JP2008160108A - 電子素子、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。
【選択図】図2
Description
2 連続的な有機絶縁層
3 有機溶媒
4 第1領域
5 第2領域
6 第1電極/(ITO)
7 有機発光層
8 第2電極
9 配線
11 ソース電極
12 チャンネル領域
13 ドレイン電極
14 画素電極
15 ゲート電極
17 パッシベーション層
18 第1キャパシタ電極
19 第2キャパシタ電極
20 正孔輸送層
21 データ線
22 フレキシブル基板
23 活性電気泳動物質層
24 保護接着層
25 プラズマエッチング処理
Claims (33)
- 基板を提供する段階と、
前記基板上に有機絶縁物からなる有機絶縁層を形成する段階と、
前記有機絶縁層上に有機溶媒を加えて前記有機絶縁層をパターニングする段階と、を含む電子素子の製造方法。 - 前記有機絶縁層をパターニングする段階は、
前記有機絶縁層の第1領域に前記有機溶媒を加えて有機絶縁層の厚さを減少させ、前記第1領域と隣接した第2領域には、前記有機溶媒に溶解された前記第1領域の有機絶縁物が蓄積されて、有機絶縁層の厚さを増大させることを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。 - 前記有機絶縁物としてフッ素化有機高分子を使用することを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記有機絶縁物として、ポリヘキサフルオロプロペン、フッ素化ポリパラキシレン、フルオロポリアリールエーテル、フルオロポリアルキルエーテル、フッ素化ポリアミド、フッ素化エチレン/プロピレン共重合体、ポリ−(1,2−ジ−(ジフルオロメチレン)−パーフルオロ−テトラヒドロフラン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択されるいずれか一つを使用することを特徴とする請求項3に記載の電子素子の製造方法。
- 前記有機絶縁物として、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(ブチルメタクリレート)、ポリ(シクロヘキシルメタクリレート)、ポリイソブチレン、及びポリプロピレンからなる群から選択されたいずれか一つを使用することを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記有機溶媒として非極性溶媒を使用することを特徴とする請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記有機溶媒として、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、キシレン、n−ヘキサン、トルエン、シクロヘキサン、アニソール、3,4−ジメチルアニソール、1,2−ジクロロベンゼン、テトラリン、1,2,4−トリメチルベンゼン、1,2,3−トリメチルベンゼン、1,3,5−トリメチルベンゼン、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、パーフルオロヘプタン、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロデカン、パーフルオロウンデカン、パーフルオロドデカン、パーフルオロデカリン、パーフルオロメチルデカリン、パーフルオロ−ジメチルエーテル、パーフルオロ−テトラヒドロフラン、パーフルオロ−メチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−エチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−ジプロピルエーテル、パーフルオロ−ジイソプロピルエーテル、パーフルオロ−エチルプロピルエーテル、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、過フッ素化飽和第3アミン、ヘプタコサフルオロトリブチルアミン、及びメトキシノナフルオロブタンからなる群から選択されたいずれか一つを使用することを特徴とする請求項6に記載の電子素子の製造方法。
- 前記有機絶縁層にプラズマエッチングを行う段階をさらに含む請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記基板上に第1導電層を形成する段階をさらに含む請求項1に記載の電子素子の製造方法。
- 前記第1導電層が備えられた基板上に前記有機絶縁層を形成し、
前記有機絶縁層に前記有機溶媒を加えて、前記第1導電層が露出するように前記有機絶縁層をパターニングすることを特徴とする請求項9に記載の電子素子の製造方法。 - 露出した前記第1導電層上に発光層を形成する段階をさらに含む請求項10に記載の電子素子の製造方法。
- 前記第1導電層が備えられた基板上に前記有機絶縁層を形成し、
前記有機絶縁層に前記有機溶媒を加えて、前記第1導電層が露出しないように前記有機絶縁層をパターニングすることを特徴とする請求項9に記載の電子素子の製造方法。 - 前記パターニングされた有機絶縁層上に第2導電層を形成する段階をさらに含む請求項12に記載の電子素子の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成され、有機絶縁物からなる有機絶縁層とを備え、
前記有機絶縁層は、第1グルーブを有する第1領域と、前記第1グルーブと接するように突出部を備える第2領域とに区分される電子素子。 - 前記第2領域は、複数の前記突出部と、隣接した前記突出部により形成された第2グルーブとをさらに備え、
前記第2グルーブは、前記第1グルーブよりグルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さが厚いことを特徴とする請求項14に記載の電子素子。 - 前記基板上に形成された第1導電層をさらに備える請求項14に記載の電子素子。
- 前記第1グルーブに形成された第2導電層をさらに備える請求項14に記載の電子素子。
- 前記突出部に埋め込まれた第2導電層をさらに備える請求項14に記載の電子素子。
- 前記第2グルーブに形成される第2導電層をさらに備える請求項15に記載の電子素子。
- 前記第1導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項16に記載の電子素子。
- 前記第2導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項17に記載の電子素子。
- 前記第2導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項18に記載の電子素子。
- 前記第2導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項19に記載の電子素子。
- 基板を提供する段階と、
前記基板上にソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極を形成する段階と、
前記ソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極を覆うように有機絶縁物を含む有機絶縁層を形成する段階と、
前記画素電極の上部に相当する前記有機絶縁層の第1領域に有機溶媒を加えて、前記第1領域の有機絶縁物を除去する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第1領域に有機溶媒を加えて、前記画素電極が露出するように前記第1領域の有機絶縁物を除去することを特徴とする請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記画素電極が露出するようにプラズマエッチングを行う段階をさらに含む請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記チャンネル領域の上部に相当する前記有機絶縁層の第2領域上に、ゲート電極を形成する段階をさらに含む請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記有機絶縁層上にゲート電極を形成した後、前記第1領域に有機溶媒を加えて前記第1領域の有機絶縁物を溶解し、前記溶解された有機絶縁物が前記ゲート電極を覆うことを特徴とする請求項27に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1領域に有機溶媒を加えて前記第1領域の有機絶縁物を溶解し、溶解された前記有機絶縁物は、前記第1領域と隣接した第2領域に蓄積され、蓄積された前記有機絶縁物上にゲート電極を形成することを特徴とする請求項27に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成されたソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極と、
前記チャンネル領域を覆うように基板上に形成され、有機絶縁物からなる有機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層の第1領域は、前記画素電極を露出させる第1グルーブを備え、前記有機絶縁層の第2領域は、前記第1グルーブと接する突出部を備える有機発光表示装置。 - 前記第2領域の突出部は、前記チャンネル領域の上部に配置され、
前記突出部に埋め込まれたゲート電極をさらに含む請求項30に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2領域は、複数の突出部を備え、隣接した前記突出部により形成された第2グルーブをさらに備え、
前記第2グルーブは、前記第1グルーブよりグルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さが厚いことを特徴とする請求項30に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2領域の第2グルーブは、前記チャンネル領域の上部に配置され、
前記第2グルーブに形成されたゲート電極をさらに含む請求項30に記載の有機発光表示装置。
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