体がリソグラフィを用いて形成されるため、異なるプローブユニットの接触部を１つの検体の複数の電極に対してより正確に整列させることができる。

前記ユニット位置決め部はリソグラフィを用いて形成されている。
本発明によると、ユニット位置決め部がリソグラフィを用いて形成されるため、異なるプローブユニットの接触部を１つの検体の複数の電極に対してより正確に整列させることができる。

前記プローブアッセンブリは、複数の前記検体が形成されたウェハに対して垂直になる壁部を有するブロックをさらに備えている。前記プローブユニットは前記壁部に固定されている。
本発明によると、ウェハ上に狭い間隔で配列された複数の検体に対応するようにプローブアッセンブリを狭い間隔で配列することができる。
前記第一位置決め部は、前記連結部に形成されている。前記ユニット位置決め部は、前記ブロックの側面に形成されている。
（２） 前記プローブユニットは、第二位置決め部が形成された絶縁性の保護膜を前記連結部上に有している。前記プローブアッセンブリは、前記第二位置決め部に当接し、前記検体に対して複数の前記プローブユニットを整列させる第三位置決め部を有するアッセンブラをさらに備える。
（３） 前記第二位置決め部及び前記第三位置決め部は、リソグラフィにより形成されている。
（４） 前記導線は、一方に前記接触部を有し、他方に第一電極を有している。前記プローブアッセンブリは、前記第一電極に接触する複数の第二電極と、前記第二電極に導通し複数の前記第二電極同士の間隔より広い間隔で配列される複数の第三電極と、前記第二電極及び前記第三電極が固定された基板とを有する拡散配線部をさらに備える。
（５） 前記拡散配線部は、前記第二電極と前記第三電極とを導通させる連絡線と、リソグラフィにより形成された位置決め部を有している。前記アッセンブラは、前記拡散配線部に形成された前記位置決め部に対応するようリソグラフィにより形成され前記拡散配線部を前記アッセンブラに位置決めするための位置決め部を有する。

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
１．プローブカードと検体
図１は、本発明の第一実施例によるプローブカードを示す平面図である。
図１に示すように、プローブカード１は、円形の配線盤１１と、配線盤１１上に取り付けられているプローブアッセンブリ１０とを備える。プローブカード１は、１枚のウェハに形成された４つのＬＣＤドライバＩＣを同時に検査するためのものである。検体としてのＬＣＤドライバＩＣは、図２に示すように、チップの周辺にＡｕで形成された電極３が狭小な間隔で多数設けられている。プローブカード１は、検査装置本体から出力される検査信号を検体２の電極に入力し、検体２の電極から出力信号を取り出して検査装置本体に伝達する機能を有する。

プローブアッセンブリ１０は、図３に示すように、直線上に並んでいる複数のプローブブロック１２と、プローブブロック１２に一対一に対応して設けられている複数の拡散配線部１４と、複数のプローブブロック１２及び拡散配線部１４が固定されている接続位置決め板１６とを備える。

一組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４は、図４に示すように一つの検体２に対応する。プローブブロック１２は、矩形の検体２の４辺に対応するように整列している四つのプローブユニット１８を有する。プローブブロック１２及び拡散配線板１４は、接続位置決め板１６にねじで固定されているため一つずつ交換可能である。従って、プローブアッセンブリ１０の一部に不具合が発生しても、その不具合が発生したプローブブロック１２のみを交換すればよく、修理コストを低減することができる。

接続位置決め板１６は、請求項に記載の接続位置決め部及びアッセンブラに相当する。複数のプローブブロック１２を接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で結合することにより、各プローブブロック１２をウェハ上に形成された各検体２に対して整列させることができる。従って、ウェハ上の複数の検体２に対して複数のプローブブロックを正確に位置合わせして複数の検体２を同時に検査することができる。また、接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で拡散配線板１４を結合することにより、拡散配線板１４とプローブブロック１２とを正確に位置合わせして電気的に接続することができる。尚、一つのプローブブロック１２を構成するプローブユニット１８の数は、四つに限定されず、検体２の電極３の配列に対応してその数を決定すればよい。

２．プローブアッセンブリ
２−１．プローブブロックの構成
図５（Ａ）はプローブブロック１２を示す斜視図である。図５（Ｂ）はプローブユニット１８を示す斜視図である。
図５（Ａ）に示すように、プローブブロック１２は、矩形柱のブロック２０と、ブロック２０の四つの側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにそれぞれ固定されている四つのプローブユニット１８とを有する。ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄは、請求項に記載の壁部に相当し、検査装置本体に取り付けられた状態ではウェハに対して垂直になる。ブロック２０のウェハに対して垂直になる側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにプローブユニット１８を固定することで、一つの検体２を検査するための一つのプローブブロック１２のウェハへの投影面積を小さくすることができる。従って、投影面積の小さなプローブブロック１２を複数配列したプローブカード１を用いることにより、ウェハ上に狭い間隔で配列された複数の検体２を同時に検査することができる。

図５（Ｂ）に示すように、プローブユニット１８は、基板２６と、基板２６上に配列されている複数の導線２４と、導線２４を被覆するように基板２６上に形成されている保護膜３０とを有する。基板２６は、請求項に記載の連結部に相当する。導線２４は、基板２６の表面に固定されている。導線２４の両端部は基板２６から突出しており、保護膜３０から遠ざかり基板２６を包み込むような方向に湾曲している。その湾曲している突出部の一方３２は請求項に記載の接触部に相当し、他方３４は請求項に記載の第一電極に相当する。尚、導線２４の先端部の形状は、図示した形状に限らず、Ｃ字形状に湾曲していてもよいし、蛇腹状に曲がっていてもよい。

ブロック２０の対向する一組の側面２２ａ、２２ｂに固定されるプローブユニット１８は、導線２４の第一突出部３２及び第二突出部３４が内向きになるように基板２６が側面２２ａ、２２ｂに固定される。もう一組の対向する側面２２ｃ、２２ｄに固定されるプローブユニット１８は、第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きになるように保護膜３０が側面２２ｃ、２２ｄに固定される。第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きなるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８は、ウェハ上で隣り合う検体２の、隣り合う辺に沿って形成された電極に対応する。このように４つのプローブユニット１８をブロック２０に固定することにより、より狭い間隔でウェハ上に形成された検体を同時に検査することが可能になる。なぜならば、外向きに湾曲した突出部を支持する基板２６及び保護膜３０をプローブブロック１２のより内側に配置できるため、プローブブロック１２同士の間隔を狭くできるからである。

ウェハに対して垂直になる側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにプローブユニットが固定されるため、図４に示すように、基板２６がウェハに対して垂直な状態で導線２４の第一突出部３２と検体２の電極３とが接触する。具体的には図６（Ａ）に示すように、基板２６がウェハに対して垂直な状態でプローブユニット１８と検体２とを接近させ、導線２４の第一突出部３２の突面３３と検体２の電極３の頂面角部とを接触させる。プローブユニット１８と検体２とをさらに接近させると、第一突出部３２は電極３との接触荷重によって弾性変形し、電極３から先端が遠ざかる方向に摺動する。導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させた後、導線２４の第二突出部３４を介して外部電極から電極３に検査信号を入力して検体２の検査を行う。尚、第一突出部３２の突面３３を検体２の電極３の頂面に接触させてもよい。また導線の先端を電極３の頂面に接触させてもよい。

本実施例によると、導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させることにより、電極３の表面に付着した絶縁性の異物等を除去し、導線２４と電極３とを確実に導通させることができる。また導線２４の第一突出部３２の突面３３（非鋭利部位）と検体２の電極３とを接触させるため、電極３を傷つけることがない。また、導線２４の第一突出部３２を摺動させることにより、第一突出部３２の突面３３に検体２の電極３の削りかすなどのごみが残留しにくいため、電極３と導線２４とを確実に導通でき、第一突出部３２のクリーニングが不要である。

また、導線２４の第一突出部３２が基板２６を包み込むような方向に湾曲しているため、第一突出部３２と検体２の電極３とを圧接させても、基板２６から導線２４を引き剥がそうとする方向に荷重が加えられず、導線２４が基板２６からはがれにくい。これに対し、図６（Ｃ）に示す比較例によるプローブユニットでは、導線２４の第一突出部３２が基板２６から遠ざかる方向に湾曲しているため、第一突出部３２が検体２の電極３と接触する際、第一突出部３２が基板２６から遠ざかろうとする方向に荷重が加えられ、導線２４が基板２６からはがれ易い。

また、導線２４の第一突出部３２は突面３３の任意の部位で検体２の電極３の頂面角部と接触すればよい。従って、プローブユニット１８は、それが固定されるブロック２０の側面の垂線方向に対してであれば、やや低い精度で位置決めされていても問題は生じない。
尚、図６（Ｂ）に示すように、基板２６がウェハに対して傾いた状態で第一突出部３２の突面３３と検体２の電極３の頂面とを接触させ、第一突出部３２を電極３の頂面で摺動させてもよい。

２−２．１つのブロックに固定されるプローブユニットを整列させるための構成
＜第一の構成＞
図７から図１０は、１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す図である。
第一の構成では、図７に示すように、ブロック２０はセラミックなどからなり、研磨などで精密に加工されている。請求項に記載のユニット位置決め部としての複数の位置決めロッド１３はブロック２０を貫通し両端部がブロック２０から突出している。対向する二つの側面２２ａと２２ｂ、又は２２ｃと２２ｄに対して垂直な方向にブロック２０を貫通する精密加工された一部材の位置決めロッド１３がプローブユニット１８自体に形成された位置決め部に当接する構成により、ブロック２０を間に挟んで対向するプローブユニット１８同士の相対的な位置が高い精度で合わせられる。

図８に示すように、プローブユニット１８には、ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄに接合される面に第一位置決め部２８が形成されている。側面２２ａ、２２ｂに固定されるプローブユニット１８の場合、基板２６に第一位置決め部２８が形成される。第一位置決め部２８は、位置決めロッド１３に当接する切り欠き２９を有する膜状に形成されている。第一位置決め部２８は、切り欠き２９が第一突出部３２及び第二突出部３４に対して正確な位置に形成されるように基板２６又は保護膜３０上にリソグラフィを用いて形成される。側面２２ｃ、２２ｄに固定されるプローブユニット１８の場合（図５参照）、上記と同様の切り欠きを有する保護膜３０が第一位置決め部として機能する。

図９及び図１０に示すように、ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄから突出している複数の位置決めロッド１３と、四つのプローブユニット１８の第一位置決め部２８の切り欠き２９とを当接させると、四つのプローブユニット１８の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。整列したプローブユニット１８とブロック２０とは、接着剤やねじ留めなどで結合される。ねじ等の分解可能な結合手段でブロック２０にプローブユニット１８を結合することにより、プローブカード１に不具合が生じた場合にはプローブユニット１８単位で交換することが可能になる。

尚、位置決めロッド１３の端部で構成された位置決め部は、凸形状でも凹形状でもよく、リソグラフィを用いてブロック２０と一体に形成してもよい。また、第一位置決め部２８は、凸形状でも凹形状でもよいし、基板２６自体に第一位置決め部としての切り欠き、穴、凹み、突起などを形成してもよい。

＜第二の構成＞
図１１は、１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す図である。
図１１に示すように、第二の構成では、位置決め板１５が請求項に記載のユニット位置決め部に相当する。位置決め板１５は、リソグラフィを用いて形成され、プローブユニット１８の導線２４の第一突出部３２間又は第二突出部３４間に嵌合する突出部２７を外縁に有する。また、櫛歯状に突出している第一突出部３２又は第二突出部３４が請求項に記載の第一位置決め部に相当する。二枚の位置決め板１５をブロックの第一面と、第一面と反対側の第二面とに固定し、位置決め板１５をそれぞれプローブユニット１８の第一突出部３２又は第二突出部３４に嵌合させることで、四つのプローブユニット１８の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。

＜第三の構成＞
図１２から図１４は、１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す図である。尚、図１４（Ａ）では導線の図示を省略した。
図１２に示すように、第三の構成では、四つのプローブユニットのうちブロックを間に挟んで対向する２つのプローブユニット３５ａに第一位置決め部２８を設ける。第一位置決め部２８は、リソグラフィを用いて基板２６又は保護膜３０と一体に、プローブユニット３５ａがプローブブロック１２を構成するとき内側になる面の両縁に導線と平行に延びる直線状の凸形状に形成されている。図１２には、基板２６に第一位置決め部２８が形成されているプローブユニット３５ａを図示した。

