JP5533050B2 - 半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 112
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 188
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 78
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 46
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 221
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 14
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 9
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 9
- -1 poly (p-phenylene) Polymers 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole;formaldehyde Chemical compound O=C.N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(CC)=CC=C2 LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJIIAJVOYIPUPY-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenebut-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C=C GJIIAJVOYIPUPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003609 aryl vinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- OHUWRYQKKWKGKG-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;pyrene Chemical compound O=C.C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 OHUWRYQKKWKGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
一般に、アクティブマトリクス装置では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)が用いられている。
そのため、従来のアクティブマトリクス装置では、上記パターンニングのためのエッチングや、そのエッチングに際してマスクとして用いるレジスト層を除去するためのエッチングが必要となり、エッチングプロセスが多くなり、製造工程が複雑化し、生産性が低いと言う問題があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板の一方の面側に、互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように設けられたゲート絶縁体層とを形成する第1の工程と、
前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に、厚さ方向に貫通する貫通部を備える絶縁体層を形成する第2の工程と、
前記貫通部内の底部付近の前記ゲート絶縁体層上、および、前記貫通部の周囲の前記絶縁体層上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、前記ゲート絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、ゲート電極を形成するとともに、前記絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続される画素電極を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。
このような本発明によれば、ゲート絶縁膜上に一様に形成した導体層をエッチングによりパターンニングしてゲート電極および画素電極を形成する場合に比し、エッチング工程を減らすことができ、その結果、生産性を優れたものとすることができる。
これにより、第3の工程において、前記貫通部内の底部付近の前記ゲート絶縁体層上、および、前記貫通部の周囲の前記絶縁体層上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成することができる。なお、貫通部の深さ方向での少なくとも一部の範囲に、前述したような幅が拡がる部分が形成されていればよく、当該拡がる部分以外の範囲において、貫通部の幅が一定または狭くなる部分が形成されていてもよい。また、前述したような幅が拡がる部分は、連続的に幅が拡がっていてもよいし、段階的に幅が拡がっていてもよい。
前記第3の工程では、前記導体部を介して前記画素電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極とを電気的に接続することが好ましい。
これにより、ソース電極またはドレイン電極と画素電極との間にゲート絶縁体層が存在していても、ソース電極またはドレイン電極と画素電極とを導通させることができる。
これにより、比較的簡単かつ確実に、所望の寸法および位置に高精度に導体部を形成することができる。
これにより、液状材料の付与に先立ってゲート絶縁体層の導体部形成予定部位に予め穿孔する工程が不要となるので、半導体装置の製造工程がより簡略化され、生産性をより高めることができる。
これにより、簡単かつ確実に、導体部と画素電極とを電気的に接続することができる。
これにより、隣接する画素電極同士またはゲート電極同士を個別化(孤立化)することができる。このような分離工程は、レーザーや機械加工により比較的簡単に行える。
前記半導体層とは反対の面側に、厚さ方向に貫通する貫通部を備える絶縁体層を形成する工程と、
前記貫通部内の底部付近の前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように、ゲート絶縁体層を形成する工程と、
