TW201438200A - 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種有機發光二極體顯示裝置，該有機發光二極體顯示裝置包括：掃描線、資料線和電源線，相互交錯排列以定義一畫素區域；一切換式薄膜電晶體，位於所述掃描線和資料線的交點處；一有機發光二極體，位於該畫素區域中；一驅動薄膜電晶體，位於該電源線與該有機發光二極體之間；以及一儲存電容，位於與該有機發光二極體相鄰，並且被配置以充電自該資料線施加的一資料信號。該儲存電容包括複數個子儲存電容，其中複數個儲存電極彼此交替地堆疊。

Description

有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光二極體顯示裝置及其製造方法。
近年來，具有降低重量和體積的平板顯示裝置正在被研發，以克服陰極射線管(CRT)重量重、體積大的缺點。該平板顯示裝置包括：液晶顯示(LCD)裝置、場致發射顯示(FED)裝置、電漿顯示面板(PDPs)、有機發光二極體顯示(OLED)裝置等。
該OLED裝置為自發光裝置，其使用電極之間的薄發光層。因此，該OLED裝置可以變得薄過於紙。此OLED裝置通過基板發射光線，並且顯示影像。為此，該OLED裝置包括：封裝基板，被配置以具有複數個畫素區域；單元驅動器陣列；以及有機發光陣列。該等畫素區域的每一個包括三種顏色(即，紅色、綠色和藍色)子畫素。此外，該等畫素區域以矩陣形式排列。
為了實現多種顏色，該OLED裝置採用有機發光層，其發射紅光、綠光和藍光。該有機發光層的每一個被置入於兩個電極之間，並且形成有機發光二極體(OLED)。
此外，該OLED裝置包括：複數個資料線，用於傳輸視頻信號；複數個閘極線，用於傳輸驅動信號；以及複數個電源線，用於傳輸電源電壓至有機發光二極體。該等資料線、閘極線和電源線相互交錯，並且定義該等畫素區域。此外，該OLED裝置包括：切換式薄膜電晶體、驅動薄 膜電晶體、儲存電容，以及有機發光二極體(OLED)，且該等元件排列在每一個畫素區域中。
由於近年來對高解析度和高速響應特性的需求，有機發光二 極體(OLED)裝置內的畫素區域必須變窄。因此，畫素區域很難確保足夠的孔徑比。此外，高速響應需要在OLED裝置中使用薄膜電晶體。此外，為了增強圖片(或影像)品質，能夠充分地儲存資料信號(或視頻信號)的高容量儲存電容必須位於畫素區域內。
然而，為了向畫素區域提供高電容，儲存電容的電極區域必 須擴大。因此，與此相反，畫素區域的孔徑比變小。因此，必須開發一種能實現確保畫素區域的充分孔徑比的大容量儲存電容的技術。
因此，本發明的實施例旨在一種有機發光二極體(OLED)D裝置及其製造方法，其基本上可以避免由於現有技術的限制和不足導致的一個或多個問題。
本實施例旨在提供一種有機發光二極體(OLED)裝置及其製造方法，其適於通過在畫素區域中形成具有雙閘極結構的薄膜電晶體實現具有高速響應特性的切換式元件。
此外，本實施例旨在提供一種有機發光二極體(OLED)裝置及其製造方法，其適於通過在畫素區域內的儲存電容區域中堆疊複數個儲存電極而實現較大於佔據面積的儲存電容。
本實施例的額外特徵及優點將在下面的說明書中予以闡述，部分將從說明書中顯而易見，或者可以通過實踐本實施例而瞭解。本實施例的優點將通過在撰寫的說明書及其申請專利範圍，以及所附圖式中特定指出的結構獲得和瞭解。
根據本實施例的一主要方面，一種有機發光二極體(OLED)裝置，包括：掃描線、資料線和電源線，彼此交錯排列以定義一畫素區域； 一切換式薄膜電晶體，位於所述掃描線和資料線的交點處；一有機發光二極體，位於該畫素區域中；一驅動薄膜電晶體，位於該電源線與該有機發光二極體之間；以及一儲存電容，位於與該有機發光二極體相鄰，並且被配置以充電自該資料線施加的一資料信號。該儲存電容包括：複數個子儲存電容，其中複數個儲存電極彼此交替地堆疊。
根據本實施例的另一主要方面，一種有機發光二極體(OLED)裝置的製造方法，包括：準備一基板，在該基板中定義一有機發光二極體區域和一儲存電容區域；在該基板上形成一第一閘極電極和一儲存電極；在提供有該第一閘極電極的該基板上依序地形成一第一閘極絕緣薄膜和一氧化物半導體層；在與該第一閘極電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一通道層，並且在與該第一儲存電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一第二儲存電極；在提供有該通道層的該基板上依序地形成一第二閘極絕緣薄膜和一金屬薄膜；在與該通道層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第二閘極電極，並且在與該儲存電容區域內的該第二儲存電極相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第三儲存電極；在提供有該第二閘極電極的該基板上形成一層間絕緣薄膜；對該層間絕緣薄膜執行一接觸孔形成製程；形成與該通道層電性連接的源/汲電極，並且在與該第三儲存電極相對的該層間絕緣薄膜上形成一第四儲存電極；在提供有該等源/汲電極的基板上形成一鈍化薄膜；以及在與該第四儲存電極相對的該鈍化薄膜上形成一第五儲存電極。
根據本實施例的再一主要方面，一種有機發光二極體(OLED)裝置的製造方法，包括：準備一基板，在該基板中定義一有機發光二極體區域和一儲存電容區域；在該基板上形成一第一閘極電極和一儲存電極；在提供有該第一閘極電極的該基板上依序地形成一第一閘極絕緣薄膜和一氧化物半導體層；在與該第一閘極電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一主動層，並且在與該第一儲存電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一主動圖案；在提供有該主動層的該基板上形成一第二閘極絕緣薄膜；在與該主動層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一遮罩圖案；通過對該主動圖案執行光線照射製程和電漿處理製程的其中之一並且增強該主動 圖案的導電性形成一第二儲存電極；在提供有該第二閘極絕緣薄膜的該基板上形成一金屬薄膜；在與該主動層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第二閘極電極，並且在與該儲存電容區域內的該第二儲存電極相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第三儲存電極；在提供有該第二閘極電極的該基板上形成一層間絕緣薄膜；對該層間絕緣薄膜執行一接觸孔形成製程；形成與該主動層電性連接的源/汲電極，並且在與第該三儲存電極相對的該層間絕緣薄膜上形成一第四儲存電極；在提供有該等源/汲電極的該基板上形成一鈍化薄膜；以及在與第四儲存電極相對的該鈍化薄膜上形成一第五儲存電極。
