JP5238678B2 - オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置 - Google Patents

オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5238678B2
JP5238678B2 JP2009279995A JP2009279995A JP5238678B2 JP 5238678 B2 JP5238678 B2 JP 5238678B2 JP 2009279995 A JP2009279995 A JP 2009279995A JP 2009279995 A JP2009279995 A JP 2009279995A JP 5238678 B2 JP5238678 B2 JP 5238678B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mode
measurement
dynamic mode
dynamic
freedom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009279995A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010153854A (ja
Inventor
バトラー,ハンズ
デル ウィスト,マルク,ウィルヘルムス,マリア ヴァン
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2010153854A publication Critical patent/JP2010153854A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5238678B2 publication Critical patent/JP5238678B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16FSPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
    • F16F15/00Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
    • F16F15/002Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion characterised by the control method or circuitry
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Description

[0001] 本発明は、オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用することができる。このような場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つまたは複数のダイの一部が含まれている)に転送することができる。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料(レジスト)の層の上へのイメージングによって実施される。通常、1枚の基板には、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分の回路網が含まれている。従来のリソグラフィ装置には、パターン全体を1回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向(「スキャンニング」方向)にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。また、基板上へのパターンのインプリントによってパターンをパターニングデバイスから基板へ転送することも可能である。
[0003] 知られているリソグラフィ装置にはいわゆるメトロロジーフレーム(metrology frame)またはメトロフレーム(metro frame)が提供されている。このメトロロジーフレームは、パターニングデバイスサポート上にサポートされているパターニングデバイスおよび基板サポート上にサポートされている基板の運動のための基準フレームとしてしばしば使用されている。また、このメトロロジーフレームは、リソグラフィ装置の投影システムをサポートするために使用されており、したがって投影システムは、メトロフレームに対して実質的に固定位置に保持されている。
[0004] 既知のリソグラフィ装置では、メトロフレームは、地下、例えば床の上に配置されるように構成されたベースフレームによってサポートされている。例えば床から発せられるベースフレームの振動、あるいはパターニングデバイスサポートまたは基板サポートのアクチュエータを起動した際の振動がメトロフレームに伝搬するのを回避し、あるいは少なくとも小さくするために、メトロフレームはアクティブダンピングシステムによってサポートされている。アクティブダンピングシステムは、通常、ベースフレームとメトロフレームの間に3つのエアマウントを備えており、これらのエアマウントは、それぞれ、メトロフレームを所望の位置で保持するためのアクチュエータを備えている。対応する個々のエアマウントの位置量、例えば位置、速度または加速度を測定するためのセンサが提供されている。
[0005] 図1は、投影システムPSをサポートしているメトロフレームMFのための3つのアクティブエアマウントAM1、AM2、AM3を備えた従来技術によるアクティブエアマウントシステムを示したものである。エアマウントは、それぞれ、対応する個々のエアマウントの位置量、例えば速度を測定するための少なくとも1つのセンサを備えている。これらの測定値(z1、z2、z3)に基づいて、実質的に同じ方向の3つの位置で投影システムの速度を測定することができる。変換行列Tを有する変換デバイスを使用することにより、個々のセンサ信号をメトロフレームによってサポートされているオブジェクトと相俟ったメトロフレームの重心を座標系の原点とした論理座標すなわち自由度(z、Rx、Ry)に減結合することができる。
[0006] 論理座標毎にコントローラデバイスCz、Crx、Cryが提供されており、対応する個々の論理座標中の速度に基づいて、対応する個々の方向に対する制御信号Fz、Frx、Fryを提供している。第2の変換デバイスには、アクティブエアマウントAM1、AM2、AM3の対応する個々のアクチュエータ毎に制御信号をアクチュエータ信号F1、F2、F3に変換するための逆変換行列T−1が提供される。
[0007] この方法によれば、少なくとも3つの指示方向のメトロフレーム運動を減衰させることができるアクティブダンピングが生成される。アクティブダンピングシステムは、異なる数の自由度を制御するように構成することも可能である。例えば、個々のエアマウント内の2つの方向の速度を測定することにより、投影システムの運動を6自由度で能動的に減衰させることができる。通常、減衰は、メトロフレームによってサポートされているオブジェクトと相俟ったメトロフレームの重心を座標系の原点として有する論理座標に対して実施される。他の原点位置も可能である。絶対方式で速度を測定する場合、つまりベースフレームに対する速度を測定するのではなく、何らかの固定基準に対して測定する場合、この減衰は、スカイフックダンピング(skyhook damping)とも呼ばれている。