前記貫通部内の前記ゲート絶縁体層上、および、前記貫通部の周囲の前記絶縁体層上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、前記ゲート絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、ゲート電極を形成するとともに、前記絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続される画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、生産性に優れた半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、生産性に優れた半導体装置を提供することができる。
前記基板の一方の面側に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように設けられたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に設けられたゲート電極とを備えるトランジスタと、
前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に設けられた絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記ゲート絶縁体層とは反対の面側に設けられ、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極とを有し、
前記絶縁体層は、前記画素電極側から前記ゲート絶縁体層側に向けて幅が拡がる部分を有するように形成された厚さ方向に貫通する貫通部を備え、
前記ゲート電極は、前記貫通部内の底部付近の前記ゲート絶縁体層上に設けられていることを特徴とする。
これにより、生産性に優れた半導体装置を提供することができる。また、貫通部の壁面に電極材料が付着されにくくなるので、画素電極とゲート電極とがショートするのを防止することができる。その結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
これにより、ソース電極またはドレイン電極と画素電極との間にゲート絶縁体層が存在していても、ソース電極またはドレイン電極と画素電極とを導通させることができる。
本発明の半導体装置では、前記ゲート電極および前記画素電極は、気相成膜法により同時に形成されたものであることが好ましい。
これにより、生産性に優れた半導体装置を提供することができる。
これにより、生産性に優れたアクティブマトリクス装置を提供することができる。
本発明の電気光学装置は、本発明のアクティブマトリクス装置を備えることを特徴とする。
これにより、生産性に優れた電気光学装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これにより、生産性に優れた電子機器を提供することができる。
<アクティブマトリクス装置>
図1は、本発明の実施形態にかかる半導体装置を備えるアクティブマトリクス装置を示す平面図、図2は、図1中のA−A線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図2中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
また、各トランジスタ4、5は、図2に示すように、ソース電極41およびドレイン電極42と、半導体層43と、ゲート絶縁体層44と、ゲート電極45とを有している。
また、複数の画素電極6は、複数のトランジスタ4、5に対応してマトリクス状に配置されている。
基板7は、トランジスタ4、5を構成する各層(各部)を支持するものである。
基板7には、例えば、ガラス基板、プラスチック基板(樹脂基板)、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。トランジスタ4、5に可撓性を付与する場合には、基板7には、樹脂基板が選択される。
この下地層は、例えば、酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(SiN)、ポリイミド、ポリアミド、架橋により不溶化したポリマー等により構成することができる。
トランジスタ4、5は、それぞれ、トップゲート型のトランジスタである。なお、トランジスタ4およびトランジスタ5は、同様の構成であるので、以下では、トランジスタ4について代表的に説明し、トランジスタ5についてはその説明を省略する。
なお、以下では、このチャネル領域において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極41とドレイン電極42との間の距離をチャネル長、チャネル長方向と直交する方向の長さをチャネル幅と言う。
例えば、キャリアとしてホールがチャネル領域を移動するpチャネルトランジスタの場合には、仕事関数が比較的大きいPd、Pt、Au、Ni、Cuまたはこれら金属を含む合金を使用するのが好ましい。
ソース電極41およびドレイン電極42の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、30〜300nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
このようなソース電極41およびドレイン電極42の基板7とは反対側の面上には、半導体層43が設けられている。なお、この半導体層43は、少なくともソース電極41とドレイン電極42との間に設けられていればよい。
無機半導体材料としては、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等が挙げられる。
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料(共役系高分子材料)が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料(共役系高分子材料)を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
半導体層43の平均厚さは、1〜200nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
このゲート絶縁体層44は、ソース電極41およびドレイン電極42に対してゲート電極45を絶縁するものである。
本実施形態では、ゲート絶縁体層44は、基板7上(上面上)の領域のうち各接続用電極8の一部を除く領域のほぼ全域に対し一様に形成されている。なお、ゲート絶縁体層44は、ソース電極41およびドレイン電極42に対してゲート電極45を絶縁することができれば、基板7上の領域のうち各接続用電極8の一部を除く領域に対して部分的に設けられていてもよい。
