TW201428877A - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及處方的作成方法 - Google Patents

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及處方的作成方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題是在處方自動設定對應於處理基板片數的製程參數(PP)。其解決手段係基板處理裝置具備：處理室；處方記憶部，其係記憶製程處方(PR)；及PPF記憶部，其係記憶包含複數個條件表(JT)的製程參數檔案(PPF)，該條件表(JT)係按照處理基板片數來使供以實行PR的PP與參數項目名(P名)有所對應；其係進行：處方顯示步驟(RS)，其係顯示被記憶於處方記憶部的PR中的PP；P名顯示步驟(P名S)，其係顯示被記憶於PPF記憶部的PPF中的P名；處方參數置換步驟(RPS)，其係以P名來置換PP；實行RS、P名S及RPS來作成第1處方的步驟；DL步驟，其係於處理基板片數被指定時，將第1處方及對應於所被指定的基板片數的JT下載(DL)；及以前述被DL的JT中的PP來置換被DL的第1處方中的P名，而作成第2處方的步驟。

Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及處方的作成方法
本發明是有關以設定於參數檔案的製程參數來置換用以處理基板的處方中所被設定的處理時間或處理溫度等的製程參數之處方的作成方法、及實行作成的處方之基板處理裝置或使用該被作成的處方之半導體裝置的製造方法。
縱型成膜裝置等的基板處理裝置是將搭載複數(數十~百數十片)的基板之晶舟收容於處理室內而供給處理氣體且加熱，將處理室內的壓力或溫度設定成預定值，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法等來對基板表面上進行各種的處理。
在如此的基板處理裝置中，在膜厚不同的基板例如虛擬基板及製品基板混在的狀態下將處理氣體導入至處理爐內而處理時，可知堆積於製品基板的膜厚會因堆積於晶舟、處理爐的爐壁及虛擬基板的累積膜厚而變動，或堆積於製品基板的膜厚會依搭載於晶舟的製品基板的片數而變 動。
因此，為了抑制堆積於製品基板的膜厚的變動，有關累積膜厚是例如在下記的專利文獻1所記載般利用累積膜厚與溫度的關係來進行加熱控制，有關製品基板的片數是例如下記的專利文獻2所記載般作成對應於製品基板的片數的處方實行。
為了對製品基板進行所望的處理，一般需要至少作成最適的處方(此情況特別是製程處方)。此時，在製程處方是設定有處理時間或處理室內的壓力或溫度等多數的製程參數。例如，在下記的專利文獻3是記載利用共用參數來效率佳地作成處方。在此，所謂共用參數是在構成處方的各處理步驟設定同數值的製程參數時等使用的參數。藉由預先設定共用參數，可在各處理步驟省去輸入製程參數的麻煩便利行事。
然而，為了進行對應於累積膜厚或製品基板片數的變動之膜厚控制，需要詳細調整製程參數的值，但前述共用參數是如此的詳細調整未被考慮。因此，在作成用以進行對應於累積膜厚或製品基板片數的變動之膜厚控制的製程處方時，只能藉由操作者手輸入來設定多數的製程參數，費工費事。而且，難以使操作者的輸入錯誤形成零，以錯誤的製程參數來實行製程處方時製品成註銷的可能性高之問題也淺在。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2003-109906號公報
〔專利文獻2〕日本特開2005-093747號公報
〔專利文獻3〕日本特開2000-133595號公報
本發明的目的是在於提供一種可在製程處方實行前自動地設定適合於其製程條件的製程參數之基板處理技術。
為了解決前述課題之本發明的一形態是如其次般。
亦即，一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係處理基板；處方記憶部，其係記憶用以處理基板的製程處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照在前述處理室所被處理的基板片數來使供以實行前述製程處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行前述製程處方；及顯示部，其係顯示各種資訊， 前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的製程處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係以前述參數項目名來置換前述製程參數；實行前述處方顯示步驟，前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟；下載步驟，其係於前述處理室所被處理的基板片數被指定時，將前述第1處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表下載至前述控制部；及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第1處方中的參數項目名。
又，本發明的其他一形態是如其次般。
亦即，一種半導體裝置的製造方法，係具備：處方顯示步驟，其係顯示用以處理基板的處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示條件表中的參數項目名，該條件表係按照被處理的基板片數來使供以實行處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；處方參數置換步驟，其係以前述參數項目名來置換前 述製程參數；實行前述處方顯示步驟、前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟；在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟；及對於前述被指定的片數的基板實行前述第2處方的步驟。
又，本發明的其他一形態是如其次般。
亦即，一種處方作成方法，係具備：處方顯示步驟，其係顯示用以處理基板的處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示條件表中的參數項目名，該條件表係按照被處理的基板片數來使供以實行處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；處方參數置換步驟，其係以前述參數項目名來置換前述製程參數；及實行前述處方顯示步驟、前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟；及在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
若根據上述的構成，則可在製程處方實行前自動地設定適合其製程條件的製程參數。
10‧‧‧控制部
11‧‧‧主控制部
12‧‧‧溫度控制部
13‧‧‧氣體流量控制部
14‧‧‧壓力控制部
15‧‧‧搬送控制部
20‧‧‧記憶部
21‧‧‧處方記憶部
21a‧‧‧結合資訊部
22a‧‧‧VP記憶部
22b‧‧‧CP記憶部
23‧‧‧製程條件記憶部
24‧‧‧工作記憶部
31‧‧‧操作部
32‧‧‧顯示部
100‧‧‧基板處理裝置
105‧‧‧旋轉架
110‧‧‧晶盒
111‧‧‧框體
111a‧‧‧正面壁
112‧‧‧晶盒搬入搬出口
113‧‧‧前遮擋板
114‧‧‧裝載埠
115‧‧‧晶舟升降機
116‧‧‧支柱
117‧‧‧架板
118‧‧‧晶盒搬送裝置
119‧‧‧副框體
120‧‧‧晶圓搬入搬出口
121‧‧‧晶盒開啟器
122‧‧‧載置台
123‧‧‧蓋裝卸機構
124‧‧‧移載室
125‧‧‧晶圓移載機構
128‧‧‧懸臂
133‧‧‧淨化空氣
