JP2002026229A - 配線間接続孔の形成方法 - Google Patents
配線間接続孔の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】特殊な構造体の端子の部分に配線間接続孔を簡
単に形成する。 【解決手段】単位ブロック３９をガラス基板５２の窪み
５４に配置することにより、構造体Ｋを形成する。この
構造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，
３９Ｂと、ガラス基板５２に直接形成された端子５２
Ａ，５２Ｂが露出している。この構造体Ｋの表面（各端
子が露出している面）全体に対して、ポリビニルピロリ
ドンからなる被膜１を形成する。この被膜１の端子３９
Ａ，５２Ａの部分に、インクジェット装置のヘッド２か
らメタノール３を吐出する。ポリビニルピロリドンはメ
タノールに溶解するため、被膜１の端子３９Ａの部分が
メタノール３で破壊される。その結果、被膜１に貫通孔
１０が形成されて端子３９Ａが露出する。
単に形成する。 【解決手段】単位ブロック３９をガラス基板５２の窪み
５４に配置することにより、構造体Ｋを形成する。この
構造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，
３９Ｂと、ガラス基板５２に直接形成された端子５２
Ａ，５２Ｂが露出している。この構造体Ｋの表面（各端
子が露出している面）全体に対して、ポリビニルピロリ
ドンからなる被膜１を形成する。この被膜１の端子３９
Ａ，５２Ａの部分に、インクジェット装置のヘッド２か
らメタノール３を吐出する。ポリビニルピロリドンはメ
タノールに溶解するため、被膜１の端子３９Ａの部分が
メタノール３で破壊される。その結果、被膜１に貫通孔
１０が形成されて端子３９Ａが露出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特殊な構造体の端
子部分に、配線間を接続するための貫通孔を形成する方
法に関する。
子部分に、配線間を接続するための貫通孔を形成する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子を画素として備える有機Ｅ
Ｌ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆
動が可能であること、応答性が高速であること、固体有
機膜による発光であることから、表示性能に優れている
とともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能である
ため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期待され
ている。
Ｌ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆
動が可能であること、応答性が高速であること、固体有
機膜による発光であることから、表示性能に優れている
とともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能である
ため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期待され
ている。
【０００３】特に、駆動方式がアクティブマトリックス
方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体
は、画素毎に駆動用のトランジスタを備えているため、
高輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の
大型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明
で大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、
ガラス基板に形成可能な、低温多結晶シリコン膜を活性
層とする薄膜トランジスタを使用することが提案されて
いる。
方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体
は、画素毎に駆動用のトランジスタを備えているため、
高輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の
大型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明
で大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、
ガラス基板に形成可能な、低温多結晶シリコン膜を活性
層とする薄膜トランジスタを使用することが提案されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、アクテ
ィブマトリックス型有機ＥＬ表示体では、各画素毎に薄
膜トランジスタを形成する必要があるが、これを表示体
基板に直接形成すると、画素数の増加に伴って、性能不
良の薄膜トランジスタが形成される可能性が高くなる。
ィブマトリックス型有機ＥＬ表示体では、各画素毎に薄
膜トランジスタを形成する必要があるが、これを表示体
基板に直接形成すると、画素数の増加に伴って、性能不
良の薄膜トランジスタが形成される可能性が高くなる。
【０００５】これに対して、各画素用の薄膜トランジス
タを、表示用基板とは別の基板上に多数個並列に形成
し、これを単位ブロックに分割して各単位ブロックのト
ランジスタ性能を検査し、良品のみを表示体用基板の各
画素位置に配置すれば、表示体用基板上に性能不良の薄
膜トランジスタが形成されないようにすることができ
る。この場合には、単位ブロックの表面にトランジスタ
