TW201314740A - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

根據一實施例，揭示顯示裝置的製造方法。將膜材料層形成在支撐基材上。以第一溫度對該膜材料層實施第一加熱處理以形成膜層，並以高於該第一溫度之第二溫度對圍繞第一區域的第二區域實施第二加熱處理。該第一區域係設置在該膜層的中央部分中。將顯示層形成在該第一區域中並將周邊電路部形成在至少一部分的第二區域中。以高於該第二溫度的第三溫度對該膜層之至少一部分實施第三加熱處理。此外，將該膜層自該支撐基材剝除。

Description

顯示裝置之製造方法
本文描述的實施例通常相關於製造顯示裝置的方法。
近年，在使用顯示元件，諸如，液晶顯示元件、或電致發光元件(EL元件)等，的顯示裝置中，通常，除了節省重量及增加尺寸外，已針對長期可靠性、高形狀自由度、曲面顯示器的可用性等提出高階需求。因此，作為用於顯示裝置的基材，增加對取代沉重、易碎、且難以增加面積的玻璃基材之膜層的關注，諸如透明塑膠等。雖然也可能使用基於卷對卷製程的塑膠形成顯示器，鑒於成本，有形成在其中將膜層設置在支撐基材上，諸如，玻璃基材，並將電路及顯示層形成在膜層上，然後自支撐基材將膜層剝除之顯示裝置的方法。
根據一實施例，揭示顯示裝置的製造方法。該方法可包括將膜材料層形成在支撐基材上的處理。該方法可包括以第一溫度加熱該膜材料層，以形成膜層的第一加熱處理。該方法可包括以高於該第一溫度的第二溫度加熱圍繞第一區域之第二區域的第二加熱處理。該第一區域係設置在該膜層的中央部分中。該方法可包括將顯示層形成在一部分的該第一區域中，並將周邊電路部形成在至少一部分的 該第二區域中的處理。該方法可包括以高於該第二溫度的第三溫度加熱除了該顯示層形成於其中的範圍以外之至少一部分的該膜層的第三加熱處理。此外，該方法可包括用於將該膜層自該支撐基材剝除的處理。
實施例提供製造顯示裝置的方法，其中在形成電路及顯示層時難以將膜層自支撐基材剝除，而在形成電路及顯示層之後易於將該膜層自支撐基材剝除。
將參考該等隨附圖式於下文描述各種實施例。
該等圖式係示意或概念的；且部位之厚度及寬度、部位的尺寸比例等之間的關係不必與其實際值相同。另外，即使係相同的部位，可能在圖式之間將尺寸及比例描繪成不同。
在申請案的說明書及圖式中，以相似數字標示與在先前相關圖式中描述之組件相似的組件，並視情況省略詳細描述。
圖1顯示根據實施例之顯示裝置400的上表面圖。圖2A顯示沿著圖1中的顯示裝置400之線A-A取得的橫剖面，亦即，稍後描述之第一區域的橫剖面，且圖2B顯示沿著顯示裝置400之線B-B取得的橫剖面，亦即，稍後描述之第二區域的橫剖面。
如圖1所示，顯示裝置400具有一主表面。顯示裝置400的該一主表面具有設置在其中央部中的第一區域310以及圍繞第一區域310的第二區域320。將第一區域310的終端側界定為設置成比顯示裝置400之該一主表面的終 端側更內側。在圖1中，使用虛線顯示第一區域310及第二區域320之間的邊界。
在第一區域310中，設置顯示層311及像素電路部312。顯示層311係，例如，液晶層、有機電致發光層(OLED層)等。在至少部分的第二區域中，設置周邊電路部321及載置部322(顯示於圖4C至圖4D中)。周邊電路部321係用於驅動顯示層311的電路。另外，載置部322係將可連接至顯示裝置之繼電基材連接至其的部位。
此處，顯示部400係主動矩陣型顯示裝置。如圖2A所示，在第一區域310中，設置膜基材110、用於形成在膜基材110上之像素的TFT(薄膜電晶體)310T、以及經由在用於像素的TFT 310T上之鈍化膜180及彩色濾波器190設置的顯示層311。用於像素的TFT 310T係像素電路部312的一部分，且功能如同用於驅動顯示層311的切換元件。
此處將有機電致發光層使用為顯示層311。將偏向板100設置在與膜基材110之面對顯示層311的主表面相對的主表面上。將底塗層120設置在膜層110及用於像素的TFT 310T之間。將用於防止濕氣等穿透顯示層311的密封膜240設置在顯示層311上。經由黏合層250將障壁膜260設置在密封膜240上。障壁膜260防止濕氣等穿透顯示層311，且在同時具有如支撐構件的功能。
