TW201206885A

TW201206885A - Light emitting element

Info

Publication number: TW201206885A
Application number: TW100124004A
Authority: TW
Inventors: Daisaku Tanaka; Shinichi Matsuki; Tsuyoshi Tominaga
Original assignee: Toray Industries
Priority date: 2010-07-13
Filing date: 2011-07-07
Publication date: 2012-02-16
Also published as: CN102918677A; WO2012008281A1; KR20130116003A; US20130105787A1; JPWO2012008281A1; EP2595208A1

Description

201206885 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於-種發光元件，其可將電氣能量轉換成光，且能夠用於顯示元件、平板顯示器、背錢、㈣、室内裝飾、標記、招牌、電子相機及光訊號產生器等領域。、【先前技術】近年來正活躍地對自陰極所注人之電子與自陽極所注入之電洞於兩極所夾持之有機榮光體内再結合時發光的有機薄膜發光元件進行研究。該發光元件引人注目，其特徵在於薄型且於低驅動電壓下之高亮度發光、與因選擇螢光材料而多色發光。關於該研究’自Kodak公司之C. w Tang等人揭示有機薄膜元件高亮度地發光以來，多家研究機構進行研究。 Kodak公司之研究組所揭示之有機薄膜發光元件之代表構成係於ITO(IndiumTm〇xide’氧化銦錫）玻璃基板上依序設置有電洞輸送性之二胺化合物、作為發光層之8_羥基喹啉鋁、及作為陰極之Mg : Ag者，於10 v左右之驅動電壓下能夠發出l，〇〇〇cd/m2之綠色光(例如參照非專利文獻^)。其後，進行多次之實用化研究，結果有機薄膜發光元件用於行動電話之主顯示器等中等之實用化確實得以發展。然而，技術上之問題亦較多，其中元件之低電壓化與長壽命化之兼具為較大問題之一。 100124004 4 201206885 元件之驅動電壓係較大地由將电’同或電子等截雜龄·逆黾發光層中之載體輪送材料所決定 4載體輸迗至 (電洞輸运㈣）已知有具有十坐骨架之材料(專利文獻卜 6)。又，就電子輸送之觀點而言，作夕抵一右於爾从卞為使凡件低電壓化之技術之-，如有於用作電子輸送層之材料中摻雜有驗金屬之技術(參照專利文獻了〜丨^。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1·曰本專利特開平8_3547號公報專利文獻2.日本專利特開平9_249876號公報專利文獻3:日本專利特開平11-144876號公報專利文獻4 :日本專利特開2〇〇8_294161號公報專利文獻5 .日本專利特開2()()343^^號公報專利文獻6 ·韓國專利公開2009-28943號公報專利文獻7 :日本專利特開2000-348864號公報專利文獻8 :曰本專利特開2004-277377號公報專利文獻9 :日本專利特開2003-347060號公報專利文獻:日本專利特開2002-352961號公報專利文獻11 :日本專利特開2004-2297號公報 [非專利文獻] 非專利文獻1 :應用物理學快報（Applied Physics 100124004 5 201206885

Letters)(美國）’ 1987 年，51 卷，12 號，第 913 頁【發明内容】 (發明所欲解決之問題）然而，於僅使用如專利文獻丨〜6所述之材料時，一發光效率、驅動電壓、耐久壽命並不充分。又，％件之 (X辱利文齡 7〜11所述之技術確實對元件之低電壓化有效果，但發光效率、耐久奇命並不充分。如此，尚未發現低電壓驅動、進^ 耐久壽命亦兼具之技術。為解決相關先前技術之問題，本發明之目的在於提供一種發光效率、轉電壓、耐久壽命均改善之有機薄膜發光元件。 (解決問題之手段）種發光7L件’其係於陽極與陰極之間至少存在電洞輸送層”電子輸送層’且藉由電氣能量而發光者，其特徵在於： A光7〇件之電洞輪送層含有下述通式⑴所示之化合物，進而電子輸送層含有施體性化合物，且該施體性化合物為鹼金屬3有驗金屬之無機鹽、驗金屬與有機物之錯合物、驗土類金屬、含有給+井類金屬之無機鹽、或驗土類金屬與有機物之錯合物。 [化1] 100124004 201206885

基醚基、芳硫基醚基、鹵素、氰基、_p(=〇)R24R25及矽户我所組成之群中選擇。該等取代基進而可經取代，相鄰之取代基彼此進而可形成環。R24及R25分別為芳基或雜芳基。躂等取代基進而可經取代，相鄰之取代基彼此進而可形成學二 R 1〜R23分別可相同亦可不同，係自由烷基、環烷基、芳基、或雜芳基所組成之群中選擇。該等取代基進而可經取代。 (發明效果）藉由本發明可提供一種低電壓驅動，並具有較高之發光效率’進而亦兼具充分之耐久壽命的有機電場發光元件。【實施方式】詳細地說明通式（1)所示之化合物。 [化2] 100124004 7 201206885

雜代斤、、且成之群中選擇。該等取代基進而可經取代，相鄰之取基彼此進而可形成環° R24及R25分別為芳基或雜芳基等取代基進而可經取代，相鄰之取代紐此進而可 r21〜r23分別可相同亦可不同，係自由烧基、環烧基、芳^ 或雜芳基所組成之群中選擇。該等取代基進而可經取代:、所明該等取代基中之燒基，例如表示甲基、乙基、正異丙基' JLT基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族該飽和祕她基可*有_具鉢錄。練代之情: 追加的取代基並無特別限制，例如可列舉：烧基、該方面亦與以下之印澈+ 土I’ 限以上戟相同。又’烧基之碳數並益特定，就原料獲取之容易柯+ …特別易卜生或成本之方面而言’通常為i 20以下，更佳為j以卜乂上 8以下之範圍。進而，由於若、& 之反數較大财抑制電洞輪送性之虞且耐熱性二而較佳為曱基、乙基、笛玟而進丞第三丁基。 100124004 201206885 所謂環炫基例如表示制基、軸基、環己基、金剛烧基等麵脂環式烴基，該麵_式烴基可土、具有取代基。絲部分之碳數並無_限定，通常為3 = 2〇以下之_。又，由於在碳動《大之情料有抑輸送性之虞，故而更佳為環丙基、環戊基、環己基。岡所謂芳基例如表示苯基、萘基、聯苯基、菲基、土 =、聯三苯基等芳香族煙基。芳基進而可具有二有取代基。經取代之情形之追加的取代基並無_限制，; 如可列舉n魏基、㈣基、絲基、胺基等之碳數並無特別限定，通常為ό〜40之範圍。土所謂雜環基，例如表示D比喃環、派咬環、環狀酿胺等於環内〃、有碳以外之原子之脂肪族環，該脂肪族環可具有或不具有取代基。雜環基之碳數並無特別限定，通常為2以上扣以下之範圍。所§胃雜芳基，表示吱喃基、嗟吩基、吼咬基、啥琳基、n比讲基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、二苯并夫南基一本并°塞吩基、η卡σ坐基等於一個或複數個環内具有石反以外之原子之環狀芳香族基，該環狀芳香族基可經取代亦可未經取代。經取代之情形之追加的取代基並無特別限制，例如可列舉：烷基、環烷基、芳基、烷氧基、胺基等。雜芳基之碳數並無特別限定，通常為2〜30之範圍。就降低 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高佔據分子 100124004 9 201206885 軌道)能階、降低元件驅動電叙觀點而言，更佳為二苯并 °夫b南基、一笨并n塞吩基、坐基。所謂烯基’例如表示乙婦基、婦丙基、丁二稀基等包含雙鍵之不飽和脂_烴基，該不飽和贿族烴基可具有或不具有取代基。魅之碳數並無特別限定，通常為2〜2q之範圍。々所謂環職，例如表示環戊職、環戊二烯基、環己稀基等包含雙鍵之殘和脂環式絲，該不飽和脂環式烴基可具有或不具有取代基。 ~ 所謂炔基，例如表*乙炔基等包含三鍵之㈣和脂肪族煙基，該不飽和脂肪族烴基可具有或不具有取代基。块基之碳數並無特別限定，通常為2〜2〇之範圍。所謂烧氧基，例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等經由趟鍵而鍵結有脂肪族烴基之官能基，該脂肪族煙基可具有或不具有取代基。烷氧基之碳數並無特別限定，通常為丨以上 20以下之範圍。進而由於若燒氧基之碳數較大則有抑制電洞輸送性之虞，故而更佳為甲氧基、乙氧基。所謂烷硫基係烷氧基之醚鍵之氧原子經硫原子取代者。烷硫基之烴基可具有或不具有取代基。烷硫基之碳數並無特別限定，通常為1以上20以下之範圍。所謂芳基醚基，例如表示苯氧基等經由醚鍵而鍵結有芳香族烴基之官能基，芳香族烴基可具有或不具有取代基。芳基醚基之碳數並無特別限定，通常為6以上4〇以下之範圍。 100124004 10 201206885 =方硫㈣基係㈣細基之_之氧原子經硫原子其芳基醚基中之芳香族煙基可具有或不具有取代基。之奴數並無特別限定，通常為6以上4G以下之範圍。胺基可具有或不具有取代基，作為取代基，例如可列舉：烧基、芳基、雜芳基等，該等取代基進而可經取代。氧化膦基可具有或不具有取代基，作為取代基，例如可列舉：芳基、雜芳基等’該等取代基進而可經取代。所謂石夕烧基’例如表示三曱基石夕烧基等具有與石夕原子之鍵結之官能基’該官祕可具有衫具有取代基。料基之碳數並無特職定，通常為3〜2G之範圍。又，魏量通常為，就原料獲取之*、或合成成本、電洞輸送性、電子阻擋性、較高之三重態能階之觀點而言，r1〜r2〇較佳為氫，或^與Rl8為氫以外之取代基。於R3與R18為氫以外之取代基之情形時，該等分別獨立較佳為烷基、環烷基、烷氧基、芳基及雜芳基。其中，更佳為烷基、烷氧基及芳基。又，亦較佳為藉由R3與R18之任一者為N—苯基咔唑基而成為咔唑四聚物。於該情形時，N-苯基咔唑基進而亦可經烷基、環烷基、院氧基、芳基或雜芳基取代。該等取代基之說明如上所述。又，就原料獲取之容易性、或合成成本、電洞輸送性、電 100124004 11 201206885 子阻擋性、較高之三重態能階之觀點而言，R21〜R23較佳為芳基或雜芳基。於R21〜R23為芳基之情形時，尤佳為苯基或苐基。作為此種通式（1)所示之化合物，並無特別限定，具體而言可列舉如以下所述之化合物。 100124004 12

