TW201131836A - Light emitting diode having electrode pads - Google Patents

Description

201131836 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光二極體，更具體地講，涉及 具有電極墊的發光二極體。 【先前技術】 氮化鎵(GaN)為主(based)的發光二極體(LED)已經有 著廣泛範圍的應用，包括全色LED顯示器、LED交通信 號、白光LED等。

GaN為主的發光二極體通常可以通過在基板(例如，藍 寶石基板)上生長磊晶(epitaxial)層來形成，並且可以包括n 型半導體層、p型半導體層及置於n型半導體層和p型半 導體層之間的活性層。此外，η電極墊形成在n型半導體 層上’ P電極塾形成在p型半導體層上。發光二極體通過 這些電極墊而電性連接到外部電源’並通過外部電源來進 行操作。這裏，電流從P電極墊通過半導體層而流到η電 極塾。 通常，由於ρ型半導體層會具有高的電阻率，所以售 SlL不可能均勻地分佈在ρ型半導體層上，而是可妒，中名 P型半導體層的形成有p電極塾的一部分上，並且電、、旁 能集中在半導體層的邊緣上並且流過半導體層的邊纟 可以稱作電流擁擠(crowding)，並且這會導致發光彖$ 小’從而劣化了發光源的發光效力。為了解、、叔1面積的$ 可以在p型半導體層上形成具有低電阻率的透明 以增強電流擴散(current spreading)。在該結構中電極2 ’ 4 201131836 電極塾供應電料，電流可以在進人p型轉體層之前被 透明電極層分散，從而增大了 LED的發光面積。 然而，由於透明電極層趨於吸收光，所以透明電極層 的厚度^到限制，從而提供有限的電流擴^具體地講曰， 在用於高輸出的、©積為大約lmm2或更大的大led中， 在通過透明f極層實财效的電流擴散方面會有著局限 性。 為了促進电流在發光二極體内擴散，可以使用從電極 =伸的延伸件。例如，由Zha。等人中請的第6,65〇,〇18 I二國專利公開了—種LED，該LED包括多個沿相反的 、°從電極接觸部分(即，電極墊)延伸的延伸件，以增強 電流擴散。 雖然_延伸件的使用可以增強LED的寬區域上的 =擴散’但是，仍然可能在LED的職有電極墊的部分 發生電流擁擠。 嘴著LED的尺寸增大，在LED巾存在缺陷的 堂五々^ &大。諸如穿透位錯他咖出叩dislocation)、針孔 #。、^提供電流可以流經的通路，從而使電流在LED中擴 月人 【發明内容】 發明的示例性實施例提供了—種防止在電極墊附近 勺電>,IL擁擠的發光二極體。 ^發明的示例性實施例還提供了 —種允許在寬區域上 、二二的電流擴散的大發光二極體。 201131836 本發明的示例性實施例還提供了 一種包括與半導體層 分隔開的電極塾的發光二極體。 本發明的示例性實施例還提供了 一種具有可以劃分為 多個區域的半導體堆疊結構的航二極體。 ^本發明的示例性實施例還提供了具有能夠增強電流擴 政的各種結構的電極墊和延伸件的發光 二極體。 本發明的附加特徵將在以下的描述中進行闡述，部分 地通過=述將變成清楚，或者可通過實施本發明而明白。 、一本發明的示例性實施例公開了一種發光二極體，該發 光一極體包括與半導體層(例如，P型半導體層）分隔開的電 ，墊。為此，已經開發了各種技術來使電極墊與半導體層 刀開。此外’半導體堆疊結構可以劃分為多個區域。此外， 本發明的不例性實施例提供了具有能夠增強電流擴散的各 種結構的電轉和延伸件的發光二極體。 根據本發明的-個方面，一種發光二極體包括：四邊 形基板導電類型半導體層，位於基板上 ;型：導！層，位於第-導電類型半導體層上；活性層， =二：電類型半導體層和第二導電類型半導體層之 &轉’電性連接到第—導電類型半導體層；第 第一】雪_::第一導電類型半導體層上;絕緣層，置於 墊盘第導體層和第二電極墊之間，並使第二電極 、車貞型半導體層絕緣。至少—個上延伸件可以 連接到第一電極塾，並且可以雷(>4、击& 遙#Μ。筮—β 了以電性連接到第二導電類型半 "^ 1墊和第二電轉可以呈對角線地設置在 201131836 基板的角部附近而相互面對。 第二ί電可以是n型氮化物半導體層’ 此，能夠防止在p型二::以 電流擁擠。另外，透明電極電極塾周圍的 層上’上延伸件可以位於透刚化咖 第一導電類型半導髀展π、，^曰 第二導電類型半導體層和、括通過臺面(mes_刻 第二電極墊可以位於第」層而暴露的至少-個區域’ 上。 導電類型半導體層的暴露區域 連接件可以將上延伸件連接 類型半導體層和活性層的經’第一―電 絕緣層而與連接件絕緣。&至面餘刻的側表面可以通過 從而到第二導電類解導體層的上表面， 緣層的邊緣與第二導電類型半導體層疊置 以你於示例心⑯例中，第二電極塾的至少—部分可 類型；=半導體層上。第二電極塾和第二導電 、 脰㈡了以通過絕緣層而相互隔離。 電類財導體層和活性層可以被劃分以限定至 二；域。連接到第二電極墊的上延伸件可以位於 斤处至> 兩個發光區域的每個發光區域上。 因此 所述至少兩個發光區域可以對稱地設置。 至夕兩個發光區域可以表現出相$的發光特性 201131836 發光一極體還可以包括連接到第一電極塾的第一下延 伸件。第一下延伸件可以位於所述至少兩個發光區域之 間。發光—極體還可以包括連接到第—電極墊的第二下延 伸件。第二下延伸件可以沿著基板的邊緣延伸。 根據本發明的另一方面，一種發光二極體包括：四邊 形基板；第一導電類型半導體層，位於基板上；第二導電 類型半導體層，位於第—導電類型半導體層上；活性層， 置於第導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之 間；第一電極墊，電性連接到第一導電類型半導體層；第 一電極墊，位於基板上；至少一個上延伸件，連接到第二 電極墊，且電性連接到第二導電類型半導體層。第一電極 塾和第二電極墊可以呈對角地設置在基板的肖部附近而相 互面對。 第二電極墊可以形成在已經局部去除了形成在基板上 的第導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體 ^的區域上。在這種情況下，絕緣層可以覆蓋第一導電類 ，半導體層、活性層和第二導電顧半導體層的圍繞第二 極，，側表面。基板可以是介電(dielectric)基板。 、’、巴緣層可以置於基板和第二電極墊之間。絕緣層可以 〃土板接觸，第二電極墊可以與絕緣層接觸。 =據本發明的另—方面，—種發光二極體包括：基板； •電頰型半導體層，位於基板上；第二導電類型半導 藤\:位於第—導電類型半導體層上；活性層，置於第一 電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間；第一電 8 201131836 極塾’電連接到第-導電麵半導體層；第二電極塾，位 ^第-導電類鮮導體層上；至少—卿延伸件，連接到 電極塾，且電性連接到第-導電類型半導體層；絕緣 層，置於第-導電類型半導體層和第二電極塾之間，並使 第二電極墊與第-導電類型半導體層絕緣。此外，至少一 個上延伸件可以連接到第二雜塾，並且可以電性連接到 第二導電類型半導體層。第二電轉可以設置在基板的中 心區域。 所述至少一 的下延伸件。 個下延伸件可吨m基板的邊緣延伸 發光一極體還可以包括位於第二導電類型半導體層上 的透明電極層。在這種情況下，上延伸件可以位於透二電 極層上。此外，第—導電類型半導體層可以是㈣氮化物 半導體層’第二導電類型半導體層可以是p型氮化物半導 體層。因此’能夠防止在P型氮化物半導體層上的？電極 墊周圍的電流擁擠。 第導電類型半導體層可以包括通過臺面姓刻第二導 電類型半導體層和活性層而被暴露的至少—個區域，&二 電極塾可錄於第—導電麵半導體層的暴露區域上。 此外連接件可以將上延伸件連接到第二電極塾，第 一導電類料導體層和活性層的經受臺面㈣的側表面可 以通過絕緣層而與連接件絕緣。 "絕緣層可以延伸到第二導電類型半導體層的上表面， 從而絕緣層的邊緣與第二導電類型半導體層疊置。 201131836 在些示例性實施例中，第二電極墊的至少一部分可 以位於第二導電類型半導體層上。第二電極墊和第二導電 類型，導體層可以通過絕緣層糾目互隔離。 第一 V電類型半導體層和活性層可以被劃分以限定至 少兩個發光H域。連接到帛二電極墊的上雜件可以位於 所述至少兩個發光區域中的每個發光區域上。 所述至少兩個發光區域可以對稱地設置。因此，所述 至J兩個發光區域可以表現出相同的發光特性。 所述至少一個下延伸件可以包括從第一電極墊向第二 電極塾延伸的下延伸件。此外，兩個上延伸件可以位於^ 個發光區域上，以連接糾二電㈣，向第二電極墊延伸 的下，伸件可以從第一電極墊延伸到所述兩個上延伸件之 間的區域。因此’能夠使電流在每個發光區域中擴散在寬 的區域上。

