TW201145228A - Label - Google Patents

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TW201145228A
TW201145228A TW099143066A TW99143066A TW201145228A TW 201145228 A TW201145228 A TW 201145228A TW 099143066 A TW099143066 A TW 099143066A TW 99143066 A TW99143066 A TW 99143066A TW 201145228 A TW201145228 A TW 201145228A
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Tomoya Hosoda
Satoshi Okamoto
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Sumitomo Chemical Co
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Description

201145228 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關耐熱性(heat resistance)優異的標籤 (label) 〇 本申請案,係根據在2 00 9年12月10曰,向曰本所 提出申請之日本專利特願2009-280039號主張優先權,並 將其內容援用於此。 【先前技術】 於機械、電氣、電子零件、食品等產業領域中,以主 要在製造時之工程管理爲目的,時常將印刷有條型碼(bar code)之標籤貼附於生產物品或其包裝材料上使用。 並且,有些生產物品,則在其製造過程中,有經於生 產物品或包裝材上貼附標籤之狀態下將其生產物品置於高 溫條件下施加既定的處理之情形。此時,由於隨著生產物 品之處理亦會對標籤給與熱能(thermal energy)之故,對構 成該標籤之材料亦需要具備高耐熱性。 作爲此種高耐熱性的標籤,例如於專利文獻1中,提 案有依擠出成型法(extrusion moulding method)形成液晶 聚酯(liguid crystal polyester)製的基材,亦即形成液晶聚 酯基材後’使用該液晶聚酯基材以製造標籤之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :日本專利特開2004-13054號公報 201145228 (章節[0062][0095]) 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而,專利文獻1中所提案之標籤,雖然對生產物品 的高溫處理具有充分的耐熱性,惟由於耐光性(light resistance)或蒸汽隔離性(steam barrier property)並不佳之 故,如長時間使用時,則有標籤會部分性剝離之問題。並 且經如此方式發生剝離之標籤,可能難於正確讀取條型碼 中所記錄之資訊。因此,在此種問題上,尙有改善的空 間。 於是,鑑於此種情況下,本發明之目的在於提供一種 即使經過長時間之使用,仍能防止耐光性不足或蒸汽隔離 性不足所引起之剝離的發生以避免資訊的誤讀之標籤。 [用以解決課題之手段] 本發明人等發現,如使用具有特定構造之液晶聚酯基 材即可改善耐光性及蒸汽隔離性之事實,而完成本發明。 亦即’本發明之第丨狀態爲一種標籤,係含有液晶聚 酯基材之標籤,其特徵爲:構成前述液晶聚酯基材之液晶 聚酯’具有以下述式(1)表示之構造單元、式(2)表示之構 造單元以及式(3)表示之構造單元,而對全構造單元的合 計含II ’含有2,6-萘二基之構造單元的含量爲40莫耳% 以上' 95%莫耳以下之耐熱標籤。 201145228 (1) —Ο-Ar1 —C〇 — (2) —CO — Ar2_CO —以及 (3) -O-A r 3 -〇- (式中,Ar1表示2,6 -萘二基、1,4-伸苯基或4,4’-聯伸 苯基(1?丨?1^11丫17161^);八1'2及八1*3分別獨立表示2,6-萘二 基、I,4·伸苯基、1,3-伸苯基或4,4’-聯伸苯基:以前述 Ar1、Ar2或Ar3表示之基上的氫原子,可分別獨立被鹵素 原子、碳數1至10的烷基或碳數6至20的芳基所取代。 本發明之第2狀態,爲除前述第1狀態之構成之外, 前述液晶聚酯尙具有 2 8 0 °C以上的流動起始溫度(initial fluidizing temperature)之標籤。 本發明之第3狀態,爲除第1或第2狀態之構成之 外,前述液晶聚酯基材,在溫度40t及相對濕度90%下 測定時,尙具有〇. 1克/m2 · 24小時以下的水蒸汽穿透度 (water vapor permeability)。 本發明之第4狀態爲一種標籤,係含有液晶聚酯基材 之標籤,其特徵爲:前述液晶聚酯基材,在溫度4〇°C及 相對濕度90%下測定時,具有0.005克/m2 · 24小時以下 的水蒸氣穿透度。 本發明之第5狀態爲一種標籤,係含有液晶聚酯基材 之標籤,其特徵爲:構成前述液晶聚酯基材之液晶聚酯’ 當作成厚度50μιη的薄膜、且在溫度40°C及相對濕度90°/。 下測定時,具有0.005克/m2 · 24小時以下的水蒸汽穿透 度。 本發明之第6狀態,爲除前述第1至第5狀態之任一 201145228 狀態之構成之外,前述液晶聚酯基木 (ultravialet absorbing agent)及 / (ultraviolet scattering agent)之標籤 本發明之第7狀態,爲除前述養 狀態之構成之外,尙於前述液晶聚S 層(adhesive layer)之標籤》 本發明之第8狀態,爲除前述負 黏著層背面,按能從前述黏著層剝离 膜(protective film)之標籤。 再者,本發明之第9狀態,爲闻 之任一狀態之構成之外,於前述液I 符號之標籤。 [發明之效果] 如採用本發明,則由於液晶聚_ 蒸汽隔離性優異之特定的液晶聚酯所 間使用標籤,仍然能防止因耐光性不 所引起之剝離之發生。因而,在標 形,則能避免其資訊之誤讀。 [發明之最佳©施形態] [發明之贲施形態1] 將本發明之實施形態1,表示於 B、第2圖A以及第2圖B中。 