201206885 [化3] 100124004 13 201206885 [化4]

100124004 14 201206885 [化5]

100124004 15 201206885 [化6]

100124004 16 201206885 [化7]

100124004 17 201206885 [化8]

100124004 18 201206885 [化9]

201206885 [化 ίο]

100124004 20 201206885 [化 11]

100124004 21 201206885

Hb 12]

通式（1)所示之化合物可藉由公知之方法而製造。即可藉由9位經取代之咔唑之二溴體與9位經取代之咔唑之單硼酸的鈐木偶合反應而容易地合成，但製造方法並不限定於此。繼而，舉例詳細地說明本發明中之發光元件之實施形態。 100124004 22 201206885 本發明之發光元件包含陽極、陰極、及間至少包含電_送層與電子輸送層。及於該陽極與該陰極之此種發光元件_

光層/電子輸送層/電子注人層等積層構成。又。又’上述各層可分別為單一層亦可為複數層。、陰極 L弋（）所示之化合物係於發光元件中包含於電洞輸送層中。電洞輸送層為將自陽極所注人之電洞輸送至發光層中之層。電洞輸送層可為Μ亦可積層有複數層而構成。由於通式（1)所示之化合物具有較高之電子阻擋性能，故而於由複數層所構成之情形時，就防止電子之侵入之觀點而言，較佳為含有通式（1)所示之化合物之電洞輸送層直接接觸於發光電洞輸送層可僅由通式（1)所示之化合物所構成，亦可於無損本發明之效果之範圍内混合有其他材料。於該情形時，作為所使用之其他材料，例如可列舉：4,4，-雙(Ν-(3-曱基笨基)-Ν-苯基胺基)聯苯(TPD)、4,4’_雙价⑴萘基)善苯基胺基) 聯苯(OTD)、4,4，-雙(Ν,Ν-雙(4_聯苯基)胺基)聯苯(TBDB)、雙 (Ν，Ν'-二苯基-4-胺基苯基)-Ν，Ν-二笨基_4,4’-二胺基-1，1’-聯苯(TPD232)等聯苯胺衍生物，4,4’，4”-三(3-甲基苯基（苯基） 100124004 23 201206885 胺基)三苯基胺（間MTDATA)、4,4，，4"-三（1-萘基（笨基)胺基) 三苯基胺（1-TNATA)等稱為星射芳基胺之材料群，雙(N•芳基咔唑）或雙(N-烷基咔唑）等雙咔唑衍生物，n比唾琳衍生物、笑糸化合物、膝系化合物、苯并β夫喃衍生物、售吩行生物、嘩二唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等雜環化合物，聚合物系中於侧鏈具有上述單體之聚碳酸酯或聚苯乙烯行生物、聚。塞吩、聚苯胺、聚苐、聚乙婦σ卡唑及聚石夕貌等。繼而說明本發明中之電子輸送層。電子輸送層為將自陰極所/主入之電子輸送至發光層中之層。電子輪送層中所使用之電子輸送材料並無特別限定，可歹舉：萘、蒽、拓等具有縮合多環芳香族骨架之化合物或其女生物、4,4’·雙(二苯基乙烯基)聯苯所代表之苯乙_芳香辱衍生物、絲生物、㈣_生物、香豆素衍生物、鼓二甲醯亞胺街生物、⑽或絲料_生物、氧化鱗财物十坐衍生物及獅衍生物、谬歸_師聊絲琳錯合物或減苯基制錯合㈣誠销合物、次〒氮錯合物、¥_金屬錯合物及黃_金屬錯合物。就；降動電壓方面而言，電子輸送材料較佳為使用由自碳、二=氧，物擇之元素所構成，且具有包含電子接又i·生氮之雜芳基環結構的化合物。 :謂電子接受性氮，表示與鄰接原子之_❹重鍵之氮原。由於氮原子具有較高之陰電性度，故而該多重鍵具有 100124004 24 201206885 接受電子之性質，電子輸送能力中可降低發光it件之驅動電壓。因9肖於電子輪送層。雜芳基環具有較高之電子親和性含電子接受性氡之 ‘ 雜芳基環，例如可列舉：吼咬環、。‘、、'^含電子接受性氮之噎，木環、萘咬環、嘴咬并喷如、^、，°遠°定環、嗜琳環、味唾環、㈣環、七唾環、：f本开料環、°非琳環、苯并制環、苯^靖麵環、紅。坐環、作為具有該等雜芳基環結構::=:;如唾環等。咪唾衍生物、苯并制衍生物、料可列舉：笨并生物”塞二唾衍生物、三β坐衍生^何生物、°等二唾衍物、0比啶衍生物、。比啫;?、-止、啡琳衍生物、嗤啊衍生物、如木衍生物'_ 生物、聯吡啶或三聯吡啶等寡〇比啉何萘咬衍生物、俄生物等，作為較佳及物之中，若亦考慮電化學之穩定性〇 μ等何生物、吨⑽、㈣彳⑽^啊衍2科:坐衍生 I列舉：三(Ν_苯基苯并料_2_基}轉^ =二二基苯基 ;H 本基-1，3,4.三唾等三唾衍生物、m ，-又（本弁[h]喹啉_2_基;)_99,_螺_ "ΓΓ 環戊二縣等聯_衍生物、1’3部，似 100124004 25 201206885 基))苯等聯三喊衍生物、雙⑴萘基)·4_(1，8 作為較佳之例，，複數㈣ Α _ 又鍵、三鍵、經取代或未經取代之芳香族經玲土、，’里取代或未經取代之芳香族雜環殘基及組合該等任一者所構成之連結單元所連接的UKUMK 9其之苯等啡琳衍生物具有料之好注人、輸送祕，故而尤ς) 又，作為較佳之電子輪送材料，可列舉以縮合多。 =為基本料、且含有上述包含好接受㈣之雜芳基環= 為取代基之化合物1財縮衫環料族烴骨架，玻璃轉移溫度提高、並且電子移動率亦增大、發光元件之/ 電壓化效果較大，故而較佳，進而，若考慮由於=低薄膜形成能力會使元件耐久壽命延長、合成之容;度:'= 獲取原枓’則尤佳為縮合多環芳香族煙骨架為蒽骨架或架。例如可列舉：1、3位城基、芳基或雜芳基所取代二脑生物小3、7位經絲、芳基_絲所生物小6位經絲、芳基或雜芳基所取代之細生物Γ H)位城基、綠或雜芳基所取代^衍生物等，佳之例。上述電子輸送材料可單獨使用，亦可混合2種以上之上述電子輸送材料而使用，或於上逮電子輸送材料中混合一種以上之其他電子輸送材料而使用。 /&σ 進而，本發明中之電子輸送層含有施體性化合物此種電子輸送層、與具有通式⑴所示之化合物之電洞料 100124004 26 201206885 層的情形時，獲得低電壓驅動且高效率、長壽命之發光元件。 -般而言，為獲得高效率發光且長壽命之發光元件，必需 . 使電子與電洞不自發光層内漏出而再結合。因此，對於電洞輸送材料而言，除自陽極順利地注入電洞、並順利地將電洞輸送至發光層中之性能（電洞注入輪送性）以外，亦要求阻擋對向而來之電子、並將其封閉於發光層内之性能（電子阻擋性）。於缺乏電子阻擋性時’導致電子侵入至電洞輸送層内，引起發光效率之下降或電洞輸送材料之劣化，元件之耐久壽命縮短。電子阻擋性之不同主要起因於電洞輸送材料所具有之 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbita卜最低非佔據分子軌道）能階之能量。即LUMO能階之能量位階越淺，該電洞輸送材料之電子親和力變得越小，越易於防止電子侵入至電洞輸送材料中。如此’認為具有較淺能量位階之LUMO 能階之電洞輸送材料具有優異之電子阻擋性。進而詳細地說明。圖1係簡單圖示有機電致發光元件内部之電荷之能量狀態者。為使說明簡單化，省略電子輸送層表 , 示由電洞輸送層與發光層所構成之2層型之元件。1表示陽 . 極之能量位階（功函數），2表示電洞輸送材料之HOMO能階之能量位階，3表示發光層之HOMO能階之能量位階。4 表示陰極之能量位階（功函數）’ 5表示發光層之LUMO能階之能量位階，6表示電洞輸送材料之LUMO能階之能量位 100124004 27 201206885 階β 7為表示陽極與電洞輸送層之界面之線，8為表示電洞輸送層與發光層之界面之線，9為表示發光層與陰極之界面之線。11表示陽極上之電洞，12表示注入至電洞輸送材料中之電洞，13表示注入至發光層中之電洞。14表示陰極上之電子，15表示注入至發光層中之電子。16為表示電子與電洞之再結合之線，17表示發光層之LUM0能階與電洞輸送層之LUMO能階之能量差。所謂能量能階較低、較深，例如以LUMO能階而言’意指圖1之5向圖之上方之方向較淺、向下方之方向較深。若於陽極、陰極間施加電壓，則陽極上之電洞11注入至電洞輸送層之HOMO能階2中。同樣地陰極上之電子14 注入至發光層之LUMO能階5中。進而根據所施加之電壓，電洞12、電子15朝向相對電極移動。進而電洞12注入至發光層中，於發光層内電洞13與電子15再結合，生成發光材料之激發狀態。利用該激發狀態放出光為有機電致發光元件之非常基本之工作機構。較理想的是於發光層内電洞與電子以1 : 1再結合，但現實是某一個載體過剩之情形較多。若考慮電子過剩之情形，則可認為不參與再結合之電子自發光層進而越過發光層之LUMO能階與電洞輸送層之LUMO 能階之能量差17(即電子注入障壁），而侵入至電洞輸送層中。此時’電洞輸送材料之LUMO能階6越深，換言之17 所示之電子注入障壁越小，電子越易於侵入至電洞輸送層 100124004 28 201206885 中。相反地若LUMO能階6越淺，換言之電子注入障壁17 越大，電子越難以侵入至電洞輸送層中從而電子阻擋性越 . 高。因此，該發光層之LUMO能階與電洞輸送層之LUM〇 , 能階之能量差17較大地關係到上述電洞輸送材料之電子阻擋性。先前之電洞輸送材料較多具有良好之電洞注入輸送性’但電子阻擋性幾乎均不充分。此係由於圖1中之電洞輸送材料之LUMO能階6較深，從而電子注入障壁17較小。例如關於先前經常使用之聯苯胺系之電洞輸送材料之LUMO能階，若考慮HOMO能階之能量位階約5.3〜5.4 eV，進而 HOMO-LUMO間之能隙約3.〇eV左右，則具有2.3〜2.4eV 之LUMO能階。相對於此，若通式⑴所示之化合物之HOMO 能階約5.3〜5.4 eV，能隙為3.3 eV左右，則為寬能隙。因此’較先前材料具有較淺之2.0〜2.1 eV之LUMO能階，則認為具有較高之電子阻撞性。再者’此處所謂LUMO能階係將利用大氣中光電子分光裝置AC-2(理研計器公司製造) 所測定之游離電位設為HOMO能階，於該值上加上由蒸鑛 - 膜之UV吸收端之波長所估算之能隙值所合併的數值。以 - 下，記載中之HOMO能階、能隙、LUMO能階岣為藉由相同之方法所獲得之值。 9 若考慮上述内容，則於欲使用含有施體性化合物之電子輸送層來提鬲電子注入輸送性，使元件低電壓驅動之情形時， 100124004 29 201206885 發光層内電子成為過剩，該電子欲侵入至電洞輸送層中。然而，由於通式⑴所示之化合物如上我具魏高之電子阻擋性，故而可防止電子侵人至電洞輸送層心如此，可認為獲得享有因含有施體性化合物之電子輸送層之低電屋驅動的效果且高發光效率及長壽命之發光元件。另一方面’作為先前之電洞輸送材料亦已知有雙咔唑衍生物，但該等化合物之HOMO能階約5.5〜5 6eV左右，能隙為3.3 eV左右。該等之結果雙咔唑衍生物群之lum〇能階約2.2〜2.3 eV左右，與通式⑴所示之化合物相比依然較深。因此，認為亦缺乏雙咔唑衍生物之電子阻擋性。又，雙十坐衍生物與通式⑴所示之化合物相比H〇M〇能階亦較深，就自陽極注入電洞之容易程度之觀點而言，亦認為通式 (1)所示之化合物較為優異。所謂本發明中之施體性化合物係藉由改善電子注入障壁’而使自陰極或電子注入層容易注入電子至電子輸送層中，進而提高電子輸送層之導電性之化合物。作為本發明中之施體性化合物之較佳例，可列舉：鹼金屬、含有鹼金屬之無機鹽、鹼金屬與有機物之錯合物、鹼土類金屬、含有鹼土類金屬之無機鹽或鹼土類金屬與有機物之錯合物等。作為鹼金屬、鹼土類金屬之較佳種類，可列舉：低功函數且電子輪送能力提高之效果較大之链、鈉、鉀、物、铯·#驗金屬，或鎂、約、筛、鋇等驗土類金屬。 100124004 30 201206885 又，就於真空中之蒸鍍較為容易且操作優異方面而言，與至屬單體相比，無機鹽、或與有機物之錯合物之狀態較佳。進而就於大軋中谷易操作、易於控制添加濃度之方面而 σ 〃有機物之錯合物之狀態更佳。作為無機鹽之例，可列舉.LiO、Li2〇等氧化物，氮化物，LiF、爾、KF等氣化物 Li2C〇3、Na2C03、K2C〇3、Rb2C〇3、Cs2c〇3 等碳酸鹽等又作為驗金屬或驗土類金屬之較佳例，就獲得較大之低電壓驅動效果之觀點而言，可列舉:鋰、鉋。又，作為鱼 ΐ機物之錯合物中之有機物之較佳例，可列舉：減噎琳I 本开羥基喹啉、吡啶基苯酚、 A皱、，，汽_醇、羥基咪唑并吡啶、羥基本开唑、羥基三唑等。其 « - , .6 、就發光元件之低電壓化之效就合成之料度、熱穩料機物之錯合物，進而之錯合物，尤佳為能以相對低價。’更佳_與有機物又，電子輸送層亦可包含2種以又^絲喧琳鐘。之摻《度亦根據㈣轉上之《性化合物。適合機化合物與施體性化合物之重旦:之膜厚而有所不同，但有之範圍，更佳為10:〗〜丨·里％比較佳為100: 1〜1: 100 上· 1〇〇進而’可將此種含有施體性化而用作電子輸送層，於將電子輪、、之電子輸送層設為單層光層之層設為第】電子輪、、：兩送層分成2層並將接觸於發送層時，可將第〗電②層、不接觸之層設為第2電子輪 — 輪'層作為不包含施體性化合物之 201206885 層、第2電子輸送層作為包含施體性化合物用，但於施體性化合物為鹼金屬、驗土類 θ而區別使蓮屬、或訪·莖化物、氮化物氟化物、碳酸鹽等無機材料之情形日°"之氣該等之層直接接觸於發光層，則有發光層受至若含有發光效率下降之擔心，因此較佳為將不含有施體性=而使層作為第1電子輸送之構成。又，於該情形時二物之料可相同亦可不同。送材亦適合用又’本發明中之含有施體性化合物之電子輪送層於連結複數個發光元件之縱列結構型元件中之電^ 與施體性化合物組合之電子輪送材料除適合使何用產如生上層。述之含有電子接受性氮之材料以外，只要為即便不含有上所接受性氮之材料但藉由添加施體性化合物而提高導子守^ 性或電子注入輸送性之材料則亦可使用，作為較佳之例，可列舉具有蒽骨架、芘骨架之化合物。作為此種與施體性化合物組合之電子輸送材料’並無特別限定，具體而言可列舉如以下所述之例。 [化 13] 100124004 32 201206885

