TW201125454A - Method for producing circuit board and circuit board - Google Patents

Description

201125454 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於電路板之製造方法，而且係有關於電 路板。其特別是有關於具有堆疊之互連結構的電路板之製 造方法’而且亦有關於具有堆疊之互連結構的電路板。 【先前技術】 近年來’已積極地發展出使用有機半導體材料的裝置 。有機半導體材料可藉由印刷方法或藉由塗佈方法而被形 成爲膜’但不需要真空製程或熱製程。此種有機半導體材 料因而達成低成本’而且也讓基板能夠使用塑膠材料。 使用有機半導體材料的裝置（例如，薄膜電晶體）係藉 由形成包括源極電極及汲極電極的接線圖案之方法來予以 製造’然後有機半導體層係藉由例如使用壓印的印刷而被 形成於其上（見，例如，JP-A-2007-67390)。另一種方法也 已被提出，其中，由絕緣材料所製成的位障層係形成於基 板上’此基板已使包括源極電極及汲極電極的接線圖案形 成於其上’然後有機半導體材料溶液被安裝於位障層中的 開α，緊接著藉由乾燥，因而形成源極電極與汲極電極之 間的有機半導體層（見，例如，JP-A-2008-227141)。 附帶一提的是’在具有連同由有機半導體材料所製成 的裝置之接線圖案的電路板中，堆疊之互連結構被使用來 達成高度整合。此種具有堆疊之互連結構的電路板之製造 包括首先形成下層接線圖案及裝置於基板上，然後形成絕 -5- 201125454 緣膜來覆蓋它們，以及形成連接至下層接線圖案，或經過 形成於絕緣膜中的連接孔而連接至此裝置之上層接線圖案 〇 特別是，就上層與下層的接線圖案之間的連接之形式 而言，也已提出一種方法，其中，貫孔（via)係藉由印刷而 被形成於下層接線圖案中，然後形成絕緣膜，以塡充於貫 孔中。接著，自貫孔中移除絕緣膜，然後連接至貫孔的上 層接線圖案係形成於絕緣膜上（見JP-A-2008-3 1 1 63 0(特別 而言，圖13至15及相關的說明））。 【發明內容】 然而，在以上所提及的電路板之製造方法中，上層接 線圖案的形成製程影響已經形成的下層接線圖案，或由有 機半導體材料所製成的裝置。例如，在上層接線圖案係藉 由印刷方法來予以形成的情況中，在烘烤製程中，劣化出 現在形成此裝置等的有機材料層中，而且這會導致裝置特 性的劣化。 因此，想要提出一種可防止電路特性的劣化之具有堆 疊之互連結構的電路板之製造方法，並且藉由此種方法而 提出一種具有良好電路特性的電路板。 依據本發明的實施例，提供有一種電路板之製造方法 ，包括下列步驟。首先，形成下層接線圖案於基板上，且 形成絕緣膜於此基板上，以覆蓋此下層接線圖案。然後， 形成開口於此絕緣膜中，以使此下層接線圖案曝露出。另 -6- 201125454 外’形成上層接線圖案於此絕緣膜上。接著，形成用以連 接此下層接線圖案與此上層接線圖案之互連材料圖案於此 絕緣膜中之此開口的側壁上。 在此種電路板之製造方法中，因爲互連材料圖案係在 形成上層接線圖案之後才被形成，所以上層接線圖案的形 成不影響互連材料圖案。因此，甚至在互連材料圖案係由 有機半導體材料等等所製成的情況中，可保持互連材料圖 案的膜品質。