TW201222696A - Member for semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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Description

201222696 _ 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體製造裝置構件。 【先前技術】 半導體製造裝置係在蝕刻裝置、離子注入裝置、 束曝光裝置等，用以固定晶圓，或將晶圓加熱、、冷卻。作 半導體製造裝置所使用之構件(半導體製造裝置 將加熱器分別獨立地埋入具有晶圓載置面之圓 =陶㈣之内周側與外周側之制2區加熱器者（例 文獻丨)。2區加熱器係在陶究板中，分別獨立地埋 内周側電阻發熱體與外周側電阻發熱體，並將供電子設 =各電阻發熱體’藉由分別獨立地對各電阻發熱體施加 蜀立地控制來自各電阻發熱體的發熱。具體而言， 發教體内：側與外周側的溫度後’控制來1各電阻 赞熱體的發熱，使陶杳抝 无板的整個面成為目標溫度。在測量 /板之内周側的溫度與外周側的溫度時，已知在各區， p内周側與外周側之各側，設置熱電偶用的孔，並將埶電 ::置於該孔’利用各熱電偶測量溫度的方法(例如專利文 [專利文獻1 ]曰本特開 [專利文獻2 ]曰本特開 2007 — 88484 號公報 2005 - 166354 號公報 【發明内容】 201222696 可是，在將 配置於該孔的情 空的軸安裝於陶 電偶或供電線等 於在陶瓷板之外 大’但是依此方 上下的升降器銷 陶瓷板之外周側 陶瓷板中軸之外 器銷。 熱電偶用的 況’具有如 瓷板中與晶 配置於該軸 周側所鑽的 式，可能無 。這是由於 所設置的貫 側的區域變 孔設置 下所示 圓載置 的内部 孔的情 法固定 升降器 穿孔， 成太窄 於外周側，並 的問題。即， 面相反側的面 。因此，將熱 況’需要使軸 使晶圓載置面 銷係在軸的外 但是軸的直徑 ’而沒有空間 將熱電偶 一般將中 ，並將熱 電偶配置 的直徑變 上之晶圓 側插穿在 太粗時， 設置升降 另一方面，亦想到在從陶£板之中央側至外周面的前 ㈣設與晶圓載置面平行的熱電偶通路’並鑽設與熱電偶 通路中陶曼板之中央側的端部連結的，再從該孔向敎電 偶通路插入熱電偶。可是垂直方向的孔向水平方向的 熱電偶通路插人熱電偶時，因為f曲角度為約9g。，所以 具有不容易的問題。 本發明係為了解決這種課題而開發的，其主目的在於 提供-種在從陶宪板之中央側至外周面之前面的熱電偶通 路插入熱電偶的半導體製造裝置構件並易製造者。 本發明之半導體製造裝置構件係為了達成上述的主目 的而採用以下的手段。 即’本發明的半導體製造裝置構件， 係包括： 圓盤狀的陶瓷板’係具有晶圓載置面；
S 4 201222696 ’、’、電偶通路，係設置於該陶瓷板的内部，並從該陶瓷 板的中央側至外周面的前面； ‘、、、電偶v件，係具有從該陶瓷板之與該晶圓載置面相 反側的面和該熱電偶通路中之該陶究板之中央側連通的導 孑L ;及 ▲熱電偶，係以通過該導孔及該熱電偶通路後，測溫部 與该熱電偶通路令位於該陶瓷板之外周面的前面之封閉端 抵接的方式所配置； :::係以該導孔與該熱電偶通路的夹角成為 = = 延伸方向斜向地設置，或以隨著接 :置〜電偶通路而沿著該熱電偶通路之延伸方向的 在向熱電偶通路插 熱電偶通路插入熱 通路之延伸方向傾 角成為銷(角，所以 入時在拐角處難卡 通路而沿著熱電偶 向連續地變化而彎 偶通路進入時在拐 半導體製造裝置構 偉> 通路圓滑地插入 力提高。 