其他系統、方法、特徵及優點將在熟悉本領域的技術人員閱讀下面圖式和詳細說明書後變得更加明顯。可以意識到，所有這些額外的系統、方法、特徵以及優點將包括在本說明書內，並且包括在本發明的範圍內，且受到下面申請專利範圍的保護。需要注意地是，此部分不應該被視為是對下面申請專利範圍的限制。下面將結合實施例討論其他方面和優點。可以理解地是，本發明的前面概述和後面詳細描述為示例性和解釋性，並且意在為所要保護的本發明提供進一步解釋說明。
100、300‧‧‧基板
101a、301a‧‧‧第一閘極電極
101b、301b‧‧‧第二閘極電極
102、302‧‧‧第一閘極絕緣薄膜
103、303‧‧‧第二閘極絕緣薄膜
104‧‧‧導電性半導體圖案
104a‧‧‧通道層
107、307‧‧‧層間絕緣薄膜
108、308‧‧‧鈍化薄膜
115a、315a‧‧‧源電極
115b、315b‧‧‧汲電極
201、401‧‧‧第一儲存電極
202、502‧‧‧第二儲存電極
203、403‧‧‧第三儲存電極
204、404‧‧‧第四儲存電極
205、405‧‧‧第五儲存電極
216、416‧‧‧連接圖案
304‧‧‧導電部
304a‧‧‧主動層
402‧‧‧氧化物半導體圖案
AL‧‧‧主動層
C1‧‧‧第一子儲存電容
C2‧‧‧第二子儲存電容
C3‧‧‧第三子儲存電容
C4‧‧‧第四子儲存電容
C_bottom‧‧‧底部電容
Cst‧‧‧儲存電容
C_top‧‧‧頂部電容
DR-Tr‧‧‧驅動薄膜電晶體
GL‧‧‧閘極絕緣薄膜
OLED‧‧‧有機發光二極體
SW-Tr‧‧‧切換式薄膜電晶體
S-Tr‧‧‧感測薄膜電晶體
Vdata‧‧‧資料線
VDD‧‧‧電源線
Vref‧‧‧參考電壓線
所附圖式，其中包括提供對本實施例的進一步理解，並且在此結合與構成本申請案的一部分，說明本發明的實施例並且與說明書一同提供用於解釋本發明。在圖式中：第1圖為顯示根據本發明一實施例之OLED裝置的畫素結構的平面圖；第2圖為顯示第1圖的畫素結構的等效電路圖；第3A圖至第3E圖為沿第1圖I-I’和II-II’線說明OLED裝置的製造方法的剖視圖；第4A圖為說明根據本發明一實施例之在用於OLED裝置的雙閘極電極結構的薄膜電晶體內電容的連接結構的剖視圖；第4B圖為比較說明雙閘極、頂部閘極和底部閘極關於電場的電容特性的資料表； 第5圖為顯示根據本發明一實施例之在OLED裝置內的儲存電容區域的並聯結構的剖視圖；第6A圖至第6F圖為說明根據本發明另一實施例之OLED裝置之製造方法的剖視圖；第7圖為說明使用氧化物半導體層作為電容電極的普通薄膜電晶體的電容特性的資料表；第8A圖和第8B圖為說明根據本發明另一實施例之通過電漿處理氧化物半導體層實現導電性增強原理的示意圖；第9圖為比較說明具有根據本發明另一實施例之經過電漿處理的氧化物半導體層和普通氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容特性的數據表；第10A圖和第10B圖為說明根據本發明另一實施例之通過將光線照射在氧化物半導體層上實現導電性增強原理的示意圖；第11圖為比較說明具有根據本發明另一實施例之光線照射的氧化物半導體層和普通氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容特性的數據表；以及第12圖為顯示根據本發明另一實施例之在OLED裝置內的儲存電容區域的並聯結構的剖視圖。
現在將參考所附圖式對本發明的實施例進行詳細說明。下面介紹的這些實施例被提供作為示例，以向熟悉本領域的技術人員傳達其精神。因此，這些實施例可能被實施為不同形態，因此不限於在此描述的這些實施例。此外，為求圖式簡要起見，裝置的尺寸和厚度可以誇張地表述。無論如何，在包含有圖式的整個本發明中將使用相同元件符號以表示相同或相似部件。
第1圖為顯示根據本發明一實施例之OLED裝置的畫素結構的平面圖。第2圖為顯示第1圖的畫素結構的等效電路圖。
參考第1圖和第2圖，該OLED裝置通過交錯複數個資料線Vdata、掃描線Scan以及電源線VDD定義以矩陣形式排列的複數個畫素區 域。每一個畫素區域可以發射紅光、綠光、藍光和白光的其中之一，並且稱為子畫素。此外，子畫素可以三個或四個結為一組，並且形成彩色畫素。
此外，複數個參考電壓線Vref可以相鄰地且平行於資料線Vdata排列。該參考電壓線Vref可以連接至驅動薄膜電晶體DR-Tr，其位於畫素區域內，並且用於控制該驅動薄膜電晶體DR-Tr的接地狀態。
切換式薄膜電晶體SW-Tr位於掃描線Scan和資料線Vdata的交叉區域。感測薄膜電晶體S-Tr和驅動薄膜電晶體DR-Tr位於資料線Vdata和與參考電壓線Vref交錯的感測線Sense的另一交叉區域。
被配置以發射紅光、綠光、藍光和白光的其中之一的有機發光二極體(OLED)可以位於畫素區域內。該有機發光二極體R/G/B/W可以通過驅動薄膜電晶體DR-Tr控制。此外，被配置以充電資料信號(或視頻信號)的儲存電容Cst可以位於畫素區域內。該儲存電容Cst可以用於控制驅動薄膜電晶體DR-Tr。
切換式薄膜電晶體SW-Tr開啟，以響應自掃描線Scan施加的掃描信號(或閘極驅動信號)，並且充電自資料線Vdata施加的資料信號至儲存電容Cst。該驅動薄膜電晶體DR-Tr開啟，以響應在儲存電容Cst中充電的資料信號，並且控制自電源線VDD施加至有機發光二極體OLED的電流量。
