TW201215225A - Light emitting element - Google Patents

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TW201215225A TW100123504A TW100123504A TW201215225A TW 201215225 A TW201215225 A TW 201215225A TW 100123504 A TW100123504 A TW 100123504A TW 100123504 A TW100123504 A TW 100123504A TW 201215225 A TW201215225 A TW 201215225A
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Hiroko Yamazaki
Satoshi Seo
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201215225 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有陽極、陰極和藉由施加電場而 得到發光並且包含有機化合物的層（以下、記載爲「電場 發光層」）之有機發光元件及使用該有機發光元件之發光 裝置。此外，特別是關於一種呈現白色發光之有機發光元 件及使用該有機發光元件之全彩色之發光裝置。 【先前技術】 有機發光元件係藉由施加電場而進行發光之元件，其 發光機構係載體注入型。也就是說，藉由在電極間，夾住 電場發光層’施加電壓而使得由陰極所注入之電子及由陽 極所注入之電洞’再結合於電場發光層中，形成激發狀態 之分子（以下、記載爲「激發分子」），在該激發分子回 復至基底狀態時，釋出能量，來進行發光。 此外’作爲形成有機化合物之激發狀態之種類係可以 有一重激發狀態和三重激發狀態，將來自一重激發狀態之 發光’稱爲螢光’將來自三重激發狀態之發光，稱爲磷 光。 在此種有機發光元件’通常，電場發光層係藉由小於 1 /z m左右之薄膜而形成。此外，有機發光元件係電場發 光層本身釋出光之自發光型元件，因此，也並不需要習知 之液晶顯示器所使用之背光板。因此，有機發光元件能夠 極爲薄型輕量地進行製作係成爲大優點。 -5- 201215225 此外，例如在100〜200nm左右之電場發光層，由注 入載體開始至再結合爲止之時間係在考慮電場發光層之載 體遷移率時，成爲數十奈秒左右，即使是包含由載體之再 結合開始至發光爲止之過程，也以微秒以內之量級，來完 成發光。因此，非常快之響應速度係也成爲一種特長。 此外，有機發光元件係載體注入型之發光元件，因 此，能夠進行在直流電壓下之驅動，不容易產生雜訊。關 於驅動電壓，首先，藉由使得電場發光層之厚度，成爲 1 OOnm左右之均勻超薄膜，並且，選擇使得載體注入對於 電場發光層之載體注入障壁變小之電極材料，而且，導入 異質構造（一層構造）而達成成爲5.5V、l〇〇cd/m2之充 分亮度（參考非專利文獻1 )。 (非專利文獻1 ) C.W.唐（C.W.Tang)們、應用物理讀本、Vol.51 (第 51 卷）、Νο·12,913 〜9 1 5 ( 1 987 ) 由於這樣所謂薄型輕量•高速響應性•直流低電壓驅 動等之特性’因此’有機發光元件係成爲下世代之平板顯 示器元件而受到注目。此外，成爲自發光型且視野角變 廣，因此’認爲辨識性也變得比較良好，特別是有效地成 爲可攜式機器之顯不畫面所使用之元件。 此外’此種有機發光元件豐富於發光色之種類係也成 爲一種特色。此種色彩豐富之要因係具有有機化合物本身 之多樣性。也就是說，所謂可以藉由分子設計（例如取代 基之導入）等而開發各種發光色之材料之柔軟性係產生色 -6- 201215225 彩之豐富。 由於這些觀點，因此，有機發光元件之最大應用領域 係僅不過說是全彩色之平板顯示器。考慮有機發光元件之 特徵而考量各種全彩色化之方法，但是，現在，作爲使用 有機發光元件而製作全彩色之發光裝置之構造係列舉3個 主流。 第1個係使用陰影罩幕技術而將呈現成爲光三原色之 紅色（R)、綠色（G)和藍色（B)之各種發光色之有機 發光元件予以分別塗敷，來使得各個成爲像素之方法（以 下、記載爲「RGB」方式）。第2個係藉由使用藍色之有 機發光兀件’成爲發光源，利用由螢光材料來構成該藍色 光之色轉換材料（CCM )而轉換成爲綠色或紅色，以便於 b到光二原色之方法（以下、記載爲r C c Μ」方式）。第 3個係藉由使用白色之有機發光元件，成爲發光源，設置 在液晶顯示裝置等之所使用之彩色濾光片（C F )，而得 到光三原色之方法（以下、記載爲r CF」方式）。 當中’ CCM方式或CF方式係所使用之有機發光元件 成爲藍色（CCF方式）或白色（cf方式）之單色’因 此’並不需要藉由例如RGB方式之陰影罩幕所造成之精 緻分別塗敷。此外，色轉換材料或彩色濾光片係可以藉由 習知之光微影技術而製作’也不進入至複雜之製程。此 外，除了這些製程上之優點以外，僅使用一種元件，因 此’也具有所謂亮度之經時變化均勻、不產生經時之色偏 離或亮度不均之優點。 -7- 201215225 但是，在使用CCM方式之狀態下，在原理上，由藍 色轉換至紅色之色轉換效率變差，因此，在紅色之顯示 上，產生問題。此外，色轉換材料本身係螢光體，因此， 藉由太陽光等之外光而使得像素進行發光，也會有所謂明 亮度呈惡化之問題產生》CF方式係相同於習知之液晶顯 示器而使用彩色濾光片，因此，並無此種問題點產生。 由於以上，因此，CF方式係缺點比較少之方法，但 是，C F方式之問題點係許多光吸收於彩色濾光片，所 以，需要闻發光效率之白色之有機發光元件。作爲白色有 機發光元件係並非在R、G、B之各個波長區域具有波峰 之白色發光，組合有補色關係（例如藍色和黃色）之元件 (以下、記載爲「2波長型白色發光元件」）成爲主流 (例如參考非專利文獻2)。 (非專利文獻2) 城戶先生們、「第46次應用物理學關係聯合演講 會」、pl281、28a-ZD-25 ( 1999) 但是’在考慮組合於彩色濾光片之發光裝置之狀態 下’並非正如在非專利文獻2所報告之2波長型白色發光 元件，最好是具備在R、G、B之各個波長區域分別具有 波峰之發光光譜的白色有機發光元件（以下、記載爲「3 波長型白色發光元件」）。 即使是關於此種3波長型白色發光元件，也有數個報 告（例如參考非專利文獻3)。但是，此種3波長型白色 發光元件係在發光效率方面，不及於2波長型白色發光元 201215225 件，需要更大之改善。 (非專利文獻3 ) J.奇德（J.Kido)們、科學、vol.267，1332 - 1334 (1995) 此外，不論是2波長型、3波長型，白色發光係也可 以應用於照明等。即使是此種意思，也希望開發高效率之 白色有機發光元件。 【發明內容】 [發明之揭示] [發明所欲解決之課題] 因此，在本發明，以提供高發光效率之白色有機發光 元件，來作爲課題。此外，特別是提供具備在紅色、綠色 和藍色之各個波長區域具有波峰之發光光譜之高效率之白 色有機發光元件，來作爲課題。 此外，以藉由使用前述有機發光元件來製作發光裝置 而提供消耗電力更加低於習知之低發光裝置，來作爲課 題。