WO2013186966A1

WO2013186966A1 - 複合多層配線基板とその製造方法

Info

Publication number: WO2013186966A1
Application number: PCT/JP2013/001513
Authority: WO
Inventors: 東谷　秀樹; 貴之北
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2012-06-14
Filing date: 2013-03-08
Publication date: 2013-12-19
Also published as: TW201404262A

Abstract

　複合多層配線基板複数の中間配線基板部と、接続層と最外絶縁層と最外層配線と、最外層ビアとを有する。中間配線基板部はそれぞれ、内層の第１上配線と第２下配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有する。接続層は芯材を含む接続絶縁層と、ペーストビアである接続ビアとを有する。最外層配線は、最外絶縁層の外側に形成されている。最外層ビアは、最外絶縁層を貫通し、最外層配線と第２上配線または第２下配線とを電気的に接続している。最外絶縁層は、最外絶縁層に対向する第２上配線または第２下配線を埋設している。

Description

複合多層配線基板とその製造方法

　本発明はめっきビアとペーストビアとを有し、携帯電話等に使われる複合多層配線基板とその製造方法に関する。

　近年、電子機器の小型化高性能化に伴い、めっき技術によって製造したビア（以下、簡単にめっきビアと呼ぶ）で層間を接続した多層基板が電子機器に用いられている。

　一方、めっきビアを有する多層基板はリードタイムやめっき廃液等の課題が発生する場合がある。こうしためっきビアの課題に対して、層間接続となるビアの製造にペースト技術を用いて製造したビア（以下、簡単にペーストビアと呼ぶ）を有する多層基板が知られている。

　こうした背景より、従来のめっきビアを有する多層基板と、ペーストビアを有する多層基板とを組み合わせ、複合多層配線基板とすることで、双方の利点を活かすことが求められている。

　図１８は、従来の複合多層配線基板の一例を示す断面図である。図１８に示す複合多層配線基板１０はめっきビア１６と、ペーストビア１３とを組み合わせて構成されている。

　第１絶縁層１１には貫通孔が形成され、この貫通孔に、導電ペーストが充填され、複数の銅箔パターン１２間を接続するペーストビア１３を形成されている。さらに多層化する場合は、第１絶縁層１１や銅箔パターン１２の上に、新たな第１絶縁層１１や銅箔パターン１２、ペーストビア１３を、矢印１７ａ、１７ｂ等で示すように、中央（例えば矢印１７ａで示す部分）から、両側へ順次積層することで高多層化が可能となる。例えば、矢印１７ａで示す部分を元に、さらに積層することにより矢印１７ｂで示す部分を形成する。図１８における矢印１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄは、これら部材を順次、積層することで多層化する様子を示す。

　そして、最外層となる第２絶縁層１４に、めっき配線１５やめっきビア１６を設けることで、配線をさらに微細化した複合多層配線基板を形成することができる。しかし、矢印１７ａ～１７ｄに示すように、多層化するほど、積層プロセスが長くなり複雑になる可能性がある。

　図１９は、発明者らが過去に提案した多層基板の一例を示す断面図である（特許文献１）。多層基板２１では、第１絶縁層１１に形成された孔１９に、導電ペースト２０が充填されてペーストビア１３が形成され、ペーストビア１３を介して複数の銅箔パターン１２が接続されている。複数の多層基板２１は、接着シート２３を介して一括積層され、一体化され、複合多層配線基板１０を形成する。なお接着シート２３は、プリプレグ１８と、孔１９に充填された導電ペースト２０を含んでいる。

　接着シート２３としてプリプレグ１８を用いることは有用である。また最外層にプリプレグ１８を介して銅箔２２を設けることも有用である。またこうして積層（あるいは一括積層）した後、最外層に、前述の図１８に示したように、めっき配線１５やめっきビア１６を設けることも有用である。なお図１９において、めっき配線１５やめっきビア１６は図示していない。

国際公開第２０１１／１５５１６２号

　本発明は導電性ペーストを用いた場合の接続安定性を向上し、めっきビアの優れた部分と、ペーストビアの優れた部分を、複合多層配線基板として組み合わせることで、より接続信頼性の高い複合多層配線基板を提供することを目的とする。

　本発明の複合多層配線基板は第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを少なくとも含む複数の中間配線基板部と、接続層と、第１、第２最外絶縁層と、第１、第２最外層配線と、最外層ビアとを有する。中間配線基板部はそれぞれ、内層の第１上配線と第２下配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有する。接続層は接続絶縁層と、接続ビアと、を有する。接続絶縁層は、熱硬化性樹脂部とこの熱硬化性樹脂部に埋設された芯材とを有し、第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを接着している。ペーストビアである接続ビアは、接続絶縁層を貫通し、第１中間配線基板部の第１下配線と第２中間配線基板部の第１上配線とを電気的に接続している。第１最外絶縁層は、複数の中間配線基板のうち、第１中間基板部側の最外層に配置された第１最外層中間基板部のさらに外側に配置されている。第２最外絶縁層は、複数の中間配線基板のうち、第２中間基板部側の最外層に配置された第２最外層中間基板部のさらに外側に配置されている。第１、第２最外層配線は、第１、第２最外絶縁層のそれぞれ外側に形成されている。最外層ビアは、第１最外絶縁層を貫通し、第１最外層配線と第１最外中間配線基板部の第２上配線とを電気的に接続している。あるいは、第２最外絶縁層を貫通し、第２最外層配線と第２最外中間配線部の第２下配線とを電気的に接続している。第１最外絶縁層は、第１最外中間配線基板部の、第１最外絶縁層に対向する第２上配線を埋設している。第２最外絶縁層は、第２最外中間配線基板部の、第２最外絶縁層に対向する第２下配線を埋設している。

　また本発明の複合多層配線基板の製造方法は次のステップを有する。

　（１）第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを含む複数の中間配線基板部を準備する。中間配線基板部はそれぞれ、内層の第１配線と第２配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有する。

　（２）未硬化状態の熱硬化性樹脂とこの熱硬化性樹脂に埋設された芯材とを有する未硬化接続絶縁層に、貫通孔を形成し、この貫通孔に導電ペーストを、突出部を有するように充填する。

　（３）第１中間配線基板部と第２中間配線基板部との間に未硬化接続層を設置するとともに、複数の中間配線基板部の最外層側に未硬化最外層樹脂と銅箔とを設置する。

　（４）複数の中間配線基板部と、接続絶縁層と、未硬化最外層樹脂とを、加圧、加熱し、一体化する。

　この４つのステップにより、２つ以上の中間配線基板部を接続層で固着すると共に、ペーストビアである接続ビアで電気的に接続する。これにより複合多層配線基板の歩留まりが向上するとともに、接続ビアによって２つ以上の中間配線基板部を電気的に確実に接続することができる。また、第１最外絶縁層に、第１最外中間配線基板部の、第１最外絶縁層に対向する第２上配線を埋設し、第２最外絶縁層に、第２最外中間配線基板部の、第２最外絶縁層に対向する第２下配線を埋設することで、最外面における凹凸を低減することができる。

図１は本発明の実施の形態による複合多層配線基板の断面図である。図２Ａは、図１に示す複合多層配線基板の製造に用いる、中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図２Ｂは、図２Ａに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図２Ｃは、図２Ｂに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図２Ｄは、図２Ｃに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図３Ａは図２Ｄに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図３Ｂは図３Ａに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図３Ｃは図３Ｂに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図３Ｄは図３Ｃに続く中間配線基板部の製造方法の一例を示す断面図である。図４は図１に示す複合多層配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。図５は、図４に続く複合多層配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。図６は、図５に続く複合多層配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。図７は、図６に続く複合多層配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。図８は、図４の状態から図５の状態に至る様子を部分的に拡大して説明する断面図である。図９は、図５の状態から第１、第２最外層配線や最外層ビアを未硬化最外層樹脂に埋設し、埋設した状態で熱硬化し一体化する様子を部分的に拡大して示す断面図である。図１０は、図１の構成において、めっき配線で第１配線を形成し、めっきビアで第１ビアを形成した場合の複合多層配線基板の一例を示す断面図である。図１１はペーストビアのみで構成された直列ビア構造を有する中間配線基板を用いた複合多層配線基板の部分断面図である。図１２はめっきビアのみで構成された直列ビア構造を有する中間配線基板を用いた複合多層配線基板の部分断面図である。図１３はペーストビアとめっきビアとで構成された直列ビア構造を有する中間配線基板を用いた複合多層配線基板の部分断面図である。図１４は、本発明の実施の形態による他の複合多層配線基板の製造方法を説明する断面図である。図１５Ａは、本発明の実施の形態による複合多層配線基板に用いられる中間配線基板部の断面図である。図１５Ｂは、本発明の実施の形態による複合多層配線基板に用いられる他の中間配線基板部の断面図である。図１５Ｃは、本発明の実施の形態による複合多層配線基板に用いられるさらに他の中間配線基板部の断面図である。図１５Ｄは、本発明の実施の形態による複合多層配線基板に用いられるさらに他の中間配線基板部の断面図である。図１６は本発明の実施の形態によるさらに他の複合多層配線基板の断面図である。図１７は本発明の実施の形態によるさらに他の複合多層配線基板の断面図である。図１８は従来の複合多層配線基板の断面図である。図１９は従来の他の多層基板の断面図である。

　本発明の実施の形態の説明に先立ち、従来の複合多層配線基板における課題を簡単に説明する。図１９に示す構成では、全層においてペーストビア１３を有する多層基板２１同士を、接着シート２３を介して積層する。

　多層基板２１の最外層側や、接着シート２３側に形成された銅箔パターン１２は、プリプレグ１８や接着シート２３に埋設される。銅箔パターン１２は、一枚の銅箔をサブトラクト法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）等のエッチング技術を用いて形成されている。そのため銅箔パターン１２の厚みは、そのパターン幅や形成位置に関係なく均一であり、厚みバラツキは小さい。しかしながら、積層条件によっては、接続シート２３における導電ペースト２０を用いた接続安定性に、バラツキ等が発生する場合がある。

　以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお先行する実施の形態と同様の構成をなすものには同じ符号を付し、詳細な説明を省く場合がある。また本発明は以下の実施の形態に限定されない。

　（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態による複合多層配線基板の断面図である。複合多層配線基板２６０は、第１中間配線基板部１８０Ｕと第２中間配線基板部１８０Ｌとを含む複数の中間配線基板部１８０と、接続層２１５とを有する。