感測薄膜電晶體S-Tr連接至在驅動薄膜電晶體DR-Tr與有機發光二極體OLED之間的連接節點。此外，感測薄膜電晶體S-Tr可以控制驅動薄膜電晶體DR-Tr的接地狀態。
N型電晶體被用作為第1圖和第2圖所示的薄膜電晶體DR-Tr、S-Tr和SW-Tr，作為示例。或者，P型電晶體可以被用作為第1圖和第2圖的薄膜電晶體DR-Tr、S-Tr和SW-Tr。
現在將描述根據本發明中OLED裝置的上述畫素的操作。
如果閘極驅動信號(或掃描信號)通過掃描線Scan的其中之一施加至切換式薄膜電晶體SW-Tr，切換式薄膜電晶體SW-Tr開啟。然後，通過資料線Vdata的其中之一施加的資料信號被儲存在儲存電容Cst中。
當截取掃描信號時，切換式薄膜電晶體SW-Tr關閉。因此，驅動薄膜電晶體DR-Tr開啟，以響應在儲存電容Cst中儲存的資料信號。
開啟的驅動薄膜電晶體DR-Tr控制通過電源線VDD的其中之一流至有機發光二極體OLED的電流量。根據在儲存電容Cst中儲存的資料信號控制流至有機發光二極體OLED的電流量。
有機發光二極體OLED可以包括：陽電極；陰電極；以及在兩個電極之間置入的有機化合物層HIL、HTL、EML、ETL和EIL。有機化合物層可以包括：電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、發光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。
如果驅動電壓施加於陽電極與陰電極之間，通過電洞傳輸層HTL的電洞和通過電子傳輸層ETL的電子移動至發光層EML，並且形成激發子。據此，在發光層EML中產生可見光。
與此同時，有機發光二極體OLED的孔徑面積可以根據如第1圖所示的儲存電容區域Cst增加和減少。該有機發光二極體OLED的孔徑面積可以通過縮窄儲存電容區域而變得更大。然而，儲存電容必須被設計為具有大電容值，以充分地充電自資料線Vdata施加的資料信號。因此，因為確保充分孔徑比，很難將儲存電容區域減小至極限值之下。
為了解決這個問題，本發明能夠使OLED裝置的儲存電容在結構上包括複數個子儲存電容，其通過在相同佔據面積內堆疊複數個儲存電極形成。該子儲存電容相互並聯連接。因此，總儲存電容可以變為子儲存電容的總和。
現在將通過第3A圖至第3E圖所示的OLED裝置的製造程序詳細描述本發明的儲存電容的結構。
第3A圖至第3E圖為沿第1圖I-I’和II-II’線說明OLED裝置的製造方法的剖視圖。
參考第1圖和第3A圖至第3E圖，根據本發明一實施例之OLED裝置的製造方法通過在基板100上形成第一金屬薄膜並且對該第一金 屬薄膜執行第一光罩製程而在驅動薄膜電晶體區域中形成第一閘極電極101a。同時，第一儲存電極201形成在本發明的OLED裝置內的儲存電容區域中。
第一閘極電極101a和第一儲存電極201可以由具有低電阻的不透明導電材料，如：鋁(Al)、鋁合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉭(Ta)等構成。或者，第一閘極電極101a和第一儲存電極201可以形成為多層結構，該多層結構通過堆疊透明和不透明導電材料而形成。透明導電材料可以包括：銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等。
在第一閘極電極101a和第一儲存電極201形成在基板100上之後，第一閘極絕緣薄膜102和氧化物半導體層被依序地形成在如第3B圖所示之基板100的整個表面上。
隨後，對該氧化物半導體層進行第二光罩製程。據此，通道層104a形成在與第一閘極電極101a相對的第一閘極絕緣薄膜102上，第二儲存電極202形成在第一儲存電極201上。第二儲存電極202由氧化物半導體層構成。
該氧化物半導體層可以由包含銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)和鉿(Hf)的至少其中之一的非晶氧化物材料構成。例如，如果通過濺鍍製程形成Ga-In-Zn-O的氧化物半導體層，由In2O3、Ga2O3以及ZnO構成的標靶或者由Ga-In-Zn氧化物構成的單一標靶可以用於濺鍍製程中。或者，當通過另一濺鍍製程形成Hf-In-Zn-O的氧化物半導體層，由HfO2、In2O3以及ZnO構成的標靶或者由Hf-In-Zn氧化物構成的單一標靶可以用於另一濺鍍製程中。
如第3C圖所示，在儲存電極202和通道層104a分別形成在儲存電容區域和驅動薄膜電晶體區域之後，第二閘極絕緣薄膜103和第二金屬薄膜被依序地形成在基板100的整個表面上。
此後，對第二金屬薄膜和第二閘極絕緣薄膜103執行第三光罩製程。因此，第二閘極電極101b形成在與通道層104a相對的第二閘極絕 緣薄膜103上，然後第二閘極絕緣薄膜103形成在通道層104a上。在第二閘極絕緣薄膜103上的第二閘極電極101b可以通過濕蝕刻製程形成。在通道層104a上的第二閘極絕緣薄膜103可以通過乾蝕刻製程製備。
此外，當對第二金屬薄膜和第二閘極絕緣薄膜103連續地進行濕蝕刻製程和乾蝕刻製程時，第三儲存電極203和另一第二閘極絕緣薄膜103被依序地形成在儲存電容區域內的第二儲存電極202上。第三儲存電極203通過接觸孔與在基板100上形成的第一儲存電極201進行電接觸。
在形成第二閘極電極101b和第三儲存電極203中使用的第二金屬薄膜可以由與用於形成第一閘極電極101a的第一金屬薄膜相同的材料構成。
此外，通道層104a被部分地暴露於在乾蝕刻製程中使用的電漿氣體中，以圖案化第二閘極絕緣薄膜103，從而導致缺氧現象。因此，通道層104a被部分地變為導電性半導體圖案104。
詳細地，如圖所示，被第二閘極電極101b暴露的通道層104a的兩側部在乾蝕刻製程期間暴露於電漿氣體中，並且變為導電性半導體圖案104。此外，在儲存電容區域內未覆蓋有第三儲存電極203的通道層104a的另一部分在乾蝕刻製程期間被暴露於電漿氣體中，並且變為導電性半導體圖案104。
因此，在與第三儲存電極203重疊的區域中的第二儲存電極202的一部分由氧化物半導體層構成，但是在未與第三儲存電極203重疊的區域中之其餘通道層由導電性半導體圖案104構成。