134‧‧‧淨化單元
142‧‧‧晶圓搬入搬出開口
147‧‧‧爐口遮擋板
200‧‧‧晶圓(基板)
202‧‧‧處理爐
217‧‧‧晶舟(基板保持具)
219‧‧‧密封蓋
圖1是本發明的實施形態的基板處理裝置的立體圖。
圖2是本發明的實施形態的基板處理裝置的側面透視圖。
圖3是本發明的實施形態的基板處理裝置的控制部及記憶部的構成例。
圖4是本發明的實施形態的處方顯示畫面例。
圖5是本發明的實施形態的VP檔案構造。
圖6是本發明的實施形態的CP檔案構造。
圖7是本發明的實施形態的VP處理的概要。
圖8是說明本發明的實施形態的VP處理的處方重寫的圖。
圖9是本發明的實施形態的CP處理的概要。
圖10是說明本發明的實施形態的CP表檢索處理的圖。
圖11是說明本發明的實施形態的CP處理的處方重寫的圖。
以下，參照圖面來說明本發明的實施形態的基板處理裝置。在本實施形態中，基板處理裝置是構成為實施半導體裝置(IC：Integrated Circuit)的製造方法的處理工程之半導體製造裝置，作為其一例。另外，在以下的說明中是敘述有關適用對基板進行氧化、擴散處理或CVD處理等的分批式縱型半導體製造裝置(以下簡稱處理裝置)作為基板處理裝置。圖1是本發明所適用的處理裝置的透視圖，作為立體圖顯示。又，圖2是圖1所示的處理裝置的側面透視圖。
如圖1或圖2所示般，本實施形態的處理裝置100是使用晶盒110作為收納由矽等所構成的晶圓(基板)200的晶圓載體，具備框體111。在框體111的正面壁111a是晶盒搬入搬出口112會被開設成連通框體111的內外，晶盒搬入搬出口112是藉由前遮擋板(front shutter)113來開閉。在晶盒搬入搬出口112的正面前方側設置有裝載埠114，裝載埠114是載置晶盒110。晶盒110是在裝載埠114上藉由工程內搬送裝置(未圖示)來搬入，且從裝載埠114上搬出。
在框體111內的前後方向的大略中央部的上部是設置有旋轉架105，旋轉架105是以支柱116為中心旋轉，在架板117保管複數個的晶盒110。
如圖2所示般，在框體111內的裝載埠114與旋轉架105之間是設置有晶盒搬送裝置118。晶盒搬送裝置118是以可保持晶盒110昇降的晶盒升降機118a及作為水平 搬送機構的晶盒搬送機構118b所構成，在裝載埠114、旋轉架105及晶盒開啟器121之間搬送晶盒110。
如圖2所示般，在框體111內的前後方向的大略中央部的下部，副框體119會被構築於後端。在副框體119的正面壁119a，用以對副框體119內搬入搬出晶圓200的晶圓搬入搬出口120會一對排列在垂直方向上下二段開設，且在上下段的晶圓搬入搬出口120、120分別設置有一對的晶盒開啟器121、121。
晶盒開啟器121是具備：載置晶盒110的載置台122、122，及裝卸晶盒110的蓋(蓋體)的蓋裝卸機構123、123。晶盒開啟器121是藉由蓋裝卸機構123來裝卸被載置於載置台122的晶盒110的蓋，藉此開閉晶盒110的晶圓出入口。載置台122是在移載基板時載置基板收容器的移載架。
如圖2所示般，副框體119是構成與晶盒搬送裝置118或旋轉架105的設置空間的環境隔絕的移載室124。在移載室124的前側領域是設置有晶圓移載機構125。晶圓移載機構125是以可將晶圓200載置於晶圓夾125c而旋轉乃至直動於水平方向的晶圓移載裝置125a，及用以使晶圓移載裝置125a昇降的晶圓移載裝置升降機125b所構成。藉由該等晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a的連續動作來對晶舟217裝填及脫裝晶圓200。
如圖1所示般，在移載室124內設置有以供 給風扇及防塵過濾器所構成的淨化單元134，而使能夠供給清淨化後的氣氛或惰性氣體的淨化空氣133。
如圖2所示般，在晶舟217的上方設有處理爐202。處理爐202是在內部具備基板處理室(未圖示，以下稱處理室)，在該處理室的周圍是具備加熱處理室內的加熱器(未圖示)。處理爐202的下端部是藉由爐口閘閥147來開閉。
如圖1所示般，設置有用以使晶舟217昇降的晶舟升降機115。在被連結至晶舟升降機115的懸臂128是密封蓋219會被安裝於水平，密封蓋219是垂直支撐晶舟217，構成可將處理爐202的下端部閉塞。
晶舟217是具備複數的保持構件的基板保持具，在使複數片(例如50片~125片程度)的晶圓200的中心一致排列於垂直方向的狀態下，構成分別保持於水平。
另外，在晶舟217的上端部及下端部是分別搭載有複數片的虛擬晶圓，製品晶圓是被搭載於上端的虛擬晶圓與下端的虛擬晶圓之間。一邊更換製品晶圓，一邊進行複數次分批處理的期間，使用同虛擬晶圓。
其次，說明有關本實施形態的處理裝置的動作。
如圖1、圖2所示般，一旦晶盒110被供給至裝載埠114，則晶盒搬入搬出口112會藉由前遮擋板113來開放，從晶盒搬入搬出口112搬入。
被搬入的晶盒110是藉由晶盒搬送裝置118來自動地 搬送而交接至旋轉架105所指定的架板117。
晶盒110是在旋轉架105暫時性地被保管後，從架板117搬送至一方的晶盒開啟器121而移載至載置台122，或從裝載埠114直接搬送至晶盒開啟器121而移載至載置台122。此時，晶盒開啟器121的晶圓搬入搬出口120是藉由蓋裝卸機構123來關閉，在移載室124流通充滿淨化空氣133。
如圖2所示搬，被載置於載置台122的晶盒110是其蓋會藉由蓋裝卸機構123來卸下，晶盒110的晶圓出入口會被開放。並且，晶圓200是從晶盒110藉由晶圓移載裝置125a來拾取，往晶舟217移載而裝填。將晶圓200交接至晶舟217的晶圓移載裝置125a會回到晶盒110，將其次的晶圓110裝填於晶舟217。
在此一方(上段或下段)的晶盒開啟器121之利用晶圓移載裝置125a往晶舟217的晶圓200裝填作業中，在另一方(下段或上段)的晶盒開啟器121是藉由晶盒搬送裝置118來從旋轉架105乃至裝載埠114搬送別的晶盒110，同時進行晶盒開啟器121之晶盒110的開放作業。
一旦預先被指定的片數的晶圓200被裝填於晶舟217，則處理爐202的下端部會藉由爐口閘閥147來開放。接著，密封蓋219會藉由晶舟升降機115來上昇，被密封蓋219支撐的晶舟217會往處理爐202內的處理室搬入。
裝載後是在處理室內對晶圓200實施任意的處理。處理後是藉由晶舟升降機115來拉出晶舟217，然後，大概上述相反的程序，將晶圓200及晶盒110釋出至框體111的外部。
其次，參照圖3來說明有關基板處理裝置的控制部及記憶部的構成。圖3是本實施形態的基板處理裝置的控制部及記憶部的構成例。
如圖3所示般，控制部10是具備：主控制部11、溫度控制部12、氣體流量控制部13、壓力控制部14及搬送控制部15。在主控制部11是電性連接溫度控制部12、氣體流量控制部13、壓力控制部14、搬送控制部15、受理來自操作者的指示的操作部31、顯示操作畫面或各種資料等的資訊的顯示部32、及記憶基板處理裝置100的基板處理順序的處理處方的記憶部20等構成基板處理裝置100的構成部。另外，操作部31及顯示部32是例如在觸控面板等時可一體地構成。
溫度控制部12是控制加熱反應爐202的加熱器的溫度者，從計測處理爐202內的溫度的溫度感測器來接受溫度資料，傳送至主控制部11。又，溫度控制部12是從主控制部11接受例如使處理爐202內的溫度上昇的加熱器的加熱溫度指示，以能夠形成所被指示的溫度之方式將加熱器加熱。
氣體流量控制部13是例如從MFC(流量控制裝置)接受氣體的流量資料，傳送至主控制部11，該 MFC(流量控制裝置)是設在對處理爐202內供給處理氣體的處理氣體供給管。並且，從主控制部11接受例如對設在處理氣體供給管的開閉閥的閥開閉指示或泵驅動指示等的氣體控制指示，按照該指示來進行氣體流量控制。
壓力控制部14是從設在排氣管的壓力感測器來接受處理爐202內的壓力資訊，傳送至主控制部11，該排氣管是自處理爐202內排掉氣體。並且，從主控制部11接受對設在上述排氣管的壓力調整閥或泵等的閥開度指示或泵驅動指示等，按照該指示來進行處理爐202內壓力的控制。如此，控制部10會根據藉由壓力感測器所檢測出的壓力，在所望的時機藉由壓力調整裝置來將處理室內的壓力控制成所望的壓力。