N

100124004 33 201206885 [化 14]

100124004 34 201206885 [化 15]

100124004 35 201206885 [化 16]

100124004 36 201206885 [化π]

100124004 37 201206885 [化 18]

100124004 38 201206885 [化 19]

電洞注入層為插入至陽極與電洞輸送層之間的層。電洞注入層可為1層亦可積層有複數層。若於含有通式（1)所示之化合物之電洞輸送層與陽極之間存在電洞注入層，則不僅驅動電壓更低、耐久壽命亦延長，進而元件之載體平衡提高且 100124004 39 201206885 發光效率亦提高，故而較佳。電洞注入層中所使用之材料並無特別限定，例如使用： 4,4’-雙（N-(3-甲基苯基）苯基胺基）聯苯（TPD)、4,4，-雙 (N-(l-萘基)-N-苯基胺基)聯苯(NPD)、4,4，-雙(N，N-雙(4-聯苯基)胺基)聯苯(TBDB)、雙(N，N，-二笨基胺基苯基)-Ν,Ν-二苯基-4,4’-二胺基-ij，-聯苯（TPD232)等聯苯胺衍生物， 4,4'，4’’-三(3-甲基苯基（笨基）胺基）三苯基胺（間河丁1)八丁入）、 4,4，4 _二（1-奈基（苯基）胺基）三苯基胺（1-TNATA)等稱為星射芳基胺之材料群，雙(N_芳基咔唑）或雙(N_烷基咔唑）等雙十坐衍生物，㈣仙生物、μ化合物、腙系化合物、笨并。夫喃衍生物、嗟吩射物、H衍生物、酞菁衍生物、外琳衍生物等雜環化合物，聚合㈣中於側鏈具有上述單體之聚碳酸S旨或苯乙騎生物、聚嗟吩、聚笨胺、聚第、聚乙烯十坐及聚魏等。又，亦可使用通式⑴所社化合物。其中，就具有淺於通式⑴所示之化合物之_〇能階，且順利地自陽極向電洞輸送層中注人輸送電洞之觀點而佳地使用魏胺衍生物、星射絲㈣材料群該等材料可翔使用亦可混合2_上而使用。又，可積均硬數種材料而製成電洞注人層。進由受趙性化合物所構成，或若於如上所㈣平獨工所延之電洞注入材料中焚體性化合物而使用，則更明顯佳。所神戽麯以儿Λ 上建效果’故而更口月又體性化,物’於用作單層膜之情形時係所接觸之 100124004 201206885 電洞輸送層，於摻雜使用之情形時係構成電洞注入層的材料與形成電荷轉移錯合物的材料。若使用此種材料，則獲得提高電洞注入層之導電性，且更有助於降低元件之驅動電壓、提南發光效率、延長财久壽命等效果。作為受體性化合物之例，可列舉：如氯化鐵(111)、氯化鋁、氯化鎵、氣化銦、氯化銻之類的金屬氣化物，如氧化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化釕之類的金屬氣化物，如三(4-溴苯基）六氣録義(TBPAH)之類的電荷轉移錯合物^又，亦適人使用分子内具有縣、、㈣^氟甲基之有機化合。物’ 或醌系化合物，酸酐系化合物，富勒崎等。作為該等化人物之具體例，可列舉：六氰基丁二烯、六& 寺化〇物 >、氰基苯、四氰某匕说、四氰基對醌二曱烷（TCNQ)、四氣虱土乙烯四軋四氰基對醌二甲烷 (F4_TCNQ)、2,3,6,7，i〇，ii4ftH，45s〇” 甲说基(HAT-CN6)、四氟對笨醌、四氣虱雜一伸本 _备婪神 T本醌、四溴對苯醌、對本醌、2,6-一氯本醌、2 5-二氣笨酿螞四甲基苯醌、1245 四氰基苯、鄰二氰基苯、對二氰基，，，_ 23 1 56 f 鼠基本、Μ-二氰基四氟笨、 2,3·一氯-5,6-一鼠基笨醌、對二確 Α ^ m ^ M· ^ 土本、間二硝基苯、鄰二硝基本、對氰基硝基4、間氰基硝基 9 -3 - g, 、鄰鼠基確基苯、1，4- 秦酿、2,3-一氯秦醌、；μ硝基萘、2 1S-踹其兢q ^ # ^ 月基#、1，3-二硝基萘、 1，5-—为基不9-虱基蒽、9_硝基蒽 y，10-蒽酉昆、1 3 6 8四硝基咔唑、2,4,7-三硝基_9_第酮、2 ^6,8四 5，3,6-四亂基π比p定、順丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、C60、及^ 員丁 C70、以下之化合物群 100124004 41 201206885 等。 [化 20]

