TW201346941A - 透光性導電膜及具有其之靜電容量型觸控面板 - Google Patents

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Koichi Kubo
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Tetsuro Sawadaishi
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Abstract

本發明解決將透光性導電層之厚度薄層化至薄於20 nm左右時產生之問題。本發明之透光性導電膜係含有(A)透光性支持層、及(B)透光性導電層者，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm。

Description

透光性導電膜及具有其之靜電容量型觸控面板
本發明係關於一種透光性導電膜及具有其之靜電容量型觸控面板。
作為搭載於觸控面板之透光性導電膜，較多使用有於由PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等構成之透光性支持層上積層由氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)等構成之透光性導電層而獲得之膜。作為觸控面板，開發、使用有方式不同之電阻膜型觸控面板或靜電容量型等觸控面板，各者中對透光性導電膜要求之特性不同。
先前，報告有於搭載於電阻膜型觸控面板之透光性導電膜中，將透光性導電層之厚度設為20 nm左右之例(專利文獻1)，但並未報告使用具備經進一步薄層化之透光性導電層之透光性導電膜的觸控面板。又，有於搭載於觸控面板之透光性導電層中，若厚度低於20 nm則無法看到性能提高之報告(非專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2006-19239號公報
[非專利文獻1]Y. Shigesato et al. Vacuum 59 (2000), pp. 614-621
本發明者等人新開發出可於透光性支持層之一面上積層透光性導電層而成之透光性導電膜中，將透光性導電層之厚度薄層化至薄於 20 nm左右的技術。具有如此薄層化之透光性導電層之透光性導電膜與先前者相比，具有進一步改善之穿透率及經圖案化之透光性導電層之圖案可見性(pattern visibility)之減輕等各種優點。然而，另一方面，若於先前之構成之透光性導電膜中僅使透光性導電性層薄層化，則存在透光性導電膜之表面電阻率(Ω/sq.)上升等問題，該情況尤其是於將透光性導電膜用於靜電容量型觸控面板之製造之情形時成為較大之問題。本發明者等人新發現於該方面存在改善之餘地。
本發明者等人為解決上述問題而反覆進行銳意研究，從而完成本發明。本發明係解決上述問題者，如以下所揭示。
項1.一種透光性導電膜，其係含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層者，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm。
項2.如項1之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性導電層(B)包含氧化銦。
項3.如項1或2之透光性導電膜，其更含有(C)透光性基底層，且 至少一方之上述透光性導電層(B)係至少隔著上述透光性基底層(C)而配置於上述透光性支持層(A)之面。
項4.如項3之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性導電層(B)係鄰接於上述透光性基底層(C)而配置。
項5.如項3或4之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)包含選自由聚矽氮烷(polysilazane)、丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料及SiOx(x=1~2)所組成之群中之1種。
項6.如項3或4之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)包含SiOx(x=1~2)。
項7.如項1或2之透光性導電膜，其更含有(D)硬塗層，且至少一方之上述透光性導電層(B)係至少隔著上述硬塗層(D)而配置於上述透光性支持層(A)之面。
項8.如項3至6中任一項之透光性導電膜，其更含有(D)硬塗層，且至少一方之上述透光性基底層(C)係至少隔著上述硬塗層(D)而配置於上述透光性支持層(A)之面。
項9.如項8之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)係鄰接於上述硬塗層(D)而配置。
