TW201307483A - 硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置 - Google Patents

硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201307483A
TW201307483A TW101124525A TW101124525A TW201307483A TW 201307483 A TW201307483 A TW 201307483A TW 101124525 A TW101124525 A TW 101124525A TW 101124525 A TW101124525 A TW 101124525A TW 201307483 A TW201307483 A TW 201307483A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
sio
polycyclic aromatic
condensed polycyclic
represented
Prior art date
Application number
TW101124525A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Amako
Tadashi Okawa
Tomohiro Iimura
Kazuhiro Nishijima
Maki Itoh
Yoshitsugu Morita
Original Assignee
Dow Corning Toray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Co Ltd
Publication of TW201307483A publication Critical patent/TW201307483A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明之矽氫化反應硬化性矽酮組合物係以平均單元式：(R13SiO1/2)a(R12SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R1為烷基、烯基、苯基或氫原子，R2為上述R1所表示之基或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R1或R2為烯基或氫原子，一分子中之至少1個R2為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)所表示之有機聚矽氧烷作為主成分，形成高折射率、高透明性且耐熱性、可撓性優異之硬化物。

Description

硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置
本發明係關於一種硬化性矽酮組合物、其硬化物及光半導體裝置。
由於硬化性矽酮組合物透明性優異且具有耐熱性，故而被用於LED(Light Emitting Diode，發光二極體)之密封劑、透鏡之原料等。通常，為了增大硬化物之折射率，而將苯基、萘基等芳基導入構成成分之有機聚矽氧烷中。例如，專利文獻1~4中提出有一種有機聚矽氧烷，其具有萘基、蒽基、菲基等縮合多環芳香族基作為T單元即通式：RSiO3/2所表示之矽氧烷中的R。
然而，此種有機聚矽氧烷並不藉由矽氫化反應而形成高折射率、高透明性且耐熱性優異之硬化物。
又，專利文獻5中提出有一種有機聚矽氧烷，其具有萘基、蒽基、菲基等縮合多環芳香族基作為D單元即通式：R2SiO2/2所表示之矽氧烷中的R。
然而，此種有機聚矽氧烷存在如下問題：越是欲增大硬化物之折射率，通常硬化物變得越硬、越脆，其結果為機械特性降低且其耐熱性降低。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-024832號公報
專利文獻2：日本專利特開2009-203463號公報
專利文獻3：日本專利特開2009-280666號公報
專利文獻4：日本專利特開2010-007057號公報
專利文獻5：日本專利特開2000-235103號公報
本發明之目的在於提供一種藉由矽氫化反應而硬化，形成高折射率、高透明性且耐熱性及可撓性優異之硬化物的硬化性矽酮組合物。又，本發明之另一目的在於提供一種高折射率、高透明性且耐熱性優異之硬化物。進而，本發明之又一目的在於提供一種使用該硬化性矽酮組合物而成之可靠性優異之光半導體裝置。
發明之揭示
本發明之硬化性矽酮組合物係藉由矽氫化反應而硬化者，其特徵在於以如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷作為主成分：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R1為烷基、烯基、苯基或氫原子，R2為上述R1所表示之基或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R1或R2為烯基或氫原子，一分子中之至少1個R2為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)。
又，本發明之硬化物之特徵在於：其係使上述組合物硬化而成。
進而，本發明之光半導體裝置之特徵在於：其係以上述組合物被覆或密封光半導體元件而成。
本發明之硬化性矽酮組合物具有藉由矽氫化反應而硬化從而形成高折射率、高透明性且耐熱性優異之硬化物的特徵，尤其具有形成水蒸氣透過性較小之硬化物之特徵。又，本發明之硬化物具有高折射率、高透明性且耐熱性優異，尤其水蒸氣透過性較小的特徵。進而，本發明之光半導體裝置具有可靠性優異之特徵。
首先，對本發明之硬化性矽酮組合物詳細地進行說明。
本發明之硬化性矽酮組合物係以平均單元式所表示之有機聚矽氧烷作為主成分且藉由矽氫化反應而硬化者：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d式中，R1為烷基、烯基、苯基或氫原子。作為R1之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基，較佳為甲基。作為R1之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基，較佳為乙烯基。
又，式中，R2為烷基、烯基、苯基、氫原子或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。作為R2之烷基，可例示上述R1所表示之基。作為R2之烯基，可例示上述R1所表示之基。作為R2之縮合多環芳香族基，可例示：萘基、蒽基、菲基、芘基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原 子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為萘基。作為R2之含有縮合多環芳香族基之基，可例示：萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等含有縮合多環芳香族基之烷基，及該等縮合多環芳香族基中之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為含有縮合多環芳香族基之烷基，尤佳為萘基乙基。尤其R2為含有縮合多環芳香族基之烷基之有機聚矽氧烷具有如下特徵：其黏度相對較低，可降低所獲得之硬化性矽酮組合物之黏度。
再者，式中，一分子中之至少1個R1或者R2為烯基或氫原子。又，式中，一分子中之至少1個R2為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，較佳為一分子中R2之至少50莫耳%為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。
又，式中，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，較佳為滿足0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，尤佳為滿足0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數。其原因在於：若a未達上述範圍之下限，則所獲得之有機聚矽氧烷會自液體狀變化為固體狀，而操作作業性降低，另一方面，若超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物之透明性降低。又，若b超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物會產生黏性。又，若c未達上述範圍之下限，則所 獲得之硬化物之折射率顯著降低，另一方面，若超過上述範圍之上限，則硬化物變得過硬、過脆。進而，若d超過上述範圍之上限，則硬化物變得極硬、極脆。
該有機聚矽氧烷為上述平均單元式所表示者，亦可於分子中之矽原子上鍵結少量之羥基或甲氧基、乙氧基等烷氧基。具有矽原子鍵結之羥基或矽原子鍵結之烷氧基的有機聚矽氧烷存在如下情形：提高含有其之硬化性矽酮組合物之黏著性，提高其硬化物對於基材之密接性，或者提高與硬化性矽酮組合物中所含有之其他成分之親和性。
作為製備此種有機聚矽氧烷之方法，例如可列舉使如下成分於酸或鹼之存在下進行水解、縮合反應之方法：如下通式所表示之矽烷化合物(I)：R3SiX3如下通式所表示之二矽氧烷(II)：R4 3SiOSiR4 3及/或如下通式所表示之矽烷化合物(III)：R4 3SiX。
上述通式：R3SiX3所表示之矽烷化合物(I)係用以將縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基導入所獲得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R3為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。作為R3之縮合多環芳香族基，可例示：萘基、蒽基、菲基、芘基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲 基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為萘基。又，作為R3之含有縮合多環芳香族基之基，可例示：萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等含有縮合多環芳香族基之烷基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為含有縮合多環芳香族基之烷基，尤佳為萘基乙基。又，式中，X為烷氧基、醯氧基、鹵素原子或羥基。作為X之烷氧基，可例示：甲氧基、乙氧基、丙氧基。又，作為X之醯氧基，可例示乙醯氧基。又，作為X之鹵素原子，可例示氯原子、溴原子。
作為此種矽烷化合物(I)，可例示：萘基三甲氧基矽烷、蒽基三甲氧基矽烷、菲基三甲氧基矽烷、芘基三甲氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、蒽基三乙氧基矽烷、菲基三乙氧基矽烷、芘基三乙氧基矽烷、萘基乙基三甲氧基矽烷、萘基丙基三甲氧基矽烷、蒽基乙基三甲氧基矽烷等烷氧基矽烷；萘基三乙醯氧基矽烷、蒽基三乙醯氧基矽烷、菲基三乙醯氧基矽烷、芘基三乙醯氧基矽烷等醯氧基矽烷；萘基三氯矽烷、蒽基三氯矽烷、菲基三氯矽烷、芘基三氯矽烷等鹵矽烷；萘基三羥基矽烷、蒽基三羥基矽烷、菲基三羥基矽烷、芘基三羥基矽烷等羥基矽烷。
又，上述通式：R4 3SiOSiR4 3所表示之二矽氧烷(II)係用以將M單元之矽氧烷導入所獲 得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R4為烷基、烯基或苯基。作為R4之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基，較佳為甲基。又，作為R4之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基，較佳為乙烯基。