亦可該導孔係以隨 在本發明的半導體製造裝置構件， 4電偶時’ M由熱f偶導件的導孔向 :偶在此，在導孔被設置成該熱電偶 斜的情況’因為導孔與熱電偶通路的夹 …' 電偶的則端從導孔向熱電偶通路進 到又，在導孔言史置成ft著接近熱電偶 通路之延伸方向的情況，因為導孔係方 曲，所以在熱電偶的前端從導孔向熱電 角處難卡到。依此方式，因為本發^ 件包括熱電偶導件，所以可進行向熱電 ‘”、電偶的刼作，而易製造。I吉果，生產 在本發明的半導體製造裝置構件， 5 201222696 著接近該熱電偶通路而沿著該熱電偶通 式所設置的部分形成A圓 延伸方向的方 更圓滑地進行向4=圓形的弧。依此方式，可 電偶通路插入熱電偶的操作。 在本發明的半導體ti^置構#， 係由與該陶究板相同的材料所製作。依此方:::、電偶導件 擴散接合可將熱電偶導件與陶究板一體化，列如利用 在本發明的半導體製造褒置構件，亦可今 用彈簧偏壓成該測溫部與該封閉端抵接。依此；式係利 =電偶的測溫部利用彈簧不斷地壓在熱電 知，所以陶曼板之外周側的測溫精度提高。的封閉 /在本發明的半導體製造裝置構件，亦可該 係從該陶瓷板的外月而/ …、電偶通路 打開的端部係利用由與該陶曼板相同之材料所卜^所 封閉。依：方士，可比較簡單地製作熱電偶通路。盖所 亦可這種蓋係在與該熱電偶之測溫部抵接的 支撐該測溫部的支撐部。依此方式 -有 在不斷地受到蓋之立# # ± # ，、，、…電偶的測溫部 又到蛊之支撐部支撐的狀態與蓋的同 所以測溫精度高。該支撐部係亦可是 - 設並侖;，Ff > , 十万向所鑽 愈接近陶竞板之外周面直徑愈小的錐部， 攸’隹部與陶瓷板之外周面側連結的： 電偶之測溫部的外徑大致—致的隨道部。成且直吻 在本發明的半導體製造裳置構件，亦 一對薄型板面接合者，·該熱電偶通路係利用在該— 板之至少—方的接合面所形成的通路用槽所形成。依= 201222696 ”成至Γ皁地製作熱電偶通路。此外，在將通路用 =成至到達陶究板之外周面的情況，因為熱電偶通路且 二Γ面打開的端部，所以利用上述的蓋將該端部封 閉氣但疋在陶曼板之外周面的前面固定通路用槽的情況， 因為熱電偶通路的端部未到達 _ j運卜周面，所以不需要那種蓋。 亦可廷通路用槽係在與在熱電偶之前端所設置的測溫 部抵接的封閉端且右&择 ' /皿 而具有支撐該測溫部的支撐部。依此方式， 因為熱電偶的測〉、黑AfJ尤I獅丄/ h凰。卩在不斷地受到在熱電偶通路之封閉姓 所設置之支撐部支撐的狀能 了閉知 文伢的狀態與封閉端的同一位置抵 以測溫精度高。哕Φ^ 係亦可是愈接近陶曼板之外周面 槽冰度么淺的錐部，亦可是 Λ ^ 疋以攸錐部與陶瓷板之外周面側 連，纟σ的方式所形成且槽深度盥 -致的隧道部。 —-偶之測溫部的外徑大致 【實施方式】 以下，—面參照圖面— 能兹1固/ 面°兒明本發明之適合的實施形 〆第1圖係陶究加熱器i。的縱向剖面圖。 括：=:?器10是半導體製造裝置構件的-種，並包 πa曰圓载置面s之圓盤形的陶瓷板20;及中空狀 的軸40’係與該陶_著柘 二狀 面)接合。 σ B日圓載置面S相反側的面(背 陶瓷板20是由i化鋁或氧化 所構成之圓盤形㈣+ 寸作代表的陶文材料 数體22盘二 該陶究板2°，埋設内周側電阻發 熱體Z 2與外周側雷 '^ 電阻發熱體24。兩電阻發熱體22、24例 7 201222696 如由以鶴或石反化鶴為主成分之帶狀的構件所構成。内周側 電阻發熱體22以從配設於陶瓷板2。之中央附近的正極端 子22a開鈿按照一筆畫的要領配線於包含陶瓷板2〇的中 之】圓區域Z1的約整個區域後，至設在正極端子2的 方邊所。又置之負極端子22b的方式所形成。