項10.一種靜電容量型觸控面板，其包含項1至9中任一項之透光性導電膜。
項11.一種透光性導電膜之製造方法，該透光性導電膜含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm；並且上述透光性導電膜之製造方法包含將上述透光性導電層(B)配置於平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm之上述面之步驟。
藉由利用本發明之透光性導電膜，可確保藉由於透光性導電膜中將透光性導電性層薄層化而獲得之優點，並且可改善由薄層化所導致之表面電阻率之惡化。
1‧‧‧透光性導電膜
11‧‧‧透光性支持層(A)
12‧‧‧透光性導電層(B)
13‧‧‧透光性基底層(C)
14‧‧‧硬塗層(D)
圖1係表示於透光性支持層(A)之單面配置有透光性導電層(B)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
圖2係表示於透光性支持層(A)之單面配置有透光性導電層(B)及透光性基底層(C)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
圖3係表示於透光性支持層(A)之兩面分別配置有透光性導電層(B)及透光性基底層(C)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
圖4係表示於透光性支持層(A)之單面配置有透光性導電層(B)、透光性基底層(C)及硬塗層(D)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
圖5係表示於透光性支持層(A)之兩面分別配置有透光性導電層(B)、透光性基底層(C)及硬塗層(D)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
圖6係表示於透光性支持層(A)之單面分別配置有透光性導電層(B)、透光性基底層(C)及硬塗層(D)，於透光性支持層(A)之另一面配置有另一硬塗層(D)之本發明之透光性導電膜的剖面圖。
1.透光性導電膜
本發明之透光性導電膜係含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層者，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm。
於本發明中，所謂「透光性」，係指具有使光穿透之性質(translucent)。「透光性」中包括透明(transparent)。所謂「透光性」，係指例如總透光率為80%以上、較佳為85%以上、更佳為88%以上之性質。於本發明中，總透光率係使用霧度計(日本電色公司製造，商品名：NDH-2000，或其同等品)，基於JIS-K-7105進行測定。
於本發明中，各層之厚度係使用市售之反射分光膜厚計(大塚電子，FE-3000(製品名)，或其同等品)而求出。或者，亦可取而代之藉由使用市售之穿透型電子顯微鏡之觀察而求出。具體而言，使用切片機(microtome)或聚焦離子束等將透光性導電膜相對於膜面於垂直方向較薄 地切斷，並觀察其剖面。
本說明書中，於提及配置於透光性支持層(A)之一面之複數層中兩層之相對位置關係之情形時，存在以透光性支持層(A)為基準，將距透光性支持層(A)之距離較大之一層稱為「上」層等之情況。
圖1中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，透光性導電層(B)係鄰接於透光性支持層(A)之一面而配置。圖1中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性支持層(A)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
1.1透光性支持層(A)
本發明中所謂透光性支持層，係指於含有透光性導電層之透光性導電膜中，發揮支持包含透光性導電層之層之作用者。作為透光性支持層(A)，並無特別限定，例如可使用觸控面板用透光性導電膜中通常用作透光性支持層者。
透光性支持層(A)之素材並無特別限定，例如可列舉各種有機高分子等。作為有機高分子，並無特別限定，例如可列舉聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂及聚苯硫醚系樹脂等。作為聚酯系樹脂，並無特別限定，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN，polyethylene naphthalate)等。透光性支持層(A)之素材較佳為聚酯系樹脂，其中尤佳為PET。透光性支持層(A)可為由該等中之任一種單獨構成者，亦可為由複數種構成者。
透光性支持層(A)之厚度並無特別限定，例如可列舉2~300 μm之範圍。