尙含有紫外線吸收劑 或紫外線散射劑 ) 1至第6狀態之任一 基材背面層合有黏著 7狀態之外,於前述 之方式層合有保護薄 前述第1至第8狀態 聚酯基材表面設置有 丨基材,爲由耐光性及 :形成之故,即使長期 :足或蒸汽隔離性不足 籤中記錄有資訊之情 第1圖A、第1圖 -8- 201145228 首先,就有關實施形態1之標籤1的構成加以說明。 該標籤1,如第1圖B所示’具備有由液晶聚酯基材 2、 黏著層3以及保護薄膜5所成之3層構造,而從整體 來看,具有撓性(flexibility)。 亦即,標籤1,如第1圖B所示,具有既定的厚度 Tl(例如,Tl = 10至3 00μηι)的片材(sheet)狀的液晶聚酯基 材2。於液晶聚酯基材2表面(第1圖B上面),如第1圖 A所示,印刷有過程管理用的條型碼4。另一方面,於液 晶聚酯基材2背面(第1圖B下面),按函蓋其全面之方 式,層合有既定厚度T2(例如,T2 = 5至ΙΟΟμηι)的黏著層 3。 又’於黏著層3背面(第1圖Β下面),按函蓋其全面 之方式,如第1圖Β中之一點鏈線所示,按能從黏著層3 剝離之方式層合有既定厚度Τ3(例如,Τ3=2〇至150μηι)的 保護薄膜5。作爲此種保護薄膜5而言,例如,可採用剝 離紙(peeling paper)等。 構成此種聚酯基材之液晶聚酯,係在熔融時顯示光學 各向異性(optically anisotropic),而具有可以下列式(1)表 示之構造單元、以式(2)表示之構造單元以及以式(3)表示 之構造單元。又,前述液晶聚酯,係對全構造單元的合計 含量(將構成前述液晶聚酯之各構造單元的質量除以其各 構造單元的分子式量而求得各構造單元的物質量相當量 (莫耳)’並將此等加以合計之値),含有2,6 -萘二基之構造 單元的含量爲40莫耳%以上、95莫耳%以下。再者,該 液晶聚酯,較佳爲流動起始溫度在280°C以上、且較流動 201145228 起始溫度爲高的溫度所測定之熔態張力(melt tension)的最 大値在0.0098N(牛頓)以上。 (1) -O-Ari-CO- (2) -C〇-Ar2—CO—以及 (3) -〇 —Ar3 —Ο — (式中,六1'1表示2,6-萘二基、1,4-伸苯基或者4,4’-聯 伸苯基;Ar2及Ar3分別獨立表示2,6-萘二基、1,4-伸苯 基、1,3-伸苯基或者4,4’-聯伸苯基;以前述Ar1、Ar2、 或者Ar3表示之基上的氫原子,可分別獨立被鹵素原子、 碳數1至10的烷基或者碳數6至20的芳基所取代)。 在此,「液晶聚酯」,係指在450t以下的溫度下, 在熔融時會顯示光學各向異性之聚酯之意。此種液晶聚 酯,如在製造階段,將含有 2,6-萘二基之單體 (monomer)、與具有其等以外的芳香環之單體,於所得液 晶聚酯中,按含有2,6-萘二基之構造單元的含量能成爲 40莫耳%以上之方式,選擇原料單體並使其聚合,則可製 得。 如此,由於含有液晶聚酯基材2之標籤1,係於具有 前述的式(1)所表示之構造單元、式(2)所表示之構造單元 以及式(3)所表示之構造單元之液.晶聚酯中,對全構造單 元的合計含量,含有2,6-萘二基之構造單元的含量成爲 40莫耳%以上之故,可提高耐光性及蒸汽隔離性。其結 果,即使長期間使用標籤1,仍然能防止因耐光性不足或 蒸汽隔離性不足所引起之剝離之發生。因而,能經常正確 -10- 201145228 讀取標籤1的條型碼4中所記錄之資訊 於本發明中所用之液晶聚酯中,對 含量’較佳爲含有2,6 -萘二基之構造琿 耳%以上之液晶聚酯、更佳爲含有2,6. 的含量在65莫耳%以上的液晶聚酯、 二基之構造單元的含量在70莫耳%以 此,含有更多量的含有2,6-萘二基之 酯’可更提升標籤的耐光性及蒸汽隔離 此種性能的觀點來看,雖然含有2,6 -蔡 含量並不特別加以限定,惟例如亦考慮 的觀點在內時,則較佳爲9 5莫耳%以 %以下、特佳爲85莫耳%以下。 又,對全構造單元的合計含量,_ 所示之源自芳香族羥基羧酸之構造單3 至80莫耳%、前述式(2)中所示之源自 造單元的合計含量在10至35莫耳%、 源自芳香族二元醇之構造單元的合計含 %。 再者,本發明中所用之液晶聚醋, 前述式(1)中所示之構造單元 '式(2)中 及式(3)中所示之構造單元2種以上。 之液晶聚酯,亦可具有前述式(1)中所 (2)中所示之構造單元以及式(3)中所示 構造單元,惟其含量,係對全構造單元 全構造單元的合計 [元的含量在50莫 -萘二基之構造單元 特佳爲含有2,6-萘 上的液晶聚酯。如 構造單元之液晶聚 性。從液晶聚酯的 二基之構造單元的 液晶聚酯的生產性 F,更佳爲90莫耳 咬佳爲前述式(1)中 6的合計含量在30 芳香族二羧酸之構 前述式(3)中所示之 量在1 〇至3 5莫耳 亦可分別獨立具有 所示之構造單元以 又,本發明中所用 示之構造單元、式 之構造單元以外的 ,的合計含量,通常 -11 - 201145228 爲1 〇莫耳%以下,較佳爲5莫耳%以下。 又’本發明中所用之液晶聚酯,較佳爲全芳香族液晶 聚醋。在此,「全芳香族液晶聚酯」,係指作爲原料單體 而由僅使用芳香族化合物所成之液晶聚酯之意。由於前述 全芳香族液晶聚酯,係耐熱性亦優異之故,可作爲標籤的 材料很適合使用。 在此’如對全構造單元的合計含量之源自前述芳香族 羥基羧酸之構造單元、源自前述芳香族二羧酸之構造單元 以及源自前述芳香族二元醇之構造單元的含量在前述範圍 內’則由於除液晶聚酯能顯現高度的液晶性之外,熔態加 工性(molten workability)尙會優異之故很合適。 再者,對全構造單元的合計含量之源自前述芳香族羥 基羧酸之構造單元,如在4 0至7 0莫耳%,則更佳,如在 45至65莫耳% ’則尤佳。另一方面,對全構造單元的合 計含量之源自前述芳香族二羧酸之構造單元及源自前述芳 香族二元醇之構造單元,如分別在1 5至3 0莫耳%,則更 佳,如在1 7 · 5至2 7 · 5莫耳%,則尤佳。 形成前述式(1)中所示之構造單元之單體而言,可例 舉:2-經基-6萘甲酸(naphthoic acid)、對經基苯甲酸或者 4-(4-羥基苯基)苯甲酸。再者,亦可舉:此等的苯環或者 萘環的氫原子爲被鹵素原子、碳數1至10的烷基或者芳 基所取代之單體。在此,形成本發明之含有2,6-萘二基之 構造單元之單體而言,可例舉:2-羥基-6-萘甲酸,再 者,前述2-羥基-6-萘甲酸的萘環的氫原子,可爲鹵素原 -12- 201145228 子、碳數1至10的烷基或者芳基所取代。再者,前述2 羥基-6-萘甲酸,亦可作成後述的酯形成性衍生物 (esterforming power derivatives)後使用。 