JP2006214863A - プローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子デバイスの電極の頂面を傷つけることなく、狭い間隔で電極が配列された電子デバイスを検査できるプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法を提供する。
【解決手段】 第一基板と、第二基板と、中間部が前記第一基板及び前記第二基板から突出して湾曲し一端部が前記第一基板上に固定され他端部が前記第二基板上に固定されている接触部と、前記接触部の前記一端部に連なり前記第一基板に固定されている基部と、前記基部に連なり外部電極に接続される連絡部とを有し、前記中間部が検体の電極の頂面又は頂面角部に接触する導線と、を備えることを特徴とするプローブユニット。
【選択図】 図１

Description

本発明はプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法に関する。

従来、電子デバイスを検査するためのプローブユニットが知られている。
特許文献１，２，３には、プローブの先端部が曲がったプローブユニットが開示されている。特許文献１，２に開示されたプローブユニットによると、電子デバイスの電極頂面にプローブの先端を強く押し当てたり、プローブの先端で電子デバイスの電極頂面を引っ掻く必要があるため、プローブが電子デバイスの電極頂面を傷つけてしまい、その結果、実装時に電子デバイスに対する配線不良が生じるおそれがある。また特許文献１，２，３に開示されたプローブユニットによると、プローブの先端部に電極の削り屑が付着することにより、プローブと電子デバイスとの接続不良が生ずるおそれがあるため、プローブに付着した屑を定期的に除去する作業が必要になる。また、特許文献１，２，３に開示されたプローブユニットによると、プローブの先端と電子デバイスの電極とを位置合わせする必要があるため、高い精度でプローブユニットと電子デバイスとを位置合わせしなければならない。また、特許文献１，２に開示されたプローブユニットによると、プローブの先端が自由端であるため、電子デバイスの電極の配列に対して高い精度でプローブの先端を位置決めすることが困難であり、また外力によってプローブが塑性変形するおそれもある。

米国特許第５９２３１７８号明細書 特表１９９９−５０６８２９号公報 特開平１１−３３７５７４号公報

本発明は、上述の問題に鑑みて創作されたものであって、電子デバイスの電極の頂面を傷つけることなく、狭い間隔で電極が配列された電子デバイスを検査できるプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法を提供することを目的とする。

（１） 上記目的を達成するためのプローブユニットは、第一基板と、第二基板と、中間部が前記第一基板及び前記第二基板から突出して湾曲し一端部が前記第一基板上に固定され他端部が前記第二基板上に固定されている接触部と、前記接触部の前記一端部に連なり前記第一基板に固定されている基部と、前記基部に連なり外部電極に接続される連絡部とを有し、前記中間部が検体の電極の頂面又は頂面角部に接触する導線と、を備える。
本発明によると、湾曲している接触部の非鋭利部位が検体の電極に接触するため、電子デバイスの電極の頂面を傷つけることがない。また本発明によると、検体の電極に接触する接触部の両端が第一基板及び第二基板に固定された固定端であるため、狭い間隔で配列された電子デバイスの電極に対して接触部の位置を正確に決めることができ、接触部が外力によって塑性変形しにくい。したがって本発明によると、狭い間隔で電極が配列された電子デバイスを検査することができる。

（２） 前記第一基板の前記導線が固定されている面の反対側の面と前記第二基板の前記導線が固定されている面の反対側の面とが対向していてもよい。

（３） 前記プローブユニットは絶縁層をさらに備えてもよい。また前記第一基板の前記導線が固定されている面と前記第二基板の前記導線が固定されている面とが、前記絶縁層を間に挟んで対向していてもよい。

（４） 前記プローブユニットは、第一絶縁層と、第二絶縁層と、前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間に固定されグランドに接続される導体層と、をさらに備えてもよい。また前記第一基板の前記導線が固定されている面と前記第二基板の前記導線が固定されている面とが、前記第一絶縁層、前記第二絶縁層及び前記導体層を間に挟んで対向していてもよい。
本発明によると、導線を通過する信号の高周波特性を改善することができる。

（５） 前記プローブユニットは、前記第一基板の前記導線が固定されている面の反対側の面に固定されグランドに接続される第二導体層と、前記第二基板の前記導線が固定されている面の反対側の面に固定されグランドに接続される第三導体層と、をさらに備えてもよい。
本発明によると、導線を通過する信号の高周波特性をさらに改善することができる。

（６） 前記プローブユニットは、第三基板をさらに備えてもよい。また前記連絡部は、中間部が前記第一基板及び前記第三基板から突出して湾曲し外部電極に接続され、一端部が前記第一基板上に固定されて前記基部と連なり他端部が前記第三基板上に固定されていてもよい。
本発明によると、連絡部と外部電極とを接続する配線を連絡部に接合する必要がないため、プローブユニット単位で部品交換が可能になる。また本発明によると、外部電極の頂面を傷つけることなく連絡部と外部電極とを確実に接続することができる。

（７） 前記接触部の前記検体と接触する部位は金又は白金属元素からなってもよい。

（８） 前記第一基板と前記第二基板と複数の前記導線とはリソグラフィを用いて一体に形成されていてもよい。
本発明によると、高い位置精度で導線を配列することができる。