[0008] スカイフックダンピング性能はその帯域幅によって決まる。帯域幅はメトロフレームの共振によって制限される。例えば、知られているリソグラフィ装置のメトロロジーフレームの最も低い共振周波数は、利用可能な構築空間が限られているため、150Hz程度である。上で説明したダンピング制御システムを使用して、例えば30Hz程度の共振モードを減衰させるだけの十分な広さの帯域幅を生成することができるようにするためには、150Hzのメトロフレーム共振を処理しなければならない。
[0009] 通常、メトロフレーム共振は、スカイフックダンピングの性能を制限しており、そのためにメトロフレームの運動によって誘導されるオーバーレイエラーのリダクションが制限されている。
[0010] 2以上のアクティブマウントによってサポートされたオブジェクトを制動させるための方法、およびオブジェクトを制動させるためのアクティブダンピングシステムであって、ダンピング性能、詳細にはダンピング制御システムの帯域幅を改善することができるアクティブダンピングシステムが提供されることが望ましい。
[0011] 本発明の一実施形態によれば、2以上の自由度でオブジェクトを制動させるための方法が提供される。この方法には、多変量制御システムを提供することであって、2以上の測定位置で位置量を測定するための位置量測定システムと、オブジェクトに取り付けられた2以上のアクチュエータに、測定された位置量に基づいて制御信号を提供するコントローラデバイスであって、オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を少なくとも1自由度に対して測定位置量から抽出するための抽出デバイス、および動的モード毎のコントローラユニットを備え、2以上のアクチュエータのための制御信号が少なくとも1自由度の個々の動的モードのコントローラユニットの出力信号に基づくコントローラデバイスとを備えた多変量制御システムを提供することと、2以上の測定位置の各々で位置量を測定することと、測定された位置量から動的モード毎に測定信号を抽出することと、測定された位置量から動的モード毎に測定信号を抽出することと、対応する個々の動的モードと結合したコントローラデバイスのコントローラユニットに動的モードの測定信号を供給することであって、コントローラユニットが対応する個々の測定信号に基づいて出力信号を動的モード毎に提供することと、2以上のアクチュエータに制御信号を提供することであって、制御信号が1つまたは2以上のコントローラユニットの出力信号に基づくことが含まれている。
[0012] 本発明の一実施形態によれば、2以上の自由度でオブジェクトを制動させるためのアクティブダンピングシステムであって、オブジェクトに接続された2以上のアクチュエータと、オブジェクトの位置量を2以上の測定位置で測定するための位置量測定システムと、測定された位置量に基づいて2以上のアクチュエータに制御信号を提供するコントローラデバイスを備えた多変量制御システムとを備えたアクティブダンピングシステムが提供される。コントローラデバイスは、オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を少なくとも1自由度に対して測定位置量から抽出するための抽出デバイス、ならびに動的モード毎および自由度毎のコントローラユニットを備えており、2以上のアクチュエータのうちの少なくとも1つのための制御信号は、少なくとも1自由度の個々の動的モードのコントローラユニットの出力信号に基づいている。
[0013] 本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調節する照明システムと、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスをサポートするサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投射する投影システムと、2以上の自由度でオブジェクトを制動させるためのアクティブダンピングシステムであって、オブジェクトに接続された2以上のアクチュエータと、オブジェクトの位置量を2以上の測定位置で測定するための位置量測定システムと、測定された位置量に基づいて2以上のアクチュエータに制御信号を提供するコントローラデバイスを備えた多変量制御システムとを備え、コントローラデバイスが、オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を少なくとも1自由度に対して測定位置量から抽出するための抽出デバイス、ならびに動的モード毎および自由度毎のコントローラユニットを備え、2以上のアクチュエータのうちの少なくとも1つのための制御信号が、少なくとも1自由度の個々の動的モードのコントローラユニットの出力信号に基づいているアクティブダンピングシステムとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
[0014] 以下、本発明の実施形態について、単なる一例にすぎないが、対応する参照記号を使用して対応する部品が示されている添付の略図を参照して説明する。
[0015]リソグラフィ装置のメトロフレームを制動させるように構成された従来技術によるアクティブダンピングシステムを示す図である。 [0016]本発明の一実施形態によるアクティブダンピングシステムを組み込んだリソグラフィ装置を示す図である。 [0017]本発明の一実施形態によるアクティブダンピングシステムを示す図である。 [0018]メトロフレームのモデルを示す図である。 [0019]メトロフレームに加えられるトルクFrxとそれによって生じる同じ方向の運動Rxとの間の関係のボードプロットを示すグラフである。 [0020]図6aは、本発明の一実施形態による1自由度に対する制御スキームを示すグラフである。[0021]図6bは、図6aの制御スキーム中のリジッドボディモード測定信号のボードプロットを示すグラフである。 [0022]図6cは、図6aの制御スキーム中の曲げモード測定信号のボードプロットを示すグラフである。 [0023]2つのエアマウントの測定位置z1、z2から2つの異なる動的モードに対する測定信号rx1、rx2を引き出すように構成された抽出行列Dを示す図である。
