TW201331723A - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

微影裝置及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201331723A
TW201331723A TW101147225A TW101147225A TW201331723A TW 201331723 A TW201331723 A TW 201331723A TW 101147225 A TW101147225 A TW 101147225A TW 101147225 A TW101147225 A TW 101147225A TW 201331723 A TW201331723 A TW 201331723A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
frame
movable frame
imbalance
frames
movable
Prior art date
Application number
TW101147225A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI498681B (zh
Inventor
Hans Butler
Arno Jan Bleeker
Pieter Renaat Maria Hennus
Martinus Hendricus Henricus Hoeks
Sven Antoin Johan Hol
Der Schoot Harmen Klaas Van
Bernardus Antonius Slaghekke
Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans
Der Wijst Marc Wilhelmus Maria Van
Koen Jacobus Johannes Maria Zaal
Theodorus Petrus Maria Cadee
Ruud Antonius Catharina Maria Beerens
Olof Martinus Josephus Fischer
Wilhelmus Henricus Theodorus Maria Aangenent
Niels Johannes Maria Bosch
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201331723A publication Critical patent/TW201331723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI498681B publication Critical patent/TWI498681B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G03F7/70366—Rotary scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70816—Bearings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一種曝光裝置，其包括：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；及一致動器系統，其經組態以使該可移動框架位移至遠離對應於該可移動框架之幾何中心之一軸線的一軸線且致使該框架圍繞通過該框架之質心之一軸線而旋轉。

Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影或曝光裝置及一種用於製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部件上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)、平板顯示器及具有精細特徵之其他元件或結構之製造中。在習知微影裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化元件可用以產生對應於IC、平板顯示器或其他元件之個別層之電路圖案)。可(例如)經由成像至提供於基板(例如，矽晶圓或玻璃板)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而將此圖案轉印於基板(之部件)上。在一相似方面，曝光裝置為使用輻射光束以將所要圖案形成於基板(或其部件)上或中之機器。
代替電路圖案，圖案化元件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化元件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之可個別控制器件陣列。此「無光罩」系統相比於習知以光罩為基礎之系統的優點為：可更快地且成本更少地提供及/或改變圖案。
因此，無光罩系統包括可程式化圖案化元件(例如，空間光調變器、對比元件，等等)。可程式化圖案化元件經程式化(例如，電子地或光學地)以使用可個別控制器件陣列來形成所要經圖案化光束。可程式化圖案化元件之類型 包括微鏡面陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列、自發射對比元件陣列，及其類似者。可程式化圖案化元件亦可由電光偏轉器形成，電光偏轉器經組態(例如)以使投影至基板上之輻射光點移動或間歇地引導輻射光束遠離基板而(例如)到達輻射光束吸收器。在任一此類配置中，輻射光束可連續。
在曝光裝置中，某些組件以高速率/加速度又以高準確度之移動為在改良產出率及圖案曝光準確度方面之顯著因素。通常，改良型產出率及圖案曝光準確度之兩個需求可彼此相矛盾；較高加速度/速率可造成較高內部動態振動(或變形)，此情形可引起圖案曝光準確度之劣化。
因此，舉例而言，需要提供一種可提供可移動組件之較高速率/加速度又保持圖案曝光準確度之系統。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；及一致動器系統，其經組態以使該可移動框架位移至遠離對應於該可移動框架之幾何中心之一軸線的一軸線且致使該框架圍繞通過該框架之質心之一軸線而旋轉。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含： 一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該框架旋轉；及該致動器系統之一控制器，其經組態以前饋一迴轉補償。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；及一致動器系統，其用以致使該框架相對於一部件而旋轉，該部件相對於該框架實質上靜止，且該致動器系統具有一致動器以致使該框架相對於該部件而位移；及一反作用質量塊，其可移動地附接至該部件，該反作用質量塊具有該致動器之一部分。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；及一致動器系統，其用以致使該框架旋轉，該致動器系統包含圍繞該軸線之至少兩個馬達；複數個感測器，該複數個感測器中每一者位於實質上平 分兩個鄰近馬達之角位置的一角位置處。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；及一致動器系統，其用以致使該框架旋轉，該致動器系統包含圍繞該軸線之至少兩個馬達之一第一集合及圍繞該軸線且在該第一集合下方之至少兩個馬達之一第二集合，其中該第二集合係相對於該第一集合圍繞該軸線而旋轉。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該框架旋轉；及一感測器系統，其用以在一實質上切線方向上量測該框架。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該可移動框架旋轉；及 一控制器，其用以調整該可移動框架之一位置以至少部分地補償該可移動框架之不平衡或另一可移動框架之不平衡。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該框架旋轉；及一控制器，其用以調整該等輻射光束中至少一者之一特性以至少部分地補償該框架或施加至該框架之一不平衡。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線而旋轉；及使該可移動框架位移至遠離對應於該可移動框架之幾何中心之一軸線的一軸線且致使該框架圍繞通過該框架之質心之一軸線而旋轉。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線而旋轉；及使用具有一迴轉補償之一前饋之一控制迴路來控制該可移動框架之一傾斜。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線且相對於一部件而旋轉，該部件相對於該框架實質上靜止；及吸收可移動地附接至該部件之一反作用質量塊中之一致動器反作用力，該反作用質量塊具有用以定位該框架之該致動器之一部分。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使用一致動器系統使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線而旋轉，該致動器系統包含圍繞該軸線之至少兩個馬達；及使用複數個感測器來量測該框架，該複數個感測器中每一者位於實質上平分兩個鄰近馬達之角位置的一角位置處。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；及使用一致動器系統使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線而旋轉，該致動器系統包含圍繞該軸線之至少兩個馬達之一第一集合及圍繞該軸線且在該第一集合下方之至少兩個馬達之一第二集合，其中該第二集合係相對於該第一 集合圍繞該軸線而旋轉。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使用一致動器系統使包含一透鏡之一可移動框架圍繞一軸線而旋轉；及使用一感測器系統在一實質上切線方向上量測該框架。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使用一致動器系統使一可移動框架圍繞一軸線而旋轉；及調整該框架之一位置以至少部分地補償該框架之不平衡或另一可移動框架之不平衡。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：將複數個輻射光束投影至一目標上；使用一致動器系統使一可移動框架圍繞一軸線而旋轉；及調整該等輻射光束中至少一者之一特性以至少部分地補償該框架或施加至該框架之一不平衡。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
本發明之一實施例係關於一種可包括可程式化圖案化元 件之裝置，可程式化圖案化元件可(例如)包含一或若干自發射對比元件陣列。可在全文據此以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2010/032224 A2號、美國專利申請公開案第US 2011-0188016號、美國專利申請案第US 61/473636號及美國專利申請案第61/524190號中找到關於此裝置之另外資訊。然而，本發明之一實施例可與包括(例如)上文所論述之可程式化圖案化元件的任何形式之可程式化圖案化元件一起使用。
圖1示意性地描繪微影或曝光裝置之部件的示意性橫截面側視圖。在此實施例中，該裝置具有在X-Y平面中實質上靜止之可個別控制器件，如下文進一步所論述，但無需為該狀況。裝置1包含用以固持基板之基板台2，及用以使基板台2在高達6個自由度中移動之定位元件3。基板可為抗蝕劑塗佈基板。在一實施例中，基板為晶圓。在一實施例中，基板為多邊形(例如，矩形)基板。在一實施例中，基板為玻璃板。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例中，基板為箔片。在一實施例中，裝置適於卷軸式製造(roll-to-roll manufacturing)。
裝置1進一步包含經組態以發射複數個光束之複數個可個別控制自發射對比元件4。在一實施例中，自發射對比元件4為輻射發射二極體，諸如，發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED)，或雷射二極體(例如，固態雷射二極體)。在一實施例中，可個別控制器件4中每 一者為一藍紫色雷射二極體(例如，Sanyo型號DL-3146-151)。此等二極體可由諸如Sanyo、Nichia、Osram及Nitride之公司供應。在一實施例中，二極體發射(例如)具有約365奈米或約405奈米之波長之UV輻射。在一實施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至200毫瓦特之範圍之輸出功率。在一實施例中，雷射二極體(裸晶粒)之大小係選自100微米至800微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自0.5平方微米至5平方微米之範圍之發射面積。在一實施例中，雷射二極體具有選自5度至44度之範圍之發散角。在一實施例中，二極體具有用以提供大於或等於約6.4×108 W/(m2.sr)之總亮度之組態(例如，發射面積、發散角、輸出功率，等等)。
自發射對比元件4配置於框架5上且可沿著Y方向及/或X方向而延伸。雖然展示一個框架5，但裝置可具有複數個框架5，如圖2所示。透鏡12進一步配置於框架5上。框架5在X-Y平面中實質上靜止，且因此，自發射對比元件4及透鏡12在X-Y平面中實質上靜止。框架5、自發射對比元件4及透鏡12可由致動器7在Z方向上移動。或者或另外，透鏡12可由與此特定透鏡有關之致動器在Z方向上移動。視情況，每一透鏡12可具備一致動器。
自發射對比元件4可經組態以發射光束，且投影系統12、14及18可經組態以將光束投影至基板之目標部分上。自發射對比元件4及投影系統形成光學柱。裝置1可包含致動器(例如，馬達)11以使光學柱或其部件相對於基板而移 動。經配置有場透鏡14及成像透鏡18之框架8可用致動器而可旋轉。場透鏡14與成像透鏡18之組合形成可移動光學件9。在使用時，框架8(例如)在由圖2中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線10而旋轉。框架8係使用致動器(例如，馬達)11圍繞軸線10而旋轉。另外，框架8可由馬達7在Z方向上移動，使得可移動光學件9可相對於基板台2而位移。
具有孔隙之孔隙結構13可在透鏡12與自發射對比元件4之間位於透鏡12上方。孔隙結構13可限制透鏡12、關聯自發射對比元件4及/或鄰近透鏡12/自發射對比元件4之繞射效應。