搬送控制部15是控制晶盒搬送裝置118或晶圓移載機構125或晶舟升降機115等的位置者，在搬送控制部15電性連接光感測器(未圖示)或晶盒感測器(未圖示)，從該等的感測器接受例如有無收容晶圓200的晶盒110或位置等的資料，傳送至主控制部11。並且，搬送控制部15會自主控制部11接受例如晶盒110或晶舟217或晶圓200的搬送指示，將晶盒110或晶舟217或晶圓200搬送至所被指示的場所或位置。
主控制部11是硬體構成為具備CPU(Central Processing Unit)及儲存主控制部11的動作程式等的記憶體，CPU是例如根據來自操作部31的操作者的指示，按照此動作程式，以能將記憶於記憶部20的處方下載至上 述記憶體而實行的方式動作。此時，主控制部11對於溫度控制部12、氣體流量控制部13、壓力控制部14、搬送控制部15等的各副控制部，是使測定處理室內的溫度或壓力、氣體流量等，根據此測定資料來對上述各副控制部輸出控制訊號，控制成上述各副控制部會按照處方動作。
記憶部20是由EEPROM、快閃記憶體、硬碟等所構成，亦包含記憶上述CPU的動作程式的記憶媒體或記憶處方的記憶媒體。被記憶於記憶部20的動作程式是例如在基板處理裝置的啟動時，轉送至主控制部11的記憶體動作。
如圖3所示般，記憶部20是至少具備處方記憶部21、VP(變數(Variable)參數)記憶部22a、CP(條件(condition)參數)記憶部22b、製程條件記憶部23、及工作(job)記憶部24。將VP記憶部22a及CP記憶部22b合併稱為製程參數檔案記憶部22。
處方記憶部21是包含用以進行基板處理的製程處方的複數種類的處方，例如用以在晶圓200表面進行膜厚A的成膜之處方A或用以在晶圓200表面進行膜厚B的成膜之處方B等。
1個的處方通常是由複數的處理步驟所構成，在各處理步驟是含有複數個用以處理基板的製程參數。在圖4顯示處方的一例。圖4是本實施形態的處方顯示畫面例，在顯示部32簡易地顯示處方構成的一部分。在圖4的例中，特定處方的ID(識別碼)之處方名為「Test」。並 且，在特定處理步驟的步驟ID為「DEPO」的步驟中，例如顯示有該步驟所要的時間之步驟時間(80分鐘)及該步驟的處理爐內的溫度(850℃)等，作為製程參數。
並且，各處方是具備結合(combination)資訊部21a，其係記憶用以特定與其處方對應的VP檔案或CP檔案的ID例如VP檔案名或CP檔案名。
VP記憶部22a是記憶1個或複數個圖5所示般的VP檔案。圖5是本實施形態的VP檔案構造。圖5的例的VP檔案是具備30個的VP項目，作為製程參數的項目之參數項目。例如，No.1的VP項目(項目名是「VP Time-001」)為步驟時間，其製程參數是60分鐘。No.2的VP項目(項目名是「VP Temp-001」)為處理爐內的溫度，其製程參數是800.0℃。
如此，VP檔案是包含複數用以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名的參數項目名的組合。
CP記憶部22b是記憶1個或複數個圖6所示般的CP檔案。圖6是本實施形態的CP檔案構造。圖6的例的CP檔案是在圖6的縱方向具備10個的CP項目，作為參數項目，在圖6的橫方向具備複數種類的製程條件(此情況是製品基板的片數)。例如，No.1的CP項目(項目名是「CP Time-001」)為步驟時間，No.2的CP項目(項目名是「CP Temp-001」)為處理爐內的溫度。
而且，製品基板的片數為0~10片的情況，步驟時間的製程參數是60分鐘，處理爐內的溫度的製程參數是 800.0℃。並且，製品基板的片數為11~20片的情況，步驟時間的製程參數是70分鐘，處理爐內的溫度的製程參數是810.0℃。
如此，在CP檔案中，分別對應於複數的CP項目之製程參數會按每個製程條件(例如製品基板的片數)，成為對應於該製程條件的最適的製程參數之方式，設定為條件表(CP表)。亦即，CP檔案是包含複數個對應於該基板片數的條件表，該條件表是按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應。例如，製品基板的片數為0~10片時的條件表(CP表)是以對應於製品基板的片數為0~10片時的No.1~No.10的CP項目的製程參數所構成。
參數記憶部22的內容是在將其內容顯示於顯示部32的狀態下，操作者可由操作部31來設定或變更。
製程條件記憶部23是記憶從現在起實行的工作之搭載於晶舟217的製品基板的片數或被堆積於晶舟217或處理爐202的爐壁或虛擬基板的累積膜厚等的製程條件，作為製程條件管理資訊。此製程條件管理資訊是例如操作者可由操作部31來輸入設定。所謂工作是意指在晶舟217搭載複數的製品基板來搬入至處理爐202內，在處理爐202內處理，然後從處理爐202搬出，自晶舟217取出製品基板之一連串的處理。
工作記憶部24是記憶從現在起實行的工作中 使用的處方名及該工作的開始順序或開始時刻等。賦予對應是利用被稱為工作ID之自動生成的ID。例如，在使工作ID及處方名的「Test」以及顯示開始順序的連續號碼「002」或開始時刻「14：00」有所對應的狀態下，工作記憶部24記憶。
(第1實施例)
其次，利用圖7及圖8來說明有關以VP檔案中的製程參數置換處方中的製程參數之第1實施例。圖7是第1實施例的VP處理的概要。圖8是說明第1實施例的處方重寫的圖。第1實施例的VP處理是操作者的操作以外，藉由主控制部11來控制。
首先，操作者會利用操作部31來作成處方，將其處方名例如設為「Test」(圖7的步驟S1)。於是，主控制部11會自動生成例如與其處方同名的VP檔案的框架(frame)(步驟S2)。此時，在該處方的結合資訊部21a登錄所被自動生成的VP檔案名。在將含此VP檔案的框架的VP編集畫面顯示於顯示部32的狀態下，操作者會利用操作部31來將參數項目的VP項目或製程參數輸入至VP檔案的框架內設定，藉此作成圖5所示那樣的VP檔案，與該檔案名稱(例如「Test」)一起保存於VP記憶部22a(步驟S3)。另外，VP檔案名是亦可與處方名不同。
登錄於VP檔案的VP項目或製程參數是需要 使連結至處方。於是，其次，將VP項目設定埋入於處方中的製程參數(步驟S4)。具體而言，首先，從處方記憶部21讀出VP處理對象的處方，而將該處方中的VP處理對象的步驟之處方畫面顯示於顯示部32(處方顯示步驟)，在該狀態下，操作者選擇所顯示的處方中的製程參數之中想要VP設定(亦即以VP項目來置換)的製程參數的項目。
例如圖4所示般，在處方名為「Test」之處方中的步驟ID為「DEPO」之步驟的處方畫面中，選擇「步驟時間」作為想要以VP項目來置換的項目。於是，用以選擇VP設定或CP設定的VP/CP選擇畫面會被顯示於顯示部32。有關CP設定會在後面敘述。
在此VP/CP選擇畫面中，一旦操作者按下VP按鈕，則VP設定會被選擇，且被登錄於該處方的結合資訊部21a之VP檔案名(「Test」)的VP檔案會從VP記憶部22a讀出，顯示於顯示部32。如此，可選擇被登錄於該VP檔案的VP項目之VP項目選擇畫面會被顯示於顯示部32(參數項目名顯示步驟)。
在此VP項目選擇畫面中，一旦操作者選擇所望的VP項目，例如「VP Time-001」，則如圖8(a)所示般，該被選擇的參數項目名「VP Time-001」會取代該處方中的該步驟之該製程參數而埋入(處方參數置換步驟)。如此，在處方中的製程參數設定有VP檔案的VP項目。
而且，想要在處方中的其他的製程參數設定VP項目時，是在顯示處方畫面的狀態下，重複上述的參數項目名顯示步驟，處方參數置換步驟的動作。例如，想要在處方中的「溫度」設定VP項目時，如圖4所示般，在處方名為「Test」之處方中的步驟ID為「DEPO」之步驟的處方畫面中，選擇「溫度」作為想要以VP項目來置換的項目。然後，在VP項目選擇畫面中，一旦操作者選擇「VP Temp-001」作為VP項目，則該被選擇的參數項目名「VP Temp-001」會對於該處方中的該步驟之該製程參數埋入。如此，設定有VP項目的處方會被保存於處方記憶部21。
