TW201329216A - 研磨粒及研磨液 - Google Patents

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Hisataka Minami
Hirotaka Akimoto
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Abstract

本發明的研磨粒的製造方法是將四價金屬元素的鹽的水溶液與鹼性液，以規定的參數為5.00以上的條件進行混合，而獲得含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒。

Description

研磨粒及研磨液
本發明是有關於一種研磨粒的製造方法、漿料的製造方法及研磨液的製造方法。本發明還有關於作為半導體元件製造技術的基板表面的平坦化步驟，特別是淺溝槽隔離絕緣膜、前金屬絕緣膜、層間絕緣膜等的平坦化步驟中使用的研磨粒的製造方法、包含該研磨粒的漿料的製造方法、以及包含上述研磨粒的研磨液的製造方法。
近年來的半導體元件的製造步驟中，用以高密度化、微細化的加工技術的重要性逐漸增強。作為其加工技術的之一的化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技術在半導體元件的製造步驟中，成為對於淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，以下視情況稱為「STI」)的形成、前金屬絕緣膜或層間絕緣膜的平坦化、插塞及嵌入金屬配線的形成而言所必需的技術。
先前，半導體元件的製造步驟中，為了使利用化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法或旋轉塗佈法等方法而形成的氧化矽膜等絕緣膜平坦化，通常將煙燻二氧化矽(fumed silica)系研磨液用於CMP中。煙燻二氧化矽系研磨液是利用將四氯化矽酸進行熱分解等的方法使研磨粒進行晶粒成長，調整pH值而製造。然而，此種二氧化矽系研磨液存在研磨速度低的技術問題。
但，設計規則0.25 μm以下的一代中，在積體電路內 的元件隔離中使用了STI。STI形成時，為了將成膜於基板上的多餘氧化矽膜去除而使用CMP。並且，CMP中為了使研磨停止，將研磨速度緩慢的中止膜(stopper film)形成於氧化矽膜之下。對中止膜使用氮化矽膜或多晶矽膜等，較理想為氧化矽膜相對於中止膜的研磨選擇比(研磨速度比：氧化矽膜的研磨速度/中止膜的研磨速度)大。習知的膠體二氧化矽系研磨液等二氧化矽系研磨液存在如下傾向：上述氧化矽膜相對於中止膜的研磨選擇比小至3左右，作為STI用，不具有可耐受實用的特性。
另一方面，使用包含氧化鈰粒子作為研磨粒的氧化鈰系研磨液來作為針對光罩、透鏡等的玻璃表面的研磨液。氧化鈰系研磨液與包含二氧化矽粒子作為研磨粒的二氧化矽系研磨液、或包含氧化鋁粒子作為研磨粒的氧化鋁系研磨液相比，具有研磨速度快的優點。另外，近年來，使用利用高純度氧化鈰粒子的半導體用研磨液作為氧化鈰系研磨液(例如參照下述專利文獻1)。
對於氧化鈰系研磨液等研磨液要求各種特性。例如要求提高氧化鈰粒子等研磨粒的分散性、將具有凹凸的基板研磨成平坦等。另外，若以上述STI為例，則存在相對於中止膜(例如氮化矽膜、多晶矽膜等)的研磨速度，提高作為被研磨膜的無機絕緣膜(例如氧化矽膜)的研磨選擇比等的要求。為了解決該些要求，有時在研磨液中添加添加劑。例如，已知為了控制氧化鈰系研磨液的研磨速度，提高總體的平坦性，而在研磨液中添加添加劑(例如參照 下述專利文獻2)。
但，近年來，在半導體元件的製造步驟中要求達成配線的進一步微細化，研磨時產生的研磨傷成為問題。即，當使用習知的氧化鈰系研磨液來進行研磨時，即便產生微量的研磨傷，該研磨傷的大小只要小於習知的配線寬度，則並不成為問題，但在想要達成配線的進一步微細化的情況下會成為問題。
針對該問題，對使用四價金屬元素的氫氧化物粒子的研磨液進行研究(例如參照下述專利文獻3)。另外，亦對四價金屬元素的氫氧化物粒子的製造方法進行研究(例如參照下述專利文獻4)。該些技術想要藉由有效利用四價金屬元素的氫氧化物粒子所具有的化學作用，並且極力減小機械作用，來減少由粒子引起的研磨傷。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平10-106994號公報
專利文獻2：日本專利特開平08-022970號公報
專利文獻3：國際公開第02/067309號小冊子
專利文獻4：日本專利特開2006-249129號公報
然而，專利文獻3及專利文獻4所記載的技術中，研磨傷減少，但另一方面，研磨速度稱不上足夠高。研磨速度在這種情況下會對製造製序的效率造成影響，故而要求具有更高研磨速度的研磨液。
另外，若在研磨液中添加添加劑，則存在並非獲得添 加劑的添加效果，而是導致研磨速度下降的情況，存在研磨速度與其他研磨特性難以並存的問題。
本發明是為了解決上述課題，目的在於提供一種研磨粒的製造方法，不論可作為研磨液的構成成分而與研磨粒併用的添加劑的有無，相較於習知的研磨粒，均能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。另外，本發明的目的在於提供一種包含利用此種製造方法而獲得的研磨粒的漿料的製造方法、以及包含上述研磨粒及添加劑的研磨液的製造方法。
本發明者對包含四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒進行積極研究，結果發現，於使用以滿足特定條件的方式將四價金屬元素的鹽的水溶液與鹼性液混合而獲得的研磨粒的情況，相較於習知的研磨粒，可以高速對被研磨膜進行研磨。另外，本發明者發現，於使用包含此種研磨粒的漿料的情況，相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨，並且發現，於使用具有在此種漿料中添加有添加劑的調配組成的研磨液的情況，不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
即，本發明的研磨粒的製造方法是將作為第1液的四價金屬元素的鹽的水溶液與作為第2液的鹼性液，以下述式(1)所示的參數Z為5.00以上的條件進行混合而獲得含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒。
Z=[1/(△pH×k)]×(N/M)/1000......(1)。
[式(1)中，△pH表示反應系統的每1分鐘的pH值變化量，k表示下述式(2)所示的反應溫度係數，N表示下述式(3)所示的循環數(min-1)，M表示下述式(5)所示的置換數(min-1)。]
k=2[(T-20)/10]......(2)。
[式(2)中，T表示反應系統的溫度(℃)。]
N=(u×S)/Q......(3)。
[式(3)中，u表示對將第1液及第2液進行混合而獲得的混合液進行攪拌的攪拌翼的下述式(4)所示的線速度(m/min)，S表示攪拌翼的面積(m2)，Q表示上述混合液的液量(m3)。]
u=2π×R×r......(4)。
[式(4)中，R表示攪拌翼的轉速(min-1)，r表示攪拌翼的旋轉半徑(m)。]
M=v/Q......(5)。
[式(5)中，v表示第1液及第2液的混合速度(m3/min)，Q表示上述混合液的液量(m3)。]
藉由使用包含利用此種製造方法而獲得的研磨粒的漿料，相較於習知的研磨粒，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。另外，於使用具有在該漿料中添加有添加劑的調配組成的研磨液的情況，不僅可維持添加劑的添加效果，而且能夠以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。另外，依據本發明，亦可抑制研磨傷的產生。
另外，本發明者發現，藉由增大參數Z的值，使所得的研磨粒分散於水中的溶液(以下稱為「水分散液」)的透明度提高，透明度越提高，越能夠以相較於習知的研磨粒而言更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。即，本發明者發現，藉由參數Z的值為5.00以上，所得的研磨粒含有四價金屬元素的氫氧化物，且在將該研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上，而且發現，藉由使用包含此種研磨粒的漿料或研磨液，能夠以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
另外，本發明者發現，若進一步增大參數Z的值，則水分散液著色為黃色，且參數Z的值越大，顏色變得越濃，而且發現，顏色變得越濃，越能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
即，本發明者發現，於參數Z的值大的情況，所得的 研磨粒不僅維持50%/cm以上的上述透光率，而且在將該研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，並且發現，藉由使用包含此種研磨粒的漿料或研磨液，能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