作為此種二矽氧烷(II)，可例示：1,3-二乙烯基-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二苯基-二甲基二矽氧烷、1-乙烯基-五甲基二矽氧烷、1-乙烯基-1,3-二苯基-三甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷，較佳為具有烯基之二矽氧烷。
又，上述通式：R4 3SiX所表示之矽烷化合物(III)亦為用以將M單元之矽氧烷導入所獲得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R4為與上述相同之基。又，式中，X亦為與上述相同之基。
作為此種矽烷化合物(III)，可例示：二甲基乙烯基甲氧基矽烷、甲基苯基乙烯基甲氧基矽烷、二苯基乙烯基甲氧基矽烷、二甲基乙烯基乙氧基矽烷、甲基苯基乙烯基乙氧基矽烷、二苯基乙烯基乙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷等烷氧基矽烷；二甲基乙烯基乙醯氧基矽烷、甲基苯基乙烯基乙醯氧基矽烷、二苯基乙烯基乙醯氧基矽烷、三甲基乙醯氧基矽烷、二甲基苯基乙醯氧基矽烷等醯氧基矽烷；二甲基乙烯基氯矽烷、甲基苯基乙烯基氯矽烷、二苯基乙烯基氯矽烷、三甲基氯矽烷、甲基苯基氯矽烷等鹵矽烷；二甲基乙烯基矽烷醇、甲基苯基乙 烯基矽烷醇、二苯基乙烯基矽烷醇等矽烷醇，較佳為具有烯基之矽烷化合物。
上述製備方法中，視需要可使如下通式所表示之矽烷化合物(IV)發生反應：R4 (4-n)SiXn式中，R4為與上述相同之基。又，式中，X亦為與上述相同之基。又，式中，n為2~4之整數。
作為此種矽烷化合物(IV)，可例示：三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、甲基二苯基甲氧基矽烷、甲基二苯基乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等烷氧基矽烷；三甲基乙醯氧基矽烷、甲基二苯基乙醯氧基矽烷、甲基二苯基乙醯氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、甲基苯基二乙醯氧基矽烷、二苯基二乙醯氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷、四乙醯氧基矽烷等乙醯氧基矽烷；三甲基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、二甲基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、甲基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、四氯矽烷等鹵矽烷；三甲基矽烷醇、甲基二苯基矽烷醇、甲基二苯基矽烷醇、二甲基二羥基矽烷、甲基苯基二羥基矽烷、二苯基二羥基矽烷、甲基三羥基矽烷、苯基三羥基矽烷等羥基矽烷。
再者，上述製備方法中，供給至反應之成分(II)~成分 (IV)之任一者必需具有烯基。
上述製備方法之特徵在於：使矽烷化合物(I)與二矽氧烷(II)及/或矽烷化合物(III)、視需要之矽烷化合物(IV)於酸或鹼之存在下進行水解、縮合反應。各成分之添加比例係如所獲得之有機聚矽氧烷為如下平均單元式所表示般之量：(R4 3SiO1/2)a(R4 2SiO2/2)b(R5SiO3/2)c(SiO4/2)d。即，式中，R4為與上述相同之基，R5係上述R3所表示之基或上述R4所表示之基，其中，一分子中之至少1個R4或R5為烯基，一分子中之至少1個R5為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。又，式中，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，較佳為滿足0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，尤佳為滿足0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數。
作為可使用之酸，可例示：鹽酸、乙酸、甲酸、硝酸、草酸、硫酸、磷酸、聚磷酸、多元羧酸、三氟甲磺酸、離子交換樹脂。又，作為可使用之鹼，可例示：氫氧化鉀、氫氧化鈉等無機鹼；三乙胺、二乙胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、四甲基氫氧化銨、具有胺基之烷氧基矽烷、胺丙基三甲氧基矽烷等有機鹼化合物。
又，於上述製備方法中，可使用有機溶劑。作為可使用之有機溶劑，可例示：醚類、酮類、乙酸酯類、芳香族或 脂肪族烴、γ-丁內酯等及該等之2種以上之混合物。作為較佳之有機溶劑，可例示：丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單第三丁醚、γ-丁內酯、甲苯、二甲苯。
上述製備方法中，為了促進上述各成分之水解、縮合反應，較佳為添加水或水與醇之混合液。作為該醇，較佳為甲醇、乙醇。該反應於藉由加熱而得以促進並使用有機溶劑之情形時，較佳為於其回流溫度下進行反應。
又，作為上述有機聚矽氧烷之另一製備方法，其特徵在於使如下成分於酸存在下進行水解、縮合反應：如下通式所表示之矽烷化合物(I)：R3SiX3與如下通式所表示之二矽氧烷(V)：R6 3SiOSiR6 3及/或如下通式所表示之矽烷化合物(VI)：R6 3SiX。
上述通式：R3SiX3所表示之矽烷化合物(I)係用以將縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基導入所獲得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R3為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，可例示與上述相同之基。又，X為烷氧基、醯氧基、鹵素原子或羥基，可例示與上述相同之基。作為此種矽烷化合物(I)，可例示與上述相同之化合物。
又，上述通式：R6 3SiOSiR6 3所表示之二矽氧烷(V)係用以將M單元之矽氧烷導入所獲得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R6為烷基、苯基或氫原子。作為R6之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基。
作為此種二矽氧烷(V)，可例示：1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3,3-五甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷，較佳為具有矽原子鍵結之氫原子之二矽氧烷。
又，上述通式：R6 3SiX所表示之矽烷化合物(VI)亦為用以將M單元之矽氧烷導入所獲得之有機聚矽氧烷中的原料。式中，R6為與上述相同之基。又，式中，X亦為與上述相同之基。
作為此種矽烷化合物(VI)，可例示：二甲基甲氧基矽烷、甲基苯基甲氧基矽烷、二苯基甲氧基矽烷、二甲基乙氧基矽烷、甲基苯基乙氧基矽烷、二苯基乙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷等烷氧基矽烷；二甲基乙醯氧基矽烷、甲基苯基乙醯氧基矽烷、二苯基乙醯氧基矽烷、三甲基乙醯氧基矽烷、二甲基苯基乙醯氧基矽烷等醯氧基矽烷；二甲基氯矽烷、甲基苯基氯矽烷、二苯基氯矽烷、三甲基氯矽烷、甲基苯基氯矽烷等鹵矽烷；二甲基矽烷醇、甲基苯基矽烷醇、二苯基矽烷醇等矽烷 醇，較佳為具有矽原子鍵結之氫原子之矽烷化合物。
上述製備方法中，視需要可使如下通式所表示之矽烷化合物(VII)發生反應：R6 (4-n)SiXn式中，R6為與上述相同之基。又，式中，X亦為與上述相同之基。又，式中，n為2~4之整數。
作為此種矽烷化合物(VII)，可例示：三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、甲基二苯基甲氧基矽烷、甲基二苯基乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷等烷氧基矽烷；三甲基乙醯氧基矽烷、甲基二苯基乙醯氧基矽烷、甲基二苯基乙醯氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、甲基苯基二乙醯氧基矽烷、二苯基二乙醯氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷、四乙醯氧基矽烷等乙醯氧基矽烷；三甲基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、二甲基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、甲基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、四氯矽烷等鹵矽烷；三甲基矽烷醇、甲基二苯基矽烷醇、甲基二苯基矽烷醇、二甲基二羥基矽烷、甲基苯基二羥基矽烷、二苯基二羥基矽烷、甲基三羥基矽烷、苯基三羥基矽烷等羥基矽烷。
再者，上述製備方法中，供給至反應之成分(V)~成分(VII)之任一者必需具有矽原子鍵結之氫原子。
上述製備方法之特徵在於：使矽烷化合物(I)與二矽氧烷(V)及/或矽烷化合物(VI)、視需要之矽烷化合物(VII)於酸存在下進行水解、縮合反應。各成分之添加比例係如所獲得之有機聚矽氧烷為平均單元式所表示般之量：(R6 3SiO1/2)a(R6 2SiO2/2)b(R7SiO3/2)c(SiO4/2)d即，式中，R6為與上述相同之基，R7為上述R3所表示之基或上述R6所表示之基，其中，一分子中之至少1個R6或R7為氫原子，一分子中之至少1個R7為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，又，式中，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，較佳為滿足0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，尤佳為滿足0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數。
作為可使用之酸，可例示：鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、聚磷酸、三氟甲磺酸等強酸；乙酸、甲酸、草酸、多元羧酸等羧酸；乙酸酐等羧酸酐。
又，於上述製備方法中，可使用有機溶劑。作為可使用之有機溶劑，可列舉與上述相同之溶劑。
上述製備方法中，為了促進上述各成分之水解、縮合反應，較佳為添加水或水與醇之混合液。作為該醇，較佳為甲醇、乙醇。該反應於藉由加熱而得以促進並使用有機溶劑之情形時，較佳為於其回流溫度下進行反應。
作為本組合物，例如可列舉一種硬化性矽酮組合物，其 於具有縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基的有機聚矽氧烷具有烯基之情形時，至少包含：(A)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R11為烷基、烯基或苯基，R21為上述R11所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R11或R21為烯基，一分子中之至少1個R21為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、(B)一分子中具有至少2個矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷、及(C)矽氫化反應用觸媒。