可藉由使框架8旋轉且同時地使基板台2上之基板在光學柱下方移動來使用所描繪裝置。當透鏡12、14及18彼此實質上對準時，自發射對比元件4可發射光束通過該等透鏡。藉由使透鏡14及18移動，使基板上之光束遍及基板之部分進行掃描。藉由同時地使基板台2上之基板在光學柱下方移動，經受自發射對比元件4之光束的基板之部分亦移動。藉由在控制器之控制下以高速率「接通」及「關斷」自發射對比元件4(例如，當自發射對比元件4「關斷」時不具有輸出或具有低於臨限值之輸出，且當自發射對比元件4「接通」時具有高於臨限值之輸出)、控制光學柱或其部件之旋轉、控制自發射對比元件4之強度且控制基板之速率，可將所要圖案提供於基板上之抗蝕劑層中。
圖2描繪具有自發射對比元件4的圖1之微影或曝光裝置的示意性俯視圖。類似於圖1所示之裝置1，裝置1包含： 基板台2，其用以固持基板17；定位元件3，其用以使基板台2在高達6個自由度中移動；對準/位階感測器19，其用以判定自發射對比元件4與基板17之間的對準，且用以判定基板17是否處於相對於自發射對比元件4之投影之位階。如所描繪，基板17具有矩形形狀，然而，或者或又，可處理圓形基板。
自發射對比元件4配置於框架15上。自發射對比元件4可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖2所示，自發射對比元件4可經配置成在X-Y平面中延伸之陣列21。
陣列21可為狹長線。在一實施例中，陣列21可為自發射對比元件4之一維陣列。在一實施例中，陣列21可為自發射對比元件4之二維陣列。
可提供可在由箭頭所描繪之方向上旋轉之旋轉框架8。該旋轉框架可具備透鏡14、18(圖1所示)以投影自發射對比元件4中每一者之光束。該裝置可具備致動器以使包含框架8及透鏡14、18之光學柱相對於基板而旋轉。
圖3描繪旋轉框架8之高度示意性透視圖，旋轉框架8在其周界處具備透鏡14、18。複數個光束(在此實例中為10個光束)入射至該等透鏡中之一者上且投影至由基板台2固持之基板17之目標部分上。在一實施例中，複數個光束係以直線形式而配置。可旋轉框架可藉由致動器(圖中未繪示)圍繞軸線10而旋轉。由於可旋轉框架8之旋轉，光束將入射於順次透鏡14、18(場透鏡14及成像透鏡18)上，且將 在入射於每一順次透鏡上之情況下被偏轉，藉此以便沿著基板17之表面之部分而行進，此將參看圖4予以更詳細地解釋。在一實施例中，每一光束係由一各別源(亦即，自發射對比元件，例如，雷射二極體(圖3中未繪示))產生。在圖3所描繪之配置中，光束係由分段鏡面30偏轉及聚集，以便縮減光束之間的距離、藉此使較大數目個光束能夠投影通過同一透鏡且達成待在下文論述之解析度要求。
隨著可旋轉框架旋轉，光束入射於順次透鏡上，且每當透鏡受到光束輻照時，供光束入射於透鏡之表面上的位置就移動。因為光束取決於光束在透鏡上之入射位置而不同地(以(例如)不同偏轉)投影於基板上，所以光束(當到達基板時)將隨著每次通過一後繼透鏡而進行一掃描移動。參看圖4來進一步解釋此原理。圖4描繪可旋轉框架8之部件的高度示意性俯視圖。第一光束集合係由B1表示，第二光束集合係由B2表示，且第三光束集合係由B3表示。每一光束集合投影通過可旋轉框架8之各別透鏡集合14、18。隨著可旋轉框架8旋轉，光束B1在掃描移動中投影至基板17上，藉此掃描區域A14。相似地，光束B2掃描區域A24，且光束B3掃描區域A34。在由對應致動器對可旋轉框架8之旋轉的同時，基板17及基板台在方向D上移動，該移動可沿著如圖2所描繪之X軸，藉此實質上垂直於區域A14、A24、A34中之光束之掃描方向。由於由第二致動器在方向D上之移動(例如，由對應基板台馬達對基板台之移動)，當由可旋轉框架8之順次透鏡投影時光束之順次掃描 被投影，以便彼此實質上鄰接，從而引起針對光束B1之每一順次掃描之實質上鄰接區域A11、A12、A13、A14(區域A11、A12、A13先前被掃描且A14當前被掃描，如圖4所示)、引起針對光束B2之區域A21、A22、A23及A24(區域A21、A22、A23先前被掃描且A24當前被掃描，如圖4所示)，且引起針對光束B3之區域A31、A32、A33及A34(區域A31、A32、A33先前被掃描且A34當前被掃描，如圖4所示)。藉此，在使可旋轉框架8旋轉的同時，可隨著基板在方向D上之移動而覆蓋基板表面之區域A1、A2及A3。多個光束通過同一透鏡之投影會允許在較短時間範圍內處理整個基板(以可旋轉框架8之相同旋轉速率)，此係因為：對於對透鏡之每次通過，複數個光束用每一透鏡來掃描基板，藉此允許針對順次掃描在方向D上之位移增加。以不同觀點而言，對於給定處理時間，當多個光束經由同一透鏡而投影至基板上時，可縮減可旋轉框架之旋轉速率，藉此可能地縮減歸因於高旋轉速率之效應，諸如，可旋轉框架之變形、磨損、振動、擾動，等等。在一實施例中，複數個光束經配置為與透鏡14、18之旋轉之切線方向成角度，如圖4所示。在一實施例中，複數個光束經配置成使得每一光束重疊於或鄰接於鄰近光束之掃描路徑。
可在放寬容許度時發現多個光束由同一透鏡同時地投影之態樣之另外效應。歸因於透鏡之容許度(定位、光學投影，等等)，順次區域A11、A12、A13、A14(及/或區域A21、A22、A23及A24，及/或區域A31、A32、A33及A34) 之位置可展示相對於彼此的某種程度之定位不準確度。因此，可需要在順次區域A11、A12、A13、A14之間的某種程度之重疊。在一個光束之(例如)10%作為重疊之狀況下，處理速率將藉此在單一光束同時地通過同一透鏡之狀況下縮減達10%之相同因數。在5個或5個以上光束同時地投影通過同一透鏡之情形中，將針對每5個或5個以上經投影線提供10%之相同重疊(相似地參考上文之一個光束實例)，因此將總重疊縮減達大約5%或5%以上至2%或2%以下之因數，藉此具有對總處理速率之顯著較低效應。相似地，投影至少10個光束可將總重疊縮減達大約為原先的1/10之因數。因此，容許度對基板之處理時間之效應可因多個光束由同一透鏡同時地投影之特徵而縮減。或者或另外，可允許較多重疊(因此允許較大容許度帶)，此係因為其對處理之效應低(假如多個光束係由同一透鏡同時地投影)。
替代經由同一透鏡而同時地投影多個光束或除了經由同一透鏡而同時地投影多個光束以外，亦可使用交織技術，然而，此情形可需要在透鏡之間的可比較更嚴格之匹配。因此，經由透鏡中之同一透鏡而同時地投影至基板上之至少兩個光束具有相互間隔，且裝置可經配置以操作第二致動器，以便使基板相對於光學柱而移動以具有待投影於該間隔中之光束之後繼投影。
為了在方向D上縮減在群組中之順次光束之間的距離(藉此(例如)在方向D上達成較高解析度)，相對於方向D，可 相對於彼此對角地配置該等光束。可藉由在光學路徑中提供分段鏡面30而進一步縮減間隔，每一片段用以反射光束中之一各別光束，該等片段經配置以便相對於在入射於該等鏡面上之光束之間的間隔來縮減在由該等鏡面反射之光束之間的間隔。此效應亦可由複數個光纖達成，光束中每一者入射於該等光纖中之一各別光纖上，該等光纖經配置以便沿著光學路徑相對於在該等光纖上游之光束之間的間隔來縮減在該等光纖下游之光束之間的間隔。
另外，可使用具有複數個輸入之整合式光學波導電路來達成此效應，每一輸入用於接收光束中之一各別光束。整合式光學波導電路經配置以便沿著光學路徑相對於在整合式光學波導電路上游之光束之間的間隔來縮減在整合式光學波導電路下游之光束之間的間隔。
可提供用於控制投影至基板上之光束之聚焦的系統。可提供用以調整由呈如上文所論述之配置之光學柱之部件或全部投影的光束之聚焦的配置。
在一實施例中，投影系統將至少一輻射光束投影至由在待形成有一元件之基板17上方之材料層形成的基板上，以便致使由雷射誘發性材料轉移對材料(例如，金屬)小滴之局域沈積。待投影有輻射光束之基板可被稱作目標。
參看圖5，描繪雷射誘發性材料轉移之實體機構。在一實施例中，以低於實質上透明材料202(例如，玻璃)之電漿崩潰之強度使輻射光束200聚焦通過材料202。在由上覆於材料202之供體材料層204(例如，金屬膜)形成之基板上發 生表面熱吸收。熱吸收會致使供體材料204熔融。另外，加熱在前向方向上造成誘發性壓力梯度，從而導致供體材料小滴206自供體材料層204且因此自供體結構(例如，板)208之前向加速。因此，自供體材料層204釋放供體材料小滴206且使供體材料小滴206移動(憑藉或不憑藉重力)朝向及到達待形成有一元件之基板17。藉由將光束200指向於供體板208上之適當位置上，可將供體材料圖案沈積於基板17上。在一實施例中，將光束聚焦於供體材料層204上。
在一實施例中，使用一或多個短脈衝以致使供體材料轉移。在一實施例中，該等脈衝之長度可為幾皮秒或飛秒以獲得熔融材料之準一維前向熱及質量轉移。此等短脈衝在材料層204中促進很少至無側向熱流，且因此在供體結構208上促進很少或無熱負荷。短脈衝實現材料之快速熔融及前向加速(例如，諸如金屬之汽化材料將失去其前向方向性，從而導致飛濺沈積)。短脈衝使材料能夠加熱至恰好高於加熱溫度，但低於汽化溫度。舉例而言，對於鋁，約攝氏900度至攝氏1000度之溫度係理想的。
在一實施例中，經由使用雷射脈衝，將適量材料(例如，金屬)以100奈米至1000奈米之小滴之形式自供體結構208轉移至基板17。在一實施例中，供體材料包含金屬或基本上由金屬組成。在一實施例中，金屬為鋁。在一實施例中，材料層204呈膜之形式。在一實施例中，膜附接至另一本體或層。如上文所論述，本體或層可為玻璃。
曝光裝置可具有數個移動物件。以下論述集中於用以(例如)增加一或多個此等物件之加速度、增加此(此等)物件之速率、縮減此(此等)物件之振動、改良此(此等)物件之控制等等的方式。曝光裝置中之實例可移動物件為如上文所論述之框架8。具有(例如)場透鏡14及/或成像透鏡18之框架8可在曝光裝置中旋轉且可以高速率而旋轉。致動器11用以驅動框架8之移動。本文中之論述將集中於可旋轉框架8(其可另外以線性方式而移動)，但本文所描述之概念、原理及實施例可在適當時應用於線性移動物件(例如，線性移動框架8)。另外，雖然本文中之論述將集中於框架8，但本文所描述之概念、原理及實施例可在適當時應用於(例如)曝光裝置中之一或多個額外或不同移動物件。
參看圖6，連同致動器11一起描繪框架8之實施例的高度示意性俯視圖。致動器11包含複數個馬達300，每一馬達具有其圍繞框架8之部件而間隔且安裝於靜止部件上之部件，該靜止部件相對於框架8實質上靜止(但在一實施例中，在某些情況下靜止部件可相對於框架8而移動)。在一實施例中，靜止部件可為支撐框架5、15(其視情況可經安裝有一或多個量測標記或感測器)。在一實施例中，存在圍繞框架8之部件均勻地間隔之至少四個馬達300。每一馬達300可包含一線圈及磁體。在一實施例中，馬達300之磁體安裝於框架8上，且馬達300之線圈安裝於靜止部件上。在一實施例中，馬達300之線圈安裝於框架8上，且馬達 300之磁體安裝於靜止部件上。另外，雖然馬達300之部件被展示為在框架8外部，但若靜止部件在框架8內部，則馬達300之部件無需在框架8外部。參見(例如)描述靜止部件在框架8內部之實施例的圖13。
在一實施例中，馬達300中之一或多者可為磁阻馬達。磁阻馬達可如2011年7月9日申請之美國專利申請案第13/156,924號所描述，該專利申請案之全文係以引用方式併入本文中。當以轉子-定子配置(例如，可移動框架8及其靜止部件)進行實施時，磁阻馬達可相對於定子來施加其力。轉子相對於定子之位置量測使能夠藉由方程式來計算導致施加至轉子之正確力F之電流，其中i為磁阻馬達中之電流，g為磁阻馬達之定子部件與轉子部件之間的間隙，且k為由磁阻馬達設計界定之常數。
馬達300可致使框架8在X方向及/或Y方向上移動，且視情況圍繞X方向及/或Y方向而旋轉。另外，在一實施例中，馬達300中之一或多者可致使框架8圍繞幾何中心軸線10而旋轉及/或使框架8在Z軸上移動。或者或另外，可提供一或多個馬達301以致使框架8圍繞幾何中心軸線10而旋轉及/或使框架8在Z軸上移動。另外，展示框架8之質心302，且馬達300、301可致使框架8圍繞通過質心302之軸線而旋轉，如此後所論述。
另外，在一實施例中，馬達300中之一或多者可包含與其相關聯之軸承。在一實施例中，軸承包含主動式磁性軸承(AMB)。在一實施例中，軸承包含氣體軸承(例如，空氣 軸承)。在一實施例中，軸承處於與馬達300之部位實質上相同的部位。在一實施例中，或者，軸承可處於不同部位，或可存在除了馬達300處之一或多個軸承以外的一或多個額外軸承。軸承可規定可移動框架8在5個自由度中具剛性且在另一自由度中相對自由，例如，圍繞Z軸之旋轉。
參看圖7，連同致動器11一起描繪框架8之高度示意性側視圖。在此視圖中可看出，馬達300可包含馬達300之上部集合及馬達300之下部集合(例如，馬達300可位於框架8之末端處或附近)。因此，除了馬達300能夠控制框架8以在X方向及/或Y方向上移動以外，馬達300亦可另外致使框架8在Rx方向及/或Ry方向上移動。在一實施例中，馬達300及/或馬達301可致使框架8在Z方向上移動。在一實施例中，如上文所論述，框架8可由位於馬達300之部位中之一或多者處的一或多個主動式磁體軸承支撐。主動式磁體軸承允許框架8圍繞Z方向自由地旋轉，且主動式地控制框架8在X方向及Y方向上之位置。在圖7中，可提供上部主動式磁性軸承及下部主動式磁性軸承(分別位於馬達300之上部集合及下部集合處)，此情形允許在Rx方向及/或Ry方向上控制框架8(除了在X方向及Y方向上控制框架8以外)。未展示用於Z方向及Rz方向之軸承，但框架8可(例如)在Z方向上由位於(例如)馬達301之部位中之一或多者處的任何合適被動式或主動式軸承支撐。
圖8展示如由圖7中之箭頭「A」指示的橫截面圖，其展 示基於框架8與靜止部件304之間的電磁懸浮原理而工作之主動式磁性軸承，框架8及靜止部件304具有馬達300之各別部件。主動式磁性軸承包含：電磁體總成306、308；用以將電流供應至電磁體306之功率放大器集合(圖中未繪示)；及用以控制框架8在框架8之部件與靜止部件304之間的間隙310內之位置的控制器(圖中未繪示)。在如圖8所示之實例中，展示四對主動式磁性軸承，但諸如1個、2個、3個或4個以上之另一數目個主動式磁性軸承係可能的。在一實施例中，可提供感測器312以量測框架8相對於靜止部件304之位置及/或判定施加至框架8之力。感測器連接至關聯電子件以將回饋提供至控制器，以使能夠控制施加至框架之力及/或框架之位置。在一實施例中，感測器可包含用以量測磁通量且因此量測力之量測線圈312。量測線圈可如2011年7月9日申請之美國專利申請案第13/156,924號所描述，該專利申請案之全文係以引用方式併入本文中。量測線圈312可產生一信號，該信號為(例如)歸因於主動式磁性軸承之磁路中產生之磁通量而在量測線圈312中誘發的電壓。表示通過磁路之磁通量之量測信號使能夠準確地預測所產生力。積分器(圖中未繪示)可自量測信號(例如，誘發性電壓)獲得表示通過磁路之磁通量之信號。因此，可自量測線圈312之信號導出用以控制提供至電磁體總成306、308之電流之振幅的控制信號。
在一實施例中，功率放大器將實質上相等偏壓電流供應至圍繞框架8之部件而配置之主動式磁體軸承的電磁體。 框架8之位置受到可隨著框架8偏離其中心位置而使偏壓電流偏移之控制器控制。主動式磁性軸承相比於習知軸承之優點在於：舉例而言，其不同樣多地遭受磨損、具有低摩擦且常常可自動地適應質量分佈之不規則性，從而允許轉子以低振動圍繞通過其質心之軸線而自旋。