^所述至少一個下延伸件可以包括位於所述至少兩個發 光區域之間的下延伸件。 X 3本發明的又一方面，一種發光二極體包括:基板; 第-導電類型半導體層，位於基板上；第二導電類 體層，位於第—導電_半導體層上；活性層，置於第一 導電類型半導體層和第二導電_半導體層之間；第 極塾，電性連接到第—導電類型半導體層；第二電極塾， 位於基板上，·至少-個下延伸件，連接到第一電極塾，且 電性連接·-導電_半導體層；至少—個上延伸件， 連接到第二電姉，並電性連接㈣二導電類型半導體 201131836 層。第二電極墊可以設置在基板的中心區域。 2電極墊可㈣彡絲已經局料除了軸在基板上 ' .黾頸型半導體層、活性層和第二導電類型半導體 1的，域上。在這種情況下，絕緣層可以覆蓋第-導電類 ，半導體層、活性層和第二導電類型半導體層的圍繞第二 電極墊的側表面。基板可以是介電基板。 絕緣層可以置於基板和第二電極塾之間。絕緣層可以 〃基板接觸，第二電極墊可以與絕緣層接觸。 所述至少一個下延伸件可以包括沿著基板的 的下延伸件。 根據本發明的又一方面，一種發光二極體包括：基板； ‘電類型半導體層，位於基板上；第二導電類型半導 體層’位於第-導電類型半導體層上；活性層，置於第一 ^電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間；多個第 :電極墊’位於第—導電類型半導體層上，並電性連接到 ‘電麵半導體層；第二電極墊，位於第―導電類型 垂導體層上’絕緣層，置於第—導電類型半導體層和第二 :極墊之間’並使第二電極塾與第—導電類型半導體層絕 '、彖。此外’至少—個上延伸件可以連制帛二電極塾，並 、^以a 連接到第二導電類型半導體層。第三電極塾可 以設置在基板的—側邊緣的中心附近。 、、所述多個第-電極射以包括^置在基板的與基板的 所述-側邊緣相朗另—侧邊緣附近的兩個第—電極塾。 所述兩個第-電極塾可以定位成遠離所述另—側邊緣的與 11 201131836 基板Γ斤ΐ::邊緣的中心相對的中心。具體地講，所述 -側邊緣的相 樣，所述•電難r二：== ΐ電極墊彼此遠離，從而實現了寬的區域 上的均勻的電流擴散。 發光二極體還可以包括分別連接到所述兩個第一電極 塾且沿者基板的邊緣延伸的多個下延伸件。下延伸件可以 包括沿著所述另i邊緣延伸的τ延伸件和沿著將所述一 侧邊緣連接到所述另—側邊緣的邊緣延伸的下延伸件。 所述至少-個上延伸件可以包括兩個上延伸件，所述 兩個上延伸件形成為使得這兩個上延伸件的末端分別在所 述兩個第一電極墊附近。所述兩個上延伸件中的每個上延 伸件可以包括從基板的—侧邊緣向另— 部分。所述兩個上延伸件可錄於通過錄部分的延伸而 形成的假想線上。 發光二極體還可以包括位於第二導電類型半導體層上 的透明電極層。在這種情況下，上延伸件可以位於透明電 極層上。此外，第一導電類型半導體層可以是η型氮化物 半導體層，第二導電類型半導體層可以是ρ.型氮化物半導 體層。因此，能夠防止在Ρ型氮化物半導體層上的ρ電極 塾周圍的電流擁擠。 第一導電類型半導體層可以包括通過臺面蝕刻第二導 電類型半導體層和活性層而被暴露的至少一個區域，第二 12 201131836 γ位於第—導電類型半導體層的暴露區域上。 卜’連接件可以將上延伸件連接到第 一導電類料導_和活㈣_受臺 ^ $ 以通過絕緣層而與連接件絕緣。 相側表面可 絕緣層可以延伸到第二導電類型半導體層的上 4而絕緣層的邊緣與第二導電麵半導體層疊置。 以你^些示纖實施财，第二電極塾^少―部分可 導電類型半導體層上。第二 類型半導體層可輯過絕緣層而相互隔離。第—Μ 少兩電類型半導體層和活性層可以被劃分以限定至 所域。連接到第二電極墊的上延伸件可以位於 述至>兩個發光區域的每個發光區域上。 枝拥所述至少兩個發光11域可㈣置成相對於穿過第二電 而垂直於基板的所述一側邊緣的線為對稱的結構。因 ’所述至少兩個發光區域可以表現出相同的發光特性。 考X光一極體還叮以包括位於發光區域之間且連接到第 ¥電4型半導體層的τ延伸件。位於發魅域之間的下 =件可以沿著基板的所述另—側邊緣而延伸到發光區域 之間的區域。 在一些實施例中’發光二極體還可以包括進入發光區 /且電&連接到第—導電類型半導體層的多個下延伸件。 根據本發明的又一方面，一種發光二極體包括：基板； 一導電類型半導體層，位於基板上；第二導電類型半導 體層’位於第—導電_半導體層上；活性層，置於第一 13 201131836 導電類型半導體層和第二導電_半導體層之間；多個第 一電極墊，位於第一導電類型半導體層 第-導電類型半導體層；第二電極塾，位於二連^ -個上延伸件’連制第二電轉，並電性連制第二導 電類型半導體層。此外，第二電極墊可以設置在基板的一 側邊緣的中心附近。 第-電極塾可以形成在已經局部去除了形成在基板上 的第-導電類型半導體層、活性層和第二導電類型半導體 層的區域上。絕緣層可以覆蓋第-導電類型半導體層、活 性層和第二導電類型半導體層的圍繞第二電極塾的側表 面。基板可以是介電基板。 絕緣層可以置於第一導電類型半導體層和第二電極塾 之間。絕緣層可以與基板接觸’第二電㈣可以與絕緣層 ^第-電極财以包括設置在基板的與基板的所述 則邊緣相對的另—側邊緣附近的兩個第—電極塾。所述 冑極塾可以遠離基板的所述另—側邊緣的與所述 極:可中心。具體地講，所述兩個第-電 J ^刀别朝者基板的所述另一側邊緣的相對的端部盥 所述側輕的中妙雜定的_。 ' 發光二極體還可以包括分別連接到所述兩個第一電極 包基板的邊緣延伸的多個下延伸件。下延伸件可以 ^缝°=述另::側邊緣延伸的下延伸件和沿著將所述一 、 到所述另一側邊緣的邊緣延伸的下延伸件。 201131836 所述至少一個上延伸件可以包括兩個上延伸件，所述 兩個上延伸件形成為使得這兩個上延伸件的末端在所述兩 個第電極飾近。所述兩個上延伸件中的每個上延伸件 =以包括從-側邊緣向基板的另—側邊緣延伸的直線部 ^所述兩個第-電極墊可以位於通過 形成的假想線上。 發光雛實麵公開了—種發光二極體，所述 和反：:基板;第一導電類型半導體層，佈置在 導體層上，·活性層，曰=置在第一導電類型半 導電類型半導體層之;:類f導體層和第二 極墊之間；至少-個半導體層和第二電 層。個上延伸件電性連接到第二導電類型半導體 緣，二導電類型半導隨絕 的二件連接到第二電極塾 體層絕緣。因此，也能_止第二導電類型半導 的電流擁擠。 ―窀極墊附近的連接件處 絕緣層可以覆蓋第二導電 下’絕緣層可以具有位於第ϋ體層。在這種情況 ν電類型半導體層上的至少 201131836 一個開口，至少一個上延伸件可以穿過所述開口而電性連 接到第二導電類型半導體層。 在一些示例性實施例中，發光二極體還可以包括與第 二導電類型半導體層形成歐姆接觸的透明電極層。透明電 極層可以劃分為至少兩個區域，第二電極塾可以位於第二 導電類型半導體層的處於透明電極層的劃分區域之間的暴 露區域上。由於透明電極層劃分為兩個區域，所以通過^ 明電極層使電流擴散區域相互隔離，從而實現了寬的區域 上的均勻的電流擴散。 ~ 第二電極射缝於翻雜層的區域之間，但不限 於此。可選擇地，第二電極墊的一部分可以位於透明電極 層上方。在這種情況下，絕緣層可以置於第二電極塾的所 述-部分和透明電極層之間。結果，能夠防止第二電㈣ 周圍的電机擁擠。當採用透明電極層時，連接件也通過絕 緣層而與透明電極層絕緣。 *上延伸件可以電性連接到透明電極層的所述至少兩個 二，:延伸件可以連接到透明電極層的通過 絕緣層的開口暴露的上表面。 雷朽墊可以面對第—導電類型半導體層上的第二 f極塾。發光二極體還可以包括從第-電極塾向第二電極 件延=電ΐϊ接到第一導電類型半導體層的第-下延伸 離第-電極墊Ζ延伸件的末端距離第二電極塾可以比距 而從第一電極 發光二極體還可以包括沿祕板的邊緣 16 201131836 墊延伸的第二下延伸件。 透月電極層和上延伸件可以設 極塾t第ΐ電極塾的線為對稱的結構。穿過第一電 發光二極體還可以包括從第一 =且電性連接到第—導電類_ =第二電極墊延 第一下延伸件和上延伸件可以相互$的第—下延伸件。 β叙表光—極體可以具有相對於穿過第-雷托⑽ 極墊的面為對稱的結構。 弟電極墊和第二電 根據本發明的又__ η型半導體層，位於基板上，· Ρ7二先體7續包括I基板，· 體層上；活性層，:…Ρ/牛導體層’位於η型半導 透明電極層，盘ρ型半導❹體層和Ρ型半導體層之間； 電性連接到η型半導m料歐姆接觸：第-電極墊， 上；絕緣層，置於透明‘mu立於透明電極層 —電極_翻電極層電性_ .至^之間，並使第 接到第二電極塾，並電接5 t—個上延伸件，連 塾通過絕緣層而與透明電極層電Hi導體層。第二電極 電極塾周圍的電流擁擠。 、攸而防止了第二 的連===將上延伸件連接到第二電極塾 因此，能夠防止第二電與透明電極層絕緣。 絕緣層可以覆蓋透明、處的電流擁擠。 電極層暴露的至少—個n層。絕緣層可以具有使透明 穿過開口電連接到P型體:述，少一個上延伸件可以 十¥體層。例如，所述至少一個上 17 201131836 延伸件可以穿過開口而電性連接到透明電極層。 第-電極塾可以面對—半導體層上的第二電極塾。 發光二極體還可以包括從第一電極塾向第二電極塾延伸且 電性連接到η型半導體層的第一下延伸件。此外，第一下 延伸件的末端麟第二電極射以比距離第―電極塾近。 發光二極體還可以包括從第一電極墊延伸的第二下延 伸件。第二下延伸件可以沿著基板的邊緣延伸。 例性’、施例巾，發光二極體可以包括從第一電極 墊向第二電極塾延伸的鑛齒狀部分。第一導電類型半導體 以通過鑛齒狀部分而暴露，透明電極層可以具有相對 於牙過第一電極势和第二電極墊的線對稱的結構。 極體比距離發光二 的多個發^域:而具有基本上相互劃分開 上。 —從而電^擴散在發光二極體的寬的區域 電類錢接聽餘部分_第一導 件m,、二發光一極體可以包括至少兩個上延伸 述至少兩個上延伸件可以相對於穿過第 弟一電極墊的線為對稱的結構而設置。 墊和 上延伸件可以分別通過 連，可以通過_轉_極=^ —電極藝， 以相互平=例性實施例中，第一下延伸件和上延伸件可 發光二極體可以具有相對於穿過第一電極塾和第二電 18 201131836 極墊的面為對稱的結構。 發光的又—方面’―種發光二極體包括：基板； 活性層和第二導電i科導電類型半導體層、 導電類型半導;ΐΓ=導體層、活性層和第二 第-導電類電性連接到發光結構的 第-導雷類别主道触θ，第一電極墊，位於電極墊區域的 π+導體層上;至少-個上延伸件，連接到第 ;電=有„接到發光結構的第二導電類型半導體 :防域與發一 ^ 的連====== 之間，以使連接件與發光結4絕 半導可以包括覆蓋發光結構的第二導電類型 絕緣層可以具有至少-個開口，所述 第二導電類型半導=穿過開口而電性連接到發光結構的 電極層可以通過絕在刪況下，透明 伸件7以連接到透㈣而暴露’所述至少一個上延 第-電極墊可以面對發光結構的第一導電類型半導體 19 201131836 層上的第一電極塾《第一下延伸件可以從第一電極塾向第 二電極墊延伸。第一下延伸件可以電性連接到發光結構的 第導電類型半導體層。此外，第一下延伸件的末端距離 第二電極墊可以比距離第一電極墊近。 發光二極體還可以包括從第一電極墊延伸的第二下延 伸件，第二下延伸件可以沿著基板的邊緣延伸。 在一些示例性實施例中，發光結構的第二導電類型半 導體層和活性層可以被以限定至少兩個發光區域。連 接到第二電極塾的上延伸件可錄於兩個發光區域中的每 個發光區域上。這樣，發光結構劃分為多個發光區域，從 而發光二極體可以防止在處於特定位置的諸如針孔或穿透 位錯的缺陷周生過度的電流擁擠，從而實現寬的區域 上的均勻的電流擴散。 ，光結構的第-導電_半導_可轉所述至少兩 =光區域制。第i極墊可以面對發光結構的第一導 電類型半導體層上的第二電極墊。 從第-電極墊向第二電極墊延伸的第—下 =於發光ϋ域m延伸件和上延伸件可以相互平 在一些示例性實施例中，發光_ =層域:=謝‘第；= 發光^ ^面，種發光二極體包括：基板； 九結構，位於基板上，並且包括箓 枯第—導電類型半導體層、 20 201131836 活性層和第二導電類型半導體声· 構隔離，並且包括第一導電“半=區;:，與發光結 電性連接到發光結構的第 立層，弟一電極墊， 塾’位於獅區域的第—導電類型第:電極 的第二導電類型半二性連接到發光結構 域與發光結構隔離，從㈣止第/第-11㈣的電機區 發光二極體還可以包括將上 周圍的電流擁擠。 的連接件。連接件可以與發=== :置於連接件和發光結構之間-使連二發= 丰導極體還可以包括覆蓋發光結構的第二導電類型 $體層的絕緣層。絕緣層可以具有至少一個開口，所述 V - Jl ^ ^ ^ ^ D ^ ^ ^ 第二導電類型半導體層。 们H。構的 ，光二極體還可以包括與發光結構的第二導電類型半 ^體層形成歐姆接觸的透明電極層。在這種情況下，透明 。蛋層可以穿過絕緣層的開口而暴露 伸件可以連接到酬電極層。 個上延 第一電極墊可以面對發光結構的第一導電類型半導體 層上的第二電極塾。第一下延伸件可以從第一電極塾向第 7*電極墊延伸。第一下延伸件可以電性連接到發光結構的 第一導電類型半導體層。此外，第一下延伸件的末端距離 第二電極墊可以比距離第一電極墊近。 21 201131836 發光二極體還可以包括沿著基板的邊緣而從第一電極 墊延伸的第二下延伸件。 在一些示例性實施例中，發光結構的第二導電類型半 導體層和活性層可以被劃分以限定至少兩個發光區域。連 接到第二電極墊的上延伸件可以位於兩個發光區域中的每 個發光區域上。這樣，發光結構劃分為多個發光區域，從 而發光二極體可以防止在處於特定位置的諸如針孔或穿透 位錯的缺關圍發生過度的電流擁擠，從而實現寬的區域 上的均勻的電流擴散。 發光結構的第一導電類型半導體層可以被所述至少兩 個發光區域共用。第一電極墊可以面對發光結構的第一導 電類型半導體層上的第二電極墊。 從第一電極墊向第二電極墊延伸的第一下延伸件可以 位於發光區域之間。第一下延伸件和上延伸件可以相互平 行。 在一些示例性實施例中，發光二極體還可以包括位於 電極墊區域的第一導電類型半導體層和第二電極墊之的 絕緣層。 根據本發明的又一方面，一種發光二極體包括：介電 基板；發光結構，位於基板上，並且包括第—導電類型半 導體層、活性層和第二導電類型半導體層；第—電極塾， 電性連接到發光結構的第一導電類型半導體層；第二電極 墊，位於基板上，以與基板接觸並與發光結構隔離；至少 -個上延伸件’連制第二電雜’並·連接到發光結 22 201131836 構的第二導電類型半導 離，從而防止第二電極塾周曰圍的4電1=塾與發光結構隔 發光二極體還可以包括將上 的連接件。連接件可以絲出k伸件連接到第二電極藝 以置於連接件和發光社構S、、·。構絕緣。例如，絕緣層可 緣。 1使連接件與發光結構絕 第穿過開口而電性連接到發光結構的 導體2可以包括與發光結構的第二導電類型半 ==开> 成歐姆接觸的透明電極層。在這種情況下，透明 偏日可以通過絕緣層的開口而暴露，所述至少一個上延 伸件可以連接到透明電極層。 第了電極塾可以面對發光結構的第一導電類型半導體 :上的第二電極墊。第一下延伸件可以從第一電極塾向第 ^電極墊延伸。第一下延伸件可以電性連接到發光結構的 導電類型半導體層。此外，第一下延伸件的末端距離 弟一電極墊可以比距離第一電極墊近。 發光一極體還可以包括沿著基板的邊緣而從第一電極 墊延伸的第二下延伸件。 在一些示例性實施例中，發光結構的第二導電類型半 導體層和活性層可以被劃分以限定至少兩個發光區域。連 接到第二電極墊的上延伸件可以位於兩個發光區域的每個 23 201131836 ，光區域上。讀’發光結構劃分為多個發光區域，從而 务光二極射⑽止在處於特定位置的諸如針錢穿透位 錯的缺陷發生過度㈣流擁擠，從耐現寬的區域上 的均勻的電流擴散。 - 發光結構的第-導電類型半導體層可以被所述至 :發，區域共用。另外，第—電極墊可以㈣發光結構的 第一導電類型半導體層上的第二電極墊。 行 從第一電極墊向第二電極墊延伸的第一下延伸件可以 位於發光區域之間。第-下延伸件和上延伸件可以相互平 根據本發明的又-方面，-種發光二極體包括：基板； 發光結構，位於基板上，並且包括第—導電_半導體層、 活性層和第二導電類型半導體層；第—電極墊，電性連接 到發光結構的第-導電類型半導體層；第二電極塾，位於 基板上，並且與發光結構隔離；絕緣層，置於基板和第二 電極墊之間，以使第二電極墊與基板絕緣；至少一個上^ 伸件，連接到第二電極墊，並電性連接到發 導電類型半導體層。由於第二電極純過絕緣層而與基板 隔離，所以基板可以是導電基板。 絕緣層與基板接觸，第二電極墊位於絕緣層的上表面 根據本發明的又一方面，一種發光二極體 發光結構，位於基板上，並且包括第一導電類型半導&層、 活性層和第二導電麵半導體層；第—t極塾，位於基曰板 24 201131836 2表：且:性ί接到發光結構的第一導電類型半導體層的 二導電類型半導體層隔離;至少一個增:二 發光結構的第二導電類型半^ =導體層中的有效的電流擴散，第二電二Ϊ “的ί';:類型半導體層隔離’從而防止第二電極塾 的：：===連:到第二電_ r連接件和發光 半二構的第二導電類型 ;少二上延伸件可以穿過二二 弟二導電類型半導體層。 《女尤、，口構的 導體:包括與發光結構的第二導電類型半 ==:=透明電極層。在這種情況下，= 伸件；透而暴露’所述至少-個上廷 件可以從第一電極二電極塾。第-下延伸 «電性連接到發絲構的f墊延+伸°第―下延伸件可 伸件：二== 25 201131836 離第一電極墊近。 發光二極體還可以包括從第一電極墊延伸的第二下延 伸件，第一下延伸件可以沿著基板的邊緣延伸，並且可以 連接到發光結構的第一導電類型半導體層的側表面。 在一些示例性實施例中，發光結構的第二導電類型半 導體層和活性層可以被劃分以限定至少兩個發光區域。發 光結構的第-導電類型半導體層也可以劃分為至少兩個^ 域。、連接到第二電極墊的上延伸件可以位於所述兩個發光 區域中的每個發光區域上。發光結構劃分為多個發▲區 域’從而發光二極體可以防止在處於特定位置的諸如針孔 或穿透位錯的缺陷周圍發生過度的電流擁擠，從而實現寬 的區域上的均勻的電流擴散。 在-些示例性實施例中，第一電極塾可以在與基板接 時面對第二電極墊。從第—電極塾向第二電極塾延 下延伸件可以位於發光區域之間，並且可以連接 '光、、、。構的第一導電類型半導體層的侧表面。此外，第 一下延伸件和上延伸件可以相互平行。 第 絕緣ί可以與^^反接觸，但不限於此。可選擇地， 第二電極塾和基板之間。此外，第-導電 牛導體層可以置於絕緣層和基板之間。 示例==的前=體描述和下面的詳細描述是 進一步的解釋。、並思圖對所要求㈣的發明提供 為讓本备明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 26 201131836 易Ιϊ，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 包括附圖以提供對本發明進一步的理解，並且附圖包 含在該說明書中並構成該說明書的一部分，附圖示出了本 發明的貫施例，並與描述一起用來解釋本發明的原理。 在下文中參照附圖來更充分地描述本發明，附圖中示 出了本發明的示例性實施例。然而，本發明可以以許多不 同的形式實施，而不應被解釋為局限於這裏闡述的示例性 貫施例。相反，提供這些示例性實施例使得本公開是徹底 的，並且將把本發明的範圍充分地傳達給本領域技術人 員。在附圖中，為了清楚起見，會誇大層和區域的尺寸和 相對尺寸。附圖中相同的標號表示相同的元件。 應έ亥理解的疋，當諸如層、膜、區域或基板的元件被 稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在另一元 件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直 接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。 圖1是根據本發明示例性實施例的發光二極體的平面 圖，圖2a是沿著圖1中的Α_Α線截取的橫剖視圖，圖 是沿著圖1中的B-B線截取的橫剖視圖。 參照圖1、圖2a和圖2b，發光二極體包括基板21 '第 一導電類型半導體層23、活性層25、第二導電類型半導體 層27、絕緣層31、第一電極墊35、第二電極墊33和上1 伸件33a。發光二極體還可以包括連接件33b、透明電極= 27 201131836 、第一下延伸件35a和第二下延伸件35b。基板21可以 是藍寶石基板，但不限於此。基板21呈基本上的四邊形形 狀而沿著對角方向具有角部。 利用置於第一導電類型半導體層23和第二導電類型 半導體層27之間的活性層25，第一導電類型半導體層23 位於基板21上，並且第二導電類型半導體層27位於第一 導電類型半導體層23上。第一導電類型半導體層23、活 性層25和第二導電類型半導體層27可以由諸如(Al，In，