(A)成分之有機聚矽氧烷係如下平均單元式所表示者：(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d式中，R11為烷基、烯基或苯基。作為R11之烷基，可例示與上述R1相同之基，較佳為甲基。作為R11之烯基，可例示與上述R1相同之基，較佳為乙烯基。
又，式中，R21為上述R11所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。作為R21之烷基，可例示與上述R1相同之基。作為R21之烯基，可例示與上述R1相同之基。作為R21之縮合多環芳香族基，可例示：萘基、蒽基、菲基、芘基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原 子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為萘基。作為R21之含有縮合多環芳香族基之基，可例示：萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等含有縮合多環芳香族基之烷基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為含有縮合多環芳香族基之烷基，尤佳為萘基乙基。尤其R21為含有縮合多環芳香族基之烷基之有機聚矽氧烷，其黏度相對較低，具有可降低所獲得之硬化性矽酮組合物之黏度之效果。
再者，式中，一分子中之至少1個R11或R21為烯基。又，式中，一分子中之至少1個R21為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，較佳為，一分子中R21之至少50莫耳%為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。
又，式中，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，較佳為滿足0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，尤佳為滿足0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數。其原因在於：若a未達上述範圍之下限，則所獲得之組合物之操作作業性降低，另一方面，若超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物之透明性降低。又，若b超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物產生黏性。又，若c未達上述範圍之下限，則所獲得之硬化物之折射率顯著降低， 另一方面，若超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物變得過硬、過脆。進而，若d超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物變得極硬、極脆。
(A)成分係上述平均單元式所表示者，亦可於分子中之矽原子上鍵結少量之羥基或甲氧基、乙氧基等烷氧基。於(A)成分具有矽原子鍵結之羥基或矽原子鍵結之烷氧基之情形時，存在如下情形：提高所獲得之硬化性矽酮組合物之黏著性，或提高其硬化物對於基材之密接性，或者提高與硬化性矽酮組合物中所含有之其他成分之親和性。
又，(B)成分之有機聚矽氧烷只要為具有矽原子鍵結之氫原子者，則並無特別限定。作為(B)成分中之矽原子鍵結之氫原子之鍵結位置，可例示分子鏈末端及/或分子鏈側鏈。作為(B)成分中之鍵結於矽原子上之其他基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基，較佳為甲基、苯基。作為此種(B)成分之分子結構，可例示：直鏈狀、分支狀、環狀、網狀及一部分具有分支之直鏈狀。
作為此種(B)成分之有機聚矽氧烷，可例示：分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之甲基氫聚矽氧烷，分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物，分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物，分子鏈兩 末端經二甲基氫矽烷氧基封端之二甲基聚矽氧烷，分子鏈兩末端經二甲基氫矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物，分子鏈兩末端經二甲基氫矽烷氧基封端之甲基苯基聚矽氧烷，包含通式：R'3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、通式：R'2HSiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，包含通式：R'2HSiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，包含通式：R'HSiO2/2所表示之矽氧烷單元、通式：R'SiO3/2所表示之矽氧烷單元或式：HSiO3/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，及該等有機聚矽氧烷之兩種以上之混合物。再者，式中之R'為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基。
又，作為(C)成分之矽氫化反應用觸媒，可例示：鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒，由於鉑系觸媒可顯著促進本組合物之硬化，故而較佳。作為該鉑系觸媒，可例示：鉑細粉末、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物，較佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。
又，作為另一本組合物，例如可列舉一種硬化性矽酮組合物，其於具有縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基的有機聚矽氧烷具有矽原子鍵結之氫原子之情形 時，至少包含：(D)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R12為烷基、苯基或氫原子，R22為上述R12所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R12或R22為氫原子，一分子中之至少1個R22為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、(E)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷、及(C)矽氫化反應用觸媒。
(D)成分之有機聚矽氧烷係如下平均單元式所表示者：(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d式中，R12為烷基、苯基或氫原子。作為R12之烷基，可例示與上述R1相同之基，較佳為甲基。
又，式中，R22為上述R12所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。作為R22之烷基，可例示與上述R1相同之基。作為R22之縮合多環芳香族基，可例示：萘基、蒽基、菲基、芘基，及該等縮合多環芳香族基之氫原子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為萘基。作為R22之含有縮合多環芳香族基之基，可例示萘基乙基、萘基丙基、蒽基乙基、菲基乙基、芘基乙基等含有縮合多環芳香族基之烷基，及該等縮合多環芳香族基之氫原 子經甲基、乙基等烷基，甲氧基、乙氧基等烷氧基，氯原子、溴原子等鹵素原子取代之基，較佳為含有縮合多環芳香族基之烷基，尤佳為萘基乙基。尤其R22為含有縮合多環芳香族基之烷基的有機聚矽氧烷，其黏度較低，具有可降低所獲得之硬化性矽酮組合物之黏度之效果。
再者，式中，一分子中之至少1個R12或R22為氫原子。又，式中，一分子中之至少1個R22為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，較佳為一分子中R22之至少50莫耳%為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。
又，式中，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，較佳為滿足0.05≦a≦0.7、0≦b≦0.4、0.3≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數，尤佳為滿足0.1≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.4≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數。其原因在於：若a未達上述範圍之下限，則所獲得之組合物之操作作業性降低，另一方面，若超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物之透明性降低。又，若b超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物產生黏性。又，若c未達上述範圍之下限，則所獲得之硬化物之折射率顯著降低，另一方面，若超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物變得過硬、過脆。進而，若d超過上述範圍之上限，則所獲得之硬化物變得極硬、極脆。
(D)成分係上述平均單元式所表示者，亦可於分子中之 矽原子上鍵結少量之羥基或甲氧基、乙氧基等烷氧基。於(D)成分具有矽原子鍵結之羥基或矽原子鍵結之烷氧基之情形時，存在如下情形：提高所獲得之硬化性矽酮組合物之黏著性，提高其硬化物對於基材之密接性，或提高與硬化性矽酮組合物中所含有之其他成分之親和性。
又，只要(E)成分之有機聚矽氧烷為具有烯基者，則並無特別限定。作為(E)成分中之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基，較佳為乙烯基。作為(E)成分中之除烯基以外之鍵結於矽原子上之基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基，較佳為甲基、苯基。作為此種(E)成分之分子結構，可例示：直鏈狀、分支狀、環狀、網狀、一部分具有分支之直鏈狀。
作為此種(E)成分之有機聚矽氧烷，可例示：分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物，分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之甲基乙烯基聚矽氧烷，分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物，分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基聚矽氧烷，分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之甲基乙烯基聚矽氧烷，分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物，分 子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物，包含通式：R'3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、通式：R'2R"SiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，包含通式：R'2R"SiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，包含通式：R'R"SiO2/2所表示之矽氧烷單元及式：R'SiO3/2所表示之矽氧烷單元或通式：R"SiO3/2所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物，及該等有機聚矽氧烷之兩種以上之混合物。再者，式中之R'為與上述相同之基。又，式中之R"為烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基。