[0024] 図2は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、放射ビームB(例えばUV放射または適切な他の任意の放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク)MAをサポートするように構築されたパターニングデバイスサポートすなわちサポート構造(例えばマスクテーブル)MTであって、パターニングデバイスを特定のパラメータに従って正確に配置するように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたサポート構造(例えばマスクテーブル)MTとを備えている。また、この装置は、基板(例えばレジストコートウェーハ)を保持するように構築された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTすなわち「基板サポート」であって、基板を特定のパラメータに従って正確に配置するように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板サポートを備えている。この装置は、さらに、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数の2以上のダイが含まれている)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)を備えている。
[0025] 照明システムは、放射を誘導、整形、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネントあるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。
[0026] パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。パターニングデバイスサポートには、パターニングデバイスを保持するための、機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。パターニングデバイスサポートは、例えば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
[0027] 本明細書において使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。例えばパターンに位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャが含まれている場合、放射ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
[0028] パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフトおよびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。これらの傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射した放射ビームにパターンが付与される。
[0029] 本明細書において使用されている「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システムまたはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
[0030] 図に示されているように、この装置は、透過型(例えば透過型マスクを使用した)タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型(例えば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用した)タイプの装置であってもよい。
[0031] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブルすなわち「基板サポート」(および/または2以上のマスクテーブルすなわち「マスクサポート」)を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブルすなわちサポートを並列に使用することができ、あるいは1つまたは複数の他のテーブルすなわちサポートを露光のために使用している間、1つまたは複数のテーブルすなわちサポートに対して予備工程を実行することができる。
[0032] また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率が大きい液体、例えば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間の空間に液浸液を加えることも可能である。液浸技法は、投影システムの開口数を大きくするために使用することができる。本明細書において使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸さなければならないことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が置かれることを意味しているにすぎない。
[0033] 図2を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取っている。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に放射システムと呼ぶことができる。
[0034] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている)は調整が可能である。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。このイルミネータを使用して、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射ビームを調節することができる。
[0035] パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTの上に保持されているパターニングデバイス(例えばマスク)MAに放射ビームBが入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス(例えばマスク)MAを通過した放射ビームBは、ビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる投影システムPSを通過する。基板テーブルWTは、第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ)を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なるターゲット部分Cを放射ビームBの光路内に配置することができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMおよびもう1つの位置センサ(図2には明確に示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを放射ビームBの光路に対して正確に配置することができる。通常、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの一部を形成しているロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」の移動は、第2ポジショナPWの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合(スキャナではなく)、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。パターニングデバイス(例えばマスク)MAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である(このような基板アライメントマークは、スクライブラインアライメントマークとして知られている)。同様に、1以上のダイがマスクMA上に提供される場合、ダイとダイの間にパターニングデバイスアライメントマークを配置することができる。
