TW201206964A

TW201206964A - Copolymerized (meth) acrylate polymer, photo-alignment film and phase difference film

Info

Publication number: TW201206964A
Application number: TW100126544A
Authority: TW
Inventors: Koki Tsubaki; Shigeki Awa; Takeshi Kobayashi; Takanori Matsuyama; Yoshihiro Kawatsuki
Original assignee: Osaka Organic Chemical Ind Ltd; Hyogo Prefecture
Priority date: 2010-07-28
Filing date: 2011-07-27
Publication date: 2012-02-16
Also published as: WO2012014915A1; JP5963903B2; KR20170120721A; JP5843772B2; KR101833572B1; TWI495648B; KR101861502B1; JPWO2012014915A1; KR20130096249A; JP2015172751A

Description

201206964 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物、光配向膜以及相位差膜；更加詳細地說，關於一種一併具備在末端具有羧基之侧鏈和在末端具有丙烯酸酯部分之側鏈之共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物、包含該共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物而組成之光配向膜用組成物、在由該組成物而組成之膜來產生液晶配向能之光配向膜、以及在該光配向膜上來配向液晶性化合物之相位差膜。【先前技術】在近年來，在顯示器（除了液晶顯示器以外，也包含可撓性顯示器等。）之領域’以各種之形式，來利用相位差膜（光學異方性膜）。像這樣相位差膜係在具有液晶配向：之膜（或者是基板）之上，塗佈液晶性化合物而進行 ^造’但是’肖來，作為在該膜（或者是基板）來賦予液曰曰配向靶之方法係知道呈化學或物理地處理其表面之方法。作為此種方法係知道例如沿著某一方向來藉由布等而摩擦破覆於基板表面之聚醯亞胺等之高分子樹脂膜之研磨處理’使用於液晶顯示裝置用配向膜等之形成。但是，在此種，法，由於微細塵埃之發生而造成之液晶製造生產線之’可染或者是由於靜電而造成之TFT (薄膜電晶體）元件 :破:展等係成為引起液晶面板製造製程之良品率降低之原或者疋有不容易進行定量之配向控制等之問題發生。 4 201206964 於是，提議各種之藉由光照射，來取代研磨處理，而賦予液晶配向:能之光配向膜（專利文獻卜”。特別是在文獻2 °己载.聚合在光反應性側鏈末端具有羧基之早體之光配向材料係顯示良好之光反應效^但是，此種光配向材料係成為原料之單體昂f，因此，有所謂不抑制製造成本:之問題發生。於是，在專利文獻3,記載：精由將前述單體之-部分來替換成為更加便宜之其他單體而解決前述問題之共聚合性聚合物。像這樣之其他單體係共通於末端騎縣之方面，不包含顯示光反應性之構造。一般而言’為了使用此種聚合物而製造相位差膜，因此’首先，聚合物溶解於溶媒，將此種溶液塗佈於基板上，進行乾燥，照射直線偏光等，配合需要而進行加轨，成為光配向膜。接著，冑由在該統向膜上，塗佈液晶性化合物，加溫這個，配向該液晶性化合物，並且，還在進行叭硬化之後’進行加熱，而提高配向性’成為相位差膜。在此種製程’作為最初溶解聚合物之溶媒係希望是毒性或環境負荷呈儘可能地變低者’但是’前述專利讀2及專利文獻3記載之合物係溶解性變差，有所謂不得不使用毒性或環境負荷比較高之溶媒之問題發生。此外，在塗佈於基板上之聚合物來照射直線偏光時之曝光量’在製造光配向膜之方面，具有最適當之範圍（最適當偏光曝光量。在本說明書，也僅稱為最適當曝光量。）另-方面，在超過某曝光量之時，也存在所謂惡化：之極限值（極限偏光曝光量。在本說明書’也僅稱為極限曝光 201206964 量。），因此，為了製造適當之光配向膜，因此必須適切地調整其曝光量。像這樣調整係藉由以照射偏光之機械，來調整其曝光強度及曝光時間，而進行調整，但是，在最適當曝光量之值變小（感光性變高）且和極限曝光量之差異變小時，有所謂進行這樣之調整係極為困難之問題發生。此外，在製造於光配向膜來配向液晶性化合物之相位差膜之際，必須在對於液晶性化合物來進行π硬化之後，加熱至超過200 C之高溫’但是，在像這樣加熱之過程前後，有所謂減少膜之雙折射率（耐熱性變低）之問題發生。【先前技術文獻】【專利文獻】【專利文獻1】日本特開平08 一 01 5681號【專利文獻2】日本特開2007—304215號【專利文獻3】日本特開2008 — 276149號【發明内容】【發明所欲解決之課題】在前述之背景’本發明係提供一種可以溶解於低毒性及低環境負荷之溶媒之共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物、包含該共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物而組成之光配向膜用組成物、在由該組成物而組成之膜來產生液晶配向能之光配向膜、以及在該光配向膜上來配向液晶性化合物之相位差膜’作為目的。 ⑧ 201206964 此外，本發明係提供一種可以在液晶膜之製膜流程、也就是膜之加熱（燒成）製程來抑制雙折射率之減少之（耐熱性變尚）共,聚合性（甲基）丙烯酸聚合物、包含該共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物而組成之光配向膜用組成物、在由該组成物而组成之膜來產生液晶配向能之光配向膜、以及在該光配i向膜上來配向液晶性化合物之相位差膜，作為目的。此外，本發明係提供一種使得照射於製造光配向膜時之偏光之最適當曝光量之值變得比較大（感光性變低）及 /或增大該最適當曝光量和極限曝光量之差值而使得曝光量之調節變得容易之共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物、包含該共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物而組成之光配向膜用組成物、在由該組成物而組成之膜來產生液晶配向能之光配向膜、以及在該光配向膜上來配向液晶性化合物之相位差膜，作為目的。【用以解決課渾之手段】本發明人們係全心地進行檢討，結果發現如果是使用一併具備在末端具有羧基之側鏈和在末端具有芳基丙烯酸西曰（最好是桂皮酸酯）部分之側鏈之新型之共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物的話，則可以解決前述之課題完成本發明。也就是碼，本發明係關於[丨]一種共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式（I): (I) 201206964

—Z—R2 係烷基或者是藉著由之基來取代之苯基， [在化學式中’R】係氫原子或甲基，r2 烷基、烷氧基、氰基和齒素原子而選出環A及環B係分別獨立地藉由：

L兵甲，X〜X之各個係分別獨立地成為氣原子、烧基1 氧基、_素原子或氰基。]所表示之基，Z係藉由-cmcoo -(反式體）或-n=n-所表示之基，M q係分別獨立地成為1〜12中之任何一種整數，m & n係在滿足〇.65$m m 〇· 〇5S 〇· 35、n==丄之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率。]所表示之重複單位： [2]—種共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式（I — A) ·· ⑧ 8 201206964