　中間配線基板部１８０はそれぞれ、第１絶縁層１１０と、第１上配線１２０Ｕと、第１下配線１２０Ｌと、第１ビア１３０とを含む。

　第１上配線１２０Ｕは第１絶縁層１１０の第１面に形成され、第１下配線１２０Ｌは第１絶縁層１１０における、第１面の裏側の第２面に形成されている。第１ビア１３０は第１絶縁層１１０を貫通し、第１上配線１２０Ｕと第１下配線１２０Ｌとを電気的に接続している。第１絶縁層１１０と、第１上配線１２０Ｕと、第１下配線１２０Ｌと、第１ビア１３０とは、両面基板部１４０を構成している。

　第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌは銅箔配線から構成され、第１ビア１３０はペーストビアである。あるいは、第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌも第１ビア１３０も共に、めっき技術を用いて形成してもよい。この場合、第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌはめっき配線、第１ビア１３０はめっきビアである。

　中間配線基板部１８０はさらに、第２上絶縁層１５０Ｕと、第２下絶縁層１５０Ｌと、第２上配線１６０Ｕと、第２下配線１６０Ｌと、第２ビア１７０とを含む。

　第２上絶縁層１５０Ｕは第１上配線１２０Ｕを埋め、第２下絶縁層１５０Ｌは第１下配線１２０Ｌを埋めている。第２上配線１６０Ｕは第２上絶縁層１５０Ｕの上（外側）に形成され、第２下配線１６０Ｌは第２下絶縁層１５０Ｌの下（外側）に形成されている。すなわち、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌは、それぞれ第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌの表面、すなわち両面基板部１４０の反対側に形成されている。

　第２ビア１７０は、第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌのいずれかを貫通し、第１上配線１２０Ｕと第２上配線１６０Ｕ、または第１下配線１２０Ｌと第２下配線１６０Ｌとを電気的に接続している。

　第２ビア１７０は、第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌに形成された有底穴の中にめっき技術で形成された銅部材であり、ブライドビア構造を有している。同様に、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌは、めっき技術で形成された銅部材のめっき配線であることが好ましい。第２ビア１７０や第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌを、共にめっき技術を用いて形成した銅部材で形成することで、微細な配線パターンを構成できる。まためっき技術としては、一般的なめっき技術に加えて、ＳＡＰ技術、Ｍ－ＳＡＰ技術を用いることで、サブトラクト法に比べて、より微細な配線パターンやブライドビアを形成することができる。

　しかしながら、めっき技術で形成した配線パターンやブライドビアは、サブトラクト法で形成した配線パターンやブラインドビアに比べて、厚みバラツキが発生しやすい。そしてめっき技術で形成した配線パターンをファインパターン化するほど、あるいはめっき技術で形成するブライドビアを小径化するほど、厚みバラツキがさらに増大する傾向がある。まためっき技術で形成した配線パターンの断面形状は、銅箔をサブトラクト法でエッチング形成してなる配線パターンの断面形状に比べて、蒲鉾型（ｓｅｍｉ－ｃｉｒｃｕｌａｒ、Ｄ－ｓｈａｐｅｄ）等に変形しやすくなる。

　第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌと第２ビア１７０との違いは、第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌに形成されたビア部分の有無である。第２上配線１６０Ｕの第２上絶縁層１５０Ｕ側に有底穴があり、第２下配線１６０Ｌの第２下絶縁層１５０Ｌ側にも有底穴がある。第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの一部がこれらの有底孔に、めっき技術を用いて充填され、ブライドビア構造となって第２ビア１７０が形成されている。なお第２ビア１７０は、ランドだけであっても良い。また第２ビア１７０は、ランドパターンとランドパターンとを繋ぐ配線パターン等を有している必要は無い。

　接続層２１５は接続絶縁層２２０と、接続ビア２１０とを有する。接続絶縁層２２０は熱硬化性樹脂部１９０と、熱硬化性樹脂部１９０に埋設された芯材２００とを有し、第１中間配線基板部１８０Ｕと第２中間配線基板部１８０Ｌとを接着している。接続ビア２１０は接続絶縁層２２０を貫通し、第１中間配線基板部１８０Ｕの第２下配線１６０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第２上配線１６０Ｕとを電気的に接続している。接続ビア２１０はペーストビアである。

　複合多層配線基板２６０はさらに、第１最外絶縁層２３０Ｕと、第２最外絶縁層２３０Ｌと、第１最外層配線２４０Ｕと、第２最外層配線２４０Ｌと、最外層ビア２５０とを有する。

　第１最外絶縁層２３０Ｕは第１中間配線基板部１８０Ｕの上（外側）に配置され、第２最外絶縁層２３０Ｌは第２中間配線基板部１８０Ｌの下（外側）に配置されている。第１最外層配線２４０Ｕは第１最外絶縁層２３０Ｕの上（外側）に、第２最外層配線２４０Ｌは第２最外絶縁層２３０Ｌの下（外側）に、それぞれの外側に形成されている。

　なお後述するように、中間配線基板部１８０は接続層２１５を介して３つ以上接続することもできる。この場合、第１最外絶縁層２３０Ｕは、複数の中間配線基板部１８０のうちの、第１中間配線基板部１８０Ｕ側の最外部に配置された第１最外中間配線基板部のさらに外側に配置される。そして第２最外絶縁層２３０Ｌは、複数の中間配線基板部１８０のうちの、第２中間配線基板部１８０Ｌ側の最外部に配置された第２最外中間配線基板部のさらに外側に配置される。図１の構成では第１中間配線基板部１８０Ｕが第１最外中間配線基板部を兼ね、第２中間配線基板部１８０Ｌが第２最外中間配線基板部を兼ねている。

　図中上側の最外層ビア２５０は第１最外絶縁層２３０Ｕを貫通し第１最外層配線２４０Ｕと第１中間配線基板部１８０Ｕの第２上配線１６０Ｕとを電気的に接続している。同様に、図中下側の最外層ビア２５０は第２最外絶縁層２３０Ｌを貫通し、第２最外層配線２４０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第２下配線１６０Ｌとを電気的に接続している。

　第１最外層配線２４０Ｕと第２最外層配線２４０Ｌとはめっき配線であることが好ましく、最外層ビア２５０はめっきビアであることが好ましい。この理由は第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌと、第２ビア１７０と同様である。

　すなわち、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌは、めっき技術を用いて作製されためっき配線で形成されている。また少なくとも第２ビア１７０と最外層ビア２５０は、めっきビアで形成されている。

　以上の構成において、接続ビア２１０は、貫通孔に充填された銅粉（銅粉、銀粉、銀コート銅粉、あるいは銅粉や銀粉とＳｎ－Ｂｉ半田粉等の混合物）等の導電粉と、熱硬化性樹脂等の樹脂とを有する導電ペーストを硬化したペーストビアで構成されている。ペーストビアは、加圧加熱されて形成されたものであり、再度の加熱加圧に対しても優れた接続信頼性を有する。そのため、第１中間配線基板部１８０Ｕの第２下配線１６０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第２上配線１６０Ｕとを確実に接続することができる。特に第２ビア１７０がめっきビアであることにより、接続絶縁層２２０を介して積層した場合でも、接続絶縁層２２０に形成した接続ビア２１０に充分な積層圧力が伝わるため、その接続信頼性を高めることができる。

　上述のように、中間配線基板部１８０は両面基板部１４０と、その両外側に設けられた第２上絶縁層１５０Ｕ、第２上配線１６０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌ、第２下配線１６０Ｌ、および第２ビア１７０とを有する。しかしながら中間配線基板部１８０は両面基板部１４０だけで構成して、第１中間配線基板部１８０Ｕの第１下配線１２０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第１上配線１２０Ｕとを接続ビア２１０で接続してもよい。しかしながら両面基板部１４０は薄いため、うねりを生じやすく、接続層２１５との接続作業時に取り扱いにくい。したがって中間配線基板部１８０は両面基板部１４０に加え、第２上絶縁層１５０Ｕ、第２上配線１６０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌ、第２下配線１６０Ｌ、および第２ビア１７０を有することが好ましい。

　特に、第２上絶縁層１５０Ｕが第１上配線１２０Ｕを埋め、第２下絶縁層１５０Ｌが第１下配線１２０Ｌを埋めていることが好ましい。

　同様に、接続絶縁層２２０は第１中間配線基板部１８０Ｕの第２下配線１６０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第２上配線１６０Ｕとを埋設していることが好ましい。また第１最外絶縁層２３０Ｕは、第１中間配線基板部１８０Ｕの第２上配線１６０Ｕを埋設し、第２最外絶縁層２３０Ｌは、第２中間配線基板部１８０Ｌの第２下配線１６０Ｌを埋設していることが好ましい。

　いずれの構成でも絶縁層が配線の凹凸を吸収する。その結果、配線の凹凸が表面に現れないため、複合多層配線基板２６０における、半導体等の部品を実装する面の平坦性が高まり、部品実装面のファインパターン化が可能となる。この効果は配線が厚いほど顕著であり、配線の厚みが、一番狭い部分の配線幅の０．５倍以上、さらには０．７倍以上、さらには１．０倍以上、さらには１．２倍以上である場合に有効である。すなわち、各配線を、めっき技術で形成することで、高アスペクト比を有するように形成しても部品実装面を平坦にすることができる。

　なお、中間配線基板部１８０の表層に形成する第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの厚みや、第２ビア１７０の突出高さは、５μｍ以上、１０μｍ以上、さらには２０μｍ以上が望ましい。全てのめっき配線の厚みを１０μｍ以上、さらには２０μｍ以上にすることで、大電流化に対応できる。また配線抵抗に起因するロスを低減することができ、高周波回路を用いる機器に使用することが有用である。なお第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの厚みや、第２ビア１７０の突出高さは、１００μｍ以下とすることが好ましい。１００μｍを超えると、接続絶縁層２２０による平坦化（あるいは埋め込み）が困難となる場合がある。

　さらに、中間配線基板部１８０に形成されためっきビア（例えば、第２ビア１７０）はフィルドビア構造であり、ビア上の凹みを１０μｍ以下とすることが好ましい。ビア上の凹みを１０μｍ以下とすることで、ペーストビアが凹みに対応する場所に配置された場合でも電気的接続を実現するのに十分な圧縮を確保することができる。

　まためっき配線である第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、および、めっきビアである第２ビア１７０の表面粗さＲｚは、１．０μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましい。このような表面粗さにすることで、電気絶縁性基材である接続絶縁層２２０との密着性が高まる。さらに第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０と、接続ビア２１０との接続安定性が高まる。これは接続ビア２１０に含まれる導電粒子との接触点数が確保できるためである。

