JP4801037B2 - 電子素子、及びその製造方法 - Google Patents

電子素子、及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4801037B2
JP4801037B2 JP2007322526A JP2007322526A JP4801037B2 JP 4801037 B2 JP4801037 B2 JP 4801037B2 JP 2007322526 A JP2007322526 A JP 2007322526A JP 2007322526 A JP2007322526 A JP 2007322526A JP 4801037 B2 JP4801037 B2 JP 4801037B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
region
insulating layer
organic insulating
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007322526A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008160108A (ja
Inventor
アルトゥール・マテア
ヨルグ・フィッシャー
マルクス・シェーディヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP06126004A external-priority patent/EP1933393A1/en
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of JP2008160108A publication Critical patent/JP2008160108A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4801037B2 publication Critical patent/JP4801037B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/236—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers using printing techniques, e.g. applying the etch liquid using an ink jet printer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

本発明は、電子素子及びその製造方法に係り、さらに詳細には、バンク構造を含む有機発光素子(ＯＬＥＤ)及びその製造方法に関する。また、本発明は、配線を備えたバンク構造の電子素子及び前記電子素子の製造において、配線を絶縁する方法に関する。さらに、本発明は、有機発光表示装置、電気泳動表示装置の薄膜トランジスタ(ＴＦＴ）のゲート電極を形成する方法に関する。
従来技術によれば、フッ素化有機高分子のような絶縁物質は、直接的にパターニングする方法が容易ではなかった。本発明で絶縁物は、２．０ＭＶ／ｃｍ以上のしきい電圧を有すると理解される。したがって、フッ素化有機高分子のような絶縁物質をインクジェットプリンティングのような経済的な方法でパターニングする方法を提供するものである。
例えば、有機発光表示装置を製造するために、有機発光物質を含む液体インクは、表示装置それぞれの画素領域に形成されうる。しかし、インク濡れ（ｉｎｋ ｗｅｔｔｉｎｇ）問題、例えばインクが隣接した画素領域にオーバーフローされることを防止して、所望のパターンを形成するためには、インクジェットプリンティング工程でバンク構造が必要である。しかし、そのようなバンク構造の製造は、一方では機械的隔壁を含む効率的な作動バンクを生成し、他方では親水性及び疎水性領域のパターンを形成するために、フォトレジスト(フォトリソグラフィ工程）の使用と、その後のフッ素化工程を必要とする。また、前記のようなバンク構造を形成するために、非常に多くの工程を必要とする。
本発明の目的は、バンク構造を有する電子素子の製造方法において、工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法を提供することである。
また、本発明の目的は、前記製造方法によって形成された電子素子を提供することである。
本発明は、便利な構造を簡単に形成し、工程段階を減らし、素子特性を向上させ、ディスプレイ構成のファクターを満たすパターニング方法を提供する。新技術によって、例えば有機発光素子のような電子素子で後続のプリンティング工程のためのアライン構造を形成できる。後続のコーティングのためのセルフアライン層としてパターニングされたフッ素化有機高分子を使用することによって、工程段階の減少という追加的な効果を得ることができる。さらに、本発明に関するパターニング方法は、ロールトゥーロール(ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ)と両立可能であるため、フレキシブル基板の製造に利用可能である。
本発明は、基板上に有機絶縁物からなる有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層上に有機溶媒を加えて前記有機絶縁層をパターニングする段階を含む電子素子の製造方法を提供する。
前記有機溶媒は、高分子及びフルオロ高分子のような有機絶縁層の表面に加える。望ましくは、前記溶媒は、インクジェットプリンティング方法によって加えうる。
加えられた有機溶媒は、有機絶縁物の一部を溶解し、有機溶媒の運動エネルギーによって溶解された有機絶縁物は、側面に流れる。以後の有機溶媒の液滴は、さらに多くの有機絶縁物を溶解できる。このように生成された高濃度の溶液は、有機絶縁層に形成された第１グルーブの外に移動するほどの十分な運動エネルギーを有する。有機溶媒は、融点が低いために非常に速く蒸発し、溶解された有機絶縁物は、生成される第１グルーブの周辺で直ちに固化される。加えた(プリントされた)有機溶媒は、(基板上の)有機絶縁物を溶解する。したがって、有機溶媒が加えられた有機絶縁層の第１領域に第１グルーブ(ホール／凹状の領域／リセス領域）が形成される。また、溶解された有機絶縁物は、溶媒が加えられた領域外の第２領域に蓄積される。したがって、前記第１領域は、有機溶媒を加えて有機絶縁層の厚さを減少させ、前記第１領域と隣接した第２領域は、溶解された有機絶縁物が蓄積されて有機絶縁層の厚さを増大させる。前記第２領域に蓄積された有機絶縁物によって突出部が形成される。
前記のように蓄積された有機絶縁物は、例えば配線を覆ったり、後続工程のためのバンクとして使われ、フッ素化絶縁物及び有機溶媒を使用して、磁気アセンブリ構造を非常に容易に形成できる。前記のようにパターニングされた構造は、以後のパターニング方法に利用されうる。
後続工程によって、有機溶媒を利用して第１領域の有機絶縁物を完全に除去することが可能であり、または一部厚さのみを除去することも可能である。または、第１領域に有機溶媒を加えて有機絶縁物の一部厚さのみを除去した後、プラズマエッチングによって第１領域の有機絶縁物を完全に除去することも可能である。前記パターニングされた有機絶縁層上に導電層をさらに形成できるが、前記導電層は、配線、ゲート電極、画素電極、キャパシタ電極として利用されうる。
詳細には、前記製造方法は、基板上に第１導電層を形成する段階をさらに含みうる。そして、第１導電層が備えられた基板上に有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層に有機溶媒を加えて、第１導電層が露出するようにパターニングできる。この場合、露出した第１導電層上に発光層をさらに形成できる。したがって、第１導電層は、発光素子の画素電極として利用されうる。
または、第１導電層が備えられた基板上に有機絶縁層を形成し、第１導電層が露出しないように、すなわち有機絶縁層の一部厚さのみを除去してパターニングしてもよい。そして、パターニングされた有機絶縁層上に第２導電層を形成できる。この場合、第１導電層、有機絶縁層、及び第２導電層は、キャパシタ電極と誘電体とからなるキャパシタ素子でありうる。