外周側電阻發 熱體24以從配設於陶究板20之中央附近的正極端子24a 開端’按照-筆晝的要領配線於比小圓區域ζι更外周側之 環形區域Z2的約整個區域後，至設在正極端子2切的旁邊 所設置之負極端子24b的方式所形成。兩電阻發熱體 24之配線圖案的具體例係在此雖未圖示，但是列舉例如專 利文獻1之第1圖的圖案等。 在該陶瓷板2。的内部，形成從陶瓷板2。的中央側至 卜周面之刖面的熱電偶通路26。該熱電偶通路係與曰 :載置面S平行地形成。但，熱電偶通路26不必是與晶: 載置面S平行’亦可形成為對晶圓載置面s傾斜。又，埶 :偶通路26由以下之構件所構成’穿孔28,係從陶£板 的::面沿著徑向向中心所鑽設;及蓋3〇,係塞住該穿 又28的開口。該蓋3〇由與嶋相同的材料所形成。 在陶瓷板20的背面’將管狀的熱電偶導件 处陶瓷板20的背面突出。該熱電偶導、 相同的材料所形成。安…例… 由與陶究板2。 4女裝方法例如可採用擴散接合、焊桩 螺絲固定等’但是在此採用擴散接合。熱電偶 = =部通路的導孔32a。該導孔32a與熱電偶通路26 = 是板20的中央側連通，並以導孔32a …、电1馬通路26之 201222696 2 6的延伸方向 爽角成為鈍角的方式設置成對熱電偶通路 傾斜。 軸4〇由與陶£板20相同的材料所形成。該軸40係一 端與陶瓷板20擴散接合，另—嫂 l取莜口另编經由〇環與支撐座46 密地連接。在軸4 〇的内部，略¥、 ” 99… 的内心配置分別與内周側電阻發熱體 22之正極端子22a及負極端子饥連接的供電棒仏、似 或分別與外周側電阻發熱體24之正極端+…及負極端子 24b連接的供電棒44a'44b。又，在轴4()的内部亦配置 用以測量陶竟板20之中央附近之溫度的内周側熱電偶48 或用以測量陶究板2G《外周附近之溫度的外周側熱電偶 5〇。内周側熱電偶48插入在陶:是板2。之背面中央所設置 的凹部，前端的測溫部48a與陶瓷板20接觸。外周側熱電 偶50通過熱電偶導件32的導孔3£a及熱電偶通路26後， 前端的測溫部50a與蓋30的背側接觸。該外周側熱電偶 50雖然在軸40的内部朝向垂直方向延伸，但是在導孔 或其則後彎曲後，在熱電偶通路2 6的内部朝向水平方向延 伸。此外，蓋30的背面相當於熱電偶通路26中位於陶瓷 板2 0之外周面的前面之封閉端。 其次，說明陶瓷加熱器1 〇的製造例，首先，準備埋入 内周側電阻發熱體22、外周側電阻發熱體24、各端子22a、 22b、24a、24b的陶瓷板20。接著，從陶瓷板2〇的背面向 各端子22a、22b、24a、24b鑽孔，而使各端子向孔内露出。 又，在陶瓷板20的背面中央，形成用以插入内周側熱電偶 48的凹部。接著，從陶瓷板20的外周面沿著徑向向中心 201222696 形成穿孔28德，用芸， “ + 麦盖30塞住該穿孔28的開口，藉此，作 :路I，26。然後，從陶竟板2°的背面，向熱電偶 電偶導陶瓷板2〇之中央側的端部斜設置孔，並將熱 中麥 2插入該孔。接著，將軸40定位於陶竞板20的 T央。然後，在此狀能 與陶兗板20擴散接二因1、熱電偶導件32及袖4〇 ' °因為攻些構件的材料全部相同，所 可在—個步驟進行全部的擴散接合。 44br^在軸Μ的内部’將各供電棒仏、傷、恤、 偶心^子仏^⑽連接’再將内周側熱電 T V :他插入嶋2°的凹部。又，將外周側 .，·、电偶50從熱電偶導件 插入至與蓋3fi㈣ 的導孔323經由熱電偶通路26 勺寺面抵接。此時，因為導 對熱電偶通路26之延伸方向傾斜，所二== 通路Μ的失“導孔32a與熱電偶 〜山 成為鈍角。因此，在外周側埶電偶Μ Μ 別端從導孔32a向埶 L電偶50的 因此，可^ …電偶通路26進人時在拐角處難卡到。 摅，、、、電偶通路26圓滑地插入外周