用於像素的TFT 310T在此處使用底閘極型薄膜電晶體，其包括：設置在一部分的底塗層120上的閘極電極 130；覆蓋閘極電極130的閘極絕緣膜140；經由閘極絕緣膜140面對閘極電極130的半導體層150；設置在部分半導體層150上的通道保護膜160；以及連接至由通道保護膜160組成之半導體層150的源極電極170S及汲極電極170D。可將氧化物半導體及矽半導體使用為半導體層150。可將，例如，包括銦(In)、鎵(Ga)、以及鋅(Zn)的氧化物使用為氧化物半導體。具體地說，可將銦鎵鋅氧化物使用為氧化物半導體。用於像素的TFT 310T連同未描繪之訊號線及掃描線形成像素電路部312。
鈍化膜180係由絕緣材料形成。彩色濾波器190傳輸特定波長的光，並具有，例如，傳輸紅光的部位、傳輸綠光的部位、以及傳輸藍光的部位。鈍化膜180及彩色濾波器190設有覆蓋一部分汲極電極170D的開口。
顯示層311包括：設置在彩色濾波器190上的陽極200；設置在陽極200上的堤岸(bank)210；設置在堤岸210上的發光層220、以及設置在發光層220上的陰極230。經由鈍化膜180及彩色濾波器190的開口將陽極200連接至汲極電極170D。將堤岸210至少設置在用於像素的TFT 310T上，並在其一部分上具有開口。將發光層220及陰極230設置在堤岸210及從堤岸210曝露的陽極200上。發光層220經由堤岸210的開口與陽極200接觸。亦即，將陽極200、發光層220、以及陰極230堆疊在堤岸210的開口中。當將電壓施加至顯示層311時，光從有機電致發光層發射。
第二區域320包括膜基材110及用於設置在膜基材110上之周邊電路的TFT 320T。將鈍化膜180設置在用於周邊電路的TFT 320T上。用於周邊電路的TFT 320T連同未描繪之訊號線及掃描線形成周邊電路部321。
用於周邊電路的TFT 320T係底閘極型薄膜電晶體，並包括：設置在一部分底塗層120上的閘極電極130；覆蓋閘極電極130的閘極絕緣膜140；經由閘極絕緣膜140面對閘極電極130的半導體層150；設置在一部分半導體層150上的通道保護層160；以及從通道保護層160連接至半導體層150的源極電極170S及汲極電極170D。用於周邊電路的TFT 320T連同未描繪的佈線形成驅動電路。 可將，例如，包含銦(In)、鎵(Ga)、以及鋅(Zn)的氧化物，諸如，非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)使用為氧化物半導體。
雖然可將主動矩陣型顯示裝置使用為顯示裝置400，也可使用被動型。另外，雖然可將底閘極型使用為用於像素的TFT 310T及用於周邊電路的TFT 320T，也可使用頂閘極型。
在圖2A及2B中，雖然將頂閘極型的組態描繪為用於像素的TFT 310T及用於周邊電路的TFT 320T，也可使用底閘極型的組態。視需要設置彩色濾波器190。
將聚醯亞胺樹脂使用為膜層110。因為使用聚醯亞胺的膜層110具有耐熱性且線性熱膨脹係數甚小，由加熱所導致的尺寸改變難以產生。聚醯亞胺樹脂可包括在其結構 中具有醯亞胺基團的聚合物，諸如，聚醯胺醯亞胺、聚苯并咪唑、聚醯亞胺脂、聚醚醯亞胺、聚矽氧烷醯亞胺等。聚醯亞胺樹脂可用下列方式形成：在存在溶劑的情形中導致二胺與酸酐反應，以產生聚醯胺酸聚合物，並經由脫水使聚醯胺酸聚合物受閉環反應(醯亞胺化)。
可將絕緣材料，例如，氧化矽、氮化矽等，使用為底塗層120、閘極絕緣膜140、以及通道保護層160。
可將導電金屬使用為閘極電極130、源極電極170S、以及汲極電極170D。例如，可將高熔點金屬，諸如，鉬化鎢(MoW)、鉬化鉭(MoTa)、以及鎢(W)使用為閘極電極130。例如，可將導電材料使用為源極電極170S及汲極電極170D。例如，可使用鈦(Ti)/鋁(AI)/鈦(Ti)及鉬(Mo)/鋁(Al)/鉬(Mo)的層疊膜，以及銦鎢氧化物(ITO)等。