概して言えば、既にコーティングされた物質でいくつかの構造を形成することは、簡単で速い単一工程のパターニング方法である。前記方法は、特にフレキシブルな電子素子のために適用されうる。有機発光素子(ＯＬＥＤ)または有機薄膜トランジスタ(ＯＴＦＴ)のような有機素子の回路は、多くの活性及び非活性要素からなり、経済的に製造される必要がある。本発明の新たな技術は、性能を向上させ、製造工程を短縮して、簡単な方法で多くの前記要素を生産できる。
また、本発明は、基板、前記基板上に形成され、有機絶縁物からなる有機絶縁層を含む電子素子であって、前記有機絶縁層が第１グルーブを有する第１領域と、前記第１グルーブと接するように突出部を備える第２領域とを備える電子素子を提供する。
本発明において突出部は、有機溶媒を加える前の初期有機絶縁層から突出した部分を意味する。
前記第１領域は、有機溶媒が加えられることでその厚さが減少して第１グルーブを有し、前記第１領域と隣接した第２領域は、第１領域から溶解された有機絶縁物が蓄積されて突出部を備える。この場合、第２領域は、複数の突出部を備え、複数の突出部により第２グルーブを形成できる。第１グルーブは、最初の有機絶縁層に有機溶媒を加えることによって、第１領域の有機絶縁物を完全に除去するか、または厚さを減少させることによって、第１グルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さは、初期有機絶縁層より小さくなる。しかし、第２グルーブは、最初有機絶縁層上に突出部により形成されることによって、第２グルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さは、初期有機絶縁層の厚さと同一であるかそれ以上でありうる。したがって、第２グルーブは、第１グルーブより底面に相当する有機絶縁層の厚さが厚くなる。
前記電子素子は、基板と有機絶縁層との間に第１導電層をさらに備えることができる。前記電子素子は、第１グルーブ、または第２グルーブに形成されるか、前記突出部に埋め込まれた第２導電層をさらに備えてもよい。
前記導電層は、ゲート電極、画素電極、配線、キャパシタ電極として利用されうる。
本発明の第１側面によれば、電子素子の製造方法は、有機絶縁物からなる少なくとも一つの構造層を形成できる。前記製造方法は、基板を提供する段階、前記基板上に有機絶縁物からなる連続的な有機絶縁層を形成する段階、及び前記連続的な有機絶縁層上に有機溶媒を直接加える段階を含む。有機溶媒を使用することによって、直接パターニングが可能になってバンク構造の製造工程数、特に表示装置のためのバンク構造の製造工程数を減らすことができる。前記バンク構造は、以後有機発光物質のインクジェットプリンティング工程のために使われる。望ましくは、前記連続的な有機絶縁層の複数の第１領域のそれぞれに有機溶媒を加えて、第１領域の厚さは減少し、隣接する第１領域の間に定義される複数の第２領域には、有機溶媒が加えられず、第１領域で溶解された有機絶縁物が蓄積されて厚さが増大する。望ましくは、第１領域は、有機発光表示装置の画素領域を形成し、第２領域は、有機発光表示装置の非画素領域を形成できる。したがって、複数の画素領域を含むバンク構造を、直接パターニング方法により製造できる。有機発光表示装置などを製造する間、(プリントされる)インクのための機械的な隔壁を形成することによって、インクが隣接した画素領域にオーバーフローされないようにする。
第１領域は、第２領域により隣接した第１領域から分離され、第２領域の連続的な有機絶縁層の厚さが、隣接した第１領域の連続的な有機絶縁層の厚さより厚く形成される。望ましくは、有機溶媒は、マトリックスに配列された複数の第１領域に加えられる。または、有機溶媒を互いに平行に配列された複数のライン状の第１領域に加えて、ライン状の第１領域のそれぞれが、有機発光表示装置の水平または垂直方向に延長され、各対の隣接したライン状の第１領域が互いに均一の距離を有するようにすることができる。
有機溶媒が加えられた第１領域で有機絶縁層の厚さは減少し、有機溶媒が加えられていない第２領域には、溶解された有機絶縁物が蓄積されて厚さが増大する。前記のようなバンク構造は、第２領域が第１領域の厚さより１０倍以上厚い隔壁を含むことができる。望ましくは、有機溶媒を利用して第２領域のそれぞれで有機絶縁層の厚さが、隣接した第１領域で有機絶縁層の厚さより少なくとも２倍以上、さらに望ましくは、５倍以上、さらに一層望ましくは、８倍以上厚く形成される。(有機溶媒が加えられる)第１領域で有機絶縁層の正確な厚さ減少量は、次のようなパラメータ：有機絶縁層の物質、有機絶縁層の初期厚さ、第１領域に加えた有機溶媒の種類及び量、そして第１領域の表面積により調節できる。前記パラメータを調節して第１領域の有機絶縁物を完全に除去するか、または第１領域の有機絶縁層の厚さ一部を減少させることができる。前記パラメータの調節により、第１領域及び第２領域での有機絶縁層の厚さ比も制御できる。有機発光表示装置製造のためのバンク構造を形成するために、隣接した第１領域は、望ましくは１０μｍ〜１５０μｍ、さらに望ましくは３０μｍ〜８０μｍのピッチ(隣接した二つの第１領域間の中心間隔)を有するように形成される。
本発明の第２側面によれば、有機発光表示装置を製造する方法が開示される。前記製造方法は、基板を提供する段階、前記基板上に第１電極(前記第１電極は、望ましくアノード層である)を形成する段階、前記第１電極上に連続的な有機絶縁層を形成する段階、第１電極が露出するように第１領域(画素領域）の有機絶縁層に有機溶媒を加えて、有機絶縁物を完全に溶解及び除去する段階を含む。また、有機発光層が各画素領域の露出した第１電極上に形成され、第２電極が有機発光層上に形成される。また、水分及び酸素によって有機発光物質が劣化されることを防止するためにディスプレイデバイス全体が密閉されることが好ましい。有機発光物質からなる有機発光層は、インクジェットプリンティングまたはスピンコーティングにより第１電極上に形成されうる。また、フッ素化絶縁物が使われる時、第１領域(画素領域）の第１電極上にディッピングにより有機発光層を形成することが望ましい。
本発明の第３側面によれば、配線を製造する方法が開示される。前記製造方法は、基板を提供する段階、前記基板上に連続的な有機絶縁層を形成する段階、連続的な有機絶縁層上に少なくとも一つの配線を形成する段階、及び少なくとも一つの配線と隣接する少なくとも一領域に有機溶媒を加えて、前記有機溶媒が加えられた第１領域のエッジ及び／または有機溶媒が加えられていない第２領域に溶解された有機絶縁物が蓄積されることによって、前記溶解された有機絶縁物が前記配線を完全に覆って封入する段階を含む。本発明によれば、配線を非常に容易に封入できる。前記有機溶媒が加えられた第１領域と隣接している第２領域または第１領域のエッジに蓄積された有機絶縁物の量は、有機絶縁物(物質及び厚さ)及び有機溶媒(溶媒の量及び溶媒が適用される表面積）の選択により容易に調節できる。配線の封入のために、前記少なくとも一つの配線は、１μｍ〜２００μｍの幅及び０．０３μｍ〜３μｍの厚さに形成されうる。さらに望ましくは、前記少なくとも一つの配線幅は、５μｍ〜５０μｍであり、厚さは、０．１μｍ〜２μｍでありうる。また、望ましくは、有機溶媒が加えられる有機絶縁層の第１領域は、前記少なくとも一つの配線から１０μｍ〜５０μｍ離隔され(さらに望ましくは、２０μｍ〜４０μｍ)、前記少なくとも一つの配線の長さに垂直方向に５０μｍ〜５００μｍ(さらに望ましくは、１００μｍ〜３００μｍ)延びる。また、本発明の方法によれば、同時に２以上の配線を封入できる。二つの平行した配線を封入するために、有機溶媒を配線の間の有機絶縁層領域に適用する。したがって、本発明によれば、第１方向に延長する少なくとも二つの平行した配線を連続的な有機絶縁層上に形成し、前記二つの配線の間の少なくとも一領域に有機溶媒を加えて、有機溶媒が加えられた第１領域内の有機絶縁物を溶解し、溶解された有機絶縁物が蓄積されて、前記二つの平行した配線を覆うことができる。望ましくは、前記二つの平行した配線のそれぞれは、１０μｍ〜５０μｍ(さらに望ましくは、２０μｍ〜４０μｍ）の幅、及び０．０３μｍ〜３μｍ(さらに望ましくは、０．１μｍ〜２μｍ）の厚さに形成され、隣接した前記配線間の距離は、７０μｍ〜５００μｍ(さらに望ましくは、１００μｍ〜４００μｍ)に形成される。また、望ましくは、有機溶媒が加えられた有機絶縁層の第１領域は、前記二つの平行した配線のそれぞれから１０μｍ〜５０μｍ(さらに望ましくは、２０μｍ〜４０μｍ)離隔され、前記第１領域は、前記配線と垂直方向の５０μｍ〜５００μｍ(さらに望ましくは、１００μｍ〜４００μｍ)幅を有する。また、前記有機溶媒を加えることによって、有機絶縁物で覆われた配線と異なる方向に沿って延びる追加配線をさらに形成できる。さらに望ましくは、封入された配線上に形成された追加の配線は、封入された配線の方向と垂直に延長する方向を有する。