此外，本說明書中之所謂發光裝置係指使用有機發光 元件之發光元件或圖像顯示元件。此外，在有機發光元件 安裝電子連接器、例如軟性印刷電路基板（FPC : Flexible Printed Circuit)或 TAB (磁帶自動接合）帶或 者TCP (磁帶載體封裝）的模組、在TAB帶或TCP之前 面設置印刷電路基板的模組、或者是在有機發光元件藉由 COG (玻璃板上之晶片）方式而直接構裝1C (積體電 -9 - 201215225 路）的模組係也全部包含在發光裝置。 [用以解決課題之手段] 在白色光譜、特別是在紅色、綠色和藍色之各個波長 區域具有波峰之發光光譜之狀態下，認爲發光效率最差之 光譜區域係紅色區域。由於一般而言，紅色發光材料之發 光效率係差於其他之緣故。有鑑於此，因此，本發明係藉 由導入紅色系之磷光材料而實現高效率之白色有機發光元 件。 所謂磷光材料係能夠將三重激發狀態來轉換成爲發光 之材料、也就是可以釋出磷光之材料。認爲在有機發光元 件，以1 : 3之比例來生成一重激發狀態和三重激發狀 態，因此，知道可以藉由使用磷光材料而達成高發光效 率。 但是，在對於藉由非專利文獻2所示之白色有機發光 元件之構造而導入紅色磷光材料之狀態下，僅有該紅色發 光，並無觀測到藍色或綠色等之其他成分。結果，並無得 到白色發光。也就是說，磷光材料係容易將大於本身之激 發能量，轉換成爲本身之發光，因此，可以說是不容易實 現導入紅色系磷光材料之白色有機發光元件。 本發明人係全心重複地進行檢討，結果，發現可以藉 由適用以下所示之元件構造而實現導入紅色系磷光材料之 白色有機發光元件。 也就是說，本發明之構造，其特徵爲：在陽極和陰極 -10- 201215225 間來設置具有第1發光區域以及發光光譜之最大波峰比起 前述第1發光區域還更加位處於長波長側之第2發光區域 之電場發光層的有機發光元件，前述第2發光區域之發光 係來自三重激發狀態之發光，並且，前述第2發光區域係 位處於離開前述第1發光區域。 此外，前述第2發光區域係最好是由主材料和顯示來 自三重激發狀態之發光之副材料而構成。 此外，這些構造係特別有效於來自前述第1發光區域 之發光成爲來自一重激發狀態之發光之狀態下。因此，在 本發明，其特徵爲：前述第1發光區域之發光係來自一重 激發狀態之發光。此外，在該狀態下，作爲前述第1發光 區域之構造係最好是由主材料和顯示來自一重激發狀態之 發光之1種或複數種副材料而構成。 此外，在前述本發明之有機發光元件，更加理想之構 造係前述第1發光區域比起前述第2發光區域還更加位處 於陽極側之構造。在該狀態下，爲了將載體之再結合區域 設計在第1發光區域附近，因此，最好是在前述第1發光 區域和前述第2發光區域間，設置由具備離子化電位更加 大於前述第1發光區域所包含之物質中之具有最大離子化 電位之物質之離子化電位的電洞阻擋材料而構成之層。此 外，前述電洞阻擋材料之離子化電位値係最好是比起前述 第1發光區域所包含之物質中之具有最大離子化電位之物 質之離子化電位値，還更加大〇 . 4 e V以上。 此外，在本發明之構造中，爲了使得前述第1發光區 -11 - 201215225 域和前述第2發光區域兩者，效率良好地進行發光，因 此，前述第1發光區域和前述第2發光區域間之間隔係最 好是lnm以上、30nm以下。更加理想是5nm以上、20nm 以下。 但是，本發明之一個主旨係製作高效率之白色有機發 光元件，但是，在此時，可以藉由呈平衡良好地組合由前 述第1發光區域所產生之短波長側光和由前述第2發光區 域所產生之長波長側光而實現高品質之白色發光。因此， 第1發光區域之發光波長和第2發光區域之發光波長係最 好是以下所示之條件。 也就是說，在本發明，其特徵爲：前述第1發光區域 之發光光譜係在400nm以上、500nm以下之區域，具有 至少一個波峰。或者是，其特徵爲：在400nm以上、 6OOnm以下之區域，具有至少二個波峰。 此外，其特徵爲：前述第2發光區域之發光光譜係在 5 60nm以上、70 Onm以下之區域，具有至少一個波峰。 可以藉由組合呈現前述波長區域發光之前述第1發光 區域和前述第2發光區域而得到高效率且高品質之白色有 機發光元件。 在此，作爲前述第1發光區域之發光係可以利用準分 子發光。可以藉由成爲此種構造而由前述第1發光區域， 來容易地取出具有2個波峰之發光，因此，也可以藉由還 組合來自前述第2發光區域之發光而容易實現在R、G、 B之各個波長區域具有波峰之白色發光。因此，在本發 -12- 201215225 明，其特徵爲：在前述第1發光區域之發光光 以上、560nm以下之區域具有至少二個波峰之 述第1發光區域之發光係包含準分子發光。 但是，在前述本發明之有機發光元件，前 區域之發光係來自三重激發狀態之發光，但是 此種發光之材料係最好是使用有機金屬錯化物 別是發光效率高，因此，最好是使用以銥或白 心金屬之有機金屬錯化物。 可以藉由使用以上所敘述之本發明之有機 來製作發光裝置，而提供消耗電力更加低於習 置。因此，本發明係也包含使用本發明之有機 發光裝置。 [發明之效果] 可以藉由實施本發明而提供高發光效率之 光元件。此外，特別是提供一種具備在紅色、 之各個波長區域具有波峰之發光光譜之高效率 發光元件。此外，可以藉由使用前述有機發光 作發光裝置，而提供消耗電力更加低於習知之 【實施方式】 [發明之最隹實施形態] 就本發明之實施形態，在以下進行說明。 譜於400nm 狀態下，前 述第2發光 ，作爲顯示 。此外，特 金來作爲中 發光元件， 知之發光裝 發光元件之 白色有機發 綠色和藍色 的白色有機 元件，來製 發光裝置。 -13- 201215225 (實施形態η 在以下，就本發明之實施形態，列舉動 之構成例而詳細地進行說明。此外，有機發 取出發光，因此，可以使得其中某一個電極 透明。所以，可以在基板上，形成透明電極 由基板側來取出光之習知之元件構造，並且 也可以適用由相反於基板之相反側來取出光 由電極兩側來取出光之構造。 首先，關於具有第1發光區域以及發光 峰比起前述第1發光區域還更加位處於長波 光區域之2個發光區域之習知之白色有機發 基本構造之某一例子，顯示於第9圖。 第9圖係在基本上，於陽極901和陰極 由電洞輸送材料92 1所構成之電洞輸送層9: 送材料922所構成之電洞輸送層912之層積 光層903 )之有機發光元件之構造。但是， 911，設置添加第1摻雜物923之第1發光 電子輸送層912，設置添加第2摻雜物924 域914。也就是說，電洞輸送材料921或 922係也分別發揮作爲主材料之功能。此外 光區域9 1 3和第2發光區域9 1 4係皆存在 911和電子輸送層912間之界面915附近。 在此種構造，載體之再結合區域係界面 著，在該界面915附近，一起共存第1摻雜 作原理及具體 光元件係爲了 之某一邊成爲 ，不僅是成爲 ，在實際上， 之構造或者是 光譜之最大波 長側之第2發 光元件，將其 9 0 2間來夾住 1 1和由電子輸 構造（電場發 在電洞輸送層 區域913，在 之第2發光區 電子輸送材料 ，這些第1發 於電洞輸送層 915附近。接 物923和第2 14 - 201215225 摻雜物924兩種，因此，發光過程係競爭於該二種摻雜物 間。此時，如果該二種摻雜物皆成爲螢光材料的話，則其 激發壽命係皆同樣變短，因此，無法充分地僅滿足霍斯特 型能量移動之條件（其中某一個摻雜物之發光波長和另外 一邊之摻雜物之吸收波長係重疊），也能夠二種皆進行發 光。