因此，可保持使用互連材料圖案的裝置之特 性。 依據本發明的另一實施例，提供有一種如以上所製造 的電路板。此電路板具有形成於基板上的下層接線圖案、 具有用以使此下層接線圖案的部分曝露出之開口，且覆蓋 此基板（具有形成於其上的此下層接線圖案）之絕緣膜、以 及形成於此絕緣膜上的上層接線圖案。特別是，此互連材 料圖案係設置成自此上層接線圖案的側壁經過此開口的側 壁而至曝露於此開口的底部之此下層接線圖案的頂部表面 〇 依據本發明的以上實施例，在具有堆疊之互連結構的 組態中’防止電路特性的劣化，使其可能提供具有良好特 性的電路板。 【實施方式】 在下文中，本發明的某些實施例將參考下面順序中的 圖式來予以說明。 201125454 1 _第一實施例（具有蕭特基二極體之電路板的製造範例） 2.第二實施例（整合多個裝置之電路板的製造範例） ' 3 ·第二實施例的變型（線圈的形成） <第一實施例> 圖1 A至1 D顯示繪示依據本發明之第一實施例剖面 的方法之流程圖。參考圖式，下面將說明被應用於具有蕭 特基二極體之電路板的製造之本發明的第一實施例。 首先，如圖1A中所顯示，下層接線圖案3係形成於 基板1上。基板1至少在其表面中具有絕緣特性。基板1 可爲由例如 PES(聚醚颯）、PEN(聚萘二甲酸乙二酯）、 PET(聚對苯二甲酸乙二酯）、PC(聚碳酸酯）、等等所製成 的塑膠基板。基板1可替換地爲藉由將不銹鋼（SUS)金屬 箔片等等與樹脂、玻璃基板、等等疊層所形成的基板。爲 了達成可撓性’塑膠基板或金屬箔片基板被使用。 下層接線圖案3係使用形成具有互連材料圖案的歐姆 接面之材料來予以形成，此互連材料圖案係在後續的步驟 中’使用有機半導體材料來予以形成。此互連材料圖案的 接面係藉由下層接線圖案3的表面之功函數來予以控制。 此種下層接線圖案3例如係形成如下：金屬材料膜係 藉由使用有機銀（Ag)油墨的塗佈方法來予以形成，然後抗 倉虫劑圖案係藉由微影法而被形成於其上，並且金屬薄膜係 使用抗蝕劑圖案作爲掩罩而被圖案化蝕刻。下層接線圖案 3也可藉由諸如網版印刷 '凹版印刷、柔性凸版 -8 - 201125454 (flexographic)印刷、平板印刷、或噴墨印刷的印刷方法來 予以形成。 接著，如圖1 B中所顯示，絕緣膜5係形成於基板1 上，以覆蓋下層接線圖案3。在此步驟中，絕緣膜5係藉 由使用例如感光性組合物的塗佈方法來予以形成。開口 5 a 然後係藉由微影法而被形成於絕緣膜5中，以使下層接線 圖案3曝露出。在此步驟中，藉由例如適當地選取抗蝕劑 材料，開口 5 a係形成具有反向逐漸變細的側壁，使得此 開口的寬度朝向此開口的頂部而降低。 在使用適當的絕緣材料來形成絕緣膜5之後，絕緣膜 5中的開口 5 a之形成可藉由形成抗蝕劑圖案於其上，及使 用抗蝕劑圖案作爲掩罩而圖案化蝕刻絕緣膜5來予以實施 。開口 5 a也可藉由將雷射光束施加至使用適當的絕緣材 料所形成的絕緣膜5來予以形成。使用預先形成具有開口 5 a的絕緣膜5之印刷方法也是有可能的。 接著，如圖1 C中所顯示，上層接線圖案7係形成於 絕緣膜5上。上層接線圖案7係使用形成具有互連材料圖 案的蕭特基接面之材料來予以形成，此互連材料圖案係在 下面的步驟中，使用有機半導體材料來予以形成。互連材 料圖案的接面係藉由上層接線圖案7的表面之功函數來予 以控制。 