TW201242895A - Silicon ingot manufacturing vessel - Google Patents

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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D41/00Casting melt-holding vessels, e.g. ladles, tundishes, cups or the like

Description

201242895 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用來製造太陽電池等級的矽錠之矽錠製 造用容器。 【先前技術】 以往以來,作爲使用於太陽電池等之矽錠的製造方法 ,將矽熔化液收容於石墨製或石英製的容器(甘堝、鑄模 等)中,從下方使此矽熔化液凝固而讓矽多結晶成長之鑄 造(cast)法爲眾所皆知。 若依據此鑄造法,因在矽熔化液凝固時可使結晶成長 的方向朝向一致,所以,能夠製造抑制了晶界之比抵抗增 大的良質晶圓。又,若依據鑄造法,亦可進行矽錠的大量 生產。 作爲矽錠製造用的大型容器,石墨製或石英製的板材 (底板與4片側板)被相互地螺絲固定而可分割地組裝之 容器爲眾所皆知(例如專利文獻1、2 )。又’爲了提升 矽錠的取出性,在容器的內面形成有氮化矽(Si3N4)等 的脫模材。特別是在專利文獻2,藉由先使從板材彼此的 間隙所漏出之熔化液固化而形成初期凝固層’來防止矽熔 化液漏出至容器外部。 [專利文獻1]日本特開昭62- 1 08 5 1 5號公報 [專利文獻2]曰本特開2006-83 024號公報 201242895 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 在使用上述可分割組裝型的容器來製造矽錠之情況, 能夠藉由將容器予以解體,容易取出所產生的矽錠。另外 ,在矽錠製造時的高溫下,會有因容器變形、劣化,造成 容器破損、板材彼此的間隙擴大,造成矽熔化液洩漏至外 部之虞。又,當矽熔化液洩漏至容器外部時,會對配置於 結晶成長裝置內部的容器周圍之昂貴的構件等造成損傷。 又,在適用專利文獻2所記載的技術之情況,雖可防 止矽熔化液的漏出,但,形成在板材的隙間之初期凝固層 會從脫模材密集之容器角落的間隙形成結晶成長,成爲結 晶細微化之原因。因此,無法生產良率佳地製造具有良好 的品質之矽錠。 本發明係爲了解決前述課題而開發完成的發明,其目 的係在於提供能夠防止矽熔化液洩漏到外部,並且,能良 品率佳地製造具有良好的品質之矽錠的矽錠製造用容器。 [用以解決課題之手段] 請求項1所記載的發明,一種矽錠製造用容器,係具 備有底板與複數個側板所構成的可分割地組裝之箱狀的容 器本體、及形成於此容器本體的內面之脫模材,當使矽熔 化液凝固而讓矽多結晶成長時所使用之容器,其特徵爲, 前述容器本體係以氮化矽、碳化矽、或氧化鋁中的任 一種所構成的多孔質體或組合兩種以上之多孔質體所構成 -6- 201242895 ’前述脫模材係以氮化矽所構成。 請求項2所記載的發明係如請求項1所記載的矽錠製 造用容器,其中,前述多孔質體的開氣孔率爲1〇%以上 40 %以下。 在此’開氣孔率係指與外部連通的空孔之容積對多孔 質體的表觀上的容積的總和之比例。 請求項3所記載的發明係如請求項丨或2所記載的矽 銘製造用容器,其中,還具備有保持具,其具有用來固定 前述側板之固定用溝, 在前述固定用溝所圍繞的區域載置前述底板,而將前 述側板立設於前述固定用溝之狀態下,對前述固定用溝的 殘餘空間嵌入楔,來將前述底板與前述側板予以接合並固 定。 