本発明によれば、“第１層は、第２層上に適用される”または“第１層は、第２層上に配置される”または“第１層は、第２層の上に形成される”または“第１層は、第２層上に形成される”は、第１層が第２層上に直接的に配置されると理解されるが、これに限定されず、第１層及び第２層の間に少なくとも一層の第３層がさらに形成されることもある。
本発明の第４側面によれば、有機溶媒を連続的な有機絶縁層上に加えて有機薄膜トランジスタを容易に製造できる方法が開示される。有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を提供する段階、ソース電極、半導体物質のチャンネル領域、及びドレイン電極を備える機能層を形成する段階、及び前記機能層を覆うように連続的な有機絶縁層を形成する段階を含む。そして、薄膜トランジスタのチャンネル領域上に配置されるゲート電極は、前記有機絶縁層上に形成される。そして、有機溶媒をゲート電極と隣接した有機絶縁層の第１領域に加えて、前記第１領域の有機絶縁物を溶解する。したがって、溶解された有機絶縁物は、ゲート電極を封入する。有機溶媒が加えられた有機絶縁層の第１領域は、第１グルーブを形成する。望ましくは、連続的な有機絶縁層は、０．１μｍ〜２μｍ(さらに望ましくは、０．５μｍ〜１．５μｍ）の厚さに形成し、少なくとも一つのゲート電極は、１０μｍ〜３００μｍの幅及び０．３μｍ〜３μｍの厚さに形成され、前記少なくとも一つのゲート電極と前記第１領域との距離は、１０μｍ〜５０μｍ(さらに望ましくは、２０μｍ〜４０μｍ)に形成される。
本発明の第５側面によれば、画素電極に連結された薄膜トランジスタを備える表示装置を開示する。基板上にソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極を備える機能層を形成する。前記機能層を覆うように連続的な有機絶縁層を形成する。そして、有機溶媒を画素電極の上部に対応する有機絶縁層の第１領域(第１画素)に加える。したがって、前記第１領域と隣接し、ソース電極及びドレイン電極の上部に対応する有機絶縁層の第２領域に有機絶縁物を蓄積する。前記第２領域に蓄積された有機絶縁物は、突出部を形成する。前記突出部は、第２領域の両側に隣接した第１領域に有機溶媒を加えることによって複数個形成できる。したがって、隣接した突出部により第２グルーブを形成でき、前記第２グルーブは、チャンネル領域の上部に対応する有機絶縁層の第２領域に形成しうる。そして、前記第２グルーブにゲート電極を形成する。また、第１領域の有機絶縁物が完全に除去されるように、第１領域に有機溶媒を加えることによって、第１領域は画素領域に形成できる。前記ゲート電極上にパッシベーション層を形成できる。連続的な有機絶縁層は、０．１μｍ〜２μｍ(望ましくは、０．５μｍ〜１．５μｍ）の厚さに形成され、グルーブと隣接した第１領域と前記グルーブとの距離が５０μｍ〜５００μｍ(望ましくは、１００μｍ〜４００μｍ)に形成される。
本発明の第６側面によれば、キャパシタ製造方法が開示される。前記キャパシタのキャパシタンスは、誘電体層の厚さを利用して調節できる。前記方法は、基板を提供する段階、前記基板上に第１キャパシタ電極を形成する段階、及び前記第１キャパシタ電極上に連続的な有機絶縁層を形成する段階を含む。前記有機絶縁層は、キャパシタ電極の間に介在される誘電体層として使われる。望ましくは、前記有機絶縁層は、１μｍ〜５μｍの厚さに形成する。キャパシタの誘電体層厚さを調節するために、第１キャパシタ電極の上部に対応する有機絶縁層の第１領域(望ましくは全体)に有機溶媒を加えて、有機絶縁層の厚さを減少させる。有機絶縁層の厚さを減少させた後、前記有機絶縁層上に第２キャパシタ電極を形成する。望ましくは、第１キャパシタ電極を覆う有機絶縁層の厚さは、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ(さらに望ましくは、５０ｎｍ〜５００ｎｍ)に調節する。望ましくは、第１キャパシタ電極及び第２キャパシタ電極は、５０μｍ〜５００μｍの長さ及び５０μｍ〜５００μｍの幅に形成される。
本発明の第７側面によれば、マトリックスに配列された基板上にソース電極、チャンネル領域、及びドレイン電極を備える機能層を形成する。前記機能層を覆うように連続的な有機絶縁層を形成する。前記チャンネル領域の上部に対応する有機絶縁層の第１領域に有機溶媒を加えて、有機絶縁層の厚さを減少させる。前記第１領域上にゲート電極を形成する。チャンネル領域を覆う有機絶縁層は、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ(望ましくは、５０ｎｍ〜５００ｎｍ）の厚さに調節する。チャンネル領域のそれぞれは、５ｎｍ〜５００μｍの長さ及び１０μｍ〜５００μｍの幅を有するように形成する。
本発明の第８側面によれば、表示装置のための画素定義層の製造方法が開示される。画素定義層の製造方法は、(望ましくはマトリックスに配列された)基板を提供する段階、前記基板上に第１電極を形成する段階、前記第１電極上に連続的な有機絶縁層を形成する段階、及び複数の画素領域のための有機絶縁層の第１領域に溶媒を加える段階を含む。したがって、前記第１領域の下部に配置された第１電極を露出し、前記第１領域(画素領域)と隣接する有機絶縁層の第２領域に溶解された有機絶縁物を蓄積して画素定義層を形成する。隣接した第１領域(画素領域)のピッチ(隣接する画素領域間の中心距離）は、１０μｍ〜１５０μｍ(望ましくは、４０μｍ〜１００μｍ)である。
本発明の第９側面によれば、絶縁層内にコンタクトホール、ビアホール、スルーホールなどを製造する方法を提供する。前記製造方法は、基板を提供する段階、基板上に連続的な有機絶縁層を形成する段階、及びコンタクトホールが形成される有機絶縁層の第１領域に有機溶媒を加える段階を含む。コンタクトホールの抵抗力を低下させるために、プラズマエッチング処理を(望ましくは、マイクロ波プラズマ装置のアルゴンプラズマを利用して)行うことができる。前記プラズマ処理は、複数の(望ましくは、マトリックスに配列された)コンタクトホールを含む基板上に行われうる。前記プラズマ処理は、１０秒〜１２０秒間行なわれる。望ましくは、電源は、２０Ｗ〜１００Ｗの範囲を有する。望ましくは、ガスは１０ｃｃｍ〜５０ｃｃｍの範囲を有する。望ましくは、電極距離は、１５ｍｍ〜７５ｍｍの範囲を有する。望ましくは、圧力は、０．０１ｍｂａｒ〜０．１ｍｂａｒを有する。望ましくは、基板温度は、常温である。
以下の説明は、前記説明された本発明に適用される。望ましくは、連続的な有機絶縁層は、完全に有機絶縁物で形成する。望ましくは、有機絶縁層は、スピンコーティング、ディップコーティング、スクリーンプリンティングまたはオフセットプリンティングにより形成する。望ましくは、有機絶縁層は、０．１μｍ〜３μｍの厚さに形成する。望ましくは、有機絶縁層は、全体基板上に均一の厚さを有するように形成する。
望ましくは、有機絶縁物は、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(ブチルメタクリレート)、ポリ(シクロヘキシルメタクリレート)、ポリイソブチレン、及びポリプロピレンからなる群から選択される。
望ましくは、フッ素化有機高分子は、連続層用の有機絶縁物として使われる。さらに望ましくは、有機絶縁物は、ポリヘキサフルオロプロペン、フッ素化ポリパラキシレン、フルオロポリアリールエーテル、フルオロポリアルキルエーテル、フッ素化ポリアミド、フッ素化エチレン／プロピレン共重合体、ポリ−(１，２−ジ−(ジフルオロメチレン)−パーフルオロ−テトラヒドロフラン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択される。
