TW201351049A - 阻劑下層膜形成組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供用來形成與阻劑(resist)圖型之密著性為提昇的阻劑下層膜之組成物。解決課題之手段為一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其係包含於末端為具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所示的結構之聚合物及有機溶劑，□(式中，R1示為氫原子或甲基；R2及R3分別獨立示為氫原子或烴基等之有機基，前述烴基係作為取代基可具有至少1個羥基或甲硫基；R4示為氫原子或羥基；Q1示為伸芳基；v示為0或1；y示為1至4之整數；w示為1至4之整數；x1示為0或1；x2示為1至5之整數)。

Description

阻劑下層膜形成組成物
本發明為關於在微影步驟中，與阻劑(resist)圖型之密著性為提昇的阻劑下層膜，及適合在其上方形成所希望形狀的阻劑圖型之阻劑下層膜之組成物。更，關於使用該組成物之半導體元件之製作方法。
在ArF液浸微影或超紫外線(EUV)微影中要求著阻劑線寬之加工尺寸之細微化。在如此般細微阻劑圖型之形成中，由於阻劑圖型與基底之接觸面積變小，故長寬比(阻劑圖型之高度/阻劑圖型之線寬)會變大，而擔心變得容易產生阻劑圖型之倒塌。因此，在與阻劑接觸的阻劑下層膜(抗反射膜)中，要求著不會使阻劑圖型產生倒塌般之與阻劑之高密著性。
為了使展現出與阻劑圖型之高密著性，已報告有藉由將內酯結構作為阻劑下層膜形成組成物之構成成分來使用，由該組成物所形成的阻劑下層膜，對於所得到的阻劑圖型之密著性會提昇(專利文獻1)。即，藉由使 用如內酯結構般之具有極性部位之結構來作為阻劑下層膜形成組成物之構成成分，可期待對於阻劑圖型之密著性之提昇，且即使是在細微阻劑圖型中亦能防止阻劑圖型之倒塌。
然而，在如ArF液浸微影、超紫外線(EUV)微影般，要求更細微的阻劑圖型之製作之微影製程中，若作為阻劑下層膜形成組成物之構成成分只含有內酯結構時，無法稱為能充分防止阻劑圖型之倒塌。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第03/017002號
作為展現出與阻劑之高密著性之手法，舉例如控制阻劑與阻劑下層膜之界面之化學狀態之方法。即，在正型阻劑中，當阻劑與阻劑下層膜之界面之化學狀態為酸性狀態時，所得到的阻劑圖型形狀會成為底切(undercut)形狀，由於阻劑圖型之接觸面積會極度降低，因而變得容易產生阻劑圖型之倒塌。另一方面，藉由使阻劑與阻劑下層膜之界面之化學狀態成為鹼性狀態，可抑制阻劑圖型形狀之成為底切形狀，相較於藉由導入如內酯結構般之極性部位而得到的與阻劑之密著性，期待能展 現出更堅固的密著性。
在此，本發明之目的為提供一種阻劑下層膜形成組成物，其係使形成於阻劑下層膜上的阻劑圖型與該阻劑下層膜之密著性增大，更，為了抑制該阻劑圖型之底切形狀，使阻劑下層膜表面狀態改質成為鹼性狀態。
本發明之第一樣態為一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其係包含於末端為具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所示的結構之聚合物及有機溶劑， (式中，R1示為氫原子或甲基；R2及R3分別獨立示為氫原子、碳原子數1至6之直鏈狀或支鏈狀之烴基、脂環式烴基、苯基、苄基、苄氧基、苄硫基、咪唑基或吲哚基，前述烴基、前述脂環式烴基、前述苯基、前述苄基、前述苄氧基、前述苄硫基、前述咪唑基、前述吲哚基係作為取代基可具有至少1個羥基或甲硫基；R4示為氫原子或羥基；Q1示為伸芳基；v示為0或1；y示為1至4之整數；w示為1至4之整數；x1示為0或1；x2示為1至5 之整數)。
其中，前述式(1b)所示的結構為例如下述式(3)所示， 〔式中，R1示為前述式(1b)所定義之意；各R5獨立示為氫原子、碳原子數1至6之直鏈狀或支鏈狀之烴基、碳原子數1至4之烷氧基、碳原子數1至4之烷硫基、鹵素原子、氰基或硝基；v及w示為前述式(1b)指定義之意；z示為(5-w)之整數〕。
其中，前述聚合物可進而於主鏈具有至少1種下述式(4)所示的結構單位， (式中，A1、A2、A3、A4、A5及A6分別獨立示為氫原子、甲基或乙基；Q2示為二價有機基；m1及m2分別獨立示為0或1)。
其中，前述式(4)中Q2例如示為下述式(5)所示的二價有機基， (式中，Q3示為具有碳原子數1至10之伸烷基、碳原子數2至6之伸烯基、碳原子數3至10之脂環式烴環或碳原子數6至14之芳香族烴環之至少1個的二價有機基；前述二價有機基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、羥基、碳原子數1至6之烷氧基、碳原子數2至6之烷氧基羰基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代；當前述二價有機基為具有2個伸烷基、脂環式烴環或芳香族烴環時，該2個的伸烷基、2個的脂環式烴環或2個的芳香族烴環，可透過由磺醯基、二硫醚基(disulfide group)、硫醚基(sulfide group)、羰基、-C(=O)O-基、-O-基、-C(CH3)2-基及-C(CF3)2-基所構成之群中所選出的連結基而相互鍵結；n1及n2分別獨立示為0或1)。
作為本說明書中所記載之烴基，舉例如烷基等之飽和烴基、或不飽和烴基。