另外，本發明者發現，於參數Z的值大的情況，所得的研磨粒不僅維持50%/cm以上的上述透光率，並且在將該研磨粒的含量調整為0.0065質量%(65 ppm)的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上，而且發現，藉由使用包含此種研磨粒的漿料或研磨液，能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。此外，「ppm」是指質量比ppmw，即「百萬分之一重量(parts per million weight)」。
本發明的研磨粒的製造方法中，較佳為上述△pH為5.00以下。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述循環數N較佳為1.00 min-1以上。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述置換數M較佳為1.0 min-1以下。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述線速度u較佳為5.00 m/min以上。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述混合速度v較佳為1.00×10-2 m3/min以下。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研 磨粒。
上述攪拌翼的轉速R較佳為30 min-1以上。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述反應系統的溫度T較佳為60℃以下。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
第1液中的四價金屬元素的鹽的濃度較佳為0.01 mol/L(L表示「升」，以下相同)以上。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
第2液中的鹼濃度較佳為15.0 mol/L以下。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
上述混合液的pH值較佳為2.0~7.0。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
四價金屬元素較佳為四價鈰。藉此，可獲得能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。
另外，本發明的漿料的製造方法是將利用上述研磨粒的製造方法而獲得的研磨粒與水進行混合而獲得漿料。藉由使用由此種製造方法而獲得的漿料，相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
另外，本發明的研磨液的製造方法亦可為將利用上述漿料的製造方法而獲得的漿料與添加劑進行混合而獲得研磨液的態樣。進而，本發明的研磨液的製造方法亦可為將 利用上述研磨粒的製造方法而獲得的研磨粒、添加劑及水進行混合而獲得研磨液的態樣。藉由使用由該些製造方法而獲得的研磨液，不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
依據本發明，可提供一種能夠以較先前而言優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒及漿料。另外，依據本發明，可提供一種不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨液(CMP研磨液)。
以下，對本發明的實施形態進行詳細說明。此外，本發明並不限定於以下的實施形態，可在其要旨的範圍內加以各種變形而實施。此外，本發明中所謂「漿料」或「研磨液」，是指研磨時與被研磨膜接觸的組成物，至少包含水及研磨粒。另外，所謂將研磨粒的含量調整為規定量的水分散液，是指包含規定量的研磨粒及水的溶液。
〈研磨粒的造粒〉
本實施形態的研磨粒含有四價金屬元素的氫氧化物，利用特定的條件進行造粒。含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒是藉由將四價金屬元素的鹽(金屬鹽)的金屬鹽水溶液(第1液)與鹼性液(第2液)進行混合而製作。藉此，可獲得粒徑極細的粒子，可獲得研磨傷的減少效果 優異的研磨粒。獲得含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒的方法例如揭示於上述專利文獻4中。作為四價金屬元素的鹽，若將金屬表示為M，則例如可列舉：M(SO4)2、M(NH4)2(NO3)6、M(NH4)4(SO4)4等。該些鹽可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
就使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，金屬鹽水溶液中的四價金屬元素的鹽的金屬鹽濃度以金屬鹽水溶液的整體為基準，較佳為0.010 mol/L以上，更佳為0.020 mol/L以上，尤佳為0.030 mol/L以上。四價金屬元素的鹽的金屬鹽濃度的上限並無特別限定，就操作的容易性而言，以金屬鹽水溶液的整體為基準，較佳為1.000 mol/L以下。
鹼性液(例如鹼性水溶液)的鹼(鹼(base))並無特別限制，具體而言例如可列舉：氨、三乙胺、吡啶(pyridine)、哌啶(piperidine)、吡咯啶(pyrrolidine)、咪唑(imidazole)、幾丁聚糖(chitosan)等有機鹼，氫氧化鉀、氫氧化鈉等無機鹼等。該些鹼可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
就進一步抑制急遽反應，提高後述對波長400 nm或波長290 nm的光的吸光度的觀點而言，鹼性液較佳為表現出弱鹼性。上述鹼中，較佳為含氮雜環有機鹼，更佳為吡啶、哌啶、吡咯啶及咪唑，尤佳為吡啶及咪唑。
就使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼性液中的鹼濃度較佳為15.0 mol/L以下，更佳為12.0 mol/L以下，尤佳為10.0 mol/L以下。鹼性液 的下限並無特別限定，就生產性的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，較佳為0.001 mol/L以上。
鹼性液中的鹼濃度較佳為根據所選擇的鹼種來適當調整。例如，於pKa為20以上的範圍的鹼的情況，就使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼濃度較佳為0.1 mol/L以下，更佳為0.05 mol/L以下，尤佳為0.01 mol/L以下。鹼性液的下限並無特別限定，就生產性的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，較佳為0.001 mol/L以上。
於pKa為12以上且小於20的範圍的鹼的情況，就使pH的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼濃度較佳為1.0 mol/L以下，更佳為0.5 mol/L以下，尤佳為0.1 mol/L以下。鹼性液的下限並無特別限定，就生產性的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，較佳為0.01 mol/L以上。
於pKa小於12的範圍的鹼的情況，就使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼濃度較佳為15.0 mol/L以下，更佳為10.0 mol/L以下，尤佳為5.0 mol/L以下。鹼性液的下限並無特別限定，就生產性的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，較佳為0.1 mol/L以上。
關於各個pKa的範圍中的具體鹼，例如，pKa為20以上的鹼可列舉1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯(pKa：25)，pKa為12以上且小於20的鹼可列舉氫氧化鉀(pKa：16)或氫氧化鈉(pKa：13)，pKa小於12的鹼可列舉氨 (pKa：9)或咪唑(pKa：7)。對於所使用的鹼的pKa值的限制，藉由適當調整濃度而無特別限定。
此外，藉由控制金屬鹽水溶液與鹼性液中的原料濃度，可使後述對波長400 nm或波長290 nm的光的吸光度、對波長500 nm的光的透光率變化。具體而言，藉由減小酸與鹼的每單位時間的反應的進度而存在吸光度及透光率提高的傾向，例如藉由提高金屬鹽水溶液的濃度而存在吸光度及透光率提高的傾向，且藉由降低鹼性液的濃度而存在吸光度及透光率提高的傾向。