1.2透光性導電層(B)
透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於透光性支持層(A)之一面。
本發明中所謂透光性導電層，係指發揮導通電並且使可見光穿透之作用者。作為透光性導電層(B)，並無特別限定，例如可使用觸控面板用透光性導電膜中通常用作透光性導電層者。
透光性導電層(B)之素材並無特別限定，例如可列舉氧化銦、氧化鋅、氧化錫及氧化鈦等。作為透光性導電層(B)，就兼具透明性與導電性之觀點而言，較佳為包含氧化銦中摻雜有摻雜劑(dopant)者之透光性導電層。透光性導電層(B)亦可為由氧化銦中摻雜有摻雜劑者所構成之透光性導電層。作為摻雜劑，並無特別限定，例如可列舉氧化錫及氧化鋅以及其等之混合物等。
於使用氧化銦中摻雜有氧化錫者作為透光性導電層(B)之素材之情形時，較佳為氧化銦(III)(In2O3)中摻雜有氧化錫(IV)(SnO2)者(tin-doped indium oxide，ITO)。於此情形時，關於SnO2之添加量並無特別限定，例如可列舉1~15重量%，較佳為2~10重量%，更佳為3~8重量%等。又，於摻雜劑之總量不超過上述之數值範圍之範圍內，亦可將氧化銦錫中進而添加有其他摻雜劑者用作透光性導電層(B)之素材。上述中，作為其他摻雜劑，並無特別限定，例如可列舉硒等。
透光性導電層(B)可為由上述之各種素材中之任一種單獨構成者，亦可為由複數種構成者。
透光性導電層(B)並無特別限定，可為結晶體或非晶質體、或者其等之混合體亦可。
透光性導電層(B)之厚度只要未達20 nm即可。藉此，本發明之透光性導電膜具有經改善之穿透率及經圖案化之透光性導電層之圖 案可見性之減輕等優點。進而，藉此，本發明之透光性導電性膜可抑制翹曲。作為透光性導電層(B)之厚度之數值範圍，可列舉5~19 nm、12~19 nm及15~19 nm。上述之例示列舉中靠後者較靠前者在導電性及/或透明性方面更佳。
配置透光性導電層(B)之方法可為濕式及乾式中之任一者，並無特別限定。作為配置透光性導電層(B)之方法之具體例，例如可列舉濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及脈衝雷射沈積法等。
透光性導電層(B)係鄰接於平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm之面而配置。換言之，上述透光性導電層(B)之與上述透光性支持層(A)側之面鄰接之另一層之面的平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm。藉此，形成均質且電阻率較低之透光性導電層薄膜。
於本發明中，平均表面粗糙度Ra意指使用掃描型探針顯微鏡測定之粗糙度之算術平均值。詳細而言，本發明中之平均表面粗糙度Ra係使用市售之掃描型探針顯微鏡(島津製作所股份有限公司，SPM-9700，或其同等品)，於特定之接觸模式下利用探針掃描1 μm平方之測定面而獲得對基於平均線之絕對偏差進行平均的值。
就對透光性導電膜賦予所需之電阻率之方面而言，透光性導電層(B)較佳為鄰接於平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm、更佳為0.1~0.7 nm、進而更佳為0.1~0.6 nm之面而配置。
就抑制圖案可見性之觀點及優化蝕刻性之觀點而言，透光性導電層(B)較佳為平均表面粗糙度Ra之下限為1.1 nm，更佳為1.2 nm，進而更佳為1.3 nm，較佳為平均表面粗糙度Ra之上限為1.8 nm，更佳為1.7 nm，進而更佳為1.6 nm。
1.3透光性基底層(C)
本發明之透光性導電膜亦可進而含有透光性基底層(C)，且至少一方之透光性導電層(B)至少隔著透光性基底層(C)而配置於透光性支持層(A)之面。
透光性導電層(B)亦可鄰接於透光性基底層(C)而配置。
圖2中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，透光性基底層(C)之一面係鄰接於透光性支持層(A)之一面而配置，進而透光性導電層(B)係鄰接於透光性基底層(C)之另一面而配置。圖2中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
圖3中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，透光性基底層(C)之一面係分別鄰接於透光性支持層(A)之兩面而配置，進而透光性導電層(B)係鄰接於透光性基底層(C)之另一面而配置。圖3中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