Ga)N的GaN為主的化合物半導體材料形成，但不限於此。 活性層25 &發射期望波長的光(例如，紫外(UV)光或藍光) 的元素構成。 第一導電類型半導體層23可以是η型氮化物半導體 層’第二導電類型半導體層27可以是ρ型氮化物半導體 層，反之亦然。 如圖所示’第—導電類型半導體層23和/或第二導電 類型半導體層27可以具有單層結構或多層結構。此外，活 性層25可以具有單量子阱結構或多量子阱結構。發光二極 體還可以包括在基板21和第一導電類型半導體層23之間 的緩衝層（未不出）。可以通過金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)技術或分子束磊晶(ΜΒΕ)技術形成第一導電類 型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導體層27。 透明電極層29可以形成在第二導電類型半導體層27 上。透明電極層29可以由氧化銦錫(ΙΤ〇)或Ni/Au形成， 並且與第二導電類型半導體層27形成歐姆接觸。 28 201131836 和活了二If微影術和腐餘對第二導電類型半導體層27 居Μ +進仃圖案化過裎，以暴露第—導電類型半導體 種過程通常稱為臺面触刻(刪—）。 ;=可以提供如圖1和圖I圖2b所示的被劃分的 雖然在本示慨實施财發光二減具有相互 的八_料光區域，但是發光二極體可以具有多於兩個 對二光區域。此外，可以執行臺面㈣，以形成相 的平面具有相對於基板平面％㈣度範圍 内的傾斜程度的傾斜側表面。 導^極墊、35和第二電極塾33位於第—導電類型半 番/ 的通過2：面細j暴露的區域上。第—電極塾％ j接到第—導電類型半導體層23。第二電極塾33與第 導電_半導體層23通過絕緣層31絕緣。第—電極塾 35和第二電極墊33是用於引線鍵合的鍵合墊，並且可以 具有足夠寬的用於引線鍵合的區域。第一電極塾35和第二 ，極墊33可以形成在第—導電類型半導體層23的暴露區 織上，但不限於此。 絕緣層31設置在第二電極塾33和第—導電類型 體層23之間’以使第：電極墊33與第—導電類型半導體 層23絕緣。此外，絕緣層31可以覆蓋第二導電類型半導 體層27和活性層25的通過臺面蝕刻被暴露的側表面。絕 緣層31可以延伸到第二導電類型半導體層27的上表面， 使得絕緣層31的邊緣與第二導電類型半導體層27遇置。 可選擇地’絕緣層31可以延伸成覆蓋第二導電類型^導體 29 201131836 層27，且在這種情況下，絕緣層31可以具有形成在第二 導電類型半導體層27或透明電極層29的上部的通孔。 上延伸件33a位於第二導電類型半導體層27(或透明電 極層29)上。上延伸件33a可以分別通過連接件33b連接 到第二電極墊33,並且可以電連接到第二導電類型半導體 層27。當絕緣層31覆蓋第二導電類型半導體層27時，上 延伸件33a通過絕緣層3丨中的通孔連接到第二導電類型半 導體層27(或透明電極層29)。上延伸件33a被設置成允許 第一導電類型半導體層27中均勻的電流擴散。連接件33b 與透明電極層29、第二導電類型半導體層27和活性層25 的側表面通過絕緣層31分開。絕緣層31設置在透明電極 層29、第二導電類型半導體層27和活性層25與第二電極 塾33之間，使得第二電極塾33不與透明電極層29、第二 導電類型半導體層27和活性層25物理接觸。絕緣層31 可以防止電流被直接從第二電極墊33引導到透明電極層 29、第二導電類型半導體層27或活性層25中。 第一下延伸件35a可以從第一電極墊35延伸。第一下 延伸件35a位於第一導電類型半導體層23上，並電連接到 弟導電類型半導體層23。如圖所示，第一下延伸件35a 可以位於分開的發光區域之間，並且朝著第二電極塾33 延伸。可選擇地，第二下延伸件35b可以從第一電極墊35 延伸。第二下延伸件35b位於第一導電類型半導體層23 上’電連接到第一導電類型半導體層23，並且沿著基板21 的位於發光區域外部的邊緣延伸。 201131836 如本示例性實施例及下面的示例性實施例所示，下延 伸件35a和上延伸件33a可以以特定的圖案佈置，以有助 於改善電流擴散。例如，在本示例性實施例中，具有沿 分開的發光區域中的每個發光區域從第二電極墊二 的兩個上延伸件33a’可収善電流擴散，而^需要在 光二極體上連制上延伸件33a❹個。在各個干 例性實施财，下延伸件和上延伸件佈置同樣可以改善分 開的發光區域中的電流擴散’同時縣了 多個電極墊的需求。 電極塾33和35、上延伸件33a、連接件饥及下延伸 件35a可以通過相同的過程由相同的材料(例如Cr/Au)形 成，但不限於此。可選擇地，上延伸件仏和第二電極塾 33可以通過不同的過程由不同的材料形成。 在本示例性實施例中，分開的發光區域具有相對於位 3-電極塾35和第二電極塾33之間的線(例如，切割線 B-B)的對稱結構。上延伸件33a也對稱地設置，從而發光 區域可以表現出相_發光特性。因此，當在單個發光二 =發光區域劃分為兩個發光區域時，與使用兩個彼此 私連接光二频減，可^簡化縣發光二極體 2程。此外，分開的發光區域可㈣輕因缺陷導致的電 =擁擠’並且可以通過臺面_形成傾斜側表 高光 提取效率。 *圖3是根據本發明第二示例性實施例的發光二極體的 檢剖視圖。 201131836 參照圖3,本示例性實施例的發光二極體與參昭 和圖描述的發光二極體基本相似。然而：在本 :二=列的發光二極體中，第二電極墊43的一部分位 於第一導電類型半導體層27的上方。 具體地講’第二電極墊43位於第—導電類型半導體声 的㈣臺面㈣過程的暴露區域上，使得第二電極塾^ 、了部分位於第二類型半導體層27的上方。第二電極塾 ^絕緣層31不僅與第一導電類型半導體層23絕緣， 且14透明電極層29、第：導電類型半導體層27和活性 :絕緣。因此’第二電極墊43與這些層並不物理接觸。延 3 33a可以直接從第二電極㈣延伸，或者可以利用設 墊43::。3允和第二電極墊43之間的連接件從第二電極 在本不例性實施例中，第二電極塾43通過絕緣 與半導體層絕緣，從㈣樣可簡止在第二電極墊 =電流擁擠。此外，在本示例性實施例中，與前 性實施例相比’可以減少經受臺面侧的區域，從而増乂 了發光區域。 9 圖4是根據本發明第三示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 參照圖4 ’本示例性實施例的發光二極體與參 和圖2a、圖2b描述的發光二極體相似。然而，在本示 性實施例的發光二極體中，第—電極墊55和第二電極塾 53以不同於上面的示例性實施例的方式佈置。 32 201131836 篦-圖1和圖2a、圖2b示出的示例性實施例中’ 和第二電極塾33設置在基板21的邊緣的中 面對。在根據本示例性實施例的發光二極體 21極塾％和第二電極塾53呈對角地設置在基板 21的角。p附近以相互面對。 21 Hf —電極盤55和第：電極塾53分顺置在基板 附近，所以能夠形成彼此隔開相對大距離的第一 電極墊55和第二電極墊幻。 白例性實施例中，上延伸件❿可以沿著基板21 的邊緣從红電極墊53延伸。上延伸件…連接到第二導 電^，半導體層27錢明電㈣29，並且還通過連接件 、接到第二電極塾53。連接件53b通過絕緣層Η盘第 型半導體層27絕緣。此外，絕緣層31覆蓋第二 類型半導體層27和活性層25的側表面。 第下延伸件55a從第一電極墊55朝著第二電極墊53 延伸’並且電連接到第—導電類型半導體層23。第一下延 以對角線方式位於基板21上，第二導電類型 牛¥體層27和活性層25可以相對於第—下延伸件奴分 為相互隔離的兩個發光區域。因此，第-下延伸件55a^ 於發光區域之間。此外，第二下延 21的邊緣從第-電極塾55延伸。 者基板 與參照圖1和圖2a、圖2b所描述的一樣，第二電極 利用。又置在第二電極塾53和第一導電類型半導體層幻 之間的絕緣層31位於第—導電類型半導體層23上。這曰樣， 33 201131836 由於第二電極墊53與第二導電類型半導體層27分開，所 以能夠防止在第二電極墊53周圍發生電流擁擠。 此外’與參照圖3所描述的一樣，第二電極塾53的_ 部分可以位於第二導電類型半導體層27上。 圖5是根據本發明第四示例性實施例的發光二極體的 局部橫剖視圖，圖6是根據本發明第五示例性實施例的發 光·一極體的局部橫剖視圖。 在上面的示例性實施例中，第二電極墊33或53利用 設置在第二電極墊33或53與第一導電類型半導體層23 之間的絕緣層31而位於第一導電類型半導體層23上。然 而，在第四示例性實施例中，第二電極墊63可以直接位於 基板21上(見圖5)。此外，在第五示例性實施例中，絕緣 層31可以設置在基板21和第二電極墊63之間（見圖❸。 也就是說，利用直接位於基板21上的絕緣層31，第二電 極墊63 了以直接位於絕緣層μ上而與絕緣層31接觸。第 二電極塾63形成在已經局部去除了形成在基板21上的第 ΐτ電類型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導 體層27的區域上。當第二電極墊63直接形成在基板21 上而與基板21接觸時，基板21可以是介電基板。 々在上面的示例性實施例中，第二電極墊33、53或03 與第，導電類型半導體層27水平地分離。因此，能夠防止 電極塾周圍發生電流擁擠。此外，第二電極墊33、 53或63通過連接件3外或別電連接到上延伸件33a或 別’連接件33b或53b通過絕緣層31與發光區域絕緣。 34 201131836 由於連接件33b、53b也通過絕緣層31與第二導電類型半 導體層27絕緣，所以能夠防止在第二電極墊33、53或63 周圍發生電流擁擠。 圖7是根據本發明第六示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 參照圖7,本示例性實施例的發光二極體與參照圖1 和圖2a、圖2b描述的發光二極體相似。然而，在本示例 性實施例的發光二極體中，第一電極墊155和第二電極塾 153以不同於上面示例性實施例的方式佈置。 在上面的圖1和圖2a、圖2b示出的示例性實施例中， 第一電極墊35和第二電極墊33設置在四邊形基板21的邊 緣附近以相互面對。在根據本示例性實施例的發光二極體 中’第二電極墊153設置在基板21的中心處。此外，第— 電極墊155可以設置在基板的邊緣處。此外，如圖7所示， 多個第一電極墊155可以設置在基板的邊緣上以相互 對。 與上面的示例性實施例中一樣，第二導電類型半導體 層27和活性層25可以劃分為多個發光區域。在此，第二 導電類型半導體層27和活性層25劃分為兩個發光 LE1和LE2。上延伸件153a位於發光區域Lm、le2上一， 亚且通過絕緣層31連接到第二導電類型半導體層27(見圖 和圖2b)絕緣層31可以覆蓋第二導電類型半導體層 27和活丨生層25的通過臺面触刻被暴露的側表面，以使連 接件l53b或第二電極墊153與第二導電類型半導體層27 35 201131836 和活性層25的側表面絕緣。 下延伸件155b可以沿著基板21的邊緣從第一電極墊 155延伸。如圖7所示，下延伸件155b可以沿著基板 的邊緣延伸以圍繞發光區域LE卜LE2。下延伸件155b電 連接到第一導電類型半導體層23。附加的下延伸件(未示 出）可以從下延伸件155b延伸到發光區域LE1和LE2之間 的區域。 此外，與參照圖i和圖2a、圖2b所描述的一樣，第二 電極墊153利用設置在第二電極墊153與第一導電類型半 導體層23之間的絕緣層31而位於第一導電類型半導體層 23上這樣，由於第一電極墊153與第二導電類型半導體 層27分開，所以能夠防止在第二電極墊153周圍發生電流 擁擠。此外，與參照圖3所描述的一樣，第二電極墊153 的一部分可以位於第二導電類型半導體層27上。 根據本示例性實施例，由於第二電極墊153設置在基 板21(即，發光二極體)的中心處，所以能夠實現從第二電 極墊至發光區域LEI、LE2的均勻的電流擴散。 圖8疋根據本發明第七示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 參照圖8,本示例性實施例的發光二極體與參照圖7 标述的發光一極體相似。然而，在本示例性實施例的發光 一極體中，兩個上延伸件153a位於發光區域LE1、LE2中 的每個發光區域上’ 一個下延伸件丨55c從每個第一電極墊 155向第二電極墊153延伸。 36 201131836 具體地講’至少兩個上延伸件153a位於發光區域 LEI、LE2中的每個發光區域上。可以以相對於穿過第— 電極墊155和第二電極墊153的線對稱的結構設置上延伸 件153a。上延伸件153a分別通過連接件153b連接到第二 電極墊153。 下延伸件155c從第一電極墊155向上延伸件153a之 間的區域延伸，並且電連接到第一導電類型半導體層23。 下延伸件155c在第一電極墊155附近終止。 在本示例性實施例中，發光區域LE1、LE2可以對稱 地设置，從而表現出相同的發光特性。 根據本示例性實施例，至少兩個上延伸件153a設置在 發光區域LE卜LE2的每個中，下延伸件155c位於上延伸 件153a之間的區域中，從而例如當發光區域具有寬的面積 時增強了該發光區域中的電流擴散。 圖9是根據本發明第八示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 參照圖9，第二導電類型半導體層27和活性層25劃 分為四個發光區域LEI、LE2、LE3、LE4。此外，四個第 一電極墊165設置在發光二極體的角部附近，下延伸件 165b 圍繞發光區域 LEI、LE2、LE3、LE4。 與第六實施例和第七實施例中一樣，第二電極墊163 S又置在基板21的中心處。第二電極墊163可以利用置於第 二電極墊163和第一導電類型半導體層23之間的絕緣層 31而位於第一導電類型半導體層23上。 37 201131836 上延伸件163a位於發光區域lei、LE2、LE3、LE4 中的母個發光區域上。上延伸件163a可以沿著發光區域 LEI、LE2、LE3、LE4中的每個發光區域的邊緣延伸，並 且可以連接到第二導電類型半導體層27或透明電極層 29。上延伸件163a通過連接件i63b連接到第二電極墊 163 ’連接件163b通過絕緣層31與發光區域le卜LE2、 LE3、LE4 絕緣。 根據本示例性實施例，利用位於基板21中心處的第二 電極塾163 ’發光區域劃分為多個發光區域[El、LE2、 LE3、LE4 ’從而發光二極體可以實現寬的區域上的均勻的 電流擴散。 在本示例性實施例中’發光二極體具有設置在基板21 的四個角部處的四個第一電極墊165。可選擇地，發光二 極體可以具有單個第一電極墊165，下延伸件165b從這個 第一電極墊165延伸，以圍繞發光區域lE卜LE2、LE3、 LE4。 圖10疋根據本發明第九示例性實施例的發光二極體 的平面圖。 參照圖10 ’本示例性實施例的發光二極體與參照圖9 描述的發光二極體相似。然而，在本示例性實施例的發光 一'極體中’下延伸件165a、165b和上延伸件163a以不同 於上面示例性實施例的方式佈置。 具體地講’下延伸件l65b沿著基板21的邊緣從第一 塾* 165延伸以圍繞相關的發光區域LE卜LE2、LE3、 38 201131836. LE4，並且在一些區域中相互分開。此外，下延伸件165& 分別延伸到發光區域LEI、LE2之間的區域中和發光區域 LE3、LE4之間的區域中。下延伸件165a可以從下延伸件 165b延伸。 每個上延伸件163a通過連接件16315連接到第二電極 墊163。上延伸件163a在下延伸件165a、16北之間的區 域中沿著發光區域LEI、LE2、LE3、LE4中的每個發光區 域的一個邊緣延伸，然後朝著每個發光區域的相對邊緣延 伸。 根據本示例性實施例，通過調整下延伸件165a、165b 和上延伸件163a的形狀和佈置來調整下延伸件i65a、165b 與上延伸件163之間的距離，發光二極體可以實現在發光 區域LE卜LE2、LE3、LE4中優化了的電流擴散。 在第六示例性實施例至第八示例性實施例中，第二電 極墊153或163位於第一導電類型半導體層23上，絕緣層 31设置在第二電極塾153或163和第一導電類型半導體層 23之間。然而，與上面參照圖5和圖6所描述的一樣，第 二電極墊153或163可以直接位於基板21上（見圖5)。可 遥擇地’絕緣層31可以設置在基板21和第二電極墊153 或163之間（見圖6)。也就是說，利用直接位於基板21上 的絕緣層31 ’第二電極墊153或163可以直接位於絕緣層 31上而與絕緣層31接觸。第二電極墊153或丨63形成在 已經局部去除了形成在基板21上的第一導電類型半導體 層23、活性層25和第二導電類型半導體層27的區域上。 39 201131836 當第二電極墊153或163直接形成在基板21上而與基板 21接觸時，基板21可以是介電基板。 圖11是根據本發明第十示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 參照圖11，本示例性實施例的發光二極體與參照圖1 和圖2a、圖2b描述的發光二極體相似。然而，在本示例 性實施例的發光二極體中，第一電極墊255和第二電極墊 253以不同於上面的示例性實施例的方式佈置。 具體地講，在圖1和圖2a、圖2b中，第一電極塾35 和第二電極墊33設置在基板21的長軸方向上以相互面 對。然而’在本示例性實施例中，第二電極墊253設置在 基板21的一個邊緣的中心附近，兩個第一電極墊255設置 在基板21的相對邊緣附近。基板21的所述一個邊緣可以 比基板21的其他邊緣長，但不限於此。此外，第一電極墊 255不是定位成面對第二電極墊253，而是設置在基板21 的相對邊緣的端部附近，即’四邊形基板21的角部處。 與上面的示例性實施例中一樣，第二導電類型半導體 層27和活性層25可以劃分為發光區域LE卜LE2。在此， 第二導電類型半導體層27和活性層25劃分為兩個發光區 域。可以以相對於沿基板21的短軸方向從第二電極墊253 延伸的線對稱的結構設置發光區域LEI、LE2。換言之， 可以以相對於穿過第二電極墊253而垂直於基板21的所述 一個邊緣的線對稱的結構設置發光區域LEI、LE2。 上延伸件253a或253c位於發光區域LEI、LE2中的 201131836 母個發光區域上。上延伸件253e可以通過連接件253b連 接到第二電極塾253，並且沿著發光區域lei的一個邊緣 延，〔上延伸件253a可以從上延伸件253c線性地延伸。 也就是說’上延伸件253a可以從基板21的一個邊緣向基 板21的另—個邊緣線性地延伸。 連接件253b通過絕緣層31與第二導電類型半導體層 絕緣(見圖2a和圖2b)。絕緣層31可以覆蓋第二導電類^ 半導體層27和/ί•性層25的通過臺面#刻暴露的側表面， 以使連接件253b或第二電極墊253與第二導電類型半導體 層27和活性層25的側表面絕緣。 、 下延伸件255b可以沿著基板21的邊緣從第一電極墊 255延伸。如圖U所示，下延伸件255b包括沿著基板 的所述另-個邊緣延伸的下延伸件和沿著將基板的所述一 個邊緣連制所述另—個邊緣的邊緣延伸的下延伸件。因 此’下延伸件255b可以沿著發光區域Lm或⑽的兩個 邊緣延伸。此外，另-下延伸件255a可以從下延伸件2说 延伸到發光區域LE1和LE2之間的區域。下延伸件255a 可以朝著第二電極墊253延伸。下延伸件255&、25允電連 接到第一導電類型半導體層23,以幫助電流在發光二極體 中擴散。 此外，與參照圖1和圖2a、圖2b所描述的一樣，第二 電極墊253利用設置在第二電極墊253和第一導電類型半 導體層23之_絕緣層31而位於第—導電類型半導體層 23上。這樣，由於第二電極墊2兄與第二導電類型半導體 41 201131836 層27分開，所以能夠防止在第二電極墊253周圍發生電流 擁擠。此外’與參照圖3所描述的一樣，第二電極墊253 的一部分可以位於第二導電類型半導體層27上。 根據本示例性實施例，發光區域LEI、LE2共用單個 第二電極塾253’並分別設置有相關聯的第一電極墊255。 此外，由於第一電極墊255與基板21的邊緣的中心分開， 使得第一電極墊255和第二電極墊253沒有相互面對，所 以能夠貫現各個發光區域LEI、LE2中更有效的電流擴散。 在本示例性實施例中，第二導電類型半導體層27和活 性層25被劃分為限定兩個發光區域LE卜LE2。然而，劃 分第二導電類型半導體層27和活性層25並不是必要的。 也就是說，發光區域LEI、LE2的第二導電類型半導體層 27和活性層25可以相互連接。 圖12是根據本發明第十一示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 參照圖12’本示例性實施例的發光二極體與參照圖^ 描述的發光二極體相似。然而，本示例性實施例的發光二 極體還包括進入發光區域LEI、LE2中的每個發光區域的 下延伸件255c。在本示例性實施例中，可以省略圖u中 的下延伸件255a。 每個下延伸件255c位於第一導電類型半導體層23的 通過臺面钱刻暴露的區域上，並電連接到第一導電類型半 導體層23。下延伸件255c可以從下延伸件255b朝著基板 21的一個邊緣延伸。另一方面，每個上延伸件253a延伸 42 201131836 到下延伸件255b、255c之間的區域。