在第二閘極電極101b和第三儲存電極203形成在第二閘極絕緣薄膜103上之後，層間絕緣薄膜107形成在如第3D圖所示之基板100的整個表面上。隨後，對該層間絕緣薄膜107執行接觸孔形成製程，以暴露與第二閘極電極101b的外部區域相對的通道層104a的兩側邊緣對應的導電性半導體圖案104。
接觸孔形成製程在儲存電容區域內形成其他接觸孔。在儲存 電容區域內的接觸孔暴露部分第三儲存電極203和部分導電性半導體圖案104，其中該導電性半導體圖案104形成在與第二儲存電極202結合的單一主體中。
然後，源極/汲極金屬薄膜形成在基板100的整個表面上，並且對該源極/汲極金屬薄膜執行第四光罩製程。據此，與被第二閘極電極101b暴露的導電性半導體圖案104接觸的源電極115a/汲電極115b如第3E圖所示形成。
該源極/汲極金屬薄膜可以由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)及其合金的任意一個構成。
此外，與第三儲存電極203重疊的第四儲存電極204形成在儲存電容區域內的層間絕緣薄膜107上。該第四儲存電極204同時形成有源電極115a/汲電極115b。
第四儲存電極204形成在與第二儲存電極202結合的單一主體中。此第四儲存電極204與通過部分地去除層間絕緣薄膜107而暴露的導電性半導體圖案104進行電接觸。
此外，形成與第四儲存電極204電性分離的連接圖案216。該連接圖案216與暴露的第三儲存電極203進行電接觸。此連接圖案216用於電性連接第三儲存電極203與將在後面形成的第五儲存電極205。與第四儲存電極204類似，該連接圖案216同時形成有源電極115a/汲電極115b。
在第四儲存電極204和源電極115a/汲電極115b形成在基板100上之後，鈍化薄膜108形成在基板100的整個表面上。此外，對該鈍化薄膜108執行用於暴露部分連接圖案216的另一接觸孔形成製程。
此後，當形成有機發光二極體(OLED)的電極(陽電極和陰電極的其中之一)時，第五儲存電極205同時形成在與第四儲存電極204相對的鈍化薄膜108上。第五儲存電極205電性連接至連接圖案216。
以此方式，根據本發明之OLED裝置的儲存電容Cst可以以彼此連接的第一儲存電極201、第三儲存電極203和第五儲存電極205與彼此連 接的第二儲存電極202和第四儲存電極204交替重疊的方式形成。因此，該儲存電容Cst被配置有彼此並聯的四個子儲存電容(第5圖中的C1至C4)。
第5圖所示之子儲存電容的連接結構允許第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4以在垂直方向上彼此重疊的方式堆疊。然而，第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4彼此並聯。因此，在本發明的OLED裝置內的儲存電容的總電容值可以被設置為具有第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4的電容值的總和。
雖然本發明的儲存電容區域被定義在與現有技術的儲存電容區域相同的區域中，本發明的儲存電容Cst可以獲得與四個子儲存電容的總和對應的大儲存電容。據此，可以增強資料信號的電荷特性。
此外，本發明的OLED裝置可以通過使用不超過現有技術的儲存電容區域獲得大儲存電容值。因此，本發明的OLED裝置可以增強有機發光二極體(OLED)的孔徑比。
第4A圖為說明根據本發明一實施例之在用於OLED裝置的雙閘極電極結構的薄膜電晶體內的電容的連接結構的剖視圖。第4B圖為比較說明雙閘極、頂部閘極和底部閘極關於電場的電容特性的資料表。
參考第4A圖和第4B圖，本發明的OLED裝置包括具有雙閘極結構的薄膜電晶體。具有雙閘極結構的薄膜電晶體包括：底部電容C_bottom和頂部電容C_top，其形成在閘極電極區域中。該底部電容C_bottom形成在第一閘極電極101a與通道層104a之間。該頂部電容C_top形成在第二閘極電極101b與通道層104a之間。
然而，未與導電性半導體圖案104之間的氧化物半導體層的第二閘極電極101b和通道層104a重疊的導電性半導體圖案104可能引起問題。因此，必須確定電容是否形成在通道層104a與第一閘極電極101a和第二閘極電極101b之間。
由第4B圖可以看出，明顯地，底部電容C_bottom和頂部電容C_top分別具有約20.0F和45.0F的電容值。
此外，在驅動薄膜電晶體DR_Tr內的閘極電極區域的總電容為70.0F。換言之，明顯地，閘極電極區域的總電容對應於底部電容C_bottom和頂部電容C_top的總和。
因此，顯而易見地是，電容形成在薄膜電晶體內的通道層104a與閘極電極101a和101b之間。
雖然OLED裝置允許氧化物半導體層的金屬材料電極和通道層彼此交替地堆疊，但儲存電容明顯地形成於其間。
第5圖為顯示根據本發明一實施例之在OLED裝置內的儲存電容區域的並聯結構的剖視圖。
參考第5圖，本發明的OLED裝置在畫素區域內提供一儲存電容區域。如第3E圖所示，儲存電容Cst具有包括依序地堆疊在基板100上的第一儲存電極201至第五儲存電極205的結構。
第一閘極絕緣薄膜102和第二閘極絕緣薄膜103、層間絕緣薄膜107和鈍化薄膜108位於第一儲存電極201至第五儲存電極205之間。
據此，第一子儲存電容C1形成在第一儲存電極201和第二儲存電極202之間。此外，第二子儲存電容C2形成在第二儲存電極202和第三儲存電極203之間。此外，第三子儲存電容C3形成在第三儲存電極203和第四儲存電極204之間。此外，第四子儲存電容C4形成在第四儲存電極204和第五儲存電極205之間。
如第4A圖和第4B圖所示，第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4彼此並聯。因此，根據本發明中的OLED裝置的儲存電容Cst可以變為第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4的總和。此外，雖然第二儲存電極202為由氧化物半導體構成的通道層，第二儲存電極202與導電性半導體圖案104可一同具有金屬特性，並且被用作為電極。
【方程式1】儲存電容Cst=第一子儲存電容C1+第二子儲存電容C2+第三子儲存電容C3+第四子儲存電容C4。