結果，可以實現白色發光。 例如在非專利文獻2所示之白色有機發光元件之構造 係也在第9圖，並且還加入1個電子輸送層和電子注入 層，但是，基本原理係相同。也就是說，在電洞輸送層 911’導入成爲藍色發光材料之二萘嵌苯，來作爲第1摻 雜物923，在電子輸送層912，導入成爲橙色發光材料之 DCM1，來作爲第2摻雜物9M，得到白色發光。 另一方面，本發明之主旨係將紅色系磷光材料，來導 入至白色有機發光元件，針對高效率化。但是，即使是對 於前述第9圖之構造而導入紅色系磷光材料，來作爲第2 摻雜物9 2 4，也沒有得到白色發光。例如即使是製作使用 成爲藍色發光材料之二萘嵌苯來作爲第1摻雜物923並且 使用成爲紅色磷光材料之2，3,7,8,12,13,17,18 -八乙基— 21H，23H —扑啉-白金錯合物（以下、顯示成爲Pt0Ep) 來作爲第2摻雜物9 2 4之元件，也僅觀測到P t 〇 e p之紅 色發光（後面敘述於比較例1 )。這個係說明於以下。 首先，爲了在該元件構造，得到白色發光，因此，至 少成爲第1摻雜物9 2 3之二萘嵌苯係必須進行發光。也就 是說’二萘嵌苯之一重激發狀態仍然進行發光係成爲最低 -15- 201215225 限度之條件。 但是，正如第10 ( a)圖所示，不限定於PtOEP，許 多磷光材料係離子化電位變小（HOMO (同質）準位1〇〇1 之位置高），因此，對於電洞，來形成捕獲準位。因此， PtOEP係捕獲電洞，不激發二萘嵌苯，直接激發PtOEP之 可能性變高。 此外，許多代表於PtOEP之磷光材料係在可見光區 域，具有稱爲三重MLCT之寬幅之吸收帶（這個係對應於 磷光材料之三重最低激發狀態）。此外，在霍斯特型能量 移動之狀態下，容許由某個分子之一重激發狀態開始至其 他分子之三重激發狀態之能tt移動。這個係表示：正如第 10(b)圖所示，即使是在可見光區域具有發光之物質 (在此係二萘嵌苯）例如成爲激發狀態，也可以容易引起 由該一重激發狀態SD1開始至磷光材料（在此係PtOEP ) 之三重激發狀態TD2之霍斯特型能量移動1011。因此， 不容易觀測到二萘嵌苯之發光。此外，在此，不考慮二萘 嵌苯之三重激發狀態，但是，二萘嵌苯係螢光材料，因 此，三重激發狀態係是否發生鈍化或者是能量移動至 PtOEP » 此外，三重MLCT吸收係一般使得其能帶幅寬變寬， 因此，不僅是二萘嵌苯之藍色發光物質，並且，甚至也由 於來自呈現綠色系發光之物質之能量移動，來發生激發。 該現象係不僅是使用二萘嵌苯之螢光材料來作爲第1發光 區域之發光物質之狀態，並且，也同樣發生於使用磷光材 -16- 201215225 料之狀態。因此，不容易實現導入紅色系磷光材料之白色 有機發光元件。 克服該問題之方法係分離第1發光區域和第2發光區 域間之距離，防止第1發光區域之激發狀態（特別是一重 激發狀態）能量移動至第2發光區域之三重激發狀態。將 此種本發明之基本構造之某一例子，顯示在第1圖。 第1圖係藉由對於由電洞輸送材料121所構成之電洞 輸送層111來添加第1摻雜物（在此成爲螢光材料）123 而形成第1發光區域1 1 3。此外，藉由對於由電子輸送材 料I22所構成之電子輸送層112來添加第2摻雜物（磷光 材料）I24而形成第2發光區域114。此外，發光波長係 成爲第2摻雜物（磷光材料）124比起第1摻雜物123還 更加長之長波長之構造。此外，在第1發光區域113和第 2發光區域114間’以d之厚度來設置並無添加第2摻雜 物（磷光材料）124之層1 16 (以下、記載爲「間隔 層」）’該方面係不同於第9圖。此外，在此，間隔層 1 1 6係具有電子輸送性。此外，1 〇丨係陽極，丨〇 2係陰 極，103係電場發光層。 此時’間隔層116係具有電子輸送性，因此，該構造 之再結合區域係第1發光區域！ i 3和間隔層丨丨6間之界面 115附近。並且，正如第2(a)圖所示，由於距離d之關 係而使得第2摻雜物（憐光材料）之homo準位201並 無直接地捕獲電洞。因此’首先，激發第1摻雜物12 3。 作爲激發狀態係有一重激發狀態Sdi和三重激發狀態 -17- 201215225 Τ〇 I。 在此，正如第2 ( b )圖所示，藉由間隔層1 1 6而使 得第1摻雜物和第2摻雜物（磷光材料）間之距離僅離開 d ’因此，先前敘述之SD1— TD2之霍斯特型能量移動21 1 之賦予變小（在距離d變大時而急速地衰減）。在此時， 觀測到SD丨—TD1、也就是第1摻雜物之發光h v D丨。 另一方面，第1摻雜物係在此成爲營光材料，因此， 三重激發狀態TDI係無法進行發光，但是，可以在第2摻 雜物（磷光材料）之三重激發狀態TD2，進行能量移動。 接著’三重激發分子之激發壽命係通常更加長於一重激發 分子之激發壽命，其擴散距離變大，因此，比起先前敘述 之Sdi—TD2之能量移動211，TDi— TD2之能量移動212 係比較容易受到距離d之影響。因此，即使是使得距離d 離開某種程度，也使得TDi— TD2之能量移動有效地產 生，接著，第2摻雜物（磷光材料）之三重激發狀態TD2 係迅速地轉換成爲發光hvD2。 正如以上所敘述的，可以藉由適用本發明之元件構造 而使得第1摻雜物以及顯示波長更加長於第1摻雜物之長 波長側之發光之第2摻雜物（磷光材料）兩者，來進行發 光，因此，達成白色發光。 此外，在第1圖所示之元件構造，於第2發光區域， 使用碟光材料’來作爲摻雜物，但是，也可以單獨使用磷 光材料。 此外，作爲第1發光區域之發光體係可以適用磷光材 -18- 201215225 料，但是，正如在第1圖所不’最好是使用營光材料。在 該狀態下，所產生之一重激發狀態係主要是第1發光區 域，所產生之三重激發狀態係第2發光區域，分別有助於 發光，因此，可以使得一重·三重兩者之激發狀態，有助 於發光，由於估計效率提升之緣故。此外，容易理解發光 之機構，也容易進行元件設計。 此外，在本發明之第1發光區域，不使用摻雜物，可 以單獨地適用顯示發光之層。但是，使用摻雜物者係一般 發光效率比較高，因此，正如在第1圖所示，最好是使用 摻雜物。此外，正如前面敘述，作爲第1發光區域之發光 體係最好是螢光材料，因此，在第1發光區域，適用螢光 材料來作爲摻雜物係變得最適當。在該狀態，摻雜物之種 類係可以是複數種。 此外，在第1圖所示之元件構造係本發明之某一例 子’限定於不偏離本發明之主旨，並非限定於此。例如在 第1圖’可以成爲所謂在電洞輸送層111之方面來摻雜第 2摻雜物（磷光材料）而在電子輸送層112之方面來摻雜 第1摻雜物的構造（也就是說在該狀態下、第2發光區域 成爲1 1 3、第1發光區域成爲1 1 4 )。在該狀態下，必須 藉由電洞輸送性材料而構成間隔層1 1 6，將載體之再結合 區域’設計在間隔層1 1 6和電子輸送層1 1 2間之界面。 此外’在第1圖，並無進行圖示，但是，可以在陽極 101和電洞輸送層111間，插入電洞注入層或者是由電子 輸送材料121以外之電子輸送材料所構成之電洞輸送層。 -19- 201215225 此外’可以在陰極102和電子輸送層112間，插入電子注 入層或者是由電子輸送材料122以外之電子輸送材料所構 成之電子輸送層。 但是，正如前面敘述，在本發明，著眼於：在第1發 光區域，首先，形成激發狀態，呈部分地能量移動至第2 發光區域之方面。