（９） 上記目的を達成するためのプローブアッセンブリは、複数の前記導線が互いに平行に配列され、前記検体が形成されたウェハに対して前記第一基板が垂直になる前記プローブユニットと、前記連絡部に接続される複数の第一電極と、前記第一電極同士の間隔より広い間隔で配列されている複数の第二電極と導通させる連絡線とを有する拡散配線部と、を備える。
本発明によると、第一基板が検体が形成されるウェハに対してほぼ垂直になる。このため、本発明によるプローブユニットを複数用いることにより、ウェハ上に狭い間隔で形成された複数の検体を同時に検査することができる。また本発明によると、プローブユニットの複数の導線が互いに平行に配列される結果、複数の導線からなる導線群の幅を拡散配線部の複数の連絡線からなる連絡線群の幅とほぼ同一にできるため、ウェハ上の検体とほぼ同じ幅でプローブユニット及び拡散配線部を形成することができる。したがって、ウェハ上に極めて狭い間隔で配列された検体に応じて複数のプローブユニット及び複数の拡散配線部を配列することができる。また本発明によると、検体の電極間隔に応じて狭い幅でプローブユニットの導線を配列したとしても、拡散配線部の第二電極が導線間隔よりも広くなるため、プローブユニットに対する配線が容易である。

（１０） 上記目的を達成するための電子デバイスの検査方法は、中間部が第一基板及び第二基板から突出して湾曲し一端部が前記第一基板上に固定され他端部が前記第二基板上に固定されている接触部の非鋭利部位を前記検体の頂面又は頂面角部に接触させる接触段階と、前記接触段階の後に、前記接触部を介して前記検体に検査信号を入力する検査段階と、を含む。
本発明によると、湾曲している接触部の非鋭利部位が検体の電極に接触するため、電子デバイスの電極の頂面を傷つけることがない。また本発明によると、検体の電極に接触する接触部の両端が第一基板及び第二基板に固定された固定端であるため、狭い間隔で電極が配列された電子デバイスを検査することができる。

尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
１．プローブカードと検体
図１は、本発明の一実施例によるプローブカードを示す平面図である。
図１に示すように、プローブカード１は、円形の配線盤１１と、配線盤１１上に取り付けられているプローブアッセンブリ１０とを備える。プローブカード１は、１枚のウェハに形成された４つのＬＣＤドライバＩＣを同時に検査するためのものである。検体としてのＬＣＤドライバＩＣは、図２に示すように、チップの周辺にＡｕで形成された電極３が狭小な間隔で多数設けられている。プローブカード１は、検査装置本体から出力される検査信号を検体２の電極に入力し、検体２の電極から出力信号を取り出して検査装置本体に伝達する機能を有する。

プローブアッセンブリ１０は、図３に示すように、直線上に並んでいる複数のプローブブロック４７と、プローブブロック４７に一対一に対応して設けられている複数の拡散配線部１４と、複数のプローブブロック４７及び拡散配線部１４が固定されている接続位置決め板１６とを備える。

一組のプローブブロック４７及び拡散配線部１４は、図４に示すように一つの検体２に対応する。プローブブロック４７は、矩形の検体２の４辺に対応するように整列している四つのプローブユニット１９を有する。プローブブロック４７及び拡散配線板１４は、接続位置決め板１６にねじで固定されているため一つずつ交換可能である。従って、プローブアッセンブリ１０の一部に不具合が発生しても、その不具合が発生したプローブブロック４７のみを交換すればよく、修理コストを低減することができる。

複数のプローブブロック４７を接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で結合することにより、各プローブブロック４７をウェハ上に形成された各検体２に対して整列させることができる。従って、ウェハ上の複数の検体２に対して複数のプローブブロックを正確に位置合わせして複数の検体２を同時に検査することができる。また、接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で拡散配線板１４を結合することにより、拡散配線板１４とプローブブロック４７とを正確に位置合わせして電気的に接続することができる。尚、一つのプローブブロック４７を構成するプローブユニット１９の数は、四つに限定されず、検体２の電極３の配列に対応してその数を決定すればよい。

２．プローブアッセンブリ
２−１．プローブブロックの構成
図５（Ａ）は、プローブブロックを示す図である。図５（Ｂ）はプローブユニットを示す図である。

図５（Ａ）に示すように、プローブブロック４７は、矩形柱のブロック２０の四つの側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにそれぞれプローブユニット１９が固定されている構成である。ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄは、検査装置本体に取り付けられた状態ではウェハに対して垂直になる。ブロック２０のウェハに対して垂直になる側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにプローブユニット１９を固定することで、一つの検体２を検査するための一つのプローブブロック４７のウェハへの投影面積を小さくすることができる。従って、投影面積の小さなプローブブロック４７を複数配列したプローブカード１を用いることにより、ウェハ上に狭い間隔で配列された複数の検体２を同時に検査することができる。

図５（Ｂ）に示すように、プローブユニット１９は、三分割された基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃと、基板２６ａ、基板２６ｂ、２６ｃ上に形成されている複数の導線２４と、基板２６ａと基板２６ｂ、２６ｃとの間に形成されている保護膜３０とを有する。保護膜３０は絶縁材料で構成される。基板２６ｂ、２６ｃは同一平面上に並び、基板２６ａと平行に保護膜３０を間に挟んで対向している。導線２４は、基板２６ａと基板２６ｂと基板２６ｃにまたがって固定され、基板２６ａと基板２６ｂの間と、基板２６ａと基板２６ｃの間とがそれぞれＵ字形状に湾曲している。導線２４のＵ字形状に湾曲した突出部３２、３４は、両端が基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに固定されているため、外力によって損傷することを防止できる。第一突出部３２は請求項に記載の接触部に相当する。第二突出部３４は請求項に記載の連絡部に相当する。

プローブユニット１９は、図６に示すように、基板２６ａ上に形成される第一位置決め部２８と、基板２６ｂ及び基板２６ｃ上に形成される第二位置決め部３１とをさらに有する。第一位置決め部２８を用いて一つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための構成については、後述する。

次に、プローブユニット１９の変形例について説明する。図７は、プローブユニット１９の複数の変形例を示す図である。
図７（Ａ）に示すように、基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃの外側の面上に導線２４を固定し、導線２４の基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃと反対側を保護膜３０で覆ってもよい。基板２６ａと基板２６ｂ、２６ｃとは接着剤６４などで結合される。