在高準確度及/或高速率應用中，高剛度(例如，由氣體軸承或由主動式磁性軸承之控制器之高頻寬提供)用以提供移動物件及/或支撐移動物件之框架之足夠追蹤。舉例而言，可移動框架8及/或支撐框架5、15之位置及/或振動應受到良好地控制，以便使光束可準確地投影於適用目標上。
高剛度軸承可歸因於(例如)可移動框架8之不平衡而將力引入於可移動框架8及/或支撐框架5、15中。即使在極平衡之可移動框架8的情況下，亦可發生(例如)在140赫茲之旋轉頻率下的1牛頓之力，此情形可引起(例如)框架8之150奈米以上定位誤差。在一實施例中，可允許僅10奈米定位誤差以實現光束之足夠準確投影。
因此，在一實施例中，參看圖6，使框架8圍繞通過其質心302之軸線而旋轉，而非圍繞框架8之幾何中心10而旋轉，按照慣例可進行圍繞框架8之幾何中心10之旋轉。為此，由主動式磁性軸承施加「零力(zero force)」，此情形引起框架8圍繞通過其質心302之軸線(而非圍繞幾何中心10)之旋轉。亦即，用於主動式磁性軸承之控制器C應不產生作用於測定位置及/或力的用於各別主動式磁性軸承致 動器P之抵制力(若此測定位置/力偏差係由框架8之不平衡造成)。有效地，將不存在「剛性」軸承而使得可移動框架8除了所要旋轉以外亦可在一或多個其他方向上移動，使得可移動框架8可到達相對於致動器11之位置處而使得可移動框架8可圍繞通過質心302之軸線而旋轉。
參看圖9，用於X方向主動式磁性軸承致動器Px之控制器C應接受依據旋轉之正弦回應，且用於Y方向主動式磁性軸承致動器Py之控制器C應接受依據位置之餘弦回應。但，為了對此等回應不起反作用，參看圖10，應使用正弦/餘弦信號以補償測定位置/力，或將正弦/餘弦信號用作控制器C之設定點。產生正弦設定點而使得其補償歸因於不平衡之測定位置/力，且因此，控制器C之輸入回應於此測定位置/力而保持為零。在一實施例中，不使用前饋，此係因為應不致動力。此「零力」配置之結果為很少至無反作用力，從而引起可接受低之位置誤差。
應校準所應用之補償。在一實施例中，可在以高速率旋轉的同時使用低頻寬控制器來執行此校準。若控制器頻寬足夠低，則其對正弦干擾不起反作用，且因此，在使用低頻寬控制器之旋轉期間之位置/力量測可用作不平衡校準。接著可將校準值用作設定點，且可反覆地使用另外測定位置/力以達到較好估計。或者，可在控制器中實施對來自控制器輸出之旋轉頻率進行濾波之凹口。亦在彼狀況下，可將測定位置/力用作設定點，且可反覆地使用另外測定位置/力以達到較好估計。
在此實施例中，因為框架8可不再圍繞幾何中心10而旋轉，所以可引入光束被預期照射目標之處的偏差。舉例而言，可引入透鏡14、18之位置偏差。可使用目標位階處之感測器(例如，CCD相機)(例如，使用基板載物台或其他載物台或框架中之感測器)來記錄此等偏差。接著可使用量測以調整信號來控制光束之調變(例如，控制輻射源4之「點火(firing)」)，以便照射所要部位處之目標。
另外，高速率轉子之(剛體)動力學受到迴轉效應控管。對於兩個傾斜方向Rx、Ry，此情形產生下文在方程式1中識別之術語「迴轉效應」： 其中θ x 及θ y 為圍繞X軸及Y軸之旋轉，J t 為圍繞θ x 軸及θ y 軸之慣量，J z 為圍繞Z軸之慣量，ωz為圍繞Z軸之角速度，且T x 及T y 為分別圍繞X軸及Y軸之扭矩。下文在方程式2中描述矩陣P： 其中s為拉普拉斯運算子(Laplace operator)。迴轉效應引起(1)取決於旋轉速率的對角線項之剛度(而非慣量)，及(2)由 於在另一方向上之恆定扭矩而引起的在一方向上之恆定旋轉速度。
在一實施例中，可在控制迴路中藉由所謂「交叉回饋」來補償迴轉效應，在該交叉回饋中，在一方向上之測定速度經回饋至在另一方向上之扭矩。參看圖11，控制迴路包含具有「交叉回饋」項CFB之內部迴路，「交叉回饋」項CFB作用於在θ x 方向及θ y 方向上之測定轉子速度。增益平衡矩陣GB使控制力遍及致動器P而分佈，以創製用於位置控制器C及增益排程矩陣GS之解耦式系統。
自可移動框架8之測定位置產生可移動框架8之速度係困難的，此係因為需要絕對速度，但量測框架8相對於靜止部件之相對位置。儘管靜止部件很少移動，但此差異可在應用此技術方面造成顯著問題。因此，分化位置將與整合式靜止部件加速度進行組合。由於量測系統雜訊，此組合可能不可行。
因此，在本發明之一實施例中，迴轉效應未由「交叉回饋」項CFB之回饋補償，而是由使用所謂「迴轉補償」GyC之前饋補償。參看圖12A，「迴轉補償」GyC矩陣在控制迴路中插入於增益排程矩陣GS與增益平衡矩陣GB之間。結果，在用於位置控制器C及增益排程矩陣GS之前饋解耦式系統中，可達成一高度準確系統，其中增益平衡矩陣GB使控制力遍及致動器P而分佈。因此，可在不判定或量測可移動框架8之絕對速度的情況下縮減或取消迴轉效應。
下文在方程式3中描述GyC矩陣：
如由控制器所見，此方程式引起方程式4：
在一些情況下，如上文所描述之確切GyC矩陣可導致不穩定系統。舉例而言，若未確切地知曉ωgyro(取決於慣量)，則可發生不穩定性。因此，可在回饋路徑中使用「去諧式」GyC以幫助創製穩定系統。舉例而言，可在GyC補償項中包括高通濾波器。高通濾波器限制用於低頻率之純積分器之增益。或者或另外，可使用稍微較低GyC增益(例如，0.99而非1.00)以提供穩定封閉迴路。出於穩定性而以此方式來調諧GyC之缺點為前饋之效能減低。為了幫助減輕此情形，參看圖12B，可與去諧式GyC(「GyC1」)一起使用圖12A之控制迴路，且可向其添加施加於設定點前饋中之確切GyC(「GyC2」)。
另外，在一實施例中，應縮減或消除起因於使可移動框架8移動之反作用力。舉例而言，應不准許反作用力直接地作用於支撐框架5、15。在高準確度應用中，使用一高控制器頻寬，其可受到回應於經直接激發之反作用力之支撐框架動力學嚴重地干擾。因此，需要一隔離機構。隔離 機構意謂使支撐框架5、15與起因於使可移動框架8移動之反作用力或振動完全地隔離(及/或使可移動框架8與來自支撐框架5、15之振動或力完全地隔離)或至少顯著地縮減/阻尼起因於使可移動框架8移動之此等反作用力或振動(及/或至少顯著地縮減/阻尼來自支撐框架5、15之振動或力)的機構。此隔離機構可包含結合應被保護免於反作用力或振動之器件被附接至之分離框架的可移動框架8之馬達被連接至之反作用框架。舉例而言，該等框架可分離地連接至接地或可經由阻尼器而相互連接。或者或另外，可使用一或多個反作用質量塊(有時被稱作平衡質量塊)。
參看圖13A至圖13D，示意性地展示可移動框架8之系統之實施例，其具有一或多個反作用質量塊350以吸收致動器11之全部或至少一些反作用力。在此實施例中，如上文所提及，靜止部件5(例如，剛性桿)延伸至框架8之內部，使得框架8圍繞靜止部件5而旋轉且因此至少圍繞Z軸而旋轉。此可移動框架8之系統可包括如上文所描述之馬達300中之一或多者，且具有一主動式磁性軸承。此可移動框架8之系統亦可包括如上文所描述之一或多個感測器312。在一實施例中，靜止部件5剛性地連接至框架15。因為框架8在框架8與靜止部件5之間的一或多個感測器之後，所以靜止部件5理想地剛性地連接至框架15，使得在基板運動可被參考之框架15與框架8之間存在適當關係。在一實施例中，靜止部件5可經由隔離機構352(例如，呈(例如)彈簧或氣墊式避震器之形式的阻尼器)而連接至框架15，此情形 可需要額外差動量測以在框架8與框架15(及/或其他結構)之間建立適當關係。框架15可經由隔離機構354(例如，呈(例如)彈簧或氣墊式避震器之形式的阻尼器)而連接至接地，此情形可需要額外差動量測。
在此實施例中，反作用質量塊350可移動地連接至靜止部件5。反作用質量塊350可藉由(例如)彈簧而連接至靜止部件5。馬達300之一部件連接至反作用質量塊，而馬達300之另一部件為框架8之部件或連接至框架8。當使用馬達300以致動框架8時，反作用力係由反作用質量塊350吸收，使得全部或至少顯著量之反作用力不傳輸至靜止部件5中。
圖13B描繪由圖13A之虛線方框畫輪廓之部分之實施例的示意性側視圖，且圖13C描繪由圖13A之虛線方框畫輪廓之部分之實施例的示意性俯視圖。在此實施例中，馬達300之線圈(電磁體)部件安裝於反作用質量塊350中或上。雖然展示馬達300之4個線圈部件，但可提供另一數目個線圈部件。馬達300之線圈部件與框架8相互作用以致使該框架移動。舉例而言，框架8可由鋼製成，使得馬達300之線圈部件與框架8之相互作用致使框架8移動。或者或另外，一特定結構可安裝於框架中或上，該特定結構為與馬達300之線圈部件合作的馬達300之部件。在一實施例中，馬達300之線圈部件可在框架8上，且馬達300之另一部件可在反作用質量塊350上。
在一實施例中，反作用質量塊350可為馬達300之一或多 個線圈部件被附接至之單一單體結構(例如，環繞靜止部件5之圓柱體)。在一實施例中，可存在一或多個反作用質量塊350，例如，可存在2個、3個、4個或4個以上分離反作用質量塊。每反作用質量塊可安裝馬達300之一個以上線圈部件。在一實施例中，馬達300之每一線圈部件具有其自有反作用質量塊350。
在一實施例中，反作用質量塊350中之一或多者可在高達6個自由度且包括6個自由度之自由度中移動。在一實施例中，反作用質量塊350中之一或多者可在僅1個、2個、3個或4個自由度中移動。
在一實施例中，一或多個感測器312安裝於靜止部件5上，以直接地量測可移動框架8相對於靜止部件5之位置。每一感測器312可在單一方向(例如，Y方向、X方向，等等)上量測或在多個方向(例如，X方向及Y方向)上量測。可在反作用質量塊350內部提供間隙以允許感測器312量測可移動框架8。或者或另外，可在複數個反作用質量塊350之間提供間隙以允許感測器312量測可移動框架8。
參看圖13C及圖14，對於每一致動方向，可提供至少兩個馬達300(例如，磁阻馬達)-在轉子之每一相對側處存在一個馬達(亦參見(例如)圖7中的馬達300之上部集合、圖7中的馬達300之下部集合、圖13B中的馬達300之上部集合，或圖13B中的馬達300之下部集合)。此情形之原因為特定馬達可施加單向力。在一實施例中，參看圖14，用於一特定致動方向之至少兩個馬達300連接至同一反作用質 量塊350。此配置允許總反作用質量塊之較高質量，從而限制其漂移。
在圖13D中，展示圖13B所描繪之實施例之變化。如同在圖13B中一樣，馬達300之部件安裝於反作用質量塊350中或上。在此狀況下，馬達300之2個所描繪上部部件致使框架8在X方向上移動，而馬達300之2個另外上部部件(圖中未繪示，但與馬達300之兩個所描繪上部部件成90度)致使框架8在Y方向上移動。馬達300之2個所描繪下部部件致使框架8在Z方向上移動。在一實施例中，可提供馬達300之一另外下部部件以致使在Z方向上移動。在馬達300之3個或3個以上部件致使在Z方向上移動的情況下，馬達300可在Z方向、Rx方向及Ry方向上致動。在一實施例中，馬達300之該等部件可致使框架圍繞Z軸而旋轉。在一實施例中，馬達300之該等部件中每一者或全部可為磁阻馬達之部件。類似於圖13B，一或多個感測器312安裝於靜止部件5上，以直接地量測可移動框架8相對於靜止部件5之位置。在此狀況下，感測器312安裝於反作用質量塊350之周邊外部，以便量測框架8。
藉由使用一或多個反作用質量塊350，可獲得處於所要頻寬之穩定系統。反作用力可在進入靜止部件5之前被濾波，從而實現高伺服控制頻寬及小位置誤差。在一實施例中，該系統可具有在20赫茲下為1公斤之反作用質量塊350、在500赫茲下為10公斤之靜止部件5、為80公斤之可移動框架8、在150赫茲下為5000公斤之框架15，及針對 1.5赫茲至3赫茲之氣墊式避震器354。在此系統中，可達成在靜止部件5中具有低反作用力或不具有反作用力之穩定系統。參看圖15，模擬資料之波德圖(Bode plot)展示(例如)在不具有反作用質量塊的情況下在X方向上之機械轉移。在不具有反作用質量塊的情況下，反作用路徑開始接近高於200赫茲之作用路徑。接著參看圖16，模擬資料之波德圖展示在具有反作用質量塊的情況下在X方向上之機械轉移。在具有反作用質量塊的情況下，反作用路徑保持遠離高於20赫茲之作用路徑。另外，自圖16可看出，反作用質量塊可未處理低於20赫茲之頻率，此係因為此頻率範圍歸因於諧振之缺乏而應不影響穩定性。另外，參看圖16，反作用路徑在約20赫茲下被放大，亦即，反作用力被放大，然而，此情形低於控制系統之頻寬且因此不具有顯著有害效應。在需要時，可以另一方式(例如，阻尼)來處理為約或小於20赫茲之頻率。關於高於約20赫茲之頻率，反作用質量塊在使反作用路徑保持遠離作用路徑方面有效。
在操作中，力有時可過大而不能由反作用質量塊吸收；反作用質量塊之漂移可變得過大。舉例而言，如下情形可為此狀況：(1)當由可移動框架8追蹤6個自由度之剖面(例如，維持可移動框架8相對於基板之適當位置及定向，例如，調平)時，及/或(2)當需要補償大重複干擾(例如，來自在Z方向上起作用以沿著Z軸來定位可移動框架8之重力補償器之特性)時。
一可能解決方案係使用至少兩個馬達356、358來代替一個馬達300將被使用之處。參看圖17，連接至反作用質量塊350之第一馬達356僅施加伺服回饋力360。直接地連接至靜止部件5之第二馬達358僅施加伺服前饋力362。伺服前饋力高得多，但無需由反作用質量塊隔離，此係因為其不能使控制迴路不穩定。另外，在此類型之配置中，因為連接至反作用質量塊350之馬達356將僅施加相對小力，所以可在對應對置馬達上使用偏壓電流。接著將經致動力在一個馬達中轉譯成較大電流，且在另一馬達中轉譯成較小電流。此可意謂無需自一個馬達至下一馬達來切換放大器。
在一實施例中，可移動框架8可遭受干涉獲得高控制器頻寬之內部動力學。因此，需要獲得較高頻寬，此情形可導致較好準確度及較好準確度。以下措施可幫助達成此較高頻寬、較好準確度，及/或較好成像。
圖18描繪可移動框架之示意性俯視圖，其中複數個馬達300(例如，諸如磁阻馬達之4個馬達)圍繞框架4之部件均勻地間隔。舉例而言，在圖18之實例中，馬達300位於0°位置、90°位置、180°位置及270°位置處。另外，圖18亦描繪用以量測可移動框架8在X、Y方向上之位置/力之複數個感測器312(例如，3個感測器)。該等感測器圍繞框架4之部件均勻地間隔。舉例而言，在圖18之實例中，感測器312位於45°位置、165°位置及285°位置處。
參看圖19，圖18之框架8被展示為旋轉。在運動期間， 可移動框架8可在某一頻率下採用橢球形形狀作為其模式中之一者，如圖19所示。此形狀係由感測器312拾取且由馬達300致動，且因此將在控制器試圖控制之機械系統中顯露。此模式及/或其他低模式在控制迴路中變得「可見」，且因此使其導致頻寬縮減。低頻寬可引起較大定位誤差，且在可旋轉框架8之狀況下可在高旋轉速率下導致不穩定性。