請求項4所記載的發明係如請求項3所記載的矽錠製 造用容器,其中,在前述固定用溝的前述殘餘空間,鋪裝 有熔化液捕集材,其與所漏出的矽熔化液融著且具有Si 體積膨脹應力的緩和功能。 [發明效果] 若依據本發明,因具有良好的脫模性之脫模材強固地 形成於容器本體的內面,所以,能有效地防止因伴隨矽凝 固時的體積膨脹引起之應力造成脫模材損壞之情況產生。 因此,能夠防止矽熔化液洩漏到外部,並且,能良品率佳 地製造具有良好的品質之矽錠。又,可將容器反復地使用 201242895 於矽錠的製造。 【實施方式】 以下,依據圖面詳細地說明本發明的實施形態。 圖1係適用本發明之矽錠製造用容器的上面圖,圖2 係圖1的A-A線之斷面圖。如圖1、2所示,實施形態之 矽錠製造用容器(以下,容器)10之結構爲具備:具有 耐熱性之容器本體11;形成在容器本體11的內面,用來 提升矽錠的脫模性之脫模材12;及用來保持容器本體11 之保持具(承受器)13等。 容器本體1 1係藉由將矩形狀的底板1 1 a與4片側板 1 1 b相互地接合,可分割地組裝之箱狀的構件。4片側板 1 1 b係以起立狀態設置成圍繞底板1 1 a的外周。例如,圖 1、2所示,4片側板1 1 b具有相同形狀,以1方的側板 1 1 b的寬度方向一端側的側面和另一方的側板1 1 b的寬度 方向一端側的主面側緣部抵接的方式相互地接合,形成爲 容器本體1 1的側部之框體。 構成容器本體1 1之底板1 la及側板lib係Si3N4或 SiC或Al2〇3中的任一種類或組合2種類以上的多孔質體 (多孔材)所構成。容器本體1 1 (底板1 1 a及側板1 1 b ) 的厚度係期望爲可確保至少不會產生翹曲程度之強度的厚 度以上,例如,5mm以上。 底板1 la及側板1 lb係藉由例如,將SisN4或SiC粉 末進行燒結成形所製作,其開氣孔率爲1 〇°/。以上40%以下
S -8- 201242895 。構成容器本體ί 1之多孔質體的開氣孔率未滿1 0%的情 況,因氣泡殘留於脫模材12的內部,造成脫模材12脆弱 化而變得容易破損。又,在開氣孔率超過40%超的情況, 產生熔化液洩漏的可能性提高。因此,構成容器本體11 之多孔質體的開氣孔率係作成1 0%以上40%以下爲佳,當 也考量錠的脫模性之容易度的觀點之情況,更佳爲20%以 上3 0%以下。 前述的多孔質體所構成的容器本體11,比起石英製 的容器,其耐熱性佳、且在矽錠製造時的高溫化時,也不 會劣化、變形。因此,當進行矽錠的製造時,能夠有效地 防止因容器本體1 1的劣化、變形造成脫模材1 2損壞。 脫模材12由Si3N4的燒結體所構成,在組裝容器本 體Π之前,預先形成側板lib的一主面(成爲容器本體 11的內面之面)、底板11a的一主面及與這些一主面相 鄰接的面。脫模材12係藉由將例如,對Si3N4粉末混合 聚乙烯醇等的黏結劑所調製的水系漿體以刷毛、噴霧等塗 佈於底板11a及側板lib的一主面,在氧環境下或氬等不 活性氣體環境下、700〜1 5 5 0 °C進行燒成所形成。脫模材 1 2的厚度,係在結晶成長中,Si熔化液不會到達容器側 之程度的厚度例如200〜1000 μπι,理想爲300〜600 μιη。 塗佈在底板1 1 a及側板1 1 b之漿體,由於以多孔質體 構成底板1 1 a及側板1 1 b,故會逐漸朝底板1 1 a及側板 1 1 b的氣孔浸透。又,利用以多孔質體所構成的底板丨ί a 及側板1 1 b,將漿體內的氣泡加以脫泡。由於在此狀態下 -9- 201242895 進行燒成,故,脫模材1 2強固地形成於底板1 1 a及側板 lib的一主面。因此,當進行矽錠的製造時,能夠有效地 防止脫模材1 2損壞。 當氣泡殘留於脫模材12中時,由於因應残留氣泡的 數量、大小等,進行矽錠的製造時,會有脫模材12變得 容易破損之傾向,故,以往以來,當在容器本體形成脫模 材時,實施利用減壓等之脫泡處理。