また図７（Ｂ）に示すように、導線２４を基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃ上に固定されるＮｉ層２５ａと、Ｎｉ層２５ａ上に形成されるＡｕ層２５ｂとの複層で構成してもよい。
また図７（Ｃ）に示すように、配線板１１のグランド電極に接続される接地導体層６６を二層の保護膜３０の間に設けてもよい。グランドに接続される接地導体層６６を保護膜３０を間に挟んで導線２４に近接させることにより、導線２４を伝わる信号の高周波特性を向上させることができる。さらに図７（Ｄ）に示すように、接地導体層６６を絶縁材料で構成された基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃの導線２４と反対側の面にも設けると、導線２４を伝わる信号の高周波特性をさらに向上させることができる。

図８（Ａ）に示すように、基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃがウェハに垂直な状態で第一突出部３２を検体２の電極３の頂面角部に押し付けると、第一突出部３２は電極３の角部との接触荷重によって弾性変形し電極３に対して摺動する。尚、導線２４の第一突出部３２は検体２の電極３の頂面に接触させてもよい。

また図８（Ｂ）に示すように、導線２４の第二突出部３４は拡散配線部１４の第一電極４６に弾性接触する。拡散配線部１４の第一電極４６に導通している第二電極４８は、配線盤１１の電極６０に導通している。配線盤１１の電極６０は、検査信号を入力するための外部電極に接続されている。導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させた後、外部電極から配線盤１１の電極６０と、拡散配線部１４の第二電極４８及び第一電極４６と、導線２４とを介して電極３に検査信号を入力し検体２の検査を行う。

本実施例によると、導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させることにより、電極３の表面の酸化膜や汚染膜を除去することができるので、導線２４と電極３とを確実に導通させることができる。また導線２４の第一突出部３２（非鋭利部位）と検体２の電極３とを接触させるため、電極３を傷つけることがない。また、導線２４の第一突出部３２を摺動させることにより、第一突出部３２の突面３３に検体２の電極３の削りかすなどのごみが残留しにくいため、電極３と導線２４とを確実に導通でき、第一突出部３２のクリーニングが不要である。

２−２．一つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための構成
＜第一の構成＞
図９は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す図である。

図９に示すように、第一の構成では、導線２４自体が第一位置決め部に相当する。プローブユニット１９の外側には保護膜３０を形成せず、プローブユニット１９の外側に導線２４が露出している構成である。導線２４が基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃ上にリソグラフィで形成されることにより、ブロック２０に対する位置決め部がプローブユニット１９に高い精度で形成される。

またブロック２０の側面２２には少なくとも一部の導線２４に嵌合する突部５３をリソグラフィを用いてブロック２０と一体に形成する。ブロック２０の四つの側面２２にそれぞれ形成された突部５３とプローブユニット１９の導線２４とを嵌合させると、四つのプローブユニット１９の複数の第一突出部３２が一つの検体２の全ての電極３に対して整列する。突部５３と導線２４とが嵌合した状態でブロック２０にプローブユニット１９が固定される。

＜第二の構成＞
図１０は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す図である。
図１０に示すように、第二の構成では、二枚の位置決め板１５をブロックの第一面と、第一面と反対側の第二面とに固定し、位置決め板１５をそれぞれプローブユニット１９の櫛歯状に突出している第一突出部３２又は第二突出部３４に嵌合させることで、四つのプローブユニット１９の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。位置決め板１５は、リソグラフィを用いて形成され、プローブユニット１９の導線２４の第一突出部３２間又は第二突出部３４間に嵌合する突出部２７を外縁に有する。

＜第三の構成＞
図１１は、一つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す図である。
図１１に示すように、第三の構成では、ブロック２０はセラミックなどからなり、研磨などで精密に加工されている。複数の位置決めロッド１３はブロック２０を貫通し両端部がブロック２０から突出している。対向する二組の側面に対して垂直な方向にブロック２０を貫通する精密加工された一部材の位置決めロッド１３がプローブユニット１９自体に形成された第一位置決め部２８に当接する構成により、ブロック２０を間に挟んで対向するプローブユニット１９同士の相対的な位置が高い精度で合わせられる。

プローブユニット１９の第一位置決め部２８は、位置決めロッド１３に当接するパターンを有する膜状に形成されている。第一位置決め部２８は、第一突出部３２及び第二突出部３４に対して正確な位置に形成されるように基板又は保護膜３０上にリソグラフィを用いて形成される。

ブロック２０の側面から突出している複数の位置決めロッド１３と、四つのプローブユニット１９の第一位置決め部２８とを当接させると、四つのプローブユニット１９の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。整列したプローブユニット１９とブロック２０とは、接着剤やねじ留めなどで結合される。ねじ等の分解可能な結合手段でブロック２０にプローブユニット１９を結合することにより、プローブカード１に不具合が生じた場合にはプローブユニット１９単位で交換することが可能になる。

尚、位置決めロッド１３の端部で構成された位置決め部は、凸形状でも凹形状でもよく、リソグラフィを用いてブロック２０と一体に形成してもよい。また、第一位置決め部２８は、凸形状でも凹形状でもよいし、基板自体に第一位置決め部としての切り欠き、穴、凹み、突起などを形成してもよい。

＜第四の構成＞
図１２は、１つの検体２に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す図である。
図１２に示すように、第四の構成では、検体２の対向する二辺に沿って配列された電極に接触する第一接触部３２が設けられた第一プローブユニット４７ａと、検体の対向する他の二辺に沿って配列された電極に接触する第一接触部３２が設けられた第二プローブユニット４７ｂとでプローブブロック４７を構成する。