望ましくは、有機溶媒は、非極性溶媒である。さらに望ましくは、有機溶媒は、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、キシレン、ｎ−ヘキサン、トルエン及びシクロヘキサンからなる群から選択される。望ましくは、有機溶媒は、アニソール、３，４−ジメチルアニソール、１，２−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、メチルベンゾエート及びエチルベンゾエートからなる群から選択される。望ましくは、有機溶媒３は、パーフルオロヘプタン、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロデカン、パーフルオロウンデカン、パーフルオロドデカン、パーフルオロデカリン、パーフルオロメチルデカリン、パーフルオロ−ジメチルエーテル、パーフルオロ−テトラヒドロフラン、パーフルオロ−メチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−エチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−ジプロピルエーテル、パーフルオロ−ジイソプロピルエーテル、パーフルオロ−エチルプロピルエーテル、パーフルオロ−２−ブチルテトラヒドロフラン、過フッ素化飽和第３アミン、ヘプタコサフルオロトリブチルアミン、及びメトキシノナフルオロブタンからなる群から選択されたものである。
本発明は、バンク構造を有する電子素子の製造工程を減らして簡素化できる。特に、本発明は、フッ素化有機高分子のような有機絶縁層を有機溶媒を利用して、バンク構造を形成するように容易にパターニングすることができる。したがって、有機発光素子のようにバンク構造を必要とする電子素子の製造において、後続するプリンティング工程のためにバンク構造を容易に形成できる。また、本発明に関する電子素子の製造方法は、ロールトゥーロール(ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ)と両立可能であるので、フレキシブル基板にも適用されうる。
以下、添付された図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図１Ａないし図１Ｄは、本発明に関する電子素子の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の断面図である。
図１Ａは、バンク構造を有する基板の断面図を示す。図１Ｂは、図１Ａのバンク構造の拡大図である。有機発光素子の製造工程に使われるバンク構造を有する基板は、連続的な有機絶縁層を含む。バンク構造を形成するために、画素領域を定義する有機絶縁層の第１領域４に有機溶媒(図示せず)を加える。有機溶媒(図示せず)は、画素領域に相当する有機絶縁物を溶解し、溶解された有機絶縁物は、第１領域と隣接した有機絶縁層の第２領域５に蓄積される。本実施形態において第２領域５は、非画素領域に相当する。有機溶媒の量と画素領域間の距離とによって非画素領域は、単一突出部(図１Ｃ及び図１Ｄ参照)、または二重突出部(図１Ａ及び図１Ｂ参照)に形成できる。また、非画素領域で非常に急勾配の突出部を形成でき、前記突出部は、画素領域で連続的な有機絶縁層の厚さより１０倍程度の高さを有する。また、画素領域の有機絶縁物を完全に除去するか、所定厚さに減少(及び制御)できる。
図２は、本発明に関する電子素子の製造方法の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の製造方法を説明するための図である。
まず、図２(ａ)を参照すれば、望ましくは、平坦な上部表面を有し、ガラスまたはプラスチック基板である、基板１を提供する。図２(ｂ)を参照すれば、連続的な有機絶縁層２を基板１上に形成する。望ましくは、連続的な有機絶縁層２は、均一の厚さを有する。図１Ｃを参照すれば、画素領域に対応する有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒３を加える。有機溶媒３は、第１領域４の有機絶縁物を溶解して第１グルーブｇ１を形成する。そして、溶解された有機絶縁物は、第１領域４のエッジ及び第１領域４と隣接した第２領域５に蓄積されて突出部Ｐを形成する。図２（ｄ）を参照すれば、第１領域４の有機絶縁層２の厚さは、有機溶媒３の量により調節できる。左側第１領域４の有機絶縁層２は、厚さを減少させたものであり、有機絶縁物が完全に除去されないものである。右側第１領域４の有機絶縁層２には、相対的に多量の有機溶媒３を加えて、有機絶縁物が完全に除去されたものである。隣接した第１領域４の間に第２領域５を形成する。第２領域５は、溶解された有機絶縁物が蓄積されて複数の突出部Ｐを備える。したがって、第１領域４の層厚さが減少し、第２領域５の層厚は増大する。第２領域５は、隣接した突出部Ｐにより形成された第２グルーブｇ２を備える。本実施形態において、第１領域４は、画素領域であり、第２領域５は、非画素領域に対応する。
図３は、本発明に関する電子素子の製造方法の他の実施形態であり、有機発光素子の製造方法を説明するための図である。
まず、図３(ａ)を参照すれば、基板１が提供される。図３(ｂ)を参照すれば、第１電極６、例えばインジウムスズ酸化物(ＩＴＯ)を基板１上に形成する。図３（ｃ）を参照すれば、連続的な有機絶縁層２を第１電極６を覆うように基板１上に形成する。そして、有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒(図示せず)を加える。望ましくは、前記第１領域４は、マトリックスに配列された複数の画素領域に対応する。有機溶媒の量を調節して、第１電極６を露出させるように第１領域４の有機絶縁物を完全に溶解及び除去する。したがって、第１領域４は、第１グルーブｇ１を備える。
最初に示された構成要素を除いては、明確な図面符号は全図面の全構成要素に添付されないこともある。したがって、同じハッチングを有する構成要素は、同じ機能の構成要素を示すと理解されうる。
図３（ｄ）を参照すれば、前記第１領域４と隣接した有機絶縁層２の第２領域５は、溶解された有機絶縁物の蓄積により形成された突出部Ｐを備える。本実施形態において、第２領域５は、非画素領域に相当する。本発明によれば、(非画素領域内の絶縁物からなる)バンク構造のパターニングは、有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の厚さを減少するか、または完全に除去しなければならない領域に溶媒を加えることによって容易に行われうる。したがって、フォトリソグラフィ工程のような費用のかかる工程を行なわなくてもよい。図３（ｅ）を参照すれば、有機発光層７及び第２電極８を形成することによって、有機発光素子を完成できる。選択的に、正孔輸送層２０を第１電極６と有機発光層７との間に形成できる。
図４は、本発明に関する電子素子の製造方法の他の実施形態であって、配線絶縁方法を説明するための図である。
有機発光素子のようなディスプレイ素子は、データ線と、ゲート線と、トランジスタ、キャパシタ、及び発光ダイオードの間の配線とを備える。望ましくは、複数の配線が交差する場合、少なくとも二つの配線間の短絡を防止するために、少なくとも一つの配線を封入しなければならない。図４(ａ)を参照すれば、(ディスプレイ素子用)基板１を準備する。連続的な有機絶縁層２を基板１上に形成する。図４（ｃ）を参照すれば、少なくとも一つの配線(本実施形態では３本の配線)９を連続的な有機絶縁層２上に形成する。左側及び中央の配線９を封入するために、左側及び中央の配線９の間に相当する有機絶縁層２の第１領域に有機溶媒(図示せず)を加える。図４（ｄ）を参照すれば、有機溶媒は、前記第１領域の有機絶縁物を溶解して第１グルーブｇ１を形成する。そして、配線９の周辺領域に対応する領域、すなわち有機溶媒が加えられていない有機絶縁層２の第２領域は、溶解された有機絶縁物が蓄積されて突出部Ｐを形成する。溶解された有機絶縁物が蓄積されることによって、左側及び中央の配線９を封入できる。図４（ｅ）を参照すれば、左側及び中央の配線９を完全に封入した後、交差する配線９をさらに形成できる。前記のような方法は、有機発光表示装置の製造に使われうる。
図５は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、画素電極に連結された有機薄膜トランジスタを製造する方法を示す。