相對於此’在本實施 形態的容器10的情況,當進行脫模材12的形成時不需要 實施脫泡處理,即可簡單地形成脫模材12。 又,因脫模材12強固地形成於容器本體11的內面’ 所以,不需要如以往.作成爲多層構造。因此,不會增加在 容器1 〇製作上所耗費的工序與成本,亦可容易增加脫模 材12的膜厚。且,在形成脫模材12之際,因不需要使用 二氧化矽、金屬氧化物等的燒結輔助劑’所以能夠防止因 矽錠中之不純物濃度增大所造成之結晶性降低的情況產生 〇 保持具13係爲例如石墨製的板狀構件’其用來固定 4片側板lib之固定用溝13a形成爲矩形環狀。在保持具 1 3,於被固定用溝1 3 a所圍繞的區域(凸部)1 3 b ’載置 具有脫模材12之底板11a。又’在固定用溝13a’立設有 具有脫模材1 2之側板1 1 b,且,在側板1 1 b的外側配置 有石墨製的保持板14。又,在固定用溝13a的四角’分 別於2個部位(計8個部位)嵌入有楔1 5而將側板1 1 b 朝內側按壓,藉此,容器本體11固定於保持具13。此時
S -10- 201242895 ’ 4片側板1 1 b與底板1 1 a係無間隙地接合成矽熔化液不 會漏出的程度。 又,在固定用溝1 3 a的殘餘空間,鋪裝有與矽熔化液 融著之熔化液捕集材1 6。藉此,側板1 1 b可在更穩定的 狀態下固定於固定用溝1 3 a,限制朝橫方向之位置偏移。 熔化液捕集材1 6,可與矽熔化液產生反應而融著之材料 即可,例如理想爲碳氈,石英玻璃棉,矽砂、石英玻璃片 等。爲了 Si凝固時的體積膨脹應力的緩和,熔化液捕集 材16,期望以碳纖維系、陶瓷纖維系的材料來形成。 再者,形成於保持具13之固定用溝13a的深度及寬 度係作成爲:.在配置有側板1 1 b與保持板1 4之狀態下形 成殘餘空間,當將楔1 5嵌入至此殘餘空間時,容器本體 11可穩定地固定在保持具13程度。 如此,實施形態的容器10具備有:由底板11a與複 數(例如4片)的側板1 1 b所構成的可分割地組裝之箱狀 的容器本體11;和形成於此容器本體11的內面之脫模材 1 2。又,容器本體1 1 (底板1 1 a及側板1 1 b )係以氮化矽 、碳化矽、或氧化鋁中的任一種所構成的多孔質體或組合 兩種以上之多孔質體所構成,脫模材1 2係以氮化矽所構 成。又,多孔質體的開氣孔率爲10%以上40%以下。 在此容器1 〇,因具有良好的脫模性之脫模材1 2強固 地形成於容器本體1 1的內面,所以,能有效地防止因伴 隨矽凝固時的體積膨脹引起之應力脫模材12損壞。因此 ,能夠防止矽溶化液漏出至容器的外部。 -11 - 201242895 又,由於能夠防止因伴隨凝固時的體積膨脹使得具有 脫模材12之側板lib朝上方舉起,造成因從熔化液面進 行結晶成長之熔化液的壓縮,故,不會產生熔化液漏洩漏 〇 因此,能良品率佳地製造具有良好的品質之矽錠。又 ,亦可將容器10反復地使用於矽錠的製造。 又,容器10具備保持具13,該保持具具有用來固定 側板1 lb之固定用溝13a。又,在被固定用溝13a所圍繞 的區域(凸部)13b載置底板11a,在側板lib立設於固 定用溝1 3 a之狀態,對固定用溝1 3 a的殘餘空間嵌入楔, 藉此,底板1 1 a與側板1 l.b接合並固定。 即,在容器1〇,藉由側板lib對底板11a按壓,使 得兩者接合,但未固定接著,故,側板11b可朝橫方向或 縱方向微動。當然,並非可造成矽熔化液漏出程度之大幅 移動。藉此,可有效地緩和伴隨矽凝固時的體積膨脹所產 生之應力。因此,能有效地防止脫模材1 2損壞。 又,因側板1 1 b較底板1 1 a更朝下方突出設置,所以 ,即使當結晶成長時,側板1 1 b朝上方被稍微舉起,也可 確保與底板11a之接合狀態。就算因某種原因,造成矽熔 化液的一部分從側板1 1 b與底板1 1 a的隙間漏出’矽熔化 液也會被儲存並凝固在保持具13的固定用溝13a並封裝 。因此,能夠有效地防止矽熔化液漏出至容器1 〇的外部 〇 又,在固定用溝1 3 a的殘餘空間,鋪裝有與漏出的矽