第一プローブユニット４７ａの基板６８は、２つの凹部６３ａを有する断面Ｈ字形の柱状に形成されている。基板６８の対向する２面にリソグラフィを用いて導線２４が固定されている。導線２４が固定される基板６８の各面は、ウェハに対して垂直になる。基板６８に固定された導線２４と基板７０、７０に固定された導線２４との間には絶縁材料で構成された保護層３０ａ、３０ｂ、３０ｃが設けられている。

基板１１９は基板６８に嵌合する凹部６３ｂを有する断面Ｕ字形の柱状に形成されている。基板１１９の対向する２面にリソグラフィを用いて導線２４が固定されている。導線２４が固定される基板１１９の各面は、ウェハに対して垂直なる。基板１１９に固定された導線２４と基板１２０に固定された導線２４との間には絶縁材料で構成された保護層３０ａ、３０ｂ、３０ｃが設けられている。

基板１１９の凹部６３ｂに基板６８を嵌合させることで、第一基板６８と第二基板１１９とを位置合わせする。第一基板６８と第二基板１１９とを相対的に位置合わせすると、各基板に固定された全ての第一突出部３２を一つの検体２の全ての電極３に対して整列させることができる。

＜第五の構成＞
図１３は、１つの検体２に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第五の構成を示す図である。
図１３に示すように、第五の構成では、一つの検体２に対応する四つのプローブユニット１９をそれぞれ別のユニット位置決め部６８に固定し、そのユニット位置決め部６８を個々に調整することで四つのプローブユニット１９を一つの検体２に対応するように整列させるプローブブロックを構成する。ユニット位置決め部６８は、第一ブロック５５ａ、第二ブロック５５ｂ、第三ブロック５５ｃ及び位置微調整ねじ５７ａ、５７ｂからなる。プローブユニット１９と第一ブロック５５ａとは、プローブユニット１９に形成された第一位置決め部２８と第一ブロック５５ａに形成される位置決めロッド１３との当接によって位置合わせされ固定される。第一ブロック５５ａは第二ブロック５５ｂに位置微調整ねじ５７ａで結合され、第二ブロック５５ｂはさらに第三ブロック５５ｃに位置微調整ねじ５７ｂで結合される。位置微調整ねじ５７ａは第二ブロック５５ｂから第一ブロック５５ａに基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに対して垂直にねじ込まれ、位置微調整ねじ５７ｂは第二ブロック５５ｂから第三ブロック５５ｃに基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに平行にねじ込まれている。

位置微調整ねじ５７ａを調整することにより、プローブユニット１９を基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに対して垂直な方向に微動させることができる。位置微調整ねじ５７ｂを調整することにより、プローブユニット１９を基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに対して平行な方向に微動させることができる。各プローブユニット１９をそれぞれが固定されたユニット位置決め部６８の位置微調整ねじ５７ａ、５７ｂによって独立して微動させることにより、四つのプローブユニット１９の相対的な位置を微調整し、四つのプローブユニット１９の複数の第一突出部３２を一つの検体２の電極に対して整列させることができる。

＜プローブユニット同士の整列条件＞
図１４及び図１５は、プローブユニット同士の整列条件を説明するための模式図である。
図１４（Ａ）は、四つのプローブユニット１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄが位置ずれなく正確に整列した状態を示す。図１４（Ａ）に示すように、正確に整列した四つのプローブユニット１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄの導線２４の第一突出部３２は全て、１つの検体２の電極３に一対一に対応して接触する。

図１４（Ｂ）は、プローブユニット１９ａに対向するプローブユニット１９ｂが正確な位置から第一突出部３２の配列方向に第一突出部３２の間隔の１／２ずれて固定されている状態を示す。この場合、プローブユニット１９ａ、１９ｃ、１９ｄの導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に位置合わせすると、プローブユニット１９ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させることができない。プローブユニット１９ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させるようにプローブブロック４７を検体２に対して移動させると、プローブユニット１９ａの第一突出部３２が電極３に接触できなくなる。このように対向するプローブユニット１９ａとプローブユニット１９ｂとが正確に位置合わせされていない場合、四つのプローブユニット１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄの全ての第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に対応させることができない。

図１５は、対向する二つのプローブユニット１９ａ、１９ｂが正確に位置合わせされ、対向する二つのプローブユニット１９ｃ、１９ｄも正確に位置合わせされ、隣り合う二つのプローブユニット１９ａとプローブユニット１９ｄが正確に位置合わせされていない状態を示している。プローブユニット１９ｃ、１９ｄの第一突出部３２を検体２の電極３に正確に合わせた状態から、プローブブロック４７をプローブユニット１９ａ、１９ｂの第一突出部３２の配列方向に移動させると、プローブユニット１９ａ、１９ｂの第一突出部３２を電極３に合わせることができる。このとき、プローブユニット１９ｃ、１９ｄの第一突出部３２は、検体２の電極３との接触部位がずれるだけであって、電極３と接触した状態は維持される。

以上から、対向するプローブユニット同士は検体２の電極３に対して高い位置精度で整列している必要があるが、隣接するプローブユニット同士では対向するプローブユニット同士ほど高い位置精度で整列する必要はないと言える。
第四の構成によれば、基板６８又は基板１１９自身が検体の異なる辺に沿って設けられた電極に接触する導線２４を固定する連結部であり、検体の異なる辺に沿って設けられた電極に接触する導線２４が一つの基板上にリソグラフィによって形成されるため、検体の電極に対して高い精度で第一突出部３２を整列させることができる。また、同様の理由により、拡散配線部１４に対して第二突出部３４を高い精度で整列させることができる。