有機薄膜トランジスタ(ＯＴＦＴ）は、ソース電極１１、半導体物質からなるチャンネル領域１２、ドレイン電極１３、ゲート絶縁層２、及びゲート電極１５を備える。画素電極１４に連結された有機薄膜トランジスタを含む構造を経済的に製造するために、図５(ａ)を参照すれば、基板１が提供される。図５(ｂ)及び図５（ｃ）を参照すれば、基板１上に複数のソース電極１１、ドレイン電極１３、画素電極１４、及びチャンネル領域１２を形成する。複数のソース電極１１、チャンネル領域１２、ドレイン電極１３、及び画素電極１４を覆うように、基板１上に連続的な有機絶縁層２を形成する。以後、図５（ｅ）を参照すれば、ゲート電極１５を、チャンネル領域１２の上部に配置される有機絶縁層２上に形成する。画素電極１４の上部に対応する有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒を加えて、画素電極１４を露出させる。前記第１領域４と隣接し、ゲート電極１５が配置された第２領域５に溶解された有機絶縁物を蓄積することによって、ゲート電極１５を封入する。前記第２領域は、ゲート電極１５が埋め込まれた突出部Ｐを備える。
図６及び図７は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、電気泳動表示装置を製造する方法を示す。
図６を参照すれば、電気泳動表示装置は、マトリックスに配列された複数の画素を備え(図６は、単に一つの画素を示す)、各画素は、有機薄膜トランジスタを備え、有機薄膜トランジスタは、ソース電極１１’、ドレイン電極１３’、ソース電極１１’とドレイン電極１３’との間に配置されたチャンネル領域１２’、及びチャンネル領域１２’と絶縁されたゲート電極からなる。ゲート電極は、走査線１５’と連結され、ドレイン電極１３’は、データ線２１と連結される。前記表示装置は、互いに横切る複数のデータ線２１と複数の走査線とを備え、複数のデータ線２１と複数の走査線によって画素が定義される、また、各画素は、画素電極１４’を備える。図７(ａ)は、ソース電極１１、チャンネル領域１２、ドレイン電極１３、及びゲート電極を備える有機薄膜トランジスタを備えた第１構造を提供する。前記第１構造は、図５で説明された方法によって形成できるか、または以後図８で説明される方法によって形成できる。また、フレキシブル基板２２、活性電気泳動物質層２３、及び保護接着層２４を備える第２構造を提供する。図７(ｂ)を参照すれば、前記第１構造上に前記第２構造を形成して電気泳動表示装置を製造する。したがって、電気泳動表示装置は、複数の画素を備え、各画素は、有機薄膜トランジスタと電気泳動発光素子とを備える。前記有機薄膜トランジスタは、ソース電極１１、チャンネル領域１２、ドレイン電極１３、及びゲート電極１５を備え、ソース電極１１は、複数のデータ線２１のうち一つと連結され、ゲート電極１５は、複数のゲート線または走査線のうち一つと連結される。前記電気泳動発光素子は、画素電極１４、保護接着層２４、活性電気泳動物質層２３、フレキシブル基板２２を備える。また、前記電気泳動発光素子は、対向電極を備えうる。
図８は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、有機発光表示装置を製造する方法を説明するための図である。
前記有機発光表示装置は、画素電極に連結された有機薄膜トランジスタを備える画素領域を含む。まず、図８(ａ)ないし図８（ｃ）を参照すれば、基板１を提供し、各画素領域のために、ソース電極１１、ドレイン電極１３、半導体物質からなるチャンネル領域１２、及び画素電極１４を前記基板１上に形成する。以後、図８（ｄ）を参照すれば、複数のソース電極１１、チャンネル領域１２、ドレイン電極１３、及び画素電極１４を覆うように、基板１上に連続的な有機絶縁層２を形成する。有機絶縁層２は、画素電極１４の上部に対応する第１領域４と、ソース電極１１、チャンネル領域１２及びドレイン電極１３の上部に配置された第２領域５とに区分されうる。そして、有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒(図示せず)を加えて、画素電極１４を露出させる。したがって、第１領域４は、底面に画素電極１４を露出させる第１グルーブｇ１を備える。そして、溶解された有機絶縁物は、前記第１領域４と隣接した第２領域５に蓄積される。したがって、第２領域５に有機溶媒を加える前の初期有機絶縁層２から突出した突出部Ｐを備える。また、第２領域５の両側に隣接する第１領域４から溶解された有機絶縁物が蓄積されて、少なくとも２個の突出部Ｐを備えうる。したがって、隣接した２個の突出部Ｐによって第２領域５に第２グルーブｇ２が形成される。したがって、第２領域５は、中間領域に第２グルーブｇ２を含む二重リッジ(ｒｉｄｇｅ)構造を形成する。図８（ｆ）を参照すれば、ゲート電極１５は、第２グルーブｇ２内に形成される。図８（ｇ）を参照すれば、ゲート電極１５上にパッシベーション層１７を形成する。図８（ｇ）に示す構造は、有機発光表示装置、電気泳動表示装置などの製造工程に利用されうる。望ましくは、前述の方法は、有機発光表示装置の製造のために使われうる。
図９は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、キャパシタの製造方法を説明するための図である。
一般的に、アクティブマトリックス有機発光表示装置の製造のために各画素回路は、少なくとも一つのキャパシタを備える。したがって、有機発光表示装置を形成するために、複数のキャパシタを形成しなければならない。大容量のキャパシタンスを得るために、キャパシタ電極の間に薄い誘電体層を形成する必要がある。しかし、従来の誘電体層の形成方法によれば、前記誘電体層の厚さを薄く調節することが容易ではない。本実施形態によれば、有機溶媒を使用して前記誘電体層のための有機絶縁層を所望の厚さに減少及び調節できる。図９(ａ)を参照すれば、第１キャパシタ電極１８を含む基板１を準備する。連続的な有機絶縁層２を第１キャパシタ電極１８上に形成する。連続的な有機絶縁層２の厚さを減少させるために、連続的な有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒を適用して、所定厚さに減少及び調節する。そして、図９(ｂ)を参照すれば、第２キャパシタ電極１９を形成してキャパシタを形成する。望ましくは、前記キャパシタは、能動マトリックス有機発光表示装置の製造のために使われうる。
図１０は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図である。能動マトリックス有機発光表示装置を製造するために、各画素に複数の薄膜トランジスタを形成する。前記表示装置が全体的に均一の輝度を有するために、均一の電気特性を有する複数の有機薄膜トランジスタを形成する必要がある。したがって、全体基板上に、(ゲート絶縁層により絶縁された)チャンネル領域から均一の距離を有するゲート電極を形成する必要がある。
図１０(ａ)を参照すれば、基板１を準備し、基板１はソース電極１１、半導体物質からなるチャンネル領域１２、及びドレイン電極１３を備える。そして、ソース電極１１、半導体物質からなるチャンネル領域１２、及びドレイン電極１３を覆うように、基板１上に連続的な有機絶縁層２を形成する。連続的な有機絶縁層２の厚さは、１μｍ以上である。以後、チャンネル領域１２の上部に配置された連続的な有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒(図示せず)を加えて、有機絶縁層２の厚さを１μｍ以下の所望の厚さに減少及び調節する。以後、図１０(ｂ)を参照すれば、有機絶縁層２は、有機溶媒が加えられた第１領域に第１グルーブｇ１を備え、第１領域と隣接し、有機溶媒が適用されていない第２領域５に突出部Ｐを備える。ゲート電極１５を第１グルーブｇ１に形成する。望ましくは、前記有機薄膜トランジスタを製造する方法は、有機発光表示装置の製造に使われる。
図１１は、本発明に関する電子素子の製造方法に関するさらに他の実施形態であって、画素定義層の製造方法を説明するための図である。
一般的に、能動マトリックス有機発光表示装置の製造時に画素定義層を形成する。本実施形態によれば、第１電極６が形成された基板１を提供する。そして、図１１(ａ)を参照すれば、連続的な有機絶縁層２を第１電極６上に形成する。以後、有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒(図示せず)を加える。本実施形態による有機発光表示装置において、第１領域４は、画素領域に対応する。図１１(ｂ)を参照すれば、有機溶媒は、第１領域４の有機絶縁物を溶解して第１グルーブｇ１を形成し、第１グルーブｇ１の底面に第１電極６を露出させる。そして、第１領域４と隣接した第２領域５に溶解された有機絶縁物が蓄積されて、突出部Ｐが形成される。したがって、画素定義層を形成できる。