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
ゲート絶縁体層44の厚さ(平均)は、特に限定されないが、10〜5000nm程度であるのが好ましく、50〜1000nm程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁体層44の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極41およびドレイン電極42とゲート電極45とを確実に絶縁しつつ、トランジスタ4の動作電圧を低くすることができる。
ゲート絶縁体層44上(ゲート絶縁体層44の半導体層43とは反対の面側)には、ゲート電極45が設けられている。
特に、ゲート電極45は、後述する絶縁体層9の貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上に設けられている。
ゲート電極45の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜5000nm程度であるのが好ましく、1〜5000nm程度であるのがより好ましく、10〜5000nm程度であるのがさらに好ましい。
なお、このような構成は、ソース電極41およびドレイン電極42に適用することもできる。
この絶縁体層9は、平面視したときに、前述したゲート電極45および第2の配線3に対応して、厚さ方向に貫通する貫通部91が形成されている。これにより、絶縁体層9には、複数のランド部92が設けられている。この複数のランド部92は、複数の画素電極6に対応する平面視形状をなす部分を有し、これらの部分のうち、図1にて左右方向に隣接する部分同士が連結したような形状をなしている。
かかるマスクとして絶縁体層9を用いると、逆テーパ形状をなす貫通部91の壁面に成膜材料(電極材料)が付着するのを防止することができる。そのため、1回の気相成膜だけで、ゲート電極45と電極6Aとを離間した状態で形成することができる。その結果、アクティブマトリクス装置1の生産性を向上させることができる。
この絶縁体層9の構成材料としては、絶縁性を有し、かつ、前述したような貫通部91を形成し得るものであればよく、前述したゲート絶縁体層44の構成材料と同様のものを用いることができるが、フォトレジスト材料を用いるのが好ましい。これにより、前述したような逆テーパ形状をなす貫通部91を簡単かつ高精度に形成することができる。
このような絶縁体層9上に設けられた複数の画素電極6は、後述するようにアクティブマトリクス装置1を用いて電気泳動表示装置20を構築した際に、各画素を駆動させるための電圧を印加する一方の電極を構成するものである。
このようなトランジスタ4において、ゲート電極45に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極41とドレイン電極42との間に流れる電流量が制御される。
以上説明したように構成されたアクティブマトリクス装置1によれば、前述したような貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上にゲート電極45が形成され、そして、貫通部91の周囲の絶縁体層9上に画素電極6が形成されているので、後述する製造方法を用いて、優れた生産性で製造することができる。
次に、本発明のアクティブマトリクス装置の製造方法の一例として、前述したアクティブマトリクス装置1の製造方法を説明する。
図3は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法におけるソース電極およびドレイン電極の形成工程を説明するための図、図4は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法における半導体層の形成工程を説明するための図、図5は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法におけるゲート絶縁体層の形成工程を説明するための図、図6は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法における絶縁体層の形成工程を説明するための図、図7は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法における導体部の形成工程を説明するための図、図8は、図7に示す導体部の形成工程を説明するための図、図9は、図7に示す導体部の形成工程を説明するための図、図10は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法におけるゲート電極および画素電極の形成工程を説明するための図、図11は、図10に示すゲート電極および画素電極の形成工程を説明するための図、図12は、図10に示すゲート電極および画素電極の形成工程を説明するための図、図13は、図12に示す工程の他の例を説明するための図、図14は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法の他の例を説明するための図、図15は、図1に示すアクティブマトリクス装置の製造方法の他の例を説明するための図である。
アクティブマトリクス装置1の製造方法は、[A]ソース電極41、ドレイン電極42と、半導体層43およびゲート絶縁体層44を形成する工程(第1の工程)と、[B]絶縁体層9を形成する工程(第2の工程)と、[C]導体部10を形成する工程と、[D]ゲート電極45および画素電極6を形成する工程(第3の工程)とを有する。
[1](第1の工程)
工程[A]は、<A1>ソース電極41およびドレイン電極42を形成する工程と、<A2>半導体層43を形成する工程と、<A3>ゲート絶縁体層44を形成する工程とを有する。
まず、基板7を用意し、その基板7の一方の面上に、図3に示すように、ソース電極41(第1の配線2)およびドレイン電極42を形成する。
また、このとき、ソース電極41およびドレイン電極42の形成と同時に、接続用電極8も形成する。
より具体的に説明すると、例えば、ソース電極41およびドレイン電極42が金属を主材料として構成されている場合、まず、基板7上に金属膜(金属層)を形成する。
この金属膜は、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等により形成することができる。
