TW201404262A

TW201404262A - 複合多層配線基板及其製造方法

Info

Publication number: TW201404262A
Application number: TW102109635A
Authority: TW
Inventors: Hideki Higashitani; Takayuki Kita
Original assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2012-06-14
Filing date: 2013-03-19
Publication date: 2014-01-16
Also published as: WO2013186966A1

Abstract

複合多層配線基板係具有：複數中間配線基板部、連接層、最外絕緣層、最外層配線、及最外層通孔。中間配線基板部係分別具有包含：內層的第1上配線與第2下配線、及表層的第1面的第2上配線與第2面的第2下配線的4層以上的配線。連接層係具有：包含芯材的連接絕緣層、及作為糊膏通孔的連接通孔。最外層配線係形成在最外絕緣層的外側。最外層通孔係貫穿最外絕緣層，將最外層配線與第2上配線或第2下配線作電性連接。最外絕緣層係埋設有與最外絕緣層相對向的第2上配線或第2下配線。

Description

複合多層配線基板及其製造方法

本發明係關於具有鍍敷通孔、及糊膏通孔，行動電話等所使用的複合多層配線基板及其製造方法。

近年來，伴隨電子機器的小型化高性能化，在電子機器使用一種以藉由鍍敷技術所製造的通孔(以下簡單稱為鍍敷通孔)，將層間相連接的多層基板。

另一方面，具有鍍敷通孔的多層基板係有發生前置時間或鍍敷廢液等之課題的情形。對於如此之鍍敷通孔的課題，已知一種具有在成為層間連接的通孔製造，使用糊膏技術所製造的通孔(以下簡單稱為糊膏通孔)的多層基板。

基於如此之背景，將具有習知之鍍敷通孔的多層基板、及具有糊膏通孔的多層基板相組合，而形成為複合多層配線基板，藉此圖求發揮雙方之優點。

圖18係顯示習知之複合多層配線基板之一例的剖面圖。圖18所示之複合多層配線基板10係將鍍敷通孔16、及糊膏通孔13組合所構成。

在第1絕緣層11係形成有貫穿孔，在該貫穿孔填充導電糊膏，形成有將複數銅箔圖案12間連接的糊膏通孔13。更加多層化時，在第1絕緣層11或銅箔圖案12之上，將新的第1絕緣層11或銅箔圖案12、糊膏通孔13，如箭號17a、17b等所示，由中央(例如箭號17a所示部分)朝兩側依序積層，藉此可高多層化。例如，根據箭號17a所示部分，另外進行積層，藉此形成箭號17b所示部分。圖18中的箭號17a、17b、17c、17d係顯示藉由將該等構件依序積層而多層化的態樣。

接著，在成為最外層的第2絕緣層14設置鍍敷配線15或鍍敷通孔16，藉此可形成將配線更加微細化的複合多層配線基板。但是，如箭號17a~17d所示，愈多層化，愈有積層製程長而變得複雜的可能性。

圖19係顯示發明人等在過去所提出之多層基板之一例的剖面圖(專利文獻1)。在多層基板21中，係在形成於第1絕緣層11的孔19填充導電糊膏20而形成糊膏通孔13，透過糊膏通孔13而連接複數銅箔圖案12。複數多層基板21係透過接著薄片23而被總括積層、一體化，而形成複合多層配線基板10。其中，接著薄片23係包含有：預浸體18、及被填充在孔19的導電糊膏20。

使用預浸體18來作為接著薄片23為有用。此外，在最外層透過預浸體18來設置銅箔22亦為有用。此外如此積層(或總括積層)後，在最外層，如前述圖18所示，設置鍍敷配線15或鍍敷通孔16亦為有用。其中，在圖 19中，並未圖示鍍敷配線15或鍍敷通孔16。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2011/155162號

本發明之目的在提供一種提升使用導電性糊膏時的連接安定性，將鍍敷通孔優異的部分、及糊膏通孔優異的部分組合作為複合多層配線基板，藉此連接可靠性更高的複合多層配線基板。

本發明之複合多層配線基板係具有：至少包含第1中間配線基板部、及第2中間配線基板部的複數中間配線基板部；連接層；第1、第2最外絕緣層；第1、第2最外層配線；及最外層通孔。中間配線基板部係分別具有包含：內層的第1上配線與第2下配線、及表層的第1面的第2上配線與第2面的第2下配線的4層以上的配線。連接層係具有連接絕緣層、及連接通孔。連接絕緣層係具有熱硬化性樹脂部、及被埋設在該熱硬化性樹脂部的芯材，將第1中間配線基板部與第2中間配線基板部相接著。作為糊膏通孔的連接通孔係貫穿連接絕緣層，將第1中間配線基板部的第1下配線與第2中間配線基板部的第1上配線作電性連接。第1最外絕緣層係被配置在複數中間配線基板之中被配置在第1中間基板部側之最外層的第1最外層中間基板部的更為外側。第2最外絕緣層係被配置在複數中間配線基板之中被配置在第2中間基板部側之最外層的第2最外層中間基板部的更為外側。第1、第2最外層配線係形成在前述第1、第2最外層的各自外側。最外層通孔係貫穿第1最外絕緣層，將第1最外層配線與第1最外中間配線基板部的第2上配線作電性連接。或者，貫穿第2最外絕緣層，將第2最外層配線與第2最外中間配線部的第2下配線作電性連接。第1最外絕緣層係埋設第1最外中間配線基板部之與第1最外絕緣層相對向的第2上配線，第2最外絕緣層係埋設第2最外中間配線基板部之與第2最外絕緣層相對向的第2下配線。

此外，本發明之複合多層配線基板之製造方法係具有以下步驟。

(1)準備複數中間配線基板部，該複數中間配線基板部係包含第1中間配線基板部、及第2中間配線基板部。中間配線基板部係分別具有4層以上的配線，該4層以上的配線包含內層的第1配線與第2配線、及表層的第1面的第2上配線與第2面的第2下配線。

(2)在具有未硬化狀態的熱硬化性樹脂、及被埋設在該熱硬化性樹脂的芯材的未硬化連接絕緣層，形成貫穿孔，將導電糊膏，以具有突出部的方式填充在該貫穿孔。

(3)在第1中間配線基板部與第2中間配線基板部之間設置未硬化連接層，並且在複數中間配線基板部的最外層側設置未硬化最外層樹脂與銅箔。

(4)將複數中間配線基板部、連接絕緣層、及未硬化最外層樹脂加壓、加熱且一體化。

藉由該4個步驟，將2個以上的中間配線基板部以連接層固接，並且以作為糊膏通孔的連接通孔作電性連接。藉此，複合多層配線基板的良率會提升，並且可藉由連接通孔，將2個以上的中間配線基板部確實地作電性連接。此外，在第1最外絕緣層埋設第1最外中間配線基板部之與第1最外絕緣層相對向的第2上配線，在第2最外絕緣層埋設第2最外中間配線基板部之與第2最外絕緣層相對向的第2下配線，藉此可減低最外面中的凹凸。

110‧‧‧第1絕緣層

120U‧‧‧第1上配線

120L‧‧‧第1下配線

130‧‧‧第1通孔(糊膏通孔或鍍敷通孔)

130a、130b、130c‧‧‧通孔(糊膏通孔或鍍敷通孔)

140‧‧‧兩面基板部

150U‧‧‧第2上絕緣層

150L‧‧‧第2下絕緣層

155U‧‧‧第3上絕緣層

155L‧‧‧第3下絕緣層

160U‧‧‧第2上配線

160L‧‧‧第2下配線

160a、160b、160c、160d、160e、160f、160g、160h‧‧‧第 2配線(鍍敷配線)

165U‧‧‧第3上配線

165L‧‧‧第3下配線

170‧‧‧第2通孔

170a、170b、170c、170d‧‧‧通孔(鍍敷通孔)

180、480‧‧‧中間配線基板部

180U‧‧‧第1中間配線基板部(第1最外中間配線基板部)

180L‧‧‧第2中間配線基板部(第2最外中間配線基板部)

190‧‧‧熱硬化性樹脂部

200‧‧‧芯材

210‧‧‧連接通孔

215‧‧‧連接層

220‧‧‧連接絕緣層

230U‧‧‧第1最外絕緣層

230L‧‧‧第2最外絕緣層

240U‧‧‧第1最外層配線

240L‧‧‧第2最外層配線

250‧‧‧最外層通孔

260、265‧‧‧複合多層配線基板

270‧‧‧預浸體

280‧‧‧保護薄膜

290‧‧‧貫穿孔

300‧‧‧導電糊膏

310‧‧‧刮漿板

320、320a、320b、320c、320d‧‧‧箭號

330‧‧‧突出部

340‧‧‧銅箔

350‧‧‧未硬化最外層樹脂

360‧‧‧未硬化接著樹脂

370‧‧‧未硬化連接層

390A、390B、390C‧‧‧複合多層配線基板

400A、400B、400C‧‧‧串聯通孔構造部

410‧‧‧省略部

420‧‧‧增層

430‧‧‧第1通孔(鍍敷通孔)