[在化子式巾，R係氫原子或子基，r2係烧基或者是藉著由烧基、規氧基、氰基和幽素原子而選出之基來取代之苯基， X X之各個係分別獨立地成為氫原子、烧基、烧氧基、鹵素原子或氰基，玉裒B係藉由： χ1Β χ2Β

係所表示之基，p 藉由(反式體）或—㈤及Q係分別獨也地成為卜係在滿足0 65< 中之的種整數’ m及η • 〇. 95 ' 〇 < η < η t , β 係之共聚物來“ ·〇5=Π=〇.35、，+η=1之關位；有之各單體之莫爾分率。]所表示之重複單甲基）丙烯酸聚合物係具有藉由通 [3]—種共聚合性式（I — a) . 1

/ · I 201206964

[在化學式中’ R1係氫原子或f基，R2係烧基或者是藉著由烷基烷氧基、氰基和齒素原子而選出之基來取代之苯基， X〜X之各個係分別獨立地成為氫原子、烷基、烷氧基、函素原子或氰基，環B係藉由：

[其中’ Χ1Β〜Π xm〜xm之各個係分別獨立地成為氫原子、院基、燒氧基、！|素原子或氰基。]所表示之基，p及 q係分別獨立地成為1〜12中之任何一種整數，m及n係在足〇.65^m$〇.95、〇.〇5$nS0.35、m+n=l 之關係之八聚物來佔有之各單體之莫爾分率。]所表示之重複單位； [4] —種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式（Ϊ — b): ⑧ 10 201206964

、μ于或甲基’R2係烷基或者是藉著由院基、烧氧基、:氰基和齒音豳素原子而選出之基來取代之苯基， X1A〜X4A及X3IB〜y ^ ^ ：各個係分別獨立地成為氫原子、烷基、烧氧基、鹵素原子或 ‘ X亂基P及q係分別獨立地成為1 〜1 2中之任何一種卷* ’m及n係在滿足〇.65SmS0.95、 0.05Sn各〇.35、m+n==1 —1之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率。1所矣_ 」所表不之重複單位； [5]種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物係具有藉式（I — c) : ^

:―R2 [在化學式中， (l-c 1係氫原子或甲基，R2係烷基或者是藉著由 11 201206964 烧基、烧氧基、氰基和鹵素®子而·s ^ 京原子而選出之基來取代之苯基，

XiA〜及χ1Β〜χ4Β之分调保刀別獨立地成為氫原子、烷基、炫氧基、鹵素原子或氰基，z 乳丞4係藉由一CH=CHC00_ (反式體）或一N=N —所表示夕意 „ 之基，P及q係分別獨立地成為i 〜12中之任何一種整數，^ 诉在滿足〇. 6 5 S m各0. 9 5、 O.OS^n^O.35' ni'hn—l ^ άε ^ 關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率。]所表示之重複單位； [6 ] —種光配向膜用組成物梅勹人二υ 1 1 取初係包含刖述[1 ]〜[5 ]中任一項所記載之共聚合性（甲基）丙稀酸聚合物而組成。 m-種光配向膜係在由前述[6]之光配向臈用組成物而組成之膜’照射具有異乃r生之先，並且，加熱這個而產生液晶配向能。 [8 ] —種相位差膜係尤& 左犋你在則述[7 ]之光配向膜上，配向液晶性化合物。【發明效果】剛述本發明之共聚合性（甲基）丙稀酸聚合物（I ) 係具有所謂可以溶解於成為低毒性及低環境負荷之溶媒之曱基乙基甲酮及/或環己酮及/或1-甲氧基-2-丙醇之良好特長。此外，甲其/fm 乙基甲酮和環己酮及1 一甲氧基_2 —丙醇係沸點分別轡彻i 。引雯低為大約80〇C、大約155°C、大約120 C ’因此，像這樣於县俅％疋具有所謂用以餾除溶媒之乾燥製程變得容易之優點。或者疋本發明之聚合物係如果是使用這個來作為配向 12 ⑧ 201206964 膜並且還配向:液晶性化合物而製作相位差膜的話，則具有

I 所謂能夠抑制在該相位差膜之製膜流程之加熱製程之膜之雙折射率之減:少（也就是提高膜之耐熱性）及/或使得照射於製造光配向膜時之偏光之最適當曝光量之值變得比較大及/或增大該最適當曝光量和極限曝光量之差值（也就是曝光量之調節變得容易）之良好特長。【實施方式】【用以實施發明之形態】在本發明之聚合物（1 )，在以下，顯示理想之具體例。一種共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式（J -A)：

[在化學式中，記號係具有相同於前面敘述之意義。]所表 I · 示之重複單饭。. 一種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式 (I -B): 13 201206964

十 (l-B) [在化學式中，R1係氫原子或f基，以系烧基或者是藉著由烧基院氧基氛基和南素原子而選出之基來取代之苯基，環A及環B係分別獨立地藉由：

Rl^o- (CH2)p R1 /(CH2)q

^其中，X〜X38之各個係分別獨立地成為氫原子、炫基、貌氧基齒素原子或氰基。]所表示之基，ρ及q係分別獨立成 12令之任何—種整數，m及η係在滿足〇. 65 ^ m —。〇· 0· 35、m+η= 1之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率。]所表示之重複單位。一種共聚合，、-

、^暴）丙烯酸聚合物係具有藉由通式（I -a ) ·· 14 201206964

[在化學式中，：記號係具有相同於前面敘述之意義。]所表示之重複單位。一種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物係具有藉由通式 (I - b)：

.0H m 0 X1A X2*

Rl p 一 [ χ4Α (丨一 b) * I ，

χ38Β \37B χ36Β 'χ35Β

0#

： χ31Β V32B 1 (CH2) q —0 [在化學式中，記號係具有相同於前面敘述之意義。]所表示之重複單位。通式（I — c): 15 201206964

