TWI614141B - 積層膜及其膜捲、以及可由其獲得之透光性導電性膜及利用其之觸控面板 - Google Patents

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Description

積層膜及其膜捲、以及可由其獲得之透光性導電性膜及利用其之觸控面板
本發明關於一種積層膜及其膜捲、以及可由其獲得之透光性導電性膜及利用其之觸控面板。
作為搭載於觸控面板之透光性導電性膜，多數使用於由PET等構成之透光性支持層上積層由氧化銦錫(ITO)等構成之透光性導電層獲得的透光性導電性膜。於該透光性導電性膜中，通常將透光性導電層以使之成為最外層的方式進行配置。該透光性導電性膜通常於製造後暫時捲取成膜捲，之後自製造地搬運至接下來之目的地，於該目的地進行回捲，藉此成為膜之狀態後，進行進一步之加工或加以使用。
於如此捲取成膜捲時為了保護透光性導電性膜，有時於透光性導電性膜之與透光性導電層一側相反側的面貼附所謂保護膜而製成積層膜(專利文獻1)。若將該積層膜捲取成膜捲，則透光性導電層與保護膜之表面彼此成為相互鄰接之狀態。
透光性導電性膜有時於將透光性導電層成形(所謂圖案化)為例如格子狀等之電極後使用。透光性導電層之圖案化係藉由所謂蝕刻處理而進行，即利用稱為蝕刻阻劑之保護膜對不欲去除之區域加以保護後進行化學品處理，僅對未加以保護之區域去除透光性導電層。
該蝕刻處理係於使捲取上述積層膜而成之膜捲回捲而成為膜之狀態後進行。具體而言，於膜之狀態下依序進行藉由蝕刻阻劑之處理、及藉由蝕刻液之處理。
該積層膜係用於最終將保護膜剝離後而作為透光性導電性膜而搭載於觸控面板等之用途。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-332132號公報
本發明者等人發現有如下問題：對上述積層膜依序進行利用蝕刻阻劑之處理、及利用蝕刻液之處理，藉此進行蝕刻處理後，進而藉由化學品處理將蝕刻阻劑去除，此時蝕刻阻劑殘渣附著於保護膜側之表面。若上述蝕刻阻劑殘渣附著於保護膜側，則於其後之各步驟中產生例如難以發現外觀缺點等問題，從而欠佳。
本發明之課題在於提供一種於進行蝕刻阻劑之去除處理後，蝕刻阻劑殘渣難以附著於保護膜側之表面的積層膜。
本發明人等為了解決上述課題而反覆進行潛心研究，從而完成本發明。具體而言，本發明人等發現：藉由使用具有對水之接觸角處於規定之範圍內之表面的保護膜，而可解決上述課題，從而完成本發明。即，本發明係如下揭示者。
項1.
一種積層膜，含有(A)透光性導電性膜、及(B)保護膜，其特徵在於：上述透光性導電性膜(A)含有(A-1)透光性支持層、及(A-2)透光性導電層各一層以上，且至少一側之最外層為一透光性導電層(A-2)，上述透光性導電性膜(A)之最外層之上述透光性導電層(A-2)的至少一層配置於上述積層膜之一表面，保護膜(B)配置於上述積層膜之另一表面，且上述保護膜(B)側之上述表面對水之接觸角為70°以上。
項2.
如項1之積層膜，其中，Haze值為5%以下。
項3.
如項1或2之積層膜，其中，上述透光性導電層(A-2)含有氧化銦錫。
項4.
一種膜捲，其係對項1至3中任一項之積層膜進行捲取而成。
項5.
一種透光性導電性膜，其可藉由含有如下步驟之方法而獲得，該步驟係藉由自項1至3中任一項之積層膜剝離保護膜(B)，而獲得透光性導電性膜(A)。
項6.