440‧‧‧第2通孔(糊膏通孔)

450‧‧‧第3通孔(鍍敷通孔)

460‧‧‧第2配線(銅箔配線)

470、490‧‧‧複合多層配線基板

500U‧‧‧第1上配線

500L‧‧‧第1下配線

510‧‧‧內絕緣層

520‧‧‧外絕緣層

530‧‧‧內層配線

540‧‧‧外層配線

550‧‧‧內層通孔

560‧‧‧外層通孔

圖1係本發明之實施形態之複合多層配線基板的剖面圖。

圖2A係顯示圖1所示之複合多層配線基板之製造所使用之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖2B係顯示繼圖2A之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖2C係顯示繼圖2B之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖2D係顯示繼圖2C之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖3A係顯示繼圖2D之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖3B係顯示繼圖3A之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖3C係顯示繼圖3B之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖3D係顯示繼圖3C之中間配線基板部之製造方法之一例的剖面圖。

圖4係顯示圖1所示之複合多層配線基板之製造方法之一例的剖面圖。

圖5係顯示繼圖4之複合多層配線基板之製造方法之一例的剖面圖。

圖6係顯示繼圖5之複合多層配線基板之製造方法之一例的剖面圖。

圖7係顯示繼圖6之複合多層配線基板之製造方法之一例的剖面圖。

圖8係局部擴大由圖4的狀態至圖5的狀態的態樣來進行說明的剖面圖。

圖9係局部擴大顯示由圖5的狀態，將第1、第2最外層配線或最外層通孔埋設在未硬化最外層樹脂，在埋設的狀態下進行熱硬化而一體化的態樣的剖面圖。

圖10係顯示在圖1的構成中，若以鍍敷配線形成第1配線，以鍍敷通孔形成第1通孔時之複合多層配線基板之一例的剖面圖。

圖11係使用僅由糊膏通孔所構成之具有串聯通孔構造的中間配線基板的複合多層配線基板的部分剖面圖。

圖12係使用僅由鍍敷通孔所構成之具有串聯通孔構造的中間配線基板的複合多層配線基板的部分剖面圖。

圖13係使用由糊膏通孔與鍍敷通孔所構成之具有串聯通孔構造的中間配線基板的複合多層配線基板的部分剖面圖。

圖14係說明本發明之實施形態之其他複合多層配線基板之製造方法的剖面圖。

圖15A係本發明之實施形態之複合多層配線基板所使用的中間配線基板部的剖面圖。

圖15B係本發明之實施形態之複合多層配線基板所使用的其他中間配線基板部的剖面圖。

圖15C係本發明之實施形態之複合多層配線基板所使用的另外其他中間配線基板部的剖面圖。

圖15D係本發明之實施形態之複合多層配線基板所使用的另外其他中間配線基板部的剖面圖。

圖16係本發明之實施形態之另外其他複合多層配線基板的剖面圖。

圖17係本發明之實施形態之另外其他複合多層配線基板的剖面圖。

圖18係習知之複合多層配線基板的剖面圖。

圖19係習知之其他多層基板的剖面圖。

在說明本發明之實施形態之前，簡單說明習知之複合多層配線基板的課題。在圖19所示構成中，係將全層中具有糊膏通孔13的多層基板21彼此，透過接著薄片23來進行積層。

形成在多層基板21的最外層側、或接著薄片23側的銅箔圖案12係被埋設在預浸體18或接著薄片23。銅箔圖案12係使用減成法(Subtractive)等蝕刻技術來形成一片銅箔。因此銅箔圖案12的厚度係無關於其圖案寬幅或形成位置，均為均一，厚度不均較小。但是，依積層條件，係有在使用連接薄片23中的導電糊膏20的連接安定性發生不均等的情形。

以下一面參照圖示，一面說明本發明之實施形態。其中對形成與前面的實施形態為相同的構成者係有標註相同符號，且省略詳細說明的情形。此外，本發明並非限定於以下實施形態。

(實施形態1)

圖1係本發明之實施形態之複合多層配線基板的剖面圖。複合多層配線基板260係具有：包含第1中間配線基板部180U、及第2中間配線基板部180L的複數中間配線基板部180；及連接層215。

中間配線基板部180係分別包含：第1絕緣層110、第1上配線120U、第1下配線120L、及第1通孔130。

第1上配線120U係形成在第1絕緣層110的第1面，第1下配線120L係形成在第1絕緣層110中第1面的背側的第2面。第1通孔130係貫穿第1絕緣層110，且將第1上配線120U及第1下配線120L作電性連接。第1絕緣層110、第1上配線120U、第1下配線120L、及第1通孔130係構成兩面基板部140。

第1上配線120U、第1下配線120L係由銅箔配線所構成，第1通孔130為糊膏通孔。或者，第1上配線120U、第1下配線120L、第1通孔130均可使用鍍敷技術來形成。此時，第1上配線120U、第1下配線120L為鍍敷配線，第1通孔130為鍍敷通孔。

中間配線基板部180係另外包含：第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L、第2上配線160U、第2下配線160L、及第2通孔170。

第2上絕緣層150U係掩埋第1上配線120U，第2下絕緣層150L係掩埋第1下配線120L。第2上配線160U係形成在第2上絕緣層150U之上(外側)，第2下配線160L係形成在第2下絕緣層150L之下(外側)。亦即，第2上配線160U、第2下配線160L係分別形成在第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L的表面，亦即兩面基板部140的相反側。

第2通孔170係貫穿第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L的任一者，將第1上配線120U與第2上配線160U、或第1下配線120L與第2下配線160L作電性連接。

第2通孔170係在形成於第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L的有底孔之中，以鍍敷技術所形成的銅構件，具有盲通孔構造。同樣地，第2上配線160U、第2下配線160L較佳為以鍍敷技術所形成的銅構件的鍍敷配線。將第2通孔170或第2上配線160U、第2下配線160L，均由使用鍍敷技術所形成的銅構件形成，藉此可構成微細的配線圖案。此外，以鍍敷技術而言，除了一般的鍍敷技術以外，藉由使用SAP技術、M-SAP技術，與減成法相比，可形成更為微細的配線圖案或盲通孔。

但是，與以減成法形成的配線圖案或盲通孔相比，以鍍敷技術形成的配線圖案或盲通孔係較為容易發生厚度不均。接著，有愈將以鍍敷技術形成的配線圖案精細圖案化，或者愈將以鍍敷技術形成的盲通孔小徑化，厚度不均愈為增大的傾向。此外，與將銅箔以減成法蝕刻形成所成的配線圖案的剖面形狀相比，以鍍敷技術形成的配線圖案的剖面形狀係較為容易變形為魚板型(semi-circular、D-shaped)等。

第2上配線160U、第2下配線160L與第2通孔170的不同在於有無形成在第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L的通孔部分。在第2上配線160U的第2上絕緣層150U側具有有底孔，在第2下配線160L的第2下絕緣層150L側亦具有有底孔。第2上配線160U、第2下配線160L的一部分，使用鍍敷技術而被填充在該等有底孔，形成為盲通孔構造而形成第2通孔170。其中第2通孔170亦可僅為島部(land)。此外，第2通孔170並不需要具有將島部圖案與島部圖案相連的配線圖案等。

連接層215係具有：連接絕緣層220、及連接通孔210。連接絕緣層220係具有：熱硬化性樹脂部190、及被埋設在熱硬化性樹脂部190的芯材200，將第1中間配線基板部180U、及第2中間配線基板部180L相接著。連接通孔210係貫穿連接絕緣層220，將第1中間配線基板部180U的第2下配線160L與第2中間配線基板部180L的第2上配線160U作電性連接。連接通孔210為糊膏通孔。

複合多層配線基板260係另外具有：第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L、第1最外層配線240U、第2最外層配線240L、及最外層通孔250。

第1最外絕緣層230U係被配置在第1中間配線基板部180U之上(外側)，第2最外絕緣層230L係被配置在第2中間配線基板部180L之下(外側)。第1最外層配線240U係在第1最外絕緣層230U之上(外側)，第2最外層配線240L係在第2最外絕緣層230L之下(外側)，形成在各自的外側。

其中，如後所述，中間配線基板部180亦可透過連接層215而連接3個以上。此時，第1最外絕緣層230U係被配置在複數中間配線基板部180之中之被配置在第1中間配線基板部180U側之最外部的第1最外中間配線基板部的更為外側。接著，第2最外絕緣層230L係被配置在複數中間配線基板部180之中之被配置在第2中間配線基板部180L側之最外部的第2最外中間配線基板部的更為外側。在圖1的構成中，第1中間配線基板部180U兼做第1最外中間配線基板部，第2中間配線基板部180L兼做第2最外中間配線基板部。

圖中上側的最外層通孔250係貫穿第1最外絕緣層230U，且將第1最外層配線240U、與第1中間配線基板部180U的第2上配線160U作電性連接。同樣地，圖中下側的最外層通孔250係貫穿第2最外絕緣層230L，將第2最外層配線240L、與第2中間配線基板部180L的第2下配線160L作電性連接。