作為本說明書中所記載之烷基，例舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基；作為鹵素原子，例舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作為上述伸芳基，例舉例如伸苯基、伸萘基、伸蒽基。作為上述烷氧基，例舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、 sec-丁氧基、tert-丁氧基。作為上述伸烷基，例舉例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基。作為上述伸烯基，例舉例如-CH=CH-基。作為上述脂環式烴環，例舉例如環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環；作為上述脂環式烴基，例舉例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基。作為上述芳香族烴環，例舉例如苯環、萘環、蒽環。當上述二價有機基為具有2個伸烷基、脂環式烴環或芳香族烴環時，該2個的伸烷基、2個的脂環式烴環或2個的芳香族烴環，可透過由磺醯基、二硫醚基、硫醚基、羰基、-C(=O)O-基、-O-基、-C(CH3)2-基、-C(CF3)2-基等之連結基而相互鍵結。作為後述的烯基，例舉例如烯丙基。
前述式(4)中，Q2亦可示為下述式(6)所示的二價有機基。
(式中，X示為下述式(7)或式(8)所示的二價有機基)
(式中，R6及R7分別獨立示為氫原子、碳原子數1至6之烷基、碳原子數3至6之烯基、苄基或苯基；前述苯基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、碳原子數1至6之烷氧基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代，或可為R6與R7相互鍵結，而與鍵結於該R6與R7之碳原子一起形成碳原子數3至6之環)。
前述式(4)中，Q2亦可示為下述式(9)所示的二價有機基。
(式中，R8示為碳原子數1至6之烷基、碳原子數3至6之烯基、苄基或苯基；前述苯基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、碳原子數1至6之烷氧基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代)。
本發明之第一樣態之阻劑下層膜形成組成物，可進而含有交聯劑及交聯觸媒。
本發明之第二樣態為一種製作半導體元件之方法，其係將本發明之第一樣態之阻劑下層膜形成組成物塗佈於具有加工對象膜之基板上，烘烤而形成阻劑下層膜，將阻劑被覆於前述阻劑下層膜上，對於以前述阻劑所 被覆之基板照射KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、超紫外線或電子線，之後顯影而形成阻劑圖型，將前述阻劑圖型作為遮罩，藉由乾蝕刻而使前述加工對象膜圖型化。
本發明之微影用阻劑下層膜形成組成物，其特徵為含有下述聚合物，該聚合物係藉由於末端為具有前述式(1a)、式(1b)或式(2)所示的結構而被封端者。將如此般的阻劑下層膜形成組成物適用於微影製程，可有效地抑制細微線寬之阻劑圖型(其係形成於由本發明之組成物所形成的阻劑下層膜上)之倒塌。
[實施發明之的最佳形態]
本發明之微影用阻劑下層膜形成組成物為包含下述聚合物者，該聚合物係於末端為具有前述式(1a)、式(1b)或式(2)所示的結構。該聚合物之重量平均分子量，例如2000至50000。
作為形成前述聚合物之末端之單體，可舉例如下述式(11-a)至式(11-o)所示的化合物。
前述聚合物，例如使於末端為具有環氧基之聚合物，和與該環氧基為反應之單體反應而可得到。作為如此般的單體，舉例如N-(tert-丁氧基羰基)甘胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)丙胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)纈胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)白胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)異白胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)甲硫胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)絲胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)蘇胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)脯胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-組胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)苯基丙胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)酪胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)色胺酸、O-苄基-N-(tert-丁氧基羰基)絲胺酸、N-(tert-丁 氧基羰基)天門冬胺酸4-苄酯、N-(tert-丁氧基羰基)麩胺酸5-苄酯、N-(tert-丁氧基羰基)天門冬醯胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-S-苄基半胱胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-O-苄基蘇胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-O-苄基酪胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-O-tert-丁基酪胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-N-苄氧甲醯基離胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-3,4-二氟苯基丙胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