此種上層接線圖案7係藉由使用例如有機保護膜銀 (Ag)奈米膠體（nanocolloid)油墨的印刷方法來予以形成。 在此情況中，使用乾式壓印法係特別較佳的。乾式壓印的 -9 - 201125454 使用使其可僅形成上層接線圖案7於絕緣膜5的頂部表面 上，而不形成上層接線圖案7於開口 5 a的側壁上。特別 是’當_開口 5 a具有如以上所提及之反向逐漸變細的側壁 時，上層接線圖案7可在開口 5 a的邊緣處較輕易地被切 除，且上層接線圖案7較不可能形成於開口 5 a的側壁上 〇 甚至在開口 5 a不具有反向逐漸變細的側壁之情況中 ，藉由控制印刷條件，及諸如開口 5a的長寬比（aspect ratio)之條件’上層接線圖案7可在開口 5a的邊緣處被切 除’而避免上層接線圖案7形成於下層接線圖案3上。除 非上層接線圖案7係直接連接至下層接線圖案3，否則上 層接線圖案7也可被設置於開口 5 a的側壁上。 在藉由此種印刷方法來形成上層接線圖案7之後，燒 結被實施，以自有機保護膜銀（Ag)奈米膠體油墨中去除有 機保護膜。此時’有機保護膜的部分殘留下來，藉以控制 上層接線圖案7的表面之電氣特性。例如，與Ag金屬的 情況相較，在P VP保護膜a g奈米粒子的情況中，在燒結 之後’其功函數增加》另外，Ag材料的功函數可根據保 護膜的種類而被獨立地控制。 除了藉由形成如以上的油墨之有機保護膜的控制之外 ’上層接線圖案7的表面之電氣特性（功函數）也可藉由根 據功函數來選取材料，或藉由施加至上層接線圖案7的表 面處理來予以控制。 接著’如圖1D中所顯示，互連材料圖案9係藉由印 -10- 201125454 刷方法而被形成於絕緣膜5 (具有形成於其上的上層接線圖 案7)中之開口 5a的側壁上。互連材料圖案9連接下層接 線圖案3及上層接線圖案7。在此步驟中，特別是，互連 材料圖案9係使用有機半導體材料來予以形成。較佳而言 ’互連材料圖案9係設置成自曝露於開口 5 a的底部之下 層接線圖案3的頂部表面，經過開口 5 a的側壁，而至上 層接線圖案7的側壁，或進一步至上層接線圖案7的頂部 表面。因此’除非互連材料圖案9影響絕緣膜5上的其他 上·層接線圖案7，否則其可被設置成塡充於開口 5a中。也 有可能的是’比絕緣膜5足夠更薄的互連材料圖案9係沿 著開口 5 a的內壁而被設置，以覆蓋內壁。 互連材料圖案9係藉由例如噴墨印刷法而被印刷及形 成。在此情況中’使用TIPS並五苯（6,1 3-雙（三異丙基甲 石夕院基乙炔基）（6，13-Bis(triisopropylsilylethynyl))並五苯） 作爲有機半導體材料，油墨被製備爲具有聚合材料（例如 ’ PaMS ·聚-α -甲基苯乙稀（Poiy-α -methylstyrene))的混 cj物’且所氣:備的油墨係使用於噴墨印刷中。在印刷之後 ’乾燥被實施’以產生互連材料圖案9。 在互連材料圖案9係藉由除了噴墨印刷之外的印刷方 法來予以形成之情況中，較佳而言，開口 5 a具有順向逐 漸變細的側壁’使得此開口的寬度朝向此開口的頂部增加 。這有助於順向逐漸變細的側壁上之互連材料圖案9的印 刷形成。然而，在噴墨印刷的情況中，當噴墨印刷讓油墨 被供應至開口 5 a的底部角落時，開口 5 a可具有反向逐漸 -11 - 201125454 變細的側壁。 