第1最外層配線240U與第2最外層配線240L較佳為鍍敷配線，最外層通孔250較佳為鍍敷通孔。其理由係與第2上配線160U、第2下配線160L、及第2通孔170相同。

亦即，第2上配線160U、第2下配線160L、第1最外層配線240U、第2最外層配線240L係由使用鍍敷技術所製作的鍍敷配線形成。此外，至少第2通孔170與最外層通孔250係以鍍敷通孔形成。

在以上構成中，連接通孔210係由將具有：被填充在貫穿孔的銅粉(銅粉、銀粉、覆銀銅粉、或銅粉或銀粉與Sn-Bi焊料粉等之混合物)等導電粉、及熱硬化性樹脂等樹脂的導電糊膏硬化後的糊膏通孔所構成。糊膏通孔係經加壓加熱所形成者，對於再次的加熱加壓，亦具有優異的連接可靠性。因此，可將第1中間配線基板部180U的第2下配線160L與第2中間配線基板部180L的第2上配線 160U確實地連接。尤其，第2通孔170為鍍敷通孔，因此即使在透過連接絕緣層220來作積層的情形下，亦為充分的積層壓力會傳達至形成在連接絕緣層220的連接通孔210，因此可提高其連接可靠性。

如上所述，中間配線基板部180係具有：兩面基板部140、設在其兩外側的第2上絕緣層150U、第2上配線160U、第2下絕緣層150L、第2下配線160L、及第2通孔170。但是，中間配線基板部180亦可僅由兩面基板部140所構成，將第1中間配線基板部180U的第1下配線120L與第2中間配線基板部180L的第1上配線120U以連接通孔210相連接。但是，由於兩面基板部140較薄，因此容易產生起伏，在進行與連接層215的連接作業時，不易處理。因此，中間配線基板部180係除了兩面基板部140以外，較佳為具有第2上絕緣層150U、第2上配線160U、第2下絕緣層150L、第2下配線160L、及第2通孔170。

尤其，較佳為第2上絕緣層150U掩埋第1上配線120U，第2下絕緣層150L掩埋第1下配線120L。

同樣地，連接絕緣層220較佳為埋設有第1中間配線基板部180U的第2下配線160L、及第2中間配線基板部180L的第2上配線160U。此外，較佳為第1最外絕緣層230U係埋設有第1中間配線基板部180U的第2上配線160U，第2最外絕緣層230L係埋設有第2中間配線基板部180L的第2下配線160L。

在任何構成下，均為由絕緣層吸收配線的凹凸。結果，由於配線的凹凸不會呈現在表面，因此，複合多層配線基板260中構裝半導體等零件之面的平坦性高，可進行零件構裝面的精細圖案化。該效果係配線愈厚愈為明顯，配線的厚度為最窄部分的配線寬幅的0.5倍以上、甚至0.7倍以上、甚至1.0倍以上、甚至1.2倍以上時為有效。亦即，藉由將各配線以鍍敷技術形成，即使形成為具有高縱橫比，亦可使零件構裝面形成為平坦。

其中，形成在中間配線基板部180之表層的第2上配線160U、第2下配線160L的厚度、或第2通孔170的突出高度係以5μm以上、10μm以上、甚至20μm以上為宜。藉由將全部鍍敷配線的厚度設為10μm以上、甚至20μm以上，可對應大電流化。此外，可減低因配線電阻而起的損失，使用在使用高頻電路的機器為有用。其中，第2上配線160U、第2下配線160L的厚度、或第2通孔170的突出高度係以設為100μm以下為佳。若超過100μm，會有難以進行藉由連接絕緣層220所為之平坦化(或埋入)的情形。

此外，形成在中間配線基板部180的鍍敷通孔(例如第2通孔170)為填充通孔構造，以將通孔上的凹處形成為10μm以下為佳。藉由將通孔上的凹處形成為10μm以下，即使為糊膏通孔被配置在與凹處相對應的場所的情形下，亦可確保實現電性連接時充分的壓縮。

此外，作為鍍敷配線的第2上配線160U、第2下配線160L、及作為鍍敷通孔的第2通孔170的表面粗糙度Rz係以1.0μm以上、3.0μm以下為佳。藉由形成為如上所示之表面粗糙度，與作為電性絕緣性基材的連接絕緣層220的密接性會提高。此外，第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170、與連接通孔210的連接安定性會提高。此係基於可確保與連接通孔210所包含之導電粒子的接觸點數之故。

其中，成為電性絕緣性基材之連接絕緣層220所設置之作為糊膏通孔的連接通孔210的形成密度係以30個/cm²以上、10萬個/cm²以下為佳。會有因芯材200與中間配線基板部180的熱膨脹差，而作用使連接通孔210變形的應力的情形。但是，藉由將連接通孔210的形成密度形成為30個/cm²以上，對於該應力，連接通孔210形成為樁子來抑制變形。結果可實現安定的糊膏連接。其中，若在製品區域無法確保上述通孔密度時，即使形成在製品區域外，亦可得相同的效果，自不待言。

在實驗上確認出以設在連接絕緣層220的連接通孔210為1~5個/cm²程度，會有發生通孔朝剪切方向變形的模式的情形。在該情形下，發現電阻值不均地較高的傾向。但是，藉由將連接通孔210的形成密度設為10個/cm²以上，開始出現電阻值減少的傾向，藉由設為30個/cm²以上，可改善通孔朝剪切方向變形的模式。其中，將連接通孔210的形成密度設為多於10萬個/cm²，在技術上係有困難的。

接著，一面參照圖2A~圖9，一面說明複合多層配線基板260之製造方法之一例。

圖2A~圖2D係兩面基板部140之製造方法之一例，將圖2A~圖2D所示之製造方法，設為後述圖4中所說明之未硬化連接層370之製造方法之一例乃為有用。

首先說明中間配線基板部180之製造方法。圖2A~圖2D及圖3A~圖3D係顯示中間配線基板部180之製造方法之一例的剖面圖。

如圖2A所示，首先，在預浸體270的兩面設置保護薄膜280。以預浸體270而言，使用市面販售的預浸體為有用。市面販售的預浸體係與例如圖1所示連接層215同樣地，具有：由玻璃織布或玻璃不織布、或耐熱性薄膜所構成的芯材200、及熱硬化性樹脂部190。若包含玻璃織布或玻璃不織布作為芯材200時，熱硬化性樹脂部190係含浸在芯材200的未硬化的環氧樹脂等。若包含聚醯亞胺等耐熱性薄膜作為芯材200時，熱硬化性樹脂部190係設在芯材200的單面或兩面的未硬化環氧樹脂等。

接著，如圖2B所示，以貫穿預浸體270及保護薄膜280的方式，形成貫穿孔290。貫穿孔290係可使用雷射或鑽孔器、打孔器等來形成。

接著，如圖2C所示，將刮漿板310等朝箭號320的方向移動，且將導電糊膏300填充在貫穿孔290。之後，如圖2D所示，藉由去除保護薄膜280，使導電糊膏300的一部分由預浸體270的表面作為突出部330而突出。

接著，如圖3A所示，在預浸體270的兩面黏貼銅箔340，使預浸體270與導電糊膏300熱硬化。結果，預浸體270成為第1絕緣層110，導電糊膏300成為作為糊膏通孔的第1通孔130。此時，將突出部330一面加壓壓縮一面黏貼銅箔340，藉此可將銅箔340與第1通孔130確實連接。

接著，如圖3B所示，藉由將銅箔340圖案化來形成第1上配線120U、第1下配線120L。因此，第1上配線120U、第1下配線120L為銅箔配線。如上所示製作兩面基板部140。

接著，如圖3C所示，在兩面基板部140的兩面另外形成第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L。此時，以埋設第1上配線120U、第1下配線120L的方式形成第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L。此外，亦可視需要，在第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L的表面設置銅箔340。

以第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L而言，使用具備有充分樹脂量、樹脂流量的樹脂，藉此可輕易地埋設壁厚大的銅箔(第1上配線120U、第1下配線120L)。在此，關於上述各種構件的樹脂流量，若參考JIS K7210等即可。

之後，在第2上絕緣層150U、第2下絕緣層150L，使用雷射等設置有底孔，使用鍍敷技術來形成第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170。其中，使用鍍敷技術，設置第2上配線160U、第2下配線160L、或第2通孔170時，如圖3C所示活用銅箔340為有用。

如上所示，製作圖3D所示之具有：作為糊膏通孔的第1通孔130、作為銅箔配線的第1上配線120U、第1下配線120L、作為鍍敷通孔的第2通孔170、作為鍍敷配線的第2上配線160U、第2下配線160L的中間配線基板部180。

接著，一面參照圖4~圖7，一面說明將複數片中間配線基板部180總括積層的態樣。圖4係顯示在第1中間配線基板部180U、第2中間配線基板部180L之間配置未硬化連接層370的狀態的剖面圖。

如圖4所示，未硬化連接層370係具有與圖2D所示之兩面基板部140的中間體相同的構造。亦即，未硬化連接層370係具有：由芯材200及熱硬化性的未硬化接著樹脂360所構成的預浸體270、及被填充在貫穿預浸體270的貫穿孔的導電糊膏300。導電糊膏300的一部分係形成由預浸體270突出的突出部330。