[在化學式中’記號係具有相同於前面欽述之意義。] 在本發明之通式（I )(包含通式（I —A)及（j — B)以及通式（I—a)〜（I—c)。在以下相同。），作為R1係最好是曱基。作為R2係最好是烷基或者是藉著由烧基、燒氧基、氰基和齒素原子而選出之1個基來取代之苯基’其中’最好是烧基或者是藉由氰基而取代之苯基，並且最佳理想疋烧基。作為R之其他之理想例係列舉烧基或者是藉由烷氧基或氰基而取代之苯基，其中，最好是炫基或者是藉由烷氧基而取代之苯基。作為R2之其他之理想例係列舉藉由烷氧基或氰基而取代之苯基，其中，更加理想是藉由烷氧基而取代之苯基。R2之其他之理想例係烷基。作為X1〜X38係皆最好是氫原子或鹵素原子。作為p及 q係皆最好是3〜9中之任何一種整數，其中，最好是5〜7 中之任何一種整數，最佳理想是6。就m而言，最好是大力〇· 75各m S大約〇. 85之範圍，最佳理想是大約〇. 8。對應之η之理想範圍係自然由m + n = j來決定之範圍。也就疋說，最好是大約〇· 15 g 大約〇. 25之範圍，最佳理想 ⑧ 201206964 是大約0. 2。在本發明之通式（工），作為m、最好是氯原子或齒素原子，特別最好是xia〜x“之其中任何—種為齒素原子而其他為氫原子之狀態，甚至最佳理想是全部為氯原子之狀態。此外，作為X-〜X-係最好是氣原子或齒素原子，最佳理想是全部為氫原子之狀態。作為R2之嫁基或R2之苯基之取代基之貌基係列舉碳數 1〜12之烷基，其中，最好是列舉碳數丨〜6、更加理想是碳數1〜4、最隹理想是甲基。作為R2之苯基之取代基:烧氧基係列舉碳數1〜12之烷氧基’其中，最好是列舉碳數 1〜6、更加理想是碳數！〜4、最佳理想是甲氧基。作為f 之苯基之取代墓之函素原子係列舉氟原子、氯原子、溴原子、蛾原子’其中，最好是氟原子。在χ，〜χ38，作為院基係列舉碳數1〜4 ’其中’最佳理想是甲基’作為燒氧基係列舉碳數卜彳’其中，最佳理想是甲氧基，作為齒素原子係列舉氟原子、氣原子、溴戌原于、碘原子，其中，最好氟·原子。此外，在本.說明書，xu〜x38A係就成為環Α或環Β上之取代基之r〜π而言，表示這些成為環八上態，χΐΒ〜表示這此土之狀衣丁、一成為％ B上之取代基之狀態。因此，關於X〜X之說明係即使是直接地對於 x38B，也可以適用。人及X〜本發月之聚σ物（1)係可以藉由無溶媒或溶媒中混合藉由通式（π ): 17 201206964 0 〇Μ <^A〇^(CH2) ρ -ο—(^α)— 4〇 (ΙΙ) R1 [在化學式中，記號係具有相同於前面敘述之意義。] 所表示之（曱基）丙烯酸單體（Ml)之規定量以及藉由通式（m ): 叫)q —0一^b)-Z—R2 (111) [在化學式中，記號係具有相同於前面敘述之意義。]所表示之（甲基）丙烯酸單體（M2)之規定量’進行聚合而製造。聚合係可以使用光或熱而實施。在聚合製程，裝入材料或溶媒等之方法係並無特別限定，可以在聚合前而預先投入全材料至反應容器之後，開始進行聚合，並且，也可以在混合Μ1和M2之後，就此種混合物或溶媒等之一部分而開始進行聚合之後，藉由滴下或分割投入等之方法而呈階段性地追加殘留部。此外，在Ml和M2之聚合之際，雖然並非必要，但是，也可以含有其他之單體，此種單體係只要是具有聚合性之乙稀性不飽和鍵之化合物，則在這個以外之方面，並無特別限定，可以不具有液晶性。作為此種單體係列舉例如甲基（甲基）丙烯酸醋、t 土（甲基）丙婦酸g旨、硬脂酿（甲基）丙稀酸醋、環 18 ⑧ 201206964 己基（甲基丙烯酸醋、乙氧基乙基（甲基）.丙稀酸醋、羥基乙基（甲庫）丙烯酸酯、苯基（甲基）丙烯酸酯、N，N —二甲基丙烯:醯胺等之（甲基）丙烯單體、苯乙烯、α — 甲基笨乙烯、：ρ —苯乙烯磺酸、乙基乙烯基醚、ν一乙烯基咪唑、乙烯基乙酸酯、乙烯基吡啶、2—乙稀基萘、氯乙烯、氟化乙稀、乙烯基㈣、乙縣胺、乙稀基苯酿、Ν_ 乙烯基一 2—嚀咯烷酮等之乙烯基系單體、4—烯丙基— I? —一甲氧基苯、4一烯丙基苯酚、4一曱氧基烯丙基苯等之烯丙基系單體、苯基馬來酸酐縮亞胺、環已基馬來酸酐縮亞胺等之馬來叙酐縮亞胺類。可X在/今液中而進行聚合之狀態下，無特別限定地使之有機;斧媒。作為溶媒之具體例係列舉乙醇、丙醇、 :醇等之醇系澪媒、丙酮、甲基乙基甲酮、甲基異丁基酮、壤^酮、環戊料之㈣溶媒、乙酸乙醋、丁基乙酸醋、丙-醇早甲基躂乙酸酯等之酯系溶媒、二乙基醚、二甘醇 :甲：等之醚系溶媒、己烷、環己烷、甲基環己烷、甲苯、甲本等之垣系溶媒、乙猜等之猜系溶媒、Μ—甲基口比略燒、一甲一土乙醯胺等之醯胺系溶媒等。這些溶媒係可以獨地使^何#，也可以—併使用2種以上。係在則述聚合之際’可以使用聚合起始劑。聚合起始劑 :、二是-般像用者’作為具體例係列舉偶氮二氮丁腈 V Λ 1 〇Ν ) ^ 二 7 真—9 9， _ _ 。年一 —偶氮異丁酸酯（V_ 601 )、2, 2，偶广二甲基戊腈）、二甲基偶氮甲基丙酸醋等之 5起始:劑、過氧化苯醯、過氧化氫、過氧化月桂 19 201206964 等過氧化物系聚合起始劑、過硫酸鉀、過硫酸銨等之過硫酸鹽系聚合起始劑等。這些聚合起始劑係可以單獨地使用任何-種’並且，也可以併用2種以上。前述聚合時之溫度係由於成為單體之M1及M2之種類、聚合溶媒種類、起始劑種類等而不同，但是，最好是 40〜150°C，更加理想是50〜120。(：之範圍。像這樣得到之本發明之聚合物⑴錄了光聚合起始齊J界面活性劑、溶媒等之以外，還可以適度地添加通常包含於藉由光及熱而發生聚合之聚合性組成物之成分，成為光配向膜用組成物。這些任意成分之含有量係並無特別限定，但是，通常最好是相對於聚合物（1 )之總重量而包含光聚合起始劑大約1〜大約1 〇重量％、界面活性劑大約0. 1〜大約5重量％、溶媒大約7 〇〜大約9 9重量％。作為光聚合起始劑係為了藉由少量之光照射而形成均勻膜，因此，皆也可以使用一般知道之泛用之光聚合劑。作為具體例係列舉例如2, 2’ 一偶氮二氮丁腈、2, 2’ 一偶氮（2, 4 —二曱基戊腈）等之偶氮腈系光聚合起始劑、