形成前述式(2)中所示之構造單元之單元而言,可例 舉· 2,6-萘二羧酸、對苯二甲酸(terephthalic acid)、間苯 二甲酸或者聯二苯-4,4’-二羧酸。再者,亦可舉:此等的 本環或者萘環的氫原子’爲被鹵素原子、碳數1至的 院基或者芳基所取代之單體。在此,形成本發明之含有 2,6 -萘—基之構造單元之單體而言’可例舉:2,6_萘二羧 酸’再者’ 2,6-萘二羧酸的萘環的氫原子,亦可爲被鹵素 原子、碳數1至1〇的烷基或者芳基所取代。再者,前述 2,6-蔡二羧酸’亦可作成後述的酯形成性衍生物後使用。 开夕成前述式(3)中所示之構造單元之單體而言,可例 舉· 2’6·萘二醇、氫醌(hydroquinone)、間苯二酚 (res〇rcin)或者4,4’二羥基聯二苯。再者,亦可舉:此等 @本環或者萘環的氫原子爲被鹵素原子、碳數1至10的 者芳基所取代之單體。在此,形成本發明之含有 2,6·奈二基之構造單元之單體而言,可例舉:2,6_萘二 醇’再者’ 2,6-萘二醇的萘環的氫原子,亦可爲被鹵原 子·碳數1至1〇的烷基或者芳基所取代。再者,前述 2’6_蔡〜醇,亦可作成後述的酯形成性衍生物後使用。 如前所述,前述式(1)、(2)或者(3)中所示之構造單 π ’均可於芳香族(苯環或萘環)中具有前述之取代基(鹵 素原子、碳數丨至1〇的烷基、芳基)。如例示此等取代基 -13- 201145228 時,鹵素原子而言,可例舉:氟原子、氯原子、溴原子、 碗原子。又,碳數1至10的院基而言,可例舉:甲基、 乙基、丙基、丁基、己基、辛基、癸基等所代表之烷基, 而此等可爲直鏈,可爲分枝、亦可爲脂環基。再者,芳基 而言,可例舉:苯基、萘基等所代表之碳數6至20的芳 基。 爲使液晶聚醋在製造之過程中容易聚合起見,作爲形 成前述式(1)、式(2)或者式(3)中所示之構造單元之單體, 較佳爲採用酯形成性衍生物。此種「酯形成性衍生物」, 係指具有能促進醋化反應(esterification reaction)之基之 單體之意。如具體例示時,可舉:經將單體分子內的羧基 轉換爲鹵化甲醯基(halo formyl group)或醯基羥基羰基之 _形成性衍生物、或經將單體分子內的經基(hydroxyl group)作成醯基羥基之酯形成性衍生物等的高反應性能衍 生物(high reactivity derivatives)。 作爲本發明中所用之液晶聚酯的較佳單體的組合,曰 本專利特開2005-2728 1 0號公報中所記載之液晶聚酯,係 從耐熱性及熔態張力的提升之觀點來看爲較佳者。具體而 言’係源自2-羥基-6-萘甲酸之構造單元(I)的含量在40至 74.8莫耳%、源自氫醌之構造單元(11)的含量在12.5至3〇 莫耳%、源自2,6-萘二羧酸之構造單元(III)的含量在12.5 至3 0莫耳%以及源自對苯二甲酸之構造單元(IV)的含量在 〇.2至15莫耳%,且前述構造單元(ΠΙ)及(IV)的莫耳比能 符含(III)/{(III) + (1V)} 2 〇.5的關係之液晶聚酯。 -14- 201145228 更佳爲可舉:係對全構造單元的合計含量,爲前述構 造單元(I)的含量在40至64.5莫耳%、前述構造單元(II) 的含量在17.5至30莫耳%、前述構造單元(III)的含量在 17.5至30莫耳%以及前述構造單元(IV)的含量在0.5至 12莫耳%,且前述構造單元(III)及(IV)的莫耳比能符合 (ΙΙΙ)/{(ΙΠ) + (ΐν)}2〇.6的關係之液晶聚酯。 再佳爲可舉:係對全構造單元的合計含量,爲前述構 造單元(I)的含量在50至58莫耳%、前述構造單元(II)的 含量在20至25莫耳%、前述構造單元(III)的含量在20 至25莫耳%以及前述構造單元(IV)的含量在2至10莫耳 %、且前述構造單元(III)以及(IV)的莫耳比能符合 (III)/{(111) + ( IV)} & 0.6的關係之液晶聚酯。 又,液晶聚酯之製造方法而言,雖然可採用周知的方 法,惟作爲前述之酯形成性衍生物,較佳爲採用經將單體 分子內的羥基使用低級羧酸而轉換爲醯基羥基之衍生物以 製造。醯化,通常使具有羥基之單體與醋酸酐進行反應即 可達成。經由此種醯化之酯形成性衍生物,如藉由脫酯酸 聚縮合(deacetic-acidification polycondensation)而聚合, 即可容易製造聚酯。 前述之聚酯製造方法而言,可適用周知的方法(例 如’日本專利特開2002- 1 46003號公報中所記載之方法 等)°亦即,可例舉:按對應於含有2,6·萘二基之構造單 元之單體的含量,能對全單體的合計含量,成爲40莫耳 %以± ' 95莫耳。/。以下之方式,選擇對應於前述式(1)中所 -15- 201145228 示之構造單元、式(2)中所示之構造單元以及式(3)中所示 之構造單元之單體,需要時轉換爲酯形成性衍生物之後, 進行熔態聚縮合(melt polycmdensation),以製得分子量較 低的芳香族液晶聚酯(以下,簡稱「預聚合物(pre polymer)」)。接著,將此預聚合物作成粉末並加熱,藉 以使其固態聚合(solid state polymerization)之方法《如採 用此種固態聚合,則更容易進行聚合而能達成巨分子化 (macromolescularization) 〇 如將由熔態聚縮合所得之預聚合物作成粉末時,則例 如經將預聚合物加以冷卻固化後進行粉碎即可。粉末之粒 徑,係以平均計,較佳爲0.05mm以上、3mm程度以下, 特佳爲0.05mm以上、1 .5mm程度以下者因可促進芳香族 液晶聚醋的高聚合度化(high degree of polymerizing)之故 較合適,如係0.1mm以上1mm程度以下者,則可在不致 於發生粉末的粒子間的燒結(sintering)之下促進液晶聚酯 的高聚合度化之故更合適。 於固態聚合時之加熱,通常係在升溫之中進行,例 如,從室溫升溫至較預聚合物的流動起始溫度爲低20°C 以上的溫度止。此時的升溫時間,雖並不特別加以限定, 惟從反應時間的縮短的觀點來看,在1小時以內實施爲 宜。 於液晶聚酯之製造中,於固態聚合時之加熱,較佳爲 從較預聚合物的流動起始溫度爲低2(TC以上的溫度升溫 至2 80°C以上的溫度止。升溫,係以0.3°C /分鐘以下的升 -16- 201145228 溫速度進行爲宜。此種升溫速度,較佳爲〇」至〇_ 15 °C / 分鐘。如該升溫速度爲0.3 °C /分鐘以下,則由於不易發生 粉末的粒子間的燒結,以致容易進行高聚合度的液晶聚酯 的製造之故很合適。 