-4-氟苯基丙胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-N1-甲醯基色胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)麩醯胺、N-(tert-丁氧基羰基)-4-羥脯胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-4-硝基苯基丙胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-(對甲苯磺醯基磺醯基組胺酸、N-甲基-N-(tert-丁氧基羰基)甘胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-β-丙胺酸、4-(tert-丁氧基羰基)胺基安息香酸、4-(tert-丁氧基羰基)胺基-3-甲基安息香酸、3,5-雙(tert-丁氧基羰基)胺基安息香酸。此等之中，較佳為N-(tert-丁氧基羰基)甘胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)白胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)絲胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)脯胺酸、N-(tert-丁氧基羰基)-4-羥脯胺酸、4-(tert-丁氧基羰基)胺基安息香酸，特佳為N-(tert-丁氧基羰基)脯胺酸。
作為形成前述式(4)所示的m1及m2為表示1之結構單位之單體，例如下述式(12-a)至式(12-k)所示的具有2個環氧基之化合物；
即，舉例如1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯、2,6-萘二羧酸二縮水甘油酯、1,6-二羥萘二縮水甘油酯、1,2-環己烷二羧酸二縮水甘油酯、2,2-雙(4-羥苯基)丙烷二縮水甘油酯、2,2-雙(4-羥環己烷)丙烷二縮水甘油酯、1,4-丁二醇二縮水甘油酯、單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯、單甲基異三聚氰酸二縮水甘油酯、5,5-二乙基巴比妥酸二縮水甘油酯、5,5-二甲基乙內醯脲二縮水甘油酯，但並不限定於此等。
作為形成前述式(4)所示的m1及m2為表示0之結構單位之單體，例如下述式(13-a)至式(13-s)所示的具有2個羧基、羥基或醯亞胺基之化合物，或是具有至少1個羧基與羥基之化合物，及酸二酐；
即，間苯二甲酸、5-羥間苯二甲酸、2,4-二羥安息香酸、2,2-雙(4-羥苯基)碸、琥珀酸、福馬酸、酒石酸、3,3’-二硫代二丙酸、1,4-環己烷二羧酸、環丁酸二酐、環戊酸二酐、單烯丙基異三聚氰酸、5,5-二乙基巴比妥酸、二甘醇酸、丙酮二羧酸、2,2’-硫代二甘醇酸、4-羥安息香酸-4-羥苯酯、2,2-雙(4-羥苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥苯基)六氟丙烷，但並不限定於此等之例。
前述式(4)所示的結構單位之重複數為例如10以上10000以下之範圍。
具有至少1種前述式(4)所示的結構單位，且於末端為具有前述式(1a)、式(1b)或式(2)所示 的結構之聚合物，示例如下述式(14-a)至式(14-f)所示，但並不限定於此等之例。
具有上述式(14-a)所示的結構單位及末端之聚合物，可使用式(11-i)所示的化合物，與式(12-a)所示的化合物及式(13-a)所示的化合物作為原料，使聚合而得到。具有式(14-d)所示的結構單位及末端之聚合物，可使用式(11-i)所示的化合物，與式(12-a)所示 的化合物、式(13-c)及式(13-d)所示的化合物作為原料，使聚合而得到。
式(14-a)、式(14-b)、式(14-c)、式(14-e)、及式(14-f)中，以a所示的結構單位、以b所示的結構單位、與以c所示的結構單位之莫耳比，係滿足a：(b+(c/2))=1：1之關係。又，式(14-d)中，以a所示的結構單位、以b所示的結構單位、以b’所示的結構單位、與以c所示的結構單位之莫耳比，係滿足a：(b+b’+(c/2))=1：1之關係。
有關式(14-a)、式(14-b)、式(14-c)、式(14-e)、及式(14-f)的前述莫耳比a：(b+(c/2))=1：1中，b與c之莫耳比，示為如b：(c/2)=(1-x)：x般。又，關於式(14-d)的前述莫耳比a：(b+b’+(c/2))=1：1中，b、b’與c之莫耳比，示為如(b+b’)：(c/2)=(1-x)：x般。但，莫耳比x為0.01至0.8，較佳為0.1至0.3。
作為包含於本發明之阻劑下層膜形成組成物中的有機溶劑，例舉例如選自由丙二醇單甲基醚(PGME)、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、甲基乙基酮、乳酸乙酯、環己酮、γ-丁內酯、N-甲基吡咯啶酮、及此等有機溶劑之2種以上之混合物。然後，相對於本發明之阻劑下層膜形成組成物之溶劑之比例，例如50質量%以上且99.9質量%以下。
包含於本發明之阻劑下層膜形成組成物中的聚合物，相對於該阻劑下層膜形成組成物，例如為0.1質量%至50質量%。
本發明之阻劑下層膜形成組成物，除了聚合物及溶劑以外，亦可包含交聯劑、及促進交聯反應之化合物的交聯觸媒。將有機溶劑自本發明之阻劑下層膜形成組成物中扣除後之成分定義為固形份時，該固形份為包含聚合物、及因應所需而添加的交聯劑、交聯觸媒等之添加物。該添加物之比例，相對於本發明之阻劑下層膜形成組成物之固形份，例如為0.1質量%至50質量%、較佳為1質量%至30質量%。
作為本發明之阻劑下層膜形成組成物中之任意成分所包含的交聯劑方面，例舉例如六甲氧基甲基三聚氰胺、四甲氧基甲基苯胍胺、1,3,4,6-肆(甲氧基甲基)乙炔脲(POWDERLINK〔註冊商標〕1174)、1,3,4,6-肆(丁氧基甲基)乙炔脲、1,3,4,6-肆(羥甲基)乙炔脲、1,3-雙(羥甲基)尿素、1,1,3,3-肆(丁氧基甲基)尿素及1,1,3,3-肆(甲氧基甲基)尿素。當使用上述交聯劑時，該交聯劑之含有比例，相對於前述聚合物，例如為1質量%至50質量%，較佳為5質量%至30質量%。