図１３に示すように、上記２つのプローブユニット３５ａに隣り合う２つのプローブユニット３５ｂは、第一位置決め部２８に当接するユニット位置決め部としての角部３７を有する。また本構成では、ブロック２０を二つの小ブロック３９で構成する。図１３（Ａ１）、（Ｂ１）に示すようにプローブユニット３５ｂを各々ブロック３９に接着した後、図１３（Ａ２）、（Ｂ２）に示すようにブロック３９とともにプローブユニット３５ｂを所定の幅に切断することにより角部３７を形成する。

図１４に示すように、プローブユニット３５ａの第一位置決め部２８にプローブユニット３５ｂの角部３７を当接させることにより、四つのプローブユニット３５ａ、３５ｂの全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。

＜第四の構成＞
図１５及び図１６は、１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。
図１５及び図１６に示すように、第四の構成では、ブロックを二つの小ブロック２０ａ、２０ｂで構成する。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂにはユニット位置決め部としての位置決めロッド１３が突出している。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂにそれぞれ接合されるプローブユニット３５ａには、基板２６に第一位置決め部２８が形成されている。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂから突出している位置決めロッド１３と、プローブユニット３５ａの第一位置決め部２８の切り欠き部位とを当接させることにより、小ブロック２０ａを間に挟んで対向する二つのプローブユニット３５ａ同士を整列させる。プローブユニット３５ａと小ブロック２０ａとはプローブユニット３５ａ同士が整列した状態で接着、ねじ等により結合される。同様に、小ブロック２０ｂの対向する二つの側面４３ａ、４３ｂから突出している位置決めロッド１３と、二つのプローブユニット３５ｂの第一位置決め部２８とを当接させ、プローブユニット３５ｂ同士を整列させる。プローブユニット３５ｂと小ブロック２０ｂとはプローブユニット３５ｂ同士が整列した状態で接着、ねじ等により結合される。小ブロック２０ａと小ブロック２０ｂとは接着、ねじ等により結合される。小ブロック２０ａ、２０ｂに予め位置決め部を形成しておき、その位置決め部同士を合わせることで、小ブロック２０ａ、２０ｂ同士を高精度に嵌合させることができる。

プローブユニット３５ａが固定された小ブロック２０ａと、プローブユニット３５ｂが固定された小ブロック２０ｂとを結合させることで、プローブブロック１２が構成される（図５参照）。

＜プローブユニット同士の整列条件＞
図１７及び図１８は、プローブユニット同士の整列条件を説明するための模式図である。
図１７（Ａ）は、四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄが位置ずれなく正確に整列した状態を示す。図１７（Ａ）に示すように、正確に整列した四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの導線２４の第一突出部３２は全て、１つの検体２の電極３に一対一に対応して接触する。

図１７（Ｂ）は、プローブユニット１８ａに対向するプローブユニット１８ｂが正確な位置から第一突出部３２の配列方向に第一突出部３２の間隔の１／２ずれて固定されている状態を示す。この場合、プローブユニット１８ａ、１８ｃ、１８ｄの導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に位置合わせすると、プローブユニット１８ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させることができない。プローブユニット１８ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させるようにプローブブロック１２を検体２に対して移動させると、プローブユニット１８ａの第一突出部３２が電極３に接触できなくなる。このように対向するプローブユニット１８ａとプローブユニット１８ｂとが正確に位置合わせされていない場合、四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの全ての第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に対応させることができない。

図１８は、対向する二つのプローブユニット１８ａ、１８ｂが正確に位置合わせされ、対向する二つのプローブユニット１８ｃ、１８ｄも正確に位置合わせされ、隣り合う二つのプローブユニット１８ａとプローブユニット１８ｄが正確に位置合わせされていない状態を示している。プローブユニット１８ｃ、１８ｄの第一突出部３２を検体２の電極３に正確に合わせた状態から、プローブブロック１２をプローブユニット１８ａ、１８ｂの第一突出部３２の配列方向に移動させると、プローブユニット１８ａ、１８ｂの第一突出部３２を電極３に合わせることができる。このとき、プローブユニット１８ｃ、１８ｄの第一突出部３２は、検体２の電極３との接触部位がずれるだけであって、電極３と接触した状態は維持される。
以上から、対向するプローブユニット同士は検体２の電極３に対して高い位置精度で整列している必要があるが、隣接するプローブユニット同士では対向するプローブユニット同士ほど高い位置精度で整列する必要はないと言える。

２−３．プローブユニットの製造方法
図１９から図２７は、プローブユニット１８を製造する方法を示す図である。以下、プローブユニット１８の製造方法を（１）から（７）の順に説明する。
（１）犠牲膜形成工程
はじめに図１９に示すように、基板２６に溝状の凹部３６を形成し、凹部３６が犠牲膜３８で充填されるように基板２６上に犠牲膜３８を成長させた後、表面の研磨、研削、ポリッシュ等により平坦面４０を形成する。凹部３６の壁面が基板２６の完成状態の２つの端面を形成するように凹部３６の位置及び形状を設定する。基板２６にはガラス基板、セラミック基板、シリコン基板、樹脂基板、金属基板などを用いる。金属基板を用いる場合には、予めその表面を有機絶縁層または無機絶縁層で被覆してから用いる。基板２６の厚みは例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下にする。

凹部３６の形成は、切削または溝入れによって行う。基板２６本体が導電性である場合には放電加工を用いてもよい。またサンドブラスト、ケミカルエッチング、ドライエッチング、イオンミリングなどを用いてもよい。
犠牲膜３８には後続工程で選択的に除去可能な素材を用いる。例えばＣｕやＳｎなどのようにエッチングで選択的に除去可能な金属を用いる。Ｃｕを用いた場合、無電解めっきまたはスパッタにより第一層形成段階と、電解めっきによる第二層形成段階とによって犠牲膜３８を形成する。また、レジスト剥離液で除去可能なハードベークされたレジスト、不飽和ポリエステルなどのように加水分解で除去可能な有機ポリマーを用いてもよい。あるいはＲＩＥで除去可能なＳｉＯ₂のＣＶＤ膜を用いてもよい。

（２）導線形成工程
次に図２０に示すように、導線２４の第一突出部３２及び第二突出部３４の下層を構成する第一膜２４ａを犠牲膜３８上に至るように平坦面４０上に形成する。第一膜２４ａは、導線２４の基板２６に近い部位に大きな引っ張り応力を内部に残存させるために形成する。第一膜２４ａの厚みは例えば１μｍ以上１０μｍ以下にする。第一膜２４ａには感光性ポリイミド、フォトレジストなどの有機膜を用いる。またはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体膜、あるいはその合金膜を用いる。尚、第一膜２４ａは、導線２４の下層全体を構成するように形成してもよい。

第一膜２４ａに感光性ポリイミド、フォトレジストなどの有機膜を用いる場合、平坦面４０上に感光性ポリイミド、フォトレジストなどを塗布した後、露光及び現像によって有機材料を所定のパターンに形成し、ハードベークにより硬化させる。有機材料をハードベークすると、硬化と同時に収縮するため、有機膜内に引っ張り応力が残留する。
第一膜２４ａに金属膜を用いる場合、スパッタまたはめっきによって金属膜を形成する。第一膜２４ａをスパッタで形成する場合、まず平坦面４０の表面全体にスパッタで金属膜を形成する。このとき、スパッタガス圧を大きくする、スパッタ温度を高くするなど、金属膜内に引っ張り応力が残留するようにスパッタの条件を設定する。その後、リソグラフィによって金属膜上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な金属膜をエッチングで除去し、金属膜を所定のパターンに形成する。また第一膜２４ａを湿式めっきで形成する場合、例えば厚さ０．０５μｍのＴｉ及び厚さ０．１μｍのＮｉの複層からなるめっき下地層をまず平坦面４０上にスパッタで形成する。次にリソグラフィでめっき下地層上に所定のレジストパターンを形成した後、レジストパターンの開口部にＮｉなどの金属を電解めっきでめっきする。このとき、めっき浴の温度を高くする、サッカリンなどの添加剤を減らすなど、めっき層内に引っ張り応力が残留するようにめっき条件を設定する。

次に図２１に示すように、導線２４の中間層全体を構成する第二膜２４ｂを第一膜２４ａ上及び平坦面４０上に形成する。第二膜２４ｂは、第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留した状態か、あるいは残留応力のない状態に形成する。第二膜２４ｂの厚みは、例えば０．５μｍ以上３０μｍ以下にする。また第二膜２４ｂにはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体膜、またはそれらの合金膜を用いる。

第二膜２４ｂをスパッタで形成する場合、まず第一膜２４ａを覆うように平坦面４０上全体にスパッタで第二膜２４ｂを形成する。このとき、第二膜２４ｂに第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留するように、あるいは第二膜２４ｂに残留応力が無い状態になるようにスパッタの条件を設定する。具体的にはスパッタガス圧を小さくしたり、スパッタ温度を低くしたりする。その後、リソグラフィによって第二膜２４ｂ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第二膜２４ｂをエッチングで除去し、第二膜２４ｂを所定のパターンに形成する。尚、第一膜２４ａ及び第二膜２４ｂをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一膜２４ａ及び第二膜２４ｂを連続的にパターニングしてもよい。

第二膜２４ｂを湿式めっきで形成する場合、まず第一膜２４ａを覆うように平坦面４０上にめっき下地層をスパッタで形成する。次にリソグラフィでめっき下地層上に所定のレジストパターンを形成した後、レジストパターンの開口部にＮｉなどの金属を電解めっきする。このとき、めっき層に第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留するように、あるいはめっき層に残留応力が無い状態になるようにめっき条件を設定する。具体的にはめっき浴の温度を低くしたり、サッカリンなどの添加剤を増やしたりする。尚、第一膜２４ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一膜２４ａのめっき層を形成した後、連続して第二膜２４ｂをめっきしてもよい。

次に図２２に示すように、導線２４の上層を構成する第三膜２４ｃを第二膜２４ｂ上に形成する。第三膜２４ｃは、導線２４の第一突出部３２と検体２の電極３との接触性や導線２４の耐久性を向上させるために形成され、必ずしも形成しなくともよい。第三膜２４ｃにはＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族を用いる。第三膜２４ｃの厚みは例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下にする。

第三膜２４ｃをスパッタで形成する場合、まず第二膜２４ｂを覆うように平坦面４０上に第三膜２４ｃをスパッタで形成する。その後、リソグラフィによって第三膜２４ｃ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第三膜２４ｃをイオンミリングなどで除去し、第三膜２４ｃを所定のパターンに形成する。尚、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃを連続的にパターニングしてもよい。

第三膜２４ｃを湿式めっきで形成する場合、第二膜のめっき工程においてレジストパターンの開口部に第二膜２４ｂのめっき層を形成した後、連続して第三膜２４ｃをめっきする。尚、第一膜２４ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一膜２４ａのめっき層を形成した後、連続して第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃをめっきしてもよい。

（３）保護膜形成工程
次に図２３に示すように、基板２６の完成形領域の真上に絶縁性の保護膜３０を形成する。その結果、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの中間部と第一膜２４ａの一部は基板２６及び保護膜３０によって覆われる。第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位は、第一突出部３２及び第二突出部３４となるため、保護膜３０を形成しないようにする。保護膜３０は、導線２４が外力によって傷つけられ剥離したりごみなどの付着によってショートしたりするのを防止し、導線２４を保護するために形成される。尚、保護膜３０は必ずしも形成しなくてもよい。

保護膜３０に有機絶縁膜を用いる場合、例えば感光性ポリイミド、レジストなどを塗布し、所定のパターンに露光及び現像した後、１５０℃以上３００℃以下程度でハードベークする。保護膜３０に無機絶縁膜を用いる場合、例えばＳｉＯ₂膜、ＡｌＯ₃膜などをスパッタなどで形成する。具体的には、リソグラフィによって、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位を覆うレジストパターンを形成してからスパッタを行う。

（４）基板研磨工程
次に図２４に示すように、基板２６の導線２４と反対側の面を犠牲膜３８が露出するまで研磨し、基板２６及び犠牲膜３８からなる研磨面４２を形成する。

（５）第一位置決め部（第四位置決め部）形成工程
次に図２５に示すように、基板２６の研磨面４２側に第一位置決め部２８又は第四位置決め部３１を形成する。第一突出部３２及び第二突出部３４が内向きになるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８の場合、本工程で第一位置決め部２８を形成する。第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きになるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８の場合、本工程で第四位置決め部３１を形成する（図５参照）。以下、研磨面４２に第一位置決め部２８を形成する場合を例に採り、説明する。