在該狀態下，另外在第1中間配線基板部180U、第2中間配線基板部180L的外側配置例如薄片狀的未硬化最外層樹脂350、及銅箔340，如箭號320所示，使用衝壓裝置或模具等，加壓、加熱，且將該等一體化。如上所示，可將壁厚的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170無凹凸地埋設在未硬化最外層樹脂350。

此外，未硬化最外層樹脂350係在被加熱、加壓時軟化，以吸收厚度或厚度不均的方式流動。因此，未硬化最外層樹脂350更加吸收以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度不均。

此外，設有以導電糊膏300形成的突出部330的預浸體270夾在第1中間配線基板部180U、第2中間配線基板部180L之間。預浸體270係具有未硬化接著樹脂360，因此可將壁厚的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170無凹凸地埋設在未硬化接著樹脂360。

未硬化接著樹脂360係在被加熱、加壓時軟化，以吸收厚度或厚度不均的方式流動。因此，未硬化接著樹脂360更加吸收以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度不均。

此外，作為鍍敷配線的第2上配線160U、第2下配線160L的厚度份、或作為鍍敷通孔的第2通孔170的突出高度份係由未硬化接著樹脂360所收容，藉此可有效吸收該凹凸。此外，同時將成為連接通孔210的導電糊膏300更為強力進行壓縮，可提高連接安定性，且可達成作為糊膏通孔之連接通孔210的低電阻化。

若在中間配線基板部180之成為鍍敷通孔的例如第2通孔170之上配置糊膏通孔，鍍敷表面形狀會對糊膏的壓縮造成影響。因此，若在鍍敷通孔上有凹處時，會因此而有糊膏壓縮不足的情形。

例如，若在成為電性絕緣性基材的連接絕緣層220使用厚度60μm的市面販售的基材，若通孔上的凹處為20μm，則會有電阻值大且不均亦大，而相對凹處量，電阻值變化變大的情形。例如，若在由玻璃纖維所成之芯材200，使用將未硬化的環氧樹脂等未硬化接著樹脂360配置在兩面所形成的預浸體270作為基材時，會發生如上所示之現象。在如上所示之情形下，亦將鍍敷通孔上的凹處形成為15μm以下，藉此減低通孔的電阻值的不均，藉由另外形成為10μm以下，通孔的電阻值成為大致一定。

以連接絕緣層220而言，若在由玻璃織布等所成之芯材200之上，以厚度15μm形成未硬化接著樹脂360時，若鍍敷配線厚度為10μm時，會有導電糊膏300的糊膏的壓縮不充分而電阻值不均變大的情形。如上所示之情形下，若將鍍敷配線厚度設為15μm，發現電阻值減少、且不均變小的傾向。另外藉由將鍍敷配線的厚度設為20μm以上，確認出不會取決於鍍敷厚度，電阻值、不均均大致成為一定值而安定化。由該點來看亦較佳為第2上配線160U、第2下配線160L的厚度、或第2通孔170的突出高度為5μm以上、甚至10μm以上、20μm以上。

其中，以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均係藉由使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350均進行加熱、加壓、軟化，可使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350之中吸收。

此外，形成在芯材200之至少單面的未硬化接著樹脂 360的體積(或上附樹脂量)係大於被埋入在預浸體270的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的配線體積為有用。其中，以體積比，形成為1.1倍以上、10.0倍以下為有用。此外，以1.5倍以上、7.0倍以下為佳，以2.0倍以上、5.0倍以下為更佳。藉此，未硬化接著樹脂360不會變得過大，可對導電糊膏300賦予最適壓縮，結果可將連接電阻值安定地減低。

精度佳地控制形成在中間配線基板部180的表層的第2上配線160U、第2下配線160L等的鍍敷配線的埋入乃極為重要。實際上係有鍍敷配線圖案按每個製品而異的情形，因此將鍍敷配線的埋入狀態，依製品更加微細地最適化為有用。不僅鍍敷配線的厚度，控制鍍敷配線的體積(在減成法中，亦有被稱為剩銅率的情形)，充分確保埋入鍍敷配線所需的未硬化接著樹脂360的量，對於解決配線埋入不足乃為有用。

其中，以導電糊膏300而言，使用主要包含平均粒徑5μm左右之導電粒子者，在成本上較為有用。對於如此之導電糊膏300，若使第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的表面粗糙度Rz大於3.0μm時，電性接觸點減少，會有電阻值變大的情形。此外，若將第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的表面粗糙度Rz設為未達1.0μm時，在與成為電性絕緣性基材的連接絕緣層220之間，定準效應會降低，會有在使用迴焊的耐熱測試中發生層間剝離現象的可能性。由如上所示之觀點來看，亦如前所述以1.0μm以上、3.0μm以下為佳。

圖5係顯示加壓、加熱工程之一例的剖面圖。如箭號320所示，藉由加壓、加熱，中間配線基板部180之形成在預浸體270側的第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170係無凹凸地被埋設在構成預浸體270的未硬化接著樹脂360。

其中，圖4、圖5均為模式圖。亦可例如圖5的第2中間配線基板部180L的最外層側的第2下配線160L或最外層側的第2通孔170所示，將未硬化最外層樹脂350或銅箔340等，事前或輔助式進行層疊(臨時固定、或暫時固定、臨時接著等)。按照由市場所被要求的製品用途，以作為未硬化最外層樹脂350所使用的預浸體或薄膜構件而言，有圖求厚度為40μm以下、甚至30μm以下、20μm以下者的情形。如上所示，薄層構件係有單獨難以處理的情形。此時，如圖5所示，可與其他構件一起輔助式層疊，藉此提高薄層構件的處理性。

可將中間配線基板部180的表面中由第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170所成之配線的配線佔有率、或剩銅率設為30%以上、甚至40%以上、50%以上、60%以上。其中，全體的剩銅率係有以形成為90%以下為佳的情形。

如前所述，可使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350之中吸收以鍍敷形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均。因此，如上所示，可設定為如40%以上、50%以上、60%以上般的高配線佔有率或剩銅率。接著，即使將形成在中間配線基板部180的表層的該等配線的配線佔有率或剩銅率設定為50%以上，亦可使未硬化接著樹脂360安定流動。提高配線的配線佔有率或剩銅率，即使為一面確保掩埋配線間隙所需的未硬化接著樹脂360的量，一面使過量的未硬化接著樹脂360減少的意圖亦為較佳。其中，較佳為將形成在中間配線基板部180的表面的第2上配線160U、第2下配線160L的配線圖案的形狀，形成為控制流體流動般的導引圖案、或流路圖案。藉此，未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350可控制軟化而流動時的流動方向。

其中，在藉由加壓、加熱所為之積層時，將升溫速度減緩為10℃/分鐘以下、甚至3℃/分鐘以下為有用。亦即，在將成為中間配線基板部180的表層配線的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170埋入在連接絕緣層220時，將升溫速度減緩為10℃/分鐘以下、甚至3℃/分鐘以下為有用。如此一來，可充分確保未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350軟化而流動的時間，將第2通孔170等輕易地埋設在連接絕緣層220或未硬化最外層樹脂350。此外，在未硬化接著樹脂360軟化的軟化溫度區域，與至該時為止的升溫速度相比，減小升溫速度亦為有用。

在第2通孔170等埋設在未硬化接著樹脂360的同時，形成在預浸體270的貫穿孔所填充的導電糊膏300係被朝中間配線基板部180的表面突出的第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170加壓而被壓縮。接著，導電糊膏300係除了突出部330的突出量份以外，另外以第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170的突出厚度份，更加強力地被壓縮。藉由該壓縮，導電糊膏300的導電率會變大。亦即，電阻值變小，可將通孔電阻抑制為較低。另外，減低導電糊膏300、與第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170的界面的接觸電阻。

中間配線基板部180係具有：內層的第1通孔130、及至少形成在表層的鍍敷通孔亦即第2通孔170之二者。因此，積層時對導電糊膏300傳達充分的壓力。結果，可提高將導電糊膏300硬化而形成的連接通孔210的連接可靠性。

如圖4所示，在第1中間配線基板部180U與第2中間配線基板部180L之間配置未硬化連接層370之後，將未硬化連接層370熱硬化之前，如圖5所示，使第1中間配線基板部180U的第2下配線160L、與第2中間配線基板部180L的第2上配線160U密接在預浸體270所包含的未硬化接著樹脂360。或者，亦可使該等配線埋設在未硬化接著樹脂360。

此外，朝向中間配線基板部180之與預浸體270側為不同的面(亦即最外層側的面)突出的第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170係被埋設在未硬化最外層樹脂350。

如上所示，將以朝中間配線基板部180的兩面突出的方式而設的第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170，同時埋入在預浸體270的未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350。藉此，可防止因第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170的厚度而起的凹凸的發生。此外，在該埋入時，不會發生不需要的應力。接著，可使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350均進行加熱、加壓而軟化，藉此使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350之中吸收以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均。

