JP6380715B1 - 多層基板、多層基板の回路基板への実装構造、多層基板の実装方法および多層基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第1面と、当該第1面とは反対面である第2面を有する第1樹脂基材と、前記第2面に対向する第3面と、当該第3面とは反対面である第4面を有する第2樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、前記第1面に形成され、表面がめっき膜である第1導体パターンと、前記第2面に形成され、表面がめっき膜である第2導体パターンと、前記第3面に形成され、表面がめっき膜である第3導体パターンと、前記第4面に形成され、表面がめっき膜である第4導体パターンと、を含み、
前記第1導体パターンは前記第2導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第1導体パターンの厚さをT1、前記第2導体パターンの厚さをT2、前記第3導体パターンの厚さをT3、前記第4導体パターンの厚さをT4でそれぞれ表す場合、
T1<T2且つT3<T4である、
ことを特徴とする。
前記複数の導体パターンは、前記第5面に形成され、表面がめっき膜である第5導体パターンと、前記第6面に形成され、表面がめっき膜である第6導体パターンと、前記第7面に形成され、表面がめっき膜である第7導体パターンと、前記第8面に形成され、表面がめっき膜である第8導体パターンと、を含み、
前記第5導体パターンは前記第6導体パターンよりも他方の最外層寄りに位置し、
前記第5導体パターン、前記第6導体パターン、前記第7導体パターン、および前記第8導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記第5導体パターンの厚さをT5、前記第6導体パターンの厚さをT6、前記第7導体パターンの厚さをT7、前記第8導体パターンの厚さをT8でそれぞれ表す場合、
T5<T6且つT7<T8である、ことが好ましい。
上記(6)に記載の多層基板と、当該多層基板を実装する回路基板とを備え、前記回路基板に形成されたパッド電極に前記端子電極が接続された、ことを特徴とする。
上記(6)に記載の多層基板を回路基板へ実装する方法であり、前記多層基板の前記端子電極の形成面とは反対面をホットバーにより加熱し、前記端子電極を前記回路基板に形成されたパッド電極に接続する、ことを特徴とする。
複数の樹脂基材の両面に銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成する、下地パターン形成工程と、
前記下地パターンに銅めっき膜を成長させる、めっき工程と、
前記複数の樹脂基材を、接合層を介して積層し、熱圧着して一体化して積層体を形成する積層体形成工程と、を有し、
前記複数の樹脂基材は、
第1面と、当該第1面とは反対面である第2面を有する第1樹脂基材と、
前記第2面に対向する第3面と、当該第3面とは反対面である第4面を有する第2樹脂基材と、
第5面と、当該第5面とは反対面である第6面を有する第3樹脂基材と、
前記第6面に対向する第7面と、当該第7面とは反対面である第8面を有する第4樹脂基材と、を含み、
前記第1面は前記第2面よりも前記積層体の一方の最外層寄りに位置し、前記第5面は前記第6面よりも前記積層体の他方の最外層寄りに位置し、
前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第1面に形成される第1導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第2面に形成される第2導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第3面に形成される第3導体パターン、および前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第4面に形成される第4導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第5面に形成される第5導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第6面に形成される第6導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第7面に形成される第7導体パターン、および前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第8面に形成される第8導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記第1導体パターンの厚さをT1、前記第2導体パターンの厚さをT2、前記第3導体パターンの厚さをT3、前記第4導体パターンの厚さをT4、前記第5導体パターンの厚さをT5、前記第6導体パターンの厚さをT6、前記第7導体パターンの厚さをT7、前記第8導体パターンの厚さをT8、でそれぞれ表す場合、
T1<T2且つT3<T4であって、
T5<T6且つT7<T8の関係とする、
ことを特徴とする。
