JP4726440B2 - 有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、プラスチック、ガラス等の基板上に形成される有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置に関する。
近年、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を始めとする有機（電子）デバイスが注目されている。有機材料を用いる有機デバイスは、無機デバイスに比べて低温で製造でき、これによって、印刷法、インクジェット法等を用いて低コストで製造できるとともに大面積化が容易となる。さらに、有機デバイスは、軽量かつフレキシブルであるため、様々な携帯端末、ディスプレイ、ＩＣタグ等の装置に幅広く適用することができる。
有機トランジスタの性能を表す重要なパラメータとして、ドレイン電流ＯＮ／ＯＦＦ比、応答速度及びキャリア移動度を挙げることができるが、現状では、有機ＴＦＴのこれらの性能は、無機トランジスタに比べて劣っている。
トランジスタの性能を向上させるために、半導体材料の高純度化、薄膜の単結晶化、高誘電率ゲート絶縁膜の使用等の研究が行われているが、ドレイン電流（Ｉｄ）及び動作速度を向上させるのに最も効果的な手法は、トランジスタのチャネル長（Ｌ）を縮小するとともに素子構造を微細化することである。
Ｃｏｘを単位面積当りのゲート酸化膜容量とし、μを移動度とし、Ｗをチャネル幅とし、Ｖｇをゲート電圧とし、Ｖｔｈをしきい値電圧とした場合、ドレイン電流Ｉｄ及び遮断周波数ｆを、以下の式（１），（２）でそれぞれ表すことができる。
Ｉｄ＝（Ｃｏｘ・μ／２）・（Ｗ／Ｌ）・（Ｖｇ−Ｖｔｈ）２ （１）
ｆ＝μ・（Ｖｇ−Ｖｔｈ）／２πＬ２ （２）
Ｉｄ＝（Ｃｏｘ・μ／２）・（Ｗ／Ｌ）・（Ｖｇ−Ｖｔｈ）２ （１）
ｆ＝μ・（Ｖｇ−Ｖｔｈ）／２πＬ２ （２）
式（１）からわかるように、トランジスタのチャネル長Ｌが小さくなると、ドレイン電流Ｉｄが大きくなる。また、式（２）からわかるように、トランジスタのチャネル長Ｌが小さくなると、遮断周波数ｆが向上し、動作速度を高めることができる。
しかしながら、有機トランジスタの短チャネル化及び微細化を行う場合、半導体層に用いる有機材料、例えばアセン系分子材料（ペンタセン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン）、フタロアニン系化合物等は、一般的に使用される有機溶媒（アセトン、エタノール、レジスト剥離・現像液等）に対する耐性が弱く、ダメージを受けやすい。このために、従来の無機Ｓｉデバイスの微細加工に用いるようなフォトリソグラフィー・エッチング加工を有機トランジスタの製造に適用するのが困難となり、有機トランジスタの微細化が困難であるのが現状である。
従来、フォトリソグラフィー・エッチング加工以外の手法を用いて有機トランジスタの微細化を行う手法が提案されており、そのうちの一つでは、有機半導体層形成前にソース・ドレイン電極を、ソフトリソグラフィーの一種であるマイクロコンタクトプリンティング法によって加工し、有機材料にダメージを与えることなくボトムコンタクト型の有機トランジスタを形成している（例えば、特許文献１参照）。
フォトリソグラフィー・エッチング加工以外の手法を用いて有機トランジスタの微細化を行う他の手法によれば、トランジスタの素子構造を通常のＭＩＳ(Metal-Insulator-Semiconductor)構造（横型構造）からＳＩＴ(Static-Induction-Transistor)構造（縦型構造）にすることによって、サブミクロンのチャネル長を形成している（例えば、非特許文献１参照）。この手法では、有機半導体層の膜厚がトランジスタのチャネル長になるため、微細なチャネル長を容易に形成することができ、その結果、遮断周波数が２．３ｋＨｚという高い動作速度を実現している。
特開２００３−３１８１６号公報
工藤ほか、信学技報、ＯＮＥ９８−５０，１９９８年７月
しかしながら、上記特許文献１によれば、１０〜５μｍ程度のゲート長しか得られないのが現状であり、微細なチャネル長の形成が困難である。また、上記非特許文献１によれば、構造的な問題から素子のＯＦＦ時に流れるゲート漏れ電流を抑制するのが困難であり、その結果、良好な動作特性を得るのが困難となっている。一方、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことは、無機トランジスタにおいても要求されている。
本発明の目的は、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供することである。
本発明による有機又は無機トランジスタは、
基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする。
基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする。