具体的にはまず、両面アライナーを用い第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃのパターンを用いて位置合わせした状態で、リソグラフィによって研磨面４２上に所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをハードベークによって硬化させたものを、第一位置決め部２８とする。または、レジストパターンの開口部にＮｉなどをめっきし、そのめっき膜を第一位置決め部２８としてもよい。または、レジストパターンをマスクとして基板２６の研磨面４２側をイオンミリングなどで除去することにより、基板２６の研磨面４２側に所定のパターンを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８を形成してもよい。または、レジストパターンを位置決め基準に用いた切削加工により、基板２６の研磨面４２側に穴、切り欠き、凹みなどを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８を形成してもよい。このようにリソグラフィを用いて第一位置決め部２８を形成することにより、１つの検体に対応する複数のプローブユニットの個々の位置をより高精度に決めることができる。

（６）第四位置決め部（第一位置決め部）形成工程
次に図２６に示すように、保護膜３０上に第四位置決め部３１を形成する。プローブユニット１８の第四位置決め部３１は、請求項に記載の第四位置決め部又は第二位置決め部に相当する。第四位置決め部３１の具体的な形成方法は、上述の（５）の第一位置決め部２８の形成工程に準じる。上述の（５）の工程で第四位置決め部３１を形成した場合は、本工程で第一位置決め部２８を形成する。このようにリソグラフィを用いて第四位置決め部３１を形成することにより、複数のプローブブロック同士の相対的な位置を正確に設定できるため、１つの検体の複数の電極に対し複数のプローブユニットを高精度に整列させることができる。

（７）犠牲膜除去工程
次に図２７に示すように、犠牲膜３８をエッチングで除去する。犠牲膜３８を除去すると、基板２６の両端の不要な部位がプローブユニット１８から分離する。また、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位は、犠牲膜３８の支持がなくなって片持ち梁状態となる。さらに、第一膜２４ａの引張り応力の作用、又は第二膜２４ｂの圧縮応力の作用によって、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの基板２６から突出した部位は基板２６の裏面側に回り込む方向に湾曲する。その結果、第一突出部３２及び第二突出部３４が形成される。
以上、プローブユニット１８の製造方法を説明した。

上述の方法で製造されたプローブユニット１８は、図２８（Ａ）に示すように、第一膜２４ａの引張り応力の作用、又は第二膜２４ｂの圧縮応力の作用によって基板２６の裏面側に回り込む方向に湾曲する第一突出部３２を有する。この第一突出部３２の凸面を検体２の電極３に押し付けても、導線２４が基板２６から剥がれようとする方向に荷重が加えられない。これに対し図２８（Ｂ）に示すように、導線２４を構成する第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの形成順序を逆にすると、犠牲膜３８を除去することで導線２４の両端部は基板２６から離れる方向に湾曲する。基板２６から離れる方向に湾曲した第一突出部３２の凸面を検体２の電極３に押し付けると、導線２４が基板２６から剥がれようとする方向に荷重が加えられ、導線２４が基板２６から剥がれ易くなる。

尚、第一突出部３２及び第二突出部３４は、直線状に形成した後に、ベンダーなどを用いて機械的に湾曲させてもよい。また、導線２４を形成するためのレジストパターンを形成した後に基板２６を湾曲させてから、導線２４を構成する導体膜を基板２６上にめっきしてもよい。

２−４．拡散配線部の構成
図２９は、拡散配線部１４を示す図である。
図２９に示すように、拡散配線部１４は、基板４４と、基板４４の第一面４４ａに設けられた複数の第二電極４６と、基板４４の第二面４４ｂに設けられた複数の第三電極４８とを備える。基板４４にはＦＲＰ、セラミック、シリコンなどが用いられる。第三電極４８は、基板４４に形成された互いに平行な直線状の連絡線５０によって第二電極４６に導通している。第二電極４６は、プローブユニット１８の第二突出部３４に一対一に対応して接触するように配列されている。第三電極４８は、配線盤１１の電極又はインターポーザの電極の配列間隔に応じて、第二電極４６の配列方向に直交する方向では第二電極４６よりも広い間隔で配列されている。このため、プローブユニット１８の第二突出部３４の配列間隔が狭くても、プローブユニット１８と配線盤１１とを容易に接続することができる。第二電極４６及び第三電極４８は、接触抵抗を低下させるためにＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族で形成することが望ましい。また配線抵抗を低下させるために、連絡線５０はＣｕ、Ａｌなどで形成することが望ましい。尚、連絡線５０は曲線状であってもよいし、互いに平行でなくてもよい。

基板４４には、ブロック２０と拡散配線部１４とを接続位置決め板１６にねじで結合するためのねじ孔４５と、接続位置決め板１６に拡散配線部１４を位置決めするための第五位置決め部４９が形成されている。ねじ孔４５はねじに対して緩い寸法で形成されている。第五位置決め部４９は、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを用いたエッチングやめっき、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを位置合わせの基準に用いた穿孔加工等によって高精度に形成される。このようにリソグラフィを用いて第五位置決め部４９を拡散配線部１４に形成することにより、拡散配線部１４とプローブユニット１８とを高精度に位置合わせすることができる。

図４に示すように、拡散配線部１４とプローブロック１２とは、拡散配線部１４の第二電極４６とプローブユニット１８の導線２４の第二突出部３４とが一対一に対応するように位置合わせされて接続位置決め板１６に結合される。またブロック２０を貫通しているねじ穴と、拡散配線部１４のねじ穴４５とに挿入されるねじ５４によって、ブロック２０と拡散配線部１４とは接続位置決め板１６に分解可能に結合される。ねじ５４は、請求項１６に記載の結合手段に相当する。拡散配線部１４の第二電極４６と導線２４の第二突出部３４とは、互いに押し付けられると、第二突出部３４が第二電極４６に接触することで、確実に導通できる。また、プローブユニット１８の第二突出部３４と拡散配線部１４の第一電極とが分離可能な弾性接触によって接続されるため、プローブブロック１２又はプローブユニット１８単位での部品交換が可能である。

接続位置決め板１６は、複数組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４を複数の検体２に一対一に対応するように正確に位置決めすることができるため、ウェハ上に配列されている複数の検体２を同時に正確に検査することが可能になる。また、プローブブロック１２の導線２４の配列方向の長さｌ₁（図４参照）を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにし、拡散配線部１４の連絡線５０に直交する辺の長さｌ₂を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにすることにより、極めて狭い間隔でウェハに複数の検体が配列されている場合であっても、検体と一対一に対応するようにプローブブロック１２を配列することができる。

２−５．接続位置決め板の構成
図３０に示すように、接続位置決め板１６は、複数のプローブブロック１２を位置決めするための複数の位置決め部５６と、複数の拡散配線部１４を位置決めするための複数の位置決め部５８とを有する。位置決め部５６は請求項に記載の第六位置決め部又は第三位置決め部に相当する。位置決め部５８は請求項に記載の第七位置決め部に相当する。位置決め部５６及び位置決め部５８は、複数のプローブブロック１２をウェハ上の複数の検体２に対して位置決めし、プローブユニット１８に対して拡散配線板１４を位置決めするために、リソグラフィによって高い位置精度で形成されている。

図３及び図３０に示すように、接続位置決め板１６の複数の位置決め部５６と複数のプローブブロック１２の第四位置決め部３１とが当接した状態で、接続位置決め板１６と複数のプローブブロック１２とは固定される。これによって、複数のプローブブロック１２をウェハ上の複数の検体２に対して正確に整列させることができる。複数の位置決め部５８と複数の拡散配線部１４の位置決め部４９とに位置決めピン１０５（図３参照）が当接した状態で、接続位置決め板１６と拡散配線部１４とが固定される。これによって、プローブユニット１８と拡散配線部１４とが正確に位置決めされる。また、位置決めピン１０５を用いずに、拡散配線部１４の位置決め部を柱状に形成してもよい。

尚、複数組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４を複数の検体２に対してさらに高精度に整列させるために、接続位置決め板１６と検体２が形成されるウェハとの熱膨張係数が近似していることが望ましい。例えばウェハがＳｉであれば、接続位置決め板１６にＳｉや石英を用いることが望ましい。

以下、接続位置決め板１６にＳｉを用いた場合を例に採り、位置決め部５６、５８の形成方法を説明する。はじめにＳｉ基板上にリソグラフィを用いて所定のレジストパターンを形成する。次にＤｅｅｐＲＩＥでＳｉ基板に凹みを形成する。次にＳｉ基板の凹みと反対側からＳｉ基板を研磨して薄くし、凹みをＳｉ基板を貫通するような孔に加工することにより、位置決め部５６、５８を形成する。リソグラフィを用いることにより、位置決め部５６、５８を高い位置精度及び寸法精度で形成することができる。この他の方法としては、機械加工によって位置決め部５６、５８を形成してもよい。尚、位置決め部５６、５８の形状は、図示したような溝状でもよいし、孔でもよいし、凸形状であってもよい。
尚、接続位置決め板１６には補強部１７を取り付けてもよいし取り付けなくてもよい。例えば図３及び図３０に示したように、二つの接続位置決め板１６を補強部１７で連結して用いてもよい。

３．配線盤の構成
図３１は、配線盤を示す図である。
図３１に示すように、配線盤１１は、円形の基板５９と、基板５９の中心付近に設けられた複数の電極６０と、基板５９の外縁部に設けられた複数の外部接続電極６２と、電極６０から放射状に配線盤１１内部を通って延びている配線（図示せず）とを有する。配線は、電極６０と外部接続電極６２とを導通させている。電極６０は請求項に記載の第六電極に相当する。

図３２に示すように、まず配線盤１１の所定の位置に接続位置決め板１６が固定される。次に複数の拡散配線部１４の位置決め部４９と接続位置決め板１６の複数の位置決め部５８とを位置合わせピン１０５によって位置合わせして拡散配線部１４を整列させ、拡散配線部１４を接続位置決め板１６に固定する。次に接続位置決め板１６をねじ１０６で配線盤１１に固定する。拡散配線部１４の第三電極４８と配線盤１１の電極６０とははんだ接合、ＡＣＦ接合、超音波接合などによって接合する。

さらに図１及び図３に示すように、配線盤１１に固定された接続位置決め板１６にプローブブロック１２を固定する。プローブブロック１２毎にプローブユニット１８の１つに設けられた第四位置決め部３１を接続位置決め板１６の位置決め部５６に当接させた状態でプローブロック２０を接続位置決め板１６に固定する。すると全てのプローブユニット１８が１つのウェハに形成された複数の検体に対して整列する。具体的には、プローブブロック１２毎にプローブユニット１８の１つに設けられた第四位置決め部３１と接続位置決め板１６の位置決め部５６とによってプローブブロック１２毎に１つのプローブユニット１８の位置が決まる。そのプローブユニット１８と同一のブロック２０に固定された他の３つのプローブユニット１８とは、各プローブユニット１８に設けられた第一位置決め部２８によって相互に位置決めされている。これらの各位置決め部をリソグラフィによって形成することにより、リソグラフィの高い精度でプローブユニット１８と検体とを位置合わせすることができる。また接続位置決め板１６に対してプローブユニット１８及び拡散配線部１４がそれぞれ位置決めされると、プローブユニット１８の第二突出部３４は、拡散配線部１４の第二電極４６に一対一に対応して位置決めされる。

（第二実施例）
本発明の第二実施例は、プローブブロックの構成について第一実施例と異なる。以下プローブブロックについて詳しく説明する。
１．プローブブロックの構成
図３３（Ａ）は、本発明の第二実施例によるプローブブロックを示す図である。図３３（Ｂ）は本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す図である。
図３３（Ａ）に示すように、第二実施例によるプローブブロック４７は、矩形柱のブロック２０の四つの側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにそれぞれプローブユニット１９が固定されている構成である。