Irgacure 907 ( Ciba Specialty Chemicals 公司製）、 Irgacure 369 ( Ciba Specialty Chemicals 公司製）等之 α —胺基酮系光聚合起始劑、4_笨氧基二氯乙醯苯、4_t —丁基一一氣乙酿本、一乙氧基乙酿苯、1— (4_異丙基苯基）一2 —羥基一 2 —曱基丙烷—1—酮、1—羥基環己基苯基酮、2—苄基一 2 —二甲基胺基—1 一（4 一嗎啉苯基）一丁烷_1一酮等之乙醯苯系光聚合起始劑、苯偶因、苯偶 ⑧ 201206964 因曱基醚、苯1偶因乙基醚、苯偶因異丙基醚、苄基二甲基

I 酿1縮醇等之苯:偶因系光聚合起始劑、二苯曱g同、笨醯安息香酸、笨醯安息香酸曱酯、4 —笨基二苯曱酮、羥基二笨曱酮、丙烯化二苯甲酮、4 一苯醯一4’ _甲基二苯基硫化物專之一本曱酿I.系光聚合起始劑、2 —氯代嗟嘲嗣、2 —甲基噻嘲酮、異丙基噻噸酮、2,4 —二異丙基噻噸酮等之噻噸酿j 系光聚合起始劑、2, 4, 6—三氯一s —三嗪、2 —苯基一 4, 6 —雙（三氯甲基）一s—三嗪、2— (p—曱氧基苯基）—4,6 —雙（三氣甲秦）一s—三嗪、2— (p—曱苯基）—4,6 — 雙（二氣甲基）~s —三喚、2 —胡椒基一4,6 —雙（三氯甲基）一s—三嗪、2, 4—雙（三氣甲基）一6—苯乙烯基—s —二嗪、2—(:萘并一 i_醯）—4,6 —雙（三氯甲基）—s —三嗪、2—（.4—甲氧基一萘并—1_醯）_4,6_雙（三氯甲基）—s_三嗪、2, 4 —三氣曱基一（胡椒基）_6 —三嗪、2’4 —三氯甲基（4’ 一曱氧基苯乙烯基）—6_三嗪等之二嗪系光聚舍起始劑、咔唑系光聚合起始劑、咪唑系光聚合起始劑等，：並且，還列舉^ —醯氧基酯、醯基膦氧化物、甲基苯基D醛酸酯、苯偶醯、9,丨〇 —菲醌、樟腦醌、乙基蒽醌、4,4，：—二乙基異酞酚酮、3,3，，4,4，一四（t 一丁基過氧化羰基）二苯甲酮、4,4， _二乙基胺基二苯甲酮、噻噸酮等之光聚合起始劑。光聚合起始劑係可以單獨地使用任何一獪’並且，也可以一併使用2種以上。作為界面活性劑係皆也可以使用一般採用在用以形成 "二、之界面，舌性劑。作為具體例係列舉例如月桂硫酸蘇 21 201206964 打、月桂硫酸敍、月桂硫酸三乙醇胺、聚氧化乙稀烧㈣硫酸鹽、烷基醚磷酸酯、鈉油烯基琥珀酸酯、肉豆蔻酸鉀、椰子油脂肪酸鉀、鈉月桂基肌氨酸酯等之陰離子性界面活性劑；聚乙烯乙二醇單月桂酸酯、硬脂酸山梨糖醇肝、肉豆蔻酸甘油酯、二油酸甘油酯、山梨糖醇酐硬脂酸酯、山梨糖醇酐油酸酯等之非離子性界面活性劑；硬脂醯三甲基銨氣化物、氯化山蓊基三甲基銨、氣化硬脂醯二甲基节基銨、鯨蠟基三甲基銨氣化物等之陽離子性界面活性劑丨月桂基甜菜鹼、烷基磺基甜菜鹼、椰子醯胺丙基甜菜鹼、烷基二甲基胺基乙酸甜菜鹼等之烷基甜菜鹼、烷基咪唑啉、月桂醯肌氨酸鈉、椰油醯兩性基乙酸鈉等之兩性界面活性劑，並且，還列舉 BYK ~ 361、BYK — 306、βγκ — 307 (byk-chemie 日本公司製）、Flu〇rad FC43〇 (住友 3M 公司製）、MEGAFACE F17卜R〇8(大日本油墨化學工業公司製）等之界面活性劑。這些界面活性劑係可以單獨地使用任何一種’並且’也可以併用2種以上。作為溶媒係列舉曱苯、乙基苯、乙二醇單甲基醚、乙二醇二甲基醚、丙二醇甲基醚、二丁基醚、丙酮、甲基乙基甲酮、乙醇、丙醇、環己烷、環戊酮、甲基環己烷、四氫化呋喃、二噁烷、環己酮、n 一己烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、曱氧基丁基乙酸酯、Ν —甲基吡咯烷酮、二甲基乙醯胺等，但是，其中，由毒性或環境負荷之觀點及/或對於樹脂基材（例如聚乙烯對笨二曱酸醋 (PET )、環烯烴聚合物（c〇p )等）之耐溶解性之觀點來 22 201206964 看的話，則最好是甲基乙基甲綱、環己單獨地使用任何-種，也可以併用2種以上二也了以明之聚合物（I )係罝右特別是本發 ^係具有所谓也溶解於甲己酮、1—甲氧美— 土基甲酮、環乳基一2 —丙醇之良好特長。可以藉由像這樣得到之本發汾佈於美M h 發月之先配向膜用組成物’ 土布、基材，在餾除溶媒來成為膜有異方性之光，並且，加…/臈’照射具光配向膜。液曰曰配向能而成為作為光配向膜用組成物之塗佈方法係域一般習知之任何一種方本^七乂使用在該領種方法，例如有旋轉塗佈法、桿條塗法、模塗佈法、網版印刷法、喷射塗佈法等。藉由在组成物之塗佈後，進行乾燥，錄溶劑，而形成組成物之層 —製程係可以是在該領域通常使用之任何一種方法，以 -定之形t ’來對於樹脂層，進行固定化，進行至成膜為止。 7 作為可以使用之基材係列舉例如驗玻璃、無鹼玻璃等之玻璃基材、翠醯亞胺、聚醯胺、丙烯樹脂、^乙烯醇、 t乙醯基纖維素、聚乙烯對苯二甲酸醋、環烯烴聚合物、烯聚石反酸酯、聚苯乙稀、聚三氟化氯化乙稀等之樹曰基材、鐵、鋁、銅等之金屬基材等，更加理想是玻璃美材0 作為具有異方性之光係除了直線偏光以外，還列舉例 4刀偏光等。，在此，所謂直線偏光係包含電場（或磁場）之振動方向之面來特定於一個之光，所謂部分偏光係指在 23 201206964 特疋方向之電場（或磁場）之振動強度更加強於其他方向。 f線偏光係可以在來自光源之光’使用偏光攄波器或偏光堯鏡。部分偏光係可以使用部分偏光遽波器而得到。在本發明’如果是具有異方性之光的話，則皆可以使用，但是，為了效率良好地進行光配向，因此，最好是使用直線偏光。照射之光係如果是紅外線、可見光線、紫外線（近紫外線、遠紫外線等）、x射線、電荷粒子線（例如電子線等）等之可以藉由照射而產生化學反應之照射線的話則並無特別限定，但是，通常大多是照射線具有2〇〇nm〜5〇〇⑽之波長之狀態’由有效地產生光交聯之方面來看的話，則最好是350nm至45〇nm之近紫外線。作為光源係列舉例如氙燈、尚壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬齒化物燈等。由此種光源而得到之紫外線光或可見光係可以使用干涉滤波器或顏色濾波Is等而限制照射之波長範圍。照射能（最適當曝光量）係配合聚合物（I )之種類而不同，但是，通常為大約 5mJ/cm2〜50mJ/cm20 此外，在照射偏光之際，如果是使用光罩的話，則可以在光配向膜，在2個以上之不同方向，£圖案狀地產生液晶配向能。具體地說，可以藉由在塗佈·乾燥本發明之光配向膜用組成物之後’在其上面’覆蓋光罩照射具有異方性之光，僅在曝光部分，賦予液晶配向能，配合需要來改變方向，對於這個，重複地進行複數次，而在複數個方向，呈圖案狀地產生液晶配向能。在前述光照射之後而施行加熱時，進行加熱聚合，得 24 201206964 2對於光、熱等呈更加高之财久性之光配向臈，因此，變得理想。加熱:溫度係如果是充分地進行聚合的話，則並無特別限制，但是，一般為80〜250t程度，最好是1〇〇〜2〇〇 °C程度’更加_想是12〇〜17Gt程度。可以在進行加熱聚合之狀態下’於組成物中，添加一般使用之聚合起始劑，並且’也可以不添加。#由前面之敘述而形成之光配向膜之膜厚係最好是大約10〜大約5〇〇nm，更加理想是大約⑽ 〜大約500:甚至最好是大約⑽〜大約2。。咖之範圍。藉由在前面敘述來得刭 , 于到之先配向膜上，塗佈液晶性化成相位差膜。： m’進行加熱燒成，而形作為液晶性化合物係石，血丄官能液……在分子中具有聚合性基之多性氧雜環丁炫化合物。ΓΓ、液晶性環氧化合物、液晶丙稀酸醋。、中，最好是多官能液晶性（甲基〕作為多官能液晶性Γ田社、下列之化學式〜（:基）"稀酸8旨係列舉例如藉由 ; v W)所表示之化合物等。 M+H2cfn〇^J?_〇X〇 0 0—11