作為本發明之阻劑下層膜形成組成物中之任意成分所包含的交聯觸媒方面，例舉例如p-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鎓-p-甲苯磺酸酯、水楊酸、樟腦磺酸、5-磺柳酸、4-氯苯磺酸、4-羥苯磺酸、苯二磺酸、1- 萘磺酸、檸檬酸、安息香酸、羥安息香酸等之磺酸化合物、及羧酸化合物。當使用上述交聯觸媒時，該交聯觸媒之含有比例，相對於前述交聯劑，例如為0.1質量%至50質量%，較佳為1質量%至30質量%。
製作本發明之第二樣態相關的半導體元件之方法中，所使用的基板為代表性的矽晶圓，但亦可使用SOI(Silicon on Insulator)基板、或砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等之化合物半導體晶圓。於前述基板上，作為加工對象膜，可形成例如氧化矽膜、含氮氧化矽膜(SiON膜)、含碳氧化矽膜(SiOC膜)、含氟氧化矽膜(SiOF膜)等之絕緣膜。此情形時，阻劑下層膜為形成於加工對象膜上。
製作本發明之半導體元件之方法中，用於將阻劑被覆於阻劑下層膜上所使用的阻劑溶液，正型或負型皆可，可使用對於KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、超紫外線或電子線為感光之化學增幅型阻劑。作為於上述KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、超紫外線或電子線之照射後所進行的顯影時所使用的顯影液，可使用例如四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液般之鹼顯影液。
[實施例]
以下，藉由合成例及實施例對於本發明具體進行說明。但，本發明並不僅限定於下述合成例及實施例 之記載內容。
本說明書之下述合成例1至合成例8、及合成例10至合成例19中所示的聚合物之重量平均分子量，係藉由凝膠滲透層析法(以下簡稱為GPC)之測定結果。測定為使用Tosoh(股)製GPC裝置，測定條件等如同下述。
GPC管柱：Shodex〔註冊商標〕．Asahipak〔註冊商標〕(昭和電工(股))
管柱溫度：40℃
溶媒：N,N-二甲基甲醯胺(DMF)
流量：0.6ml/分
標準試樣：聚苯乙烯(Tosoh(股))
<合成例1>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))14.00g、間苯二甲酸8.08g、乙基三苯基溴化鏻0.90g、及丙二醇單甲基醚91.94g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))23g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))23g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為17800。
<合成例2>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))4.00g、間苯二甲酸2.08g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸0.60g、乙基三苯基溴化鏻0.26g、及丙二醇單甲基醚27.74g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))7g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))7g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為9300。
<合成例3>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))4.00g、間苯二甲酸1.96g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸0.90g、乙基三苯基溴化鏻0.26g、及丙二醇單甲基醚28.47g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))7g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))7g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC 分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為7800。
<合成例4>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))4.00g、間苯二甲酸1.85g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸1.20g、乙基三苯基溴化鏻0.26g、及丙二醇單甲基醚29.21g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))7g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))7g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為6000。