其次，指定設有VP項目的處方，作成用以進行基板處理的工作(步驟S5)。具體而言，操作者會利用操作部31來使例如處方名及工作的開始號碼對應於工作ID，而保存於工作記憶部24。
其次，在開始所作成的工作時，主控制部11會將在該工作所指定的處方下載至主控制部11的記憶體(步驟S6)。
並且，主控制部11會根據被登錄於其處方的結合資訊部21a的VP檔案名來檢索對應(結合)於在該工作所被指定的處方之VP檔案(步驟S7)，且將該檢索的VP檔案下載至主控制部11的記憶體(步驟S8)。
其次，主控制部11是以VP檔案中的製程參數來置換被設定於往主控制部11的記憶體下載的處方中 的製程參數之參數項目名(步驟S9)。詳細，主控制部11是以對應於下載的VP檔案中的該VP項目之製程參數(數值)來置換下載的處方中的製程參數之中設定有VP項目的製程參數(參數項目名)。
例如圖8(a)所示般，在「Test」處方的「DEPO」步驟之「步驟時間」的製程參數設定有「VP Time-001」，因此如圖8(b)所示般，以對應於VP檔案中的VP項目「VP Time-001」的製程參數之「60」來置換設定有該「VP Time-001」的「Test」處方中的製程參數。
並且，在「Test」處方的「DEPO」步驟之「溫度」的製程參數設定有「VP Temp-001」時，是以對應於VP檔案中的VP項目「VP Temp-001」的製程參數之「800」來置換設定有該「VP Temp-001」的「Test」處方中的製程參數。
然後，處方的製程參數置換後，實行其處方(步驟S10)。
另外，上述的實施例是在處方的下載(步驟S6)後，檢索VP檔案(步驟S7)，且將檢索的VP檔案下載(步驟S8)，但亦可構成在檢索VP檔案後，將檢索的VP檔案與處方一起下載。
並且，上述的實施例是對於1個的處方結合1個的VP檔案，但亦可對於1個的處方結合複數的VP檔案。例如，亦可對於1個的步驟結合1個的VP檔案。
若根據以上說明的第1實施例，則至少可取得其次(1)~(3)的效果。
(1)可在製程處方實行前自動地輸入適合於其製程條件的製程參數。因此，可抑制操作者之製程參數的輸入錯誤。
(2)複數的處方或複數的處理步驟中容易共用VP檔案的製程參數。
(3)預先將VP項目名設定於處方中的製程參數，在處方實行前，以VP檔案中的該VP項目的製程參數來置換設定有VP項目名的處方中的製程參數，因此可容易實現以VP檔案中的製程參數來置換處方中的製程參數。
(第2實施例)
其次，利用圖9~圖11來說明有關按照製程條件，以CP檔案中的製程參數來置換處方中的製程參數之第2實施例。
在此第2實施例中，製品基板的片數也含在製程條件中。圖9是第2實施例的CP處理的概要。圖10是說明第2實施例的CP表檢索處理的圖。圖11是說明第2實施例的處方重寫的圖。第2實施例的CP處理是操作者的操作以外藉由主控制部11來控制。
首先，在將CP編集畫面顯示於顯示部32的狀態下，操作者會利用操作部31來作成圖6所示那樣的CP檔案(步驟S11)。此CP檔案是與檔案名稱一起保存 於CP記憶部22b。
如前述般，在CP檔案中，分別對應於複數的CP項目的製程參數會按各製程條件(製品基板的片數)作為條件表(CP表)設定。
登錄於CP檔案的CP項目或製程參數是需要使連結至處方。於是，首先，使CP檔案對應(結合)於處方(步驟S12)。具體而言，在將處方編集畫面顯示於顯示部32的狀態下，選擇CP設定，藉此CP檔案名會被登錄於該處方的結合資訊部21a。
其次，將CP項目設定埋入於處方中的製程參數(步驟S13)。具體而言，從處方記憶部21讀出CP處理對象的處方，而將該處方中的CP處理對象的步驟之處方畫面顯示於顯示部32(處方顯示步驟)，在該狀態下，操作者選擇顯示的處方中的製程參數之中想要CP設定(亦即以CP項目置換)的製程參數的項目。
例如圖4所示般，在處方名為「Test」之處方中的步驟ID為「DEPO」之步驟的處方畫面中，選擇「步驟時間」作為想要以CP項目來置換的製程參數的項目。於是，與第1實施例同樣，可選擇VP設定或CP設定的VP/CP選擇畫面會被顯示於顯示部32。一旦操作者在此VP/CP選擇畫面中按下CP按鈕，則CP設定會被選擇，且登錄於該處方的結合資訊部21a的CP檔案名(「Test」)的CP檔案會從CP記憶部22b讀出，顯示於顯示部32。如此，可選擇登錄於該CP檔案的CP項目之 CP項目選擇畫面會被顯示於顯示部32(參數項目名顯示步驟)。
在此CP項目選擇畫面中，一旦操作者選擇所望的CP項目，例如「CP Time-001」，則如圖11(a)所示般，該被選擇的參數項目名「CP Time-001」會取代該處方中的該步驟的該製程參數而埋入(處方參數置換步驟)。如此，在處方中的製程參數設定有CP檔案的CP項目。
而且，想要在處方中的其他的製程參數項目設定CP項目時，是在上述的處方畫面中，重複參數項目名顯示步驟，處方參數置換步驟的動作。例如，想要在處方中的「溫度」設定CP項目時，如圖4所示般，在處方名為「Test」之處方中的步驟ID為「DEPO」之步驟的處方畫面中，選擇「溫度」作為想要以CP項目來置換的項目。然後，在CP項目選擇畫面中，一旦操作者選擇「CP Temp-001」作為CP項目，則該被選擇的參數項目名「CP Temp-001」會對於該處方中的該步驟的該製程參數埋入。如此，設定有CP項目的處方會被保存於處方記憶部21。
其次，指定被設定有CP項目的處方，作成用以進行基板處理的工作(步驟S14)。具體而言，操作者會利用操作部31，賦予處方名與工作的開始號碼對應，而保存於工作記憶部24。
其次，開始所作成的工作時，主控制部11會將在該工作所被指定的處方下載至主控制部11的記憶體 (步驟S15)。
並且，主控制部11會根據被登錄於其處方的結合資訊部21a的CP檔案名來檢索對應(結合)於在該工作所被指定的處方之CP檔案，從該檢索的CP檔案之中抽出與在該工作所被指定的製程條件之製品基板的片數吻合的CP表(步驟S16)。
然後，將該抽出後的CP表下載至主控制部11的記憶體(步驟S17)。
例如圖10所示般，由製程條件記憶部23的製品片數管理資訊來取得該工作的製品基板的片數，例如15片，對於CP檔案，以製品基板的片數為15片的製程條件來檢索，抽出製品基板的片數為11~20片時的CP表。圖11(b)之例的CP表是在對應於CP檔案的各CP項目的製程參數之中，抽出與製品基板的片數11~20吻合的製程參數者。
其次，主控制部11是以CP表中的製程參數來置換被設定於下載至主控制部11的記憶體的處方中的製程參數之參數項目名(步驟S18)。詳細，主控制部11是以對應於下載的CP表中的該CP項目的製程參數來置換下載的處方中的製程參數之中設定有CP項目的製程參數(參數項目名)。
例如圖11(a)所示般，在「Test」處方的「DEPO」步驟之「步驟時間」的製程參數設定有「CP Time-001」，因此如圖11(b)所示般，以對應於CP表 中的CP項目「CP Time-001」的製程參數之「70」來置換設定有該「CP Time-001」的「Test」處方中的製程參數。
並且，在「Test」處方的「DEPO」步驟之「溫度」的製程參數設定有「CP Temp-001」時，以對應於CP表中的CP項目「CP Temp-001」的製程參數之「810」來置換設定有該「CP Temp-001」的「Test」處方中的製程參數。
然後，在處方的製程參數置換後，實行該處方(步驟S19)。
另外，上述的實施例是在處方的下載(步驟S15)後，以製品基板的片數來檢索CP檔案而抽出CP表(步驟S16)，下載抽出的CP表(步驟S17)，但亦可構成抽出CP表後，與處方一起下載抽出的CP表。
又，上述的實施例是顯示有關對於1個的處方結合1個的CP檔案的形態，但並非限於此形態。例如，亦可構成對於複數種類的處方結合1個的CP檔案。相反的，亦可構成對於1個的處方結合複數種類的CP檔案。