O + CHj — O Μ r αν) [在化學式中，n係 Η R 0+H2cj^p,

1 8之整數’ R係氫原子或曱基 _ Ο I [在化學式中，n係

-o-j- CH， (V) 18之整數’ R係氫原子或甲 25 201206964 係氫原子、_素原子或碳數1〜8之烷基 Η 如耐η〇_〇ι0_^0_ 〇

〇-4ch9 Μ

R

Cvi) [在化學式中，n传i〜】只夕敕杳 … 们18之絲，R係氫原子或甲基，2 係氫原子、鹵素原子或碳數1〜8之烷基。] 作為液晶性環氧化合物係列舉例如藉由下列之化 (W)所表示之化合物等。

OCO OCO

+H2Ct I (在化學式中，n係表示 -co~〇. 整數 20之整數，m係表示2〜15 之作為液晶性氧雜環丁院化合物係列舉例如藉由下列之化學式（νιπ)所表示之化合物等。

+2士~〇~Λσ_〇_^〇· V叶_) [在化學式中，“系卜18之整數，2係氫原子、齒素原子或碳數1〜8之烷基。] 在塗佈。液aa !·生化合物之後，作為加溫時之溫度係通常為5〇〜1〇〇t程度，最好是60〜90°C程度，更加理想是65 〜85°C程度。 —UV光之照射係可以相同在對於前述之光配向膜之照射而實施。加熱燒成係、也可以藉由常法而實施，其溫度係通 ⑧ 26 201206964 常為150〜300 C程度，最好是2〇〇〜 25〇c>c程度，更加理想疋210〜230 C程度。加熱燒成時間係〇· 5〜3小時程度，最好是〇. 6〜$小時程度，最佳理想是0.6〜1.5小時程度。就像廷樣得到之本發明之相位差膜而言，其膜厚係配合用途等而不同，但是，一般最好是0.1〜20.0# m之範圍’更加理想是1.0〜5〇//11]之範圍。本說明書之通式（I )係呈示意地表示以ra : η之莫爾數比’來包含成為原料單體之M1和M2，Ml和M2係也不一定交互地結合而構成共聚物。因此，通式（j )係也包含以m: η之莫爾數比來聚合M1和M2之共聚物、例如交互型、無規型、接枝型等之任何一種。此外，在通式（丨），繫接單體間之虛錶係通常為單鍵手，但是，可以在Ml和Μ 之聚合時’也在含有其他單體之狀態下，此種單體係放入至該虛線部分而存在。在以下，列舉實施例而具體地說明本發明，但是，本發明係原本就不限定於下列之實施例。 I共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物之合成 [實施例1 ]

27 201206964 聚[l-[6-[4— [4-[(E) - 2-甲氧基羰基乙烯基]苯氧基羰基]笨氧基]己基氧化羰基]—1 一曱基乙烯一C0— 1 — [6 _[ 4 ~緩基苯氧基]己基氧化羰基]—1 一甲基乙烯] ^ M1 M2= 90 : 10)(聚合物 1 ) 4一 [6 —（2 —甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸 4— [(E) — 2—甲氧基羰基乙烯基]苯基酯5g(11毫莫爾）、 4— [6~(2 —甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸296g (96毫莫爾）及2,2，—偶氮基一雙一異丁腈0.35g(2.1 毫莫爾），溶解於環己酮丨96g。在該溶液，進行】小時之氮通氣。接著’加熱至8〇1在丨〇小時後，冷卻反應液，滴下至正己院346g。遽激烈地進行搜拌，並且，在室溫，取分離之聚合物，在減壓下，藉由在50°C之乾燥而得到26g 之聚合物1。 <重量平均分子量（⑽）之測定> 測定在前面敘述來得到 °得到之重量平均分子使用凝膠過濾色譜法（Gpc )，之聚合物之重量平均分子量（MW) 量（MW)係 30700。 <酸價之測定> 測定方法係正如以下。也就是說， ’在lOOmL之三角燒航，

物，均勻地溶解於前述之溶液， 1=11 °精秤大約1. 5g之聚合進行攪拌，藉由0. lmol/ 28 201206964 L -之氫氧化納:水溶液而進行滴定秒鐘之時間點'’作為滴定終點。以微紅色不消失大約-30 按照下列:之公式而算出酸價。酸價=(0.1xfxAx56.1/B) A :滴定暈（mL) (C/100) f :氫氧化鈉水溶液之驗價 I β:聚合物組成物量（g) 之溶液量） t含聚合物之滴定結束後 C :聚合物濃度 100)