可將絕緣材料使用為鈍化膜180。例如，可使用氧化矽、氮化矽、四乙氧矽烷等。
可將傳輸預定波長之光的材料使用為彩色濾波器190，例如，可使用傳輸紅、綠、藍色各者並吸收其他顏色之可見光的色素。
可將導電材料使用為陽極200，例如，可使用金屬，諸如銦錫氧化物(ITO)等。可將絕緣材料使用為堤岸210，例如，可使用樹脂材料，諸如光敏性丙烯酸樹脂。可將散佈發光材料的材料使用為發光層220，該發光材料將與由低層之彩色濾波器190傳輸之該光相同的顏色發射至主材料。或者，可使用包括發射紅色光之發光材料、發射綠色 光的發光材料、以及發射藍光之發光材料的主材料。
可將透光且導電的材料使用為陰極230，例如，可使用金屬，諸如鋁。
可將透光且絕緣的材料使用為密封膜240，例如，氧化物，諸如，氧化矽及氧化鋁、氮化物，諸如，氮化矽、有機膜，諸如，聚對二甲苯基、以及此等成份的堆疊膜。可將透光材料使用為黏合層250，例如，可使用熱固性樹脂及可光固化樹脂。可將透光材料使用為障壁膜260，例如，可使用具有密封膜材料塗佈塑膠基底材料的材料等。
稍後描述的支撐基材90具有當形成像素電路部312及周邊電路部321、以及顯示層311及載置部322時能支撐膜層110的強度，並具有高於膜層110的耐熱性。支撐基材90係透明的為佳。例如，可將玻璃基材使用為支撐基材90。
因為膜層110的耐熱性低，使用膜層110的顯示裝置必需以低溫製造。即使以低溫製造，使用氧化物半導體的薄膜電晶體可呈現充份的特徵。明確地說，IGZO係非晶膜，其中驅動電流甚高，且元件之間的變異小，並可將元件之間的特徵等化，且此外，遷移率相對高。
因為有機電致發光層的對比高，並具有在傾斜方向上良好可視的性質，其可用於能曲面顯示之顯示裝置的顯示層311。
圖3A至3C及圖4A至圖4D顯示根據實施例的顯示裝置之製程的橫剖面圖。圖5A至圖5C顯示根據實施例的 顯示裝置之製程的平面圖。圖5A至5C顯示之製造方法的各處理對應於圖4A至4C顯示之製造方法的各處理。
在實施例中，將膜層110形成在支撐基材90上，並將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上，然後將膜層110自支撐基材90剝除，從而製造能顯示曲面的顯示裝置400。
首先，將描述如圖3A顯示之將膜層110形成在支撐基材90上的處理。在實施例中，將聚醯亞胺使用為膜層110的材料。
將聚醯胺酸溶液塗佈在支撐基材90上，作為膜材料層111，然後，乾燥支撐基材90，並形成膜材料層111(圖3B)。
膜材料層111受熱處理以使聚醯胺酸醯亞胺化，並將由聚醯亞胺組成的膜層110形成在支撐基材90上(第一熱處理，圖3C)。
可將使用，例如，燈退火、熱板、烤箱等的加熱法使用為該熱處理。
將膜材料層111在第一加熱處理中的溫度設定為T1。T1可能係超過可將膜材料層設定成膜層110之溫度的溫度。例如，可將T1設定在200℃或以上至500℃或以下。將200℃或以上至500℃或以下之範圍中的熱施加至膜材料層111可形成由聚醯亞胺樹脂形成的膜層110。
當形成膜材料層111時，支撐基材90具有如支撐體的功能。
其次，以高於第一加熱處理的溫度加熱第二區域320的至少一部分(第二加熱處理，圖4A及圖5A)，該第二區域圍繞設置在膜層110之中央部中的第一區域310。稍後將像素電路部312及顯示層311形成在第一區域310中。稍後將周邊電路部321及載置部322形成在第二區域320中。提供以，例如，可見光、紅外線、紫外線、微波、毫米波、電子束、以及放射線照射膜層110的方法，以及以焦耳熱照射其的方法作為第二加熱處理中的加熱法。例如，有使用雷射照射膜層110並使用鹵素燈加熱其的方法。圖4A顯示以雷射1照射膜層110的情形。
當將雷射照射實施為第二加熱處理時，可使用，例如，使用以YAG、YVO4、YLF、以及摻雜有Nd、Tm、以及Ho之YAIO3標示之晶體的固態雷射、準分子雷射、CO2雷射、氬雷射、或半導體雷射。例如，可使用氯化氙(XeCI)準分子雷射。