一種觸控面板，含有項5之透光性導電性膜。
根據本發明，可減低於進行蝕刻處理後蝕刻阻劑殘渣附著於保護膜側之表面的量。
1‧‧‧積層膜
11‧‧‧透光性導電性膜(A)
111‧‧‧透光性支持層(A-1)
112‧‧‧透光性導電層(A-2)
113‧‧‧透光性基底層(A-3)
114‧‧‧硬塗層(A-4)
12‧‧‧保護膜(B)
121‧‧‧保護層(B-1)
122‧‧‧黏著層(B-2)
123‧‧‧低聚物阻擋層(B-3)
圖1係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之單面配置有透光性導電層(A-2)。
圖2係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之兩面配置有透光性導電層(A-2)。
圖3係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之單面配置有透光性導電層(A-2)及透光性基底層(A-3)，上述保護膜(B)係於保護層(B-1)之單面配置有黏著層(B-2)。
圖4係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之一面配置有透光性導電層(A-2)、透光性基底層(A-3)及硬塗層(A-4)，進而於透光性支持層(A-1)之另一面配置有另一硬塗層(A-4)，上述保護膜(B)係於保護層(B-1)之單面配置有黏著層(B-2)。
圖5係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之單 面配置有透光性導電層(A-2)，上述保護膜(B)係於保護層(B-1)之單面配置有黏著層(B-2)。
圖6係表示由透光性導電性膜(A)、及保護膜(B)構成之本發明之積層膜的剖面圖，上述透光性導電性膜(A)係於透光性支持層(A-1)之單面配置有透光性導電層(A-2)，上述保護膜(B)係於保護層(B-1)之單面配置有低聚物阻擋層(B-3)。
1.積層膜
本發明之積層膜係具備兩層以上之膜進行積層而成之構成的膜，含有(A)透光性導電性膜、(B)保護膜。
於本發明之積層膜中，透光性導電性膜(A)具備如下構成：含有(A-1)透光性支持層、及(A-2)透光性導電層
各一層以上，且至少一側之最外層為一透光性導電層(A-2)。即，透光性導電性膜(A)亦可含有兩層以上之透光性導電層(A-2)，又，於該情形時，透光性導電性膜(A)只要將一透光性導電層(A-2)以使之成為最外層之方式配置於透光性支持層(A-1)的一面即可，進而可將其他透光性導電層(A-2)配置於透光性支持層(A-1)之另一面。於後者之時，亦可進而將該其他透光性導電層(A-2)以使之成為最外層之方式配置於透光性支持層(A-1) 的另一面。
於本發明之積層膜中，配置於透光性導電性膜(A)之最外層之透光性導電層(A-2)的至少一層配置於積層膜之一表面(有時稱為「透光性導電層(A-2)側之表面」)，且保護膜(B)配置於積層膜之另一表面(有時稱為「保護膜(B)側之表面」)。本發明之積層膜只要於表面分別配置有透光性導電層(A-2)及保護膜(B)即可，亦可於透光性導電性膜(A)與保護膜(B)之間介隔其他膜等其他構造。又，如上所述於透光性支持層(A-1)之兩面以成為最外層之方式分別配置有透光性導電層(A-2)時，可將任一透光性導電層(A-2)配置於積層膜之表面。
進而，本發明之積層膜之保護膜(B)側的表面對水之接觸角為70。以上。藉此，本發明之積層膜於進行透光性導電層(A-2)之蝕刻處理後將蝕刻阻劑去除時，蝕刻阻劑殘渣附著於保護膜側之表面的量得以減低。
於圖1中揭示本發明之積層膜之一態樣。於該態樣中，首先，透光性導電性膜具備於透光性支持層(A-1)之一面直接(即鄰接)配置有透光性導電層(A-2)的構成。此時，透光性導電層(A-2)成為透光性支持層(A-1)之該面的最外層。進而，該透光性導電層(A-2)配置於積層膜之一表面，且保護膜(B)配置於積層膜之另一表面。