図３３（Ｂ）に示すように、プローブユニット１９は、三分割された基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃと、基板２６ａ、基板２６ｂ、２６ｃ上に形成されている複数の導線２４と、基板２６ａと基板２６ｂ、２６ｃとの間に形成されている保護膜３０とを有する。保護膜３０は絶縁材料で構成される。基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃは、請求項に記載の連結部に相当する。基板２６ｂ、２６ｃは同一平面上に並び、基板２６ａと平行に保護膜３０を間に挟んで対向している。導線２４は、基板２６ａと基板２６ｂと基板２６ｃにまたがって固定され、基板２６ａと基板２６ｂの間と、基板２６ａと基板２６ｃの間とがそれぞれＵ字形状に湾曲している。導線２４のＵ字形状に湾曲した突出部３２、３４は、両端が基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに固定されているため、外力によって損傷することを防止できる。第一突出部３２は請求項に記載の接触部に相当する。第二突出部３４は請求項に記載の第一電極に相当する。

プローブユニット１９は、図３４に示すように、基板２６ａ上に形成される第一位置決め部２８と、基板２６ｂ及び基板２６ｃ上に形成される第四位置決め部３１とをさらに有する。ユニット位置決め部と第一位置決め部２８を用いて一つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための構成については、後述する。
次に、プローブユニット１９の変形例について説明する。図３５は、プローブユニット１９の複数の変形例を示す図である。

図３５（Ａ）に示すように、基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃの外側の面上に導線２４を固定し、導線２４の基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃと反対側を保護膜３０で覆ってもよい。基板２６ａと基板２６ｂ、２６ｃとは接着剤６４などで結合される。
また図３５（Ｂ）に示すように、導線２４を基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃ上に固定されるＮｉ層２５ａと、Ｎｉ層２５ａ上に形成されるＡｕ層２５ｂとの複層で構成してもよい。

また図３５（Ｃ）に示すように、配線板１１のグランド電極に接続される接地導体層６６を二層の保護膜３０の間に設けてもよい。グランドに接続される接地導体層６６を保護膜３０を間に挟んで導線２４に近接させることにより、導線２４を伝わる信号の高周波特性を向上させることができる。さらに図３５（Ｄ）に示すように、接地導体層６６を絶縁材料で構成された基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃの導線２４と反対側の面にも設けると、導線２４を伝わる信号の高周波特性をさらに向上させることができる。

図３６（Ａ）に示すように、基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃがウェハに垂直な状態で第一突出部３２を検体２の電極３の頂面角部に押し付けると、第一突出部３２は電極３の角部との接触荷重によって弾性変形し電極３に対して摺動する。
尚、導線２４の第一突出部３２は検体２の電極３の頂面に接触させてもよい。
また図３６（Ｂ）に示すように、導線２４の第二突出部３４は拡散配線部１４の第二電極４６に弾性接触する。拡散配線部１４の第二電極４６に導通している第三電極４８は、配線盤１１の電極６０に導通している。配線盤１１の電極６０は、検査信号を入力するための外部電極に接続されている。導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させた後、外部電極から配線盤１１の電極６０と、拡散配線部１４の第三電極４８及び第二電極４６と、導線２４とを介して電極３に検査信号を入力し検体２の検査を行う。

本実施例によると、導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させることにより、電極３の表面の酸化膜や汚染膜を除去することができるので、導線２４と電極３とを確実に導通させることができる。また導線２４の第一突出部３２（非鋭利部位）と検体２の電極３とを接触させるため、電極３を傷つけることがない。また、導線２４の第一突出部３２を摺動させることにより、第一突出部３２の突面３３に検体２の電極３の削りかすなどのごみが残留しにくいため、電極３と導線２４とを確実に導通でき、第一突出部３２のクリーニングが不要である。

２．一つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための構成
＜第一の構成＞
図３７は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す図である。
図３７に示すように、第一の構成では、導線２４自体が第一位置決め部に相当する。プローブユニット１９の外側には保護膜３０を形成せず、プローブユニット１９の外側に導線２４が露出している構成である。導線２４が基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃ上にリソグラフィで形成されることにより、ブロック２０に対する位置決め部がプローブユニット１９に高い精度で形成される。

またブロック２０の側面２２には少なくとも一部の導線２４に嵌合する突部５３をリソグラフィを用いてブロック２０と一体に形成する。本構成では、突部５３が請求項に記載のユニット位置決め部に相当する。ブロック２０の四つの側面２２にそれぞれ形成された突部５３とプローブユニット１９の導線２４とを嵌合させると、四つのプローブユニット１９の複数の第一突出部３２が一つの検体２の全ての電極３に対して整列する。突部５３と導線２４とが嵌合した状態でブロック２０にプローブユニット１９が固定される。

＜第二の構成＞
図３８は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す図である。第二の構成は、上述の第一実施例の複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成と実質的に同じである（図１１参照）。
図３８に示すように、第二の構成では、二つの位置決め板１５の複数の突出部２７をそれぞれ第一突出部３２間又は第二突出部３４間に嵌合させることで四つのプローブユニット１９同士を整列させる。二枚の位置決め板１５はブロックの第一面と、第一面と反対側の第二面とに固定される。

＜第三の構成＞
図３９は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す図である。第三の構成は、上述の第一実施例の複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成と実質的に同じである（図７から図１０参照）。
図３９に示すように、第三の構成では、プローブユニット１９のブロック２０に固定される側に第一位置決め部２８が形成されている。ブロック２０の側面から突出している位置決めロッド１３をプローブユニット１９の位置決め部２８に当接させると、四つのプローブユニット１９の複数の第一突出部３２が一つの検体２の全ての電極３に対して整列する。

＜第四の構成＞
図４０は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す図である。
図４０に示すように、第四の構成では、検体２の対向する二辺に沿って配列された電極に接触する第一接触部３２が設けられた第一プローブユニット４７ａと、検体の対向する他の二辺に沿って配列された電極に接触する第一接触部３２が設けられた第二プローブユニット４７ｂとでプローブブロック４７を構成する。

第一プローブユニット４７ａの基板６８は、２つの凹部６３ａを有する断面Ｈ字形の柱状に形成されている。基板６８の対向する２面にリソグラフィを用いて導線２４が固定されている。導線２４が固定される基板６８の各面は、ウェハに対して垂直になり、請求項に記載の導線固定面に相当する。基板６８に固定された導線２４と基板７０、７０に固定された導線２４との間には絶縁材料で構成された保護層３０ａ、３０ｂ、３０ｃが設けられている。

基板１１９は基板６８に嵌合する凹部６３ｂを有する断面Ｕ字形の柱状に形成されている。基板１１９の対向する２面にリソグラフィを用いて導線２４が固定されている。導線２４が固定される基板１１９の各面は、ウェハに対して垂直なり、請求項に記載の導線固定面に相当する。基板１１９に固定された導線２４と基板１２０に固定された導線２４との間には絶縁材料で構成された保護層３０ａ、３０ｂ、３０ｃが設けられている。

基板１１９の凹部６３ｂに基板６８を嵌合させることで、第一基板６８と第二基板１１９とを位置合わせする。第一基板６８と第二基板１１９とを相対的に位置合わせすると、各基板に固定された全ての第一突出部３２を一つの検体２の全ての電極３に対して整列させることができる。

第一実施例で説明したように、検体の対向する二辺に沿って設けられた電極に接触する第一突出部３２は基板を間に挟んで高い精度で整列している必要があるが、検体の隣接する二辺に沿って設けられた電極に接触する第一突出部３２はそれほど高い位置精度を必要としない（図１７及び図１８参照）。本構成によれば、基板６８又は基板１１９自身が検体の異なる辺に沿って設けられた電極に接触する導線２４を固定する連結部であり、検体の異なる辺に沿って設けられた電極に接触する導線２４が一つの基板上にリソグラフィによって形成されるため、検体の電極に対して高い精度で第一突出部３２を整列させることができる。また、同様の理由により、拡散配線部１４に対して第二突出部３４を高い精度で整列させることができる。

３．第一のプローブユニットの製造方法
図４１から図４８は、プローブユニット１９の製造方法を示す図である。以下、プローブユニット１９の製造方法を（１）から（７）の順に説明する。
（１）犠牲膜形成工程
はじめに、図１９に示す工程に準じて基板２６上に犠牲膜３８を形成し、基板２６及び犠牲膜３８で構成される平坦面４０を形成する。

（２）導線形成工程
次に図４１に示すように、導線２４を構成する第一導体膜６５ａを平坦面４０上に犠牲膜３８を横断するように形成する。尚、第一導体膜６５ａは単層であっても複層であってもよい。第一導体膜６５ａの厚みは例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下にする。
第一導体膜６５ａをスパッタで形成する場合、第一導体膜６５ａにはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体、またはその合金を用いる。具体的には、はじめに平坦面４０上全体にスパッタで第一導体膜６５ａを形成する。その後、リソグラフィで所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして不要な第一導体膜６５ａをエッチングで除去することにより、第一導体膜６５ａを所定のパターンに形成する。

第一導体膜６５ａを湿式めっきで形成する場合、はじめにスパッタなどでめっき下地層を平坦面４０上に形成する。その後、リソグラフィで所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンの開口部に金属を電解めっき又は無電解めっきでめっきする。めっき層にはＮｉ、ＮｉＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＭｎ合金、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈなどの金属を用いる。またはそれらの金属を組み合わせて用いる。めっき厚は例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下にする。

次に図４２に示すように、導線２４を構成する第二導体膜６５ｂを第一導体膜６５ａ上に形成する。第二導体膜６５ｂは、導線２４の検体２の電極３とのコンタクト性や導線２４の耐久性を向上させるために形成され、必ずしも形成しなくともよい。また第二導体膜６５ｂにはＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族を用いる。第二導体膜６５ｂの厚みは例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下にする。

第二導体膜６５ｂをスパッタで形成する場合、まず第二導体膜６５ｂを覆うように平坦面４０上に第二導体膜６５ｂをスパッタで形成する。その後、リソグラフィによって第二導体膜６５ｂ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第二導体膜６５ｂをイオンミリングなどで除去し、第二導体膜６５ｂを所定のパターンに形成する。尚、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂを連続的にパターニングしてもよい。
第二導体膜６５ｂを湿式めっきで形成する場合、第一導体膜６５ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一導体膜６５ａのめっき層を形成した後、連続して第二導体膜６５ｂをめっきする。

（３）保護膜形成工程
次に図４３に示すように、基板２６上の犠牲膜３８を除いた部位に保護膜３０を形成する。具体的には図２３に示す工程に準じる。この結果、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂは基板２６及び保護膜３０によって覆われる。

（４）基板研磨工程
次に図４４に示すように、基板２６の保護膜３０と反対側の面を、犠牲膜３８が露出するまで研磨し、基板２６及び犠牲膜３８で構成される研磨面４２を形成する。基板２６の保護膜３０と反対側の面を犠牲膜３８が露出するまで研磨することにより、基板２６は三つの基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに分割される。

（５）第一位置決め部及び第四位置決め部の形成工程
次に図４５に示すように、基板２６の研磨面４２上又は保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第四位置決め部３１を形成する。後続の（７）折り曲げ工程で保護膜３０が内側になるように折り曲げる場合は、研磨面４２上に第一位置決め部２８及び第四位置決め部３１を形成する。（７）折り曲げ工程で基板２６が内側になるように折り曲げる場合は、保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第四位置決め部３１を形成する。図４５では、研磨面４２上に第一位置決め部２８及び第四位置決め部３１を形成した場合を図示している。具体的な形成方法は、図２５に示す第一位置決め部の形成工程に準じる。

（６）犠牲膜除去工程
次に図４６に示すように、犠牲膜３８をエッチングで除去する。犠牲膜３８を除去すると、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂの犠牲膜３８上に形成された部位は、犠牲膜３８の支持がなくなり、浮遊部位６７となる。また、犠牲膜３８によって結合されていた基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃが分離する。

（７）折り曲げ工程
次に図４７に示すように、浮遊部位６７を折り曲げ、基板２６ａ上の保護膜３０ａに基板２６ｂ上の保護膜３０ｂと基板２６ｃ上の保護膜３０ｃとを接着する。保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第四位置決め部３１を形成した場合は、図４８に示すように基板２６ａに基板２６ｂと２６ｃとを接着する。

４．第二のプローブユニットの製造方法
図４９から図５４は、第一プローブユニット４７ａ及び第二プローブユニット４７ｂの製造方法を示す図である。第一プローブユニット４７ａの製造方法と第二プローブユニット４７ｂの製造方法とは実質的に同様であり、ここでは第一プローブユニット４７ａの場合を例に採り説明する。