安置在中間配線基板部180的最外層側的未硬化最外層樹脂350為未硬化。或者，亦可為半硬化狀態。即使第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170的厚度厚，例如20μm以上，未硬化最外層樹脂350係作為一種緩衝層來發揮功能。或者作為藉由流動來減低厚度的流動層來發揮功能。因此，發揮優異的凹凸埋設效果、或平坦化效果。此外，在該埋入時，不會發生不需要的應力。在此，以未硬化最外層樹脂350而言，以選擇具備有埋設第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170時充分的樹脂量或樹脂流量者為佳，自不待言。

未硬化最外層樹脂350兼做緩衝層、或緩衝材為有用。因此，未硬化最外層樹脂350的樹脂流量係以大於未硬化接著樹脂360的樹脂流量為有用。使未硬化最外層樹脂350，相較於未硬化接著樹脂360，以更為低溫軟化(或熔融、或流動)，藉此可更加提高緩衝效果。接著，比未硬化接著樹脂360為更先(或更為低溫)使未硬化最外層樹脂350軟化，藉此可使施加至連接絕緣層220的壓力更為均一，而提高作為糊膏通孔的連接通孔210的連接安定性。

如上所述，第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170不會使凹凸發生地被同時埋入在預浸體270的未硬化接著樹脂360、或未硬化最外層樹脂350。接著，在埋入的狀態下同時被熱硬化。

圖6係說明平坦埋入該等構件，並且以連接通孔210相連接的態樣的剖面圖。

第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L係在埋設有第2下配線160L、第2上配線160U或第2通孔170的狀態下，將未硬化最外層樹脂350熱硬化而形成。此外，連接絕緣層220係在埋設有第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的狀態下，藉由將未硬化接著樹脂360熱硬化所形成。連接通孔210係藉由將導電糊膏300硬化所形成。接著，以鍍敷技術形成的第2下配線160L的厚度不均、或以鍍敷技術形成的第2上配線160U的厚度不均均被導電糊膏300的突出部330所吸收，藉由由導電糊膏300所成之連接通孔210來作電性連接。

如上所示，第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層 230L、與連接絕緣層220較佳為均在未硬化狀態下，埋設第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170，在該狀態下同時熱硬化。藉由該操作，將伴隨熱硬化所發生的應力抑制為較小。接著，第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L與連接絕緣層220由未硬化狀態被加熱而熱硬化時，軟化，甚至液狀化，藉此可緩和因熱膨脹係數不同所發生的應力。

之後，將圖6所示之最外部的銅箔340剝離而形成為圖7所示之狀態。圖7係說明進行在第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L，使用鍍敷技術，形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L、或最外層通孔250的準備的態樣的剖面圖。之後，使用雷射等，形成有底孔。之後，使用鍍敷技術，形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L或最外層通孔250，藉此即完成前述圖1所示之複合多層配線基板260。

其中，亦可在將銅箔340剝離後，除了使用雷射等形成成為盲通孔的有底孔以外，在殘留銅箔340的狀態下，使用雷射等來形成成為盲通孔的有底孔。接著，在殘留銅箔340的狀態下，使用雷射等來形成成為盲通孔的有底孔，使用鍍敷技術來形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L或最外層通孔250。亦可如上所示。

其中，以圖6~圖7所示工程而言，以使用SAP技術、M-SAP技術為有用。

如以上所示，本實施形態之複合多層配線基板之製造方法係具有以下(1)~(4)的步驟。

(1)準備具有包含：內層的第1配線與第2配線、及表層的第1面的第2上配線與第2面的第2下配線的4層以上的配線，且包含第1中間配線基板部及第2中間配線基板部的複數中間配線基板部的步驟。

其中，中間配線基板部180若為由具有以鍍敷形成的第2上配線160U及第2下配線160L的4層以上所成之中間配線基板部180即可。此外，若使用2片中間配線基板部180時，形成為第1、第2中間配線基板部180即可。

(2)在具有未硬化接著樹脂360、及被埋設在未硬化樹脂360的芯材200的連接絕緣層220形成貫穿孔290，且在該貫穿孔290以具有突出部330的方式填充導電糊膏300的步驟。

其中，亦可先準備在具有芯材200及未硬化接著樹脂360的預浸體270的兩面黏貼有保護薄膜280的狀態下，在該預浸體270形成貫穿孔290，與導電糊膏300填充在貫穿孔290者，藉由將保護薄膜280剝離而形成突出部330。

(3)分別在複數中間配線基板部180之間設置未硬化連接層370，在中間配線基板部180的最外層側設置未硬化最外層樹脂350及銅箔340的步驟。

其中，若使用3片中間配線基板部180時，在中間配線基板部180之間，交替設置分別各1片合計2片未硬化連接層370即可。

其中，亦可形成為在複數中間配線基板部180之中被配置在第1中間基板部側的最外層的第1最外中間基板部180U的更為外側、及在複數中間配線基板部180之中被配置在第2中間基板部側的最外層的第2最外中間基板部180L的更為外側，設置未硬化最外層樹脂350，在複數前述中間配線基板部180之間設置具有前述突出部330的未硬化連接層370的步驟。

(4)將複數中間配線基板部180、未硬化連接層370、及未硬化最外層樹脂350加壓、加熱而一體化的步驟。

其中，亦可形成為將銅箔340、未硬化最外層樹脂350、複數中間配線基板部180、及未硬化連接層370一面加熱、加壓一面一體化的一體化步驟。

以上，除了(1)~(4)的步驟以外，設置以下(5)的步驟為有用。

(5)在未硬化最外層樹脂350硬化所形成的第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L所形成的有底孔形成最外層通孔250，在最外絕緣層230的外側形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L的步驟。

其中，中間配線基板部180係若具有以鍍敷形成的第2上配線160U或第2下配線160L作為其表層配線，則充分作為本實施形態之特定要件。亦即，構成中間配線基板部180的內部的配線可為以鍍敷形成者，亦可為使銅箔蝕刻者。同樣地，中間配線基板部180若具有以鍍敷形成的第2上配線160U或第2下配線160L作為其表面配線即可，內部的通孔可為以鍍敷形成者，亦可為以糊膏形成者。

此外，在將銅箔340、未硬化最外層樹脂350、複數中間配線基板部180、及未硬化連接層370，一面加熱、加壓一面一體化的一體化步驟中，係以具有以下(A)~(D)的步驟為宜。

(A)使未硬化連接層370所包含的未硬化接著樹脂360軟化，在吸收第2上配線160U或第2下配線160L的厚度或厚度不均的狀態下使其硬化，而形成為連接層215的步驟。

(B)使未硬化最外層樹脂350軟化，在吸收第2上配線160U、或第2下配線160L的厚度或厚度不均的狀態下使其硬化，而形成為第1最外絕緣層230U、230L的步驟。

(C)使未硬化連接層370所包含的導電糊膏300熱硬化而形成連接通孔210的步驟。

(D)連接通孔210將第1中間配線基板部180U的第1下配線120L、及第2中間配線基板部180L的第1上配線120U之間作電性連接的步驟。

以上，藉由(A)~(D)的步驟，以1個以上的連接層215固接2個以上的中間配線基板部180，並且以作為糊膏通孔的連接通孔210作電性連接。藉此，複合多層配線基板260的良率會提升，並且藉由連接通孔210，可將2個以上的中間配線基板部180確實地作電性連接。因此，將上述(A)~(D)的步驟，以一個工程、或總括、或同時進行為有用。

使用圖8~圖9，說明使未硬化接著樹脂360或未硬化最外層樹脂350之中吸收以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均的機制。

之後，一面參照圖8，一面說明將具有壁厚較大、甚至厚度不均的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170埋設在連接絕緣層220中的未硬化接著樹脂360的態樣。圖8係將在未硬化接著樹脂360埋設第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的態樣局部放大來作說明的剖面圖。

箭號320a係表示供形成為凹凸狀的通孔170a~170b、作為第2下配線的第2配線160a、160b、作為第2上配線的第2配線160c、160d埋設在中間配線基板部180的表面之用所被施加的加壓、加熱的態樣。此外，箭號320b係表示預浸體270中所包含之未硬化狀態的未硬化接著樹脂360軟化、流動且被填充、埋設在通孔170a~170b、第2配線160a~160d的間隙(或凹凸)的態樣。其中，使用玻璃織布或玻璃不織布、或聚醯亞胺等耐熱性薄膜作為連接絕緣層220的芯材200，藉此在圖5所示之加壓、加熱工程中，亦不會有相對向的第2下配線 160L及第2上配線160U相接觸的情形。此外，藉由在連接絕緣層220，使用利用該等作為芯材200的構件(例如預浸體270)，藉此提高其處理性。此外，在加壓壓縮時，可防止導電糊膏300擠壓而擴展的情形。