図1は第1の実施形態の多層基板101の斜視図である。多層基板101は、複数の樹脂基材と、複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれた接合層とを含む積層体100を備える。図1に示す向きで、多層基板101の下面には表面実装用の端子電極31,32が形成されている。
両面銅箔張りの第1樹脂基材1に対してフォトリソグラフィによって下地パターンを形成する。また、図2(A)に示した層間接続導体V1,V2の形成位置に孔を形成する。上記銅箔が下地パターンとなるので、下地パターンの同一面にあり、同一厚さである。
上記下地パターンに電気めっきによって銅のめっき膜を成膜する。このめっき工程S2で、めっき浴の時間を制御することによって、各導体パターンを所定めっき厚に定める。例えば、先ず第1樹脂基材1の第1面S1にレジスト膜を形成し、その状態で第1の一定時間だけめっき浴に入れる。これにより、第1樹脂基材1の第2面S2に所定厚さのめっき膜を形成する。続いて、上記レジスト膜を除去し、第2の一定時間だけめっき浴に入れる。このことにより、第1樹脂基材1の第1面S1に第2の一定時間に相当する厚みのめっき膜P1が形成され、第1樹脂基材1の第2面S2に[第1の一定時間+第2の一定時間]に相当する厚みのめっき膜P2が形成される。同様にして、第2樹脂基材2に対しても、厚さの異なるめっき膜P3,P4を形成する。
図2(A)に示したように、樹脂基材22、第2樹脂基材2、接合層10、第1樹脂基材1、樹脂基材21の順に積層し、所定温度、所定圧力で加熱プレスする。例えば280℃以上320℃以下の温度でプレスする。これにより、図2(B)に示した積層体100を構成する。
図5(A)は第2の実施形態に係る多層基板102の、複数の樹脂基材および接合層の積層前の断面図であり、図5(B)は多層基板102の断面図である。第1の実施形態で示した多層基板101とは、第3導体パターンの厚みが異なる。
図6は第3の実施形態に係る多層基板103の、回路基板への実装構造および多層基板の実装方法を示す図である。
図7は第4の実施形態に係る多層基板104の断面図である。多層基板104は、それぞれの両面に導体パターンが形成された、3つの樹脂基材1,2,3を備える。
図8は第5の実施形態に係る多層基板の積層前の断面図である。この多層基板は、第1樹脂基材1、第2樹脂基材2、第3樹脂基材3,第4樹脂基材4、その他の樹脂基材5、複数の接合層10、樹脂基材21,22を含む。
図9は第6の実施形態に係る多層基板106の積層前の断面図である。この多層基板106は、第1樹脂基材1、第2樹脂基材2、接合層10、樹脂基材21,22を含む。
図10、図11は、第7の実施形態に係る多層基板107の製造方法を、その工程順に示す図である。製造方法は次のとおりである。
樹脂基材の両面に形成された導体パターンは、複数箇所で層間接続導体を介して接続されていてもよい。この構造により、積層方向で導体パターン同士が並列接続された構造となるので、導体損失の小さな導体パターンを備える多層基板が得られる。
CP1…第1導体パターン
CP2…第2導体パターン
CP3…第3導体パターン
CP4…第4導体パターン
CP5…第5導体パターン
CP6…第6導体パターン
CP7…第7導体パターン
CP8…第8導体パターン
CPa,CPb…導体パターン
H…孔
P1,P2,P3,P4…めっき膜
PL11,PL12,PL21,PL22…めっき膜
RF,RF1,RF2…レジスト膜
RL10…樹脂層
RL21,RL22…樹脂層
S1…第1面
S2…第2面
S3…第3面
S4…第4面
SL…はんだペースト
SUB…基板
V1,V2…層間接続導体
V1a,V1b,V2a,V2b…層間接続導体
V10a,V10b…層間接続導体
V22a,V22b…層間接続導体
1…第1樹脂基材
2…第2樹脂基材
3…第3樹脂基材
4…第4樹脂基材
10…接合層
21,22…樹脂基材
31,32…端子電極
41,42…パッド電極
50…ホットバー
51,52…加熱プレス板
100…積層体
101,102,103,104,106,107…多層基板
200…回路基板
Claims (9)
- 複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第1面と、当該第1面とは反対面である第2面を有する第1樹脂基材と、前記第2面に対向する第3面と、当該第3面とは反対面である第4面を有する第2樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、
前記第1面に形成され、表面がめっき膜である第1導体パターンと、
前記第2面に形成され、表面がめっき膜である第2導体パターンと、
前記第3面に形成され、表面がめっき膜である第3導体パターンと、
前記第4面に形成され、表面がめっき膜である第4導体パターンと、を含み、
前記第1導体パターンは前記第2導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第1導体パターンの厚さをT1、前記第2導体パターンの厚さをT2、前記第3導体パターンの厚さをT3、前記第4導体パターンの厚さをT4でそれぞれ表す場合、
T1<T2且つT3<T4である、