使膜層110在第二加熱處理中的溫度高於膜層110在第一加熱處理中的溫度。將膜層110在第二加熱處理中的溫度設定為T2。在T1及T2之間有T1<T2的關係。具體地說，當將雷射用於第二加熱處理時，在重覆雷射照射時，可藉由諸如，雷射波長、脈衝寬度、頻率等的條件調整T2。
例如，第一加熱處理係藉由熱板及烤箱實施，以將T1設定為350℃。當將XeCI準分子雷射用於具有設定為160mJ/cm2之能量、設定為308nm的中央波長、設定為 300Hz的重覆頻率、以及設定為29奈秒之脈衝寬度的第二加熱處理時，可將T2設定成不少於1000℃。
藉由第二加熱處理，增加加熱部320L中在支撐基材90及膜層110之間的黏合性。在未藉由第二加熱處理加熱的部位中，支撐基材90及膜層110之間的黏合力保持原狀。
隨後，將像素電路部312形成於在膜層110上的第一區域310中，並將周邊電路部321形成在第二區域中。然後，將顯示層311形成在第一區域310中，並將載置部322設置在第二區域中(圖4B及圖5B)。
在第二區域320中，加熱至少一部分藉由第二加熱處理加熱的範圍(第三加熱處理，圖4C及圖5C)。使膜層110在第三加熱處理中的溫度高於膜層110在第二加熱處理中的溫度。將膜層110在第三加熱處理中的溫度設定為T3。在T2及T3之間有T2<T3的關係。提供以，例如，可見光、紅外線、紫外線、微波、毫米波、電子束、以及放射線照射膜層110的方法，以及以焦耳熱照射其的方法作為第三加熱處理中的加熱法。例如，有使用雷射照射膜層110並使用鹵素燈加熱其的方法。
圖4C顯示以雷射2照射膜層110的情形。當將雷射照射實施為第三加熱處理時，可使用，例如，使用以YAG、YVO4、YLF、以及摻雜有Nd、Tm、以及Ho之YAIO3標示之晶體的固態雷射、準分子雷射、CO2雷射、氬雷射、或半導體雷射。當將雷射用於第三加熱處理時，在重覆 雷射照射時，可藉由諸如，雷射波長、脈衝寬度、頻率等的條件調整T3。例如，可使用氯化氙(XeCI)準分子雷射。當使用XeCI準分子雷射時，可將雷射的能量設定為180mJ/cm2、可將中央波長設定為308nm、可將重覆頻率設定為300Hz、並可將脈衝寬度設定為29奈秒。
此處，將藉由第三加熱處理加熱的部位320M界定為設有周邊電路部321及載置部322的部位。藉由第三加熱處理加熱的部位320M可能比藉由第二加熱處理加熱的部位320L更寬或更窄。
因為藉由第三加熱處理將高能量施加至支撐基材90及膜層110，可將膜層110自支撐基材90剝除。例如，當藉由雷射照射實施第三加熱處理時，從支撐基材90側將已照射部分的膜層110自已使用雷射2照射之部分的支撐基材90剝除。第三加熱處理包括將空隙形成在支撐基材90及膜層110之間的至少一部位中。關於已用雷射照射之部位以外的部位，自支撐基材90將膜層110機械地剝除(圖4D)。
為自支撐基材90將膜層110機械地剝除，例如，可使用剝除裝置。
使用藉由第二加熱處理選擇性地增加之膜層110之第二區域320的溫度，可增加膜層110及支撐基材90之間的黏合力。雖然可考慮增加黏合力的數種模式，期望膜層110之溫度的增加更行促進膜層110內側的醯亞胺化，且將如此產生之濕氣傳送至支撐基材90側的效果更行增加 黏合力。
當增加第二區域320之至少一部分的黏合力，且稍後將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成於其上時，難以將膜層110自支撐基材90剝除。因此，輕易地將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上，且結果，可改善顯示裝置400的製造良率。因為在將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上時施加熱，當將膜層110自支撐基材90剝除時，有膜層110之尺寸改變的可能性。
為將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上，可使用與既存玻璃基材上的處理相同的方法。亦即，可與主動矩陣系統顯示裝置在玻璃基材上的形成相似地將此等部及顯示層形成在膜層110上。