將金屬鹽水溶液與鹼性液混合而獲得的混合液的pH值在金屬鹽水溶液及鹼性液的混合後的穩定狀態下，就混合液的穩定性的觀點而言，較佳為2.0以上，更佳為3.0以上，尤佳為4.0以上。就混合液的穩定性的觀點而言，混合液的pH值較佳為7.0以下，更佳為6.5以下，尤佳為6.0以下。
混合液的pH值可利用pH計(例如，橫河電機股份有限公司製造的型號PH81)進行測定。pH值是採用使用標準緩衝液(鄰苯二甲酸鹽pH緩衝液：pH值為4.01(25℃)，中性磷酸鹽pH緩衝液：pH值為6.86(25℃))進行2點校正後，向測定對象的液體中放入電極，經過2分鐘以上而穩定後的值。
含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒是藉由以下述式(1)所示的參數Z為5.00以上的條件將金屬鹽水溶液與鹼性液進行混合，使金屬鹽水溶液的四價金屬元素的鹽 與鹼性液的鹼進行反應而獲得。當將兩液混合時，使用繞著旋轉軸旋轉的攪拌翼，對將金屬鹽水溶液與鹼性液混合而獲得的混合液進行攪拌。
Z=[1/(△pH×k)]×(N/M)/1000......(1)。
[式(1)中，△pH表示反應系統的每1分鐘的pH值變化量，k表示下述式(2)所示的反應溫度係數，N表示下述式(3)所示的循環數(min-1)，M表示下述式(5)所示的置換數(min-1)。]
k=2[(T-20)/10]......(2)。
[式(2)中，T表示反應系統的溫度(℃)。]
N=(u×S)/Q......(3)。
[式(3)中，u表示對將金屬鹽水溶液及鹼性液混合而獲得的混合液進行攪拌的攪拌翼的下述式(4)所示的線速度(m/min)，S表示攪拌翼的面積(m2)，Q表示上述混合液的液量(m3)。]
u=2π×R×r......(4)。
[式(4)中，R表示攪拌翼的轉速(min-1)，r表示攪拌翼的旋轉半徑(m)。]
M=v/Q......(5)。
[式(5)中，v表示金屬鹽水溶液及鹼性液的混合速度(m3/min)，Q表示上述混合液的液量(m3)。]
利用此種製造方法而獲得的研磨粒可滿足下述條件(a)，並且滿足條件(b)或者條件(c)的至少一種。
(a)在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上。
(b)在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上。
(c)在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%(65 ppm)的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上。
本發明者發現，藉由使用滿足對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上的條件(a)，並且滿足與波長290 nm的光的吸光度相關的條件(b)或者與波長400 nm的光的吸光度相關的條件(c)的至少一種的研磨粒，能夠以較先前而言優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨，進而，發現具有此種特性的研磨粒的製造方法。另外，本發明者發現，滿足上述條件的研磨液及漿料在目視觀察時帶有少許黃色，研磨液及漿料的黃色變得越濃，研磨速度越提高。
(參數Z)
本發明者進行研究的結果為發現，製造研磨粒時，藉由穩定且均勻地進行金屬鹽水溶液與鹼性液的反應，而獲得能夠以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。基於此種發現，本發明者發現，藉由控制由式(1)的規定參數來設定的參數Z，可製造能夠以較先前而言優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒。具體而言，可藉由以參數Z變大的方式調整式(1)的各參數來製造上述研磨粒。
發明者們基於上述發現來設定式(1)的參數Z。為了對式(1)進行說明，將式(1)的構成要素分成以下兩者來考慮。
(a)：[1/(△pH×k)]
(b)：(N/M)
(a)被設定為主要與正式合成中的反應性相關的指標。關於各參數，進行研究的結果為推測，較佳為反應系統的每單位時間(1分鐘)的pH值變化量即△pH小，△pH越小，反應越穩定地進行。根據以上，在式(1)中將△pH設定為分母。
另外，本發明者進行研究的結果為發現，較佳為反應系統的溫度T低，且較佳為式(2)所示的反應溫度係數k小。經推測，反應溫度係數k越小，即，溫度T越低，反應越穩定地進行。根據以上，在式(1)中將k設定為分母。
另一方面，(b)設定為主要與正式合成中的反應性及溶液的擴散性相關的指標。循環數N依存於式(3)中的 攪拌翼的線速度u、攪拌混合液的攪拌翼的面積S、及混合液的液量Q，線速度u依存於式(4)中的攪拌翼的轉速R及旋轉半徑r。循環數N是表示將2種以上的物質混合時的擴散速度的程度的指標。研究的結果為推測，較佳為循環數N大，循環數N越大，金屬鹽水溶液與鹼性液越均勻地混合，因此反應均勻地進行。根據以上，在式(1)中將N設定為分子。
另外，置換數M依存於式(5)中的混合速度v及混合液的液量Q。置換數M是表示當在某物質A中混合另一物質B時，物質A被物質B置換的速度的指標。研究的結果為推測，較佳為置換數M小，置換數M越小，反應越穩定地進行。根據以上，在式(1)中將M設定為分母。
而且認為，該些(a)、(b)中設定的參數對於四價金屬元素的氫氧化物的生成反應中的反應性或反應物質的擴散性，並非分別單獨地發揮作用，而是相互連動地發揮作用。因此，認為並非單純的相加，而是相乘地發揮效果，由此在式(1)中設定(a)及(b)的積。最後，為方便起見，將(a)及(b)的積除以1000而得者作為參數Z，從而形成式(1)。
就獲得能夠以較習知的研磨粒而言優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨粒的觀點而言，參數Z的下限為5.00以上，較佳為10.00以上，更佳為20.00以上，尤佳為30.00以上，特佳為50.00以上，極佳為100.00以上。 對於參數Z的上限並無特別限制，就生產性的觀點而言，較佳為5000.00以下。
藉由控制上述式(1)的各參數，能夠以參數Z成為規定值的方式進行調整。以下，對調整參數Z時所使用的各參數進行更詳細的說明。
(pH值變化量：△pH)
所謂pH值變化量，是指從金屬鹽水溶液與鹼性液的混合開始時起直至混合液的pH值達到一定的pH值並穩定為止的期間內每單位時間(1分鐘)的pH值變化量的平均值。藉由控制每單位時間的pH值變化量即△pH(以下僅稱為「△pH」)，可提高參數Z的值。具體而言，藉由將△pH抑制為低值而存在參數Z的值提高的傾向。用以達成此的具體方法可列舉：提高金屬鹽水溶液中的金屬鹽濃度、降低鹼性液中的鹼濃度、或者使用弱鹼性的鹼作為鹼性液中的鹼等。
就可進一步抑制急遽反應的觀點而言，△pH的上限較佳為每單位時間5.00以下，更佳為1.00以下，尤佳為0.50以下，特佳為0.10以下。△pH的下限並無特別限制，就生產性的觀點而言，較佳為每單位時間0.001以上。
(反應溫度：T)
藉由控制合成時的反應溫度(反應系統的溫度、合成溫度)T，可提高參數Z。具體而言，藉由降低反應溫度T，即降低反應溫度係數k，而存在參數Z的值提高的傾向。
反應溫度T較佳為在反應系統(混合液)內設置溫度 計而讀取的反應系統內的溫度在0℃~60℃的範圍內。就進一步抑制急遽反應的方面而言，反應溫度T的上限較佳為60℃以下，更佳為50℃以下，尤佳為40℃以下，特佳為30℃以下，極佳為25℃以下。就使反應容易進行的觀點而言，反應溫度T的下限較佳為0℃以上，更佳為5℃以上，尤佳為10℃以上，特佳為15℃以上，極佳為20℃以上。
金屬鹽水溶液的四價金屬元素的鹽與鹼性液的鹼較佳為在一定的反應溫度T(例如，反應溫度T±3℃的溫度範圍)下進行反應。此外，反應溫度的調整方法並無特別限定，例如有如下方法等：在盛滿水的水槽中放入加入有金屬鹽水溶液或者鹼性液的一種溶液的容器，一邊利用外部循環裝置Coolnics Circulator(EYELA製造，製品名Cooling Thermo Pump CTP101)來調整水槽的水溫，一邊將金屬鹽水溶液與鹼性液混合。
(循環數：N)
就可進一步抑制局部的反應偏差的觀點而言，循環數N的下限較佳為1.00 min-1以上，更佳為10.00 min-1以上，尤佳為50.00 min-1以上。循環數N的上限並無特別限制，就抑制製造中的液體飛濺等的觀點而言，較佳為200.00 min-1以下。
(線速度u)
所謂線速度，是表示每單位時間(1分鐘)及單位面積(m2)的流體的流量，是表示物質的擴散程度的指標。 本實施形態中線速度u是指金屬鹽水溶液及鹼性液的混合時的攪拌翼的線速度。可藉由控制線速度來提高參數Z。具體而言，藉由提高線速度u而存在參數Z的值提高的傾向。
就進一步抑制物質並不良好擴散而局部存在化，導致反應變得不均勻的觀點而言，線速度u的下限較佳為5.00 m/min以上，更佳為10.00 m/min以上，尤佳為20.00 m/min以上，特佳為50.00 m/min以上，極佳為70.00 m/min以上。線速度u的上限並無特別限制，就抑制製造時的液體飛濺的觀點而言，較佳為200.00 m/min以下。