又，上述的實施例是使用製品基板的片數作為製程條件，但亦可按照製程，以合計虛擬基板及製品基板的片數之基板的片數作為製程條件。
若根據以上說明的第2實施例，則除了第1實施例的(1)的效果，還可取得至少其次(4)~(7)的效果。
(4)在處方實行時，使基板處理裝置自動地選擇適合於製品基板片數或累積膜厚等的製程條件的製程參數，因此可抑制操作者之製程參數的設定錯誤。並且，對應於製品基板片數或累積膜厚等變動之膜厚控制容易，可抑制製品基板的註銷發生。
(5)在複數的處方或複數的處理步驟中容易共用CP檔案的製程參數。
(6)預先在處方中的製程參數設定CP項目名，在處方實行時，使能以CP檔案中的該CP項目的製程參數來置換設定有CP項目名的處方中的製程參數，因此可容易實現以CP檔案中的製程參數來置換處方中的製程參數。
(7)CP檔案中的複數的CP表之中，只將適合於製程條件的CP表下載至主控制部的記憶體，不適合於製程條件的CP表不下載，因此可縮短工作實行的時間。
本發明並非限於前述實施形態，當然亦可在不脫離其要旨的範圍內實施各種的變更。
用以進行前述實施形態所述的第1實施例的VP處理或第2實施例的CP處理之控制部或操作部或顯示部或記憶部亦可不是在基板處理裝置專用者，例如可利用個人電腦(personal computer)等的一般性的電腦系統來實現。例如，在泛用電腦中由儲存用以實行上述處理的程式的記錄媒體(軟碟，CD-ROM，USB記憶體等)來安裝該程式，藉此可構成實行上述處理的控制部或操作部或顯示部或記憶部。
並且，用以供給實行上述處理的程式之手段是可任意選擇。除了上述那樣經由預定的記錄媒體來供給以外，例如可經由通訊線路、通訊網路、通訊系統等來供給。此情況，例如亦可在通訊網路的揭示板揭示該程式，經由網路來供給。然後，啟動如此提供的程式，在基板處理裝置的OS(Operating System)的控制下，與其他的應用程式同樣地實行，藉此可實行上述的處理。
而且，若根據第1實施例或第2實施例，則在將搭載有複數的基板之基板保持具裝入處理爐內，處理基板時，按照處理對象的基板片數來補充虛擬基板而實施基板處理的處理裝置100中，例如即使被累積於虛擬基板的膜影響基板品質時，還是可管理考慮處理對象的基板片數及堆積於處理爐202的內壁的累積膜厚之製程參數。
在此，說明有關處理裝置100的設立(set up)作業，作為累積於虛擬基板的膜影響基板品質的實施例(第3實施例)。
(第3實施例)
在設立作業中，至達成符合顧客標準的性能，多次變更製程條件來重複基板處理。實際，也有顧客標準的變更等，一次的基板處理極難到達顧客標準。此情況，在設立時不使用製品基板，而以虛擬基板代替進行基板處理。另外，有關設立作業的基板處理，不是製品基板，而是以虛擬基板代替，基板移載方法或製程條件等是與基板處理時 同樣，因此說明省略。
在實際的設立作業中，不僅虛擬基板，還使用數片的監測基板，以各種的測定器來對此監測基板進行預定的測定，判定基板處理結果的品質是否到達顧客標準。當基板處理結果未符合顧客標準時，再度進行基板處理，重複至基板處理結果符合顧客標準為止。另外，虛擬基板是被裝填於基板保持具使用，只移載監測基板也無妨。
另外，可思考一監視虛擬基板的累積膜厚至虛擬基板的累積膜厚形成臨界值為止，優先使用累積膜厚小的虛擬基板之管理，但在設立(set up)時所必要的虛擬基板的片數過多，因此反而形成虛擬基板的浪費。
由於在基板保持具存在100片以上的基板載置部，因此在基板保持具的幾乎所有的基板載置部載置虛擬基板的狀態下實施基板處理。一般可思考依臨界值來管理累積膜厚，一旦到達臨界值，則更換對象的虛擬基板之管理。此情況，在更換之處是重新載置累積膜厚為零的虛擬基板。然而，若到達臨界值的虛擬基板與新品的虛擬基板混在，則就近幾年的低溫製程而言，可知此累積膜厚的差是無法忽視。難以調整如此的基板單位的基板處理結果的品質，反而浪費虛擬基板，增加費用。因此，若任一的虛擬基板的累積膜厚超過臨界值，則更換全部的虛擬基板。但，依然需要針對附著於爐內的累積膜厚的影響進行管理。像以往那樣，光靠一旦累積膜厚到達臨界值則淨化 (累積膜厚的除去)是在近幾年的低溫化製程中無法通用。
如此，累積膜厚的臨界值是為了抑制累積膜厚所引起的粒子而設定，但未考慮有關近幾年的低溫製程的影響。因此，除了基板片數外還需要按照累積膜厚來使製程參數的設定最適化。
在本實施形態(第3實施例)中，可藉由使用上述第1實施例及第2實施例的製程參數的設定方法來實施對應於基板片數及累積膜厚的基板處理。具體而言，分別具備按每個累積膜厚來規定時間(例如「CP(或VP)Time-001」)的表，按每個累積膜厚來規定溫度(例如「CP(或VP)Temp-001」的表等，在圖9(或圖7)的CP(或VP)檔案自動作成工程，藉由展開該等表，可容易實現。
在本實施形態中，提供一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數或累積膜厚值的各條件表之製程參數檔案，該各條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目 名有所對應的第1條件表，及對應於前述基板保持具或前述處理室的內壁等的構成構件所堆積的累積膜厚值來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應的第2條件表；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理至少來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，可藉由具備下列步驟來進行處方作成，處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；及在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟。
而且，在被搭載於前述基板保持具的基板片數及前述基板保持具或前述處理室內壁的累積膜厚值被指定時，可藉由具備：將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數的前述第1條件表及對應於累積膜厚值的第2條件表下載至前述控制部的下載步驟，及以前述被下載的 條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名而作成第3處方的步驟，來進行處方作成。藉由如此具有對應於累積膜厚值的第2條件表，不僅基板片數還考慮累積膜厚的處方作成可能。
並且，在本實施形態是使用按照基板片數來賦予對應的第1條件表及對應於累積膜厚值的第2條件表的2個條件表，但只要預先將根據基板片數及累積膜厚值的製程參數規定於特定的條件表，例如當被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，當然可藉由具備：將前述第2處方及前述特定的條件表下載至前述控制部的下載步驟，及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名而作成第3處方的步驟，來進行處方作成。
本發明是不僅半導體製造裝置，也可適用在處理LCD製造裝置之類的玻璃基板的裝置，或其他的基板處理裝置。基板處理的內容是不僅CVD、PVD、ALD、形成磊晶成長膜、氧化膜、氮化膜、含金屬膜等的成膜處理，亦可為退火處理、氧化處理、擴散處理、蝕刻處理、曝光處理、光蝕刻(Lithography)、塗佈處理、模具處理、顯像處理、切割處理、打線接合處理、檢查處理等。
又，亦可為縱型以外的其他型式，例如單片式或多片式的基板處理裝置。特別是適用在具備載置複數的基板的基板載置部(基座)之多片式的基板處理裝置者為佳。
除了上述的實施形態以外，其次還附記本發 明的較佳形態。
(附記1)