　なお、電気絶縁性基材となる接続絶縁層２２０に設けられるペーストビアである接続ビア２１０の形成密度は、３０個／ｃｍ^２以上、１０万個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。芯材２００と中間配線基板部１８０の熱膨張差によって接続ビア２１０を変形させる応力が働く場合がある。しかしながら、接続ビア２１０の形成密度を３０個／ｃｍ^２以上とすることで、この応力に対して、接続ビア２１０が杭となって変形を抑制する。この結果、安定なペースト接続を実現できる。なお、製品領域で上記ビア密度が確保できない場合には、製品領域外に形成しても同様の効果を得ることができることは言うまでも無い。

　接続絶縁層２２０に設ける接続ビア２１０が１～５個／ｃｍ^２程度では、せん断方向にビアが変形するモードが発生する場合があることが実験的に確かめられている。こうした場合、抵抗値が高くばらつく傾向が見られる。しかしながら、接続ビア２１０の形成密度を１０個／ｃｍ^２以上とすることで、抵抗値が減少する傾向が出はじめ、３０個／ｃｍ^２以上とすることで、せん断方向にビアが変形するモードが改善できた。なお接続ビア２１０の形成密度を、１０万個／ｃｍ^２より多くすることは、技術的に困難である。

　次に、複合多層配線基板２６０の製造方法の一例について、図２Ａ～図９を参照しながら説明する。

　図２Ａ～図２Ｄは、両面基板部１４０の製造方法の一例であるが、図２Ａ～図２Ｄで示す製造方法を、後述する図４で説明する未硬化接続層３７０の製造方法の一例とすることは有用である。

　まず中間配線基板部１８０の製造方法について説明する。図２Ａ～図２Ｄおよび図３Ａ～図３Ｄは、中間配線基板部１８０の製造方法の一例を示す断面図である。

　図２Ａに示すように、まず、プリプレグ２７０の両面に保護フィルム２８０を設ける。プリプレグ２７０としては、市販のプリプレグを用いることが有用である。市販のプリプレグは、例えば、図１に示す接続層２１５と同様に、ガラス織布やガラス不織布、あるいは耐熱性フィルムで構成された芯材２００と、熱硬化性樹脂部１９０とを有する。ガラス織布やガラス不織布を芯材２００として含む場合、熱硬化性樹脂部１９０は芯材２００に含浸した未硬化のエポキシ樹脂等である。ポリイミド等の耐熱性フィルムを芯材２００として含む場合、熱硬化性樹脂部１９０は芯材２００の片面あるいは両面に設けられた未硬化のエポキシ樹脂等である。

　次に図２Ｂに示すように、プリプレグ２７０と保護フィルム２８０とを貫通するように、貫通孔２９０を形成する。貫通孔２９０は、レーザーやドリル、パンチ等を用いて形成することができる。

　次に図２Ｃに示すように、スキージ３１０等を矢印３２０の方向に動かし、導電ペースト３００を貫通孔２９０に充填する。その後図２Ｄに示すように、保護フィルム２８０を除去することで、導電ペースト３００の一部をプリプレグ２７０の表面から突出部３３０として突出させる。

　次に図３Ａに示すように、プリプレグ２７０の両面に銅箔３４０を貼り付け、プリプレグ２７０と導電ペースト３００を熱硬化させる。その結果、プリプレグ２７０は第１絶縁層１１０となり、導電ペースト３００はペーストビアである第１ビア１３０となる。この際、突出部３３０を加圧圧縮しながら銅箔３４０を貼り付けることにより、銅箔３４０と第１ビア１３０とを確実に接続することができる。

　次に図３Ｂに示すように、銅箔３４０をパターニングすることで第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌを形成する。したがって第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌは銅箔配線である。このようにして両面基板部１４０を作製する。

　次に図３Ｃに示すように、両面基板部１４０の両面に、さらに第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌを形成する。この際、第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌを埋設するように第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌを形成する。また、必要に応じて第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌの表面に銅箔３４０を設けてもよい。

　第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌとして、充分な樹脂量、樹脂フローを備えた樹脂を用いることで、肉厚の大きい銅箔（第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌ）を容易に埋設することができる。ここで上記各種部材の樹脂フローについては、ＪＩＳ　Ｋ７２１０等を参考にすれば良い。

　その後、第２上絶縁層１５０Ｕ、第２下絶縁層１５０Ｌにレーザー等を用いて有底穴を設け、めっき技術を用いて第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を形成する。なおめっき技術を用いて、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや、第２ビア１７０を設ける際には、図３Ｃに示したように銅箔３４０を活用することは有用である。

　このようにして図３Ｄに示すような、ペーストビアである第１ビア１３０、銅箔配線である第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌ、めっきビアである第２ビア１７０、めっき配線である第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌを有する中間配線基板部１８０を作製する。

　次に図４～図７を参照しながら、複数枚の中間配線基板部１８０を一括積層する様子を説明する。図４は、第１中間配線基板部１８０Ｕ、第２中間配線基板部１８０Ｌの間に、未硬化接続層３７０を配置した状態を示す断面図である。

　図４に示すように、未硬化接続層３７０は図２Ｄに示した両面基板部１４０の中間体と同様の構造を有する。すなわち、未硬化接続層３７０は、芯材２００と熱硬化性の未硬化接着樹脂３６０で構成されたプリプレグ２７０と、プリプレグ２７０を貫通する貫通孔に充填された導電ペースト３００とを有する。導電ペースト３００の一部はプリプレグ２７０から突出した突出部３３０を形成している。

　この状態で、さらに第１中間配線基板部１８０Ｕ、第２中間配線基板部１８０Ｌの外側に例えばシート状の未硬化最外層樹脂３５０と銅箔３４０とを配置し、矢印３２０に示すように、プレス装置や金型等を用いて、加圧、加熱し、これらを一体化する。このようにすることで、肉厚の第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を未硬化最外層樹脂３５０に凹凸無く埋設できる。

　また、未硬化最外層樹脂３５０は、加熱、加圧された際に軟化し、厚みや厚みバラツキを吸収するように流動する。そのため、さらに、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みバラツキを未硬化最外層樹脂３５０が吸収する。

　また、第１中間配線基板部１８０Ｕ、第２中間配線基板部１８０Ｌの間に、導電ペースト３００で形成された突出部３３０を設けられたプリプレグ２７０が挟まる。プリプレグ２７０は、未硬化接着樹脂３６０を有しているため、肉厚の第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を未硬化接着樹脂３６０に凹凸無く埋設できる。

　未硬化接着樹脂３６０は加熱、加圧された際に軟化し、厚みや厚みバラツキを吸収するように流動する。そのため、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みバラツキを未硬化接着樹脂３６０がさらに吸収する。

　さらにめっき配線である第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの厚み分や、めっきビアである第２ビア１７０の突出高さ分は、未硬化接着樹脂３６０が収容することで、その凹凸を効果的に吸収できる。また同時に接続ビア２１０となる導電ペースト３００を、より強力に圧縮することになり、接続安定性を高め、ペーストビアである接続ビア２１０の低抵抗化が可能となる。

　中間配線基板部１８０のめっきビアとなる、例えば第２ビア１７０の上にペーストビアが配置される場合には、めっき表面形状がペーストの圧縮に影響を与える。そのため、めっきビア上に凹みがあった場合には、その分ペースト圧縮が不足する場合がある。

　例えば、電気絶縁性基材となる接続絶縁層２２０に、厚み６０μｍの市販の基材を用いた場合に、ビア上の凹みが２０μｍの場合、抵抗値が大きくかつバラツキも大きく、凹み量に対して抵抗値変化が大きくなる場合がある。例えば、ガラス繊維からなる芯材２００に、未硬化のエポキシ樹脂等の未硬化接着樹脂３６０を両面に配置して形成されたプリプレグ２７０を基材として用いた場合にこのような現象が発生する。このような場合でも、めっきビア上の凹みを、１５μｍ以下とすることで、ビアの抵抗値のばらつきが低減され、さらに１０μｍ以下とすることで、ビアの抵抗値が略一定になる。

　接続絶縁層２２０として、ガラス織布等からなる芯材２００の上に厚み１５μｍで、未硬化接着樹脂３６０を形成した場合に、めっき配線厚みが１０μｍの場合には、導電ペースト３００のペーストの圧縮が不十分で抵抗値バラツキが大きくなる場合がある。このような場合、めっき配線厚みを１５μｍにすると、抵抗値が減少、かつバラツキが小さくなる傾向がみられる。さらにめっき配線の厚みを２０μｍ以上とすることで、めっき厚みによらず抵抗値、バラツキともに、ほぼ一定値となり安定化することを確認している。この点からも第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの厚みや、第２ビア１７０の突出高さは５μｍ以上、さらには１０μｍ以上、２０μｍ以上とすることが好ましい。

　なおめっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキは、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０を、共に加熱、加圧、軟化させることで、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０の中に吸収させることができる。

　また芯材２００の少なくとも片面に形成される未硬化接着樹脂３６０の体積（あるいは上付き樹脂量）は、プリプレグ２７０に埋め込まれる第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の配線体積よりも大きくすることは有用である。なお体積比で、１．１倍以上、１０．０倍以下とすることが有用である。さらには１．５倍以上、７．０倍以下が好ましく、２．０倍以上、５．０倍以下がさらに好ましい。こうすることで未硬化接着樹脂３６０が大きくなり過ぎず、導電ペースト３００に最適な圧縮を付与することができ、結果として接続抵抗値を安定して低減することができる。

　中間配線基板部１８０の表層に形成する第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ等のめっき配線の埋め込みを、精度よくコントロールすることが重要である。実際には製品ごとにめっき配線パターンが異なることがあるので、めっき配線の埋め込み状態を製品によって、より細かく最適化することが有用である。めっき配線の厚みのみならず、めっき配線の体積（サブストラクト法では、残銅率と呼ばれることもある）をコントロールし、めっき配線を埋め込むに必要な未硬化接着樹脂３６０の量を、充分に確保することが、配線埋め込み不足の解消に有用である。

　なお導電ペースト３００としては、平均粒径５μｍ程度の導電粒子を主として含むものを用いることが、コスト的に有用である。こうした導電ペースト３００に対して、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の表面粗さＲｚを、３．０μｍより大きくした場合、電気的接触点が減少し、抵抗値が大きくなることがある。また、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の表面粗さＲｚを、１．０μｍ未満とした場合、電気絶縁性基材となる接続絶縁層２２０との間でアンカー効果が低下し、リフローを用いた耐熱テストで層間剥離現象が発生する可能性がある。このような観点からも、前述のように１．０μｍ以上、３．０μｍ以下であることが好ましい。

　図５は、加圧、加熱工程の一例を示す断面図である。矢印３２０に示すように、加圧、加熱することで、中間配線基板部１８０の、プリプレグ２７０側に形成された第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０は、プリプレグ２７０を構成する未硬化接着樹脂３６０に凹凸無く埋設される。