(攪拌翼的面積：S)
所謂攪拌混合液的攪拌翼的面積S，是指攪拌翼的其中一面的表面積，於存在多個攪拌翼的情況，是指各攪拌翼的面積的合計。可藉由控制面積S來提高參數Z。具體而言，藉由增大面積S而存在參數Z的值提高的傾向。
面積S是根據混合液的液量Q的大小來調整。例如，於混合液的液量Q為0.001 m3~0.005 m3的情況，面積S較佳為0.0005 m2~0.0010 m2。
(混合液的液量：Q)
混合液的液量Q為金屬鹽水溶液及鹼性液的合計量。式(1)中，循環數N中所含的液量Q、與置換數M中所含的液量Q變得相互抵消，參數Z存在並不大幅依存於液量Q的值的傾向。液量Q例如為0.001 m3~10.00 m3。
(攪拌翼的轉速：R)
可藉由控制轉速R來提高參數Z。具體而言，藉由增大轉速R而存在參數Z的值提高的傾向。
就混合效率的觀點而言，轉速R的下限較佳為30 min-1以上，更佳為100 min-1以上，尤佳為300 min-1以上。轉速R的上限並無特別限制，另外，根據攪拌翼的大小、形狀而需要適當調整，但就抑制製造時的液體飛濺的觀點而言，較佳為1000 min-1以下。
(攪拌翼的旋轉半徑：r)
可藉由控制旋轉半徑r來提高參數Z。具體而言，藉由增大旋轉半徑r而存在參數Z的值提高的傾向。
就攪拌效率的觀點而言，旋轉半徑r的下限較佳為0.001 m以上，更佳為0.01 m以上，尤佳為0.1 m以上。旋轉半徑r的上限並無特別限制，就操作的容易度的觀點而言，較佳為10 m以下。此外，於存在多個攪拌翼的情況，較佳為旋轉半徑的平均值為上述範圍。
(置換數M)
可藉由控制置換數M來提高參數Z。具體而言，藉由減小置換數M而存在參數Z的值提高的傾向。
就進一步抑制反應急遽進行的觀點而言，置換數M的上限較佳為1.0 min-1以下，更佳為1.0×10-1 min-1以下，尤佳為2.0×10-2 min-1以下，特佳為1.0×10-2 min-1以下，極佳為1.0×10-3 min-1以下。置換數M的下限並無特別限制，就生產性的觀點而言，較佳為1.0×10-5 min-1以上。
(混合速度：v)
所謂混合速度v，是指當將金屬鹽水溶液或者鹼性液的一種溶液A供給至另一溶液B中時溶液A的供給速度。可藉由控制混合速度v來提高參數Z。具體而言，藉由減緩混合速度v而存在參數Z的值提高的傾向。
就可進一步抑制反應急遽進行，而且可進一步抑制局部的反應偏差的觀點而言，混合速度v的上限較佳為1.00×10-2 m3/min以下，更佳為1.00×10-3 m3/min以下，尤佳為1.00×10-4 m3/min以下，特佳為5.00×10-6 m3/min以下。混合速度v的下限並無特別限制，就生產性的觀點而言，較佳為1.00×10-7 m3/min以上。
藉由上述而製作的含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒有時包含雜質，但亦可去除該雜質。去除雜質的方法並無特別限定，例如可列舉離心分離、壓濾、超濾等方法。藉此，可調整後述對波長450 nm~600 nm的光的吸光度。此外，藉由金屬鹽水溶液與鹼性液的反應而獲得的反應液包含含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒，可使用該反應液對被研磨膜進行研磨。
〈漿料的製造〉
本實施形態的漿料的製造方法包括：將金屬鹽水溶液與鹼性液以上述條件進行混合而獲得上述研磨粒的研磨粒製造步驟；以及將該研磨粒製造步驟中所得的研磨粒、與水進行混合而獲得漿料的漿料製造步驟。漿料製造步驟中，使上述研磨粒分散於水中。使上述研磨粒分散於水中的方法並無特別限制，具體而言，例如可列舉攪拌、均質 機、超音波分散機、濕式球磨機等。此外，亦可將研磨粒製造步驟中獲得的研磨粒、其他種類的研磨粒與水進行混合而獲得漿料。
〈研磨液的製造〉
研磨液的製造方法亦可為包括以下步驟的態樣：利用上述漿料的製造方法而獲得漿料的漿料製造步驟；以及將該漿料與添加劑進行混合而獲得研磨液的研磨液製備步驟。此時，亦可準備各溶液作為分成包含研磨粒的漿料、及包含添加劑的添加液的所謂二液型研磨液，將漿料與添加液進行混合而獲得研磨液。另外，研磨液的製造方法亦可為包括以下步驟的態樣：上述研磨粒製造步驟；以及將該研磨粒製造步驟中所得的研磨粒、添加劑與水進行混合而獲得研磨液的研磨液製備步驟。此時，亦可將研磨粒製造步驟中所得的研磨粒、其他種類的研磨粒與水進行混合。
〈研磨液〉
本實施形態的研磨液至少含有研磨粒、添加劑及水。以下，對各構成成分進行說明。
(研磨粒)
研磨粒的特徵在於含有四價金屬元素的氫氧化物。四價金屬元素較佳為稀土類元素，其中，就容易形成適合於研磨的氫氧化物的方面而言，更佳為選自鈧、釔、鑭、鈰、鐠、釹、鉕、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿及鑥中的至少一種。就容易獲取且研磨速度更優異的觀點而言，四價金屬元素尤佳為鈰。
研磨粒較佳為包含四價金屬元素的氫氧化物，就化學活性高且研磨速度更優異的方面而言，更佳為包含四價鈰的氫氧化物。此外，本實施形態的研磨液可在不損及包含四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒的特性的範圍內併用其他種類的研磨粒。具體而言，例如可使用二氧化矽、氧化鋁或者氧化鋯等研磨粒。
研磨粒中的四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨粒總質量基準計，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，尤佳為70質量%以上，特佳為80質量%以上，極佳為90質量%以上。
本實施形態的研磨液的構成成分中，四價金屬元素的氫氧化物被認為對研磨特性帶來的影響大。因此，藉由調整四價金屬元素的氫氧化物的含量，研磨粒與被研磨面的化學性相互作用提高，可進一步提高研磨速度。即，就變得容易充分表現出四價金屬元素的氫氧化物的功能的方面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨液總質量基準計，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，尤佳為0.1質量%以上。另外，就變得容易避免研磨粒凝集的方面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨液總質量基準計，較佳為8質量%以下，更佳為5質量%以下。
研磨粒的含量並無特別限制，就變得容易避免研磨粒凝集，並且研磨粒可有效地作用於被研磨面而使研磨順利進行的方面而言，以研磨液總質量基準計，較佳為0.01質 量%~10質量%，更佳為0.1質量%~5質量%。
研磨粒的平均二次粒徑(以下，只要無特別說明，則稱為「平均粒徑」)，就獲得更優異的研磨速度的方面而言，較佳為1 nm~200 nm。就平均粒徑小至某程度者與被研磨面接觸的研磨粒的比表面積增大，藉此可進一步提高研磨速度的方面而言，平均粒徑更佳為150 nm以下，尤佳為100 nm以下，特佳為80 nm以下，極佳為50 nm以下。就平均粒徑大至某程度者存在研磨速度容易提高的傾向的方面而言，平均粒徑的下限更佳為2 nm以上，尤佳為5 nm以上。
研磨粒的平均粒徑可利用基於光子相關法的粒度分布計進行測定，具體而言，例如可利用Malvern公司製造的裝置名：Zetasizer 3000HS、Beckman Coulter公司製造的裝置名：N5等進行測定。使用N5的測定方法具體而言，例如是製備將研磨粒的含量調整為0.2質量%的水分散液，將約4 mL的該水分散液加入至1 cm見方的槽中，在裝置內設置槽。將分散介質的折射率設為1.33，將黏度設為0.887 mPa‧s，在25℃下進行測定，藉此獲得研磨粒的平均粒徑的值。
[吸光度]
藉由使用在將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上的研磨粒，而獲得研磨速度的提高效果的原因未必明確，但本發明者考慮如下。即認為，根據四價金屬元素的氫氧化物 (M(OH)4)的製造條件等，生成包含四價金屬(M4+)、3個羥基(OH-)及1個陰離子(X-)的M(OH)3X的粒子作為研磨粒的一部分。M(OH)3X中，一般認為電子吸引性的陰離子(X-)發揮作用，羥基的反應性提高，隨著M(OH)3X的存在量增加，研磨速度提高。而且認為，M(OH)3X的粒子吸收波長400 nm的光，並且隨著M(OH)3X的存在量增加，對波長400 nm的光的吸光度提高，則研磨速度提高。
此處，確認了M(OH)3X的波長400 nm的吸收峰值遠遠小於波長290 nm的吸收峰值。對此，本發明者使用研磨粒含量比較多、容易檢測出吸光度大的研磨粒含量為1.0質量%的水分散液，對吸光度的大小進行研究，結果發現，於使用在該水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上的研磨粒的情況，研磨速度的提高效果優異。