由此種觀點而得知：正如在第1圖所示 之構造，最好是將第1發光區域113設計在比起第2發光 區域1 1 4還更加位處於陽極側。爲何會這樣，在此時，藉 由適用由電洞阻擋材料所構成之電洞阻擋層，來作爲間隔 層116而有效地將電洞關入至電洞輸送層111內，因此， 可以將載體之再結合區域，確定於第1發光區域113內之 緣故。 此外，電洞阻擋材料之離子化電位値係最好是比起第 1發光區域113所包含之物質中之具有最大離子化電位之 物質之離子化電位値，還更加大0.4 e V以上。此外，正如 第1圖所示，在第1發光區域113具有摻雜物之狀態下， 於實質上，間隔層1 1 6所使用之電洞阻擋材料之離子化電 位値更加大於成爲第1發光區域主體之電洞輸送材料121 之離子化電位値（最好是大於〇.4eV以上）係變得重要。 藉由此種元件設計而在第1發光區域，來形成激發狀 態，容易呈部分地能量移動至第2發光區域，接著，必須 設定左右該能量移動之距離d。 首先，可以藉由使得d成爲1 nm以上而防止Dexter (板 星）型之能量移動（藉由電子波動運動之交換所造成之能 -20- 201215225 量移動），因此，能量移動之機構係僅成爲霍斯特型，可 以適用前述原理。此外，在離開3 Onm左右時，會有在第 2 ( b )圖所敘述之TD1— TD2之能量移動也相當地進行衰 減之傾向產生。因此，d係1 nm以上、3 Onm以下成爲適 當範圍。 但是，爲了防止第2發光區域之磷光材料直接地捕獲 電洞（參考第2(a)圖），因此，d係最好是5nm以 上。此外，在第2(b)圖之SD1— TD2之能量移動211之 賦予變小後，並且，使得用以充分地引起TD1—TD2之能 量移動212之適當距離係5〜20nm左右。因此，更加理 想是d係5nm以上、20nm以下。 在以上，藉由本發明而說明能夠實現導入紅色系磷光 材料之白色有機發光元件之原理。接著，例舉用以使得發 光色成爲高品質白色之理想波長範圍。 首先，第1發光區域之發光光譜係可以藉由在4 0 〇nm 以上、500nm以下之區域具有至少1個波峰或者是在 400nm以上、560nm以下之區域具有至少2個波峰而組合 於第2發光區域之紅色系磷光材料之發光色，來實現白色 光。在此時，前述磷光材料之發光光譜係可以在紅色系、 也就是5 60nm以上、700nm以下之區域，具有至少1個 波峰。 此外，例如如果在第1發光區域來添加能夠準分子發 光之第1摻雜物的話，則能夠藉由使得該摻雜濃度成爲最 適當化而同時發光第1摻雜物固有之發光及其。準分子發 -21 - 201215225 光係一定位處於波長更加長於前述固有發光之長波長側， 因此，可以由1個物質來拉出2個發光波峰。也可以藉由 組合該現象和第2發光區域之紅色系發光色而成爲在R、 G、B之各個波長區域具有波峰的發光光譜。 在以下，具體地例舉能夠使用在本發明之材料。但 是，能夠適用於本發明之材料係並非限定於這些。 作爲使用在電洞注入層之電洞注入材料係如果是有機 化合物的話，則聚扑啉系化合物變得有效，可以使用酞菁 (簡稱：H2— Pc)、銅酞菁（簡稱：Cu— Pc)等。此 外，也有在導電性高分子化合物來施加化學摻雜之材料， 也可以使用摻雜聚苯乙烯磺酸（簡稱：PSS)之聚乙烯二 羥基噻吩（簡稱：PEDOT )或聚苯胺（簡稱：PAni )、聚 乙烯基咔唑（簡稱：PVK )等。此外，五氧化釩或氧化鋁 等之無機絕緣體之超薄膜係也變得有效。 作爲電洞輸送材料係適合爲芳香族胺系（也就是具有 苯環-氮之鍵）之化合物。作爲廣泛地使用之材料係例如 有Ν，Ν·—雙（3 —甲基苯基）N，N，-二苯基一1，1，一聯苯 基一 4,4'—二胺（簡稱：TPD)或成爲其衍生物之4,4ι_ 雙〔N— (1—萘基）_N —苯基—胺基〕_聯苯基（簡 稱：a - NPD)等》此外，還列舉4,4，，4"—三（N，N，-二 苯基-胺基）一三苯基胺（簡稱：TDATA)或4,4，，4，，— 三〔N— (3_甲基苯基）—N —苯基一胺基〕一三苯基胺 (簡稱：MTDΑΤΑ )等之星芒型芳香族胺化合物。 作爲電子輸送材料係列舉三（8 -喹啉酸）鋁（簡 -22- 201215225 稱：Alq3)、三（4 一甲基_8 —卩奎啉酸）銘 Almq3)、雙（10 —羥基苯并〔h〕—喹啉酸）鈹 BeBq2)、雙（2-甲基—8 -喹啉酸）-(4 —羥 基）—鋁（簡稱：BAlq)、雙〔2_ (2_羥基苯 并咢唑〕鋅（簡稱：Ζπ(ΒΟΧ)2)、雙〔2-< 苯基）—苯并噻吩〕鋅（簡稱：Ζη(ΒΤΖ) 2) 錯合物。此外，除了金屬錯合物以外，也可以 (4 一聯苯基）一 5— (4 —第二一丁基苯基）— 基二哩（簡稱：PBD) 、1,3 —雙[5-（ρ—第 苯基）—1，3,4-羥基二唑一 2 —醯基〕苯（簡稱 7)等之羥基二唑衍生物、3—（4 —第三一丁基3 一苯基一 5_ (4_聯苯基）一1，2,4 -三唑 ΤΑΖ ) > 3 - (4 —第三-丁 基苯基）—4— (4 基）—5— (4-聯苯基）_1，2,4_三唑（簡
EtTAZ)等之三唑衍生物、2,2'，2"— ( 1，3,5 —苯 三〔1—苯基—1H —苯咪唑〕（簡稱：TPBI)之 物、嗜菲繞啉（簡稱：BPhen )、嗜聯喹啉 BCP)等之菲繞啉衍生物。 此外，作爲有用於使用在前述間隔層之材料 擋材料係可以使用在上面敘述之BAlq、OXD—7 -EtTAZ、TPBI、BPhen，BCP 等。 此外，作爲第〗發光區域之發光體係可以 TPD、a - NPD等之具有電洞輸送性之螢光材料 Almq3、BeBq2、BAlq、Zn ( BOX ) 2、Zn ( BTZ) (簡稱： (簡稱： 基-聯苯 基）一苯 :2 -羥基 等之金屬 使用2 — 1,3,4 -羥 三-丁基 ：0XD -良基）—4 (簡稱： 一乙基苯 稱：P — 三醯基） 咪唑衍生 (簡稱： 之電洞阻 、T A Z、p 使用前述 或 Alq3 、 2等之具 -23- 201215225 有電子輸送性之螢光材料。此外’也可以使用各種蛮光色 素，來作爲摻雜物，列舉曈吖酮、N，N'_二甲基喹吖酮、 二萘嵌苯、熒蒽、香豆素系色素（香豆素6等）。此外， 也可以使用磷光材料，有三（2—苯基吡啶）銥（簡稱： Ir ( ppy ) 3 )等。這些係全部在400nm以上、560nm以 下，顯示波峰，因此，適合成爲本發明之第1發光區域之 發光體。 另一方面，作爲第2發光區域之發光體係以銥或白金 作爲中心金屬之有機金屬錯合物變得有效。具體地說，除 了前面敘述之PtOEP以外，還列舉雙（2— ( 2'—苯并噻 嗯基）吡啶鹽—N,C3')(乙醯丙酮）銥（簡稱：btP2Ir (acac ))、雙（2- （2’ —噻嗯基）吡啶鹽—N，C3·) (乙醯丙酮）銥（簡稱：thp2Ir(acac))、雙（2- (1 一噻嗯基）苯并咢唑—N，C2_ )(乙醯丙酮）銥（簡稱： bon2Ir(acac))等。這些係皆在紅色系（ 560nm以上、 700nm以下）具有發光波峰之磷光材料，適合成爲本發明 之第2發光區域之發光體。 此外，在本發明之第1發光區域或第2發光區域使用 摻雜物之狀態下’作爲該主材料係可以使用前述例子所代 表之電洞輸送材料或電子輸送材料。此外，也可以使用 4,4|->1，1^'-二味唑基-聯苯基（簡稱：（：81>)等之雙極 性材料。 