在此，使用鍍敷技術所形成的通孔170a~170b、第2配線160a~160d的厚度或形狀的不均，與如第1上配線120U般將銅箔340圖案化所形成的配線相比，變得較大。亦即，使用鍍敷技術所形成的配線圖案或通孔，與使用減成技術所形成者相比，較容易發生圖案邊緣的形狀或厚度的不均。此係基於通孔170a~170b、第2配線160a~160d形成時，鍍敷液的流量、或活性度受到配線圖案的疏密、或通孔的有無等、鍍敷析出速度的影響之故。在圖8所示之例中，通孔170a的配線厚度係比通孔170b的配線厚度為更厚。此外，第2配線160b係比第2配線160c為更厚，第2配線160a係比第2配線160b為更厚。接著，第2配線160d係比第2配線160a為更厚。

一般使用鍍敷技術所形成的鍍敷配線的厚度不均，係比將銅箔340蝕刻所形成的銅箔配線的厚度不均為更大。此外，鍍敷配線的厚度不均係無論將鍍敷技術與減成法相組合，或與半加成法相組合，均會有相較於銅箔配線的厚度不均，厚度不均為較大的傾向。

此外，若將鍍敷技術與減成法相組合時，即使在鄰接配線間，厚度不均為較小的情形下，亦會有配線的厚度不均在配線基板全體中的特定位置大幅不同的情形。例如製作60cm見方的配線基板時，會有配線厚度在配線基板的周緣部與中央部為不同的情形。

另一方面，若使用半加成法時，即使配線厚度在60cm見方的配線基板的周緣部與中央部為大致相同，亦會有在鄰接配線間發生厚度不均的情形。

如上所示，以鍍敷技術形成的通孔170a~170b、第2配線160a~160d係具有不同的配線厚度。此外，配線寬幅不同、或有配線圖案的疏密，甚至依在配線基板全體的位置，而發生該等情形。在本實施形態中，將如上所示之通孔170a~170b、第2配線160a~160d，如箭號320b所示埋入在連接絕緣層220。

此時，在各部分係分別發生特有的應力。但是，該等應力係利用經由預定的加熱、加壓工程所形成之作為糊膏通孔的第1通孔130而受到緩和。如上所示，第1通孔130形成為一種應力緩和層，但是此係基於糊膏通孔與鍍敷通孔相比，會有強度較低的情形之故。

接著，使用圖9，說明使未硬化最外層樹脂350之中吸收以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均的機制。圖9係局部放大顯示將位於最外層的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170埋設在未硬化最外層樹脂350，在埋設的狀態下熱硬化而一體化的態樣的剖面圖。

箭號320a係表示供形成為凹凸狀的通孔170c~170d、第2配線160e~160h埋設在中間配線基板部180 的表面之用所被施加的加壓、加熱。此外，箭號320c係表示未硬化最外層樹脂350流動、填充而被埋設在通孔170c~170d、第2配線160e~160h的間隙(或凹凸)的態樣。第2配線160e、160f係圖5中的上側的第2上配線，第2配線160g、160h係圖5中的下側的第2下配線。其中，並未圖示成為連接層215的預浸體270。

通孔170c、170d、第2配線160e~160h亦使用鍍敷技術所形成。因此，與通孔170a、170b、第2配線160a~160d同樣地，厚度或形狀不均較大。在圖9所示之例中，通孔170c的配線厚度係比通孔170d的配線厚度為更厚。此外，第2配線160f係比第2配線160g為更厚，第2配線160e係比第2配線160f為更厚。接著，第2配線160h係比第2配線160e為更厚。

因此，當將通孔170c、170d、第2配線160e~160h埋入在未硬化最外層樹脂350時，在各部分係發生各自特有的應力。但是，該等應力係可利用形成在連接絕緣層220之作為糊膏通孔的連接通孔210進行緩和、吸收。連接通孔210係藉由將導電糊膏300在積層時變形為預定厚度所形成，可吸收厚度不均等。

其中，圖8所示之加熱加壓工程、及圖9所示之加熱加壓工程係可在一個加熱加壓工程中進行。因此，可使未硬化最外層樹脂350或未硬化接著樹脂360被填充在藉由通孔170a、第2配線160a、160b的間隙、通孔170b、第2配線160c、160d的間隙、通孔170c、第2配線160e、 160f的間隙、通孔170d、第2配線160g、160h的間隙的各個所發生的應力發生為更小。被配置在中間配線基板部180之兩面的未硬化最外層樹脂350與未硬化接著樹脂360係作為一種緩衝材來發揮功能。因此，該等被加壓，藉此追隨其凹凸面。

亦即，未硬化最外層樹脂350或未硬化接著樹脂360係由室溫(例如20℃)被加熱，藉此軟化而液化，因此緩和埋設配線等時的應力。之後，即使為熱硬化的情形下，在加熱時，即使為硬化狀態，彈性率亦會降低，因此可緩和應力。其中，若使用環氧樹脂作為樹脂時，加熱溫度係以設為300℃以下、甚至250℃以下為有用。

此外，藉由上述緩衝作用，即使通孔170a~170d、第2配線160a~160h的圖案的疏密、厚度不均等在表背面彼此不同，亦不會有發生對導電糊膏300的壓縮力的不均的情形。如上所示，在埋設藉由通孔170a~170d、第2配線160a~160h所產生的凹凸的狀態下，將未硬化最外層樹脂350及未硬化接著樹脂360同時熱硬化，藉此可抑制不需要的應力發生。

其中，在圖9中，與圖4所示之預浸體270同樣地，亦可在未硬化最外層樹脂350，使用玻璃織布或玻璃不織布、或聚醯亞胺等耐熱性薄膜作為芯材200。藉由設置芯材200，在加壓、加熱工程中，不會有銅箔340、及通孔170c、170d、第2配線160e~160h相接觸的情形。

此外，若在未硬化最外層樹脂350使用具有玻璃織布或玻璃不織布、或聚醯亞胺等耐熱性薄膜作為芯材200者時，亦可使用市面販售的預浸體材(或者圖4等中所說明的預浸體270)。藉由使用在未硬化最外層樹脂350具有玻璃織布或玻璃不織布、或聚醯亞胺等耐熱性薄膜作為芯材200者，來提高其處理性。此外，藉由調整芯材200的熱膨脹係數，可以將複合多層配線基板260的熱膨脹係數對應半導體的裸晶片構裝的方式進行最適化。此外，藉由設置芯材200，提高複合多層配線基板260的剛性或平坦性、共面性(Coplanarity)，可對應半導體裸晶片構裝。

另一方面，為了提高未硬化最外層樹脂350的樹脂流量，且提高作為緩衝層的功能，未硬化最外層樹脂350係以未包含芯材200為佳。因不具有芯材200來提高樹脂流量性。

如以上所示，若使用鍍敷技術來形成第2上配線160U、第2下配線160L、通孔170時，會發生因圖案寬幅的大小、或通孔的有無所造成的配線厚度不均、圖案邊緣的鮮明度不均等特有的課題。但是，藉由同時(或一次加熱加壓工程之中)進行圖8、圖9所示之埋設~熱硬化工程，可一次吸收該等不均，而提高連接部分的可靠性。一次加熱加壓工程意指一個工程、或相同工程，保持安置在使用在加熱的模具等的狀態下，或不會避開加壓狀態，或不會由模具等卸除地進行。

其中，第1最外層配線240U、第2最外層配線240L或最外層通孔250係以設於在吸收由鍍敷配線所成之第2 上配線160U、第2下配線160L的厚度或厚度不均的狀態下硬化而成的第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L的表面為宜。接著，第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L係在抑制因配線厚度等而起之凹凸發生的狀態下形成有第2上配線160U、第2下配線160L、第2通孔170等。如上所示，第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L係具有高的平滑度。因此，在第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L的表面，以雷射等形成有底孔，使用鍍敷技術，形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L或最外層通孔250較為容易。此外，藉由提高第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L的表面平滑度，較為容易將零件構裝在該基板。

其中，以具有以糊膏通孔所構成的第1通孔130的兩面基板部140而言，可使用兩面ALIVH基板(Any Layer Interstitial Via Hole的意思，Panasonic股份有限公司的註冊商標)。若使用兩面ALIVH基板作為兩面基板部140時，中間配線基板部180係具有：第1上配線120U、第1下配線120L、第2上配線160U、第2下配線160L之合計4層的配線。此外，若使用4層ALIVH基板作為兩面基板部140時，中間配線基板部180係具有6層配線。如上所示，藉由在兩面基板部140使用具有2層以上的配線的基板，可製作4層以上的中間配線基板部180。

若第1上配線120U、第1下配線120L為預定的銅箔被圖案化所形成的銅箔配線時，與鍍敷配線相比，厚度不均較小。此係基於銅箔配線蝕刻長形銅箔而形成為配線之故。

其中，在將第1上配線120U、第1下配線120L形成為厚度精度優異的銅箔配線時，以使用ALIVH基板為宜。即使為鄰接的配線彼此，或為數十cm見方之基板尺寸的周緣部與中央部，銅箔配線與鍍敷配線相比，厚度不均較少。因此，可更加減低複合多層配線基板260的凹凸。