於圖2中揭示本發明之積層膜之另一態樣。於該態樣中，首先，透光性導電性膜具備於透光性支持層(A-1)之兩面分別直接配置有透光性導電層(A-2)的構成。此時，兩透光性導電層(A-2)成為透光性支持層(A-1)之兩面的最外層。進而，任一透光性導電層(A-2)配 置於積層膜之一表面，且保護膜(B)配置於積層膜之另一表面。
1.1透光性導電性膜(A)
於本發明中，所謂「透光性」，意指具有透過光之性質(translucent)。「透光性」中包含透明(transparent)。所謂「透光性」，係指例如總透光率為80%以上、較佳為85%以上、更佳為88%以上之性質。於本發明中，總透光率係使用測霾器(日本電色公司製造，商品名：NDH-2000，或其同等品)並基於JIS-K-7105進行測定。
於本發明中，各層之厚度係使用市售之反射分光膜厚計(大塚電子，FE-3000(製品名)，或其同等品)而求出。又，亦可代替性地藉由使用市售之穿透式電子顯微鏡之觀察而求出。具體而言，使用切片機(microtome)或聚焦離子束等，對成為測定對象之膜沿與膜面垂直之方向薄薄地進行切割，觀察該剖面。
於本說明書中，在言及配置於透光性支持層(A-1)之一面之複數層中之兩層之相對位置關係的情形時，有時以透光性支持層(A-1)為基準，將距離透光性支持層(A-1)之距離大之一層稱為「上」層等。
1.1.1透光性支持層(A-1)
於本發明中，所謂透光性支持層，係指於含有透光性導電層之透光性導電性膜中，發揮對包含透光性導電層之層進行支持之作用者。作為透光性支持層(A-1)，並無特別限定，例如可使用通常於觸控面板用導電性膜中，用作透光性支持層者。
透光性支持層(A-1)之素材並無特別限定，例如可列舉各種有機高分子等。作為有機高分子，並無特別限定，例如可列舉：聚酯 系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂及聚苯硫醚系樹脂等。作為聚酯系樹脂，並無特別限定，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。透光性支持層(A-1)之素材較佳為聚酯系樹脂，其中尤佳為PET。透光性支持層(A-1)可為由該等中任一者單獨構成者，亦可為由複數種構成者。又，亦可為利用黏著劑等將複數層透光性支持層進行貼合而成者。於使用複數層透光性支持層之情形時，可使用複數層同種層，亦可使用複數種層。
透光性支持層(A-1)之厚度並無特別限定，例如可列舉2~300μm之範圍。
1.1.2透光性導電層(A-2)
於本發明之積層膜中，將至少一層透光性導電層(A-2)以使之成為最外層之方式直接或介隔一層以上之其他層而配置於透光性支持層(A-1)之至少一面。
透光性導電層(A-2)亦可於透光性支持層(A-1)之兩面分別各配置至少一層。
於本發明中，所謂透光性導電層，係指發揮含有導電性物質而導通電且使可見光透過之作用者。作為透光性導電層(A-2)，並無特別限定，例如可使用通常於觸控面板用導電性膜中用作透光性導電層者。
透光性導電層(A-2)之素材並無特別限定，例如可列舉：氧化銦、氧化鋅、氧化錫及氧化鈦等。作為透光性導電層(A-2)，就兼具 透明性與導電性之方面而言，較佳為含有於氧化銦中摻雜有摻雜劑者之透光性導電層。透光性導電層(A-2)亦可為由於氧化銦中摻雜有摻雜劑者構成之透光性導電層。作為摻雜劑，並無特別限定，例如可列舉：氧化錫及氧化鋅、以及該等之混合物等。
使用於氧化銦中摻雜有氧化錫者作為透光性導電層(A-2)之素材的情形時，較佳為於氧化銦(III)(In2O3)中摻雜有氧化錫(IV)(SnO2)者(銦錫氧化物(tin-doped indium oxide：ITO))。於該情形時，作為SnO2之添加量，並無特別限定，例如可列舉1~15重量%，較佳為2~10重量%，更佳為3~8重量%等。又，作為透光性導電層(A-2)之素材，亦可使用於摻雜劑之總量未超過上述數值範圍之範圍內於氧化銦錫中進而添加有其他摻雜劑者。作為上述其他摻雜劑，並無特別限定，例如可列舉硒等。