又，作為矽氫化反應用觸媒，可例示與上述相同之觸媒。
又，亦可製備至少包含上述(A)成分、(D)成分及(C)成分之硬化性矽酮組合物。再者，上述(A)成分、(D)成分及(C)成分係如上所述。
於本組合物中，具有矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷之含量並無特別限定，為矽原子鍵結之氫原子相對於上述組合物中之烯基以莫耳比計為0.1~5之範圍內之量，尤佳為0.5~2之範圍內之量。
又，於本組合物中，只要(C)成分之含量為促進上述組合物之硬化之量，則並無特別限定，具體而言，為(C)成分中之觸媒金屬相對於上述組合物以重量單位計為 0.01~500 ppm之範圍內之量，進而較佳為0.01~100 ppm之範圍內之量，尤佳為0.01~50 ppm之範圍內之量。
又，本組合物中亦可含有用以提高其黏著性之黏著賦予劑。作為該黏著賦予劑，較佳為於一分子中具有至少1個鍵結於矽原子上之烷氧基之有機矽化合物。作為該烷氧基，可例示：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、甲氧基乙氧基，尤佳為甲氧基。又，作為鍵結於該有機矽化合物之矽原子上之除烷氧基以外之基，可例示：烷基、烯基、芳基、芳烷基、鹵化烷基等經取代或未經取代之一價烴基；3-縮水甘油氧丙基、4-縮水甘油氧丁基等縮水甘油氧烷基；2-(3,4-環氧基環己基)乙基、3-(3,4-環氧基環己基)丙基等環氧基環己基烷基；4-環氧乙烷基丁基、8-環氧乙烷基辛基等環氧乙烷基烷基等含有環氧基之一價有機基；3-甲基丙烯醯氧丙基等含有丙烯醯基之一價有機基；及氫原子。該有機矽化合物較佳為具有矽原子鍵結之烯基或矽原子鍵結之氫原子。又，由於可賦予對於各種基材之良好黏著性，故而該有機矽化合物較佳為於一分子中具有至少1個含有環氧基之一價有機基。作為此種有機矽化合物，可例示：有機矽烷化合物、有機矽氧烷寡聚物、矽酸烷基酯。作為該有機矽氧烷寡聚物或矽酸烷基酯之分子結構，可例示：直鏈狀、一部分具有分支之直鏈狀、支鏈狀、環狀、網狀，尤佳為直鏈狀、支鏈狀、網狀。作為此種有機矽化合物，可例示：3-縮水甘油氧丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧 丙基三甲氧基矽烷等矽烷化合物；於一分子中分別具有至少各1個矽原子鍵結之烯基或矽原子鍵結之氫原子及矽原子鍵結之烷氧基的矽氧烷化合物、具有至少1個矽原子鍵結之烷氧基之矽烷化合物或矽氧烷化合物、與於一分子中分別具有至少各1個矽原子鍵結之羥基及矽原子鍵結之烯基之矽氧烷化合物的混合物；聚矽酸甲酯、聚矽酸乙酯、含有環氧基之聚矽酸乙酯。
於本組合物中，該黏著賦予劑之含量並無限定，較佳為相對於本組合物之合計100重量份為0.01~10重量份之範圍內。
又，於本組合物中亦可含有如下反應抑制劑作為其他任意成分：2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷、苯并三唑等。
於本組合物中，該反應抑制劑之含量並無限定，較佳為相對於本組合物100重量份為0.0001~5重量份之範圍內。
又，本組合物中可含有螢光材料作為其他任意成分。作為該螢光體，例如可列舉廣泛用於發光二極體(LED)中之包括氧化物系螢光體、氮氧化物系螢光體、氮化物系螢光體、硫化物系螢光體、氧硫化物系螢光體等之黃色、紅色、綠色、藍色發光螢光體。作為氧化物系螢光體，可例示：包含鈰離子之釔、鋁、石榴石系之YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)系綠色~黃色發光螢光體，包含鈰離子之鋱、鋁、石榴石系之TAG(Terbium Aluminum Garnet，鋱鋁石榴石)系黃色發光螢光體，及包含鈰或銪離子之矽酸鹽系綠色~黃色發光螢光體。作為氮氧化物系螢光體，可例示包含銪離子之矽、鋁、氧、氮系之SiAlON系紅色~綠色發光螢光體。作為氮化物系螢光體，可例示包含銪離子之鈣、鍶、鋁、矽、氮系之CASN系紅色發光螢光體。作為硫化物系螢光體，可例示包含銅離子或鋁離子之ZnS系綠色發光螢光體。作為氧硫化物系螢光體，可例示包含銪離子之Y2O2S系紅色發光螢光體。該等螢光材料可使用1種或者2種以上之混合物。
於本組合物中，該螢光材料之含量並無特別限定，於本組合物中為0.1~70重量%之範圍內，進而較佳為1~20重量%之範圍內。
又，於本組合物中，只要不損及本發明之目的，亦可含有如下成分作為其他任意成分：矽土、玻璃、氧化鋁、氧化鋅等無機填充劑；聚甲基丙烯酸酯樹脂等有機樹脂細粉末；耐熱劑、染料、顏料、阻燃性賦予劑、溶劑等。
本組合物係藉由室溫或加熱而進行硬化，較佳為為了使其迅速硬化而進行加熱。該加熱溫度較佳為50~200℃之範圍內。此種本組合物可用作電氣電子用黏著劑、灌封劑、保護劑、塗佈劑及底部填充劑，尤其是由於透光率較高，故而較佳為用作光學用途之半導體元件之黏著劑、灌封劑、保護劑、塗佈劑及底部填充劑。
繼而，對本發明之硬化物詳細地進行說明。
本發明之硬化物之特徵在於：其係使上述硬化性矽酮組合物硬化而成。此種本發明之硬化物之形狀並無特別限定，例如可列舉：片狀、膜狀、凸透鏡狀、凹透鏡狀、菲涅耳透鏡狀、圓錐台狀、四角錐台狀。本發明之硬化物可將其以單體形式進行操作，亦可以被覆或密封光半導體元件等之狀態進行操作。
繼而，對本發明之光半導體裝置詳細地進行說明。
本裝置之特徵在於：以上述硬化性矽酮組合物之硬化物被覆或密封光半導體元件。作為該光半導體元件，可例示發光二極體(LED)晶片。又，作為此種光半導體裝置，可例示：發光二極體(LED)、光電耦合器、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合裝置)。
將本發明之光半導體裝置之一例即單體之表面安裝型LED之剖面圖示於圖1。圖1所示之LED中，LED晶片1固定於引線框架2上，且該LED晶片1與引線框架3藉由接線4而得以線接合。該LED晶片1係由本發明之硬化性矽酮組合物之硬化物5被覆。
作為製造圖1所示之表面安裝型LED之方法，可例示如下方法：將LED晶片1固定於引線框架2上，並藉由金製接線4使該LED晶片1與引線框架3線接合，繼而，將本發明之硬化性矽酮組合物塗佈於LED晶片1上後，於50~200℃下進行加熱，藉此使其硬化。
實施例
藉由實施例詳細地對本發明之硬化性矽酮組合物、硬化物及光半導體裝置進行說明。以下述方式測定硬化性矽酮組合物及其硬化物之特性，並將該等結果示於表1。
[硬化性矽酮組合物之黏度]
使用TA Instruments公司製造之AR500，利用錐徑為20 mm且錐角為2°之圓錐，於20 s-1之條件下測定硬化性矽酮組合物於25℃下之黏度。
[硬化性矽酮組合物之硬化物之儲存模數]
使硬化性矽酮組合物流入2 mm×10 mm×50 mm之不鏽鋼製模框內，使用保持為150℃之壓機加熱10分鐘，其後自該模框取出，進而於150℃之熱風循環式烘箱中加熱50分鐘，藉此使其硬化而獲得硬化物，使用Anton Paar公司製造之黏彈性測定裝置MCR301於頻率1 Hz、應變0.1%之條件下測定該硬化物，並表示其此時於25℃下之儲存模數。
[硬化物之折射率]
使用稜鏡耦合器法測定利用上述方法而形成之硬化物之折射率。再者，測定時使用632.8 nm之雷射光源。
[硬化物之透明性]
藉由目視而確認利用上述方法而形成之硬化物之透明性。
[硬化物之耐熱性]
利用150℃之熱風循環式烘箱將利用上述方法形成之硬化物加熱100小時後，藉由目視確認有無著色。將無著色者判斷為良好。
[硬化物之水蒸氣透過性]
使硬化性矽酮組合物流入1 mm×15 mm×20 mm之不鏽鋼製模框內，使用保持150℃之壓機加熱10分鐘，其後自該模框取出，並進而利用150℃之熱風循環式烘箱加熱50分鐘，藉此而形成厚度為1 mm厚之硬化物。根據JIS Z 0208所規定之方法，於溫度為40℃、濕度為90%之條件下測定該硬化物之透濕度。
[硬化物之斷裂點應變與破裂能]
以150℃之加熱壓機使硬化性矽酮組合物硬化1小時，而製作厚度為0.5 mm、寬度為5 mm之短條形膜。將其於25℃、50%RH之環境下放置1天以上進行濕度調整後，使用萬能試驗機(島津製作所公司製造之自動立體測圖儀AGS-1kNX)，以夾頭間距離為25 mm、拉伸速度為15 mm/分鐘進行拉伸試驗。試樣之斷裂點應變係根據測定5次左右夾頭之移動距離而得之平均值而算出。並且根據應力-應變曲線下側之面積計算破裂能。
[表面安裝型發光二極體(LED)之製作]
使用硬化性矽酮組合物以下述方式製作表面安裝型發光二極體(LED)。以下述方式對該發光二極體(LED)之光提取測定進行評價，將該等評價結果示於表1。
於周圍由聚鄰苯二甲醯胺(PPA，Polyphthalamide)樹脂外殼1包圍之一邊5 mm×5 mm之I-Chiun Precision Industry公司製造之TTI-5074之LED引線框架上，搭載BridgeLux公司製造之MKO4545C之一邊1 mm×1 mm之LED晶片2，繼 而，藉由1.5 mil粗之金接線4而將LED晶片2與內引線3電性連接。添加硬化性矽酮組合物3 g及Intermatix公司製造之鋱鋁石榴石系螢光體(產品名為NTAG4851)0.105 g，進行混合消泡並使用分注器於聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂外殼1內注入14.3 mg，於150℃下保持1小時而使其硬化，藉此製作圖1所示之表面安裝型發光二極體(LED)。
[發光二極體(LED)之光提取測定]
對利用上述方法製作之表面安裝型發光二極體(LED)使用Instrumental Systems公司製造之ISP250(250 mm積分球)及CAS-140CT(光譜儀)，並利用Keithley公司製造之2600電源電錶向LED通電150 mA，而測定光量。
又，實施例中所使用之有機聚矽氧烷係如下述般進行製備。又，以下述方式評價有機聚矽氧烷之特性。再者，平均單元式中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基，Naph表示1-萘基，Naph-Et表示萘基乙基，Ep表示3-縮水甘油氧丙基。
[重量平均分子量及分散度]
藉由使用UV(Ultra Violet，紫外線)檢測器之凝膠滲透層析法而求出有機聚矽氧烷之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)。根據該等之值求出分散度(Mw/Mn)。
[折射率]
測定有機聚矽氧烷於25℃、波長632.8 nm時之折射率。
[參考例1]
將1-萘基三甲氧基矽烷10 g(40.3 mmol)、甲基二苯基矽烷醇1.2 g(5.6 mmol)、1,3-二乙烯基-1,3-二苯基二甲基二矽氧烷3.3 g(10.6 mmol)及甲苯20 g投入至反應容器內進行預先混合，此後投入水2.2 g(122.1 mmol)及甲醇10 g，於攪拌下投入三氟甲磺酸0.069 g(0.46 mmol)，並進行2小時加熱回流。其後，加熱至85℃進行常壓餾除，並於該溫度下反應1小時。繼而，投入氫氧化鉀0.06 g(1.1 mmol)，加熱至反應溫度成為120℃進行常壓餾除，並於該溫度下使其反應1小時。冷卻至室溫，投入乙酸0.07 g(1.2 mmol)而進行中和反應。將生成之鹽過濾分離後，自所獲得之透明溶液將低沸點物加熱減壓除去，從而獲得無色透明之膠狀黏稠液體10.0 g(產率為85.5%)。