右依據以上所邙B日―丄 U 所°兒明之本實施形態的陶瓷加埶哭！ η 為包括熱電偶導件32,所以可圓滑地進行向”：°，因 插入外周側熱電偶5。的操作，而易製造，電:通路26 南。此外，雖然亦想㈣代熱電偶導件32、，° ^力提 孔形成於陶曼板2。 ’闲向的導 2°之厚度薄，所以導孔…=因為陶曼板 _ . 等礼之長度达比熱電偶導侔q 9 ^ 而無法將外周側熱電偶5◦圓滑地插入。 的短’ 為熱電偶導件32係由與陶究板2〇相同的材料 201222696 所製作，所以可利用擴散接 20 —體化。 、…電偶導件32與陶瓷板 進而，因為熱電偶通路26由穿 所以可比較簡單地製作。 L、蓋30所構成’ 此外’本發明完全未限 於本發明+ , 為上迷的實施形態，只要屬 於本明之技術性範圍’當然能以各種形態實施。 加工…在上述的實施形態，雖然對蓋30的背面未特別 加工，但是亦可將支撐測溫 而θ ^ bUa的支撐部形成於該背 面。具體而言，如第. 孚古△ 第圖所不，亦可從蓋130的背面在水 十方向鑽設錐部l30a，並將 雄°卩1 3〇a作為支撐部。此 ’第2圖（a)表示插入測溫部5 、田加 1 3Ua之則，（b)表示插入測 /皿口50a之後。錐部13〇伤 係乂愈接近陶瓷板20之外周面 直愈小的方式所形成，在 1 30a的内壁中直徑與測溫 。旧之外徑相同處支撐測溫部5。&。或者，如第3圖所 不，亦可將以從錐部130a與陶:是板2〇之外周面側連結的 方式所形成的隨道部13〇b作為支撐部。此外，第3圖⑷ 表示插入測溫部50a之前，（b)表示插入測溫部5〇a之後。 该隧道部130b是以直徑與測溫部5〇a之外徑大致相等的方 式所形成的孔。在此情況，測溫部5〇a係在被插入隧道部 W〇b之狀態受到支撐。在第2圖及第3圖的任一構造，都 因為外周側熱電偶50的測溫部50a在不斷地受到蓋3〇之 支撐部支撐的狀態與蓋30的同一位置抵接，所以測溫精度 r% 〇 在上述的貫施形恶，雖然使用一體燒結品的陶瓷板 201222696 20，但是如第4圖及第5 J Γ使用將上 — 里板121、123面接合的陶究板12〇 ' —, 仕此情況，在下伽夕 溥型板123的上面，形成在面接 在下側之 X马熱電偶通路 的通路用槽123a。例如，如第 ㈣路126 圃汁不，在以從下惻之續 型板123的中央側貫穿外周面之 下側之4 ,^ , 〈万⑼成通路用槽123a的 情況，將上下一對薄型板121、123 _钱合時，通路用栲 123a與第1實施形態的穿孔28 一 曰 作在陶瓷板120的外 周面開口。因此，需要用以封閉該開口的蓋3〇。另一方面， 如第5圖所示’在從下側之薄型 攸以3的中央側至外周面 的别面形成通路用槽123a的情況，將上下一對薄型板 121、123面接合時’熱電偶通路126的封閉端就位於陶竟 板120之外周面的前面。因此，不需要上述的蓋30。此外， 通路用槽亦可設置於上側之薄餘121的下面，亦可設置 於上側之薄型121的下面與下側之薄型板123的上面之 雙方。 雖然將熱電偶導件32斜裝於陶瓷 在上述的實施形態 板20的背面’但是如第6圖所示，亦可將形成斜方向之導 孔132a的熱電偶導件132安裝於圓柱。導孔與熱電 偶通路26的夾角是鈍角。該熱電偶導件132筆直地安裝於 陶瓷板20的背面。或者，如第7圖所示，亦可將形成彎曲 狀之導孔232a的熱電偶導件232安裝於圓柱。該彎曲狀的 導孔232a隨著接近熱電偶通路26而與熱電偶通路26之延 伸方向的夾角（是熱電偶通路26與導孔232a之切線的夾 角’為鈍角側的角度）逐漸變大。在任一情況，都與上述的 201222696 可圓滑地進行向熱電偶通路26插入外周側 熱電偶50的操作。 