透光性導電層(A-2)可為由上述各種素材中任一者單獨構成者，亦可為由複數種構成者。
透光性導電層(A-2)並無特別限定，可為結晶體或非晶質體、或該等之混合體。
透光性導電層(A-2)之厚度並無特別限定，通常為5~50nm。透光性導電層(A-2)之厚度較佳為10~40nm，更佳為12~35nm，進而更佳為15~30nm。
配置透光性導電層(A-2)之方法可為濕式及乾式中之任意者，並無特別限定。作為配置透光性導電層(A-2)之方法的具體例，例如可列舉：濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍著法、CVD法及脈衝雷射沉積法等。
作為形成透光性導電層(A-2)之方法，較佳為含有對導電性物質進行焙燒之步驟的方法。作為焙燒方法，並無特別限定，作為例子，例如可列舉：進行濺鍍等時之轉筒加熱、或熱風式焙燒爐、遠紅外線焙燒爐等。焙燒溫度並無特別限定，通常為30~250℃，較佳為50~200℃，更佳為80~180℃，進而更佳為100~160℃。焙燒時間較佳為3分鐘~180分鐘，更佳為5分鐘~120分鐘，進而更佳為10分鐘~90分鐘。作為進行焙燒之環境，可列舉：真空下、大氣、氮氣或氬氣等非活性氣體、氧氣、或氫化氮氣體等、或該等中兩種以上之組合。藉由對導電性物質進行焙燒，而促進導電性物質之結晶化。
1.1.3透光性基底層(A-3)
透光性導電性膜(A)可進而含有透光性基底層(A-3)，且至少一層透光性導電層(A-2)至少介隔透光性基底層(A-3)而配置於透光性支持層(A-1)之面。
透光性導電層(A-2)可與透光性基底層(A-3)鄰接地配置。
於圖3中揭示本發明之積層膜之一態樣。於該態樣中，於透光性導電性膜(A)中，於透光性支持層(A-1)之一面直接配置有透光性基底層(A-3)，介隔該透光性基底層(A-3)而配置有透光性導電層(A-2)。其他構成與後述圖5相同。
透光性基底層(A-3)之素材並無特別限定，例如亦可為具有介電性者。作為透光性基底層(A-3)之素材，並無特別限定，例如可列舉：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、矽烷氧化物(silicon alkoxides)、 烷基矽氧烷及其縮合物、聚矽氧烷、矽倍半氧烷、聚矽氮烷及丙烯酸-二氧化矽混合物等。透光性基底層(A-3)可由該等中任一者單獨構成，亦可由複數種構成。作為透光性基底層(A-3)，較佳為包含選自由聚矽氮烷、丙烯酸-二氧化矽混合物及SiOx(x=1.0~2.0)組成之群中1種的透光性基底層。透光性基底層(A-3)亦可為由選自由聚矽氮烷、丙烯酸-二氧化矽混合物及SiOx(x=1.0~2.0)組成之群中1種構成的透光性基底層。作為透光性基底層(A-3)，較佳為含有SiOx(x=1.0~2.0)之透光性基底層。透光性基底層(A-3)亦可為由SiOx(x=1.0~2.0)構成之透光性基底層。以下有時將例如由SiOx(x=1.0~2.0)構成之透光性基底層簡記為SiOx層。
透光性基底層(A-3)可配置一層。或者亦可使兩層以上相互鄰接地、或介隔其他層而相互隔開地配置。透光性基底層(A-3)較佳為使兩層以上相互鄰接地配置。作為上述態樣之例，例如可列舉：由鄰接之SiO2層及SiOx層構成之積層(stacking)、及由鄰接之SiO2層及SiOxNy層構成之積層。例如於兩層相互鄰接地配置之情形時，SiO2層及SiOx層之順序為任意，較佳為於透光性支持層(A-1)側配置由SiO2構成之透光性基底層(B-2)、於透光性導電層(A-2)側配置由SiOx(x=1.0~2.0)構成之透光性基底層(C-2)。
作為透光性基底層(A-3)平均一層之厚度，並無特別限定，例如可列舉15~25nm等。於兩層以上相互鄰接地配置之情形時，只要相互鄰接之所有透光性基底層(A-3)的合計厚度為上述範圍內即可。
透光性基底層(A-3)之折射率只要透光性導電性膜(A)可用於觸控面板用途，則並無特別限定，例如較佳為1.4~1.5。