因此’在基板1上，由有機半導體材料所製成的互連 材料圖案9形成具有下層接線圖案3的歐姆接面，及具有 上層接線圖案7的蕭特基接面，藉以形成蕭特基二極體D 。在這些步驟之後，雖然未繪示於圖式中，但是絕緣的保 護膜係形成於基板1的上方。電路板11-1於是被完成。 如此獲得到的電路板1 1 - 1係組構成包括以此順序所 堆疊的下層接線圖案3、絕緣膜5、以及上層接線圖案7， 其中’上層接線·圖案7及下層接線圖案3係藉由設置於絕 緣膜5中的開口 5a之側壁上的互連材料圖案9而被連接 。特別是’互連材料圖案9係在上層接線圖案7的形成之 後而被形成。因此，互連材料圖案9係至少自上層接線圖 案7的側壁’經過開口 5 a的側壁，而至曝露於開口 5 a的 底部之下層接線圖案3的頂部表面而被設置。爲了確保上 層接線圖案7與互連材料圖案9之間的連接，互連材料圖 案9也可被設置於上層接線圖案7的頂部表面上。 此外，在電路板11-1中，互連材料圖案9係由有機 半導體材料所製成，且形成具有上層接線圖案7的蕭特基 接面，以形成蕭特基二極體D。此蕭特基二極體爲利用開 口 5 a的側壁之垂直的二極體。 依據此種第一實施例，互連材料圖案9係在形成上層 接線圖案7之後而被形成。因此，上層接線圖案7的形成 製程不影響互連材料圖案9。因此，在上層接線圖案7的 形成期間，雖然印刷的有機保護膜銀（Ag)奈米膠體油墨被 -12 - 201125454 燒結’但是此熱製程不會致使由有機半導體材料所製成的 互連材料圖案9之劣化。使用互連材料圖案9所形成的蕭 特塞二極體D於是具有良好的二極體特性，且可提供具有 改善的電路特性之包括蕭特基二極體的電路板1 1 -1。 蕭特基二極體D爲利用開口 5a的側壁之垂直的二極 體。因此，降低由二極體D所佔據的面積，且這樣可達成 電路板11-1上的更高度之整合。 此外’在上述的第一實施例中，雖然互連材料圖案9 形成具有上層接線圖案7的蕭特基接面，及具有下層接線 圖案3的歐姆接面，但是在第一實施例中，接面可替換地 被反轉。然而，爲了消除已經形成的下層接線圖案3上之 效應’使用可以較少應力製程來形成此圖案之材料來形成 上層接線圖案7係較佳的。 此外’在上述的第一實施例中，使用有機半導體材料 所形成的互連材料圖案9可替換地爲由導電材料所製成的 互連材料圖案’且在下層接線圖案3與上層接線圖案7之 間的此種互連材料圖案9可被使用作爲連接插頭。在此種 情況中’互連材料圖案9可藉由使用例如銀（Ag)膠的印刷 方法來予以形成。在此情況中，絕緣膜5的開口 5 a之側 壁爲順向逐漸變細是較佳的。當形成上層接線圖案7時， 上層接線圖案7可被連接至下層接線圖案3。由銀（Ag)膠 所製成的互連材料圖案9及上層接線圖案7可在相同的步 驟中被燒結，因此，可簡化製程。 甚至在5連材料圖案9係使用有機半導體材料來予以 -13- 201125454 形成的情況中，當下層接線圖案3及上層接線圖 相同材料所形成時，互連材料圖案9部分可被使 阻器。 .· <第二實施例> 圖2A至2D及圖3A與3B顯示繪示依據本 二實施例剖面的方法之流程圖。參考圖式，下面 應用於積體電路板的製造之本發明的第二實施例 實施例共同的組件係以相同參考標號來予以說明 會做進一步說明。 首先，如圖2A中所顯示，第一下層接線圖 形成於基板1上。另外，第一絕緣膜5-1係形成 且開口 5a係形成於其中。