の端子を形成しておき、表示用基板の各画素位置に単位
ブロックを配置した後に、この端子を使用して各単位ブ
ロックのトランジスタを配線で接続する必要がある。
タを、表示用基板とは別の基板上に多数個並列に形成
し、これを単位ブロックに分割して各単位ブロックのト
ランジスタ性能を検査し、良品のみを表示体用基板の各
画素位置に配置すれば、表示体用基板上に性能不良の薄
膜トランジスタが形成されないようにすることができ
る。この場合には、単位ブロックの表面にトランジスタ
の端子を形成しておき、表示用基板の各画素位置に単位
ブロックを配置した後に、この端子を使用して各単位ブ
ロックのトランジスタを配線で接続する必要がある。
【０００６】本発明は、このような特殊な構造体をなす
単位ブロックの端子部分に、配線間接続用の貫通孔（配
線間接続孔）を簡単に形成する方法を提供することを課
題とする。
単位ブロックの端子部分に、配線間接続用の貫通孔（配
線間接続孔）を簡単に形成する方法を提供することを課
題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板とその所定位置に配置された単位ブ
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体の表面に、所定の
液体で破壊される材料からなる被膜を形成し、この被膜
の前記端子に対応する部分にこの被膜を破壊可能な液体
をインクジェット法で吐出することにより、この被膜の
前記端子に対応する部分を前記液体で破壊してこの部分
に貫通孔を形成することを特徴とする配線間接続孔の形
成方法を提供する。この方法を本発明の第１の方法と定
義する。
に、本発明は、基板とその所定位置に配置された単位ブ
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体の表面に、所定の
液体で破壊される材料からなる被膜を形成し、この被膜
の前記端子に対応する部分にこの被膜を破壊可能な液体
をインクジェット法で吐出することにより、この被膜の
前記端子に対応する部分を前記液体で破壊してこの部分
に貫通孔を形成することを特徴とする配線間接続孔の形
成方法を提供する。この方法を本発明の第１の方法と定
義する。
【０００８】本発明はまた、基板とその所定位置に配置
された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび
／または基板の表面に端子が形成されている構造体の表
面に、所定の液体で破壊される材料からなる第１の被膜
を形成した後、第１の被膜の上に前記液体で破壊されな
い材料からなる第２の被膜を形成してパターニングを行
うことにより、第２の被膜の前記端子に対応する部分に
貫通孔を形成した後、この貫通孔に第１の被膜を破壊す
る液体を供給することにより、第１の被膜の前記端子に
対応する部分を前記液体で破壊してこの部分に貫通孔を
形成することを特徴とする配線間接続孔の形成方法を提
供する。この方法を本発明の第２の方法と定義する。
された単位ブロックとで構成され、単位ブロックおよび
／または基板の表面に端子が形成されている構造体の表
面に、所定の液体で破壊される材料からなる第１の被膜
を形成した後、第１の被膜の上に前記液体で破壊されな
い材料からなる第２の被膜を形成してパターニングを行
うことにより、第２の被膜の前記端子に対応する部分に
貫通孔を形成した後、この貫通孔に第１の被膜を破壊す
る液体を供給することにより、第１の被膜の前記端子に
対応する部分を前記液体で破壊してこの部分に貫通孔を
形成することを特徴とする配線間接続孔の形成方法を提
供する。この方法を本発明の第２の方法と定義する。
【０００９】第１の方法では、被膜の材料としてポリビ
ニルピロリドンまたはポリビニルアルコールを使用し、
被膜を破壊する液体として水、メタノール、またはエタ
ノールを使用することが好ましい。第２の方法では、第
１の被膜の材料としてポリビニルピロリドンまたはポリ
ビニルアルコールを使用し、第１の被膜を破壊する液体
として水、メタノール、またはエタノールを使用するこ
とが好ましい。
ニルピロリドンまたはポリビニルアルコールを使用し、
被膜を破壊する液体として水、メタノール、またはエタ
ノールを使用することが好ましい。第２の方法では、第
１の被膜の材料としてポリビニルピロリドンまたはポリ
ビニルアルコールを使用し、第１の被膜を破壊する液体
として水、メタノール、またはエタノールを使用するこ
とが好ましい。
【００１０】第２の方法では、前記液体の供給方法は特
に限定されないが、インクジェット法で行うことが好ま
しい。第２の方法では、第２の被膜を自己組織化膜とす
ることが好ましい。第２の方法では、第１の被膜の材料
として親水基を含む分子からなる物質（例えば、ポリビ
ニルピロリドンまたはポリビニルアルコール）を使用
し、第１の被膜を破壊する液体として極性溶媒（例え
ば、水、メタノール、またはエタノール）を使用し、フ
ルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成する
ことが好ましい。フルオロアルキルシランとしては、ヘ
プタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシラ
ン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロ
シラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリク
ロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン
等が挙げられる。
に限定されないが、インクジェット法で行うことが好ま
しい。第２の方法では、第２の被膜を自己組織化膜とす