前記説明された画素定義層を形成する方法は、有機発光表示装置の製造のために使われうる。一般的に、有機発光表示装置は、マトリックスに配列された複数の画素領域を含み、各画素は、少なくとも一つの有機薄膜トランジスタを備える。有機薄膜トランジスタのソース電極は、データ線に連結され、有機薄膜トランジスタのゲート電極は、走査線に連結され、有機薄膜トランジスタのドレイン電極は、画素電極に連結される。各画素は、対向電極及び有機発光層をさらに備える。また、各画素は、画素定義層を備え、絶縁層に、例えば画素電極とドレイン電極とを連結するコンタクトホールを形成する必要がある。
図１２は、本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、コンタクトホールを製造する方法を説明するための図である。望ましくは、ガラスまたはプラスチックからなる基板１を準備し、連続的な有機絶縁層２を全体的に基板１上に形成する。以後、図１２(ｃ)を参照すれば、コンタクトホール／ビアホールが形成される有機絶縁層２の第１領域４に有機溶媒３を加える。したがって、有機絶縁層２の第１領域４は、有機溶媒が加えられて第１グルーブｇ１が形成され、第１領域４と隣接した第２領域５、すなわち有機溶媒が加えられていない第２領域５には、突出部Ｐが形成される。図１２(ｄ)を参照すれば、コンタクトホール内に残留する有機絶縁物が完全に除去されず、コンタクトホール内に少量の有機絶縁物が残っていることもある。図１２(ｄ)を参照すれば、コンタクトホールの抵抗を減少させるために、プラズマエッチング工程（プラズマエッチング処理２５）をさらに行うことができる。したがって、コンタクトホール内の有機絶縁物を完全に除去する。
本発明は、電子素子関連の技術分野に好適に用いられる。
本発明に関する電子素子の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の断面図である。 本発明に関する電子素子の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の断面図である。 本発明に関する電子素子の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の断面図である。 本発明に関する電子素子の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の断面図である。 本発明に関する電子素子の製造方法の一実施形態であって、有機発光素子の製造に使われる基板の製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法の他の実施形態であり、有機発光素子の製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、配線絶縁方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、画素電極に連結された有機薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、電気泳動表示装置を製造する方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、電気泳動表示装置を製造する方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、有機発光表示装置を製造する方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、キャパシタの製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、画素定義層の製造方法を説明するための図である。 本発明に関する電子素子の製造方法のさらに他の実施形態であって、コンタクトホールの形成方法を説明するための図である。
符号の説明
１ 基板
２ 連続的な有機絶縁層
３ 有機溶媒
４ 第１領域
５ 第２領域
６ 第１電極／(ＩＴＯ)
７ 有機発光層
８ 第２電極
９ 配線
１１ ソース電極
１２ チャンネル領域
１３ ドレイン電極
１４ 画素電極
１５ ゲート電極
１７ パッシベーション層
１８ 第１キャパシタ電極
１９ 第２キャパシタ電極
２０ 正孔輸送層
２１ データ線
２２ フレキシブル基板
２３ 活性電気泳動物質層
２４ 保護接着層
２５ プラズマエッチング処理

Claims (27)

  1. 基板を提供する段階と、
    前記基板上に有機絶縁物からなる有機絶縁層を形成する段階と、
    前記有機絶縁層上の第２領域上に第２導電層を形成する段階と、
    前記有機絶縁層上の第１領域に有機溶媒を加えて前記有機絶縁層をパターニングする段階と、を含み、
    前記有機絶縁膜をパターニングする段階が、前記第１領域の有機絶縁物を溶解し、前記溶解された有機絶縁物が前記第２導電層を覆うことを特徴とする電子素子の製造方法。
  2. 前記有機絶縁層をパターニングする段階は、
    前記有機絶縁層の第１領域に前記有機溶媒を加えて有機絶縁層の厚さを減少させ、前記第１領域と隣接した第２領域には、前記有機溶媒に溶解された前記第１領域の有機絶縁物が蓄積されて、有機絶縁層の厚さを増大させることを特徴とする請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  3. 前記有機絶縁物としてフッ素化有機高分子を使用することを特徴とする請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  4. 前記有機絶縁物として、ポリヘキサフルオロプロペン、フッ素化ポリパラキシレン、フルオロポリアリールエーテル、フルオロポリアルキルエーテル、フッ素化ポリアミド、フッ素化エチレン／プロピレン共重合体、ポリ−(１，２−ジ−(ジフルオロメチレン)−パーフルオロ−テトラヒドロフラン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択されるいずれか一つを使用することを特徴とする請求項３に記載の電子素子の製造方法。
  5. 前記有機絶縁物として、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(ブチルメタクリレート)、ポリ(シクロヘキシルメタクリレート)、ポリイソブチレン、及びポリプロピレンからなる群から選択されたいずれか一つを使用することを特徴とする請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  6. 前記有機溶媒として非極性溶媒を使用することを特徴とする請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  7. 前記有機溶媒として、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、キシレン、ｎ−ヘキサン、トルエン、シクロヘキサン、アニソール、３，４−ジメチルアニソール、１，２−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、メチルベンゾエート、エチルベンゾエート、パーフルオロヘプタン、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロデカン、パーフルオロウンデカン、パーフルオロドデカン、パーフルオロデカリン、パーフルオロメチルデカリン、パーフルオロ−ジメチルエーテル、パーフルオロ−テトラヒドロフラン、パーフルオロ−メチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−エチルテトラヒドロフラン、パーフルオロ−ジプロピルエーテル、パーフルオロ−ジイソプロピルエーテル、パーフルオロ−エチルプロピルエーテル、パーフルオロ−２−ブチルテトラヒドロフラン、過フッ素化飽和第３アミン、ヘプタコサフルオロトリブチルアミン、及びメトキシノナフルオロブタンからなる群から選択されたいずれか一つを使用することを特徴とする請求項６に記載の電子素子の製造方法。