根據本示例性實施例，發光二極體包括均進入發光區 域LE1或LE2的下延伸件255c ’從而實現了在更廣的發 光區域上均勻的電流擴散。 X 在本示例性實施例中，可以以相對於穿過第二電極墊 253而垂直於基板21的一個邊緣的線對稱的結構設置發光 區域LEI、LE2。結果’可以對稱地設置下延伸件255c。 圖13疋根據本發明第十二不例性實施例的發光二極 體的平面圖。 參照圖13’本示例性實施例的發光二極體與參照圖η 描述的發光二極體相似。然而，在本示例性實施例的發光 —極體中，第一電極墊265的位置不同於上面示例性實施 例中的第一電極墊的位置。 具體地講’第一電極墊265位於基板21的另一個邊緣 上的中心和一端之間的區域中。每個第一電極墊265可以 位於發光區域LE1或LE2的邊緣的中央區域。此外，可以 ，著通過每個上延伸件253a的延伸而形成的假想線設置 母個第一電極墊265。因此’每個上延伸件253a可以位於 下延伸件255b和下延伸件255a之間的中部，從而允許在 上延伸件253a的兩個區域處均勻的電流擴散。 _在第十示例性實施例和第示例性實施例中，第二 電極墊253位於第一導電類型半導體層23上，絕緣層31 。又置在第二電極墊253和第一導電類型半導體層23之間。 然而，與上面參照圖5和圖6所描述的一樣，第二電極墊 43 201131836 253可直接位於基板21上而與基板21接觸。可選擇地， 絕緣層31可以設置在基板21和第二電極墊253之間。也 就是說’利用直接位於基板21上的絕緣層31，第二電極 墊253可以直接位於絕緣層31上而與絕緣層31接觸。第 二電極墊253形成在已經局部去除了形成在基板21上的第 一導電類型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導 體層27的區域上。當第二電極墊253直接形成在基板21 上而與基板21接觸時，基板21可以是介電基板。 在上面的示例性實施例中，第二電極塾253與第二導 電類型半導體層27水平地分離。因此，能夠防止在第二電 極墊253周圍發生電流擁擠。此外，第二電極塾253通過 連接件253b電連接到上延伸件253a、253c，連接件253b 通過絕緣層31與發光區域絕緣。這與圖i和圖2a、圖2b 中不出的不例性實施例相似。由於連接件253b也通過絕緣 層31與第二導電類型半導體層27絕緣，所以能夠防止在 第二電極墊253周圍發生電流擁擠。 圖14是根據本發明第十三示例性實施例的發光二極 體的平面圖，圖15a、圖15b和圖15c分別是沿著圖14中 的Α·Α線、;B_B線和C-C線截取的橫剖視圖。 參照圖/4、圖i5a、圖15b和圖15c，發光二極體包括 基板21、第一導電類型半導體層23、活性層乃、第二導 電類型半導體層27、絕緣層33卜第—電極塾335、第二 電極墊333和上延伸件333a。發光二極體還可以包括連接 件333b、透明電極層29、第一下延伸件335a和第二下延 44 201131836 伸件335b。 基板21 '第一導電類型半導體層23、活性層25 二導電類型半導體層27與圖i和圖2a、 板21、第一導電類型半導體層23、活性層25和第二 ^型半導體層27相同，因而在此將省略對它們的^細描 第二導電類型半導體層27和活性層25可以經总烏 触刻’以暴露第-導電麵半導體層23(即，n = 的將形成有第-電極墊335、第—下延伸件335Μσ導體層) 延伸件335b的區域。臺面㈣可以形成錯齒狀部分 從而第二導電翻半導體層η和活性層Μ基本上 兩個發光區域。此外，可以執行臺祕刻，以形成;目= ^板以的平面傾斜程度㈣度至川度範圍内的傾斜^表 =月電極層329可以形成在第二導電類型半 =透明電極層329可以由ITO或職u形成，並與曰 ^電類型半導體層27形成歐姆接觸。例如，如圖l7b所示， 透明電極層329可以劃分為兩個區域。這裏，透極 劃分為兩個區域’以暴露將要形成有第二電極^ ^置的弟二導電類型半導體層27，這兩個區域可以對稱地 極声】29, 331/蓋第三導電類型半導體層27。當透明電 還電類型半導體層27上時，絕緣層331 還覆盍透明電極層329。絕緣層331還覆蓋第 45 201131836 半導體層27和活性層25的通過臺面_被暴露的側表 面。此外，絕緣層331可以具有形成在第二導電類型半導 體層27上的開口 331a。開口 331a暴露第二導電類型半導 體層27(或透明電極層329)。絕緣層331可以由光可以透 射穿過的任何絕緣材料(例如，Si〇2)形成。 第二電極墊333位於第二導電類型半導體層27上。第 二電極塾333位於第二導電類型半導體層27的由於劃分透 明電極層329而被暴露的區域上，並且第二電極塾如通 過絕緣層331與第二導電類型半導體層27絕緣。 上延伸件333a位於第二導電類型半導體層π或透明 電極層329)上。上延伸件333a可以通過絕緣層331的開 口 331a連接到第二導電類型半導體層27(或透明電極層 329)。上延伸件33允被設置成允許第二導電類型半導體層 f中均勻的電流擴散。例如，上延伸件现可以彼此^ 打地延伸。上延伸件333a可以分別通過連接件遍連接 到第二電極墊333。連接件333b通過絕緣層％丨與 電類型半導體層27分開。 、 弟 , 电椏蛩州5位於第一導電類型半導體層23的通 3:面飯刻被暴露的區域上。第—電極塾335電連接 導電類型半導體層23。第-電極塾335和第二電極塾3 是用來⑽鍵合_合墊，並且具有时躲鍵合的相 寬的區域。第-下延伸件335a可以從第一電極塾奶向 二電極塾333延伸。第-下延伸件335a位於第_導電氣 半導體.層23上，並電連接到第—導電類型半導體層23, 46 201131836 如圖所示’第一下延伸件335a可以位於透明電極層329 的劃分區域之間的區域中，並可以平行於上延伸件3s33a。 此外，第二下延伸件335b可以沿著基板21的邊緣從第一 電極塾335延伸。 電極塾333和335、上延伸件333a、連接件333b及下 延伸件335a可以通過相同的過程由相同的材料(例如，