S -12- 201242895 熔化液融著之熔化液捕集材(矽砂、石英玻璃片、碳賣毛, 石英玻璃棉等)。熔化液捕集材係藉由其變形性,可有效 地緩和橫方向的體積膨脹應力。藉此,能夠抑制側板與底 板之間的間隙之增大。 又’就算矽熔化液的一部分從側板1 i b與底板丨丨a之 間隙漏出’也因漏出的矽熔化液會與熔化液捕集材1 6產 生反應並融著’所以’不會有矽熔化液洩漏至容器1〇的 外部之情況產生。 圖3係顯示顯示使用實施形態的容器1 〇之結晶成長 裝置的一例之圖》圖3所示的結晶成長裝置1係使用於藉 由凱氏長晶來製造矽錠。在結晶成長裝置1,於容器i 〇 的外周配置有加熱器17。又,在容器10的中央配置有拉 晶軸1 8 ’在其前端安裝著由矽單結晶(或矽多結晶)所 構成的種結晶1 9。 在使用結晶成長裝置1,以凱氏長晶來製造矽錠之情 況時,將矽原料(例如矽熔化液)投入到容器10,使種 結晶1 9與矽熔化液2 0的表面接觸,從表面讓矽熔化液 20凝固,而使砂多結晶20a成長。 此時,藉由以極低速一邊拉引種結晶1 9,一邊使矽 多結晶成長,能夠緩和伴隨矽凝固時的體積膨脹所產生之 縱方向的應力。具體而言,將種結晶1 9的拉引速度因應 矽熔化液20凝固時之縱方向的體積膨脹進行設定即可。 在藉由凱氏長晶製造矽錠之情況,會有矽熔化液20 的表面附近凝固所產生之頂部,因矽凝固時的體積膨脹咬 -13- 201242895 入至容器1〇(脫模材12)之情況。當在此狀態下拉起種 結晶1 9時,會有側板Π b朝上方被舉起的情況產生。但 ,如上述般,藉由本實施形態的容器即使產生這種 情況,矽熔化液20也不會漏出至容器10的外部’伴隨矽 凝固時的體積膨脹所產生之應力也被緩和。 又,在藉由凱氏長晶製造矽錠之情況’在側板1 1 b的 上部,亦可使矽熔化液20的表面所位在之部分以3°以上 、未滿90°的方式朝外側傾斜。藉此,能夠減少在進行拉 晶時,成長中的結晶鉤掛至容器側面之缺失,亦可防止伴 隨矽凝固時的體積膨脹所引起之結晶下部熔化液的壓縮, 而能安全地結晶成長。 〔實施例〕 在實施例,使用結晶成長裝置1,以凱氏長晶來製造 砂淀。首先,將添加有硼(濃度:l.〇xl〇16atom/cm3)之 矽熔化液20流入至由Si3N4製的容器本體11所構成之容 器1〇,保持矽熔化液20,讓深度方向的溫度斜率成爲10 °C /cm * 然後,使結晶方位爲< 1 〇 〇 >、3.5 mm見方之S i單結 晶所構成的種結晶1 9與矽熔化液20的表面接觸,一邊以 1 mm/h將此種結晶1 9拉起,一邊使矽多結晶成長。此時 ,以5rpm使容器1 0及種結晶1 9旋轉,以種結晶1 9爲中 心而使矽多結晶20a呈同心圓狀成長。藉由3小時的成長 ’讓矽熔化液20完全地固化,獲得實施例之矽錠。再者 -14- 201242895 ,將容器1〇(容器本體11)的底部 點之1 4 1 (TC的時間點視爲結晶成長的 在實施例之矽錠的製造,當將種 膨脹量時,側板11在承受器內部垂 被保持之狀態,故,不會有熔化液洩 所製造之矽錠,藉由將容器10予以 。且,在所獲得的矽錠,結晶晶界一 有良好的結晶品質。 又,容器10中之脫模材12不會 復地使用於矽錠的製造。 〔比較例〕 除了使用圖4A所示的結構之矽 其餘與實施例相同的條件讓矽熔化液 圖4B的點線所包圍的部分放大之圖 底板1 1 a與側板1 1 b之間隙漏出。 當進行將從熔化液面上成長的結 脹量的操作時,結晶會鉤住容器側板 增大的原因。 又,將容器進行解體的結果,僅 錠的上部,其與下部的凝固體分離, 錠。