在一實施例中，需要使此模式(及/或其他低模式)未由感測器312觀測及/或未由馬達300致動，且因此自伺服開放迴路被基本上移除。在一實施例中，為了實現此情形，使感測器位於實質上平分兩個鄰近馬達之角位置的角位置處。舉例而言，若鄰近馬達分別位於0°位置及90°位置處，則感測器位於約45°位置處。因此，參看圖20，在一實施例中，馬達300位於0°位置、90°位置、180°位置及270°位置處，諸如圖18及圖19所示。然而，現在存在4個感測器312，其位於45°位置、135°位置、225°位置及315°位置處。在此配置中，如下文將關於圖21(A)至圖21(D)所示，橢球形模式形狀現在：未由感測器312觀測為橢球，或未由馬達300致動為橢球，且因此自伺服開放迴路被移除。圖21(A)及圖21(B)展示框架8之一些模式形狀，該等模式形狀係由馬達300中之一或多者致動，但未由感測器312觀測為橢球。參看圖21(C)及圖21(D)，當可移動框架8旋轉(自圖21(A)中之定向至圖21(C)中之定向，或自圖21(B)中之定向至圖21(D)中之定向)時，可移動框架8之橢 球模式變得可由感測器312中之一或多者觀測為橢球，但不能由馬達300中之一或多者致動為橢球。
參看圖22，波德圖描繪在具有及不具有圖20之馬達300/感測器312之定向的情況下使用轉子之動態模型之模擬結果。曲線400展示在不具有圖20之馬達300/感測器312之定向的情況下之正常回應。曲線402展示在具有圖20之馬達300/感測器312之定向的情況下之回應，其中感測器312為徑向感測器。曲線404展示在具有圖20之馬達300/感測器312之定向的情況下之回應，其中感測器312為切線方向感測器。舉例而言，可看出，曲線400中之約830赫茲模式在曲線402及404中不再顯而易見。
另外，在一實施例中，參看圖23，使用八個馬達300(例如，磁阻馬達)以獲得X位移及Y位移，以及Rx旋轉及Ry旋轉。四個馬達300之第一集合(被展示為虛線正方形)處於或接近於可移動框架8之頂部，而四個馬達300之一另外集合(被展示為實線正方形)處於或接近於可移動框架8之底部。有可能在可移動框架8之頂部及底部兩者上使用四個以上馬達300(例如，總共八個馬達300)以主動式地控制可移動框架8之模式。此過度致動形式可與添加額外感測器312進行組合。
然而，為了幫助避免馬達300之頂部集合及底部集合激發可移動框架8之模式(例如，橢球形模式)，且參看圖24，使馬達300之底部集合之每一馬達(被展示為虛線正方形)位於實質上平分馬達300之頂部集合之兩個鄰近馬達(被展示 為實線正方形)之角位置的角位置處。舉例而言，參看圖24，若馬達300之頂部集合之鄰近馬達300分別位於0°位置及90°位置處，則馬達300之底部集合之馬達位於約45°位置處。實際上，馬達300之底部集合相對於馬達300之頂部集合旋轉約45度。現在，若施加X力、Y力、Rx力或Ry力，則僅有馬達300之頂部集合或僅有馬達300之底部集合可激發模式，而非皆同時激發模式。
如上文所論述，在運動期間，可移動框架8可遭受頻寬限制性內部動力學。舉例而言，可移動框架8可在某一頻率下採用橢球形形狀作為其模式中之一者。此形狀可由圖19所示之感測器312拾取且由馬達300致動，且因此將在控制器試圖控制之機械系統中顯露。此模式及/或其他低模式在控制迴路中變得「可見」，且因此可導致頻寬縮減。低頻寬可引起較大定位誤差，且在可旋轉框架8之狀況下可在高旋轉速率下導致不穩定性。
如上文所論述，一解決方案係使某些(亦即，低頻率)模式形狀未被觀測及/或未被致動為彼等模式形狀。在一實施例中，組合複數個個別感測器信號以產生不可觀測性，例如，藉由平均化而進行。舉例而言，如上文關於圖21所論述，當感測器經置放成彼此相對(亦即，彼此相對於框架之中心成180度)且一模式形狀在彼等位置上亦相對且感測器因此量測180度移相誤差信號時，平均化可使該模式形狀「不可觀測」及/或未被致動為彼模式形狀。舉例而言，如圖21所描繪，具有任意旋轉之橢圓模式形狀可使用 沿著第一方向彼此相對之兩個感測器之第一集合及沿著第二方向彼此相對之兩個感測器之第二集合而變得「不可觀測」，該第二集合之第二方向實質上垂直於該第一集合之第一方向。在一實施例中，可使用兩個以上感測器集合以量測框架之位置且促進使框架之模式形狀「不可觀測」及/或未被致動為彼模式形狀。彼等額外感測器集合可用以使量測較準確及/或使框架較「不可觀測」及/或較少被致動為彼模式形狀。或者或另外，該等額外集合可用以使框架之模式形狀「不可觀測」及/或未被致動為彼模式形狀，其中兩個集合可能不能夠(例如)在該模式形狀不為橢圓或不為均一橢圓時使該模式形狀「不可觀測」及/或未被致動為彼模式形狀。另外，一感測器集合可包含兩個以上感測器。可使用一集合中之兩個以上感測器(例如)以量測不規則橢圓模式形狀(例如，不為均一橢圓形之橢圓類型形狀)。當組合兩個以上感測器時，將使用適當感測器定位及數學(例如，使用關於感測器之部位、預期模式形狀及/或框架之角位置(例如，感測器量測相對於框架之旋轉位置之時序)的資訊)以組合該等量測以得到信號，而不觀測一模式形狀及/或不將框架致動為彼模式形狀。
在一另外實施例中，使用切線方向度量衡以在實質上垂直於模式形狀表現方向的方向上進行量測，此情形促進使模式形狀未被觀測及/或未被致動為該模式形狀。此係因為在切線方向上之量測對模式形狀(相當)不敏感，該模式形狀主要在徑向方向上表現其自身(例如，橢球形模式形 狀)。切線方向度量衡意謂在框架之表面及/或來自旋轉軸線之半徑之切線處的量測。用於供切線方向度量衡進行量測的框架8之表面無需為彎曲(例如，圓形弧)表面，其亦無需為框架8之外部表面。
參看圖25，提供一或多個切線方向感測器380以在實質上切線方向上量測框架8。在一實施例中，提供五個切線方向感測器380以允許五個自由度(X、Y、Rx、Ry及Rz)之量測且因此控制在五個自由度中之定位。如圖25所示，三個切線方向感測器380在框架8之上半部處圍繞框架8之旋轉軸線均勻地間隔。另外兩個切線方向感測器380在框架8之下半部處圍繞框架8之旋轉軸線而間隔。在一實施例中，三個切線方向感測器380可處於框架8之下半部，且兩個切線方向感測器380可處於框架8之上半部。提供一額外感測器382以用於軸向(Z方向)量測且因此控制在軸向方向上之定位。
在一實施例中，感測器380、382中之一或多者可為編碼器系統。在實施例中，編碼器系統之刻度係在框架8中或上，且編碼器系統之感測器、傳感器或讀頭係在靜止部件5及/或框架15上。在一變體中，編碼器系統之刻度係在靜止部件5及/或框架15中或上，且編碼器系統之感測器、傳感器或讀頭係在框架8上。在一實施例中，感測器380、382中之一或多者可為電容性感測器、渦電流(Eddy current)感測器或共焦感測器。在一實施例中，感測器380中每一者為一編碼器系統，且感測器382為電容性感測 器、渦電流感測器或共焦感測器。
參看圖26(A)及圖26(B)，描繪根據本發明之一實施例的示意性框架8之側視圖及俯視圖。在此狀況下，框架8為圓形，但其無需為圓形。如在圖26(A)中所見，每一切線方向感測器380包含結合一刻度386之一感測器、傳感器或讀頭384。在此狀況下，刻度386附接至框架8。圖26(A)中描繪與框架8之上半部相關聯的切線方向感測器380中之兩者，且圖26(B)中描繪與框架8之上半部相關聯的三個切線方向感測器380。僅為了方便起見，圖26中未描繪框架8之下半部之兩個切線方向感測器。另外，可看出，在此實施例中，刻度386附接至框架8之側向外部表面，其中感測器、傳感器或讀頭384經配置有其在由各別箭頭所示之方向上面對刻度386之感測表面；應瞭解，刻度386可在框架8之另一表面上或中。另外，雖然刻度386被展示為連續，但其無需連續。舉例而言，刻度386可圍繞框架8之外部側向表面而分段成(例如)各自與一特定感測器、傳感器或讀頭384相關聯之子刻度386。在一實施例中，刻度386包含線性光柵。經由圖26所描繪之切線方向感測器380之組合式讀數，可判定框架8在X方向及/或Y方向上之移動以及圍繞Z軸之旋轉。結合框架8之下半部上之相似切線方向感測器380，可判定框架8圍繞X方向及/或Y方向之移動。
參看圖27(A)及圖27(B)，描繪根據本發明之一實施例的示意性框架8之側視圖及俯視圖。在此狀況下，框架8為圓形，但其無需為圓形。如在圖27(A)中所見，每一切線方 向感測器380包含結合一刻度386之一感測器、傳感器或讀頭384。在此狀況下，刻度386附接至框架8。圖27(A)中描繪與框架8之上半部相關聯的切線方向感測器380中之兩者，且圖27(B)中描繪與框架8之上半部相關聯的三個切線方向感測器380。僅為了方便起見，圖27中未描繪框架8之下半部之兩個切線方向感測器。另外，可看出，在此實施例中，刻度386附接至框架8之外部頂部(或底部)表面，其中感測器、傳感器或讀頭384經配置有其在由各別箭頭所示之方向上面對刻度386之感測表面。另外，雖然刻度386被展示為連續，但其無需連續。舉例而言，刻度386可圍繞框架8之外部頂部(或底部)表面而分段成(例如)各自與一特定感測器、傳感器或讀頭384相關聯之子刻度386。在一實施例中，刻度386包含線性光柵。經由圖27所描繪之切線方向感測器380之組合式讀數，可判定框架8在X方向及/或Y方向上之移動以及圍繞Z軸之旋轉。結合框架8之下半部上之相似切線方向感測器380，可判定框架8圍繞X方向及/或Y方向之移動。
可使用圖26及圖27所描繪之配置之組合。舉例而言，圖26所示之一或多個切線方向感測器380之配置可用於框架8之上半部，而圖27所示之一或多個切線方向感測器380之配置可用於框架8之上半部，或反之亦然。其他組合對於熟習此項技術者將顯而易見。
切線方向感測器之優點為其針對起因於且取決於角速度之徑向變化(例如，鑒於範圍耗散)的相對不敏感度。對於 本文在考慮中之角速度，該等變化可為大約100微米。對徑向變化(膨脹或收縮)之不敏感度可得到位置量測之較高準確度且因此得到位置控制之較高準確度。因此，在使用切線方向感測器的情況下基本上不可觀測在徑向方向上表現自身之模式形狀，從而允許較高頻寬且因而允許改良型位置準確度及成像準確度。此外，切線方向感測器相比於在徑向方向上量測之感測器之優點可在於：徑向感測器將很可能具有彎曲量測表面，因此限制準確度。
本申請案中之編碼器系統之優點為其餘隙距離(stand-off distance)(亦即，編碼器頭與刻度之間的距離)。編碼器系統之相對大餘隙距離可增加針對(i)緊急停止(例如，框架8之毀損)及/或(ii)總成/可服務性之穩固性。舉例而言，相比於針對(例如)具有大約105倍解析度之電容性感測器之標稱餘隙距離(其在解析度為約10奈米時轉譯成約0.1毫米之餘隙距離)，針對用於高解析度量測(例如，10奈米解析度)之編碼器系統之餘隙距離可為大約數毫米(甚至高達10毫米)。另外，諸如編碼器系統之光學感測器將不受到由(例如)致動器產生之磁場影響。
除了對徑向變化之不敏感度以外或替代對徑向變化之不敏感度的優點為：相比於(例如)徑向地量測之系統，感測器之數目可縮減。感測器之數目縮減可(i)縮減雜訊(且增加準確度)，及/或(ii)縮減成本及良率。然而，沒有必要縮減感測器之數目，且實際上，具有較大數目個感測器(出於(例如)成本起見)可在使用感測器之平均化時意謂較少雜 訊。雜訊係以所使用感測器之數目之反平方根而縮減，且因此，較多感測器意謂總結果中之較少雜訊。
如上文所論述，使可移動框架8理想地平衡以縮減或最小化框架8之不平衡(例如，相似於載具輪胎之平衡的藉由策略上添加重量或移除重量進行平衡)；框架8應被極好地機械平衡。舉例而言，可將每一框架8平衡至(例如)2公斤*微米。藉由此平衡，不僅最小化或縮減不平衡對框架8自身之潛在有害效應，而且或者或另外可最小化或縮減框架8對支撐框架5、15、對另一框架8及/或對裝置1中之一或多個其他組件之效應。
儘管存在框架8之平衡，但仍可繼續存在一些不平衡。參看圖28，框架8具有某一量(即使極小)之不平衡，從而引起淨力由框架8施加至框架5、15。由每一框架8施加之淨力係由與框架8相關聯之向量410象徵性地描繪。該向量僅僅例示該力之淨方向及量值；該向量可具有不同方向及/或量值，且實際力可在方向及量值方面歸因於框架8之移動而時變。因此，向量410表示在框架8與框架5、15之間交換之力之方向及量值。力410係(例如)歸因於框架8之軸線相對於框架5、15的軸線偏移而出現，該軸線偏移之方向及量值係由向量420展示。或者或另外，力410係(例如)歸因於框架8相對於框架8之中心(例如，成像或光學中心)的重心偏移而出現，該重心偏移之方向及量值係由向量430展示。不平衡之其他潛在起因可包括影響框架8的框架8之環境，例如，該環境中之氣體(若存在)及(視情況)氣 流；該環境中之磁力、靜電力及/或電力(例如，來自另一框架8、來自用以使框架8移動之致動器，等等)；與框架8相關聯之軸承(例如，磁性及/或氣體軸承)；等等。
不僅此不平衡可對特定不平衡框架8有害，而且不平衡框架8可對支撐框架5、15、對另一框架8及/或對裝置1中之一或多個其他組件有有害效應。實際上，即使不平衡不足夠顯著地削弱框架8自身之適當操作，框架8之不平衡獨自地或結合一或多個其他框架8之不平衡亦可足以造成對支撐框架5、15、對另一框架8及/或對裝置1中之一或多個其他組件之有害效應。舉例而言，當個別不平衡自身可能尚未造成有害效應時，複數個稍微不平衡框架8對共同框架5、15之組合式效應可足以造成對支撐框架5、15、對框架8中之一或多者及/或對裝置1中之一或多個其他組件的有害效應。
因此，需要將框架8之不平衡矯正至緊密成像規格內，及/或縮減或消除由於框架8之不平衡而引起之在框架8之間、在框架8與支撐框架5、15之間及/或在任何數目個其他組件之間的動態振動相互作用。
在一實施例中，在裝置包含複數個可移動框架8之情況下，框架8中之一或多者之位置(例如，旋轉)可經調諧以縮減或取消歸因於框架8而對(例如)支撐框架5、15之總不平衡效應。舉例而言，在同一框架5、15上具有複數個框架8的情況下，框架8中之一或多者相對於一或多個其他框架8的角位置(旋轉角度)可經選擇成使得歸因於框架8中之一或 多者之不平衡而在該框架上之總力縮減或最小化。
參看圖29，框架5、15可支撐複數個可移動框架8。在此實施例中，每一框架8通常圍繞各別框架8之軸線10而旋轉。每一框架8包括複數個透鏡14、18(為了清楚起見，在一個框架8中僅展示1個透鏡14、18，但應瞭解，針對每一框架8可存在複數個透鏡14、18，如(例如)圖3及圖6所示)。如上文所論述，每一框架8具有某一量(即使極小)之不平衡，從而引起淨力由框架8施加至框架5、15。由每一框架8施加之淨力係由與框架8相關聯之各別向量410象徵性地描繪。該等向量僅僅例示該等力之淨方向及量值；該等向量可具有不同方向及/或量值，且實際力可在方向及量值方面歸因於框架8之移動而時變。
理想地，框架8之由其各別不平衡(若存在)造成之全部淨力的總和將在框架5、15上得到零淨力。在框架5、15上實質上無淨力的情況下，應不存在或存在很少的歸因於不平衡而對支撐框架5、15之有害效應；應不存在或存在很少的歸因於不平衡而對另一框架8之有害效應，此係因為不平衡力將被傳輸所經由之框架5、15實質上無淨力；且應不存在或存在很少的歸因於不平衡而對裝置1中之一或多個其他組件之有害效應，此係因為不平衡力將被傳輸所經由之框架5、15實質上無淨力。
為了促進在框架5、15上達成很少或無淨力，分離地量測框架8中每一者之不平衡之量值及方向。可以各種方式且在各種時間量測框架8之不平衡。舉例而言，可在框架8 之使用期間量測不平衡(例如，以縮減裝置之停機時間)，及/或可在框架8未被使用時(例如，在(重新)校準或維護程序期間)量測不平衡。另外，可在框架5、15上之適當位置中量測框架8，及/或在自框架8移除時量測框架8(例如，自框架5、15移除且在分離不平衡量測工具中量測)。