NC CN

N、

CN

100124004 42 201206885 [化 21]

該等之中，金屬氧化物或含氰基之化合物易於操作、且亦易於蒸鍍，因此容易獲得上述效果，故而較佳：金屬氧化物之例，可列舉：氧化翻、氧化飢、或氧化釘。於含氰基之化合物之中，⑷於分子内除祕之氮原子以外具有至少1個電子接受性氮、進而具有氰基之化合物，⑼於刀子内具有_素與氰基兩者之化合物，（c)於分子内具有羰基與氰基兩者之化合物，或（d)具有除氰基之氮原子以外之電子接受性氮、鹵素及氰基三者之化合物由於成為較強之電子文體，故而更佳。於電洞注入層單獨由受體性化合物構成 100124004 43 201206885 之情形、或於電蘇人層中摻雜有受體性化合物之情形中之 t —情形時’電洞注人層均可為1層亦可積層有複數層而構受體㈣合物之情形之適合的摻雜濃度根據材^ 或摻雜區域之膜厚而有所不同，但較佳為5G重量％以下，更佳為10重量％以下。 2極只要為可有效地將電·人至有機層中之材料則並 …特別限定，較佳為使肋對功域較大之㈣。作為陽極之材料’例如可列舉：氧化锡、氧化銦、氧化鋅銦、氧化錫銦_)等導電性金屬氧化物，或金、銀、絡等金屬，誠化銅、硫化鱗無解物質1㈣、聚鱗及聚笨胺等導電性聚合物等。該等電極材料可單獨使用，但亦可積層或混合有複數種材料而使用。陽極之電阻只要可對發光元件之發光供給充分之電流即可’但就發光元件之消耗電力之方面而言較理想的是低電阻。例如，若電阻為300 Ώ/□以下則作為電極而發揮功能，但當前亦能夠供給10 Ω/□左右之ΓΓΟ基板，因此尤其理想的是使用100 Ω/□以下之低電阻品。陽極之厚度可配合電阻值而任意選擇，通常較多地使用100〜300 nm之間之厚产。又’為保遠發光元件之機械強度，較佳為於基板上形成陽極。基板適合使用鈉玻璃或無鹼玻璃等玻璃基板。由於玻璃基板之厚度只要具有對於保護機械強度而言充分之厚度即可，故而只要為0.5 mm以上則充分。關於玻璃之材質，由 100124004 44 201206885 於自玻璃溶出之離子較少者較佳，故而較佳為無鹼玻璃，但由於亦市售實施有Si〇2等之障壁塗層之鈉鈣玻璃’故而亦可使用該玻璃。進而，若陽極穩定地發揮功能，則基板無需為玻璃，例如亦可於塑膠基板上形成陽極。陽極之形成方法並無特別限制，例如可使用電子束法、濺鍍法及化學反應法等。陰極中所使用之材料只要為可有效地將電子注入至有機層中之物質則並無特別限定，可列舉：錄、金、銀、銅、鐵、錫鋅紹、铜、鉻、鐘、納、鉀、鉋、飼及鎂以及該等之 a金等。為提高電子注入效率而提高元件特性，較有效的是裡納鉀、绝、詞、鎮或包含該等低功函數金屬之人金。然而，由於該等低功函數金屬一般較多於大氣中為不穩定，故而可列舉：於有機層中摻雜微量（以真空蒸鍍之膜厚計顯不為1 nm以下）之鋰或鎂而獲得穩定性較高之電極之方法，作為較佳例。又，亦可使用如氟化鋰之類的無機鹽。、而’為保護電極，可列舉積層有：鉑、金、銀、鋼、^ 紹及鋼等金屬，或使用該等金屬之合金、二氧切、一鎮、鈦及IUU夕等無機物，聚乙烯醇、聚氣乙埽、經系$八氣化合物等有機高分子化合物者，作為較佳例。陰極刀子化並無特別限制，例如可使用電阻加熱、電子束$成方法電鍍及塗佈等。磯鍍、離子光層可為單一層亦可為複數層，分別由發 X %材料（主 100124004 45 201206885 材料、摻雜材料)形成混合物，亦可單獨為二層可為主體材料與摻雜材料之各發光層令，可僅由主體^P’於本發明之發光元件令，材料與摻雜材料共同發光㈣她•材料發光，亦可使主體色純度之發光之觀點而:有效地利用電乳能量而獲得高材料之混合物所構成。4為發光層由主體材料與摻雜種類、或為複數種之材料與摻雜材料可分別為- 體、或部分包含於主體:料;::術何科中。摻雜材料可積声、斗、\ 摻雜材料可控制發光色 …V刀散。 Μ㈣t ㈣之1過多則會引起遭声進而㈣㈣於主體材料使用2。重心丑1、/重里％以下。推雜方法可藉由與主體材料之 <、鍍法㈣成’村預先與与㈣混合㈣時蒸鍛。發光材料並無特別限定，具體而言可使用：自以前以來作為發光體而已知之蕙減等縮合環衍生物，以三㈣里基喹啉)紹為代表之金屬螯合化類，(〇xin〇id)化合物，雙苯㈣基蒽何生物或二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙稀基衍生物、四本基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、α号二。坐衍生物、t各并喊衍生物、旅瑞_衍生物、環戊二歸衍生物、 °号二。坐衍生物H并喊衍生物、二苯并料衍生物、十坐衍生物、啊十諸㈣、聚合㈣巾之聚笨乙快衍生物、聚對苯衍生物、及聚嘆吩衍生物等。土光材料中所含有之主體材料並無特別限S，可使用： 100124004 46 201206885 萘、蒽、菲、拓、核、稍四苯、聯伸三笨、花、伊、苐、茚等具有縮合芳基環之化合物或其衍生物，N，N'-二萘基-Ν,Ν'-二苯基-4,4’-二苯基-1，Γ-二胺等芳香族胺衍生物、以三（8-喹啉)鋁(III)為代表之金屬螯合化類哼辛化合物、二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、茚衍生物、香豆素衍生物、α号二唆衍生物、ϋ比ϋ各并π比咬衍生物、°底瑞酮衍生物、環戊二烯衍生物、°比洛并°比咯衍生物、°塞二。坐并。比咬衍生物、二苯并吱喃衍生物、°卡°坐衍生物、吲哚味°坐衍生物、三讲衍生物、聚合物系中之聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、聚第衍生物、聚乙稀°卡σ坐衍生物、聚°塞吩衍生物等。又，摻雜材料並無特別限定，可使用：萘、蒽、菲、芘、换、聯伸三苯、茈、伊、苐、茚等具有縮合芳基環之化合物或其衍生物（例如2-(苯并噻唑-2-基）-9,10-二苯基蒽或 5,6,11,12-四苯基稠四苯等）、呋喃、吡咯、噻吩、矽雜環戊二烯基、9-矽荞、9,9’-螺二矽苐、苯并噻吩、苯并呋喃、吲 »朵、二苯并嗟吩、二苯并咬喃、°米峻并°比咬、啡琳、β比。定、 0比0井、萘咬、喹σ号琳、α比σ各并°比°定、°塞嘲等具有雜芳基環之化合物或其衍生物，棚烧衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、4,4'-雙(2-(4-二苯基胺基苯基）乙烯基）聯苯、4,4'-雙(Ν-(芪-4-基)-Ν-苯基胺基）芪等胺基苯乙烯衍生物、芳香族乙炔衍生物、四苯基丁二烯衍生物、芪衍生物、醛連氮衍生物、吡咯亞曱基衍生物、二酮基吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物、 100124004 47 201206885 2,3,5,6-1H集略9·(2，苯并”基）d㈣并㈣摘香丑素等香讀衍生物、料n嗟m今坐、私嗤、三_麵生物及其金屬錯合物以及諸_二苯基 -N，N，U基苯基)_4,4，·二苯基·u·，：胺為代表之ς 胺衍生物等。 ' 又，發光層村包料紐光材料。所觸光發光材料為於室溫下《貞科紐光之㈣。料摻_必需基本上即便於室溫下亦獲㈣光㈣’但並無特別限定，較佳為包含自由銀⑻、舒(Ru)、鍵㈣、把㈣、翻⑺）、餓(〇s)、及銖⑽)所組叙群帽擇之至少—種金屬的有機金屬錯合物化s物。其中就即便於室溫下亦具有較高之_光發光產率之觀點而έ，更佳為具有銥、或鉑之有機金屬錯合物。作為破光發光材料之主體，適合使用啊魅物、十坐衍生物、十朵十坐衍生物、t定、㈣、具有三讲骨架之含氮芳香族化合物衍生物、聚芳基苯衍生物、螺g衍生物、參節并苯衍生物等方香族烴化合物衍生物，二苯并呋喃衍生物、二苯并嘆吩衍生物等含有硫族元素之彳卜合物，經基喧琳鈹錯合物等有機金屬錯合物等，但基本上只要為三重態能量大於所使用之摻雜劑，且自各自之輸送層順利地注入或輸送電子、電洞者，則並祕定於料。又，可含有2種以上之三重態發光摻雜劑，亦可含有2種以上之主體材料。進而，亦可含有i 種以上之三重態發光摻雜劑與i種以上之螢光發光推雜劑。 100124004 48 201206885 作為較佳之磷光發光性主體或摻雜劑，並無特別限定，具體而言可列舉如以下所示之例。 [化 22]