２−３．第一のプローブユニットの製造方法
図１６から図２４は、プローブユニット１９の製造方法を示す図である。以下、プローブユニット１９の製造方法を（１）から（７）の順に説明する。
（１）犠牲膜形成工程
はじめに図１６に示すように、基板２６に溝状の凹部３６を形成し、凹部３６が犠牲膜３８で充填されるように基板２６上に犠牲膜３８を成長させた後、表面の研磨、研削、ポリッシュ等により平坦面４０を形成する。凹部３６の壁面が基板２６の完成状態の端面を形成するように凹部３６の位置及び形状を設定する。基板２６にはガラス基板、セラミック基板、シリコン基板、樹脂基板、金属基板などを用いる。金属基板を用いる場合には、予めその表面を有機絶縁層または無機絶縁層で被覆してから用いる。基板２６の厚みは例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下にする。

凹部３６の形成は、切削または溝入れによって行う。基板２６本体が導電性である場合には放電加工を用いてもよい。またサンドブラスト、ケミカルエッチング、ドライエッチング、イオンミリングなどを用いてもよい。
犠牲膜３８には後続工程で選択的に除去可能な素材を用いる。例えばＣｕやＳｎなどのようにエッチングで選択的に除去可能な金属を用いる。Ｃｕを用いた場合、無電解めっきまたはスパッタにより第一層形成段階と、電解めっきによる第二層形成段階とによって犠牲膜３８を形成する。また、レジスト剥離液で除去可能なハードベークされたレジスト、不飽和ポリエステルなどのように加水分解で除去可能な有機ポリマーを用いてもよい。あるいはＲＩＥで除去可能なＳｉＯ₂のＣＶＤ膜を用いてもよい。

（２）導線形成工程
次に図１７に示すように、導線２４を構成する第一導体膜６５ａを平坦面４０上に犠牲膜３８を横断するように形成する。尚、第一導体膜６５ａは単層であっても複層であってもよい。第一導体膜６５ａの厚みは例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下にする。

第一導体膜６５ａをスパッタで形成する場合、第一導体膜６５ａにはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体、またはその合金を用いる。具体的には、はじめに平坦面４０上全体にスパッタで第一導体膜６５ａを形成する。その後、リソグラフィで所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして不要な第一導体膜６５ａをエッチングで除去することにより、第一導体膜６５ａを所定のパターンに形成する。

第一導体膜６５ａを湿式めっきで形成する場合、はじめにスパッタなどでめっき下地層を平坦面４０上に形成する。その後、リソグラフィで所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンの開口部に金属を電解めっき又は無電解めっきでめっきする。めっき層にはＮｉ、ＮｉＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＭｎ合金、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈなどの金属を用いる。またはそれらの金属を組み合わせて用いる。めっき厚は例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下にする。

次に図１８に示すように、導線２４を構成する第二導体膜６５ｂを第一導体膜６５ａ上に形成する。第二導体膜６５ｂは、導線２４の検体２の電極３とのコンタクト性や導線２４の耐久性を向上させるために形成され、必ずしも形成しなくともよい。また第二導体膜６５ｂにはＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族を用いる。第二導体膜６５ｂの厚みは例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下にする。

第二導体膜６５ｂをスパッタで形成する場合、まず第二導体膜６５ｂを覆うように平坦面４０上に第二導体膜６５ｂをスパッタで形成する。その後、リソグラフィによって第二導体膜６５ｂ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第二導体膜６５ｂをイオンミリングなどで除去し、第二導体膜６５ｂを所定のパターンに形成する。尚、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂを連続的にパターニングしてもよい。

第二導体膜６５ｂを湿式めっきで形成する場合、第一導体膜６５ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一導体膜６５ａのめっき層を形成した後、連続して第二導体膜６５ｂをめっきする。

（３）保護膜形成工程
次に図１９に示すように、基板２６上の犠牲膜３８を除いた部位に保護膜３０を形成する。この結果、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂは基板２６及び保護膜３０によって覆われる。第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂの犠牲膜３８上に形成された部位は、第一突出部３２及び第二突出部３４となるため、保護膜３０を形成しないようにする。保護膜３０は、導線２４が外力によって傷つけられ剥離したりごみなどの付着によってショートしたりするのを防止し、導線２４を保護するために形成される。尚、保護膜３０は必ずしも形成しなくてもよい。

保護膜３０に有機絶縁膜を用いる場合、例えば感光性ポリイミド、レジストなどを塗布し、所定のパターンに露光及び現像した後、１５０℃以上３００℃以下程度でハードベークする。保護膜３０に無機絶縁膜を用いる場合、例えばＳｉＯ₂膜、ＡｌＯ₃膜などをスパッタなどで形成する。具体的には、リソグラフィによって、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂの犠牲膜３８上に形成された部位を覆うレジストパターンを形成してからスパッタを行う。

（４）基板研磨工程
次に図２０に示すように、基板２６の保護膜３０と反対側の面を、犠牲膜３８が露出するまで研磨し、基板２６及び犠牲膜３８で構成される研磨面４２を形成する。基板２６の保護膜３０と反対側の面を犠牲膜３８が露出するまで研磨することにより、基板２６は三つの基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに分割される。

（５）第一位置決め部及び第二位置決め部の形成工程
次に図２１に示すように、基板２６の研磨面４２上又は保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成する。後続の（７）折り曲げ工程で保護膜３０が内側になるように折り曲げる場合は、研磨面４２上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成する。（７）折り曲げ工程で基板２６が内側になるように折り曲げる場合は、保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成する。図２１では、研磨面４２上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成した場合を図示している。ここでは、研磨面４２上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成する場合を例に採り、具体的な形成方法を説明する。