はじめに図４９に示すように、２つの犠牲膜３８で連結された基板６８、７０、７０を準備する。この構造は、例えば１枚の基板に凹部を形成し、その凹部に犠牲膜を充填し、その後、基板を薄く削ることによって得られる。基板６８、７０、７０及び犠牲膜３８で構成される矩形柱のワークの第一面６９ａ上に検体の一辺に沿って配列される電極に接触する導線２４を形成する。次に、第一面６９ａ上に導線２４を保護する保護膜３０を形成する。本工程は、図４１から図４４に示す工程に準じて行う。

次に図５０に示すように、ワークの第一面６９ａに対向する第二面６９ｂ上に検体の一辺に沿って配列される電極に接触する導線２４を形成し、必要に応じて第二面６９上に保護膜３０を形成する。具体的には図４１から図４３に示す工程に準じる。
このようにワークの第一面６９ａと第二面６９ｂとには検体の対向する二辺に沿って配列される電極に接触する導線２４が形成される。このため、ワークの第一面６９ａから第二面６９ｂまでの距離は検体の対向する二辺の間隔に応じて設定しなければならず、基板６８、７０、７０は十分に厚いものである必要がある。

次に図５１に示すように、導線２４との接合部近傍が残るように基板７０、７０の中央部をそれぞれ除去する。この結果、基板７０、７０は、それぞれ二分割される。
次に図５２に示すように、犠牲膜３８を除去する。犠牲膜３８を除去すると、導線２４の犠牲膜３８上に形成されていた部位６７は浮遊状態になる。

次に図５３に示すように、導線２４の両端に固定された保護膜３０ｂ、３０ｃを導線２４の中間部位に固定された保護膜３０ａに接合するため、導線２４の浮遊部位６７を折り曲げる。保護膜３０ａに保護膜３０ｂと保護膜３０ｃとを接着すると、基板６８、７０、７０から突出しＣ字形状に湾曲した第一接触部３２及び第二接触部３４が形成される。
次に図５４に示すように、基板６８に２つの凹部６３ａを形成すると第一プローブユニット４７ａが完成する。本工程で２つの凹部６３ａを形成する代わりに、図４０に示す凹部６３ｂを形成することにより、第二プローブユニット４７ｂが形成される。

（第一参考例）
１．プローブカード及びプローブアッセンブリと検体
図５５（Ａ）は、本発明の第一参考例によるプローブカードを示す図である。図５５（Ｂ）は、本発明の第一参考例によるプローブアッセンブリを示す図である。図５６は、本発明の第一参考例によるプローブアッセンブリの一部を示す拡大図である。
図５５（Ａ）に示すように、第一参考例によるプローブカード４は、円形の配線盤１１上に矩形板状のインターポーザ５が取り付けられ、インターポーザ５上にプローブアッセンブリ７１が固定されている構成である。

図５５（Ａ）、図５５（Ｂ）及び図５６に示すように、プローブアッセンブリ７１は、複数のプローブブロック７３と、プローブブロック７３に一対一に対応して設けられている複数の拡散配線部７４とがアッセンブラ７２に固定されている構成である。
一組のプローブブロック７３及び拡散配線部７４は一つ又は複数の検体に対応する。検体は、例えば図５７に示すように、電極７が不均一な間隔で二列に配置されているＤＲＡＭなどである。この二列に配列された電極７に対応するために、一つのプローブブロック７３には二つのプローブユニット７５が設けられている。またアッセンブラ７２に固定された複数組のプローブブロック７３及び拡散配線部７４は、１つのウェハ上に形成された複数の検体６に対応して整列している。従って、プローブカード４によれば、ウェハ上の複数の検体６を同時に検査することができる。

２．プローブユニットの構成
図５８及び図５９は、プローブユニット７５を示す図である。
図５８に示すように、プローブユニット７５は、複数の導線７６が連結部８２で連結され、リソグラフィにより一体に構成されている。

一つの導線７６は、検体６の電極７に接触する第一接触部７７と、拡散配線部７４の電極に接触する第二接触部７９とを両端に有する。第一接触部７７はプローブユニット７５の外縁から突出する方向に第一ばね部７８によって押される。第一ばね部７８は蛇腹形状である。第一接触部７７の移動方向は、第一ガイド部８８によって案内される。第一ガイド部８８は第一接触部７７の両側に設けられる。第一接触部７７は検体６が形成されたウェハに対して垂直な方向に移動する。第一接触部７７及び第一ばね部７８は、第一ガイド部８８及び基部８１より薄く形成されている。第一ガイド部８８は第一接触部７７及び第一ばね部７８との間に空隙を形成した状態で基部８１に連なっている。第二接触部７９はプローブユニット７５の外縁から第一接触部７７と反対側に突出する方向に第二ばね部８０によって押される。第二ばね部８０は蛇腹形状である。第二接触部７９の移動方向は、第二ガイド部８３によって案内される。第二ガイド部８３は第二接触部７９の両側に設けられる。第二接触部７９は拡散配線部７４に対して垂直に移動する。第二ガイド部８３は第二接触部７９及び第二ばね部８０との間に空隙を形成した状態で基部８１に連なっている。第二接触部７９及び第二ばね部８０は第二ガイド部８３及び基部８１より薄く形成されている。第一接触部７７は第一ばね部７８に連なり、第一ばね部７８は基部８１に連なっている。第二接触部７９は第二ばね部８０に連なり、第二ばね部８０は基部８１に連なっている。基部８１は、隣り合う第二接触部７９同士の間隔が隣り合う第一接触部７７同士の間隔より拡がるように屈曲している。

連結部８２は、導線７６同士を絶縁した状態で連結している。連結部８２は、各導線７６の間に設けられ、基部８１、第一ガイド部８８及び第二ガイド部８３に結合されている。
プローブユニット７５の両側の縁部８５には第一位置決め部としての固定孔８６が形成されている。縁部８５の第二接触部７９側端部には第二位置決め部としての突部８７が形成されている。固定孔８６は、プローブユニット７５をブロック１０８に位置合わせして固定するのに用いられる。突部８７は、プローブブロック７３とそのプローブブロック７３に固定された拡散配線板７４とをアッセンブラ７２に位置合わせするのに用いられる。

第一ガイド部８８の第一接触部７７と対向する内壁には、図５９（Ａ）、（Ｂ）に示すように複数の小さな突部を形成してもよいし、図５９（Ｃ）に示すように第一接触部７７の移動方向に平行な平面を形成してもよい。第一ガイド部８８と第一接触部７７との間の距離は、第一接触部７７の移動を妨げないように０．１μｍ以上にすることが好ましい。また第一接触部７７と検体６の電極７とを正確に接触させるために、１００μｍ以下にすることが好ましい。

本実施例によれば、検体が形成されたウェハに対して垂直な方向に往復移動する複数の第一接触部７７がリソグラフィにより一体に形成されているため、狭小な間隔で配列された検体の複数の電極７に対して正確に複数の第一接触部７７を接触させることができる。また、複数の第一接触部７７がリソグラフィにより一体に形成されているため、検体の電極に接触する部品を他の部品に個別に取り付ける必要がある構成に比べ、製造が容易である。また、検体６に狭い間隔で複数の電極７が設けられていても、第二接触部７９の間隔を拡張するように屈曲した基部８１を設けているため、第二接触部７９と外部電極との接続が容易である（図５７参照）。さらに、第二接触部７９が第二ばね部８０によって押されることによって外部電極と第二接触部７９との接触が維持されるため、はんだ接合等によって第二接触部７９を外部電極に接合する必要がない。したがって、本実施例によるとプローブユニット単位での部品交換が可能である。

図６０は、プローブユニット７５の変形例を示す図である。
この変形例では、図６０に示すように、複数の導線７６が直線状に形成され互いに平行に配列されている。検体６に多くの電極７が狭い間隔で配列され、かつ検体同士の間隔が狭い場合には、プローブユニット内で複数の導線を屈曲させるスペースを確保できない場合があるため、例えば本変形例によるプローブユニット７５を用いる。第二接触部７９同士の間隔が狭くても、拡散配線部７４の電極と第二接触部７９とを正確に位置合わせできる構成であれば、拡散配線部７４によって配線間隔を拡張できる。拡散配線部７４でも配線間隔を広げられない場合であっても、直線状の配線の長手方向に電極を分散させて配置することにより、その電極と外部電極との接続が容易になる。

３．プローブユニットの製造方法
以下、プローブユニットの製造方法を、（１）第一接触部側の製造工程、（２）第二接触部側の製造工程、（３）縁部の製造工程、（４）プローブユニット同士の分離工程の順に説明する。
（１）第一接触部側の製造工程
図６１から図７６は、一つのプローブユニットの第一接触部近傍の製造工程を示す図である。

はじめに図６１に示すように、基板９０上に第一犠牲膜８９を形成する。基板９０には、製造工程中の熱、真空、薬品などの製造環境への耐性があり、平坦面を容易に得ることができ、傷つきにくく寸法安定性に優れた材料を用いる。例えばＳｉや、石英などのガラスや、アルミナなどのセラミックを用いる。第一犠牲膜８９にはエッチングなどで完成品に対して選択的な除去が容易なＣｕ、Ｓｎなどのスパッタ膜、蒸着膜、めっき膜などを用いる。尚、基板９０にＣｕ等の完成品に対して選択的な除去が容易な材料を用いる場合、第一犠牲膜８９の機能を基板９０自体で実現できるため、第一犠牲膜８９を形成しなくてもよい。

次に、図６２に示すように、第一接触部７７及び第一ばね部７８に対応する開口部９２を有するレジスト膜９１を第一犠牲膜８９上に形成する。具体的には第一犠牲膜８９上にレジストを塗布し、所定のマスクを用いてレジストを露光してから現像することにより、所定のパターンを有するレジスト膜９１を形成する。露光にはＵＶ光、電子線、Ｘ線などを用いる。

次に図６３に示すように、開口部９２に第二犠牲膜９３を成長させる。本工程は、第一接触部７７及び第一ばね部７８を第一ガイド部８８より薄く形成するために行うものである。第二犠牲膜９３には例えばＣｕ、Ｓｎなどのめっき膜を用いる。厚みは０．５μｍ以上２０μｍ以下が望ましい。

次に図６４に示すように、第一接触部７７及び第一ばね部７８を構成する第一導体膜９４を開口部９２内の第二犠牲膜９３上にめっきで形成する。第一導体膜９４にはＮｉ、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｒｈ、Ａｕ−Ｃｕ合金などを用いる。第一接触部７７が電極７表面の酸化膜を突き破って電極７と確実に導通できる剛性を有する程度の厚みになるように、めっき厚を調整する。例えば５μｍ以上１００μｍ以下にする。尚、第一接触部７７と第一ばね部７８とをそれぞれ別の導体膜で構成してもよいし、第一接触部７７の先端のみ別の導体膜で構成してもよい。その場合、複数回めっきを行うことにより、複数の導体膜を形成する。

次に図６５に示すように、レジスト膜９１を除去する。アルカリ溶液、有機溶剤などでレジストを溶解する方法、プラズマアッシングにより気相でレジストを除去する方法などを用いる。
次に図６６に示すように、第一導体膜９４とその近傍の第一犠牲膜８９とが露出する開口部９６を有するレジスト膜９５を第一犠牲膜８９上に形成する。具体的な形成方法は、図６２に示す工程に準じる。

次に図６７に示すように、開口部９６内の第一導体膜９４上と第一犠牲膜８９上とに第三犠牲膜９７をめっきで成長させる。第三犠牲膜９７にはＣｕ、Ｓｎなどを用いる。第三犠牲膜９７は、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間に間隙を形成するために形成される。従って第三犠牲膜９７の厚みは第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隔に相当し、０．１μｍ以上１００μｍ以下が望ましい。尚、スパッタ、蒸着などの湿式めっき以外のめっき法を用いてもよい。

次に図６８に示すように、レジスト膜９５を除去する。具体的な方法は図６５に示す工程に準じる。
次に図６９に示すように、第一ガイド部８８及び基部８１を形成する部位に開口部１０２を有するレジスト膜１０１を形成する。レジスト膜１０１は、レジスト膜９５よりも厚く形成される。具体的な形成方法は図６２に準じる。