ることが好ましい。第２の方法では、第１の被膜の材料
として親水基を含む分子からなる物質（例えば、ポリビ
ニルピロリドンまたはポリビニルアルコール）を使用
し、第１の被膜を破壊する液体として極性溶媒（例え
ば、水、メタノール、またはエタノール）を使用し、フ
ルオロアルキルシランを用いて自己組織化膜を形成する
ことが好ましい。フルオロアルキルシランとしては、ヘ
プタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシラ
ン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロ
シラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリク
ロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン
等が挙げられる。
【００１１】第１および第２の方法における「被膜の破
壊」とは、被膜が溶解や腐食等によって被膜の形態を成
さない状態となり、簡単な洗浄等によって容易に除去可
能な状態とすることを意味する。第２の方法における
「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能
な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体ま
たは液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前
記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結
合し、直鎖分子を外側に向けて形成された緻密な単分子
膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する
自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組
織化膜と称される。
壊」とは、被膜が溶解や腐食等によって被膜の形態を成
さない状態となり、簡単な洗浄等によって容易に除去可
能な状態とすることを意味する。第２の方法における
「自己組織化膜」とは、膜形成面の構成原子と結合可能
な官能基が直鎖分子に結合されている化合物を、気体ま
たは液体の状態で膜形成面と共存させることにより、前
記官能基が膜形成面に吸着して膜形成面の構成原子と結
合し、直鎖分子を外側に向けて形成された緻密な単分子
膜である。この単分子膜は、化合物の膜形成面に対する
自発的な化学吸着によって形成されることから、自己組
織化膜と称される。
【００１２】なお、自己組織化膜については、Ａ．Ｕｌ
ｍａｎ著の「Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ
Ｕｌｔｒａｔｈｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｌｍ ｆｒ
ｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｔｏ Ｓｅ
ｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓ Ｉｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳
細に記載されている。
ｍａｎ著の「Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ
Ｕｌｔｒａｔｈｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｉｌｍ ｆｒ
ｏｍＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ ｔｏ Ｓｅ
ｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ」（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓ Ｉｎｃ．Ｂｏｓｔｏｎ，１９９１）の第３章に詳
細に記載されている。
【００１３】親水性の膜形成面（ヒドロキシル基等の親
水基が存在する膜形成面）に対してフルオロアルキルシ
ランを用いて自己組織化膜を形成すると、フルオロアル
キルシランのシリル基と膜形成面のヒドロキシル基との
間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子
の末端にフルオロアルキル基（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）n −）
が配置されるため、得られる自己組織化膜の表面は撥液
性（液体によって濡れ難い性質）となる。
水基が存在する膜形成面）に対してフルオロアルキルシ
ランを用いて自己組織化膜を形成すると、フルオロアル
キルシランのシリル基と膜形成面のヒドロキシル基との
間に加水分解によってシロキサン結合が生じ、直鎖分子
の末端にフルオロアルキル基（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）n −）
が配置されるため、得られる自己組織化膜の表面は撥液
性（液体によって濡れ難い性質）となる。
【００１４】したがって、第２の方法において、第１の
被膜を親水基を含む分子からなる物質で構成することに
よって膜形成面を親水性とし、自己組織化膜の材料とし
てフルオロアルキルシランを用いれば、前記被膜の上に
形成された自己組織化膜の表面は撥液性となる。そし
て、第１の被膜を破壊する液体として極性溶媒を用いれ
ば、自己組織化膜の貫通孔に極性溶剤が供給されて、こ
の位置の第１の被膜が極性溶媒で破壊される。
被膜を親水基を含む分子からなる物質で構成することに