(聚5物量/聚合物組成物量X 在蝻面敘述來得到之聚人物 , 眾σ物之酸價係156mgKOH/g。〈相轉移溫度之測定> ^使用示ί掃描熱量測〇咖）而敎藉由前面钦述 I,合物之相轉移溫度時，成為16。〜職。 L貫施例2 ]

聚[1- [6-[4~; 基隸基]苯氧基] [4—[(E) —2—甲氧基羰基乙烯基]苯氧己基氧化羰基]一1一甲基乙烯—CO—1 — 29 201206964 [6 — [4 —羧基苯氧基]己基氧化羰基]一 1 一甲基乙稀] (Ml : M2= 80 : 20 )(聚合物 2) 除了 4— [6— (2 —甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸4一 [(E) — 2—甲氧基羰基乙烯基]苯基酯之使用量為8g (17毫莫爾），4一 [6— (2 —甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸之使用量為21g (69毫莫爾），2,2，一偶氮基一雙一異丁腈之使用量為〇.28g(1.7毫莫爾），環己酮之使用量為11 6g以外’其餘係相同於實施例1而進行處理，得到24g之聚合物2。得到之聚合物係具有重量平均分子量（腳）：31700、酸價：130mgKOH/g、相轉移溫度：148〜173eC。 [實施例3 ]

聚[1 一 [6 — [4—[4— [ (E) — 2—曱氧基羰基乙烯基]苯氧基羰基]苯氧基]己基氧化羰基]一 1—甲基乙稀一 C〇_i — [6-[4_羧基苯氧基]己基氧化羰基]_ι_甲基乙烯] (Ml : M2=70: 30)(聚合物 3) ⑧ 30 201206964 除了 4— [6— (2—甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸4一 [ (E) ~2—甲氧基羰基乙烯基]苯基酯之使用量為10g(21毫莫爾），4-[6— (2—甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸之使用量為15.3g(50毫莫爾），2 2’ 一偶氮基一雙一異丁腈之使用量為0.23g (1.4毫莫爾），環己酮之使用量為101. 2g ’並且，正己烷之使用量為253g 以外，其餘係相同於實施例1而進行處理，得到2 4 g之聚合物3。得到之聚合物係具有重量平均分子量（) : 3 330 0、酸價：110mgKOH/g、相轉移溫度：155〜166t。 [實施例4]

聚[1— [6— [4— [4— [(E) —2 —曱氧基羰基乙烯基]笨氧基Μ基]苯氧基]己基氧化羰基]一 1—曱基乙烯—co_l一 [6—[3~氟一 4 —羧基苯氧基]己基氧化羰基]—1—曱基乙烯](Ml : M2= 81 : 19)(聚合物 4) 使用4— [6— (2 —曱基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸4一 [(E) —2—曱氧基羰基乙烯基]苯基酯2g (4 31 201206964 毫莫爾）、2—氟, 〇 « .

[6~ (2 —甲基丙稀醯基氧化）己基氧化]安息香酸5. 6g ( ! 7发# m。 ^ 17毫莫爾）、2,2’ _偶氮基一雙_ 異丁腈0. llg( 0. 6毫苴5B、该j 宅冥爾）、裱己酮116g以及正己烷76g，相同於實施例1而進行處理，得到5g之聚合物4。得到之聚口物係具有重量平均分子量（MW) :48200、酸價：132mgK〇H/g、相轉移溫度：85〜l2(rc。 [實施例5 ]

聚[1— [6— [4— [ (E) — 2— [4 —氰基一苯氧基]羰基乙烯基]苯氧基]己基氧化羰基]_1一甲基乙烯—CO—i—M — 緩基苯氧基]己基氧化羰基]—ι_甲基乙烯](M1 : M2 =80 : 20)(聚合物 5) 除了使用4— [6—(2 —曱基丙烯酿基氧化）己基氧化] (E)—桂皮酸4 —氰基苯基酯l〇g(23毫莫爾）、4一 [6- ( 2—甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸28g ( 92 毫莫爾），2,2，一偶氮基一雙一異丁腈之使用量為〇.38g (2. 3毫莫爾），環己酮之使用量為153g以外，其餘係相 ⑧ 201206964 同於實施例1而進行處理，得到22g之聚合物5。得到之聚合物係具有重量平均分子量（MW) : 24800、酸價：135mgK0H/ g、相轉移溫度：1〜18〇〇c。 [比較例1] ‘ 聚[1— [6 — [4 — [(E) _2_羥基羰基乙烯基]苯氧基]己基氧化幾基]—1—甲基乙烯](聚合物6) 除了使用4— [6— ( 2~曱基丙烯醯基氧化）己基氧化] —(E)—桂皮酸20g (23毫莫爾），22，—偶氮基—雙 —異丁腈之使用量為〇.2g(i.2毫莫爾），環己酮之使用量為80g以外’其餘係相同於實施例1而進行處理，得到 17g之聚合物6。得到之聚合物係具有重量平均分子量（㈣）：35〇〇〇、酸價：169mgK0H/g、相轉移溫度：162〜197。(：。 [比較例2] 聚[1—[6—[4—[(£) —2 —羥基羰基乙烯基]笨氧基]己基氧化羰基]—1 一曱基乙烯—⑶一；!—^ 一 [4 —羧基苯氧基] 己基氧化羰基]—1—曱基乙烯](聚合物7) 除了使用4一 [6— (2—曱基丙烯醯基氧化）己基氧化] (E)—桂皮酸i〇g(3〇毫莫爾）和4— [6— (2 —曱基丙烯酿基氧化）己基氧化]安息香酸37g(12()毫莫爾）， 2’2’ 偶氮基一雙一異丁腈之使用量為〇5g(3.〇毫莫爾）’環己酮之使用量為187g以外，其餘係相同於實施例 1而進行處理，得到40g之聚合物7。得到之聚合物係具有重量平均分子量（Mw) :31〇〇〇、 33 201206964 酸價：178mgK0H/g、相轉移溫度：155〜182°C。 [實施例6]

聚[1-[6-[4-[(Ε) —2—[4 -甲氧基苯氧基]幾基乙烯基]本氧基]己基乳化幾基]—1—甲基乙稀一 C0 — 1 — [ 6 — [4 —羧基苯氧基]己基氧化羰基]—1 一甲基乙烯](M1 : M2 =80 : 20 )(聚合物 8) 除了使用4一 [6— (2—甲基丙烯醯基氧化）己基氧化] —(E)-桂皮酸4 —曱氧基苯基酯10_ 〇g ( 23毫莫爾）、 4 — [6 —( 2 —甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸27. 9g (91毫莫爾），2,2’ 一偶氮基一雙—異丁腈之使用量為〇.5g ( 3毫莫爾），環己酮之使用量為152g以外，其餘係相同於實施例1而進行處理，得到25g之聚合物8。得到之聚合物係具有重量平均分子量:46〇〇〇、 146〇C。酸價.135mgKOH/g、相轉移溫度：7〇 [實施例7] 34 ⑧ 201206964 R1