關於配置透光性基底層(A-3)之方法，作為乾式，例如可列舉如下方法等：藉由濺鍍法、離子鍍著法、真空蒸鍍法及脈衝雷射沉積法而積層於鄰接之層上。
1.1.4硬塗層(A-4)
透光性導電性膜(A)亦可含有硬塗層(A-4)代替透光性基底層(A-3)、或除含有透光性基底層(A-3)以外亦進而含有硬塗層(A-4)，且至少一層透光性導電層(A-2)至少介隔硬塗層(A-4)而配置於透光性支持層(A-1)之面。
於透光性導電性膜(A)於透光性支持層(A-1)之同一面含有透光性基底層(A-3)及硬塗層(A-4)兩者之情形時，該透光性基底層(A-3)至少介隔該硬塗層(A-4)而配置於透光性支持層(A-1)之面。於該情形時，透光性基底層(A-3)較佳為與硬塗層(A-4)鄰接地配置。
硬塗層(A-4)較佳為與透光性支持層(A-1)之至少一面鄰接地配置。
硬塗層(A-4)可配置一層。或者亦可使兩層以上相互鄰接地、或介隔其他層而相互隔開地配置。
硬塗層(A-4)亦可配置於透光性支持層(A-1)之兩面。
於圖4中揭示本發明之積層膜之一態樣。於該態樣中，在透光性導電性膜(A)中，於透光性支持層(A-1)之一面直接配置有一硬塗層(A-4)，介隔該硬塗層(A-4)進而配置有透光性基底層(A-3)，介隔該透光性基底層(A-3)進而配置有透光性導電層(A-2)。又，於透 光性支持層(A-1)之另一面亦直接配置有另一硬塗層(A-4)。其他構成與後述圖5相同。
於本發明中，所謂硬塗層，係指發揮防止塑膠表面之損傷的作用者。作為硬塗層(A-4)，並無特別限定，例如可使用通常於觸控面板用透光性導電性膜中用作硬塗層者。
硬塗層(A-4)之素材並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺酯(urethane)系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。作為硬塗層(A-4)之素材，亦可列舉：進而使二氧化矽、氧化鋯、二氧化鈦及氧化鋁等膠體粒子等分散於上述樹脂中而成者。硬塗層(A-4)可為由該等中任一者單獨構成者，亦可為由複數種構成者。作為硬塗層(A-4)，較佳為分散有氧化鋯粒子之丙烯酸系樹脂。
硬塗層(A-4)平均一層之厚度並無特別限定，例如可列舉：0.03~10μm、0.5~5μm、及1~3μm等。於兩層以上相互鄰接地配置之情形時，只要相互鄰接之所有硬塗層(A-4)的合計厚度為上述範圍內即可。於上述例示列舉中，後出者優於前出者。
硬塗層(A-4)之折射率只要透光性導電性膜(A)可用於觸控面板用途，則並無特別限定，例如可列舉1.4~1.7等。
硬塗層(A-4)亦可具有高於透光性基底層(A-3)之折射率。於該情形時，透光性基底層(A-3)較佳為與硬塗層(A-4)之一面鄰接地配置。藉由採用上述構成，利用透光性基底層(A-3)及硬塗層(A-4)之光學干涉作用，而使透光性導電性膜(A)之透過率提高，因此較佳。又，藉由採用上述構成，使經圖案化之透光性導電層(A-2)之圖 案外觀得以減輕。
作為配置硬塗層(A-4)之方法，並無特別限定，例如可列舉：塗佈於膜並利用熱進行硬化之方法、利用紫外線或電子束等活性能量射線進行硬化之方法等。就生產性之方面而言，較佳為藉由紫外線進行硬化之方法。
1.1.5其他層(A-5)
本發明之透光性導電性膜可於透光性支持層(A-1)之至少一面除配置透光性導電層(A-2)以外，亦進而配置選自由透光性基底層(A-3)、硬塗層(A-4)及與該等不同之至少1種其他層(A-5)構成之群中至少1種層。
作為其他層(A-5)，並無特別限定，例如可列舉接著層等。
所謂接著層，係於兩層之間與該兩層相互鄰接地配置以使該兩層間相互接著而配置的層。作為接著層，並無特別限定，例如可使用通常於觸控面板用透光性導電性膜中用作接著層者。接著層可為由該等中任一者單獨構成者，亦可為由複數種構成者。
1.2保護膜(B)
於本發明中，所謂保護膜(B)，係指主要為了於捲取成膜捲時保護透光性導電性膜而貼附於透光性導電性膜而使用之膜。於被捲取之狀態下透光性導電層與保護膜之表面彼此成為相互鄰接之狀態，藉此保護透光性導電層。