這些步驟係以與參考圓 1B的第一實施例中所述相同之方式來予以實施 層接線圖案3-1爲與第一實施例中的下層接線圖 ，而第一絕緣膜5-1爲與第一實施例中的絕緣膜 然而，第一下層接線圖案3-1的材料不受限。此 絕緣膜5 -1中的開口 5 a具有順向逐漸變細的側 的。 接著，如圖2B中所顯示，第二下層接線圖 形成於第一絕緣膜5 -1上。第二下層接線圖案3 形成具有互連材料圖案的歐姆接面之材料來予以 互連材料圖案係在後續的步驟中，使用有機半導 予以形成。此互連材料圖案的接面係藉由第二下 案7係由 用作爲電 發明的第 將說明如 。與第一 ，且將不 案3-1係 於其上， 1 A及圖 。第一下 案3相同 5相同。 外，第一 壁係較佳 g 3-2 係 •2係使用 形成，此 體材料來 層接線圖 -14- 201125454 案3 - 2的表面之功函數來予以控制。 此種第二下層接線圖案3 -2係藉由使用例如有機銀 (Ag)油墨的印刷方法來予以形成。在此情況中，使用乾式 壓印法係特別較佳的。乾式壓印的使用使其可僅形成第二 下層接線圖案3 - 2於第一絕緣膜5 -1的頂部表面上，而不 形成第二下層接線圖案3 - 2於開口 5 a的側壁上。此時， 藉由控制印刷條件，及諸如開口 5a的長寬比之條件，第 二下層接線圖案3-2可在開口 5a的邊緣處被切除，而避 免第二下層接線圖案3 -2形成於第一下層接線圖案3 - 1上 。除非第二下層接線圖案3 _2係直接連接至第一下層接線 圖案3-1，否則第二下層接線圖案3-2也可被設置於開口 5 a的側壁上。 接著，如圖2C中所顯示，第二絕緣膜5-2係形成於 第一絕緣膜5 - 1上，以覆蓋第二下層接線圖案3 -2，且開 口 5b係形成於第二絕緣膜5-2中。第二絕緣膜5-2及開口 5b係以與參考圖！ B的第一實施例中所述之形成絕緣膜5 及開口 5 a相同的方式來予以形成。 在此步驟中，某些開口 5b係直接設置於第一絕緣膜 5 -1中的開口 5 a之上，以使底部的第一下層接線圖案3 - 1 曝露出，而其他開口 5b係設置成使底部的第二下層接線 圖案3 -2曝露出。在此，如範例，兩個開口 5b係形成爲 使第一下層接線圖案3_；1曝露出，而兩個開口 5b係形成 爲使第二下層接線圖案3 -2曝露出。 用以使第二下層接線圖案3-2曝露出之開口 5b的其 -15- 201125454 中之一開口係形成爲僅使底部的第二下層接線圖案3-露出，而另一開口係形成爲使底部的第二下層接線圖； 2之兩個部分曝露出'，此情況中之第一絕緣膜5- 1中 口 5 a具有順向逐漸變細的側壁。 接著，如圖2D中所顯示，上層接線圖案7係形 第二絕緣膜5-2上。上層接線圖案7係以與參考圖1 第一實施例中所述之上層接線圖案7的形成相同之方 予以形成。 亦即，上層接線圖案7係使用形成具有互連材料 的蕭特基接面之材料來予以形成，此互連材料圖案係 下的步驟中，使用有機半導體材料來予以形成，且印 法被使用於此形成。此印刷方法的較佳範例爲使用有 護膜銀（Ag)奈米膠體油墨的乾式壓印法。乾式壓印的 使其可僅形成上層接線圖案7於第二絕緣膜5-2的頂 面上，而不形成上層接線圖案7於開口 5 b的側壁上 時，藉由控制印刷條件，及諸如開口 5b的長寬比之 ，上層接線圖案7可在開口 5b的邊緣處被切除，而 上層接線圖案7形成於第二下層接線圖案3 -2上。