よって膜形成面を親水性とし、自己組織化膜の材料とし
てフルオロアルキルシランを用いれば、前記被膜の上に
形成された自己組織化膜の表面は撥液性となる。そし
て、第１の被膜を破壊する液体として極性溶媒を用いれ
ば、自己組織化膜の貫通孔に極性溶剤が供給されて、こ
の位置の第１の被膜が極性溶媒で破壊される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。 〔第１実施形態〕図１〜４を用いて、本発明の第１の方
法に相当する実施形態を説明する。先ず、図３に示すよ
うに、単位ブロック３９の微細構造（トランジスタ等の
素子を含む回路）を、シリコンウエハ４１上に多数個並
列に形成する。次に、このシリコンウエハ４１を分割線
５１で分割することにより、多数の単位ブロック３９を
得る。各単位ブロック３９の表面には素子の端子が形成
されている。
説明する。 〔第１実施形態〕図１〜４を用いて、本発明の第１の方
法に相当する実施形態を説明する。先ず、図３に示すよ
うに、単位ブロック３９の微細構造（トランジスタ等の
素子を含む回路）を、シリコンウエハ４１上に多数個並
列に形成する。次に、このシリコンウエハ４１を分割線
５１で分割することにより、多数の単位ブロック３９を
得る。各単位ブロック３９の表面には素子の端子が形成
されている。
【００１６】一方、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板５２には、エッチング等の工程により、単位ブロック
３９を配置する位置に窪み５４を設けておく。単位ブロ
ック３９の端面はシリコン単結晶の劈開面に沿って斜め
に切断されているため、ガラス基板５２の窪み５４の内
壁面を、この単位ブロック３９の斜面に合わせた形状に
しておく。また、ガラス基板５２の表面の所定位置に端
子５２Ａ，５２Ｂを予め形成しておく。
板５２には、エッチング等の工程により、単位ブロック
３９を配置する位置に窪み５４を設けておく。単位ブロ
ック３９の端面はシリコン単結晶の劈開面に沿って斜め
に切断されているため、ガラス基板５２の窪み５４の内
壁面を、この単位ブロック３９の斜面に合わせた形状に
しておく。また、ガラス基板５２の表面の所定位置に端
子５２Ａ，５２Ｂを予め形成しておく。
【００１７】そして、図４に示すように、このガラス基
板５２と単位ブロック３９を液体５３中に入れ、単位ブ
ロック３９をガラス基板５２の表面（窪み５４が形成さ
れている面）に沿って流動させることにより、単位ブロ
ック３９を窪み５４に嵌め入れる。その結果、単位ブロ
ック３９がガラス基板５２の所定位置に配置された構造
体Ｋが得られる。図１（ｂ）はこの状態を示す。この構
造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，３
９Ｂとガラス基板５２に直接形成された端子５２Ａ，５
２Ｂが露出している。
板５２と単位ブロック３９を液体５３中に入れ、単位ブ
ロック３９をガラス基板５２の表面（窪み５４が形成さ
れている面）に沿って流動させることにより、単位ブロ
ック３９を窪み５４に嵌め入れる。その結果、単位ブロ
ック３９がガラス基板５２の所定位置に配置された構造
体Ｋが得られる。図１（ｂ）はこの状態を示す。この構
造体Ｋの表面には、単位ブロック３９の端子３９Ａ，３
９Ｂとガラス基板５２に直接形成された端子５２Ａ，５
２Ｂが露出している。
【００１８】次に、図１（ｃ）に示すように、この構造
体Ｋの表面（各端子が露出している面）全体に対して、
ポリビニルピロリドンからなる被膜１を形成する。この
被膜１は、例えば、ポリビニルピロリドンをメタノール
等の溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布した
後、溶剤を蒸発させることにより形成できる。この被膜
１は、この構造体Ｋの表面の保護膜且つ絶縁膜であると
ともに、単位ブロック３９を窪み５４内に固定する固定
化膜としても機能する。この被膜１の厚さは例えば２〜
３μｍとする。
体Ｋの表面（各端子が露出している面）全体に対して、
ポリビニルピロリドンからなる被膜１を形成する。この
被膜１は、例えば、ポリビニルピロリドンをメタノール
等の溶剤に溶かした溶液をスピンコート法で塗布した
後、溶剤を蒸発させることにより形成できる。この被膜
１は、この構造体Ｋの表面の保護膜且つ絶縁膜であると
ともに、単位ブロック３９を窪み５４内に固定する固定
化膜としても機能する。この被膜１の厚さは例えば２〜
３μｍとする。
【００１９】次に、図１（ｄ）に示すように、この被膜
１の単位ブロック３９の端子３９Ａの部分に、インクジ
ェット装置のヘッド２からメタノール３を吐出する。こ
れにより、ポリビニルピロリドンはメタノールに溶解す
るため、被膜１の端子３９Ａの部分がメタノール３で破
壊される。その結果、被膜１に貫通孔１０が形成されて
端子３９Ａが露出する。単位ブロック３９の端子３９Ａ
と接続するガラス基板５２の端子５２Ａについても、こ
れと同様にインクジェット法で貫通孔１０を形成する。
インクジェット装置のヘッド２の吐出孔の直径は例えば
３０μｍ程度とする。
１の単位ブロック３９の端子３９Ａの部分に、インクジ
ェット装置のヘッド２からメタノール３を吐出する。こ
れにより、ポリビニルピロリドンはメタノールに溶解す
るため、被膜１の端子３９Ａの部分がメタノール３で破
壊される。その結果、被膜１に貫通孔１０が形成されて
端子３９Ａが露出する。単位ブロック３９の端子３９Ａ
と接続するガラス基板５２の端子５２Ａについても、こ
れと同様にインクジェット法で貫通孔１０を形成する。
インクジェット装置のヘッド２の吐出孔の直径は例えば
３０μｍ程度とする。
【００２０】次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所