可如何量測不平衡之非限制性實例係在框架中之一者在水平方向上(例如，在X方向及/或Y方向上)受到干擾時在不同於其旋轉頻率(例如，78赫茲或80赫茲)的頻率下獲得其量測信號(例如，來自附接至(例如)框架5、15之力感測器或加速度計之信號)，且比較彼量測信號與在其旋轉頻率下之量測信號，使得產生一拍頻，該拍頻指示以角單位(例如，度)計的不平衡之「位置」。圖30(A)展示具有不同頻率之兩個量測信號(E1及E2)-一個量測信號處於正常旋轉頻率且另一量測信號處於不同頻率-此處被展示為依據其相對於時間之角位置。圖30(B)展示彼兩個信號E1及E2之疊加。圖30(C)展示正弦，在分析圖30(B)時該正弦可被辨別。圖30(D)展示依據兩個其他頻率之拍頻(應注意，在圖30(D)中最小振幅無需返回至零，但可具有偏移，此係因為輸入頻率將很可能具有不同振幅)。此拍頻為針對不平衡之量度，其在時間方面而在比旋轉或干擾頻率小得多的頻率下改變振幅。此振幅變化係依據兩個輸入頻率之間的相位差，因此可判定不平衡之切線方向位置。在知曉不平衡之位置的情況下，吾人可針對兩個信號來使用相同頻率以判定不平衡之振幅。舉例而言，可在用校正(例如， 施加單一或複數個已知力)之頻率下抵制框架之不平衡，且若量測未得到或得到很少不平衡，則可判定振幅。結果，可判定不平衡之角位置及量值兩者。在一實施例中，可針對一頻率範圍來執行量測及計算以改良準確度(且排除(例如)一或多個其他框架之頻率)。
在另一非限制性實例中，可藉由量測框架5、15之位置、框架5、15之振動及/或施加至框架5、15之力來間接地量測框架8之不平衡。在另一非限制性實例中，投影通過框架之透鏡14、18之輻射可由輻射感測器(例如，強度感測器)量測以判定與不平衡相關的該輻射之變化。換言之，該感測器可量測由框架8投影之光點以判定不平衡。舉例而言，此感測器可為透射影像感測器。舉例而言，感測器可位於台2上。在一實施例中，光束分裂器可處於或插入至光束之路徑中，以便允許取樣光束以供感測器量測。在另一非限制性實例中，可使用框架8之伺服位置誤差，例如，框架8相對於框架5、15之伺服位置誤差。作為一實例，可使用量測光束以量測框架8相對於(例如)框架5、15及/或經安裝有偵測器之框架的位置。可進行適當中間量測以將框架8之量測放入適當座標系統中，例如，固持感測器之框架與框架5、15之間的量測，等等。
將顯而易見，可使用各種不同系統及/或工具而以各種不同方式來量測框架8之不平衡。此外，可能沒有必要獲得不平衡之角位置及量值之值。舉例而言，若(例如)每一框架8之不平衡之量值實質上或足夠接近地相同，則僅僅 具有不平衡之方向之指示可足夠。
在知曉一或多個框架8之不平衡的情況下，可採取步驟以校正不平衡。可個別地或組合地採取各種不同方法以校正不平衡。該等方法中之一些在下文予以論述，且可被個別地或組合地使用。另外，舉例而言，可在各種時間校正不平衡。舉例而言，可在框架8之使用期間(例如，隨著該等框架正用以投影輻射、在不同目標部分之曝光之間的時間期間、在不同基板之曝光之間的時間期間，等等)校正不平衡，及/或可在框架8未被使用時(例如，在(重新)校準或維護程序期間)校正不平衡。另外，可針對一特定框架8來校正不平衡，或可集體地針對複數個框架8來校正不平衡。在後者狀況下，針對複數個框架8中之一特定框架8之校正可與僅僅校正該框架8之不平衡以縮減或消除該框架8之不平衡的情況不同。舉例而言，框架8之不平衡可能未自行地縮減，而是經重新定向成使得其可抵消另一框架8之不平衡。
在一實施例中，可藉由調整一或多個框架8相對於其他框架8中之一或多者的位置來校正不平衡。詳言之，此校正應考量一或多個其他框架8之位置。在一實施例中，一或多個框架8之調整應使得每一框架8放於框架5、15上之力儘可能地取消由其他一或多個框架8放於框架5、15上之力。
在一實施例中，位置之調整包含相對於一或多個其他框架8之角位置來調整一或多個框架8之角位置。更具體言 之，相對於在框架8旋轉時之某一時間的另一框架8之特定部分之角位置來調整在彼同一時間的框架8之特定部分之角位置。舉例而言，參看圖31，展示支撐圖29之複數個可移動框架8之框架5、15。如上文所論述，框架8圍繞其各別軸線10而旋轉。舉例而言，圖29及圖31展示在特時序間點時之各別旋轉期間之框架8。為了展示可如何校正不平衡，圖31中來自左側之第二框架8使其角位置相對於其他框架予以調整，此可在與圖29進行比較時看出。詳言之，圖29中之框架8上之所描繪透鏡14、18(例如，X數目個透鏡中之1個透鏡)使其角位置自圖29中之約8點鐘位置調整至約10點鐘位置。換言之，調整框架8之相角，即使其在同一頻率下旋轉亦如此。經由此調整，如圖31所示，不平衡之方向改變(且視情況，量值可改變，此取決於彼框架8之不平衡之性質)。當一個框架8之此不平衡改變與其他框架8中之一或多者之不平衡成因數時，應有效地抵消框架8放於框架5、15上之力。此情形可需要變更其他框架8中之一或多者之位置，使得施加至框架5、15之總力接近於零(或低於可容許位準)。
在一實施例中，在框架8具有一或多個透鏡14、18之情況下，透鏡14、18相對於來自可控制器件4之輻射光束的部位顯著。詳言之，透鏡14、18可需要相對於彼光束處於特定位置，使得其可適當地接收該光束。另外，接收輻射光束之另一框架8之透鏡14、18亦可需要在接收其光束時處於特定位置，且亦相對於另一框架之透鏡14、18處於特 定位置。舉例而言，如圖2所示，不同框架18之透鏡14、18可需要在特定定向上對準以曝光目標部分。因此，在一實施例中，用以至少部分地補償不平衡的框架8之位置改變可考量一或多個透鏡14、18在框架8上之位置。在一實施例中，一框架具有圍繞中心軸線10之複數個透鏡14、18(參見(例如)圖3及圖6，但出於清楚目的，圖29及圖31展示僅僅一個透鏡14、18)。因此，在一實施例中，可用於框架8之角位置調整之數目至少包括圍繞軸線10之透鏡14、18之數目。舉例而言，若圍繞特定框架8之軸線10配置200個透鏡14或18，則在不必調整照明時序的情況下，框架8之200個角位置係可能的。因此，框架8上之大數目個透鏡允許顯著調整自由度，且因此允許激發力之顯著縮減。舉例而言，在具有十個不平衡向量之十個可移動框架8的情況下，可考量在所有方向上之六個自由度不平衡之效應。
除了使用透鏡14、18之特定角部位之調整以外或替代使用透鏡14、18之特定角部位之調整，亦可使用照明調整以幫助實現位置調整，例如，至圍繞軸線10之兩個鄰近透鏡14、18之間的角度。舉例而言，框架8可經調整至特定位置，且若透鏡14、18相對於一光束未適當地對準(例如，在該等光束全部自可控制器件4同步地提供至框架8中每一者之狀況下)，則輻射至框架8之透鏡14、18上之投影的時序可相對於輻射至另一框架之透鏡14、18上之投影予以調整，例如，該等光束變得非同步或不同地非同步。在需要 時，可需要經由調整圖案產生在框架8當中之分配的裝置控制器而在框架8之間移位或共用圖案之部分之投影的適當移位。
可校正針對一個框架8或針對複數個框架8之不平衡之一額外或替代方式係調整特定框架8自身之不平衡。舉例而言，框架8可具有經添加或經移除以改變不平衡之方向及/或量值之重量。
可針對一個框架8或針對複數個框架8來校正不平衡之一額外或替代方式係調整支撐一或多個框架8之框架5、15。舉例而言，可使用致動器以將抗衡力施加至框架8以至少部分地補償由一或多個框架8施加至框架5、15之力。在一實施例中，可判定(藉由計算及/或藉由量測)由支撐於框架5、15上之所有框架8賦予之淨不平衡，且可由致動器將抗衡力施加至框架5、15。此力施加可歸因於框架8之移動而複雜，且致動器將需要在與框架8實質上相同的頻率下操作。
可針對一個框架8或針對複數個框架8來校正不平衡之一額外或替代方式係針對一或多個框架8來使用平衡或反作用質量塊或針對支撐一或多個框架8之框架5、15來使用平衡或反作用質量塊。對於平衡或反作用質量塊之設計原理及例示性結構，參見(例如)全文各自以引用方式併入本文中之美國專利第US 6,525,803號及第6,449,030號，該平衡或反作用質量塊接著將經適當地組態用於一特定框架8、複數個框架8及/或框架5、15。平衡或反作用質量塊可組 態以部分地或總體上抵消在特定一個方向上、在兩個方向上(例如，X-Y平面)、在三個方向上、在四個方向上(例如，X-Y-Z及圍繞三個方向中之1個方向之旋轉)、在五個方向上或在六個方向上之力。
可針對一個框架8或針對複數個框架8來校正不平衡之一額外或替代方式係使用用以控制一或多個可控制器件4(及/或一或多個其他調變元件)之資料之校正以至少部分地補償一或多個框架8之不平衡。詳言之，舉例而言，可提供構成「資料路徑」之硬體及/或軟體以將待形成於基板上之所要元件圖案之以向量為基礎之表示轉換成適於驅動可程式化圖案化元件之控制信號。圖32為展示可包括於此資料路徑中之實例處理級100的示意性說明。在一實施例中，該等級中每一者直接地連接至其相鄰級。然而，無需為此狀況。在一實施例中，可在所示級中任一者之間提供一或多個額外處理級。或者或另外，該等級中之一或多者中每一者可包含多個級。可組合該等級中之一或多者。
在圖32所示之實例中，在級102中提供所要元件圖案之以向量為基礎之表示。可使用諸如GDSII之向量設計封裝來建構以向量為基礎之表示。將經儲存之以向量為基礎之表示直接地或經由一或多個中間級轉遞至光柵化級104。中間級之實例包括向量預處理級及低通濾波器級。舉例而言，低通濾波器級可執行抗頻疊處理。
光柵化級104將所要元件圖案之以向量為基礎之表示(或以向量為基礎之表示之經處理版本)轉換成對應於所要元 件圖案之所要劑量圖案之經光柵化表示(亦即，適於藉由基板之曝光後處理來形成所要元件圖案)。舉例而言，經光柵化表示可包含位元映像資料(bitmap data)。位元映像資料可被稱作「像素映像(pixelmap)」資料。位元映像資料可包含指示在點柵格上之每一點處之所要劑量的值集合。點柵格可被稱作光柵化柵格。
可將經光柵化表示(如自光柵化級104直接地或在進一步處理之後輸出)供應至控制信號產生級106。控制信號產生級106可實施為單一級(如圖所示)或實施為複數個分離級。
控制信號產生級106可在光柵化柵格與界定圖案化元件可在目標(例如，基板)位階處形成光點曝光所處之部位之柵格(其可被稱作「光點曝光柵格」)之間執行映射操作。映射操作可包含在光柵化柵格與光點曝光柵格之間的內插。映射操作可經組態以自度量衡資料儲存級108接收度量衡資料。度量衡資料可指定(例如)已安裝基板及/或先前形成於已安裝基板上之元件圖案相對於圖案化元件的位置及/或定向。度量衡資料亦可指定已安裝基板或先前已形成元件圖案之測定失真。舉例而言，失真可包括移位、旋轉、偏斜及/或放大。因此，度量衡資料提供關於應如何進行光柵化柵格與光點曝光柵格之間的內插以便確保所要劑量圖案在目標上之適當定位的資訊。如下文更詳細地所論述，度量衡資料亦可包括關於一或多個框架8之不平衡的資訊。
控制信號產生級106可計算待施加於光點曝光柵格中之 每一位置處以形成所要劑量圖案之強度集合。舉例而言，對於柵格中之每一位置，強度集合可界定待用以在彼位置處產生光點之輻射光束之強度。此計算可考量光學投影系統之屬性，且因此可被稱作「反光學(inverse-optics)」計算。該計算可考量(例如)可由光學投影系統之屬性規定的個別光點之大小及/或形狀。可針對光點之給定可能外加強度集合中之每一強度來界定該大小及/或形狀。舉例而言，光點大小及/或形狀可界定關於針對給定光點之外加劑量之位置的變化。該計算亦可考量光點之位置與由理想(亦即，無工程誤差)光點曝光柵格幾何形狀界定之標稱位置的偏差。
該等光點可在目標位階處彼此重疊，使得在光點曝光柵格中之參考位置處達成之最終劑量可取決於在數個相鄰光點處之外加強度。此效應可藉由卷積運算予以數學地模型化。控制信號產生級106需要執行反轉程序(判定需要施加於給定所要劑量圖案之每一位置處之強度)，因此可執行反卷積運算。反卷積運算可由反卷積核心界定。反卷積核心可由反卷積矩陣表示。此反卷積矩陣之係數可被解譯為界定需要在計算待施加於光點曝光柵格中之對應點(或光點)處之強度時考量所要劑量圖案中之參考點附近的點處之劑量之程度的權重。
圖33及圖34示意性地說明此反卷積運算中之步驟。
圖33說明實例光點曝光柵格120之部分。柵格120中之每一點125表示將由圖案化元件在目標上形成之光點之中 心。反卷積運算旨在判定待施加於點125中每一者處之強度值。光點曝光柵格120將具有對應於圖案化元件能夠在目標上形成之光點曝光圖案之幾何形狀。因此，光點曝光柵格之幾何形狀可不規則。在不規則柵格中，在本申請案之涵義內，柵格點之密度依據位置而變化，使得沒有可能藉由僅使含有單一柵格點之單一單位格成棋盤格狀來完全地建構該柵格。圖33所說明之柵格120之幾何形狀被極大地簡化，且未必類似於與商業元件相關聯之光點曝光柵格。
圖34說明光柵化柵格122之實例部分。在此實例中，光柵化柵格122具有規則幾何形狀。在此實例中，規則幾何形狀為矩形。在本申請案之涵義內，規則柵格之柵格點之密度在可藉由僅使包含單一柵格點之單一類型之單位格成棋盤格狀來完全地形成該柵格的意義上「均一」。點線121說明實例單位格。該點線使四分之一的柵格點相交且因此總共含有一個柵格點。可在柵格122中之點126中每一者處提供所要劑量圖案之一樣本。
圖33中之實心柵格點123表示參考柵格點(被隨機地選擇)。應用反卷積運算來導出待施加於實心柵格點123處之強度將涉及在對應於參考柵格點123之位置之光點曝光柵格附近的光點曝光柵格中之複數個柵格點處之所要劑量圖案之樣本的加權貢獻。圖34中之實心柵格點127示意性地表示可涉及到此反卷積運算之柵格點。在一實施例中，被表達為矩陣之反卷積核心將界定哪些柵格點126被涉及(藉 由該矩陣中之非零係數之位置)及該等柵格點被涉及之程度(藉由該矩陣中之非零係數之值)。
反卷積運算之性質對於光點曝光柵格中之不同點及/或在不同點之間可不同。舉例而言，此變化可考量圖案化元件之光學效能之變化。可使用校準量測來獲得光學效能之變化。在一實施例中，可在需要時儲存及存取視情況自校準量測而獲得之反卷積核心庫。
控制信號產生級106可將待施加於光點曝光柵格中之點中每一者處之強度值序列轉換成設定點值，以便產生控制信號。設定點值可考量圖案化元件之性質。舉例而言，在圖案化元件包含複數個自發射對比元件的情況下，設定點值可考量該等自發射對比元件之回應之非線性。舉例而言，設定點值可藉由校準量測來考量標稱等同對比元件之屬性之變化。
控制信號輸出級110自控制信號產生級接收控制信號且將該信號供應至圖案化元件。
在所示實例中，在資料路徑之離線部分112中執行級102及104，且在資料路徑之線上部分114中執行級106至110。在一實施例中，可線上進行與級104相關聯之功能性之全部或部分。或者或另外，可離線進行級106及/或108之功能性之全部或部分。
在一實施例中，為了校正框架8在X-Y平面中之不平衡(例如，在X-Y平面中之一方向上之位移或振動)，可使用(例如)控制信號產生級106來數學地操控資料以在X-Y平面 中造成圖案之至少一部分之補償移位。因為框架8之不平衡可造成透鏡14、18之位移或振動，所以透鏡14、18又可造成圖案之至少一部分待在X-Y平面中位移，自此預期到該圖案之該至少一部分將入射於目標部分上。