この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、ソース電極41およびドレイン電極42は、それぞれ、例えば、導電性粒子を含有するコロイド液(分散液)、導電性ポリマーを含有する液体(溶液または分散液)等の液状材料を基板7上に供給して被膜を形成した後、必要に応じて、この被膜に対して後処理(例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等)を施すことにより形成することもできる。
例えば、ソース電極41およびドレイン電極42を金属材料を主材料として構成した場合には、プラズマ処理(例えば、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ処理)を施すのが好適である。これにより、ソース電極41およびドレイン電極42の表面に付着する有機物を除去することができ、その結果、得られるトランジスタ4の特性をより向上させることができる。また、後述する工程<A2>において、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を滴下し硬化することで半導体層43を形成する場合、滴下された液状材料の不本意な挙動を抑制することができる。
次に、図4に示すように、半導体層43を形成する。
半導体層43は、例えば、有機絶縁材料で構成する場合、有機半導体材料またはその前駆体を含む溶液をソース電極41とドレイン電極42との間およびその近傍に塗布(供給)した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理(例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等)を施すことにより形成することができる。
有機半導体材料またはその前駆体を含む溶液を塗布(供給)する方法としては、塗布法、印刷法(インクジェット法、スクリーン印刷法)等を用いることができる。
また、半導体層43は、マスク蒸着を用いても形成することができる。
次に、図5に示すように、ゲート絶縁体層44Aを形成する。
このゲート絶縁体層44Aは、後述する工程[C]において前述したゲート絶縁体層44となるものであり、導体部10、11が挿通される貫通孔が形成されていない以外は、ゲート絶縁体層44と同様である。
このようなゲート絶縁体層44Aは、例えば、有機絶縁材料で構成する場合、有機絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を半導体層43上を覆うように塗布(供給)した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理(例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等)を施すことにより形成することができる。
また、ゲート絶縁体層44Aを無機材料で構成する場合、ゲート絶縁体層44Aは、例えば、熱酸化法、CVD法、SOG法等により形成することができる。また、原材料にポリシラザンを用いることで、ゲート絶縁体層44Aとして、シリカ膜、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能である。
次に、図6に示すように、絶縁体層9を形成する。
このとき、絶縁体層9には、ゲート電極45(第2の配線3)に対応する貫通部91が形成されている。また、絶縁体層9には、導体部10の形成予定部位に、厚さ方向に貫通する貫通部93も形成されている。
これらの貫通部91、92は、前述したように、図6(b)中の上側から下側に向けて拡がるように形成されている。そのため、後述する工程[D]において、互いに離間したゲート電極45および画素電極6を気相成膜法により一括して形成することができる。
より具体的には、ゲート絶縁体層44A上に、フォトレジスト材料(例えば、日本ゼオン社製 ZPN2464等)を塗布し、露光、現像を行うことで、貫通部91を備える絶縁体層9を形成する。なお、フォトレジスト材料としては、ポジ型、ネガ型のいずれを用いてもよい。
また、上記露光は、塗布されたフォトレジスト材料に対し、光源からの光をマスクを介して選択的に照射することができる。
また、上記露光は、塗布されたフォトレジスト材料に対し、光源からの光をレンズ等の光学系を介して照射してもよい。この場合、かかる光学系による光の結像点を絶縁体層9に対してその厚さ方向にずらすことで、前述したような逆テーパ状の断面形状をなす貫通部91を比較的簡単に形成することができる。
次に、図7に示すように、導体部10を形成する。このとき、導体部10は、絶縁体層9およびゲート絶縁体層44Aをこれらの厚さ方向に貫通してドレイン電極42に導通する。
このような工程[C]を第2の工程[B]の後かつ第3の工程[D]の前に行うことで、後述する第3の工程[D]において、導体部10を介して画素電極6とドレイン電極42とを電気的に接続することができる。これにより、ドレイン電極42と画素電極6との間にゲート絶縁体層44Aが存在していても、ドレイン電極42と画素電極6とを導通させることができる。
導体部10の形成方法としては、特に限定されないが、印刷法(インクジェット法、スクリーン印刷法)が好適に用いられる。
すなわち、導体部10を形成する工程[C]では、導電性材料を含む液状材料を付与し硬化または固化させることにより導体部10を形成するのが好ましい。これにより、比較的簡単かつ確実に、所望の寸法および位置に高精度に導体部10を形成することができる。
本実施形態では、この液状材料は、ゲート絶縁体層44Aを溶解し得る(ゲート絶縁体層44Aに対する溶解性を有する)ものである。
このようなインクジェット法によれば、所定量の液滴を容易かつ位置精度よく滴下することができる。
かかる溶媒または分散媒としては、用いる導電性粒子または導電性ポリマー等の種類や滴下条件などに応じて決定され、特に限定されず、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルイソプロピルケトン(MIPK)、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
液状材料10Aの粘度(常温)は、特に限定されないが、通常、2〜20cps程度であるのが好ましく、4〜8cps程度であるのがより好ましい。液状材料10Aの粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。液状材料10Aの粘度が上記範囲より小さい場合には、吐出時に変位させるピエゾ素子の振動が減衰しづらいので、吐出が不安定になり易い傾向がある。また、液状材料10Aの粘度が上記範囲より大きい場合には、液状材料10Aの流路抵抗が大きいため、高速で印刷する際、液状材料10Aの供給が追い付かず、やはり不安定になるおそれがある。