Cr/Au)形成，但不限於此。可選擇地，上延伸件333&和第 一電極墊333可以通過不同的過程由不同的材料形成。 在本示例性貫施例中，發光二極體具有相對於穿過第

一電極墊335和第二電極墊333的線(例如，圖14中的B_B 線)對稱的結構。透明電極層329的劃分區域和上延伸件 %3a對稱地設置。下延伸件335b也可以對稱地設置。因 此’在根據本示例性實施例的發光二極體中，透明電極層 的劃分區域可以在其兩個劃分區域處提供相同的發光 特性。結果，發光二極體的發光結構基本劃分為兩個發光 區域，從而發光二極體可以防止在諸如針孔或穿透位錯的 缺陷周圍發生過度的電流擁擠，從而實現了均勻的電流擴 散。 〃 在本示例性實施例中’第一電極墊335位於第一導電 類型半導體層23上。然而，如果基板21是導電的，則第 電極墊335可以位於基板21的頂表面或底表面上。 圖16是根據本發明第十四示例性實施例的發光二極 體的横剖視圖。 參照圖16,本示例性貫施例的發光二極體與參照圖μ 47 201131836 和圖15a至圖15c描述的發光二極體相似。然而’在本示 例性貫施例的發光二極體中，第二電極塾M3的附加部分 位於透明電極層329上方。 具體地溝，第二電極墊343在透明電極層329的劃分 區域之間位於第二導電類型半導體層27的暴露區域上 方，從而第二電極墊343的一部分位於透明電極層329上 方。第二電極墊343通過絕緣層331與透明電極層329絕 緣。 在本示例性實施例中，劃分透明電極層329的區域的 面積可以相對減小。此外，第二電極墊343可以形成為面 積比上面示例性實施例的第二電極墊333的面積大。 圖17a、圖17b、圖17c和圖l7d是示出了製造根據本 發明第十三示例性實施例的發光二極體的方法的平面圖。 形成半導體層23、25和27、透明電極層329及絕緣層331 的方法在本領域是公知的，因而在此將省略對它們的詳細 描述。可以使用可以形成半導體層23、25和27、透明電 極層329及絕緣層331的現在知道的或尚未知道的任何過 程來製造發光二極體。 首先，參照圖17a ’在基板21上形成包括第一導電類 型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導體層π的 半導體層。紐，對半導體層進行臺面㈣，以暴露第一 導電類型半導體層23。半導體層可以具有傾斜表面，例 如，相對於基板平面成30度至70度。這裏，在第一導電 類型半導體層23上暴露將要形成有第—電極墊335的區域 48 201131836 30a、將要形成有第一下延伸件335a的區域3〇b和將要形 成有第二下延伸件335b的區域30c。將要形成有第一下延 伸件335a的區域3〇b變成向内延伸的鋸齒狀部分3〇b。鋸 齒狀部分30b位於半導體層的中部，並且從將要形成有第 -電極墊的區域30a向内延伸’以將發光區域劃分為基本 上兩個發光區域。這裏’第二導電類型半導體層和活性層 ，將要形成有第二電極塾333(見圖M)的區域保留，而不 是通過钱刻被去除。 參照圖17b’可以在第二導電類型半導體層27上形成 透明電極層329。可以將透明電極層329劃分為兩個區域， 以暴露將要形成有第二電極墊333㈣二導賴型半導體 ，27。透明電極層329的這兩舰域可以具有相對於彼: 對稱的結構。透明電極層329可以由肋或形成， 亚且與第二導賴型半導體層27形成歐姆接觸。 參照圖17c，在透明電極層329上形成絕緣層331。絕 緣層331覆蓋第二導電類型半導體層27的將要形成有第二 電極墊333的區域。此外，絕緣層％ ^ 電類型半導體層27和活 ，盍弟一泠 々玍層乃的通過置面蝕刻被暴露的 =表面。此外，通過微影術和腐姓對絕緣層331進行圖案 過程’以形成暴露透明電極層329 _ 明電極層329的開口 331a?rw#+於认以丄 泰路通 外，私形成為相互平行。此 外退暴疼第-導電類型半導體層的 極墊扭、第-下延伸件伽和第二下== 域30a、3Gb和3Gc。 腎洲的£ 49 201131836 參照圖17d ’在第-導電類型半導體層23力暴露區域 上形成第-電極墊335、第-下延伸件335a和第二下延伸 件335b。此外，在絕緣層331上形成第二電極墊333和連 接件333b，在開口 331a中形成上延伸件333a。 上延伸件333a可以連接到透明電極層329，並可平行 於第-下延伸件335a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖14所示。 在本7F例性實施例中，透明電極層329劃分為兩個區 =但=於此。透明電極層329可以劃分為多於兩個的 =。^外，雖然在本示例性實施例中在臺刻之後形 ^電極層329，但是可以在形成透明電極層329之後 執行臺面钱刻。 I 18疋;f艮據本發明第十五示例 體的平面圖。 ^ 〇又几一你 第一14的示例性實施例中，第一電極势335和 發，體的長軸方向設置，並且透明 而，在本示例性實施例令门，為兩個£域。然 353沿發光二極體 =一電極墊355和第二電極墊 沿發光二極體的短===並且透明電極層329 極層B的劃分區域對稱；^兩二區域。此外’透明電 延伸件3祝也對稱地設置。又 延伸件353a和下 ^ νλ ® 光一極體的邊緣向内延伸的 50 201131836 延伸件353c。下延伸件355a從發光二極體的内部向磊晶 伸。此外’下延伸件355a可以分叉以分別圍繞相關的發光 區域中的延伸件353c。 上延伸件353a通過絕緣層331的開口 331a連接到透 明電極層329’並通過連接件353b連接到第二電極塾353。 連接件353b通過絕緣層331與透明電極層329絕緣。 在本示例性實施例中’發光二極體省略了從第一電極 墊355向第二電極墊353延伸的第一下延伸件335a(見圖 14)。 圖19是根據本發明第十六示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 參照圖19’本示例性實施例的發光二極體與參照圖 描述的發光二極體相似。然而，在本示例性實施例的發光 二極體中，下延伸件365a和上延伸件363a以不同於上面 的示例性實施例的方式來佈置。 具體地講，下延伸件365a沿著發光二極體的邊緣延 伸，並且彎曲成向内延伸，上延伸件363a在透明電極層 329的每個劃分區域上包括兩個延伸件，這兩個延伸件圍 繞向内延伸的每個下延伸件365a。 上延伸件363a通過絕緣層331的開口 331a連接到透 明電極層329’並通過連接件363b連接到第二電極塾353。 連接件363b通過絕緣層331與透明電極層329絕緣。 圖20是根據本發明第十七示例性實施例的發光二極 體的平面圖’圖21a、圖21b和圖21c分別是沿著圖20中 51 201131836 的A-A線、B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 參照圖20、圖21a、圖21b和圖…，本示例性實施例 的發光二極體與參照圖14和圖15a至圖15e_的發光二 極體相似。然而，在本示例性實施例的發光二極體;，第 二電極塾433位於透明電極層429上方，並通過絕緣層43i 與透明電極層429絕緣。此外，第-導電類型半導體層23 為η型半導體層’第二導電類型半導體層27為^型半導體 ,發光二極體包括基板21、η型半導體層23、活性層25, P 51半導體層27、透明電極層429、絕緣層切 一 ==、第二電極墊433 #上延伸件仙。發光二極體還 括連接件433b、第一下延伸件仙和第二下延伸 P型半導體 21、η型半 ’因而在此 基板21、n型半導體層23、活性層乃和 層27與圖14和圖15a至圖15c中示出的基板 導體層23、活性層25和p型半導體層27相同 將省略對它們的詳細描述。 透明電極層429可以位於？型半導體層27上 ^ ，層429可以由iTC^Ni/Au形成，並且與p型半導體力 7形成歐姆接觸。例如，如圖既所示，透明電極層幻 =形成在p型半導體層27上，並且可以具有對稱結構 ^晨，透明電極層429覆蓋p型半導體層27的將要形以 第一電極墊433的區域。 絕緣層431覆蓋透明電極層429。絕緣層431還覆蓋] 52 201131836 型半導體層27和活性層25的通過臺祕刻被暴露的側表 面此外，絕緣層431可以具有暴露透明電極層429的開 口 431a。通過開口 431a暴露透明電極層429(或p型半導 體層27)。絕緣層431可以由光可以透射穿過的任何透明 材料(例如，Si02)形成。 第二電極墊433位於透明電極層429上。第二電極墊 433位於透明電極層429的在鋸齒狀部分3%附近的區域 上，並且通過絕緣層431與透明電極層429絕緣。 上延伸件433a位於透明電極層429上。上延伸件433a 可以通過絕緣層431的開口 431a連接到透明電極層429， 由此可以電連接到P型半導體層27。可以通過開口 431a 暴露P型半導體層27，上延伸件433a可以直接連接到p 型半導體層27。上延伸件433a被設置成允許p型半導體 層27令均勻的電流擴散。例如，上延伸件433a可以相互 平行地延伸。上延伸件433a可以分別通過連接件43孙連 接到第二電極墊433。連接件433b通過絕緣層431盥透明 電極層429絕緣。 ~ 第一電極墊435可以位型半導體層23的通過臺面 蝕刻被暴露的區域上。第一電極墊435電連接到n型半導 體層23。第-電極墊435和第二電極塾极是用於引線鍵 合的鍵合墊，並且可以具有用於引線鍵合的相對寬的區 域。第一下延伸件435a可以從第-電極塾435向第二電極 墊433延伸。第一下延伸件435a位於n型半導體層上， 並電連接纟丨η⑧半導’體層23。如目所示，第—下延伸件435a 53 201131836 可以位於鑛齒狀部分30b上，並且可以平行於上延伸件 433a。此外，第二下延伸件435b可以沿著基板21的邊緣 從第一電極墊435延伸。 電極墊433和435、上延伸件433a、連接件433b、第 一下延伸件435a及第二下延伸件435b可以通過相同的過 程由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限於此。可選擇 地’上延伸件433a和第二電極墊433可以通過不同的過程 由不同的材料形成。 在本示例性實施例中，發光二極體具有相對於穿過第 一電極墊435和第二電極墊433的線(例如，圖2〇中的b七 線)對稱的結構。透明電極層429的劃分區域和上延 433a可以對稱地設置，第二下延伸件鄕也可 相光二極體可以在鑛齒狀部分3〇b的兩側表 °結果’發光二極體的發光結構基本 刀,、、、兩個發光區域，從而發光二極體可以防 目十孔或穿透位錯的缺陷周圍發生過度的電流擁擠，從而： 現了均勻的電流擴散。 崎從而實 體實施例+ ’第一電極塾435位於η型半導 曰上。然而，如果基板21是導電的，則第一 435可以你於I』η 電極整 於基板21的頂表面或底表面上。 ®22Μσ®22d^^4 形成半導例的發光二極體的方法的平面圖。 的方法在&ΛΓ7、透明電極層429及絕緣層431 員域疋么知的，因而在此將省略對它們的詳細 54 201131836 描述。可以使用可以形成半導體層23、25和27、透明電 極層429及絕緣層431的現在知道的或尚未知道的任何過 程來製造發光二極體。 首先，參照圖22a ’在基板21上形成包括n型半導體 層23、活性層25和p型半導體層27的半導體層。狄後， 對半導體層進行臺面蝕刻，以暴露11型半導體層θ23「半導 體層可以具有傾斜表面，例如，相對於基板平面成3〇产至 70度。這裏，在η型半導體層23上暴露將要形成^一 電極墊435的區域30a、將要形成有第一下延伸件435&的 區域3〇b和將要形成有第二下延伸件伽的區域3〇c。將 要形成有第-下延伸件435a的區域鳥變成向内延伸的鑛 齒狀部分勘。_狀部分娜從將要形成有第—電極塾 1 勺内延伸，以將發光區域劃分為基本上兩個發 ^域。Μ ’ ρ型轉體層和紐 電極圖2。)的區域保留， 乡1 22b ’可以在ρ型半導體層27上形成透明電極 ;極墊。極層4t9可以形成_蓋將要形成有第二 琉，n P型半導體層27 ’並且可關分為兩個區 線對ΐ的J域設置成相對於沿著錄齒狀部分3%延伸的 ;i=構。透明電極層仍可以由it_au形成， 、’導體層27形献姆接觸。 缘/二舜:1在透明電極層429上形成絕緣層431。絕 429 此外，絕緣層奶還可以覆蓋P型半導體層 55 201131836 的通過臺㈣刻被暴露的側表面。此外， 對絕緣層431進行圖案化過程，以形成 ，路透月電極層429的開σ 431a。暴露透明電極層429的 對稱地形成為相互平行。此外,還暴露n Μ導體層23的將分別形成有第-電極塾435、第-下延 伸件435a和第二下延伸件435b的區域。 f ^圖22d ’在n型半導體層23的暴露區域上形成第 :電極墊435、第-下延伸件仙和第：下延伸件働。 此外’在絕緣層431上形成第二電極塾433和連接件 433b，在開口 431a中形成上延伸件433a。 上延伸件433a可以連接到透明電極層429，並可平行 於第-下延伸件435a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖20所示。 在本示例性實施例中，發光二極體通過鑛齒狀部分鳩 基本劃分為兩個發光區域，但不限於此。發光二極體可以 劃分為多於兩個的發光區域H軸在本示例性實施 例中在臺面蝕刻之後形成透明電極層429，但是可以在形 成透明電極層429之後執行臺面姓刻。 與第十三示例性實施例的發光二極體不同，本示例性 實施例的發光二極體包括透明電極層429上方的第二電極 墊433。該特徵也可以應用於參照圖18描述的第十五示例 性實施例的發光二極體和參照圖19描述的第十六示例性 貫施例的發光二極體’因而在此將省略對它們的詳細描述。 圖23是根據本發明第十八示例性實施例的發光二極 56 201131836. 體的平面圖，圖24a、圖24b和圖24c分別是沿著圖23中 的A-A線、；B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 參照圖23、圖24a、圖24b和圖24c，發光二極體包括 基板21、包括發光區域LE1和LE2的發光結構、與發光 結構隔離的電極墊區域^>、第一電極墊535、第二電極墊 533及上延伸件533a。此外，發光二極體可以包括透明電 極層529、絕緣層531、連接件53北、第一下延伸件53兄