  8. 前記有機絶縁層にプラズマエッチングを行う段階をさらに含む請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  9. 前記基板上に第１導電層を形成する段階をさらに含む請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  10. 前記第１導電層が備えられた基板上に前記有機絶縁層を形成し、
    前記有機絶縁層に前記有機溶媒を加えて、前記第１導電層が露出するように前記有機絶縁層をパターニングすることを特徴とする請求項９に記載の電子素子の製造方法。
  11. 露出した前記第１導電層上に発光層を形成する段階をさらに含む請求項１０に記載の電子素子の製造方法。
  12. 前記第１導電層が備えられた基板上に前記有機絶縁層を形成し、
    前記有機絶縁層に前記有機溶媒を加えて、前記第１導電層が露出しないように前記有機絶縁層をパターニングすることを特徴とする請求項９に記載の電子素子の製造方法。
  13. 前記パターニングされた有機絶縁層上に第１導電層を形成する段階をさらに含む請求項１に記載の電子素子の製造方法。
  14. 基板と、
    前記基板上に形成され、有機絶縁物からなる有機絶縁層とを備え、
    前記有機絶縁層は、第１グルーブを有する第１領域と、前記第１グルーブと接するように突出部を備える第２領域とに区分され、
    前記有機絶縁層上で前記突出部に埋め込まれた第２導電層をさらに備える電子素子。
  15. 前記第２領域は、複数の前記突出部と、隣接した前記突出部により形成された第２グルーブとをさらに備え、
    前記第２グルーブは、前記第１グルーブよりグルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さが厚いことを特徴とする請求項１４に記載の電子素子。
  16. 前記基板上に形成された第１導電層をさらに備える請求項１４に記載の電子素子。
  17. 前記第１グルーブに形成された第１導電層をさらに備える請求項１４に記載の電子素子。
  18. 前記第２グルーブに形成される第１導電層をさらに備える請求項１５に記載の電子素子。
  19. 前記第１導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１６に記載の電子素子。
  20. 前記第１導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子。
  21. 前記第２導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子。
  22. 前記第１導電層は、キャパシタ電極、画素電極、対向電極、ゲート電極、及び配線のうちから選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１８に記載の電子素子。
  23. 基板を提供する段階と、
    前記基板上にソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極を形成する段階と、
    前記ソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極を覆うように有機絶縁物を含む有機絶縁層を形成する段階と、
    前記チャンネル領域の上部に相当する前記有機絶縁層の第２領域上に、ゲート電極を形成する段階と、
    前記画素電極の上部に相当する前記有機絶縁層の第１領域に有機溶媒を加えて、前記第１領域の有機絶縁物を除去する段階と、を含み、
    前記第１領域の有機絶縁物を除去する段階が、前記第１領域の有機絶縁物を溶解し、前記溶解された有機絶縁物が前記ゲート電極を覆うことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  24. 前記第１領域に有機溶媒を加えて、前記画素電極が露出するように前記第１領域の有機絶縁物を除去することを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  25. 前記画素電極が露出するようにプラズマエッチングを行う段階をさらに含む請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  26. 前記第１領域に有機溶媒を加えて前記第１領域の有機絶縁物を溶解し、溶解された前記有機絶縁物は、前記第１領域と隣接した第２領域に蓄積され、蓄積された前記有機絶縁物上にゲート電極を形成することを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  27. 基板と、
    前記基板上に形成されたソース電極、チャンネル領域、ドレイン電極、及び画素電極と、
    前記チャンネル領域を覆うように基板上に形成され、有機絶縁物からなる有機絶縁層と、を備え、
    前記有機絶縁層の第１領域は、前記画素電極を露出させる第１グルーブを備え、前記有機絶縁層の第２領域は、前記第１グルーブと接する突出部を備え、
    前記第２領域は、前記チャンネル領域の上部に配置された複数の突出部を備え、隣接した前記突出部により形成された第２グルーブをさらに備え、
    前記有機絶縁層上で前記突出部に埋め込まれたゲート電極をさらに含み、
    前記第２グルーブは、前記第１グルーブよりグルーブの底面に相当する有機絶縁層の厚さが厚いことを特徴とする有機発光表示装置。
JP2007322526A 2006-12-13 2007-12-13 電子素子、及びその製造方法 Active JP4801037B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06126004A EP1933393A1 (en) 2006-12-13 2006-12-13 Method of manufacturing a substrate for an electronic device
EP06126004.8 2006-12-13
KR1020070036180A KR100858820B1 (ko) 2006-12-13 2007-04-12 전자 소자, 및 이의 제조방법
KR10-2007-0036180 2007-04-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008160108A JP2008160108A (ja) 2008-07-10
JP4801037B2 true JP4801037B2 (ja) 2011-10-26

Family

ID=39526299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007322526A Active JP4801037B2 (ja) 2006-12-13 2007-12-13 電子素子、及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7993960B2 (ja)
JP (1) JP4801037B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021477A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法
US9091913B2 (en) * 2008-04-10 2015-07-28 The Johns Hopkins University Method for producing spatially patterned structures using fluorinated compounds
DE102008061928A1 (de) * 2008-12-15 2010-06-17 Polylc Gmbh & Co. Kg Organisch elektronische Schaltung
KR20120042068A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8415183B2 (en) * 2010-11-22 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level conformal coating for LED devices