次に図７０に示すように、第一ガイド部８８及び基部８１を構成する第二導体膜１０３を開口部１０２内にめっきで形成する。第二導体膜１０３にはＮｉ、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｒｈ、Ａｕ−Ｃｕ合金などを用いる。また第二導体膜１０３は、第三犠牲膜９７よりも基板９０から高くなるような厚みに形成する。
次に図７１に示すように、レジスト膜１０１を除去する。具体的には図６５に示す工程に準じる。尚、本実施例では図６９から図７１に示す工程で基部８１を第二導体膜１０３で第一ガイド部８８と同時に形成した。基部８１を第一導体膜９４で第一接触部７７及び第一ばね部７８と同時に形成してもよい。

次に図７２に示すように、基板９０上の連結部８２を形成しない部位を覆うようにレジスト膜１３０を形成する。具体的な方法は図６２に示す工程に準じる。
次に図７３に示すように、連結部８２を構成する絶縁膜１０４を基板９０上全体に形成する。絶縁膜１０４は連結部８２に対応する部分が少なくとも第三犠牲膜９７の上面より高くなる厚さに形成する。絶縁膜１０４には、アルミナ、ＳｉＯ₂などのセラミックのスパッタ膜を用いる。バイアスを基板９０に印加したバイアススパッタを用いて絶縁膜１０４を形成すると、本工程以前で基板９０上に凹凸が形成されていても、凹部を絶縁膜１０４で埋めることができ、平坦度に優れた絶縁膜１０４を得ることができる。尚、絶縁膜１０４には樹脂を用いてもよい。例えばレジストを塗布しハードベークによって硬化させたものを用いてもよい。

次に図７４に示すように、絶縁膜１０４の表面から研削、研磨、ポリッシュ、ＣＭＰなどを行うことにより、研磨面が第三犠牲膜９７に至るまで絶縁膜１０４を除去し、絶縁膜１０４、第二導体膜１０３、第三犠牲膜９７及びレジスト膜１３０の表面を平坦化する。
次に図７５に示すように、レジスト膜１３０を除去する。具体的な方法は図６５に示す工程に準じる。

次に図７６に示すように、残存している第一犠牲膜８９、第二犠牲膜９３及び第三犠牲膜９７を除去すると、基板９０からプローブユニット７５が分離する。第一犠牲膜８９、第二犠牲膜９３及び第三犠牲膜９７はエッチャントを用いて溶解させる。
以上、プローブユニット７５の第一接触部７７側の製造工程を説明した。

尚、図７７に示すように、第二導体膜１０３を第一導体膜９４より先に第一犠牲膜８９上に形成することにより、第一ガイド部８８を第一接触部７７及び第一ばね部７８より先に形成した後、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間の距離を決定するための第三犠牲膜９７を形成してもよい。
また図６６から図６８に示す第三犠牲膜９７の形成工程を省略し、図６５に示す工程後、図７８に示すように、第一ガイド部８８及び基部８１を構成する第二導体膜１０３をリソグラフィを用いて形成することにより、第一接触部７７及び第一ばね部７８と第一ガイド部８８及び基部８１とを連続的に形成してもよい。第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隙を形成するために、第一接触部７７の側壁を薄く覆うレジスト膜１０１をリソグラフィで形成する。しかしながら、レジストの露光時、露光に用いられる光が第一接触部７７の側壁で反射しその反射光によってもレジストが露光されるため、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隔が第一ガイド部８８の厚さに対して相当薄い場合、レジスト膜１０１のパターニング精度が低下する。

それに対し、第三犠牲膜９７を形成してから第一ガイド部８８を形成する上述の製造方法によると、第一接触部７７と第一ガイド部８８との間隙に相当する部位に薄いレジスト膜９５を用いて第三犠牲膜９７を形成した後、第三犠牲膜９７と厚いレジスト膜１０１とをマスクとして第一ガイド部８８を形成するため、露光時の反射光によるパターニング精度への影響を少なくすることができる。従って、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隔が第一ガイド部８８の厚さに対して相当薄い場合であっても、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隙を精度よく形成することができる。ゆえに、第一ガイド部８８と第一接触部７７との間隔が第一ガイド部８８の厚さに対して相当薄い場合、第三犠牲膜９７を形成してから第一ガイド部８８を形成することが望ましい。また上述の製造方法によると、第一接触部７７と第一犠牲膜８９との間に第二犠牲膜９３が形成され、第一接触部７７の第一犠牲膜８９と反対側に直に第三犠牲膜９７が形成された状態で第一ガイド部８８を第一犠牲膜８９上に直に形成するため、第一ガイド部８８を第一接触部７７より厚く形成することができる。

（２）第二接触部側の製造工程
第二接触部７９、第二ばね部８０及び第二ガイド部８３は、図６２から図７１に示す第一接触部７７、第一ばね部７８及び第一ガイド部８８の形成工程に準じて形成する。第一接触部７７、第一ばね部７８及び第一ガイド部８８と同時に形成してもよい。

（３）縁部の製造工程（固定孔及び突部の形成工程）
縁部８５は、第一接触部７７と同時にリソグラフィを用いて形成する。あるいは、第一接触部７７を形成するためのリソグラフィ工程で使用された位置決めパターンを基準としてリソグラフィで形成されるレジストパターンを用いためっきにより形成する。リソグラフィを用いることで、縁部８５の固定孔８６及び突部８７を第一接触部７７及び第二接触部７９に対して高い位置精度で形成することができる。

（４）プローブユニット同士の分離工程
基板９０上には、上述の（１）から（３）の製造工程に基いて、図７９に示すように複数のプローブユニット７５が同時に形成される。プローブユニット７５間には犠牲膜１０７を形成しておき、図７６に示す犠牲膜除去工程で基板９０からプローブユニット７５が分離するとき、プローブユニット７５同士も分離するようにする。複数のプローブユニット７５を一つの基板９０上で同時に製造することにより、均一品質の複数のプローブユニットを一時に得られる。尚、ダイシングで切断することにより、プローブユニット７５同士を分離させてもよい。

４．プローブブロックの構成
図８０は、プローブブロックを構成するブロックを示す図である。図８１及び図８２は、ブロックとプローブユニットとの固定方法を示す図である。
図８０に示すように、ブロック１０８のほぼ直方体の本体１１０には、対向する側面１１５ａ、１１５ｂに直交する方向に本体１１０を横断している二つの溝１１１が形成されている。溝１１１にはプローブユニット７５が収容される。溝１１１は、ブロック本体１１０の第一面１１８に垂直な二つの側壁１１７を有する。ブロック本体１１０には、対向する側面１１５ｃ、１１５ｄに直交する方向、すなわち溝１１１と直交する方向にブロック本体１１０を貫通する二つの第一固定孔１１２が形成されている。第一固定孔１１２は１つのブロック１０８に固定される複数のプローブユニット７５を互いに位置決めするための後述する固定ピン１０９を挿入するための孔である。ブロック本体１１０には、第一面１１８に直交する方向にブロック本体１１０を貫通する第二固定穴１１３が形成されている。第二固定孔１１３は、ブロック１０８をアッセンブラ７２に固定するための後述するねじ１２８を挿入するための孔である。ブロック本体１１０の第二面１１６には二つの脚部１１４が設けられている。脚部１１４はブロック１０８と拡散配線部７４とを位置合わせするためのものである。

図８１及び図８２に示すように、ブロック１０８の二つの溝１１１にプローブユニット７５をそれぞれ挿入してから、ブロック１０８の第一固定孔１１２とプローブユニット７５の固定孔８６とに固定ピン１０９を挿入すると１つのブロック１０８に複数のプローブユニット７５が固定される。また固定ピン１０９によって複数のプローブユニット７５が互いに正確に位置決めされ、検体の電極に対して第一接触部７７が整列する。固定ピン１０９は請求項に記載のユニット位置決め部に相当する。また、固定ピン１０９をブロック１０８に圧入等により分解可能に係止すると、固定ピン１０９をブロック１０８から引き抜いてプローブユニット７５単位での部品交換が可能になる。

図８２に示すように、ブロック１０８の溝１１１は、プローブユニット７５の最大厚と同じ幅を有する。従って、プローブユニット７５は、溝１１１の側壁１１７に接した状態で溝１１１に固定される。側壁１１７は検体６が形成されているウェハに対して垂直な方向になるため、第一接触部７７がウェハに対して垂直な方向に往復移動する姿勢でプローブユニット７５をブロック１０８に固定できる。

尚、第一接触部７７、第一ばね部７８、第二接触部７９及び第二ばね部８０は第一ガイド部８８及び第二ガイド部８３より薄いため、プローブユニット７５を溝１１１に嵌め込むと、第一接触部７７、第一ばね部７８、第二接触部７９及び第二ばね部８０と溝１１１の側壁１１７との間には空隙１２１が形成される。溝１１の側壁１１７は、第一接触部７７、第一ばね部７８、第二接触部７９及び第二ばね部８０の移動方向を案内する。第一接触部７７、第一ばね部７８、第二接触部７９及び第二ばね部８０と側壁１１７との距離、すなわち第一接触部７７、第一ばね部７８、第二接触部７９及び第二ばね部８０と第一ガイド部８８及び第二ガイド部８３との厚みの差は、第一接触部７７及び第二接触部７９の移動と、第一ばね部７８及び第二ばね部８０の変形とを妨げないように０．１μｍ以上にすることが好ましい。また第一接触部７７と検体６の電極７とを正確に接触させるために、１００μｍ以下にすることが好ましい。

５．拡散配線部の構成
図８３は、拡散配線部を示す図である。図８４は、プローブブロックと拡散配線部との固定方法を示す図である。
図８３に示すように、拡散配線部７４の第一基板１２３ａ上には複数の電極４６が設けられている。電極４６は例えばＡｕからなる。電極４６は、プローブユニット７５の第二接触部７９に一対一に対応して接触するように配列されている。第一基板１２３ａの電極４６と反対側に固定された第二基板１２３ｂにはインタポーザ５に接触するばね電極１２２が埋め込まれている。ばね電極１２２は、一端が第一基板１２３ａに埋め込まれた導電部５２に接し、他端が第二基板１２３ｂから突出し、中間部にばねを有している。プローブユニット７５の第二接触部７９に接触する電極４６とインタポーザ５に接触するばね電極１２２とは、第一基板１２３ａに形成された互いに平行な直線状の連絡線５５と導電部５２とによって導通している。ばね電極１２２は、電極４６の配列方向に直交する方向では電極４６よりも広い間隔で配列されている。このため、プローブユニット７５の第二接触部７９の配列間隔が狭くても、拡散配線部７４とインターポーザ５とを容易に接続することができる。尚、連絡線５５は曲線状であってもよいし、互いに平行でなくてもよい。

図８４に示すように、拡散配線部７４が、ねじや接着剤などでブロック１０８の脚部１１４間に装着されると、プローブユニット７５の第二接触部７９と拡散配線部７４の電極４６とが一対一に接触するように拡散配線部７４とプローブブロック７３が位置合わせされる。プローブユニット７５の第二接触部７９の配列間隔が第一接触部７７の配列間隔に対して広いと、第一接触部７７の配列間隔が狭くても、拡散配線部７４の電極４６とプローブユニット７５の第二接触部７９とを容易に位置合わせすることができる。

６．アッセンブラの構成
図８５は、アッセンブラを示す図である。
図８５に示すように、アッセンブラ７２は、拡散配線部７４が収容される複数の装着孔１２４と、プローブブロック７３をアッセンブラ７２に位置決めして固定するための位置決め孔１２５及び固定孔１２６とを有する。ウェハ上の複数の検体６と、アッセンブラ７２に固定された複数のプローブブロック７３とを一対一に正確に位置合わせするために、アッセンブラ７２とウェハとの熱膨張係数が近似していることが好ましい。例えばウェハがＳｉであれば、アッセンブラ７２にはＳｉや石英を用いることが好ましい。装着孔１２４、位置決め孔１２５及び固定孔１２６は機械加工で形成してもよいし、リソグラフィ及びエッチングを用いて形成してもよい。リソグラフィ及びエッチングを用いると、高い位置精度及び寸法精度で形成できる。

７．プローブアッセンブリの配線盤への取り付け
図８６及び図８７は、プローブアッセンブリの配線盤への取付を説明するための図である。
図５５及び図８６に示すように、アッセンブラ７２は、インターポーザ５を介して配線盤１１に固定される。インターポーザ５は、拡散配線部７４のばね電極１２２に接続される電極１２７を有する。配線盤１１の電極とインターポーザ５の電極１２７とを位置合わせした状態で配線盤１１にインターポーザ５を取り付けてから、インターポーザ５上にアッセンブラ７２を取り付ける。尚、アッセンブラ７２を配線盤１１に直に取り付け、拡散配線部７４のばね電極１２２を配線盤１１の電極に直に接続してもよい。