就能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的觀點而言，對波長400 nm的光的吸光度較佳為1.50以上，更佳為2.00以上，尤佳為2.50以上，特佳為3.00以上。對波長400 nm的光的吸光度的上限值並無特別限制，例如較佳為作為測定裝置的檢測極限的10.00。此外，如上所述，認為對波長400 nm的光的吸光度源自研磨粒，因此在包含對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上的物質(例如呈現出黃色的色素成分)代替對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上的研磨粒的研磨液中，當然無法以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。
藉由使用在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%(65 ppm)的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上的研磨粒，而獲得研磨速度的提高效果的原因未必明確，但本發明者考慮如下。即，計算的結果為，根據四價金屬元素的氫氧化物(M(OH)4)的製造條件等而生成的M(OH)3X的粒子在波長290 nm附近具有吸收的峰值，例如包含Ce4+(OH-)3NO3 -的粒子在波長290 nm具有吸收的峰值。因此認為，隨著M(OH)3X的存在量增加，對波長290 nm的光的吸光度提高，則研磨速度提高。
此處，對波長290 nm附近的光的吸光度存在越超出測定極限，檢測出越大的傾向。對此，本發明者使用研磨粒的含量比較少、容易檢測出吸光度小的研磨粒含量為0.0065質量%的水分散液，對吸光度的大小進行研究，結果發現，於使用在該水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上的研磨粒的情況，研磨速度的提高效果優異。另外，本發明者等人發現，與存在若被吸光物質吸收，則該吸光物質呈現出黃色的傾向的波長400 nm附近的光不同，研磨粒對波長290 nm附近的光的吸光度越高，使用此種研磨粒的研磨液或漿料的黃色變得越濃。
就能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的觀點而言，對波長290 nm的光的吸光度較佳為1.000以上，更佳為1.050以上，尤佳為1.100以上，特佳為1.200以上，極佳為1.300以上。對波長290 nm的光的吸光度的上限值並無特別限制，例如，較佳為作為裝置的檢測極限的10.00。
此外，本實施形態的研磨液中，就以更優異的研磨速 度對被研磨膜進行研磨的觀點而言，研磨粒較佳為在將研磨粒含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，並且在將研磨粒含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1.000以上者。
另外，上述金屬氫氧化物(M(OH)4及M(OH)3X)存在對波長450 nm以上、特別是波長450 nm~600 nm的光不具有吸光的傾向。因此，就抑制藉由包含雜質而對研磨產生不良影響的觀點而言，研磨粒較佳為在將該研磨粒的含量調整為0.0065質量%(65 ppm)的水分散液中對波長450 nm~600 nm的光的吸光度為0.010以下者。即，較佳為在將研磨粒的含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長450 nm~600 nm的範圍內的所有光的吸光度不超過0.010。對波長450 nm~600 nm的光的吸光度更佳為0.005以下，尤佳為0.001以下。對波長450 nm~600 nm的光的吸光度的下限值較佳為0。
水分散液中的吸光度例如可使用日立製作所(股)製造的分光光度計(裝置名：U3310)進行測定。具體而言，例如製備將研磨粒的含量調整為0.0065質量%或者1.0質量%的水分散液作為測定樣品。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在裝置內設置槽。然後，在波長200 nm~600 nm的範圍內進行吸光度測定，根據所得的圖表來判斷吸光度。
此外明確，於為了使測定樣品中所含的研磨粒的含量 少於0.0065質量%而過度稀釋，來測定對波長290 nm的光的吸光度的情況，只要吸光度表現為1.000以上，則即便在將研磨粒的含量設為0.0065質量%的情況，吸光度亦達到1.000以上。因此，亦可藉由使用為了使研磨粒的含量少於0.0065質量%而過度稀釋的水分散液來測定吸光度，從而篩選吸光度。
另外，於為了使研磨粒的含量少於1.0質量%而過度稀釋來測定對波長400 nm的光的吸光度的情況，只要吸光度表現為1.50以上，則即便在將研磨粒的含量設為1.0質量%的情況，亦可篩選吸光度，以使吸光度為1.50以上。進而，於以研磨粒的含量多於0.0065質量%的方式進行稀釋來測定對波長450 nm~600 nm的光的吸光度的情況，只要吸光度表現為0.010以下，則即便在將研磨粒的含量設為0.0065質量%的情況，亦可篩選吸光度，以使吸光度為0.010以下。
[透光率]
本實施形態的研磨液較佳為對可見光的透明度高(目視觀察時為透明或者接近透明)。具體而言，本實施形態的研磨液中所含的研磨粒較佳為在將該研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上者。藉此，由於可藉由添加添加劑來進一步抑制研磨速度下降，故而不僅維持研磨速度，而且容易獲得其他特性。就該觀點而言，上述透光率更佳為60%/cm以上，尤佳為70%/cm以上，特佳為80%/cm以上，極佳 為90%/cm以上。透光率的上限為100%/cm。
如上所述並未瞭解可藉由調整研磨粒的透光率來抑制研磨速度下降的詳細原因，但本發明者考慮如下。氫氧化鈰粒子等四價金屬元素的氫氧化物所具有的作為研磨粒的作用被認為是較機械作用而言，化學作用佔支配地位。因此認為，較研磨粒的大小而言，研磨粒的數量更有助於研磨速度。
於將研磨粒的含量設為1.0質量%的水分散液中透光率低的情況，認為該水分散液中存在的研磨粒相對多地存在粒徑大的粒子(以下稱為「粗大粒子」)。若在包含此種研磨粒的研磨液中添加添加劑(例如聚乙烯醇(polyvinylalcohol，PVA))，則如圖1所示，其他粒子以粗大粒子為核而凝集。其結果認為，作用於每單位面積的被研磨面的研磨粒數(有效研磨粒數)減少，與被研磨面接觸的研磨粒的比表面積減少，因此引起研磨速度的下降。
另一方面，於研磨粒的含量為1.0質量%的水分散液中透光率高的情況，認為該水分散液中存在的研磨粒為上述「粗大粒子」少的狀態。於如上所述粗大粒子的存在量少的情況，如圖2所示，即便在研磨液中添加添加劑(例如聚乙烯醇)，亦由於成為凝集的核的粗大粒子少，而抑制研磨粒彼此的凝集，或者凝集粒子的大小與圖1所示的凝集粒子相比變小。其結果認為，作用於每單位面積的被研磨面的研磨粒數(有效研磨粒數)得以維持，與被研磨面接觸的研磨粒的比表面積得以維持，因此難以產生研磨速 度的下降。
本發明者的研究可知，即便為一般的粒徑測定裝置所測定的粒徑相同的研磨液，亦可存在目視觀察時為透明(透光率高)者、或目視觀察時為混濁(透光率低)者。因此認為，可產生如上所述的作用的粗大粒子即便為一般的粒徑測定裝置所無法檢測的程度的極微量，亦有助於研磨速度的下降。
另外可知，即便為了減少粗大粒子而反覆進行多次過濾，亦存在由於添加劑而研磨速度下降的現象並未得到大的改善的情況。因此，本發明者如上所述對研磨粒的製造方法進行研究等，發現可藉由使用在水分散液中透光率高的研磨粒來解決上述問題。
上述透光率是對波長500 nm的光的穿透率。上述透光率是利用分光光度計進行測定，具體而言，例如利用日立製作所(股)製造的分光光度計U3310(裝置名)進行測定。
作為更具體的測定方法，製備將研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液作為測定樣品。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在裝置內設置槽來進行測定。此外，於研磨粒的含量大於1.0質量%的水分散液中具有50%/cm以上的透光率的情況，可知在將其進行稀釋而成為1.0質量%的情況下透光率亦達到50%/cm以上。因此，藉由使用研磨粒的含量大於1.0質量%的水分散液，可利用簡便的方法來篩選透光率。
(添加劑)
本實施形態的研磨液由於可對無機絕緣膜(例如氧化矽膜)獲得特別優異的研磨速度，故而特別適合於對具有無機絕緣膜的基板進行研磨的用途。進而，本實施形態的研磨液藉由適當選擇添加劑，可使研磨速度、與研磨速度以外的研磨特性高度並存。
作為添加劑，例如可無特別限制地使用以下公知的添加劑：提高研磨粒的分散性的分散劑、提高研磨速度的研磨速度提高劑、平坦劑(減少研磨後的被研磨面的凹凸的平坦劑、提高研磨後的基板的總體平坦性的總體平坦劑)、提高無機絕緣膜對氮化矽膜或多晶矽膜等中止膜的研磨選擇比的選擇比提高劑等。