[化 23] 100124004 49 201206885

通式⑴心之化合物除具有良好之電洞注人輸送特性、較高之電子阻擋性能力以外，亦具有較高之三重態能階。因此:於組合磷光發光層與含有通式⑴所示之化合物之電洞 '之凊也時’可抑制三重態能量自填光發光層向電洞輸送層轉移’防止電洞輪送層中之磷S能量之熱失活。因此，可防止务光效率下降，並且獲得低電壓驅動、長壽命之發光 100124004 201206885 元件，故而較佳。於本發明中，亦可於陰極與電子輸送層之間設置電子注入層。一般而言，電子注入層插入之目的在於幫助自陰極向電子輸送層注入電子，於插入之情形時，可直接使用上述具有包含電子接受性氮之雜芳基環結構之化合物，亦可使用含有上述施體性化合物之層。又，亦可於電子注入層中使用絕緣體或半導體之無機物。藉由使用該等材料可有效地防止發光 7G件之短路，且可提高電子注入性，故而較佳。作為此種絕緣體，較佳為使用自由鹼金屬硫屬化物、鹼土類金屬硫屬化物、驗金屬之函化物及驗土類金屬之鹵化物所組成之群中選擇的至少一種金屬化合物。若電子注入層由該等鹼金屬硫屬化物等所構成，則就可進而提高電子注入性之觀點而言更佳。具體而言，作為較佳之鹼金屬硫屬化物，例如可列舉： LizO'Nae及Naje，作為較佳之鹼土類金屬硫屬化物，例如可列舉：CaO、BaO、SrO、BeO、BaS 及 CaSe。又，作為較佳之驗金屬之鹵化物，例如可列舉：LiF、NaF、KF、 LiCl、KC1及NaCl等。又，作為較佳之鹼土類金屬之鹵化物’例如可列舉：CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物’或氣化物以外之鹵化物。進而亦可適合使用有機物與金屬之錯合物。於電子注入層中使用絕緣體、半導體之無機物之情形時’若膜厚過厚’則會產生發光元件絕緣化、或驅動電壓提高等問題。即’雖然f子注人層之麟容限較小且有 100124004 51 201206885 導致製作發光元件時良率下降之虞，但於電子注入層中使用有機物與金屬之錯合物之情形時調整膜厚較為容易，故而更佳。作為此種有機金屬錯合物之例，作為與有機物之錯合物中之有機物之較佳例，彳列舉：經基、苯并減嗤琳、吡啶基苯酚、黃酮醇、羥基咪唑并吡啶、羥基苯并唑、羥基二唑等。其中，較佳為鹼金屬與有機物之錯合物，更佳為鋰與有機物之錯合物，尤佳為羥基喹啉鋰。本發明之發光元件具有將電氣能量轉換成光之功能。此處作為電氣此量主要使用直流電流，但亦可使用脈衝電流或交流電流。電流值及電壓值並無特㈣制，但若考慮元件之消耗電力或壽命’應以儘可能低之能量獲得最大亮度之方式進本發明之發光元件可適合用作例如以矩陣及/或區段方: 所顯示之顯示器。所謂矩陣方式係將用以顯示之像素二維地配置成晶格; =赛克料’而讀素之集合來顯衫字絲像。像素」 ^ 2尺寸係根據用途而決定。例如，對於㈣、監視器電視2影像及文字顯示，通常使用-邊為· _以-1四形像素’又’於如顯示面板之類的大型顯示器之情: 使用—邊為奈米級之像素。於單色顯示之情形時，湖同色之像素即可，但於彩色顯以情形時，排列紅、 I之像素而顯示。於該情形時，典型地具有三角型判 100124004 52 201206885 ::，該矩陣之驅動方法可為線序陣。線序驅動之結構較巧μ主動式矩有线式_更❹之作雜之情形時，祕別使用· 丨而驅動方*亦必需根據用途 ==中之區段方式係以顯示預先所決定之資訊之 =形:據㈣f之配㈣決定之區域發光的 ==舉」數位鐘或温度計中之時刻或温度顯示、視機益或電磁尤备器等動一心技且μ;，及汽車之面板顯示太/述矩陣顯示與區段顯示可共存於同-面板之中。之發光元件亦可較佳地用作各種機器等之背光源。:之❹轉㈣於咖自行版 = 之可見度，使用於液晶顯示裝置、鐘、音頻震置、汽車面^ 顯不板及標記料。尤其可提供本發日狀發光元件較佳用、液晶顯示震置、尤其研究薄型化之電腦用途之於前者更薄型且輕量之背光源。 Λ、’較先 [實施例] 以下，列舉實施例說明本發明，但本發明並不限定於" 實施例。再者，下述各實施例中之化合物之編號係指上= 記載之化合物的編號。又，表i〜表7中之所謂第^ 送層係指接觸於發光層之電子輸送層，所謂第2電子輪、、輪係指不接觸於發光層、進而積層於第i電子輪送層之=送層送層。其+，於「無」第i電子輪送層之情形時:電子= 100124004 53 201206885 層僅由第2電子輸送層所構成，第2電子輪送層接觸於發光層0 [實施例1] 將使ITO透明導電膜堆積165 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股)製造，u Ω/□，藏鍍品)切割成挪私麵，並進订姑刻。利用“Semic〇clean56”（商品名，Furuuchi化學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後， ]用超純水進行凊洗。將要製作元件前對該基板進行1小時之UV-臭氧處理，將基板設置於真空蒸鍍|置内，進行排直至裝置内之真空度成為5xlG·4 Pa以下。作為電洞輸層、，藉由電阻加熱法蒸鐘60 nm之化合物[1]。繼而，作主體材料係使用化合物Η-1，摻·雜材料俜使用化物叫，以摻雜材料之摻雜濃度成為5重量％之方式蒸錢b 40 nm之厚度。繼而，作為第2電子輸送層，電子輸送材: 係使用化合物E•卜錢Liq作為施體性化合物，以換雜: 度成為50重量％之方式積層成20 nm之厚度。繼而，蒸鍍0.5 nm之Liq作為電子注入層後，以重量比成為1.1之方式蒸鍍1000nm之鎂與銀作為陰極，製作5巧 mm見方之科。此處所謂膜厚係水日日日振盪式膜厚監視器顯示值。以U) mAW直流驅動該發光元#，結果獲得驅動電愿4.8 V、外部量子效率4.1%之藍色發光。將該元件之初始亮度設^為誦ed/m2，制定耐久壽命，結果自初始亮戶° 100124004 54 201206885 減少20%之時間為154小時。再者，化合物H-l、D-l、E-l、 Liq為以下所示之化合物。 [化 24]

[實施例2〜6] 使用表1所記載之材料作為電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例1相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表 1。再者，E-2為以下所示之化合物。 [化 25] 100124004 55 201206885

將使ITO透明導電膜堆積165 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股）製造，11 Ω/□，濺鍍品）切割成38χ46 mm，並進行蝕刻。利用“Semic0Clean56,，（商品名，化學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後，利用超純水進行清洗。將要製作元件前對該基板進行】小時 ==:?板設置於真空蒸鍍裝置内，進行排氣罝至裝置内之真空度成為5χ1(Γ4 h 層，藉由電阻加熱法蒸鍍6〇⑽之。作為電洞輸送發光層’主體材料係使用化合物仏二]、繼而，作為物^_材料之_歧二㈣係使用化合 40 nm之厚度。繼而為重直。/0之方式蒸錢成 E·2,進而作為第2電子輪送層，、電子:^ 物❿使用铯作為施體性化人/子輸送材料係使用化合濃度成為Μ重量％之方式⑽成^以施體性化合物之摻雜繼而，以重量比成為i nm之厚度。作為陰極，製作5 式蒸鍍1000 nm之鎂與銀〜見方之元件。此處所謂獏厚传水曰 100124004 τ丨不不日曰 56 201206885 振盪式膜厚監視器顯示值。以l〇 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得驅動電壓4.6 V、外部量子效率4.2%之藍色發光。將該元件之初始亮度設定為1000 cd/m2，並測定耐久壽命’結果自初始亮度減少20%之時間為130小時。 [實施例8、9] 使用表1所記载之材料作為電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第1電子輸送層、第2電子輸送層，以與實施例7相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實方例之結果不於表1。 [實施例10〜12] 電洞輸送層係使用表] 1所記载之化合物，發光層主體材料係使用H-2,發光層摻㈣ ^θ〇/ ^ 雅材枓係使用D-2,將摻雜濃度設為 10重篁％ ’除此以外以 6 -、貫施例1相同之方式製作發光元件’並進行評價。再去 $ ’將初始亮度設定為4000 cd/m2,益進行耐久壽命評價，各警士貫知例之結果示於表ρ又，H-2、 D-2為以下所示之化合物。 [化 26] 100124004 57 201206885