除 層接線圖案7係直接連接至下層接線圖案3 -1及3-2 則上層接線圖案7也可被形成於開口 5a及5b的側壁_ 在藉由此種印刷方法來形成上層接線圖案7之後 結被實施，以自有機保護膜銀（Ag)奈米膠體油墨中去 機保護膜。此時，有機保護膜的部分殘留下來，藉以 上層接線圖案7的表面之電氣特性。因此，在PVP保 2曝 g 3- 的開 成於 C的 式來 圖案 在底 刷方 機保 使用 部表 。此 條件 避免 非上 ，否 t ° ，燒 除有 控制 護膜 -16- 201125454 的情況中，功函數增加。 接著’如圖3 A中所顯示，由導電材料所製成的第一 互連材料圖案9 a係形成於具有上層接線圖案7的絕緣膜 5-1及5-2中之開口 5a及5b的側壁上。第—互連材料圖 案9a被設置爲連接第一下層接線圖案及上層接線圖 案7，且也被設置爲連接第一下層接線圖案及第二下 層接線圖案3 - 2。此種第一互連材料圖案9 a係藉由例如使 用銀（Ag)膠的網版印刷來予以形成。 較佳而言’第一互連材料圖案9a係設置成自曝露於 開口 5 a及5 b的底部之第一下層接線圖案3 _ 1的頂部表面 ，經過開口 5 a的側壁、第二下層接線圖案3 _2的側壁、 開口 5 b的側壁，然後至上層接線圖案7的側壁，或進一 步至上層接線圖案7的頂部表面。因此，除非第一互連材 料圖案9 a影響第二絕緣膜5 - 2上的其他上層接線圖案7， 否則其可被設置成塡充於開口 5a及5b中。也有可能的是 ’比絕緣膜5- 1及5-2足夠更薄的第一互連材料圖案9a係 沿著開口 5 a的內壁而被設置，以覆蓋內壁。 在由導電材料所製成的第一互連材料圖案9 a係如以 上形成之後，燒結被實施。上層接線圖案7可以與第一互 連材·料圖案9a的燒結相同之步驟來予以燒結，因此可簡 化製程。 接著’如圖3 B中所顯示，由有機半導體料所製成的 弟二互連材料圖案9b係形成於具有上層接線圖案7的第 一絕緣膜5-2中之開口 5b的側壁及底部上。第二互連材 -17- 201125454 料圖案9b係以與參考圖ID的第一實施例中所述之互連材 料圖案9的形成相同之方式來予以形成。 亦即，第二互連材料圖_案9b係藉由噴墨印刷來予以 形成，較佳而言’第二互連材料圖案9b係設置成自曝露 於開口 5b的底部之第二下層接線圖案3-2的頂部表面， 經過開口 5 b的側壁’而至上層接線圖案7的側壁，或進 —步至上層接線圖案7的頂部表面。因此，除非第二互連 材料圖案9b影響第二絕緣膜5-2上的其他上層接線圖案7 ’否則其可被設置成塡充於開口+ 5 b中。也有可能的是， 比第二絕緣膜5 - 2足夠更薄的第二互連材料圖案9b係沿 著開口 5b的內壁而被設置，以覆蓋內壁。 因此，在由有機半導體料所製成的互連材料圖案9b 係形成於第二下層接線圖案3 -2與上層接線圖案7之間的 位置中，互連材料圖案9b形成具有上層接線圖案7的蕭 特基接面’藉以形成蕭特基二極體D。同時，在由有機半 導體料所製成的互連材料圖案9b係形成於第二下層接線 圖案3-2的兩個部分之間的位置中，互連材料圖案9b形 成具有第二下層接線圖案3-2的歐姆接面，藉以形成薄膜 電晶體Tr。薄膜電晶體Tr使用第一下層接線圖案3-〗作 爲其閘極電極。 在這些步驟之後，雖然未繪示於圖式中，但是絕緣的 保護膜係形成於基板1之上。