[0036] 図に示されている装置は、以下のモードのうちの少なくとも1つのモードで使用することができる。
[0037] 1.ステップモード:パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」および基板テーブルWTすなわち「基板サポート」が基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一静的露光)。次に、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」がX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像するターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0038] 2.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」および基板テーブルWTすなわち「基板サポート」が同期スキャンされる(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」に対する基板テーブルWTすなわち「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の幅)が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ(スキャン方向の高さ)が決まる。
[0039] 3.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくパターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTすなわち「マスクサポート」が基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」が移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTすなわち「基板サポート」が移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0040] 上で説明した使用モードの組合せおよび/または変形形態、あるいはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。
[0041] 図2のリソグラフィ装置では、アクティブダンピングシステム(本明細書においては、以下、広義にアクティブダンパとも呼ばれている)は、リソグラフィ装置のメインフレームであるベースフレームBFと、投影システムPSをサポートしているメトロロジーフレームすなわちメトロフレームMFとの間に提供されている。メトロフレームMFは、リソグラフィ装置の運動のための基準フレームとしても使用されている。したがって、ベースフレームBFの振動がメトロフレームMFに伝搬しないことが望ましい。そのため、メトロフレームMFは、3つのエアマウントAMを備えたアクティブダンピングシステムを備えたベースフレームBF上にサポートされている。エアマウントAMは、それぞれ、メトロフレームの位置量、例えば位置、速度または加速度を測定するように構成されたエアマウントセンサAMSを備えており、また、エアマウントアクチュエータAMAは、メトロフレームMFとベースフレームBFの間に、ベースフレームBFから伝わってくる力または振動を補償するための力を加えるように構成されている。
[0042] エアマウントコントローラAMCDは、エアマウントセンサAMSの測定位置量に基づいてアクチュエータAMAの各々にアクチュエータ信号を提供するために提供されている。
[0043] 図1に関連して説明したように、エアマウントコントローラAMCDは、測定方向に測定された位置量を論理座標中の1つの自由度に変換するための変換デバイスを備えた多変量コントローラであってもよい。コントローラユニットは自由度毎に提供されており、測定された位置量に基づいて制御信号を提供している。対応する個々の自由度(z、Rx、Ry)に対する制御信号をエアマウントアクチュエータAMAの駆動方向に変換するために、変換行列を備えた変換デバイスを提供することができる。
[0044] 本発明による一実施形態では、代替多変量コントローラが提供される。3つのエアマウントセンサAMSの測定値から抽出される従来の論理座標(z、Rx、Ry)を使用する代わりに、それぞれメトロフレームの特定の動的モード、例えば以下で説明するリジッドボディモード(rigid body mode)または曲げモード(bending mode)を表す4つ以上の測定信号が位置量測定値から抽出される。
[0045] 図3は、本発明のこのような実施形態による制御システムすなわちコントローラを示したものである。図3では、メトロフレームは、メインボディMFMBおよび2本のアームMFAを有するU字形であることが分かる。これらのアームMFAは、メトロフレームメインボディMFMBに限りなくリジッドに結合されているわけではなく、図に示されている曲げ線BLの周りに回転モードを有している。このようなメトロフレームの挙動は、異なる動的モード、例えばリジッドボディモードおよび曲げモードで記述することができる。リジッドボディモードが観察するのはオブジェクトのリジッドボディ運動のみである。このモードではオブジェクト内の共振は観察されない。曲げモードは、オブジェクトのリジッドボディ運動は観察しないが、その代わりにオブジェクト内の可撓性によって生じる共振または他の運動のみを観察する。
[0046] 本発明の一実施形態によれば、測定された位置量から、これらの動的モードのうちの1つを表す測定信号を自由度毎に抽出することができる。特定の動的モードを表すこれらの測定信号の各々に対してコントローラユニットを提供し、かつ、このコントローラユニットの制御を動的モードの制御専用にすることにより、運動または振動をより正確に制御することができる。
[0047] 図4〜7では、測定された位置量からの、とりわけリジッドボディモードおよびx−軸Rxの周りの回転と結合した曲げモードに対する2つの測定信号の抽出について説明する。アクティブダンピングシステムによってサポートされたオブジェクトの他の自由度に対する測定信号も同様の方法で抽出し、かつ、制御することができる。