分散劑例如可列舉：乙烯醇聚合物及其衍生物、甜菜鹼、月桂基甜菜鹼、月桂基二甲基氧化胺等。研磨速度提高劑例如可列舉：β-丙胺酸甜菜鹼、硬脂基甜菜鹼等。減少被研磨面的凹凸的平坦劑例如可列舉：月桂基硫酸銨、聚氧乙烯烷基醚硫酸三乙醇胺等。總體平坦劑例如可列舉：聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯醛等。選擇比提高劑例如可列舉：聚乙烯亞胺、聚烯丙胺、幾丁聚糖等。該些分散劑可單獨使用或者將兩種以上組合使用。
本實施形態的研磨液較佳為包含乙烯醇聚合物及其衍生物作為添加劑。然而，通常聚乙烯醇的單體即乙烯醇存在當為單體時不作為穩定化合物而存在的傾向。因此，聚乙烯醇通常是將乙酸乙烯酯單體等羧酸乙烯酯單體進行聚 合而獲得聚羧酸乙烯酯後，將其皂化(水解)而獲得。因此，例如使用乙酸乙烯酯單體作為原料而獲得的乙烯醇聚合物在分子中具有-OCOCH3、及經水解的-OH作為官能基，成為-OH的比例被定義為皂化度。即，皂化度不為100%的乙烯醇聚合物實質上具有如乙酸乙烯酯與乙烯醇的共聚物之類的結構。另外，上述乙烯醇聚合物亦可為使乙酸乙烯酯單體等羧酸乙烯酯單體、與其他含乙烯基的單體(例如乙烯、丙烯、苯乙烯、氯乙烯等)進行共聚合，將源自羧酸乙烯酯單體的部分的全部或者一部分進行皂化而成者。本發明中，雖將該些聚合物總稱而定義為「乙烯醇聚合物」，但所謂「乙烯醇聚合物」，理想而言是指具有下述結構式的聚合物。
(式中，n表示正整數)
乙烯醇聚合物的「衍生物」被定義為包括乙烯醇的均聚物(即皂化度為100%的聚合物)的衍生物、以及乙烯醇單體與其他乙烯單體(例如乙烯、丙烯、苯乙烯、氯乙烯等)的共聚物的衍生物者。衍生物例如可列舉：將聚合 物的一部分羥基以例如胺基、羧基、酯基等取代而成者，將聚合物的一部分羥基改質而成者等。此種衍生物例如可列舉：反應型聚乙烯醇(例如，日本合成化學工業股份有限公司製造，Gohsefimer(註冊商標)Z等)、陽離子化聚乙烯醇(例如，日本合成化學工業股份有限公司製造，Gohsefimer(註冊商標)K等)、陰離子化聚乙烯醇(例如，日本合成化學工業股份有限公司製造，Gohseran(註冊商標)L、Gohsenal(註冊商標)T等)、親水基改質聚乙烯醇(例如，日本合成化學工業股份有限公司製造，Ecomaty等)等。
乙烯醇聚合物及其衍生物如上所述，作為研磨粒的分散劑而發揮功能，具有提高研磨液的穩定性的效果。一般認為，藉由乙烯醇聚合物及其衍生物的羥基與四價金屬元素的氫氧化物粒子相互作用，而抑制研磨粒的凝集，抑制研磨液中的研磨粒的粒徑變化，可提高穩定性。另外，乙烯醇聚合物及其衍生物藉由與四價金屬元素的氫氧化物粒子組合使用，亦可提高無機絕緣膜(例如氧化矽膜)對中止膜(例如氮化矽膜、多晶矽膜等)的研磨選擇比(無機絕緣膜的研磨速度/中止膜的研磨速度)。進而，乙烯醇聚合物及其衍生物亦可提高研磨後的被研磨面的平坦性，或可防止(提高清潔性)研磨粒在被研磨面上的附著。
就進一步提高無機絕緣膜對中止膜的研磨選擇比的方面而言，上述乙烯醇聚合物的皂化度較佳為95 mol%以下。就相同的觀點而言，皂化度更佳為90 mol%以下，尤 佳為88 mol%以下，特佳為85 mol%以下，極佳為83 mol%以下，最佳為80 mol%以下。
另外，對皂化度的下限值並無特別限制，就在水中的溶解性優異的觀點而言，較佳為50 mol%以上，更佳為60 mol%以上，尤佳為70 mol%以上。此外，乙烯醇聚合物的皂化度可依據JIS K 6726(聚乙烯醇試驗方法)進行測定。
另外，乙烯醇聚合物的平均聚合度(重量平均分子量)的上限並無特別限制，就進一步抑制無機絕緣膜(例如氧化矽膜)的研磨速度下降的觀點而言，較佳為3000以下，更佳為2000以下，尤佳為1000以下。
另外，就進一步提高無機絕緣膜對中止膜的研磨選擇比的觀點而言，平均聚合度的下限較佳為50以上，更佳為100以上，尤佳為150以上。此外，乙烯醇聚合物的平均聚合度可依據JIS K 6726(聚乙烯醇試驗方法)進行測定。
另外，作為乙烯醇聚合物及其衍生物，為了調整無機絕緣膜對中止膜的研磨選擇比、或研磨後的基板的平坦性的目的，亦可將皂化度或平均聚合度等不同的多種聚合物組合使用。此時，較佳為至少1種乙烯醇聚合物及其衍生物的皂化度為95 mol%以下，就可進一步提高研磨選擇比的觀點而言，更佳為根據各自的皂化度及調配比而算出的平均皂化度為95 mol%以下。關於該些皂化度的較佳範圍，與上述範圍相同。
就更有效地獲得添加劑的效果的觀點而言，添加劑的含量以研磨液總質量基準計，較佳為0.01質量%以上，更 佳為0.1質量%以上，尤佳為1.0質量%以上。另外，就進一步抑制無機絕緣膜的研磨速度下降的觀點而言，添加劑的含量以研磨液總質量基準計，較佳為10質量%以下，更佳為5.0質量%以下，尤佳為3.0質量%以下。
(水)
本實施形態的研磨液中的水並無特別限制，較佳為脫離子水、超純水。水的含量宜為除其他構成成分的含量以外的研磨液的殘部，並無特別限定。
[研磨液的特性]
就研磨粒的表面電位相對於被研磨面的表面電位的關係變得良好，研磨粒容易對被研磨面發揮作用，因此獲得更優異的研磨速度的方面而言，研磨液的pH值較佳為2.0~9.0。進而，就研磨液的pH值穩定，難以產生由pH值穩定劑的添加所引起的研磨粒凝集等問題的方面而言，pH值的下限較佳為2.0以上，更佳為4.0以上，尤佳為5.0以上。另外，就研磨粒的分散性優異，獲得更優異的研磨速度的方面而言，pH值的上限較佳為9.0以下，更佳為7.5以下，尤佳為6.5以下。研磨液的pH值可利用與上述混合液的pH值相同的方法進行測定。
調整研磨液的pH值時，可無特別限制地使用先前公知的pH調整劑，具體而言，例如可使用：磷酸、硫酸、硝酸等無機酸，甲酸、乙酸、丙酸、順丁烯二酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、丁二酸等有機酸，伸乙基二胺、甲苯胺、哌嗪(piperazine)、組胺酸、苯胺等胺類，吡啶、咪唑、 三唑、吡唑等含氮雜環化合物等。
所謂pH值穩定劑，是指用以調整為規定pH值的添加劑，較佳為緩衝成分。相對於規定的pH值，緩衝成分較佳為pKa在±1.5以內的化合物，更佳為pKa在±1.0以內的化合物。此種化合物可列舉：甘胺酸(glycine)、精胺酸(arginine)、離胺酸(lysine)、天冬醯胺(asparagine)、天冬醯胺酸(asparaginic acid)、麩胺酸(glutamic acid)等胺基酸，或伸乙基二胺、2-胺基吡啶、3-胺基吡啶、吡啶甲酸(picolinic acid)、組胺酸(histidine)、哌嗪、嗎啉(morpholine)、哌啶、羥基胺、苯胺等胺類，或吡啶、咪唑、苯并咪唑、吡唑(pyrazole)、三唑、苯并三唑等含氮雜環化合物，或甲酸、乙酸、丙酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、乳酸、苯甲酸等羧酸等。
〈漿料〉
關於本實施形態的漿料，可將該漿料直接用於研磨，亦可作為將研磨液的構成成分分成漿料及添加液的所謂二液型研磨液中的漿料來使用。本實施形態中，研磨液與漿料在添加劑的有無方面不同，藉由在漿料中添加添加劑而獲得研磨液。
本實施形態的漿料至少含有與本實施形態的研磨液相同的研磨粒及水。例如，研磨粒的特徵在於包含四價金屬元素的氫氧化物，研磨粒的平均二次粒徑與本實施形態的研磨液中所使用的研磨粒相同。
本實施形態的漿料中，研磨粒為滿足上述條件(a)，並且滿足條件(b)或者條件(c)的至少一種。另外，研磨粒較佳為在將該研磨粒的含量調整為0.0065質量%的水分散液中對波長450 nm~600 nm的光的吸光度為0.010以下者。進而，研磨粒較佳為在將該研磨粒的含量調整為1.0質量%的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上者。關於該些吸光度及透光率的較佳範圍或測定方法，亦與本實施形態的研磨液相同。
本實施形態的漿料中，研磨粒的含量並無特別限制，就變得容易避免研磨粒凝集的方面而言，以漿料總質量基準計，較佳為15質量%以下。就容易獲得研磨粒的機械作用的方面而言，研磨粒的含量以漿料總質量基準計，較佳為0.01質量%以上。
本實施形態的漿料的構成成分中，四價金屬元素的氫氧化物被認為對研磨特性帶來的影響大。就變得容易避免研磨粒的凝集，而且與被研磨面的化學性相互作用變得良好，可進一步提高研磨速度的方面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以漿料總質量基準計，較佳為10質量%以下。就可充分表現出四價金屬元素的氫氧化物的功能的方面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以漿料總質量基準計，較佳為0.01質量%以上。