此外’在本發明’就有機發光元件中之各層而言，並 無限定層積法。如果能夠進行層積的話，則可以選擇真空 -24- 201215225 蒸鍍法或旋轉塗敷法、噴墨法、浸漬塗敷法等之各種方 法。 (實施例） [實施例1] 在本實施例’使用第3圖而具體地例舉使得間隔層之 厚度d成爲1 Onm之本發明之有機發光元件。此外，在第 3圖，301係相當於陽極，302係相當於陰極，303係相當 於電場發光層。 首先’在成爲陽極301之成膜lOOnm左右之ITO之 玻璃基板，蒸鍍成爲電洞輸送材料之20nm之CuPc，成爲 電洞注入層310。接著，蒸鍍成爲電洞輸送材料之30nm 之a _ NPD ’成爲電洞輸送層311，但是，在該最後之 1 0nm ’進行共蒸鍍而使得α - NPD (主材料）和作爲一重 發光材料之二萘嵌苯（副材料），成爲大約99 : 1之比率 (重量比）。也就是說，在a— NPD，以大約lwt%之濃 度而分散二萘嵌苯。該10nm之共蒸鍍層係第1發光區域 313 〇 在形成第1發光區域313後，成膜作爲電洞阻擋材料 (以及電子輸送材料）之10nm之BAlq，成爲間隔層 316。此外，蒸鍍成爲電子輸送層312之30nm之BAlq， 但是，在該最初之l〇nm，藉由共蒸鍍而形成添加磷光材 料PtOEP之區域。添加量係進行調節而在BAlq中，以大 約7.5wt%之濃度來分散PtOEP。這個係成爲第2發光區 -25- 201215225 域314。正如以上，使用BAlq之層係合倂間隔層316和 電子輸送層312而合計成爲40nm。 接著，藉由成膜作爲電子輸送材料之20nm之Alq而 成爲第2電子輸送層317。然後，成爲電子注入層318係 蒸鍍2nm之氟化鈣（簡稱：CaF2 )，最後，作爲陰極係 成膜150nm之A1。藉此而得到本發明之有機發光元件。 在本實施例1所製作之有機發光元件之特性係亮度 10〔cd/m2〕時之驅動電壓成爲 8.0〔V〕、電流效率成 爲 4.7(cd/A〕。 此外，將1〇〔cd/m2〕時之發光光譜，顯示於第4 (a )圖。分別明確地在460nm及480nm附近，觀測到二 萘嵌苯固有之藍色發光光譜401，在520nm附近，觀測到 由於二萘嵌苯之準分子發光所造成之綠色光譜402。此 外，在65 0nm附近，觀測到由於PtOEP所造成之銳利之 紅色波峰4 0 3。 像這樣，在本Η施例1，可以使用紅色系磷光材料， 並且，還實現在R、G、Β之各個波長區域分別具有波峰 的有機發光元件。此外，CIE色度座標係（x，y )= (0.3 0,0.3 5 )，在看得到之孔，也成爲白色發光。 正如以上，認爲在本實施例1，可以抑制在第2 ( b ) 圖所示之SDI-> TD2之能量移動至某種程度，對於二萘嵌 苯和PtOEP兩者，來進行發光。 此外，關於使用在電洞輸送層3 1 1之α — NPD和使用 在間隔層3 1 5之BAlq，在分別測定離子化電位（分別在 -26- 201215225 薄膜之狀態下、使用光電子分光裝置AC -司））時，a— NPD 係 5.3〔eV〕 ，BAlq 也就是說，認爲在兩者之離子化電位，有 之差異，因此，BAlq係有效地嵌段電洞 合區域，控制於電洞輸送層3 1 1內（或者 3 1 3 內）。 〔實施例2〕 在本實施例，使用第3圖而具體地例 厚度d成爲20 nm之本發明之有機發光元^ 首先，一直到第1發光區域313爲止 1而形成。在形成第1發光區域313後， 擋材料（以及電子輸送材料）之20nm之 層316。此外，蒸鑛成爲電子輸送層3 BAlq，但是，在該最初之i〇nm，藉由共 磷光材料PtOEP之區域。添加量係進行 中，以大約 7.5wt%之濃度來分散PtOEP 2發光區域314。正如以上，使用BAlq之 316和電子輸送層312而合計成爲4 0n m。 接著，藉由成膜作爲電子輸送材料之 成爲第2電子輸送層317。然後，成爲電 蒸鑛2nm之CaF2，最後，作爲陰極係成 藉此而得到本發明之有機發光元件。 在本實施例2所製作之有機發光元 -2 (理硏計器公 係 5 · 7〔 e V〕。 大約 0.4〔 eV ] ，將載體之再結 是第1發光區域 舉使得間隔層之 书。 ，相同於實施例 成膜作爲電洞阻 BAlq，成爲間隔 • 12 之 2 0 nm 之 蒸鍍而形成添加 調節而在BAlq 。這個係成爲第 層係合倂間隔層 20nm 之 Alq 而 子注入層3 1 8係 I 1 5 Onm 之 A1 〇 件之特性係亮度 -27- 201215225 l〇〔cd/m2〕時之驅動電壓成爲 8.6〔V〕、 爲 4 · 6〔 c d / A〕。 此外，將1〇〔 cd/ m2〕時之發光光譜， (b )圖。分別明確地在460nm及480nm附近 萘嵌苯固有之藍色發光光譜401，在520nm附 由於二萘嵌苯之準分子發光所造成之綠色光 外，在65 0nm附近，觀測到由於PtOEP所造 紅色波峰4 0 3。 像這樣，即使是在本實施例2，可以使用 材料，並且，還實現在R、G、B之各個波長 有波峰的有機發光元件。此外，CIE色度座才 =(0.2 5,0.3 6 )，在看得到之孔，也成爲稍微 白色發光。 正如以上，認爲在本實施例2，可以幾乎 在第2(b)圖所示之SD1— TD2之能量移動， 苯和PtOEP兩者，來進行發光。 〔實施例3〕 在本實施例，使用第3圖而具體地例舉使 厚度d成爲30nm之本發明之有機發光元件。 首先，一直到第1發光區域313爲止，相 1或實施例2而形成。在形成第1發光區域3 作爲電洞阻擋材料（以及電子輸送材料）； BAlq，成爲間隔層316 »此外，作爲第2發光 電流效率成 顯示於第4 ，觀測到二 近，觀測到 譜 402 〇此 成之銳利之 紅色系磷光 區域分別具 異係（X，y ) 帶有藍色之 完全地抑制 對於二萘嵌 得間隔層之 同於實施例 I 3後，成膜 t. 3 0 nm 之 區域3 1 4係 -28- 201215225 在BAlq，藉由共蒸鍍而形成添加磷光材料PtOEP之區 域。添加量係進行調節而在BAlq中，以大約7.5 wt %之 濃度來分散P t 0 E P。正如以上，使用B A1 q之層係合倂間 隔層316和第2發光區域314而合計成爲40nm。在本實 施例，在第2發光區域314之後面，並沒有還形成BAlq 來作爲電子輸送層3 1 2 (由於相同於實施例1及實施例2 而使得採用BAlq之層之膜厚成爲4 Onm之緣故）。 接著，藉由成膜作爲電子輸送材料之20nm之Alq而 成爲第2電子輸送層317。然後，成爲電子注入層318係 蒸鍍2ηηι之CaF2，最後，作爲陰極係成膜150nm之A1。 藉此而得到本發明之有機發光元件。 在本實施例3所製作之有機發光元件之特性係亮度 10〔cd/m2〕時之驅動電壓成爲 8.2〔V〕、電流效率成 爲 4.6〔 c d / A〕。 此外，將1〇〔 cd/ m2〕時之發光光譜，顯示於第4 (c )圖。分別明確地在46〇nm及4 80nm附近，觀測到二 萘嵌苯固有之藍色發光光譜401，在5 20nm附近，觀測到 由於二萘嵌苯之準分子發光所造成之綠色光譜402。此 外，在65 0nm附近，也觀測到由於稍微微弱之PtOEP所 造成之銳利之紅色波峰403。 像這樣，即使是在本實施例3，也可以使用紅色系磷 光材料，並且，還實現在R、G、B之各個波長區域分別 具有波峰的有機發光元件。