在此,爲提高液晶聚酯之聚合度起見,於固態聚合時 之加熱,係雖因所得液晶性樹脂的芳香族二元醇或者芳香 族二羧酸成分的單體種類而有所不同,惟在280°C以上的 溫度下’較佳爲在280 °C至400 °C的範圍,使其反應30分 間以上爲宜。尤其,從液晶性樹脂的熱安定性 (thormostability)的觀點來看,較佳爲在反應溫度280至 3 5 0°C下使其反應30分鐘至30小時、更佳爲在反應溫度 2 8 5至3 40 °C下使其反應30分鐘至20小時。 有關本發明之「液晶聚酯的流動起始溫度」,係指就 依上述製造方法所得之液晶聚酯(粉末(powder)或者顆粒 (pellet)),使用擠製機(extruder),並就藉由熔態揑合 (molten kneading)而得之顆粒所測定之値之意。爲耐熱性 的提升,特別是從能耐受作爲高密度塡料技術(high density packing technique)之軟焊料軟融處理(solder reflow treatment)之耐熱性之觀點來看,該顆粒的流動起 始溫度需要爲2 8 0 °C以上。特別是,如前述液晶聚酯的流 動起始溫度爲 2 9 0 t以上,3 8 0 °C以下,則由於耐熱性 高,且可抑制成型時的聚合物的降解老化(degradation deterioration)之故較佳,如爲295 °C以上、3 5 0 °C以下, 則更佳。 -17- 201145228 在此,「流動起始溫度」,係指使用裝配有內徑 lmm、長度 10mm 的塑模(dies)之毛細管型流變計 (rheometer),於 9.8MPa(兆帕)(100kgf/cm2)的荷重下,按 升溫速度4°C /分鐘,從噴嘴擠出液晶聚酯時,熔融黏度能 顯不4 8 0 0 P a · s (4 8 0 0 0泊)Z溫度(例如,參考小出直之編 「液晶聚合物一合成•成型•應用一」第95頁至105 頁,CMC出版,1987年6月5曰發行)。 如此所得之具有前述既定的構造單元組成之液晶聚 酯,係蒸汽隔離性優異者,較佳之情形爲,當作成厚度 50nm的薄膜時,在溫度40°C及相對濕度90%下所測定之 水蒸氣穿透度,會成爲〇.〇〇5g/m2 · 24小時以下。 其次,就依上述製造方法所得之液晶聚酯(粉末或者 顆粒),使用擠製機以進行熔態揑合之具體方法加以說 明。 例如,採用單螺桿或多螺桿擠製機,較佳爲雙螺桿擠 製機機、班伯里混合機(Bumbury mixer)、輕式混合機 (roll tupe mixer),從依上述液晶聚酯之製造方法所得樹 脂單體(粉末或者顆粒)的流動起始溫度減1 (TC至流動起始 溫度加1 〇〇°C的範圍進行熔態捏合,以製得顆粒。從防止 液晶聚醋的熱老化(thermal deterioration)之觀點來看,較 佳爲從流動起始溫度減1 0°C至流動起始溫度加70°C的範 圍、更佳爲從流動起始溫度減1 0°C至流動起始溫度加50 °C的範圍。 又,本發明中所用之液晶聚酯,如對此添加塡充劑, -18- 201145228 則亦可作成液晶聚酯樹脂組成物。 在此,塡充劑而言,可例舉:碾壓玻璃纖維(milled glass fibre)、短玻璃纖維(chopped glass fibre)等玻璃纖 維;玻璃珠(glass bease)、中空玻璃球、玻璃粉末、雲 母、滑石、黏土、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鉀、矽灰石 (wolUstonite)、碳酸鈣(重質、輕質、膠質等)、碳酸鎂、 鹼性碳酸鎂、硫酸曹達、硫酸鈣、硫酸鋇、亞硫酸鈣、氫 氧化銘、氫氧化鎂、氫氧化銘、砂酸耗、砂砂(quartz sand)、矽石(silica)、石英、氧化鈦、氧化鋅、氧化鐵石 墨、鉬、石綿、矽氧鋁氧纖維、鋁氧纖維 '石膏纖維、碳 纖維、炭黑、超微粒砂(white carbon)、砂藻土、膨土 (bentonite)、絹雲母(sericite)、捲鬚(cirrus)、石墨 (graphite)等無機塡充劑;鈦酸鉀晶鬚、鋁氧晶鬚、硼酸 鋁晶鬚、碳化矽晶鬚、氮化矽晶鬚等金屬或非金屬系晶 鬚,此等2種以上的混合物等。此等之中,玻璃纖維、玻 璃粉末、雲母、滑石、碳纖維等很適用。 又,前述塡充劑,可爲經以表面處理劑所表面處理 者。該表面處理劑而言,可例舉:矽烷系偶合劑、鈦酸酯 系偶合劑、硼烷系偶合劑等的反應性偶合劑(reactive coupling agent)、高級脂肪酸' 高級脂肪酸酯、高級脂肪 酸金屬鹽、碳氟化合物系表面活性劑等潤滑劑其他。 此等塡充劑的使用者,係對芳香族液晶聚酯1 00質量 份,通常在〇·1至400質量份的範圍,較佳爲在1〇至400 質量部、更佳爲在10至250質量量的範圍。 -19· 201145228 又,液晶聚酯樹脂組成物’除前述塡充劑之外,尙可 含有液晶聚酯以外的熱塑性樹脂或添加劑。 在此,熱塑性樹脂而言’可例舉:聚碳酸酯樹脂、聚 醯胺樹脂、聚颯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚伸苯基醚樹脂、 聚酮醚樹脂、聚醚型聚醯亞胺樹脂等。 又,添加劑而言,可例舉:紫外線吸收劑(苯并三唑 系的紫外線吸收劑等)、紫外線散射劑(氧化鈦、氧化鲜 等)、光穏定劑(受阻胺系的光穩定劑等)、抗氧化劑、穩 定劑、脫模改良劑(氟樹脂、金屬皂類等)、晶核劑、增塑 劑、滑劑(synovial agent)、著色劑、防著色劑、抗靜電 劑、潤滑劑(lubricant)以及阻燃劑等。如含有紫外線吸收 劑或紫外線散射劑,則由於能吸收或使其反射.散射對液 晶聚酯會有害的紫外線之故,更能改善標籤1的耐光性。 液晶聚酯樹脂組成物,例如,將依前述方式所得之液 晶聚酯與如上述之塡充劑、需要時所使用之熱塑性樹脂或 添加劑加以混合,即可製造。此時的混合,可採用硏鉢 (mortar) ' 亨謝爾混合機(hengchel mixer) ' 球磨機(ball mill)、螺條摻合機(ribbon blender)等,亦可採用單螺桿擠 製機、雙螺桿擠製機、班伯里混煉機、輥式、布拉班德爾 (Bnanbender)式、揑合機(kneader)等的熔態揑合機,且較 佳爲在上述熔態揑合條件下實施。 於本發明中所用之液晶聚酯中,在較將依上述製造方 法所得之液晶聚酯(粉末或顆粒)進行熔態揑合所得之顆粒 的流動起始溫度爲高的溫度下所測定之熔體張力(melt -20- 201145228 tension)的最大値能顯示 〇 . 〇 〇 9 8N (牛頓)以上(較佳爲 0.015N以上、更佳爲〇.〇20N以上)爲宜。