作為保護膜(B)，並無特別限定，可自通常為了該目的所使用者之中，廣範圍地進行選擇。
保護膜(B)之素材並無特別限定，例如可列舉：聚酯、聚丙烯及聚乙烯等。該等之中，就耐熱性之方面而言，較佳為聚酯。
保護膜(B)於捲取成膜捲之狀態下與透光性導電層(A-2)相對向之表面，即換言之積層膜之保護膜(B)側的表面對水之接觸角為70°以上。藉此，本發明之積層膜於進行透光性導電層(A-2)之蝕刻處理後，蝕刻阻劑殘渣附著於保護膜側之表面的量減低。就減低蝕刻阻劑殘渣之附著量之方面而言，若該表面對水之接觸角為80°以上則更佳。
再者，於本發明中，對水之接觸角係以下述方式進行測定。使用協和界面科學股份有限公司製造之自動接觸角計(DM500)或其同等品進行測定。具體而言，切割出樣品，利用注射器自5mm之高度緩慢地滴下1μL之蒸餾水後，將注射器快速地自樣品撤離，進而放置3秒。放置後，利用CCD攝影機對該接觸角(硬塗層表面與液滴之切線所成之角)進行觀察並測定。反覆進行相同之操作10次，將其平均值設為本發明中之對水的接觸角。
本發明之積層膜通常Haze值只要為至少5%以下則無問題。因此，保護膜(B)之Haze值可於膜整體之Haze值成為5%以下之範圍內適當設定。於上述中，積層膜整體之Haze值若為3%以下則較佳，若為2.5%以下則更佳。
藉由使保護膜(B)與透光性導電性膜(A)之熱收縮率成為相互大致接近之數值，而可抑制於製成積層膜時捲曲之程度。
保護膜(B)之厚度並無特別限定，通常為25~125μm。
保護膜(B)之厚度並無特別限定，若於將透明導電性膜與 保護膜進行貼合之狀態下，合計厚度為170μm以上則較佳。該合計厚度若為170~270μm則更佳。
藉由使保護膜(B)與透光性導電性膜(A)之熱收縮率成為相互大致接近之數值，而可抑制於製成積層膜時捲曲之程度。
配置保護膜(B)之方法並無特別限定，通常可藉由經由後述黏著層而貼附於鄰接面而進行配置。
1.2.1黏著層(B-2)
保護膜(B)亦可成為積層構造，於該情形時，作為使具備上述1.2中說明之構成及特性之層成為主體的層(為方便起見將其稱為「保護層(B-1)」)，亦可進而含有例如黏著層(B-2)。
所謂黏著層(B-2)，係指為了將保護膜(B)配置於透光性導電性膜(A)之面而使用之層。
作為黏著層(B-2)，並無特別限定，可自通常為了該目的所使用者之中，廣範圍地進行選擇。一般而言，於該目的下，就加工性之觀點而言，使用丙烯酸系黏著劑或聚矽氧系黏著劑等。因此，例如亦可適當選擇該等而形成黏著層(B-2)。
於本發明之積層膜中，於該情形時，保護膜(B)係經由該黏著層(B-2)而配置於透光性導電性膜之面。因此，保護膜(B)之面中之與黏著層(B-2)一側相反側之面對水的接觸角為70°以上。
於圖5中揭示本發明之導電性膜之一態樣。於該態樣中，保護膜(B)係由保護層(B-1)及黏著層(B-2)構成，除此以外成為與圖1所示之態樣相同的構成。
1.2.2低聚物阻擋層(B-3)
保護膜(B)作為使具備上述1.2中說明之構成及特性之層成為主體的層(保護層(B-1))，可除含有黏著層(B-2)以外亦含有低聚物阻擋層(B-3)、或含有低聚物阻擋層(B-3)代替黏著層(B-2)。
所謂低聚物阻擋層(B-3)，係指為了防止於進行熱處理(例如於150℃1小時之熱處理)後低聚物於膜表面析出而使膜之外觀產生白濁而使用之層。
作為低聚物阻擋層(B-3)之材料，可自通常為了該目的使用之材料中，廣範圍地進行選擇。更具體而言，可自能夠形成透明之膜者中適當選擇，亦可為無機物、有機物或該等之複合材料。
低聚物阻擋層(B-3)之厚度並無特別限定，若為0.01~2μm則較佳。
於本發明之積層膜中，於該情形時，保護膜(B)以使該低聚物阻擋層(B-3)位於最表面之方式進行配置。因此，低聚物阻擋層(B-3)之表面對水的接觸角需為70°以上。
於圖6中揭示本發明之導電性膜之一態樣。於該態樣中，保護膜(B)係由保護層(B-1)及低聚物阻擋層(B-3)構成，除此以外成為與圖1所示之態樣相同之構成。
1.3本發明之積層膜之用途