多層基板。 - 前記第1導体パターンの厚さT1は前記第3導体パターンの厚さT3よりも薄い、請求項1に記載の多層基板。
- 前記複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成される厚い導体パターンと薄い導体パターンとを含み、
前記接合層を介して対向する導体パターンのうち、前記厚い導体パターンは前記薄い導体パターンに対向する、請求項1または2に記載の多層基板。 - 前記複数の樹脂基材は、
第5面と、当該第5面とは反対面である第6面を有する第3樹脂基材と、
前記第6面に対向する第7面と、当該第7面とは反対面である第8面を有する第4樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、
前記第5面に形成され、表面がめっき膜である第5導体パターンと、
前記第6面に形成され、表面がめっき膜である第6導体パターンと、
前記第7面に形成され、表面がめっき膜である第7導体パターンと、
前記第8面に形成され、表面がめっき膜である第8導体パターンと、を含み、
前記第5導体パターンは前記第6導体パターンよりも他方の最外層寄りに位置し、
前記第5導体パターン、前記第6導体パターン、前記第7導体パターン、および前記第8導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記第5導体パターンの厚さをT5、前記第6導体パターンの厚さをT6、前記第7導体パターンの厚さをT7、前記第8導体パターンの厚さをT8でそれぞれ表す場合、
T5<T6且つT7<T8である、
請求項1から3のいずれかに記載の多層基板。 - 前記複数の樹脂基材の両面に形成された導体パターンは、複数箇所で層間接続導体を介して導通されて、並列接続されている、請求項1から4のいずれかに記載の多層基板。
- 前記複数の樹脂基材および前記接合層が積層されて構成される積層体のうち、前記第1樹脂基材よりも前記第2樹脂基材に近い実装面に形成された端子電極を更に備える、請求項1から5のいずれかに記載の多層基板。
- 請求項6に記載の多層基板と、当該多層基板を実装する回路基板とを備え、
前記回路基板に形成されたパッド電極に前記端子電極が接続された、
多層基板の回路基板への実装構造。 - 請求項6に記載の多層基板を回路基板へ実装する方法であり、
前記多層基板の前記端子電極の形成面とは反対面をホットバーにより加熱し、前記端子電極を前記回路基板に形成されたパッド電極に接続する、
多層基板の実装方法。 - 複数の樹脂基材の両面に銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成する、下地パターン形成工程と、
前記下地パターンに銅めっき膜を成長させる、めっき工程と、
前記複数の樹脂基材を、接合層を介して積層し、熱圧着して一体化して積層体を形成する積層体形成工程と、を有し、
前記複数の樹脂基材は、
第1面と、当該第1面とは反対面である第2面を有する第1樹脂基材と、
前記第2面に対向する第3面と、当該第3面とは反対面である第4面を有する第2樹脂基材と、
第5面と、当該第5面とは反対面である第6面を有する第3樹脂基材と、
前記第6面に対向する第7面と、当該第7面とは反対面である第8面を有する第4樹脂基材と、を含み、
前記第1面は前記第2面よりも前記積層体の一方の最外層寄りに位置し、前記第5面は前記第6面よりも前記積層体の他方の最外層寄りに位置し、
前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第1面に形成される第1導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第2面に形成される第2導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第3面に形成される第3導体パターン、および前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第4面に形成される第4導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第5面に形成される第5導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第6面に形成される第6導体パターン、前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第7面に形成される第7導体パターン、および前記下地パターンと前記めっき膜とにより前記第8面に形成される第8導体パターンは、積層方向から視て重なる部分を有し、互いに沿うように形成されており、
前記第1導体パターンの厚さをT1、前記第2導体パターンの厚さをT2、前記第3導体パターンの厚さをT3、前記第4導体パターンの厚さをT4、前記第5導体パターンの厚さをT5、前記第6導体パターンの厚さをT6、前記第7導体パターンの厚さをT7、前記第8導体パターンの厚さをT8、でそれぞれ表す場合、
T1<T2且つT3<T4であって、
T5<T6且つT7<T8の関係とする、
多層基板の製造方法。
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