[0048] 図4は、メトロフレームMFのモデルの略側面図を示したものである。2つのボディ部分(1、2)は、剛性crおよび極めて大きい垂直方向の剛性czを有する回転ばねを介して接続されている。質量m2は、メインボディMFMBの質量を表しており、この例では1500kgである、また、m1は、メトロフレームアームの質量を表しており、例えば500kgである。逆方向の同じ大きさの力(F1=-F2)を生成するアクチュエータ1および2を使用してこの構造にトルクを駆動することにより、
で決定されるRx運動が得られる。図5は、トルクからRx位置への伝達関数を示したものである。この例では約250Hzの曲げモード共振が観察される。実際には、この共振周波数の近辺での位相挙動は、このポイントにおける閉ループの安定性が危うくなるような挙動になる。これは、場合によっては、制御ループ内の例えば増幅器のようなコンポーネントの位相挙動およびセンサの特性、ならびにデジタルコンピュータ内のコントローラの離散実施態様によって誘導される位相のずれによるものである。
[0049] したがって、図6aに示されているように、測定された位置量z1、z2から、リジッドボディモードに対する測定信号Rx1および曲げモードに対する測定信号Rx2を抽出することができる。図6bは、リジッドボディモードを表す測定信号Rx1のボードプロットRB−Mを示したものであり、また、図6cは、曲げモード力学を表すボードプロットBE−Mを示したものである。このボードプロットから、リジッドボディモードでは共振が存在していないことが分かる。
[0050] これらの測定信号Rx1、Rx2の各々に対して、個別のコントローラユニットCrx1およびCrx2が提供されている。これらのコントローラユニットCrx1、Crx2の各々は、それぞれ動的モードの制御専用であり、出力信号Trx1、Trx2を提供している。これらの出力信号Trx1およびTrx2が加算され、対応する個々の自由度に対する制御信号Trx、この場合はRxが提供される。制御信号Trxは変換T−1に送られる。変換T−1は、Rx自由度の運動を減衰させるために、エアマウントアクチュエータAMAによって駆動される力Fz1およびFz2を計算する。コントローラは、さらに、メトロフレームMFの他の自由度の運動(図3に示されている)を減衰させるための駆動信号を提供することができることに留意されたい。
[0051] 測定信号Rx1およびRx2を提供している抽出デバイスすなわちエキストラクタDは、図7に示されているように、z1およびz2の組合せを使用して構築することができる。リジッドボディモードは、例えば、rx=αz−(1−α)zを使用して抽出することができる。係数αはモデルパラメータに基づいており、図3に示されているメトロフレームMFの実施形態の場合、α=0.35717271071802である。事実上、曲げモードが「目に見えない」よう、特定のポイントの周りのリジッドボディ回転が使用されている。m1=m2である場合、α=0.5であることに注目されたい。
[0052] αを見出す方法の1つは、次の通りである。システムに対するトルク(F1〜F2)の間の関係を測定値rx=αz−(1−α)zを使用して記述しているシステムの運動の式は、数学的に決定することができる。この伝達関数は、システムのモードと一致する位置に極を有している。通常、位置の測定値が考慮されるため、一定のトルクによってRxの一定の加速度が得られる。したがって原点に2つの極が存在することになり、図5に示されているように共振周波数で2つの極が存在する。さらに、この伝達関数は、その位置がαに依存するゼロを有している。ここで、αの値は、ゼロの位置と共振周波数の極の位置が一致するように選択される。この方法によれば、ゼロによって極が相殺され、したがって共振挙動は存在しない。この計算は、例えば数学的に実施することができ、質量、慣性、接続剛性、等々などのモデルパラメータに依存する数式が生成される。
[0053] 曲げモード測定信号は、z1およびz2の重み付き合計、rx=βz+(1−β)zを使用して抽出される。係数βは、リジッドボディモードが目に見えないように、つまり、構造に対するトルクによって、その方向にリジッドボディが加速されないように選択される。上の例では、β=3/8である。αに関連して上で説明した技法と同様の技法を使用してβを見出すことができる。トルクを印加する場合、共振モードは、m2の回転方向に対して逆方向のm1の回転を示すことになる。しかしながら、回転の大きさは同じではなく、幾何構造、質量およびこれらの質量の慣性によって異なる。最適βは、回転の大きさがより小さいコンポーネントのz測定値が他のz測定値より重い重みを有するようなβである。本出願人らの例では、β=3/8が最適値である。
[0054] 同様の数式を使用して、測定された位置量から他の自由度に対する測定信号を抽出することができる。
[0055] ここでもう一度図3を参照すると、図3には、メトロフレームMFの3自由度z、Rx、Ryの運動を減衰させるように構成された制御システムが示されており、測定された位置量から、自由度毎に、リジッドボディモードおよび曲げモードに対する測定信号が抽出されている。
[0056] したがって、図3のコントローラの場合、第1の組である、対応する個々の自由度のリジッドボディモードを表すz_rig、Rx_rig、Ry_rigと、第2の組である、曲げモードを表すz_res、Rx_res、Ry_resの2組の測定信号が使用されている。測定信号z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_resは、測定された位置量z1、z2およびz3からこれらの測定信号を抽出するように構成された抽出デバイスDによって獲得される。
[0057] これらの測定信号z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_resの各々に対して、個別のコントローラユニットCz_rig、Crx_rig、Cry_rig、Cz_res、Crx_res、Cry_resが提供されている。コントローラユニットは、それぞれ、対応する個々の自由度の対応する個々の動的モードを制御している。コントローラユニットCz_rig、Crx_rig、Cry_rig、Cz_res、Crx_res、Cry_resは、それぞれ、対応する個々の測定信号z_rig、Rx_rig、Ry_rig、z_res、Rx_res、Ry_resに基づいて出力信号を提供している。図3に示されている実施形態では、リジッドボディモードコントローラユニットCz_rig、Crx_rig、Cry_rigおよび曲げモードコントローラユニットCz_res、Crx_res、Cry_resの出力信号は、自由度z、Rx、Ry毎に加算され、自由度z、Rx、Ry毎に制御信号Fx、Trx、Tryが得られる。
[0058] 図3の制御システムの利点は、同じ一組のセンサAMSから個別の測定信号を生成し、かつ、これらの測定信号に個別のコントローラユニットを提供することにより、もっと多くの物理的センサを装置に追加する必要なく、関連するモードのダンピングが可能であることである。通常、ダンピングコントローラの帯域幅を広くし、それによりメトロフレームの運動を小さくし、延いてはより良好なオーバーレイを達成することができる。