また、液状材料10Aの1滴の粒径(平均)は、導体部10、11の形状や面積などに応じて決定され、特に限定されないが、通常、0.1〜40pL程度であるのが好ましく、1〜30pL程度であるのがより好ましい。また、液状材料10Aの液滴の1滴の量(平均)をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。液滴の体積が小さすぎると、液状材料10Aの種類などによっては、液状材料10Aをノズルから安定的に吐出させるのが難しくなる。また、液滴の体積が大きすぎると、付与領域の面積や形状などによっては、付与領域内に収まるように液状材料10Aを滴下するのが難しくなる。
また、スクリーン印刷法を用いて液状材料をゲート絶縁体層44上に付与する場合、図8(b)に示すように、ゲート絶縁体層44上の所定部位に対応した開口112を有するスクリーン111上に液状材料を供給し、その液状材料10Aをスキージ(板状部材)110でスクリーン111側に圧し付けながらスクリーン111に沿って移動させることで、開口112から液状材料10Aを押し出し、ゲート絶縁体層44A上の所定部位に供給する。
この場合、例えば、図9に示すように、レーザー120からのレーザー光の照射により、導体部10、11の形成予定部位に対応して、ゲート絶縁体層44Aに貫通孔441を形成する。これにより、液状材料10Aがゲート絶縁体層44Aに対して溶解性を有しない場合であっても、導体部10、11を形成することができる。また、液状材料10Aがゲート絶縁体層44Aに対して溶解性を有する場合でも、貫通孔441を予め形成することで、液状材料10Aの付与量を多くすることができ、液状材料10Aが乾燥・固化して収縮しても、所望の大きさの導体部10、11を形成することができる。
これにより、後述する工程[D]において、気相成膜を行った時に、導体部10の絶縁体層9の端上と絶縁体層9上との間で導体膜(画素電極6)が途切れるのを防止することができる。そのため。簡単かつ確実に、導体部10と画素電極6とを電気的に接続することができる。
次に、ゲート電極45および画素電極6を形成する。
より具体的には、本工程[D]は、<D1>ゲート電極45(電極)をゲート絶縁体層44上に形成するとともに、複数の画素電極6となるべき電極(導体層)6Aを絶縁体層9上に形成する工程と、<D2>電極6Aを用いて複数の画素電極6を形成する工程とを有する。
まず、気相成膜法により、図10に示すように、ゲート電極45(電極)をゲート絶縁体層44上に形成するとともに、複数の画素電極6となるべき電極(導体層)6Aを絶縁体層9上に形成する。
この電極6Aは、前述したランド部92に対応した平面視形状をなしている。すなわち、電極6Aは、図10にて左右方向に隣接する画素電極6同士が連結部61Aを介して連結したような形状をなしている。
すると、貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上には、ゲート電極45が形成され、また、貫通部91の周囲の絶縁体層9上には、電極6Aが形成される。
このようにして、貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上、および、貫通部91の周囲の絶縁体層9上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成することができる。
次に、図12に示すように、電極6Aを用いて複数の画素電極6を形成する。
より具体的には、電極6Aの連結部61Aを除去することで、除去部61を形成し、複数の画素電極6を得る。
このように絶縁体層9上に形成された電極6Aを部分的に除去する工程(分離工程)を有することで、隣接する画素電極6同士を個別化(孤立化)することができる。このような分離工程は、レーザーや機械加工により比較的簡単に行える。
このようにして、絶縁体層9上に形成された電極6Aを用いて、画素電極6を形成することができる。
なお、図14(a)に示すように、絶縁体層9は、画素電極6に対応する部分同士が分離していてもよい。この場合、工程<D1>では、ゲート電極45(電極)となるべき電極45A(第2の配線3となるべき電極3A)がゲート絶縁体層44上に形成されるとともに、複数の画素電極6が絶縁体層9上に形成される。したがって、工程<D2>では、図14(b)に示すように、ゲート電極45同士を分離するように、電極45Aを部分的に切断または除去して、除去部451を形成すればよい。これにより、電極45Aを用いて複数のゲート電極45を形成することができる。
次に、図11(b)に示すように、貫通部91を埋めるように、絶縁性を有する保護膜12を形成する。これにより、ゲート電極45同士、画素電極6とゲート電極45との間等の不本意な短絡を防止することができる。
保護膜12は、前述した工程[3]と同様の方法を用いて形成することができる。
また、保護膜12の構成材料としては、ゲート絶縁体層44や絶縁体層9と同様のものを用いることができる。
以上のような工程を経て、図1および図2に示すアクティブマトリクス装置1が得られる。
以上説明したようなアクティブマトリクス装置1の製造方法によれば、ゲート絶縁膜上に一様に形成した導体層をエッチングによりパターンニングしてゲート電極および画素電極を形成する場合に比し、エッチング工程を減らすことができ、その結果、生産性を優れたものとすることができる。
次に、本発明の電気光学装置の一例として、前述したアクティブマトリクス装置を備えた電気泳動表示装置を説明する。なお、本発明の電気光学装置は、前述したような本発明のアクティブマトリクス装置を備えるものであれば、特に限定されず、電気泳動表示装置の他、液晶表示装置(液晶装置)、有機EL装置や無機EL装置等のエレクトロルミネッセンス装置等に適用することも可能である。
図16に示す電気泳動表示装置20は、電気泳動表示シート(フロントプレーン)21と、前述したアクティブマトリクス装置1である回路基板(バックプレーン)22と、電気泳動表示シート21と回路基板22とを接合する接着剤層24と、電気泳動表示シート21と回路基板22との間の間隙を気密的に封止する封止部25とを有している。
一方、回路基板22は、平板状の基部221、基部221の上面上に設けられた複数の電極222と、図示しないトランジスタとを有している。この回路基板22は、前述したアクティブマトリクス装置1と同様の構成を有するものである。