因此，對於在X-Y平面中之一方向上之位移或振動，可(例如)用鄰近於圖案之至少一部分之關聯資料來內插或外插該圖案之該至少一部分之資料，以產生致使原本將被供應至框架之經調變輻射變更以考量不平衡之資料。舉例而言，若位移或振動係在X方向上，則將取樣在X方向上圖案之鄰近部分，且接著計算經內插/經外插資料，相比於在無補償的情況下，該經內插/經外插資料致使產生不同經調變輻射。實際上，結果為圖案之像素映像之至少一部分(例如，一像素之一半)的稍微移位，以至少部分地補償由框架8之不平衡造成之稍微移位。實際上，舉例而言，相比於根據標稱設定點資料，可較早地或較晚地供應與待投影之圖案的受影響之至少一部分相關聯的輻射之至少一部分，對於標稱設定點資料而言，在框架8之不平衡之後續效應的情況下，至少部分地補償該圖案之該至少一部分之移位。相關地，資料之校正及所得經調變輻射可引起將由第一框架8投影至第二框架8之圖案之至少一部分的移位，以考量可歸因於第一框架8之不平衡。總之，用於框架8之輻射光點座標系統歸因於框架8之不平衡而相對於與框架8相關聯之基板座標系統而移動，且可藉由進行資料之適當改變來至少部分地補償彼相對運動。
另外，不平衡可處於Z方向上或具有在Z方向上之分量。上文之圖33說明處於單一平面(例如，標稱最佳聚焦平面)處之光點曝光柵格120，其中每一柵格點表示一光束在目標上之一標稱部位。然而，在彼平面中，出於多種原因，柵格點之位置可不同於理想均一柵格。一種此類原因可為框架8之不平衡，其可造成輻射未聚焦於標稱最佳聚焦平面處，且因此，光點形狀可不同於基於設定點資料之預期光點形狀。因此，可有必要考量在Z方向上之位置，Z方向垂直於標稱最佳聚焦平面且平行於投影系統之光軸。舉例而言，即使當目標(例如，基板)在光束中之一些入射於目標上的部位處相對於最佳聚焦平面而最佳地定位時，該等光束亦可能仍不確切地位於最佳聚焦平面中。
因此，在一實施例中，為了校正在Z方向上之框架8之不平衡，在計算用於將複數個光點投影於目標上之光束強度時考量在Z方向上之框架8之不平衡。實際上，在Z方向上之不平衡造成散焦，其可藉由反卷積校正以相比於標稱設定點資料(其中光束投影於標稱最佳聚焦平面處)而改變強度值及/或分佈。
在本發明之一實施例中，控制信號產生級106可儲存用於每一柵格點126之複數個反卷積核心(其可經結構化為查找表，其中下文所論述之計算Z位置用以選擇適當反卷積核心)。該複數個反卷積核心各自係與一Z位置相關聯。在一實施例中，複數個反卷積核心係與跨越及取樣約10微米之範圍(例如，按1微米增量計的來自標稱最佳聚焦之-5微 米至來自標稱最佳聚焦之+5微米)之Z位置相關聯。當執行反卷積運算以判定待施加於點125中每一者處之強度值時，控制信號產生級106諮詢關於在Z方向上之不平衡之資料，且判定基板上在曝光之預期時間對應於柵格點125之部位的預期Z位置。接著使用計算或預測Z位置以選擇該等反卷積核心中之一適當反卷積核心。
在一實施例中，在計算Z位置未確切地對應於經儲存反卷積核心中之一者之Z位置的情況下，藉由內插或外插而自經儲存反卷積核計算一反卷積核心。在已選擇或計算用於每一柵格點125之合適反卷積核心的情況下，如上繼續進行反卷積計算。
在一實施例中，針對由待同時曝光之區域及由反卷積核心覆蓋之Z位置範圍界定的體積來進行3維反卷積計算。3維計算有效地為在Z方向上之複數個步階中每一者處之2維計算。在已進行3維計算的情況下，藉由自複數個計算值選擇用於每一柵格位置處之預期Z位置之適當計算值(或適當地內插或外插)來獲得光點強度。
在一實施例中，在曝光之前執行光束強度之計算。在本發明之一實施例中，「在運作中」(亦即，在執行曝光的同時)進行反卷積計算。在此實施例中，使用來自量測元件之資料以提供不平衡之即時量測。接著使用此即時量測以基於反卷積核心庫來選擇或判定適當反卷積核心(且在需要時，執行適當內插/外插)。
在實施例中，藉由校準程序來獲得用於不同Z位置之反 卷積核心。舉例而言，在使用諸如CCD之成像元件的情況下，在不同Z位置(例如，標稱最佳聚焦平面以及在其上方及下方之五個步階)處拍攝光束之影像。可自此等影像來計算反卷積核心。計算反卷積核心之數目可大於所採取量測之數目。
在一實施例中，代替內插或外插，可使用另一擬合技術，諸如，最小平方或其他最小化技術。
在一實施例中，除了用於Z位置之反卷積核心以外或替代用於Z位置之反卷積核心，亦可針對Rx不平衡及/或Ry不平衡來提供一或多個反卷積核心。
在一實施例中，對於Rx不平衡及/或Ry不平衡，可使用X/Y不平衡補償技術與Z不平衡補償技術之組合。舉例而言，可(例如)在基於經儲存核心來計算一核心時考量Rx不平衡及/或Ry不平衡。
另外，一或多個輻射光束之強度可經調整成使得經曝光光點之強度相比於標稱設定點資料遠離在一特定方向上或在各種方向上之曝光光點之中心部分(峰值)具有較低強度，以促進光點之重疊。藉由具有較低值，可至少部分地矯正由經受不平衡之光束光點及由鄰近光點對區域之雙重曝光。
在本文所論述之不平衡校正的情況下，可達成改良型效能。舉例而言，可存在框架5、15之較少激發，此意謂潛在較少動態回應及較好成像。或者或另外，在框架8之間可存在較少動態振動相互作用。另外，校正框架8之不平 衡之能力可允許縮減框架8之平衡要求，亦即，初始平衡。本文中之校正亦可使較易於替換框架8(例如，在該領域中)，此係因為可在工具中自動地處理框架8之不平衡且可縮減每一框架8或框架8之組合之高平衡要求(例如，可不需要一框架8或複數個框架8之廣泛調諧及組態)。
在一實施例中，本文中對補償之參考包括達如下各者之特定或淨縮減：大於或等於1%、大於或等於2%、大於或等於5%、大於或等於10%、大於或等於20%、大於或等於30%、大於或等於40%、大於或等於50%、大於或等於60%、大於或等於70%、大於或等於80%、大於或等於90%，或約100%。
根據一元件製造方法，可自已經投影有圖案之基板來製造諸如顯示器、積體電路或任何其他項目之元件。
儘管在本文中可特定地參考微影或曝光裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影或曝光裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另 外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者，包括折射、繞射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件，或其組合。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1‧‧‧裝置
2‧‧‧基板台
3‧‧‧定位元件
4‧‧‧可個別控制自發射對比元件/可個別控制器件
5‧‧‧支撐框架/靜止部件
7‧‧‧致動器/馬達
8‧‧‧旋轉框架/可旋轉框架/線性移動框架/可移動框架/第一框架/第二框架
9‧‧‧可移動光學件
10‧‧‧幾何中心軸線/幾何中心
11‧‧‧致動器
12‧‧‧投影系統/透鏡
13‧‧‧孔隙結構
14‧‧‧投影系統/場透鏡
15‧‧‧支撐框架
17‧‧‧基板
18‧‧‧投影系統/成像透鏡
19‧‧‧對準/位階感測器
21‧‧‧陣列
30‧‧‧分段鏡面
100‧‧‧處理級
102‧‧‧級
104‧‧‧光柵化級
106‧‧‧控制信號產生級
108‧‧‧度量衡資料儲存級
110‧‧‧控制信號輸出級
112‧‧‧離線部分
114‧‧‧線上部分
120‧‧‧光點曝光柵格
121‧‧‧單位格
122‧‧‧光柵化柵格
123‧‧‧參考柵格點
125‧‧‧柵格點
126‧‧‧柵格點
127‧‧‧柵格點
200‧‧‧輻射光束
202‧‧‧實質上透明材料
204‧‧‧供體材料層/供體材料
206‧‧‧供體材料小滴
208‧‧‧供體結構/供體板
300‧‧‧馬達
301‧‧‧馬達
302‧‧‧質心
304‧‧‧靜止部件
306‧‧‧電磁體總成/電磁體
308‧‧‧電磁體總成
310‧‧‧間隙
312‧‧‧感測器/量測線圈
350‧‧‧反作用質量塊
352‧‧‧隔離機構
354‧‧‧隔離機構/氣墊式避震器
356‧‧‧第一馬達
358‧‧‧第二馬達
360‧‧‧伺服回饋力
362‧‧‧伺服前饋力
380‧‧‧切線方向感測器
382‧‧‧感測器
384‧‧‧感測器/傳感器/讀頭
386‧‧‧刻度/子刻度
400‧‧‧曲線
402‧‧‧曲線
404‧‧‧曲線
410‧‧‧向量/力
420‧‧‧向量
430‧‧‧向量
A1‧‧‧區域
A11‧‧‧區域
A12‧‧‧區域
A13‧‧‧區域
A14‧‧‧區域
A2‧‧‧區域
A21‧‧‧區域
A22‧‧‧區域
A23‧‧‧區域
A24‧‧‧區域
A3‧‧‧區域
A31‧‧‧區域
A32‧‧‧區域
A33‧‧‧區域
A34‧‧‧區域
B1‧‧‧第一光束集合/光束
B2‧‧‧第二光束集合/光束
B3‧‧‧第三光束集合/光束
C‧‧‧位置控制器
CFB‧‧‧「交叉回饋」項
GB‧‧‧增益平衡矩陣
GS‧‧‧增益排程矩陣
GyC‧‧‧迴轉補償
GyC1‧‧‧去諧式迴轉補償(GyC)
GyC2‧‧‧確切迴轉補償(GyC)
P‧‧‧主動式磁性軸承致動器
Px‧‧‧X方向主動式磁性軸承致動器
Py‧‧‧Y方向主動式磁性軸承致動器
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置之部件；圖2描繪根據本發明之一實施例的圖1之微影或曝光裝置之部件的俯視圖；圖3描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置之部 件的高度示意性透視圖；圖4描繪根據本發明之一實施例的由根據圖3之微影或曝光裝置進行至基板上之投影的示意性俯視圖；圖5以橫截面描繪本發明之一實施例之部件；圖6描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性俯視圖；圖7描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性側視圖；圖8描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性俯視圖；圖9描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之控制迴路；圖10描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之控制迴路；圖11描繪微影或曝光裝置中之可移動框架之控制迴路；圖12A描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之控制迴路；圖12B描繪圖12A之控制迴路之變體；圖13A描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之示意性側視圖；圖13B描繪圖13A之細節；圖13C描繪通過線A-A'之圖13B的示意性俯視圖；圖13D描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性側視圖； 圖14描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性側視圖；圖15描繪在不具有反作用質量塊之情況下根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的波德圖；圖16描繪在具有反作用質量塊之情況下根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架的波德圖；圖17描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性側視圖；圖18描繪微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性俯視圖；圖19描繪微影或曝光裝置中之可移動框架的示意性俯視圖；圖20描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性俯視圖；圖21(A)至圖21(D)描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性俯視圖；及圖22描繪微影或曝光裝置中之可移動框架的波德圖，其比較根據本發明之一實施例的感測器配置與另一感測器配置；圖23描繪微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性側視圖；圖24描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性側視圖；圖25描繪微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意 性側視圖；圖26(A)及圖26(B)分別描繪微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性側視圖及俯視圖；圖27(A)及圖27(B)分別描繪微影或曝光裝置中之可移動框架之部件的示意性側視圖及俯視圖；圖28描繪與框架8相關聯之不平衡力及關聯偏移的示意性表示；圖29描繪微影或曝光裝置中之複數個可移動框架及一實質上靜止框架之部件的示意性俯視圖；圖30(A)至圖30(D)為描繪可如何量測框架之不平衡的曲線圖；圖31描繪圖29之微影或曝光裝置中之複數個可移動框架及一實質上靜止框架之部件，其中該等可移動框架中之一者之角位置改變；圖32描繪用於將所要元件圖案之以向量為基礎之表示轉換成控制信號的資料路徑之部分；圖33描繪光點曝光柵格之部分；及圖34描繪光柵化柵格之部分。
1‧‧‧裝置
2‧‧‧基板台
3‧‧‧定位元件
4‧‧‧可個別控制自發射對比元件/可個別控制器件
5‧‧‧支撐框架/靜止部件
7‧‧‧致動器/馬達
8‧‧‧旋轉框架/可旋轉框架/線性移動框架/可移動框架/第一框架/第二框架
9‧‧‧可移動光學件
10‧‧‧幾何中心軸線/幾何中心
11‧‧‧致動器
12‧‧‧投影系統/透鏡
13‧‧‧孔隙結構
14‧‧‧投影系統/場透鏡
15‧‧‧支撐框架
18‧‧‧投影系統/成像透鏡

Claims (15)

  1. 一種曝光裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該可移動框架旋轉；及一控制器，其用以調整該可移動框架之一位置，以至少部分地補償該可移動框架之不平衡或另一可移動框架之不平衡。
  2. 如請求項1之裝置，其包含複數個可移動框架，該複數個可移動框架各自至少可圍繞一軸線而旋轉且由一共同框架支撐，其中該其他可移動框架為該複數個可移動框架中之一者。
  3. 如請求項2之裝置，其中該控制器經組態以調整該可移動框架之該位置，該可移動框架放於該共同框架上之此力結合由該等其他可移動框架放於該共同框架上之力會導致該等力之一有效取消。
  4. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該可移動框架之該位置之該調整包含：該可移動框架之一相角改變。
  5. 如請求項4之裝置，其中該相角改變包含：自該可移動框架之複數個透鏡中之一透鏡之角位置至該可移動框架之該複數個透鏡中之另一透鏡之角位置的一相角改變。