根據NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)分析之結果可知，該液體係如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(MePh2SiO1/2)0.08(MePhViSiO1/2)0.32(NaphSiO3/2)0.60該有機聚矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為1,000，分散度(Mw/Mn)為1.11，折射率為1.623。
[參考例2]
將1-萘基三甲氧基矽烷50 g(201.3 mmol)、1,3-二乙烯基-1,3-二苯基二甲基二矽氧烷20.9 g(67.3 mmol)及甲苯100 g投入至反應容器內進行預先混合，此後投入水12.0 g(666.1 mmol)及甲醇50 g，於攪拌下投入三氟甲磺酸0.345 g(2.3 mmol)，並進行2小時加熱回流。其後，加熱至85℃ 進行常壓餾除，並於該溫度下反應1小時。繼而，投入氫氧化鉀0.30 g(5.4 mmol)，加熱至反應溫度成為120℃進行常壓餾除，並於該溫度下使其反應1小時。冷卻至室溫，投入乙酸0.40 g(6.7 mmol)而進行中和反應。將生成之鹽過濾分離後，自所獲得之透明溶液將低沸點物加熱減壓除去，從而獲得黏度超過1萬Pa．s之無色透明之黏稠液體56.7 g(產率為99.3%)。
根據NMR分析之結果可知，該黏稠液體係如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60該有機聚矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為1,100，分散度(Mw/Mn)為1.12，折射率為1.622。
[參考例3]
將1-萘基三甲氧基矽烷50 g(201 mmol)投入至反應容器內，使其加熱熔融後，添加三氟甲磺酸0.06 g(0.4 mmol)。一面加熱至45~50℃，一面滴加乙酸9.3 g(154.9 mmol)。滴加結束後，於50℃下加熱攪拌30分鐘。加熱至反應溫度成為80℃常壓餾除低沸點物。其後，冷卻至室溫，滴加1,1,3,3-四甲基二矽氧烷24.4 g(181.6 mmol)，並加熱至反應溫度成為45℃。繼而，於45℃~50℃下滴加乙酸18 g。滴加結束後，於50℃下加熱攪拌30分鐘。一面藉由空氣冷卻或水冷卻而保持60℃以下，一面滴加乙酸酐15.5 g(151.8 mmol)，滴加結束後，於50℃下進行30分鐘加熱攪拌。繼而，投入甲苯及水，反覆進行攪拌、靜置及下層提 取，進行水洗。確認下層之pH值為7後，自上層之甲苯層將低沸點物加熱減壓餾除，從而獲得無色透明之液體43 g(產率為76.0%)。
根據NMR分析之結果可知，該液體係如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41該有機聚矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為660，分散度(Mw/Mn)為1.05，折射率為1.548。
[參考例4]
將1-萘基三甲氧基矽烷148.8 g(0.6 mol)、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷37.2 g(0.2 mol)投入至反應容器內進行預先混合，此後投入三氟甲磺酸0.136 g(0.9 mmol)，於攪拌下投入水35.6 g(1.98 mol)，並進行2小時加熱回流。其後，於常壓下加熱至成為85℃進行餾除。繼而，投入甲苯62.0 g、氫氧化鉀0.194 g(3.5 mmol)，於常壓下加熱至反應溫度成為120℃進行餾除，並於該溫度下使其反應6小時。其後，冷卻至室溫，投入乙酸0.21 g(3.5 mmol)而進行中和反應。將生成之鹽過濾分離後，自所獲得之透明液體將低沸點物於減壓下加熱除去，從而獲得無色透明之膠狀黏稠液體130.0 g(產率為89.9%)。
根據NMR分析之結果可知，該液體係如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60該有機聚矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為1,000，分散度 (Mw/Mn)為1.03，折射率為1.603。
[參考例5]
將2-(三甲氧基矽烷基乙基)萘24.84 g(90 mmol)、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷5.58 g(30 mmol)及甲苯10.4 g投入至反應容器內進行預先混合，此後投入三氟甲磺酸0.072 g(0.48 mmol)，於攪拌下投入水5.35 g(297 mmol)，並進行2小時加熱回流。其後，於常壓下加熱至成為85℃進行餾除。繼而，投入氫氧化鉀0.068 g(1.21 mmol)，於常壓下加熱至反應溫度成為120℃進行餾除，並於該溫度下使其反應6小時。其後，冷卻至室溫，投入乙酸0.072 g(1.21 mmol)而進行中和反應。將生成之鹽過濾分離後，自所獲得之透明液體將低沸點物於減壓下加熱除去，從而獲得黏度為137 Pa．s之透明液體20.12 g(產率為83%)。
根據NMR分析之結果可知，該液體係如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.40(Naph-EtSiO3/2)0.60該有機聚矽氧烷之重量平均分子量(Mw)為2,000，分散度(Mw/Mn)為1.09，折射率為1.594。
[實施例1]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例1中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷4.01 g：(MePh2SiO1/2)0.08(MePhViSiO1/2)0.32(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷1.77 g： HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.33 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.038 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為790 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.609。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例2]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷12 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷5.34 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷1.8 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於 本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為950 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.606。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。又，根據JIS Z 0208所規定之方法，於厚度為1 mm、40℃、90%RH之條件下測定該硬化物之透濕度，結果為2.4 g/m2．24 hr。
使螢光體(Intermatix公司製造之NTAG4851)0.105 g均勻地分散於該硬化性矽酮組合物3 g中，從而製備加入有螢光材料之硬化性矽酮組合物。使用該硬化性矽酮組合物測定LED裝置之光提取效率，結果為30.1流明。
[實施例3]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例1中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷12 g：(MePh2SiO1/2)0.08(MePhViSiO1/2)0.32(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷2.85 g：HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.9 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲 基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為970 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.608。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例4]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷12 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷8.4 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H環狀甲基乙烯基矽氧烷0.075 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為660 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.606。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
使螢光體(Intermatix公司製造之NTAG4851)0.105 g均勻地分散於該硬化性矽酮組合物3 g中，從而製備加入有螢 光材料之硬化性矽酮組合物。使用該硬化性矽酮組合物測定LED裝置之光提取效率，結果為30.9流明。