和第二下延伸件535b。此外，發光結構和電極墊區域EP 均包括第-導電難半導體層Μ、活性層 類型半導體層27。 弟-導電 基板21可以是例如藍寶石基板，但不限於此。 構和電極墊區域£1>位於基板21上。 x ''° 第一導電類型半導體;| 23為n型丨導體層，第 類型半導體層27為ρ型半導體層，反之亦然。第 型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導體層27斑 參照圖14和圖15a至圖…描述的第一導電類型半曰㈣ 23、活性層25和第二導電類型半導體層27相同，^ 此將省略對它們的詳細描述。 在 、發光結構的第二導電類型半導體層27和活性層25 ^ 以劃分為限定至少兩個發光區域LEI、LE2。發光區= & LE2 了以具有對稱結構，可以通過臺面餘刻來: 讀劃分過程。具體地講，通過臺祕刻形成麵仃 通’以將第二導電類型半導體層27和活性層25劃八/ 個發光區域。❹卜，經受臺面侧的發光結構的側=面兩 57 201131836 以相對於基板21的平面傾斜3〇度至7〇度。此外，發光區 域LE卜LE2的第-導電類型半導體層23可以被發光區域 共用’從而第-導電類型半導體層23暴露在發光區域之 間。 此外’透明電極層529可以位於發光結構的第二導電 類型半導體層27上。透明電極層529可以由IT〇或Ni/Au 形成’並且與第二導電類型半導體層27形成歐姆接觸。 、電極塾區域EP與發光結構隔離。具體地講，電極塾區 域EP的第一導電類型半導體層23、活性層25和第二導電 通型半導體層27與發光結構的第一導電類型半導體層 23、活性層25和第二導電類型半導體層27分開。因此， 電極墊區域EP與發光結構電絕緣。電極墊區域Ep可以通 過形成在第-導電類型半導體層23中的溝槽Ή與發光結 構隔離。另一方面，由1TO或Ni/AU形成的透明電極層529 可以位於電極墊區域EP上。 邑緣層531可以覆蓋發光結構的第二導電類型半導體 層27(或透明電極層529)。絕緣層531還可以覆蓋第二導 電類型半導體層27和活性層25的通過臺面侧被暴露的 側表面。此外，絕緣層531可以具有在發光區域LEbLE2 上暴露透明電極層529的開口 531a。通過開口 531a暴露 透明電極層529(或第二導電類型半導體層外絕緣層別 可以覆蓋電極墊區域EP的第二導電類型半導體層27(或透 月，極層529)，並且還可以覆蓋電極墊區域Ep的側表面。 ’邑、、彖層531可以由光可以透射穿過的任何透明材料(例 58 201131836 如，Si02)形成。 第電極塾535可以位於發光結構的第— ί 電極塾535可以定位成面對第二電極墊 533，如附圖所示。第一電極墊535和第二電極 合的鍵合墊，並且可以具有用於引線鍵合的= 第二電極墊535電連接到第一導電類型半導體層23。 此外，第一下延伸件535a可以從第一電極墊535向^二電 極墊533延伸。第一下延伸件53化位於第—導電類型半導 體層23上’並電連接到第一導電類型半導體層^。如附 圖所示，第一下延伸件535a可以位於發光區域lei和le2 之間的鋸齒狀部分3〇b中，並具有接近第二電極墊533的 末端。此外，第二下延伸件535b可以沿著基板21的邊緣 從第一電極塾535延伸。 第二電極墊533位於電極墊區域EP上。第二電極墊 533可以位於第二導電類型半導體層27上，透明電極層5四 和/或絕緣層531可以設置在第二電極墊533和第二導^電類 型半導體層27之間。當絕緣層531設置在第二電極墊533 和第二導電類型半導體層27(或透明電極層529)之間時， 第二電極墊可以與電極墊區域EP絕緣。 上延伸件533a位於發光區域LEI、LE2上。上延伸件 533a可以通過絕緣層531的開口 531a電連接到透明電極 層529(或第二導電類型半導體層27)。可以通過開口 53ia 59 201131836 暴路弟一導電類型半導體層27，上延伸件533a可以直接 連接到第二導電類型半導體層27。上延伸件533a被設置 成允許第二導電類型半導體層27中均勻的電流擴散。例 如，上延伸件533a可以相互平行地延伸。上延伸件W3a 可以分別通過連接件533b連接到第二電極墊533。連接件 533b通過絕緣層531與透明電極層529(或第二導電類型半 導體層27)絕緣。連接件533b通過絕緣層531與發光結構 的側表面絕緣。 電極墊533和535、上延伸件533a、連接件533b、第 一下延伸件535a和第二下延伸件535b可以通過相同的過 私由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限於此。可選擇 地上延伸件533a和第二電極塾533可以通過不同的過程 由不同的材料形成。 在本示例性實施例中，發光二極體具有相對於穿過第

電極墊535和第二電極墊533的線(例如，圖23中的B_B 線)對稱的結構。透明電極層529的劃分區域和上延伸件. =3a可以對稱地設置，第二下延伸件535b也可以對稱地 設置。因此，發光二極體可以在鋸齒狀部分3%的兩側表 現出相同的發光特性。結果，發光二極體的發光結構劃分 $兩個發光區域，從而發光二極體可以防止在諸如針孔或 穿透位錯的缺陷周圍發生過度的電流擁擠，從而實現了均 勻的電流擴散。 ；在本示例性實施例中，第一電極墊535位於第一導電 類型半導體層23上。然而，如果基板21是導電的，則第 201131836 一電極塾535可以位於基板 種情況下，第二雷Μ負表面或底表面上。在這 ΕΡ絕緣。 ° 通過絕緣層531與電極墊區域 造粑攄篦：圖-25b、圖25C、圖25d和圖25e是示出了製 w根據弟十人不例性實施例 圖。形成半導體層23、I 的平面 層531的方半/ 和27、透明電極層529及絕緣 的詳細描述。摘是公知的，因而在此將省略對它們 刑主t，參照圖^ ’在基板21上形成包括第一導電類 ΐίΐΪ層23/活性層25和第二導電類型半導體層27的 _ ^。然後，對半導體層進行臺面蝕刻，以暴露第一 ¥電類型半導體層23。半導體層可以具有傾斜表面，例 如’相對於基板平面成30度至7〇度。這裏，如® 23所示， 在第-導電_半導㈣23场露將要軸有第一電極 墊535的區域30a、將要形成有第一下延伸件的區域 30b和將要形成有第二下延伸件53外的區域3〇c。將要形 成有第一下延伸件535a的區域3〇b變成向内延伸的鋸齒狀 部分30b。鋸齒狀部分30b從將要形成有第一電極墊的區 域30a向内延伸。這裏，通過臺面蝕刻暴露電極墊區域Ep 中的第一導電類型半導體層23,第二導電類型半導體層27 和/舌性層25保留’而不是通過触刻被去除。因此，將第二 導電類型半導體層22和活性層25劃分為限定兩個發光區 域LEI、LE2，通過臺面蝕刻限定電極墊區域EI>。 參照圖25b，通過蝕刻第一導電類型半導體層23在電 61 201131836 極墊區域EP周圍形成溝槽T1。電極墊區域Ep以島狀、雨 過溝槽T1與包括發光區域Lm、LE2的發光結構 ^ 導電類型半導體層23隔離。 ，參照圖25c，在發光區域LE卜LE2的第二導電類型 導體層27上形成透明電極層529。透明電極層529還可以 形成在電極墊區域EP上。透明電極層529可以具有相對 於沿著鑛齒狀部分30b延伸的假想線對稱的結構。透明電 極層529可以由ITO或Ni/Au形成，並且與第二導電 半導體層27形成歐姆接觸。 參照圖25d，在發光結構上形成絕緣層531。絕緣肩 531覆蓋發光結構的透明電極層529和電極墊區域Ep上J 透明電極層529。此外，絕緣層531還可以覆蓋第電 類型半導體層27和活性層25的通過臺面侧被暴露的俄 表面。此外，通過微影術和腐蝕對絕緣層531進行圖案化 過程，以在發光區域LE1、LE2上形成暴露透明電極層奶 的開口 531a。暴露透明電極層529的開口 53ia可以對稱 地形成為相互平行。此外，縣露第—導電_半導體層 ，的將分卿成有第-電極墊535、第—τ延伸件53ς 和第一下延伸件535b的區域。 > “、、圖25e，在發光結構的第一導電類型半導體戶23 =暴露區域上形成第-電極㈣5、第一下延伸件5丄和 ΐ一下延伸件535b。此外，在電極塾區域上形成第二 電極塾533，在開口 531a中形成上延伸件533a。此外，連 接件533b形成為將第二電極塾533連接到上延伸件μ%。 62 201131836 上延伸件533a可以連接到透明電極層529，並可平行 於第一下延伸件535a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖23所示。 在本示例性實施例中，發光結構劃分為兩個發光區域 LEI、LE2，但不限於此。發光結構可以劃分為多於兩個的 發光區域。此外，雖然在本示例性實施例中在臺面蚀刻之 後形成透明電極層529,但是可以在形成透明電極層529 之後執行臺面蝕刻。另外，雖然在本示例性實施例中在臺 面餘刻之後形成溝槽τπ ’但是可以在形成溝槽T1之後執 行臺面蚀刻。 圖26是根據本發明第十九示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 在上面的圖23的示例性實施例中，第一電極墊535和 第二電極塾533沿發光二極體的練方向設置，並且鑛齒 狀部分3Gb沿發光二極體的錄方向形成。“，在本示 例性實施例中，第-電極墊535和第二電極塾533沿發光 -極體的域方向設置’並絲齒狀部分5_沿發光二極 體的短軸方向形成。此外，透明電極層汹、上延伸件现 和下延伸件555a也對稱地設置。 μ广裏，上延伸件5仏沿著發光二極體的邊緣延伸以圍 %發光二極體，並且包括從發光二極體的邊緣向内延伸的 伸件555a從發光二極體的内部向蟲晶 :。此外，下延伸件555a可以分又，以分別圍繞相關的發 光區域中的延伸件553b。 63 201131836 上延伸件553a通過絕緣層531的開口 531a連接到發 光區域LE1、LE2上的透明電極層529，並通過連接件55北 連接到第二電極墊553。連接件553b通過絕緣層531與透 明電極層529絕緣。 與參照圖23所描述的一樣，電極墊區域Ep通過溝槽 T1與發光結構隔離。 在本示例性實施例中，發光二極體省略了從第一電極 塾555肖第二電極墊553延伸的第一下延伸件535a(見圖 23)。 圖27疋根據本發明第二十示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 ―、參照圖27,本示例性實施例的發光二極體與參照圖％ 拖述的發光二極體大體相似。然而，在本示例性實施例的 發光=極體中’下延伸件565a和上延伸件563a以不同於 上面示例性實施例的方式佈置。 具，地4，下延伸件565a沿著發光二極體的邊緣延 伸丄並彎曲成向内延伸，上延伸件563a在透明電極層29 的每個劃分區域上包括圍繞向内延伸的每個下延伸件 565a的兩個延伸件。 ，上延伸件563a通過絕緣層531的開口 531&連接到發 光區域LE1、LE2上的透明電極層529,並通過連接件563b 連接到第二電極墊，連接件遍通過絕緣層2與發 光結構絕緣。 圖28是根據本發明第二十一示例性實施例的發光二 64 201131836 極體的平面圖，圖29a、。 Α-Αίά .n 圖2兕和圖29c分別是沿著圖28 、來_ : _、，姊C~C線截取的橫剖視圖。 祕t 圖祝、圖2%和圖脱，本示例性實施例 =Γ盤與參照圖23和圖24a至圖-描述丄」 ==::第在一本：生實施例的發光二_， 實施例的_同=晰起見，將省略與上面的示例性

美；^1本卜丁^生實知例中’發光結構和電極塾區* Ep位於 基板21上，電極墊區域E 雷極執二 包括第一導電類型半導體層23。 域即中的第结構隔離。具體地講，電極塾區 電類型半導體層23分開。發光結構的第一導 構電絕緣。電極墊區域EI> : $域EP與發光結 中的第一導電類型半導體層了電極塾區域卯 離。絕緣層531可以覆蓋 二9 1與發光結構隔 半導體層23,還^區域砂的第一導電類型 片 通j以覆盍電極墊區域EP。