透光性基底層(C)之素材並無特別限定，例如可為具有介電性者。作為透光性基底層(C)之素材，並無特別限定，例如可列舉氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、矽醇鹽(silicon alkoxide)、烷基矽氧烷及其縮合物、聚矽氧烷、倍半矽氧烷(silsesquioxane)、聚矽氮烷及丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料等。透光性基底層(C)可為由該等中之任一種單獨構成者，亦可為由複數種構成者。作為透光性基底層(C)，較佳為包含選自由聚矽氮烷、丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料及SiOx(x=1.0~2.0)所組成之群中之1種的透光性基底層。透光性基底層(C)亦可為由選自由聚矽氮烷、丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料及SiOx(x=1.0~2.0)所組成之群中之1種所構成的透光性基底層。作為透光性基底層(C)，較佳為包含SiOx(x=1.0~2.0)之透光性基底層。透光性基底層(C)亦可為由SiOx (x=1.0~2.0)構成之透光性基底層。以下，存在例如將由SiOx(x=1.0~2.0)構成之透光性基底層簡稱為SiOx層之情況。
透光性基底層(C)可配置一層。或者亦可兩層以上相互鄰接或隔著其他層相互分離而配置。透光性基底層(C)較佳為兩層以上相互鄰接而配置。作為此種態樣之例，例如可列舉由鄰接之SiO2層及SiOx層構成之積層(stacking)及由鄰接之SiO2層及SiOxNy層構成之積層。例如於將兩層相互鄰接而配置之情形時，SiO2層及SiOx層之順序為任意，但較佳為於透光性支持層(A)側配置由SiO2構成之透光性基底層(C-1)，於透光性導電層(B)側配置由SiOx(x=1.0~2.0)構成之透光性基底層(C-2)配置。
作為透光性基底層(C)之每一層之厚度，並無特別限定，例如可列舉15~25 nm等。於兩層以上相互鄰接而配置之情形時，只要相互鄰接之所有透光性基底層(C)之合計厚度為上述範圍內即可。
只要本發明之透光性導電膜可用作觸控面板用透光性導電膜，則透光性基底層(C)之折射率並無特別限定，例如較佳為1.4~1.5。
於本發明之透光性導電膜包含透光性基底層(C)之情形時，較佳可為透光性基底層(C)鄰接於透光性導電層(B)而配置，且透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面之平均表面粗糙度Ra亦可為0.1~1 nm。
作為用以將透光性基底層(C)以平均表面粗糙度Ra成為0.1~1 nm之方式配置之方法，可為濕式及乾式中之任一者，並無特別限定，作為濕式，例如可列舉溶膠-凝膠(sol-gel)法、或者塗佈微粒子分散液或膠體(colloid)溶液之方法等。
關於配置透光性基底層(C)之方法，作為乾式，例如可列舉藉由濺鍍法、離子鍍敷法、真空蒸鍍法及脈衝雷射沈積法而積層於鄰接之層上之方法等。
1.4.硬塗層(D)
本發明之透光性導電膜亦可進而含有硬塗層(D)，且至少一方之透光性導電層(B)係至少隔著硬塗層(D)而配置於透光性支持層(A)之面上。
於本發明之透光性導電膜在透光性支持層(A)之同一面側包含透光性基底層(C)及硬塗層(D)兩者之情形時，該透光性基底層(C)係至少隔著該硬塗層(D)而配置於上述透光性支持層(A)之面上。於此情形時，透光性基底層(C)較佳為鄰接於硬塗層(D)而配置。
硬塗層(D)較佳為鄰接於透光性支持層(A)之至少一面而配置。
硬塗層(D)可配置一層。或者亦可兩層以上相互鄰接或隔著其他層相互分離而配置。
硬塗層(D)亦可配置於透光性支持層(A)之兩面。
圖4中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，硬塗層(D)之一面係鄰接於透光性支持層(A)之一面而配置，透光性基底層(C)之一面係鄰接於硬塗層(D)之另一面而配置，進而透光性導電層(B)之一面係鄰接於透光性基底層(C)之另一面而配置。圖4中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
圖5中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，硬塗層(D)之一面係鄰接於透光性支持層(A)之兩面而配置，透光性基底層(C)之一面係鄰接於硬塗層(D)之另一面而配置，進而透光性導電層(B)之一面鄰接於透光性基底層(C)之另一面而配置。圖5中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
圖6中表示本發明之透光性導電膜之一態樣。該態樣中，硬塗層(D)、透光性基底層(C)及透光性導電層(B)依順序相互鄰接而配置於透光性支持層(A)之一面，於透光性支持層(A)之另一面直接配置有另一硬塗層(D)。圖6中，所謂「上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面」，係指透光性基底層(C)之面中與透光性導電層(B)鄰接之面。