基部211および基部221は、それぞれ、シート状(平板状)の部材で構成され、これらの間に配される各部材を支持および保護する機能を有する。
基部211および基部221としては、それぞれ、前述したアクティブマトリクス装置1の基板7と同様のものを用いることができる。
電極212と電極222との間に電圧を印加すると、これらの間に電界が生じ、この電界が電気泳動分散液層23の電気泳動粒子(表示粒子)235に作用する。
なお、電極212も、電極222と同様に複数に分割するようにしてもよい。
また、電極212がストライプ状に分割され、電極222も同様にストライプ状に分割され、これらが交差するように配置された形態であってもよい。
なお、各基部211、221および各電極212、222のうち、表示面側に配置される基部および電極(本実施形態では、基部211および電極212)は、それぞれ、光透過性を有するもの、すなわち、実質的に透明(無色透明、有色透明または半透明)とされる。これにより、後述する電気泳動分散液234中における電気泳動粒子235の状態、すなわち電気泳動表示装置20に表示された情報(画像)を目視により容易に認識することができる。
この電気泳動分散液層23は、電気泳動分散液234をカプセル本体(殻体)233内に封入した複数のマイクロカプセル231が、バインダ232で固定(保持)されて構成されている。
なお、マイクロカプセル231は、上下方向に圧迫されて、例えば、縦断面形状で楕円または矩形に近い形状をなしていてもよい。
カプセル本体(殻体)233の構成材料としては、例えば、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、尿素樹脂、ポリアミド、ポリエーテルのような各種樹脂材料が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、隣り合うマイクロカプセル231同士は、本実施形態では接して配置されているが、離れて配置されていてもよい。
カプセル本体233内に封入された電気泳動分散液234は、少なくとも1種の電気泳動粒子235(本実施形態では、着色粒子235bと白色粒子235aとの2種)を液相分散媒236に分散(懸濁)してなるものである。
液相分散媒236としては、カプセル本体233に対する溶解性が低く、かつ比較的高い絶縁性を有するものが好適に使用される。
さらに、液相分散媒236には、必要に応じて、各種染料を溶解するようにしてもよい。
このバインダ232には、各電極222、212、カプセル本体233(マイクロカプセル231)との親和性(密着性)に優れ、かつ、絶縁性に優れる樹脂材料が好適に使用される。
この接着剤層24は、電気泳動表示シート21と回路基板22とを接合(固定)する機能の他、I:絶縁性を有するもの、II:電気泳動表示シート21側から回路基板22へのイオンの拡散を防止する機能、III:電気泳動表示シート21と回路基板22とを接合する際の応力を緩和する機能を有しているのが好ましい。
IIの機能を有することにより、回路基板22に設けられた回路(特にトランジスタ)の特性の低下を防止または抑制することができる。
また、IIIの機能を有することにより、電気泳動表示装置20の製造時(作成時)にマイクロカプセル231や回路基板22に設けられたトランジスタ等の破壊を防止することができる。
なお、接着剤層24の構成材料には、ポリウレタンに代えて、例えば、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、ABS樹脂、ビニル−アクリル酸エステル共重合体、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、封止部25は、必要に応じて設ければよく、省略することもできる。
このような電気泳動表示装置20は、次のようにして作動する。
電気泳動表示装置20の電極222と電極212との間に電圧を印加すると、これらの間に電界が生じる。すなわち、電気泳動分散液層23に電界が生じる。
電気泳動分散液層23に生じた電界にしたがって、電気泳動粒子235(着色粒子235b、白色粒子235a)は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
このような構成において、電気泳動粒子235(白色粒子235a、着色粒子235b)の帯電量や、電極222または4の極性、電極222、4間の電位差等を適宜設定することにより、電気泳動表示装置20の表示面側には、白色粒子235aおよび着色粒子235bの色の組み合わせや、電極222、212に集合する粒子の数等に応じて、所望の情報(画像)が表示される。
このような電気泳動表示装置20(電気光学装置)は、前述したようなアクティブマトリクス装置1を備えているので、優れた生産性を有する。
以上のような電気泳動表示装置20は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置20を備える本発明の電子機器について説明する。
<<電子ペーパー>>
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図17は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
図17に示す電子ペーパー600は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体601と、表示ユニット602とを備えている。
このような電子ペーパー600では、表示ユニット602が、前述したような電気泳動表示装置20で構成されている。
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図18は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。このうち、図18中(a)は断面図、(b)は平面図である。
図18に示すディスプレイ(表示装置)800は、本体部801と、この本体部801に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー600とを備えている。なお、この電子ペーパー600は、前述したような構成、すなわち、図17に示す構成と同様のものである。
このようなディスプレイ800では、電子ペーパー600は、本体部801に着脱自在に設置されており、本体部801から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