換言之，可以通過上述方程式1定義儲存電容Cst。
因此，本發明的OLED裝置可以通過使用不超過現有技術的儲存電容區域的儲存電容區域獲得大儲存電容值。此外，本發明的OLED裝置可以通過使用不超過現有技術之儲存電容區域的儲存電容區域獲得所需儲存電容值。
此外，雖然根據本發明中OLED裝置的儲存電容區域被定義為窄於現有技術的儲存電容區域，可以獲得大儲存電容Cst。據此，可以擴大有機發光二極體區域。換言之，畫素區域的孔徑比可以變得更大。
第6A圖至第6F圖為說明根據本發明另一實施例之OLED裝置的製造方法的剖視圖。
根據本發明的另一實施例中的OLED裝置具有與第1圖所示畫素相同的平面結構。因此，第6A圖至第6F圖顯示之儲存電容區域對應於沿第1圖I-I’線的部分，並且第6A圖至第6F圖顯示之薄膜電晶體區域對應於沿第1圖另一線II-II’的另一部分。
為了便於說明，現在將描述根據本發明另一實施例之OLED裝置的製造方法以及第1圖所示的畫素的平面結構。
參考第1圖和第6A圖至第6F圖，根據本發明另一實施例之OLED裝置的製造方法通過在基板300上形成第一金屬薄膜並且對該第一金屬薄膜執行第一光罩製程而在驅動薄膜電晶體區域中形成第一閘極電極301a。同時，第一儲存電極401形成在本發明的OLED裝置內的儲存電容區域中。
第一閘極電極301a和第一儲存電極401可以由具有低電阻的不透明導電材料，如：鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉭(Ta)等構成。或者，第一閘極電極301a和第一儲存電極401可以形成為多層結構，該多層結構通過堆疊透明和不透明導電材料而形成。透明導電材料可以包括：銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等。
在第一閘極電極301a和第一儲存電極401形成在基板300上之後，第一閘極絕緣薄膜302和氧化物半導體層被依序地形成在如第6B圖和第6C圖所示的基板300的整個表面上。
隨後，對氧化物半導體層執行第二光罩製程。據此，主動層304a形成在與第一閘極電極301a相對的第一閘極絕緣薄膜302上，並且氧化物半導體圖案402形成在第一儲存電極401上。
氧化物半導體層可以由包含銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)和鉿(Hf)的至少其中之一的非晶氧化物材料構成。例如，如果通過濺鍍製程形成Ga-In-Zn-O的氧化物半導體層，由In2O3、Ga2O3以及ZnO構成的複數個標靶或者由Ga-In-Zn氧化物構成的單一標靶可以用於濺鍍製程中。或者，當通過另一濺鍍製程形成Hf-In-Zn-O的氧化物半導體層時，由HfO2、In2O3以及ZnO構成的複數個標靶或者由Hf-In-Zn氧化物構成的單一標靶可以用於另一濺鍍製程中。
在氧化物半導體圖案402和主動層304a分別形成在儲存電容區域和驅動薄膜電晶體區域中之後，第二閘極絕緣薄膜303形成在基板300的整個表面上。
此後，遮罩圖案600形成在第二閘極絕緣薄膜303上，對提供有遮罩圖案600的基板300的整個表面進行紫外線照射製程和電漿處理製程的其中之一。遮罩圖案600允許其下的主動層304a暴露於紫外線或電漿氣體中。此遮罩圖案600可以由光敏薄膜構成。
雖然對基板300的表面進行紫外線照射製程或電漿處理製程，覆蓋有遮罩圖案600的主動層304a不受紫外線或電漿氣體的影響，因為紫外線或電漿氣體被遮罩圖案600攔截。與此同時，在第一儲存電極401上形成的氧化物半導體圖案暴露於紫外線或電漿氣體中，並且變為具有優良導電性的第二儲存電極502。
下面將通過第8A圖、第8B圖、第10A圖和第10B圖的描述詳細說明通過紫外線照射製程或電漿處理製程增強第二儲存電極502的導電性的原理。
在形成第二儲存電極502之後，自第二閘極絕緣薄膜303去除遮罩圖案600。
金屬化的第二儲存電極502可以具有較由氧化物半導體材料構成的第二儲存電極優良的導電特性。因此，金屬化的第二儲存電極502可以增加儲存電容的電容。因此，該儲存電容可以穩定地確保所需電容。
在形成第二儲存電極502之後，第二金屬薄膜形成在如第6D圖所示的基板300的整個表面上。隨後，對第二金屬薄膜和第二閘極絕緣薄膜303執行第三光罩製程。因此，第二閘極電極301b形成在與主動層304a相對的第二閘極絕緣薄膜303上，然後第二閘極絕緣薄膜圖案303形成在主動層304a上。在第二閘極絕緣薄膜303上的第二閘極電極301b可以通過濕蝕刻製程形成。在主動層304a上的第二閘極絕緣薄膜圖案303可以通過乾蝕刻製程圖案化。該濕蝕刻製程和乾蝕刻製程可以連續地進行。
此外，藉由電漿氣體金屬化主動層304a的兩側邊緣，該電漿氣體用於乾蝕刻製程以圖案化第二閘極絕緣薄膜303，因為第二閘極電極301b與主動層204a的中心部分重疊。換言之，如圖所示，被第二閘極電極301b暴露的主動層304a的兩側部在乾蝕刻製程期間暴露於電漿氣體中，其中在濕蝕刻製程之後進行乾蝕刻製程，並且變為導電部304。
此外，與第二儲存電極502重疊的第三儲存電極403形成在儲存電容區域內，因為覆蓋第二儲存電極502的第二金屬薄膜和第二閘極絕緣薄膜303通過濕蝕刻製程和乾蝕刻製程被依序地蝕刻。第三儲存電極403與在基板300上形成的第一儲存電極401通過接觸孔進行電接觸。
在形成第二閘極電極301b和第三儲存電極403中使用的第二金屬薄膜可以由與在形成第一閘極電極301a中使用的第一金屬薄膜的相同金屬構成。
在第二閘極電極301b和第三儲存電極403形成在第二閘極絕緣薄膜303上之後，層間絕緣薄膜307形成在如第6E圖所示的基板300的整個表面上。隨後，對層間絕緣薄膜307執行接觸孔形成製程，以暴露與第二閘極電極301b的外部區域相對的主動層304a的兩側邊緣對應的導電部304。
接觸孔形成製程在儲存電容區域內形成其他接觸孔。在儲存電容區域內的接觸孔暴露部分第三儲存電極403和部分擴張部，該部分擴張部形成在與第二儲存電極502結合的單一主體中。
此後，源極/汲極金屬薄膜形成在基板300的整個表面上，並且對源極/汲極金屬薄膜執行第四光罩製程。據此，與被第二閘極電極301b暴露的主動層304a的導電部304接觸的源電極315a/汲電極315b如第6F圖所示形成。