就相對於被研磨面的表面電位的研磨粒的表面電位變得良好，研磨粒容易對被研磨面發揮作用，因此獲得更優異的研磨速度的方面而言，本實施形態的漿料的pH值較 佳為2.0~9.0。進而，就漿料的pH值穩定，難以產生由pH值穩定劑的添加所引起的研磨粒凝集等問題的方面而言，pH值的下限較佳為2.0以上，更佳為2.5以上，尤佳為3.0以上。另外，就研磨粒的分散性優異，獲得更優異的研磨速度的方面而言，pH值的上限較佳為9.0以下，更佳為7.0以下，尤佳為5.0以下。漿料的pH值可利用與上述混合液的pH值相同的方法進行測定。
〈研磨液組〉
依據本實施形態，亦可提供一種不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的研磨液組。本實施形態的研磨液組中，以將漿料(第1液)與添加液(第2液)混合而形成研磨液的方式，將該研磨液的構成成分分成漿料及添加液來保存。漿料可使用本實施形態的漿料。添加液可使用使添加劑溶解於水中的溶液。該研磨液組是在研磨時將漿料與添加液混合而製成研磨液來使用。如此，藉由將研磨液的構成成分分成至少兩種溶液來保存，可製成保存穩定性優異的研磨液。
添加液中所含的添加劑可使用與上述研磨液中所說明者相同的添加劑。就將添加液與漿料混合而製成研磨液時抑制研磨速度過度下降的觀點而言，添加液中的添加劑的含量以添加液總質量基準計，較佳為0.01質量%~20質量%，更佳為0.02質量%~20質量%。
添加液中的水並無特別限制，較佳為脫離子水、超純 水。水的含量宜為其他構成成分的含量的殘部，並無特別限定。
〈基板的研磨方法及基板〉
依據本實施形態，亦可提供使用上述漿料、上述研磨液組或者上述研磨液的研磨方法以及由此所得的基板。以下，對使用上述漿料、上述研磨液組或者上述研磨液的基板的研磨方法以及由此所得的基板進行說明。於使用上述研磨液或者漿料的情況是使用一液型研磨液的研磨方法，於使用上述研磨液組的情況是使用二液型研磨液或者三液以上類型的研磨液的研磨方法。本實施形態的基板的研磨方法由於能夠以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨，故而處理量優異，並且於使用添加劑的情況可滿足所需的特性(例如平坦性或選擇性)。
本實施形態的基板是利用本實施形態的基板的研磨方法進行研磨而獲得。本實施形態的基板的研磨方法中，對表面具有被研磨膜的基板進行研磨。本實施形態的基板的研磨方法中，亦可使用形成於被研磨膜之下的中止膜對被研磨膜進行研磨。本實施形態的基板的研磨方法至少包括基板配置步驟及研磨步驟。基板配置步驟中，將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊相對向的方式來配置。
被研磨膜較佳為氧化矽膜等無機絕緣膜。氧化矽膜可利用低壓CVD法、電漿CVD法等而獲得。氧化矽膜中亦可摻雜磷、硼等元素。無機絕緣膜可使用所謂的低介電常 數膜(low dielectric constant film，Low-k film)等。另外，被研磨膜的表面(被研磨面)較佳為具有凹凸。本實施形態的基板的研磨方法中，被研磨膜的凹凸的凸部被優先研磨，可獲得表面經平坦化的基板。
於使用漿料作為一液型研磨液的情況，本實施形態的基板的研磨方法例如包括：基板配置步驟；以及研磨步驟，一邊將利用上述漿料的製造方法而獲得的漿料供給至上述研磨墊與上述被研磨膜之間，一邊對上述被研磨膜的至少一部分進行研磨。
於使用研磨液作為一液型研磨液的情況，本實施形態的基板的研磨方法例如包括：基板配置步驟；以及研磨步驟，一邊將研磨液供給至上述研磨墊與上述被研磨膜之間，一邊對上述被研磨膜的至少一部分進行研磨。此時，可在研磨步驟之前更包括研磨液製備步驟。研磨液製備步驟例如為下述步驟(A)~步驟(C)。
(A)將利用上述漿料的製造方法而獲得的漿料、與添加劑進行混合而獲得研磨液的步驟。
(B)將利用上述研磨粒的製造方法而獲得的研磨粒、添加劑與水進行混合而獲得研磨液的步驟。
(C)將上述研磨液組中的漿料(第1液)與添加液(第2液)進行混合而獲得上述研磨液的步驟。此時，可將漿料與添加液以不同的送液系統(例如配管)進行送液，使該些配管在供給配管出口的正前方合流而獲得研磨液。
研磨步驟中，可在將基板的被研磨膜按壓在研磨定盤 的研磨墊上的狀態下，一邊向研磨墊與被研磨膜之間供給漿料或者研磨液，一邊使基板與研磨定盤相對地移動而對被研磨膜的至少一部分進行研磨。此時，漿料或者研磨液亦可作為所需水分量的漿料或者研磨液而直接供給至研磨墊上。
於使用二液型研磨液的情況，本實施形態的基板的研磨方法例如包括：基板配置步驟；以及研磨步驟，一邊將上述研磨液組中的漿料(第1液)與添加液(第2液)分別供給至上述研磨墊與上述被研磨膜之間，一邊對上述被研磨膜的至少一部分進行研磨。此時，研磨步驟中，利用漿料與添加液混合而獲得的研磨液對被研磨膜的至少一部分進行研磨。此種研磨方法中，可利用不同的送液系統(例如配管)將漿料與添加液供給至研磨墊上。
就可抑制儲存、搬運、保管等的成本的觀點而言，本實施形態的研磨液及漿料可作為在使用時以水等液狀介質稀釋至例如2倍以上而使用的研磨液用儲存液或者漿料用儲存液來保管。上述各儲存液可在將要研磨之前以液狀介質進行稀釋，亦可向研磨墊上供給儲存液及液狀介質，在研磨墊上進行稀釋。
由於倍率越高，儲存、搬運、保管等的成本的抑制效果越高，因此上述儲存液的稀釋倍率較佳為2倍以上，更佳為3倍以上。另外，上限並無特別限制，存在倍率越高，儲存液中所含的成分的量越多(濃度越高)，保管中的穩定性下降的傾向，因此較佳為500倍以下，更佳為200倍以 下，尤佳為100倍以下，特佳為50倍以下。此外，對於將構成成分分成三液以上的研磨液亦同樣。
作為本實施形態的研磨方法中使用的研磨裝置，例如可使用一般的研磨裝置等，該一般的研磨裝置具有：用以保持具有被研磨膜的基板的固持器、安裝有轉速可變更的馬達等且可貼附研磨墊的研磨定盤。上述研磨裝置例如可列舉：荏原製作所股份有限公司製造的研磨裝置(型號：EPO-111)、Applied Materials公司製造的研磨裝置(商品名：Mirra 3400，Reflection研磨機)等。
研磨墊並無特別限制，例如可使用一般的不織布、發泡聚胺基甲酸酯、多孔質氟樹脂等。另外，較佳為對研磨墊實施使研磨液積存的溝槽加工。
研磨條件並無特別限制，就抑制半導體基板飛散的觀點而言，研磨定盤的旋轉速度較佳為200 rpm以下的低旋轉。就進一步抑制研磨後產生損傷的觀點而言，對半導體基板施加的壓力(加工荷重)較佳為100 kPa以下。較佳為在研磨期間，對研磨墊的表面以泵等連續供給漿料或研磨液。對該供給量並無限制，較佳為研磨墊的表面一直被漿料或研磨液覆蓋。研磨結束後的半導體基板較佳為在流水中充分清潔後，使用旋轉乾燥機等來甩落附著於半導體基板上的水滴，然後使其乾燥。
此外，依據本實施形態，提供上述研磨液、上述漿料及上述研磨液組的用於對被研磨膜(例如氧化矽膜)進行研磨的應用。另外，依據本實施形態，提供上述研磨液、 上述漿料及上述研磨液組的用於對使用中止膜(例如氮化矽膜)的被研磨膜(例如氧化矽膜)進行研磨的應用。
實例
以下，關於本發明，列舉實例來進行具體說明，但本發明並不限定於該些實例。
〈實例1~實例14、比較例1~比較例3〉
(含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒的製作)
依據下述順序，製作含有四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒。此外，下述說明中以A~I及Z所示的值為表1中分別所示的值。
向容器中加入A[L]的水，添加濃度50質量%的硝酸鈰銨水溶液(通式Ce(NH4)2(NO3)6，式量548.2 g/mol)B[L]並加以混合，將液溫調整為C[℃]而獲得金屬鹽水溶液。金屬鹽水溶液的金屬鹽濃度如表1所示。
然後，使表1所示的鹼種溶解於水中，準備濃度D[mol/L]的水溶液E[L]，將液溫調整為C[℃]而獲得鹼性液。
使用冷卻裝置，將上述金屬鹽水溶液調整為表1中的C[℃]所示的溫度。將加入有上述金屬鹽水溶液的容器放入至盛滿水的水槽中，一邊利用外部循環裝置Coolnics Circulator(EYELA製造，製品名Cooling Thermo Pump CTP101)來調整水槽的水溫，一邊冷卻。將金屬鹽水溶液的溫度保持在C[℃]，並且將上述鹼性液以表1中的F[m3/min]所示的混合速度投入，以表1中的G[m/min]所示 的線速度、H[min-1]所示的循環數、及I[min-1]所示的置換數加以混合，獲得包含四價鈰的氫氧化物的研磨粒的漿料前驅物1。此外，攪拌翼的面積、攪拌翼的旋轉半徑、及攪拌翼的轉速如表1所示。漿料前驅物1的pH值在表1中表示為「結束pH值」，每單位時間的pH值變化量即△pH如表1所示。此外，△pH是採用從金屬鹽水溶液與鹼性液的混合開始時起直至混合液的pH值達到「結束pH值」為止的期間，每1分鐘的pH值的變化量的平均值。另外，關於參數Z亦如表1所示。
將上述漿料前驅物1進行離心分離，藉由傾析而實施固液分離來去除液體。向所得的濾物中添加適量的水並充分攪拌，將藉由傾析而實施固液分離的作業進一步進行3次。
向所得的濾物中重新添加水而將液量調整為2.0 L後，進行超音波分散處理180分鐘而獲得漿料前驅物2。取所得的漿料前驅物2適量，稱取乾燥後的質量(不揮發分的質量)，藉此來算出漿料前驅物2中所含的四價鈰的氫氧化物的研磨粒的含量。