第二電極墊633位於電極墊區域E 導咖糊層23上，、 電極塾633和第一導電類型半導體層^之 =體層23之間時，第二電極塾可以與電極 圖3〇a、圖30b、圖3〇c、圖則和圖嫌是示出了製 65 201131836 :康第二十一示例性實施例的發光二極體的方法的平面 # 成半導體層23、25和27、透明電極層529及絕緣 二的方法在本領域是公知的，因*在此將省略對它們 ^細描述。可以使用可以形成半導體層23、25和27、 電極層529及絕緣層531的現在知道的或尚未知道的 任何過程來製造發光二極體。 刑主it，參照圖他，在基板21上形成包括第一導電類 體層23、活性層25和第二導電類型半導體層27的 道、體層。然後，對半導體層進行臺面蝕刻，以暴露第一 電類型半導體層23。半導體層可以具有傾斜表面，例 如’相對於基板平面成30度至7〇度。這裏，如圖28所示， 在第一導電㈣半導Μ 23上暴露將要形财第一電極 墊535的區域30a、將要形成有第一下延伸件兄％的區域 3〇b和將要形成有第二下延伸件53北的區域3加。將要形 成有第一下延伸件535a的區域3%變成向内延伸的鋸齒狀 部分30b。鋸齒狀部分3〇b從將要形成有第一電極墊的區 域30a向内延伸。這裏，通過臺面蝕刻暴露電極墊區域Ep 的第一導電類型半導體層23 ^因此，通過臺面蝕刻將第二 導電類型半導體層27和活性層25劃分為限定兩個發光區 域 LEI、LE2。 參照圖30b，通過蝕刻第一導電類型半導體層23在電 極塾區域EP周圍形成溝槽T1。電極墊區域EP以島狀通 過溝槽T1與包括發光區域LE卜LE2的發光結構的第— 導電類型半導體層23隔離。 66 201131836 ^多’、、、圖3〇c，在發光區域LEI、LE2的第二導電類型半 導體層27上形成透明電極層529。透明電極層529可以具 有相對於/ΰ著錄齒狀部分通延伸的假想線對稱的結構。 透月電極層529可以由IT〇或Ni/Au形成，並且與第二 電類型半導體層27形成歐姆接觸。 ' 多 <、、、圖30d，在發光結構上形成絕緣層531。絕緣層 531覆蓋發光結構的透明電極層529和電極墊區域Ep上二 第:導電類型半導體層23。絕緣層別還可以覆蓋第二導 電類型半導體層27和活性層25騎過臺面侧被暴露的 側表面。此外，通過微影術和腐蝕對絕緣層531進行圖案 化過私以在發光區域LE1、LE2上形成暴露透明電極層 5<29的開口 531a。暴露透明電極層529的開口 531a可以對 稱地形成為相互平行H還暴露第—導賴型半導體 每=3的將刀別幵>成有第一電極塾535、第一下延伸件 和第二下延伸件535b的區域30a、30b和30c。 參知、圖30e，在發光結構的第一導電類型半導體層23 7露區域上形成第-電極墊535、第一下延伸件5祝和 第二下延伸件535b。此外，在電極塾區域Ep上形成第二 電轉633，在開口 5化上形成上延伸件仙。此外，連 接件533b形成為冑第二電極整633連接到上延 * 々上延伸件533a可以連接到透明電極層529,並可平行 於第-下延伸件535a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖28所示。 與圖24和圖25示出的示例性實施例的發光二極體相 67 201131836 比，本不例性實施例的與發光結構隔離的電極墊區域EP 形成在第—導電類型半導體層23中。因此，第二電極塾 位於第導電類型半導體層23上或者位於第一導電類 歪半導體層23的絕緣層531上。利用第一 I電類型半導體 層23形成電極墊區域Ερ的特徵也可以應用於參照圖％ 和圖27描述的發光二極體。 ㈣是根據本發明第二十二示例性實施例的發光二 ΐΓΓ面圖，圖32a、圖32b和圖似分別是沿著圖31 .-A線、B-B線和C_C線截取的橫剖視圖。 祕請31、圖32a、圖32b和圖32c，本示例性實施例 的毛光—極體途·昭同n 極目&。h、、、 圖24a至圖24c描述的發光二 _ ，在本示例性實施例的發光二極體中，第 二電極墊733位於其虹τ弟 、基板21上的電極墊區域ΕΡ上。將省略 上、在上面的不例性實施例中描述的組件相同的組件的描 寶石是介電基板，例如，藍 觸，並且可卿光結構隔離。墊2 = 電類型半導體層23分開。第二電極墊 、過孔23a與基板21接 電類型半導體層23而形成的。 疋通過侧第一導 在本示例性實施例中， 板2Ϊ接觸。可選擇地上電極塾733被描述為與基 733和基板21之間。換」θ 1可以設置在第二電極塾 換&之’絕緣層531可以覆蓋孔23a 68 1. 1.201131836 的側壁和底部。在這健況下，由於第二電極整733通過 絕緣層531與基板絕緣，所以基板21可以是導#的。 圖33a、圖33b、圖33c、圖33d和圖33e是示出了製 造根據第二十二示例性實施例的發光二極體的=的平面 圖。形成半導體層23、25和27、透明電極層529及絕緣 層531的方法在本領域是公知的，因而在此將省略對它們 的詳細描述。可以使用可以形成半導體層23、25和27 透明電極層529及絕緣層的現在知^的或尚未二道的 任何過程來製造發光二極體。 首先，參照圖33a，在基板21上形成包括第一導電類 型半導體層23、活性層25和第二導電類型半導體層27的 半導體層。然後，對半導體層進行臺面糊，以暴曰露第— 導電類型半導體層23。半導體層可以具有傾斜表面，例 如，相對於基板平面成30度至70度。這裏，如圖31所示， 在第-導電_半導縣23上暴祕要軸#第一電極 塾535的區域30a、將要形成有第一下延伸件5祝的區域 3〇b和將要形成有第二下延伸件53沁的區域3此。將要形 成有第T延伸件535a的區域3〇b變成向内延伸的鋸齒狀 部分30b。鑛齒狀部分3〇b從將要形成有第一電極塾的區

域3〇a向内延伸。這裏，通過臺面蝕刻暴露電極墊區域EP ，將要形成有第二電極墊的上部和電極藝區域Ep周圍的 第-導電類型半導體層23。因此，通過臺祕刻將第二導 電類型半導體層27和活性層25劃分為限定兩個發光 LE 卜 LE2。 69 201131836 型半说’通過钮刻電極墊區域EP中的第一導電類 带形成孔23a，以暴露基板2卜可以將孔咖 電極塾區域砂的面積大的面積，以包圍電 型半，導’可以在發光區域Lm、LE2的第二導電類 u且：f層 形成透明電極層529。透明電極層529可 齒狀部分嫌延伸的假想線對稱的結 二導雷2 ί 由1T〇或腿U形成，並且與第 史i半導體層27形成歐姆接觸。 川2圖33d ’在發光結構上形成絕緣層531。絕緣層 焚结^盖發光結構的透明電極層529。絕緣層531還可以覆 ，*显二導電類型半導體層27和活性層25的通過臺面侧 被暴路的側表面’並且可以覆蓋孔23a的側壁。此外，通 過微影術和腐_絕緣層531進行圖案化過程，以在發光 區域LEI、LE2上形成暴露透明電極層529的開口 531&。 暴露透明電歸529_ σ 531a可以對稱地形成為相互平 灯。此外’縣露第-導電_半導體層Μ的將分別形成 有第一電極塾535、第-下延伸件池和第二下延伸件 通的區域30a、3〇b和3〇c。此外，基板21可以暴露在 電極墊區域EP中。可選擇地’絕緣層531可以覆蓋孔23a 的底部，從而可以利用絕緣層531覆蓋電極塾區域EP。 參照圖33e，在發絲構的第—導電類型半導體層23 ，暴露區域上形成第-電極塾535、第一下延伸件535&和 第-下延伸件535b。此外，在電極塾區域Ep上形成第二 201131836 電極塾733,在開口 531a中形成上延伸件仙。此外，連 接件533b形成為將第二電極墊733連接到上延伸件5仏。 上延伸件533a可以連接到透明電極層529，並可平行 於第-下延伸件535a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖31所示。 在本示例性實施例中，發光結構劃分為兩個發光區域 LE卜LE2 ’但不限於Λ。發光結構可以劃分為多於兩個的 發光區域。此外，雖然在本示例性實施例中在臺面㈣之 後形成透明電極層529,但是可以在形成透明電極層529 之後執行臺©侧。另外，雖然在本示例性實施例中在臺 面侧之後形成孔23a ’但是可以在形成孔η之後執行 臺面触刻。 一與參照® 24和® 25描述的發光二極體相比’本示例 性貫施例的與發光結構隔離的電極墊區域Ep形成在第一 導電類型半導體層23的孔23a中。因此’第二電極墊733 位於基板21上或者位於基板21上的絕緣層531上。在第 一導電類型半導體層23的孔23a中形成電極塾區域Ep的 特徵也可以應用於參照圖26和圖27描述的發光二極體。 圖34是根據本發明第二十三示例性實施例的發光二 極體的平面圖，圖35a、圖35b和圖35c分別是沿著圖34 中的A-A線、B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 參照圖34、圖35a、圖35b和圖35c，發光二極體包括 基板21、包括發光區域LE1和LE2的發光結構、第一電 極墊835、第二電極墊833及上延伸件833a。此外，發光 71 201131836 二極體可以包括透明電極層829、絕緣層831、連接件 833b、第一下延伸件835a和第二下延伸件"π。此外， 發光結構包括第一導電類型半導體層23、活性層25和第 二導電類型半導體層27。將省略對與上面的示例性實施例 中描述的組件相同的組件的描述。 發光結構的第二導電類型半導體層27和活性層25可 以劃分成限定至少兩個發光區域Lm、LE2。發光區域 LEj LE2可以具有對稱結構，並且可以通過臺面蝕刻執 4亍肩sj刀過知。具體地講，通過臺面钱刻將第一導電類型 半導體層23暴露在穿過發光結構的中心的區域中，以將第 二導電類型半導體層27和活性層25劃分為兩個發光區 域。此外，經受臺面蝕刻的發光結構的側表面可以相對於 基板21的平面傾斜30度至70度。 去除穿過發光結構的中心的區域，即，第一導電類型 半導體層23的位於發光區域之間的至少一部分，以暴露第 一導電類型半導體層23的側表面。 此外，透明電極層829可以位於發光結構的第二導電 頮型半導體層27上。透明電極層829可以由ιτο或Ni/Au 形成，並且與第二導電類型半導體層27形成歐姆接觸。 絕緣層831可以覆蓋發光結構的第二導電類型半導體 層27(或透明電極層829)。絕緣層831還可以覆蓋第二導 電類型半導體層27和活性層25的通過臺面侧被暴露的 侧表面。此外，絕緣層831可以具有暴露發光區域1^1、 LE2上的透明電極層829的開口 831a。通過開口 831&暴 72 201131836 831月 形成。 可以由光可以透射穿過的任何透明材料(例如， 。絕緣層 a，Si〇2)