再者,如採用在 較流動起始溫度爲高2 5 °C的溫度下所測定之熔體張力的 最大値爲0.009 8N以上之液晶聚酯時,則可穩定製造液晶 聚酯基材2。 此種「熔體張力」,係指於熔融黏度測定試驗機(流 動特性試驗機)上充塡經將依上述製造方法所得液晶聚酯 (粉末或顆粒)藉由熔態揑合所得之顆粒,並使用圓筒型機 筒直徑(cylinder barrel diameter)直徑爲 1mm,活塞 (piston)的擠壓速度爲5mm/分鐘、之速度可變捲取機,在 自動加速之下將試料牽引爲絲狀並發生斷裂時的張力(單 位:N)之意。 本發明中所用之液晶聚酯基材2之製造方法中,亦可 使用例如’經由從T形模頭(T-die)擠出熔融樹脂後並捲取 之T形模頭法,或從設置有環形機頭(ring type dies)之擠 製機按圓筒狀擠出溶融樹脂,冷卻後捲取之薄膜吹塑 (inflation)成膜法所得之薄膜(fum)或片材(sheet)、依熱加 壓成型法(thermal press moulding)、或依溶劑流涎法 (solvent casting)所得之薄膜或片材、或者,將經依注射 模塑成型(inj action moulding)或擠出法所得之片材再加以 單向拉伸(uniaxial elorgation)或雙向拉伸(double axial elongation)後所得之薄膜或片材。在注射模塑成型、擠壓 成型(extrude monlding)等情形時,則不預先經過揑合之 過程之下’將成分的粉末或顆粒在成型時加以乾摻合(dry -21 - 201145228 blending)後溶融成型(molten moulding),而製得薄膜或片 材。 於T形模頭法中在將經過T形模頭後所擠出之熔融 樹脂往捲取機方向(長度方向)拉伸之下捲取所得之單向拉 伸薄膜或雙向拉伸薄膜很好使用》 於前述單向拉伸薄膜的成膜時之擠製機的設定條件, 可按照液晶聚酯的構造單元組成而適當設定,惟圓筒設定 溫度較佳爲在200至3 60 °C的範圍、更佳爲在23 0 °C至 3 5 0 °C的範圍。如在此範圍外,則有發生液晶聚酯的熱分 解、或成膜困難之情形之故不宜。 前述T形模頭的縫隙間隔,較佳爲0.2至2mm、更佳 爲0.2至1.2mm。前述單向拉伸薄膜的牽引比(draft ratio) 的範圍,較佳爲1.1至40、更佳爲10至40、特佳爲15 至35。 此種「牽引比」,係指將前述T形模頭縫隙的剖面積 除以對長度方向成爲垂直的面的薄膜剖面積之値之意。如 牽引値在1 .1以下時,則薄膜強度會不足夠、如牽引比在 45以上時’則可能薄膜的表面光滑性(surface smoothness) 會不足夠之情形。該牽引比,可在考慮擠製機的設定條 件、捲取速度之下加以設定。 前述雙向拉伸薄膜,可在與前述單向拉伸薄膜的成膜 同樣的擠製機的設立條件,亦即,機筒設定溫度,較佳爲 在200至360 °C的範圍、更佳爲在230至350 °C的範圍,T 形模頭的縫隙間隔,較佳爲在0 · 2至1 . 2 m m的範圍下進行 -22- 201145228 液晶聚酯的熔融擠出,並藉由將從T形模頭所擠出之熔體 片材往長度方向拉伸以及往長度方向與垂直方向(橫向)同 時拉伸之方法而製得。或者,前述雙向拉伸薄膜,可在將 從前述Τ形模頭所擠出之熔體片材首先往長度方向拉伸 後,將該拉伸片材在同一過程內,在100至300°C的高溫 下,使用拉幅機(tenter)往橫向拉伸之逐次拉伸的方法等 而製得。 如製作前述雙向拉伸薄膜時,其拉伸比(elongation ratio),較佳爲在往長度方向1.2至40倍,橫向方向1 .2 至2 0倍的範圍。如拉伸比在上述範圍外時,則可能薄膜 的強度會不足夠、或難於製得均勻的厚度的薄膜之情形。 經將從圓筒形的模頭所擠出之熔體片材依薄膜吹塑法 (inflation)或膜後所得之吹塑薄膜(inflation film)等亦很 適合使用。亦即,液晶聚酯,將供給於具備有環狀縫隙的 模頭之熔態揑合擠製機,在機筒設定溫度200至3 60°C、 較佳爲在230至3 50°C下實施熔態揑合後,從擠製機的環 狀縫隙成爲筒狀薄膜而往上方或下方擠出熔融樹脂即可製 得。前述環狀縫隙間隔,通常爲0.1至5mm、較佳爲0.2 至2mm、更佳爲0.6至1.5mm。前述環狀縫隙的直徑,通 常爲20至1000mm、較佳爲25至600mm。 對前述所熔融擠出之熔融樹脂薄膜往長度方向 (MD(maChine direction)縱向)施加牽引之同時,從該筒狀 薄膜的內側吹入空氣或惰性氣體、例如氮氣等,藉以使薄 膜往對長度方向成爲直角的橫向(TD(transverse direction) -23- 201145228 膨脹拉伸。 於薄膜吹塑成型(成膜)中,較佳的吹脹比(blow rattio)(橫向的拉伸比:吹塑氣泡(inflation bubble)的直徑 /環狀縫隙的直徑)爲1 . 5至1 0、更佳爲2至5。拉伸比 (MD延伸倍率:氣泡拉取速度/樹脂吐出速度)以1.5〜50 爲佳、較佳爲5〜3 0。又,氣泡形狀較佳爲選擇所謂B型 (酒杯(wine glass)型)者。如吹塑成膜時的設定條件在上述 範圍外時,則可能有難於製得厚度均勻而無皺紋之高強度 的液晶聚酯基材2之情形之故不宜。 經使其膨脹之薄膜,通常在使其圓周空冷或水冷後, 使其通過後加以捲取。 當進行吹塑成膜時,可按照液晶聚酯基材2而選擇筒 狀的熔體薄膜能以均勻的厚度且膨脹爲表面光滑的狀態之 條件。 本發明中所用之液晶聚酯基材2的厚度,並不特別加 以限制,惟較佳爲3至ΙΟΟΟμηι、更佳爲10至200μηι、再 佳爲12至150μηι。由此種方法所得之液晶聚酯,係耐熱 性、電氣絕緣性優異、輕量且能使其薄片化,而機械強度 良好、有柔軟性、且廉價者。 如此方式所得之液晶聚酯基材2,係由於從具有前述 既定的構造單元組成之液晶聚酯所構成之故,蒸汽隔離性 優異者,在溫度40°C及相對濕度90%下所測定之水蒸汽 穿透度,通常成爲 0.1 g/m2 · 24小時以下、較佳爲 0.05g/m2 · 24小時以下、更佳爲 0.01g/m2 · 24小時以 -24- 201145228 下、再佳爲〇.〇〇5g/m2· 24小時以下。 本發明中,可預先對液晶聚酯基材2表面施加表面處 理。此種表面處理法而言,可例舉:電暈放電(corona discharge)處理、電黎(plasma)處理、火焰(flame)處理、 濺射(sputtering)處理、溶劑處理、紫外線處理、硏磨 (grinding)處理、紅外線(infrared)處理、臭氧(〇ZOI1e)處理 等。 