電路板1 1 - 2於是被完成。 如此獲得的電路板1 1 - 2係組構成使得上層接線圖案7 係藉由分別設置於絕緣膜5-1及5-2中所形成的開口 5a及 -18- 201125454 5 b之側壁上的互連材料圖案9 &及9 b而被 圖案3-1及3_2。特別是，互連材料圖案 層接線圖案7的形成之後而被形成。因此 9 a及9 b係至少自上層接線圖案7的側壁 5a及5b的側壁，而至下層接線圖案34 設置。爲了確保上層接線圖案7與互連材 之間的連接，互連材料圖案9a及9b也可 線圖案7的頂部表面上。 另外，在電路板1 1 ·- 2中，第二互連构 有機半導體材料所製成，且形成蕭特基二; 晶體Tr。特別是，蕭特基二極體D爲利用 之垂直的二極體。 依據第二實施例，第二互連材料圖案 層接線圖案7之後而被形成。因此，上層 成製程不影響第二互連材料圖案9b。因此 案7的形成期間，雖然印刷的有機保護膜 油墨被燒結，但是此熱製程不會致使由有 製成的第二互連材料圖案 9 b之劣化。使 圖案9b所形成的蕭特基二極體D於是具 特性，且可提供具有改善的電路特性之包 D的電路板1 1 - 2。 蕭特基二極體D爲利用開口 5 b的側 體。因此，降低由二極體D所佔據的面積 電路板11-2上的更高度之整合。 連接至下層接線 9a及9b係在上 ，互連材料圖案 ，分別經過開口 的頂部表面而被 料圖案9a及9b 被設置於上層接 ‘料圖案9b係由 壶體D及薄膜電 丨開口 5 b的側壁 9b係在形成上 接線圖案7的形 ，在上層接線圖 銀（Ag)奈米膠體 機半導體材料所 用第二互連材料 有良好的二極體 括蕭特基二極體 壁之垂直的二極 ，且這樣可達成 -19" 201125454 在上述的第二實施例中’由有機半導體料所製成的第 二互連材料圖案9b係設置於上層接線圖案7與第二下層 接線圖案3 _2之間，以形成蕭特基二極體D。然而，在第 二實施例中，第二互連材料圖案9b可被設置於上層接線 圖案7與第一下層接線圖案3-1之間，以形成蕭特基二極 體D。同樣地，第二互連材料圖案9b也可被形成於第一 下層接線圖案3 -1的部分之間，以形成薄膜電晶體Tr。再 者’在這些情況中，當第二互連材料圖案9b係在上層接 線圖案7的形成之後而被形成時，可達成相同效果。 互連材料圖案9a及9b也可被設置成連接第一下層接 線圖案3-1、第二下層接線圖案3-2、及上層接線圖案7。 再者，在此種情況中，到達由有機半導體料所製成的第二 互連材料圖案9b係在上層接線圖案7的形成之後而被形 成的程度，可達成相同效果。 <第二實施例的變型> 圖4爲顯示作爲第二實施例之應用的範例之具有線圈 的電路板之組態的槪圖。 如同此圖中所所顯示，第二實施例的應用範例之線圈 包括複數個線圈形狀的下層接線圖案3 -1及3 - 2，其以未 繪示的絕緣膜位於之間而被堆疊。在最上方的絕緣膜上， 線圏形狀的上層接線圖案7被堆疊。開口係形成於絕緣膜 的其中之一絕緣膜中，以便在下層接線圖案3 -1及3 · 2和 上層接線圖案7之中，僅使彼此最接近的兩個接線圖案曝 -20- 201125454 露出。由導電材料所製成的互連材料圖案9係以連接此兩 個接線圖案的此種開口來予以形成。此種線圈可被使用作 爲迴路天線。 在互連材料圖案9係由有機半導體料所製成的情況中 ，蕭特基二極體D或電阻器可被形成於此區域中。