[實施例5]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷5 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷2 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.03 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為1,000 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.607。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例6]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷5 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷1 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi如下平均式所表示之有機聚矽氧烷0.5 g： HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷1.5 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.04 g：(EpSiO3/2)0.3(ViMeSiO1/2)0.3(Me2SiO1/2)0.3(MeO1/2)0.2環狀甲基乙烯基矽氧烷0.03 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為650 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.602。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例7]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷5 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷1 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷2 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.03 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於 本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為890 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.604。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例8]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷5 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷0.5 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi如下平均式所表示之有機聚矽氧烷3 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H環狀甲基乙烯基矽氧烷0.03 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為260 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.600。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例9]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物： 如下平均式所表示之有機聚矽氧烷9 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷1.02 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為0.24 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.547。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例10]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷5.76 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷2 g：HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.24 g：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.5 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41 環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為84 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.547。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例11]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例2中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷2.06 g：(MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷7.13 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷0.3 g：HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷2.48 g：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色 透明，於25℃下之儲存模數為540 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.560。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[比較例1]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷4.9 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.65 g：(Me2ViSiO1/2)0.10(Me3SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷1.5 g：HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.16 g：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40環狀甲基乙烯基矽氧烷0.02 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為45 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.548。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。又，根據JIS Z 0208所規定之方法，於厚度為1 mm、40℃、90% RH之條件下測定該硬化物之透濕度，結果為15 g/m2．24 hr。
使螢光體(Intermatix公司製造之NTAG4851)0.105 g均勻地分散於該硬化性矽酮組合物3 g中，從而製備加入有螢光材料之硬化性矽酮組合物。使用該硬化性矽酮組合物測定LED裝置之光提取效率，結果為29.7流明。
[比較例2]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：如下平均式所表示之有機聚矽氧烷6.06 g：Me2ViSiO(Me2SiO)xSiMe2Vi(式中，x係黏度為2,000 mPa．s時之值)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷3.5 g：(Me2ViSiO1/2)0.02(Me3SiO1/2)0.43(SiO4/2)0.55如下平均式所表示之有機聚矽氧烷0.24 g：Me3SiO(MeHSiO)50SiMe3如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.5 g：(EpSiO3/2)0.3(ViMeSiO1/2)0.3(Me2SiO1/2)0.3(MeO1/2)0.2及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於25℃下之儲存模數為0.74 MPa。又，該硬化物於波長為632.8 nm時之折射率為1.411。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。又，根據JIS Z 0208所規定之方法，於厚度為1 mm、40℃、 90% RH之條件下測定該硬化物之透濕度，結果為104 g/m2．24 hr。
使螢光體(Intermatix公司製造之NTAG4851)0.105 g均勻地分散於該硬化性矽酮組合物3 g中，從而製備加入有螢光材料之硬化性矽酮組合物。使用該硬化性矽酮組合物測定LED裝置之光提取效率，結果為27.7流明。
[實施例12]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為33 Pa．s之硬化性矽酮組合物：參考例4中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷54.0 g：(Me2ViSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷46.0 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.591，硬化物之斷裂點應變為82%，硬化物之破裂能為0.3507 J。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[比較例3]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為11 Pa．s之硬化性矽酮組合物：如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷60.5 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷30.5 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.559，硬化物之斷裂點應變為41%，硬化物之破裂能為0.2127 J。據此可知，所獲得之硬化物之伸長、破壞強度及折射率之任一者均低於實施例12之硬化性矽酮組合物。再者，將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例13]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為12 Pa．s之硬化性矽酮組合物：參考例4中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷41.5 g：(Me2ViSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷20.0 g： ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi如下平均式所表示之有機聚矽氧烷38.5 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.580，硬化物之斷裂點應變為191%，硬化物之破裂能為0.1389 J。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例14]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為9 Pa．