液晶聚酯基材2,可爲無色,亦可爲含有顏料或染料 等著色成分者。使其含有著色成分之方法而言,例如, 有:在薄膜的製膜時,預先摻混著色成分之方法、或於液 晶聚酯基材2上印刷著色成分之方法等。又,亦可將著色 薄膜與無色薄膜加以貼合使用。 再者’黏著層3而言,例如,可採用:丙烯酸系(主 要爲乳膠(emulsion)型、溶劑(solvent)型)、聚砂氧系(主 要爲溶劑系)、橡膠系(主要爲乳膠型、溶劑型、熱熔(hot melt)型)等由泛用的黏著劑所構成者。又,黏著層3,通 常係由將此種黏著劑塗佈於熱熔性膠黏層(hot-melt adhesive layer)上所形成者。塗佈,可爲對前述熱熔性膠 黏層全面者,亦可爲對其一部分者。其方法,並不特別加 以限制,而可依周知的塗佈方法加以塗佈。具體而言,例 如’在實施溶劑型的黏著劑之塗佈的情形,則使用刮刀塗 佈機(knife coater)或送輕塗佈機(reverse roll coater)而對 脫模紙側塗佈黏著劑,乾燥後,將脫模紙加以調濕,然 後,貼合於前述熱熔性膠黏層等的方法很適合採用。 -25- 201145228 由於標籤1具有如上所述之構成之故,如使用該標籤 1以實施生產物之高溫處理時之過程管理時,則依照下列 步驟。 首先,預先,於標籤貼附過程中,如第2圖 A所 示,於生產物品6的既定位置貼上標籤1的液晶聚酯基材 2。於前述標籤貼附過程中,使用標籤貼附裝置(未圖 示),從黏著層3剝離標籤1的保護薄膜5以去除,並將 液晶聚酯基材2連黏著層3 —起,按壓於生產物品6的既 定位置。其結果,將成爲液晶聚酯基材2介在黏著層3而 被貼附於生產物品6上之狀態。 經由上述過程而於生產物品6的既定位置上貼附有標 籤1的液晶聚酯基材2後,則移行至高溫處理過程。如第 2圖B所示,將生產物品6置於熱源7之下,從熱源7對 生產物品6照射熱線,藉以施加既定的高溫處理之同時, 進行生產物品6的過程管理。 此時,標籤1的液晶聚酯基材2,特別是在液晶聚醋 的流動起始溫度爲2 8 0 °C以上之情形,則可充分發揮作爲 薄膜所需要之物性(操作性、處理(handling)性等)。 於是,生產物品6於高溫處理中之過程管理即完成。 [發明之實施形態2]
將本發明之實施形態2,表示於第3圖A及第3圖B 中。 有關本發明之苡施形態2之標籤1,如第3圖a所 -26- 201145228 示,於液晶聚酯基材2表面(第3圖B上面)’除條型碼4 之外,尙印刷有矩陣(matrix)式的二維碼(two-dimension code) 8之同時,由於省略有黏著層3的背面(第3圖B下 面)的保護薄膜5之故,除成爲由液晶聚酯基材2及黏著 層3所成之2層構造之點之外,其餘則具有與上述之實施 形態1同樣構造。 因而,在此種標籤1,仍然能發揮與上述之實施形態 1同樣作用效果。 除此之外,由於在此種標籤1上,不僅於液晶聚酯基 材2表面之條型碼4之外,尙印刷有二維碼8之故,可利 用此等條型碼4及二維碼8以記錄更多資訊。其結果,亦 可對應生產物品6的複雜的過程管理。又,由於該標籤 1,係成爲由液晶聚酯基材2及黏著層3所成之2層構造 之故,因保護薄膜5之節省,而可削減標籤1的材料成本 及製造成本。 [發明之其他實施形態] 再者,於上述之實施形態1中,係就由液晶聚酯基材 2、黏著層3以及保護薄膜5所成之3層構造的標籤1加 以說明者。又,於上述之實施形態2中,則就由液晶聚酯 基材2及黏著層3所成之2層構造的標籤1加以說明者。 但,視貼附標籤1之生產物品6的物性其他狀況之不同, 亦能作成僅液晶聚酯基材2的1層構造。 又,於上述之實施形態1中,係就於液晶聚酯基材2 -27- 201145228 表面印刷有條型碼4之標籤1加以說明者。又,於上述之 實施形態2中,係就於液晶聚酯基材2表面印刷有條型碼 4及矩陣式的二維碼8之標籤丨加以說明者。但,亦可於 液晶聚酯基材2表面僅印刷有二維碼8之標籤1同樣適用 本發明。又,亦可不用矩陣式的二維碼8而印刷堆疊 (stack)式的二維碼(未圖示)。或者,亦可不特別限定於條 型碼4或二維碼8,而以其他符號代用。再者,亦能不在 液晶聚酯基材2的表面印刷,而於液晶聚酯基材2表面貼 附由聚醯亞胺等所成之耐熱樹脂層(未圖示),並於此耐熱 樹脂層表面印刷符號。再者,此等符號,並不需要藉由印 刷而設置,亦可代用或倂用印刷以外的方法(例如,貼 附、雷射印字法等)。 再者,於上述之實施形態1及2中,係就於生產物品 6上貼附標籤1之情形加以說明者,惟於生產物品6的包 裝材料(未圖示)上貼附標籤1之情形,亦同樣可適用本發 明。 又,於上述之實施形態1及2中,係以生產物品6的 過程管理作爲目的而就貼附標籤1之情形加以說明者,惟 於以生產物品6的商品管理作爲目的而貼附標籤1之情 形,亦同樣可適用本發明。 【贲施方式】 [實施例] 以下,就本發明之實施例加以說明。在此,本發明並 -28- 201145228 不因實施例而有所限定。 〈合成例1 > 於具備有攪拌裝置、轉矩計(torque meter)、氮氣導 入管' 溫度計以及回流冷卻器之反應器中,添加2-羥基· 6-萘甲酸1 034.99克(5.5莫耳)、氫醌272.52克(2.475莫 耳、過剩飼給0.225莫耳)' 2,6-萘二羧酸3 7 8.3 3克(1.75 莫耳)、對苯二甲酸83.07克(0.5莫耳)、醋酸酐1226.87 克(12莫耳)以及作爲觸媒之丨_甲基咪唑〇.17克,在室溫 下攪拌1 5分鐘後,在攪拌下使其升溫。當內溫到達1 45 °C時’在保持該溫度(1 4 5 °C )之下攪拌內容物1小時。 其次,在餾除所餾出之副產醋酸,未反應的醋酸酐之 下,將此內容物按耗費3小時3 0分鐘之方式從1 4 5 °C升 溫至310°C。接著,將此內容物,在該溫度(310t)下保溫 3小時時後,製得液晶聚酯。將如此方式所得液晶聚酯冷 卻爲室溫,並使用粉碎機加以粉碎,而製得粒徑爲約0.1 至1 mm的粉末狀液晶聚酯(預聚合物)。將作爲合成例1。 於此合成例1的液晶聚酯中’實質的共聚合莫耳分率 (copolymerization molar fraction),係以前述式(1)所表示 之構造單元:前述式(2)所表示之構造單元:前述式(3)所 表示之構造單元表示,爲55莫耳。/。: 22.5莫耳%: 22.5莫 耳%。又,於此合成例1的液晶聚酯中’對此等構造單元 的合計之含有2,6 -萘二基之構造單元的共聚合莫耳分率, 爲7 2.5莫耳% -29- 201145228 將按與合成例1同樣方式所得之粉末,按耗費1小時 之方式從25°C升溫至25 0。