CN102640318B (zh) 2010-11-29 2015-12-16 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光元件的制造方法、有机发光元件、发光装置、显示面板以及显示装置
KR101955621B1 (ko) * 2012-09-21 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
US20140346468A1 (en) * 2013-05-27 2014-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device having a channel in pixel defining layer
KR102387145B1 (ko) * 2015-05-22 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 표시 장치
KR102404573B1 (ko) * 2016-05-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2017220174A (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107644951A (zh) * 2017-10-20 2018-01-30 东莞理工学院 一种印刷oled显示屏的制备方法
JP7404878B2 (ja) * 2020-01-09 2023-12-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN115802791A (zh) * 2022-10-31 2023-03-14 华南理工大学 一种发光二极管及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5073141B2 (ja) * 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
JP3896770B2 (ja) * 2000-07-07 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 配線間接続孔の形成方法
GB2367788A (en) * 2000-10-16 2002-04-17 Seiko Epson Corp Etching using an ink jet print head
SG143942A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
GB2374202A (en) * 2001-04-03 2002-10-09 Seiko Epson Corp Patterning method
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP2005268202A (ja) * 2004-02-16 2005-09-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
KR100691319B1 (ko) 2004-09-15 2007-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR101050588B1 (ko) * 2004-11-30 2011-07-19 삼성전자주식회사 유기절연막 패턴형성 방법
US8367551B2 (en) * 2005-03-25 2013-02-05 E I Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of etchants and modifiers

Also Published As

Publication number Publication date
US20110260183A1 (en) 2011-10-27
US7993960B2 (en) 2011-08-09
JP2008160108A (ja) 2008-07-10
US20080143251A1 (en) 2008-06-19
US8598572B2 (en) 2013-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4801037B2 (ja) 電子素子、及びその製造方法
KR100858820B1 (ko) 전자 소자, 및 이의 제조방법
US7695759B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR101418621B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 이중 트랜지스터 구조물, 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법, 이중 ｔｆｔ구조물 제조 방법, 액티브 매트릭스 ｏｌｅｄ 디스플레이
KR102240894B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR100782461B1 (ko) Ｔｆｔ패널 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 구비하는 유기전계 발광 표시 장치
KR100730159B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판표시장치, 상기유기 박막 트랜지스터의 제조방법
KR20060129552A (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이
US7166860B2 (en) Electronic device and process for forming same
JP2004297011A (ja) 有機トランジスタの製造方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20110007096A (ko) 반도체 장치 및 표시 장치
CN102292816B (zh) 有机半导体装置及其制造方法
KR20140026422A (ko) 픽셀 커패시터
EP1629525B1 (en) A structure for a semiconductor arrangement and a method of manufacturing a semiconductor arrangement
US7714324B2 (en) Organic thin film transistor and method of manufacturing the same
JP5533050B2 (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器
JP5264089B2 (ja) 半導体要素、これを備えた有機発光ディスプレイ装置及び該半導体要素の製造方法
JP4605319B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ
US10008604B2 (en) Active device and method for manufacturing active device
KR100846595B1 (ko) 반도체 요소, 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치 및상기 반도체 요소의 제조방법
JP5205894B2 (ja) 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
JP2008109100A (ja) 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110421

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110705

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110804

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4801037

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250