此外，CIE色度座標係 (x,y ) = ( 0.22,0.3 5 )，在看得到之孔，也成爲帶有藍 -29- 201215225 色之藍白色。 正如以上，認爲在本實施例3，可以幾 在第2(b)圖所示之sDi — TD2之能量移動 實施例1或實施例2，也還更加衰減TD, Θ 動’結果，二萘嵌苯之發光變強，PtOEP之 此’本發明之間隔層之厚度d係可以說最好 爲止。 [比較例1〕 在本比較例，使用第11圖而具體地例 隔層之習知之有機發光元件。此外，在第1 3圖之圖號。 首先，一直到第1發光區域313爲止， 1〜實施例3而形成。在形成第1發光區域 作爲電子輸送層312之40nm之BAlq，但是 lOnm，使得BAlq成爲母體，形成添加磷光^ 第2發光區域314。添加量係進行調節而在 大約7.5wt%之濃度來分散PtOEP。 接著，藉由成膜20nm之電子輸送材料 2電子輸送層317。然後，成爲電子注入層 2nm之CaF2，最後，作爲陰極係成膜150nm 在本比較例所製作之有機發光元件之特 〔cd/m2〕時之驅動電壓成爲8.8〔V〕、‘ 1.9 ( cd/ A ) 乎完全地抑制 ，並且，比起 TD2之能量移 發光變弱。因 是30nm左右 舉並無設置間 1圖，引用第 相同於實施例 3 13後，成膜 ，在該最初之 才料PtOEP之 BAlq中，以 Alq而成爲第 :3 1 7係蒸鍍 之A1。 性係亮度1 0 電流效率成爲 -30- 201215225 此外，將10〔cd/m2〕時之發光光譜，顯不於第12 圖。在本比較例，幾乎並無觀測到二萘嵌苯之發光光譜， 僅觀測到由於650nm附近之PtOEP所造成之銳利之紅色 波峰 1201 。此外，CIE 色度座標係 （x，y )= (0.51,0.33 )，在看得到之孔，也幾乎成爲紅色。 正如以上，得知：正如在本比較例所示，在並無設置 本發明之間隔層之習知之元件構造，不容易實現適用紅色 系磷光材料之白色有機發光元件。 〔實施例4〕 在本實施例，使用第5圖而就在像素部具有本發明之 有機發光元件的發光裝置，來進行說明。此外，第5 (A )圖係顯示發光裝置之俯視圖，第5 ( B )圖係以A _ A’來切斷第5 ( A )圖之剖面圖。圖號501係驅動電路部 (源極側驅動電路），5 02係像素部，5 03係驅動電路部 (閘極側驅動電路）。此外，5 0 4係密封基板，5 0 5係密 封劑，藉由密封劑5 05所包圍之內側507係成爲空間。 此外’ 508係用以傳送輸入至源極側驅動電路501及 閘極側驅動電路503之訊號之連接配線，接受來自成爲外 部輸入端子之FPC (軟性印刷電路）509之視頻訊號、時 鐘訊號、起始訊號、重設訊號等。此外，在此，僅圖示 FPC ’但是，可以在該FPC，安裝印刷配線基板 (PWB )。在本說明書之發光裝置，不僅是發光裝置本 體’在這個，也包含安裝FPC或PWB之狀態。 -31 - 201215225 接著，就剖面構造而言，使用第5(B)圖，來進行 說明。在基板5 1 0上，形成驅動電路部及像素部，但是， 在此，顯示成爲驅動電路部之源極側驅動電路501和像素 部 5 02。 此外，源極側驅動電路5 01係形成組合η通道型 TFT523和ρ通道型TFT524之CMOS電路。此外，形成 驅動電路之TFT係可以藉由習知之CMOS電路、PMOS電 路或NMOS電路而形成。此外，在本實施形態，顯示在基 板上形成驅動電路的驅動器一體型，但是，不一定需要， 也可以不在基板上而是形成於外部》 此外，像素部5 02係藉由包含開關用TFT51 1、電流 控制用TFT5 12和電連接於該汲極之第1電極513的複數 個像素而形成。此外，覆蓋第1電極513之端部而形成絕 緣物514。在此，藉由使用正型之感光性丙烯樹脂膜而形 成。 此外，使得有效覆蓋範圍變得良好，因此，在絕緣物 514之上端部或下端部，形成具有曲率之曲面。例如在使 用正型之感光性丙烯來作爲絕緣物514材料之狀態下，最 好是具有僅在絕緣物514之上端部具備曲率半徑（0.2 μ m 〜3 e m )的曲面。此外，作爲絕緣物5 1 4係皆也可以使 用藉由感光性光而成爲不溶解於摻雜物之非溶解性之負型 或者是藉由光而成爲溶解於摻雜物之溶解性之正型之任何 —種。 在第1電極513上，分別形成電場發光層515及第2 -32- 201215225 電極516。在此’作爲發揮陽極功能之第1電極513所使 用之材料係最好是使用工作係數大之材料。例如除了 IT0 (銦錫氧化物）膜、銦鋅氧化物（IΖ Ο )膜、氮化鈦膜、 鉻膜、鎢膜、Ζη膜、Pt膜等之單層膜以外，還可以使用 氮化鈦和以鋁作爲主成分之膜間之積層、氮化鈦膜和以鋁 作爲主成分之膜和氮化鈦膜間之3層構造等。此外，在成 爲積層構造時，作爲配線之電阻係也可以變低，得到良好 之歐姆接點，並且，可以發揮作爲陽極之功能。在此，使 用ITO來作爲第1電極513，成爲由基板510側來取出光 之構造。 此外，電場發光層515係藉由使用蒸鍍罩幕之蒸鍍法 或噴墨法而形成。可以在電場發光層515，適用具有在本 發明所揭示之構造之電場發光層。具體地說，成爲在實施 例1〜實施例3所示之電場發光層之構造。此外，作爲電 場發光層所使用之材料，通常係大多是使得有機化合物成 爲單層或積層所使用之狀態，但是，在本發明，也包含在 由有機化合物所構成之一部分膜來使用無機化合物之構 造。 此外，作爲形成於電場發光層515上之第2電極（陰 極）5 1 6所使用之材料係可以使用工作係數小之材料 (Al、Ag、Li、Ca、或這些之合金 MgAg、Mgln、AlLi、 CaF2、或者是CaN)。此外，在藉由電場發光層515所產 生之光來透過第2電極516之狀態下，作爲第2電極（陰 極）516係可以使用使得膜厚變薄之金屬薄膜和透明導電 -33- 201215225 膜（ITO、IZO、氧化鋅（ZnO )等）之積層。此外，在 此，藉由使用A1之非透過膜而成爲僅取出來自基板510 側之光之下面射出型構造之發光裝置。 此外，藉由利用密封劑5 05，來將密封基板5 04，貼 合於元件基板5 1 0，而成爲在藉由基板5 0 1、密封基板 504和密封劑5 05所包圍之空間507來具備本發明之有機 發光元件517的構造。此外，在空間507，除了塡充惰性 氣體（氮或氬等）之狀態以外，也包含藉由密封劑5 0 5所 塡充之構造。 此外，最好是在密封劑505，使用環氧系樹脂。此 外，這些材料係最好是儘可能不透過水分或氧之材料。此 外，作爲使用在密封基板504之材料係除了玻璃基板或石 英基板以外，還可以使用由FRP (玻璃纖維強化塑膠）、 PVF (聚氟乙烯）、聚乙烯對苯二酸酯、聚酯或丙烯等之 所構成之塑膠基板。 正如以上，可以得到具有本發明之有機發光元件之發 光裝置。 〔實施例5〕 在本實施例，在第5圖所示之發光裝置，具體地例舉 由密封基板5 04側來取出光之上面射出型構造之發光裝 置。將該槪略圖（剖面圖）顯示在第6 ( A )圖。此外， 在第6(A)圖，引用第5圖之圖號。此外，發光方向係 在第6 ( A)圖，正如圖號621所示。 -34- 201215225 在第6 ( A )圖，藉由使得第1電極5 1 3成爲遮光性 陽極，使得第2電極成爲透光性陰極而形成上面射出構 造。