在上述的實施形態’如第8圖所示，亦可使熱電偶導 件332之長度在軸的内部 掄里长依此方式，因為可估 導孔332a變成充分县，拼，ν π * 可更圓滑地進行向熱電偶通路 26插入外周側熱電偶5°的操作。又，亦可利用彈簧52將 外周側熱電偶5。偏壓成測溫部5〇a與蓋3〇的背面抵接。 T言，如第8圖所示，預先將承受彈菁52的凸物 外周側熱電偶5G的後端側，並將與導孔332a的轴 線一致之斜方向的貫穿孔46 4ba 6又置於支撐座46。又，：m 將螺絲槽形成於貫穿孔46a 土 而且’在將轴40安梦 於支撐座46之前，向敎電偶搞炊 電偶通路26插入外周側熱電偶50, 而向支撐座46的貫穿孔46a插穿 將#“。安裝於支撐座46。接著：周側熱電偶5°，然後， 叉保厓46。接者，將彈簧52裝作貫穿 後，將圓柱形的固定螺 亍、八頁穿孔46a後固定。依肤 方式，因為外周側熱電偶5〇 〜叫/皿部50a利用彈箬π π 斷地被壓在蓋30的背面 ’、 精度提高。 W板2。之外周側的測溫 第9圖係表示使用將一對薄型 究板220,並採用第8圖之構 ^面接合的陶 f. , .g 。甸瓷加熱态的剖面圖。 在此，通路用槽224在與外周側埶 .'电1雨b (J之測溫部R ^张 接的^部具有支撐測溫部5〇a的支撐部。且體 路用槽如，形成：錐部224a，係愈接近陶 = 闺品i齒，死ώ; A V- 瓦坂2 2 0的外 周面彳日冰度愈汶；及隧道部224b 加以攸该錐部224a與 201222696 陶瓷板2 2 0之外周面側連結的方式所形成’且槽深度與測 溫部50a的外徑大致相等。該隧道部224b成為支撐部。在 此情況’因為測溫部5 〇a在不斷地受到隧道部2 24b支撐之 狀態與陶瓷板2 2 0之同一位置抵接，所以測溫精度變高。 第10圖表示在第8圖的構造，採用精細變化的外周側 熱電偶1 50之陶瓷加熱器的部分剖面圖。在此，使斜向地 延伸的傾斜部分150z比配置於熱電偶通路26的水平部分 150χ或從導孔332a至熱電偶通路26的彎曲部分粗。 具體而言，傾斜部分1 5〇z最粗，其次彎曲部分15〇y較粗， 水平。卩分1 5〇x最細。依此方式，不僅易將外周側熱電偶 插入而且插入後的形狀易穩定。此外，在第1 〇圖， 雖，將傾斜部分15Gz與彎曲部分1，的境界作成段差， 仁疋亦可將該境界作成斜坡形狀。 第11圖係使用將一對薄型板421、423面接合的陶瓷 板420’並採用具有圓弧部分之管狀之熱電偶導件432的 陶究加熱器的縱向剖面圖。第12圖係第u圖之A—A剖面 圖。熱電偶通路426係藉由將從中央側至外周面的前面形 成通㈣槽424a之下側的薄型板似’與上側的薄型板 :接合所形成。又，熱電偶導件似從支撐座446通過轴 440的内部後與埶 …冤禺通路426之中央側的端部連接。該 =圓電偶導件432絲州的内部從下部向上方筆直地延伸 :狀地彎1 ’而轉換成90。彳向，被引導至在下側之 厚i板423所設置的縫隙49q &隙423a，再向熱電偶通路426連結。 外周側熱電偶5〇是護套埶 …、電偶。该外周側熱電偶50係在 201222696 將熱電偶導件432 广AAR 女裝於陶瓷板42〇 座446之前，從埶 υ之後，且在安裝支樓 、车b 攸熱電偶導件432的 又释 通路426受到引万插入’並往熱電偶 。外周側熱電偶往命& 由以彈簧52偏壓，而 0係與弟δ圖一樣，藉 將須!/》皿部5 〇 a题/ # 封閉端。若採用 &在熱電偶通路426的 π w種熱電偶導件 熱電偶通路426奸λ μ 以’可更圓滑地進行向 以b插入外周側熱電偶5〇 熱電偶導件似之圓弧部分的曲率㈠匕外，雖然 偶50之外彳以材^適當地決定，^ ^外周側熱電 側熱電偶50之外π# 9η ςη 仁疋例如亦可設為外周 卜仏的20〜50倍，最妊 第13 ®总铉 琅好叹為30〜40倍。 