<合成例5>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))7.00g、間苯二甲酸3.43g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-甘胺酸1.28g、乙基三苯基溴化鏻0.45g、及丙二醇單甲基醚48.66g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹 脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為6800。
<合成例6>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))7.00g、間苯二甲酸3.43g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-白胺酸1.69g、乙基三苯基溴化鏻0.45g、及丙二醇單甲基醚50.29g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為7800。
<合成例7>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))7.00g、間苯二甲酸3.43g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-絲胺酸1.50g、乙基三苯基溴化鏻0.45g、及丙二醇單甲基醚49.53g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶 液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為6200。
<合成例8>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))7.00g、間苯二甲酸3.43g、trans-N-(tert-丁氧基羰基)-4-羥-L-脯胺酸1.69g、乙基三苯基溴化鏻0.45g、及丙二醇單甲基醚50.29g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為8500。
<合成例9>
於4-胺基安息香酸5.00g中，添加1,4-二噁烷80mL與水80mL中為溶解有氫氧化鈉1.46g的水溶液後，再加入二(tert-丁基)二碳酸酯11.94g，以室溫攪拌19小 時。於反應液中添加飽和檸檬酸水溶液直到成為酸性為止，將析出固體過濾。藉由將過濾物進行減壓乾燥，而得到4-(tert-丁氧基羰基)胺基安息香酸6.24g，收率為72%。
<合成例10>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))5.00g、間苯二甲酸2.45g、合成例9所得到的4-(tert-丁氧基羰基)胺基安息香酸1.24g、乙基三苯基溴化鏻0.32g、及丙二醇單甲基醚36.05g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))8g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))8g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為9300。
<合成例11>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))12.00g、2,4-二羥安息香酸3.21g、雙(4-羥苯基)碸5.22g、乙基三苯基溴化鏻0.77g、及丙二醇單甲基醚84.82g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加 陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為5500。
<合成例12>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))12.00g、2,4-二羥安息香酸3.05g、雙(4-羥苯基)碸4.96g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸0.90g、乙基三苯基溴化鏻0.77g、及丙二醇單甲基醚86.72g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為4100。
<合成例13>
將1,4-對苯二甲酸二縮水甘油酯(製品名：EX-711〔註冊商標〕、Nagase ChemiteX(股))12.00g、2,4-二 羥安息香酸2.89g、雙(4-羥苯基)碸4.70g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸1.79g、乙基三苯基溴化鏻0.77g、及丙二醇單甲基醚88.62g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為3200。
<合成例14>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))13.00g、5,5-二乙基巴比妥酸8.65g、苄基三乙基氯化銨0.53g、及丙二醇單甲基醚88.72g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為8000。
<合成例15>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))13.00g、5,5-二乙基巴比妥酸8.21g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸1.01g、苄基三乙基氯化銨0.53g、及丙二醇單甲基醚91.03g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為4500。