具体的にはまず、両面アライナーを用い第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂのパターンを用いて位置合わせした状態で、リソグラフィによって研磨面４２上に所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをハードベークによって硬化させたものを、第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１とする。または、レジストパターンの開口部にＮｉなどをめっきし、そのめっき膜を第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１としてもよい。または、レジストパターンをマスクとして基板２６の研磨面４２側をイオンミリングなどで除去することにより、基板２６の研磨面４２側に所定のパターンを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成してもよい。または、レジストパターンを位置決め基準に用いた切削加工により、基板２６の研磨面４２側に穴、切り欠き、凹みなどを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成してもよい。このようにリソグラフィを用いて第一位置決め部２８を形成することにより、一つの検体に対応する複数のプローブユニットの個々の位置をより高精度に決めることができる。またリソグラフィを用いて第二位置決め部３１を形成することにより、複数のプローブブロック４７の個々の位置をウェハ上の複数の検体２の位置に合わせて高精度に決めることができる。

（６）犠牲膜除去工程
次に図２２に示すように、犠牲膜３８をエッチングで除去する。犠牲膜３８を除去すると、第一導体膜６５ａ及び第二導体膜６５ｂの犠牲膜３８上に形成された部位は、犠牲膜３８の支持がなくなり、浮遊部位６７となる。また、犠牲膜３８によって結合されていた基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃが分離する。

（７）折り曲げ工程
次に図２３に示すように、浮遊部位６７を折り曲げ、基板２６ａ上の保護膜３０ａに基板２６ｂ上の保護膜３０ｂと基板２６ｃ上の保護膜３０ｃとを接着する。保護膜３０上に第一位置決め部２８及び第二位置決め部３１を形成した場合は、図２４に示すように基板２６ａに基板２６ｂと２６ｃとを接着する。

２−４．第二のプローブユニットの製造方法
図２５から図３０は、第一プローブユニット４７ａ及び第二プローブユニット４７ｂの製造方法を示す図である。第一プローブユニット４７ａの製造方法と第二プローブユニット４７ｂの製造方法とは実質的に同様であり、ここでは第一プローブユニット４７ａの場合を例に採り説明する。

はじめに図２５に示すように、２つの犠牲膜３８で連結された基板６８、７０、７０を準備する。この構造は、例えば１枚の基板に凹部を形成し、その凹部に犠牲膜を充填し、その後、基板を薄く削ることによって得られる。基板６８、７０、７０及び犠牲膜３８で構成される矩形柱のワークの第一面６９ａ上に検体の一辺に沿って配列される電極に接触する導線２４を形成する。次に、第一面６９ａ上に導線２４を保護する保護膜３０を形成する。本工程は、図１６から図２０に示す工程に準じて行う。

次に図２６に示すように、ワークの第一面６９ａに対向する第二面６９ｂ上に検体の一辺に沿って配列される電極に接触する導線２４を形成し、必要に応じて第二面６９ｂ上に保護膜３０を形成する。具体的には図１７から図１９に示す工程に準じる。
このようにワークの第一面６９ａと第二面６９ｂとには検体の対向する二辺に沿って配列される電極に接触する導線２４が形成される。このため、ワークの第一面６９ａから第二面６９ｂまでの距離は検体の対向する二辺の間隔に応じて設定しなければならず、基板６８、７０、７０は十分に厚いものである必要がある。

次に図２７に示すように、導線２４との接合部近傍が残るように基板７０、７０の中央部をそれぞれ除去する。この結果、基板７０、７０は、それぞれ二分割される。
次に図２８に示すように、犠牲膜３８を除去する。犠牲膜３８を除去すると、導線２４の犠牲膜３８上に形成されていた部位６７は浮遊状態になる。

次に図２９に示すように、導線２４の両端に固定された保護膜３０ｂ、３０ｃを導線２４の中間部位に固定された保護膜３０ａに接合するため、導線２４の浮遊部位６７を折り曲げる。保護膜３０ａに保護膜３０ｂと保護膜３０ｃとを接着すると、基板６８、７０、７０から突出しＣ字形状に湾曲した第一接触部３２及び第二接触部３４が形成される。

次に図３０に示すように、基板６８に２つの凹部６３ａを形成すると第一プローブユニット４７ａが完成する。本工程で２つの凹部６３ａを形成する代わりに、図１２に示す凹部６３ｂを形成することにより、第二プローブユニット４７ｂが形成される。

２−５．拡散配線部の構成
図３１は、拡散配線部１４を示す図である。
図３１に示すように、拡散配線部１４は、基板４４と、基板４４の第一面４４ａに設けられた複数の第一電極４６と、基板４４の第二面４４ｂに設けられた複数の第二電極４８とを備える。基板４４にはＦＲＰ、セラミック、シリコンなどが用いられる。第二電極４８は、基板４４に形成された互いに平行な直線状の連絡線５０によって第一電極４６に導通している。尚、連絡線５０は互いに平行でなくてもよいし、直線状でなくてもよい。プローブユニット１９の導線２４が互いに平行な直線状であるため、ウェハ上の検体とほぼ同じ幅で拡散配線部１４を形成することができる。第一電極４６は、プローブユニット１９の第二突出部３４に一対一に対応して接触するように配列されている。第二電極４８は、配線盤１１の電極又はインターポーザの電極の配列間隔に応じて、第一電極４６の配列方向に直交する方向では第一電極４６よりも広い間隔で配列されている。このため、プローブユニット１９の第二突出部３４の配列間隔が狭くても、プローブユニット１９と配線盤１１とを容易に接続することができる。第一電極４６及び第二電極４８は、接触抵抗を低下させるためにＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族で形成することが望ましい。また配線抵抗を低下させるために、連絡線５０はＣｕ、Ａｌなどで形成することが望ましい。