このような電子機器は、前述したようなアクティブマトリクス装置1を備えているので、優れた生産性を有する。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置20を適用することが可能である。
例えば、本発明の半導体装置の製造方法では、任意の目的の工程が1または2以上追加されてもよい。また、例えば、本発明の半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、ゲート絶縁体層44を形成した後に、絶縁体層9を形成した場合を例に説明したが、ゲート絶縁体層の形成前に、前述した貫通部91のような貫通部を有する絶縁体層を形成し、この絶縁体層の貫通部内にゲート絶縁体層を形成することも可能である。
Claims (15)
- 基板の一方の面側に、互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように設けられたゲート絶縁体層とを形成する第1の工程と、
前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に、厚さ方向に貫通する貫通部を備える絶縁体層を形成する第2の工程と、
前記貫通部内の底部付近の前記ゲート絶縁体層上、および、前記貫通部の周囲の前記絶縁体層上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、前記ゲート絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、ゲート電極を形成するとともに、前記絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続される画素電極を形成する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 平面視で、前記貫通部の開口部の縁が、当該貫通部の底部の縁より内側に位置する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の工程の後かつ前記第3の工程の前に、前記絶縁体層および前記ゲート絶縁体層をこれらの厚さ方向に貫通して前記ソース電極または前記ドレイン電極に導通する導体部を形成する工程を有し、
前記第3の工程では、前記導体部を介して前記画素電極と前記ソース電極または前記ドレイン電極とを電気的に接続する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導体部を形成する工程では、導電性材料を含む液状材料を付与し硬化または固化させることにより前記導体部を形成する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記液状材料は、前記ゲート絶縁体層上に対する溶解性を有するものである請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導体部を形成する工程では、前記液状材料の硬化または固化に伴う体積減少によって前記導体部の前記絶縁体層側の端面に形成される凹部が前記ゲート絶縁体層側から前記画素電極側に向けて拡がるように、前記導体部を形成する請求項3ないし5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の工程では、前記ゲート絶縁体層上に形成された前記電極、または、前記絶縁体層上に形成された前記電極を、部分的に切断または除去する工程を有する請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の一方の面側に、互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた半導体層とを形成する工程と、
前記半導体層とは反対の面側に、厚さ方向に貫通する貫通部を備える絶縁体層を形成する工程と、
前記貫通部内の底部付近の前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように、ゲート絶縁体層を形成する工程と、
前記貫通部内の前記ゲート絶縁体層上、および、前記貫通部の周囲の前記絶縁体層上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、前記ゲート絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、ゲート電極を形成するとともに、前記絶縁体層上に形成された前記電極を用いて、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続される画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
- 基板と、
前記基板の一方の面側に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた半導体層と、前記半導体層の前記基板とは反対の面側を覆うように設けられたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に設けられたゲート電極とを備えるトランジスタと、
前記ゲート絶縁体層の前記半導体層とは反対の面側に設けられた絶縁体層と、
前記絶縁体層の前記ゲート絶縁体層とは反対の面側に設けられ、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極とを有し、
前記絶縁体層は、前記画素電極側から前記ゲート絶縁体層側に向けて幅が拡がる部分を有するように形成された厚さ方向に貫通する貫通部を備え、
前記ゲート電極は、前記貫通部内の底部付近の前記ゲート絶縁体層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁体層および前記絶縁体層を厚さ方向に貫通するように設けられ、前記ソース電極または前記ドレイン電極と前記画素電極とを電気的に接続する導体部を有する請求項10に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極および前記画素電極は、気相成膜法により同時に形成されたものである請求項10または11に記載の半導体装置。
- 請求項9ないし12のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とするアクティブマトリクス装置。
- 請求項13に記載のアクティブマトリクス装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項14に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010052402A JP5533050B2 (ja) | 2009-04-23 | 2010-03-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 |