<合成例16>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))13.00g、5,5-二乙基巴比妥酸7.78g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸2.02g、苄基三乙基氯化銨0.53g及丙二醇單甲基醚93.34g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))22g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))22g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為3500。
<合成例17>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))6.00g、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐4.25g、苄基三乙基氯化銨0.25g、及丙二醇單甲基醚41.98g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))10g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))10g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為10000。
<合成例18>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))7.00g、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐4.71g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸0.54g、苄基三乙基氯化銨0.29g、及丙二醇單甲基醚50.16g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙 烯換算之重量平均分子量為12000。
<合成例19>
將單烯丙基異三聚氰酸二縮水甘油酯(製品名：MA-DGIC、四國化成工業(股))7.00g、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐4.46g、N-(tert-丁氧基羰基)-L-脯胺酸1.09g、苄基三乙基氯化銨0.29g、及丙二醇單甲基醚51.35g混合，一邊攪拌一邊進行4小時加熱迴流。於所得到的聚合物溶液中添加陽離子交換樹脂(製品名：Dowex〔註冊商標〕550A、Muromachi Technos(股))12g及陰離子交換樹脂(製品名：Amberlite〔註冊商標〕15JWET、Organo(股))12g，並以室溫進行4小時的離子交換處理。GPC分析之結果，所得到的聚合物溶液以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量為9300。
<實施例1>
藉由將上述合成例2所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚37.93g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯17.14g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例2>
藉由將上述合成例3所得到的聚合物溶液2.50g、四 甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚38.16g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯17.23g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例3>
藉由將上述合成例4所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.12g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚38.96g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯17.57g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例4>
藉由將上述合成例5所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚33.78g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯15.37g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例5>
藉由將上述合成例6所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚33.11g、及丙二醇單甲基醚 乙酸酯15.09g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例6>
藉由將上述合成例7所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚34.27g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯15.58g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例7>
藉由將上述合成例8所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚34.67g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯15.75g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例8>