定の液体で洗浄すること等により、被膜１の表面および
貫通孔１０内に残存するメタノールを除去する。この洗
浄用の液体としては、ポリビニルピロリドン被膜１およ
び端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。次
に、図２（ａ）に示すように、金属微粒子が溶剤中に分
散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２か
ら、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子３９Ａ
上の貫通孔１０まで連続して吐出する。この液体７は、
図２（ｂ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１の上
側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両
貫通孔１０間の被膜１上には配線幅に応じた所定幅で吐
出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱す
るか、減圧装置に入れて減圧することによって、図２
（ｂ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
定の液体で洗浄すること等により、被膜１の表面および
貫通孔１０内に残存するメタノールを除去する。この洗
浄用の液体としては、ポリビニルピロリドン被膜１およ
び端子３９Ａ，５２Ａを溶解させない液体を用いる。次
に、図２（ａ）に示すように、金属微粒子が溶剤中に分
散された液体７を、インクジェット装置のヘッド２か
ら、被覆１の端子５２Ａ上の貫通孔１０から端子３９Ａ
上の貫通孔１０まで連続して吐出する。この液体７は、
図２（ｂ）に示すように、両貫通孔１０には被膜１の上
側までかかるような十分な量を充填し、貫通孔１０が両
貫通孔１０間の被膜１上には配線幅に応じた所定幅で吐
出する。次に、この構造体Ｋを加熱装置に入れて加熱す
るか、減圧装置に入れて減圧することによって、図２
（ｂ）の状態の液体７から溶剤を蒸発させる。
【００２１】これにより、図２（ｃ）に示すように、単
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。 〔第２実施形態〕図５および６を用いて本発明の第２の
方法に相当する実施形態を説明する。
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。 〔第２実施形態〕図５および６を用いて本発明の第２の
方法に相当する実施形態を説明する。
【００２２】先ず、第１実施形態と同じ方法で、構造体
Ｋの作製とこの構造体Ｋの表面に対するポリビニルアル
コール被膜（第１の被膜）１Ａの形成を行う。ただし、
ポリビニルアルコール被膜１Ａの形成は、例えばポリビ
ニルアルコール水溶液を用いて行う。図５（ａ）はこの
状態を示す。次に、この構造体Ｋとヘプタデカフルオロ
テトラヒドロデシルトリエトキシシランを同一の密閉容
器に入れて、５時間１２０℃で放置することにより、被
膜１Ａの上に自己組織化膜４を形成する。図５（ｂ）は
この状態を示す。ここで、ポリビニルアルコール被膜１
Ａの上にヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエ
トキシシランを用いて形成された自己組織化膜４の表面
は撥液性となる。
Ｋの作製とこの構造体Ｋの表面に対するポリビニルアル
コール被膜（第１の被膜）１Ａの形成を行う。ただし、
ポリビニルアルコール被膜１Ａの形成は、例えばポリビ
ニルアルコール水溶液を用いて行う。図５（ａ）はこの
状態を示す。次に、この構造体Ｋとヘプタデカフルオロ
テトラヒドロデシルトリエトキシシランを同一の密閉容
器に入れて、５時間１２０℃で放置することにより、被
膜１Ａの上に自己組織化膜４を形成する。図５（ｂ）は
この状態を示す。ここで、ポリビニルアルコール被膜１
Ａの上にヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエ
トキシシランを用いて形成された自己組織化膜４の表面
は撥液性となる。
【００２３】次に、図５（ｃ）に示すように、自己組織
化膜４の上に、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス
基板５２の端子５２Ａの位置に紫外線透過部５Ａを有す
るフォトマスク５を置き、このフォトマスク５を介して
自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射す
る。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部
分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分
解され）て除去されるため、図５（ｄ）に示すように、
自己組織化膜４の端子３９Ａ，５２Ａの位置に貫通孔４
Ａが形成される。
化膜４の上に、単位ブロック３９の端子３９Ａとガラス
基板５２の端子５２Ａの位置に紫外線透過部５Ａを有す
るフォトマスク５を置き、このフォトマスク５を介して
自己組織化膜４に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射す
る。ここで、自己組織化膜４の紫外線６が照射された部
分は、紫外線６により破壊され（膜を構成する分子が分
解され）て除去されるため、図５（ｄ）に示すように、
自己組織化膜４の端子３９Ａ，５２Ａの位置に貫通孔４
Ａが形成される。
【００２４】次に、図５（ｅ）に示すように、これらの
貫通孔４Ａに、インクジェット装置のヘッド２から水３