可將藉由自本發明之積層膜剝離保護膜(B)而獲得之透光性導電性膜(A)用於製造觸控面板。關於觸控面板之詳細內容如3之說明所示。
2.本發明之膜捲
本發明之膜捲係對本發明之積層膜進行捲取而成的膜捲。
本發明之膜捲並無特別限定，通常係對寬度0.2~2m且長度10~1000m之本發明的積層膜進行捲取而成。
本發明之膜捲並無特別限定，可以例如下述方式而獲得。於透光性支持層(A-1)上視需要配置成為透光性導電層(A-2)之基底的層、及其他層後，於其相反側之面貼附保護膜(B)，對該積層膜進行捲取，藉此製成膜捲。此時，亦可對該積層膜進行表面處理。將該膜捲直接以捲狀投入濺鍍裝置，一面捲取成捲狀一面形成透光性導電層(A-1)，藉此可獲得本發明之膜捲。
將該捲取成捲狀之積層膜裁剪成片狀後，視需要實施各種加工，自由此所得之片狀積層膜進而將保護膜(B)剝離，藉此獲得透光性導電性膜(A)，可將其用作觸控面板用透明電極等。
3.本發明之觸控面板
本發明之觸控面板係含有藉由自本發明之積層膜將保護膜(B)剝離所獲得之透光性導電性膜(A)、進而視需要含有其他構件而成。
本發明之觸控面板並無特別限定，例如可為靜電電容型觸控面板。作為本發明之靜電電容型觸控面板之具體構成例，可列舉如下構成。再者，以使保護層(1)側朝向操作畫面側、玻璃(5)側朝向與操作畫面相反之側的方式使用。
(1)保護層
(2)本發明之透光性導電性膜(Y軸方向)
(3)絕緣層
(4)本發明之透光性導電性膜(X軸方向)
(5)玻璃
本發明之靜電電容型觸控面板並無特別限定，可藉由依據通常之方法將例如上述(1)~(5)、以及視需要之其他構件進行組合而製造。
4.本發明之積層膜之製造方法
本發明之積層膜之製造方法亦可含有透光性導電性膜(A)之製造方法所含之步驟。透光性導電性膜(A)之製造方法可含有於透光性支持層(A-1)之至少一面除配置透光性導電層(A-2)以外，亦可分別配置選自由透光性基底層(A-3)、硬塗層(A-4)及與該等不同之至少1種其他層(A-5)構成之群中至少1種層的各步驟。
本發明之積層膜之製造方法可含有保護膜(B)之製造方法所含之步驟。保護膜(B)之製造方法可分別含有於保護層(B-1)之一面配置黏著層(B-2)、及/或於其另一面配置低聚物阻擋層(B-3)的各步驟。
於上述各步驟中，配置各層之步驟如有關各層之說明所示。於除配置透光性導電層(A-2)以外亦配置至少1種其他層之情形時，例如可於透光性支持層(A-1)之至少一面自透光性支持層(A-1)側起依序配置，配置之順序並無特別限定。例如可最初於並非透光性支持層(A-1)之層(例如透光性導電層(A-2))之一面配置其他層。或者亦可於一方面藉由將2種以上之層以使之相互鄰接之方式進行配置而獲得1種複合層，其後或與其同時於另一方面同樣地將2種以上之層以使之相互鄰接之方式進行配置而獲得1種複合層，進而將該等2種複合層以使之相互鄰接 之方式進行配置。
又，本發明之積層膜之製造方法可含有於透光性導電性膜(A)之一面直接或介隔其他膜而配置保護膜(B)的步驟以代替上述步驟、或除含有上述步驟以外亦含有於透光性導電性膜(A)之一面直接或介隔其他膜而配置保護膜(B)的步驟。
[實施例]
以下揭示實施例而更詳細地說明本發明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
1.實施例
1.1硬塗用材料之製備
1.1.1硬塗1(H1)
於含光聚合劑之丙烯酸系低聚物中添加以5：5(重量比)之比率混合甲苯與甲基異丁基酮(MIBK)而成之混合溶劑，而製備液狀之硬塗用材料(固體成分濃度：40重量%)。
1.1.2保護膜
製備如下黏著劑溶液：相對於綜研化學公司製造之黏著劑SK-Dyne 1473H(固體成分30%)之固體成分100重量份而調配異氰酸酯系交聯劑1重量份，進而添加乙酸乙酯而將固體成分濃度調整為10%。將其以厚度成為10μm之方式塗佈於PET膜上，於100℃乾燥2分鐘，而形成黏著劑層。進而，於40℃之條件下進行72小時之老化而獲得表面保護膜。作為PET膜之基材，係使用於單面附著有低聚物阻擋層者。測定低聚物阻擋層之接觸角，結果為80°。將該保護膜稱為「保護膜R1」。