因此，作爲第1電極係除了氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、 Zn膜、Pt膜等之單層膜以外，還可以使用氮化鈦和以鋁 作爲主成分之膜間之積層、氮化鈦膜和以鋁作爲主成分之 膜和氮化鈦膜間之3層構造等。此外，作爲第2電極係可 以使用使得膜厚變薄之金屬薄膜和透明導電膜（ITO、 IZO、ZnO等）之積層構造。在此，作爲第1電極係適用 氮化鈦膜，作爲第2電極係適用Mg : Ag合金薄膜和ITO 間之積層構造。 此外，本實施例之發光裝置係使用本發明之白色有機 發光元件517而進行全彩色化，因此，設置由著色層611 和遮光層（BM ) 6 1 2所構成之彩色濾光片（由於簡化、 因此、在此並無圖示保護膜層）》 此外，爲了密封有機發光元件5 1 7，因此，形成透明 保護層601。做爲該透明保護層601係最好是使用藉由濺 鍍法（DC方式或RF方式）或PCVD法所得到並且以氮化 矽或氮化氧矽來作爲主成分之絕緣膜、以碳來作爲主成分 之薄膜（擬鑽石碳：DLC膜、氮化碳：CN膜等）、或者 是這些之積層。如果是使用矽靶而形成於包含氮和氬之氣 氛的話，則得到對於水分或鹼金屬等之雜質具有高嵌段效 果之氮化矽膜。此外，也可以使用氮化矽靶。此外’透明 保護層係可以將使用遠距離電漿之成膜裝置予以採用而形 成。此外，在透明保護層，通過發光，因此’透明保護層 -35- 201215225 之膜厚係最好是儘可能地變薄。 此外，在此，爲了更加密封有機發光元件 此，不僅是密封劑5 0 5，也藉由第2密封劑602 5圖之空間5 07，貼合於密封基板5 04。該密封 以進行於惰性氣體氣氛下。即使是關於第2密封 也相同於密封劑505，最好是使用環氧系樹脂。 〔實施例6〕 在本實施例，在第5圖所示之發光裝置，具 由基板5 1 0側和密封基板5 04側兩者來取出光之 型構造之發光裝置。將該槪略圖（剖面圖）顯: (B)圖。此外，在第6(B)圖，引用第5圖之 外，發光方向係在第6(B)圖，正如圖號622 示。 在第6(B)圖，基本構造係相同於第6(A 是，不同於第6(A)圖之方面係使用ITO膜或 之透明導電膜來作爲第1電極513之方面。在此 由使用ITO膜而實現雙面射出型構造之發光裝置 此外，在第6 ( B )圖，於基板5 1 0側，並 色濾光片，但是，可以設置彩色濾光片而在雙面 全彩色化。在該狀態下，形成於基板5 1 0側之彩 係可以相同於習知之液晶顯示裝置等之所使用方 方法而進行設置。 517，因 而塡充第 作業係可 劑 5 0 5， 體地例舉 雙面射出 示在第 6 圖號。此 、623 所 )圖，但 IZO膜等 ，可以藉 〇 無設置彩 一起進行 色濾光片 法之同樣 -36- 201215225 〔實施例7〕 在本實施例’就使用具有本發明之有機發光元 光裝置而完成之各種電氣器具，來進行說明。 作爲使用具有本發明之有機發光元件之發光裝 作之電氣器具係列舉：攝錄放影機、數位相機、護 顯示器（頂固定顯示器）、導航系統、音響再生裝 車音響、組合式立體音響等）、筆記簿型個人電腦 機器、可攜式資訊終端機（可攜式電腦、行動電話 式遊戲機或電子書籍等）、具備記錄媒體之圖像再 (具備可以具體地再生DVD等之記錄媒體而顯示 之顯示裝置的裝置）等。將這些電氣器具之具體例 在第7圖及第8圖。 第7(A)圖係顯示裝置，包含框體71〇1、 7102、顯示部7103、揚聲器部7104、視訊輸入端」 等。藉由將具有本發明之有機發光元件之發光裝置 在該顯示部7103而進行製作。此外，顯示裝置係 人電腦用、TV放送收訊用、廣告顯示用等之全部 不用裝置。 第7 ( B )圖係筆記簿型個人電腦，包含本體 框體7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠 指示滑鼠7206等。藉由將具有本發明之有機發光 發光裝置’使用在該顯示部7203而進行製作。 第7 ( C)圖係可攜式電腦，包含本體73 0 1 ' 7302、開關73 03、操作鍵73 04、紅外線埠73 05等 件之發 置所製 目鏡型 置（汽 、遊戲 、可攜 生裝置 該圖像 ，顯示 支持台 F 7105 ，使用 包含個 資訊顯 720 1 ' 7205 > 元件之 顯示部 。藉由 -37- 201215225 將具有本發明之有機發光元件之發光裝置，使用在該顯示 部73 02而進行製作。 第7(D)圖係具備記錄媒體之可攜式圖像再生裝置 (具備地說、DVD再生裝置），包含本體740 1、框體 7402、顯示部 A7403、顯示部B7404、記錄媒體（DVD 等）讀入部7405、操作鍵7406、揚聲器部7407等。顯示 部A7403係主要顯示圖像資訊，顯示部B7403係主要顯 示文字資訊，但是，藉由將具有本發明之有機發光元件之 發光裝置，使用在這些顯示部A、B而進行製作。此外， 在具備記錄媒體之圖像再生裝置，也包含家庭用遊戲機器 等。 第7(E)圖係護目鏡型顯示器（頂固定顯示器）， 包含本體7501、顯示部7502、臂件部7503。藉由將具有 本發明之有機發光元件之發光裝置，使用在該顯示部 7502而進行製作。 第7 ( F )圖係數位相機，包含本體7 60 1、顯示部 7602、框體 7603、外部連接埠 7604、遙控器收訊部 7605、受像部7606、蓄電池7607、聲音輸入部7608、操 作鍵760 9、接目部76 10等。藉由將具有本發明之有機發 光元件之發光裝置，使用在該顯示部7 602而進行製作。 在此，第7 ( G)圖係行動電話，包含本體770 1、框 體7702、顯示部7703 '聲音輸入部7704、聲音輸出部 7705、操作鍵7706、外部連接埠77 07、天線770 8等。藉 由將具有本發明之有機發光元件之發光裝置，使用在該顯 -38- 201215225 示部77 03而進行製作。此外，顯示部770 3係可以藉由在 黑色背景，來顯示白色文字而抑制行動電話之消耗電力》 第8(a)圖係雙面發光式筆記簿型PC，包含鍵盤部 801、顯示器部802等。該筆記簿型PC之特徵係正如第8 (b)圖所示，具有能夠進行對於表面之發光803和對於 背面之發光804兩者之方面。這個係例如藉由將在第6 (B)圖所示之本發明之雙面射出型構造之發光裝置來適 用於顯示器部802而達成。可以藉由成爲此種構造而正如 第8c圖所示，即使是關閉顯示器部8 02之狀態，也利用 對於背面之發光，來看到圖像等。此外，顯示器部開平方 向係正如藉由805所示。 正如以上，具有本發明之有機發光元件之發光裝置之 適用範圍係極爲寬廣，該發光裝置係可以適用在所有領域 之電氣器具。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明之有機發光元件之基本構造之 圖。 第2圖係顯示本發明之有機發光元件之發光機構之 圖。 第3圖係顯示本發明之有機發光元件之具體元件構造 之圖（實施例1〜3 )。 第4圖係顯示實施例1〜3之有機發光元件之發光光 譜之圖 -39- 201215225 第5圖係本發明之發光裝置之槪略圖（實施例4)。 第6圖係本發明之發光裝置之槪略圖（實施例5〜 6 ) 〇 第7圖係顯示使用本發明之發光裝置之電氣器具之例 子之圖（實施例7)。 第8圖係顯示使用本發明之發光裝置之電氣器具之例 子之圖（實施例7)。 