本發明之一形態為一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示 的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表下載至前述控制部；及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記2)
本發明的其他形態為一種半導體裝置的製造方法，係使用基板處理裝置之半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及 顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表下載至前述控制部；以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟；及將搭載有前述被指定的片數的基板之基板保持具收容至前述處理室，而實行前述第3處方的步驟。
(附記3)
本發明的另外其他的形態為一種處方的作成方法，係 使用在基板處理裝置的處方的作成方法，該基板處理裝置係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處 方的步驟；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表下載至前述控制部；及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記4)
本發明的另外其他的形態為一種可讀取處方的作成程式之記錄媒體，其係使用在基板處理裝置的處方的作成程式，該基板處理裝置係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部； 參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；及在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟。
(附記5)
可讀取處方的作成程式之記錄媒體，較理想是附記4的處方的作成程式更具備：在被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，以對應於前述被指定的基板片數之前述條件表中的製程參數來置換前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記6)
本發明的另外其他的形態為一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係處理基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶製程參數檔案，其係包含複數個用以處理基板的製程參數與該製程參數的項目 名之參數項目名的組合；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係將前述第2處方及被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案下載至前述控制部；及以前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記7)
本發明的另外其他的形態為一種半導體裝置的製造方 法，係使用基板處理裝置之半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具備：處理室，其係處理基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶製程參數檔案，其係包含複數個用以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名的組合；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係將前述第2處方及被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案下載至前述控制部； 以前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟；及將搭載有前述複數的基板之基板保持具收容至前述處理室，而實行前述第3處方的步驟。
(附記8)
本發明的另外其他的形態為一種處方的作成方法，係使用在基板處理裝置的處方的作成方法，該基板處理裝置係具備：處理室，其係處理基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶製程參數檔案，其係包含複數個用以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名的組合；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前 述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係將前述第2處方及被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案下載至前述控制部；及前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記9)
本發明的另外其他的形態為一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；及控制部，其係實行用以處理基板的處方； 其特徵為：前述控制部係進行：第2處方的作成步驟，其係以被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名來置換前述第1處方中的製程參數，將置換成該參數項目名的處方設為第2處方；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表下載至前述控制部；及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記10)
本發明的另外其他的形態為一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備：記憶第1處方的步驟；記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應的步驟；處方顯示步驟，其係顯示前述記憶的第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示前述記憶的製程參數檔案中的參數項目名； 處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟；在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟；及對於前述被指定的片數的基板來實行前述第3處方的步驟。
(附記11)
本發明的另外其他的形態為一種處方的作成方法，其特徵係具備：記憶第1處方的步驟；記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應的步驟；處方顯示步驟，其係顯示前述記憶的第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示前述記憶的製程參數檔案中的參數項目名；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數； 在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟；及在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記12)