在第二加熱處理中，關於支撐基材90及膜層110之間的黏合力受改善的部位，若企圖自支撐基材90機械地剝除膜層110，在膜層110中產生剝除失誤，諸如，皺折、伸長、裂縫等。藉由以雷射照射此部位，導致膜層110從支撐基材90浮動，從而容許從支撐基材90剝除膜層110。可能將雷射的能量設定成高於導致膜層110從支撐基材90浮動的程度。
因為載置部係在施加溫度的狀態中藉由壓力接合設置，有膜層110及支撐基材90之間的黏合力更行增加的一 些情形，從而使膜層110難以自支撐基材90剝除。因此，雖然可能以雷射照射部分或全部的第二區域320，以自支撐基材90剝除膜層110，使用雷射照射設置載置部322的部位係特佳的。
第一區域310的像素電路部312及顯示層311可能由於雷射照射而導致特徵變異。特別係當將氧化物半導體使用為用於設置在像素電路部312中的TFT 310T，並將有機電致發光層220使用為顯示層311時，由於加熱及由雷射施加的能量，顯示裝置400的顯示品質可能變差。然而，根據實施例，在第一區域310中，因為未實施第二處理，使得支撐基材90及膜層110之間的黏合力末增加，可不藉由雷射照射而藉由機械剝除將膜層110自支撐基材90剝除。
支撐基材90的透濕性影響支撐基材90及膜層110之間的可分離性。在將膜材料層111乾燥及醯亞胺化時，包含在膜材料層111中的有機溶劑濃縮在支撐基材90及膜層110之間的介面上。另外，由醯亞胺化產生的水分子濃縮在支撐基材90及聚醯亞胺膜層110之間的介面上。因此，支撐基材90及膜層110之間的黏合受抑制。因此，當稍後將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上時，可能輕易地自支撐基材90剝除膜層110。
此處，若支撐基材90的透濕性甚大，將存在於支撐基材90及膜層110間之介面中的水分子及有機溶劑傳至 外側，且因此可增加支撐基材90及膜層110之間的黏合性。然而，若黏合性太高，在將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上之後，當將膜層110自支撐基材90剝除時，剝除變得困難。相反地，若支撐基材90的透濕性甚小，水分子及有機溶劑殘留在支撐基材90及膜層110之間的介面中，且因此當將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上時，膜層110可能從支撐基材90浮動。因此，可取決於支撐基材90的透濕性調整支撐基材90及膜層110之間的黏合性。
此外，因為用於膜層110的聚醯亞胺具有特定的透濕度，有支撐基材90及膜層110間之介面的含濕量隨時間流逝而改變的可能。再者，因為介面的含濕量為外部因子所改變，諸如，支撐基材90及膜層110之間的表面自由能量、環境溫度、以及環境濕度，難以控制介面的含濕量，且以固定強度自支撐基材90剝除膜層110係困難的。因此，難以控制膜層110及支撐基材90之間的可分離性(或黏合性)。
然而，根據實施例，因為可改變第一區域310及第二區域320的黏合性，可使用固定強度實施將膜層110自支撐基材90剝除，而與顯示裝置無關，且此導致優秀的量產性。
特別係若藉由第二加熱處理加熱的部位具有圍繞第一區域310的形狀，第一區域310之周邊部的黏合性增加。 因此，在用於形成像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322的濕處理中，可減少包含在環境大氣中的液體及氣體進入支撐基材90及膜層110之間的可能性，且難以改變支撐基材90及膜層110之間的含濕量。作為圍繞第一區域310的形狀，若第一區域310近似於長方形，該形狀可係框狀的，且若第一區域310近似於圓形，其可係環狀的。
如上文所述，根據實施例，當將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上時，難以自支撐基材90剝除膜層110，且在將像素電路部312、周邊電路部321、顯示層311、以及載置部322形成在膜層110上之後，可提供能輕易地自支撐基材90剝除膜層110的顯示裝置及用於製造該顯示裝置的方法。