  6. 如請求項1至3中任一項之裝置，其進一步包含一量測系統，該量測系統經組態以量測至少一可移動框架之該不 平衡。
  7. 如請求項6之裝置，其中該量測系統經組態以獲得該至少可移動框架在受到干擾時之處於不同於其旋轉頻率之一頻率的一第一量測信號，且比較該第一量測信號與該至少一可移動框架之處於其旋轉頻率的一第二量測信號以獲得該不平衡之位置。
  8. 如請求項7之裝置，其中該量測系統經組態以使用該不平衡之該位置以及用於該第一量測信號及該第二量測信號之相同頻率來判定該不平衡之振幅。
  9. 如請求項7之裝置，其中該量測系統經組態至處於複數個不同頻率之該第一量測信號。
  10. 如請求項6之裝置，其中該量測系統經組態以藉由量測支撐該至少一可移動框架之一框架之位置、該框架之振動及/或施加至該框架之力來判定該不平衡。
  11. 如請求項6之裝置，其中該量測系統經組態以藉由使用一輻射感測器而量測投影通過該至少一框架之一透鏡之輻射來判定該不平衡。
  12. 一種曝光裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將複數個輻射光束投影至一目標上之一各別部位上；一可移動框架，其至少可圍繞一軸線而旋轉；一致動器系統，其用以致使該框架旋轉；及一控制器，其用以調整該等輻射光束中至少一者之一特性，以至少部分地補償該框架或施加至該框架之一不 平衡。
  13. 如請求項12之裝置，其中該控制器經組態以計算用以將該目標曝光至一所要圖案之該等輻射光束中每一者之一目標強度值且控制該等光束中每一者之一各別目標強度值，其中該控制器經組態以參考該不平衡來計算該等目標強度值以至少部分地補償該框架或施加至該框架之該不平衡。
  14. 如請求項13之裝置，其中該控制器經組態以使用針對每一輻射光束之一函數來計算該等目標強度值，該函數模型化彼光束與一相鄰光束之間的交叉耦合。
  15. 如請求項14之裝置，其中該函數取決於該等部位中每一者相對於該投影系統之位置。
TW101147225A 2011-12-27 2012-12-13 微影裝置及元件製造方法 TWI498681B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161580417P 2011-12-27 2011-12-27
US201261605022P 2012-02-29 2012-02-29
US201261642939P 2012-05-04 2012-05-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201331723A true TW201331723A (zh) 2013-08-01
TWI498681B TWI498681B (zh) 2015-09-01

Family

ID=47469889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101147225A TWI498681B (zh) 2011-12-27 2012-12-13 微影裝置及元件製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9494869B2 (zh)
JP (1) JP5833771B2 (zh)
KR (1) KR101688905B1 (zh)
CN (1) CN104040433B (zh)
IL (1) IL232760A0 (zh)
NL (1) NL2009902A (zh)
TW (1) TWI498681B (zh)
WO (1) WO2013098053A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5922838B2 (ja) * 2012-04-11 2016-05-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用の回転フレームおよび投影システム
US9933709B2 (en) 2014-09-15 2018-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN105988304B (zh) * 2015-02-28 2018-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种可调磁浮力重力补偿器
KR102217202B1 (ko) * 2016-07-05 2021-02-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치를 위한 조명 소스, 검사 장치 및 검사 방법
US10748571B2 (en) 2017-08-09 2020-08-18 Seagate Technology Llc Mechanically balanced and magnetically unbalanced device
CN111052296B (zh) 2017-09-04 2022-10-14 Asml荷兰有限公司 电子束检查设备的台架定位
WO2024064341A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Systems and methods for over-actuated control

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2336602A1 (fr) * 1975-12-24 1977-07-22 Europ Propulsion Dispositif de compensation des perturbations synchrones dans une suspension magnetique d'un rotor
DE2631850C2 (de) 1976-07-15 1984-11-22 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren sowie Vorrichtung zum zeilenweisen Belichten punktförmiger Flächenelemente eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsträgers
JPS57152273A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Ricoh Co Ltd Electronic photograph type printer
JPS58145916A (ja) 1982-02-24 1983-08-31 Hitachi Ltd デイスク型レンズ光走査器
US4447126A (en) 1982-07-02 1984-05-08 International Business Machines Corporation Uniformly intense imaging by close-packed lens array
US4520472A (en) 1983-02-07 1985-05-28 Rca Corporation Beam expansion and relay optics for laser diode array
US4525729A (en) 1983-04-04 1985-06-25 Polaroid Corporation Parallel LED exposure control system
US4796038A (en) 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US4780730A (en) 1986-04-11 1988-10-25 Itek Graphix Corp. Led-array image printer
KR920002820B1 (ko) 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US4864216A (en) 1989-01-19 1989-09-05 Hewlett-Packard Company Light emitting diode array current power supply
GB8923709D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of images using an array of light emmiting diodes
US4952949A (en) 1989-11-28 1990-08-28 Hewlett-Packard Company LED printhead temperature compensation
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
NL9100407A (nl) * 1991-03-07 1992-10-01 Philips Nv Optisch lithografische inrichting met een krachtgecompenseerd machinegestel.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5216247A (en) 1992-02-07 1993-06-01 Ying Wang Optical scanning method with circular arc scanning traces
US5216534A (en) 1992-04-24 1993-06-01 E-Systems, Inc. Read-write head for an optical tape recorder
DE4227014A1 (de) * 1992-08-14 1994-02-17 Budig Peter Klaus Prof Dr Sc T Verfahren und Anordnung zum Auswuchten eines Rotors
JPH06275936A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Oki Electric Ind Co Ltd 回路パターン形成方法
US5457488A (en) 1993-04-12 1995-10-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements
DE4315581A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Laserdioden mit Kühlsystem
DE4315580A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
ATE156739T1 (de) 1993-05-19 1997-08-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5481392A (en) 1993-12-21 1996-01-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Axial mirror scanner system and method
JPH07276706A (ja) 1994-03-04 1995-10-24 Xerox Corp ディジタルプリンタ及びｌｅｄプリントバーにおけるｌｅｄ画素非均一性補正方法
US5589973A (en) 1994-05-16 1996-12-31 Agfa Division, Bayer Corporation Optical enclosure for high speed rotating beam deflector
US5610754A (en) 1994-08-09 1997-03-11 Gheen; Gregory Method and apparatus for photolithography by rotational scanning
US5568320A (en) 1994-11-30 1996-10-22 Xerox Corporation Multiple row lens array alignable with multiple row image bar
IL115864A (en) 1995-11-02 1999-05-09 Orbotech Ltd Method and apparatus for delivering laser energy to an object
JP3318171B2 (ja) 1995-11-10 2002-08-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイおよび光書込装置
EP0991959B1 (en) 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US5840451A (en) 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US6490025B1 (en) * 1997-03-17 2002-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus
DE19813127A1 (de) 1997-03-27 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Laservorrichtung
DK0981895T3 (da) 1997-05-14 2002-05-27 Luescher Ursula System til belysning af trykplader og dettes anvendelse
US6137105A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Science Applications International Corporation Multiple parallel source scanning device
US6268613B1 (en) 1999-03-02 2001-07-31 Phormax Corporation Multiple-head phosphor screen scanner
US6204875B1 (en) 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
CN1309017C (zh) 1998-11-18 2007-04-04 株式会社尼康 曝光方法和装置
DE50000497D1 (de) 1999-03-31 2002-10-17 Fraunhofer Ges Forschung Optische anordnung zur symmetrierung der strahlung von zweidimensionalen arrays von laserdioden