鍵合的鍵合塾’並且可以具有用於引線鍵合的相對寬的區 域。 露透明電極層829(或第二導電類型半導體層27) 上。 圖} 第一電極墊835可以與基板接觸，並可以連接到發光 結構的第一導電類型半導體層23的側表面。此外，第二下 延伸件835a可以從第一電極墊835向第二電極墊833延 伸。第一下延伸件835a位於基板21上，並連接到第一導 電類型半導體層23的側表面。如圖34所示，第一下延伸 件835a可以位於發光區域LE1和LE2之間，並且具有接 近第二電極墊833的末端。第一下延伸件835a還可以與基 板接觸。此外，第二下延伸件835b可以沿著基板21的邊 緣從第一電極墊835延伸。第二下延伸件835b還可以與基 板接觸，並且可以連接到發光結構的第一導電類型半導體 層23的側表面。 由於第一電極墊835、第一下延伸件835a和第二下延 伸件835b連接到第一導電類型半導體層23的側表面，所 以載流子可以在第一導電類型半導體層23的與活性層25 运離的區域中擴散，從而允許第一導電類型半導體層23 中有效的電流擴散。此外，由於第一電極墊835、第一下 73 201131836 延伸件835a和第二下延伸件咖連接到第一導電類型半 導體層23的侧表面，所以第一電極墊835的上表面、第一 下延伸件835a的上表面和第二下延伸件咖的上表面可 以位於產生光的4性層25的下方。結果，從活性層Μ橫 向發射的光可以排出，而不是被第—電極墊835、第一下 延伸件835a和第二下延伸件835b吸收。 弟一電極塾833位於基板21上，並與發光結構的第二 導電類型半導體層27隔離。第二電極墊MB可以遠離第二 導電類型半導體層27的側表面。例如，第二電極塾议 可以形成在通過第一導電類型半導體層23中的孔23a暴露 =基^上。換言之’第二電極塾833可以與發光結構的 第-導電類型半導體層23橫向分開。第二電極墊833可以 2通過孔23a暴露的基板21接觸。此外，絕緣層831可以 设置在第二電極藝833和基板21之間。可選擇地，第二電 極塾可以利用設置在第二電極墊833和第—導電類型半導 體層23之間的絕緣層831而形成在第一導電類型半導體層 23上方。 上延伸件833a位於發光區域LE1、LE2上。上延伸件 ,可以通過絕緣層831的開口伽電連接到透明電極 層829(或第二導電類型半導體層27)。第二導電類 體層27可以通過開口 831a暴露，上延伸件833&可以直 連接到第二導電類型半導體層2?。上延伸件抓被設置 成允許第二導電類型半導體層27中均勻的電流擴散。例 如，上延伸件833a可以相互平行地延伸。上延伸件833a 74 201131836 可以分別通過連接件833b連接到第二電極塾833。連接 833b通過絕緣層831與透明電極層829(或第二導電類 導體層27)絕緣。連接件咖通過絕緣層83ι 的側表面絕緣。 知九，〜構 電極整833和835、上延伸件833a、連接件⑽、第 伸件835a和第二下延伸件835b可以通過相同的過 程由相同的材料(例如，Cr/Au)形成，但不限於此。可選 =，上延伸件833a和第二電極塾833彳以通過不同的過程 由不同的材料形成。 在本不例性實施例中，發光二極體具有相對於穿過第 :電極整835和第二電極墊833的線(例如，圖％中的Μ =)對稱的結構。透明電極層829的劃分區域和上延伸件 %可以雜地設置，第二下延伸件咖也可以對稱地 設^因此’發光二極體可以在穿過第—電極墊835和第 :極塾833的線的兩側處表現出相同的發光特性。結 :發光—極體的發光結構劃分為兩個發光區域，從而發 體可以防止在諸如針孔或穿透位錯的缺陷周圍發^ 電流擁擠，從而實現了均勻的電流擴散。 、qH6a、圖36b、圖36e、圖遍和圖36e是示出了製 =艮據三示概實施例的料二極體的方法的平面 声導體層23、、25和27、透明電極層829及絕緣 、法在本領域是公知的，因而在此將省略對它們 ^細描述。可以使用可以形成半導體層23、25和27、 月電極層829及絕緣層831的現在知道的或尚未知道的 75 201131836 任何過程來製造發光二極體。 别主、圖恤’在基板21上形成包括第一導電類 ^: 性層25和第二導電類型半導體層27的 、曾v -曰，然後對半導體層進行臺面餘刻，以暴露第一 導電類型半導體層23。半導體層可以具有傾斜表面，例 如，相對於基板平面成30度至％度。這裏，如圖34所示， 在第-導電類型半導體層23上暴露將要形成有第一電極 墊奶的區域30a、將要形成有第_下延伸件觀的區域 3〇b和將要形成有第二下延伸件_的區域術。這裏， 通過臺面钮刻暴露電極塾區域Ep的將要形成有第二電極 塾的上。P和電極墊區域Ep周圍的第一導電類型半導體層 23。因此’通過臺面蝕刻將第二導電類型半導體層27和活 性層25劃分為限定兩個發光區域㈤、LE2，發光區域 LE1和LE2之間的區域將形成有第一下延伸件8祝。 參照圖36b，通過蝕刻第一導電類型半導體層23暴露 基板21。結果，基板21暴露在將形成有第一電極墊835 的區域30a、將形成有第一下延伸件835a的區域3〇b和將 形成有第二下延伸件835b的區域3〇c上。此外，可以通過 钱刻電極塾區域EP的第一導電類型半導體層23形成孔 23a，以暴露基板21。可以將孔23a形成得比電極墊區域 EP大，以包圍電極墊區域Ep。孔23a可以與將形成有第 下延伸件835a的區域3〇b連通。在這種狀態下，形成了 包括發光區域LE卜LE2的發光結構。 參照圖36c，可以在發光區域LE卜LE2的第二導電類 76 201131836 型半導體層27上形成透明電極 :具==一電極塾和第』== 831 ▲箸’在發光結構上形成絕緣層831。絕緣層 覆蓋1光結構的透明電極層829 蓋第二導電類型半導# ?7/、羊絕、、泉層831還可以覆 被暴露的側表面過臺面_ 且』以復盍孔23a的側壁。此外，通 和腐㈣絕緣層831進行圖案化過程，以在發光 1、LE2上形成暴露透明電極層829的開口 831a。 電極層829的開口 831a可以對稱地形成為相互平 Ϊ第第一導電類型半導體層23的將分別形成 835b 5、第一下延伸件随和第二下延伸件 雷H 、3%和*。此外，基板21可以暴露在 區域EP中。可選擇地，絕緣層831可以覆蓋孔仏 勺底邛，從而可以利用絕緣層831覆蓋電極墊區域Ep。 、、圖36e在基板21的暴露區域上形成第一電極塾 、第一下延伸件835a和第二下延伸件83允。此外，在 電極塾區域EP的基板21上形成第二電極塾挪，在開口 =中形成上延伸件仙。此外，連接件形成為將 第一電極墊833連接到上延伸件833a。 第一電極墊835、第一下延伸件83化和第二下延伸件 835b可以連接到發光結構的第一導電類型半導體層趵的 側表面，第一電極墊835的上表面、第一下延伸件幻兄 77 201131836 的上表面和第二下延伸件835b的上表面可以低於活性層 25的高度。此外’第-電極塾835、第一下延伸件咖 和第二下延伸件835b可以延伸到第—導電類型半導體層 23的通過臺面蝕刻被暴露的上表面。 上延伸件833a可以連接到透明電極層829，並可平行 於第-下延伸件835a而形成。結果，製造出發光二極體， 如圖34所示。 在本示例性實施例中，發光結構劃分為兩個發光區域 LEI、LE2 ’但*限於此。發光結構可以劃分為多於兩個的 發光區域。此外，雖絲本神嫩實補巾在臺祕刻之 後形成透明電極層829,但是可以在形成透明電極層829 之後執行臺面蝕刻。另外，雖然在本示例性實施例中在臺 面蝕刻之後形成孔23a，但是可以在形成孔23a之後執 臺面韻刻。 圖37是根據本發明第二十四示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 在上面的圖34的示例性實施例中，第一電極墊835和 第二電極墊833沿發光二極體的長軸方向設置，並且沿發 光一極體的長軸方向劃分發光區域LEI、LE2。然而，在 本示例性實施例中，第一電極墊855和第二電極墊853沿 發光二極體的短軸方向設置，並且沿發光二極體的短軸方 向劃分發光區域LEI、LE2。此外，也以相對于與發光二 極體的短軸方向相交的線對稱的結構設置透明電極層 829、上延伸件853a和下延伸件855a。 78 201131836 這裏，上延伸件853a沿著發光二極體的邊緣延伸以圍 繞發光二極體，並且包括從發光二極體的邊緣向内延伸的 延伸件853c。下延伸件855a從發光二極體的内部向磊晶 伸。此外，下延伸件855a可以分叉，以分別圍繞相關的發 光區域中的延伸件853c。每個下延伸件855a連接到發光 結構的第一導電類型半導體層23的側表面。 上延伸件853a通過絕緣層831的開口 831a連接到發 光區域LE1、LE2上的透明電極層829’並通過連接件853b 連接到第二電極墊853。連接件853b通過絕緣層831與發 光結構絕緣。 與參照圖34所描述的一樣，第二電極墊853位於基板 21上，並與發光結構的第二導電類型半導體層27隔離。 在本示例性實施例中，發光二極體省略了從第一電極 墊855向第二電極墊853延伸的第一下延伸件835a(見圖 34)。 圖38是根據本發明第二十五示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 參知圖38 ’本示例性實施例的發光二極體與參照圖37 描述的發光二極體大體相似。然而，在本示例性實施例的 發光二極體中，下延伸件865&和上每個延伸件863a以不 同於上面示例性實施例的方式佈置。 具體地講，下延伸件865a沿著發光二極體的邊緣延 伸，並彎曲成向内延伸，上延伸件863a在透明電極層829 的每個劃分區域上包括圍繞向内延伸的下延伸件865a的 79 201131836 兩個延伸件。 上延伸件863a通過絕緣層831的開口 831& 光區域LE1、LE2上的透明電極層829,並通過連接件 連接到第二電健853。連接件863b通過絕緣層83ι與發 光結構絕緣。 在傳統的發光二極體中，第二電極墊可以位於 電類型半導體層上，並且電連接到第二導電類型 層。結果’電流集中在第二電極塾周圍，從而抑制了電流 擴散。相反，根據本發明的示例性實施例，由於第 = 墊與發光結構隔離或與發光結構的第二導電類 ^明導電層分開，所以能夠防止在第二電極墊周 此外，根據示例性實施例的發光二極體包括多 :第-電極塾，以魏在第一電極墊周圍的電流擴散。此 卜’根據7FW±實施儀發光二鋪具有相賴分 個發光區域，從而實現了在發光區域上的均句的電 散。此外，第-電極塾連接到發光結構的側表面 =

=第一導電類型半導體層中有效的電流擴散。此外I 以第-連接到第一導電類型半導體層的侧表面，所 第，極墊的上表面可以位於活性層的下方。因此 =防士從活性層產生的光穿過發光結構的側表面出射時 被吸收到第-電極財’發光二極财以減少光學損失。 ，然已經結合關參照賴性實施例示出了本發明， 技術人員應該清楚’在不脫離本發明的精神和 粗圍的情況下，可以在本發财《各種修改和變型因 201131836. ，，應該理解，示纖實施寵是通過舉舰明的 提供的，並且給出這麵舰實施例以提 二 公開，並對^域制人員提供對本發㈣徹底理 此’本發明思圖覆蓋本發明的修改和變型，只要這些 和變型落人申請專利範圍及其等同物的範圍内。— 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是根據本發明第一示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 圖2a是沿著圖1中的Α_Α線截取的橫剖視圖。 圖2b是沿著圖丨中的β-Β線截取的橫剖視圖。 圖3是根據本發明第二示例性實施例的發光二極體的 橫剖視圖。 圖4是根據本發明第三示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 圖5是根據本發明第四示例性實施例的發光二極體的 局部橫剖視圖。 圖6是根據本發明第五示例性實施例的發光二極體的 局部橫剖視圖。 圖7是根據本發明第六示例性實施例的發光二極體 的平面圖。 81 201131836 圖8是根據本發明第七示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 圖9是根據本發明第八示例性實施例的發光二極體的 平面圖。 圖10是根據本發明第九示例性實施例的發光二極體 的平面圖。 圖11是根據本發明第十示例性實施例的發光二極體 的平面圖。 圖12是根據本發明第十一示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖13是根據本發明第十二示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖14是根據本發明第十三示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖15a、圖15b和圖15c分別是沿著圖14中的A-A線、 B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 圖16是根據本發明第十四示例性實施例的發光二極 體的橫剖視圖。 圖17a、圖17b、圖17c和圖17d是示出了製造根據本 發明第十三示例性實施例的發光二極體的方法的平面圖。 圖18是根據本發明第十五示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖19是根據本發明第十六示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 82 201131836. 圖20是根據本發明第十七示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖21a、圖21b和圖21c分別是沿著圖20中的A-A線、 B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 圖22a、圖22b、圖22c和圖22d是示出了製造根據本 發明第十七示例性實施例的發光二極體的方法的平面圖。 圖23是根據本發明第十八示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖24a、圖24b和圖24c分別是沿著圖23中的A-A線、 B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 圖25a、圖25b、圖25c、圖25d和圖25e是示出了製 造根據本發明第十八示例性實施例的發光二極體的方法的 平面圖。 圖26是根據本發明第十九示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖27是根據本發明第二十示例性實施例的發光二極 體的平面圖。 圖28是根據本發明第二十一示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 圖29a、圖2%和圖29c分別是沿著圖28中的A-A線、 B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 圖30a、圖30b、圖30c、圖30d和圖30e是示出了製 造根據本發明第二十一示例性實施例的發光二極體的方法 的平面圖。 83 201131836 圖31是根據本發明筮_ 一 極體的平面目。 第—十二示娜實補的發光二 圖 32a、圖 32b 和圖 a um a . Ώ ^ 々分別是沿著圖31中的Α-Λ線、 Β-Β線和C-C線截取的橫剖视圖。 圖 33a、圖 33b、圖 33ρ εϊ』 、MP MU a0 ¥ _ i - 圖33d和圖33e是示出了製 以〈X 一十一不例性實施例的發光二極體的方法 的平面圖。 圖34疋根據本發明第二十三示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 圖35a、圖35b和圖35c分別是沿著圖34中的A-A線、 B-B線和C-C線截取的橫剖視圖。 圖36a、圖36b、圖36c、圖36d和圖36e是示出了製 造根據本發明第二十三示例性實施例的發光二極體的方法 的平面圖。 圖37是根據本發明第二十四示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 圖38是根據本發明第二十五示例性實施例的發光二 極體的平面圖。 【主要元件符號說明】 21 ·基板 23 :第一導電類型半導體層 25 :活性層 27 :第二導電類型半導體層 29 .透明電極層 84 201131836 31 :絕緣層 33、43、53、63、153、163 :第二電極墊 33a、53a、153a、163a :上延伸件 33b、53b、153b、163b :連接件 35、55、155、165 :第一電極墊 35a、55a :第一下延伸件 35b、55b :第二下延伸件 155b、155c、165a、165b :下延伸件 LEI、LE2、LE3、LE4 :發光區域 85

Claims (1)

1. 201131836 七、申請專利範圍： l一種發光二極體，所述發光二極體包括： 基板； 第一導電類型半導體層，佈置在基板上. 層上第二導電類型半導體層，佈置在第一導電類型半導體 =性層’設置在第—導電類型半導 型半導體層之間； 乐一導電類 塾’電性連接到第-導電類型半導體展. 第一電極墊，佈置在第二導電類型半 ，， 之間絕緣層，設置在第二導電類型半導體層^二電極塾 少-接電性連接到第二電極塾’所述至 2.如申=二導魏料導趙層。 述發光二極體4包括所述f發先二極雜，其中所 電極塾的上連接件，所個上延伸件連接到第二 體層和上連接件^。也邑緣層設置在第二導電類型半導 述絕2項所述的發光二極體’其中所 型半導體層上的至少-個開口，所述至少一 體層。 過所述開口而電性連接到第二導電類型半導 86 201131836. 光二極體還包括與第二 透明電極層，其中，所電類型半導體層形成歐姆接觸的 第二電極墊佈置在第_^明電極層劃分為至少兩個區域， T °月寻利範圍第4话 二電極塾的-部分鱼透項斤述的务光二極體，其中第 第二極 述上連接‘別述的發光二極體，其中所 分開的區域。斤述透明電極層的至少兩個劃 *=申，專利範圍第1項所述的發光二極體，盆中第 一電極墊佈置成面對第二f極墊。 -中第 述發光二圍第7項所述的發光二極體’其中所 仏光一極體扯括從第—電極墊向第二電轉延伸的第 口：件’所述第一下延伸件電性連接到第-導電類型 9.如中請專利範圍第8項所述的發光二極體，其 ^-下延伸件的末端距離第二電極墊比距離第一電極塾 、10.如申請專利範圍第9項所述的發光二極體，其 述發光二極體還包括沿著基板的邊緣而從第 的第二下延伸件。 K伸 11·如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中 述發光二極體還包括佈置在第二導電類型半導體層上的透 87 201131836 =電極層，所述透明電極層與第二導電類型半導體層形成 歐姆接觸， 其中透明電極層劃分為至少兩個區域，第二電極塾佈 置在第二導電類型半導體層的位於所述透明電極層的所述 至少兩個區域之間的暴露區域上。 12.如申請專利範圍第^項所述的發光二極體，其中 更包括至少兩個上連捿件，其分別電性連接到所述透明電 極層的所述至少兩個區域的每一個。 、13,如申請專利範圍第12項所述的發光二極體，其中 所，至少兩個上連接件之一將至少一個上延伸件電性連接 到第二電極墊，絕緣層設置在所述至少兩個上連 -個與所述透明電極層之間。 的母 14.如申請專利範圍第13項所述的發光二極體，其中 第-電極墊佈置在第_導電類型半導體層上，所述透明電 極層和所述至少—個上延伸件佈置成相對於將第—電極塾 和第二電極墊平分的假想線為對稱的結構。 15’如申睛專利範圍第14項所述的發光二極體，其中 所述發光二極體還包括從第一電極墊向第二電極墊延伸的 第一下延伸件，所述第一下延件電性連接到 型半導體層。 电頰 16·如申睛專利範圍第15項所述的發光二極體’其中 第-下延伸件和所述至少―個上延伸件佈置成相互平行。 17.如申晴專利範圍第15項所述的發光二極體，其中 所述絕緣層佈置在所述透明電極層上，所述絕緣層包括暴 88 201131836 露所述透明電極層的開口，所述至少一個上延伸件穿過所 述開口而電性連接到所述透明電極層。 89