於本發明中，所謂硬塗層，係指發揮防止塑膠表面之損傷之作用者。作為硬塗層(D)，並無特別限定，例如可使用觸控面板用透光性導電膜中通常用作硬塗層者。
硬塗層(D)之素材並無特別限定，例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。作為硬塗層(D)之素材，進而亦可列舉於上述樹脂中分散有氧化矽、氧化鋯、氧化鈦及氧化鋁等之膠體粒子等者。硬塗層(D)可為由該等中之任一種單獨構成者，亦可為由複數種構成者。作為硬塗層(D)，較佳為分散有氧化鋯粒子之丙烯酸系樹脂。
硬塗層(D)之每一層之厚度並無特別限定，例如可列舉0.1~10 μm、1~7 μm及2~6 μm等。於兩層以上相互鄰接而配置之情形時，只要相互鄰接之所有硬塗層(D)之合計厚度為上述範圍內即可。上述之例示列舉中，靠後者較靠前者更佳。
只要本發明之透光性導電膜可用作觸控面板用透光性導電膜，則硬塗層(D)之折射率並無特別限定，例如可列舉1.4~1.7等。
硬塗層(D)亦可具有高於透光性基底層(C)之折射率。於此情形時，透光性基底層(C)較佳為鄰接於硬塗層(D)之一面而配置。藉由採用此種構成，透光性導電膜之穿透率會因透光性基底層(C)及硬塗層(D)之光學干涉作用而提高，故而較佳。又，藉由採用此種構成，可減 輕經圖案化之透光性導電性層之圖案可見性。
作為配置硬塗層(D)之方法，並無特別限定，例如可列舉塗佈於膜並利用熱進行硬化之方法、利用紫外線或電子束等活性能量射線進行硬化之方法等。就生產性之觀點而言，較佳為利用紫外線進行硬化之方法。
1.5其他層
本發明之透光性導電膜亦可於透光性支持層(A)之至少一面除透光性導電層(B)以外，進而配置選自由透光性基底層(C)、硬塗層(D)及與其等不同之至少1種其他層(E)所組成之群中之至少1種層。
作為與(A)~(D)中任一者均不同之其他層，並無特別限定，例如可列舉接著層等。
所謂接著層，係於兩層之間與該兩層相互鄰接而配置且用以將該兩層間相互接著而配置之層。作為接著層，並無特別限定，例如可使用觸控面板用透光性導電膜中通常用作接著層者。接著層可為由該等中之任一種單獨構成者，亦可為由複數種構成者。
1.6本發明之透光性導電膜之用途
本發明之透光性導電膜可較佳地用於靜電容量型觸控面板之製造。用於電阻膜方式觸控面板之製造之透光性導電膜一般表面電阻率(薄膜電阻)必需為250~1,000 Ω/sq左右。相對於此，用於靜電容量型觸控面板之製造之透光性導電膜一般表面電阻率越低越有利。本發明之透光性導電膜中，電阻率降低，藉此，可較佳地用於靜電容量型觸控面板之製造。關於靜電容量型觸控面板之詳情如2中所說明。
2.本發明之靜電容量型觸控面板
本發明之靜電容量型觸控面板係包含本發明之透光性導電膜，進而視需要包含其他構件而成。
作為本發明之靜電容量型觸控面板之具體構成例，可列舉如下之構成。再者，係使保護層(1)側朝向操作畫面側、玻璃(5)側朝向操作畫面之相反側而使用。
(1)保護層
(2)本發明之透光性導電膜(Y軸方向)
(3)絕緣層
(4)本發明之透光性導電膜(X軸方向)
(5)玻璃
本發明之靜電容量型觸控面板並無特別限定，例如可藉由根據通常之方法將上述(1)~(5)以及視需要將其他構件組合而製造。
3.本發明之透光性導電膜之製造方法
本發明之透光性導電膜之製造方法係如下透光性導電膜之製造方法，該透光性導電膜含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm；並且上述方法包含將上述透光性導電層(B)配置於平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm之上述面之步驟。
本發明之透光性導電膜之製造方法亦可分別包含在光性支持層(A)之至少一面除透光性導電層(B)以外，分別配置選自由透光性基底層(C)、硬塗層(D)及與其等不同之至少1種其他層(E)所組成之 群中之至少1種層的步驟。配置各層之步驟如對各層所進行之說明。除透光性導電層(B)以外配置至少1種其他層之情形時，例如可自透光性支持層(A)側依順序配置於透光性支持層(A)之至少一面，但配置之順序並無特別限定。例如，可首先於不為透光性支持層(A)之層(例如透光性導電層(B))之一面配置其他層。或者，亦可一方面藉由以相互鄰接之方式配置2種以上之層而獲得1種複合層後或與此同時，另一方面同樣地藉由以相互鄰接之方式配置2種以上之層而獲得1種複合層，進而以相互鄰接之方式配置該等2種複合層。
[實施例]
以下，揭示實施例進而詳細說明本發明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