(Τ

C00H

Γ OMe 聚[1 [6 [4 [4 —甲氧基苯基偶氮基]苯氧基]己基氧化碳基]—1 一甲基乙烯—一羧基苯氧基]己基氧化幾基]_1一甲基乙稀](Ml : M2= 80 : 20 )(聚合物9) 除了使用1— (4—甲氧基苯基偶氮基）_4_[6— (2 —曱基丙烯醯基氧化）己基氧化]苯10. 0g( 25毫莫爾）、 4一 [6 —(2—甲基丙烯醯基氧化）己基氧化]安息香酸3〇, k (100毫莫爾）’2’2’ -偶氮基-雙—異丁腈之使用量為

Ug ( 3毫莫爾），環己酮之使用量為mg以外，其餘係相同於實施例1而進行處理，得到33g之聚合物9。得到之聚合物係具有重量平均分子量（MW) : 48000、酸4貝.138mgK0H/g、相轉移溫度：72〜148〇c。 2·光配向膜用組成物之調製分別在環己酮，α 5重量％ <濃度，來溶解聚合物工〜9而成為光配向膜用組成物1〜9。 3.光配向膜之製造、在玻璃基板上，使用旋轉塗佈器，塗佈光配向膜用組成物1而成為大約1 〇〇nm之厚度。然後，在8〇艽進行乾燥， 35 201206964 接著，照射40mJ/Cm2之直線偏光uv光線。接著，在.15〇 °C，進行10分鐘之加熱處理，激發配向而製作光配向膜卜除了使用光配向膜用組成物2,直線偏光…光線之照射量為30mJ/Cm2’然後之加熱處理溫度為14〇。〇以外其餘係相同於光配向冑1之製造而進行處理，製作光配向膜 2。曰除了使用光配向膜用組成物3，直線偏光㈣光線之照射量為20mJ/cm2 ’然後之加熱處理溫度為14〇艽以外，其餘係相同於光配向m i之製造而進行處理，製作光配向膜 3 〇除了使用光配向膜用組成物4，直線偏光⑽光線之照射量為3〇mJ//cm2’然後之加熱處理溫度$ 11〇乞以外其餘係相同於光配向m i之製造而進行處理，製作光配向膜 4 〇除了使用光配向膜用組成物5，直線偏光ϋν光線之照射量為5mJ/cm ’，然後之加熱處理溫度為14『c以外其餘係相同於光配向们之製造而進行處理，製作光配向膜在玻璃基板上，使用旋轉塗佈器，塗佈光配向膜用彳 =物6而成為大約⑽nm之厚度。然後，在12代進行$ 餘’。接著，照射5mJ//cm2之直線偏光訂光線。接著，— 16〇ec ’進行i。分鐘之加熱處理，激發配骐6。除了使用光配向膜用組成物7，直線偏光uv光線之月 ⑧ 36 201206964 射里為1 5m J/ cm，然後之加熱處理溫度為^ 5〇艺以外，其餘係相同於光配向膜6之製造而進行處理，製作光配向膜 7。除了使用光配向膜用組成物8，直線偏光uv光線之照射量為20mJ/ cm，然後之加熱處理溫度為13〇(>c以外其餘係相同於光配向膜1之製造而進行處理，製作光配向膜 8 〇日除了使用光配向膜用組成物9,直線偏光…光線之照射置為10mJ/cm2 ’然後之加熱處理溫度為13(rc以外，其餘係相同於光配向膜1之製造而進行處理，製作光配向膜 9 〇 4.相位差膜之製造藉由以下列之化學式（Vl-a)所表示之二官能液晶性丙烯酸酯： W5 〇 '。鄉_0_L。谷啊。〆，） U 重量％、光聚合起始劑（Irgacure9〇7、CibaSpeciaity

Chenucals公司製）！重量％和丙二醇單甲基醚乙酸酯別重量％而調製相位差膜用組成物。在光配向膜1之上，使用旋轉塗佈器，塗佈調製之相位差膜用組成物而成為大約2 // m之厚度。然後，在7〇它，行配向’接著，照射1G㈤/em2之無偏光uv光線。接者’在2301 ’進行1小時之加熱燒成，製作相位差膜丄。同樣地，在光配向膜2〜9之上，分別製作相位差膜2 37 201206964 〜9。 5.性能評價 <聚合物之溶解性> 藉由目視而評價對於聚合物1〜7之1、5、1 0、20% 之各種溶劑之溶解性，記錄完全溶解者成為〇，有溶解殘留者成為△，無溶解者成為X。將結果顯示於表1(〇、Δ、 X之意義係相同於以後之表格。）。表1 甲基乙基甲酮環己酮四氫化呋喃 Ν —甲基吡咯烷酮 1% 5% 10% 20% 1¾ 5¾ 10% 20% 1% 5¾ 10¾ 20% 1¾ 5¾ 10% 20¾ 實施例1 (聚合物1) X X X X 〇〇〇 Δ 〇〇〇〇〇〇〇〇實施例2 (聚合物2) X X X X 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇實施例3 (聚合物3) X X X X 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇實施例4 (聚合物4) 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇實施例5 (聚合物5) X X X X 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇比較例1 (聚合物6) X X X X X X X X 〇〇〇〇〇〇〇 Δ 比較例2 (聚合物7) X X X X X X X X 〇〇〇〇〇〇〇 Δ 藉由目視而評價對於聚合物8及9之1、5、10、20% 之各種溶劑之溶解性。將結果顯示於表2。表2 甲基乙基甲酮環己酮四氫化呋喃 Ν—甲基吡咯烷酮 1% 5% 10% 20% 1¾ 5¾ 10% 20% 1% 5% 10% 20% 1% 5¾ 10¾ 20% 實施例6 (聚合物8) X X X X 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇實施例7 (聚合物9) X X X X 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇藉由目視而評價對於聚合物1〜9之1、5、10、20% 之1一甲氧基一2 —丙醇之溶解性。將結果顯示於表3。 38 ⑧ 201206964 表3 ''丙醇 10¾ 〇_ 〇

,20¾ 0 --〜〇〇〇〇 ---- X —— X 實施例1(聚合物1) 實施例2 (聚合物2) 實施例3 (聚合物3) 實施例4 (聚合物4) 實施例5 (聚合物5) 實施例6 (聚合物8) 實施例7 (聚合物9) 比較例1 (聚合物6) 比較例2 (聚合物7) - —J<聚合物之感光性（偏光曝光量）> 就使用聚合物1〜7而製作 ”_ 光*配向膜之最iS省曝光量和極限偏光曝光量而言，语偏九在製作之光配向膜上，製作相位差膜，由其配向性而進行袢押叮汁仏。以配向性最高之偏光曝光量’來作為最適當偏光曝光量， Μ配向性開始降低之曝光量’來作為極限偏光曝光量，將結果顯示於表4。-