　なお図４、図５は共に模式図である。例えば図５の第２中間配線基板部１８０Ｌの最外層側の第２下配線１６０Ｌや最外層側の第２ビア１７０に示すように、未硬化最外層樹脂３５０や銅箔３４０等を、事前に、あるいは補助的にラミネート（仮固定、あるいは一時固定、仮接着等）しておいても良い。市場から求められる製品用途に応じては、未硬化最外層樹脂３５０として用いるプリプレグやフィルム部材として、厚みが４０μｍ以下、さらには３０μｍ以下、２０μｍ以下のものが求められる場合がある。このように薄い部材は、単独では取り扱いにくい場合がある。その場合、図５に示すように、他の部材と共に、補助的にラミネートしておくことで、薄い部材の取り扱い性を高めることができる。

　中間配線基板部１８０の表面における、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０からなる配線の配線占有率、あるいは残銅率を、３０％以上、さらには４０％以上、５０％以上、６０％以上とすることができる。なお全体での残銅率は９０％以下にする方が良い場合がある。

　前述のように、めっきで形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキを、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０の中に吸収させることができる。そのため、このように、４０％以上、５０％以上、６０％以上のような高配線占有率や残銅率に設定することが可能となる。そして中間配線基板部１８０の表層に形成されるこれらの配線の配線占有率や残銅率を５０％以上と設定しても、未硬化接着樹脂３６０を安定してフローさせることできる。配線の配線占有率や残銅率を高めることは、配線の隙間を埋めるに必要な未硬化接着樹脂３６０の量を確保しつつ、過剰な未硬化接着樹脂３６０を減らせる意味でも好ましい。なお中間配線基板部１８０の表面に形成する、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの配線パターンの形状を、流体の流れを制御するようなガイドパターン、あるいは流路パターンとすることが好ましい。これにより、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０が、軟化して流動する際の流動方向をコントロールすることができる。

　なお、加圧、加熱による積層時には、昇温速度を１０℃／分以下、さらには３℃／分以下とゆっくりすることが有用である。すなわち、中間配線基板部１８０の表層配線となる第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を、接続絶縁層２２０に埋め込む際は、昇温速度を１０℃／分以下、さらには３℃／分以下とゆっくりすることが有用である。こうすることで、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０が、軟化して流動する時間を充分に確保することが可能となり、第２ビア１７０等を、接続絶縁層２２０や未硬化最外層樹脂３５０に埋設しやすくなる。また未硬化接着樹脂３６０が軟化する軟化温度領域で、それまでの昇温速度に比べ、昇温速度を小さくすることも有用である。

　未硬化接着樹脂３６０への第２ビア１７０等の埋設と同時に、プリプレグ２７０に形成された貫通孔に充填された導電ペースト３００は、中間配線基板部１８０の表面に突出した第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０に加圧され圧縮される。そして導電ペースト３００は、突出部３３０の突出量分に加え、さらには第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０の突出厚み分だけ、より強力に圧縮される。この圧縮によって、導電ペースト３００の導電率が大きくなる。すなわち抵抗値が小さくなり、ビア抵抗を低く抑えることができる。さらに導電ペースト３００と、第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０との界面の接触抵抗が低減される。

　中間配線基板部１８０は、内層の第１ビア１３０と、少なくとも表層に形成されためっきビアである第２ビア１７０との両方を有している。そのため、積層時に導電ペースト３００に充分な圧力が伝わる。その結果、導電ペースト３００を硬化して形成される接続ビア２１０の接続信頼性を高めることができる。

　図４に示すように、第１中間配線基板部１８０Ｕと第２中間配線基板部１８０Ｌとの間に未硬化接続層３７０を配置した後、未硬化接続層３７０を熱硬化する前に、図５に示すように、プリプレグ２７０に含まれる未硬化接着樹脂３６０に、第１中間配線基板部１８０Ｕの第２下配線１６０Ｌと第２中間配線基板部１８０Ｌの第２上配線１６０Ｕとを密着させる。あるいは未硬化接着樹脂３６０にこれらの配線を埋設させてもよい。

　また中間配線基板部１８０の、プリプレグ２７０側とは異なる面（すなわち最外層側の面）に突出した第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０は、未硬化最外層樹脂３５０に埋設される。

　このように中間配線基板部１８０の両面に突出するように設けられた第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０を、プリプレグ２７０の未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０に同時に埋め込む。これにより、第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０の厚みに起因する凹凸の発生を防止することができる。またこの埋め込みの際に、不要な応力が発生しない。そしてめっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキを、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０を、共に加熱、加圧、軟化させることで、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０の中に吸収させることができる。

　中間配線基板部１８０の最外層側にセットした未硬化最外層樹脂３５０は、未硬化である。あるいは半硬化状態であっても良い。第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０の厚みが厚く、例えば２０μｍ以上であっても、未硬化最外層樹脂３５０は一種のクッション層として機能する。あるいは流動によって厚みを低減する流動層として機能する。したがって、優れた凹凸の埋設効果、あるいは平坦化効果を発揮する。またこの埋め込みの際に、不要な応力が発生しない。ここで未硬化最外層樹脂３５０として、第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０を埋設するに充分な樹脂量や樹脂フローを備えたものを選ぶことが好ましいことは言うまでもない。

　未硬化最外層樹脂３５０が、クッション層、あるいはクッション材を兼ねることは有用である。そのためには未硬化最外層樹脂３５０の樹脂フローは、未硬化接着樹脂３６０の樹脂フローより大きくすることが有用である。未硬化最外層樹脂３５０を、未硬化接着樹脂３６０よりも、より低温で軟化（あるいは溶融、あるいはフロー）させておくことで、さらにクッション効果を高めることができる。そして未硬化接着樹脂３６０よりも先に（あるいはより低温で）、未硬化最外層樹脂３５０を軟化させておくことで、接続絶縁層２２０に加えられる圧力をより均一にすることができ、ペーストビアである接続ビア２１０の接続安定性を高められる。

　上述のように第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０が、凹凸を発生させることなく、プリプレグ２７０の未硬化接着樹脂３６０や、未硬化最外層樹脂３５０に同時に埋め込まれる。そして埋め込んだ状態で、同時に熱硬化される。

　図６はこれらの部材を平坦に埋め込むと共に、接続ビア２１０で接続する様子を説明する断面図である。

　第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌは、第２下配線１６０Ｌ、第２上配線１６０Ｕや第２ビア１７０を埋設した状態で未硬化最外層樹脂３５０を熱硬化することで形成される。また接続絶縁層２２０は、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を埋設した状態で未硬化接着樹脂３６０を熱硬化することで形成される。接続ビア２１０は導電ペースト３００を硬化することで形成される。そしてめっき技術で形成された第２下配線１６０Ｌの厚みバラツキや、めっき技術で形成された第２上配線１６０Ｕの厚みバラツキは、共に導電ペースト３００の突出部３３０で吸収され、導電ペースト３００からなる接続ビア２１０によって電気的に接続される。

　このように第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌと、接続絶縁層２２０とは、共に未硬化状態で、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を埋設し、その状態で同時に熱硬化することが好ましい。この操作によって、熱硬化に伴い発生する応力を小さく抑えられる。そして第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌと接続絶縁層２２０とが未硬化状態から加熱され熱硬化する際に、軟化し、さらには液状化することで、熱膨張係数の違いによって発生する応力を緩和することができる。

　この後、図６に示す最外部の銅箔３４０を、剥離して図７に示す状態にする。図７は、第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌに、めっき技術を用いて第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌや、最外層ビア２５０を形成する準備をする様子を説明する断面図である。その後、レーザー等を用いて、有底穴を形成する。その後、めっき技術を用いて第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌや最外層ビア２５０を形成することで、前述の図１に示す複合多層配線基板２６０が完成する。

　なお銅箔３４０を剥離した後、レーザー等を用いてブライドビアとなる有底穴を形成する以外に、銅箔３４０を残した状態で、レーザー等を用いてブライドビアとなる有底穴を形成してもよい。そして銅箔３４０を残したまま、レーザー等を用いてブライドビアとなる有底穴を形成し、めっき技術を用いて、第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌや最外層ビア２５０を形成する。このようにしても良い。

　なお図６～図７に示す工程として、ＳＡＰ技術、Ｍ－ＳＡＰ技術を用いることが有用である。

　以上のように、本実施の形態による複合多層配線基板の製造方法は次の（１）～（４）のステップを有する。

　（１）内層の第１配線と第２配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有し、第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを含む複数の中間配線基板部を準備するステップ。

　なお中間配線基板部１８０は、めっきで形成された第２上配線１６０Ｕと第２下配線１６０Ｌを有する４層以上からなる中間配線基板部１８０であれば良い。また中間配線基板部１８０を２枚用いる場合は、第１、第２の中間配線基板部１８０とすれば良い。

　（２）未硬化接着樹脂３６０と未硬化樹脂３６０に埋設された芯材２００とを有する接続絶縁層２２０に、貫通孔２９０を形成し、この貫通孔２９０に導電ペースト３００を、突出部３３０を有するように充填するステップ。

　なお芯材２００と未硬化接着樹脂３６０を有するプリプレグ２７０の両面に保護フィルム２８０を貼り付けた状態で、このプリプレグ２７０に貫通孔２９０を形成し、貫通孔２９０に導電ペースト３００と充填したものを準備しておき、保護フィルム２８０を剥離することで、突出部３３０を形成しても良い。

　（３）複数の中間配線基板部１８０の間に未硬化接続層３７０を、中間配線基板部１８０の最外層側に未硬化最外層樹脂３５０と、銅箔３４０とを、それぞれ設置するステップ。

　なお３枚の中間配線基板部１８０を用いる場合は、中間配線基板部１８０の間にそれぞれ１枚ずつ合計２枚の未硬化接続層３７０を交互に設置すればよい。

　なお複数の中間配線基板部１８０のうち、第１中間基板部側の最外層に配置された第１最外中間基板部１８０Ｕのさらに外側と、複数の中間配線基板部１８０のうち、第２中間基板部側の最外層に配置された第２最外中間基板部１８０Ｌのさらに外側に、未硬化最外層樹脂３５０を設置し、複数の前記中間配線基板部１８０の間に、前記突出部３３０を有する未硬化接続層３７０を設置するステップとしても良い。

　（４）複数の中間配線基板部１８０と、未硬化接続層３７０と、未硬化最外層樹脂３５０とを、加圧、加熱し、一体化するステップ。

　なお銅箔３４０と、未硬化最外層樹脂３５０と、複数の中間配線基板部１８０と、未硬化接続層３７０とを、加熱、加圧しながら一体化する一体化ステップとしても良い。

　以上、（１）～（４）のステップに加えて、以下の（５）のステップを設けることは有用である。

　（５）未硬化最外層樹脂３５０が硬化して形成された第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌに形成された有底穴に最外層ビア２５０を、最外絶縁層２３０の外側に第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌを形成するステップ。