s之硬化性矽酮組合物：參考例4中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷23.0 g：(Me2ViSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷20.5 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷20.0 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi如下平均式所表示之有機聚矽氧烷36.5 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H 及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.569，硬化物之斷裂點應變為139%，硬化物之破裂能為0.0562 J。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[比較例4]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為6 Pa．s之硬化性矽酮組合物：如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷46.3 g：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75如下平均式所表示之有機聚矽氧烷20.0 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi如下平均式所表示之有機聚矽氧烷33.7 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.556，硬化物之斷 裂點應變為112%，硬化物之破裂能為0.0502 J。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
與實施例13或實施例14相比，伸長較低，破壞強度較低，折射率亦較低。
[實施例15]
將如下成分均勻地混合而製備黏度為3 Pa．s之硬化性矽酮組合物：參考例5中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷56.0 g：(Me2ViSiO1/2)0.40(Naph-EtSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷44.0 g：HMe2SiO(Ph2SiO)2.5SiMe2H及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
將該硬化性矽酮組合物塗佈於石英玻璃板上，並於150℃下加熱1小時，藉此使其硬化。所獲得之硬化物無色透明，於波長為632.8 nm時之折射率為1.582。將該硬化物於150℃之烘箱中加熱老化100小時，未觀察到顏色之變化。
[實施例16]
將如下成分均勻地混合而製備硬化性矽酮組合物：參考例4中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷8 g： (MeViPhSiO1/2)0.40(NaphSiO3/2)0.60如下平均式所表示之有機聚矽氧烷1.6 g：ViMe2SiO(MePhSiO)25SiMe2Vi參考例3中製備之如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷3.2 g：(HMe2SiO1/2)0.59(NaphSiO3/2)0.41如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷0.08 g：(EpSiO3/2)0.3(ViMeSiO1/2)0.3(Me2SiO1/2)0.3(MeO1/2)0.2環狀甲基乙烯基矽氧烷0.06 g、及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(於本組合物中為鉑以重量單位計為2 ppm之量)。
繼而，將環氧玻璃製基板設置於壓縮成形機之上模。藉由空氣吸引使設置於下模上之四氟乙烯樹脂製離型膜密接於下模。將1.4 mL準備之試樣塗佈於離型膜上後，使上模與下模相合，於夾持基板之狀態下於130℃下施加3 MPa之荷重而進行5分鐘壓縮成形。其後，將基板自模具取出，進而於150℃之烘箱內加熱處理1小時，從而於基板上製作圖2所示之透鏡。
產業上之可利用性
本發明之硬化性矽酮組合物可藉由矽氫化反應而硬化，並形成高折射率、高透明性且耐熱性、可撓性優異且尤其水蒸氣透過性較小之硬化物，因此可用作電氣電子用黏著劑、灌封劑、保護塗佈劑、底部填充劑，尤其由於透光率較高，故而作為LED元件之密封劑或被覆劑、或者透鏡形 成用材料較佳。
1‧‧‧聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂製外殼
2‧‧‧LED晶片
3‧‧‧內引線
4‧‧‧接線
5‧‧‧硬化性矽酮組合物之硬化物
圖1係本發明之光半導體裝置之一例即LED之剖面圖。
圖2係本發明之硬化物之一例即透鏡之剖面圖。
1‧‧‧聚鄰苯二甲醯胺(PPA)樹脂製外殼
2‧‧‧LED晶片
3‧‧‧內引線
4‧‧‧接線
5‧‧‧硬化性矽酮組合物之硬化物

Claims (9)

  1. 一種矽氫化反應硬化性矽酮組合物，其係以如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷為主成分：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R2SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R1為烷基、烯基、苯基或氫原子，R2為上述R1所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R1或R2為烯基或氫原子，一分子中之至少1個R2為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)。
  2. 如請求項1之硬化性矽酮組合物，其中一分子中R2之至少50莫耳%為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基。
  3. 如請求項1或2之硬化性矽酮組合物，其中縮合多環芳香族基為萘基。
  4. 一種硬化性矽酮組合物，其至少包含：(A)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R11為烷基、烯基或苯基，R21為上述R11所表示之基、縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R11或R21為烯基，一分子中之至少1個R21為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、 0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、(B)一分子中具有至少2個矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷、及(C)矽氫化反應用觸媒。
  5. 一種硬化性矽酮組合物，其至少包含：(D)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R12為烷基、苯基或氫原子，R22為上述R12所表示之基或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R12或R22為氫原子，一分子中之至少1個R22為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、(E)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷、及(C)矽氫化反應用觸媒。
  6. 一種硬化性矽酮組合物，其至少包含：(A)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R11 3SiO1/2)a(R11 2SiO2/2)b(R21SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R11為烷基、烯基或苯基，R21為上述R11所表示之基或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R11或R21為烯基，一分子中之至少1個R21為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族 基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、(D)如下平均單元式所表示之有機聚矽氧烷：(R12 3SiO1/2)a(R12 2SiO2/2)b(R22SiO3/2)c(SiO4/2)d(式中，R12為烷基、苯基或氫原子，R22為上述R12所表示之基或縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，其中，一分子中之至少1個R12或R22為氫原子，一分子中之至少1個R22為縮合多環芳香族基或含有縮合多環芳香族基之基，a、b、c及d為分別滿足0.01≦a≦0.8、0≦b≦0.5、0.2≦c≦0.9、0≦d<0.2且a+b+c+d=1之數)、及(C)矽氫化反應用觸媒。
  7. 如請求項1之硬化性矽酮組合物，其進而含有螢光材料。
  8. 一種硬化物，其係使如請求項1至7中任一項之硬化性矽酮組合物硬化而成。
  9. 一種光半導體裝置，其係由如請求項1至7中任一項之硬化性矽酮組合物被覆或密封光半導體元件而成。
TW101124525A 2011-07-07 2012-07-06 硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置 TW201307483A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011151312 2011-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201307483A true TW201307483A (zh) 2013-02-16

Family

ID=47437193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101124525A TW201307483A (zh) 2011-07-07 2012-07-06 硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140191161A1 (zh)
EP (1) EP2730620A4 (zh)
JP (1) JPWO2013005858A1 (zh)
KR (1) KR20140072018A (zh)
CN (1) CN103781852A (zh)
TW (1) TW201307483A (zh)
WO (1) WO2013005858A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619769B (zh) * 2015-12-18 2018-04-01 瓦克化學公司 矽氧烷樹脂組合物
TWI623589B (zh) * 2015-12-18 2018-05-11 瓦克化學公司 矽氧烷樹脂組合物

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103987787B (zh) * 2011-11-25 2016-08-24 Lg化学株式会社 可固化组合物