US6310710B1 (en) 1999-04-23 2001-10-30 Arie Shahar High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed
US6466352B1 (en) 1999-04-23 2002-10-15 Arie Shahar High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
TWI264617B (en) 1999-12-21 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
JP2002184666A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 露光装置、及び半導体装置の製造方法
US20020115021A1 (en) 2001-02-01 2002-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device
US20020126479A1 (en) 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
GB2395799B (en) 2001-07-27 2005-06-15 Tesa Scribos Gmbh Lithograph having a moving cylindrical lens system
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US20030091277A1 (en) 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2003220484A (ja) 2002-01-23 2003-08-05 Fine Device:Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
GB2389457B (en) 2002-06-07 2006-07-26 Microsaic Systems Ltd Microengineered optical scanner
WO2004013692A2 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
US7175712B2 (en) 2003-01-09 2007-02-13 Con-Trol-Cure, Inc. Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives
US20050042390A1 (en) 2003-01-09 2005-02-24 Siegel Stephen B. Rotary UV curing method and apparatus
JP2004343101A (ja) * 2003-04-25 2004-12-02 Canon Inc 駆動機構、それを有する露光装置、デバイスの製造方法
WO2005006082A1 (fr) 2003-07-15 2005-01-20 Natalia Viktorovna Ivanova Procedes de formation d'images et dispositifs associes
KR20060120660A (ko) * 2004-01-06 2006-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치와, 디바이스 제조 방법
US6967711B2 (en) 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060108508A1 (en) 2004-03-12 2006-05-25 Najeeb Khalid Method and apparatus for high speed imaging
US7116404B2 (en) 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006002668A1 (de) 2004-06-30 2006-01-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtdiodenmatrix und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenmatrix
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
KR101249598B1 (ko) * 2004-10-26 2013-04-01 가부시키가이샤 니콘 광학 장치, 경통, 노광 장치, 및 디바이스의 제조 방법
EP1825332A1 (en) 2004-12-14 2007-08-29 Radove GmbH Process and apparatus for the production of collimated uv rays for photolithographic transfer
WO2006069340A2 (en) 2004-12-21 2006-06-29 Carnegie Mellon University Lithography and associated methods, devices, and systems
US7459247B2 (en) * 2004-12-27 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4858439B2 (ja) 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2007041239A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Fujifilm Corp カラーフィルタの製造方法、及びカラーフィルタ並びに液晶表示装置
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
WO2007050022A2 (en) 2005-10-26 2007-05-03 Micronic Laser Systems Ab Writing apparatuses and methods
EP1948962A2 (en) * 2005-11-08 2008-07-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Vibration isolation system and method
JPWO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7626181B2 (en) 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007098935A2 (en) 2006-02-28 2007-09-07 Micronic Laser Systems Ab Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US7368733B2 (en) * 2006-03-30 2008-05-06 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus comprising same
US9001028B2 (en) 2006-08-19 2015-04-07 David James Baker Projector pen
DK1892576T3 (da) 2006-08-25 2013-09-16 Luescher Technologies Ag Eksponeringsindretning til at fremstille serigrafiskabeloner
DE102006059818B4 (de) 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
JP4473297B2 (ja) 2007-09-20 2010-06-02 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直描装置
JP5008630B2 (ja) * 2007-10-02 2012-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
NL1036160A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly.
NL1036511A1 (nl) 2008-02-13 2009-08-14 Asml Netherlands Bv Movable support, position control system, lithographic apparatus and method of controlling a position of an exchangeable object.
TWI531872B (zh) * 2008-09-22 2016-05-01 Ａｓｍｌ荷蘭公司 微影裝置、可程式化圖案化器件及微影方法
NL2003424A (en) 2008-10-07 2010-04-08 Asml Netherlands Bv Projection assembly and lithographic apparartus.
CN101364052B (zh) 2008-10-08 2010-10-27 上海微电子装备有限公司 主动减振系统及其预见控制方法
CN102362226B (zh) * 2008-12-05 2014-11-05 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 用于在工件上写入或读取图像的旋转臂
US20100265557A1 (en) 2009-04-21 2010-10-21 Jesper Sallander Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same
EP2267534A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system
US8467117B2 (en) 2009-09-01 2013-06-18 Micronic Mydata AB Pattern generation systems and high bandwidth focus control system with suppressed reaction forces and noise
NL2006257A (en) * 2010-02-23 2011-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9081307B2 (en) 2010-07-09 2015-07-14 Asml Netherlands B.V. Variable reluctance device, stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9645502B2 (en) 2011-04-08 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

Also Published As

Publication number Publication date
CN104040433A (zh) 2014-09-10
NL2009902A (en) 2013-07-01
CN104040433B (zh) 2016-05-04
JP2015503234A (ja) 2015-01-29
JP5833771B2 (ja) 2015-12-16
US20140340666A1 (en) 2014-11-20
TWI498681B (zh) 2015-09-01
IL232760A0 (en) 2014-07-31
KR101688905B1 (ko) 2016-12-22
KR20140107403A (ko) 2014-09-04
WO2013098053A1 (en) 2013-07-04
US9494869B2 (en) 2016-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI498681B (zh) 微影裝置及元件製造方法
US7897942B1 (en) Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography
TWI398738B (zh) 平台系統和包含該平台系統的微影裝置
KR100907515B1 (ko) 메트롤로지 툴, 리소그래피 장치 및 메트롤로지 툴을포함한 시스템, 및 기판의 파라미터를 결정하는 방법
KR101325607B1 (ko) 대상물 테이블을 위치시키는 스테이지 장치, 리소그래피 장치 및 방법
JP5238678B2 (ja) オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置
TWI664503B (zh) 承載裝置、磁重力補償器、振動隔離系統、微影設備、控制具有負剛性的重力補償器的方法及彈簧
KR20140045995A (ko) 개별적으로 능동적으로 지지되는 구성요소를 갖는 광학적 이미징 장치
JP2009004737A (ja) 可動物体の位置依存信号を測定するための測定システム、リソグラフィ装置および方法
TW201543185A (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI659272B (zh) 具有一主動底部框架支撐件之微影設備
CN104272191B (zh) 光刻设备及器件制造方法
WO2020193039A1 (en) Method of measuring an alignment mark or an alignment mark assembly, alignment system, and lithographic tool
US11940264B2 (en) Mirror calibrating method, a position measuring method, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
JP6016432B2 (ja) 位置決め装置、露光装置、デバイス製造方法
JP6016433B2 (ja) 位置決め装置、露光装置、デバイス製造方法