圖係第11圖之變形例的部分 圖，雖然熱電偶通路426彤 °圖。在第i j 、俗fly成為與晶圓載置 但是在第13圖，埶電 致平仃， 往中心m * 頂部部分係從外周側至 往中翻 晶圓載置面S大致平行’再從該途中隨著 朝向斜上方傾斜。該熱電偶通路526係由在上伽 缚型請所形成的通路用槽52“與下側之薄型板5二 匕圍的通路。依此方式’易向熱電偶通路526插入具有圓 ^分之熱電偶導# 432的前端。此外，亦可熱電偶通路 不僅頂部部分’而且整體傾斜。又’亦可 通硌5Ζ6，採用頂部部分係形成為與晶圓載置面$大致平 行而底部分係從外周側至往中心的途中與晶圓載置面$ 大致平行，再從該途中隨著往中心朝向斜下方傾斜的熱電 偶通路。亦可該熱電偶通路亦不僅底部分，而且整體傾斜 [貫施例] 、’ [第1實施例] 201222696 組立第9圖之構造的陶瓷加熱器。陶瓷板22〇使用ain 製、外徑0 35〇mm，並將上下之薄型板221、222的厚度ι〇μ 者固態接合’以確保接合界面的氣密性。軸4〇使用長度為 2〇〇_、内徑為05〇_者。將熱電偶通路226之封閉端的 位置設為與陶竟板22G的中心㈣12〇_，將熱電偶通路 2 26中攸陶曼板220之令心側的端部至錐部224a的水平長 度L2設為100_，將寬度設為2〜3_，將深度設為盥寬度 相同，將錐部2243的水平長度設為1〇職’將隨道部_ 的水平長度L1設為10_’將寬度設為u_，將深度設為 與寬度相同，熱電偶通路226的截面形狀採用正方形或u 字形。熱電偶導件332為A1N製，外徑為，長度為 =_。又’將導孔332a的内徑設為03咖。將導孔咖盘 …、電偶通路226的夾角（鈍角側）設為100。。而且，麵由 導孔332a向熱電偶通路⑽插入外周側熱電偶5〇。所使 =外周側熱電偶5G係、κ熱電偶’護套材質係⑽⑽， ，卜徑係01.°_’測溫部…的端面使用平坦者_ 果，外周側熱電偶50是 ° 道部2?4h，石測溫部5〇a進入隧 到達封閉端，都可圓滑地插入。 [第2貫施例] ’’且立第11圖之構造的陶瓷加熱器。但 電偶導件432安裝於陶 纟在將熱 支揮座㈣之前，且在安裝轴440或 Μ疋否可向熱電偶導件432插入外周 側熱電偶5。。作為外周側熱電偶5。， :卜周 護套材質為咖"…偶㈣0 …电偶。作為熱電偶導件
S \6 201222696 432，使用外徑為φ 2. 〇_、管厚〇. 2 _的管。將熱電偶導 件432之圓弧部分的曲率半徑設為4〇 (護套外徑的4〇 倍）時，可圓滑地插人外周側熱電偶5〇。又，即使在將熱 電偶導件432之圓弧部分的曲率半徑設為3〇 _(護套外徑 的30倍)的情況，亦可圓滑地插入外周側熱電偶5。。 本專利中請係將在年9月24日所中請之美國暫 時申請61/386〇11作為優先權主張的基礎，藉由引用，在 本專利說明書包含其内部的全部。 【工業上之可應用性】 本發明係用作半導體製造裝置構件，即製造 …的構件，列舉例如靜電爽頭或陶“熱器等。 【圖式簡單說明】 第1圖係陶瓷加熱器1。的縱向剖面圖。 第2圖係與陶竟加熱器i。相異之 面圖 5 0 a之後 ’（a )表示插入則 …'裔的部分剖 別―之前，㈦表示插入物 第3圖係與陶究加熱器1。相異之陶究力敎 面圖，（a)表示插入測溫部.之冑 口…』的部分剖 50a之後。 ）表示插入測溫部 第4圖係與陶替4 a 面圖 加熱器10相異之陶 。 无加熱器的部分剖 苐5圖係與陶替4 σ，、，、器1 0相異之陶資时 17 <’、、器的部分剖 201222696 面圖。 