　なお、中間配線基板部１８０は、めっきで形成された第２上配線１６０Ｕや第２下配線１６０Ｌを、その表層配線として有すれば本実施の形態の特定要件として充分である。すなわち中間配線基板部１８０を構成する内部の配線はめっきで形成された物であっても、銅箔がエッチングされた物であってもよい。同様に中間配線基板部１８０は、めっきで形成された第２上配線１６０Ｕや第２下配線１６０Ｌを、その表面配線として有すれば良く、内部のビアはめっきで形成された物であっても、ペーストで形成されたものであっても良い。

　さらに銅箔３４０と、未硬化最外層樹脂３５０と、複数の中間配線基板部１８０と、未硬化接続層３７０とを、加熱、加圧しながら一体化する一体化ステップにおいて、以下の（Ａ）～（Ｄ）のステップを有していることが望ましい。

　（Ａ）未硬化接続層３７０に含まれる未硬化接着樹脂３６０を軟化させ、第２上配線１６０Ｕや第２下配線１６０Ｌの厚みや厚みバラツキを吸収した状態で硬化させ、接続層２１５とするステップ。

　（Ｂ）未硬化最外層樹脂３５０を軟化させ、第２上配線１６０Ｕや、第２下配線１６０Ｌの厚みや厚みバラツキを吸収した状態で硬化させ、第１最外絶縁層２３０Ｕ、２３０Ｌとするステップ。

　（Ｃ）未硬化接続層３７０に含まれる導電ペースト３００を熱硬化させて接続ビア２１０を形成するステップ。

　（Ｄ）接続ビア２１０が第１中間配線基板部１８０Ｕの第１下配線１２０Ｌと、第２中間配線基板部１８０Ｌの第１上配線１２０Ｕとの間を電気的に接続するステップ。

　以上、（Ａ）～（Ｄ）のステップによって、２つ以上の中間配線基板部１８０を１つ以上の接続層２１５で固着すると共に、ペーストビアである接続ビア２１０で電気的に接続する。これにより複合多層配線基板２６０の歩留まりが向上するとともに、接続ビア２１０によって２つ以上の中間配線基板部１８０を電気的に確実に接続することができる。そのため上記（Ａ）～（Ｄ）のステップを、一つの工程で、あるいは一括して、あるいは同時に行うことは有用である。

　図８～図９を用いて、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキを、未硬化接着樹脂３６０や未硬化最外層樹脂３５０の中に吸収させるメカニズムについて説明する。

　次に図８を参照しながら、肉厚の大きい、さらに厚みバラツキを有する第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を、接続絶縁層２２０中の未硬化接着樹脂３６０に埋設する様子を説明する。図８は、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を、未硬化接着樹脂３６０に埋設する様子を部分的に拡大して説明する断面図である。

　矢印３２０ａは、中間配線基板部１８０の表面に凹凸状に形成されたビア１７０ａ～１７０ｂ、第２下配線である第２配線１６０ａ、１６０ｂ、第２上配線である第２配線１６０ｃ、１６０ｄが埋設するために加えられる、加圧、加熱の様子を示す。また矢印３２０ｂは、ビア１７０ａ～１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄの隙間（あるいは凹凸）に、プリプレグ２７０中に含まれている未硬化状態の、未硬化接着樹脂３６０が軟化し、流動し、充填、埋設される様子を示す。なお、接続絶縁層２２０の芯材２００として、ガラス織布やガラス不織布、あるはポリイミド等の耐熱性フィルムを用いることで、図５に示したような加圧、加熱工程においても、対向する第２下配線１６０Ｌと第２上配線１６０Ｕとが接触することが無い。また接続絶縁層２２０に、これらを芯材２００として用いた部材（例えば、プリプレグ２７０）を用いることで、その取り扱い性を高められる。また加圧圧縮時に、導電ペースト３００が潰れて広がることを防止することができる。

　ここでめっき技術を用いて形成したビア１７０ａ～１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄの厚みや形状のバラツキは、第１上配線１２０Ｕのように銅箔３４０をパターニングして形成した配線に比べて大きくなる。すなわちめっき技術を用いて形成された配線パターンやビアは、サブトラクト技術を用いて形成されたものに比べ、パターンエッジの形状や厚みのバラツキが発生しやすい。これはビア１７０ａ～１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄの形成時に、めっき液の流量、あるいは活性度が配線パターンの粗密、あるいはビアの有無等、めっきの析出速度の影響を受けるためである。図８に示す例では、ビア１７０ａの配線厚みは、ビア１７０ｂの配線厚みより厚い。また、第２配線１６０ｂは第２配線１６０ｃより厚く、第２配線１６０ａは第２配線１６０ｂより厚い。そして第２配線１６０ｄは第２配線１６０ａより厚い。

　一般的にめっき技術を用いて形成されためっき配線の厚みバラツキは、銅箔３４０をエッチングして形成された銅箔配線の厚みバラツキより大きくなる。まためっき配線の厚みバラツキは、めっき技術とサブストラクト法とを組み合わせても、あるいはセミアディティブ法と組み合わせても、共に銅箔配線の厚みバラツキよりも、厚みバラツキが大きくなる傾向がある。

　さらにめっき技術とサブストラクト法とを組み合わせた場合、配線の厚みバラツキは、隣接する配線間では厚みバラツキが小さい場合であっても、配線基板全体中の特定の位置で大きく異なる場合がある。例えば６０ｃｍ角の配線基板を作製する場合、配線基板の周縁部と中央部とで、配線厚みが異なる場合がある。

　一方、セミアディティブ法を用いた場合、６０ｃｍ角の配線基板の周縁部と中央部で配線厚みは略同じであっても、隣接する配線間で厚みバラツキが発生する場合がある。

　このようにめっき技術で形成されたビア１７０ａ～１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄは異なる配線厚みを有する。さらには配線幅が異なったり、配線パターンの粗密があったり、さらには配線基板全体での位置によってこれらが生じたりする。本実施の形態ではこのようなビア１７０ａ～１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄを、矢印３２０ｂに示すように接続絶縁層２２０に埋め込む。

　その際に、各部分にはそれぞれ固有の応力が発生する。しかしながら、これらの応力は、所定の加熱、加圧工程を経て形成されているペーストビアである第１ビア１３０で緩和される。このように第１ビア１３０が一種の応力緩和層となるが、これはペーストビアがめっきビアに比べて強度が低い場合があるためである。

　次に、図９を用いて、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキを未硬化最外層樹脂３５０の中に吸収させるメカニズムについて説明する。図９は、最外層に位置する第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を未硬化最外層樹脂３５０に埋設し、埋設した状態で熱硬化し一体化する様子を部分的に拡大して示す断面図である。

　矢印３２０ａは、中間配線基板部１８０の表面に凹凸状に形成されたビア１７０ｃ～１７０ｄ、第２配線１６０ｅ～１６０ｈが埋設するために加えられる加圧、加熱を示す。また矢印３２０ｃは、ビア１７０ｃ～１７０ｄ、第２配線１６０ｅ～１６０ｈの隙間（あるいは凹凸）に、未硬化最外層樹脂３５０が流動し、充填、埋設される様子を示す。第２配線１６０ｅ、１６０ｆは図５における上側の第２上配線であり、第２配線１６０ｇ、１６０ｈは図５における下側の第２下配線である。なお接続層２１５となるプリプレグ２７０は図示していない。

　ビア１７０ｃ、１７０ｄ、第２配線１６０ｅ～１６０ｈもまためっき技術を用いて形成されている。そのため、ビア１７０ａ、１７０ｂ、第２配線１６０ａ～１６０ｄと同様に、厚みや形状バラツキは、比較的大きい。図９に示す例では、ビア１７０ｃの配線厚みは、ビア１７０ｄの配線厚みより厚い。また第２配線１６０ｆは第２配線１６０ｇより厚く、第２配線１６０ｅは第２配線１６０ｆより厚い。そして第２配線１６０ｈは第２配線１６０ｅより厚い。

　したがって、ビア１７０ｃ、１７０ｄ、第２配線１６０ｅ～１６０ｈを、未硬化最外層樹脂３５０に埋め込む際に、各部分にはそれぞれ固有の応力が発生する。しかしながら、これらの応力は、接続絶縁層２２０に形成されたペーストビアである接続ビア２１０で緩和、吸収することが可能である。接続ビア２１０は、導電ペースト３００を積層時に所定厚みに変形することで形成され、厚みバラツキ等を吸収することができる。

　なお、図８に示す加熱加圧工程と、図９に示す加熱加圧工程とは、一つの加熱加圧工程で行なうことができる。そのため、ビア１７０ａ、第２配線１６０ａ、１６０ｂの隙間、ビア１７０ｂ、第２配線１６０ｃ、１６０ｄの隙間、ビア１７０ｃ、第２配線１６０ｅ、１６０ｆの隙間、ビア１７０ｄ、第２配線１６０ｇ、１６０ｈの隙間のそれぞれへ、未硬化最外層樹脂３５０や未硬化接着樹脂３６０が充填されることによって発生する応力発生を、より小さくすることができる。中間配線基板部１８０の両面に配置された、未硬化最外層樹脂３５０と未硬化接着樹脂３６０とは、一種のクッション材として機能する。そのため、これらが加圧されることでその凹凸面に追従する。

　すなわち、未硬化最外層樹脂３５０や未硬化接着樹脂３６０は、室温（例えば２０℃）から加熱されることで軟化し液化するため、配線等を埋設する際の応力を緩和する。その後、熱硬化した場合であっても、加熱時には硬化状態であっても弾性率は低下するため、応力を緩和できる。なお樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合は、加熱温度は３００℃以下、さらには２５０℃以下とすることが有用である。

　また、上記クッション作用によって、ビア１７０ａ～１７０ｄ、第２配線１６０ａ～１６０ｈのパターンの粗密、厚みバラツキ等が、裏表面で互いに異なったとしても、導電ペースト３００への圧縮力のバラツキが発生することは無い。このようにビア１７０ａ～１７０ｄ、第２配線１６０ａ～１６０ｈによって生じた凹凸を埋設した状態で、未硬化最外層樹脂３５０と未硬化接着樹脂３６０と同時に熱硬化することで、不要な応力発生を抑制することができる。

　なお図９において、図４に示すプリプレグ２７０と同様に、未硬化最外層樹脂３５０に、ガラス織布やガラス不織布、あるはポリイミド等の耐熱性フィルムを芯材２００として用いても良い。芯材２００を設けることで、加圧、加熱工程において、銅箔３４０と、ビア１７０ｃ、１７０ｄ、第２配線１６０ｅ～１６０ｈとが、接触することが無い。