此外，與厚度精度優異的第1上配線120U、第1下配線120L相組合的第1通孔130較理想為糊膏通孔。如上所示，藉由將被內置於第1絕緣層110之內部的第1通孔130形成為糊膏通孔，可輕易地連接第1上配線120U及第1下配線120L。

以上，在圖2A~圖9中，係說明在第1通孔130使用糊膏通孔、在第1上配線120U、第1下配線120L使用銅箔圖案作為具有以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的中間配線基板部180的情形。但是，以使用在複合多層配線基板260的中間配線基板部180而言，亦可使用在第1通孔130具有以鍍敷技術形成的鍍敷通孔，在第1上配線120U、第1下配線120L具有以鍍敷技術形成的配線圖案者。如上所示，以中間配線基板部180而言，若為具有以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的中間配線基板部180即可。

例如圖10所示，亦可以鍍敷通孔形成第1通孔430。接著，亦可以鍍敷配線形成第1上配線500U、第1下配線500L。此時，在複合多層配線基板265中，連接通孔以外的全部通孔成為鍍敷通孔，全部配線成為鍍敷配線。此時，加熱/加壓工程中的壓力更加有效作用。關於該效果特別明顯之例，容後說明。亦即，一面參照圖11~圖12，一面說明通孔構造的不同對連接層215中的連接通孔210的可靠性所造成的影響。

圖11係說明在由糊膏通孔所成之具有串聯通孔構造的中間配線基板中所發生之課題之一例的剖面圖。

圖11所示之複合多層配線基板390A係具有串聯通孔構造部400A。在串聯通孔構造部400A中，係朝厚度方向以串聯狀態積層有複數通孔130a~130c。例如，通孔130b係相當於第1通孔，通孔130a、130c係相當於第2通孔。

若為如上所示之串聯通孔構造部400A，箭號320a所示之加壓力係如箭號320d所示，透過作為糊膏通孔的通孔130a~130c而被傳達至導電糊膏300。但是，糊膏通孔係使複數銅粉等金屬粉被加壓壓縮者，而且含有熱硬化樹脂等。因此，與鍍敷通孔相比，強度較低。因此，會有與導電糊膏300相接的通孔130c因積層壓力而變形的情形。此時，預定的積層壓力不會傳達至導電糊膏300。如上所示，若與導電糊膏300相接之通孔130c、或透過銅箔圖案而傳達壓力的通孔130a、130b容易變形時，會有在與導電糊膏300的接觸性發生課題的情形。

若發生如此之課題時，形成為圖12或圖13所示之構造為有用。圖12、圖13均係顯示用以提高使用具有串聯通孔構造之中間配線基板部之複合多層配線基板中的連接安定性的剖面構造的剖面圖之一例。

圖12所示之複合多層配線基板390B係具有串聯通孔構造部400B。在串聯通孔構造部400B中，係朝厚度方向以串聯狀態積層有作為鍍敷通孔的通孔170a~170c。例如，通孔170b係相當於第1通孔，通孔170a、170c係相當於第2通孔。

在串聯通孔構造部400B中，全部通孔170a~170c由不易因積層壓力而變形的鍍敷通孔所構成。鍍敷通孔並未包含樹脂等，與糊膏通孔相比，強度較高。因此，加熱/加壓工程中的壓力透過通孔170a~170c而有效傳達至導電糊膏300。結果，導電糊膏300硬化所形成的連接通孔210、與通孔170c的連接安定性提高。

其中，若在通孔170a~170c之中與導電糊膏300相接的通孔170c為鍍敷通孔，上述效果係以一定程度被發揮。一面參照圖13，一面說明該態樣。圖13係顯示發生圖11中所說明的課題時的對應例的剖面圖。

一般而言，串聯通孔構造部係相較於以必須要有昂貴且複雜的工程的鍍敷通孔形成，以廉價且簡單的糊膏通孔形成為有用。但是，在構造上以糊膏通孔構成串聯通孔構造部時，會產生參照圖11所說明的課題。因此，如圖13 所示，若構成以鍍敷通孔構成至少與導電糊膏300相接的通孔170c、或透過銅箔圖案而傳達壓力的通孔的串聯通孔構造部400C即可。

如前所述，若為圖12所示之全部以鍍敷通孔構成的串聯通孔構造部400B，箭號320a所示之加壓力係如箭號320d所示，直接被傳達至導電糊膏300。此係基於串聯狀通孔170a~170c以全部由強度高之銅等金屬所成之鍍敷通孔彼此一體化而構成之故。因此所被施加的積層壓力係透過經一體化的高強度的串聯通孔構造部400B，照原樣傳達至形成在未硬化接著樹脂360的導電糊膏300。結果，必須由導電糊膏300吸收通孔170a~170c的厚度不均、或中間配線基板部180的厚度不均等全部。但是通孔170a~170c的厚度不均、或中間配線基板部180的厚度不均變大時，會有以導電糊膏300無法吸收該不均的情形。通孔170a~170c的厚度不均(3σ)為7μm以上、甚至10μm以上時，或中間配線基板部180的厚度不均為7μm以上、甚至10μm以上時，會有成為如上所示之狀況的情形。因此，厚度不均(3σ)係以抑制為未達7μm為宜。

如上所示之情形下，如圖13所示之複合多層配線基板390C般，以構成包含作為糊膏通孔的通孔130a、130b的至少1個的串聯通孔構造部400C為佳。糊膏通孔與鍍敷通孔相比，較為柔軟。因此，發揮緩和積層衝壓時施加於作為鍍敷通孔的通孔170c的應力的作用。藉由如上所示之構造，可使積層衝壓時施加於串聯通孔構造400c的應力分散，來抑制在通孔170c發生微裂縫，並且可提高導電糊膏300(連接通孔210)的壓縮程度。

其中，圖11~圖13為模式圖。接著，在圖11~圖13的一部分，圖示成將構成內層配線的配線的一部分，以內層配線的厚度形成為段差而不會出現在表面的方式埋入在絕緣層之中。如上所示，即使在以將內層配線由絕緣層突出的方式(或在表面形成為凹凸的方式)形成的情形下，或以在絕緣層吸收內層配線的厚度的方式(或在表面不會形成為凹凸的方式)形成的情形下，均發揮藉由本實施形態所達成之作用效果。此係基於在任何情形下，均在中間配線基板部180的表面，以鍍敷技術形成的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170係具有厚度不均的課題，可藉由本實施形態所得之構成來解決該厚度不均之故。

接著，針對複合多層配線基板260的應用例，使用圖14~圖19更進一步詳加說明。圖14係說明使用具有6層以上的配線的中間配線基板部480時的剖面圖。在圖14中，省略部410係省略、或代用多層配線基板的內層配線或內層通孔來圖示。

在參照圖1所為之說明中，係顯示使用具有4層配線的中間配線基板部180的情形作為一例。但是，中間配線基板部亦可具有4層以上、6層以上的配線。

即使在使用具有6層以上的配線的中間配線基板部480的情形下，亦與使用具有4層配線的中間配線基板部 180的情形同樣地，可吸收以鍍敷技術形成在表層的第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度或厚度不均。

圖14所示之中間配線基板部480為6層以上的配線基板，除了前述圖1中所說明的中間配線基板部180的構成以外，另外具有：第3上絕緣層155U、第3下絕緣層155L、第3上配線165U、第3下配線165L、及第3通孔450。第3上絕緣層155U係掩埋第2上配線160U及第2通孔170，第3下絕緣層155L係掩埋第2下配線160L及第2通孔170。第3上配線165U係形成在第3上絕緣層155U的外側，第3下配線165L係形成在第3下絕緣層155L的外側。第3通孔450係貫穿第3上絕緣層155U、第3下絕緣層155L的任一者，將第2上配線160U與第3上配線165U、或第2下配線160L與第3下配線165L作電性連接。

任何情形均可得藉由被配置在最外層的未硬化最外層樹脂350所達成之緩衝效果、或平滑效果。如上所示，藉由未硬化最外層樹脂350所達成之緩衝效果並不會受到中間配線基板部的配線層數影響。

圖15A、圖15B係顯示中間配線基板部180之構成之一例的剖面圖。此外，圖15C、圖15D係顯示中間配線基板部480之構成之一例的剖面圖。在圖15A~圖15D中，省略部410係代用、省略第1通孔或第2通孔、內層配線等而圖示。

在圖15A所示之中間配線基板部180中，第1通孔430及第2通孔170均為鍍敷通孔。另一方面，在圖15B所示之中間配線基板部180中，第1通孔130為糊膏通孔。形成在通孔糊膏之兩側的第1上配線120U、第1下配線120L為銅箔配線。第2通孔170為鍍敷通孔。

在圖15C所示之中間配線基板部480中，第1通孔130為糊膏通孔，形成在糊膏通孔之兩側的第1上配線120U、第1下配線120L為銅箔配線。形成在其上的第2通孔170、第3通孔450為鍍敷通孔。另一方面，在圖15D所示之中間配線基板部480中，第1通孔130與第2通孔440為糊膏通孔。形成在通孔糊膏之兩側的第1上配線120U、第1下配線120L、及第2配線460為銅箔配線。第3通孔450為鍍敷通孔。