/電洞輸送層減用表1所記載之化合物，發切主體材料係使用H-2，發光層摻雜㈣係使用D_2，將_濃度設為 10重量〇/〇,除此以外以與實施例7相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表丨。 _ 作考，將初始焭度設定為4〇00 cd/m2 ’並進行财久壽命評價。 [比較例1] 將使m>透明導電膜料165 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股)製造，u Ω/□，濺鑛品)切割成3⑽賴， =于银刻。利用“Sem臟lean56，，（商品名,麵咖化干⑹製造)對所獲得之基板進行15分鐘之利用超純錢行料。料㈣元件前對料板時 H㈣處理，將基板設置於真空蒸鍍，進行排氣 ^内之真空度成為以下。作為電洞輸送二，電阻加熱法蒸鑛60nm之化合物⑴。繼而，作為 ^層’主體材料係使用化合物⑹，摻雜材料係使用化合 100124004 58 201206885 物D-Wx摻雜材料之_濃度成為5重量。/。之厚度。繼而，作為第2電子輸送層，=链成料上蒸鍍厚度20nm之化合物^丨。輪送材繼而，蒸鍍0.5 nm之Li.q作為電子注入層後，以重-成為1: 1《方式蒸鐘1000 nm之鎂與銀作為陰極，製作: mm見方之元件。此處所謂膜厚係水晶振盈式膜厚監視器示值以1 〇 mA/cm直流驅動該發光元件，結果辑' ^寻驅動電壓6.0 V、外部量子效率3.2%之藍色發光。將該元件之初始冗度:疋為1 〇〇〇 cd/m2，並測定耐久壽命，結果自、古減少20%之時間為84小時。初。亮度 [比較例2〜6] 使用表2所記載之材料作為電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與比較例丨相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表 2。、 [比較例7〜12] 使用表2所έ己載之材料作為電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例丨相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表 2。再者HT-1、ΉΤ-2、HT-3為以下所示之化合物。 [化 27] 100124004 59 201206885

[比較例13〜15] 使用表2所記載之材料作為電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第1電子輸送層、第2電子輸送層，以與實施例7相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表2。 [比較例16〜18] 電洞輸送層係使用表2所記載之化合物，發光層主體材料係使用H-2,發光層摻雜材料係使用D-2,以與實施例10 相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 cd/m2，並進行财久畢命評價。各比較例之結果 100124004 60 201206885 示於表2。 [比較例19〜21] 電洞輸送層係使用表2所§己載之化合物，發光層主體材料係使用Η-2,發光層摻雜材料係使用D_2，以與實施例13 相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 cd/m2，並進行耐久壽命評價。各比較例之結果示於表2。 [實施例16] 將使ιτο透明導電膜堆積165 nm❿成之玻璃基板 (GEOMATEC(股）製造’ u 〇/□，濺鍍品）切割成38><46mm，並進行㈣。利用“semicoclean56，，（商品名，Furuuchi化學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後，利用超純水進行清洗。將要製作元件前_基板進行丨小時之UV-臭氧纽’將基板設置於教蒸鍍裝㈣，進行排氣直至裝置内之真空度成為5χ1()·4 Pa以下。首先，作為電洞注入層’❹電阻加熱法聽⑺膽之作為受體性化合物之 HAT-CN6，繼而’作為電洞輸送層，蒸鑛5〇邮之化合物⑴。繼而，作為發光層，主體材料係使用化合物H，_材料係使用化合物D_1，以摻雜材料之摻雜濃度成為5重量％之方式錢成40nm之厚度。繼而，作為第2 Π:係使用化合物Μ，使用體性化合物之#雜濃度成為5G重量％之方式積層 100124004 201206885 成20 nm之厚度。繼而，蒸鑛0.5 nm之Liq作為電子注入層後，以重量比成為1:1之方式蒸鍍1000 nm之鎂與銀作為陰極，製作5x5 mm見方之元件。此處所謂膜厚係水晶振盪式膜厚監視器顯示值。以10 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得驅動電壓4.0 V、外部量子效率5.5%之藍色發光。將該元件之初始亮度設定為1000 cd/m2，並測定耐久壽命，結果自初始亮度減少20%之時間為361小時。再者，HAT-CN6為以下所示之化合物。 [化 28]

CN HAT-CN6 [實施例17、18] 除電洞輸送層係使用表3所記載之化合物以外，以與實施例16相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例19] 將使ITO透明導電膜堆積165 nm而成之玻璃基板 100124004 62 201206885 (GE〇MATEC(股）製造，11 Ώ/□，麟品）切割成 38x46 mm，並進行餘刻。利用“Semic〇clean56”（商品名，如咖也化 .學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後， *利用超純水進行清洗。將要製作元件前對該基板進行ι小時之UV-臭氧處理，將基板設置於真空蒸錢裂置内，進行排氣直至裝置内之真空度成為5χ1〇·4 Pa以下。首先，作為電洞庄入層電，同〉主入材料係使用HT4,受體性化合物係使用附:藉由電阻加熱法以受體性化合物之換雜濃度成為 10重置/。之方式蒸鑛3〇nme繼而，作為電洞輸送層，蒸梦 Ϊ;Η?合物⑴。繼而，作為發光層，主體材料係使二二· 雜材料係使用化合物叫，以推雜材料之換雜濃度成為5重量％之方式蒸鍍成4〇nm< 第2電子輪送層，電子輸送材料係使用化合二，使: 化合物，以施體性化合物之摻雜濃度成為$ J 里/〇之方式積層成2〇 nm之厚度。成:：;蒸錢0_5細之叫作為電子注入層後，以重量比之方式蒸鑛觸〇nm之鎂與銀作為_ ==。咖膜厚係水晶振蘯式膜厚監視器顯二二==::光元件，結果獲得._ 真产定A P里子效f5.3%之藍色發光。將該元件之初始，並測定耐久壽命，結果自初始亮度 '/〇之時間為368小時。再者，HT-4、F4_TCNQ為以 100124004 63 201206885 下所示之化合物。 [化 29]

HT-4 F4-TCNQ

[實施例20、21] 除電洞輸送層係使用表3所記載之化合物以外，以與實施例19相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例22〜24] 使用表3所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例16相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例25〜27] 使用表3所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例19相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例28〜33] 100124004 64 201206885 使用表3所„己載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實 ⑷相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。再者，e_3、E_4為以下所示之化合物。 [化 30]

E-3

：-4 [實施例34] 將使ITO透明導電膜堆積丨65 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股)製造，η Ω/□，丨賤鍍品）切割成38χ46 ，並進行姓刻。利用“Semic〇clean56”（商品名，f㈣uchi化學(股)製造)對所獲得之基板進行ls分鐘之超音波清洗後，利用超純水進行清洗。將要製作元件前對該基板進行H、時之.臭氧處理’將基板設置於真空蒸鍍裝置内，進行排氣、内之真空度成為5xl〇 Pa以下。首先，作為電洞注入層，藉由電阻加熱法蒸鍍10峋之HAT-CN6，繼而，作為電洞輪送層’紐％之化合物⑴。繼而，作為發

D 光層’主體材料係使用化合物’換雜材料_化合物 1，以摻雜材料之摻雜濃度成為5重量％之方式蒸鍍成4〇 100124004 65 201206885 nm之居度。繼而作為第1電子輸送層，蒸鐘5 nm之E-2，進而作為第2電子輸送層’電子輸送材料係使用化合物 E·2 ’使用鉋作為施體性化合物，以施體性化合物之換雜濃度成為20重量％(變更成重量％)之方式積層成15 nm之厚度。繼而，以重量比成為1 : 1之方式蒸鍍1000 nm之鎂與銀作為陰極’製作5x5 mm見方之元件。此處所謂膜厚係水晶振盈式膜厚監視器顯示值。以丨〇 mA/cm2直流驅動該發光元件，結果獲得驅動電壓3 7 V、外部量子效率5 2%之藍色發光。將該元件之初始亮度設定為1000 cd/m2，並測定耐久壽命’結果自初始亮度減少20%之時間為345小時。 [實施例35、36] 除電洞輸送層係使用表3所記載之化合物以外，以與實施例34相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例37] 將使ITO透明導電膜堆積165 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股）製造，11 (]/□，激鍍品）切割成 38x46 mm，並進行蚀刻。利用“Semicoclean56,，（商品名，Furuuchi化學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後，利用超純水進行清洗。將要製作元件前對該基板進行1小時之UV-臭氧處理，將基板設置於真空蒸鍍裝置内，進行排氣 100124004 66 201206885 直至裝置内之直办奋注入層，電、、： Ρ&以下。首先’作為電洞 F4 TCN :'主入材料係使用Ητ-4，受體性化合物係使用由電阻加熱法以受體性化合物之摻雜濃度成為。物⑴。繼而’作為發光層，主體材料係使用化二二摻雜材料係使用化合物一摻雜化她 ‘广.、、' 重量％之方式蒸鍍成40nm之厚度。繼而，作為第1電子輪送層，蒸鑛5 nm^ E-2，進而作為第2電子輸送1電子輪送材料係使用化合物Ε·2，使祕作為施體性化:物以施體性化合物之摻雜濃度成為重量％(變更成重里Α)之方式積層成15 nm之厚度。、’f : ’以重量比成為1 : 1之方式蒸鍍l_nm之鎂與銀作為陰極’製作5x5inm見方之元件。此處所謂膜厚係水晶振盛式膜厚監視11顯示值。以10 mA/em2直流驅動該發光元件，結果獲得驅動電壓3.8 V、外部量子效率5 2%之藍色發 :元件之初始亮度設疋為1〇〇〇 cd/m2 ,並測定耐久壽 °p 、”。果自初始亮度減少20。/。之時間為346小時。