基板４４には、ブロック２０と拡散配線部１４とを接続位置決め板１６にねじで結合するためのねじ孔４５と、接続位置決め板１６に拡散配線部１４を位置決めするための第三位置決め部４９が形成されている。ねじ孔４５はねじに対して緩い寸法で形成されている。第三位置決め部４９は、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを用いたエッチングやめっき、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを位置合わせの基準に用いた穿孔加工等によって高精度に形成される。このようにリソグラフィを用いて第三位置決め部４９を拡散配線部１４に形成することにより、拡散配線部１４とプローブユニット１９とを高精度に位置合わせすることができる。

図４に示すように、拡散配線部１４とプローブロック１２とは、拡散配線部１４の第一電極４６とプローブユニット１９の導線２４の第二突出部３４とが一対一に対応するように位置合わせされて接続位置決め板１６に結合される。またブロック２０を貫通しているねじ穴と、拡散配線部１４のねじ穴４５とに挿入されるねじ５４によって、ブロック２０と拡散配線部１４とは接続位置決め板１６に分解可能に結合される。拡散配線部１４の第一電極４６と導線２４の第二突出部３４とは、互いに押し付けられると、第二突出部３４が第一電極４６に接触することで、確実に導通できる。また、プローブユニット１９の第二突出部３４と拡散配線部１４の第一電極とが分離可能な弾性接触によって接続されるため、プローブブロック４７又はプローブユニット１９単位での部品交換が可能である。

接続位置決め板１６は、複数組のプローブブロック４７及び拡散配線部１４を複数の検体２に一対一に対応するように正確に位置決めすることができるため、ウェハ上に配列されている複数の検体２を同時に正確に検査することが可能になる。また、プローブブロック４７の導線２４の配列方向の長さｌ₁（図４参照）を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにし、拡散配線部１４の連絡線５０に直交する辺の長さｌ₂を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにすることにより、極めて狭い間隔でウェハに複数の検体が配列されている場合であっても、検体と一対一に対応するようにプローブブロック４７を配列することができる。

２−５．接続位置決め板の構成
図３２に示すように、接続位置決め板１６は、複数のプローブブロック４７を位置決めするための複数の位置決め部５６と、複数の拡散配線部１４を位置決めするための複数の位置決め部５８とを有する。位置決め部５６及び位置決め部５８は、複数のプローブブロック４７をウェハ上の複数の検体２に対して位置決めし、プローブユニット１９に対して拡散配線板１４を位置決めするために、リソグラフィによって高い位置精度で形成されている。

図３及び図３２に示すように、接続位置決め板１６の複数の位置決め部５６と複数のプローブブロック４７の第二位置決め部３１とが当接した状態で、接続位置決め板１６と複数のプローブブロック４７とは固定される。これによって、複数のプローブブロック４７をウェハ上の複数の検体２に対して正確に整列させることができる。複数の位置決め部５８と複数の拡散配線部１４の位置決め部４９とに位置決めピン１０５（図３参照）が当接した状態で、接続位置決め板１６と拡散配線部１４とが固定される。これによって、プローブユニット１９と拡散配線部１４とが正確に位置決めされる。また、位置決めピン１０５を用いずに、拡散配線部１４の位置決め部を柱状に形成してもよい。

尚、複数組のプローブブロック４７及び拡散配線部１４を複数の検体２に対してさらに高精度に整列させるために、接続位置決め板１６と検体２が形成されるウェハとの熱膨張係数が近似していることが望ましい。例えばウェハがＳｉであれば、接続位置決め板１６にＳｉや石英を用いることが望ましい。

以下、接続位置決め板１６にＳｉを用いた場合を例に採り、位置決め部５６、５８の形成方法を説明する。はじめにＳｉ基板上にリソグラフィを用いて所定のレジストパターンを形成する。次にＤｅｅｐＲＩＥでＳｉ基板に凹みを形成する。次にＳｉ基板の凹みと反対側からＳｉ基板を研磨して薄くし、凹みをＳｉ基板を貫通するような孔に加工することにより、位置決め部５６、５８を形成する。リソグラフィを用いることにより、位置決め部５６、５８を高い位置精度及び寸法精度で形成することができる。この他の方法としては、機械加工によって位置決め部５６、５８を形成してもよい。尚、位置決め部５６、５８の形状は、図示したような溝状でもよいし、孔でもよいし、凸形状であってもよい。

尚、接続位置決め板１６には補強部１７を取り付けてもよいし取り付けなくてもよい。例えば図３及び図３２に示したように、二つの接続位置決め板１６を補強部１７で連結して用いてもよい。

３．配線盤の構成
図３３は、配線盤を示す図である。
図３３に示すように、配線盤１１は、円形の基板５９と、基板５９の中心付近に設けられた複数の電極６０と、基板５９の外縁部に設けられた複数の外部接続電極６２と、電極６０から放射状に配線盤１１内部を通って延びている配線（図示せず）とを有する。配線は、電極６０と外部接続電極６２とを導通させている。

図３４に示すように、まず配線盤１１の所定の位置に接続位置決め板１６が固定される。次に複数の拡散配線部１４の位置決め部４９と接続位置決め板１６の複数の位置決め部５８とを位置合わせピン１０５によって位置合わせして拡散配線部１４を整列させ、拡散配線部１４を接続位置決め板１６に固定する。次に接続位置決め板１６をねじ１０６で配線盤１１に固定する。拡散配線部１４の第二電極４８と配線盤１１の電極６０とははんだ接合、ＡＣＦ接合、超音波接合などによって接合する。