(:之後,按耗費5小時之方式從 該溫度(250 °C)升溫至293 1,接著,在該溫度(293 °C)下 保溫 5 小時以使其進行固態聚合(solid state polymerization)。然後,冷卻經固態聚合後之粉末,製得 粉末狀的液晶聚醋。將此作爲合成例2。 於此合成例2的液晶聚酯中,實質的共聚合莫耳分 率’係以前述式(1)所表示之構造單元:前述式(2)所表示 之構造單元:前述式(3)所表示之構造單元表示,爲55莫 耳% : 2 2 · 5莫耳% : 2 2 · 5莫耳%。又,於此合成例2的液 晶聚酯中,對此等構造單元的合計之含有2,6-萘二基之構 造單元的共聚合莫耳分率,爲72.5莫耳%。 將按與合成例1同樣方式所得粉末,按耗費1小時之 方式從25 °C升溫爲2 50 °C之後,按耗费10小時之方式從 該溫度(2 50 °C)升溫至310°C,接著,在該溫度(310°C)下 保溫5小時以使其進行固態聚合。然後,冷卻經固態聚合 後之粉末,製得粉末狀的液晶聚酯。將此作爲合成例3。 於此合成例3的液晶聚酯中,實質的共聚合莫耳分 率,係以前述式(1)所表示之構造單元:前述式(2)所表示 之構造單元:前述式(3)所表示之構造單元表示,爲55莫 耳% : 2 2 5莫耳%、2 2.5莫耳%。又,於此合成例3的液 晶聚酯中,對此等構造單元的合計之含有2,6-萘二基之構 造單元的共聚合莫耳分率,爲72.5莫耳%。 -30- 201145228 <合成例4 > 於與合成例1同樣的反應器中,添加對羥基苯甲酸 911克(6.6旲耳)、4,4’-二徑基聯二苯409克(2.2莫耳)、 間苯二甲酸91克(0.55莫耳)' 對苯二甲酸274克(165莫 耳)、以及醋酸酐1 23 5克(12.1莫耳)後加以攪拌。接著, 對此內容物中添加1-甲基咪唑0.17克,經將反應器內充 分以氮氣取代後’在氮氣氣流下按耗費15分鐘之方式升 溫爲1 50°C,在保持溫度之下使其回流丨小時。然後,在 餾除所餾出之副產醋酸,未反應的醋酸酐之下,將此內容 物按耗費2小時5 0分鐘之方式升溫至3 2 0 °C。然後,將 可確認轉矩(torque)之上升時作爲反應終點,取出內容 物。將如此方式所得液晶聚酯冷卻爲室溫,並使用粉碎機 加以粉碎,而製得粒徑爲約0.1至lmm的液晶聚酯的粉 末(預聚合物)。 將如此方式所得粉末按耗費1小時之方式從2 5 °C升 溫爲250°C之後,按耗費5小時之方式從該溫度(250°C )升 溫爲2 8 5 °C ’接著,在該溫度(2 8 5 °C )下保溫3小時以使其 進行固態聚合。然後,冷卻經固態聚合後之粉末,製得粉 末狀的液晶聚酯。將此作爲合成例4。 <流動起始溫度之測定> 就合成例1至4,分別測定粉末狀的液晶聚酯的流動 起始溫度。亦即,使用流速測驗器(flow meter)(島津製作 所(股)製的「CFT-500型」),將試料2克塡充於裝配有內 201145228 徑 lmm、長度 10mm 的機頭之毛細管型流變計 (rheometer)。將當於 9.8MPa(兆帕)(100kgf(千克力)/cm2) 的荷重下按升溫速度4°C /分鐘從噴嘴擠出液晶聚酯時,熔 融黏度能顯示4800Pa · s(48000泊)之溫度作爲流動起始 溫度。將此等結果表示於表1中。 又,就合成例1至4,分別將粉末狀的液晶聚酯製粒 後作成顆粒狀,並測定該顆粒狀的液晶聚酯的流動起始溫 度。亦即,使用合成例1至4的液晶聚酯粉末各500克, 利用雙螺桿擠製機(池貝(股)製的「PCM-30」),在各液晶 聚酯的粉末的流動起始溫度至較流動起始溫度爲高10 °C 的溫度下進行製粒,製得顆粒。就如此方式所得之相當於 合成例1至4之顆粒,測定其流動起始溫度。將此等結果 表示於表1中。 <熔體張力之測定> 由於爲穏定按工業規模方式製作液晶聚酯基材起見, 需要既定程度之熔體張力之故,就合成例1至4,分別測 定顆粒狀之液晶聚酯的熔體張力。此時,就各顆粒,在較 顆粒的流動起始溫度爲高的溫度下實施熔體張力測定,以 求出熔體張力的最大値。又’就試料未能牽引爲絲狀,以 致不能實施熔體張力測定之溫度,亦加以硏究。 亦即’使用熔融粒度測定試驗機(東洋精機製作所(股) 的毛細管圖(capillograph) 1 B型),飼給試料約! 〇克,依 圓筒形機筒直徑lmm’活塞的擠出速度爲5mm /分鐘的條 -32- 201145228 件,在使用速度可變捲取機並以自動升速之下將試料牽引 爲絲狀,而將試料斷裂時的張力作爲熔體張力(單位: N)。將此等結果表示於表1中。 【表1】 合成例1 合成例2 合成例3 合成例4 液晶聚酯之流動起始溫度ΓΟ 267 317 333 327 製粒溫度(°c) 275 325 340 335 顆粒流動起始溫度rc) 267 300 308 318 熔體張力之最大値(10·3Ν) 0.98 25 93 14 在各測定溫度下之^ 熔體張力測定値(kt3n) []內爲測定溫度 不能測定 25 [3HTC] 93 [3301C] 14 [350*0] 19 [320X:] 60 [340*C] 7.8 [360^] 12 [330*C] 43 [350*0] 6.9 [3501C] 33 [3601] 不能實施熔體張力 測定之溫度(°c) - 305 325 355 再者,就合成例1的液晶聚酯而言,熔體張力測定, 係如測定溫度爲3 00°c以下時,則試料未能牽引爲絲狀, 另一方面,如測定溫度爲3 1 0°C以上時,則由於樹脂不能 成爲絲狀而會流動之故,以致未能實施熔體張力測定。於 測定溫度3 00至3 1 0°C之間亦曾嘗試熔體張力測定,惟雖 然有時試料能牽引爲絲狀,但由於熔體張力過低以致絲會 斷裂之故,未能算出熔體張力。 <實施例.1 > 採用合成例3中所得之液晶聚酯,以製作厚度2 5 μηι 的液晶聚酯基材。亦即,將此液晶聚酯的粉末在一螺桿擠 -33- 201145228 製機(螺旋直徑50mm)內加以熔融,並從其一螺桿擠製機 的前端的T形模頭(模唇長度3 00mm、模唇間隙1mm、模 頭溫度3 5 0 °C )依薄膜狀擠出後加以冷卻,以製作厚度 25μπι的液晶聚酯基材(實施例1)。 <實施例2〉 採用合成例3中所得之液晶聚酯,以製作厚度50μηι 的液晶聚酯基材。亦即,將此液晶聚酯的粉末在一螺桿擠 製機(螺旋直徑5〇mm)內加以熔融,並從其一螺桿擠製機 的前端的T形模頭(模唇長度3 00mm、模唇間隙1 mm、模 頭溫度3 5 0 °C )依薄膜狀擠出後加以冷卻,以製作厚度 5 0μηι的液晶聚酯基材(實施例2)。 <比較例1 > 採用合成例4中所得之液晶聚酯,依照與實施例丨同 樣步驟,以製作厚度2 5 μ m的液晶聚酯基材(比較例1)。 <耐光性試驗> 就實施例1及比較例1,爲評價液晶聚酯基材的耐光 性起見,求出利用光照射(light irradiation)之強度保持率 (strength r e t e n t i ο η) »亦即,使用加速耐候試驗機 (accelerated weather-pr00f tester)(速佳試驗機(股)製的強 能量 S 耐候 §十(strong energy xenon weather ometer)SC700-WN),依下列條件進行光照射。 -34- 201145228 波長:275mm以上的連續光(利用濾光器切斷短波長 側) 強度:160W(瓦特)/m2(燈輸出) 溫度:6 5 °C (使用與照射面相同位置之平板溫度計 (flat panel thermometen 所測定) 時間:60小時 接著’將光照射後的液晶聚酯基材強度除以光照射前 的液晶聚酯基材強度藉以算出強度保持率。 其結果’強度保持率,係在比較例1爲7 %,相對 地,在實施例1則爲75 %(亦即,比較例1之約1 1倍)。 由此結果可知’實施例1係較比較例1之液晶聚酯基材的 耐光性爲相差懸殊地優異之事實。 <蒸汽隔離性之評價> 就實施例1、實施例2以及比較例1,爲進行液晶聚 酯基材的蒸汽隔離性之評價起見,求出水蒸汽穿透度。亦 即,準據】IS K7 129C法,利用氣體穿透率,蒸汽透過度 測定裝置(gas transmittance · watervapor transmittance measuring device)(GTR 科技(股)製的「GTR-30X」), 依溫度40°C '相對濕度90%的條件,測定液晶聚酯基材 的水蒸汽穿透度。 其結果,水蒸汽穿透度,係在比較例1爲0.3 4 3克 /m2 · 24小時,相對地,在實施例1爲〇.〇1 1克/m2 . 24 小時(亦即,比較例1之約1 /3 1倍)。由此結果可知,實施 -35- 201145228 例1係較比較例1之液晶聚酯基材的蒸汽隔離性爲極高之 事實。又,在實施例2則爲0.0030克m2 · 24小時,可知 液晶聚酯基材的蒸汽隔離性爲極高之事實。 [產業之利用可能性] 本發明之標籤,可廣泛適用於需要與機械、電氣·電 子零件、食品等的生產物品或其包裝材料同樣程度之耐熱 性之標籤之產業。 【圖式簡單說明】 第1圖A :有關本發明之實施形態1之標籤的平面 圖。 第1圖B:第1圖A中之按B-B線之放大剖面圖。 第2圖A:表示生產物品的過程管理中之標籤貼附過 程之圖。 第2圖B:表示生產物品的過程管理中之高溫處理過 程之圖。 第3圖A :有關本發明之實施形態2之標籤的平面 圖。 第3圖B :第3圖A中之按B-B線之放大剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :標籤 2 :液晶聚酯基材 -36- 201145228 3 :黏著層 4 :條型碼(符號) 5 :保護薄膜 6 _·生產物品 7 :熱源 8 :二維碼(符號) T 1 :液晶聚酯基材之厚度 T2 :黏著層之厚度 T3 :保護薄膜之厚度 -37-

Claims (1)

  1. 201145228 七、申請專利範圍 1 · 一種標鑛,係含有液晶聚酯基材之標籤,其特徵 爲:構成前述液晶聚酯基材之液晶聚酯,具有以下述式(^) 表示之構造單元、式(2)表示之構造單元以及式(3)表示之 構造單元,而對全構造單元的合計含童,含有2,6_蔡一基 之構造單元的含fi爲40莫耳%以上之耐熱標籤, (1) -O-Ar1 -CO- (2) —CO —Ar2 — CO —以及 (3) —O_A r 3 一Ο — (式中’ Ar〗表示2,6-萘二基、l,4-伸苯基或4,4,_聯伸 苯基;Ar2及Ar3分別獨立表示2,6-萘二基、ι,4_伸苯 基、1,3-伸苯基或4,4’-聯伸苯基;以前述Ar1 ' Ar2或Αγ3 表示之基上的氫原子’可分別獨立被鹵素原子、碳數1至 10的烷基或碳數6至20的芳基所取代)。 2.如申請專利範園第1項之標籤,其中前述液晶聚 酯,具有2 8 (TC以上的流動起始溫度。 3- 如申請專利範圍第1項之標籤,其中前述液晶聚 酯基材,在溫度40°C及相對濕度90%下測定時,具有〇」 克/m2 · 24小時以下的水蒸汽穿透度。 4- 一種標籤,係含有液晶聚酯基材之標籤,其特徵 爲:前述液晶聚酯基材,在溫度4〇°C及相對溫度90%下 測定時,具有0.005克/m2 . 24小時以下的水蒸汽穿透 度。 5. 一種標籤,係含有液晶聚酯基材之標籤,其特徵 爲:構成前述液晶聚酯基材之液晶聚酯,當作成厚度 -38 - 201145228 5 0μπι的薄膜、且在溫度4(TC及相對濕度90%下測定時, 具有0.005克/m2 · 24小時以下的水蒸汽穿透度。 6. 如申請專利範圍第1項之標籤,其中前述液晶聚 酯基材含有選自紫外線吸收劑及紫外線散射劑所成群之至 少1種。 7. 如申請專利範圍第4項之標籤,其中前述液晶聚 酯基材含有選自紫外線吸收劑及紫外線散射劑所成群之至 少1種。 8 .如申請專利範圍第5項之標籤,其中前述液晶聚 酯基材含有選自紫外線吸收劑及紫外線散射劑所成群之至 少1種。 9.如申請專利範圍第1項之標籤,其中於前述液晶 聚酯基材背面,層合有黏著層。 1 0.如申請專利範圍第4項之標籤,其中於前述液晶 聚酯基材背面,層合有黏著層。 1 1 .如申請專利範圍第5項之標籤,其中於前述液晶 聚酯基材背面,層合有黏著層。 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項之標籤,其中於前述黏 著層背面,按能從該黏著層剝離之方式層合有保護薄膜。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之標籤,其中於前述黏 著層背面,按能從該黏著層剝離之方式層合有保護薄膜。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之標籤,其中於前述黏 著層背面,按能從該黏著層剝離之方式層合有保護薄膜。 1 5 ·如申請專利範圍第1項至第1 4項之任一項標 -39- 201145228 籤,其中於前述液晶聚酯基材表面設置有符號。 -40-
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