[0059] 以上、メトロフレームを3自由度で制御するための制御システムについて説明した。本発明の一実施形態は、異なる数の自由度が制御されるダンピングシステムに適用することも可能である。また、リソグラフィ装置のメトロフレームをサポートするためのアクティブダンピングシステムについて説明した。本発明の一実施形態によるアクティブダンピングシステムを使用して、他のオブジェクトをサポートし、かつ、制動させることも可能である。
[0060] 図3の実施形態では、抽出デバイスを使用して、自由度毎に2つの動的モードに対する測定信号が抽出されている。このような抽出デバイスは、2以上の動的モードに対する測定信号を個々に制御された自由度で提供するように構成されていることが好ましい。しかしながら、代替実施形態では、場合によっては、異なる動的モードに対する測定信号を、一部分のみが制御された自由度に対して抽出することが可能である。例えば、特定の望ましくない共振が主として1自由度で存在する場合、個々のオブジェクトの異なる動的モードを制御することによってこの自由度を制御することができ、一方、他の自由度は、単一のコントローラによってのみ制御される。他の実施形態では、制御精度を改善するために、1自由度に対して3つ以上の動的モードを決定することができる。
[0061] 以上、アクティブマウントによってサポートされた投影システムの運動の減衰について説明した。しかしながら本発明の実施形態は、アクティブマウントによってサポートされたオブジェクトに限定されない。本発明の一実施形態は、オブジェクト上の任意の適切な位置に配置されたセンサおよびアクチュエータと共に適用することも可能である。アクチュエータは、センサによって測定される位置量に基づいてオブジェクトに力を加えることによってオブジェクトの運動を減衰させることができる。
[0062] 本明細書においては、とりわけICの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明されているリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド、等々の製造などの他のアプリケーションを有することができることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック(通常、基板にレジストの層を加え、かつ、露光済みのレジストを現像するツール)、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、多重処理済み層が既に含まれている基板を指している場合もある。
[0063] また、本発明による実施形態の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照されているが、本発明は、他のアプリケーション、例えばインプリントリソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。インプリントリソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターニングデバイスのトポグラフィによって画定される。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターニングデバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。
[0064] 本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外(UV)放射(例えば365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射)および極端紫外(EUV)放射(例えば波長の範囲が5〜20nmの放射)、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
[0065] コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の1つまたは組合せを意味している。
[0066] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることは理解されよう。例えば、本発明は、上で開示した方法を記述した1つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク)の形態を取ることができる。
[0067] 以上の説明は、実例による説明を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示されている各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に修正を加えることができることは当業者には明らかであろう。

Claims (12)

  1. 多変量コントローラを使用してオブジェクトの運動を2以上の自由度で減衰させるための方法であって、
    前記多変量コントローラが、
    2以上の測定位置で前記オブジェクトの位置量を測定する位置量測定システムと、
    前記2以上の測定位置で測定された前記位置量に基づいて、前記オブジェクトに取り付けられた2以上のアクチュエータに制御信号を提供するコントローラと、
    を備え、
    前記コントローラが、
    前記オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を少なくとも1自由度に対して前記2以上の測定位置で測定された前記位置量から抽出するエキストラクタと、
    動的モード毎のコントローラユニットであって、少なくとも1自由度の前記動的モード毎の出力信号に基づいて前記2以上のアクチュエータに対する前記制御信号を提供する、コントロールユニットと、
    を備え、
    前記方法が、
    前記2以上の測定位置の各々で前記位置量を測定することと、
    前記2以上の測定位置の各々で測定された前記位置量から前記動的モード毎に測定信号を抽出することと、
    1つの動的モードの前記測定信号を、前記対応する個々の動的モードと結合した前記コントローラユニットに提供することであって、前記コントローラユニットが前記対応する個々の測定信号に基づいて前記動的モード毎に出力信号を提供することと、
    前記2以上のアクチュエータに前記制御信号を提供することであって、前記制御信号が1つまたは2以上のコントローラユニットの出力信号に基づくことと、
    を含み、
    前記オブジェクトの2つの異なる動的モードが、
    前記オブジェクトのリジッドボディモードである第1の動的モード、および、
    前記オブジェクトの曲げモードである第2の動的モードであり、
    前記位置量から前記動的モード毎に測定信号を抽出することは、
    一対の前記位置量を、第1の位置量z1および第2の位置量z2とし、前記リジッドボディモードである前記第1の動的モードについて設定された第1のモデルパラメータをαとした場合に、前記第1の動的モードについての測定信号rx1、式(1)を用いて抽出すること、および、