本発明による他の有機又は無機トランジスタは、
基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする。
基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする。
本発明による有機又は無機トランジスタの製造方法は、
基板上にＡｌ層を形成し、該Ａｌ層を陽極酸化することで、ゲート電極、及び、該ゲート電極を被覆するとともに複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜を、基板上に形成するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする。
基板上にＡｌ層を形成し、該Ａｌ層を陽極酸化することで、ゲート電極、及び、該ゲート電極を被覆するとともに複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜を、基板上に形成するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする。
スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを基板上に配置し、金属材料を、該マスクを通じて堆積させることで、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極を形成するステップと、
該ゲート電極が形成された基板を陽極酸化することで、前記ゲート電極を絶縁膜で被覆するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする。
該ゲート電極が形成された基板を陽極酸化することで、前記ゲート電極を絶縁膜で被覆するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする。
本発明による画像表示装置は、
行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする。
行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする。
本発明による他の画像表示装置は、
行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする。
行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする。
本発明による有機又は無機トランジスタによれば、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜が、基板上に形成されたゲート電極を被覆し、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造をナノホールに設けて、基板と垂直方向にチャネルを形成している。
これによって、有機又は無機半導体層の膜厚がチャネル長となるため、サブミクロンオーダの微細な素子を簡単に製造することができる。また、例えば電気化学法によって形成される微細な多孔質膜内にトランジスタを形成することができるので、従来のリソグラフィー技術を用いることなく素子寸法の微細化を達成することができる。これによって、高移動度かつ高遮断周波数の有機トランジスタを実現することができる。このようにして実現された有機トランジスタは、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を達成することができる。
本発明による他の有機又は無機トランジスタによれば、その基板上に形成され、ナノホールに対応する形状を有するゲート電極が、基板上に形成されるとともに、絶縁膜によって被覆され、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、基板と垂直方向にチャネルを形成している。
これによって、ナノホールに対応する形状を有する微細なドット構造が、ゲート電極によって形成され、従来のリソグラフィー技術を用いることなく素子寸法の微細化を達成することができる。これによって、高移動度かつ高遮断周波数の有機トランジスタを実現することができる。このようにして実現された有機トランジスタは、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を達成することができる。ナノホールに対応する形状とは、ナノホールを有するマスク２１を通じて金属を堆積し又はエッチングすることによって得られる形状を意味する。
本発明による有機又は無機トランジスタの製造方法によれば、ゲート電極を基板上に形成し、ゲート電極を被覆するとともに、ナノホールを有する多孔質絶縁膜を形成し、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造をナノホールに設けて、基板と垂直方向にチャネルを形成する。これによって、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタを製造することができる。好適には、前記多孔質絶縁膜を電気化学法によって形成する。