(範例)
因為已實行藉由第二加熱處理在支撐基材及膜層間之黏合性的評估，其將於下文描述。
將PEN基材糊在塗佈且形成在玻璃基材(膜厚度：700μm)上的聚醯亞胺膜(10μm)上，作為上支撐基材，並對藉由雷射照射的黏合性及聚醯亞胺狀態實行評估。將XeCI準分子雷射(中央波長：308nm)使用為該雷射，並經由玻璃基材使用該雷射照射聚醯亞胺介面。脈動XeCI雷射，並將光束形成為200mm×0.4mm的線形。
圖6顯示描繪當將雷射照射使用為第二加熱處理時的雷射之能量密度De與用於自支撐基材剝除膜層所需的負載Fa之間的關係。將雷射的能量密度De表示在垂直軸上，並將自支撐基材剝除膜層所需的負載Fa表示在水平軸上。
由於使用在100mJ/cm2至300mJ/cm2之範圍中的雷射能量密度De實施雷射照射，確認在不少於180mJ/cm2範圍中，在聚醯亞胺膜及玻璃基材之間產生間隙。因此，當將雷射的能量密度De增加至不少於180mJ/cm2時，發現聚醯亞胺浮動。另外，在160mJ/cm2的密度中，雖然並無變化出現在聚醯亞胺層自身上，由於實施剝除測試，其黏合性實質增加，且在具有較少能量密度De的區域中，發現不係沒有變化出現就係在剝除強度上沒有任何改變。雖然說明了黏合性，發現黏合性在聚醯亞胺浮動之後立即增加。此代表T2>T1，並期望係膜層之醯亞胺化的促進結果。亦即，藉由實施提供比第一加熱處理之能量更高的能量之第二加熱處理，增加膜層及支撐基材之間的黏合性。
另外，關於此顯示裝置，在圖7中以紫外(UV)光照射第一區域之前的曲線401及之後的曲線402顯示用於像素之TFT的電流-電壓特徵。圖7的水平軸代表閘極電壓，且垂直軸代表汲極電流。當以紫外光照射第一區域時，用於像素之TFT的電流-電壓特徵向負側偏移。亦即，當在第一區域中實行第二加熱處理及第三加熱處理時，用於像素的TFT未得到可取特徵，且顯示裝置的顯示品質有時變 差。
在上文中，參考具體範例描述本發明的模範實施例。然而，本發明未受限於此等具體範例。例如，熟悉本發明的人士可能藉由從已知技術適當地選擇特定組態而相似地實踐本發明。此種實踐包括在本發明之延伸至得到本發明之相似效果的範圍中。
另外，特定範例的任何二或多個組件可能在技術可行性的程度內組合，並在包括本發明之要旨的程度內包括在本發明的範圍中。
熟悉本發明之人士可在本發明的精神內設想各種其他變化及修改，並理解此種變化及修改也包括在本發明的範圍內。
當已然描述特定實施例時，此等實施例僅已藉由例示方式呈現，且未企圖限制本發明的範圍。實際上，本文描述的新奇實施例可能以各種其他形式體現；此外，可能無須脫離本發明的精神而以本文描述之該等實施例的形式產生各種省略、替代、及改變。隨附之申請專利範圍及彼等的等效範圍意圖涵蓋落在本發明之範圍及精神內的此種形式或修改。
1、2‧‧‧雷射
90‧‧‧支撐基材
100‧‧‧偏向板
110‧‧‧膜基材
111‧‧‧膜材料層
120‧‧‧底塗層
130‧‧‧閘極電極
140‧‧‧閘極絕緣膜
150‧‧‧半導體層
160‧‧‧通道保護膜
170D‧‧‧汲極電極
170S‧‧‧源極電極
180‧‧‧鈍化膜
190‧‧‧彩色濾波器
200‧‧‧陽極
210‧‧‧堤岸
220‧‧‧發光層
230‧‧‧陰極
240‧‧‧密封膜
250‧‧‧黏合層
260‧‧‧障壁膜
310‧‧‧第一區域
310T、320T‧‧‧TFT
311‧‧‧顯示層
312‧‧‧像素電路部
320‧‧‧第二區域
320L‧‧‧加熱部位
320M‧‧‧部位
321‧‧‧周邊電路部
322‧‧‧載置部
400‧‧‧顯示裝置
401、402‧‧‧曲線
圖1係根據實施例之顯示裝置的上表面圖；圖2A及圖2B係根據實施例之顯示裝置的部分橫剖面圖； 圖3A至圖3C係顯示根據實施例的顯示裝置之製程的橫剖面圖；圖4A至圖4D係顯示根據實施例的顯示裝置之製程的橫剖面圖；圖5A至圖5C係顯示根據實施例的顯示裝置之製程的橫剖面圖；圖6係顯示雷射的能量密度及負載之間的關係之圖；且圖7係顯示在使用紫外光照射之前及之後，TFT之電流-電壓特徵的圖。