第9圖係顯示習知之有機發光元件之基本構造之圖。 第10圖係顯示習知之有機發光元件之發光機構之 圖。 第11圖係顯示習知之有機發光元件之具體基本構造 之圖（比較例1 )。 第1 2圖係顯示比較例1之有機發光元件之發光光譜 之圖。 【主要元件符號說明】 d :厚度、距離 hvDl:第1摻雜物之發光 SD1 : —重激發狀態 TD1 :三重激發狀態 TD2 :三重激發狀態 1 0 1 :陽極 102 :陰極 1〇3 :電場發光層 -40- 201215225 1 1 1 :電洞輸送層 1 1 2 :電子輸送層 1 1 3 :第1發光區域 1 1 4 :第2發光區域 1 1 5 :界面 1 1 6 :層 1 2 1 :電洞輸送材料 122 :電子輸送材料 1 2 3 :第1摻雜物 1 2 4 :第2摻雜物 201: HOMO 準位 2 1 1 :型能量移動 2 1 2 :能量移動 3 0 1 :陽極 3 0 2 :陰極 3 0 3 :電場發光層 3 1 0 :電洞注入層 3 1 1 :電洞輸送層 3 12 :電子輸送層 3 1 3 :第1發光區域 3 1 4 :第2發光區域 3 1 6 :間隔層 317:第2電子輸送層 3 1 8 :電子注入層 -41 - 201215225 401 :藍色發光光譜 402 :綠色光譜 4 0 3 :紅色波峰 5 0 1 :驅動電路部（源極側驅動電路） 5 02 :像素部 5 03 :驅動電路部（閘極側驅動電路） 5 04 :密封基板 5 0 5 :密封劑 5 0 7 :內側 5 0 8 :連接配線 5 09 : FPC (軟性印刷電路） 5 1 0 :基板
511 :開關用TFT
5 12 :電流控制用TFT 5 1 3 :第1電極 5 1 4 :絕緣物 5 1 5 :電場發光層 5 1 6 :第2電極 5 1 7 :有機發光元件
5 2 3 ： η通道型TFT
5 24 ： p通道型TFT 6 0 1 :透明保護層 6 0 2 :第2密封劑 6 1 1 :著色層 -42- 201215225 612 :遮光層（BM ) 621 :發光方向 622 :發光方向 623 :發光方向 8 0 1 :鍵盤部 8 0 2 :顯示器部 803 :至表面之發光 804 :至背面之發光 8 05 :顯示器部開平方向 9 0 1 :陽極 902 :陰極 9 0 3 :電場發光層 9 1 1 :電洞輸送層 9 1 2 :電子輸送層 9 1 3 :第1發光區域 9 1 4 :第2發光區域 9 1 5 :界面 921 :電洞輸送材料 922:電子輸送材料 9 2 3 :第1摻雜物 9 2 4 :第2摻雜物 1 〇 1 1 :霍斯特型能量移動 7 1 0 1 :框體 7 102 :支持部 -43- 201215225 7 1 0 3 :顯示部 7 104 :揚聲器部 7 105 :視訊輸入端子 720 1 :本體 7202 :框體 7203 :顯示部 7204 :鍵盤 720 5 :外部連接埠 7 2 0 6 :指標鼠 7301 :本體 73 02 ：顯示部 7 3 0 3 :開關 73 04 :操作鍵 7 3 0 5 :紅外線埠 740 1 :本體 7402 :框體
7403 :顯示部A
7404 :顯示部B 7405 :記錄媒體（DVD等）讀入部 7406 :操作鍵 7407 :揚聲器部 75 0 1 :本體 75 02 :顯示部 7 5 0 3 :臂件部 -44- 201215225 7601 :本體 7 6 0 2 :顯示部 7603 :框體 7604 :外部連接埠 7605 :遙控器收訊部 7606 :受像部 7 6 0 7 :蓄電池 760 8 :聲音輸入部 7 6 0 9 :操作鍵 7 6 1 0 :接眼部 770 1 :本體 7702 :框體 7 7 0 3 :顯示部 7704 :聲音輸入部 7705 :聲音輸出部 7 7 0 6 :操作鍵 7 7 0 7 :外部連接埠 7 7 0 8 :天線 1 0 1 :陽極 1 02 :陰極 103 :電場發光層 1 1 1 :電洞輸送層 112 :電子輸送層 1 1 3 :第1發光區域 -45 201215225 1 1 4 :第2發光區域 1 1 5 :界面 1 1 6 :層 1 2 1 :電洞輸送材料 122 :電子輸送材料 1 2 3 :第1摻雜物 1 2 4 :第2摻雜物 -46

Claims (1)

  1. 201215225 七、申請專利範圍 1. 一種發光元件，將第1之主材料與螢光材 第1之區域、和第2之主材料與燐光材料所成第 域，設於陽極與陰極間之發光元件，其特徵係 前述第1之區域係位於從前述第2之區域離 置， 則述第1之主材料係與前述第2之主材料不同 2. —種發光兀件’將第1之主材料與螢光材 第1之區域 '和第2之主材料與燐光材料所成第 域’設於陽極與陰極間之發光元件，其特徵係 前述燐光材料之發光光譜之最大尖峰係位於較 光材料長之波長側， 則述第1之區域係位於從前述第2之區域離 置， 前述第1之主材料係與前述第2之主材料不同 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之發光元 中’前述第1之區域與前述第2之區域之間隔係 上3 0 nm以下 4·如申請專利範圍第1項或第2項之發光元 中’前述第1之區域之發光光譜係於4〇〇nm以上 以下之區域，至少具有一個尖峰。 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項之發光元 中’前述第1之區域之發光光譜係於4〇〇nm以上 以下之區域，至少具有二個尖峰。 料所成 2之區 開之位 料所成 2之區 前述螢 開之位 件，其 lnm以 件，其 5 0 0 nm 件，其 5 0 Onm -47- 201215225 6 如申請專利範圍第1項或第2項之發光 中’前述第2之區域之發光光譜係於5 60nm以 以下之區域，至少具有一個尖峰。 7. 如申請專利範園第1項或第2項之發光 中’前述第1之區域之發光光譜係於40 Onm以 以下之區域，至少具有一個尖峰，且，前述第2 發光光譜係於560nm以上700nm以下之區域， 一個尖峰。 8. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光 中’前述第1之區域之發光光譜係於400nm以 以下之區域，至少具有二個尖峰，且，前述第2 發光光譜係於560nm以上700nm以下之區域， —個尖峰。 9. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光 中，前述第1之區域之發光係含有準分子發光。 10. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光 中，前述第2之區域之發光係來自有機金屬錯 光。 11. 如申請專利範圍第9項之發光元件，其 有機金屬錯合物係以銥或白金爲中心金屬。 元件，其 上 700nm 元件，其 上 5 0 0 nm 之區域之 至少具有 元件，其 上 5 OOnm 之區域之 至少具有 元件，其 元件，其 合物之發 中，前述 -48-
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