實施例1：藉由濕式法積層有透光性基底層(丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料)之透光性導電膜
使用PET作為透光性支持層。藉由於PET表面上塗佈丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料(荒川化學公司，COMPOCERAN AC601)之溶液並加以乾燥，而獲得透光性基底層。層之厚度為23 nm，折射率(n)為1.48。藉由掃描型探針顯微鏡(島津製作所股份有限公司，SPM-9700)測定所獲得之透光性基底層之平均表面粗糙度Ra，結果為0.7 nm。
使用DC(direct current，直流)濺鍍於其上積層化氧化銦及氧化錫之混合物(ITO)。具體而言，以如下之方式進行。將SnO2為7重量%之ITO燒結體靶設置於陰極，導入氬氣95%、氧氣5%之混合氣體，於真空度10-4 Pa下積層ITO薄膜。於150℃對其進行1小時熱處理。
將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
各性能係以如下方法及基準進行評價。
<表面電阻>
表面電阻係使用表面電阻計(MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH公司製造，商品名：Loresta-EP)，藉由四端子法進行測定。
<膜厚>
膜厚係藉由大塚電子之FE3000進行測量。
<總透光率>
總透光率係使用霧度計(日本電色公司製造，商品名：NDH-2000)，基於JIS-K-7105進行測定。
<翹曲>
翹曲係使用切成10 cm見方之透光性導電膜，以如下之方式進行評價。於水平面上將透光性導電膜放置於凸面朝向下側之方向。繼而，分別測量透光性導電膜之四個角距上述水平面之高度，取其等之平均值，進而將該平均值除以邊長(10 cm)所得之值以%所表示之值設為翹曲之定量值。以如下之評價基準評價翹曲。
(評價基準)
○(良)：翹曲未達5%
×(差)：翹曲為5%以上
<圖案可見性>
於透光性導電膜之透光性層上使抗蝕劑圖案化成3 mm寬之條紋狀，於ITO蝕刻液(關東化學製造之ITO-06N)浸漬1分鐘，進行ITO膜之蝕刻。剝離抗蝕劑並進行水洗乾燥，獲得圖案可見性評價用樣品。
以目視進行該樣品之圖案可見性評價。
評價係依據如下之評價基準來評價是否可判別出有圖案之部分與無圖案之部分。
(評價基準)
◎(優)：難以判別出有圖案之部分與無圖案之部分。
○(良)：可勉強判別出有圖案之部分與無圖案之部分。
×(差)：可明顯判別出有圖案之部分與無圖案之部分。
實施例2：藉由濕式法積層有透光性基底層(聚矽氮烷)之透光性導電膜
將實施例1之透光性基底層變更為聚矽氮烷(AZ MATERIALS公司，NAX120)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例3：藉由濕式法積層有透光性基底層(SiO 2 )之透光性導電膜
使用PET作為透光性支持層。於PET表面上藉由濕式法(溶膠-凝膠法)積層SiO2層作為透光性基底層。具體而言，以如下之方式進行。使四乙氧基矽烷於異丙醇中水解，製作塗佈溶液。將其塗佈於PET表面上並加以乾燥，以及進而進行熱處理，製成SiO2層。
以與實施例1相同之方式於其上成膜ITO而獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例4：藉由乾式濺鍍法積層有透光性基底層(SiO 2 )之透光性導電膜
使用PET作為透光性支持層，將Si靶設置於陰極，導入有氧氣之反應性濺鍍，藉此設置SiO2層作為透光性基底層。
以與實施例1相同之方式於其上成膜ITO而獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例5：於硬塗層上藉由濕式法積層有透光性基底層(丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料)之透光性導電膜
使用PET作為透光性支持層。將甲基丙烯酸甲酯、多官能丙烯酸酯、氧化鋯膠體混合分散於MEK(methyl ethyl ketone)溶劑，製備紫外線硬化性硬 塗劑。利用凹版輥式塗佈機(gravure roll coater)塗佈該硬塗劑，藉由利用金屬鹵化物燈照射紫外線而使其硬化，將硬塗層積層於透光性支持層上。硬塗層之厚度為1.7 μm，折射率(n)為1.60。
於該硬塗層上，與實施例1同樣地使用荒川化學COMPOCERAN AG AC601設置透光性基底層，進而同樣地設置ITO層，獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例6：於硬塗層上藉由濕式法積層有透光性基底層(聚矽氮烷)之透光性導電膜