図５６及び図８７に示すように、アッセンブラ７２及びインターポーザ５を配線盤１１に取付けた後、アッセンブラ７２に拡散配線部７４及びプローブブロック７３を装着する。拡散配線部７４は、アッセンブラ７２の装着孔１２４に嵌め込まれ、プローブユニット７５の縁部８５に形成された突部８７はアッセンブラ７２の位置決め孔１２５に嵌め込まれる。そして、ブロック１０８とアッセンブラ７２とが第二固定孔１１３及び固定孔１２６に挿入されるねじ１２８で結合されると、プローブブロック７３及び拡散配線部７４がアッセンブラ７２に固定される。複数のプローブユニット７５の突部８７をアッセンブラ７２の複数の位置決め孔１２５にそれぞれ嵌め込むことにより、複数のプローブユニット７５をウェハ上の複数の検体６に一対一に対応させ整列させることができる。プローブユニット７５の突部８７及びアッセンブラ７２の位置決め孔１２５がそれぞれリソグラフィを用いて形成されている場合、リソグラフィの精度でプローブユニット７５を整列させることができる。尚、ブロック１０８の第二固定孔１１３とアッセンブラ７２の固定孔１２６とは、プローブユニット７５の突部８７及びアッセンブラ７２の位置決め孔１２５による位置決めに干渉しないように、ねじ１２８の外径より大きな内径を有する。

次にプローブカード４の構成要素間の導通について説明する。
図８８は、プローブカード４の構成要素間の導通を説明するための模式図である。
図８８に示すように、プローブユニット７５の第一接触部７７は、第一接触部７７よりも配列間隔が広い第二接触部７９に導通している。第二接触部７９は、拡散配線部７４の電極４６に接触して導通する。電極４６は、電極４６の配列間隔より広い間隔で配列されたばね電極１２２に導通している。ばね電極１２２は、インターポーザ５を介して、又は直に配線盤１１の電極に導通する。配線盤１１の電極は外部接続電極６２に導通している。従って、外部接続電極６２に検査信号を入力すると、その検査信号は順に配列間隔が狭まるばね電極１２２、電極４６、第二接触部７９及び第一接触部７７を通じて検体６の電極７に入力される。

（第二参考例）
本発明の第二参考例は、プローブユニットの構成が第一参考例と異なる。以下、プローブユニットについて詳しく説明する。
１．プローブユニットの構成
図８９は、第二参考例によるプローブユニットを示す図である。
図８９に示すように、本実施例によるプローブユニット１２９では、第一ガイド部８８及び第二ガイド部８３が連結部８２の一部として形成されている。本実施例によると、第一ガイド部８８及び第二ガイド部８３を連結部８２の一部として形成するため、導線７６の第一接触部７７をより狭小な間隔で配列することができる。

図９０から図９２は、プローブユニット１２９の変形例を示す図である。
図９０に示す変形例では、導線７６は連結部８２から突出している両端が湾曲しているＣ字形状である。本変形例では、その湾曲した突出部の一方３２が第一接触部及び第一ばね部に相当し、突出部の他方３４が第二接触部及び第二ばね部に相当する。導線７６の連結部８２から突出している部位を扁平にすることによって、ガイド部を用いることなしに、その部位の移動方向を規制することができる。

図９１に示す変形例では、導線７６の両端部が連結部８２から突出し、突出した部位に導線７６の配列方向に凸に湾曲しているＣ字形状の第一ばね部７８及び第二ばね部８０が形成されている。
図９２（Ａ１）、（Ａ２）に示す変形例では、第一ばね部７８が蛇腹形状ではなく、Ｃ字形状である。
図９２（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す変形例では、第一接触部７７が検体６の電極７と接触したとき第一ばね部７８が挫屈変形するように構成される。第一ばね部７８は、予め決められた方向に挫屈変形するように、挫屈させたい方向に僅かに凸に曲がった形状にすることが望ましい。

２．プローブユニットの製造方法
以下、プローブユニットの製造方法を第一接触部側の製造工程について説明する。その他の工程については、上述の第一参考例に準ずるので説明を省略する。
図９３から図１０４は、プローブユニットの第一接触部側の製造工程を示す図である。
はじめに図６１に示す工程に準じて、基板９０上に第一犠牲膜８９を形成する。その後、図９３に示すように、第一接触部７７、第一ばね部７８及び基部８１を形成する部位に開口部９２を有するレジスト膜９１を第一犠牲膜８９上に形成する。具体的には図６２に示す工程に準じる。

次に図９４に示すように、開口部９２内に第二犠牲膜９３を成長させる。具体的には図６３に示す工程に準じる。
次に図９５に示すように、第一接触部７７、第一ばね部７８及び基部８１を構成する第一導体膜９４を第二犠牲膜９３上にめっきで形成する。具体的には図６４に示す工程に準じる。尚、第一接触部７７と第一ばね部７８と基部８１とをそれぞれ別の導体膜で構成してもよいし、第一接触部７７の先端のみ別の導体膜で構成してもよい。

次に図９６に示すように、レジスト膜９１を除去する。具体的には図６５に示す工程に準じる。
次に図９７に示すように、開口部９６を有するレジスト膜９５を第一犠牲膜８９上に形成する。開口部９６は、第一導体膜９４の第一接触部７７及び第一ばね部７８に対応する部位と、その近傍の第一犠牲膜８９とが露出するように形成する。具体的な形成方法は、図６２に示す工程に準じる。

次に図９８に示すように、開口部９６内に第三犠牲膜９７をめっきで成長させる。具体的には図６７に示す工程に準じる。
次に図９９に示すように、レジスト膜９５を除去する。具体的な方法は図６５に示す工程に準じる。
次に図１００に示すように、第一ばね部７８と連結部８２との間の空隙に対応する部位上と、第一接触部７７の先端部とにレジスト膜１３０を形成する。レジスト膜１３０は、連結部８２を形成しない部位を保護するために形成される。具体的な方法は図６２に示す工程に準じる。

次に図１０１に示すように、連結部８２を構成する絶縁膜１０４を基板９０上全体に形成する。絶縁膜１０４には、アルミナ、ＳｉＯ₂などを用いる。バイアスを基板９０に印加したバイアススパッタを用いて絶縁膜１０４を形成すると、本工程以前の工程によって基板９０上に凹凸が形成されていても、凹部を絶縁膜１０４で埋めることができ、平坦度に優れた絶縁膜１０４を得ることができる。

次に図１０２に示すように、絶縁膜１０４の表面から研削、研磨、ポリッシュ、ＣＭＰなどを行うことにより、研磨面が第三犠牲膜９７に至るまで絶縁膜１０４を除去し、絶縁膜１０４、レジスト膜１３０及び第三犠牲膜９７の表面を平坦化する。
次に図１０３に示すように、残存しているレジスト膜１３０を除去する。具体的には図６５に示す工程に準じる。

次に図１０４に示すように、残存している第一犠牲膜８９、第二犠牲膜９３及び第三犠牲膜９７を除去すると、基板９０からプローブユニット１２９が分離する。第一犠牲膜８９、第二犠牲膜９３及び第三犠牲膜はエッチャントを用いて溶解させる。尚、本製造方法によると、導線７６の基部８１上に絶縁膜１０４が残存するが、プローブユニット１２９の作用上何ら問題はない。

（第三参考例）
本発明の第三参考例は、プローブユニットに補強部が接合されている点で第一参考例と異なる。以下、プローブユニットについて詳しく説明する。
１．プローブユニットの構成
図１０５は、第三参考例によるプローブユニットを示す図である。
図１０５に示すように、第三参考例によるプローブユニット１３３では、プローブユニット本体７５の両側に補強部１３４が接合されている。ユニット本体７５の構成は、第一参考例のプローブユニットと同じである。

補強部１３４は、プローブユニット本体７５に接合されている絶縁膜１３６と、絶縁膜１３６のプローブユニット本体７５と反対側の面に接合されている導体膜１３７とからなる。補強部１３４には、プローブユニット本体７５の固定孔８６に対応する固定孔１５６が形成されている。補強部１３４をプローブユニット本体７５に接合することにより、プローブユニット本体７５の各構成要素が分離することを防止できる。

第一接触部７７及び第一ばね部７８が第一ガイド部８８よりも薄いため、第一接触部７７及び第一ばね部７８が補強部１３４によって係止されることはない。補強部１３４は第一接触部７７の移動方向を案内する。
第二接触部７９及び第二ばね部８０が第二ガイド部８３よりも薄いため、第二接触部７９及び第二ばね部８０が補強部１３４によって係止されることはない。補強部１３４は第二接触部７９の移動方向を案内する。

尚、図１０６（Ａ）に示すように、補強部を絶縁膜１３６のみで構成してもよい。また図１０６（Ｂ）に示すように、プローブユニット本体７５に接合される２つの補強部１３４のうち一方を絶縁膜１３６と導体膜１３７で構成し、他方を絶縁膜１３６のみで構成してもよい。また、補強部１３４はプローブユニット本体７５の片側のみに接合してもよい。また、補強部１３４の導体膜１３７を配線盤１１のグランド電極に接続してもよい。導体膜１３７をグランドに接続することにより、プローブユニット本体７５の導線７６を通過する信号の高周波特性を改善することができる。

２．プローブユニットの製造方法
以下、プローブユニットの製造方法を第一接触部側の製造工程について説明する。その他の工程については、上述の第一参考例に準ずるので説明を省略する。
図１０７から図１１４は、プローブユニットの第一接触部側の製造工程を示す図である。

はじめに図６１に示す工程に準じて、基板９０上に第一犠牲膜８９を形成する。その後、図１０７に示すように、導体膜１３７ａを第一犠牲膜８９上に形成する。導体膜１３７ａはプローブユニット本体７５の両側に接合される２つの補強部１３４の一方を構成するものである。導体膜１３７ａをＮｉなどから形成する場合、スパッタで下地層を形成した後、リソグラフィ及びめっきを行うことにより、所定のパターンに形成する。

次に図１０８に示すように、導体膜１３７ａ上に絶縁膜１３６ａを形成する。具体的には、アルミナ、ＳｉＯ₂などの無機材料を用いる場合、スパッタで成膜した後、リソグラフィでパターニングする。レジストなどの樹脂を用いる場合、レジストを塗布してからリソグラフィでパターニングし、ハードベークで硬化させる。
次に図１０９に示すように、露出している第一犠牲膜８９上に第二犠牲膜１３８をめっきで形成する。第二犠牲膜１３８の基板９０からの高さが絶縁膜１３６ａよりも高くなるように、めっき厚を調整する。第二犠牲膜１３８にはめっきが容易であって除去も容易な金属を用いる。例えばＣｕやＳｎなどを用いる。

次に図１１０に示すように、第二犠牲膜１３８及び絶縁膜１３６ａの表面を研削、研磨、ポリッシュ、ＣＭＰなどで平坦化し、第二犠牲膜１３８及び絶縁膜１３６ａで構成される平坦面１３９を形成する。
次に図６２から図７４に示す工程に準じて、プローブユニット本体７５を形成するための複数の膜を平坦面１３９上に形成してからワークの表面を研磨し、図１１１に示すように平坦面１４０を形成する。

次に図１１２に示すように、平坦面１４０上に絶縁膜１３６ｂを形成する。絶縁膜１３６ｂはプローブユニット本体７５の先に形成した補強部１３４と反対側に接合される補強部１３４を構成するものである。絶縁膜１３６ｂ下にあるレジスト膜１３０と犠牲膜９３、９７とを容易に除去するために、絶縁膜１３６ｂの第一ばね部７８上の部位に開口部１４１を形成しておく。

次に図１１３に示すように、絶縁膜１３６ｂ上に導体膜１３７ｂを形成する。導体膜１３７ｂにも絶縁膜１３７ｂの開口部１４１と対応する開口部１４２を形成する。
次に図１１４に示すように、レジスト膜１３０をアルカリ溶液、有機溶剤などのレジスト剥離液で除去し、犠牲膜８９、９３、９７、１３８を全てエッチャントで溶解させると、基板９０からプローブユニット１３３が分離する。絶縁膜１３６ｂ及び導体膜１３７ｂに開口部１４１、１４２を形成したことにより、開口部１４１、１４２からレジスト剥離液や、犠牲膜を溶解させるエッチャントが浸透し易いため、レジスト膜１３０及び犠牲膜８９、９３、９７、１３８を容易に除去できる。