本発明による他の有機又は無機トランジスタの製造方法によれば、ナノホールに対応する形状を有するゲート電極を、基板上に形成し、ゲート電極を絶縁膜で被覆し、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、基板と垂直方向にチャネルを形成する。これによって、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタを製造することができる。好適には、前記ゲート電極を、ナノホールを有するマスクを用いて形成する。
本発明による画像表示装置によれば、ソース電極及びドレイン電極の加工寸法に関係なくナノオーダの微細な有機又は無機トランジスタを形成することができるので、素子の大きさの制約が小さくなる。
本発明による他の画像表示装置によれば、ソース電極及びドレイン電極の加工寸法に関係なくナノオーダの微細な有機又は無機トランジスタを形成することができるので、素子の大きさの制約が小さくなる。
本発明による有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａは、本発明による有機トランジスタの一実施の形態の断面図である。この有機トランジスタは、基板１と、導電層２と、絶縁層３と、ゲート電極４と、ゲート絶縁膜５と、ソース又はドレイン電極６と、有機半導体層７と、ドレイン又はソース電極８とを具える。
図１Ａは、本発明による有機トランジスタの一実施の形態の断面図である。この有機トランジスタは、基板１と、導電層２と、絶縁層３と、ゲート電極４と、ゲート絶縁膜５と、ソース又はドレイン電極６と、有機半導体層７と、ドレイン又はソース電極８とを具える。
基板１を、ガラスや石英材の他に、ポリカーボネイ、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック又はフィルム材によって構成することができる。絶縁層３の材料としては、通常の無機酸化膜ＳｉＯ２や窒化膜ＳｉＮなどを適用することができるが、基板１をプラスチックで構成した場合には、有機トランジスタを比較的低い温度で形成する必要があるため、ゲート電極４を陽極酸化して得られる酸化皮膜や、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、プルラン、ポリイミド等のスピンコート法、印刷法、インクジェット法等で形成可能な高分子材料が好ましい。
ゲート電極４を構成する材料としては、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ等の一般的な金属材料の他に、ＤＥＰＯＴ、ポリアニリン等の導電性高分子や、酸化インジウム（ＩＴＯ）を適用することができ、その形成方法は、特に限定されず、蒸着法やスパッタ法のほかに、スピンコート法、印刷法、インクジェット法、めっきなどの手法を用いることができる。
有機半導体層７を構成する材料としては、ペンタセン、ナフタレン、アントラセン、テトラセン等のアセン系化合物、フタロシアニン系化合物、フラーレン、ポリチオフェン及びこれらの誘導体が用いられる。ソース又はドレイン電極６及びドレイン又はソース電極８を構成する材料としては、一般的な金属材料のほかに導電性高分子も適用可能であり、有機半導体層７をｐ型の有機半導体材料で構成した場合には、仕事関数の高いものを使用するのが好ましく、有機半導体層７をｎ型の有機半導体材料で構成した場合には、仕事関数の低いものを使用するのが好ましい。
図１Ａにおいて、有機トランジスタは、基板１の表面に形成された導電層２上の絶縁層３及びそれを含む内面に形成される。導電層２は、ソース又はドレイン電極６に接続される。ゲート電極４は、絶縁層３上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜５は、ゲート電極４を覆うようにして形成される。有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。
図１Ｂは、本発明による有機トランジスタの製造方法の一実施の形態の一工程における素子の平面図であり、図１Ｃは、図１Ｂに示す素子のＩ−Ｉ断面図である。先ず、プラスチック基板上にＡｕを蒸着法で形成することによって、基板１上に導電層２を形成する。次いで、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で２％に希釈したポリマー絶縁膜ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）を、スピンコート法によって導電層２上に塗布することによって、絶縁層３を形成する。なお、絶縁層３は、ゲート電極４との分離層として機能する。