    前記一対の位置量を、前記第1の位置量z1および前記第2の位置量z2とし、前記曲げモードである前記第2の動的モードについて設定された第2のモデルパラメータをβとした場合に、前記第2の動的モードについての測定信号rx2、式(2)を用いて抽出すること、
    を含
    前記第1のモデルパラメータαは、前記第2の動的モードによる影響を無くするように設定されるものであり、
    前記第2のモデルパラメータβは、前記第1の動的モードによる影響を無くするように設定されるものである、方法。
    rx1=αz1−(1−α)z2 …(1)
    rx2=βz1+(1−β)z2 …(2)
  2. 前記2以上のアクチュエータに前記制御信号を提供することが、制御された方向に導かれた制御信号を前記アクチュエータの駆動方向に導かれた1つまたは2以上の駆動信号に変換することを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記オブジェクトがリソグラフィ装置の一部である、請求項1に記載の方法。
  4. 前記多変量コントローラがスカイフックダンピングを提供する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記オブジェクトが2以上のアクティブマウントによってサポートされ、個々のアクティブマウントが、前記オブジェクトの位置量を測定位置で測定する位置量センサ、および前記オブジェクトに力を加えるアクチュエータを備えた、請求項1に記載の方法。
  6. 2以上の自由度でオブジェクトの運動を減衰させるアクティブダンピングシステムであって、
    前記オブジェクトに接続された2以上のアクチュエータと、
    前記オブジェクトの位置量を2以上の測定位置で測定する位置量測定システムと、
    前記2以上の測定位置で測定された前記位置量に基づいて前記2以上のアクチュエータに制御信号を提供するコントローラを備えた多変量制御システムと、
    を備え、
    前記コントローラが、
    少なくとも1自由度に対して、前記複数の測定位置で測定された前記位置量から前記オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を抽出するエキストラクタと、
    動的モード毎および自由度毎のコントローラユニットと、
    を備え、
    前記2以上のアクチュエータのうちの少なくとも1つのための前記制御信号が、少なくとも1自由度の個々の動的モードのコントローラユニットによって提供される出力信号に基づいて提供され、
    前記オブジェクトの2つの異なる動的モードが、
    前記オブジェクトのリジッドボディモードである第1の動的モード、および、
    前記オブジェクトの曲げモードである第2の動的モードであり、
    前記エキストラクタは、
    一対の前記位置量を、第1の位置量z1および第2の位置量z2とし、前記リジッドボディモードである前記第1の動的モードについて設定された第1のモデルパラメータをαとした場合に、前記第1の動的モードについての測定信号rx1、式(1)を用いて抽出し、
    前記一対の位置量を、前記第1の位置量z1および前記第2の位置量z2とし、前記曲げモードである前記第2の動的モードについて設定された第2のモデルパラメータをβとした場合に、前記第2の動的モードについての測定信号rx2、式(2)を用いて抽出するものであり
    前記第1のモデルパラメータαは、前記第2の動的モードによる影響を無くするように設定されるものであり、
    前記第2のモデルパラメータβは、前記第1の動的モードによる影響を無くするように設定されるものである、
    アクティブダンピングシステム。
  7. 前記制御システムが、制御された方向に導かれた制御信号を前記アクチュエータの駆動方向に導かれた駆動信号に変換する変換デバイスを備えた、請求項6に記載のダンピングシステム。
  8. 前記オブジェクトが2以上のアクティブマウントによってサポートされ、個々のマウントが、位置量を測定する位置量センサおよび前記オブジェクトに力を加えるアクチュエータを備える、請求項6に記載のダンピングシステム。
  9. 前記抽出デバイスが、前記オブジェクトの2つの異なる動的モードに対する測定信号を制御された自由度毎に前記測定された位置量から抽出する、請求項6に記載のダンピングシステム。
  10. 前記位置量が前記オブジェクトの速度である、請求項6に記載のダンピングシステム。
  11. パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイスをサポートするサポートと、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投射する投影システムと、
    請求項6乃至10のいずれか一項に記載のアクティブダンピングシステムと、を備えた、
    リソグラフィ装置。
  12. 前記オブジェクトが、前記投影システムをサポートするメトロロジーフレームである、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
JP2009279995A 2008-12-23 2009-12-10 オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置 Active JP5238678B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14034208P 2008-12-23 2008-12-23
US61/140,342 2008-12-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010153854A JP2010153854A (ja) 2010-07-08
JP5238678B2 true JP5238678B2 (ja) 2013-07-17

Family

ID=42060522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009279995A Active JP5238678B2 (ja) 2008-12-23 2009-12-10 オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8619232B2 (ja)
EP (1) EP2202426A3 (ja)
JP (1) JP5238678B2 (ja)
KR (1) KR20100074056A (ja)
CN (1) CN101763124B (ja)
SG (1) SG162700A1 (ja)
TW (1) TWI395889B (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2003993A (nl) * 2009-01-22 2010-07-26 Asml Netherlands Bv Control system, lithographic apparatus and a method to control a position quantity of a control location of a movable object.