因此， 形成包括具有蕭特基二極體或電阻器之線圈的組合之電路 也是可能的。在此情況中，需要的是在上層接線圖案7的 形成之後’僅形成由有機半導體料所製成的互連材料圖案 :因此，可達成與第二實施例中的效果相同之效果。 本申請案包含與2009年7月30日，於日本專利局中 所申請之日本優先權專利申請案J P 2 0 0 9 - 1 7 7 5 6 1中所揭露 的標的相關之標的，其全部內容在此被倂入作爲參考。 熟習此項技術者應該瞭解的是，不同的修改、組合、 子組合及變化可根據落入後附申請專利範圍或其等效內的 範圍內之程度的設計需求及其他因素而出現。 【圖式簡單說明】 圖1 A至1 D顯示繪示依據本發明之第一實施例剖面 的方法之流程圖。 圖2A至2D顯示繪示依據本發明之第二實施例剖面 的方法之流程圖（I)。 圖3 A至3 B顯示繪示依據本發明之第二實施例剖面的 方法之流程圖（Π)。 圖4係顯不弟一貫施例的變型之槪圖。 -21 - 201125454 【主要元件符號說明】 1 :基板 3 :下層接線圖案 3 -1 :第一下層接線圖案 3-2 :第二下層接線圖案 5 :絕緣膜 5a :開口 5b :開口 5 -1 :第一絕緣膜 5-2 :第二絕緣膜 7 :上層接線圖案 9 :互連材料圖案 9a:第一互連材料圖案 9b :第二互連材料圖案 1 1 - 1 :電路板 1 1 - 2 :電路板 D :蕭特基二極體

Claims (1)

1. 201125454 七、申請專利範圍： 1. 一種電路板之製造方法，該方法包含下列步驟： 形成下層接線圖案於基板上； 形成絕緣膜於該基板上’以覆蓋該下層接線圖案； 形成開口於該絕緣膜中’以使該下層接線圖案曝露出 形成上層接線圖案於該絕緣膜上；以及 形成互連材料圖案於該絕緣膜中之該開口的側壁上， 用以連接該下層接線圖案與該上層接線圖案。 2. 如申請專利範圍第1項之電路板之製造方法，其中 ，該互連材料圖案係使用有機半導體材料來予以形成。 3 _如申請專利範圍第2項之電路板之製造方法，其中 ’該互連材料圖案形成與該下層接線圖案及該上層接線圖 案的其中之一接線圖案的蕭特基接面，及與該下層接線圖 案及該上層接線圖案之另一接線圖案的歐姆接面，藉以形 成蕭特基二極體。 4.如申請專利範圍第1至3項中的任一項之電路板之 製造方法’其中，該互連材料圖案係藉由噴墨印刷來予以 形成。 5 ·如申請專利範圍第丨項之電路板之製造方法，其中 ’該上層接線圖案係藉由乾式壓印於該絕緣膜上來予以形 成’而該絕緣膜具有形成於其中的開口。 6 _如申請專利範圍第5項之電路板之製造方法，其中 ，該開口具有反向逐漸變窄的側壁，使得該開口的寬度朝 -23- 201125454 向該開口的頂部而降低。 7. 如申請專利範圍第1項之電路板之製造方法，其中 ’該開口係藉由微影術而被形成於該絕緣膜中。 8. —種電路板，包含： 下層接線圖案，係形成於基板上； 絕緣膜’具有用以使該下層接線圖案的部分曝露出之 開口’且覆蓋該基板，而該基板具有形成於其上的該下層 接線圖案； 上層接線圖案，係形成於該絕緣膜上；以及· 互連材料圖案，係設置成自該上層接線圖案的側壁經 過該開口的側壁而至曝露於該開口的底部之該下層接線圖 案的頂部表面。 9. 如申請專利範圍第8項之電路板，其中，該互連材 料圖案係使用有機半導體材料來予以形成。 -24-