藉由將上述合成例10所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚43.89g、及丙二醇單乙基醚5.11g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<比較例1>
藉由將上述合成例1所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚46.21g、及丙二醇單乙基醚5.36g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例9>
藉由將上述合成例12所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚36.39g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯16.48g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例10>
藉由將上述合成例13所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚37.13g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯16.79g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<比較例2>
藉由將上述合成例11所得到的聚合物溶液2.00g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺 柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚32.72g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯14.72g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例11>
藉由將上述合成例15所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚32.44g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯14.81g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例12>
藉由將上述合成例16所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.10g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚33.04g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯15.06g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<比較例3>
藉由將上述合成例14所得到的聚合物溶液2.50g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚35.70g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯16.19g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例13>
藉由將上述合成例18所得到的聚合物溶液2.00g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚37.85g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯16.89g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<實施例14>
藉由將上述合成例19所得到的聚合物溶液2.00g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.11g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚36.42g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯16.28g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
<比較例4>
藉由將上述合成例17所得到的聚合物溶液2.00g、四甲氧基甲基乙炔脲(製品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174、Nihon Cytec Industries(股)製)0.12g、5-磺柳酸0.01g、丙二醇單甲基醚40.34g、及丙二醇單甲基醚乙酸酯17.94g混合，以調製阻劑下層膜形成組成物。
(阻劑圖型之形成及評價)
於蒸鍍有含氮氧化矽膜(SiON)(膜厚31.5nm)的矽晶圓上，使本說明書之實施例1至實施例14及比較例 1至比較例4所調製的各阻劑下層膜形成組成物以成為膜厚10nm般進行旋轉塗怖，藉由以205℃加熱60秒鐘，來形成阻劑下層膜。於該阻劑下層膜上，旋轉塗怖ArF準分子雷射用正型阻劑溶液(JSR(股)製、製品名：AR2772JN)，以110℃進行90秒鐘之加熱，使用ArF準分子雷射用曝光裝置((股)Nikon製、NSR-S307E)，以指定條件進行曝光。曝光後，以110℃進行90秒鐘加熱(PEB)，於冷卻板上冷卻至室溫，進行顯影及淋洗處理，而形成阻劑圖型。
將目的之線寬設定為80nm線與間隔(線80nm、間隔100nm)，為對於最佳聚焦時之曝光量變化與阻劑圖型倒塌之關係進行檢討，藉由測長SEM來確認阻劑圖型為未倒塌之最高曝光量(界限曝光量)與此時的阻劑圖型尺寸(圖型倒塌界限尺寸)。因此，藉由使用本發明相關的阻劑下層膜形成組成物，可確認能否防止在高曝光量領域之阻劑圖型之倒塌，以形成細微的阻劑圖型。又，將目的線寬之80nm線與間隔之阻劑圖型，藉由斷面SEM確認斷面形狀。因此，藉由使用本發明相關的阻劑下層膜形成組成物，可判斷成為阻劑圖型之倒塌原因之阻劑形狀。