０を吐出する。ここで、前述のように、自己組織化膜４
の表面は撥液性であるため、極性溶媒である水３０は、
自己組織化膜４の表面に止まらずに貫通孔４Ａ内に積極
的に入る。図５（ｆ）はこの状態を示す。これにより、
貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの
部分が水３０で効率的に破壊される。その結果、ポリビ
ニルアルコール被膜１Ａの端子３９Ａ，５２Ａに対応す
る部分に貫通孔１０が形成されて、端子３９Ａ，５２Ａ
が露出する。図５（ｅ）はこの状態を示す。
貫通孔４Ａに、インクジェット装置のヘッド２から水３
０を吐出する。ここで、前述のように、自己組織化膜４
の表面は撥液性であるため、極性溶媒である水３０は、
自己組織化膜４の表面に止まらずに貫通孔４Ａ内に積極
的に入る。図５（ｆ）はこの状態を示す。これにより、
貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコール被膜１Ａの
部分が水３０で効率的に破壊される。その結果、ポリビ
ニルアルコール被膜１Ａの端子３９Ａ，５２Ａに対応す
る部分に貫通孔１０が形成されて、端子３９Ａ，５２Ａ
が露出する。図５（ｅ）はこの状態を示す。
【００２５】次に、この状態でこの構造体Ｋの表面を所
定の液体で洗浄すること等により、被膜１Ａの貫通孔１
０内に残存する水を除去する。この洗浄用の液体として
は、ポリビニルアルコール被膜１Ａおよび端子３９Ａ，
５２Ａを溶解させない液体を用いる。次に、図６（ａ）
に示すように、自己組織化膜４の上に、配線パターンに
応じた紫外線透過部８Ａが形成されているフォトマスク
８を置き、このフォトマスク８を介して自己組織化膜４
に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己
組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６に
より破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去さ
れるため、自己組織化膜４の配線パターンに応じた部分
が所定幅で除去される。図６（ｂ）はこの状態を示す。
定の液体で洗浄すること等により、被膜１Ａの貫通孔１
０内に残存する水を除去する。この洗浄用の液体として
は、ポリビニルアルコール被膜１Ａおよび端子３９Ａ，
５２Ａを溶解させない液体を用いる。次に、図６（ａ）
に示すように、自己組織化膜４の上に、配線パターンに
応じた紫外線透過部８Ａが形成されているフォトマスク
８を置き、このフォトマスク８を介して自己組織化膜４
に波長１７２ｎｍの紫外線６を照射する。ここで、自己
組織化膜４の紫外線６が照射された部分は、紫外線６に
より破壊され（膜を構成する分子が分解され）て除去さ
れるため、自己組織化膜４の配線パターンに応じた部分
が所定幅で除去される。図６（ｂ）はこの状態を示す。
【００２６】この状態で、金属微粒子が溶剤中に分散さ
れた液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被
膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５に
吐出する。この液体７は、図６（ｃ）に示すように、両
貫通孔１０には被膜１Ａの上側までかかるような十分な
量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１Ａ上
には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造
体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて
減圧することによって、図６（ｃ）の状態の液体７から
溶剤を蒸発させる。
れた液体７を、インクジェット装置のヘッド２から、被
膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている部分４５に
吐出する。この液体７は、図６（ｃ）に示すように、両
貫通孔１０には被膜１Ａの上側までかかるような十分な
量を充填し、貫通孔１０が両貫通孔１０間の被膜１Ａ上
には配線幅に応じた所定幅で吐出する。次に、この構造
体Ｋを加熱装置に入れて加熱するか、減圧装置に入れて
減圧することによって、図６（ｃ）の状態の液体７から
溶剤を蒸発させる。
【００２７】これにより、図６（ｄ）に示すように、単
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。ここで使用する液
体７の溶剤は、極性溶媒であることが好ましい。溶剤が
極性溶媒である液体７は、親水基を含む分子からなる被
膜１Ａとの親和力が高いため、この被膜１Ａの貫通孔１
０および被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている
部分４５内に安定的に配置される。
位ブロック３９の端子３９Ａとガラス基板５２の端子５
２Ａが配線７０で接続される。この配線７０は、液体７
に含まれていた金属微粒子からなる。ここで使用する液
体７の溶剤は、極性溶媒であることが好ましい。溶剤が
極性溶媒である液体７は、親水基を含む分子からなる被
膜１Ａとの親和力が高いため、この被膜１Ａの貫通孔１
０および被膜１Ａ上の自己組織化膜４が除去されている
部分４５内に安定的に配置される。
【００２８】以上のように、これらの実施形態の方法に
よれば、構造体Ｋの端子３９Ａ，５２Ａの部分に、配線
間接続孔（貫通孔１０）を簡単に形成することができ
る。特に、第２実施形態では、表面が撥液性となる自己
組織化膜４を親水性のポリビニルアルコール被膜１Ａ上
に形成し、極性溶媒である水３０を貫通孔４Ａ内に入れ
ることにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコ
ール被膜１Ａの部分を水３０で効率的に破壊することが
できる。また、自己組織化膜４をパターニングすること
により、フォトマスク５の紫外線透過部５Ａが精度良く
貫通孔４Ａに転写されるため、第１実施形態の方法より
も、配線間接続孔（貫通孔１０）の寸法精度を高くする
ことができる。
よれば、構造体Ｋの端子３９Ａ，５２Ａの部分に、配線
間接続孔（貫通孔１０）を簡単に形成することができ
る。特に、第２実施形態では、表面が撥液性となる自己
組織化膜４を親水性のポリビニルアルコール被膜１Ａ上
に形成し、極性溶媒である水３０を貫通孔４Ａ内に入れ
ることにより、貫通孔４Ａに対応するポリビニルアルコ
ール被膜１Ａの部分を水３０で効率的に破壊することが
できる。また、自己組織化膜４をパターニングすること
により、フォトマスク５の紫外線透過部５Ａが精度良く
貫通孔４Ａに転写されるため、第１実施形態の方法より
も、配線間接続孔（貫通孔１０）の寸法精度を高くする
ことができる。
【００２９】なお、自己組織化膜４を使用している第２
実施形態では、貫通孔４Ａに対する水３０の供給をイン
クジェット法で行っているが、図５（ｄ）の状態の構造
体Ｋを水中に浸漬することにより行ってもよい。
実施形態では、貫通孔４Ａに対する水３０の供給をイン
クジェット法で行っているが、図５（ｄ）の状態の構造
体Ｋを水中に浸漬することにより行ってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、基板とその所定位置に配置された単位ブロックと
で構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に
端子が形成されている構造体の端子の部分に、配線間接
続孔を簡単に形成することができる。
れば、基板とその所定位置に配置された単位ブロックと
で構成され、単位ブロックおよび／または基板の表面に
端子が形成されている構造体の端子の部分に、配線間接
続孔を簡単に形成することができる。
【図１】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明
する図である。
する図である。
【図２】本発明の第１の方法に相当する実施形態を説明
する図である。
する図である。
【図３】単位ブロックの形成方法を説明する図である。
【図４】構造体の作製方法を説明する図である。
【図５】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明
する図である。
する図である。
【図６】本発明の第２の方法に相当する実施形態を説明
する図である。
する図である。
１ 被膜 １Ａ 第１の被膜 １０ 被膜の貫通孔（配線間接続孔） ２ インクジェット装置のヘッド ３ メタノール ３０ 水 ４ 自己組織化膜（第２の被膜） ４Ａ 自己組織化膜の貫通孔 ４５ 自己組織化膜の除去部分 ５ フォトマスク ５Ａ 紫外線透過部 ６ 紫外線 ７ 配線材料の液体 ７０ 配線 ８ フォトマスク ８Ａ 紫外線透過部 ３９ 単位ブロック ３９Ａ 単位ブロックの端子 ４１ シリコンウエハ ５１ 分割線 ５２ ガラス基板 ５２Ａ ガラス基板の端子 ５２Ｂ ガラス基板の端子 ５４ 窪み Ｋ 構造体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 聡 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 石田 方哉 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F043 AA30 BB25 CC14 EE40 FF06 GG02 5F058 AC07 AC10 AD01 AD08 AF04 AG03 AG09 AH01 AH03
Claims (6)
- 【請求項１】 基板とその所定位置に配置された単位ブ
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体の表面に、所定の
液体で破壊される材料からなる被膜を形成し、この被膜
の前記端子に対応する部分にこの被膜を破壊可能な液体
をインクジェット法で吐出することにより、この被膜の
前記端子に対応する部分を前記液体で破壊してこの部分
に貫通孔を形成することを特徴とする配線間接続孔の形
成方法。 - 【請求項２】 被膜の材料としてポリビニルピロリドン
またはポリビニルアルコールを使用し、被膜を破壊する
液体として水、メタノール、またはエタノールを使用す
る請求項１記載の配線間接続孔の形成方法。 - 【請求項３】 基板とその所定位置に配置された単位ブ
ロックとで構成され、単位ブロックおよび／または基板
の表面に端子が形成されている構造体の表面に、所定の
液体で破壊される材料からなる第１の被膜を形成した
後、第１の被膜の上に前記液体で破壊されない材料から
なる第２の被膜を形成してパターニングを行うことによ
り、第２の被膜の前記端子に対応する部分に貫通孔を形
成した後、この貫通孔に第１の被膜を破壊する液体を供
給することにより、第１の被膜の前記端子に対応する部
分を前記液体で破壊してこの部分に貫通孔を形成するこ
とを特徴とする配線間接続孔の形成方法。 - 【請求項４】 前記液体の供給はインクジェット法で行
う請求項３記載の配線間接続孔の形成方法。 - 【請求項５】 第２の被膜は自己組織化膜である請求項
３記載の配線間接続孔の形成方法。 - 【請求項６】 第１の被膜の材料としてポリビニルピロ
リドンまたはポリビニルアルコールを使用し、第１の被
膜を破壊する液体として水、メタノール、またはエタノ
ールを使用し、フルオロアルキルシランを用いて自己組