310‧‧‧第一區域
311‧‧‧顯示層
320‧‧‧第二區域
321‧‧‧周邊電路部
322‧‧‧載置部
400‧‧‧顯示裝置

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置的製造方法，包含：將膜材料層形成在支撐基材上的處理；以第一溫度加熱該膜材料層，以形成膜層的第一加熱處理；以高於該第一溫度的第二溫度加熱圍繞第一區域之第二區域的第二加熱處理，該第一區域係設置在該膜層的中央部分中；將顯示層形成在一部分的該第一區域中，並將周邊電路部形成在至少一部分的該第二區域中的處理；以高於該第二溫度的第三溫度加熱除了該顯示層形成於其中的範圍以外之至少一部分的該膜層的第三加熱處理；以及將該膜層自該支撐基材剝除的處理。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該膜層在該第二加熱處理中的該溫度高於該膜層在該第一加熱處理中的該溫度。
  3. 如申請專利範圍第2項的方法，其中該膜層在該第三加熱處理中的該溫度高於該膜層在該第一加熱處理中的該溫度。
  4. 如申請專利範圍第3項的方法，其中該第二加熱處理係藉由以雷射照射該膜層或藉由以鹵素燈加熱該膜層而實施。
  5. 如申請專利範圍第4項的方法，其中該第三加熱處 理係藉由以該雷射照射該膜層或藉由以該鹵素燈加熱該膜層而實施。
  6. 如申請專利範圍第5項的方法，其中該第一加熱處理係藉由使用燈退火、熱板、及烤箱之一者而實施。
  7. 如申請專利範圍第6項的方法，其中該膜層係由包含聚醯亞胺的材料形成。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法，其中形成顯示層及形成該周邊電路部的該處理包括形成薄膜電晶體。
  9. 如申請專利範圍第1項的方法，其中形成顯示層及形成該周邊電路部的該處理包括形成半導體層。
  10. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該半導體層包括氧化物半導體。
  11. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該半導體層包括銦、鎵、以及鋅。
  12. 如申請專利範圍第1項的方法，其中形成該顯示層的該處理包括形成液晶層。
  13. 如申請專利範圍第1項的方法，其中形成該顯示層的該處理包括形成有機電致發光層。
  14. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該膜材料層在該第一加熱處理中的該溫度不少於200℃且不多於500℃。
  15. 如申請專利範圍第12項的方法，其中該膜層在該第二加熱處理中的該溫度不少於1000℃。
  16. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該支撐基材 係玻璃基材。
  17. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該第三加熱處理包括以具有不少於180mJ/cm2之能量的雷射照射該膜層。
  18. 如申請專利範圍第17項的方法，其中該第二加熱處理包括以具有不少於160mJ/cm2且少於180mJ/cm2之能量的雷射照射該膜層。
  19. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該第一加熱處理經由脫水導致聚醯胺酸受閉環反應。
  20. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該第三加熱處理包括將空隙形成在該支撐基材及該膜層之間的至少一部位中。
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