將實施例5之荒川化學COMPOCERAN AG AC601變更為聚矽氮烷(AZ MATERIALS公司，NAX120)，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例7：於硬塗層上藉由濕式法及DC濺鍍積層有透光性基底層(SiO 2 、SiO x )之透光性導電膜
與實施例5同樣地於PET上設置硬塗層，於硬塗層上與實施例3同樣地藉由溶膠-凝膠法積層SiO2層作為透光性基底層，及與實施例3同樣地成膜ITO膜，獲得透光性導電膜。
具體而言，根據以下之製法獲得本發明之透光性導電膜。
使用PET作為透光性支持層。將甲基丙烯酸甲酯、多官能丙烯酸酯、氧化鋯膠體混合分散於MEK溶劑，製備紫外線硬化性硬塗劑。利用凹版輥式塗佈機塗佈該硬塗劑，藉由利用金屬鹵化物燈照射紫外線而使其硬化，將硬塗層積層於透光性支持層上。硬塗層之厚度為1.7 μm，折射率(n)為1.60。
於該硬塗層上藉由溶膠-凝膠法積層SiO2層作為透光性基底層。使四乙氧基矽烷於異丙醇中水解，製作塗佈溶液。將其塗佈、乾燥並進行熱處理而製成SiO2層。進而，使用DC濺鍍於該SiO2層上積層SiOx層 作為透光性基底層。SiOx層及SiO2層之厚度合計為20 nm。將SiOx層及SiO2層作為整體而測定之折射率(n)為1.46。利用掃描型探針顯微鏡(島津製作所股份有限公司，SPM-9700)測定所獲得之SiOx層之平均表面粗糙度Ra，結果為0.5 nm。
使用DC濺鍍於SiOx層上積層氧化銦及氧化錫之混合物(ITO)。具體而言，以如下之方式進行。將SiO2為7重量%之ITO燒結體靶設置於陰極，導入氬氣95%、氧氣5%之混合氣體，於真空度10-4 Pa下積層ITO薄膜。於150℃下對其進行1小時熱處理。
將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。表面電阻係使用表面電阻計(MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH公司製造，商品名：Loresta-EP)，藉由四端子法進行測定。膜厚係藉由大塚電子之FE3000進行測量。總透光率係使用霧度計(日本電色公司製造，商品名：NDH-2000)，基於JIS-K-7105進行測定。
實施例8：於硬塗層上藉由乾式濺鍍積層有透光性基底層(SiO 2 )之透光性導電膜
與實施例5同樣地於PET上設置硬塗層。與實施例4同樣地藉由濺鍍法積層SiO2層、及成膜ITO膜，獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例9：於硬塗層上藉由乾式濺鍍積層有透光性基底層(SiO 2 、SiO x )之透光性導電膜
將與實施例7同樣地製作之附有硬塗層之PET設置於可利用輥-輥方式(roll-to-roll)連續地處理膜之裝備有複數個陰極的濺鍍裝置，一面使上述附有硬塗層之PET膜移動，一面將Si靶設置於陰極，並藉由導入有氧氣之反應性濺鍍連續地積層SiO2層、SiOx層。利用掃描型探針顯微鏡(島津製作所股份有限公司，SPM-9700)測定此時之SiO2層之Ra，結果為0.6 nm。
將與實施例7同樣地積層ITO層而獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
進而將進行蝕刻性之評價之結果示於表2。
再者，蝕刻性之評價以如下方式進行。將透光性導電膜浸漬於20%鹽酸，求出至無法測量表面電阻為止之時間。透光性導電膜係於10秒~90秒為止以10秒間隔設定浸漬時間，將無法測量表面電阻之時間設為蝕刻處理完成時間。
將蝕刻處理完成時間為40秒、50秒時評價為「◎」，將30秒、60秒、70秒時評價為「○」，將20秒、80秒時評價為「△」，將10秒、90秒及其以上評價為「×」。蝕刻處理時間過短，又，反之過長，均會變得難以控制蝕刻處理，故而不佳。
實施例10：於硬塗層上藉由乾式濺鍍積層有透光性基底層(SiO x 、SiO 2 )之透光性導電膜
使實施例9之透光性基底層之積層順序設為SiOx層、繼而SiO2層，除此以外，與實施例9同樣地獲得透光性導電膜。將所獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
實施例11：藉由乾式濺鍍使透光性基底層(SiO 2 、SiO x N y )積層化而成之透光性導電膜
於濺鍍中導入氮氣，以SiO2、SiOxNy之順序積層基底層，除此以外，以與實施例2相同之方式製作透光性導電膜。將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。表中之「Ra」表示SiO2層之Ra。
實施例12：藉由乾式濺鍍積層有透光性基底層(SiO x 、SiO 2 、SiO x )之透光性導電膜
以SiOx、SiO2、SiOx之順序積層基底層，除此以外，與實施例2同樣地製作透光性導電膜。將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。表中之 「Ra」表示透光性基底層之最上層之Ra。