所得到的阻劑圖型之界限曝光量與圖型倒塌界限尺寸、阻劑圖型之斷面形狀之結果，如下述表1至表4中所示。此界限曝光量，當該值越大時較佳，此圖型倒塌界限尺寸，當該值越小時較佳，阻劑圖型之倒塌不易產 生，在阻劑下層膜與阻劑圖型之間，可稱得上為展現出高的密著性。
由表1可得知，使用實施例1至實施例8之阻劑下層膜形成組成物來形成阻劑下層膜時，相較於使用比較例1之阻劑下層膜形成組成物所形成的阻劑下層膜，界限曝光量為高，且由於圖型倒塌界限尺寸為小，故於形成細微阻劑圖型之際，可防止阻劑圖型之倒塌。又，使用實施例1至實施例8之阻劑下層膜形成組成物來形成阻劑下層膜時，所得到的阻劑圖型之斷面形狀為錐形狀(梯形形狀)。另一方面，使用比較例1之阻劑下層膜形成組成物來形成阻劑下層膜時，係底切形狀。阻劑圖型與阻劑下層膜之接觸面積為增大的錐形狀，可防止阻劑圖型之倒塌。相同地，如表2至表4中所示，分別將實施例9及實施例10與比較例2進行比較，將實施例11及實施例12與比較例3進行比較，將實施例13及實施例14與比較例4進行比較時，皆為藉由使用實施例之阻劑下層膜形成組成物所形成的阻劑下層膜，相較於使用比較例之阻劑下層膜形成組成物所形成的阻劑下層膜，展現出界限曝光量為高，且圖型倒塌界限尺寸為小之內容。即，確認到實施例1至實施例14之阻劑下層膜形成組成物，對於防止阻劑圖型之倒塌展示出有用之效果。
以上為本發明之實施形態之說明，惟本發明之技術範圍並不僅限定於上述實施形態所記載之範圍。可對於上述實施形態加以各種變更換或改良。

Claims (8)

  1. 一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其係包含於末端為具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所示的結構之聚合物及有機溶劑， (式中，R1示為氫原子或甲基；R2及R3分別獨立示為氫原子、碳原子數1至6之直鏈狀或支鏈狀之烴基、脂環式烴基、苯基、苄基、苄氧基、苄硫基、咪唑基或吲哚基，前述烴基、前述脂環式烴基、前述苯基、前述苄基、前述苄氧基、前述苄硫基、前述咪唑基、前述吲哚基係作為取代基可具有至少1個羥基或甲硫基；R4示為氫原子或羥基；Q1示為伸芳基；v示為0或1；y示為1至4之整數；w示為1至4之整數；x1示為0或1；x2示為1至5之整數)。
  2. 如請求項1之微影用阻劑下層膜形成組成物，其中前述式(1b)所示的結構為下述式(3)所示， 〔式中，R1示為前述式(1b)所定義之意；各R5獨立示為氫原子、碳原子數1至6之直鏈狀或支鏈狀之烴基、碳原子數1至4之烷氧基、碳原子數1至4之烷硫基、鹵素原子、氰基或硝基；v及w示為前述式(1b)指定義之意；z示為(5-w)之整數〕。
  3. 如請求項1或請求項2之微影用阻劑下層膜形成組成物，其中前述聚合物進而於主鏈具有至少1種下述式(4)所示的結構單位， (式中，A1、A2、A3、A4、A5及A6分別獨立示為氫原子、甲基或乙基；Q2示為二價有機基；m1及m2分別獨立示為0或1)。
  4. 如請求項3之微影用阻劑下層膜形成組成物，其中前述式(4)中Q2示為下述式(5)所示的二價有機基， (式中，Q3示為具有碳原子數1至10之伸烷基、碳原子數2至6之伸烯基、碳原子數3至10之脂環式烴環或碳原子數6至14之芳香族烴環之至少1個的二價有機基；前述二價有機基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、羥基、碳原子數1至6之烷氧基、碳原子數2至6之烷氧基羰基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代；當前述二價有機基為具有2個伸烷基、脂環式烴環或芳香族烴環時，該2個的伸烷基、2個的脂環式烴環或2個的芳香族烴環，可透過由磺醯基、二硫醚基、硫醚基、羰基、-C(=O)O-基、-O-基、-C(CH3)2-基及-C(CF3)2-基所構成之群中所選出的連結基而相互鍵結；n1及n2分別獨立示為0或1)。
  5. 如請求項3之微影用阻劑下層膜形成組成物，其中前述式(4)中，Q2示為下述式(6)所示的二價有機基， (式中，X示為下述式(7)或式(8)所示的二價基)， (式中，R6及R7分別獨立示為氫原子、碳原子數1至6之烷基、碳原子數3至6之烯基、苄基或苯基；前述苯基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、碳原子數1至6之烷氧基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代，或可為R6與R7相互鍵結，而與鍵結於該R6與R7之碳原子一起形成碳原子數3至6之環)。
  6. 如請求項3之微影用阻劑下層膜形成組成物，其中前述式(4)中Q2示為下述式(9)所示的二價有機基， (式中，R8示為碳原子數1至6之烷基、碳原子數3至6之烯基、苄基或苯基；前述苯基可經由碳原子數1至6之烷基、鹵素原子、碳原子數1至6之烷氧基、硝基、氰基及碳原子數1至6之烷硫基所構成之群中所選出的至少1種所取代)。
  7. 如請求項1至請求項6中任一項之微影用阻劑下層膜形成組成物，其係進而包含交聯劑及交聯觸媒。
  8. 一種製作半導體元件之方法，其係將請求項1至請求項7中任一項之阻劑下層膜形成組成物塗佈於具有加工對象膜之基板上，烘烤而形成阻劑下層膜，將阻劑被覆於前述阻劑下層膜上，對於以前述阻劑所被覆之基板照射KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、超紫外線或電子線，之後顯影而形成阻劑圖型，將前述阻劑圖型作為遮罩，藉由乾蝕刻而使前述加工對象膜圖型化。
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