[實施例38、39J 除電洞輸送層係使用表3所記載之化合物以外，以與實施例37相同之方式製作發光元件，並進行評價。各實施例之結果示於表3。 [實施例4〇〜48] 100124004 67 201206885 使用表4所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例16相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 c d / m2並進行耐久壽命評價。各實施例之結果示於表4。 [實施例49〜51] 使用表4所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例19相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 c d / m2並進行耐久壽命評價。各實施例之結果示於表4。 [比較例22〜24] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例16相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例25〜27] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例19相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果不於表5。 [比較例28〜30] 100124004 68 201206885 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例22相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例31〜33] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例25相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例34〜39] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例28相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例40〜42] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第1電子輸送層、第2 電子輸送層，以與實施例34相同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例43〜45] 使用表5所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第1電子輸送層、第2 100124004 69 201206885 電子輸送層’以與實施例37 ；f目同之方式製作發光元件，並進行評價。各比較例之結果示於表5。 [比較例46〜54] 使用表6所兄載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例40相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 cd/m2並進行耐久壽命評價。各比較例之結果示於表6。 [比較例55〜57] 使用表6所記載之材料作為電洞注入層、電洞輸送層、發光層主體材料、發光層摻雜材料、第2電子輸送層，以與實施例49相同之方式製作發光元件，並進行評價。再者，將初始亮度設定為4000 cd/m2並進行耐久壽命評價。各比較例之結果示於表6。 [實施例52] 將使ITO透明導電膜堆積5〇 nm而成之玻璃基板 (GEOMATEC(股）製造，U Ώ/□，濺鍍品）切割成38><46 mm，並進行蝕刻。利用“Semicoclean56,，（商品名，化學(股)製造)對所獲得之基板進行15分鐘之超音波清洗後，利用超純水進行清洗。將要製作元件前對該基板進行i小時之UV-臭氧處理，將基板設置於真空蒸鍍裝置内，進彳_ '产直至裝置内之真空度成為雨4 Pa以下。首先，作::: 100124004 70 201206885 注入層’藉由電阻加熱法蒸鍍1〇 nm《H仏⑽，作為電洞輸送層，蒸錢12Gnm之化合物[2m ，光層’主體材料係使用化合物h、3，摻雜材料係使用化二: D-3，以摻雜材料之摻雜濃度成為1〇重量%之方式藏二勿 40 nm之厚度。繼而乍為第 ’、、、鍍成叩作马弟1電子輪送層，蒸鍍 E-5，進而作為第2電子耠逆戶冤子輸运層電子輸送材料係使用物Μ ’使用鉋作為施體性化合物，以施體性化合物之松合濃度成為20重量％之方式積層成i5nm之厚度。，雜繼而，以夤 | 成為1 : 1之方式蒸鍍1000 nm之錄斑相作為陰極，製作〜〈鎂與銀 $mm見方之元件。此處所謂膜厚係水晶振盈式祺厚St顏哭血裔_示值。以10 mA/cm2直流驅動該發朵开件’結果獲得驅說發光：駆動電壓5.0 V、外部量子效率10.2%之紅色士：〆元件之初始亮度設定為1000 cd/m2,並測定耐久哥命，社果白$ 、’°曰初始亮度減少20%之時間為62〇小時。再者，、D 1 3、E-5為以下所示之化合物。 [化 31]

D-3

[實施例53] 100124004 71 201206885 作為電洞注入層，電洞注入材料係使用ΗΤ-4，受體性化合物係使用Α-1，以受體性化合物之摻雜濃度成為10重量 %之方式蒸鑛30 nm，作為電洞輸送層，蒸鑛100 nm之化合物[2]，除此以外以與實施例52相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。再者，A-1為以下所示之化合物。 [化 32]

F

[實施例54] 作為第一電子輸送層，蒸鍍5 nm之E-6，作為第2電子輸送層，電子輸送材料係使用E-6，使用碳酸鉋作為施體性化合物，以施體性化合物之摻雜濃度成為2重量％之方式蒸鍍15 nm，除此以外以與實施例52相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。再者，E-6為以下所示之化合物。 [化 33] 100124004 72 201206885

[實施例55] 作為第一電子輸送層，蒸鍍5 nm之E-6，作為第2電子輸送層，電子輸送材料係使用E-6，使用碳酸鉋作為施體性化合物，以施體性化合物之摻雜濃度成為2重量％之方式蒸鍍15 nm，除此以外以與實施例53相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。 [比較例58] 除電洞輸送層係使用HT-2以外，以與實施例52相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。 [比較例59] 除電洞輸送層係使用HT-2以外，以與實施例53相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。 [比較例60] 除電洞輸送層係使用HT-2以外，以與實施例54相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。 [比較例61] 100124004 73 201206885 除電洞輸送層係使用HT-2以外，以與實施例55相同之方式製作發光元件，並進行評價。結果示於表7。 100124004 74 201206885 鬥1崦】減少20%之耐久壽命 (小時） irj V-) to 00 CN 寸 <N ! 257 CN Ό CN CO (N 〇〇 m CN ο CN 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) 00 寸’ 00 CO v〇 vq — v〇 V〇 — 寸* vq ν〇 vq 寸· vq 对’ ,Φ4色〇命 τ-Η — 寸’ (N — r*H 对_ <N 寸· (N 寸· 寸’ (N 14.5 14.4 14.4 13.2 13.3 13.3 第2電子輸送層電子輸送材料 ώ E-2 <N ώ ώ <N ώ 施體性化合物 2" 塚 σ' 銳第1電子輸送層1 i 1 m E-2 (N ώ 發光層發光色费费摻雜材料 D-1 D-1 D-1 D-2 D-2 主體材料 1 X H-l 1 ffi Η-2 Η-2 電洞輸送層 1—1 1 cT g r—< 1 1 2 1—-i 1 t 1 1 l_l 1 1 m m l * 1 1 1 Ρ· Ί CO CO 1 g 1實施例11 1實施例2 1 |實施例3 1 |實施例4 1 |實施例5 | |實施例6 I I實施例7 1 [實施例8 I |實施例9 1 |實施例ιο| |實施例ιι| |實施例12| 1實施例13| 1實施例14| |實施例15|

p SO^-OOI 201206885 鬥 I_(Nd 減少20%之时久壽命 (小時） (N 00 s CN (N 00 ο m iTt VO m 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) 〇 vd 〇 v£) ο ν〇 On ON OS 00 寸* cs u-i CN »ri 〇每· (Ν CO fO rn (S co <N ro ΓΟ ro fS rn ΓΛ cn <N CO <N ΓΟ 第2電子輸送層電子輸送材料 ώ rs ώ ώ CN W 施體性化合物 •2Γ 第1電子輸送層發光層發光色摻雜材料 Q D-l Q Q 主體材料 Η-1 X Η·1 X 電洞輸送層 2 r_， m cn Γ—1 2 1 J ?〇 rn [HT-1] | [HT-2] | 1 [HT-3] | 1 [HT-1] | [HT-2] [HT-3] 比較例1 1 tb較例2 1 |比較例3 比較例4 |比較例5 |比較例6 比較例7 |比較例8 比較例9 1 比較例10 比較例11 比較例12 201206885 鬥(n_3<〕減少20%之对久壽命 (小時） VO <N »-Η ο 卜 l-H 00 Ό 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) 〇 ο vS vq 1-Η T-H o i/S 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) ro CO ο ΓΟ 13.4 13.4 10.2 | 12.5 12.3 第2電子輸送層電子輸送材料 E-2 1-H ώ <N w 施體性化合物 2¾ 第1電子輸送層 E-2 E-2 發光層發光色费赍摻雜材料 D-l D-2 D-2 主體材料 1 X H-2 H-2 電洞輸送層 [HT-1] 1 [HT-2] I [ΗΤ-3] [HT-1] [HT-2] 1 [ΗΤ-3] I I [HT-1] I [HT-2] 1 [HT-3] |比較例13j 比較例14 1比較例15 1 比較例16 |比較例17 1 比較例18 比較例19 比較例20 比較例21

LL S§ZS0I 201206885 【I-e<】〇蛛當 ^ ^ -f 7、iZ7 w ν〇 ΓΟ 寸 ir> m cn oo VO CO T—< P； m 00 VO m 3 m V〇 ΓΛ CN m σ\ 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) ρ — ρ ο 寸· 寸· (N 寸· 寸’ oo cn 00 ΓΟ 00 ro Os rn 〇\ CO Os ΓΟ 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) 寸 a ui ro wS 寸 uS 寸寸 in 寸 in u-i 对 y/t Μ f\ 電子輸送材料 ώ ώ (N ώ <N ώ Μ * ㈣ «Ν 城施體性化合物 σ' .2"* 1第1電子輸送層 ! m 發光層發光色換雜材料 Q Q Q Q 主體材料 ώ r«H ώ X 電洞輸送層 1 1 l—i r -ι r—*n l_j rT 1 1 1 t m 1—< « 1 1 1 m f—1 m cn 電洞注入層電洞注入材料 HT-4 HT-4 受體性化合物 HAT-CN6 F4-TCNQ HAT-CN6 F4-TCNQ 例 16] 1實施例π| |實施例18| |實施例19| 例 2〇| 例 ΐι| |實施例22l 例23| |實施例24| |實施例25| 味施例26丨例 27|