図１Ｄは、本発明による有機トランジスタの製造方法の次の工程における素子の平面図であり、図１Ｅは、図１Ｄに示す素子のII−II断面図である。この場合、基板１のうち導電層２及び絶縁層３が形成されている箇所に、低温スパッタ法によりアルミニウムをスパッタリングすることによって、Ａｌ層９を形成する。
図１Ｆは、本発明による有機トランジスタの製造方法の次の工程における素子の平面図であり、図１Ｇは、図１Ｅに示す素子のIII−III断面図である。この場合、Ａｌ層９を、弱酸性のリン酸水溶液中で陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜（多孔質膜）を形成する。このようにして形成された酸化皮膜及びＡｌは、ゲート絶縁膜５及びゲート電極４としてそれぞれ機能する。
図１Ｈは、本発明による有機トランジスタの製造方法の次の工程における素子の断面図である。この場合、素子をＩＰＡに浸し、絶縁層１３の露出した部分を剥離する。最後に、ソース又はドレイン電極６、有機半導体層７及びドレイン又はソース電極８を、ゲート絶縁膜５に形成されたナノホール（開口部）１０内に順次積層し、図１Ａに示す有機トランジスタを製造する。なお、陽極酸化法（電気化学法）によって形成されるナノホール１０は、ナノスケール（数十ｎｍ〜数百ｎｍ）の径を有する。このように製造された図１Ａに示す有機トランジスタは、全体が１個のトランジスタとして動作する。
また、図１Ａに示す有機トランジスタでは、有機半導体層７の膜厚がチャネル長Ｌとなるため、サブミクロンオーダの微細な素子を簡単に製造することができる。また、陽極酸化法（電気化学法）によって形成した微細な多孔質膜内にトランジスタを形成することができるので、従来のリソグラフィー技術を用いることなく素子寸法の微細化を達成することができる。これによって、高移動度かつ高遮断周波数の有機トランジスタを製造することができる。このようにして製造された有機トランジスタは、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を達成することができる。
図２Ａは、本発明による有機トランジスタの他の実施の形態の断面図である。この有機トランジスタは、基板１１と、導電層１２と、ゲート電極１３と、ゲート絶縁膜１４と、ソース又はドレイン電極１５と、有機半導体層１６と、ドレイン又はソース電極１７とを具える。
図２Ａにおいて、微細な金属ドット群として導電層１２上に配置されたゲート電極１３は、多孔質膜のマスクを用いて基板１１上に形成され、ソース又はドレイン電極１５、有機半導体層１６及びドレイン又はソース電極１７が、ゲート絶縁膜１４の周りに形成される。
図２Ｂは、本発明による有機トランジスタの製造方法の一実施の形態の一工程における素子の平面図であり、図２Ｃは、図２Ｂに示す素子のIV−IV断面図である。先ず、プラスチック基板上にＡｕを蒸着法で形成することによって、基板１１上に導電層１２を形成する。
その後、ドット状のゲート電極１３を導電層１２上に形成するが、この際、以下説明するように、スルーホール化したポーラスアルミナ膜をマスクとして使用する。図２Ｄは、マスクの作製方法の一工程における素子の平面図であり、図２Ｅは、図２Ｄに示す素子のＶ−Ｖ断面図である。ここで、マスクの作製方法を説明すると、先ず、アルミ膜１８を弱酸性のリン酸水溶液などで陽極酸化して、ナノホール（孔）１９及びバリア層部分２０を形成する。
図２Ｆは、マスクの作製方法の次の工程における素子の平面図であり、図２Ｇは、図２Ｆに示す素子のVI−VI断面図である。この場合、開口部１９の底部にあるアルミ膜１８及びバリア層部分２０を、選択的エッチングによって除去することによって、スルーホール化したマスク２１を作製することができる。
図２Ｈは、本発明による有機トランジスタの製造方法の他の実施の形態の次の工程における素子の平面図であり、図２Ｉは、図２Ｈに示す素子のVII−VII断面図である。図２Ｃ〜２Ｇに示す工程によって作製されたマスク２１を、導電層１２が形成された基板１１上に配置し、金属材料（例えば、タンタル）を、マスク２１を通じて堆積することによって、ナノスケール（数十ｎｍ〜数百ｎｍ）の微細な間隔を有するドット状のゲート電極１３が形成される。
図２Ｊは、本発明による有機トランジスタの製造方法の他の実施の形態の次の工程における素子の平面図であり、図２Ｋは、図２Ｊに示す素子のVIII−VIII断面図である。この場合、ゲート電極１３が形成された基板１１を、中性の電解液中で陽極酸化し、多孔質のゲート絶縁膜１４を、ゲート電極１３の表面に形成する。電解液としては、アンモニアで中性化した１％酒石酸水溶液の他に、中性化した各種酸系水溶液を用いることができる。
最後に、ソース又はドレイン電極１５、有機半導体層１６及びドレイン又はソース電極１７を、ゲート絶縁膜１４上に順次積層し、図２Ａに示す有機トランジスタを製造する。このように製造された図２Ａに示す有機トランジスタは、全体が１個のトランジスタとして動作する。