又,所漏出之熔化液強固地附著 側板及底板的面,故無法進行再利用 以上,依據實施形態具體地說明 的溫度成爲矽的凝固 終點。 結晶拉起相當於體積 直地舉起,而側板仍 漏之情況產生。又, 解體,能夠容易取出 致於縱方向,因此具 損壞,故,容器可反 淀製造用容器以外, 固化,其結果,如將 4C所示,熔化液從 晶拉起相當於體積膨 而被舉起,成爲間隙 獲得與種結晶相連之 不易良品率佳地製造 於未形成有脫模材之 〇 了本發明者所開發出 -15- 201242895 的發明,但,本發明不限於前述實施形態,在不超出其技 術思想範圍下可進行各種變更。 實施形態的容器1 〇,不僅在凱氏長晶,可使用於各 種矽錠的製造法。例如,亦可使用於從容器10的底部讓 矽熔化液凝固而矽多結晶成長之鑄造法。 又,容器本體11(底板11a及側板lib),亦可藉由 不純物較Si3N4更少的氧化鋁、Sic的多孔質體來構成。 若重視與脫模材1 2之親和性,則選擇與脫模材相同材質 之Si3N4即可。 又,保持具13之側壁部分,亦可藉由螺絲固定。具 體而言,在如圖2中之一點鎖線B-B.所示的部位,分割保 持具1 3,再從如箭號C所示的方向插通螺絲(螺栓)並 予以鎖緊,來將保持具13 —體化者。在容器10大型化之 情況,這種分割式保持具(承受器)13比較容易處理, 在成本削減上亦有利。 以上所揭示的實施形態的內容僅爲例示者,不限定本 發明。本發明的範圍不限於前述發明,而是依據申請專利 範圍者,在與申請專利範圍均等的意思及範圍內之所有變 更皆含於本發明。 【圖式簡單說明】 圖1係適用本發明之矽錠製造用容器的上面圖。 圖2係圖1的A-A線之斷面圖。 圖3係顯示使用實施形態的容器之結晶成長裝置的一 -16- 201242895 例之圖。 圖4A係顯示比較例所使用的矽錠製造用容器的本體 之斜視圖。 圖4B係顯示圖4A所示的矽錠製造用容器的本體的 正面斷面圖。 圖4C係放大顯示在圖4B中被虛線所包圍的部分之 矽錠製造用容器的本體的部分放大圖。 【主要元件符號說明】 1 :結晶成長裝置 1 〇 :矽錠製造用容器 1 1 :容器本體 1 la :底板 1 1 b :側板 1 2 :脫模材 1 3 :保持具(承受器) 13a :固定用溝 13b :凸部 14 :保持板 15 :楔‘ 1 6 :熔化液捕集材 1 7 :加熱器 1 8 :拉晶軸 1 9 .種結晶 -17- 201242895 2 0 :矽熔化液 20a :矽多結晶
S -18-

Claims (1)

  1. 201242895 七、申請專利範圍: 1. 一種矽錠製造用容器,係具備有底板與複數個側 板所構成的可分割地組裝之箱狀的容器本體、及形成於此 容器本體的內面之脫模材,當使矽熔化液凝固而讓矽多結 晶成長時所使用之矽錠製造用容器,其特徵爲: 前述容器本體係以氮化矽或碳化矽或氧化鋁中的任一 種類所構成的多孔質體或組合2種以上組之多孔質體所構 成,前述脫模材係以氮化矽所構成。 2. 如申請專利範圍第1項之矽錠製造用容器,其中 前述多孔質體的開氣孔率爲10%以上40%以下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之矽錠製造用容器, 其中, 還具備有保持具,其具有用來固定前述側板之固定用 溝, 藉由在被前述固定用溝所圍繞的區域載置前述底板, 在前述側板立設於前述固定用溝之狀態下,將楔嵌入至前 述固定用溝的殘餘空間,來將前述底板與前述側板接合並 固定。 4. 如申請專利範圍第3項之矽錠製造用容器,其中 > 在前述固定用溝的前述殘餘空間’鋪裝有熔化液捕集 材,其係與所漏出的矽熔化液融著’且具有Si體積膨脹 應力的緩和功能。 -19-
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