第6圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的部分剖 面圖。 第7圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的部分剖 面圖。 第8圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的縱向剖 面圖。 第9圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的縱向剖 面圖。 第1 0圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的部分 剖面圖。 第11圖係與陶瓷加熱器1 0相異之陶瓷加熱器的縱向 剖面圖。 第12圖係第11圖之A— Α剖面圖。 第1 3圖係第11圖之變形例的部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 陶究加熱器、 Z1 小圓區域、 Z 2 環形區域、 20 陶瓷板、 S 晶圓載置面、 22 内周側電阻發熱體、 22a、24a正極端子、 18 201222696 22b 、24b負極端子、 24 外周側電阻發熱體 26 熱電偶通路、 28 穿孔、 30 蓋、 32 熱電偶導件、 32a 導孔、 40 軸、 42a 、42b 、 44a 、 44b 46 支樓座、 48 内周側熱電偶、 48a ' 50a 測溫部、 50 外周側熱電偶。 電棒、 19

Claims (1)

  1. 201222696 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體製造裝置構件，包括： 圓盤狀的陶究板，係具有晶圓載置面； 熱電偶通路’係設置於該陶:是板 板的中央側至外周面的前面； D| ’並從該陶究 熱電偶導件’係具有從該陶瓷板之 反側的面和該熱電偶通路中之該陶:免板二：0載置面相 孑L ;及 T央側連通的導 熱電偶’係以通過該導孔及該 與該熱電偶通路中位於該㈣板之: = 測溫部 抵接的方式所配置. 、⑴面之封閉端 該導孔係以該導孔與該熱電偶 方式對該熱電偶通 人角成為鈍角的 近該”偶通路而 斜向地設置，或以隨著接 電偶通路而沿著該熱電偶通路之延伸方“ 設置。 、狎方向的方式所 2_如申請專利範圍第i項之半導體製 中該導孔係以隨著接近該熱電偶通路而m 其 之延伸方向的方式所設置的部二熱電偶通路 弧。 7成為圓弧或橢圓形的 3.如申4專利範圍第1或2 件，其中該熱電偶導 、 體製造裝置構 4 ·如申請專利r m J是板相同的材料所製作。 甲4利乾圍第i或2 件’其中該熱電偶係 H地裝置構 抵接。 簧4壓成該測溫部與該封閉端 20 201222696 5. 如申請專利範圍第1 A 2項之半導體製造裝置構 件’其中該熱電偶通路係從該陶究板的外周面往中央所鐵 設的孔，在該外周面所打開的端部係利用由與該陶篆板相 同之材料所構成的蓋所封閉。 6. 如申月專利範圍帛5項之半導體製造裝置構件，其 中該盍係在與該熱電偶之測溫部抵接的位置具有支撐該測 溫部的支擇部。 7. 如申1專利範圍第丨或2項之半導體製造裝置構 件，其中該陶瓷板係將一對薄型板面接合者； 該熱電偶通路係利用在該一對薄型板之至少一方的接 合面所形成的通路用槽所形成。 8. 如申請專利範圍第7項之半導體製造裝置構件，其 中該通路用槽係在與該熱電偶之測溫部抵接的端部具有支 撐δ亥測溫部的支撐部。
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