　また未硬化最外層樹脂３５０に、ガラス織布やガラス不織布、あるはポリイミド等の耐熱性フィルムを芯材２００として有したものを用いる場合、市販のプリプレグ材（あるいは、図４等で説明したプリプレグ２７０）を用いても良い。未硬化最外層樹脂３５０に、ガラス織布やガラス不織布、あるはポリイミド等の耐熱性フィルムを芯材２００として有したものを用いることで、その取り扱い性を高められる。また芯材２００の熱膨張係数を調整することで、複合多層配線基板２６０の熱膨張係数を半導体のベアチップ実装に対応するように最適化することができる。また芯材２００を設けることで、複合多層配線基板２６０の剛性や平坦性、コプラナリティ（Ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）を高め、半導体ベアチップ実装に対応させることができる。

　一方、未硬化最外層樹脂３５０の樹脂フローを高め、クッション層としての機能を高めるには、未硬化最外層樹脂３５０は芯材２００を含まないほうがよい。芯材２００を有しない分、樹脂フロー性を高められる。

　以上のように、めっき技術を用いて第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、ビア１７０を形成する場合、パターン幅の大小、あるいはビアの有無による配線厚みのバラツキ、パターンエッジのシャープさのバラツキ他の特有の課題が発生する。しかしながら、図８、図９に示す埋設～熱硬化工程を、同時に（あるいは一回の加熱加圧工程の中で）行なうことで、これらのバラツキを、一度に吸収することができ、接続部分の信頼性を高めることができる。一回の加熱加圧工程とは、一つの工程、あるいは同じ工程であり、加熱に使う金型等にセットした状態のまま、あるいは加圧状態を外すことなく、あるいは金型等から外すことなく行なうことを意味する。

　なお、第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌや最外層ビア２５０は、めっき配線からなる第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの厚みや厚みバラツキを吸収した状態で硬化してなる、第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌの表面に設けることが望ましい。そして第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌは、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、第２ビア１７０等が、配線厚み等に起因する凹凸の発生を抑制した状態で形成されている。このように第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌは、高い平滑度を有する。そのため、第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌの表面に、レーザー等で有底穴を形成し、めっき技術を用いて第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌや最外層ビア２５０を形成することが容易である。また第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌの表面の平滑度を高めることで、この基板に部品を実装しやすくなる。

　なおペーストビアで構成された第１ビア１３０を有する両面基板部１４０として、両面ＡＬＩＶＨ基板（Ａｎｙ　Ｌａｙｅｒ　ＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌＶｉａ　Ｈｏｌｅの意味、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ株式会社の登録商標）を使用することができる。両面基板部１４０として両面ＡＬＩＶＨ基板を用いた場合、中間配線基板部１８０は第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌ、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの合計４層の配線を有する。また両面基板部１４０として４層ＡＬＩＶＨ基板を用いた場合は、中間配線基板部１８０は６層の配線を有する。このようにして両面基板部１４０に２層以上の配線を有する基板を用いることによって、４層以上の中間配線基板部１８０を作製することができる。

　第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌが、所定の銅箔がパターニングされて形成された銅箔配線である場合、めっき配線に比べて、厚みバラツキが小さい。これは、銅箔配線が長尺の銅箔をエッチングして配線とするためである。

　なお、第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌを、厚み精度に優れた銅箔配線とするには、ＡＬＩＶＨ基板を用いることが望ましい。隣接する配線同士であっても、数十ｃｍ角の基板サイズの周縁部と中央部であっても、銅箔配線はめっき配線に比べ、厚みバラツキが少ない。そのため複合多層配線基板２６０の凹凸をさらに低減することができる。

　また厚み精度に優れた第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌと組み合わせる第１ビア１３０は、ペーストビアであることが望ましい。このように第１絶縁層１１０の内部に内蔵される第１ビア１３０をペーストビアとすることで、容易に第１上配線１２０Ｕと第１下配線１２０Ｌとを接続できる。

　以上、図２Ａ～図９では、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を有する中間配線基板部１８０として、第１ビア１３０にペーストビア、第１上配線１２０Ｕ，第１下配線１２０Ｌに銅箔パターンを用いた場合について説明した。しかしながら、複合多層配線基板２６０に用いる中間配線基板部１８０としては、第１ビア１３０にめっき技術で形成されためっきビア、第１上配線１２０Ｕ，第１下配線１２０Ｌにめっき技術で形成された配線パターンを有するものを用いてもよい。このように、中間配線基板部１８０として、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０を有する中間配線基板部１８０で有れば良い。

　例えば図１０に示すように、めっきビアで第１ビア４３０を形成してもよい。そして、めっき配線で第１上配線５００Ｕ、第１下配線５００Ｌを形成してもよい。この場合、複合多層配線基板２６５において、接続ビア以外の全てのビアがめっきビアとなり、全ての配線がめっき配線となる。この場合、加熱・加圧工程における圧力がさらに有効に作用する。この効果が特に顕著な例については次に説明する。すなわち、ビア構造の違いが、接続層２１５における接続ビア２１０の信頼性に与える影響について、図１１～図１２を参照しながら説明する。

　図１１は、ペーストビアからなる直列ビア構造を有する中間配線基板において、発生する課題の一例を説明する断面図である。

　図１１に示す複合多層配線基板３９０Ａは直列ビア構造部４００Ａを有する。直列ビア構造部４００Ａでは、厚み方向に複数のビア１３０ａ～１３０ｃが直列状態に積層されている。例えば、ビア１３０ｂは第１ビアに相当し、ビア１３０ａ、１３０ｃは第２ビアに相当する。

　このような直列ビア構造部４００Ａの場合、矢印３２０ａに示すような加圧力は、矢印３２０ｄに示すように、ペーストビアであるビア１３０ａ～１３０ｃを介して導電ペースト３００に伝えられる。しかしながら、ペーストビアは、複数の銅粉等の金属粉が加圧圧縮されたものであり、また熱硬化樹脂等を含んでいる。そのため、めっきビアに比べて強度が低い。そのため導電ペースト３００に接するビア１３０ｃが、積層圧力によって変形してしまうことがある。この場合、導電ペースト３００に所定の積層圧力が伝わらない。このように導電ペースト３００に接するビア１３０ｃ、あるいは銅箔パターンを介して圧力を伝えるビア１３０ａ、１３０ｂが変形しやすい場合、導電ペースト３００との接触性に課題が発生する場合がある。

　こうした課題が発生する場合、図１２や図１３に示す構造とすることが有用である。図１２、図１３は、共に直列ビア構造を有する中間配線基板部を用いた複合多層配線基板における接続安定性を高めるための断面構造を示す断面図の一例である。

　図１２に示す複合多層配線基板３９０Ｂは、直列ビア構造部４００Ｂを有している。直列ビア構造部４００Ｂでは、めっきビアであるビア１７０ａ～１７０ｃが厚み方向に直列状態に積層されている。例えば、ビア１７０ｂは第１ビアに相当し、ビア１７０ａ、１７０ｃは第２ビアに相当する。

　直列ビア構造部４００Ｂでは全てのビア１７０ａ～１７０ｃが積層圧力によって変形しにくいめっきビアで構成されている。めっきビアは樹脂等を含まず、ペーストビアに比べて強度が高い。そのため、加熱・加圧工程における圧力がビア１７０ａ～１７０ｃを介して導電ペースト３００に有効に伝わる。その結果、導電ペースト３００が硬化して形成される接続ビア２１０と、ビア１７０ｃとの接続安定性が高まる。

　なおビア１７０ａ～１７０ｃのうち、導電ペースト３００に接するビア１７０ｃがめっきビアであれば上記効果はある程度発揮される。図１３を参照しながらこの様子を説明する。図１３は、図１１で説明した課題が発生した場合の対応例を示す断面図である。

　一般的に直列ビア構造部は、高価で複雑な工程が必要なめっきビアで形成するより、安価で簡単なペーストビアで形成することが有用である。しかしながら構造的に直列ビア構造部をペーストビアで構成する場合、図１１を参照して説明した課題が生じる。そこで、図１３に示すように、少なくとも、導電ペースト３００に接するビア１７０ｃ、あるいは銅箔パターンを介して圧力を伝えるビアをめっきビアで構成した直列ビア構造部４００Ｃを構成すればよい。

　前述のように、図１２に示す全てめっきビアで構成されている直列ビア構造部４００Ｂの場合、矢印３２０ａに示すような加圧力は、矢印３２０ｄに示すように、直接、導電ペースト３００に伝えられる。これは直列状のビア１７０ａ～１７０ｃが全て、強度の高い銅等の金属からなるめっきビアで、互いに一体化して構成されているためである。そのため印加された積層圧力は、一体化された高強度の直列ビア構造部４００Ｂを介して、そのまま未硬化接着樹脂３６０に形成された導電ペースト３００に伝わる。その結果、ビア１７０ａ～１７０ｃの厚みバラツキや、中間配線基板部１８０の厚みバラツキ等すべてを、導電ペースト３００が吸収する必要がある。しかしながらビア１７０ａ～１７０ｃの厚みバラツキや、中間配線基板部１８０の厚みバラツキが大きくなった場合、このバラツキを導電ペースト３００で吸収できなくなる場合がある。ビア１７０ａ～１７０ｃの厚みバラツキ（３σ）が７μｍ以上、さらに１０μｍ以上になった場合や、中間配線基板部１８０の厚みバラツキが７μｍ以上、さらに１０μｍ以上になった場合にこのような状況になる場合がある。そのため厚みバラツキ（３σ）は７μｍ未満に抑えることが望ましい。

　このような場合、図１３に示す複合多層配線基板３９０Ｃのように、ペーストビアであるビア１３０ａ、１３０ｂの少なくとも１つを含む直列ビア構造部４００Ｃを構成することが好ましい。ペーストビアはめっきビアに比べて柔らかい。そのため、積層プレス時に、めっきビアであるビア１７０ｃにかかる応力を緩和する役割を果たす。このような構造によって、積層プレス時に直列ビア構造４００ｃにかかる応力を分散させ、ビア１７０ｃでのマイクロクラック発生を抑制するとともに、導電ペースト３００（接続ビア２１０）の圧縮度合いを高めることができる。

　なお図１１～図１３は模式図である。そして図１１～図１３の一部において、内層配線を構成する配線の一部を、内層配線の厚みが段差として表面に表れないように絶縁層の中に埋め込むように図示している。このように内層配線を絶縁層から突出するように（あるいは表面に凹凸となるように）形成した場合でも、内層配線の厚みを絶縁層に吸収するように（あるいは表面に凹凸とならないように）形成した場合でも、共に本実施の形態による作用効果は発揮される。これはどちらの場合であっても、中間配線基板部１８０の表面に、めっき技術で形成した第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０は厚みバラツキという課題を有しており、この厚みバラツキを本実施の形態による構成によって解決できるためである。