（第四参考例）
本発明の第四参考例は、プローブユニットの連結部が接地導体部を有する点で第二参考例と異なる。以下、プローブユニットの構成について説明する。
図１１５は、本発明の第四参考例によるプローブユニットを示す図である。
図１１５に示すように、プローブユニット１４３の１つの連結部８２は、２つの絶縁部８４と、２つの絶縁部８４の間に形成され配電盤１１のグランド電極に接続される接地導体部１４４とで構成される。絶縁部８４は、導線７６の基部８１に結合されている。絶縁部８４の幅の調整により、導線７６を通過する信号の高周波特性を向上させることができる。さらにプローブユニット１４３の両面に絶縁膜を接合し絶縁膜のプローブユニット１４３の反対側に配電盤１１のグランド電極に接続された導体膜を接合すると、グランドに接続された導体によって導線７６が取り囲まれるため、導線７６の高周波特性をさらに向上させることができる。

（第五参考例）
本発明の第五参考例は、補強部の一部がプローブユニットの連結部の一部を構成している点で第三参考例と異なる。
図１１６は本発明の第五参考例によるプローブユニットを示す図である。
図１１６に示すように、導線７６及び絶縁部８４の両側には補強部を構成する絶縁膜１３６が形成されている。絶縁膜１３６の導線７６及び絶縁部８４と反対側に接地導体部１４４が形成されている。接地導体部１４４と絶縁膜１３６とで補強部１３４が構成される。

絶縁膜１３６は２つの導線７６の間に形成された２つの絶縁部８４の間で分割されている。接地導体部１４４が分割された絶縁膜１３６の間から２つの絶縁部８４の間に入り込むことで２つの絶縁膜８４及び接地導体部１４４で１つの連結部８２が構成されている。
本実施例によると、接地導体部１４４が絶縁部８４及び絶縁膜１３６を介して導線７６を取り囲んでいるため、接地導体部１４４は、プローブユニットを補強するとともに、グランドに接続されて導線７６の高周波特性を向上させる。

（接地について）
図１１７及び図１１８は、導線の高周波特性を向上させるためにプローブユニットに設けられたグランド電位の導体を配電盤１１のグランド電極に接続するための拡散配線部１４の構成を示す図である。図１１７及び図１１８に示すように、拡散配線部１４、７４の表裏両面は導体層２０２、２０４で覆われている。導体層２０２と導体層２０４とは配線盤１１の電極又はインターポーザの電極に接続される第五電極２０６に接続されている。導体層２０２は請求項に記載された第四電極に相当する。プローブユニット１８、１９、３５ａ、３５ｂ、４７ａ，４７ｂ、７５、１２９、１３３、１４３（図４，３３，１２，４０，５７，８９，１０５，１１５等参照）には、上述した接地導体層６６（図３５参照）、補強部１３４の導体膜１３７（図１０５参照）、接地導体部１４４（図１１５参照）等の導体に接続され、拡散配線部１４、７４に向かって延びる突出部２００が設けられる。突出部２００は、弾性変形可能な薄い導体薄膜であって、導体層２０２に接触したときに変形する方向が定まるように予め湾曲している。プローブユニットの導線と接地導体部の第二電極とを接触させると、突出部２００と導体層２０２が圧接するため、突出部２００に接続されているプローブユニットの導体は、拡散配線部１４、７４を介して配線盤１１のグランド電極に導通する。

上述した複数の実施例では、実施例毎に同一種類のプローブユニットを複数備えるプローブアッセンブリについて説明したが、１つのプローブアッセンブリに複数種類のプローブユニットを備えてもよい。
また上述した複数の実施例では、全てのプローブユニットがウェハに対して垂直に固定される例を説明したが、プローブユニットは必ずしもウェハに対して垂直でなくともよい。

図１１９はウェハに対するプローブユニットの姿勢を決めるブロック２０の変形例を示す模式図である。例えば図１１９（Ａ）に示すように、狭い間隔で隣り合う他のブロック２２の側面２２ａ、２２ｃと隣り合う側面２２ａ、２２ｃはウェハに対して垂直であり、プローブユニットが固定される他のブロックの側面と狭い間隔で隣り合わない側面２２ｂ、２２ｄはウェハに対して垂直でなくてもよい。側面２２ａ、２２ｃに固定されるプローブユニットはウェハに対して垂直になるため、狭い間隔で配列されている検体に合わせて位置決めすることができる。また例えば図１１９（Ｂ）に示すように、狭い間隔で隣り合う他のブロック２２の側面２２ａ、２２ｃに隣り合う側面２２ａ、２２ｃはウェハに近い側で互いの間隔が狭くウェハに遠い側で互いの間隔が拡がっていてもよい。側面２２ａ、２２ｃに固定されるプローブユニットは、ウェハへの投影が検体の外側にはみ出さないため、狭い間隔で配列されている検体に合わせて位置決めすることができる。

本発明の第一実施例によるプローブカードを示す平面図である。 本発明の第一実施例で検査される検体を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブアッセンブリを示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるプローブカードを示す断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその検体との接触状態を示す側面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブブロックを示す斜視図であり、（Ｂ）はそのプローブブロックを構成するプローブユニットを示す斜視図である。 （Ａ）、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットと検体とが接触する状態を示す模式図であり、（Ｃ）は比較例によるプローブユニットと検体とが接触する状態を示す模式図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成によるブロックを示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその断面図であり、（Ｄ）は背面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す模式的な平面図であり、（Ｂ）はその模式的な正面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成による位置決め板を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための第二の構成を示す正面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成によるプローブユニットを示す正面図であり、（Ｂ）はその平面図であり、（Ｃ）はその側面図である。 （Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその側面図である。 本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す平面図である。 本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。 本発明の第一実施例による１つのブロックに固定される複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。 本発明の第一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。 本発明の第一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図であり、（Ｂ）は比較例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図である。 （Ａ）は、本発明の第一実施例による拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。 （Ａ）は本発明の第一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部と接続位置決め板との位置決めの構成を示す模式図であり、（Ｂ）は接続位置決め板を示す側面図である。 本発明の第一実施例による配線盤を示す平面図である。 本発明の第一実施例による配線盤に接続位置決め板及び拡散配線部が取付けられた状態を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例によるプローブブロックを示す斜視図であり、（Ｂ）はそのプローブブロックを構成するプローブユニットを示す斜視図である。 本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す断面図である。 本発明の第二実施例によるプローブユニットの変形例を示す断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図であり、（Ｂ）は本発明の第二実施例によるプローブカードの電極の接続を示す模式図である。 （Ａ１）は本発明の第二実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す正面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその平面図であり、（Ｃ１）、（Ｃ２）はその側面図である。 本発明の第二実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す平面図である。 （Ａ１）は本発明の第二実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す正面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその平面図であり、（Ｃ１）はその側面図である。 本発明の第二実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその斜視図であり、（Ｃ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の第二実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の第二実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブカードを示す斜視図であり、（Ｂ）はその部分拡大図である。 本発明の第一参考例によるプローブアッセンブリを分解した状態を示す斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットと検体を示す斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットを示す斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットを示す平面図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットの変形例を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるブロックの平面図であり、（Ｂ）はその側面図であり、（Ｃ）はその正面図であり、（Ｄ）はその斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットとブロックとの結合方法を説明するための斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブユニットとブロックとの結合方法を説明するための正面図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例による拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 本発明の第一参考例によるプローブブロックと拡散配線部との結合方法を説明するための斜視図である。 （Ａ）は本発明の第一参考例によるアッセンブラを示す平面図であり、（Ｂ）はその部分拡大図であり、（Ｃ）は（Ｂ）のｃ−ｃ線断面図である。 本発明の第一参考例によるインターポーザにアッセンブラが結合された状態を示す斜視図である。 本発明の第一参考例によるアッセンブラにプローブブロックが結合された状態を示す斜視図である。 本発明の第一参考例によるプローブカードの構成要素の導通を説明するための斜視図である。 本発明の第二参考例によるプローブユニットを示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの変形例を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図である。 本発明の第二参考例によるプローブユニットの変形例を示す平面図である。 （Ａ１）、（Ｂ１）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの変形例を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第二参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットを示す正面であり、（Ｂ）はその斜視図である。 本発明の第三参考例によるプローブユニットの変形例を示す正面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 （Ａ）は本発明の第三参考例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図であり、（Ｃ）はそのｃ−ｃ線断面図である。 本発明の第四参考例によるプローブユニットを示す平面図である。 （Ａ）は本発明の第五参考例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）はそのｂ−ｂ線断面図である。 （Ａ）は拡散配線部を示す平面図、（Ｂ）は拡散配線部を示す断面図である。 （Ａ）は拡散配線部を示す平面図、（Ｂ）は拡散配線部を示す断面図である。 ブロックの変形例を示す斜視図である。

符号の説明

２ 検体、３ 電極、６ 検体、７ 電極、１０ プローブアッセンブリ、１３ 位置決めロッド（ユニット位置決め部）、１５ 位置決め板（ユニット位置決め部）、１８、１８ａ〜１８ｄ、３５ａ、３５ｂ プローブユニット、１９ プローブユニット、２４ 導線、２６ 基板（連結部）、２６ａ〜２６ｃ 基板（連結部）、２８ 第一位置決め部、３１ 第四位置決め部、３２ 第一突出部（接触部）、３４ 第二突出部、３７ 角部（ユニット位置決め部）、４７ａ 第一プローブユニット、４７ｂ 第二プローブユニット、５３ 突部（ユニット位置決め部）、６６ 接地導体層、６８、７０、１１９ 基板、７１ プローブアッセンブリ、７５ プローブユニット、７６ 導線、７７ 第一接触部、８２ 連結部、８６ 固定孔（第一位置決め部）、１０９ 固定ピン（ユニット位置決め部）、１２９ プローブユニット、１３３ プローブユニット、 １４３ プローブユニット

Claims (5)

1. 検体の電極に接触する接触部を有する複数の導線と、複数の前記導線が固定された連結部と、を有するプローブユニットと、
   前記検体が形成されたウェハに対して垂直になる壁部を有し、当該壁部に複数の前記プローブユニットが固定されるブロックと、を備え、
   前記プローブユニットには、リソグラフィを用いて第一位置決め部が前記連結部に形成され、
   前記ブロックは、前記プローブユニットの前記第一位置決め部に当接し複数の前記プローブユニットの前記接触部を前記検体の複数の前記電極に対して整列させる、リソグラフィを用いて前記ブロックの側面に形成されたユニット位置決め部を有することを特徴とするプローブアッセンブリ。
2. 前記プローブユニットは、第二位置決め部が形成された絶縁性の保護膜を前記連結部上に有し、
   前記第二位置決め部に当接し、前記検体に対して複数の前記プローブユニットを整列させる第三位置決め部を有するアッセンブラをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプローブアッセンブリ。
3. 前記第二位置決め部及び前記第三位置決め部は、リソグラフィにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプローブアッセンブリ。
4. 前記導線は、一方に前記接触部を有し、他方に第一電極を有し、
   前記第一電極に接触する複数の第二電極と、前記第二電極に導通し複数の前記第二電極同士の間隔より広い間隔で配列される複数の第三電極と、前記第二電極及び前記第三電極が固定された基板とを有する拡散配線部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプローブアッセンブリ。
5. 前記導線は、一方に前記接触部を有し、他方に第一電極を有し、
   前記第一電極に接触する複数の第二電極と、前記第二電極に導通し複数の前記第二電極同士の間隔より広い間隔で配列される複数の第三電極と、前記第二電極及び前記第三電極が固定された基板とを有する拡散配線部をさらに備え、
   前記拡散配線部は、前記第二電極と前記第三電極とを導通させる連絡線と、リソグラフィにより形成された位置決め部を有し、
   前記アッセンブラは、前記拡散配線部に形成された前記位置決め部に対応するようリソグラフィにより形成され前記拡散配線部を前記アッセンブラに位置決めするための位置決め部を有することを特徴とする請求項２または３に記載のプローブアッセンブリ。

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