さらに図１及び図３に示すように、配線盤１１に固定された接続位置決め板１６にプローブブロック４７を固定する。プローブブロック４７毎にプローブユニット１９の１つに設けられた第二位置決め部３１を接続位置決め板１６の位置決め部５６に当接させた状態でプローブロック２０を接続位置決め板１６に固定する。すると全てのプローブユニット１９が１つのウェハに形成された複数の検体に対して整列する。具体的には、プローブブロック４７毎にプローブユニット１９の１つに設けられた第二位置決め部３１と接続位置決め板１６の位置決め部５６とによってプローブブロック４７毎に１つのプローブユニット１９の位置が決まる。そのプローブユニット１９と同一のブロック２０に固定された他の３つのプローブユニット１９とは、各プローブユニット１９に設けられた第一位置決め部２８によって相互に位置決めされている。これらの各位置決め部をリソグラフィによって形成することにより、リソグラフィの高い精度でプローブユニット１９と検体とを位置合わせすることができる。また接続位置決め板１６に対してプローブユニット１９及び拡散配線部１４がそれぞれ位置決めされると、プローブユニット１９の第二突出部３４は、拡散配線部１４の第一電極４６に一対一に対応して位置決めされる。

本発明の一実施例によるプローブカードを示す平面図である。 本発明の一実施例で検査される検体を示す平面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例によるプローブアッセンブリを示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の一実施例によるプローブカードを示す断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその検体との接触状態を示す側面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例によるプローブブロックを示す斜視図であり、（Ｂ）はそのプローブブロックを構成するプローブユニットを示す斜視図である。 本発明の一実施例によるプローブユニットを示す断面図である。 本発明の一実施例によるプローブユニットの変形例を示す断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図であり、（Ｂ）は本発明の一実施例によるプローブカードの電極の接続を示す模式図である。 （Ａ１）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す正面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその平面図であり、（Ｃ１）、（Ｃ２）はその側面図である。 本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す平面図である。 （Ａ１）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す正面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその平面図であり、（Ｃ１）はその側面図である。 本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第五の構成を示す平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。 本発明の一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。 本発明の一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその斜視図であり、（Ｃ）はその断面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による第一のプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 本発明の一実施例による第二のプローブユニットの製造方法を示す斜視図である。 （Ａ）は、本発明の一実施例による拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。 （Ａ）は本発明の一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部と接続位置決め板との位置決めの構成を示す模式図であり、（Ｂ）は接続位置決め板を示す側面図である。 本発明の一実施例による配線盤を示す平面図である。 本発明の一実施例による配線盤に接続位置決め板及び拡散配線部が取付けられた状態を示す平面図である。

符号の説明

２ 検体、３ 電極、１０ プローブアッセンブリ、１３ 位置決めロッド、１５ 位置決め板、１９、１９ａ〜１９ｄ プローブユニット、２４ 導線、２６、２６ａ〜２６ｃ 基板、２８ 第一位置決め部、３１ 第二位置決め部、３２ 第一突出部（接触部）、３４ 第二突出部（連絡部）、４７ａ 第一プローブユニット、４７ｂ 第二プローブユニット、５３ 突部、６６ 接地導体層、６８、７０、１１９ 基板

Claims (11)

1. 第一基板と、
   第二基板と、
   中間部が前記第一基板及び前記第二基板から突出して湾曲し一端部が前記第一基板上に固定され他端部が前記第二基板上に固定されている接触部と、前記接触部の前記一端部に連なり前記第一基板に固定されている基部と、前記基部に連なり外部電極に接続される連絡部とを有し、前記中間部の非鋭利部位が検体の電極の頂面又は頂面角部に接触する導線と、
   を備えることを特徴とするプローブユニット。
2. 前記第一基板の前記導線が固定されている面の反対側の面と前記第二基板の前記導線が固定されている面の反対側の面とが対向していることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
3. 絶縁層をさらに備え、
   前記第一基板の前記導線が固定されている面と前記第二基板の前記導線が固定されている面とが、前記絶縁層を間に挟んで対向していることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
4. 第一絶縁層と、
   第二絶縁層と、
   前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間に固定されグランドに接続される導体層と、をさらに備え、
   前記第一基板の前記導線が固定されている面と前記第二基板の前記導線が固定されている面とが、前記第一絶縁層、前記第二絶縁層及び前記導体層を間に挟んで対向していることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
5. 前記第一基板の前記導線が固定されている面の反対側の面に固定されグランドに接続される第二導体層と、
   前記第二基板の前記導線が固定されている面の反対側の面に固定されグランドに接続される第三導体層と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のプローブユニット。
6. 第三基板をさらに備え、
   前記連絡部は、中間部が前記第一基板及び前記第三基板から突出して湾曲し外部電極に接続され、一端部が前記第一基板上に固定されて前記基部と連なり他端部が前記第三基板上に固定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブユニット。
7. 前記接触部の前記検体と接触する部位は金又は白金属元素からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプローブユニット。
8. 前記第一基板と前記第二基板と複数の前記導線とはリソグラフィを用いて一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のプローブユニット。
9. 複数の前記導線が互いに平行に配列され、前記検体が形成されたウェハに対して前記第一基板が垂直になる請求項８に記載のプローブユニットと、
   前記連絡部に接続される複数の第一電極と、前記第一電極同士の間隔より広い間隔で配列されている複数の第二電極と、前記第一電極と前記第二電極とを導通させる連絡線とを有する拡散配線部と、
   を備えることを特徴とするプローブアッセンブリ。
10. 中間部が第一基板及び第二基板から突出して湾曲し一端部が前記第一基板上に固定され他端部が前記第二基板上に固定されている接触部の非鋭利部位を検体の頂面又は頂面角部に接触させる接触段階と、
    前記接触段階の後に、前記接触部を介して前記検体に検査信号を入力する検査段階と、
    を含むことを特徴とする電子デバイスの検査方法。
11. 前記接触段階では、導線の両端が固定された基板を検体が形成されたウェハに対してほぼ垂直な姿勢で前記検体に接近させることを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイスの検査方法。

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