實施例13：藉由乾式濺鍍使透光性基底層(SiO x 、SiO 2 、SiO x )於透光性支持層之兩面積層化而成之透光性導電膜
於透光性支持層之兩面，與實施例12同樣地使硬塗層、透光性基底層及透光性導電層依順序積層化，製作兩面具有透光性導電層之透光性導電膜。將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
比較例1
塗佈膠體氧化矽(日揮觸媒化成，CATALOID)分散液並加以乾燥，製作SiO2層，藉此積層透光性基底層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得透光性導電膜。透光性基底層之膜厚為30 nm，Ra為1.2 nm。
將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。
參考例1~6
將ITO之膜厚設為23 nm，變更基底層之材料，除此以外，以與實施例2相同之方式製成所有6種透光性導電膜。將如此獲得之透光性導電膜之性能示於表1。表中之「Ra」表示基底層之最上層之Ra。再者，於表中之基底層之欄記載有複數種材料之情形時，表示以左側記載之材料配置於右側記載之材料之下層側般之順序積層由各材料所構成之層而獲得基底層。
實施例14
以與實施例9相同之方式獲得透光性導電膜。藉由調整濺鍍條件而獲得Ra為0.5 nm之基底層。將所獲得之透光性導電膜之包括蝕刻性在內之各性能示於表2。
比較例2
以與實施例9相同之方式獲得透光性導電膜。藉由調整濺鍍條件而獲得Ra為0.4 nm之基底層。將所獲得之透光性導電膜之包括蝕刻性在內之各性能示於表2。
比較例3
以與實施例9相同之方式獲得透光性導電膜。藉由調整濺鍍條件而獲得Ra為0.9 nm之基底層。將所獲得之透光性導電膜之包括蝕刻性在內之各性能示於表2。
1‧‧‧透光性導電膜
11‧‧‧透光性支持層(A)
12‧‧‧透光性導電層(B)

Claims (11)

  1. 一種透光性導電膜，其係含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層者，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性導電層(B)包含氧化銦。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之透光性導電膜，其更含有(C)透光性基底層，且至少一方之上述透光性導電層(B)係至少隔著上述透光性基底層(C)而配置於上述透光性支持層(A)之面。
  4. 如申請專利範圍第3項之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性導電層(B)係鄰接於上述透光性基底層(C)而配置。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)包含選自由聚矽氮烷、丙烯酸系樹脂-二氧化矽混成材料及SiOx(x=1~2)所組成之群中之1種。
  6. 如申請專利範圍第3項或第4項之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)包含SiOx(x=1~2)。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之透光性導電膜，其更含有(D)硬塗層，且至少一方之上述透光性導電層(B)係至少隔著上述硬塗層(D)而配 置於上述透光性支持層(A)之面。
  8. 如申請專利範圍第3項至第6項中任一項之透光性導電膜，其更含有(D)硬塗層，且至少一方之上述透光性基底層(C)係至少隔著上述硬塗層(D)而配置於上述透光性支持層(A)之面。
  9. 如申請專利範圍第8項之透光性導電膜，其中至少一方之上述透光性基底層(C)係鄰接於上述硬塗層(D)而配置。
  10. 一種靜電容量型觸控面板，其包含申請專利範圍第1項至第9項中任一項之透光性導電膜。
  11. 一種透光性導電膜之製造方法，該透光性導電膜含有(A)透光性支持層；及(B)透光性導電層，其上述透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支持層(A)之至少一面，上述透光性導電層(B)之厚度未達20 nm，且上述透光性支持層(A)之靠上述透光性導電層(B)側之面之平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm；並且上述透光性導電膜之製造方法包含將上述透光性導電層(B)配置於平均表面粗糙度Ra為0.1~1 nm之上述面之步驟。
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