SOSI0OI 201206885 【CN_rn<】減少20%之耐久壽命 (小時） 260 1 250 I | 254 I (N 240 m (N | 345— I 332 I 346 in rO (N cn 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) 寸· rn CO 寸· m ro 卜 rn 卜 rn 卜 CO 00 cn 00 ro 00 ΓΟ 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) 寸寸 in 寸 u-i <N <N (N CN i/i (N 第2電子輸送層電子輸送材料 ώ E-4 CN ώ 1 E-2 施體性化合物第1電子輸送層 E-2 E-2 發光層發光色摻雜材料 D-1 D-1 D-1 D-1 主體材料 X H-l ώ H, 電洞輸送層 1 1 1 1 CO 巴 1—1 1 1 r~i (—» m cn I 1 1 2 r—i •m 1 \ l—l rT 1 1 cn 電洞注入層電洞注入材料「 HT-4 受體性化合物 HAT-CN6 HAT-CN6 HAT-CN6 F4-TCNQ |實施例28| 1實施例29| 例 3〇| |實施例3lj |實施例32| 實施例33 |實施例34| |實施例35| 實施例36 |實施例37| 1實施例38| |實施例39| 6A SOS 1001 201206885 減少20%之封久辱·命 (小時） 592 1 575 1 572 584 t-H o 00 386 384 370 v〇 00 V〇 ilO mA/cm2 驅動電壓 (V) 〇\ ON ΓΟ 00 ΓΟ 卜卜 rn 卜 cn — — 寸* 00 <ri 00 cn 00 CO 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) 18.2 18.3 18.2 oo 18.3 18.3 od 18.2 18.0 18.1 1—< od r-^ 18.2 μ 電子輸送材料 ώ E-2 rn ώ ώ Μ * (Ν 施體性化合物 1 cr j !第1電子輸送層 ! #. 發光層發光色费资赞摻雜材料 D-2 D-2 D-2 D-2 主趙材料 H-2 H-2 H-2 H-2 電洞輸送層 t—n S' » r—» CO f" ! 1 2 U—1 r—i S' * r—t m p—1 ♦-H 1 1 1 l m 電洞注入層電洞注入材料 m r—i 受體性化合物 HAT-CN6 HAT-CN6 HAT-CN6 F4-TCNQ 1實施例4〇| i實施例4l| |實施例42| |實施例43| |實施例44| i實施例45| |實施例46| |實施例47| |實施例48| |實施例49| |實施例5〇| |實施例5l| 000S0SI001 201206885 鬥一;<〕減少20%之耐久壽命 (小時） 124 I S m co 110 ο g (N σ\ Ό ON 00 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) Ρ — o 寸寸· 寸* 00 ΟΊ CN 寸· cs 〇\ CO 寸’ m — i教 "1 φί δ-2 J 寸* v〇寸· vq 寸· 00 — — 00 寸· 寸· wo 00 — in 寸· 第2電子輸送層電子輸送材料 ώ ώ Ε-2 1 E-2 施體性化合物 .2" σ' 第1電子輸送層 m #· 發光層發光色摻雜材料 D-l D-l 1 Q 主體材料 H-l X ώ H-l 電洞輸送層 1 [HT-l] | 1 [ΗΤ-2] Π 1 [ΗΤ-3] | [HT-l] j | [ΗΤ-2]Π \ [ΗΤ-3]Π [ΗΤ-1] 1 [ΗΤ-2] 1 | [ΗΤ-3]Π [HT-l] 1 [ΗΤ-2Π | [ΗΤ-3] I | 電洞注入層電洞注入材料 HT-4 HT-4 受體性化合物 HAT-CN6 F4-TCNQ HAT-CN6 F4-TCNQ 1比較例22| 1比較例23| 1比較例24| |比較例25| |比較例26| 1比較例27| 比較例28 比較例29 比較例30 |比較例3l| 比較例32 比較例33 18 so寸 3 so l 201206885 鬥 O # Si 3 (N OS 00 Ό σ> <Ν 〇 5； κη <Ν 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) ΓΛ 一 — V〇 ΓΟ 寸· vq 寸· 寸· 卜 ΓΟ r-H 寸· 寸· 00 <N — (N — 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) rn — q 寸· q 寸· CO — 〇 — 〇 tJ- so — (N 寸· cn 寸· 卜 — fO 第2電子輸送層電子輸送材料 ΓΊ ώ (N ώ CN ώ 施體性化合物塚第1電子輸送層 <N ώ CN ώ 發光層發光色摻雜材料 Q Q 1 Q 1 Q 主體材料 ώ ώ ώ ώ 電洞輸送層「[ΗΤ-1] 1 「[HT-2] | [HT-3] [ΗΤ-1] Γ [ΗΤ-2Π Γ [ΗΤ-3]Π Γ [ΗΤ-1]Π [HT-2] 「[HT-3] 1 [ΗΤ-1] [HT-2] [HT-3] 電洞注入層電洞 >主入材料 HT-4 受體性化合物 HAT-CN6 HAT-CN6 HAT-CN6 F4-TCNQ |比較例34| |比較例35| |比較例36| 1比較例37| |比較例38| 1比較例39| 1比較例4〇| 比較例41 |比較例42| 1比較例43| |比較例44| |比較例45| s w}017(Nlool 201206885 減少20%之耐久壽命 (小時） VO | 134 I 172 s VO <N s 112 g (N t··^ v〇 CO 10 mA/cm2 驅動電壓 (V) 〇\ rn CN fS 卜 CO in 00 rS «Ν 寸· <N 10 mA/cm2 外部量子效率 (%) oi ί-Η 14.9 15.2 11.9 15.0 15.0 12.2 r-H wS 15.4 fN 1 15.2 14.9 第2電子輸送層電子輸送材料 ώ (N ώ ώ ώ 施體性化合物 Cf σ* 第1電子輸送層發光層發光色紫费摻雜材料 D-2 D-2 D-2 1 D-2 主體材料 H-2 H-2 H-2 H-2 電洞輸送層 [HT-l] | 1 [HT-2] | | [HT-3] 1 [HT-l] | 1 [HT-2] I | [HT-3] | 1 [HT-l] | | [HT-2] | 1 [HT-3] | [HT-l] | 丨[HT-2] | 丨[HT-3] | 電洞注入層電洞注入材料 r*—i 受體性化合物 HAT-CN6 HAT-CN6 HAT-CN6 F4-TCNQ |比較例46| 比較例47 |比較例48| |比較例49| |比較例50 |比較例5l| |比較例52| |比較例53| |比較例54| |比較例55| |比較例56| 比較例57 ε00S0I7-001 201206885 【卜崦〕減少20%之对久壽命 (小時） 620 590 680 630 340 270 355 320 10 mA/cm2 驅動電壓 ⑺ 〇 vq 寸· 00 寸寸· CM to o o ON 寸· ε ^ ^ φΐ W 太· 10.2 10.6 11.8 11.3 cn ON 00 〇\ 10.1 Cs cK 第2電子輸送層電子輸送材料 yn ώ m ώ V£p ώ v〇 ώ yn ώ ώ E-6 1 VO ώ 施體性化合物 is jS 碳酸铯碳酸铯塚 iS 碳酸铯碳酸铯第1電子輸送層 ώ ώ ώ Ε·6 W ώ E-6 ώ 發光層發光色 4 4 4 4 4 4 摻雜材料丨 D-3 1 丨 D-3 1 D-3 丨 D-3 1 1 D-3 I I D-3 1 丨 D-3 1 D-3 主趙材料 ΓΗ-3 1 ΓΗ-3 1 1 η-3 1 ΓΗ-3 1 ώ ΓΗ-3 1 H_3 1 H-3 電洞輸送層 I_ Ξ Ξ P—*1 Ξ | HT-2 | HT-2 HT-2 HT-2 電洞注入層電洞注入材料 ΗΤ-4 ΗΤ-4 HT-4 HT-4 受體性化合物 HAT-CN6 Α-1 HAT-CN6 Α-1 HAT-CN6 A-l HAT-CN6 A-l 1實施例52| 實施例53 |實施例54| 1實施例55| |比較例58| |比較例59 |比較例60 比較例61

寸00SOSIOOI 201206885 【圖式簡單說明】圖1係表示有機電致發光元件内部之電荷之能量狀態的 • 圖。 . 【主要元件符號說明】 1 陽極之能量位階（功函數） 2 電洞輸送材料之HOMO能階之能量位階 3 發光層之HOMO能階之能量位階 4 陰極之能量位階（功函數） 5 發光層之LUMO能階之能量位階 6 電洞輸送材料之LUMO能階之能量位階 7 表示陽極與電洞輸送層之界面之線 8 表示電洞輸送層與發光層之界面之線 9 表示發光層與陰極之界面之線 11 陽極上之電洞 12 注入至電洞輸送材料中之電洞 13 注入至發光層中之電洞 14 陰極上之電子 , 15 注入至發光層中之電子 . 16 表示電子與電洞之再結合之線 17 發光層之LUMO能階與電洞輸送層之LUMO能階之能量差 100124004 85

Claims

201206885 七、申請專利範圍：、1·一種發光元件，其係於陽極與陰極之間至少存在電洞輸送層與電子輪送層，且藉由魏能量而發光者，1中，該發光元件之電洞輸送層含有下述通式⑴所示之化合物，電子 :达=有施體(d_)性化合物，且該施體性化合物為驗金二3有鹼金屬之無機鹽、驗金屬與有機物之錯合物、驗土貝料〜含有驗土類金屬之無機11H類金屬與有機物之錯合物；

100124004 86 201206885 2.如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，於上述電洞輸送層與陽極之間存在電洞注入層，電洞注入層係單獨由受 - 體性化合物所構成、或含有受體性化合物。 • 3.如申請專利範圍第2項之發光元件，其中，受體性化合物為金屬氧化物或含氰基之化合物。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中，上述電子輸送層含有啡啉衍生物。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之發光元件，其中，上述電子輸送層含有具有芘骨架或蒽骨架之化合物。 6. 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中，上述具有芘骨架或蒽骨架之化合物具有包含電子接受性氮之雜芳基環結構。 100124004 87