(吸光度及透光率的測定)
採集適量的漿料前驅物2，以研磨粒含量達到0.0065質量%(65 ppm)的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品(水分散液)。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在日立製作所(股)製造的分光光度計(裝置名：U3310)內設置槽。在波長200 nm~600 nm的範圍內進行吸光度測定，查明波長290 nm下的吸光度、及波長450 nm~600 nm的吸光度。將結果示於表2。
另外，採集適量的漿料前驅物2，以研磨粒含量達到1.0質量%的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品(水分散液)。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在日立製作所(股)製造的分光光度計(裝置名：U3310)內設置槽。在波長200 nm~600 nm的範圍內進行吸光度測定，測定對波長400 nm的光的吸光度、及對波長500 nm的光的透光率。將結果示於表2。
(平均二次粒徑的測定)
採集適量的漿料前驅物2，以研磨粒含量達到0.2質量%的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在Beckman Coulter公司製造的裝置名：N5內設置槽。將分散介質的折射率設為1.33，將黏度設為0.887 mPa‧s，在25℃下進行測定，讀取所顯示的平均粒徑值作為平均二次粒徑。將結果示於表2。
(研磨液的製作)
向漿料前驅物2中添加水，將研磨粒含量調整為1質量%而獲得漿料用儲存液。將該漿料用儲存液的外觀的觀 察結果示於表3。
向60 g的漿料用儲存液中添加純水，獲得漿料。另外，準備5質量%的聚乙烯醇水溶液作為添加液。向漿料中添加添加液60 g，進行混合攪拌，獲得研磨粒含量為0.2質量%的研磨液。此外，上述純水的添加量是以最終的研磨粒含量達到0.2質量%的方式進行計算而添加。另外，聚乙烯醇水溶液中的聚乙烯醇的皂化度為80 mol%，平均聚合度為300。另外，研磨液中的聚乙烯醇的含量為1.0質量%。此外，使用橫河電機股份有限公司製造的型號PH81來測定漿料、研磨液的pH值(25℃)，結果為3.6、6.0。
(絕緣膜的研磨)
在研磨裝置中的貼附有基板安裝用吸附墊的固持器上，設置形成有氧化矽絕緣膜的φ200 mm矽晶圓。在貼附有多孔質胺基甲酸酯樹脂製墊的定盤上，以絕緣膜與墊相對向的方式載置固持器。一邊將上述所得的研磨液以供給量200 cc/min供給至墊上，一邊以研磨荷重20 kPa將基板按壓在墊上。此時使定盤以78 rpm旋轉1分鐘，且使固持器以98 rpm旋轉1分鐘，來進行研磨。將研磨後的晶圓以純水充分清潔並使其乾燥。使用光干擾式膜厚測定裝置來測定研磨前後的膜厚變化，求出研磨速度。將結果示於表3。
此外，上述吸光度、透光率及研磨速度的評價均在上述漿料前驅物2的製備後24小時以內進行。
將對波長290 nm的光的吸光度與研磨速度的關係示於圖3，將對波長400 nm的光的吸光度與研磨速度的關係示於圖4。
將本發明中合成研磨粒時所設定的參數Z與研磨速度的關係示於圖5，將參數Z與對波長290 nm的光的吸光度的關係示於圖6，且將參數Z與對波長400 nm的光的吸光度的關係示於圖7。
此外，圖3~圖7中，將透光率為90%/cm以上者記作圓形符號，將透光率為50%/cm以上且小於90%/cm者 記作三角形符號，且將透光率小於50%/cm者記作四角形符號。另外，圖5~圖7的橫軸為對數軸。
如圖5所明示，可知參數Z的值變得越大，研磨速度越提高。另外，如圖6、圖7所明示，可知於透光率為50%/cm以上的情況，參數Z的值變得越大，對290 nm或者400 nm的光的吸光度越提高。
然後，對使用實例4的漿料而獲得的研磨液、以及使用比較例1的漿料而獲得的研磨液，查明研磨液的聚乙烯醇(PVA)的含量與研磨速度的關係。具體而言，利用與實例1相同的方法，查明當將研磨液中的聚乙烯醇含量設為3.0質量%、2.0質量%、1.0質量%、0.5質量%、0.1質量%時的氧化矽膜的研磨速度。將結果示於表4。
如表4的結果所明示，可知，對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以上的實例4中，添加等量的添加劑時的研磨速度與比較例1相比較而言較快，因此除聚乙烯醇以外進一步添加添加劑的範圍廣。一般認為其原因在於，藉由提高透光率而變得難以形成粗大的凝集粒子，由此可維持對被研磨面有幫助的有效研磨粒數，進而，藉由提高吸光度，可較比較例1而言，將研磨速度維持為較高值。藉此，實例4中，與比較例1相比，可添加添加劑而賦予 進一步的特性。
圖1是表示添加添加劑時研磨粒凝集的情況的示意圖。
圖2是表示添加添加劑時研磨粒凝集的情況的示意圖。
圖3是表示對波長290 nm的光的吸光度與研磨速度的關係的圖式。
圖4是表示對波長400 nm的光的吸光度與研磨速度的關係的圖式。
圖5是表示參數Z與研磨速度的關係的圖式。
圖6是表示參數Z與對波長290 nm的光的吸光度的關係的圖式。
圖7是表示參數Z與對波長400 nm的光的吸光度的關係的圖式。

Claims (15)

  1. 一種研磨粒，上述研磨粒是將作為第1液的四價金屬元素的鹽的水溶液與作為第2液的鹼性液，以下述式(1)所示的參數Z為5.00以上的條件進行混合而獲得，且含有上述四價金屬元素的氫氧化物：Z=[1/(△pH×k)]×(N/M)/1000......(1)[式(1)中，△pH表示反應系統的每1分鐘的pH值變化量，k表示下述式(2)所示的反應溫度係數，N表示下述式(3)所示的循環數(min-1)，M表示下述式(5)所示的置換數(min-1)]k=2[(T-20)/10]......(2)[式(2)中，T表示上述反應系統的溫度(℃)]N=(u×S)/Q......(3)[式(3)中，u表示對將上述第1液及上述第2液混合而獲得的混合液進行攪拌的攪拌翼的下述式(4)所示的線速度(m/min)，S表示上述攪拌翼的面積(m2)，Q表示上述混合液的液量(m3)] u=2π×R×r......(4)[式(4)中，R表示上述攪拌翼的轉速(min-1)，r表示上述攪拌翼的旋轉半徑(m)]M=v/Q......(5)[式(5)中，v表示上述第1液及上述第2液的混合速度(m3/min)，Q表示上述混合液的液量(m3)]。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之研磨粒，其中上述△pH為5.00以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之研磨粒，其中上述循環數N為1.00 min-1以上。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之研磨粒，其中上述置換數M為1.0 min-1以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之研磨粒，其中上述線速度u為5.00 m/min以上。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之研磨粒，其中上述混合速度v為1.00×10-2 m3/min以下。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之研磨粒，其中上述轉速R為30 min-1以上。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之研磨粒，其中上述溫度T為60℃以下。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之研 磨粒，其中上述第1液中的上述四價金屬元素的鹽的濃度為0.01 mol/L以上。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之研磨粒，其中上述第2液中的鹼濃度為15.0 mol/L以下。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之研磨粒，其中上述混合液的pH值為2.0~7.0。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之研磨粒，其中上述四價金屬元素為四價鈰。
  13. 一種漿料，上述漿料是將如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之研磨粒與水進行混合而獲得。
  14. 一種研磨液，上述研磨液是將如申請專利範圍第13項所述之漿料與添加劑進行混合而獲得。
  15. 一種研磨液，上述研磨液是將如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之研磨粒、添加劑及水進行混合而獲得。
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