本發明的另外其他的形態為一種可讀取處方的作成程式之記錄媒體，該處方的作成程式係具備：記憶第1處方的步驟；記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應的步驟；處方顯示步驟，其係顯示前述記憶的第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示前述記憶的製程參數檔案中的參數項目名；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；及在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟。
(附記13)
可讀取處方的作成程式之記錄媒體，較理想是附記12的處方的作成程式更具備：在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記14)
本發明的另外其他的形態為一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；及控制部，其係實行用以處理基板的處方；其特徵為：前述控制部係進行：第2處方的作成步驟，其係以被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名來置換前述第1處方中的製程參數，將置換成該參數項目名的處方設為第2處方；及 在被搭載於前述基板保持具的基板片數被指定時，以對應於前述被指定的基板片數之前述條件表中的製程參數來置換前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記15)
本發明的另外其他的形態為一種處方的作成方法，係具備：處方顯示步驟，其係顯示第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示製程參數檔案中的參數項目名；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述第1處方中的製程參數；及在顯示前述第1處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟。
(附記16)
處方的作成方法，較理想是附記15的處方的作成方法具備：下載步驟，其係於前述處方開始時，在預定的處理條件被指定時，下載前述第2處方及前述製程參數檔案；及以前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處 方的步驟。
(附記17)
本發明的另外其他的形態為一種可讀取處方的作成程式的記錄媒體，係具備：處方顯示步驟，其係顯示第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示製程參數檔案中的參數項目名；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述第1處方中的製程參數；及在顯示前述第1處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第2處方的步驟。
(附記18)
可讀取處方的作成程式的記錄媒體，較理想是附記17的處方的作成程式具備：下載步驟，其係下載前述第2處方及前述製程參數檔案；及以前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的前述第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記19)
本發明的另外其他的形態為一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的第1條件表及對應於前述累積膜厚值的第2條件表之製程參數檔案，該第1條件表係按照被搭載於前述基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應，該第2條件表係按照堆積於前述基板的累積膜厚值來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作 者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數及累積膜厚值被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述第1條件表及對應於前述基板保持具及前述處理室的內壁所堆積的前述累積膜厚值之前述第2條件表下載至前述控制部；及以前述被下載的前述第1條件表及前述第2條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記19)
本發明的另外其他的形態為一種半導體裝置的製造方法，係具備：處理室，其係收容搭載有複數的基板之基板保持具，處理被搭載於前述基板保持具的複數的基板；處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之第1處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的第1條件表及對應於前述累積膜厚值的第2條件表之製程參數檔案，該第1條件表係按照被搭載於前述 基板保持具的基板片數來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應，該第2條件表係按照堆積於前述基板的累積膜厚值來使供以處理基板的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行用以處理基板的處方；操作部，其係受理來自操作者的指示；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的第1處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係根據來自前述操作部的操作者的指示，以前述被顯示的參數項目名來置換前述被顯示的第1處方中的製程參數；在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟；下載步驟，其係被搭載於前述基板保持具的基板片數及累積膜厚值被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數之前述第1條件表及對應於前述基板保持具及前述處理室的內壁所堆積的累積膜厚值之前述第2條 件表下載至前述控制部；及以前述被下載的前述第1條件表及前述第2條件表中的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。
(附記19)
一種處方作成方法，係具備：處方顯示步驟，其係顯示第1處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係將製程參數檔案中的參數項目名顯示於前述顯示部；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述第1處方中的製程參數；及在顯示前述處方的狀態下，將前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟至少實行1次，而作成第2處方的步驟。
(附記19)
一種處方作成方法，係具備：下載步驟，其係預定的處理條件，例如被搭載於基板保持具的基板片數及堆積於前述基板保持具及前述處理室的內壁的累積膜厚值被指定時，將前述第2處方及對應於前述被指定的基板片數的第1條件表及第2條件表下載；及以前述被下載的前述第1條件表及前述第2條件表中 的製程參數來置換前述被下載的第2處方中的參數項目名，而作成第3處方的步驟。