源極/汲極金屬薄膜可以由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)及其合金的任意一個構成。
此外，與第三儲存電極403重疊的第四儲存電極404形成在儲存電容區域內的層間絕緣薄膜307上。該第四儲存電極404與源電極315a/汲電極315b同時形成。
此第四儲存電極404與通過部分地去除層間絕緣薄膜307而暴露的第二儲存電極502的擴張部進行電接觸。換言之，第四儲存電極404與第二儲存電極502通過接觸孔進行電性連接。
此外，形成與第四儲存電極404電性分離的連接圖案416。該連接圖案416與暴露的第三儲存電極403進行電接觸。此連接圖案416用於電性連接第三儲存電極403和將在後面形成的第五儲存電極405。與第四儲存電極404類似，連接圖案416與源電極315a/汲電極315b同時形成。
在第四儲存電極404和源電極315a/汲電極315b形成在基板300上之後，鈍化薄膜308形成在基板300的整個表面上。此外，對該鈍化薄膜308執行用於暴露部分連接圖案416的另一接觸孔形成製程。
隨後，當形成有機發光二極體(OLED)的電極(陽電極和陰電極的其中之一)時，第五儲存電極405同時形成在與第四儲存電極404相對的鈍化薄膜308上。第五儲存電極405電性連接至連接圖案416。
以此方式，根據本發明中OLED裝置的儲存電容Cst可以以彼此連接的第一儲存電極401、第三儲存電極403和第五儲存電極405與彼此連 接的第二儲存電極502和第四儲存電極404交替地重疊的方式形成。因此，該儲存電容Cst被配置有彼此並聯的四個子儲存電容(第5圖中的C1至C4)。
子儲存電容的此連接結構允許第一儲存電容C1至第四子儲存電容C4以此在垂直方向中彼此重疊的方式堆疊，如第12圖所示。然而，第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4彼此並聯。因此，在本發明的OLED裝置內的儲存電容Cst的總電容值可以被設置為具有第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4的電容值的總和。
雖然本發明的儲存電容區域被定義在與現有技術的儲存電容區域相同的區域中，本發明的儲存電容Cst可以獲得與四個子儲存電容的總和對應的大儲存電容。據此，可以增強資料信號的電荷特性。
此外，本發明的OLED裝置可以通過使用不超過現有技術的儲存電容區域的儲存電容區域獲得大儲存電容值。因此，本發明的OLED裝置可以增強有機發光二極體區域的孔徑比。
此外，本發明的OLED裝置對用於形成儲存電容的電極的氧化物半導體圖案執行光線照射製程或電漿處理製程，增強電極的導電性。因此，該儲存電容可以穩定地確保所需電容。
第7圖為說明使用氧化物半導體層作為電容電極的普通薄膜電晶體的電容特性的資料表。如第7圖所示，當施加低電壓時，使用氧化物半導體作為電極的電容具有較低導電性。因此，由氧化物半導體構成的電極惡化電容的特性。
當不驅動OLED裝置時，沒有任何問題，因為不需要電容。然而，儲存電容的電容可以通過在驅動間隔期間施加的至少5V的高壓正常地產生。與此同時，儲存電容的電容在約0~5V的低壓區間中減少。
換言之，被配置有在畫素區域內的氧化物半導體構成的電極的儲存電容具有導電特性，但是該導電特性在低壓區間劣化。因此，該儲存電容的特性一定惡化。
在另一方面，本發明對由氧化物半導體構成的儲存電極執行 光線照射製程或電漿處理製程，並且增強儲存電極的導電性。因此，該儲存電容可以具有增強特性。
第8A圖和第8B圖為說明根據本發明另一實施例之通過電漿處理氧化物半導體層實現導電性增強原理的示意圖。第9圖為比較說明具有根據本發明的另一實施例中經過電漿處理的氧化物半導體層和普通氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容特性的數據表。
如第8A圖、第8B圖和第9圖所示，主動層AL由氧化物半導體構成，閘極絕緣薄膜GL形成在主動層AL上。如果閘極絕緣薄膜GL暴露於電漿氣體中，改變矽原子的結合狀態，然後改變閘極絕緣薄膜GL和主動層AL的內部充電狀態，由於原子之間的碰撞。通常，電漿氣體能夠在閘極絕緣薄膜GL中產生正電荷。因此，內部電場產生在閘極絕緣薄膜GL與主動層AL之間，如第8B圖所示。
內部電場增強主動層AL的導電性。因此，經過電漿處理的主動層AL可以具有較由氧化物半導體構成的普通主動層優良的導電特性。
從第9圖中可以看出，明顯地，與普通氧化物半導體層As-dep不同，經過電漿處理的氧化物半導體層增強在約0~5V的低壓區間中導電特性。換言之，電漿處理可以將具有普通氧化物半導體電極的電容的特性向左平移。因此，可以使用電漿處理增強儲存電容在低壓區間中的電容特性。
第10A圖和第10B圖為說明根據本發明另一實施例之通過將光線照射在氧化物半導體層實現導電性增強原理的示意圖。第11圖為比較說明具有根據本發明另一實施例之光線照射的氧化物半導體層和普通氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容特性的數據表。
參考第10A圖、第10B圖和第11圖，當光線照射在氧化物半導體上時，在氧化物半導體內產生空位，而載子的密度變為更高。
因此，費米能階Ef基於價帶朝向導帶移動。據此，增強被光線照射的氧化物半導體的電流特性。
如圖所示，在初始氧化物半導體中費米能階與導帶之間的能 隙約為0.54eV，但是在被光線照射的氧化物半導體中費米能階Ef與導帶Ec之間的能隙變約為0.24eV。
第10B圖說明在光線被遮罩的黑暗狀態中在50℃、60℃、70℃以及80℃的溫度下測量的被光線照射的氧化物半導體和初始氧化物半導體的電流特性。從第10B圖中可以明顯地看出，被光線照射的氧化物半導體“□”可以具有比未暴露於光線的初始氧化物半導體“○”更大的電流量。
被光線照射的氧化物半導體可以具有增強的導電性。因此，在第一閘極電極與第二閘極電極之間置入的薄膜電晶體的氧化物半導體層可以被用作為儲存電極。