US12/764,320 US8174016B2 (en) | 2009-04-23 | 2010-04-21 | Semiconductor device, active matrix device, electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105641 | 2009-04-23 | ||
JP2009105641 | 2009-04-23 | ||
JP2010052402A JP5533050B2 (ja) | 2009-04-23 | 2010-03-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010272843A JP2010272843A (ja) | 2010-12-02 |
JP5533050B2 true JP5533050B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=42991330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010052402A Active JP5533050B2 (ja) | 2009-04-23 | 2010-03-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8174016B2 (ja) |
JP (1) | JP5533050B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5957846B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-07-27 | ソニー株式会社 | 駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器 |
TW201409300A (zh) * | 2012-08-23 | 2014-03-01 | Henghao Technology Co Ltd | 觸控電極裝置及其形成方法 |
JP6435651B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2018-12-12 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体素子 |
US10564332B2 (en) * | 2018-01-26 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Controlling grating outcoupling strength for AR waveguide combiners |
CN109638018A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其显示器件 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2776083B2 (ja) * | 1991-08-23 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CN100459163C (zh) * | 2001-02-19 | 2009-02-04 | 国际商业机器公司 | 薄膜晶体管结构及其制造方法和使用它的显示器件 |
JP2004006782A (ja) | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 |
JP2005203128A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
KR101186019B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2012-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP4482931B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2010-06-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US7800101B2 (en) * | 2006-01-05 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor having openings formed therein |
JP5413549B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2014-02-12 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法 |
JP5101097B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-12-19 | 株式会社リコー | 多層配線の作製方法及び多層配線並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動回路及びフラットパネルディスプレイ |
JP2009021477A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-09 JP JP2010052402A patent/JP5533050B2/ja active Active
- 2010-04-21 US US12/764,320 patent/US8174016B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100270563A1 (en) | 2010-10-28 |
US8174016B2 (en) | 2012-05-08 |
JP2010272843A (ja) | 2010-12-02 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140326 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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