JP6022236B2 (ja) * 2012-06-28 2016-11-09 東レ・ダウコーニング株式会社 コーティング剤、電気・電子機器、および電気・電子機器の金属部の保護方法
JP5848215B2 (ja) * 2012-08-31 2016-01-27 株式会社Adeka ジビニルシロキサン化合物の製造方法
WO2014092196A1 (ja) * 2012-12-11 2014-06-19 東レ・ダウコーニング株式会社 透明性に優れた高屈折率熱伝導性組成物、それからなる熱伝導性グリース、熱伝導性硬化物、熱軟化性熱伝導性組成物およびその用途
JP6105966B2 (ja) 2013-02-15 2017-03-29 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
EP2960297B1 (en) * 2013-04-04 2018-12-26 LG Chem, Ltd. Curable composition
CN105102541B (zh) * 2013-04-04 2017-07-11 株式会社Lg化学 可固化组合物
US10040888B1 (en) 2013-06-14 2018-08-07 Cooper-Standard Automotive Inc. Composition including silane-grafted polyolefin
US10100139B2 (en) 2013-08-01 2018-10-16 Cooper-Standard Automotive Inc. Hose, composition including silane-grafted polyolefin, and process of making a hose
JP6329423B2 (ja) * 2014-04-25 2018-05-23 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン骨格を有する変性体、その変性体を添加した硬化性組成物、硬化物および半導体発光装置
CN106715989B (zh) 2014-07-02 2020-08-14 库博标准汽车配件有限公司 软管、耐磨组合物和软管制造工艺
CN104788488B (zh) * 2015-03-24 2017-07-14 中国科学院化学研究所 一种萘基烷氧基硅烷的制备方法
CN104788677B (zh) * 2015-04-16 2017-08-25 广州惠利电子材料有限公司 T链节含h基的苯基氢基硅树脂及其制备方法
JPWO2017119363A1 (ja) * 2016-01-08 2018-11-01 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
JP6575429B2 (ja) * 2016-05-02 2019-09-18 横浜ゴム株式会社 密着付与剤及び硬化性樹脂組成物
CN106188125B (zh) * 2016-07-23 2019-05-24 九江学院 一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法
CN106634807A (zh) * 2016-10-28 2017-05-10 烟台德邦先进硅材料有限公司 一种萘基超高折led封装硅胶
CN110268032A (zh) 2016-12-10 2019-09-20 库珀标准汽车公司 动态密封件、制造其的组合物和方法
CA3046013A1 (en) 2016-12-10 2018-06-14 Cooper-Standard Automotive Inc. Polyolefin elastomer compositions and methods of making the same
CN110382625B (zh) * 2017-02-27 2022-02-18 杜邦东丽特殊材料株式会社 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件
JP6897641B2 (ja) * 2018-08-31 2021-07-07 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
TWI818062B (zh) 2018-09-19 2023-10-11 美商陶氏有機矽公司 芳基官能化聚矽氧烷中之芳基斷裂抑制
EP3841156B1 (en) * 2019-09-11 2022-08-03 Dow Silicones Corporation Method for the preparation of an alkoxy-functional organohydrogensiloxane oligomer and use of said oligomer
JP2021161247A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 三菱ケミカル株式会社 オルガノポリシロキサン組成物
CN111454456B (zh) * 2020-05-20 2022-04-22 湖北兴瑞硅材料有限公司 一种高性能苯基嵌段硅树脂的合成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5536803A (en) * 1994-06-06 1996-07-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive silicone compositions
JP3317092B2 (ja) * 1994-06-06 2002-08-19 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及びシリコーン硬化物と有機樹脂との複合体
JP2000235103A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Konica Corp 高屈折率を有する光学素子、光学用レンズ及び光学用硬化性樹脂組成物
GB0118473D0 (en) * 2001-07-28 2001-09-19 Dow Corning High refractive index polysiloxanes and their preparation
JP5586820B2 (ja) 2006-07-21 2014-09-10 東京応化工業株式会社 高屈折率材料
KR101523393B1 (ko) * 2007-02-27 2015-05-27 이엠디 퍼포먼스 머티리얼스 코프. 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물
TWI439494B (zh) * 2007-02-27 2014-06-01 Braggone Oy 產生有機矽氧烷聚合物的方法
US20090142694A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Braggone Oy Siloxane polymer compositions and methods of using the same
JP5376210B2 (ja) 2008-01-31 2013-12-25 東レ・ファインケミカル株式会社 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法
JP5158594B2 (ja) 2008-05-21 2013-03-06 東レ・ファインケミカル株式会社 ナフタレン環を有するシリコーン重合体、およびその組成物
JP5509675B2 (ja) 2008-05-30 2014-06-04 東レ株式会社 シロキサン系樹脂組成物およびこれを用いた光学デバイス
CN102472964B (zh) * 2009-09-29 2013-08-07 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、使用其的固化膜及光学设备
JP5522111B2 (ja) * 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619769B (zh) * 2015-12-18 2018-04-01 瓦克化學公司 矽氧烷樹脂組合物
TWI623589B (zh) * 2015-12-18 2018-05-11 瓦克化學公司 矽氧烷樹脂組合物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013005858A1 (ja) 2013-01-10
EP2730620A4 (en) 2015-03-11
CN103781852A (zh) 2014-05-07
US20140191161A1 (en) 2014-07-10
EP2730620A1 (en) 2014-05-14
JPWO2013005858A1 (ja) 2015-02-23
KR20140072018A (ko) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201307483A (zh) 硬化性矽酮組合物，其硬化物及光半導體裝置
JP6473440B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI391447B (zh) A light-emitting semiconductor device, and a light-emitting semiconductor device
KR101713087B1 (ko) 형광체 함유 실리콘 경화물, 그 제조 방법, 형광체 함유 실리콘 조성물, 그 조성물 전구체, 시트상 성형물, ｌｅｄ 패키지, 발광 장치 및 ｌｅｄ 실장 기판의 제조 방법
JP6081774B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI481669B (zh) 可硬化之有機聚矽氧烷樹脂組合物及由該組合物模製而成之光學元件
TWI661007B (zh) 硬化性聚矽氧組合物、硬化性熱熔聚矽氧，及光裝置
TWI595051B (zh) 有機聚矽氧烷、可硬化性聚矽氧組合物、其硬化產品、及光半導體裝置
JP6460534B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TW201307440A (zh) 有機聚矽氧烷及其製造方法
TW201606034A (zh) 熱熔性聚矽氧及硬化性熱熔組合物
TW201510095A (zh) 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物、及光半導體裝置
TWI583741B (zh) 可固化組成物
JP6455886B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
KR101875382B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치
TWI540761B (zh) 矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法
TW201412893A (zh) 被覆劑、電氣－電子裝置、及用以保護電氣－電子裝置之金屬零件的方法
WO2018088316A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物およびそれを用いた光半導体装置
TW201726812A (zh) 硬化性聚矽氧樹脂組合物及其硬化物、以及使用其之光半導體裝置
TWI510554B (zh) 可固化組成物