〇 X 〜 _ X 〇表4 最適當曝光量（mJ/cm2) 極限曝光量（mJ/cm2) 實施例1 (聚合物1) 40 _____ 60 實施例2 (聚合物2) 30 _____ 50 實施例3 (聚合物3) 20 — 實施例4 (聚合物4) 30 50 實施例5 (聚合物5) 5 —___15 比較例1 (聚合物6) 5 10 比較例2 (聚合物7) 15 ------- _____一 30 39 201206964 就使用聚合物8及9而製作之光配向膜之最適當偏光曝光量和極限偏光曝光量而言，在製作之光配向膜上，製作相位差膜，由其配向性而進行評價。將結果顯示於表5。表5 最適當曝光量（mj/cm2) 極限曝光量（mJ/cm2) 實施例6 (聚合物8) 20 _ — -40 實施例7 (聚合物9) 10 50 <雙折射率之保持率> 在製作對於使用聚合物丨〜7而製作之光配向膜上之相位差膜之際，評價其燒成製程前後之雙折射率之保持率。雙折射率之測定係使用偏光解析裝置〇pTIpR叹shintec 股份有限公司製）巾進行（在以後之實驗相同）。將結果顯示於表6。表6 燒成前之雙折射燒成後之雙扭科 /In -iSr Ιψ- 實施例1 (聚合物1) 0.151 --=======-=iU- 0.110 72 8% 實施例2 (聚合物2) 實施例3 (聚合物3) 0.148 0.110 74. 3% 0.148 0.118 70 7ψη 實施例4 (聚合物4) 0.145 — 0. 090 1 «7 1 /〇 fiO 1¾ 實施例5 (聚合物5) 0.154 0.098 RQ R0/ 比較例1 (聚合物6) 0.151 0. 098 Uu. U/〇 64. 9% 63. 9% "_ J 比較例2 (聚合物7) 0.154 0.098 在製作對於使用聚合物8及9而製作之光配向膜上之相位差膜之際，評價J:煻成製裎前彳έ ^ _ 丨貝/、&风表往則後之雙折射率之保持率。將結果顯示於表7。 40 201206964 表7 燒成前之雙折射燒成後之雙折射 d η保持率實施例6 (聚合物8) 0.154 0.110 Τ2.8% 實施例7 (聚合物9) 0.147 0.110 74. 3% 【產業上之可利用悻】本發明之共聚合性（曱基）丙烯酸聚合物係有用地成為使用這個之光配向膜及相位差膜之原料，並且，像這樣本發明之光配向膜及相位差膜係有用地成為各種光學元件、特別是電腦或傳真機等之0A機器、行動電話、電子手冊、液晶電視、攝錄放影機等之液晶顯示裝置之光學元件【圖式簡單說明】無【主要元件符號說明】無 41

Claims

201206964 七、申請專利範圍： 1· 種共聚合性Γ甲：&、、〒基）丙烯酸聚合物，具有藉由通式（I ):

[在+式中卩係氫原子或甲基，r2係烧基或者是藉著由说基、烧乳基、氰基素原子而選出之基來取代之苯基，環A及環B係分別獨立地藉由：

, κ ，〜达、〇 I尔稽田 _ LULU -(反式體）或-Αί=Ν-所表示之基，p及q係分別獨』地成為ι〜12中之任何-種整數，,及n係在滿足G 65^ $〇.?、0.05_0.35' ra+n=1之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率]所表示之重複單位。 42 201206964 2. —種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物，具有藉由通式（I — A):

[在化學式中，R1係氫原子或甲基，R2係烷基或者是藉著由烧基、院氧基、氰基和_素原子而選出之基來取代之苯基， X〜X之各個係分別獨立地成為氫原子、烷基、烷氧基、 _素原子或氰基，環B係藉由： Χ1Β χ2Β

χ31Β χ32Β χ33Β ^34Β

或 χ38Β 'χ37Β χ36Β Χ^35Β V 38Β 各個係分別獨立地成為氫原 [其中，Χ1Β〜χ4Β及χ31Β 早 _ 叩刀—列珣立地成為氫原由二％、院氧基、函素原子或氰基]所表示之基，Ζ係藉由：C_—(反式體)或―所表示之基，。及 q糸刀別獨立地成為i〜j 2中滿足中之任何一種整數，爪及η係在 °*65^m^0.95^ 0.05^n^n q, 共聚物來佔古+ μ = 〇· 35、m+ η= 1之關係之來初來佔有之各单體之莫、 3.—猫“ 刀率]所表示之重複單位。，、聚合性（曱基）丙嫌烯II合物，具有藉由通式 43 201206964

烷基、烷氧基'氰基和函素原子而選出之基來取代之苯基， x1A〜x4A之各個係分別獨立地成為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或氰基，環B係藉由：

或 :33Β χ34Β

χ3 明、χ37Β χ36Β Χχ35Β [其中，X〜X及X〜之各個係分別獨立地成為氯原子、烷基、烷氧基、函素原子或氰基]所表示之基，… 係分別獨立地成為卜12中之任何—㈣數，U “在滿足。.65“m U5化。35、…=1之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率]所表示之重複單位。 4. 一種共聚合性（甲基）丙烯酸聚合物，具有藉由通式（I -b): 201206964

烷基、烷氧基、氰基和齒素原子而選出之基來取代之苯基， X1A〜X“ 及 Υ31Β ν38Β 之各個係分別獨立地成為氫原子 '烷基烷氧基、齒素原子或氰基，P及q係分別獨立地成為1 〜12中之任何-種整數，出及〇係在滿足95、 0.05““. 35、m+n=1之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率]所表示之重複單位。 5.種共聚合性（甲基）丙稀酸聚合物，具有藉由通式（I — c):

[在化學式中’ R1係、氫原子或甲基，R2係炫基或者是藉著由 45 201206964 烷基、烷氧基、氰基和_素原子而選出之基來取代之苯基， χ1Α〜χ4Α及χ1β〜χ4Β之各個係分別獨立地成為氳原子、烷基、烷氧基、函素原子或氰基，ζ係藉由一CH= CHC00—(反式體）或一 N = N —所表示之基，p及q係分別獨立地成為1 〜12中之任何一種整數，^及η係在滿足0.65SmS0.95、 0.05SnS0.35、m+n=l之關係之共聚物來佔有之各單體之莫爾分率]所表示之重複單位。 6. —種光配向膜用組成物，包含申請專利範圍第1至 5項中任一項之共聚合性（甲基）丙稀酸聚合物而組成。 7. —種光配向膜’在由申請專利範圍第6項之光配向膜用組成物而組成之膜’照射具有異方性之光，並且，加熱這個而產生液晶配向能。 8. —種相位差膜，在申請專利範圍第7項之光配向膜上，配向液晶性化合物。 46