CN102235458B (zh) * 2010-05-07 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种主动减震隔振装置
EP2447777B1 (en) * 2010-10-27 2019-08-07 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
EP2469340B1 (en) 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2669931B1 (en) * 2011-01-28 2020-04-15 The University of Tokyo Driving system and driving method, light exposure device and light exposure method, and driving system designing method
NL2008272A (en) 2011-03-09 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
WO2013160016A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus and device manufacturing method
WO2014010233A1 (ja) * 2012-07-09 2014-01-16 株式会社ニコン 駆動システム及び駆動方法、並びに露光装置及び露光方法
WO2015009619A1 (en) 2013-07-15 2015-01-22 Kla-Tencor Corporation Producing resist layers using fine segmentation
NL2013522A (en) * 2013-10-30 2015-05-04 Asml Netherlands Bv Object positioning system, lithographic apparatus, object positioning method and device manufacturing method.
US9977349B2 (en) 2014-01-17 2018-05-22 Asml Netherlands B.V. Support device, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2022090A (en) * 2018-01-04 2019-07-10 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method
CN110874021B (zh) * 2018-08-31 2021-03-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 光刻设备、抗气流扰动的方法及装置
CN110647183B (zh) * 2019-10-16 2021-10-01 广东工业大学 一种高精密定位平台的减振方法、装置及设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2575832B2 (ja) 1988-08-05 1997-01-29 株式会社東芝 多変数制御装置
JP2954815B2 (ja) * 1993-06-24 1999-09-27 キヤノン株式会社 鉛直方向除振装置
JP3046696B2 (ja) 1993-09-17 2000-05-29 キヤノン株式会社 鉛直方向空気ばね式除振台の制御装置
JP3507234B2 (ja) 1996-01-11 2004-03-15 キヤノン株式会社 能動除振装置および能動除振方法
US6128552A (en) * 1996-11-08 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Anti-vibration apparatus and method
JP4194160B2 (ja) * 1998-02-19 2008-12-10 キヤノン株式会社 投影露光装置
US6378672B1 (en) * 1998-10-13 2002-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Active vibration isolation device and its control method
JP2000274482A (ja) * 1999-01-18 2000-10-03 Canon Inc 能動的除振装置、露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
JP3902942B2 (ja) 2001-11-13 2007-04-11 キヤノン株式会社 除振装置及びその制御方法、並びに該除振装置を有する露光装置
KR100522885B1 (ko) * 2002-06-07 2005-10-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP4386293B2 (ja) 2007-01-12 2009-12-16 キヤノン株式会社 振動制御装置及び振動制御方法及び露光装置及びデバイスの製造方法
US7903866B2 (en) * 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object

Also Published As

Publication number Publication date
US20100157264A1 (en) 2010-06-24
TWI395889B (zh) 2013-05-11
SG162700A1 (en) 2010-07-29
JP2010153854A (ja) 2010-07-08
EP2202426A3 (en) 2017-05-03
TW201030254A (en) 2010-08-16
CN101763124B (zh) 2012-04-18
EP2202426A2 (en) 2010-06-30
US8619232B2 (en) 2013-12-31
KR20100074056A (ko) 2010-07-01
CN101763124A (zh) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5238678B2 (ja) オブジェクトを制動させるための方法、アクティブダンピングシステムおよびリソグラフィ装置
US9915880B2 (en) Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table
TWI398738B (zh) 平台系統和包含該平台系統的微影裝置
JP4686563B2 (ja) 可動物体の位置依存信号を測定するための測定システム、リソグラフィ装置および方法
JP5162417B2 (ja) リソグラフィ装置およびその振動制御方法
US8730451B2 (en) Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
JP6741739B2 (ja) 粒子ビーム装置
JP2005109441A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6681982B2 (ja) 位置決めデバイス、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2020517980A (ja) 支持構造、方法、及びリソグラフィ装置
JP4797089B2 (ja) メトロロジーフレーム用のフィードフォワード圧力パルス補償を有するリソグラフィ装置
KR102109761B1 (ko) 능동 베이스 프레임 지지부를 갖는 리소그래피 장치
JP6209234B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6856758B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN111566565A (zh) 定位装置、光刻设备、补偿平衡质量块转矩的方法和器件制造方法
CN112041747A (zh) 框架组件、光刻设备和器件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120911

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5238678

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250