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：處理室，其係處理基板；處方記憶部，其係記憶用以處理基板的製程處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照在前述處理室所被處理的基板片數來使供以實行前述製程處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行前述製程處方；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：處方顯示步驟，其係將被記憶於前述處方記憶部的製程處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部；參數項目名顯示步驟，其係將被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部；實行以前述參數項目名來置換前述製程參數的處方參數置換步驟而作成第1處方來記憶於前述處方記憶部的步驟；下載步驟，其係於前述處理室所被處理的基板片數被指定時，分別從前述處方記憶部及前述參數檔案記憶部下載前述第1處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條 件表；及以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
  2. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係顯示用以處理基板的處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示按照前述基板片數來賦予對應的條件表中的參數項目名，該條件表係按照處理對象的基板片數來使供以實行處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；處方參數置換步驟，其係以前述參數項目名來置換前述製程參數；實行前述處方顯示步驟、前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟；在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟；及對於前述被指定的片數的基板實行前述第2處方的步驟。
  3. 一種處方作成方法，其特徵係具備：處方顯示步驟，其係顯示用以處理基板的處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示按照前述基板片數來賦予對應的條件表中的參數項目名，該條件表係按照處理 對象的基板片數來使供以實行處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；處方參數置換步驟，其係以前述參數項目名來置換前述製程參數；及實行前述處方顯示步驟、前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項之處方作成方法，其中，具備：下載步驟，其係於前述處方開始時，在預定的處理條件被指定時，下載前述第1處方及前述製程參數檔案；及以前述被下載的製程參數檔案中的製程參數來置換前述被下載的前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方之步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之處方作成方法，其中，前述預定的處理條件係至少包含基板片數。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，係更利用具有處理基板的基板處理步驟之申請專利範圍第4項記載的處方作成方法之半導體裝置的製造方法，其特徵為：在前述基板處理步驟係實行前述第2處方。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體裝置的製造方法，其中，前述基板處理步驟係含：將搭載有複數的基板之基板保持具收容於處理室之步驟；及從前述處理室取出前述基板保持具之步驟。
  8. 一種基板處理裝置，係具備：處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數的處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照基板片數來使前述製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；及控制部，其係實行用以處理基板的處方，其特徵為：前述控制部係具備：第1處方的作成步驟，其係以被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名來置換被記憶於前述處方記憶部的處方中的製程參數，將置換成該參數項目名的處方設為第1處方；及在前述基板片數被指定時，以對應於前述被指定的基板片數之前述條件表中的製程參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
  9. 一種基板處理裝置的控制方法，該基板處理裝置係具備：處方記憶部，其係記憶包含用以處理基板的製程參數之處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照基板片數來使前述製程參數與該製程參數的項目名之參數項目 名有所對應；及控制部，其係實行前述處方，其特徵係具備：第1處方的作成步驟，其係以被記憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名來置換前述處方中的製程參數，將置換成該參數項目名的處方設為第1處方；及在前述基板片數被指定時，以對應於前述被指定的基板片數之前述條件表中的製程參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
  10. 一種基板處理裝置的控制方法，該基板處理裝置係具備：處方記憶部，其係記憶用以處理基板的製程處方；製程參數檔案記憶部，其係記憶包含複數個對應於該基板片數的條件表之製程參數檔案，該條件表係按照在前述處理室所被處理的基板片數來使供以實行前述製程處方的製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；控制部，其係實行前述製程處方；及顯示部，其係顯示各種資訊，其特徵為：前述控制部係進行：實行：將被記憶於前述處方記憶部的製程處方中的製程參數予以顯示於前述顯示部之處方顯示步驟，及將被記 憶於前述製程參數檔案記憶部的製程參數檔案中的參數項目名予以顯示於前述顯示部之參數項目名顯示步驟，及以前述參數項目名來置換前述製程參數之處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟；及在前述處理室所被處理的基板片數被指定時，分別從前述處方記憶部及前述參數檔案記憶部下載前述第1處方及對應於前述被指定的基板片數之前述條件表，以前述被下載的條件表中的製程參數來置換前述被下載的第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
  11. 一種可讀取處方的作成程式之記錄媒體，該處方的作成程式係具備：處方顯示步驟，其係顯示用以處理基板的處方中的製程參數；參數項目名顯示步驟，其係顯示包含複數個條件表的製程參數檔案中的參數項目名，該條件表係按照基板片數來使前述製程參數與該製程參數的項目名之參數項目名有所對應；處方參數置換步驟，其係以前述被顯示的參數項目名來置換前述製程參數；及在顯示前述處方的狀態下，實行前述參數項目名顯示步驟及前述處方參數置換步驟，而作成第1處方的步驟。
  12. 一種可讀取處方的作成程式之記錄媒體，該處方的作成程式係更具備：在處理的基板片數被指定時，以前述條件表中的製程 參數來置換前述第1處方中的參數項目名，而作成第2處方的步驟。
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