接著，在中間配線基板部480中，亦可以第3上絕緣層來掩埋第2上配線。接著，亦可在該第3上絕緣層的外側設置第3上配線。

同樣地，亦可另外以第3下絕緣層掩埋第2下配線。接著，亦可在第3下絕緣層的外方形成第3下配線。接著，亦可形成為另外具有貫穿第3上絕緣層、第3下絕緣層的任一者且將第2上配線及前述第3上配線、或第2下配線與第3下配線作電性連接的第3通孔的複合多層配線基板。

可使用該等中間配線基板部180、480的任2個，來製作複合多層配線基板。

其中，中間配線基板部180、480的構成並非限定於圖15A~圖15D。因此，以中間配線基板部而言，亦可使用4層基板及6層基板，將該4層基板及6層基板，如前述圖4等所示總括積層，來製作複合多層配線基板。如上所示，即使為層數不同的中間配線基板部、或層數或其構成、或配線的厚度或段差等彼此為不平衡的複數中間配線基板，亦可總括積層。此係基於藉由未硬化最外層樹脂350所得之緩衝效果或平滑效果並不會受到中間配線基板部180的構成的影響之故。

以中間配線基板部180、480而言，可如圖15B、圖15C所示，第1通孔可為糊膏通孔，第2通孔可為鍍敷通孔，亦可如圖15A所示，全部通孔可為鍍敷通孔。

此外，如圖15D所示，糊膏通孔亦可最外部的通孔以外的通孔為糊膏通孔，而非僅有第1通孔。其係基於藉由未硬化最外層樹脂350所得之緩衝效果或平滑效果並不會受到中間配線基板部的構成的影響之故。

其中，中間配線基板部中的配線層數若為4層以上即可。中間配線基板部中的層數亦可為5層、7層等奇數層，但是若考慮到製造容易度，層數較佳為偶數。

其中，以糊膏通孔構成第1通孔130，以鍍敷通孔構成第2通孔170為有用。藉由使用併用糊膏通孔及鍍敷通孔的4層配線基板來作為中間配線基板部180，藉此可使通孔島部小徑化，可更高密度地收容配線。具體而言，可以較短的前置時間，製造200μm島部、150μm島部、甚至100μm島部等高密度的多層配線基板。

當以鍍敷工法形成第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170時，以在計測出第1通孔130的位置之後，使用LDI(laser direct imaging，雷射直接成像法)為佳。藉由使用LDI來進行曝光，可補正按每一片基板的尺寸係數調整、或基板面內的座標變形。如上所示，藉由使用LDI技術，在製造工程中，即使配線基板的絕對尺寸稍微變化，亦可提高與形成在內部的配線、及形成在表層的配線或通孔的對準精度、或相一致精度。

若使用一般的鍍敷工法，形成通孔完全被導電體堵塞的兩面基板時，必須藉由雷射通孔加工，僅有單側形成開口，製作出銅露出於通孔底面的狀態。以該工法，僅有單側蝕刻銅箔而形成開口等，極為耗費工時而導致成本上升。相對於此，以形成作為鍍敷通孔的第2通孔170的製程而言，將通孔形成及圖案形成均藉由使用雷射(或LDI)，可以簡便的方法來實現非常高密度的中間配線基板部180。

此外，藉由將第2上配線160U、第2下配線160L形成為鍍敷配線，可達成第2上配線160U、第2下配線160L、第2通孔的精細圖案化、窄鄰接化。一般而言，使用鍍敷技術，愈欲將配線圖案或鍍敷通孔形成為更為精細圖案，則配線圖案或鍍敷通孔的厚度不均愈大。此係基於配線圖案愈為精細圖案化，要使鍍敷液均一地至每個角落作循環愈不容易之故。此外，若使用鍍敷技術來形成壁厚的配線圖案或填充通孔時，為了成本下降或生產性提升，以提高鍍敷的析出速度為宜。但是，愈為提高鍍敷的析出速度，以鍍敷形成的配線圖案或填充鍍敷的鍍敷厚度不均愈會增加。

藉由形成為圖1等所示之構成，可解決如此配線圖案等的厚度不均。此外，藉由形成為圖1等所示之構成，可達成使用鍍敷技術所形成之配線圖案等更進一步的精細圖案化、更進一步的低成本化。此係基於因鍍敷所發生的厚度不均，在圖1等中所說明的構成中並不會形成為課題之故。

例如，若使用銅箔340作為中間配線基板部180的第2上配線160U、第2下配線160L的配線材料時，銅箔340係以捲物狀大量生產，因此會發生保管成本。此外，準備複數配線厚度的不同變化，在現實上極為困難。此外，會有配合製品設計來調整配線厚度較為困難的情形。

對於如此之課題，如圖1等所示，以鍍敷技術形成第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170為宜。如上所示，以鍍敷技術形成第2上配線160U、第2下配線160L，藉此不會發生以銅箔的減成技術形成第2上配線160U、第2下配線160L時的課題。

接著，一面參照圖16~圖17，一面說明透過複數連接層215來連接3個以上的中間配線基板部180的構成。

圖16係透過2個連接層215，將3片中間配線基板部180積層所構成之複合多層配線基板470的剖面圖。透過2個連接層215，將3片中間配線基板部180進行積層，藉此可製作具有12層配線的複合多層配線基板470。

如圖16所示，將3個中間配線基板部180、及2個連接層215交替積層。圖16係顯示將形成在最外層之第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L之上的銅箔(未圖示)去除，之後，形成有第1最外層配線240U或第2最外層配線240L、最外層通孔250的狀態。其中，形成第1最外層配線240U或第2最外層配線240L、最外層通孔250的方法係以前述圖4~圖7(尤其圖6、圖7)為參考為有用。

其中，在前述圖1等所示之複合多層配線基板260的表層，另外使用增建技術來形成新的配線層等亦為有用。

圖17係在圖16所示之複合多層配線基板470之上，另外以增層設置配線的複合多層配線基板490的剖面圖。在該例中，增層420係具有：內絕緣層510、外絕緣層520、內層配線530、外層配線540、內層通孔550、外層通孔560。內絕緣層510係覆蓋最下層的第2下配線160L、及第2通孔170。內層通孔550係貫穿內絕緣層510而與最下層的第2下配線160L或第2通孔170相連接。內層配線530係形成在內絕緣層510之上。外絕緣層520係覆蓋內層配線530、及內層通孔550。外層通孔560係貫穿外絕緣層520而與內層配線530或內層通孔550相連接。外層配線540係形成在外絕緣層520的表面。

如上所示，可將圖16或圖1、圖10所示之複合多層配線基板470、260、265形成為一種核心基板，在該核心基板的一面或兩面形成增層420。亦即，增層420係被積層在複數中間配線基板部180之中配置在最外部的中間配線基板部180的更為外側的至少一方，具有2層以上的配線層。

如上所示，藉由形成增層420，可更加多層化。其中，增層420的構成並非限定於圖17所示之構成。

接著，說明根據以上說明之實施形態之試作結果之一例。以中間配線基板部180而言，無須使用糊膏通孔，準備在全層使用鍍敷技術的4層配線基板。該4層配線基板係例如前述圖10所示者，第1上配線500U、第1下配線500L、第1通孔430、第2上配線160U、第2下配線160L、第2通孔170等並未使用糊膏技術或減成技術，而全部使用鍍敷技術來形成。

接著，準備市面販售的預浸體270。預浸體270係包含：作為芯材200的玻璃纖維、及含浸在該玻璃纖維之作為未硬化接著樹脂360的未硬化的環氧樹脂。接著，如圖2A所示，在預浸體270的兩面，黏貼厚度20μm的PET薄膜作為保護薄膜280之後，如圖2B所示以雷射形成貫穿孔290。之後，將包含導電粉、及熱硬化性樹脂的導電糊膏300，如圖2C所示，填充在貫穿孔290。之後，將保護薄膜280剝離，且形成為圖2D的狀態。將此設為在前述圖4中所說明的未硬化連接層370。

之後，如圖4、圖5所示，使用衝壓裝置或模具，將該等構件加熱、加壓而一體化。之後，經由圖6、圖7所示之工程，在第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L，以雷射形成有底孔後，使用鍍敷技術，形成第1最外層配線240U、第2最外層配線240L、最外層通孔250等，形成為圖10、或圖16~圖17所示之複合多層配線基板265、470、490。

在如上所示所製作的複合多層配線基板265、470、490中，因形成在中間配線基板部180的兩表面之作為鍍敷通孔的第2通孔170的厚度而起的凹凸被連接層215吸收。此外，第2上配線160U、第2下配線160L或第2通孔170的厚度不均亦被連接層215或第1最外絕緣層230U、第2最外絕緣層230L吸收。確認出即使使用約60cm見方的基板，亦吸收中央部與周緣部的厚度的不同或不均等，鄰接圖案間的厚度不均亦會被吸收。

(產業上可利用性)

如以上所示，藉由本發明，可提供發揮鍍敷通孔及糊膏通孔之雙方優點之高性能且廉價的複合多層配線基板。