本実施の形態によれば、陽極酸化法で形成された多孔質膜をテンプレートマスクとして用いることによって、微細なドット構造を有する有機トランジスタのゲート電極を形成し、従来のリソグラフィー技術を用いることなく素子寸法の微細化を達成することができる。これによって、高移動度かつ高遮断周波数の有機トランジスタを製造することができる。このようにして製造された有機トランジスタは、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を達成することができる。
図３Ａは、本発明による画像表示装置の一実施の形態の平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのIX−IX断面図である。この場合、図２Ａに示す有機トランジスタを、アクティブスイッチング素子として液晶表示装置を構成している。
本実施の形態において、下部のソース又はドレイン電極ライン３１と上部のドレイン又はソース電極ライン３２との交差する部分が、有機トランジスタの動作領域ａとなり、これらソース又はドレイン電極ライン３１及びドレイン又はソース電極ライン３２を種々選択することによって、動作領域ａを任意に選択することができる。
画素電極３３を、ドレイン又はソース電極ライン３２に接続するようスパッタ法で形成する。画素電極３３としては、透過型表示装置を構成する場合には透明電極（ＩＴＯ）を使用し、反射型表示装置を構成する場合には金属反射皮膜を使用する。画像電極３３には、選択された動作領域ａの有機トランジスタ及びドレイン又はソース電極ライン３２を通じて画像データが送られる。ゲートへの信号は、有機トランジスタの基板上の導電層から供給される。
従来の有機トランジスタでは、ソース電極及びドレイン電極の加工寸法によって素子の大きさの制約が大きかったが、本実施の形態によれば、ソース電極及びドレイン電極の加工寸法に関係なくナノオーダの微細な有機トランジスタを形成することができるので、素子の大きさの制約が小さくなる。
また、ドレインとソース配線の交差部分である動作領域ａで複数のチャネルを並列にして有機トランジスタを動作させることができるので、高速動作及び大きなドレイン電流の変調が可能となり、これによって、液晶・電気泳動などの表示素子を駆動した場合、高周波数でも優れた表示特性を得ることができる。
図４Ａは、本発明による画像表示装置の他の実施の形態の平面図であり、図４Ｂは、図４ＡのＸ−Ｘ断面図である。この場合、図１Ａに示す有機トランジスタを、アクティブスイッチング素子として液晶表示装置を構成している。
本実施の形態において、下部のソース又はドレイン電極ライン４１と上部のドレイン又はソース電極ライン４２との交差する部分が、有機トランジスタの動作領域ｂとなり、これらソース又はドレイン電極ライン４１及びドレイン又はソース電極ライン４２を種々選択することによって、動作領域ａを任意に選択することができる。
画素電極４３を、ドレイン又はソース電極ライン４２に接続するようスパッタ法で形成する。画素電極４３としては、透過型表示装置を構成する場合には透明電極（ＩＴＯ）を使用し、反射型表示装置を構成する場合には金属反射皮膜を使用する。画像電極４３には、選択された動作領域ｂの有機トランジスタ及びドレイン又はソース電極ライン４２を通じて画像データが送られる。ゲートへの信号は、有機トランジスタの基板上の多孔質膜を構成するＡｌ部分を通じて供給される。
図５は、本発明による画像表示装置の他の実施の形態を示す図である。本実施の形態では、図２Ａに示す有機トランジスタを、アクティブスイッチング素子としてＥＬ表示装置を構成している。
図５において、発光層５１は有機トランジスタ５２の上に位置し、ドレイン電極５３は発行層５２の上に位置する。この場合、有機トランジスタ５２は、垂直方向にドレイン電流が流れるため、例えば有機半導体層にペンタセンを用いれば、これが正孔輸送層となり、ソース／ドレイン間に印加する電圧に応じて発光層５１の輝度を制御することができる。
また、図示したように、単画素で複数の有機トランジスタを使用しているので、大きな駆動電流を流すことができ、特に有機ＥＬ素子などの駆動に有利である。さらに、図３，４と同様な方法で電極ラインを形成することによって、画像表示素子を構成することができる。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、幾多の変更及び変形が可能である。
例えば、上記実施の形態において、有機トランジスタの場合について説明したが、一部で高温プロセスが可能である場合には、本発明を無機トランジスタに適用することもできる。なお、無機材料としては、例えばシリコンを用いる。また、ＰＶＰの希釈を、上記実施の形態で説明したものに限らず、種々の溶媒及び濃度で行うことができる。
例えば、上記実施の形態において、有機トランジスタの場合について説明したが、一部で高温プロセスが可能である場合には、本発明を無機トランジスタに適用することもできる。なお、無機材料としては、例えばシリコンを用いる。また、ＰＶＰの希釈を、上記実施の形態で説明したものに限らず、種々の溶媒及び濃度で行うことができる。