在此情況下，薄膜電晶體的第一閘極電極和第二閘極電極可以基於具有優良導電性的儲存電容電極彼此並聯。因此，可以增加具有氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容。
從第11圖可以明顯地看出，具有光線照射的氧化物半導體層的薄膜電晶體的電容“★”變為比具有未暴露於光線的初始(或正常)氧化物半導體層的普通薄膜電晶體的電容“●”更大。
第12圖為顯示根據本發明另一實施例之在OLED裝置內的儲存電容區域的並聯結構的剖視圖。
參考第12圖，本發明的OLED裝置在畫素區域內提供儲存電容區域。如第6F圖所示，儲存電容Cst具有包含依序地堆疊在基板300上的第一儲存電極至第五儲存電極401、502和403至405的結構。
第一閘極絕緣薄膜302和第二閘極絕緣薄膜303、層間絕緣薄膜307和鈍化薄膜308置入於第一儲存電極至第五儲存電極401、502及403至405之間。
據此，第一子儲存電容C1形成在第一儲存電極401和第二儲存電極502之間。此外，第二子儲存電容C2形成在第二儲存電極502和第三儲存電極403之間。此外，第三子儲存電容C3形成在第三儲存電極403和第 四儲存電極404之間。此外，第四子儲存電容C4形成在第四儲存電極404和第五儲存電極405之間。
以此方式，在等效電路中，第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4彼此並聯連接。因此，根據本發明中的OLED裝置的儲存電容Cst可以變為第一子儲存電容C1至第四子儲存電容C4的總和。此外，雖然第二儲存電極502由氧化物半導體構成，第二儲存電極502可以通過光線照射或電漿處理具有增強的導電性。因此，本發明的儲存電容可以穩定地確保大儲存電容。
因此，雖然本發明的儲存電容區域被定義在與現有技術的儲存電容區域相同的區域中，本發明的儲存電容Cst可以獲得與四個子儲存電容的總和對應的大儲存電容。據此，可以增強資料信號的電荷特性。
此外，雖然根據本發明中的OLED裝置的儲存電容區域被定義為窄於現有技術中的OLED裝置的儲存電容區域，可以獲得大儲存電容Cst。據此，可以擴大有機發光二極體區域。換言之，有機發光二極體區域的孔徑比可以變為更大。
此外，本發明的OLED裝置對用於形成儲存電容的電極的氧化物半導體圖案執行光線照射製程或電漿處理製程，增強電極的導電性。因此，該儲存電容可以穩定地確保所需電容。
雖然已經參考本發明的大量說明性實施例描述本實施例，應該理解地是，在本發明的原則的精神和範圍內，熟悉本領域的技術人員可以設計許多其他修改和實施例。尤其是，在本發明、所附圖式以及所附申請專利範圍的範圍內，可以對組成部件及/或主體結合排列的排列方式作出各種變換及修改。除對組成部件及/或排列方式進行變換及修改之外，熟悉本領域的技術人員顯然也可以做其他使用。
本申請主張於2013年3月26日提交的韓國專利申請第10-2013-0031852號以及於2013年7月31日提交的韓國專利申請第10-2013-0090778號的優先權權益，該等專利申請在此全部引用作為參考。
100‧‧‧基板
101a‧‧‧第一閘極電極
101b‧‧‧第二閘極電極
102‧‧‧第一閘極絕緣薄膜
103‧‧‧第二閘極絕緣薄膜
104‧‧‧導電性半導體圖案
104a‧‧‧通道層
107‧‧‧層間絕緣薄膜
108‧‧‧鈍化薄膜
115a‧‧‧源電極
115b‧‧‧汲電極
201‧‧‧第一儲存電極
202‧‧‧第二儲存電極
203‧‧‧第三儲存電極
204‧‧‧第四儲存電極
205‧‧‧第五儲存電極
216‧‧‧連接圖案

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體顯示裝置，包括：掃描線、資料線和電源線，相互交錯排列以定義一畫素區域；一切換式薄膜電晶體，設置於所述掃描線和資料線的交點處；一有機發光二極體，設置於該畫素區域中；一驅動薄膜電晶體，設置於該電源線與該有機發光二極體之間；以及一儲存電容，設置於與該有機發光二極體相鄰，並且被配置以充電自該資料線施加的一資料信號，其中，該儲存電容包括複數個子儲存電容，其中複數個儲存電極彼此交替地堆疊。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，進一步包括：一感測薄膜電晶體，連接在該驅動薄膜電晶體與該有機發光二極體之間，該感測薄膜電晶體被配置以控制該驅動薄膜電晶體的接地狀態。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該切換式薄膜電晶體與該驅動薄膜電晶體的每一個包括由一氧化物半導體層構成的一通道層。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中：該儲存電容包括：第一儲存電極、第二儲存電極、第三儲存電極、第四儲存電極，以及第五儲存電極；以及該等子儲存電容包括：第一子儲存電容、第二子儲存電容、第三子儲存電容，以及第四子儲存電容，形成在該第一儲存電極至該第五儲存電極之間。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該第一儲存電極、該第三儲存電極以及該第五儲存電極彼此電性連接；該第二儲存電極和該第四儲存電極彼此電性連接；以及該第一子儲存電容至該第四子儲存電容彼此並聯。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示裝置，其中，該切換式薄膜電晶體和該驅動薄膜電晶體在一雙閘極結構中形成，該雙閘極結構包括在其間具有一通道層的一第一閘極電極和一第二閘極電極。