　次に、複合多層配線基板２６０の応用例について、図１４～図１９を用いてさらに詳しく説明する。図１４は、６層以上の配線を有している中間配線基板部４８０を用いる場合について説明する断面図である。図１４において省略部４１０は、多層配線基板の内層配線や内層ビアを省略、あるいは代用して図示している。

　図１を参照した説明では、一例として４層の配線を有する中間配線基板部１８０を用いた場合を示した。しかし中間配線基板部は、４層以上、６層以上の配線を有していても良い。

　６層以上の配線を有する中間配線基板部４８０を用いた場合でも、４層の配線を有する中間配線基板部１８０を用いた場合と同様に、表層にめっき技術で形成された第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みや厚みバラツキを吸収することができる。

　図１４に示す中間配線基板部４８０は６層以上の配線基板であり、前述の図１で説明した中間配線基板部１８０の構成に加え、第３上絶縁層１５５Ｕと、第３下絶縁層１５５Ｌと、第３上配線１６５Ｕと、第３下配線１６５Ｌと、第３ビア４５０とをさらに有する。第３上絶縁層１５５Ｕは第２上配線１６０Ｕおよび第２ビア１７０を埋め、第３下絶縁層１５５Ｌは第２下配線１６０Ｌおよび第２ビア１７０を埋めている。第３上配線１６５Ｕは第３上絶縁層１５５Ｕの外側に形成され、第３下配線１６５Ｌは第３下絶縁層１５５Ｌの外側に形成されている。第３ビア４５０は第３上絶縁層１５５Ｕ、第３下絶縁層１５５Ｌのいずれかを貫通し、第２上配線１６０Ｕと第３上配線１６５Ｕ、または第２下配線１６０Ｌと第３下配線１６５Ｌとを電気的に接続している。

　いずれの場合も、最外層に配置された未硬化最外層樹脂３５０によるクッション効果、あるいは平滑効果が得られる。このように未硬化最外層樹脂３５０によるクッション効果は、中間配線基板部の配線層数に影響されない。

　図１５Ａ、図１５Ｂは、中間配線基板部１８０の構成の一例を示す断面図である。また図１５Ｃ、図１５Ｄは、中間配線基板部４８０の構成の一例を示す断面図である。図１５Ａ～図１５Ｄにおいて、省略部４１０は、第１ビアや第２ビア、内層配線等を代用、省略して図示している。

　図１５Ａに示す中間配線基板部１８０において、第１ビア４３０と第２ビア１７０は、共にメッキビアである。一方、図１５Ｂに示す中間配線基板部１８０においては、第１ビア１３０はペーストビアである。ビアペーストの両側に形成された第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌは銅箔配線である。第２ビア１７０はめっきビアである。

　図１５Ｃに示す中間配線基板部４８０において、第１ビア１３０はペーストビアであり、ペーストビアの両側に形成された第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌは銅箔配線である。その上に形成された第２ビア１７０、第３ビア４５０はめっきビアである。一方、図１５Ｄに示す中間配線基板部４８０において、第１ビア１３０と第２ビア４４０はペーストビアである。ビアペーストの両側に形成された第１上配線１２０Ｕ、第１下配線１２０Ｌ、および第２配線４６０は銅箔配線である。第３ビア４５０はめっきビアである。

　そして中間配線基板部４８０において、第２上配線を、第３上絶縁層で埋めても良い。そしてこの第３上絶縁層の外側に第３上配線を設けても良い。

　同様に、また第２下配線を第３下絶縁層で埋めても良い。そして第３下絶縁層の外泡に第３下配線を形成しても良い。そして、第３上絶縁層、第３下絶縁層のいずれかを貫通し、第２上配線と前記第３上配線、または第２下配線と第３下配線とを電気的に接続する第３ビアと、をさらに有する複合多層配線基板としても良い。

　これらの中間配線基板部１８０、４８０のいずれか２つを用いて複合多層配線基板を作製することができる。

　なお、中間配線基板部１８０、４８０の構成は、図１５Ａ～図１５Ｄに限定されない。このため中間配線基板部としては、４層基板と６層基板と用いて、この４層基板と６層基板とを前述の図４等に示すように一括で積層し、複合多層配線基板を作製しても良い。このように層数が異なる中間配線基板部、あるいは層数やその構成、あるいは配線の厚みや段差等が互いにアンバランスな複数の中間配線基板であっても一括で積層できる。これは未硬化最外層樹脂３５０によるクッション効果あるいは平滑効果は、中間配線基板部１８０の構成の影響を受けないためである。

　中間配線基板部１８０、４８０としては、図１５Ｂ、図１５Ｃに示すように第１ビアがペーストビアであって、第２ビアがメッキビアでも良いし、図１５Ａに示すように全てのビアがめっきビアでもよい。

　また図１５Ｄに示すように、ペーストビアは第１ビアだけでなく、最外部のビア以外のビアがペーストビアでもよい。これは未硬化最外層樹脂３５０によるクッション効果あるいは平滑効果は、中間配線基板部の構成の影響を受けないためである。

　なお中間配線基板部における配線層数は４層以上であれば良い。中間配線基板部における層数は５層、７層等の奇数層でも良いが、製造しやすさを考慮すると、層数は偶数であることが好ましい。

　なおペーストビアで第１ビア１３０を構成し、めっきビアで第２ビア１７０を構成することは有用である。ペーストビアとめっきビアとを併用した４層配線基板を中間配線基板部１８０として用いることで、ビアランドを小径化することができ、より高密度に配線を収容できる。具体的には、短いリードタイムで２００μｍランド、１５０μｍランド、さらには１００μｍランド等の高密度な多層配線基板を製造できる。

　第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０をめっき工法で形成する際、第１ビア１３０の位置を計測したうえで、ＬＤＩ（レーザーダイレクトイメージング法）を用いることが好ましい。ＬＤＩを用いて露光することで、基板一枚ごとの寸法係数調整や、基板面内の座標歪を補正することが可能となる。このようにＬＤＩ技術を用いることで、製造工程において配線基板の絶対寸法が多少変化したとしても、内部に形成された配線と、表層に形成する配線やビアとのアライメント精度、あるいは合致精度を高めることができる。

　通常のめっき工法を用いて、ビアが完全に導電体で塞がれた両面基板を形成する場合には、レーザービア加工によって片側のみ開口し、ビア底面に銅が露出した状態を作り出す必要がある。この工法では片側のみ銅箔をエッチングし開口を形成するなど、非常に工数がかかりコストアップにつながる。これに対し、めっきビアである第２ビア１７０を形成するプロセスとして、ビア形成とパターン形成とを共にレーザー（あるいはＬＤＩ）を用いることで、非常に高密度な中間配線基板部１８０を、簡便な方法で実現することができる。

　また、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌをめっき配線とすることで、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、第２ビアのファインパターン化、狭隣接化が可能となる。一般的に、めっき技術を用いて、配線パターンやめっきビアを、よりファインパターンとして形成しようとするほど、配線パターンやめっきビアの厚みのバラツキが大きくなる。これは配線パターンがファインパターン化するほど、めっき液を均一に隅々まで循環させることが難しいためである。まためっき技術を用いて、肉厚の配線パターンやフィルドビアを形成する場合、コストダウンや生産性向上のために、めっきの析出速度を高くすることが望まれる。しかしめっきの析出速度を高くするほど、めっきで形成された配線パターンやフィルドめっきのめっき厚みのバラツキが増加する。

　図１等で示す構成にすることで、こうした配線パターン等の厚みバラツキを解消することができる。また図１等で示す構成にすることで、めっき技術を用いて形成する配線パターン等の更なるファインパターン化、更なる低コスト化が可能となる。これはめっきで発生する厚みバラツキが、図１等で説明する構成では、課題とならないためである。

　例えば、中間配線基板部１８０の第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌの配線材料として銅箔３４０を用いる場合、銅箔３４０はロール状で大量に生産されるため、保管コストが発生する。また配線厚みのバリエーションを複数準備することが現実的には難しい。また製品設計にあわせて配線厚みを調整することが難しくなる場合がある。

　こうした課題に対しては、図１等に示したように、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０をめっき技術で形成することが望ましい。このように第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌをめっき技術で形成することで、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌを銅箔のサブトラクト技術で形成する場合の課題が発生しない。

　次に、複数の接続層２１５を介して３つ以上の中間配線基板部１８０を接続する構成について、図１６～図１７を参照しながら説明する。

　図１６は、２つの接続層２１５を介して、３枚の中間配線基板部１８０を積層して構成された複合多層配線基板４７０の断面図である。２つの接続層２１５を介して、３枚の中間配線基板部１８０を積層することで、１２層の配線を有する複合多層配線基板４７０を作製できる。

　図１６に示すように、３つの中間配線基板部１８０と、２つの接続層２１５を交互に積層する。図１６は、最外層に形成された第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌの上に形成されていた銅箔（図示せず）を除去し、その後、第１最外層配線２４０Ｕや第２最外層配線２４０Ｌ、最外層ビア２５０を形成した状態を示している。なお、第１最外層配線２４０Ｕや第２最外層配線２４０Ｌ、最外層ビア２５０を形成方法は、前述の図４～図７（特に図６、図７）を参考にすることは有用である。

　なお前述の図１等で示した複合多層配線基板２６０の表層に、さらにビルドアップ技術を用いて、新たな配線層等を形成することも有用である。

　図１７は、図１６に示す複合多層配線基板４７０の上に、さらにビルドアップ層で配線を設けた複合多層配線基板４９０の断面図である。この例では、ビルドアップ層４２０は内絶縁層５１０、外絶縁層５２０、内層配線５３０、外層配線５４０、内層ビア５５０、外層ビア５６０を有する。内絶縁層５１０は最下層の第２下配線１６０Ｌと第２ビア１７０とを覆っている。内層ビア５５０は内絶縁層５１０を貫通し、最下層の第２下配線１６０Ｌまたは第２ビア１７０に接続されている。内層配線５３０は内絶縁層５１０の上に形成されている。外絶縁層５２０は内層配線５３０と内層ビア５５０とを覆っている。外層ビア５６０は外絶縁層５２０を貫通し、内層配線５３０または内層ビア５５０に接続されている。外層配線５４０は外絶縁層５２０の表面に形成されている。

　このように図１６や図１、図１０で示した複合多層配線基板４７０、２６０、２６５を一種のコア基板とし、このコア基板の一面または両面にビルドアップ層４２０を形成することができる。すなわち、ビルドアップ層４２０は複数の中間配線基板部１８０のうちの最外部に配置された中間配線基板部１８０のさらに外側の少なくとも一方に積層され、２層以上の配線層を有する。