また、図２Ｂ〜２Ｋにおいて、金属材料を堆積してゲート電極を形成するためにマスクを使用したが、導電層をエッチングしてゲート電極を形成するためにマスクを使用することもできる。さらに、図５において、図２Ａに示す有機トランジスタの代わりに図１Ａに示す勇気トランジスタを使用しても、構成及び動作においてほぼ同一となる。
１，１１ 基板
２，１２ 導電層
３ 絶縁層
４，１３ ゲート電極
５，１４ ゲート絶縁膜
６，１５ ソース又はドレイン電極
７，１６ 有機半導体層
８，１７ ドレイン又はソース電極
９ Ａｌ層
１０，１９ ナノホール（孔）
１８ アルミ膜
２０ バリア層部分
２１ マスク
３１，４１ ソース又はドレイン電極ライン
３２，４２ ドレイン又はソース電極ライン
３３ 画素電極
５１ 発光層
５２ 有機トランジスタ
５３ ドレイン電極
ａ，ｂ 動作領域
２，１２ 導電層
３ 絶縁層
４，１３ ゲート電極
５，１４ ゲート絶縁膜
６，１５ ソース又はドレイン電極
７，１６ 有機半導体層
８，１７ ドレイン又はソース電極
９ Ａｌ層
１０，１９ ナノホール（孔）
１８ アルミ膜
２０ バリア層部分
２１ マスク
３１，４１ ソース又はドレイン電極ライン
３２，４２ ドレイン又はソース電極ライン
３３ 画素電極
５１ 発光層
５２ 有機トランジスタ
５３ ドレイン電極
ａ，ｂ 動作領域
Claims (7)
- 基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする有機又は無機トランジスタ。 - 基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成したことを特徴とする有機又は無機トランジスタ。 - 基板上にＡｌ層を形成し、該Ａｌ層を陽極酸化することで、ゲート電極、及び、該ゲート電極を被覆するとともに複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜を、基板上に形成するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする有機又は無機トランジスタの製造方法。 - スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを基板上に配置し、金属材料を、該マスクを通じて堆積させることで、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極を形成するステップと、
該ゲート電極が形成された基板を陽極酸化することで、前記ゲート電極を絶縁膜で被覆するステップと、
ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成するステップとを具えることを特徴とする有機又は無機トランジスタの製造方法。 - 前記マスクは、アルミ膜を陽極酸化してナノホール及びバリア層を形成し、該ナノホール底部にあるアルミ膜及びバリア層を選択的エッチングにより除去することで作製されることを特徴とする請求項４に記載の有機又は無機トランジスタの製造方法。
- 行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成されたゲート電極と、
そのゲート電極を被覆するとともに、複数のナノホールを有する多孔質絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極及び多孔質絶縁膜は、前記基板上にＡｌ層を形成した後、該Ａｌ層を陽極酸化し、表面にアルミナ酸化皮膜が形成されたＡｌのポーラス膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を前記ナノホールに設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする画像表示装置。 - 行列配置された複数の画素と、
これら画素にそれぞれ対応する有機又は無機トランジスタとを具え、
その有機又は無機トランジスタが、
基板と、
その基板上に形成され、ナノスケールの微細な間隔を有するドット状のゲート電極と、
そのゲート電極を被覆する絶縁膜とを具え、
前記ゲート電極は、スルーホール化したポーラスアルミナ膜からなるマスクを前記基板上に配置し、金属材料を該マスクを通じて堆積してなり、前記絶縁膜は、前記ゲート電極が形成された基板を陽極酸化して得られる多孔質膜からなり、
さらに、ソース電極、有機又は無機半導体層及びドレイン電極の積層構造を、前記絶縁膜が被覆されたゲート電極の周辺に設けて、前記基板と垂直方向にチャネルを形成し、
前記ソース電極、ゲート電極、又はドレイン電極を、画素間配線として用いるためにライン状に形成したことを特徴とする画像表示装置。
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