  7. 一種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，該方法包括：準備一基板，在該基板中定義一有機發光二極體區域和一儲存電容區域；在該基板上形成一第一閘極電極和一第一儲存電極；在提供有該第一閘極電極的該基板上依序地形成一第一閘極絕緣薄膜和一氧化物半導體層；在與該第一閘極電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一通道層，並且在與該第一儲存電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一第二儲存電極；在提供有該通道層的該基板上依序地形成一第二閘極絕緣薄膜和一金屬薄膜；在與該通道層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第二閘極電極，並且在與該儲存電容區域內的該第二儲存電極相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第三儲存電極；在提供有該第二閘極電極的該基板上形成一層間絕緣薄膜；對該層間絕緣薄膜執行一接觸孔形成製程；形成與該通道層電性連接的源電極和汲電極，並且在與該第三儲存電極相對的該層間絕緣薄膜上形成一第四儲存電極；在提供有該等源電極和汲電極的該基板上形成一鈍化薄膜；以及在與該第四儲存電極相對的該鈍化薄膜上形成一第五儲存電極。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該通道層由該氧化物半導體層構成。
  9. 依據申請專利範圍第7項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方 法，其中，形成該第二閘極電極和該第三儲存電極包括：一濕蝕刻製程，用於蝕刻該金屬薄膜，以形成該第二閘極電極和該第三儲存電極；以及一乾蝕刻製程，用於圖案化在該第二閘極電極和該第三儲存電極下面的該第二閘極絕緣薄膜。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該乾蝕刻製程用於部分地去除該第二閘極絕緣薄膜，並且通過電漿氣體能夠使該第二閘極電極下面的部分該通道層變為一導電性半導體圖案。
  11. 依據申請專利範圍第7項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該儲存電容區域包括該第一儲存電極至該第五儲存電極，並且具有與在該第一儲存電極至該第五儲存電極之間形成的一第一子儲存電容、一第二子儲存電容、一第三子儲存電容以及一第四子儲存電容的總和對應的一電容值。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第一儲存電極、該第三儲存電極以及該第五儲存電極彼此電性連接；該第二儲存電極和該第四儲存電極彼此電性連接；以及該第一子儲存電容至該第四子儲存電容彼此並聯連接。
  13. 依據申請專利範圍第7項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第二儲存電極由該通道層構成。
  14. 一種製造有機發光二極體顯示裝置的方法，該方法包括：準備一基板，在該基板中定義一有機發光二極體區域和一儲存電容區域；在該基板上形成一第一閘極電極和一儲存電極； 在提供有該第一閘極電極的該基板上依序地形成一第一閘極絕緣薄膜和一氧化物半導體層；在與該第一閘極電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一主動層，並且在與一第一儲存電極相對的該第一閘極絕緣薄膜上形成一主動圖案；在提供有該主動層的該基板上形成一第二閘極絕緣薄膜；在與該主動層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一遮罩圖案；通過對該主動圖案執行光線照射製程和電漿處理製程的其中之一並且增強該主動圖案的導電性形成一第二儲存電極；在提供有該第二閘極絕緣薄膜的該基板上形成一金屬薄膜；在與該主動層相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第二閘極電極，並且在與該儲存電容區域內的該第二儲存電極相對的該第二閘極絕緣薄膜上形成一第三儲存電極；在提供有該第二閘極電極的該基板上形成一層間絕緣薄膜；對該層間絕緣薄膜執行一接觸孔形成製程；形成與該主動層電性連接的源電極和汲電極，並且在與該第三儲存電極相對的該層間絕緣薄膜上形成一第四儲存電極；在提供有該等源電極和汲電極的該基板上形成一鈍化薄膜；以及在與該第四儲存電極相對的該鈍化薄膜上形成一第五儲存電極。
  15. 依據申請專利範圍第14項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該主動層和該第二儲存電極由一氧化物半導體構成。
  16. 依據申請專利範圍第14項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第二閘極電極和該第三儲存電極之形成包括：一濕蝕刻製程，用於蝕刻該金屬薄膜，以形成該第二閘極電極和該第三儲存電極；以及一乾蝕刻製程，用於圖案化在該第二閘極電極和該第三儲存電極下面的該第二閘極絕緣薄膜。
  17. 依據申請專利範圍第16項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的 方法，其中，該乾蝕刻製程用於部分地去除該第二閘極絕緣薄膜，並且通過一電漿氣體使在該第二閘極絕緣薄膜下面的該主動層的兩側邊緣能夠變為導電部。
  18. 依據申請專利範圍第14項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該儲存電容區域包括該第一儲存電極至該第五儲存電極，並且具有與在該第一儲存電極至該第五儲存電極之間形成的第一子儲存電容、第二子儲存電容、第三子儲存電容以及第四子儲存電容的總和對應的一電容值。
  19. 依據申請專利範圍第18項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該第一儲存電極、該第三儲存電極以及該第五儲存電極彼此電性連接；該第二儲存電極和該第四儲存電極彼此電性連接；以及該第一子儲存電容至該第四子儲存電容彼此並聯連接。
  20. 依據申請專利範圍第14項所述之製造有機發光二極體顯示裝置的方法，其中，該氧化物半導體層包括：銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)和鉿(Hf)的至少其中之一。
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