　このように、ビルドアップ層４２０を形成することで、さらに多層化が可能となる。なおビルドアップ層４２０の構成は図１７に示す構成に限定されない。

　次に、以上説明した実施の形態に基づく試作結果の一例について説明する。中間配線基板部１８０として、ペーストビアを用いることなく、全層にめっき技術を用いた４層配線基板を準備した。この４層配線基板は、例えば、前述の図１０に示すものであり、第１上配線５００Ｕ、第１下配線５００Ｌ、第１ビア４３０、第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌ、第２ビア１７０等は、ペースト技術やサブトラクト技術を用いることなく、全てめっき技術を用いて形成している。

　次に、市販のプリプレグ２７０を用意した。プリプレグ２７０は芯材２００としてのガラス繊維と、このガラス繊維に含浸された未硬化接着樹脂３６０としての未硬化のエポキシ樹脂を含む。そして、図２Ａに示すようにプリプレグ２７０の両面に、保護フィルム２８０として厚み２０μｍのＰＥＴフィルムを貼り付けた後、図２Ｂに示すようにレーザーで貫通孔２９０を形成する。その後、導電粉と熱硬化性樹脂とを含む導電ペースト３００を、図２Ｃに示すように、貫通孔２９０に充填する。その後、保護フィルム２８０を剥離し、図２Ｄの状態とする。これを前述の図４で説明した未硬化接続層３７０とする。

　次に図４、図５に示すように、これら部材を、プレス装置や金型を用いて、加熱、加圧し一体化した。その後、図６、図７に示す工程を経て、第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌに、レーザーで有底穴を形成した後、めっき技術を用いて、第１最外層配線２４０Ｕ、第２最外層配線２４０Ｌ、最外層ビア２５０等を形成し、図１０や、図１６～図１７に示す複合多層配線基板２６５、４７０、４９０とする。

　このようにして作製した複合多層配線基板２６５、４７０、４９０では、中間配線基板部１８０の両表面に形成されためっきビアである第２ビア１７０の厚みに起因する凹凸が接続層２１５に吸収されていた。また第２上配線１６０Ｕ、第２下配線１６０Ｌや第２ビア１７０の厚みバラツキも接続層２１５や第１最外絶縁層２３０Ｕ、第２最外絶縁層２３０Ｌに吸収された。約６０ｃｍ角の基板を用いても中央部と周縁部との厚みの違いやバラツキ等が吸収され、隣接するパターン間の厚みバラツキも吸収されることを確認できた。

　以上のように本発明によれば、めっきビアとペーストビアの双方の利点を活かした、高性能で安価な複合多層配線基板を提供できる。

１１０　　第１絶縁層
１２０Ｕ　　第１上配線
１２０Ｌ　　第１下配線
１３０　　第１ビア（ペーストビアまたはめっきビア）
１３０ａ，１３０ｂ，１３０ｃ　　ビア（ペーストビアまたはめっきビア）
１４０　　両面基板部
１５０Ｕ　　第２上絶縁層
１５０Ｌ　　第２下絶縁層
１５５Ｕ　　第３上絶縁層
１５５Ｌ　　第３下絶縁層
１６０Ｕ　　第２上配線
１６０Ｌ　　第２下配線
１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ，１６０ｆ，１６０ｇ，１６０ｈ　　第２配線（めっき配線）
１６５Ｕ　　第３上配線
１６５Ｌ　　第３下配線
１７０　　第２ビア
１７０ａ，１７０ｂ，１７０ｃ，１７０ｄ　　ビア（めっきビア）
１８０，４８０　　中間配線基板部
１８０Ｕ　　第１中間配線基板部（第１最外中間配線基板部）
１８０Ｌ　　第２中間配線基板部（第２最外中間配線基板部）
１９０　　熱硬化性樹脂部
２００　　芯材
２１０　　接続ビア
２１５　　接続層
２２０　　接続絶縁層
２３０Ｕ　　第１最外絶縁層
２３０Ｌ　　第２最外絶縁層
２４０Ｕ　　第１最外層配線
２４０Ｌ　　第２最外層配線
２５０　　最外層ビア
２６０，２６５　　複合多層配線基板
２７０　　プリプレグ
２８０　　保護フィルム
２９０　　貫通孔
３００　　導電ペースト
３１０　　スキージ
３２０，３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃ，３２０ｄ　　矢印
３３０　　突出部
３４０　　銅箔
３５０　　未硬化最外層樹脂
３６０　　未硬化接着樹脂
３７０　　未硬化接続層
３９０Ａ，３９０Ｂ，３９０Ｃ　　複合多層配線基板
４００Ａ，４００Ｂ，４００Ｃ　　直列ビア構造部
４１０　　省略部
４２０　　ビルドアップ層
４３０　　第１ビア（めっきビア）
４４０　　第２ビア（ペーストビア）
４５０　　第３ビア（めっきビア）
４６０　　第２配線（銅箔配線）
４７０，４９０　　複合多層配線基板
５００Ｕ　　第１上配線
５００Ｌ　　第１下配線
５１０　　内絶縁層
５２０　　外絶縁層
５３０　　内層配線
５４０　　外層配線
５５０　　内層ビア
５６０　　外層ビア

Claims

内層の第１上配線と第２下配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有し、少なくとも第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを含む複数の中間配線基板部と、
　熱硬化性樹脂部と前記熱硬化性樹脂部に埋設された芯材とを有し、前記第１中間配線基板部と前記第２中間配線基板部を接着する接続絶縁層と、
　前記接続絶縁層を貫通し、前記第１中間配線基板部の前記第１下配線と前記第２中間配線基板部の前記第１上配線とを電気的に接続する接続ビアを、を有する接続層と、
前記複数の中間配線基板のうち、前記第１中間基板部側の最外層に配置された第１最外層中間基板部のさらに外側に配置された第１最外絶縁層と、
前記複数の中間配線基板のうち、前記第２中間基板部側の最外層に配置された第２最外層中間基板部のさらに外側に配置された第２最外絶縁層と、
前記第１、第２最外層のそれぞれ外側に形成された第１、第２最外層配線と、
前記第１最外絶縁層を貫通し、前記第１最外層配線と前記第１最外中間配線基板部の前記第２上配線とを電気的に接続するか、前記第２最外絶縁層を貫通し、前記第２最外層配線と前記第２最外中間配線部の前記第２下配線とを電気的に接続する最外層ビアと、を備え、
前記第１最外絶縁層は、前記第１最外中間配線基板部の、前記第１最外絶縁層に対向する前記第２上配線を埋設し、
前記第２最外絶縁層は、前記第２最外中間配線基板部の、前記第２最外絶縁層に対向する前記第２下配線を埋設し、
前記接続ビアはペーストビアである、
複合多層配線基板。
前記第１上配線と第１下配線は第１ビアによって電気的に接続され、前記第１ビアは、めっきビアである、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記第１上配線と前記第２上配線、前記第１下配線と前記第２下配線のいずれか一方の組は、第２ビアによって電気的に接続され、前記第２ビアはめっきビアである、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記第２上配線、前記第２下配線と、前記第２ビアの少なくとも一方の表面粗さＲｚは１．０μｍ以上、３．０μｍ以下である、
請求項３記載の複合多層配線基板。
前記接続絶縁層は、前記第１中間配線基板部の前記第２下配線と、前記第２中間配線基板部の前記第２上配線とを埋設している、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記第２上配線、第２下配線、前記最外層配線はめっき配線から構成され、前記第２ビアと前記最外層ビアは共にめっきビアである、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記複数の中間配線基板部はそれぞれ、
       前記第２上配線を埋める第３上絶縁層と、
       前記第２下配線を埋める第３下絶縁層と、
       前記第３上絶縁層の外側に形成された第３上配線と、
       前記第３下絶縁層の外側に形成された第３下配線と、
       前記第３上絶縁層、前記第３下絶縁層のいずれかを貫通し、前記第２上配線と前記第３上配線、または前記第２下配線と前記第３下配線とを電気的に接続する第３ビアと、をさらに有する、
請求項１記載の複合多層配線基板。
第１最外絶縁層と、第２最外絶縁層は、共に芯材を有している、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記第２配線の厚みは２０μｍ以上、１００μｍ以下である、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記第２ビアは、フィルドビア構造であり、前記第２ビア上の凹みが１０μｍ以下である、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記接続絶縁層は、プリプレグの硬化物である、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記芯材はガラス織布とガラス不織布とのいずれかを含む、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記芯材は耐熱性フィルムを含む、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記接続ビアは前記接続層に３０個／ｃｍ^２以上、１０万個／ｃｍ^２以下の密度で形成された、
請求項１記載の複合多層配線基板。
前記複数の中間配線基板部のうちの、前記第１中間配線基板部側の最外部に配置された第１最外中間配線基板部のさらに外側と、前記第２中間配線基板部側の最外部に配置された第２最外中間配線基板部のさらに外側との少なくとも一方に積層され、２層以上の配線層を有するビルドアップ層をさらに備えた、
請求項１記載の複合多層配線基板。
内層の第１上配線と第１下配線と、表層の第１面の第２上配線と第２面の第２下配線と、を含む４層以上の配線を有し、第１中間配線基板部と第２中間配線基板部とを含む複数の中間配線基板部を準備するステップと、
未硬化状態の熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂に埋設された芯材とを有する未硬化接続絶縁層に、貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電ペーストを、突出部を有するように充填するステップと、
前記第１中間配線基板部と前記第２中間配線基板部との間に前記未硬化接続層を設置するとともに、前記複数の中間配線基板部の最外層側に未硬化最外層樹脂と銅箔とを設置するステップと、
前記複数の中間配線基板部と、前記接続絶縁層と、前記未硬化最外層樹脂とを、加圧、加熱し、一体化するステップと、を備えた、
複合多層配線基板の製造方法。
前記未硬化状態の接着樹脂を熱硬化させて前記未硬化状態の接続層を熱硬化すると同時に、前記導電ペーストを熱硬化させて前記第１中間配線基板部の前記第１下配線と前記第２中間配線基板部の前記第１上配線とを電気的に接続する接続ビアを形成するステップをさらに備えた、
請求項１６記載の複合多層配線基板の製造方法。
前記第１中間配線基板部と前記第２中間配線基板部との間に前記未硬化状態の接続層を配置した後、前記未硬化状態の接続層を熱硬化する前に、前記未硬化状態の接着樹脂に、前記第１中間配線基板部の前記第２下配線と前記第２中間配線基板部の前記第２上配線とを埋設させる、
請求項１６記載の複合多層配線基板の製造方法。