織化膜を形成する請求項５記載の配線間接続孔の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000207387A JP3896770B2 (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 配線間接続孔の形成方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2000207387A JP3896770B2 (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 配線間接続孔の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026229A true JP2002026229A (ja) | 2002-01-25 |
| JP3896770B2 JP3896770B2 (ja) | 2007-03-22 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3896770B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518755A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 内部接続の形成方法 |
| JP2004342935A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP2005005694A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び表示装置の作製方法 |
| JP2005039261A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
| JP2005093703A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiko Epson Corp | タイル状素子用配線形成方法、タイル状素子用配線構造物及び電子機器 |
| JP2008160108A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子素子、及びその製造方法 |
| US7575993B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device |
| JP2013516755A (ja) * | 2010-01-04 | 2013-05-13 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 流体ジェットを用いて孔を作製する方法 |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000207387A patent/JP3896770B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518755A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 内部接続の形成方法 |
| US7575993B2 (en) | 2003-05-16 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device |
| JP2004342935A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
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| JP4593969B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配線の作製方法及び表示装置の作製方法 |
| JP2009290227A (ja) * | 2003-05-16 | 2009-12-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線の作製方法及び表示装置の作製方法 |
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| JP4619050B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| JP2005093703A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiko Epson Corp | タイル状素子用配線形成方法、タイル状素子用配線構造物及び電子機器 |
| JP2008160108A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子素子、及びその製造方法 |
| US7993960B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-08-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
| US8598572B2 (en) | 2006-12-13 | 2013-12-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device with an insulating layer including a groove and a protrusion, and method of manufacturing the same |
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