1.2實施例1
將厚度125μm之易接著性聚酯膜(東洋紡股份有限公司製造，商品名：A4300)作為透光性支持層，於其一面利用棒式塗佈機塗佈液狀之硬塗用材料(H1)，進而使用乾燥烘箱於100℃×1分鐘之條件下對該塗膜進行加熱乾燥。繼而，對乾燥後之塗膜照射紫外線(照射量：300mJ/cm2)，藉此於透光性支持層上配置厚度約2μm之硬塗層。
亦對透光性支持層之另一面實施相同之操作，藉此獲得於透光性支持層之兩面配置有厚度約2μm之硬塗層之膜(硬塗膜)。於將該膜捲起之前於硬塗膜之單面層壓保護膜R1。
使用由氧化銦95重量%及氧化錫5重量%構成之燒結體材料作為靶材，藉由DC磁控濺鍍法於如此獲得之膜的與層壓有保護膜R1之面相反側的面形成透光性導電層。具體而言，對腔室內進行真空排氣直至成為5×10-4Pa以下後，於該腔室內導入由氬氣95%及氧氣5%構成之混合氣體，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa而實施濺鍍。再者，以使最終獲得之透明導電層之膜厚成為20nm之方式實施濺鍍。獲得之膜於退火處理後(150℃，1小時)之片電阻值為150Ω/□。
1.3實施例2~4
使用保護膜之低聚物阻擋層之接觸角為表1中記載之接觸角的保護膜(R2~R4)，除此以外均以與實施例1相同之方式進行加工。
2.比較例1及2
使用保護膜之低聚物阻擋層之接觸角為表1中記載之接觸角的保護膜(R5、R6)，除此以外均以與實施例1相同之方式進行加工。
3.各種評價方法
各種評價方法如下所示。
3.1抗蝕劑殘渣附著確認方法
3.1.1抗蝕劑殘渣之準備
於耐酸抗蝕劑中使用互應化學工業製造之紫外線硬化型蝕刻阻劑(TPER-194B-2)。將該抗蝕劑薄薄地塗佈於適當之膜基材的表面後，照射累積光量1,000mJ/cm2之紫外線，而使抗蝕劑硬化。
繼而，浸漬於鹼液、具體而言3%重量濃度之氫氧化鈉水溶液250ml中，而使抗蝕劑之硬化皮膜自膜基材膨潤剝離。
回收膜基材後，使用超音波均質機將抗蝕劑之硬化皮膜破碎成適當之大小，藉此獲得分散有微細抗蝕劑膜之鹼液。
3.1.2評價之方法
輕微攪拌該鹼液而使微細抗蝕劑膜均勻分散後，直接浸漬實施例及比較例中分別獲得之積層膜，使抗蝕劑膜附著於保護膜側之面。
繼而，將藉由利用純水溫和地清洗而可將保護膜側之面附著的抗蝕劑膜容易地去除者設為◎、將藉由使積層膜於純水中稍許振動而可將保護膜側之面附著的抗蝕劑膜去除者設○、將無法去除者設為×。
將評價結果示於表1。得知於使用至少接觸角為53.1~68.1°之保護膜的情形時，難以將保護膜面附著之抗蝕劑殘渣去除，另一方面，於使用至少接觸角為71.0~85.0°之保護膜的情形時，易將保護膜面附著之抗蝕劑殘渣去除。
Figure TWI614141BD00001

Claims (5)

  1. 一種積層膜，含有(A)透光性導電性膜、及(B)保護膜，其特徵在於：該透光性導電性膜(A)含有(A-1)透光性支持層、及(A-2)透光性導電層各一層以上，且至少一側之最外層為一透光性導電層(A-2)，該透光性導電性膜(A)之最外層之該透光性導電層(A-2)的至少一層配置於該積層膜之一表面，保護膜(B)可剝離地貼附於該積層膜之另一表面，且該保護膜(B)側之該表面對水之接觸角為70°以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層膜，其中，該透光性導電層(A-2)含有氧化銦錫。
  3. 一種膜捲，其係對申請專利範圍第1或2項之積層膜進行捲取而成。
  4. 一種透光性導電性膜，其可藉由含有如下步驟之方法而獲得，該步驟係藉由自申請專利範圍第1至3項中任一項之積層膜剝離保護膜(B)，而獲得透光性導電性膜(A)。
  5. 一種觸控面板，含有申請專利範圍第4項之透光性導電性膜。
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